New storage element and SRAM cell structures using vertical FETs controlled by adjacent junction bias through shallow trench.

New storage element and SRAM cell structures using vertical FETs controlled by adjacent junction bias through shallow trench

Номер патента: TW200423384A
Опубликовано: 01-11-2004
Автор(ы): Min-Hwa Chi
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Mfg
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

CMOS SRAM cell with prescribed power-on data state

Номер патента: US20020020885A1. Автор: Leonard Rockett. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2002-02-21.

CFET SRAM cell utilizing 8 transistors

Номер патента: US11894049B1. Автор: Victor Moroz,Plamen Asenov. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dual port SRAM cell

Номер патента: US09858985B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Four-poly-pitch SRAM cell with backside metal tracks

Номер патента: US12048135B2. Автор: Feng-Ming Chang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Ruey-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Four-poly-pitch sram cell with backside metal tracks

Номер патента: US20240349474A1. Автор: Feng-Ming Chang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Ruey-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Storage element and storage device

Номер патента: US8344467B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Storage element, storage device, method of manufacturing storage element, and magnetic head

Номер патента: US09397288B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US20120001281A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic storage element and magnetic memory

Номер патента: US8742519B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Magnetic cell structures, and methods of fabrication

Номер патента: US09768377B2. Автор: Wei Chen,Sunil Murthy,Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Mask ROM cell structure with multi-level data selection by code

Номер патента: US5736771A. Автор: Hon-Shen Huang,Zon-Sheng Wu,Kun-Lu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Storage element and memory

Номер патента: US11839163B2. Автор: Hiroshi Kano,Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: EP2896066A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Magnetic memory cell structures, arrays, and semiconductor devices

Номер патента: US20160308117A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of forming memory cells and arrays of magnetic memory cell structures, and related memory cells and memory cell structures

Номер патента: WO2014042995A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Sram cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US20070189062A1. Автор: William Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

SRAM cell controlled by flash memory cell

Номер патента: US7408815B2. Автор: William C. Plants. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Pmos avalanche programmed floating gate memory cell structure

Номер патента: WO2000041216A2. Автор: Sunil D. Mehta,Steven J. Fong,Stewart G. Logie. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2000-07-13.

Novel six-transistor (6t) sram cell structure

Номер патента: US20190139967A1. Автор: Randy W. Mann,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of making nonvolatile memory cell containing carbon resistivity switching as a storage element by low temperature processing

Номер патента: WO2009126493A1. Автор: Er-Xuan Ping,Alper Ilkbahar,Tammy Kumar. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-10-15.

Low-power SRAM cells

Номер патента: US09536597B2. Автор: Andrew Pickering. Владелец: Surecore Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Phase Change Memory Cell Structure

Номер патента: US20120187362A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

SRAM cell for interleaved wordline scheme

Номер патента: US09886996B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Hidehiro Fujiwara,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Back gated sram cell

Номер патента: WO2009042029A3. Автор: Hussein I Hanafi. Владелец: Hussein I Hanafi. Дата публикации: 2009-05-14.

Dual port SRAM cell and design method thereof

Номер патента: US11889673B2. Автор: Taehyung Kim,SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Soft Error Robust Storage SRAM Cells and Flip-Flops

Номер патента: US20100246242A1. Автор: Manoj Sachdev,David Rennie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Low-power sram cells

Номер патента: US20150294714A1. Автор: Andrew Pickering. Владелец: Surecore Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: EP4222741A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: US20220102360A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Static random access memory (sram) bit cell circuits with a minimum distance between a storage circuit active region and a read port circuit active region to reduce area and sram bit cell array circuits

Номер патента: WO2022072068A1. Автор: Sunil Sharma,Sonia Ghosh,Rahul Biradar,Channappa Desai. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory with FRAM and SRAM of IC

Номер патента: US11830550B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory with fram and sram of ic

Номер патента: US20240055049A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods and apparatus for SRAM cell structure

Номер патента: US09911744B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Storage element and memory

Номер патента: US09978933B2. Автор: Hiroshi Kano,Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Storage element and memory

Номер патента: US09728716B2. Автор: Hiroshi Kano,Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Static random access memory cell structure

Номер патента: US10546631B1. Автор: Su Xing. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Method for forming a super-noise-resistant bistable thermomagnetic storage element for recording and storing information

Номер патента: RU2771596C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Великанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2022-05-06.

Confined cell structures and methods of forming confined cell structures

Номер патента: US20240237546A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Sram cell with write enhance pass gate transistors

Номер патента: US20240257867A1. Автор: Wen-Yuan Chen,Szuya Liao,Wei-Xiang YOU,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Sram cell with different crystal orientation than associated logic

Номер патента: US20120302013A1. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Dual port sram cell and design method thereof

Номер патента: US20230005936A1. Автор: Taehyung Kim,SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

SRAM cell and array thereof

Номер патента: US5422840A. Автор: Ihachi Naiki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-06-06.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Four-Poly-Pitch SRAM Cell with Backside Metal Tracks

Номер патента: US20210375883A1. Автор: Feng-Ming Chang,Ping-Wei Wang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu,Ruey-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

SRAM cell having dual pass gate transistors and method of making the same

Номер патента: US09935112B1. Автор: Hui Zang,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

SRAM cell connection structure

Номер патента: US09478553B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods for operating SRAM cells

Номер патента: US8964457B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Memory array having strap region with staggered dummy magnetic storage elements

Номер патента: US11737285B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Kun-I Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Improved storage element for stt mram applications

Номер патента: EP2896044A1. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Witold Kula,Guenole Jan. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2015-07-22.

Improved storage element for stt mram applications

Номер патента: WO2014043466A1. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Witold Kula,Guenole Jan. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Confined cell structures and methods of forming confined cell structures

Номер патента: US11950514B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

SRAM Cell Having SiGe PMOS Fin Lines

Номер патента: US20190371393A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: EP2948954A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-02.

Static random access memories (sram) with read-preferred cell structures, write drivers, related systems, and methods

Номер патента: WO2014116655A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

Magnetic storage element

Номер патента: US11430497B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Semiconductor device having shallow trench isolation and gate groove

Номер патента: US09437265B2. Автор: Migaku Kobayashi,Shinya Iwasa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Storage element for the permanent storage of digital information

Номер патента: GB1469919A. Автор: . Владелец: Battelle Institut Ev. Дата публикации: 1977-04-06.

Device and method for detecting alignment of active areas and memory cell structures in dram devices

Номер патента: US20050184289A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Storage element, storage device, and magnetic head

Номер патента: US09818932B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Multilayer magnetic storage element and storage device

Номер патента: US09847161B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US09444034B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US09997698B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Storage element and storage device

Номер патента: US09608196B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Storage element, method for manufacturing storage element, and memory

Номер патента: US09472751B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Storage element and memory

Номер патента: US09875779B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory cell structures

Номер патента: US09825091B2. Автор: Heng Cao,Shengfen Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Multi-bit memory cell structures and devices

Номер патента: WO2007099277A1. Автор: Hyunho Kim,Mark Blamire. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2007-09-07.

STT-MRAM cell structures

Номер патента: US09940989B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

STT-MRAM cell structures

Номер патента: US09595664B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Magnetization control method, information storage method, information storage element, and magnetic function element

Номер патента: US20110049659A1. Автор: Yoshishige Suzuki,Takayuki Nozaki,Takuto Maruyama,Yoichi Shiota. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2011-03-03.

Storage element and storage device

Номер патента: US9093211B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Magnetic storage element, magnetic storage device, electronic device, and method of manufacturing magnetic storage element

Номер патента: US20200058552A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Yo Sato,Hiroyuki Uchida,Naoki Hase,Hiroyuki Ohmori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Spin electronics element and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20190363245A1. Автор: Hiroaki Honjo,Hideo Ohno,Tetsuo Endo,Shoji Ikeda,Masaaki Niwa,Soshi Sato. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-11-28.

Storage element

Номер патента: US20170040044A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: EP2617037A2. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-24.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: US20130077378A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: US20130286722A1. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Spin torque transfer memory cell structures and methods

Номер патента: WO2012036734A2. Автор: Stephen J. Kramer,Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Storage element, semiconductor device, magnetic recording array, and method of manufacturing storage element

Номер патента: US20240276890A1. Автор: Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Storage element, memory and electronic apparatus

Номер патента: US9515254B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Storage element, memory and electronic apparatus

Номер патента: US9324940B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-26.

Improvements in magnetic storage elements

Номер патента: GB836426A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1960-06-01.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US20240005975A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Storage element and storage apparatus

Номер патента: US11776605B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Storage element, semiconductor device, magnetic recording array, and method of manufacturing storage element

Номер патента: US11974507B2. Автор: Yohei SHIOKAWA,Atsushi TSUMITA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

MRAM cell structure

Номер патента: US20110143514A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Jhon Jhy Liaw,Yu-Jen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Stt-mram cell structures

Номер патента: WO2010080510A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of minimizing read-disturb-write effect of sram circuit and sram circuit thereof

Номер патента: US20210098035A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Yu-Hao Hsu,Jui-che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Skewed sram cell

Номер патента: US20130182494A1. Автор: Sayeed A. Badrudduza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-07-18.

8t sram cell with higher voltage on the read wl

Номер патента: US20080247221A1. Автор: Theodore Warren Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Radiation-hardened sram cell with write error protection

Номер патента: EP1844473A1. Автор: Harry Liu. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-10-17.

Method of detecting transistors mismatch in a sram cell

Номер патента: US20150029783A1. Автор: WEN Wei,QIANG LI,Enjing Cai. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Method and apparatus for a dummy sram cell

Номер патента: WO2007143458A3. Автор: Quan Nguyen,Lam Van Nguyen. Владелец: Lam Van Nguyen. Дата публикации: 2008-05-02.

8-transistor sram cell design with schottky diodes

Номер патента: US20130176769A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Low-power, p-channel enhancement-type metal-oxide semiconductor field-effect transistor (PMOSFET) SRAM cells

Номер патента: US20060018147A1. Автор: Pramod Kolar,Hisham Massoud. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2006-01-26.

An ultra low power sram cell circuit with a supply feedback loop for near and sub threshold operation

Номер патента: WO2012153257A2. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2012-11-15.

An ultra low power sram cell circuit with a supply feedback loop for near and sub threshold operation

Номер патента: WO2012153257A3. Автор: Alexander Fish,Adam Teman,Lidor Pergament,Omer Cohen. Владелец: Ben-Gurion University of the Negev Research and Development Authority. Дата публикации: 2013-02-21.

Five transistor SRAM cell

Номер патента: US09418727B2. Автор: Sushil Sudam SAKHARE. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

10t sram cell with near dual port functionality

Номер патента: US20130182492A1. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Eight transistor SRAM cell with improved stability requiring only one word line

Номер патента: US20070165445A1. Автор: Donald Plass,Yuen Chan,William Huott. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Robust circuit for negative bit line generation in SRAM cells

Номер патента: US12073877B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

6T SRAM Cell with Single Sided Write

Номер патента: US20100296334A1. Автор: Theodore W. Houston,Anand Seshadri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Dual port SRAM cell having pseudo ground line or pseudo power line

Номер патента: US5973985A. Автор: Richard J. Ferrant. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-10-26.

Dual-threshold-voltage two-port sub-threshold SRAM cell apparatus

Номер патента: US20100172194A1. Автор: Wei Hwang,Mu-Tien Chang,Po-Tsang Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-07-08.

SRAM cell with horizontal merged devices

Номер патента: US20020131294A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Five transistor sram cell

Номер патента: US20140029333A1. Автор: Sushil Sudam SAKHARE. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Method and apparatus for a dummy sram cell

Номер патента: WO2007143458A2. Автор: Quan Nguyen,Lam Van Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-12-13.

SRAM Cell for Single Sided Write

Номер патента: US20120127783A1. Автор: Theodore W. Houston,Anand Seshadri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Method and apparatus for a dummy sram cell

Номер патента: EP2024977A2. Автор: Quan Nguyen,Lam Van Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-02-18.

Method and apparatus for a dummy sram cell

Номер патента: EP2024977B1. Автор: Quan Nguyen,Lam Van Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

8-transistor sram cell design with inner pass-gate junction diodes

Номер патента: US20130176770A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Storage element circuit

Номер патента: WO2007005477A1. Автор: James B. Burr,Robert P. Masleid,Kleanthes G. Koniaris. Владелец: TRANSMETA CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-11.

Five transistor SRAM cell

Номер патента: US6044010A. Автор: Daniel J. Deschene. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Dual-ported read SRAM cell with improved soft error immunity

Номер патента: US6873565B1. Автор: Reid James Riedlinger,Brandon Yelton,Steven R. Affleck. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-03-29.

Robust Circuit for Negative Bit Line Generation in SRAM Cells

Номер патента: US20230037674A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Recognition system and sram cell thereof

Номер патента: US20240127886A1. Автор: Soon-Jyh Chang,Wei-Li He. Владелец: NCKU Research and Development Foundation. Дата публикации: 2024-04-18.

Recognition system and SRAM cell thereof

Номер патента: US11990178B2. Автор: Soon-Jyh Chang,Wei-Li He. Владелец: NCKU Research and Development Foundation. Дата публикации: 2024-05-21.

Recognition system and sram cell thereof

Номер патента: US20240257864A1. Автор: Soon-Jyh Chang,Wei-Li He. Владелец: NCKU Research and Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-01.

Recognition system and sram cell thereof

Номер патента: US20230186979A1. Автор: Soon-Jyh Chang,Wei-Li He. Владелец: NCKU Research and Development Foundation. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device including power storage elements and switches

Номер патента: US09595955B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Static random access memory device with vertical fet devices

Номер патента: US20170125424A1. Автор: Feng-Ming Chang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

SRAM cell structure

Номер патента: US09991268B1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Static random access memory device with vertical FET devices

Номер патента: US09620509B1. Автор: Feng-Ming Chang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Storage element with storage and clock tree monitoring circuit and methods therefor

Номер патента: US09589637B1. Автор: Thomas Koch,Michael Rohleder,Harald LUEPKEN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-volatile storage element having dual work-function electrodes

Номер патента: EP2652787A1. Автор: Walid M. Hafez,Anisur Rahman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-23.

Non-volatile storage device, non-volatile storage element, and manufacturing method for their production

Номер патента: US20230012093A1. Автор: Takao Shimizu,Atsushi Hori,Ichiro Fujiwara,Yoshiko Nakamura,Takanori Mimura,Hiroshi Funakubo,Kuniyuki Kakushima,Shun-ichiro OHMI,Joel MOLINA REYES. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-01-12.

Transferring data between DRAM and SRAM

Номер патента: US11837315B2. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Sram cell structure

Номер патента: EP4160599A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Juang-Ying Chueh. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Transferring data between dram and sram

Номер патента: US20220199127A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Bitcell layout for a two-port sram cell employing vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US20190279990A1. Автор: Bipul C. Paul,Steven Bentley,Joseph Versaggi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory cell with functions of storage element and selector

Номер патента: US09786842B1. Автор: Chih-Ming Lai,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,I-Chun CHENG,Ming-Yi Yan,Jhih-You Lu,Hsien-Chih Huang,Yun-Shiuan LI,Yue-Lin Huang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Storage element and memory

Номер патента: US20170358738A1. Автор: Hiroshi Kano,Masanori Hosomi,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Storage element and memory

Номер патента: US20210083177A1. Автор: Hiroshi Kano,Masanori Hosomi,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Storage element and memory

Номер патента: US20190044059A1. Автор: Hiroshi Kano,Masanori Hosomi,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Nonvolatile storage element and analog circuit provided with same

Номер патента: US12034083B2. Автор: Makoto Kobayashi,Toshiro Sakamoto,Satoshi Takehara,Yoshiro Yamaha. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile storage element and analog circuit provided with same

Номер патента: US20230197861A1. Автор: Makoto Kobayashi,Toshiro Sakamoto,Satoshi Takehara,Yoshiro Yamaha. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Storage element and memory

Номер патента: US09728715B2. Автор: Hiroshi Kano,Masanori Hosomi,Tetsuya Yamamoto,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Single igfet memory cell with buried storage element

Номер патента: CA1068001A. Автор: Fredrick B. Jenne. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

4cpp sram cell and array

Номер патента: US20240349473A1. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

SRAM cell structure with dielectric sidewall spacers and drain and channel regions defined along sidewall spacers

Номер патента: US6140684A. Автор: Tsiu Chiu Chan,Frank Randolph Bryant. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-10-31.

Non-volatile memories, cards, and systems including shallow trench isolation structures with buried bit lines

Номер патента: US20110302363A1. Автор: Wook Hyun Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Solid-state camera employing non-volatile charge storage elements

Номер патента: US4025910A. Автор: Laurence G. Walker. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1977-05-24.

Method of detecting transistors mismatch in a SRAM cell

Номер патента: US9058902B2. Автор: WEN Wei,QIANG LI,Enjing Cai. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20190304537A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20180068718A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20190272869A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20170025168A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20170025169A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Sram cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US20160155493A1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09934843B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive change element array using vertically oriented bit lines

Номер патента: US09917139B2. Автор: Claude L. Bertin,C. Rinn Cleavelin,Thomas Rueckes,X. M. Henry Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09881668B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Storage element with multiple clock circuits

Номер патента: US09761303B2. Автор: Anthony P. DeLaurier,Adam T. Moerschell,Abdulkadir U. Diril. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

SRAM cells with vertical gate-all-round MOSFETs

Номер патента: US09673201B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US09576646B2. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory cell comprising a diode connected to at least three resistivity-switching elements and methods of fabricating and reading the same

Номер патента: WO2010080437A3. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-09-02.

Multi-level cell (mlc) static random access memory (sram) (mlc sram) cells configured to perform multiplication operations

Номер патента: US20190088309A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Nicholas Ka Ming Stevens-Yu,Venkat Rangan,Rashid Ahmed Akbar Attar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor storage device using two insulative storage elements and neural network device using the same

Номер патента: US11956969B2. Автор: Toshiyuki Kobayashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Folded cell layout for 6t sram cell

Номер патента: US20220093504A1. Автор: Richard T. Schultz,John J. Wuu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

4cpp sram cell and array

Номер патента: US20210366915A1. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Ring oscillator built from sram cells interconnected via standard cell-interface

Номер патента: US20170365332A1. Автор: Reuven Ecker. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-12-21.

Memory cell structure with resistance-change material and method for forming the same

Номер патента: US09865655B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Static random access memory (SRAM) cells including vertical channel transistors

Номер патента: US09721957B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Donghwan Kim,Suhwan Kim,Sungkweon Baek,Taehyun An,Yubin Kim,Jin Soak Kim,Gabjin Nam,Eunae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

SRAM cells with vertical gate-all-round MOSFETs

Номер патента: US09691471B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile storage element and analog circuit provided with same

Номер патента: US11611000B2. Автор: Makoto Kobayashi,Toshiro Sakamoto,Satoshi Takehara,Yoshiro Yamaha. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Four device SRAM cell with single bitline

Номер патента: US6011726A. Автор: Robert Anthony Ross, Jr.,Kevin Arthur Batson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Memory with discrete storage elements

Номер патента: US9202930B2. Автор: Brian A. Winstead,Mehul D. Shroff,Konstantin V. Loiko. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-12-01.

