Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor devices including stack structure having gate region and insulating region

Semiconductor devices including stack structure having gate region and insulating region

Номер патента: US11744066B2
Опубликовано: 29-08-2023
Автор(ы): Geunwon LIM, Seokcheon Baek
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor devices including stack structure having gate region and insulating region

Номер патента: US20230354597A1. Автор: Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices including stack structure having gate region and insulating region

Номер патента: US20220231039A1. Автор: Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor devices including stack structure having gate region and insulating region

Номер патента: US20210020648A1. Автор: Geunwon LIM,Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device including transparent conductive oxide layer

Номер патента: US20210104538A1. Автор: Changsoo LEE,Jongmyeong Lee,Iksoo Kim,Jiwoon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230074522A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US12096615B2. Автор: Yoosang Hwang,Wooyoung Choi,Juseong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Microelectronic devices including stadium structures, and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20210343637A1. Автор: Roger W. Lindsay,Matthew Holland,Darwin A. Clampitt,Jeffrey D. Runia,Chamunda N. Chamunda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US20240008260A1. Автор: Yoosang Hwang,Wooyoung Choi,Juseong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11935926B2. Автор: Kwang-Wook Lee,Won-Joon Choi,Hyeng-Woo EOM,Jung-Myoung SHIM,Young-Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11004956B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200365713A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US12131995B2. Автор: Jihwan Kim,Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Sanghun Chun,Sunghee Chung,Jeongyong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12075615B2. Автор: Jaehun Jung,Suhwan Lim,Hyeyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device including channel structure and through electrode, electronic system, and method of forming the same

Номер патента: US12120877B2. Автор: Hyuk Kim,Jinyoung Park,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911858B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11545437B2. Автор: Takashi Watanabe,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Structure to prevent lateral epitaxial growth in semiconductor devices

Номер патента: US09741715B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11955550B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12120870B2. Автор: Kohei Nakagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20210043763A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240251557A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20210358949A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200365614A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20190245036A1. Автор: Toshifumi NISHIGUCHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20220231159A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US11990549B2. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Contactless damage inspection of perimeter region of semiconductor device

Номер патента: US09658279B2. Автор: Eric GRAETZ,Hermann Bilban,Rudolf Pairleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US10128335B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US20160380054A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nanowire semiconductor device including lateral-etch barrier region

Номер патента: US09947744B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09704853B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20200006533A1. Автор: Kei-Wei Chen,Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Ji-Yin Tsai,Jung-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190088486A1. Автор: Lu-Ping chiang,Chun-Hsu Chen,Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799673B2. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Seal material for air gaps in semiconductor devices

Номер патента: US20210193799A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Tetsuji Ueno,Chen-Han Wang,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US8906805B2. Автор: Sang-Yong Park,Jin-Taek Park,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014281A1. Автор: Chun-Yen Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240038858A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180301382A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor devices including selectors

Номер патента: US20200303401A1. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor devices including upper and lower selectors

Номер патента: US20210335819A1. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor devices including upper and lower selectors

Номер патента: US20230363166A1. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor devices including upper and lower selectors

Номер патента: US11729976B2. Автор: Kohji Kanamori,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jun Hee Lim,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240371860A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20210242341A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yusuke Kobayashi,Ryohei GEJO,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US10269575B2. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device with non-linear surface

Номер патента: US20160196983A1. Автор: Xiaomeng Chen,Shih-Chang Liu,Zhiqiang Wu,Chien-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11302696B2. Автор: Hiroyuki Kutsukake,Masayuki Akou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210066296A1. Автор: Hiroyuki Kutsukake,Masayuki Akou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20210242215A1. Автор: Jong Hyuk Park,Il Young Yoon,Bo Un Yoon,Jin Woo Bae,Hye Sung Park,Bong Sik CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20160284818A1. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Microelectronic devices comprising stack structures having pillars and elliptical conductive contacts

Номер патента: US20240147713A1. Автор: Lifang Xu,Sidhartha Gupta,Kar Wui Thong,Harsh Narendarakumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020105098A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212204A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170358362A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device including stack structure

Номер патента: US12096634B2. Автор: Junhyoung Kim,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Enhanced mobility in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182122A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Enhanced mobility in semiconductor devices

Номер патента: US20240290885A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190043983A1. Автор: Taro Moriya,Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12046645B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339512A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and structure for semiconductor device having gate spacer protection layer

Номер патента: US09831090B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hai-Ching Chen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190148397A1. Автор: Do Hyung Kim,Keun Lee,Hyun Seok Lim,Jeong Gil Lee,Sung Nam Lyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Transistor, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160204025A1. Автор: Ki Hong Lee,Soo Jin Kim,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Source-gate region architecture in a vertical power semiconductor device

Номер патента: US09837358B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234253A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: EP4401121A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240298446A1. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including backside contact structure having low ohmic contact resistance

Номер патента: US20240274676A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Jongjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor Device Including an LDMOS Transistor and a Resurf Structure

Номер патента: US20180269279A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Matthias Zigldrum,Christian Eckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-20.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device including gate separation region

Номер патента: US20240203988A1. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices including stair structures and dummy electrodes

Номер патента: US10332611B2. Автор: Kwang-Soo Kim,Heonkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-25.

Void-free stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20240290883A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,Lequn Liu,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20240290884A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Void-free stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182119A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,Lequn Liu,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182120A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Semiconductor device having a gate that is buried in an active region and a device isolation film

Номер патента: US09685540B2. Автор: Kang Yoo SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having gate in trenches

Номер патента: US09978861B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chung-Ren Lao,Hsing-Chao Liu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including poly-silicon junction field-effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12034084B2. Автор: Young Bae Kim. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Devices including control logic structures, and related methods

Номер патента: US11742344B2. Автор: Scott E. Sills,Kurt D. Beigel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20210375904A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12096637B2. Автор: Kohji Kanamori,Jeehoon HAN,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20210043752A1. Автор: Chiang-Ming Chuang,Yi-Chuan Lin,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11411097B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Yi-Chuan Lin,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device comprising an isolation trench

Номер патента: US09825148B2. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device including data storage structure

Номер патента: US11723290B2. Автор: Satoru Yamada,Tae Hun Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Seok Han PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device including data storage structure

Номер патента: US20220052257A1. Автор: Satoru Yamada,Tae Hun Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Seok Han PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12113107B2. Автор: Dae Won Kim,Dong Goo Choi,Tae Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor devices including ferroelectric layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US10734409B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180286819A1. Автор: Tatsuya Kobayashi,Kazuo Shimokawa,Akira Tojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Номер патента: US09947672B2. Автор: Bo-Un Yoon,Yong-Ho Jeon,Sang-Jine Park,Do-hyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with source zones formed in semiconductor mesas

Номер патента: US09570577B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11777025B2. Автор: Tomoaki Inokuchi,Takahiro Kato,Yusuke Kobayashi,Tatsuya Nishiwaki,Yusuke Hayashi,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US10658244B2. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20200027952A1. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US10892329B2. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240204041A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Mariko Yamashita,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175231A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US20200243395A1. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device including an insulated gate bipolar transistor and a circuit configured to control the insulated gate bipolar transistor provided on the same semiconductor substrate

Номер патента: US09893055B2. Автор: Kenichi Ishii,Hiroshi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170154885A1. Автор: Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor Device Layout

