• Главная
  • ANALYTICAL MODEL FOR PREDICTING CURRENT MISMATCH IN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ARRAYS

ANALYTICAL MODEL FOR PREDICTING CURRENT MISMATCH IN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ARRAYS

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Systems and methods for predictive signaling analytics in high-speed data links

Номер патента: US20240028448A1. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Bhavesh Govindbhai Patel,Arun Chada. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-25.

Scalable and secure analytic model integration and deployment platform

Номер патента: US20190129700A1. Автор: Arun Karthi SUBRAMANIYAN,Alexandre IANKOULSKI,John LAZOS. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-05-02.

Streamlined analytic model training and scoring system

Номер патента: US09934260B2. Автор: Georges H. Guirguis,Dominique J. Latour,Robert S. Ray. Владелец: SAS Institute Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Optimized deployment of analytic models in an edge topology

Номер патента: WO2021229345A1. Автор: Florian Pinel,Russell Patrick Bobbitt,Donna BYRON. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-11-18.

Analytic model lifecycle maintenance and invalidation policies

Номер патента: US09773081B2. Автор: Brenda Dietrich,Chidanand Apte,Kevin McAuliffe,Bonnie Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Adaptive Updating of Dynamically Changing Analytical Model

Номер патента: US20240338475A1. Автор: Devicharan Vinnakota,Priyanka Kommanapalli,Sai Sunanda D,Mohd Bilal. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2024-10-10.

Predictive analytics model management using collaborative filtering

Номер патента: US20220004174A1. Автор: Rajesh Poornachandran,Rita H. Wouhaybi,Samudyatha C. Kaira. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Optimized deployment of analytic models in an edge topology

Номер патента: AU2021269911B2. Автор: Florian Pinel,Russell Patrick Bobbitt,Donna BYRON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Optimized deployment of analytic models in an edge topology

Номер патента: US20210360082A1. Автор: Donna K. Byron,Florian Pinel,Russell Patrick Bobbitt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Optimized deployment of analytic models in an edge topology

Номер патента: GB2610969A. Автор: Pinel Florian,Patrick Bobbitt Russell,Byron Donna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Scalable and secure analytic model integration and deployment platform

Номер патента: US10628145B2. Автор: Arun Karthi SUBRAMANIYAN,Alexandre IANKOULSKI,John LAZOS. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-21.

Scalable and secure analytic model integration and deployment platform

Номер патента: US20180121183A1. Автор: Arun Karthi SUBRAMANIYAN,Alexandre IANKOULSKI,John LAZOS. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-05-03.

Automatically training an analytical model

Номер патента: US20220164696A1. Автор: Xue Li,Bing Liu,Yun Zhou,Dimas GONZALES,Yunjin SUN,Ruikai CAO,Ryan Cole. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2022-05-26.

Resilient analytical model in a data streaming application

Номер патента: US20170351567A1. Автор: James E. Cancilla,Mary M.L. Komor,Samantha K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Optimized deployment of analytic models in an edge topology

Номер патента: AU2021269911A1. Автор: Florian Pinel,Russell Patrick Bobbitt,Donna BYRON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

A method and a system to generate a user interface for analytical models

Номер патента: WO2013050958A1. Автор: Sumit Kumar BARDHAN. Владелец: Predictive Analytics Solutions Pvt.Ltd.. Дата публикации: 2013-04-11.

System and method for deploying a data analytics model in a target environment

Номер патента: US20190272471A1. Автор: Parveen Kumar JAIN,Arvind MAURYA,Vidhi BAJAJ. Владелец: HCL Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Computer-implemented generation of an analytical model of a structure

Номер патента: US12001763B2. Автор: Chloë GUIDI,Jürgen DE ZAEYTIJD,Tjerk Gauderis. Владелец: BRICSYS NV. Дата публикации: 2024-06-04.

A method of generating an analytical data set for input into an analytical model

Номер патента: EP2321742A1. Автор: Erik Marcade. Владелец: Kxen France. Дата публикации: 2011-05-18.

