GATE SPACER STRUCTURES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
Номер патента: US20200251571A1
Опубликовано: 06-08-2020
Автор(ы): Lin Yu-Ming, MORE Shahaji B., TSAI Chun Hsiung, Wann Clement Hsingjen, Yeh Ming-Hsi, Yu Kuo-Feng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-08-2020
Автор(ы): Lin Yu-Ming, MORE Shahaji B., TSAI Chun Hsiung, Wann Clement Hsingjen, Yeh Ming-Hsi, Yu Kuo-Feng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Devices including gate spacer with gap or void and methods of forming the same
Номер патента: US09917178B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.