Номер патента: US20210343700A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170207119A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728448B1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041768B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20190319125A1. Автор: Takuo Kikuchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for fabricating semiconductor device including a first ILD with sloped surface on a stacked structure and a second ILD on the first ILD

Номер патента: US09780113B2. Автор: Jongwan Choi,Won-Seok Jung,Jiyoun Seo,Kyung-tae Jang,Jongmyeong Lee,Tae-Jong Han,Jiwoon Im,Kwangchul PARK,Byungho CHUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303323A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Kenji Harada,Tetsuo Takahashi,Kazuhiko SAKUTANI,Masao TAKATA,Kouichi IN. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09871137B2. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11764178B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate-all-around semiconductor device with dielectric-all-around capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US11785760B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof having guard ring structure

Номер патента: US20160133583A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Hung-Yi Kuo,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device including connection portion between stacked structures and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105602A1. Автор: Won Tae KOO,Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Multi-tier replacement memory stack structure integration scheme

Номер патента: US09728551B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Henry Chien,Jixin Yu,Ching-Huang Lu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Microelectronic devices including stair step structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: EP4396859A1. Автор: Adam L. Olson,Bo Zhao,Xiaosong Zhang,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,David A. Kewley,Matthew Park,Matthew J. King,Shruthi Kumara Vadivel,Michael J. Gossman,Biow Hiem Ong,Jason Reece,Martin J. BARCLAY,Joel D. PETERSON,Zhen Feng Yow,Kah Sing Chooi,Tien Minh Quan Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140232011A1. Автор: Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device and bump formation process

Номер патента: US09960134B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Yi-Li Hsiao,Chih-Hang Tung,Cheng-Chang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160155709A1. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20210391258A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12040223B2. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming microelectronic devices including voids neighboring conductive contacts, and related electronic systems

Номер патента: US20240339357A1. Автор: John D. Hopkins,Madison D. Drake,Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: EP4135018A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Thin-film semiconductor device and its production method

Номер патента: EP1416522A8. Автор: M.; c/o Advanced LCD Technologies MATSUMURA,Y.; c/o Advanced LCD Technologies OANA,H.; c/o Advanced LCD Technologies ABE,Y.; c/o Advanced LCD Technologies YAMAMOTO,H.; c/o Advanced LCD Technologies KOSEKI,M.; c/o Advanced LCD Technologies WARABISAKO. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Microelectronic devices including stair step structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: WO2023034768A1. Автор: Adam L. Olson,Bo Zhao,Xiaosong Zhang,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,David A. Kewley,Matthew Park,Matthew J. King,Shruthi Kumara Vadivel,Michael J. Gossman,Biow Hiem Ong,Jason Reece,Martin J. BARCLAY,Joel D. PETERSON,Zhen Feng Yow,Kah Sing Chooi,Tien Minh Quan Tran. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20200044081A1. Автор: ANKIT Kumar,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20180269162A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Kenji Harada,Tetsuo Takahashi,Kazuhiko SAKUTANI,Masao TAKATA,Kouichi IN. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200044085A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240079322A1. Автор: Darwin A. Clampitt,David NEUMEYER,Shruthi Kumara Vadivel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11404326B2. Автор: Keon Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210358815A1. Автор: Keon Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor Device And Bump Formation Process

Номер патента: US20170005051A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Yi-Li Hsiao,Chih-Hang Tung,Cheng-Chang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device with polycrystalline silicon active region and ic including semiconductor device

Номер патента: CA1218470A. Автор: Hisao Hayashi,Chiaki Sakai,Hisayoshi Yamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080173983A1. Автор: Tae Woo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Three-dimensional memory device including inverted memory stack structure and method of manufacturing the same

Номер патента: CN111373537A. Автор: 崔志欣,K.泉,T.久保. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240231756A9. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having sub-block stack structures

Номер патента: US20170243651A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device having sub-block stack structures

Номер патента: US09754670B1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices including a peripheral circuit region and first and second memory regions, and related programming methods

Номер патента: US09887199B2. Автор: Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Hoosung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Microelectronic devices including slot structures and additional slot structures

Номер патента: US20230157015A1. Автор: Brett D. Lowe,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Microelectronic devices including stair step structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: WO2022132382A1. Автор: Brett D. Lowe,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Microelectronic devices including staircase structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240079057A1. Автор: Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device including support structures and contact structures having different materials

Номер патента: US20230290739A1. Автор: John Hopkins,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11882693B2. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220077160A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US11903197B2. Автор: Taehun Kim,Jaehun Jung,Sanghoon Kim,Suhwan Lim,Seongchan LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09929259B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09620629B2. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having different thickness gate oxides

Номер патента: US20040061158A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit

Номер патента: US20220130824A1. Автор: Jam-Wem Lee,Po-Lin PENG,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit

Номер патента: US20240153950A1. Автор: Jam-Wem Lee,Po-Lin PENG,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit

Номер патента: US11908859B2. Автор: Jam-Wem Lee,Po-Lin PENG,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043942A1. Автор: Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method

Номер патента: US9646855B2. Автор: Oliver Haeberlen,Markus Zundel,Walter Rieger,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with metal carrier and manufacturing method

Номер патента: US09646855B2. Автор: Oliver Haeberlen,Markus Zundel,Walter Rieger,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09614050B2. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device including through-electrodes

Номер патента: US20220399251A1. Автор: Hojin Lee,Kwangjin Moon,Hyoukyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device including through-electrodes

Номер патента: US20240274509A1. Автор: Hojin Lee,Kwangjin Moon,Hyoukyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162080A1. Автор: Takashi Moriyama,Kiyoshi Endo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220115509A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of manufacturing semiconductor device including silicon channel

Номер патента: US20230269943A1. Автор: Minjun Oh,Siyeong YANG,Yuyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9484247B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160225663A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069860B2. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373629A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including contact plugs

Номер патента: US20210327804A1. Автор: Kihyun Kim,Sangrok Lee,Youngho KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343739A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Jr-Meng Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583423B2. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Microelectronic devices including staircase structures, and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230307350A1. Автор: Lifang Xu,Richard J. Hill,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US20240244843A1. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US20190067320A1. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US10707229B2. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor device including dual-layer source/drain region

Номер патента: US09793400B2. Автор: Kangguo Cheng,Zhen Zhang,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device including dual-layer source/drain region

Номер патента: US09748336B2. Автор: Kangguo Cheng,Zhen Zhang,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189985A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240276731A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of fabricating semiconductor devices having gate-all-around structure with oxygen blocking layers

Номер патента: US20200328213A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290677A1. Автор: Jong-Min Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Gyuseong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US20240363634A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional semiconductor device having vertical misalignment

Номер патента: US12040327B2. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Device including first structure having peripheral circuit and second structure having gate layers

Номер патента: US20240282753A1. Автор: Sangjun Park,Seungwoo Paek,Byungkyu Kim,Eunji Kim,Sungdong CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices including line identifier

Номер патента: US20210366829A1. Автор: Jongmin Lee,Seungjun LEE,Jaesun Yun,Yewon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240250034A1. Автор: Sujin PARK,Hyunju Sung,Heesung Kam,Byungjoo Go. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor devices including line identifier

