Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
Номер патента: US20170092714A1
Опубликовано: 30-03-2017
Автор(ы): Satoru Kameyama, Yuki Horiuchi
Принадлежит: Toyota Motor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-03-2017
Автор(ы): Satoru Kameyama, Yuki Horiuchi
Принадлежит: Toyota Motor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types
Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.