SRAM cell with dynamic split ground and split wordline

Номер патента: US9293192B1. Автор: Robert C. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Power gateable retention storage element

Номер патента: US8369133B2. Автор: Aswin K. Gunasekar,Daniel W. Bailey,Aaron S. Rogers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

SRAM cell and logic cell design

Номер патента: US11980015B2. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Kuo-Chiang Ting,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for improving sram cell stabilty by using boosted word lines

Номер патента: US20080225611A1. Автор: Richard Q. Williams,Hussein I. Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Two-port SRAM cells with asymmetric M1 metalization

Номер патента: US11950401B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

SRAM cell arrangement and method for manufacturing same

Номер патента: US6222753B1. Автор: Emmerich Bertagnolli,Paul-Werner Von Basse,Josef Willer,Barbara Hasler,Bernd Goebel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-04-24.

4CPP SRAM cell and array

Номер патента: US11997843B2. Автор: Yih Wang,Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory device and memory array structure using charge sharing for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, and computing method thereof

Номер патента: US12002539B2. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Chi Chou,Jian-Wei Su. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-06-04.

Power gateable retention storage element

Номер патента: US20120051121A1. Автор: Aswin K. Gunasekar,Daniel W. Bailey,Aaron S. Rogers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Three-dimensional memory device containing engineered charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US20240179897A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor storage element, semiconductor storage device, and semiconductor system

Номер патента: US20190244653A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Storage element, storage apparatus, and magnetic head

Номер патента: US09997179B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Storage element, storage device, and signal processing circuit

Номер патента: US09818749B2. Автор: Masami Endo,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

SRAM cell with column select line

Номер патента: US7164596B1. Автор: Theodore W. Houston,Xiaowei Deng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Configuration Context Switcher with a Clocked Storage Element

Номер патента: US20090146689A1. Автор: Jason Redgrave,Trevis Chandler,Martin Voogel,Joe Entjer. Владелец: Tabula Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Implementing Local Evaluation of Domino Read SRAM With Enhanced SRAM Cell Stability and Enhanced Area Usage

Номер патента: US20100046278A1. Автор: Todd Alan Christensen,Chad Allen Adams,Daniel Mark Nelson,Peter Thomas Freiburger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Method and apparatus for supplying power to a static random access memory (SRAM) cell

Номер патента: US8582387B1. Автор: Karthik Swaminathan,Jason T Su. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Dual-track bitline scheme for 6t sram cells

Номер патента: US20220093503A1. Автор: Richard T. Schultz,John J. Wuu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Three dimensional semiconductor memory device having peripheral circuit under cell structure

Номер патента: US10546814B2. Автор: Sung-Lae OH,Jung-Mi TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Differentially recessed contacts for multi-gate transistor of sram cell

Номер патента: US20120276739A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

State retention circuit that retains data storage element state during power reduction mode

Номер патента: US20190334507A1. Автор: Thomas S. David,Wasim Quddus. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Flash memory cell arrays having dual control gates per memory cell charge storage element

Номер патента: EP1556866A1. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Flash Memory Cell Arrays Having Dual Control Gates Per Memory Cell Charge Storage Element

Номер патента: US20110287619A1. Автор: Eliyahou Harari. Владелец: Eliyahou Harari. Дата публикации: 2011-11-24.

Inspection circuit, semiconductor storage element, semiconductor device, and connection inspection method

Номер патента: US20180226973A1. Автор: Michiaki Shimizu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Nonvolatile storage element

Номер патента: EP3573089A3. Автор: Tomohiro Gunji,Yuukou TSUSHIMA. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2020-03-18.

Semiconductor storage element, semiconductor storage device and system-on-chip

Номер патента: US11921577B2. Автор: Tetsuya Tanabe,Kota AMA. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Ultra-low-voltage static random access memory (sram) cell for eliminating half-select disturbance under bit interleaving structure

Номер патента: US20240212748A1. Автор: Hongyu Chen,Jian Chen,Yifei Li,Yajun Ha. Владелец: ShanghaiTech University. Дата публикации: 2024-06-27.

State retention circuit that retains data storage element state during power reduction mode

Номер патента: US10742199B2. Автор: Thomas S. David,Wasim Quddus. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Nonvolatile storage element

Номер патента: US20190363168A1. Автор: Tomohiro Gunji,Yuukou TSUSHIMA. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Bit cell structure for one-time-programming

Номер патента: US12133377B2. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Sram cell having improved polysilicon resistor structures and method for forming the same

Номер патента: WO1997022148A1. Автор: Kuang-Yeh Chang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-19.

Plural sliding housings each with a fan and air channel for an array of data storage elements

Номер патента: GB2467819A. Автор: Stephen Freeman,Alan Jeffery,Andrew Paul George Randall,David Ian Belcher,Alastair Bryers. Владелец: Nexsan Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Sharpness up/down circuit for vcr controlled by a remote controller and control method thereof

Номер патента: US5072299A. Автор: Je Moon Park. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1991-12-10.

Method of and apparatus for integrating flash EPROM and SRAM cells on a common substrate

Номер патента: US20030151111A1. Автор: Ritu Shrivastava. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method and apparatus for integrating flash eprom and sram cells on a common substrate

Номер патента: US20020089029A1. Автор: Ritu Shrivastava. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for improving write margins of sram cells

Номер патента: US20130260542A1. Автор: Liujiang Yu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Two-port sram cell structure

Номер патента: US20240357790A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

SRAM cell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060202247A1. Автор: Tzung-Han Lee,Wen-Jeng Lin,Kuang-Pi Lee,Rern-Hurng Larn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

SRAM cell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060202248A1. Автор: Tzung-Han Lee,Wen-Jeng Lin,Kuang-Pi Lee,Rern-Hurng Larn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Sram cell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060197132A1. Автор: Tzung-Han Lee,Wen-Jeng Lin,Kuang-Pi Lee,Rern-Hurng Larn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-07.

SRAM cell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7309890B2. Автор: Tzung-Han Lee,Wen-Jeng Lin,Kuang-Pi Lee,Rern-Hurng Larn. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-12-18.

Method of forming flash memory, method of forming flash memory and sram circuitry, and etching methods

Номер патента: US20020013028A1. Автор: Kirk D. Prall,Graham Wolstenholme,Gregg Rettschlag. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

SRAM cell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7157763B2. Автор: Tzung-Han Lee,Wen-Jeng Lin,Kuang-Pi Lee,Rern-Hurng Larn. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-01-02.

Determining a state of a cell structure

Номер патента: US09805771B2. Автор: Thomas Kern,Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming SRAM cell

Номер патента: US20060088964A1. Автор: Hyuck-Chai Jung,Hyeong-Mo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Circuit arrangement for reading out and regenerating items of information stored in one-transistor storage elements

Номер патента: CA1141858A. Автор: Karl-Ulrich Stein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-02-22.

Early error detection and automatic correction techniques for storage elements to improve reliability

Номер патента: US11948653B2. Автор: Sachin Prabhakarrao KADU. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Dual contact trench resistor in shallow trench isolation (sti) and methods of manufacture

Номер патента: US20120205776A1. Автор: James S. Nakos,Steven M. Shank,Timothy W. Kemerer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: US20120262980A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: S Aqua Semiconductor LLC. Дата публикации: 2012-10-18.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US09911495B2. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Storage medium, storage element, storage medium configuration method and data transmission method

Номер патента: EP4435785A1. Автор: Xiaoming Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Capacitor arrangements using a resistive switching memory cell structure

Номер патента: US09368206B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,John Dinh,John R. Jameson,Shane Hollmer,Derric Lewis,Michael Van Buskirk,Ming Sang Kwan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Magnetic storage element, recording method using the same, and magnetic storage device

Номер патента: US7038942B2. Автор: Hiroyuki Ohmori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Bit line current trip point modulation for reading nonvolatile storage elements

Номер патента: US20140269083A1. Автор: Fumitoshi Ito,Ken Oowada,Teruhiko Kamei,Yingda Dong,Man L. Mui,Seungpil Lee,Yosuke Kato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory cell having resistive and capacitive storage elements

Номер патента: US20160351260A1. Автор: Brent E. BUCHANAN. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-12-01.

Random access memory with cmos-compatible nonvolatile storage element and parallel storage capacitor

Номер патента: WO2009154833A2. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: S. Aqua Semiconductor Llc. Дата публикации: 2009-12-23.

Apparatus and method of using dummy data while storing data at a multi-bit storage element

Номер патента: US20150081952A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Dimitris Pantelakis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

Operating techniques for reducing effects of coupling between storage elements of a non-volatile memory operated in multiple data states

Номер патента: US20030128586A1. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka,Yupin Fong,Khandker Quader. Владелец: Quader Khandker N.. Дата публикации: 2003-07-10.

Improvements in or relating to magnetic core storage elements

Номер патента: GB868549A. Автор: Ernest Franklin. Владелец: UK Atomic Energy Authority. Дата публикации: 1961-05-17.

Information storage element and method for driving the same

Номер патента: US8248847B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Apparatus and method of using dummy data while storing data at a multi-bit storage element

Номер патента: US20150081949A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Dimitris Pantelakis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

Information storage element and method for driving the same

Номер патента: US20110096591A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

High density vertical trench transistor and capacitor memory cell structure and fabrication therefor

Номер патента: CA1285333C. Автор: Wei Hwang,Nicky C-C Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-06-25.

Systems, Devices, and Methods of Charge-Based Storage Elements

Номер патента: US20240081038A1. Автор: David Victor Pietromonaco,Brian Tracy CLINE,Divya Madapusi Srinivas Prasad,Mudit Bhargave. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673274B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20170278926A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160284798A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: EP3213325A1. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-06.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US7796455B2. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Device controlling phase change storage element and method thereof

Номер патента: US20090080243A1. Автор: Wen-Pin Lin,Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Electronic device including a semiconductor memory having memory arrays with variable resistance storage elements and a bias voltage generator arranged between the arrays

Номер патента: US09865345B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Word line dependent two strobe sensing mode for nonvolatile storage elements

Номер патента: US09443606B2. Автор: Gerrit Jan Hemink,Deepanshu Dutta,Xiaochang Miao. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Data readout circuit of a storage device for read-out operation for preventing erroneous writing into a data storage element and reading out of the data correctly

Номер патента: US09437258B2. Автор: Makoto Mitani,Kotaro Watanabe. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

High density shallow trench contactless nonvolitile memory

Номер патента: US6084265A. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Texas Instruments Acer Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160351435A1. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor storage element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240206178A1. Автор: Tomonari SHIODA,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory cell structures

Номер патента: US09755144B2. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Resistive random access memory device with resistance-based storage element and method of fabricating same

Номер патента: US09647037B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated memory circuit with a storage element and method for reading error information

Номер патента: US20040042289A1. Автор: Manfred Pröll,Jörg Kliewer,Heinz-Joachim Neubauer,Claus Engelhardt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Apparatus and method for storing data associated with multiple addresses in a storage element using a base address and a mask

Номер патента: US6009504A. Автор: Robert F. Krick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-12-28.

Multiport sram cell

Номер патента: WO2004025654A3. Автор: Loren McLaury. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Multiport sram cell

Номер патента: WO2004025654A2. Автор: Loren McLaury. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for driving nonvolatile storage element, and nonvolatile storage device

Номер патента: US9183926B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Yoshihiko Kanzawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-10.

Limited charge delivery for programming non-volatile storage elements

Номер патента: US7885091B2. Автор: ANDREI Mihnea,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-02-08.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for forming trench memory cell structures for DRAMS

Номер патента: US20060003524A1. Автор: Anke Krasemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-01-05.

Cell structure for a semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100096681A1. Автор: Yong-Sun Ko,Hak Kim,Yong-Kug Bae,Kyoung-Yun Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Resistance memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110073833A1. Автор: Hiroyasu Kawano,Mizuhisa Nihei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Flash cell structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09780101B1. Автор: Sheng Zhang,Wenbo Ding,Jubao Zhang,Xiaofei Han,Chien-Kee Pang,Yu-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Sensing multiple reference levels in non-volatile storage elements

Номер патента: US09576673B2. Автор: Xiaowei Jiang,Chang SIAU,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus for and methods of addressing data storage elements

Номер патента: CA1322258C. Автор: Thomas S. Buzak. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1993-09-14.

Storage element reconfiguration

Номер патента: CA1180452A. Автор: Brian B. Moore,John T. Rodell,Arthur J. Sutton,Jeff D. Vowell. Владелец: Jeff D. Vowell. Дата публикации: 1985-01-02.

Storage elements using nanotube switching elements

Номер патента: CA2570424C. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2011-11-22.

Io- and memory bus system for dfps as units with two- or multi-dimensionally programmable cell structures

Номер патента: AU5748898A. Автор: Robert MÜNCH,Martin Vorbach. Владелец: Pact Informationstechnologie Gmbh. Дата публикации: 1998-07-17.

Nonvolatile semiconductor memory device using nonvolatile storage elements to which data can be written only once

Номер патента: US7505300B2. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-17.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20160307965A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180108708A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180323238A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: EP2805351A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-26.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20150333104A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: WO2013109920A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

Resistance variable memory cell structures and methods

Номер патента: WO2011149505A2. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-12-01.

Memory cell structure with capacitor over transistor

Номер патента: US12082400B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Determining fusebay storage element usage

Номер патента: US20130058176A1. Автор: Michael R. Ouellette,Michael A. Ziegerhofer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09935154B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09419056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Sensing multiple reference levels in non-volatile storage elements

Номер патента: WO2016057201A1. Автор: Xiaowei Jiang,Chang SIAU,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-04-14.

Memory cell structures and memory arrays

Номер патента: WO2013112253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John K. Zahurak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

Three-dimensional memory device including discrete charge storage elements and method of making thereof

Номер патента: US20230345719A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Phase change memory cell structures and methods

Номер патента: US20110291065A1. Автор: Joseph N. Greeley,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Memory cell structures

Номер патента: EP3000124A1. Автор: Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-30.

Memory cell structures

Номер патента: WO2014189686A1. Автор: Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-11-27.

High-speed programmable ROM, memory cell structure therefor, and method for writing data on/reading data from the programmable ROM

Номер патента: US20050122760A1. Автор: Young-Keun Lee,Yong-jae Choo,Young-sook Do,Joong-Eon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Current-mode sensing structure used in high-density multiple-port register in logic processing and method for the same

Номер патента: US20070279991A1. Автор: Jew-Yong Kuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Partition-able storage of test results using inactive storage elements

Номер патента: US20170350940A1. Автор: Pradip Patel,William V. Huott,Daniel Rodko,Thomas J. Knips. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Partition-able storage of test results using inactive storage elements

Номер патента: US09983261B2. Автор: Pradip Patel,William V. Huott,Daniel Rodko,Thomas J. Knips. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory cell structures

Номер патента: US09691981B2. Автор: Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Cmos depth image sensor with integrated shallow trench isolation structures

Номер патента: EP3254311A1. Автор: Onur Can Akkaya,Cyrus Bamji,Swati Mehta,Tamer Elkhatib. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-13.

Method for automatic control of technical condition of elements of mixed storage battery (parallel connection of groups of serial elements) and device therefor

Номер патента: RU2610897C1. Автор: Анатолий Александрович Михайлов,Светлана Анатольевна Базуева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2017-02-17.

Split head lamp of built-in energy storage element

Номер патента: US11965643B1. Автор: Wenjie Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of making a monitoring pattern to measure a depth and a profile of a shallow trench isolation

Номер патента: US7452734B2. Автор: Jung Ho Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-18.

Vertical FET high speed optical sensor

Номер патента: US4970386A. Автор: Daniel C. Buck. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1990-11-13.

Deterioration detector for non-aqueous electrolyte power storage element, power storage device, deterioration detection system for non-aqueous electrolyte power storage element, and deterioration detection method for non-aqueous electrolyte power storage element

Номер патента: US20180080996A1. Автор: Masashi Takano,Taro Yamafuku,Masaki Masuda,Kazuki Kawaguchi. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2018-03-22.

Data storage element and signal processing method

Номер патента: US09602085B2. Автор: Prashant Dubey,Shivangi Mittal,Raushan Kumar Jha. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Thin film for optical applications, light-emitting structure using the same and the fabrication method thereof

Номер патента: WO2003065092A1. Автор: Se-Young Seo,Jung-Hoon Shin,Hak-Seung Han. Владелец: Luxpert Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-08-07.

Method for predicting performance of solar cell structure

Номер патента: US20240211760A1. Автор: LIN Li,Cheng Li,Ying Jiang,Kai Huang,Rong Zhang,Junyong KANG,Zhuoying JIANG,Jinchai Li. Владелец: Tan Kah Kee Innovation Laboratory. Дата публикации: 2024-06-27.

SRAM cell layout structure and devices therefrom

Номер патента: US09424385B1. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,George Tien. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Filter elements and systems with data conveyance features

Номер патента: EP3833864A1. Автор: Matthew Anderson,Daniel E. Adamek,Brian R. Tucker,Michael J. Lockert,David W. Mulder. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2021-06-16.

Filter elements and systems with data conveyance features

Номер патента: EP4219931A1. Автор: Matthew Anderson,Daniel E. Adamek,Brian R. Tucker,Michael J. Lockert,David W. Mulder. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Filter elements and systems with data conveyance features

Номер патента: US20210318678A1. Автор: Matthew Anderson,Daniel E. Adamek,Brian R. Tucker,Michael J. Lockert,David W. Mulder. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Three-dimensional image element and optical radar device

Номер патента: US20200183013A1. Автор: Koji Takahashi,Katsuji Iguchi,Hidenori Kawanishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Logic cell structure and integrated circuit with the logic cell structure

Номер патента: US11855632B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Logic cell structure and integrated circuit with the logic cell structure

Номер патента: US20240088899A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Kuo-Nan Yang,Chun-Chen Chen,Shao-Huan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Stacked SRAM Cell Architecture

Номер патента: US20240107737A1. Автор: Xin Miao,Emre Alptekin,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Node-enabled Logistics Receptacle Apparatus, Systems, and Methods with a Deployable Storage Element for Receiving and Temporarily Maintaining a Delivery Item

Номер патента: US20240211865A1. Автор: Ole-Petter Skaaksrud. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Controllable light modulator element and device for use

Номер патента: CA2627087A1. Автор: Uwe Prochnow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Logic cell structures and related methods

Номер патента: US20240012975A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Ranjith Kumar,Kumar Lalgudi,Jianyang XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Current separation method for nonaqueous lithium power storage element, prediction method, system and like

Номер патента: EP4216249A1. Автор: Koichi Hiraoka,Yusuke Morikawa,Fumiya Nakamura,Ryusuke Okoshi. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

Method of manufacturing photosensitive epoxy structure using photolithography process and method of manufacturing inkjet printhead using the method of manufacturing photosensitive epoxy structure

Номер патента: US20090047605A1. Автор: Min-Soo Kim,Dong-sik Shim,Moon-Chul Lee,Yong-seop Yoon,Yong-won Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-19.

