Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

SELECTIVE DEPOSITION OF NOBLE METAL THIN FILMS

Номер патента: US20150315703A1
Опубликовано: 05-11-2015
Автор(ы): Huotari Hannu, Leinikka Miika, Tuominen Marko
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Seamless hexagonal boron nitride atomic monolayer thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US09963346B2. Автор: Minwoo Kim,Hwansoo Suh,Sangwoo Park,Sungjoo Lee,Youngjae Song,Qinke WU. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-05-08.

Area-selective deposition of metal nitride to fabricate devices

Номер патента: US11882770B2. Автор: Rudy J. Wojtecki,Damon Brooks Farmer,Alexander Friz,Matthew W. Copel,Noel Arellano,Charles Thomas Rettner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Area-selective deposition of metal nitride to fabricate devices

Номер патента: US20220190229A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Damon Brooks Farmer,Alexander Friz,Matthew W. Copel,Noel Arellano,Charles Thomas Rettner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Vapor deposition of LiF thin films

Номер патента: US09909211B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen,Miia Mäntymäki. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-06.

Selective deposition

Номер патента: US09816180B2. Автор: Eva Tois,Suvi P. Haukka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods for producing noble metal films, noble metal oxide films, and noble metal silicide films

Номер патента: WO2006032963A2. Автор: Christian Dussarrat,Julien Gatineau. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2006-03-30.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Methods of selective deposition of molybdenum

Номер патента: US20240035151A1. Автор: Mohith Verghese,Jose Alexandro Romero,Aniruddh Shekhawat,Kunal Bhatnagar,Rand Haddadin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of selective deposition of molybdenum

Номер патента: WO2024025765A1. Автор: Mohith Verghese,Jose Alexandro Romero,Aniruddh Shekhawat,Kunal Bhatnagar,Rand Haddadin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Intramolecular stabilized group 13 metal complexes with improved thermal stability for vapor phase thin-film deposition techniques

Номер патента: WO2024107593A1. Автор: Sergei Ivanov,Holger Heil,Paul Mehlmann,Lukas MAI,Mark MATURI. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Gradient thin films

Номер патента: RU2666198C1. Автор: Альпана РАНАДЕ,Марви А. МАТОС. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-09-06.

Organometallic precursors for deposition of ruthenium metal and/or ruthenium oxide thin films, and deposition process of the thin films

Номер патента: KR20100060482A. Автор: 박정우,김준영,신현국,이경은,류경희. Владелец: 주식회사 유피케미칼. Дата публикации: 2010-06-07.

Deposition Of Conformal And Gap-Fill Amorphous Silicon Thin-Films

Номер патента: US20170114453A1. Автор: JANAKIRAMAN Karthik,Chan Kelvin,Gandikota Srinivas,Mallick Abhijit Basu,CHEN Yihong,Manna Pramit,Cheng Rui. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Thin film deposition device, thin film deposition method, and thin film deposition apparatus

Номер патента: EP4397784A1. Автор: HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Hui Shen,Xiaoyan Zhang,Shena JIA,Shan ZHANG,Tom Kim,Jacob Lee,William BAEK,Yy KIM,Zeus KIM. Владелец: Cleanchip Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Selective deposition of silicon dielectric film

Номер патента: EP4284958A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Ronald M. Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-06.

Selective deposition of silicon dielectric film

Номер патента: US20240170283A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Ronald M. Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US20170125675A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Multilayer encapsulation thin-film

Номер патента: US12134821B2. Автор: Ho Kyoon Chung,Heeyeop Chae,Sang Joon Seo,Seung Woo Seo,Choelmin Jang,Sungmin Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US09911916B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate

Номер патента: US20230160060A1. Автор: Timothee Blanquart. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Area selective deposition through surface silylation

Номер патента: US20240183035A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Zeqing Shen,Long Liu,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG,Jiecong Tang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Area selective deposition through surface silylation

Номер патента: WO2024112550A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Zeqing Shen,Long Liu,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG,Jiecong Tang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-05-30.

Catalyzed deposition of metal films

Номер патента: US12000044B2. Автор: Seshadri Ganguli,Sang Ho Yu,Byunghoon Yoon,wei min Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Combined anneal and selective deposition systems

Номер патента: WO2017184356A1. Автор: Jan Willem Maes,Werner Knaepen. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2017-10-26.

Selective deposition of metal oxide

Номер патента: US20240282572A1. Автор: Yonggyu Han,Eva Tois,Charles DEZELAH,Shaoren Deng,Glen Wilk,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Aranzazu MAESTRE CARO,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala,Nadadur Veeraraghavan Srinath,David Zanders. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Iodine-containing metal compound and composition for depositing thin film including the same

Номер патента: US20230250114A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Selective deposition using hydrophobic precursors

Номер патента: US12080548B2. Автор: Antti Niskanen,Eva Tois,Hidemi Suemori,Suvi P. Haukka,Raija H. MATERO,Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal thin film and semiconductor comprising a metal thin film

Номер патента: US7419920B2. Автор: Toshihide Nabatame,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

Selective deposition of metal oxides on metal surfaces

Номер патента: US11965238B2. Автор: Michael Eugene Givens,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-23.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and stretchable electrode, organic thin film transister, electronic device comprising the same

Номер патента: US20240276742A1. Автор: Minwoo Jeong,Jin Young Oh,Min Hyouk Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-08-15.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: US20230340660A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: WO2023205332A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of selective deposition and chemical delivery systems

Номер патента: WO2023172736A1. Автор: Ashwin Kumar,Kashish SHARMA,Arpan Pravin Mahorowala,Benjamin Edwards,Nupur BIHARI,Avinash Gouda DODDAMANI,Avinash JAISWAL. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-14.

Materials and methods for growing complex perovskite oxide thin films

Номер патента: EP1081154A3. Автор: Hideaki Intern. Superconductivity Techn C. Zama,Keiichi Intern Superconductivity Techn C. Tanabe,Tadataka Intern Superc. Techn. Center Morishita. Владелец: International Superconductivity Technology Center. Дата публикации: 2003-03-19.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US12014910B2. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Selective deposition of material comprising silicon and nitrogen

Номер патента: US20240162036A1. Автор: Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Viraj Madhiwala,Eva Elisabeth Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Thin film processing equipment and the processing method thereof

Номер патента: US20130072000A1. Автор: Toshiaki Yoshimura,Ying-Shih Hsiao. Владелец: YOSHIMURA TOSHIAKU. Дата публикации: 2013-03-21.

Janus transition metal dichalcogenide thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20230151482A1. Автор: Won Jun Lee,Suk Ho Chol,Chan Wook Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Selective deposition of material comprising noble metal

Номер патента: US20230407476A1. Автор: Mikko Ritala,Chao Zhang,Eva Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatuses for thin film deposition

Номер патента: US12024772B2. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Raija Matero,Jaako Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Method for deposition of noble metal nanoparticles on catalysts to promote same, and the compositions so produced

Номер патента: US09873110B2. Автор: Yadollah Mortazavi,Abbas Ali Khodadadi,Mohammad Javad Parnian,Ali Taheri Najafabadi. Владелец: Sensiran. Дата публикации: 2018-01-23.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: EP4449478A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Methods and assemblies for selectively depositing molybdenum

Номер патента: US20240218501A1. Автор: Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Sukanya Datta. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for the selective deposition of tungsten on a silicon surface

Номер патента: US5387438A. Автор: Christoph Werner,Ignacio Ulacia. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-02-07.

Method for selective deposition of diamond coatings

Номер патента: EP4259843A1. Автор: Olaf Dietrich,Dirk Breidt. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-10-18.

Deposition of silicon nitride with enhanced selectivity

Номер патента: WO2023114132A1. Автор: Han Wang,Eric CONDO,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Part in sliding contact at lubrication rate, which is covered with thin film

Номер патента: RU2440441C2. Автор: Филипп МОРЭН-ПЕРРЬЕ,Флоран ЛЕДРАППЬЕ,Лоран УЗЕ. Владелец: Х.Е.Ф.. Дата публикации: 2012-01-20.

Thin film forming method and thin film stack

Номер патента: US20110052924A1. Автор: Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2011-03-03.

Patterned thin film dielectric stack formation

Номер патента: US20140065803A1. Автор: David H. Levy,Carolyn R. Ellinger,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: CA3239265A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide Pour L'etude Et L'exploitation Des Pro SA. Дата публикации: 2023-06-08.

Binary ag-cu amorphous thin-films for electronic applications

Номер патента: US20180044782A1. Автор: Santanu Das,Sundeep Mukherjee. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2018-02-15.