Determining analytical model accuracy with perturbation response

Номер патента: US20230325469A1. Автор: Pin-Yu Chen,Payel Das,Brian Leo Quanz,Yair Zvi Schiff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Analytical model training for a machine impeller control system

Номер патента: WO2020167594A1. Автор: Benjamin J. Hodel,Jeffrey K. Berry. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Systems and techniques for predictive data analytics

Номер патента: US09652714B2. Автор: Timothy Owen,Jeremy Achin,Thomas DeGodoy,Xavier Conort. Владелец: Datarobot Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Prioritizing execution of multiple groups of analytic models

Номер патента: EP3885849A1. Автор: Shekar Bharathi. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2021-09-29.

Training or using sets of explainable machine-learning modeling algorithms for predicting timing of events

Номер патента: AU2019264923B2. Автор: Michael McBurnett,Jeffery Dugger. Владелец: Equifax Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for evaluating models for predictive failure of renewable energy assets

Номер патента: AU2024204986A1. Автор: Younghun Kim,Yajuan WANG,Gabor Solymosi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-level power supply system for a complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20100201403A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Louis L. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Shortlist selection model for active learning

Номер патента: US12094578B2. Автор: Dean PLUMBLEY,Marwin Hans Siegfried SEGLER. Владелец: BenevolentAI Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Augmented reliability models for design and manufacturing

Номер патента: US12079554B2. Автор: Shaul TEPLINSKY,Dan SEBBAN,Craig Hillman,Ashok Alagappan. Владелец: Optimal Plus Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for predicting a geophysical model of a subterranean region of interest

Номер патента: US20230288589A1. Автор: Daniele Colombo,Diego Rovetta. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-09-14.

Process-based diagenetic modeling for clastic reservoir quality prediction

Номер патента: US20240370613A1. Автор: WEI Wei,Peng Lu,Xiaoxi Wang. Владелец: Aramco Far East Beijing Business Services Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Model for predicting distress on a component

Номер патента: US20200209843A1. Автор: Vasanth Muralidharan,Srikanth Akkaram,Michael Howard Fisher,Karan OBEROI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Depletion modeling for estimating survey completeness by region

Номер патента: EP4409431A1. Автор: Chris Shughrue. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

A Method For Predicting Inductance And Self-Resonant Frequency Of A Spiral Inductor

Номер патента: US20070214442A1. Автор: Yu-Ting Cheng,Chien-Chang Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2007-09-13.

Method for predicting inductance and self-resonant frequency of a spiral inductor

Номер патента: US7451415B2. Автор: Yu-Ting Cheng,Chien-Chang Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2008-11-11.

Machine learning model for image forgery detection

Номер патента: US20240320471A1. Автор: Jiyi Zhang,Zhe Chen,Quan Jin Ferdinand Tang,Jiazheng Zhang,Panpan Qi. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and techniques for predictive data analytics

Номер патента: GB2541625A. Автор: Owen Timothy,Achin Jeremy,DeGodoy Thomas,Conort Xavier. Владелец: Datarobot Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

Machine-implemented analytical model for group benefits growth score

Номер патента: US20230177542A1. Автор: Joel Rosenberg,Peter Larson,Cory Knepper. Владелец: Principal Financial Services Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Systems and methods for predictive heart valve simulation

Номер патента: US20190298450A1. Автор: Amirsepehr AZIMIAN,Lakshmi Dasi. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2019-10-03.

Systems and methods for predictive heart valve simulation

Номер патента: EP3522781A1. Автор: Amirsepehr AZIMIAN,Lakshmi Dasi. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2019-08-14.

Using analytical models to inform policy decisions

Номер патента: US20140173075A1. Автор: Yan Liu,Paul C. Davis,Zhi Fu,Kabe Vanderbaan. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Initiating cardswap based on analytic model indicating third party card reissuance

Номер патента: US20210117988A1. Автор: James Kresge. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Using analytical models to inform policy decisions

Номер патента: WO2014100107A3. Автор: Yan Liu,Paul C. Davis,Zhi Fu,Kabe Vanderbaan. Владелец: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-18.