Modularized database architecture using vertical partitioning for a state machine

Номер патента: US09467460B1. Автор: Vineet Kumar,Alexander Otvagin,Arsen Movsesyan. Владелец: FireEye Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor cell structure, integrated circuit, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378054A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Yung-Chow Peng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Electronic cigarette controllable by mobile software and controlling method thereof

Номер патента: CA3122133A1. Автор: Guangrong LIN,Xianbin ZHENG,Xiyong ZHANG. Владелец: Huizhou Happy Vaping Technology Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Engineering change order cell structure having always-on transistor

Номер патента: US20200074041A1. Автор: Wei-Ling Chang,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor Quantum Structures Using Preferential Tunneling Through Thin Insulator Layers

Номер патента: US20200227523A1. Автор: Dirk Robert Walter Leipold,George Adrian Maxim,Michael Albert Asker. Владелец: Equal1 Labs Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Managing the control of an electrical device controllable by infrared control signals

Номер патента: US09934680B2. Автор: Bruno Heintz,Jean-Marc Oury,Mathieu Bineau,Hugues Lefebvre De Saint Germain,Pierre Cren,Christophe Dubreuil. Владелец: Voltalis SA. Дата публикации: 2018-04-03.

Head-mounted display controlled by tapping, method for controlling the same and computer program product for controlling the same

Номер патента: US09904359B2. Автор: Kwang Jin Choi,Kyung Gun NA. Владелец: FXGear Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Allocating RAID storage volumes across a distributed network of storage elements

Номер патента: US09641615B1. Автор: Seema Pai,Evgeny Malkevich,Stephen Richard Ives,Roii Raz,Barak Bejerano,Edward Robins,Kevin E. Granlund. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Preliminary caching in cdn controlled by application

Номер патента: RU2632410C2. Автор: Джонатан Рошан ТУЛИАНИ,Николас Леонард ХОЛТ,Чен ХУАН. Владелец: МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-10-04.

Shallow trench isolation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230010227A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

SRAM cell and its fabrication process

Номер патента: EP1022784A3. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Albert O. Adan. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-04.

Molding system for molding micro pattern structure having micro heating heating element and method for fabricating mold insert for molding micro pattern structure used therein

Номер патента: US20060073227A1. Автор: Shinill Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-06.

Display device with light emitting elements and pixel electrodes

Номер патента: US09960388B2. Автор: Toshihiro Sato,Tohru Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device structure with data storage element

Номер патента: US20230389453A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Planar gate-controlled element and method for fabricating the same

Номер патента: WO2010068055A3. Автор: Young Kyoo Kim,Hwa Jeong Kim,Sung Ho Nam. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2010-09-30.

Stacked SRAM Cell with a Dual-Side Interconnect Structure

Номер патента: US20240206145A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Sujith Subramanian,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-20.

A stacked sram cell with a dual-side interconnect structure

Номер патента: EP4391759A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Sujith Subramanian,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Optical storage element

Номер патента: US20020048254A1. Автор: Shuji Abe,Tohru Kawamoto. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2002-04-25.

Optical storage element

Номер патента: EP1189217A3. Автор: Shuji Abe,Tohru Kawamoto. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2003-10-22.

Storage elements, structures and methods having edgeless features for programmable layer(s)

Номер патента: US09412945B1. Автор: Pascal Verrier,Jeffrey Allan SHIELDS,Kuei Chang Tsai. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Self sealing data storage element

Номер патента: US5251090A. Автор: Samuel D. Cheatham,Jerry L. Donze. Владелец: Storage Technology Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Confined resistance variable memory cell structures and methods

Номер патента: US20130252396A1. Автор: Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Resistive non-volatile memory, cell structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150200232A1. Автор: Chrong-Jung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-16.

Ic including standard cells and sram cells

Номер патента: US20230389253A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Sram cell and sram device

Номер патента: US20110024844A1. Автор: Shinichi Ouchi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2011-02-03.

Method and structure for double lining for shallow trench isolation

Номер патента: US20070087519A1. Автор: Liu Chi-Kang,XIN Wang,Ze Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Method for fabricating shallow trench isolation and semiconductor structure using the same

Номер патента: US09978634B2. Автор: Ching-Wen Chen,Chun-Hsu YEN,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Configuration of new storage devices in a storage device pool

Номер патента: US20230418486A1. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Dual contact trench resistor and capacitor in shallow trench isolation (sti) and methods of manufacture

Номер патента: US20130292798A1. Автор: James S. Nakos,Steven M. Shank,Timothy W. Kemerer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20200006118A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

In vitro generation of organized 3d cell structures including head-trunk embryo-like structures, using epigenetic remodeling factors-microfluidic platform suitable for their generation

Номер патента: US20240318134A1. Автор: Charles Baroud,Anne Dejean,Sebastien Sart,Jack Christophe COSSEC,Tatiana TRABOULSI. Владелец: Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming shallow trenches of the dual active regions

Номер патента: US09871064B1. Автор: JIN Xu,Quan Jing,Jun Zhu,Xusheng Zhang,Yu Ren,Minjie Chen,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical FET with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09853028B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu,Philip J. Oldiges. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US09502407B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US9887193B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20170358672A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20120171842A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Method and apparatus for making shallow trench structure

Номер патента: US11901217B2. Автор: Chengwei Lin,Yucheng Lin,Tzujen Lin,Chihchiang Yang. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US20180040727A1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20130307077A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Printing device reading information from and writing information to storage element provided on tape

Номер патента: US20200293845A1. Автор: Yuji Hayashi,Kentaro Murayama,Kohei Terada. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method and apparatus for making shallow trench structure

Номер патента: US20220093450A1. Автор: Chengwei Lin,Yucheng Lin,Tzujen Lin,Chihchiang Yang. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of manufacturing integrated deep and shallow trench isolation structures

Номер патента: WO2008048985A3. Автор: Christoph Dirnecker,Rupert Wagner,Joerg Haussman. Владелец: Joerg Haussman. Дата публикации: 2008-10-30.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for Filling the Trenches of Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20160336217A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: EP1042804A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: WO1999031728A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-06-24.

Long channel and short channel vertical FET co-integration for vertical FET VTFET

Номер патента: US12062657B2. Автор: Baozhen Li,Terence B. Hook,Junli Wang,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

DC boosting circuit with at least one energy storage element

Номер патента: US09979283B2. Автор: Makoto Yatsu. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09934999B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Energy storage module containing a plurality of energy storage elements and improved means of thermal dissipation and method of assembly

Номер патента: US09929384B2. Автор: Anne-Claire Juventin,Laurent LE-GALL. Владелец: Blue Solutions SA. Дата публикации: 2018-03-27.

Power converters having capacitive energy transfer elements and arrangements of energy storage elements for power converters

Номер патента: US09818733B2. Автор: David Michael Giuliano. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing memory device and method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: US09799755B2. Автор: Jui-Yu Pan,Cheng-Bo Shu,Chung-Jen Huang,Jing-Ru Lin,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Yueh-Chieh Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09711390B2. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673207B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for filling the trenches of shallow trench isolation (STI) regions

Номер патента: US09558988B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Shallow trench isolation structures in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478457B2. Автор: Ming-Shing Chen,Yu-Ting Wang,Ming-Hui Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus with overlapping deep trench and shallow trench and method of fabricating the same with low defect density

Номер патента: WO2019165107A1. Автор: Thomas Edward Lillibridge. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of fabricating shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040147135A1. Автор: Wen-Cheng Lien,Shih-Liang Chou,Tsung-De Lin,Tian-Jue Hong,Hsiao-Kang Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of improving a shallow trench isolation gapfill process

Номер патента: US20110198734A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for manufacturing shallow trench isolations

Номер патента: US11817344B2. Автор: Li He,Yi Wang,Liyuan LIU,Fulong Qiao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US11908729B2. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Die size reduction and deep trench density increase using deep trench isolation after shallow trench isolation integration

Номер патента: US20240038579A1. Автор: Hao Yang,ABBAS Ali,Asad Haider,Alexei Sadovnikov,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160343608A1. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for Manufacturing Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20220277986A1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Long channel and short channel vertical fet co-integration for vertical fet vtfet

Номер патента: US20220139909A1. Автор: Baozhen Li,Terence B. Hook,Junli Wang,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A8. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-02-14.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: EP1175699A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

An integrated circuit with shallow trench isolation and fabrication process

Номер патента: WO2001056076A1. Автор: Calvin Todd Gabriel,Edward K. Yeh. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-08-02.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20240105501A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure, shallow trench isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230052736A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: US20190198382A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Selective etches for reducing cone formation in shallow trench isolations

Номер патента: WO2019125867A1. Автор: Jonathan Philip Davis,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-06-27.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: US20210193658A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204775A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Shallow trench isolation (sti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210225924A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20140099773A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-04-10.

Shallow trench isolation

Номер патента: EP2321847A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-05-18.

Method for estimating the resistive state of health of at least one electrical energy storage element of an electric battery

Номер патента: US12032035B1. Автор: Akram EDDAHECH,Kodjo Senou Rodolphe Mawonou. Владелец: Stellantis Auto Sas. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional flat nand memory device having curved memory elements and methods of making the same

Номер патента: US20200286915A1. Автор: Yanli Zhang,Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US11688630B2. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Shallow trench isolation filling structure in semiconductor device

Номер патента: US20220293454A1. Автор: Nobuyoshi Sato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US20180204774A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210313422A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Energy storage element, assembly of energy storage elements and production process

Номер патента: US20240283100A1. Автор: David ENSLING,Edward Pytlik,Herbert Schein,Stefan Stock,Reiko STUTZ,Stefanie CADUS. Владелец: VARTA MICROBATTERY GMBH. Дата публикации: 2024-08-22.

Shallow trench isolation

Номер патента: WO2010019876A1. Автор: Xia Li,Ming-Chu King. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-02-18.

Uniform shallow trench isolation

Номер патента: US10256154B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of filling shallow trenches

Номер патента: US8685830B2. Автор: HAO LI,FAN CHEN,Kai Xue,Jia Pan,Yongcheng Wang,Xiongbin Chen,Keran Zhou. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-01.

Electric storage element and method for manufacturing electric storage element

Номер патента: US20150380691A1. Автор: Syun Ito,Hirokazu KAMBAYASHI,Shogo TSURUTA. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2015-12-31.

Integrated circuits with deep and ultra shallow trench isolations and methods for fabricating the same

Номер патента: US20170330896A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Guan Huei See,Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Nonaqueous alkali metal power storage element and positive electrode coating liquid

Номер патента: EP4235720A1. Автор: Kazuaki Takada,Kazuteru Umetsu,Fumiya Nakamura. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for testing junction leakage of salicided devices fabricated using shallow trench and refill techniques

Номер патента: US5913106A. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20130341754A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Shallow trench isolation structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070178664A1. Автор: Ching-Yu Chang,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

A data processing apparatus and method for analysing transient faults occurring within storage elements of the data processing apparatus

Номер патента: WO2013061025A1. Автор: Stuart David Biles,Emre Ozer,Daniel Kershaw,Yiannakis Sazeides. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2013-05-02.

Structure for testing junction leakage of salicided devices fabricated using shallow trench and refill techniques

Номер патента: WO1998004925A2. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles E. May. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-02-05.

Chemical mechanical planarization polishing for shallow trench isolation

Номер патента: EP4413088A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-08-14.

Energy storage element and production method

Номер патента: US20240332547A1. Автор: Rainer Stern,Martin Elmer,Andreas SÖLDNER. Владелец: VARTA MICROBATTERY GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonaqueous electrolyte power storage element

Номер патента: EP4439760A1. Автор: Takashi Kaneko,Kenta Nakai,Yuto Yamakawa,Taisei Sekiguchi,Kenta UEHIRA. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Electrode for electrical storage element, and nonaqueous lithium electrical storage element

Номер патента: US09979010B2. Автор: Tomotaka Hashimoto. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Self-aligned shallow trench isolation and doping for vertical fin transistors

Номер патента: US09842931B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Storage element polymorphism to reduce performance degradation during error recovery

Номер патента: US09823967B2. Автор: James A. O'Connor. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Honeycomb cell structure three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US09812461B2. Автор: Ryoichi Honma,Yasushi Doda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Dual-port SRAM cell structure with vertical devices

Номер патента: US09646973B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Technique of reducing shallow trench isolation loss during fin formation in finFETs

Номер патента: US09646888B2. Автор: HAI Zhao,Lijuan Du. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Electrical storage element

Номер патента: US09620762B2. Автор: Kazuaki Urano,Masaaki Iwasa,Takuro Tsunaki,Sho Matsumoto,Sho Saimaru. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Storage element and method for the production thereof

Номер патента: US09570782B2. Автор: Carsten Schuh,Thomas Soller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Shallow trench isolation structure with sigma cavity

Номер патента: US09548357B2. Автор: Min-Hwa Chi,HaoCheng Tsai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US09548356B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

System and method for removable data storage elements provided as cloud based storage system

Номер патента: US09542399B2. Автор: Joshua Daniel Carter. Владелец: Spectra Logic Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Storage element polymorphism to reduce performance degradation during error recovery

Номер патента: US09529670B2. Автор: James A. O'Connor. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Merging of storage elements on multi-cycle signal distribution trees into multi-bit cells

Номер патента: US09519744B1. Автор: Shyam Ramji,William R. Migatz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US09502292B2. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-22.

Shallow trench isolation with self aligned PSG layer

Номер патента: US5729043A. Автор: Joseph F. Shepard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Recessed structure for shallow trench isolation and salicide processes

Номер патента: US5982017A. Автор: Jing-Meng Liu,Chao-Chieh Tsai,Sheng-Jyh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Method of manufacturing a shallow trench isolation alignment mark

Номер патента: US6015744A. Автор: Chin-Hung Tseng. Владелец: United Silicon Inc. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for fabricating a sub-half micron MOSFET device with global planarization of insulator filled shallow trenches, via the use of a bottom anti-reflective coating

Номер патента: US5710076A. Автор: Chang-Ming Dai,Chin-Lung Lin,Horng-Chang Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-01-20.

Recessed shallow trench isolation structure nitride liner and method for making same

Номер патента: US5940717A. Автор: Venkatachalam C. Jaiprakash,Rajesh Rengarajan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-17.

Shallow trench isolation structures and contact patterning

Номер патента: US10242918B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Rajasekhar Venigalla,Andrew M. Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Oxynitride shallow trench isolation and method of formation

Номер патента: US20020177270A1. Автор: Fen Jamin,Klaus Beyer,Patrick Varekamp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated circuit devices including shallow trench isolation

Номер патента: US5783476A. Автор: Norbert Arnold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-07-21.

Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape

Номер патента: US6734082B2. Автор: Jia Zhen Zheng,Soh Yun Siah,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Shallow trench isolation (STI) for VLSI applications

Номер патента: EP1026734B1. Автор: Herbert Ho,Erwin Hammerl,Radhika Srinivasan,Bertrand Flietner,Gary Bronner,Farid Agahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-27.

Method of fabricating a shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040142562A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen,Ping-Wei Lin. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for shallow trench isolation fabrication and partial oxide layer removal

Номер патента: US6794270B2. Автор: Yi-Nan Chen,Chang Rong Wu,Pei-Ing Lee,Tzu En Ho,Hsien Wen Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

Recessed structure for shallow trench isolation and salicide process

Номер патента: US5891771A. Автор: Jing-Meng Liu,Chao-Chieh Tsai,Sheng-Jyh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Chemical-mechanical polishing for shallow trench isolation

Номер патента: US5958795A. Автор: Juan-Yuan Wu,Water Lur,Coming Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Method for forming a shallow trench with tapered profile and round corners for the application of shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US5807789A. Автор: Chao-Cheng Chen,C. H. Yu,C. S. Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-09-15.

Chemical mechanical polishing process for forming shallow trench isolation structure

Номер патента: US20080029478A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Hsiao-Ling Lu,Chia-Jung Hsu,Art Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20240047519A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Shallow trench isolation (STI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11862509B2. Автор: Xiang Zhang,Seong Yeol Mun,Heesoo Kang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Buried photodiode for image sensor with shallow trench isolation technology

Номер патента: US20070045794A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: EP3840031A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-23.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20140154865A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: EP3304587A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: WO2017030636A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Formation method of shallow trench isolation

Номер патента: US20230377999A1. Автор: Szu-Ying Chen,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Sen-Hong Syue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Electrode Pick Up Structure In Shallow Trench Isolation Process

Номер патента: US20110156151A1. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Implantation for shallow trench isolation (sti) formation and for stress for transistor performance enhancement

Номер патента: SG158008A1. Автор: Zhang Fan,TEH Young Way,Liu Jinping,TAN Juan Boon,HSIA Liang Choo,Sheng Haifeng,SIEW YONG KONG,LIN WENHE,Vincent Ho,Johnny Widodo,Zhang Beichao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: EP1851793A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-11-07.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US11824087B2. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Shallow trench isolation structure

Номер патента: US6958521B2. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210098571A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Self-aligned block for vertical FETs

Номер патента: US12009395B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Method of fabrication a shallow trench isolation structure with oxide sidewall spacers

Номер патента: WO2006091434A1. Автор: Bradley J. Larsen. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2006-08-31.

Method for preventing sneakage in shallow trench isolation and STI structure thereof

Номер патента: US20040222489A1. Автор: Yi-Nan Chen,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Shallow trench isolation spacers

Номер патента: US20240030058A1. Автор: Chen Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Laminate-type power storage element and method of implementing the same

Номер патента: US20170208694A1. Автор: Akihiro Yamamoto,Ryuji Ito,Daisuke Hirata,Naoaki Nishimura,Tsukasa Mano. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300698A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Battery module with active cell balancing using energy storage element and two tiers of switches

Номер патента: US20200014219A1. Автор: FANG Wang,Tao Wang,Larry T. Nitz,Theodore T. Kim,Tamara R. Thomson. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for fabricating shallow trenches

Номер патента: WO2007001297A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US8377827B2. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

A spacer device for producing wound heating elements and a wound heating element

Номер патента: EP4418817A1. Автор: Dieter Kerschbaumer. Владелец: Roechling Automotive Se. Дата публикации: 2024-08-21.

Power storage element and method for manufacturing same

Номер патента: US20220352556A1. Автор: Kazuya Nishimura. Владелец: Kawasaki Motors Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Avoiding Field Oxide Gouging In Shallow Trench Isolation (STI) Regions

Номер патента: US20070262412A1. Автор: Yider Wu,Jusuke Ogura,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-11-15.