Blanket selective deposition of cvd al using self-aligned ultra-thin film and improvement of reflectivity

Номер патента: JPH1041247A. Автор: Liang-Yuh Chen,Fusen Chen,Ted Tie Guo,タイ グオ テッド,チャン リャン−ユー,チャン フセン,Roderick Craig Mosley,クレイグ モーズリー ロデリック. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-02-13.

Vapor Deposition Apparatus and Process for Continuous Indirect Deposition of a Thin Film Layer on a Substrate

Номер патента: US20130122630A1. Автор: Stacy Ann Black. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Vapor deposition apparatus and process for continuous indirect deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: US09412892B2. Автор: Stacy Ann Black. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Binary Ag—Cu amorphous thin-films for electronic applications

Номер патента: US11840756B2. Автор: Santanu Das,Sundeep Mukherjee. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2023-12-12.

Deposition of conformal and gap-fill amorphous silicon thin-films

Номер патента: WO2017070185A1. Автор: Srinivas Gandikota,Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Pramit MANNA,Rui CHENG,Karthik Janakiraman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-04-27.

In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer

Номер патента: US20130084669A1. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Christopher Rathweg. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2013-04-04.

In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer

Номер патента: MY165560A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Russell Weldon Black,Christopher Rathweg. Владелец: Primestar Solar Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Metal plating composition and method for the deposition of copper-zinc-tin suitable for manufacturing thin film solar cell

Номер патента: EP2336394B1. Автор: Torsten Voss,Holger KÜHNLEIN,Jörg SCHULZE. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-07-01.

Selective deposition of noble metal thin films

Номер патента: US09469899B2. Автор: Hannu Huotari,Marko Tuominen,Miika Leinikka. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-10-18.

Mechanism for thin film deposition

Номер патента: US3620956A. Автор: Roy C Gauger. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1971-11-16.

Selective deposition of SiOC thin films

Номер патента: US12068156B2. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Wet chemical noble metal coating

Номер патента: US20230366096A1. Автор: Jens Trötzschel,Ilias NIKOLAIDIS. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-11-16.

Selective chemical bath deposition of iridium oxide on thin film flexible substrates

Номер патента: US11389644B2. Автор: Chih-Wei Chang,Wentai Liu,Chung-Yu Wu,Po-Chun Chen,Pu-Wei Wu,Tsai-Wei Chung. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-07-19.

Selective chemical bath deposition of iridium oxide on thin film flexible substrates

Номер патента: US20190329029A1. Автор: Chih-Wei Chang,Wentai Liu,Chung-Yu Wu,Po-Chun Chen,Pu-Wei Wu,Tsai-Wei Chung. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for producing optically transparent noble metal films

Номер патента: EP2275586A3. Автор: Sabrina Conoci,Salvatore Petralia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-22.

Methods of forming a thin film resistor

Номер патента: US09963777B2. Автор: Bernard Patrick Stenson,Michael Noel Morrissey. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films

Номер патента: US09803277B1. Автор: Han Wang,SHANG Chen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Dai Ishikawa,Toshiharu Watarai,Delphine Longrie,Antti Juhani Niskanen,Takahiro Onuma,Kunitoshi Namba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Method of selective deposition of small molecules on metal surfaces

Номер патента: WO2023201437A1. Автор: Ishwar Singh,Cathleen M. Crudden,Sean BARRY,Paul Ragogna,Alex Jeffrey Veinot,Eden Ramona Goodwin,Peter George Gordon,Tianchi Zhang,Peter McBreen,Justin Lomax. Владелец: Queen's University At Kingston. Дата публикации: 2023-10-26.

Selective Molecular Layer Deposition Of Organic And Hybrid Organic-Inorganic Layers

Номер патента: US20180342388A1. Автор: Robert Jan Visser,Prerna Goradia,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: WO2021127470A9. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-08-19.

Selective deposition and co-deposition processes for ferromagnetic thin films

Номер патента: US20160194761A1. Автор: Yezdi Dordi,Ernest Chen,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Selective deposition and co-deposition processes for ferromagnetic thin films

Номер патента: US09476124B2. Автор: Yezdi Dordi,Ernest Chen,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Apparatus and methods for reducing light induced damage in thin film solar cells

Номер патента: WO2011133410A3. Автор: Amir Al-Bayati,Bhaskar Kumar,Shuran Sheng,Yong K. Chae,Eran Valfer. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-19.

Preparations of noble metal complexes

Номер патента: US20230243038A1. Автор: Richard Walter,Robert Sievi,Michael Gock. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-08-03.

System, method and apparatus for forming a thin film lithium ion battery

Номер патента: US09478797B2. Автор: Byunghoon Yoon,Wenming Li,Ann Koo. Владелец: Applejack 199 LP. Дата публикации: 2016-10-25.

Protective and/or reflectivity enhancement of noble metal

Номер патента: US6150039A. Автор: Ramin Lalezari,Dale E. Long. Владелец: Research Electro Optics Inc. Дата публикации: 2000-11-21.

Selective deposition of sioc thin films

Номер патента: US20210134586A1. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Hydrophilic Metal Thin Film and Sputtering Method for Depositing the Same

Номер патента: US20230304138A1. Автор: Jinn Chu,Pak-Man YIU,Jhen-De You. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2023-09-28.

Hydrophilic metal thin film and sputtering method for depositing the same

Номер патента: US11932931B2. Автор: Jinn Chu,Pak-Man YIU,Jhen-De You,Sung-Tsun Wang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-03-19.

Methods for selective deposition of precursor materials and related devices

Номер патента: US20240170290A1. Автор: Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for selective deposition of precursor materials and related devices

Номер патента: WO2024112420A1. Автор: Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods and Precursors for Selective Deposition of Metal Films

Номер патента: US20230170210A1. Автор: Ning Li,Atashi Basu,Mihaela A. Balseanu,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

A method of fabricating a nanocomposite thin film with metallic nanoparticles

Номер патента: WO2013006031A1. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Teh Aun Shih. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2013-01-10.

Plasma arc sprayed modified alumina high emittance coatings for noble metals

Номер патента: US3711327A. Автор: J Blumenthal,D Carroll,J Ogren. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1973-01-16.

Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material

Номер патента: US20190103303A1. Автор: Han Wang,Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Timo Asikainen,David De Roest,Delphine Longrie,Krzysztof Kachel,Julian Hsieh,Harald Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-04-04.

Selective growth of metal-containing hardmask thin films

Номер патента: US20200227260A1. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Deposition of organic films

Номер патента: US20230343601A1. Автор: Jan Willem Maes,Varun Sharma,Hidemi Suemori,Suvi P. Haukka,Delphine Longrie,Krzysztof Kachel,Eva E. Tois,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-26.

Metal thin-film precursor composition, method of forming thin film using metal thin-film precursor composition, and semiconductor substrate fabricated using method

Номер патента: US20240145301A1. Автор: Ji Hyun Nam,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for selectively depositing a metallic film on a substrate

Номер патента: US12033861B2. Автор: David Kurt De Roest,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US20210317573A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: WO2021206792A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-10-14.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US11993842B2. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Method and apparatus for selective deposition

Номер патента: US09385219B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Tristan MA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US20230122224A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of Selective Deposition of Small Molecules on Metal Surfaces

Номер патента: US20230381812A1. Автор: Ishwar Singh,Cathleen M. Crudden,Sean BARRY,Paul Ragogna,Alex Jeffrey Veinot,Eden Ramona Goodwin,Peter George Gordon,Tianchi Zhang,Peter McBreen,Justin Lomax. Владелец: Queens University at Kingston. Дата публикации: 2023-11-30.

Fine grained, non banded, refractory metal sputtering targets with a uniformly random crystallographic orientation, method for making such film, and thin film based devices and products made therefrom

Номер патента: US09783882B2. Автор: Stefan Zimmermann,Richard Wu,Prabhat Kumar,Steven A. Miller,Olaf Schmidt-Park,Shuwei Sun. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Device for application of functional layers of thin-film solar cells on substrate by deposition in plasma of low-frequency induction discharge of low-pressure transformer

Номер патента: RU2582077C2. Автор: Игорь Максимович Уланов,Артем Юрьевич Литвинцев,Михаил Витальевич Исупов,Павел Александрович Мищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2016-04-20.

Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films

Номер патента: US4957777A. Автор: Vida Ilderem,L. Rafael Reif,Prabha K. Tedrow. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-09-18.

Simultaneous selective deposition of two different materials on two different surfaces

Номер патента: US20230203644A1. Автор: Suvi Haukka,Michael Eugene Givens,Eva Tois,Charles DEZELAH,Daria Nevstrueva. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-06-29.

