Semiconductor device and method for manufacturing same
Номер патента: US9899540B2
Опубликовано: 20-02-2018
Автор(ы): Tatsuyoshi MIHARA
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-02-2018
Автор(ы): Tatsuyoshi MIHARA
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device
Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.