Method and circuit arrangement for setting an initial value on a charge-storage element

Номер патента: US20060231866A1. Автор: Rene Schueffny,Stephan Henker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Communication system and method for mitigating interference in hierarchical cell structure

Номер патента: US09860904B2. Автор: Sang Min Lee,Yung Soo Kim,Tak Ki YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of etching a shallow trench

Номер патента: US09842743B1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Minjie Chen,Zaifeng TANG,Yukun LV. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Shallow trench isolation for semiconductor devices

Номер патента: US09698043B1. Автор: Alfred Grill,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Stephan A. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods and structures for a split gate memory cell structure

Номер патента: US09590058B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Communication system and method for mitigating interference in hierarchical cell structure

Номер патента: US09491771B2. Автор: Sang Min Lee,Yung Soo Kim,Tak Ki YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Shallow trench isolation structure having a nitride plug

Номер патента: US09443929B2. Автор: Byeong Y. Kim,Shreesh Narasimha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Shallow trench isolation process and structure

Номер патента: GB2425889A. Автор: Qi Xiang,James N Pan,Jung-Suk Goo. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Method for forming a shallow trench isolation using HDP silicon oxynitride

Номер патента: US6258676B1. Автор: Kong Hean Lee,Peter Chew. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Process for forming a shallow trench isolation

Номер патента: US6350660B1. Автор: Chun-Hung Lee,Ming-Chung Liang,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Method for forming shallow trench isolation

Номер патента: US5712185A. Автор: Water Lur,Meng-Jin Tsai,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US11205697B2. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US20210050414A1. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: EP2057675A2. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2009-05-13.

Methods for Forming a Gate and a Shallow Trench Isolation Region and for Planarizating an Etched Surface of Silicon Substrate

Номер патента: US20090155977A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of filling shallow trenches

Номер патента: US20130143386A1. Автор: HAO LI,FAN CHEN,Kai Xue,Jia Pan,Yongcheng Wang,Xiongbin Chen,Keran Zhou. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Dual shallow trench isolation liner for preventing electrical shorts

Номер патента: US20160013096A1. Автор: Shom Ponoth,Qing Liu,Bruce B. Doris,Maud Vinet,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-01-14.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: WO2008030371A3. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: Hung Quoc Doan. Дата публикации: 2008-04-17.

Implant at shallow trench isolation corner

Номер патента: WO2008030371A2. Автор: Eric Gordon Stevens,Hung Quoc Doan. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2008-03-13.

Shallow Trench Isolation Structure, Manufacturing Method Thereof and a Device Based on the Structure

Номер патента: US20130020653A1. Автор: Jiang Yan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods for forming a gate and a shallow trench isolation region and for planarizing an etched surface of silicon substrate

Номер патента: US20110300688A1. Автор: HAIYANG Zhang,Qiuhua Han,Qingtian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of calculating structures using the finite element method

Номер патента: WO2001006420A2. Автор: Ag Daimlerchrysler. Владелец: Fix, Armin. Дата публикации: 2001-01-25.

Integrated Circuit with Multi Recessed Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20130267075A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Non-volatile storage element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060249782A1. Автор: Akira Yoshino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-11-09.

Self-aligned isolation for self-aligned contacts for vertical fets

Номер патента: US20240274602A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Dispersion liquid used for forming porous film, porous film, power storage element, and method for producing porous film

Номер патента: US20180298152A1. Автор: Teruhiro Uematsu,Takeshi HIKIMA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Dispersion liquid used for forming porous film, porous film, power storage element, and method for producing porous film

Номер патента: US10301438B2. Автор: Teruhiro Uematsu,Takeshi HIKIMA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

Method for fabricating a fin field effect transistor and a shallow trench isolation

Номер патента: US09991154B2. Автор: Hsien-Che Teng,Jia-Ming Lin,Yun-Wen Chu,Wei Ken Lin,Yung-Chou Shih,Kun-Dian She,Lichia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Storage element and process for the production thereof

Номер патента: US09825282B2. Автор: Carsten Schuh,Thomas Soller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Floating gate memory in a channel last vertical FET flow

Номер патента: US09799777B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Discrete storage element formation for thin-film storage device

Номер патента: US09786674B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Vertical FET symmetric and asymmetric source/drain formation

Номер патента: US09647120B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure

Номер патента: US6087262A. Автор: Kuo-Tai Huang,Water Lur,Tri-Rung Yew,Gwo-Shii Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Low cost shallow trench isolation using non-conformal dielectric material

Номер патента: US6270353B1. Автор: Howard S. Landis,Shaw-Ning Mei,John W. Andrews,Bao T. Hwang,James M. Tyler,Edward J. Vishnesky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Polysilicon coated nitride-lined shallow trench

Номер патента: US6118167A. Автор: Paramjit Singh,Eugene Disimone. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Cavity structures under shallow trench isolation regions

Номер патента: US20200219760A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Self-aligned isolation for self-aligned contacts for vertical FETS

Номер патента: US11996407B2. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor structure with conductive spacer in shallow trench isolation region

Номер патента: US20240120372A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Selective shallow trench isolation (sti) fill for stress engineering in semiconductor structures

Номер патента: US20190131452A1. Автор: Hong Yu,Xusheng Wu,Dongil CHOI,Xinyuan Dou,Ashish Kumar JHA,Edmund K. Banghart,Md Khaled HASSAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Pinned photodiode fabricated with shallow trench isolation

Номер патента: US20060125035A1. Автор: Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Energy storage structures using electromechanically active materials for micro electromechanical systems

Номер патента: US20070263274A1. Автор: William Mcdonald,Patrick Oden. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Deep well structures with single depth shallow trench isolation regions

Номер патента: US20110175190A1. Автор: Charles W. Koburger, III,Mariko Takayanagi,Peter Zeitzoff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Method for controlling wind-induced vibration of bridge tower by using vertical axis wind turbines

Номер патента: LU504300B1. Автор: Feng Xu. Владелец: Harbin Inst Technology Shenzhen. Дата публикации: 2023-12-01.

FinFET with Dummy Gate on Non-Recessed Shallow Trench Isolation (STI)

Номер патента: US20160233133A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Led chip package structure using sedimentation and method for making the same

Номер патента: US20120003765A1. Автор: Chao-Yuan Huang,Bily Wang,Shih-Yu Wu,Ping-Chou Yang,Cheng-Yen Chiang. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Materials with enhanced properties for shallow trench isolation/premetal dielectric applications

Номер патента: US20060008659A1. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Brian Daniels,Ananth Naman,Denis Endisch,Paul Apen,Arlene Suedmeyer,Deling Zhou. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Sealed shallow trench isolation region

Номер патента: US20140015092A1. Автор: Ying Li,Xiang Hu,Byeong Y. Kim,Yong M. Lee,Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Haptic operating device with a rotating element and method for operating electronic equipment with the haptic operating device

Номер патента: US20200080600A1. Автор: Stefan Battlogg. Владелец: INVENTUS ENGINEERING GMBH. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Totally self-aligned transistor with polysilicon shallow trench isolation

Номер патента: US6127717A. Автор: Zoran Krivokapic,Ognjen Milic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Fuel cell structure

Номер патента: EP1316120A2. Автор: Stephen Robert Tennison,Beverley Sowerby. Владелец: Materials and Separations Technology International Ltd. Дата публикации: 2003-06-04.

Fuel cell structure

Номер патента: EP1316120B1. Автор: Stephen Robert Tennison,Beverley Sowerby. Владелец: Mast Carbon International Ltd. Дата публикации: 2007-10-10.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US20180096989A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Energy storage structures using electromechanically active materials for micro electromechanical systems

Номер патента: WO2007134087A3. Автор: Patrick Ian Oden,William Craig McDonald. Владелец: William Craig McDonald. Дата публикации: 2008-01-10.

Energy storage structures using electromechanically active materials for micro electromechanical systems

Номер патента: WO2007134087A2. Автор: Patrick Ian Oden,William Craig McDonald. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-22.

Protection structure used in electronic device with interchangeable housing

Номер патента: US20040023702A1. Автор: Long-Jyh Pan,Hsiao-Wu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Methods for manufacturing shallow trench isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: US20060024913A1. Автор: Bo Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of shallow trench isolation using a single mask

Номер патента: US20030013293A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

High Oxide Removal Rates Shallow Trench Isolation Chemical Mechanical Planarization Compositions

Номер патента: US20240297049A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20240339533A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

High oxide film removal rate shallow trench (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing

Номер патента: US12091581B2. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,Mark Leonard O'Neill,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Chemical mechanical planarization for shallow trench isolation

Номер патента: WO2024173029A1. Автор: Xiaobo Shi,Hongjun Zhou,LU Gan,Krishna P. Murella,Joseph D. ROSE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20240363433A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US12040397B2. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09985021B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon recess etch and epitaxial deposit for shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09911805B2. Автор: Shih-Ting Hung,Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu,Ching-Feng Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

FinFETs suitable for use in a high density SRAM cell

Номер патента: US09825055B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-11-21.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09824934B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Resonant converter controlled by excitation current of a transformer

Номер патента: US09819278B2. Автор: Yu Cao,Kezhi WANG,Jiale DAI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

FinFET with dummy gate on non-recessed shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US09754842B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Pixel circuit with large and small OLED elements connected to a single driving transistor wherein the large OLED element is further controlled by a memory circuit within the pixel

Номер патента: US09711084B2. Автор: Naoki Uetake. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming a floating gate in a recess of a shallow trench isolation (STI) region

Номер патента: US09659781B2. Автор: Erwan Dornel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device with shallow trench isolation (STI) having edge profile

Номер патента: US09653343B1. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao,Chang-Po Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure with shallow trench isolation and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646871B2. Автор: Che-Cheng Chang,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG,Jui Fu Hseih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Shallow trench isolation area having buried capacitor

Номер патента: US09536872B2. Автор: Hartmud Terletzki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Shallow trench isolation for strained silicon processes

Номер патента: CN1739196A. Автор: M·V·恩戈,相奇,P·R·贝赛尔,E·N·佩顿,林明仁. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-02-22.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US9673250B2. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for providing shallow trench isolation

Номер патента: KR100429135B1. Автор: 한창훈. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-04-28.

Method for forming the shallow trench isolation

Номер патента: KR100632683B1. Автор: 장승순. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for manufacturing shallow trench isolation

Номер патента: KR100607770B1. Автор: 이재석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Formation of thin spacer at corner of shallow trench isolation (STI)

Номер патента: US6080638A. Автор: Shwangming Jeng,Kong-Beng Thei,Chung-Te Lin,Yuan-Horng Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Application of thin crystalline Si3 N4 liners in shallow trench isolation (STI) structures

Номер патента: US5747866A. Автор: Herbert Palm,Herbert Ho,Erwin Hammerl,David M. Dobuzinsky,Stephen Fugardi,Atul Ajmera,James F. Moseman,Samuel C. Ramac. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1998-05-05.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Shallow Trench Isolation Method for Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980074323A. Автор: 손정환,허기재. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-11-05.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US11929382B2. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Shallow Trench Isolation for Integrated Circuits

Номер патента: US20200051851A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Transistor including shallow trench and electrically conductive substrate for improved rf grounding

Номер патента: US20120126243A1. Автор: Gabriele F. Formicone. Владелец: Integra Tech Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Sulfide solid electrolyte, method for producing sulfide solid electrolyte, power storage element, electronic device, and automobile

Номер патента: EP4300517A1. Автор: Akihiro Fukushima,Katsuya NISHII. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Configurable Storage Elements

Номер патента: US20140333345A1. Автор: Steven Teig,Andrew Caldwell,Trevis Chandler,Martin Voogel,Jung Ko,Thomas S. Chanack. Владелец: Tabula Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Fabrication of reverse shallow trench isolation structures with super-steep retrograde wells

Номер патента: US20140124794A1. Автор: KIM Seung,Kim Sun,LEE YongMeng,KRISHNAN Bharat,LUN Zhao,TONG Weihua. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US5982008A. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Shallow trench isolation structures having uniform step heights

Номер патента: US20230298944A1. Автор: I-Sheng Chen,Yi-Jing Li,Chen-Heng LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate electrode extending into a shallow trench isolation structure in high voltage devices

Номер патента: US20230299196A1. Автор: Yun-Chi Wu,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of making a shallow trench isolation (sti) structures

Номер патента: US20140120693A1. Автор: Yu-Lien Huang,Chii-Ming Wu,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Electrical storage element control system for a vehicle

Номер патента: WO2011014572A2. Автор: Robert M. Lattin. Владелец: THERMO KING CORPORATION. Дата публикации: 2011-02-03.

Electrical storage element control system for a vehicle

Номер патента: EP2459417A2. Автор: Robert M. Lattin. Владелец: Thermo King Corp. Дата публикации: 2012-06-06.

Vertical cavity-type semiconductor light-emitting device and optical module using vertical cavity -type semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20020038869A1. Автор: Keiji Takaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Shallow trench isolation for integrated circuits

Номер патента: US20190393078A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method and apparatus for processing a solar cell structure

Номер патента: WO2019170240A1. Автор: Giorgio Cellere,Diego Tonini,Marco Galiazzo,Luigi De Santi,Daniele Gislon. Владелец: Applied Materials Italia S.R.L.. Дата публикации: 2019-09-12.

Method and apparatus for forming shallow trench isolation structures having rounded corners

Номер патента: US20140080285A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-03-20.

System and method for dynamic excitation of an energy storage element configured for use in an electric aircraft

Номер патента: US11833911B2. Автор: Herman Wiegman,Steven J. Foland. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US20240153984A1. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Inhibited oxide deposition for refilling shallow trench isolation

Номер патента: WO2024081473A1. Автор: Pulkit Agarwal,Dae-Jin Park,Douglas Walter Agnew,Aaron Fellis,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-04-18.

System and method for dynamic excitation of an energy storage element configured for use in an electric aircraft

Номер патента: US20220396364A1. Автор: Herman Wiegman,Steven J. Foland. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Microelectronic Device Including Shallow Trench Isolation Structures Having Rounded Bottom Surfaces

Номер патента: US20120319231A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US20010002720A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor device using a shallow trench isolation

Номер патента: US6525360B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

Shallow trench isolation (sti) processing with local oxidation of silicon (locos)

Номер патента: US20240112947A1. Автор: James Todd,Scott Kelly Montgomery,Yanbiao Pan,Jeffery Nilles. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Shallow trench textured regions and associated methods

Номер патента: US20240204033A1. Автор: Homayoon Haddad,Jutao Jiang. Владелец: SiOnyx LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for dynamic excitation of an energy storage element configured for use in an electric aircraft

Номер патента: US20240051399A1. Автор: Herman Wiegman,Steven J. Foland. Владелец: Beta Air LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Materials suitable for shallow trench isolation

Номер патента: WO2005114707A3. Автор: LEI Jin,Victor Lu,Ananth Naman. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2006-01-26.

Multiple-bit storage element for binary optical display element

Номер патента: EP1443485A3. Автор: Michael J. Barbour,Andy Van Brocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-09-15.

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

Номер патента: US20040085011A1. Автор: Nobuyoshi Koshida. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Sampling element controlled by photoconductive switch-generated sampling pulses and sampling device incorporating same

Номер патента: US20020074982A1. Автор: Yasuhisa Kaneko,Tsutomu Takenaka,Norihide Yamada,Akira Mizuhara. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of generating ballistic electrons and ballistic electron solid semiconductor element and light emitting element and display device

Номер патента: EP1278227A4. Автор: Nobuyoshi Koshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-07-05.

Energy storage element control circuit

Номер патента: US20200280307A1. Автор: Kenneth J. Maggio,Bradford Lawrence Hunter,Christopher Lee Betty. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of securing a machine element and/or a load connected to the machine element in a fixed position

Номер патента: US20030173918A1. Автор: Dieter Eckardt,Ronald Hauf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-09-18.

Test cell structure for estimating electrical characteristics of closely-spaced bond pads formed on a substrate

Номер патента: US20020075020A1. Автор: Thomas Werner,Mathias Boettcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Storage medium, storage element, storage medium configuration method, and data transmission method

Номер патента: US20240320168A1. Автор: Xiaoming Zhu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate-all-around high-density and high-speed SRAM cells

Номер патента: US12127387B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Battery with rechargeable electrochemical energy storage elements

Номер патента: US20240372193A1. Автор: David Zander,Andreas Faass. Владелец: VARTA MICROBATTERY GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

A high performance and low power 3d sram cell and process integration flow

Номер патента: EP4460162A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor electronic device formed of 2-D van der Waals material whose free charge carrier concentration is determined by adjacent semiconductor's polarization

Номер патента: US09893155B2. Автор: Pankaj B Shah. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2018-02-13.

Static random-access memory (SRAM) cell array and forming method thereof

Номер патента: US09728541B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Aggregating storage elements using a virtual controller

Номер патента: US09645767B2. Автор: Stephen J. Sicola,Clark Edward Lubbers. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Gate-all-around high-density and high-speed sram cells

Номер патента: US20240381611A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Audio processor and method for processing audio signal using vertical phase correction

Номер патента: RU2676414C2. Автор: Саша ДИШ,Вилле ПУЛККИ,Микко-Вилле ЛАЙТИНЕН. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2018-12-28.

Semiconductor device having a channel region patterned into a ridge by adjacent gate trenches

Номер патента: US10439030B2. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-08.

Intra-pixel frame storage element, array, and electronic shutter method including speed switch suitable for electronic still camera applications

Номер патента: US6069376A. Автор: Richard B. Merrill. Владелец: Foveon Inc. Дата публикации: 2000-05-30.

Scanning meat samples for bones where the sample container has a data storage element read by control means

Номер патента: GB2362711A. Автор: Mark Graves. Владелец: SPECTRAL FUSION TECHNOLOGIES L. Дата публикации: 2001-11-28.

Method and system for calculating single and dual parity for networked storaged elements

Номер патента: US7412563B2. Автор: Sanjay Subbarao,Kenneth W. Brinkerhoff. Владелец: Aristos Logic Corp. Дата публикации: 2008-08-12.

An optical crosspoint switch using vertically coupled waveguide structure

Номер патента: CA2367828C. Автор: Ian White,Richard Vincent Penty,Siyuan Yu. Владелец: University of Bristol. Дата публикации: 2008-12-16.

Methods of manufacturing arrays of thin magnetic elements and arrays produced by the methods

Номер патента: US3662357A. Автор: Reginald David Enoch. Владелец: Post Office. Дата публикации: 1972-05-09.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for manufacturing a capacitive storage element, storage element and its use

Номер патента: US9583263B2. Автор: Bert Walch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonaqueous Alkali Metal Power Storage Element and Positive Electrode Coating Liquid

Номер патента: US20230327112A1. Автор: Kazuaki Takada,Kazuteru Umetsu,Fumiya Nakamura. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor electronic device formed of 2-d van der waals material whose free charge carrier concentration is determined by adjacent semiconductor's polarization

Номер патента: US20170141194A1. Автор: Pankaj B. Shah. Владелец: US Army Research Laboratory. Дата публикации: 2017-05-18.

Utilizing Multiple Redundancy Schemes Within A Unified Storage Element

Номер патента: US20230315346A1. Автор: John Colgrove,Ronald Karr,Constantine Sapuntzakis. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Power reception control method for power storage element and power reception control device

Номер патента: US11843271B2. Автор: Kenta Suzuki,Kensuke Murai,Keigo Ikezoe. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Utilizing multiple redundancy schemes within a unified storage element

Номер патента: US11960777B2. Автор: John Colgrove,Ronald Karr,Constantine Sapuntzakis. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Printing device reading information from and writing information to storage element provided on tape

Номер патента: US11244217B2. Автор: Yuji Hayashi,Kentaro Murayama,Kohei Terada. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Electrode plate of laminated power storage element, laminated power storage element, and method for manufacturing electrode plate for laminated power storage element

Номер патента: US20180175453A1. Автор: Daisuke Hirata,Keita Yamamoto,Naoaki Nishimura,Yuki OCHIAI. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Electrochemical device having electric storage element and electroye sealed in insulating case

Номер патента: US9305717B2. Автор: Naoto Hagiwara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing a capacitive storage element, storage element and its use

Номер патента: US20130301188A1. Автор: Bert Walch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-14.