Process for selectively depositing highly-conductive metal films

Номер патента: WO2023150066A1. Автор: Thomas M. Cameron,Philip S.H. Chen,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Process for selectively depositing highly-conductive metal films

Номер патента: US20230245894A1. Автор: Thomas M. Cameron,Philip S.H. Chen,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Selectively depositing a metal oxide on a dielectric surface of a substrate

Номер патента: WO2024205914A1. Автор: Kevin McLaughlin,Nupur BIHARI,Yunshan FAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US12116667B2. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11424119B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-23.

Method of producing a thin film by sputtering and an opposed target type sputtering apparatus

Номер патента: CA1325792C. Автор: Sadao Kadokura,Akio Kusuhara,Kazuhiko Honjyo. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1994-01-04.

Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material

Номер патента: US6939801B2. Автор: Ling Chen,Vincent W. Ku,Hua Chung,Michael X. Yang,Gongda Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11901175B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Deposition of metal films

Номер патента: WO2018098059A9. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Hyuck Lim,Takashi KURATOMI,I-Cheng Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-11-15.

Selective deposition of silicon oxide

Номер патента: US20190115207A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Selective deposition of metal silicides and selective oxide removal

Номер патента: EP3881349A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Choi,Namsung KIM,Raymond Hung,Christopher AHLES,Andrew Kummel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: EP4078657A1. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-10-26.

Deposition of metal films

Номер патента: WO2018098059A1. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Hyuck Lim,Takashi KURATOMI,I-Cheng Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-05-31.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Discontinuous vacuum-metalized thin film and wire and method for manufacturing same

Номер патента: US11788180B2. Автор: Jianhua Bian,Nishikawa KASUMI. Владелец: Shanghai Galaxy Metallic Yarn Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Selective deposition of metal silicides

Номер патента: US20190103278A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Choi,Namsung KIM,Raymond Hung,Christopher AHLES,Andrew Kummel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Xps metrology for process control in selective deposition

Номер патента: US20240044825A1. Автор: Kavita Shah,Charles Larson,Wei T. LEE. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Selective deposition of silicon oxide on metal surfaces

Номер патента: US20240076775A1. Автор: Michael Givens,Eva Tois,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Xps metrology for process control in selective deposition

Номер патента: US20190277783A1. Автор: Wei Ti Lee,Kavita Shah,Charles Thomas Larson. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Xps metrology for process control in selective deposition

Номер патента: US20210025839A1. Автор: Wei Ti Lee,Kavita Shah,Charles Thomas Larson. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for the deposition of materials from mesomorphous films

Номер патента: EP1432845A2. Автор: Ross H. Hill,Juan P. Bravo Vasquez. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for the deposition of materials from mesomorphous films

Номер патента: WO2002099161A2. Автор: Ross H. Hill,Juan P. Bravo Vasquez. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-12-12.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization

Номер патента: RU2724291C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Moving slide gate for forming thin films of variable thickness produced by vacuum deposition method

Номер патента: RU2754147C1. Автор: Геннадий Семенович Патрин,Игорь Александрович Турпанов,Василий Иванович Юшков,Александр Васильевич Кобяков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-08-30.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method for selective deposition of silicon nitride and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US20240014030A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Deposition of metal films

Номер патента: US20210317570A1. Автор: Wei Lei,Sang Ho Yu,Byunghoon Yoon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Area-Selective Atomic Layer Deposition Of Passivation Layers

Номер патента: US20220130659A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Dual selective deposition

Номер патента: US20210285097A1. Автор: Antti Niskanen,Eva Tois,Suvi P. Haukka,Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-09-16.

Deposition of aln on a silicon substrate and gan semiconductor transition layer structure

Номер патента: EP4407065A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-07-31.

DEPOSITION OF AIN ON A SILICON SUBSTRATE AND GaN SEMICONDUCTOR TRANSITION LAYER STRUCTURE

Номер патента: WO2024156745A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-08-02.

Selective deposition of a passivation film on a metal surface

Номер патента: WO2022093801A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-05-05.

Selective Deposition Of A Passivation Film On A Metal Surface

Номер патента: US20220130664A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Rf sputtering apparatus for controlling atomic layer of thin film

Номер патента: EP4230763A1. Автор: Se Young Jeong,Sang Eon Park,You Sil LEE,Su Jae Kim,Mi Yeon CHEON. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-08-23.

Selective growth of metal-containing hardmask thin films

Номер патента: US20200006073A1. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods and precursors for selective deposition of metal films

Номер патента: US11887847B2. Автор: Ning Li,Atashi Basu,Mihaela A. Balseanu,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods And Precursors For Selective Deposition Of Metal Films

Номер патента: US20200312653A1. Автор: Ning Li,Atashi Basu,Mihaela Balseanu,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for forming an aluminum metallic thin film by vapor phase growth on a semiconductor substrate

Номер патента: US4430364A. Автор: Takashi Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-07.

Hard Thin Films

Номер патента: US20180135159A1. Автор: Jens Birch,Per Eklund,Sharafat ALI,Bo Jonson. Владелец: Hpvico AB. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon-based thin films from n-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazanes

Номер патента: US20240279806A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Silicon-based thin films from N-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazanes

Номер патента: US12065737B2. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Novel complexes of metals with n-aminoguanidine, intended for use in making thin films and for catalysis

Номер патента: RU2705362C2. Автор: Йёрг ЗУНДЕРМАЙЕР,Катрин ШЛЕХТЕР. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-11-07.

Inherent area selective deposition of mixed oxide dielectric film

Номер патента: US20230343581A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Inherent area selective deposition of mixed oxide dielectric film

Номер патента: WO2023205324A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Machine for controlled deposition of a thin-film multilayer

Номер патента: WO2008152663A1. Автор: Paolo Lagana',Leonardo Chicarella,Fabio Belli. Владелец: Galileo Avionica S.P.A.. Дата публикации: 2008-12-18.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Process for producing a base metal thin film and an electronic device using the same

Номер патента: US4985071A. Автор: Chiharu Hayashi,Kazuyuki Okano,Munehiro Tabata,Yo Hasegawa,Yasuhito Isozaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-15.

Method of selectively depositing a metal on a surface of a substrate

Номер патента: US4261800A. Автор: William M. Beckenbaugh,Michael A. De Angelo. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-04-14.

Selective Deposition On Non-Metallic Surfaces

Номер патента: US20200350204A1. Автор: Lu Chen,Seshadri Ganguli,Sang Ho Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Photoplasma etching apparatus having improved plasma-resistant and manufacturing method therefor using a thermal diffusion phenomenon of a rare-earth metal thin film

Номер патента: US11827975B2. Автор: Hyunchul Ko,Suntae Kim,Donghun Jeong. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Surface treatment for selective deposition

Номер патента: WO2022183106A1. Автор: Yong Jin Kim,Kevin Kashefi,Carmen Leal Cervantes. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-01.

Selective deposition on non-metallic surfaces

Номер патента: WO2020227274A1. Автор: Lu Chen,Seshadri Ganguli,Sang Ho Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-11-12.

Selective deposition on silicon containing surfaces

Номер патента: US20210118684A1. Автор: Michael A. Todd. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Selective deposition on silicon containing surfaces

Номер патента: WO2018170382A1. Автор: Michael A. Todd. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Vacuum deposition of cationic polymer systems

Номер патента: EP1370371A1. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Technologies International Inc. Дата публикации: 2003-12-17.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US20220235461A1. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-07-28.

Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material

Номер патента: US20200266096A1. Автор: Han Wang,Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Timo Asikainen,David De Roest,Delphine Longrie,Krzysztof Kachel,Julian Hsieh,Harald Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-08-20.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: WO2001059174A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus, Inc.. Дата публикации: 2001-08-16.

Chemical surface deposition of ultra-thin semiconductors

Номер патента: EP1428250A1. Автор: Brian E. Mccandless,William N. Shafarman. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 2004-06-16.

Hydrogen-free amorphous dielectric insulating thin films with no tunneling states

Номер патента: US09530535B2. Автор: Xiao Liu,Daniel R. Queen,Frances Hellman. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-12-27.

Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper

Номер патента: US5144049A. Автор: John A. T. Norman,Beth A. Muratore. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1992-09-01.

Selective deposition on metals using porous low-k materials

Номер патента: WO2023083540A1. Автор: Son Nguyen,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hosadurga Shobha,Rudy Wojtecki,Krystelle Lionti,Noel Arellano. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Apparatus and method for deposition of thin films

Номер патента: EP1255875A1. Автор: Todd Kaplan,Vladimir Matijasevic. Владелец: Conductus Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Adhesion of metal thin films to polymeric substrates

Номер патента: WO2013013050A4. Автор: Brian Howard AUGUSTINE,William Christopher HUGHES,Alan Koon-kee MO,Thomas Carroll DEVORE. Владелец: James Madison University. Дата публикации: 2013-03-28.