Using analytical models to inform policy decisions

Номер патента: WO2014100107A2. Автор: Yan Liu,Paul C. Davis,Zhi Fu,Kabe Vanderbaan. Владелец: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

A method for collaborative machine learning of analytical models

Номер патента: US20210065077A1. Автор: Jan-Gregor Fischer,Denis Krompaß,Josep Soler Garrido. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-03-04.

A method for collaborative machine learning of analytical models

Номер патента: EP3721389A1. Автор: Jan-Gregor Fischer,Denis Krompaß,Josep Soler Garrido. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-10-14.

A method for collaborative machine learning of analytical models

Номер патента: WO2019145082A1. Автор: Jan-Gregor Fischer,Denis Krompaß,Josep Soler Garrido. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-08-01.

A Method and System for Predicting Demand for Affordable Housing

Номер патента: LU506842B1. Автор: ZHANG Yahui. Владелец: Gansu Institute Of Architectural Design And Res Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Controlling ecommerce authentication with non-linear analytical models

Номер патента: US09552582B2. Автор: Paul C Dulany,Revathi Subramanian,Hongrui Gong,Kannan Shashank Shah. Владелец: CA Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for predicting tag arrival rate of mobile rfid system

Номер патента: US20210182513A1. Автор: Honghui Li,Xueliang FU,Liqian ZHANG. Владелец: Inner Mongolia Agricultural University. Дата публикации: 2021-06-17.

Method and electronic device for predicting at least one macroeconomic variable

Номер патента: US20210312483A1. Автор: David NEWSAM,Mohit Maheshwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-07.

Systems and methods for predicting healthcare provider specialties

Номер патента: US20230162846A1. Автор: Prasoon Saurabh,Adam Floyd Hannon,Saurav Kumar Subedi,Bridget Elise Morales. Владелец: Codoxo Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Systems and methods for predicting healthcare provider specialties

Номер патента: CA3182198A1. Автор: Prasoon Saurabh,Adam Floyd Hannon,Saurav Kumar Subedi,Bridget Elise Morales. Владелец: Codoxo Inc. Дата публикации: 2023-05-19.

Machine Learning for Predicting Incremental Changes in Session Data

Номер патента: US20240242107A1. Автор: Ming Sun,Teresa Chaisiri. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Machine learning for predicting incremental changes in session data

Номер патента: WO2023249640A1. Автор: Ming Sun,Teresa Chaisiri. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

System and method for prediction of residential real-estate values

Номер патента: WO2023053112A1. Автор: Peleg DAVIDOVITZ. Владелец: Propdo Ltd.. Дата публикации: 2023-04-06.

Collaborative multitask and transfer learning for predicting properties with scarce data

Номер патента: US20240265267A1. Автор: Adama TANDIA,Zheren Wang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

A generalizable and interpretable deep learning framework for predicting msi from histopathology slide images

Номер патента: EP3794551A1. Автор: Aly Azeem KHAN. Владелец: Tempus Labs Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Prognostic models for predicting fibrosis development

Номер патента: US20240331877A1. Автор: Siqing Yu,Andreas Maunz,Julio HERNANDEZ SANCHEZ,Beatriz GARCIA GARCIA. Владелец: Hoffmann La Roche Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Prognostic models for predicting fibrosis development

Номер патента: EP4449349A1. Автор: Siqing Yu,Andreas Maunz,Julio HERNANDEZ SANCHEZ,Beatriz GARCIA GARCIA. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2024-10-23.

Method and system for predicting demand for supply chain

Номер патента: US20230342796A1. Автор: Sreekumar Choyarmadathil,Manoj Madhusudhanan,Rohan MADHUSUDHANAN,Uday Singh KEITH. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

System and method for predicting future purchases based on payment instruments used

Номер патента: EP3637350A1. Автор: Gurpreet Singh BHASIN. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2020-04-15.