Three-dimensional flat nand memory device having curved memory elements and methods of making the same

Номер патента: US20200286903A1. Автор: Yanli Zhang,Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Composite intermediary device using vertical probe for wafer testing

Номер патента: US20240151764A1. Автор: Ming Tsung Tsai,Kun Yu Wu. Владелец: Syu Guang Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery cell structure of button battery and munufactuturn merhod thereof, and button battery

Номер патента: US20230141846A1. Автор: Yongwang Wang,Yuxiang Zeng. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Switched inductive storage element to enhance gate drive at turn-off

Номер патента: US20240195404A1. Автор: Andreas Volke,Brian Harold Floyd,Christoph Dustert. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Photovoltaic cell structure and method to produce the same

Номер патента: US20180151770A1. Автор: Marek Godlewski,Rafał PIETRUSZKA,Bartłomiej WITKOWSKI,Sylwia Gierałtowska,Łukasz Wachnicki. Владелец: Instytut Fizyki Pan. Дата публикации: 2018-05-31.

Solar cell structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230327036A1. Автор: Ta-Ming Kuan,Cheng-Yeh Yu,Hung Cheng,Wen-Ching Chu,Jen-Ho Kang,Yung-Chih Li,Cheng-Wen Kuo,Ying-Quan Wang,Sheng-Kai Wu. Владелец: TSEC Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Solar cell structure

Номер патента: EP4367724A1. Автор: Yang Li,Ning Song,Alison Joan Lennon,Pei-Chieh Hsiao,Carolin ROEMER. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Partially transmitted imaged laser beam for scribing solar cell structures

Номер патента: US20120094422A1. Автор: Osman Ghandour. Владелец: MIASOLE. Дата публикации: 2012-04-19.

Alternating helicoid cell structure and methods of producing the same

Номер патента: US20210277828A1. Автор: Shawn Alstad,William B. Schuster. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Selective allocation of memory storage elements for operation according to a selected one of multiple cache functions

Номер патента: US20230041508A1. Автор: Daren Croxford. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Solar cell structure, method for preparing solar cell, and mask plate

Номер патента: EP4411836A2. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Tft monos or sonos memory cell structures

Номер патента: US20100001280A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Dual control analog delay element and related delay method

Номер патента: US20030231041A1. Автор: Gurpreet Bhullar,Ki-Jun Lee. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

Device for destroying cell structures without damaging their surroundings

Номер патента: US20230380922A1. Автор: Robert Mayer,Alexander Kraus,Norbert Frischauf. Владелец: Sigma 7 EU. Дата публикации: 2023-11-30.

Solar cell structure, method for preparing solar cell, and mask plate

Номер патента: AU2024204652A1. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of real-time detection of hydrogen content using oxide-based hydrogen storage element having tunnel structure

Номер патента: US20170219507A1. Автор: Hyojin YOON,Junwoo SON,Kyuwook IHM. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-08-03.

Solar cell structure, method for preparing solar cell, and mask plate

Номер патента: US20240347651A1. Автор: HONGWEI Li,Yifeng Chen,Daming Chen,Guangtao YANG. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods and apparatus for performing a machine learning operation using storage element pointers

Номер патента: EP4449314A1. Автор: David Bernard,Kevin Brady,Martin Power,Niall Hanrahan,Alessandro Palla,Martin-Thomas Grymel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Lateral solar cell structure

Номер патента: US09911886B2. Автор: Eric M. Rehder. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Gas sensor element and gas sensor

Номер патента: US09829462B2. Автор: Masaki Mizutani,Nobuo Furuta,Masaki Onkawa,Yuta Oishi,Syun SAKUMA. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Power storage module including movable means for setting a plurality of power storage elements

Номер патента: US09786875B2. Автор: Anne-Claire Juventin,Laurent LE GALL. Владелец: Blue Solutions SA. Дата публикации: 2017-10-10.

Digital-to-analog converter with switching elements controlled by a microcontroller

Номер патента: US09608660B2. Автор: Bushan Vohora. Владелец: Renesas Electronics Europe Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Exposure apparatus and a method for exposing a photosensitive element and a method for preparing a printing form from the photosensitive element

Номер патента: US09529263B2. Автор: Rolf Schwan,Helmut Luetke,Volker Struewe. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Fuel rod structures using inner spacer part and methods of their use

Номер патента: RU2473985C2. Автор: Уилльям Эрл II РАССЕЛЛ,Кристофер Дж. МОНЕТТА,Дэвид Грей СМИТ. Владелец: ДжиИ-ХИТАЧИ НЬЮКЛИАР ЭНЕРДЖИ АМЕРИКАС ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-01-27.

Method for detecting and localizing damage in thin-walled structures using lamb waves

Номер патента: RU2757056C1. Автор: Дмитрий Михайлович Денисов,Николай Леонидович Львов,Михаил Юрьевич Гавриков,Станислав Сергеевич Хабаров,Сергей Иванович Муякшин,Владимир Викторович Чернов,Игорь Николаевич Диденкулов,Павел Николаевич Вьюгин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-инновационный центр "Институт развития исследований, разработок и трансфера технологий". Дата публикации: 2021-10-11.

Method for control by high-frequency titration of the polycondensation stage in the production of alkyd lacquers

Номер патента: RU2761414C1. Автор: Сергей Антонович Дубовик,Евгений Иванович Козлов,Николай Сергеевич Дубовик,Дарья Сергеевна Матяс,Ирина Николаевна Пичугина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Спецлак" (ООО "Спецлак"). Дата публикации: 2021-12-08.

Allocation of user equipment temporary identifier by relay node controlled by base station

Номер патента: RU2451429C2. Автор: ПХАН Винх ВАН,Юри ХЯМЯЛЯЙНЕН. Владелец: Нокиа Сименс Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2012-05-20.

Data processing apparatus with a storage element coupled to a shared memory, which is biased against receiving new data during a transaction.

Номер патента: GB2451200A. Автор: John H Crawford,Sailesh Kottapalli,Kushagra Vaid. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-21.

Address vectors for data storage elements

Номер патента: US11663118B2. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-05-30.

Inorganic particle layer, electrode, electrode element, and non-aqueous electrolyte power storage element

Номер патента: US11955640B2. Автор: Masahiro Masuzawa,Ryuji Higashi,Hideo Yanagita,Anna HIROWATARI,Yuu ZAMA,Kohji Matsuoka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Dense energy storage element with multilayer electrodes

Номер патента: US11901133B2. Автор: David L. Frank. Владелец: Blue Horizons Innovations LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Power storage element and method for manufacturing same

Номер патента: EP4092705A1. Автор: Kazuya Nishimura. Владелец: Kawasaki Motors Ltd. Дата публикации: 2022-11-23.

Energy storage element and production method

Номер патента: US20230344048A1. Автор: Michael Geiger,David ENSLING,Edward Pytlik,Waldemar Frank. Владелец: VARTA MICROBATTERY GMBH. Дата публикации: 2023-10-26.

Energy storage element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9172078B2. Автор: Hideki Masuda,Masamitsu Tononishi. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Energy storage element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130136976A1. Автор: Hideki Masuda,Masamitsu Tononishi. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2013-05-30.

Leakage reduction in storage elements via optimized reset states

Номер патента: WO2012068083A9. Автор: Aswin K. Gunasekar. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

Leakage reduction in storage elements via optimized reset states

Номер патента: WO2012068083A2. Автор: Aswin K. Gunasekar. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-05-24.

Leakage reduction in storage elements via optimized reset states

Номер патента: EP2641198A2. Автор: Aswin K. Gunasekar. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

Energy storage element and manufacturing method

Номер патента: US11929465B2. Автор: Nils Barenthin. Владелец: VARTA MICROBATTERY GMBH. Дата публикации: 2024-03-12.

Identifying information in an array of data storage elements arranged as multiple partitions using partition identifiers

Номер патента: US10055151B2. Автор: Roko GRUBISIC,Georgia Kouveli,Hakan Lars-Goran PERSSON. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-08-21.

Method and system for surround sound beam-forming using vertically displaced drivers

Номер патента: WO2007127781A3. Автор: John L Melanson. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Antennas having lenses formed of light weight dielectric rods and/or meta-material, unit cell structures comprising meta-material and methods of forming lenses

Номер патента: WO2024039929A2. Автор: Björn Lindmark,Zeeshan QAMAR. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Inorganic particle layer, electrode, electrode element, and non-aqueous electrolyte power storage element

Номер патента: EP3878027A1. Автор: Masahiro Masuzawa,Ryuji Higashi,Hideo Yanagita,Anna HIROWATARI,Yuu ZAMA,Kohji Matsuoka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Random number generation from sram cells

Номер патента: US20220236953A1. Автор: Gero Dittmann,Miguel Angel PRADA DELGADO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Antennas having lenses formed of dielectric rods, unit cell structures comprising meta-material and methods of forming lenses

Номер патента: WO2024039929A3. Автор: Björn Lindmark,Zeeshan QAMAR. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Random number generation from SRAM cells

Номер патента: US11977856B2. Автор: Gero Dittmann,Miguel Angel PRADA DELGADO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Laminate-type power storage element and card electronic device

Номер патента: US20170207465A1. Автор: Akihiro Yamamoto,Tetsuya Yamashita,Daisuke Hirata,Naoaki Nishimura. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Multi-fold rechargeable battery cell structure

Номер патента: WO2002007246A1. Автор: Tao Zheng,Antoni S. Gozdz. Владелец: Valence Technology (Nevada), Inc.. Дата публикации: 2002-01-24.

Energy storage element and method of fabricating same

Номер патента: EP1403941A3. Автор: Toshihiko NEC TOKIN Corporation Nishiyama,Hiroyuki NEC TOKIN Corporation Kamisuki,Masaya NEC TOKIN Corporation Mitani,Tomoki NEC TOKIN Corporation Nobuta,Shinako Nec Tokin Corporation Kaneko,Masato NEC Corporation Kurosaki,Yuji NEC Corporation Nakagawa. Владелец: NEC Tokin Corp. Дата публикации: 2004-04-07.

Air-cooled fuel cell structure with air-guiding element

Номер патента: US20110171552A1. Автор: Chi-Bin Wu,Feng-Chang Chen,Wen-Hsin CHIU. Владелец: Chung Hsin Electric and Machinery Manufacturing Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Battery cell structure and electrochemical device

Номер патента: US12009548B2. Автор: Yan Xu,Jiawei Wang,Xuchen LIAN,Xingguo JIANG. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Photovoltaic cell structure and method of manufacturing a photovoltaic cell

Номер патента: WO2015128825A1. Автор: Marek Godlewski,Rafał PIETRUSZKA,Bartłomiej WITKOWSKI,Sylwia Gierałtowska,Łukasz Wachnicki,Grzegorz LUKA. Владелец: Instytut Fizyki Pan. Дата публикации: 2015-09-03.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Solar cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20160087115A1. Автор: Chao-Chang Li,Jian-Yang Lin,Huey-Liang Hwang,Cheng-Siang Hu. Владелец: Huey-Liang Hwang. Дата публикации: 2016-03-24.

Battery cell structure

Номер патента: US20240243449A1. Автор: Yuan-Li CHIANG. Владелец: Amita Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Screening method for high-efficiency biofuel-producing strains by dielectrophoretic method using vertical nano-gap electrodes

Номер патента: US11285492B2. Автор: Jiwon Kim,Sun Mi Lee,Gyeongtaek GONG,Ja Kyong Ko,Jae Hun Kim,Chulki Kim,Yong-Sang RYU,Eui-Sang YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-03-29.

A sealed cell structure

Номер патента: EP2059848A1. Автор: Mark T. Johnson,Dirk J. Broer,Martinus H. W. M. Van Delden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-05-20.

Storage element

Номер патента: US20140342217A1. Автор: Carsten Schuh,Thomas Soller,Katrin Benkert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-11-20.

Battery cell structure, battery module and battery pack

Номер патента: EP4394965A1. Автор: Jia Qian,Jie Zhang,Peipei CHE,Shengrong Cao. Владелец: AESC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Battery cell structure, battery module and battery pack

Номер патента: US20240222805A1. Автор: Jia Qian,Jie Zhang,Peipei CHE,Shengrong Cao. Владелец: AESC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for producing non-aqueous alkali metal electricity storage element

Номер патента: US12051782B2. Автор: Koichi Hiraoka,Yuima Kimura,Hitoshi Morita,Yuichiro Hirakawa,Kazuteru Umetsu. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Pancreatic islet-like cell structures and a method of preparing thereof

Номер патента: CA2933135C. Автор: Ciro Tetta,Giovanni Camussi,Sara Giunti,Victor Manuel NAVARRO TABLEROS. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2023-08-01.

Flash memory cells having trenched storage elements

Номер патента: US20140225177A1. Автор: Wei Zheng,Unsoon Kim,Chi Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

High density memory cell structures

Номер патента: US20170278927A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Waikin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Solar cell structures having III-V base layers

Номер патента: US9666742B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Storage element attribute-based determination of a data protection policy for use within a storage system

Номер патента: US12079502B2. Автор: Zhen Liu,Ronald Karr,Chunyu Wang,David A. Grunwald,Chia-Hao Kan,Shuier Zhou,Zhengyang Xia. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Beam locking for free space optical communication using vertical-cavity surface-emitting lasers

Номер патента: US11711145B2. Автор: Harry Broers,Maurice Herman Johan Draaijer,Jan EKKEL. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-07-25.

Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device

Номер патента: US20180012915A1. Автор: Ryota Tajima,Tamae Moriwaka,Kazutaka Kuriki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device

Номер патента: US20150295278A1. Автор: Ryota Tajima,Tamae Moriwaka,Kazutaka Kuriki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device

Номер патента: US20190386042A1. Автор: Ryota Tajima,Tamae Moriwaka,Kazutaka Kuriki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device

Номер патента: US20210280616A1. Автор: Ryota Tajima,Tamae Moriwaka,Kazutaka Kuriki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device

Номер патента: US20170077151A1. Автор: Ryota Tajima,Tamae Moriwaka,Kazutaka Kuriki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Flash memory cells having trenched storage elements

Номер патента: US09917211B2. Автор: Wei Zheng,Unsoon Kim,Chi Chang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Determining positions of storage elements in a logic design

Номер патента: US09858380B2. Автор: Timothy D. Helvey,David A. Lawson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Touch cell structure of a touch panel and the touch panel using the same

Номер патента: US09836169B2. Автор: Sung Ho Lee. Владелец: G2touch Co ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and apparatus for obtaining identifier of small cell in wireless communication system having hierarchical cell structure

Номер патента: US09801174B2. Автор: Youn-Sun Kim,Tae-Young Kim,Su-Ryong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Touch cell structure of a touch panel and the touch panel using the same

Номер патента: US09785290B2. Автор: Sung Ho Lee. Владелец: G2touch Co ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device

Номер патента: US09748287B2. Автор: Ryota Tajima,Tamae Moriwaka,Kazutaka Kuriki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Storage element including multiple lithium cells

Номер патента: US09698445B2. Автор: Josef Winkler,Michael Wansner. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Solar cell structures having III-V base layers

Номер патента: US09666742B2. Автор: Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Power storage element, manufacturing method thereof, and power storage device

Номер патента: US09660298B2. Автор: Ryota Tajima,Tamae Moriwaka,Kazutaka Kuriki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Storage element

Номер патента: US09660257B2. Автор: Carsten Schuh,Thomas Soller,Katrin Benkert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Storage element for a solid electrolyte battery

Номер патента: US09660256B2. Автор: Carsten Schuh,Thomas Soller,Katrin Benkert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Power storage element including positive electrode and negative electrode in the same plane over substrate and power storage device

Номер патента: US09646771B2. Автор: Ryota Tajima,Junpei Momo,Kazutaka Kuriki,Tamae Morikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Shielding layer of battery cell structure

Номер патента: US09564616B2. Автор: Naoki Matsumura,Ramon C. Cancel Olmo,Allen Huang,Mike M. Ngo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Configurable IC having a routing fabric with storage elements

Номер патента: US09490814B2. Автор: Steven Teig,Herman Schmit,Randy Renfu Huang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Partition board, and method of restraining electrical storage elements

Номер патента: US09468115B2. Автор: Takanori TOZAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

System for remote monitoring of state of threaded joints of building elements and structures

Номер патента: RU2696668C1. Автор: Виктор Иванович Дикарев,Александр Николаевич Бирюков,Юрий Александрович Бирюков,Вячеслав Александрович Вакуненков,Дмитрий Владимирович Бирюков,Дмитрий Иванович Цыбин,Максим Юрьевич Гляков,Василий Юрьевич Пилипенко. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия материально-технического обеспечения имени генерала армии А.В. Хрулёва" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-08-05.

Method and system of temperature and pressure control by tensometer bridge

Номер патента: RU2690090C1. Автор: Евгений Иванович Глинкин,Артём Андреевич Коробов,Кристина Сергеевна Савинова,Дмитрий Дмитриевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "ТГТУ"). Дата публикации: 2019-05-30.

Method for obtaining electromagnetic steel plate with orientation grains, magnetic domains of which are controlled by means of application of laser beam

Номер патента: RU2440426C1. Автор: Хидеюки ХАМАМУРА,Тацухико САКАИ,Масао ЯБУМОТО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2012-01-20.

Method and device for video image controlling by coordinates of terrain

Номер патента: RU2602389C2. Автор: Владимир Андреевич Куделькин. Владелец: Закрытое акционерное общество "ИНТЕГРА-С". Дата публикации: 2016-11-20.

Electric reactor controlled by magnetization

Номер патента: RU2699230C1. Автор: Иван Николаевич Степанов,Иннокентий Иванович Петров,Сергей Иннокентьевич Петров,Олег Иннокентьевич Петров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Чебоксарский энергоагрегат". Дата публикации: 2019-09-04.

Method for reducing dead zone under product control by ultrasonic echo-pulse method

Номер патента: RU2621890C1. Автор: Александр Васильевич Павлов,Сергей Германович Шуткин. Владелец: Публичное акционерное общество Научно-производственное объединение "Искра". Дата публикации: 2017-06-07.

Method of automatic adjusting compensation of arc suppression reactors controlled by magnifying

Номер патента: RU2618519C1. Автор: Антон Владимирович Жуйков,Даниил Анатольевич Матвеев,Илья Игоревич Никулов,Анна Юрьевна Скороходова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-05-04.

Article from composite material controlled by temperature and humidity and method of its production

Номер патента: RU2432260C2. Автор: Джованни САНЬЕЛЛА,Микеле ИАННОНЕ,Альфонсо АПИЧЕЛЛА,Дженерозо ИАННУЦЦО. Владелец: Аления Аэронаутика С.П.А.. Дата публикации: 2011-10-27.