Stabilizing laser energy density on a target during pulsed laser deposition of thin films

Номер патента: US20150093519A1. Автор: Quanxi Jia,Paul C. DOWDEN. Владелец: Los Alamos National Security LLC. Дата публикации: 2015-04-02.

Crystalline strontium titanate (sto) and method for deposition of the sto on a substrate

Номер патента: US20240242964A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Manjunath Gangaiah,Balaji Sompalle,Purnima Sethi Josan,Subhash Kannappa Manoharan. Владелец: Superq Technologies India Private Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Preparation of LCPMO thin films which have reversible resistance change properties

Номер патента: EP1369501A3. Автор: Wei Pan,Sheng Teng Hsu,Weiwei Zhuang,Masayuki Tajiri. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-12.

Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12051589B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,David Charles Smith,Richard Wise,Arpan Pravin Mahorowala,Patrick A van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Multiple-coil electromagnet for magnetically orienting thin films

Номер патента: WO1999061170A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Cecil J. Davis,Dorian Heimanson,Shiyuan Cheng. Владелец: Cvc Products, Inc.. Дата публикации: 1999-12-02.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US09646820B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

Deposition of boron films

Номер патента: WO2022132878A1. Автор: Yung-Chen Lin,Ho-Yung David Hwang,Chi-I Lang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Cyclical deposition of germanium

Номер патента: US09929009B2. Автор: Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-27.

Pinhole-free dielectric thin film fabrication

Номер патента: US09593405B2. Автор: Chong JIANG,Byung-Sung Leo Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Cyclical deposition of germanium

Номер патента: US09576794B2. Автор: Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Deposition of titanium nanolaminates for use in integrated circuit fabrication

Номер патента: US09540729B1. Автор: Hidemi Suemori,Viljami J. Pore,Seiji Okura. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-10.

Photobiomolecular deposition of metallic particles and films

Номер патента: US20010016236A1. Автор: Zhong-Cheng Hu. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2001-08-23.

Method for improving flatness of semiconductor thin film

Номер патента: US20210043442A1. Автор: Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Chenhua Dong. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

An antimicrobial multilayer thin-film materials coating

Номер патента: EP4421207A1. Автор: Ilze Aulika,Juris Purans,Anna Zajakina,Vera SKVORCOVA,M rti ZUBKINS,Viktors VIBORNIJS,Edvards STRODS,Ksenija KOROTKAJA,Zanna RUDEVICA. Владелец: Latvijas Universitates Cietvielu Fizikas Instituts. Дата публикации: 2024-08-28.

Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a doped thin film layer on a substrate

Номер патента: MY161000A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-03-31.

System and method for backside deposition of a substrate

Номер патента: US20240194516A1. Автор: Gerrit J. Leusink,Ronald Nasman,Hoyoung Kang,Daniel Fulford,Rodney L. Robinson. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Selectively depositing a metal pattern on the surface of a laminar film

Номер патента: CA1137833A. Автор: David D. Thornburg,Thomas J. Kloffenstein, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1982-12-21.

Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate

Номер патента: MY170105A. Автор: Russell Weldon Black,Christopher Rathweg,Max William Reed,Mark Jeffrey Pavol,Edwin Jackson Little,Brian Robert Murphy. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-07-05.

Process and hardware for deposition of complex thin-film alloys over large areas

Номер патента: US20140205768A1. Автор: Walajabad S. Sampath,Pavel S. Kobyakov,Kevin E. Walters,Davis R. Hemenway. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2014-07-24.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170323777A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09875893B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2018-01-23.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US09741558B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Thin film deposition apparatus including deposition blade

Номер патента: US09593408B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods for forming doped silicon oxide thin films

Номер патента: US09564314B2. Автор: Antti Niskanen,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa,Suvi Haukka,Ryu Nakano,Kunitoshi Namba,Noboru Takamure. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-02-07.

Tellurium compounds useful for deposition of tellurium containing materials

Номер патента: US09537095B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Philip S. H. Chen,William Hunks. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US09508545B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Material for Manufacturing Targets for Physical Vapor Deposition of P-Type Transparent Conductive Films

Номер патента: US20120049134A1. Автор: Michael Nolan,Guido Huyberechts,Daan Goedeme,Griet Dress,Simon D. Elliott. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2012-03-01.

Material for manufacturing targets for physical vapour deposition of p-type transparent conductive films

Номер патента: WO2010066358A1. Автор: Michael Nolan,Guido Huyberechts,Griet Drees,Daan Goedeme,Simon D. Elliott. Владелец: UMICORE. Дата публикации: 2010-06-17.

Process for deposition of titanium oxynitride for use in integrated circuit fabrication

Номер патента: US09523148B1. Автор: Hidemi Suemori,Viljami J. Pore,Seiji Okura. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-20.

Solid-state thin-film hybrid electrochemical current source

Номер патента: RU2709487C1. Автор: Владимир Александрович Чугунов,Владимир Игоревич МЕЩЕРЯКОВ,Антон Михайлович МАНАХОВ,Николай Анатольевич Погорелов,Арну РУССАУ,Елена Викторовна КОЛЕСНИКОВА. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Финика". Дата публикации: 2019-12-18.

Atomic-layer-chemical-vapor-deposition of films that contain silicon dioxide

Номер патента: EP1248865A1. Автор: Suvi Haukka,Marko Tuominen,Eva Aro. Владелец: ASM Microchemistry Oy. Дата публикации: 2002-10-16.

Piezoelectric thin-film resonator, method for fabricating same, filter and duplexer having an interposed film

Номер патента: US09444429B2. Автор: Takeshi Sakashita,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of obtaining thin films of tin-indium oxide

Номер патента: RU2656916C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-06-07.

Superconducting thin-film material and method of making said material

Номер патента: RU2384907C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА,Кацуя ХАСЕГАВА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

System for focused deposition of atomic vapors

Номер патента: US20210175056A1. Автор: Isaac Ehrenberg. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Thin Film Forming Sputtering Target, Dielectric Thin Film, Optical Disc and Production Method Therefor

Номер патента: US20080271988A1. Автор: Yasuo Hosoda,Takashi Ueno,Takanobu Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180062068A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Conductive thin film for ultraviolet waveband and preparation method therefor

Номер патента: US12107192B2. Автор: Hong Wang,Xiaolong Hu,Quanbin ZHOU,Rulian WEN. Владелец: Zhongshan Institute of Modern Industrial Technology of South China University of Technology. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for production of diamond-like thin films

Номер патента: RU2668246C2. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Владимир Иванович Ярцев,Борис Федорович Демьянов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2018-09-27.

Conducting thin films with high thermal stability

Номер патента: RU2562239C2. Автор: Рене ФАХБЕРГЕР,Йохен БАРДОНГ,Гудрун БРИКНЕР,Берт ВАЛЛЬ. Владелец: Вектрон Интернэшнл Гмбх. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of controlling thin film forming speed at various distance from material source

Номер патента: RU2633687C1. Автор: Сергей Александрович Степанов,Николай Иванович Сушенцов,Андрей Викторович Мороз,Елена Андреевна Рыжова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2017-10-16.

Etching method, method for producing dielectric film of low dielectric constant, method for producing porous member, etching system and thin film forming equipment

Номер патента: EP1881525A1. Автор: Hitoshi MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD SAKAMOTO,Chikako HITEC Co. Ltd. KOBAYASHI. Владелец: Phyzchemix Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680A. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-24.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680B1. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-28.

Systems and methods of monitoring thin film deposition

Номер патента: US20030041654A1. Автор: John Larson,Mark Hueschen,Richard Karlquist,Herbert Ko,Kent Carey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Ferroelastic lead germanate thin film and deposition method

Номер патента: US20010024835A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of forming ferroelastic lead germanate thin films

Номер патента: US20020063265A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US10583452B2. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for coating thin film in rolling manner and apparatus for coating thin film by using the same

Номер патента: US20180078966A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-22.

Laminated film for forming inorganic thin film layer

Номер патента: US20240336048A1. Автор: Atsushi Yamazaki,Mahiro Nakano,Mitsuhiro KASHIWA. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of preparing nano-thin film of cement hydration product

Номер патента: US11254612B2. Автор: XIANG Ji,Zhen He,Wei Zhou,Wenzhi Yu,Jingtao CHEN,Xiaofei XU,Shengwen Tang,Hubao A. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-02-22.