Номер патента: US12080645B2. Автор: Jongmin Lee,Seungjun LEE,Jaesun Yun,Yewon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices and data storage system including the same

Номер патента: US12082415B2. Автор: Sungmin Hwang,Bumkyu Kang,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US12057480B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Ryo Arasawa,Erika TAKAHASHI,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09991340B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978842B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Shinsuke Harada,Takashi Shinohe,Keiko ARIYOSHI,Takahito Kojima,Junji Senzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09663354B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230025796A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991379B1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09831267B2. Автор: Eun-young Lee,Jung Ho Kim,Ji-Hoon Choi,Seulye KIM,Dongkyum Kim,Jintae Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09825139B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US11943926B2. Автор: Wonseok Cho,Seulbi LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Stacked semiconductor device structure and method

Номер патента: US09711434B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230502A1. Автор: Yoji Kitano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20080042214A1. Автор: Kyoji Yamashita,Katsuhiro Ootani,Atsuhiro Kajiya,Daisaku Ikoma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20190273134A1. Автор: Ryosuke Iijima,Tatsunori Sakano,Chiharu Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20060017070A1. Автор: Kyoji Yamashita,Katsuhiro Ootani,Atsuhiro Kajiya,Daisaku Ikoma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Channel structures including doped 2D materials for semiconductor devices

Номер патента: US12100755B2. Автор: Ching-Hua Lee,Ta-Hsiang Kung,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device structures with improved planarization uniformity, and related methods

Номер патента: US09728449B2. Автор: Giulio Albini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633944B2. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device packages, packaging methods, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09558966B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chien-Fu Tseng,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203794A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20170271518A1. Автор: Shinichi Ushikura,Ayumu Sato. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11469252B2. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-11.

High-voltage semiconductor device

Номер патента: US10784369B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

High- voltage semiconductor device

Номер патента: US20190334031A1. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210036020A1. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11963364B2. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230019055A1. Автор: Satoru Yamada,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Yoo Sang Hwang,Seok Han PARK,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US9941401B2. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170125569A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20220068723A1. Автор: TAO Hu,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Xiao Dong Shi. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor devices having active regions at different levels

Номер патента: US09673198B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960084B1. Автор: Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Wen-Jiun Shen,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090166815A1. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Masahito Kanamura,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7948062B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Masahito Kanamura,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Power semiconductor device

Номер патента: US20200357919A1. Автор: Ju-Hwan Lee,Seong-Hwan Yun,Tae-young Park. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11862632B2. Автор: Kyong-Sik Yeom,Young Cheon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230411495A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240113172A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Iuliana Radu,Yi-Tse Hung,Meng-Zhan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Device including air gapping of gate spacers and other dielectrics and process for providing such

Номер патента: US11769814B2. Автор: Patrick Morrow,Ehren Mannebach,Hui Jae Yoo,Tristan TRONIC,Aaron Lilak,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Strain channel CMOS transistor structure having lattice-mismatched epitaxial extension region and source and drain regions and method of manufacturing the same

Номер патента: JP4808622B2. Автор: ドクマチ、オマー,チェン、フアジー,チダンバラオ、ドゥレセティ,ヤング、ハイニング、エス. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-02.

Field effect transistor used as control transistor comprises a doped channel region, doped connecting regions, a control region, and an electrical insulating region arranged between the control region and the channel region

Номер патента: DE10231966A1. Автор: Ronald Dr. Kakoschke,Helmut Dr. Tews. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-12.

Microelectronic devices including stack structures having air gaps, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12052862B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09997532B2. Автор: Sung Soon Kim,Wan Sup SHIN,Min Sung KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device isolation using an aligned diffusion and polysilicon field plate

Номер патента: US09818742B2. Автор: William Larson. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices including stacked dies and methods of testing the semiconductor devices

Номер патента: US20200049767A1. Автор: Dong-hun Kang,Myeong-jun Song,Hyoung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor devices

Номер патента: US11758713B2. Автор: Junghoon Han,Dongoh KIM,Gyuhyun Kil,Doosan Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor devices including capacitor structures having improved area efficiency

Номер патента: US20190280083A1. Автор: Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device including through electrode

Номер патента: US20240324200A1. Автор: Chang Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315021A1. Автор: Jonghyun Park,Bongtae Park,Siwan KIM,Sori Lee,Jaejoo Shim,Juwon IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, array structure of semiconductor devices, neuromorphic circuit including the semiconductor devices, and computing apparatus including the neuromorphic circuit

Номер патента: US12113129B2. Автор: Jaechul Park,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices including stacked dies with interleaved wire bonds and associated systems and methods

Номер патента: US12136607B2. Автор: Koichi Kawai,Takehiro Hasegawa,Chang H. Siau,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09806200B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Masayuki Kimura,Akihisa Shimomura,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US11980028B2. Автор: JoongShik SHIN,Byunggon PARK,Geunwon LIM,Minjun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and data storage system including semiconductor device

Номер патента: US20240194266A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20200191661A1. Автор: Masahiko Niwayama,Masao Uchida,Atsushi Ohoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Methods of manufacturing semiconductor devices having buried contacts and related semiconductor devices

Номер патента: US09953981B2. Автор: Ji-Young Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Hyoung-Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having scribe lines

Номер патента: US09728477B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Yung-Ping Chiang,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160240453A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Yung-Ping Chiang,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: WO2024118238A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140147997A1. Автор: Hiroshi Kono,Takuma Suzuki,Takashi Shinohe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and method for fabricating the device

Номер патента: US20130043490A1. Автор: Haruyuki Sorada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9306007B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200235201A1. Автор: Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11276754B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20200286991A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Apparatus for measuring the focus of a light exposure system used for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020030496A1. Автор: Young-Chang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-14.

OPTICAL DEVICE INCLUDING THREE-COUPLED QUANTUM WELL STRUCTURE HAVING ASYMMETRIC MULTI-ENERGY LEVELS

Номер патента: US20200287081A1. Автор: PARK Yonghwa,PARK Changyoung,NA Byunghoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor devices with implanted sti regions and methods of forming the same

Номер патента: US20240297244A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09768300B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11404550B2. Автор: Tomoaki Inokuchi,Ryosuke Iijima,Kentaro Ikeda,Yusuke Kobayashi,Tatsunori Sakano,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09985125B1. Автор: Takashi Hasegawa,Osamu Kusumoto,Kouichi Saitou,Osamu Ishiyama,Tsutomu Kiyosawa,Tsuneichiro Sano,Atsushi Ohoka,Daisuke Shindo,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Hybrid semiconductor device

Номер патента: US20220209007A1. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device for electrostatic discharge protection

Номер патента: US09825021B2. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09698264B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor devices with dielectric passivation layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11955385B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220344507A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device including transistor including horizontal gate structure and vertical channel layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240186410A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device including transistor including horizontal gate structure and vertical channel layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11942544B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285401A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240304722A1. Автор: Roger W. Lindsay,Darwin A. Clampitt,Martin J. BARCLAY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US20160148930A1. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US20150214329A1. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240079459A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yusuke Kobayashi,Shotaro BABA,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with contact groove arrangements providing improved performance

