Method for producing semiconductor device and semiconductor device
Номер патента: US20160155857A1
Опубликовано: 02-06-2016
Автор(ы): Fujio Masuoka, Hiroki Nakamura
Принадлежит: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-06-2016
Автор(ы): Fujio Masuoka, Hiroki Nakamura
Принадлежит: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device
Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.