Fuel cell structure and operating principle studying device

Номер патента: RU2678902C1. Автор: Александр Владимирович Сивак,Алексей Михайлович Кашин,Егор Евгеньевич Барабанов,Андрей Владимирович Кукушкин,Андрей Владимирович Ларькин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью"Инэнерджи" (ООО "Инэнерджи"). Дата публикации: 2019-02-04.

Automated design of structures using a finite element database

Номер патента: US4858146A. Автор: Nader O. Shebini. Владелец: Babcock and Wilcox Co. Дата публикации: 1989-08-15.

Item carrying at least two data storage elements

Номер патента: CA2570393C. Автор: Thomas Tiller,Olivier Rozumek. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2013-05-28.

Power storage module including movable means for setting a plurality of power storage elements

Номер патента: CA2872098C. Автор: Anne-Claire Juventin,Laurent LE GALL. Владелец: Blue Solutions SA. Дата публикации: 2019-06-04.

Transfer belt unit including belt frame, holder movable relative thereto, electrical contact surface held thereby, and storage element electrically connected thereto

Номер патента: US11067936B2. Автор: Shuhei HATANO. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2021-07-20.

Solid state imaging apparatus with a shared drain diffusion layer by adjacent cells

Номер патента: USRE46660E1. Автор: Maki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Cell structure of EPROM device and method for fabricating the same

Номер патента: US7053443B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-30.

Solar cell structure and method for preventing snow piling onto solar cell structure

Номер патента: CA3135342A1. Автор: Hiroyuki Fujita,Masaaki Sato,Kenichi Eguchi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Display cell structure and display device using quantum dot

Номер патента: US20190033655A1. Автор: Fang-Chen Luo,Adiel Abileah. Владелец: AU Vista Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Energy storage element having a prismatic housing

Номер патента: US20230420800A1. Автор: David ENSLING,Edward Pytlik. Владелец: VARTA MICROBATTERY GMBH. Дата публикации: 2023-12-28.

Process for forming an electronic device including discontinuous storage elements

Номер патента: WO2007014118A2. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Paul A. Ingersoll,Craig T. Swift. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-02-01.

SRAM cell with asymmetrical transistors for reduced leakage

Номер патента: US20070069277A1. Автор: Theodore Houston,Shyh-Horng Yang,Kayvan Sadra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Systems and methods including combinatorial optimization circuitry utilizing sram cells and noise

Номер патента: WO2023215401A1. Автор: Sajjad MOAZENI,Alana DEE. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2023-11-09.

Electrochemical storage element

Номер патента: US20110262798A1. Автор: Gerold Neumann,Andreas Wuersig,Peter Gulde. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-10-27.

Rolled energy storage elements and method for the production thereof

Номер патента: US20180342725A1. Автор: Oliver G. Schmidt. Владелец: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor cell structure, igbt cell structure and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4220733A1. Автор: Haiping Wu,Baowei Huang. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Connection module for a power storage element group

Номер патента: US10770710B2. Автор: Yusuke Suzuki,Shinichi Takase,Atsushi Yamanaka,Nobuyuki Matsumura. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor cell structure and forming method thereof

Номер патента: US20200381433A1. Автор: Jun Wang,Jian Chen,Yan Fei CAI,Yuan CHAI,Kai Hua HOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Partition board, and method of restraining electrical storage elements

Номер патента: US20140041901A1. Автор: Takanori TOZAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Storage element for a solid electrolyte battery

Номер патента: US20140220447A1. Автор: Carsten Schuh,Thomas Soller,Katrin Benkert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of manufacturing an electrochemical energy storage element

Номер патента: US20240120523A1. Автор: Martin Elmer,Martin Fürst. Владелец: VARTA MICROBATTERY GMBH. Дата публикации: 2024-04-11.

Storage Element Attribute-based Determination of a Data Protection Policy for Use Within a Storage System

Номер патента: US20220244858A1. Автор: Zhen Liu,Ronald Karr,Chunyu Wang,David A. Grunwald,Chia-Hao Kan,Shuier Zhou,Zhengyang Xia. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

FinFET SRAM cells with dielectric fins

Номер патента: US11792971B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

SRAM cell with improved layout designs

Номер патента: US20070126060A1. Автор: Chii-Ming Wu,Huai-Ying Huang,Chun-yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Networking electrolyte supported fuel cell structure

Номер патента: EP4340081A1. Автор: Pedro Nehter,Stephan Friedl,Helge GEISLER,Vignesh AHILAN. Владелец: AIRBUS SAS. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor memory cell structure, semiconductor memory, preparation method and application thereof

Номер патента: US20240147686A1. Автор: Qi Wang,Huilong Zhu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-05-02.

Reduction of storage elements in synthesized synchronous circuits

Номер патента: US20040078764A1. Автор: Gregory Snider. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-22.

Selective allocation of memory storage elements for operation according to a selected one of multiple cache functions

Номер патента: US11841798B2. Автор: Daren Croxford. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Light emitting device controlled by placement angle thereof

Номер патента: US10499470B1. Автор: Tsung-Pei Tsai. Владелец: Cycle Name Industries Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-03.

Multi-storage element single-transistor crosspoint memory systems at low temperatures

Номер патента: US20240008286A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Water absorption measuring method of porous cell structure, water absorption information display method and catalyst carrying method

Номер патента: US20040187561A1. Автор: Yukihito Ichikawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US10468420B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Sram cell with asymmetrical transistors for reduced leakage

Номер патента: WO2007041029A3. Автор: Theodore W Houston,Shyh-Horng Yang,Kayvan Sadra. Владелец: Kayvan Sadra. Дата публикации: 2009-04-16.

Sram cell with asymmetrical transistors for reduced leakage

Номер патента: WO2007041029A2. Автор: Theodore W. Houston,Shyh-Horng Yang,Kayvan Sadra. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-04-12.

Button battery cell structure and manufacturing method therefor, and button battery

Номер патента: EP4164021A1. Автор: Yongwang Wang,Yuxiang Zeng. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-12.

Method for producing electronic device comprising solar cell structure along with drive circuit

Номер патента: US11990459B2. Автор: Tomohiro Akiyama,Shogo Furuya,Junya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Battery cell structure and battery

Номер патента: EP3916903A1. Автор: Shujun Yang. Владелец: Dongguan Nvt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Storage element and method of fabricating same

Номер патента: US20030232242A1. Автор: Shinako Kaneko,Toshihiko Nishiyama,Masato Kurosaki,Yuji Nakagawa,Tomoki Nobuta,Hiroyuki Kamisuki,Masaya Mitani. Владелец: NEC Tokin Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

A switched inductive storage element to enhance gate drive at turn-off

Номер патента: EP4383570A1. Автор: Andreas Volke,Brian Harold Floyd,Christoph Dustert. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US9941288B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Backside emitter solar cell structure having a heterojunction and method and device for producing the same

Номер патента: US11967662B2. Автор: Marcel Koenig,Jun Zhao. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2024-04-23.

Apparatus and method for comparing protein structures using principal components analysis and autocorrelation

Номер патента: US20080133632A1. Автор: Soo-Jun Park,Seon-Hee Park,Chan-Yong Park,Dae-Hee Kim,Sung-Hee Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-06-05.

A multi-junction solar cell structure grown on both sides of a substrate and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234610A9. Автор: Chih-Hung Wu,Yu-Li Tsai. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2024-07-11.

Heat treatment of whole cell structures

Номер патента: US20210143393A1. Автор: Benjamin Park,David J. Lee,Ian Browne,Qian Huang,Rahul Kamath. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Heat treatment of whole cell structures

Номер патента: US20220263059A1. Автор: Benjamin Park,David J. Lee,Ian Browne,Qian Huang,Rahul Kamath. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Heat treatment of whole cell structures

Номер патента: EP4059077A1. Автор: Benjamin Park,David J. Lee,Ian Browne,Qian Huang,Rahul Kamath. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-09-21.

Cell structure of solid state battery and manufacturing method of solid state battery

Номер патента: US20200203679A1. Автор: Masahiro Ohta,Takuya TANIUCHI,Yuriko ASAHI. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for comparing a plurality of storage elements

Номер патента: WO2022129008A1. Автор: Sylvain Grosjean,Jeremy Schlachter. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2022-06-23.

Energy storage power source using a wound-rotor induction machine (wrim) to charge and discharge energy storage elements (eses)

Номер патента: CA3240709A1. Автор: Stephen B. Kuznetsov. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for modeling the shape of complex structures using filters and transformations

Номер патента: EP1145195A2. Автор: David C. Washington University VANESSEN,Charles H. Washington University ANDERSON,Heather A. Washington University DRURY. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2001-10-17.

Method for modeling the shape of complex structures using filters and transformations

Номер патента: EP1145195A3. Автор: David C. Washington University VANESSEN,Charles H. Washington University ANDERSON,Heather A. Washington University DRURY. Владелец: Washington University in St Louis WUSTL. Дата публикации: 2002-09-11.

Method for modeling the shape of complex structures using filters and transformations

Номер патента: WO2000017821A2. Автор: Charles H. Anderson,Heather A. Drury,David C. Vanessen. Владелец: WASHINGTON UNIVERSITY. Дата публикации: 2000-03-30.

System for traffic safety and regulation controlled by virtual keyboard

Номер патента: WO2002095711A1. Автор: Kreso Leskovec,Natasa Leskovec. Владелец: Natasa Leskovec. Дата публикации: 2002-11-28.

Road safety system with signaling lights radio-controlled by the motor vehicles

Номер патента: WO1994024650A1. Автор: Delio De Munari. Владелец: Delio De Munari. Дата публикации: 1994-10-27.

Mobile communications in a hierarchical cell structure

Номер патента: EP1733583A1. Автор: Hideshi Murai. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2006-12-20.

Method for comparing a plurality of storage elements

Номер патента: US12045405B2. Автор: Sylvain Grosjean,Jeremy Schlachter. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-07-23.

Electrical device having heat dissipation structure using filler and manufacturing method of the same

Номер патента: US12028985B2. Автор: Su Young KIM,Jun Kyu Lee,Jeong Man Han,Sang Keun JI,Dong Kyun Ryu,Yong Woo Kang. Владелец: Solum Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

System for telecontrol of electronic controllers for devices controlled by such electronic controllers

Номер патента: EP1772004A2. Автор: Salvatore Merlo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-11.

System for telecontrol of electronic controllers for devices controlled by such electronic controllers

Номер патента: WO2006010553A8. Автор: Salvatore Merlo. Владелец: Salvatore Merlo. Дата публикации: 2006-05-26.

Photovoltaic cell structure and method to produce the same

Номер патента: EP3295490A1. Автор: Marek Godlewski,Rafał PIETRUSZKA,Bartłomiej WITKOWSKI,Sylwia Gierałtowska,Łukasz Wachnicki. Владелец: Instytut Fizyki Pan. Дата публикации: 2018-03-21.

Electrode slurry for fuel cell for forming a multilayer structure without an interface, a multilayer electrode structure using same, and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120501A1. Автор: Kook Il Han,Yoon Hwan Cho,Geon Hee Cho,Ji Hoon Yang. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Energy storage power source using a wound-rotor induction machine (wrim) to charge and discharge energy storage elements (eses)

Номер патента: AU2022421842B2. Автор: Stephen B. Kuznetsov. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of Analyzing 3D Geological Structure Using Structure Index

Номер патента: US20130144574A1. Автор: Chul-Ho Heo,Gyesoon Park. Владелец: Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources KIGAM. Дата публикации: 2013-06-06.

System and method for generating computerized models of structures using geometry extraction and reconstruction techniques

Номер патента: AU2021282413B2. Автор: Jeffrey C. Taylor,Jeffery D. Lewis. Владелец: Geomni Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Device, system, and kit for measuring tension of cell structure containing muscle cells

Номер патента: US20200278342A1. Автор: Hirotsugu Kubo,Yuki KAGAWA,Takahiro SHIOYAMA,Hodaka Makino,Yuto Hinata. Владелец: Nihon Kohden Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Apparatus and method for controlling interference in wireless communication system of hierarchical cell structure

Номер патента: EP2578020A2. Автор: Jong-Hyung Kwun,June Moon,Yung-soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-10.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: US20230178636A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor (hangzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Structural Health Monitoring of Curved Composite Structures Using Ultrasonic Guided Waves

Номер патента: US20200047425A1. Автор: Jeong-Beom Ihn,Shahrooz Mark Jahanbin. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-02-13.

Display cell structure and electrode protecting layer compositions

Номер патента: WO2007038103A2. Автор: Fei Wang,Jack Hou,Yajuan Chen,Jing-Den Chen,Kangtai Ren,Yi-Shung Chaug,Wanheng Wang,HongMei Zang,Chia-Pu Chang. Владелец: SIPIX IMAGING, INC.. Дата публикации: 2007-04-05.

Display cell structure and electrode protecting layer compositions

Номер патента: EP1927100A2. Автор: Fei Wang,Jack Hou,Yajuan Chen,Jing-Den Chen,Kangtai Ren,Yi-Shung Chaug,Wanheng Wang,HongMei Zang,Chia-Pu Chang. Владелец: Sipix Imaging Inc. Дата публикации: 2008-06-04.

Electrochemical device having a modular stack cell structure

Номер патента: WO2024161280A1. Автор: Johannes Carolus Jansen,Angelo Minotti,Alberto Figoli,Enrica FONTANANOVA,Elisa Esposito,Roberto JERACE. Владелец: Miprons Srl. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for automated detection of changes in extent of structures using imagery

Номер патента: US20200387704A1. Автор: David R. Nilosek,Shadrian Strong,Stephen Ng,Phillip Salvaggio. Владелец: Pictometry International Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Systems and methods for automated detection of changes in extent of structures using imagery

Номер патента: US20220148304A1. Автор: David R. Nilosek,Shadrian Strong,Stephen Ng,Phillip Salvaggio. Владелец: Pictometry International Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatus having at least one LED string controlled by a current controller biased by voltage-tap nodes in the LED string

Номер патента: US11770885B2. Автор: Jose Garcia,Jonathan Williams,Guruprakash Iyer. Владелец: Fluence Bioengineering Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Solar Cell Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130263908A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Sunovel Suzhou Tech Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Haptic actuator based on nutation structure using squeeze mode of magneto-rheological fluid

Номер патента: US12014855B1. Автор: Sang-youn Kim,Yong Hae Heo,Seok-Han LEE,Hyun-U Ko,Seang Ho Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Korea University of Technology and Education. Дата публикации: 2024-06-18.

Tunable lens controlled by an actuator

Номер патента: EP4413406A1. Автор: Patrick R. GILL,Richard J. TOPLISS,Thomas M. Gregory,James E. Pedder,Gregory L. Tice. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Tunable Lens Controlled by an Actuator

Номер патента: US20240288612A1. Автор: Patrick R. GILL,Richard J. TOPLISS,Thomas M. Gregory,James E. Pedder,Gregory L. Tice. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Laminated power storage element

Номер патента: US20220351917A1. Автор: Kazuya Nishimura. Владелец: Kawasaki Motors Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

A multi-module control-by-wire architecture

Номер патента: EP1257903A1. Автор: Scott A. Millsap,Robert John Disser,Michael D. Byers,Jeffrey Alan Heinrichs,Patrick Allen Mescher,Joseph G. D'ambrosio,Brian Thomas Murray,Jeff Allan Foust. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2002-11-20.

Managing access control to a physical space controlled by a lock device

Номер патента: US11710359B2. Автор: Fredrik Einberg,Fredrik LINDERSSON. Владелец: ASSA ABLOY AB. Дата публикации: 2023-07-25.

Data circuit terminating equipment (DCE) including timing arrangements circuits controlled by processing means

Номер патента: US5315622A. Автор: Alain Blanc,Jean-Claude Abbiate,Gottfried Ungerboeck. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Synchronized wireless signal transmission by endpoints controlled by a central controller

Номер патента: US20180317188A1. Автор: David S. Kloper,Paul J. Stager,Brian D. Hart,Matthew A. Silverman. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor memory cell structure

Номер патента: US20180204848A1. Автор: Han Wang,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Nonaqueous Lithium Power Storage Element

Номер патента: US20190027321A1. Автор: Tadashi Matsushita,Nobuhiro Okada,Atsushi Hosokibara,Kazuteru Umetsu,Keita KUSUZAKA,Tekeshi Kamijo. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Nonaqueous electrolytic storage element

Номер патента: EP2939303A1. Автор: Okitoshi Kimura,Yasunori Sugimoto,Nobuaki Onagi,Hisamitsu Kamezaki,Eiko Hibino,Anna HIROWATARI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-04.

Nonaqueous electrolytic storage element

Номер патента: WO2014103849A1. Автор: Okitoshi Kimura,Yasunori Sugimoto,Nobuaki Onagi,Hisamitsu Kamezaki,Eiko Hibino,Anna HIROWATARI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-07-03.

Full-color reversible switching device controlled by electrochemistry, and its preparation method and use

Номер патента: US20240264426A1. Автор: Zhigang Zhao,Shan Cong,Xueqing Tang,Zishou HU. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-08-08.

Solar cell structure

Номер патента: US20240162363A1. Автор: Chi Hui Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-16.

Optometaphoresis: programmable metaphotonics by particle migration and light-bending in nanoparticle colloids controlled by near-field micro-structured current-voltage-energized phased-array antenna-electrodes inducing dielectrophoresis

Номер патента: US20240118579A1. Автор: Leo D. Didomenico. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-11.

Flat plate sample holder expansion structure used in vacuum

Номер патента: US12104996B2. Автор: Qi-Kun Xue,Xiao-Peng Hu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Back-contact cell, photovoltaic cell structure, and photovoltaic assembly

Номер патента: EP4443522A1. Автор: Hua Li,Peng Chen,Jun Chen,Debao ZHAO. Владелец: Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Electrochemical energy storage element

Номер патента: US20240363972A1. Автор: Martin Elmer,Verena Drews. Владелец: VARTA MICROBATTERY GMBH. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming structures using a neutral beam

Номер патента: US12129548B2. Автор: Tomohiro Kubota,Toshihisa Nozawa,Mitsuya Utsuno,Seiji Samukawa,Hua Hsuan Chen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-29.

Electrical device having heat dissipation structure using filler and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240334614A1. Автор: Su Young KIM,Jun Kyu Lee,Jeong Man Han,Sang Keun JI,Dong Kyun Ryu,Yong Woo Kang. Владелец: Solum Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Electromechanical assembly controlled by sensed voltage

Номер патента: US09941041B2. Автор: Robert K. Mullady,Steven J. Ahladas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Switch cell structure and method

Номер патента: US09900005B2. Автор: Chih-Liang Chen,Ho Che Yu,Chi-Yeh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Electrically erasable programmable non-volatile memory cell structure

Номер патента: US09892928B2. Автор: Wen-Hao Lee,Wei-Ren Chen,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with split gate flash memory cell structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837425B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonaqueous electrolytic storage element

Номер патента: US09831521B2. Автор: Okitoshi Kimura,Yasunori Sugimoto,Nobuaki Onagi,Hisamitsu Kamezaki,Eiko Hibino,Anna HIROWATARI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for making light and stiff panels and structures using natural fiber composites

Номер патента: US09818380B2. Автор: Joseph E. Luttwak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Wireless diagnosis apparatus for structure using nonlinear ultrasonic wave modulation technique and safety diagnosis method using the same

Номер патента: US09772315B2. Автор: Hyung Jin Lim,Hoon Sohn,Peipei LIU,Su Young YANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-09-26.