Номер патента: US09786771B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11903254B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jong Baek Seon,Jae hak Lee,Ji Eun Choi,Jun Cheol Shin,Deok Hoi Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210013280A1. Автор: Jeong Hwan Kim,Jong Baek Seon,Jae hak Lee,Ji Eun Choi,Jun Cheol Shin,Deok Hoi Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11876132B2. Автор: Toshifumi NISHIGUCHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210175339A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Ryosuke Iijima,Kentaro Ikeda,Yusuke Kobayashi,Tatsunori Sakano,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160293705A1. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20160260808A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20160035823A1. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20070034986A1. Автор: Akio Takano,Yoshitaka Hokomoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US8890169B2. Автор: Norifumi Kameshiro,Haruka Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200411693A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kensuke Yoshizumi,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A RESONANT TUNNELING DIODE STRUCTURE HAVING A SUPERLATTICE

Номер патента: US20180040725A1. Автор: Takeuchi Hideki,Hytha Marek,Mears Robert J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220262952A1. Автор: Masataka Ino. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055514A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055511A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with integrated junction field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US20240055512A1. Автор: Vipindas Pala,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20130277738A1. Автор: Hirokazu Sayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Fin-based antifuse structure having gate stacks biased at different gate voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094818B2. Автор: Xiong Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859428B1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Quasi-vertical structure having a sidewall implantation for high voltage MOS device and method of forming the same

Номер патента: US09735244B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and associated fabrication method

Номер патента: US20130234245A1. Автор: Lei Zhang,Tiesheng Li,Donald Disney,Rongyao Ma. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device with a gate region having overlapping first conduction type and second conduction type dopants

Номер патента: US20080087964A1. Автор: Hirotsugu Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of forming semiconductor device having gate electrode

Номер патента: US09627207B2. Автор: DongSuk Shin,Jeongmin Lee,Juyeon KIM,Sunguk JANG,Hosung SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296437A1. Автор: Jaegil Lee,Sangtae Han. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234494A9. Автор: Chang Ju Lee,Dong Kook SON. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160372604A1. Автор: Hajime Yamaguchi,Shintaro Nakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20190273135A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima,Tatsunori Sakano,Chiharu Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11211463B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Masahiko Kuraguchi,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-12-28.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246474A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including an etch stop pattern and a sacrificial pattern with coplanar upper surfaces and a gate and a gap fill pattern with coplanar upper surfaces

Номер патента: US09966432B2. Автор: Boun Yoon,Sangjine Park,Jeongnam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for forming counterdoped semiconductor device comprising first epitaxial layer and second epitaxial layer formed over first epitaxial layer having conductivity type different than second epitaxial layer

Номер патента: US09887272B2. Автор: Martin Christopher Holland,Richard Kenneth Oxland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09780220B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Shintaro Nakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263760A1. Автор: Koichi Ozaki,Hirofumi Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and method for the same

Номер патента: US20240096962A1. Автор: Hiroaki Katou,Junpei HISADA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

FinFET device having a material formed on reduced source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US9673325B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: US20240297220A1. Автор: Shingo Sato,Masatsugu Nagai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09735261B2. Автор: Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Meng-Ku Chen,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with cell trench structures and a contact structure

Номер патента: US09711641B2. Автор: Johannes Georg Laven,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor layer, unit cells, source, and gate

Номер патента: US09691759B2. Автор: Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11282932B2. Автор: Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Shunsuke Okada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240178316A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including finfet and diode having reduced defects in depletion region

Номер патента: US20150243767A1. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device including finFET and diode having reduced defects in depletion region

Номер патента: US9337317B2. Автор: Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor Device Having a Source Electrode Contact Trench

Номер патента: US20190157447A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130069147A1. Автор: Masatoshi Arai,Norio Yasuhara,Tsuyoshi Ohta,Tatsuya Nishiwaki,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258208A1. Автор: Hajime Okuda,Adrian JOITA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device including the same

Номер патента: US20200251557A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device including a semiconductor sheet interconnecting a source region and a drain region

Номер патента: US09711596B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Hao-Ling Tang,Shao-Hwang Sia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200194550A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Moriz Jelinek,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200350168A1. Автор: Sun Young Kim,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Layout of butting contacts of a semiconductor device

Номер патента: US5753944A. Автор: Hisashi Sakaue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Metal gate structure of a cmos semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210082772A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11757016B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125890B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09935179B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09653579B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit

Номер патента: US20240079408A1. Автор: Jam-Wem Lee,Po-Lin PENG,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043131A1. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9564466B2. Автор: Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080153240A1. Автор: Meng Zhao,Tsing Chow WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369442A1. Автор: Zhen Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen,Chih- Chiang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369441A1. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit

Номер патента: US11855088B2. Автор: Jam-Wem Lee,Po-Lin PENG,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit

Номер патента: US20220130825A1. Автор: Jam-Wem Lee,Po-Lin PENG,Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

High-performance semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110227144A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180076187A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Naoyuki Komuta,Soichi Homma,Yukifumi Oyama,Yuji Karakane. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20050133814A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Tetsuya Okada,Hiroaki Saito,Kikuo Okada,Shigeyuki Murai. Владелец: Gifu Sanyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor device including partially enlarged channel hole

Номер патента: US20200350332A1. Автор: Hyung Joon Kim,Yujin Kim,Eunyeoung CHOI,Bio Kim,Junggeun Jee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device including partially enlarged channel hole

Номер патента: US20200020713A1. Автор: Hyung Joon Kim,Yujin Kim,Eunyeoung CHOI,Bio Kim,Junggeun Jee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US8030711B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20090242931A1. Автор: Yukio Tsuzuki,Kenji Kouno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US11062984B2. Автор: Tzung-Han Lee,Neng-Tai Shih,Yaw-Wen Hu,Hsin-Chuan Tsai,Hsu Chiang,Sheng-Hsiung Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor device, pattern design method of a semiconductor device and program for a pattern design method

Номер патента: US20060094190A1. Автор: Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US20230377973A1. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device manufacturing method and wafer-attached structure

Номер патента: US11742243B2. Автор: Kazunori Fuji,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190214383A1. Автор: Takaya Nagai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

SILVER-INDIUM TRANSIENT LIQUID PHASE METHOD OF BONDING SEMICONDUCTOR DEVICE AND HEAT-SPREADING MOUNT AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING SILVER-INDIUM TRANSIENT LIQUID PHASE BONDING JOINT

Номер патента: US20220005744A1. Автор: HUO Yongjun,LEE Chin Chung. Владелец: LIGHT-MED (USA), INC.. Дата публикации: 2022-01-06.

Silver-indium transient liquid phase method of bonding semiconductor device and heat-spreading mount and semiconductor structure having silver-indium transient liquid phase bonding joint

Номер патента: TWI713175B. Автор: 霍永雋,金忠 李. Владелец: 美商萊特美美國股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-11.