Thin-film dielectric and thin-film capacitor element

Номер патента: US09947469B2. Автор: Masahito Furukawa,Masanori Kosuda,Saori Takeda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film forming method

Номер патента: US09777366B2. Автор: Shigeru Nakajima,Atsushi Endo,Kazumasa Igarashi,Satoshi Takagi,Takahiro Miyahara,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film forming apparatus and thin film forming method using the same

Номер патента: US09627619B2. Автор: Duckjung Lee,Kyuhwan Hwang,Jiyoung Choung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Translucent hard thin film

Номер патента: US09422620B2. Автор: Takuya Sugawara,Ichiro Shiono,Yousong Jiang,Hikaru Aoshima. Владелец: Shincron Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Low-temperature fabrication of nanomaterial-derived metal composite thin films

Номер патента: US09412852B2. Автор: Yu Xia,He Yan,Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Mercouri G. Kanatzidis,William Christopher Sheets,Myung-Gil Kim. Владелец: Polyera Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin-film formation device and method

Номер патента: US5793479A. Автор: Kazumi Sugai,Akiko Kobayashi,Shunji Kishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: EP4441059A1. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-10-09.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: WO2023102063A8. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-23.

Selective deposition using graphene as an inhibitor

Номер патента: US20230245924A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Kashish SHARMA,Ieva Narkeviciute. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of cleaning subject surface, made of noble metals

Номер патента: RU2631229C1. Автор: Виктор Михайлович Никольский,Евгения Сергеевна Логинова,Наталья Ивановна Лукьянова,Ольга Юрьевна Дремлева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2017-09-19.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for wet etching of noble metals

Номер патента: WO2024107260A1. Автор: Paul Abel. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Selective deposition of metals, metal oxides, and dielectrics

Номер патента: US20220193720A1. Автор: Ivo Raaijmakers,Antti Niskanen,Eva Tois,Suvi P. Haukka,Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods for selective deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20240352577A1. Автор: CHANG Ke,Wenyu ZHANG,Liqi Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Selective deposition of metals, metal oxides, and dielectrics

Номер патента: US20200122191A1. Автор: Ivo Raaijmakers,Antti Niskanen,Eva Tois,Suvi P. Haukka,Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-04-23.

Selective deposition of a passivation film

Номер патента: WO2022093804A1. Автор: Yong Wang,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-05-05.

Selective deposition utilizing masks and directional plasma treatment

Номер патента: US09754791B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Wet based formulations for the selective removal of noble metals

Номер патента: EP3110982A1. Автор: Ping Jiang,Michael B. Korzenski,Tianniu Chen. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-04.

DEPOSITION OF ORGANIC FILMS

Номер патента: US20230011277A1. Автор: Varun Sharma,Hidemi Suemori,Suvi P. Haukka,Eva E. Tois,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for producing metal thin film and conductive structure

Номер патента: US09773989B2. Автор: Shizuo Tokito,Daisuke Kumaki,Kenjiro Fukuda,Tomohito SEKINE. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2017-09-26.

Enhanced selective deposition process

Номер патента: WO2019099190A1. Автор: CHANG Ke,CHENG Pan,LEI Zhou,Srinivas D. Nemani,Erica Chen,Biao Liu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-23.

Plated article having metal thin film formed by electroless plating

Номер патента: US8394508B2. Автор: Junichi Ito,Toru Imori,Atsushi Yabe,Junnosuke Sekiguchi,Yoshiyuki Hisumi. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-12.

In-situ selective deposition and etching for advanced patterning applications

Номер патента: US20180330963A1. Автор: Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: US20210189146A1. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-06-24.

Selective deposition of silicon oxide on dielectric surfaces relative to metal surfaces

Номер патента: US11898240B2. Автор: Michael Givens,Eva Tois,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods for selective deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US12024770B2. Автор: CHANG Ke,Wenyu ZHANG,Liqi Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Selective deposition of silicon and oxygen containing dielectric film on dielectrics

Номер патента: EP4225964A1. Автор: XINJIAN LEI,Jacob Woodruff,Bhushan Zope,Guo Liu,Ravindra Kanjolia,Mark POTYEN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Selective deposition of metals, metal oxides, and dielectrics

Номер патента: US11975357B2. Автор: Ivo Raaijmakers,Antti Niskanen,Eva Tois,Suvi P. Haukka,Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Selective deposition of silicon and oxygen containing dielectric film on dielectrics

Номер патента: US20230416911A1. Автор: XINJIAN LEI,Jacob Woodruff,Bhushan Zope,Guo Liu,Ravindra Kanjolia,Mark POTYEN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for selectively depositing material on substrates

Номер патента: US5112439A. Автор: Gary W. Jones,Arnold Reisman. Владелец: MCNC. Дата публикации: 1992-05-12.

Process for selectively depositing a nickel-boron coating over a metallurgy pattern on a dielectric substrate and products produced thereby

Номер патента: CA1207464A. Автор: Donald W. Baudrand,Arnold F. Schmeckenbecher,Rebecca P. Fleming,John J. Gniewek,Joseph M. Harvilchuck. Владелец: Richardson Chemical Co. Дата публикации: 1986-07-08.

Method for manufacturing electronic parts and apparatus for manufacturing thin films

Номер патента: US20010020754A1. Автор: Kazuyoshi Honda,Masaru Odagiri,Noriyasu Echigo,Nobuki Sunagare. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Selective deposition process utilizing polymer structure deactivation process

Номер патента: US20180366318A1. Автор: Ludovic Godet,Christine Y. OUYANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Inherently selective precursors for deposition of second or third row transition metal thin films

Номер патента: US10464959B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Methods and assemblies for selectively depositing transition metals

Номер патента: US20240096633A1. Автор: Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Eva Tois,Charles DEZELAH,YoungChol Byun,Shinya Iwashita,Arpita Saha,Patricio Eduardo ROMERO,Glen Wilk,Marko Tuominen,Elina Färm,Janne-Petteri Niemelä,Holger Saare,Jonahtan Bakke. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Raw material for chemical deposition containing organoruthenium compound, and chemical deposition method for ruthenium thin film or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20240060176A1. Автор: Hirofumi Nakagawa,Yuki Mori,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Subhabrata Das. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Process for thin film deposition through controlled formation of vapor phase transient species

Номер патента: US20210140036A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Process for thin film deposition through controlled formation of vapor phase transient species

Номер патента: US20220119940A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Process for the chemical vapor deposition of copper

Номер патента: CA2058483C. Автор: Paul N. Dyer,John A. T. Norman. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Silicide Films Through Selective Deposition

Номер патента: US20210202256A1. Автор: Swaminathan Srinivasan,Abhijit Basu Mallick,Nicolas Breil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Silicide films through selective deposition

Номер патента: US11978635B2. Автор: Swaminathan Srinivasan,Abhijit Basu Mallick,Nicolas Breil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Silicide films through selective deposition

Номер патента: US20200227265A1. Автор: Swaminathan Srinivasan,Abhijit Basu Mallick,Nicolas Breil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Silicide Films Through Selective Deposition

Номер патента: US20190189453A1. Автор: Swaminathan Srinivasan,Abhijit Basu Mallick,Nicolas Breil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Apparatus, method, and recording medium storing command for controlling thin-film deposition process

Номер патента: US20230279538A1. Автор: Young Kyun Noh. Владелец: Ivworks Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Piezoelectric thin film and method of manufacturing the same, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the piezoelectric generating element

Номер патента: US20100194245A1. Автор: Hideaki Adachi,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Piezoelectric thin film and method of manufacturing the same, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the piezoelectric generating element

Номер патента: US20110072900A1. Автор: Hideaki Adachi,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20060281317A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of doping titanium dioxide with anatase allotropic modification with noble metal nanoparticles (embodiments)

Номер патента: RU2731277C1. Автор: Лариса Александровна Смирнова,Евгения Владимировна Саломатина,Юлия Сергеевна Волкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2020-09-01.

Method of noble metal extraction

Номер патента: RU2494159C1. Автор: Джозеф Л. ТОМАС,Джеральд Ф. БРЕМ. Владелец: Метэлз Рекавери Текнолоджи Инк.. Дата публикации: 2013-09-27.

Method of producing aqueous suspension of noble metal colloid

Номер патента: RU2491988C2. Автор: Петер Теодорус ВИТТЕ. Владелец: Басф Кэталистс Ллк. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of extracting noble metals from multicomponent solutions

Номер патента: RU2736477C1. Автор: Татьяна Анатольевна Марютина,Валерий Михайлович Шкинев,Ольга Борисовна Моходоева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр изучения и исследования нефти". Дата публикации: 2020-11-17.

