Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: TW200303056A
Опубликовано: 16-08-2003
Автор(ы): Bernd E Maile
Принадлежит: Bernd E Maile
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical-type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09496277B2. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110306184A1. Автор: Ha-Jin Lim,Weon-Hong Kim,Dae-Kwon Joo,Hoi-sung Chung,Jin-Ho Do,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of fabricating electrodes, method of fabricating thin film transistor, method of fabricating array substrate, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: EP3535776A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-09-11.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20180261445A1. Автор: Masayuki Tanaka,Shinji Mori,Takashi Furuhashi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

METHOD OF MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTORS HAVING ELECTRICAL CONNECTIONS BETWEEN THE DOOR ELECTRODES AND THE SELF-ALIGNED METAL INTERCONNECTION LINES AND INTEGRATED CIRCUITS RESULTING FROM THEM

Номер патента: FR2357066A1. Автор: Vincent L Rideout,Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-01-27.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210343854A1. Автор: Atsufumi Inoue,Kojiro Hara,Tatsuro Watahiki,Kengo Matsufuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Structure and method of forming bitline contacts for a vertical DRAM array using a line bitline contact mask

Номер патента: US6767781B2. Автор: Larry A. Nesbit,Wolfgang Bergner,Ramachandra Divakaruni,Jonathan E. Faltermeier. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Structure and method of forming bitline contacts for a vertical dram array using a line bitline contact mask

Номер патента: US20040058480A1. Автор: Wolfgang Bergner,Johnathan Faltermeier,Ramachandra Divakaruni,Larry Nesbit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: EP3756222A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: WO2019164655A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040229467A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060263982A1. Автор: Koki Muto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4246592A1. Автор: Jaejin Lee,Youngjun Kim,Eun-Ok Lee,Taekyung Yoon,Hunyoung Bark,Dongju Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Methods of semiconductor device fabrication

Номер патента: EP3909069A1. Автор: Qiguang Wang,Gonglian Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11081454B2. Автор: Takashi Tonegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Methods of forming a hole having a vertical profile and semiconductor devices having a vertical hole

Номер патента: US20110201203A1. Автор: Bo-Un Yoon,Dae-hyuk Kang,Hyo-san Lee,Kun-tack Lee,So-Ra Han,Seong-ho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Methods of forming a through-substrate-via (TSV) and a metallization layer after formation of a semiconductor device

Номер патента: US09917009B2. Автор: Daniel Smith,Maxwell Lippitt,Vimal Kumar Kamineni,Himani Suhag Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: US09984881B2. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of fabricating MOS transistor

Номер патента: US20060141720A1. Автор: Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09564540B2. Автор: Yoshiki Maruyama,Yasuhiro Takeda,Shuichi Kudo,Keiichi Maekawa,Takumi Hasegawa,Kota Funayama,Kazutoshi Shiba,Hiroshi Uozaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150056768A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Chi REN,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234557A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401145A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Manufacturing method of the semiconductor device electrode having three metal layers

Номер патента: US09583580B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming silicide film

Номер патента: US5963829A. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Plastic encapsulated semiconductor devices and method of making same

Номер патента: CA1079868A. Автор: Kiyoshi Ishibashi,Masahiro Yamane,Yutaka Morita,Isamu Yamamoto,Toshimi Watanabe,Keiji Itoga,Kiyoji Imanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-17.

Method of making a silicide beneath a vertical structure

Номер патента: US9966448B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Hsing Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hui-Cheng Chang,Cheng-Tung Lin,Huan-Just Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160087051A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of manufacturing electronic device and electronic device

Номер патента: US20120080219A1. Автор: Tetsuya Takahashi,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Yoshiyuki Satoh,Takeshi Miyakoshi,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating a vertical MOS transistor

Номер патента: US09941390B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming SiOCN material layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09887080B2. Автор: Gi-gwan PARK,Kang-Hun Moon,Yong-Suk Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09755057B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of Fabricating a Tunnel Oxide Layer and a Tunnel Oxide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20150108559A1. Автор: Hee Eng Gek,Wisley Ung Ka Siong. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of Fabricating a Tunnel Oxide Layer and a Tunnel Oxide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20180204727A1. Автор: Hee Eng Gek,Wisley Ung Ka Siong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Method of Fabricating a Tunnel Oxide Layer and a Tunnel Oxide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20170287718A1. Автор: Hee Eng Gek,Wisley Ung Ka Siong. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

METHODS OF FORMING GATE ELECTRODES ON A VERTICAL TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20180130895A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Bentley Steven. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Methods of forming transition metal niobium nitride films on substrates by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: CN114657535A. Автор: J·P·陈,F·阿洛克塞. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-24.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thermoelectric material and method of preparing the thermoelectric material

Номер патента: US09419197B2. Автор: Ami Berkowitz,Sung-Ho Jin,Sang-mock Lee,Kyu-hyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Structure and method of forming bitline contacts for a vertical dram array using a line bitline contact mask

Номер патента: TW543156B. Автор: Wolfgang Bergner,Ramachandra Divakaruni,Larry A Nesbit,Johnathan E Faltermeier. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-07-21.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09620518B2. Автор: Yao-Fu Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530899B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi O Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Post bump and method of forming the same

Номер патента: US20090184420A1. Автор: Chang-Sup Ryu,Seung-Hyun Cho,Seung-Wan Kim,Jin-won Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of manufacturing an assembly of conductors and a semiconductor device manufactured by means of such an assembly

Номер патента: US6340634B1. Автор: Johannes M. A. M. Van Kempen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-01-22.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US09449870B2. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Structure and fabrication method of high voltage mosfet with a vertical drift region

Номер патента: US20230317845A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Changseok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Method of and apparatus for analyzing ions adsorbed on surface of mask

Номер патента: US20090101811A1. Автор: Dong-Hun Lee,Sung-Jae Han,Hae-Young Jeong,Byung-Cheol Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of forming a wafer level package with RDL interconnection over encapsulant between bump and semiconductor die

Номер патента: US7888181B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of boron doping wafers using a vertical oven system

Номер патента: US6548378B1. Автор: Patrick Press,Henning Boness. Владелец: Vishay Semiconductor Itzehoe GmbH. Дата публикации: 2003-04-15.

Method of forming and electrically connecting a vertical interdigitated metal-insulator-metal capacitor extending between interconnect layers in an integrated circuit

Номер патента: US6251740B1. Автор: Gregory A. Johnson,Kunal N. Taravade. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods of forming a stack of electrodes and three-dimensional semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Seok-Won Lee,Dongseog EUN,Joonhee Lee,Young-Ho Lee,Yoocheol Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09812329B2. Автор: Jung Sik Choi,Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of forming a ceramic silicon oxide type coating, method of producing an inorganic base material, agent for forming a ceramic silicon oxide type coating, and semiconductor device

Номер патента: EP2195398A2. Автор: Nobuo Kushibiki,Michitaka Suto,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis,Tetsuyuki Michino. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US09735016B2. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09614067B2. Автор: Sang Sig Kim,Yoonjoong Kim,Min Suk Kim,Young In JEON,Doo Hyuk LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating acoustic resonator with planarization layer

Номер патента: US09680439B2. Автор: Stefan Bader,Phil Nikkel,Robert Thalhammer. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09818825B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Yong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09640429B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Source-gate region architecture in a vertical power semiconductor device

Номер патента: US09837358B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20210280713A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

METHODS OF FORMING A THROUGH-SUBSTRATE-VIA (TSV) AND A METALLIZATION LAYER AFTER FORMATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180040511A1. Автор: SMITH Daniel,Kamineni Vimal Kumar,Kamineni Himani Suhag,Lippitt Maxwell. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Method of fabricating three-dimensional gate-all-around vertical gate structures and semiconductor devices, and three-dimensional gate-all-round vertical gate structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US09466610B1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of fabricating semiconductor device and computing system for implementing the method

Номер патента: US09754789B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Jong-Shik Yoon,Byung-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of fabricating vertical field effect transistors with protective fin liner during bottom spacer recess etch

Номер патента: US09530700B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Fabrication method of implanting siliconions into the silicon substrate

Номер патента: US20020155701A1. Автор: Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20220359282A1. Автор: Taesung Lee,JongSeok Lee,Uihyoung LEE,Honyun Park,Sewan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7892913B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090267162A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and patterning method

Номер патента: US09984931B2. Автор: Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Dongwoo Han,Kwang-Yong Yang,Haegeon JUNG,KyungYub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of fabricating epitaxial gate dielectrics and semiconductor device of the same

Номер патента: US09853150B1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for fabricating semiconductor device including replacement process of forming at least one metal gate structure

Номер патента: US09812367B2. Автор: Jeong-Nam Han,Ju-youn Kim,Tae-Won Ha,Ji-Hwan An,Kwang-yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Reverse contact and silicide process for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann,Jodi Grzeskowiak,Hiroki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US10008584B2. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Method of fabricating semiconductor device having contact structures

Номер патента: US09543202B2. Автор: Youngseok Kim,Jamin KOO,Kongsoo Lee,Goeun BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of applying an electrically conducting current collector on a self-supporting electrode and assembly of electrode and current collector

Номер патента: WO2000060685A1. Автор: Rifat A. M. Hikmet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-10-12.

Positive electrode, and electrochemical device and electronic device comprising same

Номер патента: EP4231387A1. Автор: KEFEI Wang,Dongdong Han,Shengqi LIU,Xiaohu Cai. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

A fabrication method of the vertically aligned silicon nano-structure used by metal-assisted chemical etching method, a vertically alligned silicon nano-structure fabricated by this method, and a device comprising the vertically alligned silicon nano-structure.

Номер патента: KR101353373B1. Автор: 최지훈,이석희,김태균,정현호,임성묵. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Manufacturing method of a led array precursor with electrical contacts on a same side, corresponding precursor, led array and devices comprising the same

Номер патента: EP4447119A1. Автор: Christer Svensson,Chih-Wei Hsu,Ivan Martinovic,Son Phuong Le,Per Olof HOLTZ. Владелец: POLAR LIGHT TECHNOLOGIES AB. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040075109A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of manufacturing semiconductor electrode and semiconductor device provided with electrodes manufactured by the method

Номер патента: US20040033683A1. Автор: Kenji Tanaka,Hirofumi Koike,Kazuya Suzuki,Kouichi Asai,Kazutoshi Sakai,Shunji Yoshikane. Владелец: Fuji Machine Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Methods of fabricating a semiconductor device having a via structure and an interconnection structure

Номер патента: US09905458B2. Автор: Seongho Park,Yongkong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of forming bridging lateral nanowires and device manufactured thereby

Номер патента: WO2005062384A3. Автор: Shashank Sharma,Theodore I Kamins,M Saiful Islam. Владелец: M Saiful Islam. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09853090B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09847266B2. Автор: Kangmin JEON,Jaehyun Lee,Dongsoo Lee,Hyung Joo Lee,Kyounghoon Han,Tae-Hwa Kim,Chanhoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Vertical bit line non-volatile memory systems and methods of fabrication

Номер патента: US09558949B2. Автор: Michael Konevecki,Luke Zhang,Natalie Nguyen,Vance Dunton,Steve Radigan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130280882A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09953841B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Yen-Ju Chen,Shih-Ping Hong,Yuan-Chieh Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583705B2. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having interconnect layer that includes dielectric segments interleaved with metal components

Номер патента: US09520362B2. Автор: Hung-Wen Su,Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Chun-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Multi-layered structure including an epitaxial layer having a low dislocation defect density, semiconductor device comprising the same, and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US6987310B2. Автор: Moon-han Park,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee,Jae-Yoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-17.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of producing thin layers of semiconductor material from a double-sided donor wafer and semiconductor-on-insulator structures thereby

Номер патента: KR100882380B1. Автор: 끄리스토프 말르빌. Владелец: 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of improving surface flatness of group-III nitride crystal, substrate for epitaxial growth, and semiconductor device

Номер патента: US7687824B2. Автор: Shigeaki Sumiya,Tomohiko Shibata,Keiichiro Asai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20030094686A1. Автор: Takahiro Iijima,Yoshikatsu Seki,Takaharu Yamano,Takako Yoshihara,Akihito Takano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

High-k Films and Semiconductor or Capacitor Devices Comprising the Film

Номер патента: KR102451638B1. Автор: 김동옥,김의태. Владелец: 충남대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-10-06.