System and method for predicting subject enrollment

Номер патента: US12125563B2. Автор: Michael Elashoff,Hrishikesh Karvir,Fanyi Zhang,Jingshu Liu,Christopher Bound. Владелец: Medidata Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method and device for predicting the movement of another vehicle

Номер патента: RU2770230C1. Автор: Синья ТАНАКА,Соити ТАКЕИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for predicting wave energy based on improved GRU

Номер патента: US20220374681A1. Автор: Jinhua Li,Zhihan Lv,Ranran Lou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for predicting typhoon track

Номер патента: AU2021105840A4. Автор: Jinyu Chen,Hui TAO. Владелец: Xinjiang Institute of Ecology and Geography of CAS. Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus for determining the activity of oxygen in metals, metal oxides and molten slag

Номер патента: FR1379346A. Автор: . Владелец: Max Planck Institut fuer Eisenforschung. Дата публикации: 1964-11-20.

MEASURING ELECTRODE IN METAL / METAL OXIDE FOR MEASURING THE PH

Номер патента: FR2578327A1. Автор: Uvo Holscher. Владелец: Draegerwerk AG and Co KGaA. Дата публикации: 1986-09-05.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

An apparatus and a method for predicting a fault current

Номер патента: WO2006043871A1. Автор: Richard Thomas. Владелец: ABB TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Control-oriented models for building control and energy management

Номер патента: WO2012162332A1. Автор: Dong Wei,Yan Lu,Zhen Song,Kun Ji,Linxia Liao. Владелец: Siemens Corporation. Дата публикации: 2012-11-29.

Display device using an oxide semiconductor

Номер патента: US09530896B2. Автор: Norihiro Uemura,Yohei Yamaguchi,Hidekazu Miyake,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for predicting future travel time on link

Номер патента: WO2014077083A1. Автор: Daniel Nikovski. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2014-05-22.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Tin based p-type oxide semiconductor and thin film transistor applications

Номер патента: US09647135B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for prediction of risk of severe adverse cardiac events

Номер патента: RU2727022C2. Автор: Андреас БЕРГМАНН,Леон НГ. Владелец: Сфинготек Гмбх. Дата публикации: 2020-07-17.

Predictive models for infectious diseases

Номер патента: WO2022213024A1. Автор: Antarpreet S. JUTLA,Moiz USMANI,Rita COLWELL. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2022-10-06.

Two-Tier Prognostic Model for Explainable Remaining Useful Life Prediction

Номер патента: US20240210913A1. Автор: HAO LU,Chao Hu,Andrew T. Zimmerman,Venkat Pavan Nemani. Владелец: Percev LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

A computer-implemented model for predicting occurrence of a seizure and training method thereof

Номер патента: US20240023879A1. Автор: Mario Chavez,Vincent NAVARRO,Louis COUSYN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

A potential method, system, device, and medium for predicting potential drug interactions

Номер патента: ZA202400615B. Автор: YU Wei,Lei Wang,Zhengwei Li,Mengmeng Wei,Meineng Wang. Владелец: Univ China Mining. Дата публикации: 2024-07-31.

A method, including modelling, for determining physical parameters of a sample

Номер патента: GB2354590A. Автор: Marc Fleury,Patrick Egermann,Elodie Goglin. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2001-03-28.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20180059051A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-03-01.

Photo-annealing in metal oxide sensors

Номер патента: EP3969888A1. Автор: Claudio Zuliani. Владелец: Sciosense BV. Дата публикации: 2022-03-23.

Photo-annealing in metal oxide sensors

Номер патента: WO2020229263A1. Автор: Claudio Zuliani. Владелец: Sciosense B.V.. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for predicting a seismic model

Номер патента: US20230288592A1. Автор: Weichang Li,Daniele Colombo,Diego Rovetta,Ersan Turkoglu. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-09-14.