Process for efficiently enriching and recovering noble metals of platinum and palladium by solvent extraction

Номер патента: US09957587B2. Автор: Zuoren Nie,Xiaokai Sun,Xiaoli Xi,Liwen Ma. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for making noble-metal catalyst, and application thereof

Номер патента: RU2351394C2. Автор: Марья ТИИТТА,Веса НИЕМИ,Марина ЛИНДБЛАД. Владелец: Несте Ойл Ойй. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of extracting noble metals from ores and concentrates

Номер патента: RU2689487C1. Автор: Наталья Петровна Хрунина,Артур Геннадьевич Секисов,Константин Валерьевич Прохоров,Анна Вадимовна Рассказова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-05-28.

Noble metal-polymer composites and flexible thin-film conductors prepared therefrom

Номер патента: US5178957A. Автор: Vasant V. Kolpe,Paul M. Williams. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1993-01-12.

Noble metal refining method

Номер патента: RU2318886C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Михаил Андреевич Павлов,Николай Викторович Степанов,Светлана Евгеньевна Стельмак,Валентин Николаевич Косяков,Вера Владимировна Литвинская. Владелец: Светлана Евгеньевна Стельмак. Дата публикации: 2008-03-10.

Method for the production of noble metal oxalate complexes

Номер патента: US9156767B2. Автор: Richard Walter,Walter Lässig,Jörg Fuchs Alameda,Florian EWEINER. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-13.

Surface-decorated articles by noble metals utilizable in an electronic range method for producing same and liquid gold for insulating overglaze decoration

Номер патента: US5931992A. Автор: Masato Sano,Ryuta Yokoyama. Владелец: Noritake Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-03.

Recovery of noble metals from aqueous process streams in the synthesis of glyphosate using adsorption media such as ion exchange resins

Номер патента: EP1809642A1. Автор: David R. Eaton,Mark D. Scaia,Roger J. Hoekstra,Eric A. C/O MONSANTO COMPANY HAUPFEAR. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2007-07-25.

Method of removing noble metals from solutions

Номер патента: RU2640212C2. Автор: Владимир Геннадьевич Лобанов,Константин Дмитриевич Наумов,Фарит Минниахметович Набиуллин,Ольга Юрьевна Маковская,Владимир Борисович Начаров,Николай Александрович Филонов,Александр Витальевич Третьяков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2017-12-27.

Device and method of separation and extraction of alloy components, in particular alloy of noble metals

Номер патента: RU2766486C2. Автор: Джованни ФАОРО,Александр Хлебников,Денис Боровков,Сергей Медведев,Сергей Гроховский. Владелец: Боровков Денис Анатольевич. Дата публикации: 2022-03-15.

Selective removal of noble metals using acidic fluids, including fluids containing nitrate ions

Номер патента: US20220074061A9. Автор: André BROSSEAU,Svitlana MOSKOVCHENKO. Владелец: Greene Lyon Group Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Thin film solar cell manufacturing apparatus

Номер патента: US20120067278A1. Автор: Ryohei Sakai. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of processing spent catalysts containing noble metals and rhenium

Номер патента: RU2678627C1. Автор: Юрий Николаевич Попов,Петр Васильевич Поляков,Андрей Александрович Поляков,Эдуард Владимирович Мальцев,Евгений Александрович Павлов,Маргарита Габдуллаевна Бернгардт. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лёгкие Металлы". Дата публикации: 2019-01-30.

Step crushing process for regeneration of noble metals of slag

Номер патента: RU2251581C2. Автор: Линдгрен Л. ЧАЙИ,Линдгрен Л. ЧАЙИ (US). Владелец: Зэ Юниверсити Оф Экрон. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for removing noble metal from noble-metal-containing shaped catalyst bodies

Номер патента: CA2964281A1. Автор: Steffen Voss,Jan Schapp,Christoph ROEHLICH,Vasco Thiel,Stefanie Fuchs Alameda. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-05-19.

Process for providing noble metal-containing mixtures for recovering noble metals

Номер патента: US9169536B2. Автор: Robert Hartmann,Klaus Zimmermann,Matthias Grehl,Oswald Kinz. Владелец: Umicore AG and Co KG. Дата публикации: 2015-10-27.

Selective removal of noble metals using acidic fluids, including fluids containing nitrate ions

Номер патента: US20180312985A1. Автор: André BROSSEAU,Svitlana MOSKOVCHENKO. Владелец: Greene Lyon Group Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Selective removal of noble metals using acidic fluids, including fluids containing nitrate ions

Номер патента: EP3353332A1. Автор: André BROSSEAU,Svitlana MOSKOVCHENKO. Владелец: Greene Lyon Group Inc. Дата публикации: 2018-08-01.

Method of electrochemical extraction of noble metals from secondary raw materials

Номер патента: RU2730331C1. Автор: Андрей Александрович Антонов,Николай Николаевич Самотаев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2020-08-21.

Sinter of noble metal and method for production thereof

Номер патента: CA2285787C. Автор: Hitoshi Araki,Makoto Miyata,Atsushi Fujimaru,Katsuhiko Shimamoto. Владелец: Aida Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-19.

Method for removing noble metal from noble-metal-containing shaped catalyst bodies

Номер патента: CA2964281C. Автор: Steffen Voss,Jan Schapp,Christoph ROEHLICH,Vasco Thiel,Stefanie Fuchs Alameda. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-04-12.

Noble metal single atom or cluster-porous molybdenum carbide/carbon nanocomposite using dynamic arrangement of noble metal atoms, method for manufacturing same, catalyst for hydrogen evolution reaction or hydrogen oxidation reaction comprising same, and electrode comprising the catalyst

Номер патента: US20230378481A1. Автор: Jinwoo Lee,Seongbeen Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-23.

Microchip and film forming method for metal thin film of microchip

Номер патента: US09696253B2. Автор: Toshikazu Kawaguchi,Kinichi Morita. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-07-04.

A process for extracting noble metals from anode slime

Номер патента: CA2933448C. Автор: Songlin Zhou,Xiangtian Xie. Владелец: Yanggu Xiangguang Copper Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Process for efficiently enriching and recovering noble metals of platinum and palladium by solvent extraction

Номер патента: US20160153066A1. Автор: Zuoren Nie,Xiaokai Sun,Xiaoli Xi,Liwen Ma. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-02.

Site-specific enzymatic deposition of metal in situ

Номер патента: EP2129778A1. Автор: James F. Hainfeld,Wenqiu Liu. Владелец: Nanoprobes Inc. Дата публикации: 2009-12-09.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US11737243B2. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

System for producing noble metals

Номер патента: US20040056393A1. Автор: Stuart Biddulph. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of forming noble metal thin film pattern

Номер патента: US20030024898A1. Автор: Hiroshi Naito,Kiyoshi Natsume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of Producing Mixed Powder Comprising Noble Metal Powder and Oxide Powder, and Mixed Powder Comprising Noble Metal Powder and Oxide Powder

Номер патента: US20110114879A1. Автор: Atsushi Sato,Kazuyuki Satoh,Atsutoshi Arakawa. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same

Номер патента: US8278028B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-10-02.

Spatially-selective deposition of polysaccharide layer onto patterned template

Номер патента: WO2004059044A1. Автор: Li-Qun Wu,Hyunmin Yi,Reza Ghodssi,Gary W. Rubloff,Gregory F. Payne,William E. Bentley. Владелец: University Of Maryland Biotechnology Institute Columbus Center. Дата публикации: 2004-07-15.

Manufacturing method of thin film and metal line for display using the same, thin film transistor array panel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799678B2. Автор: Jong-In Kim,Jean-Ho Song,Byeong-Beom Kim,Je-hyeong Park,Jae-Hyoung Youn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of producing graphite electrodes with coating, preferably of noble metals, for electrolytic processes, especially for hydrochloric acid electrolytes

Номер патента: RU2505625C2. Автор: Райнер ВЕБЕР,Юрген КИНТРУП,Маттиас ВАЙЗ,Одо МУДДЕМАНН,Герхард МООРМАНН,Франк РАУШЕР. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2014-01-27.

Method for growing noble metal monocrystals or its nano- and/or microsalt

Номер патента: RU2358042C2. Автор: Викторио Рафаэлевич Эстрела-Льопис,Ирина Николаевна Юркова,Татьяна Ивановна Бородинова. Владелец: Институт биоколлоидной химии (ИБКХ) им. Ф.Д. Овчаренко Национальной академии наук Украины. Дата публикации: 2009-06-10.