Highly dielectric film and semiconductor or capacitor device comprising the same

Номер патента: CN115769340A. Автор: 金东玉,金义泰. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2023-03-07.

Method of making two component nanospheres and their use as a low dielectric constant material for semiconductor devices

Номер патента: TW385522B. Автор: Michael R Ayers. Владелец: Michael R Ayers. Дата публикации: 2000-03-21.

Methods of manufacturing a substrate for a mask blank, a mask blank, a photomask and a semiconductor device

Номер патента: TW201044105A. Автор: Masaru Tanabe. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Compound for filling small gaps in a semiconductor device, composition including the compound, and method of fabricating a semiconductor capacitor

Номер патента: US20110151640A1. Автор: Tae Ho Kim,Chang Soo Woo,Sung Jae Lee,Hee Jae Kim,Sang Geun Yun. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Method of fabricating piezoelectric energy harvesting device

Номер патента: US09876161B2. Автор: Sang Kyun Lee,Yil Suk Yang,Jong-Kee Kwon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating an optoelectronic device having a bulk heterojunction

Номер патента: CA2562486C. Автор: FAN YANG,Stephen R. Forrest,Max Shtein. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US12068380B2. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing metal composite material, metal composite material, method of manufacturing heat dissipating component, and heat dissipating component

Номер патента: US09920232B2. Автор: Yutaka Komatsu,Shoji Koizumi,Hidekazu Takizawa,Shinichi Anzawa,Takuya Oda,Syuzo Aoki,Takuya Kurosawa. Владелец: Nagano Prefecture. Дата публикации: 2018-03-20.

Field emission device having field emitter including photoelectric material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09478385B2. Автор: Jae-Woo Kim,Jin Woo Jeong,Sungyoul Choi,Yoon-Ho Song,Jun Tae Kang,Jeong Yong CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of the organic solar cell

Номер патента: US20150013757A1. Автор: Chih-Hung Chuang,Yu-Shun Cheng,Chie Gau,Yu-Cheng Hong,Yung-Tsan Lin. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2015-01-15.

Method of producing heat-treated coated article with transparent coating of conducting oxide for use in semiconductor device

Номер патента: RU2436743C2. Автор: Алексей КРАСНОВ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2011-12-20.

Fabrication method of solar cell using in both sides of AlOx and pattern electrode and solar cell thereby

Номер патента: KR101580220B1. Автор: 김태준,조진연,박훈,이규민,신해나라. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130134521A1. Автор: Tadashi Misumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having an undulating reflective surface of an electrode

Номер патента: WO2014089080A1. Автор: Kevin Michael Coakley,Mark Edward DANTE. Владелец: THINSILICON CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20210233847A1. Автор: Jin-Wook Kim,Ju Youn Kim,Myung Yoon UM,Deok Han Bae,In Yeal Lee,Ju Hun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09559112B2. Автор: Youngwoo Park,Jungdal CHOI,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240222123A1. Автор: Jiho Park,Ji-Eun Lee,Young-Seung Cho,Kang In KIM,Si Nyeon KIM,Youngwoo SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339453A1. Автор: Hyojin Kim,Inchan HWANG,Donghoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09875925B2. Автор: Jong-Myeong Lee,Hee-sook Park,Jeong-hee Park,Taek-Jung Kim,Han-Young Kim,Myung-Ho Kong,Keon-seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09711506B2. Автор: Junggil YANG,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Electrode with feedthrough pin for miniature electrochemical cells and methods of making

Номер патента: US20140123476A1. Автор: Hailiang Zhao,Christian S. Nielsen. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2014-05-08.

Electrode with feedthrough pin for miniature electrochemical cells and methods of making

Номер патента: US09543566B2. Автор: Hailiang Zhao,Christian S. Nielsen. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Electrode with interconnection for miniature electrochemical cells and methods of making

Номер патента: WO2012057981A1. Автор: Hailiang Zhao,Christian S. Nielsen. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Electrode with interconnection for miniature electrochemical cells and methods of making

Номер патента: EP2633572A1. Автор: Hailiang Zhao,Christian S. Nielsen. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2013-09-04.

Electrodes and electric double layer capacitance devices comprising an activated carbon cryogel

Номер патента: US8797717B2. Автор: Guozhong Cao,Aaron M. Feaver. Владелец: EnerG2 Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Method of manufacturing a multilayer electrochemical assembly comprising an electrolyte between two electrodes and assembly thus produced.

Номер патента: FR2712733A1. Автор: Billion Marc,Gueguen Michel,Majastre Herve. Владелец: Bollore Technologies SA. Дата публикации: 1995-05-24.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US09941391B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080268601A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of fabricating a diode

Номер патента: US8034700B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-11.

Method of fabricating a diode

Номер патента: US20100136774A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Reiner Barthelmess. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-06-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device, display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010020702A1. Автор: Kiichi Hirano,Naoya Sotani,Toshifumi Yamaji,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323886A1. Автор: Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20180190794A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20190172928A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of fabricating high integrated semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: US7776702B2. Автор: Seong Hwan Kim,Suk Min Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-17.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090197378A1. Автор: Satoru Shimada,Seiji Otake,Yasuhiro Takeda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140124834A1. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US8987118B2. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-24.

Ultrawide bandgap semiconductor devices including magnesium germanium oxides

Номер патента: EP4430676A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09728641B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20120015510A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US20110275204A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of fabricating a semiconductor device including ion implantation at a tilt angle in exposed regions

Номер патента: US7981782B2. Автор: Min Yong Lee,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Methods for fabricating semiconductor devices that have polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10699896B2. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2020-06-30.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100025827A1. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09530696B1. Автор: Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Wei-Hsin Liu,Wei-Lun Hsu,Shang-Yi Yang,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a semiconductor device using laser annealing

Номер патента: US20230180473A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7651933B2. Автор: Guee-Hwang SIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench surrounding plural unit cells

Номер патента: US20080274599A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139873A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09559192B1. Автор: Yong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of reducing an impurity concentration in a semiconductor body, method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09425063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-23.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240178005A1. Автор: Lain-Jong Li,Ming-Yang Li,Chih-Piao CHUU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Method of manufacturing an integrated circuit substrate

Номер патента: US09786568B2. Автор: Martin Mischitz,Andrew Wood,Claudia Sgiarovello. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Insulation systems and methods of depositing insulation systems

Номер патента: US20200347509A1. Автор: Anil Raj Duggal,Ravisekhar Nadimpalli Raju,Weijun Yin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-11-05.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230178465A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of patterning a metal on a vertical sidewall of an excavated feature, method of forming an embedded mim capacitor using same, and embedded memory device produced thereby

Номер патента: KR101345926B1. Автор: 스티븐 제이. 키팅,닉 린더트,나디아 라할-오라비,브라이언 도일,사트야르쓰 수리,스와미나탄 시바쿠마르,라나 종,린 샤. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2013-12-27.

The manufacturing method of plasma-torch cutting mask material, mask one-piece type surface protection band and semiconductor chip

Номер патента: CN109937469A. Автор: 西川拓弥,阿久津晃. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862587B2. Автор: Mark Gerber. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20160099170A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Method of preparing programmable diode, programmable diode and ferroelectric memory

Номер патента: US20230397429A1. Автор: Ming Liu,Qing LUO,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-07.

Power semiconductor device

Номер патента: US20190279943A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Yoshinori Yokoyama,Shinnosuke Soda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

A method of etching one or more layers of a mixture of metals and dielectrics in a semiconductor device.

Номер патента: JP6968194B2. Автор: ゴウピル，グレゴリー,シャラン,ブルリク，ジャン. Владелец: Tescan Brno sro. Дата публикации: 2021-11-17.

Method of forming narrow thermal silicon dioxide side isolation regions in a semiconductor substrate and mos semiconductor device fabricated by this method

Номер патента: KR100521790B1. Автор: 아만드 라저 디. 세인트,닐 에프. 도이췌,로버트 피. 마. Владелец: 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20220139942A1. Автор: Keisuke Suzuki,Genji Nakamura,Kimiya Aoki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160042994A1. Автор: Kazuhiro Maeda,Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for manufacturing a semiconductor device including a hollow structure around an electrode of a semiconductor element

Номер патента: US9576845B2. Автор: Kazuhiro Maeda,Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: EP3776672A1. Автор: Takeshi Kamikawa,Hongjian Li,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-02-17.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning and islands

Номер патента: US09865473B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US09508551B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jeehoon HAN,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating miniaturized semiconductor or other device

Номер патента: US09443755B2. Автор: Steven Zhang,Donjiang WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating semiconductor device with an overlay mask pattern

Номер патента: US09812364B2. Автор: Jong-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device fabrication using a multiple exposure and block mask approach to reduce design rule violations

Номер патента: EP2499660A2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Method of fabricating semiconductor device and patterning semiconductor structure

Номер патента: US12062547B2. Автор: Hsing Ou Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Wire substrate, display device including the same, and method of fabricating wire substrate

Номер патента: US20190086754A1. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Wire substrate, display device including the same, and method of fabricating wire substrate

Номер патента: US20190324337A1. Автор: Chan Woo Yang,Joon Yong Park,Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hong Sick Park,Hyun Eok Shin,Sang Won SHIN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming key patterns and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09704721B2. Автор: Ja-Min Koo,Heeju Shin,Jonghwa Baek,Boo-Hyun Ham,Rankyung Jung,Hyunchang LEE,Yongkug Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09412649B1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Tsai-Sheng Gau,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Kuei-Shun Chen,Ta-Ching Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20200227314A1. Автор: Ji Young Kim,Sung Bin Park,Han Seong Kim,Jong Min Baek,Kyu Hee Han,Deok Young Jung,Yeong Gil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12046464B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7932102B2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Byung-Seo Kim,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220336206A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627247B2. Автор: Hong-Ji Lee,Fang-Hao Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09564298B2. Автор: Ik-Soo Kim,Myoung-woon Kim,Su-Ho Lee,Ju-Hee Lee,Jae-Beom Park,Won-hyuk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

A construction of integrated circuitray and a method of forming an elevationally-extending conductor laterally between a pair of structures

Номер патента: WO2018194713A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Cleaning composition, cleaning apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20190241844A1. Автор: Young-Hoo Kim,Jung-min Oh,Tae Keun Kim,Min Hee Cho,Ji Soo Jeong,Hyo San LEE,Ye Rim YEON,Mi Hyun Park,Hae Rim Oh. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: US20220336234A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: EP4032119A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Paul Scherrer Institute Psi. Дата публикации: 2022-07-27.

Method of fabricating a lattice structure

Номер патента: WO2021052559A1. Автор: Gabriel Aeppli,Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Mohana Krishnappa RAJPALKE,Niels Bernhard SCHRÖTER,Nicolò D'ANNA,Nicolas Pierre Michel BACHELLIER. Владелец: Paul Scherrer Institute (Psi). Дата публикации: 2021-03-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240280895A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Hoin Lee,Dongkyun Lee,Jinnam YEEM,Sangchul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating semiconductor devices using a two-step gap-fill process

Номер патента: US20210050522A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Youngmin KO,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of fabricating semiconductor device using photo key

Номер патента: US20140038383A1. Автор: Jae-Hong Park,Dong-Chan Kim,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Gyung-Jin Min,Yong-Moon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09524870B2. Автор: Chun-Soo KANG,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: EP4095886A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-30.