Semiconductor device including vertical memory structure

Номер патента: US20210143172A1. Автор: Jaeduk LEE,Janggn Yun,Dongwhee KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12080788B2. Автор: Matthew David Smith. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory devices having stacked structures therein that support high integration

Номер патента: US20230328990A1. Автор: Dongseog EUN,Jaehyung Kim,Sangjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691783B2. Автор: Myung Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with electron supply layer

Номер патента: US09786743B2. Автор: Akira Endoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including vertical memory structure

Номер патента: US11569262B2. Автор: Jaeduk LEE,Janggn Yun,Dongwhee KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180261624A1. Автор: Masayuki Kitamura,Akihiro Kajita,Atsunobu Isobayashi,Taishi ISHIKURA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20220384631A1. Автор: Matthew David Smith. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Static induction type semiconductor device

Номер патента: US4994870A. Автор: Takashi Suzuki,Hiroshi Tadano,Shinobu Aoki,Susumu Sugiyama,Haruo Takagi. Владелец: Toyoda Jidoshokki Seisakusho KK. Дата публикации: 1991-02-19.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device, related circuit, chip, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240282767A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including low-voltage device and middle-voltage device, display driving device including the same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266368A1. Автор: Kee Joon Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of determining temperature of semiconductor device

Номер патента: US20240044720A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chang-Yu Huang,Chih-Pin Hung,Sin-I Du,Sui-An Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09704912B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including an igbt with reduced variation in threshold voltage

Номер патента: US20240304677A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240030324A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3817068A1. Автор: Soichi Yoshida,Atsushi SHOUJI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20110108882A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100148214A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device including standard cell having split portions

Номер патента: US12039245B2. Автор: Ta-Pen Guo,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110198709A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240313128A1. Автор: Yudai Higa,Zen Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230217658A1. Автор: Daehwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US11329135B2. Автор: Yosuke Kajiwara,Akira Mukai,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184007A1. Автор: Yosuke Kajiwara,Akira Mukai,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20220336624A1. Автор: Matthew David Smith. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240023325A1. Автор: Youngwoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device including vertical stack structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11682717B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Doyoon KIM,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-20.

Memory device including vertical stack structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220310827A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Doyoon KIM,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20140021428A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Takao Adachi,Tomoyasu Kakegawa. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190115425A1. Автор: Hae Chan PARK,Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US20240332418A1. Автор: Yu-Ting Chen,Kai Jen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332414A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09899416B2. Автор: Yong Seok Lee,Jeong Yun Lee,Bo Soon Kim,Hyun Ji Kim,Gi Gwan PARK,Sang Duk PARK,Young Mook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and Layout of Semiconductor Device with Reduced Parasitics

Номер патента: US20110294273A1. Автор: Qiang Chen,Albert Birner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device including resonant tunneling diode structure having a superlattice and related methods

Номер патента: EP3494599A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272969A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240313055A1. Автор: Kumiko Sato,Hirofumi Nagano. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120025294A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140021528A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

MOS-based power semiconductor device having increased current carrying area and method of fabricating same

Номер патента: US09997599B2. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-12.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20200402980A1. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Gi-gwan PARK,Dong-Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230343787A1. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Gi-gwan PARK,Dong-Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09748378B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Karoline Koepp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09865591B2. Автор: Osamu Kusumoto,Masashi Hayashi,Masao Uchida,Nobuyuki HORIKAWA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20070241420A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor devices having gate resistors with low variation in resistance values

Номер патента: EP4302335A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Thomas E. HARRINGTON III. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: SG49599A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-06-15.

A semiconductor device in a thin active layer with high break-down voltage

Номер патента: SG54996A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-12-21.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: MY110382A. Автор: Litwin Andrej. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-04-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711608B1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: EP4394880A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240222496A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency rf applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US20190386097A1. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-12-19.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency rf applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US20210273045A1. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Charge balance semiconductor device, in particular for high efficiency RF applications, and manufacturing process thereof

Номер патента: US12057474B2. Автор: Antonino Schillaci,Roberto Cammarata,Paola Maria Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device having stacked field effect transistors

Номер патента: US20200168602A1. Автор: Masakazu Kojima,Yun Tae NAM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor devices having gate patterns in trenches with widened openings

Номер патента: US09721952B2. Автор: Ju-youn Kim,Kwang-You Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices with an etch stop layer on gate end-portions located above an isolation region

Номер патента: US09627535B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20190305126A1. Автор: Toru Oka,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20180097061A1. Автор: Takashi Kanemura,Masahiro Sugimoto,Tomohiro Mimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764272B2. Автор: Cesar Augusto Braz,Alessandro Ferrara,David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20210328027A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yusuke Kobayashi,Tatsunori Sakano,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and preparation method therefor, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4407693A1. Автор: Wentao Yang,Gaochao XU,Runtao Ning,Linrong He,Kangrong HUANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Junction FET semiconductor device with dummy mask structures for improved dimension control and method for forming the same

Номер патента: US09818866B2. Автор: Han-Chung Lin,Hua-Chou Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728648B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12027618B2. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yasunori Taguchi,Yusuke Kobayashi,Hiroki Nemoto,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor Device With Cooling Element

Номер патента: US20100163995A1. Автор: Jens Schneider,Thomas Schulz,Harald Gossner,Christian Russ. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with active pattern including a transition pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US12040324B2. Автор: Jae Hyun Lee,Jong Ha Park,Seong-Ho Song,Jong Han Lee,Jong Hoon BAEK,Da Bok JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240055486A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20220336586A1. Автор: Ji Young Kim,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Bum Kyu Kang,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

High efficiency MOS semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030075739A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12107159B2. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yusuke Kobayashi,Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi,Ryohei GEJO,Hiroki Nemoto,Akihiro Goryu,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with active pattern including a transition pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US20240321876A1. Автор: Jae Hyun Lee,Jong Ha Park,Seong-Ho Song,Jong Han Lee,Jong Hoon BAEK,Da Bok JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09991394B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09704861B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Contact structures for compound semiconductor devices

Номер патента: US09666705B2. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Gianmauro Pozzovivo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Oxide semiconductor devices, methods of forming oxide semiconductor devices and organic light emitting display devices including oxide semiconductor devices

Номер патента: US09614020B2. Автор: Tae-Young Kim,Hye-Hyang Park,Shin-Hyuk Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200388671A1. Автор: Toshihiro Okuda,Mizue Kitada,Gotaro TAKEMOTO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20180197962A1. Автор: Hiroyoshi Kitahara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139956A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20210288188A1. Автор: Hiroshi Kono,Masaru Furukawa,Teruyuki Ohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230154994A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210066497A1. Автор: Hiroshi Ohta,Takeru Matsuoka,Shunsuke Nitta. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US10950735B2. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Tomoaki Sawabe,Nobuyoshi Saito. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258312A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140312416A1. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device comprising counter-doped regions

Номер патента: US20200266287A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240284678A1. Автор: Kijoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US20240297214A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12126344B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yusuke Negoro,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339499A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929279B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device including a gate trench having a gate electrode located above a buried electrode

Номер патента: US09673318B1. Автор: Timothy D. Henson,Ashita Mirchandani. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627470B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240072119A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Toshihide Ito,Chiharu Ota,Johji Nishio,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20210288177A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20200303494A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160225855A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US12040361B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230215946A1. Автор: Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device having a transistor cell region and a termination region with needle-shaped field plate structures

Номер патента: US20210066459A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor Device with Needle-Shaped Field Plate Structures

Номер патента: US20200127102A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: US20240297213A1. Автор: Shingo Sato. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107148B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device including vertical MOSFET and Schottky barrier diode