Method For Predicting Protein Binding Site

Номер патента: US20240282408A1. Автор: Daeseok LEE,Bonggun SHIN,Jeunghyun BYUN. Владелец: Deargen Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Gas sensor having metal-oxide semiconductor layer

Номер патента: US5250170A. Автор: Wasaburo Ohta,Shinji Yagawara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-05.

Method and computer program product for prediction of a patient's precise date of ovulation

Номер патента: WO2024062475A3. Автор: Rohi HOURVITZ,Almog LUZ. Владелец: FertilAI Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for predicting possibility of immunotherapy for colorectal cancer patient

Номер патента: US20230245715A1. Автор: Jung Ho Kim,Sungjin Park,Seungyoon Nam,Jungsuk An. Владелец: Gil Medical Center. Дата публикации: 2023-08-03.

Metal oxide gas sensor array devices, systems, and associated methods

Номер патента: EP3237896A1. Автор: Noureddine Tayebi,Pradyumna SINGH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

System and method for predicting lucidity level

Номер патента: EP3349652A1. Автор: Mladen Milosevic,Matthew Len LEE,Portia E. SINGH. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-07-25.

Method and apparatus for generating data to train models for predicting intent from conversations

Номер патента: US20240296831A1. Автор: Gideon Hollander. Владелец: Uniphore Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Device and method for predicting person's temperature

Номер патента: RU2413187C2. Автор: Роберт Д. БАТТЕРФИЛД. Владелец: Кэафьюжн 303, Инк.. Дата публикации: 2011-02-27.

Method for predicting lattice defect in metal-organic framework membrane

Номер патента: US11971340B1. Автор: Gongping Liu,Wanqin Jin,Guozhen Liu. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for predicting reliability of semiconductor device

Номер патента: US20220260504A1. Автор: Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for predicting generated amount of silica scale

Номер патента: US20240027328A1. Автор: Takayuki Hirose,Azusa Wada,Shinya Ui,Tianlong Jiang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Gas detection device and gas detection method using metal-oxide semiconductor gas sensor

Номер патента: US11698356B2. Автор: Kuniyuki IZAWA. Владелец: Figaro Engineering Inc. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US12107125B2. Автор: Ryohei KANNO. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Laterally diffused metal oxide semiconductor and field drift metal oxide semiconductor

Номер патента: US09660072B2. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240234591A9. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US20240282785A1. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Self-aligned metal oxide thin-film transistor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564536B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: CA2009067A1. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-21.

Method of manufacturing oxide semiconductor

Номер патента: US20210036224A1. Автор: Joosung KIM,Dongsu Kim,Hyungkoun CHO,Youngdae YUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-04.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20220199859A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Metal-oxide thin-film transistor, array base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240297256A1. Автор: Lizhong Wang,Dongfang Wang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-aligned metal oxide TFT with reduced number of masks and with reduced power consumption

Номер патента: US09614102B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

A method of passivating surface effects in metal oxide layers and devices comprising thereof

Номер патента: US20240224553A1. Автор: Morten Madsen,Mehrad AHMADPOUR. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2024-07-04.

Electromechanical effect in metal oxides

Номер патента: EP2625729A2. Автор: Harry L. Tuller,Igor Lubomirsky,Anna Kossoy,Roman Korobko. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Electromechanical effect in metal oxides

Номер патента: US20130207513A1. Автор: Harry L. Tuller,Igor Lubomirsky,Anna Kossoy,Roman Korobko. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Complementary metal-oxide-semiconductor depth sensor element

Номер патента: US09859313B2. Автор: Tom Chang,Kao-Pin Wu. Владелец: Eminent Electronic Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Metal oxide processing methods and systems

Номер патента: WO2005011847A8. Автор: Charles F Hammel,Richard M Boren. Владелец: Enviroscrub Technologies Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US6150276A. Автор: Gary Hong,Claymens Lee. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Method for fabicating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20070134882A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Double self-aligned metal oxide tft