Method of fabricating a hollow wall for controlling directional deposition of material

Номер патента: AU2019477107A1. Автор: Pavel ASEEV,Amrita Singh,Guanzhong WANG,Ekaterina CHERNYSHEVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240023305A1. Автор: Chan Hwang,Sookyung Kim,Jeonghee Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of fabricating a capacitor

Номер патента: US20240162279A1. Автор: Vincent Caro,Quentin Paoli. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof

Номер патента: US20020177243A1. Автор: Yoshimasa Horii,Brian Eastep,Katsuyoshi Matsuura,Fan Chu,Mari Tani,Glen Fox. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20090163004A1. Автор: Yeong Sil Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Etchant composition and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200216758A1. Автор: Jung-Hun Lim,Hyo-san Lee,Young-Chan Kim,Hoon Han,Jin-Uk Lee,Jung-Ah Kim,Ik-hee KIM. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09564325B2. Автор: Hyunwoo Kim,Ki-Jeong Kim,Hyosung Lee,Chawon KOH,Cheol Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods of fabricating semiconductor devices using nanowires

Номер патента: US09543196B2. Автор: Hyun Park,Jong-Myeong Lee,Han-jin Lim,Soon-Gun Lee,Dong-Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Apparatus and method fabricating semiconductor device

Номер патента: US12014905B2. Автор: Jinseok Lee,SeungBo SHIM,Sungil Cho,Nam Kyun Kim,Donghyeon NA,Chungho CHO,Sungyong LIM,Minjoon Kim,Tae-Sun Shin,Deokjin Kwon,Jin Young Bang,Bongju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Electrical devices with electrodes on softening polymers and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230180396A1. Автор: Gregory T. ELLSON,Walter E. Voit,Romil Modi,Jonathan Reeder,Alexandra Joshi Imre. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-06-08.

Electrical devices with electrodes on softening polymers and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11991836B2. Автор: Gregory T. ELLSON,Walter E. Voit,Romil Modi,Jonathan Reeder,Alexandra Joshi Imre. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120282745A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100273304A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Photovoltaic cell and methods of fabricating same.

Номер патента: AU2023250513A1. Автор: DI Yan,James Bullock,Heping SHEN,Sieu Pheng PHANG,Leiping DUAN,Kylie Catchpole,Daniel Harold MACDONALD,Rabin BASNET,Josua Andreas STÜCKELBERGER,Jose de Jesus IBARRA MICHEL. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Photovoltaic perovskite material and method of fabrication

Номер патента: US09391287B1. Автор: Qi Wang,Cheng Bi,Jinsong Huang,Rui Dong,Qingfeng Dong,Yuchuan Sao,Zhengguo Xiao. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2016-07-12.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234543A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4398308A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12033895B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shih-Chiang Chen,Hsiu-Hao Tsao,Tze-Chung Lin,Chung-Shu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094957B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Secondary battery with nonaqueous electrolyte and method of its manufacture

Номер патента: RU2632182C2. Автор: Тацуя ХАСИМОТО,Хироя УМЕЯМА,Наоюки ВАДА,Юсуке ФУКУМОТО,Наото ОНОДЕРА,Юдзи ЙОКОЯМА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2017-10-04.

Manufacturing method of solid oxide cell

Номер патента: WO2024117418A1. Автор: Jung Hyun Lee,Jeong Suong YANG,Byung Chul Jang,Jung Deok PARK,Hyeg Soon AN,Shiwoo Lee,Su Beom Park,Jaeseok YI. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of preparing an ink

Номер патента: US20040005495A1. Автор: Cyril Voisard,Emad Batawi. Владелец: Hexis AG. Дата публикации: 2004-01-08.

Method of preparing an ink

Номер патента: US7138355B2. Автор: Cyril Voisard,Emad Batawi. Владелец: Hexis AG. Дата публикации: 2006-11-21.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Current collector with easily adhesive layer, electrode, all-solid state secondary battery, electronic apparatus, electric vehicle, and methods of manufacturing current collector with easily adhesive layer, electrode, and all-solid state secondary battery

Номер патента: US20210083299A1. Автор: Hiroshi ISOJIMA,Shin Ozawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Current collector with adhesive layer, electrode, all-solid state secondary battery, electronic apparatus, electric vehicle, and methods of manufacturing current collector with adhesive layer, electrode, and all-solid state secondary battery

Номер патента: US11955643B2. Автор: Hiroshi ISOJIMA,Shin Ozawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Manufacturing method of solid oxide cell

Номер патента: US20240178407A1. Автор: Jung Hyun Lee,Jeong Suong YANG,Byung Chul Jang,Jung Deok PARK,Hyeg Soon AN,Shiwoo Lee,Su Beom Park,Jaeseok YI. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Dry electrode, method for manufacturing dry electrode, and lithium battery including the dry electrode

Номер патента: EP4451359A2. Автор: Hyun Nam,Donggeun Lee,Seunguk Kwon,Yeonhee YOON,Ilkyong KWON,Jinhyon Lee,Ahram Pyun,Youmin Bang,Seongdae Kim,Jongsup Choi. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

METHOD OF PRODUCING TiS3 BASED ELECTRODES FOR ELECTROCHEMICAL ENERGY STORAGES WITH INORGANIC AQUEOUS Mg-ION ELECTROLYTE

Номер патента: RU2713401C1. Автор: Марина Владимировна Калинина,Максим Юрьевич Арсентьев,Надежда Николаевна Губанова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН) Российской Федерации. Дата публикации: 2020-02-05.

Negative electrode, and electrochemical device and electronic device comprising same

Номер патента: CN111146433A. Автор: 姜道义,陈志焕,崔航,谢远森. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Negative electrode, and electrochemical device and electronic device comprising same

Номер патента: CN113380977A. Автор: 王超,崔航,廖群超,谢远森. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2021-09-10.

Battery including short circuit structure according to temperature change and electronic device comprising same

Номер патента: EP4318791A1. Автор: Youngho Seo,Seongil Lee,Yongsub Jeon,Gusup KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Positive electrode, and electrochemical device and electronic device comprising same

Номер патента: EP4231387A4. Автор: KEFEI Wang,Dongdong Han,Shengqi LIU,Xiaohu Cai. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Negative electrode, and electrochemical device and electronic device comprising same

Номер патента: CN111146428B. Автор: 王超,崔航,廖群超,谢远森. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Method of applying an electrically conducting current collector on a self-supporting electrode and assembly of electrode and current collector

Номер патента: EP1088358A1. Автор: Rifat A. M. Hikmet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-04-04.

Method of manufacturing battery electrode material

Номер патента: US11404691B2. Автор: Maki Suzuki,Daisuke Hirata,Hiroshi Yanagi,Yuki OCHIAI. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Method of manufacturing battery electrode material

Номер патента: US20210005890A1. Автор: Maki Suzuki,Daisuke Hirata,Hiroshi Yanagi,Yuki OCHIAI. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

METHOD OF PRINTING OR DEPOSITING BY ATOMIZATION FOR PREPARING A SUPPORTED FLEXIBLE ELECTRODE AND MANUFACTURING A LITHIUM-ION BATTERY

Номер патента: FR3007582B1. Автор: Davide Beneventi,Didier Chaussy,Lara Jabbour,Roberta Bongiovanni,Baradai Oussama El. Владелец: Institut Polytechnique de Grenoble. Дата публикации: 2015-06-26.

Organic-inorganic hybrid siloxane binder for secondary battery electrode slurry, method of manufacturing the same, electrode slurry using the same, secondary battery electrode and secondary battery

Номер патента: KR102406884B1. Автор: 강동준,강민정,임현균. Владелец: 한국전기연구원. Дата публикации: 2022-06-08.

METHOD OF PRINTING OR DEPOSITING BY ATOMIZATION FOR PREPARING A SUPPORTED FLEXIBLE ELECTRODE AND MANUFACTURING A LITHIUM-ION BATTERY

Номер патента: FR3007582A1. Автор: Davide Beneventi,Didier Chaussy,Lara Jabbour,Roberta Bongiovanni,Baradai Oussama El. Владелец: Institut Polytechnique de Grenoble. Дата публикации: 2014-12-26.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: GEBHARDT Karl-Heinz,Strasser Marc,Rudolf Ralf,"ORiain Lincoln". Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US09929172B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method of a led array precursor with electrical contacts on same side, corresponding precursor, led array and devices comprising the same

Номер патента: WO2024215248A1. Автор: Christer Svensson,Chih-Wei Hsu,Ivan Martinovic,Son Phuong Le,Per Olof HOLTZ. Владелец: POLAR LIGHT TECHNOLOGIES AB. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of detecting bonding between a bonding wire and a bonding location on a wire bonding machine

Номер патента: US20200350216A1. Автор: Gary S. Gillotti. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabricating resistive memory

Номер патента: US20200083446A1. Автор: Po-Yen Hsu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Chih-Cheng Fu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A2. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Passivation layer for semiconductor device packaging

Номер патента: US20120208321A1. Автор: David Keating Foote,James Donald Getty. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US20170243882A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230089483A1. Автор: Keiko Ikuta,Daisuke Sakurai,Kiyokazu Itoi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Manufacturing method of metal substrate and semiconductor light emitting device comprising the metal substrate manufactured by the same

Номер патента: KR101523664B1. Автор: 박은현,전수근. Владелец: 주식회사 세미콘라이트. Дата публикации: 2015-05-29.

Method of making a capacitor

Номер патента: US5786250A. Автор: Li Li,Zhiqiang Wu,Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-28.

Method of patterning a metal on a vertical sidewall of an excavated feature, method of forming an embedded mim capacitor using same, and embedded memory device produced thereby

Номер патента: WO2010039629A2. Автор: LIN Sha,Brian Doyle,Satyarth Suri,Swaminathan Sivakumar,Nick Lindert,Steven J. Keating,Nadia Rahhal-Orabi,Lana Jong. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-04-08.

Method of manufacturing a semiconductor chip emitting radiation based on III-V nitride semiconductor and semiconductor chip emitting radiation

Номер патента: JP4177097B2. Автор: ハーン ベルトルト,ヘルレ フォルカー,バーダー シュテファン,フェーラー ミヒャエル,ルーガウアー ハンス−ユルゲン. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2008-11-05.

Nitride semiconductor stacked body and semiconductor light emitting device comprising the same

Номер патента: EP2919282B1. Автор: Hideto Furuyama,Shigeya Kimura. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-19.

METHOD OF PATTERNING A METAL ON A VERTICAL SIDEWALL OF AN EXCAVATED FEATURE, METHOD OF FORMING AN EMBEDDED MIM CAPACITOR USING SAME, AND EMBEDDED MEMORY DEVICE PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20130234290A1. Автор: Lindert Nick,Sivakumar Swaminathan,Doyle Brian,Keating Steven,Suri Satyarth,RAHHAL-ORABI NADIA,Jong Lana,Sha Lin. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-12.

Method for fabricating a semiconductor component with a structured sintered connection layer and semiconductor component with a structured sintered connection layer

Номер патента: EP2729965B1. Автор: MICHAEL Guenther,Thomas Herboth,Michael Guyenot. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-08-05.

Monitoring diffusion processes in the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: GB1283004A. Автор: Horst Heinz Berger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-26.