Номер патента: US12119399B2. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: US20240363748A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US09997517B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09966446B2. Автор: Keun Ho Lee,Yong Hee Park,Young Seok SONG,Ui Hui Kwon,Jae Hee Choi,Young Chul Hwang,Jee Soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices with selectively doped gate electrode structure

Номер патента: WO2024228783A1. Автор: Pinghai Hao,Henry Litzmann Edwards,Dhanoop Varghese. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and display device comprising an oxide semiconductor channel region having a different crystal orientation than source/drain regions

Номер патента: US09748399B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Shigeyasu Mori,Junichi Koezuka,Takuya Matsuo,Yosuke Kanzaki,Hiroshi Matsukizono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device

Номер патента: US09653487B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices including epitaxial layers and related methods

Номер патента: US09640652B2. Автор: Qingchun Zhang,Brett Adam Hull. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor Device with Field Plate and Method

Номер патента: US20080296694A1. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105845A1. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018207048A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240194733A1. Автор: Jae Young Choi,Wooseok Kim,Mincheol OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Device for Improving the Peak Induced Voltage in Switching Converter

Номер патента: US20100117142A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Wei-Chieh Lin,Hsin-Yu Hsu,Jen-Hao Yeh,Hsin-Yen Chiu,Ho-Tai Chen,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device including an electrode having a part with an inverse tapered shape

Номер патента: US10546953B2. Автор: Keiko Kawamura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20160284858A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200194590A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180090618A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240234332A1. Автор: Chan Hwang,Junseok Park,Seunghak Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20160293539A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167280A1. Автор: Chang Il Kim,Seon Kwang Jeon,Sung Soo RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device including alignment key, electronic system, and method of forming the same

Номер патента: US20220302041A1. Автор: Seungmin Lee,Kwanyong Kim,Wonseok Cho,Sungwon SHIN,Juyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230371253A1. Автор: Jin Ho Bin,Kyung Jin Lee,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20100035386A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20120009767A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230049165A1. Автор: Minjae OH,Taehwan Cha,Kyungtae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor devices, methods of manufacturing thereof, and image sensor devices

Номер патента: US09666630B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230117682A1. Автор: Junghyun Roh,Seungweon Ha,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09691714B2. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including alignment key, electronic system, and method of forming the same

Номер патента: US11887936B2. Автор: Seungmin Lee,Kwanyong Kim,Wonseok Cho,Sungwon SHIN,Juyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200203431A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device having stacked structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096921A1. Автор: Won Je Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US10141372B2. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-27.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240098990A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20190081105A1. Автор: Seok-Won Lee,Joyoung Park,Seongjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4344378A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jaehoon Lee,Dong-Sik Lee,Seunghyun CHO,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230080606A1. Автор: Seungmin Lee,Kangmin KIM,Junhyoung Kim,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151376A1. Автор: Ki Hong Lee,Yong Hyun Lim,Ki Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200286829A1. Автор: Ki Hong Lee,Yong Hyun Lim,Ki Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230163072A1. Автор: Ki Hong Lee,Yong Hyun Lim,Ki Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11574869B2. Автор: Ki Hong Lee,Yong Hyun Lim,Ki Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11784126B2. Автор: Ki Hong Lee,Yong Hyun Lim,Ki Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device, memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230363159A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20080042258A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155114A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US20180053789A1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230133763A1. Автор: Sunyoung Lee,Wonchul Lee,Sohyeon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for fabricating semiconductor device including embedded magnetic resistance random access memory

Номер патента: US20210126191A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4355049A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240130123A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Hyeongjin Kim,Seungjun Shin,Minsoo SHIN,Jeehoon HAN,Heesuk KIM,Jongseon Ahn,Sanghun Chun,Seung Yoon Kim,Yejin PARK,Sehee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20170352674A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160293622A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190019804A1. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-17.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US10483274B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-19.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US9748258B2. Автор: Jihye Kim,Da Woon JEONG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20190043912A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20170263667A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacturing Thereof, and Image Sensor Devices

Номер патента: US20160197114A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240178265A1. Автор: Hiroshi Sekine,Kazuhiro Morimoto,Kosei Uehira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device including vertical stack structure, method of fabricating the same, and electronic device including memory device

Номер патента: US20230093892A1. Автор: Doyoon KIM,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Yumin KIM,Seungyeul YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Light emitting device including electronic components and pin holes

Номер патента: US11929454B2. Автор: Shinya OKURA,Takanobu SOGAI,Koji Oshodani. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

OPTICAL DEVICE INCLUDING THREE-COUPLED QUANTUM WELL STRUCTURE HAVING MULTI-ENERGY LEVEL

Номер патента: US20150123077A1. Автор: PARK Yong-hwa,CHO Yong-chul,LEE Yong-tak,NA Byung-hoon,PARK Chang-young,JU Gun-wu. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

OPTICAL DEVICE INCLUDING THREE-COUPLED QUANTUM WELL STRUCTURE HAVING ASYMMETRIC MULTI-ENERGY LEVELS

Номер патента: US20170200856A1. Автор: PARK Yonghwa,PARK Changyoung,NA Byunghoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-13.

Display Device and Tiling Display Device Including the Same

Номер патента: US20240222587A1. Автор: Minseok Kim,Jaewon Lee,Jongsung KIM,Changhyun Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with junction fet transistor having multi pinch-off voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243132A1. Автор: Ji Man Kim,Hee Hwan JI,Song Hwa HONG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US09793267B1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297051A1. Автор: SEUNGHEE HAN,Chanmi LEE,Seulgi Lee,Sanggyo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853042B2. Автор: Jong Man KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device including dummy gate part and method of fabricating the same

Номер патента: US8053845B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Hong-Soo Kim,Jin-Sook Choi,Sang-youn Jo,Byoung-Ho Kwon,Se-rah Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor device including nitride layer

Номер патента: US20040031985A1. Автор: Masao Inoue,Junichi Tsuchimoto,Akinobu Teramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20210217747A1. Автор: Kentaro Ikeda,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor devices comprising gate structure sidewalls having different angles

Номер патента: US09768175B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus

Номер патента: US20220278210A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Masashi Yanagita. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US7687362B2. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243179A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304510A1. Автор: Hiroaki Matsubara,Taro Nishioka,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US6426521B1. Автор: Masashi Yura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-07-30.