Method and line of extracting noble metals by coal-sorption technology

Номер патента: RU2638466C2. Автор: Владимир Петрович Кольцов,Виктор Владимирович Ёлшин,Сергей Александрович Мельник. Владелец: Открытое акционерное общество "Южуралзолото Группа Компаний". Дата публикации: 2017-12-13.

Bright noble metal preparation

Номер патента: US20120260822A1. Автор: Günter WERNER,Annette Lukas,Sabine Wissel,Wiltrud Vogt. Владелец: Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of homogenisation and, optionally, analysis for processing moist noble metal-containing recycling materials with an unknown noble metal content

Номер патента: CA2556769C. Автор: Horst Meyer,Christian Mock,Matthias Grehl,Jochen Schlessmann,Martin Stettner. Владелец: Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-06-11.

Process for redispersion of noble metal catalysts using fluorine

Номер патента: US3969267A. Автор: Gary B. McVicker. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1976-07-13.

Bipyramid-templated synthesis of monodisperse noble metal nanocrystals

Номер патента: US11872635B2. Автор: Yossi Weizmann,Jung-Hoon Lee,Kyle GIBSON,Zoya Cheglakov. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2024-01-16.

Noble metal net for catalyzing gas phase reactions, production method for same, and use of same in an ammonia oxidation method

Номер патента: US20230415139A1. Автор: Martin Votsmeier,Dirk Born,Dieter Prasch,Artur WISER. Владелец: Umicore AG and Co KG. Дата публикации: 2023-12-28.

Recovery of noble metals from aqueous process streams in the synthesis of glyphosate using adsorption media such as ion exchange resins

Номер патента: CA2587384A1. Автор: David R. Eaton,Eric A. Haupfear,Mark D. Scaia,Roger J. Hoekstra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-26.

Recovery of noble metals from aqueous process streams in the synthesis of glyphosate using adsorption media such as ion exchange resins

Номер патента: EP1809642B1. Автор: David R. Eaton,Mark D. Scaia,Roger J. Hoekstra,Eric A. C/O MONSANTO COMPANY HAUPFEAR. Владелец: MONSANTO TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-09-02.

Surface-decorated articles by noble metals utilizable in an electronic range method for producing same and liquid gold for insulating overglaze decoration

Номер патента: US6077570A. Автор: Masato Sano,Ryuta Yokoyama. Владелец: Noritake Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Metal thin film substrate, transparent display comprising same, method for patterning metal thin film substrate, and method for manufacturing transparent display

Номер патента: US20240286382A1. Автор: Cheol-Hun Lee,Jun-Gu Lee,Sung-Jin Noh,Ki-Joon Park. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Electrodeposition of noble metal alloys

Номер патента: CA1066651A. Автор: Rolf Ludwig,Josif Culjkovic. Владелец: Schering AG. Дата публикации: 1979-11-20.

Green synthesis of noble metal/transition metal oxide nanocomposite

Номер патента: US20210070629A1. Автор: Hanan Hussein Amin Mohamed,Ines Mohsen HAMMAMI,Tamer Ezzat Youssef MOUSTAFA. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2021-03-11.

Selective deposition of circuit-protective polymers

Номер патента: EP1406977A1. Автор: Alphonsus V. Pocius,Rita A. Latourelle. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-04-14.

Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films

Номер патента: US6811815B2. Автор: Xiao-Ming He,Ramin Heydarpour. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Method for flotation of refractory complex ores of noble metals

Номер патента: RU2624497C2. Автор: Татьяна Викторовна Башлыкова,Галина Алексеевна Пахомова,Вера Юрьевна Ларионова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НВП Центр-ЭСТАгео" (ООО "НВП Центр-ЭСТАгео"). Дата публикации: 2017-07-04.

Process for recovering noble metals from solutions

Номер патента: CA1204597A. Автор: Hermann Renner,Karlheinz Kleiss,Rainer Schlodder. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 1986-05-20.

Warp-knit fabric of noble metal-containing wires, and method for the production thereof

Номер патента: US6089051A. Автор: Michael Hörmann,David Francis Lupton,Bruno Streb,Marek Gorywoda,Gunter Lindenmayer. Владелец: WC Heraus GmbH and Co KG. Дата публикации: 2000-07-18.

A selective and efficient process for the extraction of noble metal ions from complex mixtures

Номер патента: WO2023214425A1. Автор: THALAPPIL Pradeep,Md Rabiul Islam,Tanmayaa NAYAK. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2023-11-09.

Antimicrobial metallized thin films for refurbishing communal contact surfaces

Номер патента: US20230392048A1. Автор: Bruce D. Olson. Владелец: Flex Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Process for the concentration of noble metals from fluorine-containing fuel cell components

Номер патента: CA2525933C. Автор: Bernd Kayser,Ingo Kleinwaechter,Christian Hagelueken,Jose-Manuel Romero-Ojeda. Владелец: Umicore AG and Co KG. Дата публикации: 2013-02-19.

Regeneration of noble metal catalysts used in hydrodehalogenation of halogen-substituted hydrocarbons containing fluorine and at least one other halogen

Номер патента: US5057470A. Автор: Carl S. Kellner. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1991-10-15.

Selective Deposition for Interdigitated Patterns in Solar Cells

Номер патента: US20200091368A1. Автор: Jef Poortmans,Menglei Xu,Twan Bearda,Hariharsudan SIVARAMAKRISHNAN RADHAKRISHNAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-19.

Selective deposition for interdigitated patterns in solar cells

Номер патента: US10892377B2. Автор: Jef Poortmans,Menglei Xu,Twan Bearda,Hariharsudan SIVARAMAKRISHNAN RADHAKRISHNAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-12.

Method for preparation of nanoceria supported atomic noble metal catalysts and the application of platinum single atom catalysts for direct methane conversion

Номер патента: US20200392054A1. Автор: Chao Wang,Pengfei XIE,Tiancheng PU. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-12-17.

Ceramic substrate of Na2 O and Ta2 O5 for thin film magnetic head

Номер патента: US4650726A. Автор: Takashi Yamaguchi,Hidemasa Tamura,Naomi Nagasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

Reactivation of noble metal-containing catalyst materials

Номер патента: US4650780A. Автор: Quang N. Le,Stephen S. Wong,Sowmithri Krishnamurthy. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

Method of manufacturing thin-film polymer multi-layer capacitor and thin-film polymer multi-layer capacitor

Номер патента: US9947477B2. Автор: Tomonao Kako,Shigeya Tomimoto. Владелец: Rubycon Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Process for the preparation of nanoparticles of noble metals in hydrogel and nanoparticles thus obtained

Номер патента: WO2016125070A1. Автор: Magda Blosi,Anna Luisa Costa. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2016-08-11.

Process for the recovery of noble metals from ores

Номер патента: CA1220345A. Автор: Reinhold Schulze. Владелец: SKW Trostberg AG. Дата публикации: 1987-04-14.

Method for making capacitors with noble metal electrodes

Номер патента: US4426356A. Автор: Kumaran M. Nair. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1984-01-17.

Ceramic substrate of Na2 O and Nb2 O5 for magnetic metal thin film

Номер патента: US4639400A. Автор: Takashi Yamaguchi,Hidemasa Tamura,Naomi Nagasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1987-01-27.

Electronic device having external terminals with lead-free metal thin film formed on the surface thereof

Номер патента: US20040126268A1. Автор: Kenta Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

METHOD OF ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF PERMALLOY FILMS Ni81Fe19 FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: RU2710749C1. Автор: Роберт Дмитриевич Тихонов. Владелец: Роберт Дмитриевич Тихонов. Дата публикации: 2020-01-13.

Method of electrochemical deposition of silicon-carbon films alloyed with atoms of transition metals on electroconductive materials

Номер патента: RU2711066C1. Автор: Михаил Николаевич Григорьев,Татьяна Сергеевна Михайлова,Татьяна Николаевна Мясоедова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2020-01-15.

Selective ammoniacal pressure leaching of noble metal concentrates

Номер патента: CA1323763C. Автор: Khay Gie Tan,Pierre Leo Bedard,Carl John Weatherell. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 1993-11-02.

Integration of fully aligned via through selective deposition and resistivity reduction

Номер патента: US20240030062A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Arpan Pravin Mahorowala,Pankaj Ghanshyam Ramnani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Integration of fully aligned via through selective deposition and resistivity reduction

Номер патента: WO2022221881A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Arpan Pravin Mahorowala,Pankaj Ghanshyam Ramnani. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-10-20.