Methods of detecting bonding between a bonding wire and a bonding location on a wire bonding machine

Номер патента: US11404330B2. Автор: Gary S. Gillotti. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20240030087A1. Автор: Yasuo Tanaka,Shinnosuke Soda,Yasunari Hino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

METHODS OF FORMING A STACK OF ELECTRODES AND THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20140054787A1. Автор: Lee Seok-Won,Lee Young-Ho,SHIN Yoocheol,Eun Dongseog,Lee Joonhee. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US5866475A. Автор: Toshiharu Yanagida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor device wafer bonding method

Номер патента: US20120244678A1. Автор: Takashi Mori. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09521758B2. Автор: Daisuke Harada,Arata Harada,Keita HATASA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of inspecting a semiconductor processing chamber using a vision sensor, and method for manufaturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20210013074A1. Автор: Byeongsang KIM,Kyungwon Yun,Wooram KIM,Taehyoung Lee,Sung Chai KIM,Keonho Lee,Sangil Im,Namyoung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Reflective electrode and method for manufacturing the reflective electrode and organic light emitting display device comprising the reflective electrode

Номер патента: KR101977233B1. Автор: 이경훈,박태한,유동희. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2019-08-28.

Multi-layer electrode and compound semiconductor light emitting device comprising the same

Номер патента: US7554125B2. Автор: Joon-seop Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-30.

Electrode and photoelectric semiconductor device using the same

Номер патента: US20180190872A1. Автор: Shiu-Li HUANG. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Manufacturing method of n-type ohmic electrode, n-type ohmic electrode, n-type electrode, and group III nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: JP6039026B1. Автор: 達憲 豊田,豊田　達憲. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-07.

Semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: US20120068357A1. Автор: Yasuhito Saito,Masahiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296511A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN UNDULATING REFLECTIVE SURFACE OF AN ELECTRODE

Номер патента: US20140159182A1. Автор: Coakley Kevin Michael,DANTE MARK EDWARD. Владелец: ThinSillicon Corporation. Дата публикации: 2014-06-12.

Electrode and wiring of semiconductor device

Номер патента: JPS61294838A. Автор: Masahiro Koizumi,Hitoshi Onuki,仁 大貫,Yasushi Kawabuchi,靖 河渕,小泉　正博. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-12-25.

Electrodes and wirings for semiconductor device

Номер патента: JPS5844730A. Автор: Masamichi Mori,Tetsuya Takayashiki,正道 森,高屋敷　哲也. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1983-03-15.

Method for fabricating a MIM capacitor using gate metal for electrode and related structure

Номер патента: TW201120964A. Автор: WEI Xia,Akira Ito,Xiang Dong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20140362540A1. Автор: Daisuke Harada,Arata Harada,Keita HATASA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240071810A1. Автор: Hoon Han,Byung Keun Hwang,Young Hun Sung,Youn Joung CHO,Eun Hyea Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US9461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US20150303202A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US09461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627514B1. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming semiconductor devices using semi-bidirectional patterning

Номер патента: US09748251B1. Автор: Atsushi Ogino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with Self-Aligned Contact Plugs and Semiconductor Device

Номер патента: US20140367773A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09653600B2. Автор: Yang Zhou,Gangning Wang,Guangli Yang,Guohao Cao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11107723B1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210257249A1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080076213A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972683B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09966262B2. Автор: JaeWoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09530870B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG,Dong Chan Suh,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09472653B2. Автор: Jong-Hyuk Kim,Kang-ill Seo,Deok-Han BAE,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160086813A1. Автор: Un-Gyu Paik,Sang-kyun Kim,Dong-jun Lee,Jong-woo Kim,Ye-Hwan Kim,Ji-hoon SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: US10446396B2. Автор: Tsung-Yao Wen,Angus Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US8906805B2. Автор: Sang-Yong Park,Jin-Taek Park,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-09.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09911828B2. Автор: NAKJIN SON,Yeon Ho Park,Kyungsoo Kim,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09871122B2. Автор: Jaeseok Yang,Hyunjae Lee,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865495B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Myung-Yoon Um,Gi-gwan PARK,Hyung-Dong Kim,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09653572B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Il-Ryong Kim,Kwang-Yong Jang,Kwang-You Seo,Seon-ah NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09508832B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Poren Tang,Sunjung Kim,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having a metal gate

Номер патента: US09508791B2. Автор: Tsung-Chieh Tsai,Juing-Yi Wu,Jyh-Kang Ting,Liang-Yao Lee,Yung-Che Albert SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Multi-stage etching process for contact formation in a semiconductor device

Номер патента: US11757010B2. Автор: Ching-Feng Fu,Guan-Ren Wang,Shu-Wen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Vertical channel device and method of forming same

Номер патента: US20190198643A1. Автор: Zheng Tao,Anabela Veloso,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US09660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of fabricating semiconductor die assemblies

Номер патента: US09711494B2. Автор: Luke G. England,Paul A. Silvestri,Michel Koopmans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09614025B2. Автор: Chung-Yen Chou,Kuo-Chi Tu,Chih-Yang Pai,Wen-Chuan Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09653565B2. Автор: Jaeyoung Ahn,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09640444B2. Автор: Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Kwanyoung Chun,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357831A1. Автор: Hyeran Lee,Hyun-mook CHOI,Jeon Il LEE,Seryeun Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices with recessed interconnects

Номер патента: US09711457B2. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12131950B2. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor chips having through silicon vias and related fabrication methods and semiconductor packages

Номер патента: US09698051B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hyun-Soo Chung,Son-Kwan Hwang,Jin-Ho Chun,Byung-Iyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US09595499B2. Автор: Wan Choon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Metal-insulator-metal structure and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240213305A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Hung-Chao Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20160064234A1. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332059A1. Автор: Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Youngin Kim,Byoungho Kwon,Jin-Woo Bae,Byungsoo JOO,Yeil KIM,Kyoungjoon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating a semiconductor device including a plurality of isolation features

Номер патента: US09685344B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20070155175A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Methods of fabricating passive element without planarizing and related semiconductor device

Номер патента: US20080054393A1. Автор: Timothy Dalton,Jeffrey Gambino,Anthony Stamper,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed,Anil Chinthakindi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device having a contact struture using aluminum

Номер патента: US20020014696A1. Автор: Michio Asahina,Junichi Takeuchi,Kazuki Matsumoto,Naohiro Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US20240304466A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09793165B2. Автор: Kyu-Ha Lee,Taeje Cho,Hogeon SONG,SeYoung JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of generating plasma in remote plasma source and method of fabricating semiconductor device using the same method

Номер патента: US09685346B2. Автор: Sangheon Lee,Gon-Jun KIM,Sam Hyungsam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Carrier and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09496163B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Hyungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080085472A1. Автор: Hyoung-Joo Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US12020952B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020048904A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090130804A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210111128A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09793158B2. Автор: Yong Kong Siew,Hyunsu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09768025B2. Автор: Yongkong SIEW,Sung-yup Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Microwave probe, plasma monitoring system including the microwave probe, and method for fabricating semiconductor device using the system

Номер патента: US09601397B1. Автор: Vasily Pashkovskiy,Woong Ko,Doug-Yong Sung,Se-Jin Oh,Ki-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09543165B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating a 3-d device

Номер патента: US20110171781A1. Автор: Dong Ho Lee,Jong Ho Lee,Eun Chul Ahn,Yong Chai Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210272815A1. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Ohmic electrode, method of manufacturing Ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20070051978A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US12074031B2. Автор: Chong Kwang Chang,Sug Hyun SUNG,Dong Hoon KHANG,Min Hwan JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of fabricating memory devices including b-site dopants and logic devices through wafer bonding

Номер патента: US20240276734A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080142921A1. Автор: Atsuo Isobe,Suguru Ozawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240304464A1. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240313066A1. Автор: Chan Hwang,Soo Kyung Kim,Jonghyun JUNG,Moosong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09917117B2. Автор: Moo Soon KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050062146A1. Автор: Takashi Noma,Tetsuya Miwa,Takayuki Kaida,Mitsuru Okigawa,Ryu Shimizu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228856A1. Автор: Hung-Wen Su,Yung-Cheng Lu,Keng-Chu Lin,Yi-Chi Liao,H. Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of fabricating a semiconductor device having a pre metal dielectric liner

Номер патента: US20070155111A1. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110256719A1. Автор: Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Yoon-Jae Kim,Doo-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Cerium oxide nanoparticles, methods for fabricating the same and methods for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230167566A1. Автор: Sang Kyun Kim,Min Young Kim,Kyu Hyoung Lee,Hyo San LEE,Chul Oh Park,In Kwon Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US09305933B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Back end of line electrical fuse structure and method of fabrication

Номер патента: US20190181091A1. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Junction structure element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361193A1. Автор: Hyun Ho Yoo,Sung Joo Lee,Sung Pyo BAEK,Su Min JEON,Jingjie NIU. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09461148B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of fabricating semiconductor device using high-K layer for spacer etch stop and related devices

Номер патента: US8481392B1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-09.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160111441A1. Автор: Jang-Hyun You,Jintaek Park,Sunghoi Hur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Vertical access devices, semiconductor device structures, and related methods

Номер патента: US09773888B2. Автор: Haitao Liu,Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Srinivas Pulugurtha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating a pre-lithiated electrode and lithium-ion battery cell

Номер патента: US20240170643A1. Автор: Felix Scheile,Armin ADER,Roman KRAFFT,Tanja Zünd,Richard Rauen. Владелец: Lilium eAircraft GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US6861692B2. Автор: Kazuo Nakazato,Hideyuki Matsuoka,Tsuyoshi Tabata,Masahiro Moniwa,Hiroshi Kujirai,Teruaki Kisu. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US12125914B2. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040000690A1. Автор: Kazuo Nakazato,Hideyuki Matsuoka,Tsuyoshi Tabata,Masahiro Moniwa,Hiroshi Kujirai,Teruaki Kisu,Teruo Kisu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor device having insulation layer with concave portion and semiconductor layer that includes channel area disposed at concave portion, electro-optical device, method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US09543327B2. Автор: Masashi Nakagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Current collectors comprising metal grids and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240234744A9. Автор: David Britt,Edward Meyjes,Katherine Hanus,Raven Barnes. Владелец: Cuberg Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Method for growing III-V epitaxial layers and semiconductor structure

Номер патента: US09543424B2. Автор: Stefan Degroote,Marianne Germain,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09466734B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20120012839A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Yong-Yub Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Three-dimensional resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210384258A1. Автор: Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Vertical thin film transistor selection devices and methods of fabrication

Номер патента: US09711650B2. Автор: Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Nanofiber membrane-electrode-assembly and method of fabricating same

Номер патента: US09876246B2. Автор: Peter N. Pintauro,Jason Ballengee,Matthew Brodt. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device, method of fabricating the semiconductor device, and method of forming epitaxial layer

Номер патента: US09653472B2. Автор: Joon Suk Lee,Woo Sung Lee,Woong Lee,Hun Hyeong LIM,Kyong Won AN,Chae Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having wide tuning range varactor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378169A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE,Hsiu-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of fabricating a component material for a battery cell

Номер патента: EP4038674A1. Автор: William Richardson,Robert Noble,Brian Hayden,Thomas Foley,Gianfranco ARESTA,Louise TURNER,Thomas RISBRIDGER,Owain Clark. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-08-10.