Voltage controlled semiconductor device

Номер патента: EP1069621A3. Автор: Masashi c/o NGK Insulators Ltd Yura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Semiconductor device, corresponding manufacturing methods and component

Номер патента: US20220173021A1. Автор: Antonio CANNAVACCIUOLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887157B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020111034A1. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6924162B2. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240258410A1. Автор: Dongwoo Kim,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371748A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device including barrier pattern

Номер патента: US09786682B1. Автор: Ki Hong Lee,Duk Eui LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having contact pads

Номер патента: US09640542B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079448A1. Автор: Yoko Iwakaji,Ryohei GEJO,Keiko Kawamura,Kaori Fuse. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290781A1. Автор: Takahiro Kato,Yusuke Kobayashi,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12089407B2. Автор: Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079410A1. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US9461152B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069597A1. Автор: Keiichi Matsushita,Yo Sasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301080A1. Автор: Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20160240635A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220246632A1. Автор: Takeshi Shimane. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427268A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US20240106429A1. Автор: Koichi Nishi,Shinya SONEDA,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290874A1. Автор: Ryohei GEJO,Kazushi Maeda,Shigeaki Hayase. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321858A1. Автор: Cheng-Yu Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and electronic system

Номер патента: US12058866B2. Автор: Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and electronic system

Номер патента: US20240357825A1. Автор: Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11770931B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Woo Han,Hwal Pyo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device having vertical channel between stacked electrode layers and insulating layers

Номер патента: US09917099B2. Автор: Takaya Yamanaka,Shinya Naito,Hikari TAJIMA,Takashi Izumida,Tatsufumi Hamada,Takayuki KAKEGAWA,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210134956A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device including support structure, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20220336489A1. Автор: Dongseong Kim,Kangmin KIM,Junhyoung Kim,Byungkwan You,Kiyoon KANG,Seugmin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods

Номер патента: US09722046B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Tsu-Jae King Liu. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with stepped source structure

Номер патента: US11765896B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Three dimensional semiconductor device

Номер патента: US09634022B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240234300A1. Автор: Sang Hyun Oh,Sang Min Kim,Sang Yong Lee,Jin Taek Park,Sae Jun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11152480B2. Автор: Masahiko Kuraguchi,Aya SHINDOME. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243196A1. Автор: Hiroshi Ono,Ikuo Fujiwara,Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi,Aya SHINDOME. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240321974A1. Автор: Toru Sugiyama,Hideki Sekiguchi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230025977A1. Автор: Yushi Sekiguchi,Tadayuki YAMAZAKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device, starter circuit, and switched-mode power-supply circuit

Номер патента: US20190081135A1. Автор: Taichi KARINO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187438A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234585A1. Автор: Hong Sik Shin. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120171833A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Chunlong Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332430A1. Автор: Yuji Koga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including a floating gate electrode having stacked structure

Номер патента: US20080171429A1. Автор: Kazuo Hatakeyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084685A1. Автор: Takashi Fukushima,Hiroshi Itokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11715778B2. Автор: Akira Mukai,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device including stacked structure

Номер патента: US10121798B2. Автор: Yeong Dae Lim,Seung Jae JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-06.

Semiconductor device including stacked structure

Номер патента: US20180076214A1. Автор: Yeong Dae Lim,Seung Jae JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Microelectronic devices including stack structures having doped interfacial regions, and related systems and methods

Номер патента: US20230387229A1. Автор: Farrell M. Good,Yifen Liu,Jordan D. GREENLEE,Justin D. Shepherdson,Everett A. McTeer,John M. Meldrim,Naiming Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US12136665B2. Автор: Katsumi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12080765B2. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi,Aya SHINDOME. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Lateral semiconductor device

Номер патента: US20140048911A1. Автор: Takashi Suzuki,Akira Yamada,Shigeki Takahashi,Norihito Tokura,Youichi Ashida,Satoshi Shiraki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210184026A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device including a diode at least partly arranged in a trench

Номер патента: US09947648B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Andreas Meiser,Ulrich Glaser,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US10586861B2. Автор: Tim BOETTCHER,Soenke Habenicht,Steffen Holland,Stefan Berglund. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-03-10.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240284674A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11690225B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230016552A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274680A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Tatsuo Shimizu,Yusuke Kobayashi,Tatsuya Nishiwaki,Taichi Fukuda,Shotaro BABA,Hiroki Nemoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20220020668A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304524A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332370A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Control of the Forward and Reverse Characteristics of Vertically Oriented Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363769A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11744079B2. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818737B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240349520A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices having gate structures

Номер патента: US20240284657A1. Автор: Kiseok LEE,Minho Choi,Chansic Yoon,Chulkwon Park,Jaybok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361026A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220254802A1. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor devices including stacked electrodes

Номер патента: US20180308860A1. Автор: Hyun-Min Lee,Kwan-Yong Kim,Woo-Sung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-25.

Integrated semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09812442B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Three-dimensional semiconductor device with vertical and horizontal channels in stack structure having electrodes vertically stacked on the substrate

Номер патента: US09685452B2. Автор: Youngwoo Park,Changhyun LEE,Heonkyu Lee,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230232628A1. Автор: Sangwon Kim,Jeeyong Kim,Subin SHIN,Habin LIM,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312877A1. Автор: Keiji Wada,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having a stacked structure

Номер патента: US12021022B2. Автор: Geunwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and its manufacturing method, memory and memory system

Номер патента: US20240164096A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09960177B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device including stack structure with flat region

Номер патента: US11810776B2. Автор: Seungjun Shin,Bonghyun Choi,Siwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312896A1. Автор: Natsuya Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Interconnect structures for assembly of multi-layer semiconductor devices

Номер патента: US09812429B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-07.

Junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7449734B2. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-11.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US09711693B2. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Kal,Ki Bum Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US09947684B2. Автор: Jinwoo Park,Seok-Won Lee,Yong-Hyun Kwon,Joyoung Park,Oik Kwon,Seungpil Chung,JeongSoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device including bonding pads and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243081A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010045652A1. Автор: Yoshihiko Toyoda,Takeshi Mori,Tetsuo Fukada,Yoshiyuki Kitazawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12125943B2. Автор: Huan-Yu LAI,Li-Chi PENG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11967555B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12046798B2. Автор: Se Man Oh,Byong Jin Kim,Corey Reichman,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with reverse conducting faculty

Номер патента: EP1124260A3. Автор: Takeshi Sakuma,Yuichiro Imanishi,Katsuji Iida,Naohiro Shimizu. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-03-10.

Semiconductor device with reverse conducting faculty

Номер патента: US20010023963A1. Автор: Takeshi Sakuma,Yuichiro Imanishi,Katsuji Iida,Naohiro Shimizu. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240297117A1. Автор: HyunJung Kim,Jaeduk LEE,Sejun Park,Eiwhan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240268123A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4412424A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device assembly with through-mold cooling channel formed in encapsulant

Номер патента: US09960150B2. Автор: XIAO Li,Jaspreet S. Gandhi,Bradley R. Bitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20180145128A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Szu-Yu Wang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230301101A1. Автор: Junghwan Lee,Hyunmin Cho,Jaehong YOO,Yujin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method, circuit board and electronic device thereof

Номер патента: US20040212100A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US20160049377A1. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for producing package substrate for mounting semiconductor device

Номер патента: US12119277B2. Автор: Yoshihiro Kato,Syunsuke Hirano,Takaaki Ogashiwa. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213300A1. Автор: Isaya Sobue,Hideyuki Komuro. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240072227A1. Автор: Kazuya Masuyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Package for a semiconductor device

Номер патента: US20230076573A1. Автор: Shingo Inoue,Ikuo Nakashima. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240355735A1. Автор: Jaehoon Lee,Sangjae Lee,Hyemi Lee,Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Heesuk KIM,Sanghun Chun,Juyoung Lim,Minkyu Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device including backside transistors

Номер патента: US20240334705A1. Автор: Jin HO KIM,Chang Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240332781A1. Автор: Se Man Oh,Byong Jin Kim,Corey Reichman,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pad structure layout for semiconductor device

Номер патента: US09768221B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Yi-Sheng Liu,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240146030A1. Автор: Shih-Chun Ling,Wan-Jung Lee. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240222566A1. Автор: Shih-I Chen,Ya-Wen Lin,Tzu-Ling Yang,Ching-En Huang,Hao-Ming Ku,Chuang-Sheng Lin,Chien-Jun Wei. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Methods and systems for improving power delivery and signaling in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20190067252A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and bump formation process