Номер патента: EP2812907A1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2014-12-17.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal oxide TFT with improved stability and mobility

Номер патента: US09773918B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong,Juergen Musolf. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20130109199A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US10615028B2. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20150255268A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

N-type metal oxide semiconductor spectrally sensitized with a cationic spectral sensitizer

Номер патента: WO2004025674A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Paul Callant. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor device and metal-oxide-semiconductor capacitor structure

Номер патента: US20220020684A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9257534B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Electroactive materials for use in metal-Ion batteries

Номер патента: GB2587327A. Автор: Gregory Taylor Richard,A Mason Charles. Владелец: Nexeon Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Self-Protected Drain-extended metal-oxide-semiconductor Transistor

Номер патента: US20130264608A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Alain Loiseau,Junjun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: EP3712305A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20120313084A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: EP1540679A1. Автор: Hieronymus AGFA-GEVAERT ANDRIESSEN,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: Agfa Gevaert AG. Дата публикации: 2005-06-15.

Trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: WO2011059782A3. Автор: Naveen Tipirneni,Deva N. Pattanayak. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2011-08-25.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060138560A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240105839A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Linearity and dynamic range for complementary metal oxide semiconductor active pixel image sensors

Номер патента: US20020121589A1. Автор: Robert Guidash. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-05.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9484422B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210091266A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Laterally diffused metal-oxide- semiconductor structure

Номер патента: US20240072163A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials

Номер патента: US20200231459A1. Автор: Ariel Antonio Franco,Ronen Sarusi. Владелец: Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US12046624B2. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130168767A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou,Ming-Yong Jian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Time delay integration structure for complementary metal-oxide semiconductor imaging sensor

Номер патента: US20210327952A1. Автор: Robert Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067614A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100090284A1. Автор: Cheng-Yu Fang,Yen-Wei Liao,sheng-yuan Yang. Владелец: Advanced Analog Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20180131232A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-10.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20190238004A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-08-01.

Method And System For A Complementary Metal Oxide Semiconductor Wireless Power Receiver

Номер патента: US20210143679A1. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-05-13.

Variation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Номер патента: US20130049140A1. Автор: Asen ASENOV,Gareth Roy. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US10826330B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US09954019B2. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and system for a complementary metal oxide semiconductor wireless power receiver

Номер патента: US09685793B2. Автор: Glenn Gulak,Meysam Zargham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Metal oxide semiconductor structure

Номер патента: US09595486B2. Автор: Chung-Chin Huang,Ted-Hong Shinn,Chin-Wen Lin,Chuan-I HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Complementary metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543303B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-01-10.

Fabricating method of trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09525037B2. Автор: Chun-Hong Peng,Yu-Hsi LAI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensors

Номер патента: US09508771B2. Автор: Jungchak Ahn,Seungwook Lee,Youngwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device with isolation

Номер патента: US4870471A. Автор: Isao Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Selective metal/metal oxide etch process

Номер патента: GB2537549A. Автор: VERMEULEN Paul,Allen Craig. Владелец: Sachem Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Amorphous metal oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US11894429B2. Автор: Shinichi Maeda,Yoshiomi Hiroi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US12002822B2. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for predicting a fluid type of a reservoir fluid

Номер патента: GB2625748A. Автор: Yang Tao. Владелец: Equinor Energy AS. Дата публикации: 2024-07-03.

Current-mismatch compensated charge pump for phase-locked loop applications

Номер патента: WO2022125188A2. Автор: HAO WANG,Omeed Momeni. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-06-16.

Metal oxide semiconductor transistor with reduced gate height, and related fabrication methods

Номер патента: US7960229B2. Автор: Scott Luning,Rohit Pal,Frank Bin YANG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its method of fabrication

Номер патента: US5498556A. Автор: Gary Hong,Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) device and method for fabricating the same

Номер патента: US9059202B2. Автор: Yan Jin. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Silicon gigabit metal-oxide-semiconductor device processing

Номер патента: CA1216374A. Автор: Ping K. Ko. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-01-06.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a cold source

Номер патента: US20210210639A1. Автор: Jian Wang,Fei Liu,Hong Guo. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: US20210351321A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: WO2021229356A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Metal oxide semiconductor-based light emitting device

Номер патента: EP4150680A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20120091527A1. Автор: Budong You. Владелец: SILERGY TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-04-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240014255A1. Автор: Hojung Lee,Seung Yup Jang,Jaemoo KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method for reducing plasma damage to a gate oxide of a metal-oxide semiconductor wafer

Номер патента: US20020155680A1. Автор: Yi-Fan Chen,Shou-Kong Fan,Chi-King Pu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285417A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Self-aligned channel metal oxide semiconductor (mos) device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240096963A1. Автор: Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240136448A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Metal-oxide-semiconductor capacitor

Номер патента: WO2024086220A1. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: KYOCERA AVX Components Corporation. Дата публикации: 2024-04-25.

Double diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130313641A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-28.

Method and System For Predicting An Energy-Related Metric of a Building

Номер патента: US20240243574A1. Автор: Winston L. MORTON. Владелец: Climatve Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabricating improved complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: CA1166361A. Автор: Robert F. Pfeifer,Murray L. Trudel. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for fabricating metal oxide semiconductor with lightly doped drain

Номер патента: US20060205126A1. Автор: Shih-Yi Yen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-09-14.

Metal oxide nanowires in supported nanoparticle catalysis

Номер патента: US11879176B2. Автор: Christopher Koenigsmann,Alexander Charles Santulli. Владелец: FORDHAM UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-23.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Current-mismatch compensated charge pump for phase-locked loop applications

Номер патента: WO2022125188A3. Автор: HAO WANG,Omeed Momeni. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of forming metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20100261323A1. Автор: Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-14.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: US20230317815A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: EP4290585A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

High performance laterally-diffused metal-oxide semiconductor structure

Номер патента: US20240030341A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11949010B2. Автор: Budong You,Chunxin Xia. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Current-mismatch compensated charge pump for phase-locked loop applications

Номер патента: US20230370072A1. Автор: HAO WANG,Omeed Momeni. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-11-16.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: EP4254510A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Metal oxide semiconductor with multiple drain vias

Номер патента: US20230402515A1. Автор: Chih-Hung Chang,Chung-Hsiung Ho,Chi-Hsueh Li. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Trench vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: WO2012034372A8. Автор: Genyi Wang,Tzong Shiann Wo. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Systems, devices, and methods for predictive risk-aware driving

Номер патента: US12134379B2. Автор: Fabian Oboril,Cornelius Buerkle. Владелец: Mobileye Vision Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of making a trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US5108938A. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Grumman Aerospace Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Composite inverse T-gate metal oxide semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US5097301A. Автор: Julian J. B. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

Lateral oriented metal-oxide-semiconductor, mos device comprising a semiconductor body

Номер патента: US20230402541A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9520470B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-13.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9704987B2. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20190355847A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-11-21.

A method of passivating surface effects in metal oxide layers and devices comprising thereof

Номер патента: EP4334487A1. Автор: Morten Madsen,Mehrad AHMADPOUR. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2024-03-13.

Well doping for metal oxide semiconductor (mos) varactor

Номер патента: US20190393359A1. Автор: YE Lu,YUN Yue,Chuan-Cheng Cheng,Chuan-Hsing Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: US20090065875A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-03-12.

Metal-oxide-semiconductor device with a doped titanate body

Номер патента: WO2006043243A1. Автор: Yukiko Furukawa,Radu Surdeanu,Vincent C. Venezia. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-04-27.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180315848A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for predicting block using improved direct prediction mode

Номер патента: RU2297109C2. Автор: Байеонг-Мун ДЖЕОН. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2007-04-10.