Method of fabricating a component material for a battery cell

Номер патента: WO2021064356A1. Автор: William Richardson,Robert Noble,Brian Hayden,Thomas Foley,Gianfranco ARESTA,Louise TURNER,Thomas RISBRIDGER,Owain Clark. Владелец: Ilika Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

MOS-Based Power Semiconductor Device Having Increased Current Carrying Area and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20240282821A1. Автор: James A. Cooper. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Vertical fin field effect transistor (V-FinFET), semiconductor device having V-FinFET and method of fabricating V-FinFET

Номер патента: US09870957B2. Автор: Myung Gil Kang,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing an electrode, corresponding electrode and battery comprising such an electrode

Номер патента: US09620774B2. Автор: Aurelien Gohier. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US09711693B2. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Kal,Ki Bum Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20190221610A1. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-07-18.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10825868B2. Автор: Ludovic Goux,Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Davide Francesco CROTTI,Luca Di Piazza. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-11-03.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Apparatus for and method of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20190288203A1. Автор: Jiho Park,Jaeho Jung,Jeonghee Park,Kyoung Sun Kim,Changyup Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Vertical light emitting diode with photonic nanostructures and method of fabrication thereof

Номер патента: US09647183B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Siew Lang Teo,Surani Bin Dolmanan,Krishna Kumar MANIPPADY,Kaixin Vivian LIN,Sivashankar KRISHNAMOORTHY. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of fabricating a semiconductor device with capacitors using mold structure and protection layer

Номер патента: US20140065784A1. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190219762A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of fabricating a vertical semiconductor device

Номер патента: US11778825B2. Автор: Taehun Kim,Bongyong Lee,Minkyung BAE,Myunghun Woo,Doohee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20150212270A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor devices with magnetic regions and attracter material and methods of fabrication

Номер патента: US09786841B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: US09608197B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: US09349945B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of handling test pad and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395440A1. Автор: Jun Zhou,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device including ferroelectric capacitors and fabricating method thereof

Номер патента: US20030224538A1. Автор: Yoichi Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device testing apparatus and methods of testing and fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230366853A1. Автор: Donghyun Lee,Younghoon Sohn,Sung Yoon Ryu,Sooseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20180226570A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20160181513A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices comprising magnetic memory cells

Номер патента: US09711565B2. Автор: Stephen J. Kramer,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Hydrogen gettering structure including silver-doped palladium layer to increase hydrogen gettering of module component and semiconductor device module having such structure, and methods of fabrication

Номер патента: EP1280200A1. Автор: Dean Tran,Jerry T. Fang. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2003-01-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semicondunctor device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012028109A1. Автор: Wei Huang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Three-dimensional (3D) semiconductor devices and methods of fabricating 3D semiconductor devices

Номер патента: US09768193B2. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems

Номер патента: US09379315B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080002081A1. Автор: Seok-Woo Lee,Young-joo Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09978762B2. Автор: Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of fabricating memory

Номер патента: US7344938B2. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Method of fabricating light-emitting diode display panel

Номер патента: US20210336076A1. Автор: Yang Sun. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device including joint portion between conductive connection structures and method of fabricating the same

Номер патента: US20230260956A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US09543503B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09537045B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Joo Won Choi,Jeong Hun HEO,Su Young LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, magnetic memory device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09502643B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Byoungjae Bae,Shin Kwon,Changwoo SUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Liquid crystal display and method of fabricating the same

Номер патента: US09496063B2. Автор: KANG Moon Jo,Seung Ho Jung,Young Joo Choi,Joon Geol KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Light coupling device and methods of forming same

Номер патента: US09478939B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating a MIM capacitor with minimal voltage coefficient and a decoupling MIM capacitor and analog/RF MIM capacitor on the same chip with high-K dielectrics

Номер патента: US09466661B2. Автор: Bo Yu,Dina Triyoso,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of fabricating display device

Номер патента: US09466623B2. Автор: Ji Young Park,Sang Gab Kim,Dong II Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of fabricating semiconductor device having alignment key and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US7473619B2. Автор: Byung Hyun Lee,Min-Hee Cho,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-06.

Method of fabricating semiconductor device having alignment key and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20090087962A1. Автор: Min-Hee Cho,Yoo-Sang Hwang,Byung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Aerosol delivery device, corresponding apparatus and method of its production

Номер патента: RU2735406C2. Автор: Раджеш СУР. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2020-10-30.

Compositions, related systems and articles, and methods of making and using the same

Номер патента: AU2023274009A1. Автор: Ali Reza KAMALI. Владелец: Cambridge Advanced Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of preparing dry electrode, system for preparing dry electrode, and lithium battery including dry electrode prepared through the method

Номер патента: US20240322107A1. Автор: Seunguk Kwon,Junghyun Nam,Ilkyong KWON,Jinhyon Lee,Seongdae Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of preparing dry electrode, system for preparing dry electrode, and lithium battery including dry electrode prepared through the method

Номер патента: EP4439694A2. Автор: Seunguk Kwon,Junghyun Nam,Ilkyong KWON,Jinhyon Lee,Seongdae Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Compositions, related systems and articles, and methods of making and using the same

Номер патента: WO2023222880A1. Автор: Ali Reza KAMALI. Владелец: CAMBRIDGE ADVANCED MATERIALS Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

A conductive sheet comprising metal foil having metal plated on one side thereof as a planar electrode and surface mountable polymer ptc device comprising the same

Номер патента: KR100820588B1. Автор: 김규철,이용인,김종혹,송경훈. Владелец: 신화인터텍 주식회사. Дата публикации: 2008-04-11.

METHOD OF MANUFACTURING LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY POSITIVE ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY, LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY POSITIVE ELECTRODE, AND LITHIUM-ION SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20130071743A1. Автор: MIYAKI Yousuke,KATAI Kazuo,HIRANO Masayoshi,HINOKI Kiyonori. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2013-03-21.

SILICON-BASED FINE PARTICLE/SILICON-CONTAINING POLYMER COMPOSITE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, SiOC STRUCTURE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, NEGATIVE ELECTRODE COMPOSITION USING SiOC STRUCTURE, NEGATIVE ELECTRODE, AND LITHIUM ION SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20200280057A1. Автор: KONDO Masakazu,NISHIMURA Miwako,YAMADA Hirotsuna,SATO Soichiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Corona treatment device and pivotal holding device for an electrode

Номер патента: AU2001291773A1. Автор: Gerhard Arlt,Wolfgang Dinter. Владелец: Afs Entwicklungs & Vertriebs G. Дата публикации: 2002-03-13.

ELECTRODES AND ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITANCE DEVICES COMPRISING AN ACTIVATED CARBON CRYOGEL

Номер патента: US20130321982A1. Автор: Feaver Aaron M.,Cao Guozhong. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Method of manufacturing a floated structure from a substrate and floated gate electrode and Field Emission Device adopting the same

Номер патента: KR100438835B1. Автор: 박영준,한인택. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2004-07-05.

ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR SECONDARY BATTERY, ELECTRODE AND SECONDARY BATTERY PROVIDED THEREWITH, AND MANUFACTURING METHOD FOR SUCH AN ELECTRODE ACTIVE MATERIAL

Номер патента: US20210175496A1. Автор: JIN Hong Soo. Владелец: LIVENERGY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-10.

METHOD OF PRODUCING FRAME EQUIPPED MEMBRANE ELECTRODE ASSEMBLY, THE FRAME EQUIPPED MEMBRANE ELECTRODE AND FUEL CELL

Номер патента: US20200235416A1. Автор: Yoshida Kohei,ISHIDA Kentaro,EBATO Yutaka,BEUTEL Matthew,KURIMOTO Masami. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of fabricating nanometer-scale flowchannels and trenches with self-aligned electrodes and structures formed by the same

Номер патента: WO2002073314A1. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-09-19.

Methods of using and fabricating a supporting substrate for the deposition, automated recognition, and spectroscopic identification of particles

Номер патента: US7016034B2. Автор: Markus Lankers,Oliver Valet,Lothar Holz. Владелец: rap ID Particle Systems GmbH. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of fabricating surface-emitting laser

Номер патента: US20180356459A1. Автор: Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Atom and ion sources and sinks, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180098411A1. Автор: Jonathan J. Bernstein. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Method for manufacturing an electrode

Номер патента: WO2008127111A1. Автор: Petrus Marinus Martinus Cornelus Bressers,Marinus Marc Koetse,Antonius Maria Bernardus Van Mol,Joost Van Erkel. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2008-10-23.

Film bulk acoustic wave resonator wafer and method of fabricating a film bulk acoustic wave resonator

Номер патента: US20050104689A1. Автор: Kenji Inoue. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of fabricating electrical machine

Номер патента: US09692282B2. Автор: Subhash Marutirao Brahmavar. Владелец: Regal Beloit America Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20060071256A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20110073831A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee D. Rockford. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Compound having anchoring group, electronic device comprising the compound, and methods of producing them

Номер патента: US7419848B2. Автор: Do Hyun Kim,Hyoyoung Lee,Taehyoung Zyung,Kun Jun,Hyeon-jeong Do. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-09-02.

Flims, methods of preparing the same, and display panels

Номер патента: US20240344228A1. Автор: Jinyang ZHAO,Hangchuan ZHANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Portable data processing apparatus and method of detecting a target therewith

Номер патента: LU503395B1. Автор: Cedric SPAAS,La Cadena Wladimir De,Serge GARBAY. Владелец: Arspectra S A R L. Дата публикации: 2024-07-29.

Portable data processing apparatus and method of detecting a target therewith

Номер патента: WO2024156916A1. Автор: Cedric SPAAS,Augusto Wladimir De La Cadena,Serge GARBAY. Владелец: Arspectra S.À.R.L.. Дата публикации: 2024-08-02.

Method of manufacturing display device

Номер патента: US20230320131A1. Автор: Yuko Matsumoto,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Portable device and method of authenticating marking

Номер патента: RU2639620C2. Автор: Гийом ЭШ. Владелец: Сикпа Холдинг Са. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods of controlling access to keys and of obscuring information and electronic devices

Номер патента: US20190213340A1. Автор: Martin John Thompson,Ian Richard Alan Hawkes. Владелец: TRW Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130075842A1. Автор: Ga Young Ha,Ki Scon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Manufacturing method of built-in component wiring substrate, built-in component two-layer wiring substrate, and semiconductor device

Номер патента: TWI634826B. Автор: 中村茂雄,真子玄迅,奈良橋弘久. Владелец: 味之素股份有限公司. Дата публикации: 2018-09-01.

REGULATOR CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE COMPRISING SAME

Номер патента: FR2755318B1. Автор: Hirokazu Tanaka,Atsushi Matsuda,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-09-24.

Video display device, method of displaying connectors, transmission-line state detection device, transmission line-state detection method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8266335B2. Автор: Hidekazu Kikuchi,Masaki Kitano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

METHODS OF CONTROLLING CLOCKS IN SYSTEM ON CHIP INCLUDING FUNCTION BLOCKS, SYSTEMS ON CHIPS AND SEMICONDUCTOR SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130147526A1. Автор: KIM Dong Keun,Lee Jae Gon,HEO Jung Hun,KIM Si Young,KWON Sun Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

METHODS OF CONTROLLING CLOCKS IN SYSTEM ON CHIP INCLUDING FUNCTION BLOCKS, SYSTEMS ON CHIPS AND SEMICONDUCTOR SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150084675A1. Автор: KIM Dong Keun,Lee Jae Gon,HEO Jung Hun,KIM Si Young,KWON Sun Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Epoxy solder paste, method of using the paste, solder joint formed with the epoxy solder paste and method for forming it, and assembly comprising such solder joint

Номер патента: TWI701098B. Автор: 席力 莎卡爾,雷瑪克里許那 霍索 維卡塔吉里亞帕,摩甘納 迪 艾維拉 里貝,拉霍 洛特,特萊安 柯納爾 古古,徐代榮. Владелец: 美商阿爾發金屬化工公司. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor device transducer and method

Номер патента: EP2036200A1. Автор: Ashwin Seshia,James Ransley,Colm Durkan. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2009-03-18.