Lithium battery cell structure

Номер патента: US09755214B2. Автор: Chun-Chieh Chang,Tsun-Yu Chang. Владелец: Changs Ascending Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonaqueous lithium storage element

Номер патента: US09748045B2. Автор: Shiro Mori,Takeshi Kamijo,Nobuhiro Okada,Takashi Yamasaki,Akiko Kaneko. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Orchestrating management operations among a plurality of intelligent storage elements

Номер патента: US09747034B2. Автор: David R. Clark,Jeffrey C. Nicholson,Bruce R. Dehkes, JR.. Владелец: Xiotech Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Full-color reversible switching device controlled by electrochemistry, and its preparation method and use

Номер патента: US12147027B2. Автор: Zhigang Zhao,Shan Cong,Xueqing Tang,Zishou HU. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-11-19.

Electronic security bag controlled by mobile phone

Номер патента: US09675152B2. Автор: Young Bae Kwon,Won Sik Oh,Ho Jin Lim,Eal Young RYU,Kang Su Lim,Jun Hui CHO. Владелец: Taebaek Security Consulting Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and apparatus for recognizing moving anatomical structures using ultrasound

Номер патента: US09636081B2. Автор: Stefan Reuter,Alexander Dubielczyk,Markus Wohlschlager. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-02.

Energy storage element

Номер патента: US09601725B2. Автор: Hideki Masuda. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Solar cell structure

Номер патента: US09584065B2. Автор: Felix Eickemeyer,Alfred Rennig,Markus Hammermann. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of analyzing 3D geological structure using structure index

Номер патента: US09563602B2. Автор: Chul-Ho Heo,Gyesoon Park. Владелец: Korea Institute of Geoscience and Mineral Resources KIGAM. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming a bifacial solar cell structure

Номер патента: US09525081B1. Автор: Chia-Lung Lin,Yu-Hsiang Huang,Haw Yen,Jung-Wu Chien,Yu Ta Cheng,Chuan Chi Chen,Chin-Pao Taso. Владелец: Inventec Solar Energy Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and apparatus for acquiring synchronization between base stations in mobile communication system with distributed cell structure

Номер патента: US09516618B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Ho-Jae Lee,Seong-hyun Kim,Jung-Shin Park,Beom Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-12-06.

Tests stand for pipeline fittings, its elements and couplers for strength and trim impermeability

Номер патента: RU2670675C1. Автор: Сергей Владимирович Сейнов,Юрий Сергеевич Сейнов,Александр Федорович Новиков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "ГАКС-Армсервис". Дата публикации: 2018-10-24.

Sealing element and sealing system for hollow profiles

Номер патента: RU2582076C2. Автор: Игорь Гарри ШААФ,Пауль МАЦУРА,Вальтер НИКОЛАЙ,Зимон ЙОХАМ. Владелец: С Е С Контрол Энкложе Системз Гмбх. Дата публикации: 2016-04-20.

Method for control by electrophysical methods of analysis of polycondensation stage in the production of alkyd lacquers

Номер патента: RU2755379C2. Автор: Сергей Антонович Дубовик,Евгений Иванович Козлов,Николай Сергеевич Дубовик,Дарья Сергеевна Матяс,Ирина Николаевна Пичугина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет имени В.Г. Шухова (БГТУ им. В.Г. Шухова)". Дата публикации: 2021-09-15.

Medical instrument for radiotherapy controlled by magnetic resonance imaging

Номер патента: RU2742501C2. Автор: Аннемария Йоханна ХАЛЬКОЛА,Тему НИЕМИ,Ехки ПУСА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-02-08.

Method of supplying electric power to a power supply network by means of supply unit controlled by converters

Номер патента: RU2725761C1. Автор: Йоханнес БРОМБАХ. Владелец: Воббен Пропертиз Гмбх. Дата публикации: 2020-07-06.

Printed circuit board with internal mounting of elements and method of its manufacture

Номер патента: RU2639720C2. Автор: Сергей Васильевич Казаков,Борис Иванович Иванов,Виктор Андреевич Немкевич,Владислав Никифорович Масалков,Татьяна Андреевна Жукова,Александра Сергеевна Степанова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦАП"). Дата публикации: 2017-12-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Vacuum element and method of its fabrication

Номер патента: RU2515183C2. Автор: Леопольд Мадер. Владелец: Инова Лисец Технологицентрум Гмбх. Дата публикации: 2014-05-10.

Flexible strip of polymeric material containing reinforcing elements, a method of its manufacture and a three dimensional celled structure made with its use

Номер патента: RU2760449C1. Автор: Михаил Михайлович Азарх,Владислав Геннадиевич Череватый. Владелец: Михаил Михайлович Азарх. Дата публикации: 2021-11-25.

Beds, storage elements and kits

Номер патента: AU2020256313A1. Автор: Deng Qiao Hua. Владелец: Red Elephant Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Filtration element and methods of its fabrication and application

Номер патента: RU2456145C2. Автор: Дэн КЛАУД,Джон А. КРОГ. Владелец: Перри Эквипмент Корпорейшн. Дата публикации: 2012-07-20.

Packer controlled by electric drive

Номер патента: RU2728010C2. Автор: Фарид Анфасович Махмутов,Алмаз Рустамович Галимов,Шамсияхмат Ахметович Ахметшин,Альберт Сабурович Назмутдинов,Эльдар Рифович Асадуллин,Камиль Ахметназибович Ганеев. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "ТНГ-Групп". Дата публикации: 2020-07-28.

Method for development of high-viscosity oil or bitumen field using vertical wells

Номер патента: RU2733862C1. Автор: Марат Инкилапович Амерханов,Фаниль Муктасимович Ахметзянов,Наиль Мунирович Ахметшин. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-10-07.

Valve unit with valve closing element controlled by means of cardan joint

Номер патента: RU2545219C2. Автор: Отто ВОЛЬМЕР,Даниэль МАНН. Владелец: Кнорр-Бремзе Зюстеме Фюр Нутцфарцойге Гмбх. Дата публикации: 2015-03-27.

Beds, storage elements and kits

Номер патента: GB2603103A. Автор: Qiao Hua Deng. Владелец: Red Elephant Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Drilling and cementing through shallow waterflows

Номер патента: US6152227A. Автор: Donald L. Whitfill,Jimmie B. Lawson. Владелец: Baroid Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

In vitro generation of organized 3d cell structures including head-trunk embryo-like structures, using epigenetic remodeling factors - microfluidic platform suitable for their generation

Номер патента: EP4373916A2. Автор: Charles Baroud,Anne Dejean,Sebastien Sart,Jack Christophe COSSEC,Tatiana TRABOULSI. Владелец: Institut National de la Sante et de la Recherche Medicale INSERM. Дата публикации: 2024-05-29.

Combinatorial marking of cells and cell structures with reconstituted fluorescent proteins

Номер патента: WO2005118790A3. Автор: Martin Chalfie,Charles Ma,Shifang Zhang. Владелец: Shifang Zhang. Дата публикации: 2006-06-29.

Improved method to remove binder from ceramic cell structures

Номер патента: RU2420492C2. Автор: Джон П. ХЕНЛИ,Авани М. ПЕЙТЕЛ,Артур Р. Мл. ПРЮНЬЕ,Чань ХАНЬ. Владелец: Дау Глобал Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2011-06-10.

Device with a sensitive element and a method of monitoring the vital activity of a subject

Номер патента: RU2692213C2. Автор: Харальд ГРАЙНЕР,Томас Герхард ЭММРИХ,Хайнц Отто КУРЦЕНБЕРГЕР,Бернд Гюнтер Вернер ВИЛМ,Стефан ЦИММЕРМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-06-21.

Safety lock system for vertically stacked storage elements

Номер патента: US4298236A. Автор: Robert N. Laroche. Владелец: Artopex Inc. Дата публикации: 1981-11-03.

Safety lock system for vertically stacked storage elements

Номер патента: CA1114883A. Автор: Robert N. Laroche. Владелец: Artopex Inc. Дата публикации: 1981-12-22.

Tubular cell structure cultivation maintaining apparatus and tubular cell structure maintaining support device

Номер патента: US12037573B2. Автор: Kumika MATSUBAYASHI,Satoshi Gojo,Daisuke Kami,Shizuka Akieda. Владелец: CYFUSE BIOMEDICAL KK. Дата публикации: 2024-07-16.

Skinned cell structures and methods of producing the same

Номер патента: US12054237B2. Автор: Gary E. Georgeson,Xiaoxi Wang. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and apparatus for the pre-conditioning of latent heat storage elements

Номер патента: US09939207B2. Автор: Joachim Kuhn,Martin Heinemann,Fabian Eschenbach. Владелец: Va Q Tec AG. Дата публикации: 2018-04-10.

As-molded plastic unit cell structures and welded fluid flow assemblies of the unit cell structures

Номер патента: US09920860B2. Автор: Frank F. Hayes, Jr.. Владелец: FIT-LINE Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Aerodynamic storage element

Номер патента: CA2835854A1. Автор: Philip White. Владелец: PON BICYCLE HOLDING BV. Дата публикации: 2008-02-10.

Reduced pressure heat storage element and electric heater using the same

Номер патента: US4672178A. Автор: Takahiro Wada,Yoneno Hiroshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-09.

Liquid supply of a block storage element

Номер патента: US20220307617A1. Автор: Jörg Cavelius,Volker Rollwa,Markus Liebhaber. Владелец: Jungheinrich AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for producing insulin-producing cells from mesenchymal stem cells, insulin-producing cells, cell structure, and pharmaceutical composition

Номер патента: EP3708656A1. Автор: Kentaro Nakamura,Mitsuo Shimada,Tetsuya Ikemoto. Владелец: University of Tokushima NUC. Дата публикации: 2020-09-16.

Block storage element with fluid transfer and overflow mechanism

Номер патента: CA3117246A1. Автор: Jörg Cavelius,Volker Rollwa,Markus Liebhaber. Владелец: Jungheinrich AG. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for producing insulin-producing cell from mesenchymal stem cell, insulin-producing cell, cell structure, and pharmaceutical composition

Номер патента: US20240287465A1. Автор: Kentaro Nakamura,Mitsuo Shimada,Tetsuya Ikemoto. Владелец: University of Tokushima NUC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing insulin-producing cell from mesenchymal stem cell, insulin-producing cell, cell structure, and pharmaceutical composition

Номер патента: US12018282B2. Автор: Kentaro Nakamura,Mitsuo Shimada,Tetsuya Ikemoto. Владелец: University of Tokushima NUC. Дата публикации: 2024-06-25.

Compound non-planar reinforced composite structures using layer-by-layer printing

Номер патента: US20240278491A1. Автор: Waleed Khalil Ahmed. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-22.

Cell structure fixing and removing system

Номер патента: US20210332318A1. Автор: Yasuto KISHII. Владелец: CYFUSE BIOMEDICAL KK. Дата публикации: 2021-10-28.

As-molded plastic unit cell structures

Номер патента: US09982822B2. Автор: Frank F. Hayes, Jr.. Владелец: FIT-LINE Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Liquid cartridge provided with cartridge body and storage element fixed thereto by adhesive agent and method for manufacturing the same

Номер патента: US09855757B2. Автор: Akihito Ono,Naoya Okazaki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for preconditioning latent heat storage elements

Номер патента: US09581374B2. Автор: Joachim Kuhn,Tobias Bock,Fabian Eschenbach. Владелец: Va Q Tec AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of dispersing fluid in dispersion air medium in aerosol and mobile aerosol generator controlled by multivariate effect of dispersion, mixer, and balancing valve for implementation of said method

Номер патента: RU2489201C2. Автор: Михаил Дмитриевич Акульшин,Олег Наилевич Абдразяков. Владелец: Олег Наилевич Абдразяков. Дата публикации: 2013-08-10.

Iron, comprising valve controlled by means of element modified under temperature effect

Номер патента: RU2416685C2. Автор: Маттиас ХАН,Йохен ВЕБЕР. Владелец: Ровента Верке Гмбх. Дата публикации: 2011-04-20.

Decorative panel unit and mounting wall structures using decorative panel units

Номер патента: RU2347045C2. Автор: Такаши ХОНДА. Владелец: НИТИХА КО., ЛТД.. Дата публикации: 2009-02-20.

Control system composed of bar and feed pipe for heating of distribution pipe structures used at metal casting

Номер патента: RU2549817C2. Автор: Тимоти Джеймс КУПЕР,Джеймс А. ИМТЕРН. Владелец: Уэгстафф, Инк.. Дата публикации: 2015-04-27.

Structural element for a fuselage cell structure of an aircraft, comprising at least one positioning aid

Номер патента: CA2741816C. Автор: Ralph Arnold. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2017-01-10.

Cold storage apparatus and method of displaying state of cold storage element

Номер патента: MY190605A. Автор: NAGAI Masaaki,SUZUKI Motohiro,Takeguchi Shinsuke,MACHIDA HIRONOBU,SHII KENTARO,SUITO KAZUAKI. Владелец: Panasonic Ip Man Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Combinatorial marking of cells and cell structures with reconstituted fluorescent proteins

Номер патента: US20070256147A1. Автор: Martin Chalfie,Charles Ma,Shifang Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Device for maintaining culture of tubular cell structure and auxiliary tool for maintaining tubular cell structure

Номер патента: EP3778859A1. Автор: Kumika MATSUBAYASHI,Satoshi Gojo,Daisuke Kami,Shizuka Akieda. Владелец: CYFUSE BIOMEDICAL KK. Дата публикации: 2021-02-17.

Method of making arranged cell structures

Номер патента: EP2288699A1. Автор: Milan Vanecek,Bohuslav Rezek,Alexander Kromka,Stanislav Kmoch,Lenka Michalikova,Marie Kalbacova,Lubica Grausova,Lucie Bacakova,Jan Kocka. Владелец: Institute of Physiology CAS. Дата публикации: 2011-03-02.

A trolley comprising an integrated seat and moveable storage elements

Номер патента: FI130382B. Автор: Oskar Ylänkö,Pekka Ylänkö. Владелец: Ergotekniikka Oy Tuolitalo. Дата публикации: 2023-08-07.

Method of manufacturing a latent heat storage element

Номер патента: WO2024161228A1. Автор: Nico Ros,Stefan Retzko,Manon CAMOUS,Christian Arduser. Владелец: REP IP AG. Дата публикации: 2024-08-08.

A trolley comprising an integrated seat and moveable storage elements

Номер патента: FI20227078A1. Автор: Oskar Ylänkö,Pekka Ylänkö. Владелец: Ergotekniikka Oy Tuolitalo. Дата публикации: 2023-08-07.

Filter element and filter system having radial flow bypass channels in the end plate

Номер патента: US20240307801A1. Автор: Christopher Baumann,Hermanth Kumar VENKATESH NAYAK. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Filter element and filter system having radial flow bypass channels in the end plate

Номер патента: US20240350947A1. Автор: Christopher Baumann,Hermanth Kumar VENKATESH NAYAK. Владелец: Mann and Hummel GmbH. Дата публикации: 2024-10-24.

Forming cell structure with transient linker in cage

Номер патента: EP2203548A1. Автор: Hanry Yu,Siew Min Ong. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2010-07-07.

Method for storing a respiratory mask and respiratory equipment including a respiratory mask and a storage element

Номер патента: US09943713B2. Автор: Jean-Paul Libis. Владелец: Zodiac Aerotechnics SAS. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of damaging cell structure of aquatic substance

Номер патента: US09416346B2. Автор: Chun-Hung Hung,Chi-Hui Chen,Ching-Jui Tsai. Владелец: METAL INDUSTRIES RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTRE. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of current control by crystallization process of liquid current-conducting material in 3d-printer

Номер патента: RU2699890C1. Автор: Александр Александрович Шарц,Аркадий Михайлович Мандель,Вадим Борисович Ошурко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2019-09-11.

Therapy controlled by magnetic resonant visualisation

Номер патента: RU2538238C2. Автор: Аджай АНАНД,Баласундара И. РАДЖУ,Госта Якоб ЭХНХОЛЬМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-01-10.

Variable flow rate control by linear pump

Номер патента: RU2542254C2. Автор: Майкл А. КРАЕР,Майкл Дж. СЕБИОН. Владелец: Грако Миннесота Инк.. Дата публикации: 2015-02-20.

Structural assembly and structure used, in particular, in aircraft engineering

Номер патента: RU2496678C2. Автор: Хельмут ЛЮТТИНГ. Владелец: Эйрбас Оперэйшнз Гмбх. Дата публикации: 2013-10-27.

Multi-position rotary drive, controlled by fluid medium

Номер патента: RU2733151C2. Автор: Гийом ВИЛЛЕРЕ,Венсан ТАДИНО,Марк ЛОРАН,Адриен ОРЛЕАН. Владелец: Аут Энд Аут Кемистри Спрл. Дата публикации: 2020-09-29.

Converter process control by exit gas signals

Номер патента: RU2539501C2. Автор: Йоханн РАЙХЕЛЬ. Владелец: Смс Зимаг Аг. Дата публикации: 2015-01-20.

Industrial machine and industrial machine controlled by gaskets support unit gap determination method (versions)

Номер патента: RU2615535C2. Автор: Уэсли П. ТЭЙЛОР,Чарльз Д. ПЭЙН. Владелец: Харнишфигер Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2017-04-05.

Welding device for welding pipes with heating arc controlled by magnetic field

Номер патента: RU2601723C1. Автор: Дмитрий Григорьевич Долгих,Сергей Николаевич Окунев,Евгений Леонидович Стрелков,Александр Николаевич Евженко,Владимир Васильевич Одношивкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Фундаментстройаркос". Дата публикации: 2016-11-10.

Fittings for corner cabinet for movable shelf installation controlled by tooth wheel in corner cabinet

Номер патента: RU2719834C1. Автор: Клаус ЗАГЕЛЬ,Томас ЗАГЕЛЬ. Владелец: Фаут-Загель Холдинг Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for premedication in patients with a local kidney cancer with arterial hypertension controlled by angiotensine transforming enzyme inhibitors

Номер патента: RU2681496C1. Автор: Олег Иванович Кит,Алексей Юрьевич Максимов,Екатерина Федоровна Комарова,Игорь Артемович Абоян,Роман Александрович Осокин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Ростовский научно-исследовательский онкологический институт" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-03-06.