Номер патента: US20190006303A1. Автор: chao-yi Wang,Mirng-Ji Lii,Hon-Lin Huang,Sheng-Yu Wu,Chien-Hung Kuo,Ching-Hui Chen,Kai-Di Wu,Zi-Zhong WANG,Chun-Mao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076558A1. Автор: Kiyoyuki Morita,Hiroyuki Kamada,Keita Uchiyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked in a multi-layer structure by a flip-chip bonding method

Номер патента: US20230299111A1. Автор: Hyeokjong Lee,KyongSoon Cho,MinHO Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240334716A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Moorym CHOI,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4451820A1. Автор: Jaehoon Lee,Sangjae Lee,Hyemi Lee,Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Heesuk KIM,Sanghun Chun,Juyoung Lim,Minkyu Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240306385A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363620A1. Автор: Masaharu Yamaji,Kiminori Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and insulating layer-forming composition

Номер патента: US09905768B2. Автор: Satoru Yamada,Yuzo Nagata,Hiroo Takizawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and inverter including the semiconductor device

Номер патента: US09887279B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device packages, packaging methods, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09831214B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Electronic device including connector with stacked structure

Номер патента: KR102421521B1. Автор: 박정훈,손동일,김용화,이향복. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-15.

Memory devices including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatuses including memory device

Номер патента: US20240215250A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor Devices Having a Three Dimensional Stacked Structure and Methods of De-Skewing Data Therein

Номер патента: US20130329478A1. Автор: Dong-hyun Sohn,Sang-Bo Lee,Hak-soo Yu,Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Optical semiconductor device

Номер патента: EP3754799A1. Автор: Yutaka Ohki,Ryuichiro Minato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12150307B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Microelectronic devices including stadium structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240196606A1. Автор: Lifang Xu,Harsh Narendrakumar Jain,Richard J. Hill,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for patterning semiconductor device having magnetic tunneling junction structure

Номер патента: US20100055804A1. Автор: Sang-Hoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240315034A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4432806A1. Автор: Euntaek JUNG,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240074190A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device including bit line pad, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20230269942A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Hyunmog Park,Jooheon Kang,Jongho Woo,Suseong NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Microelectronic devices including tiered stacks including conductive structures isolated by slot structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US11903196B2. Автор: Shuji Tanaka,Kunal Shrotri,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki,Matthew Holland,Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Richard J. Hill,Sidhartha Gupta,Kyle A. Ritter,Matthew J. King,Kye Hyun Baek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074169A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and motor drive system

Номер патента: US12074545B2. Автор: Kazuya Kobayashi,Hiroshi Odawara. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Display device and electronic device including the same

Номер патента: US20230329072A1. Автор: Dukjin Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Bulk acoustic wave resonator with a heatsink region and electrical insulator region

Номер патента: WO2022039897A1. Автор: Gilles Moulard. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-02-24.

Bulk acoustic wave resonator with a heatsink region and electrical insulator region

Номер патента: US20220060165A1. Автор: Gilles Moulard. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-02-24.

Bulk acoustic wave resonator with a heatsink region and electrical insulator region

Номер патента: EP4200982A1. Автор: Gilles Moulard. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Cleaning articles comprising a cellulosic fibrous structure having discrete low basis weight regions and an inverse emulsion

Номер патента: CA2295743C. Автор: David William Cabell,Steven Lee Barnholtz,Nicholas James Nissing. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-04-22.

Cleaning articles comprising a cellulosic fibrous structure having discrete low basis weight regions and an inverse emulsion

Номер патента: WO1999001536A1. Автор: David William Cabell,Steven Lee Barnholtz,Nicholas James Nissing. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 1999-01-14.

Semiconductor Devices Having a Three Dimensional Stacked Structure and Methods of De-Skewing Data Therein

Номер патента: US20130329478A1. Автор: YU Hak-soo,HWANG Hong-sun,Sohn Dong-Hyun,LEE Sang-Bo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12120882B2. Автор: Jihwan Kim,Jeehoon HAN,Shinhwan Kang,Sanghun Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240251571A1. Автор: Jun Young Lim,Hyung Keun Kim,Sung Lae Cho,Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240268113A1. Автор: Jaehoon Lee,Jeehoon HAN,Sanghun Chun,Donghyuck Jang,Kyung Taek CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365677A1. Автор: Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Yi-An Shih,I-Fan Chang,Hsiu-Hao Hu,Po Kai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12120879B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240260280A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Joo-Heon Kang,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240244846A1. Автор: Kwangmin Park,JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240349476A1. Автор: Jae Hyun Kang,Subin LEE,Hyokyeom Kim,Jongwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240121962A1. Автор: Satoshi Nagashima,Tadashi Iguchi,Shota KASHIYAMA,Takuya Nishikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Display device including a test pixel

Номер патента: US20240127728A1. Автор: Joon-Chul Goh,Seongjoo LEE,Ohjo Kwon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2015095617A2. Автор: William Carter,Alan J. Jacobsen,Sophia S. YANG,Zak C. ECKEL,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190137661A1. Автор: William Carter,Alan J. Jacobsen,Sophia S. YANG,Zak C. ECKEL,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2019-05-09.

Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3084044A2. Автор: William Carter,Alan J. Jacobsen,Sophia S. YANG,Zak C. ECKEL,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-10-26.

Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2015095617A4. Автор: William Carter,Alan J. Jacobsen,Sophia S. YANG,Zak C. ECKEL,Jacob M. Hundley. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2015-10-15.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Medical device including a hemostatis clip

Номер патента: US12070227B2. Автор: Shawn Ryan,Ryan Evers,Matthew Robert JAGELSKI. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Electronic devices including substantially hermetically sealed cavities and getter films with Kelvin measurement arrangement for evaluating the getter films and methods for fabricating the same

Номер патента: US09718672B2. Автор: Jeffrey Lam,Edy Susanto,Szu Huat GOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Electronic devices including substantially hermetically sealed cavities and getter films and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160347608A1. Автор: Jeffrey Lam,Edy Susanto,Szu Huat GOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Medical device including a hemostatis clip

Номер патента: EP4319654A1. Автор: Shawn Ryan,Ryan Evers,Matthew Robert JAGELSKI. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Medical device including a hemostatis clip

Номер патента: CA3216169A1. Автор: Shawn Ryan,Ryan Evers,Matthew Robert JAGELSKI. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Medical device including a hemostatis clip

Номер патента: AU2022255718A1. Автор: Shawn Ryan,Ryan Evers,Matthew Robert JAGELSKI. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

PROSTHETIC HEART VALVE COMPRISING A STENT STRUCTURE HAVING A CONICAL-CONVEX INFLOW REGION AND A LINEAR CYLINDRICAL OUTFLOW REGION

Номер патента: US20220054260A1. Автор: Koop Karsten,Hein André,Goebel Paul,Flores Imanol,Hof Andreas,Sitz Ulrich,Neitzel Maik,Kuske Thomas,Linde Max,Rothstock Stephan,Astorino Matteo,Pisani Giuseppe. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2278448C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов. Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.