Method of manufacturing display device and display device

Номер патента: US20240032320A1. Автор: Jun Sakuma,Takahiro Adachi,Yasushi Asaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of manufacturing display device

Номер патента: US20230389356A1. Автор: Yuko Matsumoto,Kaichi Fukuda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of and system for operating a vertical grinding mill

Номер патента: US20240216922A1. Автор: Kellson Takenaka MENEZES,Mario Cesar Castro ARRUDA,Marlon Fábio Marques LINO,Mauro Alberto Castheloge ROSSI,Ricardo Oliveira COUTINHO. Владелец: Anglo American Minerio de Ferro Brasil SA. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of and system for operating a vertical grinding mill

Номер патента: CA3224680A1. Автор: Kellson Takenaka MENEZES,Mario Cesar Castro ARRUDA,Marlon Fábio Marques LINO,Mauro Alberto Castheloge ROSSI,Ricardo Oliveira COUTINHO. Владелец: Anglo American Minerio de Ferro Brasil SA. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of and system for operating a vertical grinding mill

Номер патента: WO2022269485A1. Автор: Kellson Takenaka MENEZES,Mario Cesar Castro ARRUDA,Marlon Fábio Marques LINO,Mauro Alberto Castheloge ROSSI,Ricardo Oliveira COUTINHO. Владелец: Anglo American Minério De Ferro Brasil S/a. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of and system for operating a vertical grinding mill

Номер патента: EP4359134A1. Автор: Kellson Takenaka MENEZES,Mario Cesar Castro ARRUDA,Marlon Fábio Marques LINO,Mauro Alberto Castheloge ROSSI,Ricardo Oliveira COUTINHO. Владелец: Anglo American Minerio de Ferro Brasil SA. Дата публикации: 2024-05-01.

Method of charging molten metal into a vertical die casting machine

Номер патента: US4436140A. Автор: Tetsuya Suzuki,Masuo Ebisawa. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1984-03-13.

Method of unidirectional curing of billets and device to this end

Номер патента: RU2413591C2. Автор: Мэнь Г. ЧУ,Хо ЮЙ,Альваро ДЖИРОН,Кеннет Дж. КАЛЛАХЕР,Джеффри Дж. Шо. Владелец: Алкоа Инк.. Дата публикации: 2011-03-10.

Method of facilitating vegetation

Номер патента: CA1226452A. Автор: Stefan Naschberger. Владелец: Biochemie GmbH. Дата публикации: 1987-09-08.

Ultrasound cutter and method of ultrasound cutting

Номер патента: RU2404047C2. Автор: Норио ТАНАКА. Владелец: Нихон Сориоку Кикаи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of manufacturing an electrically controllable pivoting mirror device

Номер патента: US4129930A. Автор: Jan C. W. Dragt. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1978-12-19.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, composition comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: KR20070045967A. Автор: 도시오 시오바라,히사시 시미즈,쯔또무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-05-02.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, compositon comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: EP1780235A3. Автор: Hisashi Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shimizu,Toshio Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shiobara,Tsutomu Silicone Denshi Zairyo Gijut. Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, compositon comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: EP1780235A2. Автор: Hisashi Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shimizu,Toshio Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shiobara,Tsutomu Silicone Denshi Zairyo Gijut. Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-02.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2015157080A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of fabricating display device

Номер патента: US20240324279A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yuichi Yanagisawa,Shun Mashiro,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A2. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A3. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230326510A1. Автор: Yih Wang,Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor data storage devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11690231B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240196587A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20060270142A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20070259493A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of cooling and liquefying a hydrocarbon stream, an apparatus therefor, and a floating structure, caisson or off-shore platform comprising such an apparatus

Номер патента: US09879906B2. Автор: Michiel Gijsbert Van Aken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Device for separation of carbon dioxide, using silicone sealing film, and method of its manufacture

Номер патента: RU2627370C2. Автор: Гван Шиг КИМ,Ки Йеонг ШИН. Владелец: Арстрома Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of cooling and liquefying a hydrocarbon stream, an apparatus therefor, and a floating structure, caisson or off-shore platform comprising such an apparatus

Номер патента: EP2286165A2. Автор: Michiel Gijsbert Van Aken. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of cooling and liquefying a hydrocarbon stream, an apparatus therefor, and a floating structure, caisson or off-shore platform comprising such an apparatus

Номер патента: AU2009249761B2. Автор: Michiel Gijsbert Van Aken. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2012-10-04.

Method of cooling and liquefying a hydrocarbon stream, an apparatus therefor, and a floating structure, caisson or off-shore platform comprising such an apparatus

Номер патента: US20110067440A1. Автор: Michiel Gijsbert Van Aken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

A method of handling and fabricating a neutron responsive fuel

Номер патента: GB1077384A. Автор: . Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1967-07-26.

Electrode attachment assembly, cell and method of use

Номер патента: US20230332305A1. Автор: James Patrick Nehlsen,William F. Schulze. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Seam for fabric for paper production and industrial fabric and method of its manufacture

Номер патента: RU2482233C2. Автор: Дана ИГЛС. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2013-05-20.

Method of fabricating photoconductor coupled liquid crystal light valve

Номер патента: US5324549A. Автор: Katsumi Adachi,Akitsugu Hatano,Takashi Hayakawa,Shiro Narikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

Fibre preform, composite element reinforced with fibres and method of their preparation

Номер патента: RU2542976C2. Автор: Джонатан ГОЕРИНГ. Владелец: Олбани Энджиниэрд Композитс, Инк.. Дата публикации: 2015-02-27.

Brush element, assembly, brushing device and methods of coupling and uncoupling

Номер патента: WO2007100240A1. Автор: Hans Servaas. Владелец: HUMBOLDT B.V.. Дата публикации: 2007-09-07.

Method of improving the yield of a nozzle plate fabrication process

Номер патента: US09630411B2. Автор: Paul Van Der Sluis,Jeroen Herman Lammers,Alwin Rogier Martijn Verschueren,Adrianus Antonius Johannes OP 'T HOOG. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of Fabricating a Photomask Used to Form a Lens

Номер патента: US20110170197A1. Автор: Nobuhiko Sato,Yasuhiro Sekine,Masataka Ito,Masaki Kurihara,Hitoshi Shindo,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of identifying a vessel, a vessel identifying device and a floating object and land installation comprising a vessel identifying device

Номер патента: EP4403877A1. Автор: Rickard Lindkvist,Jonas LINDER. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-24.

A nanogap electrode device, a method of making a nanogap electrode device, and a sensor for detecting a target analyte

Номер патента: WO2024181927A1. Автор: YU Chen,Ming-Yuan Cheng,Musafargani SIKKANDHAR. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2024-09-06.

Method of flight control in a vertical takeoff and landing aerial vehicle with angled propellers

Номер патента: US11772786B2. Автор: Yu Tian. Владелец: Shanghai Autoflight Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

A method and computer processing apparatus for generating data relating to a vertical structure of a built environment and detecting a floor change

Номер патента: US20200049832A1. Автор: Zankar Upendrakumar Sevak,Firas Alsehly,Ivo DIMITROV. Владелец: Sensewhere Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Removable cleaning devices and methods of use for cleaning vertical stack plumbing systems

Номер патента: US20200206791A1. Автор: Terry Lee Roberts. Владелец: Total Pipeline Cleaning Service Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Device and method of package sterilisation

Номер патента: RU2528699C2. Автор: Ульф ЛИНДБЛАД,Дженни ОЛЬССОН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2014-09-20.

Oral device and method of using same

Номер патента: RU2712038C2. Автор: Рут Е. МАРТИН,Маркус СИФФЕРТ,Петер СКАРРОТТ,Андреас РИФАНИ,Келли АРМСТРОНГ. Владелец: Дзе Юниверсити Оф Вестерн Онтарио. Дата публикации: 2020-01-24.

Device and method of packing products

Номер патента: RU2690473C1. Автор: Риккардо ПАЛУМБО,Джулио БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2019-06-03.

Method of motion control and motion control device

Номер патента: RU2695008C1. Автор: Ясухико ТАКАЕ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-18.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Size-adjustable woven fabric, wearable item and methods of resizing a fabric

Номер патента: AU2021356154A9. Автор: Erik KHRANOVSKYY,Mykhailo ZHYBAK,Samer ISSA. Владелец: Nano Textile Solutions Ab. Дата публикации: 2024-07-25.

Cell separation apparatus and methods of use

Номер патента: ZA202104197B. Автор: WOLTERS Rolf,VALENTI Jules,GURSKI Tom. Владелец: Koligo Therapeutics Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Device and method of dry granuling of slag

Номер патента: RU2627825C2. Автор: Йен МАКДОНАЛД. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз, Лимитед. Дата публикации: 2017-08-11.

Cleaning method of liquid discharge head and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20210016563A1. Автор: Yuzuru Ishida,Yoshinori Misumi,Maki Kato,Takahiro Matsui,Tsubasa Funabashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Calibration method of the positioning of an onboard device for the acquisition and the remote transmission of data relating to motion and driving parameters of motor vehicles and motorcycles

Номер патента: EP3479131A1. Автор: Simone SABINA. Владелец: Octo Telematics SPA. Дата публикации: 2019-05-08.

Calibration method of the positioning of an onboard device for the acquisition and the remote transmission of data relating to motion and driving parameters of vehicles and motorcycles

Номер патента: WO2018002893A1. Автор: Simone SABINA. Владелец: OCTO TELEMATICS S.p.A.. Дата публикации: 2018-01-04.

Dust removing unit with back pulse blowdown of fabric bag

Номер патента: RU2355464C2. Автор: Чаошень ЯО,Ксинмин ВЕЙ,Донгшень ХУАНЬ,Жонгде ЙИ,Жонгкьюань ЛЮ,Ронген ВАНГ. Владелец: ИНСТИТУТ РАЗРАБОТКИ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ПРОВИНЦИИ ШАНДОНГ. Дата публикации: 2009-05-20.

Method of shipment without label

Номер патента: EP4006850A1. Автор: Rafa Brzoska. Владелец: Integer pl SA. Дата публикации: 2022-06-01.

Washing appliance and methods of using

Номер патента: US20240245488A1. Автор: Rafal Chudzik,Kevin Johnson,Alex Carson,Chris Wolfbrandt,Blessan Joseph. Владелец: Innovative Health. Дата публикации: 2024-07-25.

Washing appliance and methods of using

Номер патента: US12090006B2. Автор: Rafal Chudzik,Kevin Johnson,Alex Carson,Chris Wolfbrandt,Blessan Joseph. Владелец: Innovative Health. Дата публикации: 2024-09-17.

Washing appliance and methods of using

Номер патента: WO2023150583A2. Автор: Rafal Chudzik,Kevin Johnson,Alex Carson,Chris Wolfbrandt,Blessan Joseph. Владелец: Innovative Health. Дата публикации: 2023-08-10.

Discharge surface treatment electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: US09410250B2. Автор: Masanobu Hasegawa,Mitsutoshi Watanabe,Hiroki Yoshizawa,Yukihiro Shimoda,Satoshi Kurita,Kyouhei Nomura,Nobuhiko Yunoki. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Removable cleaning devices and methods of use for cleaning vertical stack plumbing systems

Номер патента: US20180290186A1. Автор: Terry Lee Roberts. Владелец: Total Pipeline Cleaning Service Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Removable cleaning devices and methods of use for cleaning vertical stack plumbing systems

Номер патента: US20190224727A1. Автор: Terry Lee Roberts. Владелец: Total Pipeline Cleaning Service Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of flight control in a vertical takeoff and landing aerial vehicle with angled propellers

Номер патента: US20230166837A1. Автор: Yu Tian. Владелец: Shanghai Autoflight Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Touch panel and method of fabricating same

Номер патента: US20200201486A1. Автор: Xiaoliang Feng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Manufacturing method of honeycomb structure and transfer pallet

Номер патента: US20190275699A1. Автор: Kensuke Okumura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Size-adjustable woven fabric,wearable item and methods of resizing a fabric

Номер патента: US20230354951A1. Автор: Erik KHRANOVSKYY,Mykhailo ZHYBAK,Samer ISSA. Владелец: Nano Textile Solutions Ab. Дата публикации: 2023-11-09.

A method of electropolishing

Номер патента: EP4112785A1. Автор: Daniel Clark. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2023-01-04.

Vehicle hydraulic boost device and method of pressure release in such device

Номер патента: RU2710124C2. Автор: Анте БОЗИК,Жюльен ЛАМБЕЙ,Бастьен КЛАПИ. Владелец: Поклэн Гидроликс Индастри. Дата публикации: 2019-12-24.