Bicycle frame with storage element

Номер патента: CA2680381C. Автор: Philip White. Владелец: VROOMEN/WHITE DESIGN Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Variator torque control by pressure regulation

Номер патента: RU2555571C2. Автор: Франк Э. ДЕМАРКО,Майкл Г. КРОНИН. Владелец: КЕЙТЕРПИЛЛАР ИНК.. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of firing missiles controlled by laser beam, and optical sight of missile guidance system

Номер патента: RU2582308C1. Автор: Эдуард Львович Матвеев,Семен Львович Погорельский,Николай Николаевич Коечкин,Михаил Николаевич Чуканов,Ольга Николаевна Ухабова. Владелец: Акционерное общество "Конструкторское бюро приборостроения им. академика А.Г. Шипунова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method for storing a respiratory mask and respiratory equipment including a respiratory mask and a storage element

Номер патента: CA2852823C. Автор: Jean-Paul Libis. Владелец: Zodiac Aerotechnics SAS. Дата публикации: 2018-11-20.

Polyimide resins from bis-imide, monomer having two methylene groups activated by adjacent carbonyls, and polyamine

Номер патента: US4999419A. Автор: Alfred J. Restaino. Владелец: Creative Assets and Consulting Corp. Дата публикации: 1991-03-12.

Liquid supply of a block storage element

Номер патента: CA3153893A1. Автор: Jörg Cavelius,Volker Rollwa,Markus Liebhaber. Владелец: Jungheinrich AG. Дата публикации: 2022-09-25.

Method for adjusting the pressure of an air cell structure, a device, and a system

Номер патента: WO2020249866A1. Автор: Hannu Saarinen,Olli Pohjolainen. Владелец: Carital Oy. Дата публикации: 2020-12-17.

Vehicle hood and vehicle panel with cell structure

Номер патента: WO2020222586A1. Автор: Hyerim Lee,Hyosig KIM. Владелец: Renault-Samsung Motors Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Storage Element

Номер патента: US20240059227A1. Автор: Oscar Garcia,Iker Lopetegi,Arnold Gurr,Ander Martinez,Benjamin BEXTERMOELLER. Владелец: Paul Hettich GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-22.

Ultrasound imaging system using an array of transducer elements and an imaging method

Номер патента: EP3823767A1. Автор: Peter Dirksen,Marc Godfriedus Marie Notten,Nico Maris Adriaan De Wild,Ruediger Günther MAUCZOK,Antonia Cornelia RENS. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2021-05-26.

Ultrasound imaging system using an array of transducer elements and an imaging method

Номер патента: US20210282749A1. Автор: Peter Dirksen,Marc Godfriedus Marie Notten,Rudiger Gunter Mauczok,Nico Maris Adriaan De Wild,Antonia Cornelia VAN RENS. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for the synthesis of an auxetic polyurethane foam with a defined cell structure and auxetic polyurethane foam obtainable by the method

Номер патента: EP4136147A1. Автор: Ruben Gatt,Keith Mario Azzopardi,Matthew Anthony XUEREB. Владелец: Smart Materials Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Method for the synthesis of an auxetic polyurethane foam with a defined cell structure and auxetic polyurethane foam obtainable by the method

Номер патента: WO2021209568A1. Автор: Ruben Gatt,Keith Mario Azzopardi,Matthew Anthony XUEREB. Владелец: Smart Materials Limited. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for the synthesis of an auxetic polyurethane foam with a defined cell structure and auxetic polyurethane foam obtainable by the method

Номер патента: CA3175514A1. Автор: Ruben Gatt,Keith Mario Azzopardi,Matthew Anthony XUEREB. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Reinforcement of wall structures using solidifiable material

Номер патента: WO2024081392A1. Автор: Ian Bungane Mehlomakulu. Владелец: ICON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus for holding a wire-type formwork and method for constructing a concrete structure using the same

Номер патента: WO2007058491A1. Автор: Seok Hwangbo,Seon Hyeon Yoon. Владелец: Mi-Ryun Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for train suspension control by means of multiple air springs, system for train suspension control by means of multiple air springs, and train

Номер патента: EP3778338A1. Автор: Zheng Liu,Wenhao Hu,Shujun Chen,Limin Zhang,Zhonghua Liu,Liangjie LI,Jiaying QIN,Huijie Du,Xinyong ZHANG,Yongqin YANG. Владелец: CRRC Tangshan Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Cellulose composite material, 3d printing material and 3d printing structure including the same, and method of manufacturing the 3d printing structure using the same

Номер патента: US20230011081A1. Автор: Haeshin Lee,Myoung-Woon Moon,Hyesung Cho,Younseon Wang,Taegeun Kim,Cho-hee Lee,Yunhan LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-01-12.

Wood adhesive, method for adhering wood materials using the same, and composite wood structure using the same

Номер патента: US20150232724A1. Автор: Man-Lin Chen,Hsien-Kuang Lin,Sue-May Chen,Su-Huey CHEN. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-08-20.

Foam buffing pad with random or strategically placed collapsed cell structures

Номер патента: EP2024138B1. Автор: Scott S. McLain. Владелец: Mclain Scott C. Дата публикации: 2010-11-24.

Cell support and method of producing same, cell culture method and cell structure

Номер патента: US20230357711A1. Автор: Yasuhiko Tabata,Akihiro Maezawa,Temmei ITO,Yuki Murata. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Manufacturing method of a cell structure

Номер патента: US11697797B2. Автор: Yasushi Nemoto,Yasuhide Nakayama,Ryosuke Iwai. Владелец: NATIONAL CEREBRAL AND CARDIOVASCULAR CENTER. Дата публикации: 2023-07-11.

Underground underwater structure using geotextile form and construction method thereof

Номер патента: PH12020000058A1. Автор: Seo-Jin Park. Владелец: Park Seo Jin. Дата публикации: 2021-01-18.

Method for train suspension control by means of multiple air springs, system for train suspension control by means of multiple air springs, and train

Номер патента: US12012129B2. Автор: Zheng Liu,Wenhao Hu,Shujun Chen,Limin Zhang,Zhonghua Liu,Liangjie LI,Jiaying QIN,Huijie Du,Xinyong ZHANG,Yongqin YANG. Владелец: CRRC Tangshan Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing a latent heat storage element

Номер патента: EP4411303A1. Автор: Nico Ros,Stefan Retzko,Manon CAMOUS,Christian Arduser. Владелец: REP IP AG. Дата публикации: 2024-08-07.

Endoscope controlled by power receptor

Номер патента: US20240215802A1. Автор: Myung Joon Kim,Chi Won Lee,Suk Gyu Koh. Владелец: Medintech Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Composition for administration of double-stranded oligonucleotide structures using ultrasonic nebulizer for prevention or treatment of respiratory viral infection including covid-19, pulmonary fibrosis caused by viral infection, or respiratory disease

Номер патента: CA3210813A1. Автор: OH Seung Kwon,Sang-Kyu Lee,Han-Oh Park,Mi-Sun Lee,Soon-Ja Choi,Jun-Hong Park,Eun-Ah GOH,Kang Song,Jangseon KIM,Sung-Il YUN,Young-Ho GOH. Владелец: Sirnagen Therapeutics Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Machine and method for laminating the weld bead of a continuously welded pipe, comprising a mandrel controlled by electromagnetic means

Номер патента: EP2100674B1. Автор: Vittorio Travini. Владелец: Olimpia 80 SRL. Дата публикации: 2011-06-22.

Foam buffing pad with random or strategically placed collapsed cell structures

Номер патента: EP2024138A2. Автор: Scott S. McLain. Владелец: Mclain Scott C. Дата публикации: 2009-02-18.

Temporary earth-retaining structure using guide bracket, and construction method therefor

Номер патента: US20240263418A1. Автор: Yong Hwan Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for the synthesis of an auxetic polyurethane foam with a defined cell structure and auxetic polyurethane foam obtainable by the method

Номер патента: US20230192938A1. Автор: Ruben Gatt,Keith Mario Azzopardi,Matthew Anthony XUEREB. Владелец: Smart Materials Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Vented Cell Structure for Confinement and Interlock of Earth Materials

Номер патента: US20240279879A1. Автор: Michael James Dickey. Владелец: Reynolds Presto Products Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Hydrogel preparation method using crosslinking structure control by electron beam irradiation and natural polysaccharide hydrogel prepared by the same

Номер патента: US20230331936A1. Автор: Ji-Hyun Park,Yeon-hee Kim,Tae-Sung HA,Pyeong-Hwan JUNG,Young-Ah Kim,Yu-Ji KANG. Владелец: Biocos Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Vented cell structure for confinement and interlock of earth materials

Номер патента: WO2024173656A1. Автор: Michael James Dickey. Владелец: Reynolds Presto Products Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Synthesis of hybrid inorganic nanoparticle structures using peptides

Номер патента: US7905943B1. Автор: Rajesh R. Naik,Joseph M. Slocik. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2011-03-15.

Rolled steel bar for machine structural use and method of producing the same

Номер патента: US20170152578A1. Автор: Hiromasa Takada,Shinya Teramoto,Osamu Ohyama. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Primer composition, waterproof floor slab structure using the same, and method for waterproofing floor slab

Номер патента: US20120189857A1. Автор: Takashi Matsumoto,Toshio Mita,Yuko Takikawa. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of producing cell structure, carrier, and method of producing carrier

Номер патента: US12037571B2. Автор: Takeyuki Mogi. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Steel for surface hardening for machine structural use and part for machine structural use

Номер патента: US09777343B2. Автор: Atsushi Mizuno,Masayuki Hashimura,Shuji Kozawa,Kei Miyanishi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Steel for machine structure use excellent in cutting tool lifetime and machining method of same

Номер патента: US09725783B2. Автор: Atsushi Mizuno,Hajime Saitoh,Toshiharu Aiso. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Yaw control-by-rudder type tidal stream power generation apparatus and yaw control method of the same

Номер патента: US09494130B2. Автор: Ji Hoon Kim,Jin Hwan Ko,Kwang-Soo Lee,Jong Su Yoon,Tae Gyu HWANG,Jin Hun CHOO. Владелец: Korea Institute of Ocean Science and Technology KIOST. Дата публикации: 2016-11-15.

Printing system and method of printing a multilayer structure using radiation curable ink

Номер патента: US09469135B2. Автор: Clemens T. Weijkamp. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Convertiplane with rotors jet drive controlled by rotors via wobble plate and control levers with no extra control means

Номер патента: RU2570241C2. Автор: Андрей Геннадьевич Бормотов,Иван Александрович Ошкуков. Владелец: Андрей Геннадьевич Бормотов. Дата публикации: 2015-12-10.

Compatible with cable and controlled by a non-lift method, configured to interact with annular space system for use and elimination of underground well

Номер патента: RU2689933C2. Автор: Брюс Э. ТАНДЖЕТ. Владелец: Брюс Э. ТАНДЖЕТ. Дата публикации: 2019-05-29.

Method of railway traffic control by automatic block system with centralized equipment location

Номер патента: RU2662313C1. Автор: Юрий Иосифович Полевой,Александр Владимирович Горелик. Владелец: Александр Владимирович Горелик. Дата публикации: 2018-07-25.

Method to produce heavy modular element and modular element produced in compliance with this method

Номер патента: RU2458211C2. Автор: Ханс-Берт КЛЕРСИ. Владелец: Ханс-Берт КЛЕРСИ. Дата публикации: 2012-08-10.

Hybrid aircraft fuselage cell structure

Номер патента: RU2482995C1. Автор: Вольф-Дитрих ДОЛЬЦИНСКИ,Маркус МЮЛЛЕР,Норберт ХЕЛЬТШ,Арне ХАРТВИГ,Маркус Йорг ВЕБЕР,Йенс-Ульрих ПРОВЕ,Пауль ЙЕРН. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2013-05-27.

Control by several azimuths by vertical cracks, appearing at hydraulic fracturing in friable or slightly cemented sediments

Номер патента: RU2359115C2. Автор: Грант ХОКИНГ. Владелец: ДЖЕОСИЕРРА, Эл-Эл-Си. Дата публикации: 2009-06-20.

Filter or filtering element for tobacco smoke, cigarette with such filter or filtering element and method to manufacture such filter or filtering element

Номер патента: RU2413438C2. Автор: Пауль РУСТЕМЕЙЕР,Эккарт ШЮТЦ,Гюнтер МАУРЕР,Эберхард ТОЙФЕЛЬ,Пауль РУСТЕМЕЙЕР (DE),Гюнтер МАУРЕР (DE),Эберхард ТОЙФЕЛЬ (DE),Эккарт ШЮТЦ (DE). Владелец: Родиа Ацетов Гмбх. Дата публикации: 2011-03-10.

Frictionless ball valve with an actuator combining a linear motor and an oscillating cylinder and containing a separable valve element and valve seat

Номер патента: RU2763807C1. Автор: Цзюнь Юань,Ян Чжан,Чжуншань ТЯНЬ,Чанцюнь ЯН,Юйлун ФЭН,Даодун НЮ,Шиян ЧЭНЬ,Юйтэ ЛИ. Владелец: Си'ань Хантянь Юаньчжэн Флюид Контрол Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-01-11.

LAYOUT FOR MULTIPLE-FIN SRAM CELL

Номер патента: US20120001197A1. Автор: LIAW Jhon Jhy,Shen Jeng-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DYNAMICALLY CONFIGURABLE SRAM CELL FOR LOW VOLTAGE OPERATION

Номер патента: US20120002460A1. Автор: Rimondi Danilo,Selva Carolina. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

LED CHIP PACKAGE STRUCTURE USING SEDIMENTATION AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003765A1. Автор: . Владелец: HARVATEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtainment of nonvolatile storage element

Номер патента: RU2468471C1. Автор: Вадим Вячеславович Путролайнен,Андрей Александрович Величко,Генрих Болеславович Стефанович,Александр Лионович Пергамент,Николай Александрович Кулдин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2012-11-27.

Storage element

Номер патента: RU2032945C1. Автор: А.С. Березин,С.А. Королев. Владелец: Королев Сергей Анатольевич. Дата публикации: 1995-04-10.

Method for asynchronous motors control by compensating magnetic field technique

Номер патента: RU2338315C1. Автор: Александр Борисович Матюнин. Владелец: Александр Борисович Матюнин. Дата публикации: 2008-11-10.

Device for electric locomotive traction current control by conditions of electromagnetic comparability with phase-sensitive track circuits of railroad automatics (versions)

Номер патента: RU2463177C1. Автор: Владислав Алексеевич Кучумов,Роман Вилорьевич Мурзин,Ольга Владимировна Виноградова,Нина Борисовна Никифорова,Татьяна Михайловна Фадеева. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Железнодорожного Транспорта". Дата публикации: 2012-10-10.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

GENETIC CONSTRUCT CONTAINING hGDNF CONTROLLED BY TEMPERATURE-SENSITIVE PROMOTOR FOR REGULATED NEUROTROPHIC FACTOR EXPRESSION IN MAMMALIAN CELLS AND BODIES DIRECTLY

Номер патента: RU2527169C2. Автор: Илья Борисович Мерцалов,Галина Валериевна Павлова,Екатерина Юрьевна Рыбалкина,Александр Владимирович Ревищин,Надежда Николаевна Куст. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биологии гена Российской академии наук (ИБГ РАН). Дата публикации: 2014-08-27.

Asynchronous electric motor controlled by electronic method and device to inspect and adjust voltage control units

Номер патента: RU2464698C2. Автор: Евгений Иванович Нефедов,Владимир Евгеньевич Вершинин,Владимир Сергеевич Немыченков,Андрей Алексеевич Петраков,Виктор Дмитриевич Малюга,Михаил Петрович Косушкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Калужский приборостроительный завод "Тайфун". Дата публикации: 2012-10-20.

Car alarm system "global sms" and system of remote control by locks and switching devices of any objects by means of sms messages

Номер патента: RU2364531C1. Автор: Тамара Валерьевна Татрова,Залина Валерьевна Борадзова. Владелец: Залина Валерьевна Борадзова. Дата публикации: 2009-08-20.

WALL FORMED IN SOIL, THE WALL INCLUDING A HOLLOW PREFABRICATED ELEMENT, AND A METHOD OF MAKING SUCH A WALL

Номер патента: US20120000148A1. Автор: MATHIEU Fabrice,BOREL Serge,HAMELIN Jean Pierre,CANO Joël. Владелец: SOLETANCHE FREYSSINET. Дата публикации: 2012-01-05.

THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE

Номер патента: US20120000500A1. Автор: . Владелец: Tokyo University of Science Education Foundation Administration Organization. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION STRUCTURE OF ELEMENTS AND CONNECTION METHOD

Номер патента: US20120000501A1. Автор: AKIYAMA Hirokuni,MORISAKU Naoto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI. Дата публикации: 2012-01-05.

Radiation detecting element and radiographic imaging device

Номер патента: US20120001079A1. Автор: OKADA Yoshihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION DETECTION ELEMENT AND RADIOGRAPHIC IMAGING APPARATUS

Номер патента: US20120001080A1. Автор: OKADA Yoshihiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2540486C1. Автор: Тигран Арменакович Вартанян,Никита Борисович Леонов,Сергей Григорьевич Пржибельский,Игорь Аркадьевич Гладских. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2015-02-10.

Номер патента: RU2360062C1. Автор: Владимир Васильевич Смогунов,Никита Сергеевич Кузнецов,Елена Ярославовна Сукмановская,Валерий Владимирович Хубашвили. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ). Дата публикации: 2009-06-27.

High-speed switched reluctance motor with concentric windings controlled by two-phase sinusoidal current

Номер патента: RU2559811C1. Автор: Яков Борисович Тубис,Владимир Алексеевич Шабаев,Олег Валерьевич Кругликов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Проектно-Конструкторский и Технологический Институт Электромашиностроения". Дата публикации: 2015-08-10.

Method for controlling single-phase voltage inverter and single-phase voltage inverter controlled by using this method

Номер патента: RU2304839C2. Автор: Константин Павлович Солтус,Павел Григорьевич Колпахчьян,н Павел Григорьевич Колпахчь,Александр Иванович Лещев,Юрий Александрович Лещев,Владимир Михайлович Панасенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2007-08-20.

Turbojet engine with controllable by-pass ratio

Номер патента: RU2204045C1. Автор: А.Н. Наумов,А.С. Кузнецов,Н.Б. Демкин,В.А. Белоусов,А.П. Лев,н М.О. Окро,М.О. Окроян. Владелец: Акционерное общество открытого типа Авиамоторный научно-технический комплекс "Союз". Дата публикации: 2003-05-10.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Absorbing element and absorbing product

Номер патента: RU2560916C2. Автор: Реико ООНИСИ,Киоко ИСИБАСИ,Макото ЦУДЗИ,Синсуке НАГАХАРА. Владелец: КАО КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for drilling a well and concurrently directing drilling crown actively controlled by rotating drill system and actively controlled rotating directed system

Номер патента: RU2239042C2. Автор: Александр Ж. Е. КОСМАЛА,Аттилио К. ПИСОНИ,Димитриос К. ПИРОВОЛОУ,Спиро Й. КОТСОНИС. Владелец: Шлюмбергер Холдингз Лимитед. Дата публикации: 2004-10-27.

Three-phase reactor controlled by magnetic biasing

Номер патента: RU2447529C1. Автор: Александр Михайлович Брянцев. Владелец: Александр Михайлович Брянцев. Дата публикации: 2012-04-10.

New storage element and SRAM cell structures using vertical FETs controlled by adjacent junction bias through shallow trench

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты