Semiconductor package.

Номер патента: US20240170414A1
Опубликовано: 23-05-2024
Автор(ы): Hao-Yi Tsai, Hsien-Ming Tu, Tin-Hao Kuo, Tsung-Hsien Chiang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Номер патента: US20240332144A1. Автор: Shun Tik Yeung,Hiu Hay Nichole Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Номер патента: EP4439658A1. Автор: Shun Tik Yeung,Hiu Hay Nichole Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Номер патента: US20180269159A1. Автор: Youngsuk Kim. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Номер патента: US20230138508A1. Автор: Erwin Hendarto. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Номер патента: US12106973B2. Автор: Erwin Hendarto. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Номер патента: US20230005841A1. Автор: Shao-Lun YANG,Yencheng KUO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Номер патента: US11450644B2. Автор: Sung Su Kim,Byoung Jun Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

Номер патента: US09991223B2. Автор: Thomas A. Boyd,Michael S. BRAZEL,Harvey R. Kofstad,Russell S. Aoki,Anthony P. Valpiani,Daniel P. Carter,Shelby A. Ferguson,Rashelle YEE,Joseph J. JASNIEWSKI,Michael R. Hui,Jonathon R. Carstens. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Номер патента: WO2007103036A3. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: Chih Chiang Tung. Дата публикации: 2007-11-08.

Номер патента: WO2007103036A2. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2007-09-13.

Номер патента: US20240178188A1. Автор: Jin-woo Park,Myung-Sung Kang,Kyong Hwan Koh,Chung Sun Lee,Hyeon Jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Номер патента: EP4379798A1. Автор: Jin-woo Park,Myung-Sung Kang,Kyong Hwan Koh,Chung Sun Lee,Hyeon Jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Номер патента: US12074148B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Lee-Chung Lu,Keh-Jeng Chang,Yu-Hao Chen,Jyh Chwen Frank Lee,Yii-Chian Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Номер патента: WO2017105609A1. Автор: Javier A. FALCON,Robert Leon SANKMAN,Akshay Mathkar,William Nicholas LABANOK,Donald Tiendung TRAN,Nachiket Raghunath RARAVIKAR,Jerry Lee JENSEN,Robert Allen STINGEL. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

Номер патента: US20160043057A1. Автор: Jungwoo Kim,Jingyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Номер патента: US20240371839A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Lee-Chung Lu,Keh-Jeng Chang,Yu-Hao Chen,Jyh Chwen Frank Lee,Yii-Chian Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Номер патента: US20240297110A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Номер патента: US12021017B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Номер патента: US20240234302A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Jung Wei Cheng,Li-Wei Chou,Hao-Cheng Hou,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Номер патента: US20240096820A1. Автор: Young Lyong Kim,Hyun Soo Chung,In Hyo HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Номер патента: US09786583B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue,De Mei Gong. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-10.