Device and method of traffic control

Номер патента: RU2660158C1. Автор: Масахиде НАКАМУРА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-07-05.

Testing device and method of its use

Номер патента: RU2701875C1. Автор: М. Шейн БОУЭН,Дацзюнь А. ЮАНЬ,Джон Герхардт ЭРНИ,Джозеф Френсис ПИНТО,Майкл С. ГРЕЙДЖ,Артур ПИТЕРА,Бала Мурали К. ВЕНКАТЕСАН. Владелец: Иллюмина, Инк.. Дата публикации: 2019-10-02.

HIGH RESOLUTION LOCALIZATION METHOD OF A TARGET ACCORDING TO A VERTICAL AXIS, PARTICULARLY FOR ITS GUIDANCE AND RADAR IMPLEMENTING SUCH A METHOD

Номер патента: FR3078783B1. Автор: Patrick Garrec,Pascal Cornic,Patrick Le Bihan,David Monchaux. Владелец: Centre National dEtudes Spatiales CNES. Дата публикации: 2020-02-21.

Method of measuring the height of a vertically movable load suspension means on a lifting frame, and lifting vehicle for carrying out the method

Номер патента: DE3208747A1. Автор: Gottfried Dr.-Ing. 2357 Bad Bramstedt Klinger. Владелец: Jungheinrich Unternehmensverwaltung KG. Дата публикации: 1983-09-29.

Flow regulator device and method of using

Номер патента: US7074212B1. Автор: Erica J. Florea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-11.

A method of controlling a propulsion system

Номер патента: WO2023247035A1. Автор: Leo Laine,Esteban GELSO,Mats Jonasson,Sachin JANARDHANAN,José VILCA. Владелец: VOLVO TRUCK CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Bubble-jet chip for processing objects, means for local ablation and method of local ablation, means for injection and method of injection

Номер патента: RU2654674C1. Автор: Ёко ЯМАНИСИ,Ёхей ХАМАНО,Такуя КАМБАЯСИ. Владелец: Джапэн Сайнс Энд Текнолоджи Эйдженси. Дата публикации: 2018-05-21.

Removable method of fixing any objects on a vertical panel

Номер патента: FR1318329A. Автор: Francine Chnebierk. Владелец: . Дата публикации: 1963-02-15.

A structure for and method of mounting an object on a vertical surface and a laminated backing for such a structure

Номер патента: CA2284413A1. Автор: David Weck,Steven C. Berenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-02.

Apparatus for and method of classifying particles discharged from a vertical mill

Номер патента: US20050242215A1. Автор: Frantisek Eisinger. Владелец: Foster Wheeler Energy Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Method of knitting knitted component with a vertically inlaid tensile element

Номер патента: KR101854965B1. Автор: 다니엘 에이 포드하니. Владелец: 나이키 이노베이트 씨.브이.. Дата публикации: 2018-05-04.

Composition for forming a photoresist underlayer, method for forming a pattern using same, and semiconductor integrated circuit device comprising the pattern

Номер патента: WO2013100374A1. Автор: 이성재,조연진,이철호,이충헌,하광일. Владелец: 제일모직 주식회사. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of dispensing a determined amount of particles suspended in a fluid and device for carrying out this method

Номер патента: AU1931892A. Автор: Dominique Andre Pierre Hennequin,Alain Michel Houlmont,Georges Jean Alix Masclet. Владелец: Champagne Moet and Chandon SA. Дата публикации: 1993-01-07.

Method of and system for operating a vertical grinding mill

Номер патента: AU2022299643A1. Автор: Kellson Takenaka MENEZES,Mario Cesar Castro ARRUDA,Marlon Fábio Marques LINO,Mauro Alberto Castheloge ROSSI,Ricardo Oliveira COUTINHO. Владелец: Anglo American Minerio de Ferro Brasil SA. Дата публикации: 2024-02-01.

Bis(phosphine)-carbodicarbene catalyst complexes and methods of using the same

Номер патента: US20170029453A1. Автор: Courtney Roberts,Simon Meek,Matthew Goldfogel,Matthew Joannou. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL. Дата публикации: 2017-02-02.

Beverage and method of masking light-deterioration odor

Номер патента: US20240108033A1. Автор: Eri Ichikawa,Tomoko ISHIBIKI,Tomoe MIKI. Владелец: Asahi Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of arc-mechanized pulse welding

Номер патента: RU2641940C1. Автор: Владимир Петрович Сидоров. Владелец: Владимир Петрович Сидоров. Дата публикации: 2018-01-23.

Washing appliance and methods of using

Номер патента: US11931212B1. Автор: Rafal Chudzik,Kevin Johnson,Alex Carson,Chris Wolfbrandt,Blessan Joseph. Владелец: Innovative Health. Дата публикации: 2024-03-19.

Washing appliance and methods of using

Номер патента: US20240081944A1. Автор: Rafal Chudzik,Kevin Johnson,Alex Carson,Chris Wolfbrandt,Blessan Joseph. Владелец: Innovative Health. Дата публикации: 2024-03-14.

Washing appliance and methods of using

Номер патента: US11857383B2. Автор: Rafal Chudzik,Kevin Johnson,Alex Carson,Chris Wolfbrandt,Blessan Joseph. Владелец: Innovative Health. Дата публикации: 2024-01-02.

Washing appliance and methods of using

Номер патента: US20230240794A1. Автор: Rafal Chudzik,Kevin Johnson,Alex Carson,Chris Wolfbrandt,Blessan Joseph. Владелец: Innovative Health. Дата публикации: 2023-08-03.

Washing appliance and methods of using

Номер патента: WO2023150583A3. Автор: Rafal Chudzik,Kevin Johnson,Alex Carson,Chris Wolfbrandt,Blessan Joseph. Владелец: Innovative Health. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of and apparatus for electrical discharge machining with a vibrating wire electrode

Номер патента: US4205213A. Автор: Kiyoshi Inoue. Владелец: Inoue Japax Research Inc. Дата публикации: 1980-05-27.

Method of preparing metal-graphene-microporous graphitic carbon composite, metal-graphene-microporous graphitic carbon composite and hydrogen sensor device comprising the same

Номер патента: KR102324147B1. Автор: 주상우,바너지나라얀. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-11-08.

Liquid crystal aligning agent composition, method of preparing liquid crystal alignment film using the same, liquid crystal alignment film and liquid crystal display device comprising the same

Номер патента: TW201920366A. Автор: 金成九,閔盛晙,尹亨碩,尹陖榮,曺正鎬,權純湖,韓熙,朴訓緖. Владелец: 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司. Дата публикации: 2019-06-01.

Method of ac welding

Номер патента: CA2535145C. Автор: Nikhil Karogal,Rajeev Katiyar. Владелец: Lincoln Global Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Electrophoretic device comprising separation chamber, non-uniform electrode chamber, and a porous membrane between them

Номер патента: WO2004051247A3. Автор: David Strand,Dan M Leatzow. Владелец: Dan M Leatzow. Дата публикации: 2004-09-10.

Method of detecting defects, a silicon single crystal wafer using the same, method thereof and a semiconductor device

Номер патента: KR101383949B1. Автор: 박정길,황돈하. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2014-04-10.

Assay electrodes having immobilized lipid/protein layers, methods of making the same and methods of using the same for luminescence test measurements

Номер патента: CA2455932C. Автор: Douglas Woods,Robert M. Umek,Paula Denney Eason,Gargi Maheshwari,Anu Mathew. Владелец: MESO SCALE TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2011-02-22.

METHOD OF DESIGNING AND FABRICATING A MICROLENS ARRAY

Номер патента: US20180209030A1. Автор: WANG Qi,Ghosh Amalkumar P.,Ali Tariq,KHAYRULLIN Ilyas I.,TICE Kerry,WACYK IHOR,DONOGHUE Evan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

A kind of preparation method of multi-walled carbon nanotube/poly- L-Histidine modified glassy carbon electrode and its application in measurement hydroquinone

Номер патента: CN107102043B. Автор: 宋力,马建民,许春萱,宋梦梦,段香芝. Владелец: Xinyang Normal University. Дата публикации: 2019-07-02.

Method of electrophotography

Номер патента: US3928031A. Автор: Koichi Kinoshita. Владелец: Katsuragawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1975-12-23.

Method of multitiered automated growing plants in protected volume with regulated environment and multitiered automated device of conveyor type for growing plants in protected volume with regulated environment

Номер патента: RU2504950C1. Автор: Дахир Курманбиевич Семенов. Владелец: Дахир Курманбиевич Семенов. Дата публикации: 2014-01-27.

Polymer membrane and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2023046744A1. Автор: Lucas Johannes Anna Maria Beckers,Renatus Hendricus Maria Sanders. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2023-03-30.

Polymer membrane and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4405456A1. Автор: Lucas Johannes Anna Maria Beckers,Renatus Hendricus Maria Sanders. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-07-31.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Sensor and method of determining type tissue

Номер патента: RU2655021C1. Автор: КРИШНАН Моханкумар ВАЛИЯМБАТХ,ЛиньФан СЮЙ,ВОНГ Вэй Лик УИЛЛЬЯМ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-23.

Method of producing a mesh filter, a mesh filter and an ejector assembly comprising such a mesh filter

Номер патента: RU2740653C2. Автор: Франсуа КОРМАН. Владелец: Зодиак Аэротекникс. Дата публикации: 2021-01-19.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Programmable mask and method of fabricating biomolecule array using the same

Номер патента: US20080273128A1. Автор: Moon Youn Jung,Chang Auck Choi,Se Ho Park,Young Jun Kim,Dong Ho Shin,Hyeon Bong Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of temperature prediction at depth below well bottom

Номер патента: RU2717685C1. Автор: Вячеслав Валентинович Спичак,Ольга Константиновна Захарова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт физики Земли им. О.Ю. Шмидта Российской академии наук. Дата публикации: 2020-03-25.

Programmable mask and method of fabricating biomolecule array using the same

Номер патента: US20060030030A1. Автор: Young Kim,Se Park,Dong Shin,Chang Choi,Hyeon Pyo,Moon Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-02-09.

Method of producing fire-resistant textile materials from cellulose and synthetic fibres

Номер патента: RU2714084C1. Автор: Сергей Вениаминович Заикин,Елена Анатольевна Соловьева,Елена Владимировна Сильченко,Вадим Александрович Баранов,Арюхан Васильевна Цыбикдоржиева,Ирина Агзамовна Курмашова,Любовь Еелиевна Абросимова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты" (ЗАО ЦВМ "Армированные композиты"). Дата публикации: 2020-02-11.

Poled fiber, a method of fabricating the poled fiber, and a dispersion compensator

Номер патента: US6845201B2. Автор: Sahnggi Park,Jongbae Kim,Yonggyu Choi,Jungjin Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-01-18.

Method of fabrication polymer waveguide

Номер патента: US09910217B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Chun-Hao Tseng,Wan-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of connecting tissue from ultrahigh molecular weight polyethylene and an article comprising such a compound

Номер патента: RU2685816C1. Автор: Алексей Юрьевич Гетман. Владелец: Алексей Юрьевич Гетман. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of fabricating a liquid crystal display device and a liquid crystal display device

Номер патента: US20220197084A1. Автор: Michel Sagardoyburu,Simon Springer. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2022-06-23.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of fabricating a free-standing microstructure

Номер патента: WO2006036518A2. Автор: Clarence Chui,Jeffrey B. Sampsell. Владелец: Idc, Llc. Дата публикации: 2006-04-06.

Reservoir, device containing such reservoir, use of such device and method of applying product on nails

Номер патента: RU2529388C2. Автор: Жан-Франсуа ТРАНШАН,Марк ШЕВАЛЬЕ,Жюли ЭПИ,Морган САРТУ. Владелец: Л В М Х Решерш. Дата публикации: 2014-09-27.

Piezoelectric micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same

Номер патента: US11759823B2. Автор: You Qian,Rakesh Kumar,Jia Jie Xia. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Medical leads with segmented electrodes and methods of fabrication thereof

Номер патента: US12064617B2. Автор: Kevin Wilson,Jeffrey Mitchell,Ryan Sefkow,John R. Gonzalez,Christopher A. Crawford,Raymond P. Bray. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200143010A1. Автор: Kang-Min Jung,Sangtae Kim,Bong-Soo Kang,Sooyong Lee,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

A method of fabrication of thermally expanded core in polarization-maintaining optical fibre, polarization-maintaining optical fibre with a thermally expanded core, use thereof, a method of fabrication a mode-field adapter and a fibre mode-field adapter

Номер патента: EP4459338A1. Автор: Katarzyna KRUPA,Yuriy Stepanenko,Mateusz PIELACH,Agnieszka JAMROZIK. Владелец: Instytut Chemii Fizycznej of PAN. Дата публикации: 2024-11-06.

High-contact density electrode and fabrication technique for an implantable cuff design

Номер патента: US09980645B1. Автор: Dominique M. Durand,Brian Wodlinger. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-29.

Medical leads with segmented electrodes and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09370653B2. Автор: Kevin Wilson,Jeffrey Mitchell,Ryan Sefkow,John R. Gonzalez,Christopher A. Crawford,Raymond P. Bray. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Automatic device and method of mechanical testing of usb-devices

Номер патента: RU2731451C1. Автор: Юрий Викторович Тафинцев,Илья Алексеевич Зотов,Константин Анатольевич Черников. Владелец: Акционерное общество "Актив-софт". Дата публикации: 2020-09-03.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Liquid crystal materials, methods of fabricating liquid crystal display panels and liquid crystal display panels

Номер патента: US20180105750A1. Автор: Song LAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Method of fabricating a spar for a blade, and a method of fabricating a blade

Номер патента: US09950478B2. Автор: Jacques Gaffiero,Andre Amari,Benedicte Rinaldi. Владелец: Airbus Helicopters SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of determining charge state of atoms in subnanolayer films on surface of metals and semiconductors

Номер патента: RU2509299C1. Автор: Степан Степанович Волков,Сергей Васильевич Николин,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Алевтина Анатольевна Аристархова,Татьяна Ивановна Китаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-03-10.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of activating coal particles in vertical axially symmetrical annular chamber

Номер патента: RU2499035C1. Автор: Владимир Валентинович Осинцев,Евгений Васильевич Торопов,Константин Владимирович Осинцев,Ахмет Курманбекович Джундубаев,Тулеуген Ашикбаевич Акбаев,Сергей Павлович Ким,Гали Такимович Альмусин,Владимир Иванович Богаткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет" (национальный исследовательский университет) (ФГБОУ ВПО "ЮУрГУ" (НИУ)). Дата публикации: 2013-11-20.

Method of making vertical connection of a vertical shaft with horizontal or slanted headings

Номер патента: PL265426A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1988-06-09.

METHOD OF ARC WELDING COATED WITH A VERTICAL SEAM ELECTRODE BY "UP-DOWN" METHOD

Номер патента: RU2004123473A. Автор: Андрей Александрович Морозов,Виталий Сергеевич Милютин,Алексей Владимирович Дмитриенко,Виталий Сергеевич Милютин (RU),Андрей Александрович Морозов (RU),Алексей Владимирович Дмитриенко (RU). Владелец: ЗАО "Уралтермосвар" (RU). Дата публикации: 2006-02-10.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric

Номер патента: GB201418427D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2014-12-03.

METHODS OF MANUFACTURING GATES FOR PREVENTING SHORTS BETWEEN THE GATES AND SELF-ALIGNED CONTACTS AND SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THE SAME

Номер патента: US20130015532A1. Автор: KIM Ju Youn,Kim Jedon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

Manufacturing method of mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, mask blank, transfer mask and semiconductor device

Номер патента: JP6803186B2. Автор: 敏彦 若杉. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-12-23.

The method of fastening the mating of a vertical shaft with a horizontal near-barrel yard, with the span of the latter exceeding the diameter of the trunk

Номер патента: SU120200A1. Автор: Г.М. Цейтлин,Н.И. Лисицын,И.Н. Варшавский,С.П. Коптилов,Я.И. Тютюнник. Владелец: Я.И. Тютюнник. Дата публикации: 1958-11-30.

Method of compensating axial displacements of a vertically arranged spindle of a metal cutting machine caused by thermal deformation of machine elements

Номер патента: RU2016138718A. Автор: Александр Павлович Кузнецов,Алексей Олегович Дорожко,Руслан Энверович Асанов,Яна Азатовна Талипова,Анна Викторовна Каляшина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2018-04-02.

Method of constructing the bottom of a vertical mine working

Номер патента: SU898078A1. Автор: Николай Максимович Шмагин,Вячеслав Федорович Пьянов,Напо Шалвович Тодуа,Заури Несторович Бераия. Владелец: Передвижная Механизированная Колонна N2 Треста "Колхидстрой" Министерства Мелиорации И Водного Хозяйства Ссср. Дата публикации: 1982-01-15.

Production method of salt-baked quicklime in a vertical firing furnace.

Номер патента: JP5064203B2. Автор: 律雄 但馬,泰宏 大月,尚啓 中山,龍夫 江藤. Владелец: 中山石灰工業株式会社. Дата публикации: 2012-10-31.

The method of lifting lengthy structures in a vertical position

Номер патента: SU450777A1. Автор: Климентий Константинович Котов,Юрий Григорьевич Недовесов. Владелец: Краснодарский филиал Всесоюзного научно-исследовательского института по монтажным и специальным строительным работам. Дата публикации: 1974-11-25.

POLYMER HAVING SILPHENYLENE AND SILOXANE STRUCTURES, A METHOD OF PREPARING THE SAME, AN ADHESIVE COMPOSITION, AN ADHESIVE SHEET, A PROTECTIVE MATERIAL FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299203A1. Автор: Kondo Kazunori,SUGO Michihiro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

Preventive method of a fading and corrosion the metallic layer for forming a bonding pad of a semiconductor device

Номер патента: KR930010341B1. Автор: 김이주. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-10-16.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric.

Номер патента: GB201518419D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2015-12-02.

Method of providing surface layers side by side on a carrier, preferably for the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: CA767335A. Автор: S. Te Velde Ties,W.M.T. Van Helden Gertruda. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1967-09-12.

Preparation method of reduced graphene-polyaniline-o-aminophenol-palladium compound modified glassy carbon electrode and application thereof in detection of bromate in water body

Номер патента: CN103558274A. Автор: 张娅,王宏归,温芳芳,徐赛赛,赵彦花. Владелец: Yangzhou University. Дата публикации: 2014-02-05.

Improvements in or relating toa device comprising an electron valve having an electrode which forms part ofthe walland ofwhich the boundary is mainly a flat surface

Номер патента: AU227664B2. Автор: Lambert Van Lidth De Jeude and Antonius Franciscus Van Den Bogaard Johan. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1959-10-08.

Improvements in or relating toa device comprising an electron valve having an electrode which forms part ofthe walland ofwhich the boundary is mainly a flat surface

Номер патента: AU4756959A. Автор: Lambert Van Lidth De Jeude and Antonius Franciscus Van Den Bogaard Johan. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1959-10-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE COMPRISING HYDROXAMIC ACID OR A SALT THEREOF AS ADDITIVE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120000533A1. Автор: Erk Peter,Reichelt Helmut,Schoeneboom Jan,PSCHIRER Neil Gregory,Eickemeyer Felix,Sens Rüdiger,BERGMANN Hermann. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Fullerene Derivatives and Organic Electronic Device Comprising the Same

Номер патента: US20120004476A1. Автор: KIM Dong Wook,LIM Hyun Seok,LEE Jaemin,JUNG Jae Wook,Yoon Sung Cheol,Lim Jongsun,Lee Chang Jin,KANG YONGKU,NAM So Youn. Владелец: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Electrosurgical Devices with Wire Electrode And Methods of Use Thereof

Номер патента: US20120004657A1. Автор: . Владелец: Salient Surgical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROCESSING 3D IMAGES, AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20120001904A1. Автор: EYMARD FRANKIE. Владелец: STMICROELECTRONICS (GRENOBLE 2) SAS. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabricating uniform layer of graphitic carbon nitride (g-c3n4) on conductive substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: MY190658A. Автор: Asri Mat Teridi Mohd,Ahmad Ludin Norasikin,Fazli Ismail Aznan,Aida Mohamed Nurul,Safaei Javad,Adib Ibrahim Mohd. Владелец: Univ Kebangsaan Malaysia. Дата публикации: 2022-05-09.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining hydrogen and products of oxidation of aluminium and device to this end

Номер патента: RU2342470C2. Автор: Игорь Николаевич Могилевский. Владелец: Игорь Николаевич Могилевский. Дата публикации: 2008-12-27.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Injecting a Feed Gas Stream into a Vertically Extended Column of Liquid

Номер патента: US20120003707A1. Автор: Hickey Robert,Neville Mark. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Metal pallet and method of making same

Номер патента: US20120000401A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL DEVICE FOR VEHICLE LAMP, VEHICLE LAMP, AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE LAMP

Номер патента: US20120002430A1. Автор: Yamazaki Masashi,GOTO Kazuo,TOMONO Toshikazu. Владелец: KOITO MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of homogeneous fluids distillation and fluid mixes separation, and device to this end

Номер патента: RU2408539C2. Автор: Евгений Анатольевич Чиннов,Олег Александрович Кабов,Ирина Алексеевна Шарина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2011-01-10.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY DEVICE COMPRISING MULTIFUNCTION GLASS, PRODUCTION METHOD, AND OPTICAL ELEMENT HAVING A FRESNEL STRUCTURE

Номер патента: US20120002295A1. Автор: . Владелец: CARL ZEISS AG. Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing multilayer contour-profiled tissue

Номер патента: RU2466219C1. Автор: Владимир Терентьевич Сергеев,Ирина Юрьевна Павлихина,Марина Николаевна Никулина,Татьяна Леонидовна Доброва. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТРИ-Д". Дата публикации: 2012-11-10.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimation of Traffic Information, Device of Estimation of Traffic Information and Car Navigation Device

Номер патента: US20120004836A1. Автор: . Владелец: Xanavi Informatics Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabricating helical rotor pump stator

Номер патента: RU2325557C1. Автор: Виталий Григорьевич Тамурка,Аркадий Николаевич Карпов,Александр Владимирович Алтынов,Марина Владимировна Алтынова,Олег Аркадьевич Карпов,Виталий Григорьевич Тамурка (RU),Александр Владимирович Алтынов (RU),Марина Владимировна Алтынова (RU),Аркадий Николаевич Карпов (RU),Олег Аркадьевич Карпов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральное научно-конструкторское бюро" (ФГУП "ЦНКБ"). Дата публикации: 2008-05-27.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ION MOBILITY SPECTROMETRY SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20120004862A1. Автор: Davis Eric J.,Hill,JR. Herbert H.. Владелец: WASHINGTON STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining values of parameters of a discharge circuit with a capacitive energy accumulator loaded on a gas-discharge interelectrode gap, which provide maximum energy efficiency of producing nanoparticles in a pulsed gas discharge

Номер патента: RU2704566C1. Автор: Виктор Владимирович Иванов,Алексей Анатольевич Ефимов,Владислав Игоревич Борисов,Дмитрий Александрович Мыльников. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2019-10-29.

Method of fabricating panels for large-block construction and device to this end

Номер патента: RU2454321C2. Автор: Владимир Александрович Парамошко. Владелец: Владимир Александрович Парамошко. Дата публикации: 2012-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.