Method for prediction of postoperative intraocular lens (iol) and using said methods

Номер патента: RU2596720C2. Автор: Томас ОЛСЕН. Владелец: Иол Инновейшнз Апс. Дата публикации: 2016-09-10.

Power metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor

Номер патента: US4206469A. Автор: Earl S. Schlegel,Maurice H. Hanes. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-03.

Metal oxide semiconductor device having recess and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043985A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-02-07.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061786A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

High voltage double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20210184033A1. Автор: Edward John Coyne,Alan Brannick,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-17.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor and method of fabricating same

Номер патента: US20210028307A1. Автор: Joo-Hyung Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: EP1974377A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: WO2007077125A1. Автор: Massimo Fischetti,Qiqing Ouyang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-07-12.

Method and apparatus for predicting discrete cosine transform coefficients

Номер патента: US20060013498A1. Автор: Shihwa Lee,Hyeyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-19.

System for predicting origin position of ventricular arrhythmia, and electronic device and storage medium

Номер патента: EP4382046A1. Автор: Jianwei Zheng,Huimin CHU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-12.

Method and apparatus for predicting discrete cosine transform coefficients

Номер патента: EP1617680A3. Автор: Shihwa Lee,Hyeyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-17.

Lateral double diffusion metal oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN106469755A. Автор: 黄宗义. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-03-01.

Double-diffused metal oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: KR100734143B1. Автор: 고광영. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-29.

Metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI619200B. Автор: 黃宗義. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-21.

Metal oxide semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20070267691A1. Автор: Frank Chen,Yu-Chi Chen,Jih-Wen Chou. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Metal oxide semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US9006730B2. Автор: Chung-Chin Huang,Chin-Wen Lin,Ted Hong Shinn,Chuan-I HUANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-04-14.

High-voltage metal-oxide semiconductor (MOS) device

Номер патента: US5910666A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US11652006B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Method and system for providing a metal oxide semiconductor device having a drift enhanced channel

Номер патента: WO2008070748A3. Автор: Darwin Gene Enicks. Владелец: Darwin Gene Enicks. Дата публикации: 2008-10-30.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure

Номер патента: EP4328977A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

METAL-OXIDE pH-ELECTRODE

Номер патента: RU2165615C1. Автор: Е.П. Тумбин. Владелец: Тумбин Евгений Павлович. Дата публикации: 2001-04-20.

METHODS FOR PREDICTING AUTOIMMUNE DISEASE RISK

Номер патента: US20120003228A1. Автор: Smith Ken,Lyons Paul,McKinney Eoin. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

METHYLATION BIOMARKERS FOR PREDICTING RELAPSE FREE SURVIVAL

Номер патента: US20120004855A1. Автор: Varadan Vinay,Kamalakaran Sitharthan,Hicks James B.. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

RAPID CRYSTALLIZATION OF HEAVILY DOPED METAL OXIDES AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20120001172A1. Автор: Li Qi,Shang Jian-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SELF-DISPERSIBLE COATED METAL OXIDE POWDER, AND PROCESS FOR PRODUCTION AND USE

Номер патента: US20120003287A1. Автор: Schlossman David,Shao Yun,Orr Carl. Владелец: KOBO PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL OXIDE NEGATIVE ELECTRODES FOR LITHIUM-ION ELECTROCHEMICAL CELLS AND BATTERIES

Номер патента: US20120003533A1. Автор: Dahn Jeffrey R.,Li Jin,Obrovac Mark N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lateral double diffusion metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: CN103474462B. Автор: 黄宗义. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-05-18.

Trench metal-oxide semiconductor element and its manufacture method

Номер патента: CN102956639B. Автор: 刘冠伶,翁士元. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TWI641146B. Автор: 蘇宏德,廖文毅,黃宗義,楊清堯,張國城. Владелец: 立錡科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-11.

Trench-gate metal oxide semiconductor component and manufacture method thereof

Номер патента: CN102956639A. Автор: 刘冠伶,翁士元. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-06.