Conductive copper paste composition and method of forming metal thin film using the same

Номер патента: US20140023779A1. Автор: Dong Hoon Kim,Kwi Jong Lee,Sung Il Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Process for the recovery of noble metals from ore- concentrates

Номер патента: CA1277143C. Автор: Eberhard Gock,Elias Asiam. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-12-04.

Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof

Номер патента: CA2195486C. Автор: Masato Kobayashi,Atsushi Sakurai,Yukio Yoshino,Hidefumi Nakanishi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-31.

Heat resistant resin film with metal thin film, manufacturing method of the resin film, endless belt, manufacturing method of the belt, and image forming apparatus

Номер патента: US20020076515A1. Автор: Ryuichiro Maeyama,Yasutaka Naito,Kazuyoshi Itoh,Hideaki Ohara. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Noble metal nanocluster catalysts for oxygen evolution reaction and water splitting system using the same

Номер патента: US20230330655A1. Автор: Hee Soo Kim,Ju Hwan IM,Tae Hong SEOK,Seung Ok Lee,Hyun Su Han. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Process for the isolation of noble metals

Номер патента: CA1235908A. Автор: Reinhold Schulze. Владелец: SKW Trostberg AG. Дата публикации: 1988-05-03.

Noble metal nanocluster catalysts for oxygen evolution reaction and water splitting system using the same

Номер патента: EP4273299A1. Автор: Hee Soo Kim,Ju Hwan IM,Tae Hong SEOK,Seung Ok Lee,Hyun Su Han. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Selective deposition of etch-stop layer for enhanced patterning

Номер патента: US11869770B2. Автор: Jon Henri,Nagraj Shankar,Elham Mohimi,Pengyi Zhang,Kapu Sirish Reddy,Bhavin Jariwala,Arpan Pravin Mahorowala. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Selective deposition of metal oxides using silanes as an inhibitor

Номер патента: US20230386831A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Process for the preparation of nanoparticles of noble metals in hydrogel and nanoparticles thus obtained

Номер патента: EP3253369A1. Автор: Magda Blosi,Anna Luisa Costa. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2017-12-13.

Process for the preparation of nanoparticles of noble metals in hydrogel and nanoparticles thus obtained

Номер патента: US20180029000A1. Автор: Magda Blosi,Anna Luisa Costa. Владелец: CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE. Дата публикации: 2018-02-01.

Liquid crystalline sam via spin-coat assembly and their area selective deposition properties

Номер патента: WO2024100183A1. Автор: Rocco Fortte,Nicolas Blouin,Durairaj Baskaran,Sachin BOBADE,Christoph WETZEL. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of forming a thin film

Номер патента: EP4256114A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Keita OTANI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-10-11.

Metal organic complexes for improved smoothness and uniformity of thin films deposited from nanocolloids via electrophoresis

Номер патента: WO2013063090A3. Автор: Bing Liu,Kevin V. Hagedorn. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

Non-noble metal based electro-catalyst compositions for proton exchange membrane based water electrolysis and methods of making

Номер патента: US20180320278A1. Автор: Prashant N. Kumta,Oleg Velikokhatnyi,Prashanth JAMPANI HANUMANTHA,Moni Kanchan Datta,Karan Sandeep Kadakia. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2018-11-08.

Non-noble metal based electro-catalyst compositions for proton exchange membrane based water electrolysis and methods of making

Номер патента: US10435803B2. Автор: Prashant N. Kumta,Oleg Velikokhatnyi,Prashanth JAMPANI HANUMANTHA,Moni Kanchan Datta,Karan Sandeep Kadakia. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2019-10-08.

Underpotential deposition-mediated layer-by-layer growth of thin films

Номер патента: US09689085B2. Автор: Radoslav R. Adzic,Jia Xu WANG. Владелец: BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods, systems, and compositions for the liquid-phase deposition of thin films onto the surface of battery electrodes

Номер патента: US20240204162A1. Автор: Jonathan Tan,Sourav Basu. Владелец: Coreshell Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Improved method for the preparation of nanocrystalline diamond thin films

Номер патента: WO1997013892A1. Автор: Dieter M. Gruen,Alan R. Krauss. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 1997-04-17.

Methods and systems for thin film deposition processes

Номер патента: US09879357B2. Автор: Indranil De. Владелец: Tivra Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Deposition of materials

Номер патента: US20110193054A1. Автор: Kevin M. Ryan,Shafaat Ahmed. Владелец: University of Limerick. Дата публикации: 2011-08-11.

Flow cell with selective deposition or activation of nucleotides

Номер патента: US20230321651A1. Автор: Tarun Khurana,Craig Ciesla,Stanley Hong,Merek SIU,Aathavan KARUNAKARAN,Ali Agah,Arvin Emadi. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Flow cell with selective deposition or activation of nucleotides

Номер патента: US20220097060A1. Автор: Tarun Khurana,Craig Ciesla,Stanley Hong,Merek SIU,Aathavan KARUNAKARAN,Ali Agah,Arvin Emadi. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Flow cell with selective deposition or activation of nucleotides

Номер патента: US20210146356A1. Автор: Tarun Khurana,Craig Ciesla,Stanley Hong,Merek SIU,Aathavan KARUNAKARAN,Ali Agah,Arvin Emadi. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Substrate for ceramic thin film and thin film device

Номер патента: WO2024120850A2. Автор: Manfred Schweinzger,Federica Benes,Marius Steffens. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for the wet deposition of thin films

Номер патента: US20180001290A1. Автор: Benoit Heinrichs,Cedric Calberg,Dimitri LIQUET,Carlos PAEZ,Christelle ALIÉ. Владелец: UNIVERSITE DE LIEGE. Дата публикации: 2018-01-04.

Thin film battery having improved efficiency of collecting electric current

Номер патента: US09543587B2. Автор: Ho Young Park,Joon-Hong Park,Sang Cheol Nam,Ki Chang Lee,Young-Woon Kwon,Gi-Baek PARK,Dong-Hyuk CHA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nucleation layer for thin film metal layer formation

Номер патента: US09822454B2. Автор: Clark I. Bright,Walter Stoss. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-11-21.

Self-assembled monolayers of phosphonic acids as dielectric surfaces for high-performance organic thin film transistors

Номер патента: US09701698B2. Автор: Qian Miao,Danqing Liu,Zikai He. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2017-07-11.

Inorganic salt-nanoparticle ink for thin film photovoltaic devices and related methods

Номер патента: WO2015036763A1. Автор: Zugang Liu,Cary ALLEN. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Inorganic salt-nanoparticle ink for thin film photovoltaic devices and related methods

Номер патента: US09960314B2. Автор: Zugang Liu,Cary ALLEN. Владелец: Nanoco Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Amorphous metal thin strip, laminated core, and amorphous metal thin ribbon punching method

Номер патента: EP3932582A1. Автор: Motoki Ohta. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Amorphous metal thin strip, laminated core, and amorphous metal thin ribbon punching method

Номер патента: US11975377B2. Автор: Motoki Ohta. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Non-noble metal based electro-catalyst compositions for proton exchange membrane based water electrolysis and methods of making

Номер патента: US20200131651A1. Автор: Prashant N. Kumta,Oleg Velikokhatnyi,Prashanth JAMPANI HANUMANTHA,Moni Kanchan Datta,Karan Sandeep Kadakia. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for Selective Delamination and Transfer of Thin Film Using Liquid Platform

Номер патента: US20200387073A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-12-10.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor material, organic thin film transistor composition, organic semiconductor film, and compound

Номер патента: US20180155338A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Masatoshi Yumoto,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US20170275178A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Thin-film deposition methods with fluid-assisted thermal management of evaporation sources

Номер патента: US09816175B2. Автор: Robert G. Wendt,Markus Eberhard Beck,Ulrich Alexander Bonne. Владелец: SIVA POWER Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Glass plate with thin film produced thereon

Номер патента: RU2430896C2. Автор: Такаси МУРОМАТИ,Нобуки ИВАИ,Хисаси ОГАВА,Мамору ЙОСИДА. Владелец: Ниппон Шит Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2011-10-10.

Group i-vii semiconductor single crystal thin film and process for producing same

Номер патента: US20070090341A1. Автор: Masaaki Ashida,Tadashi Itoh. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-04-26.

Piezoelectric thin-film element, microelectromechanical system, and ultrasound transducer

Номер патента: US20240224808A1. Автор: Yusuke Sato. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US20160027927A1. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: EP4330318A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: EP1342820A4. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-05-21.

Method and apparatus for forming a thin film on an outer surface of a display screen of a cathode ray tube

Номер патента: US4908232A. Автор: Takeo Itou,Hidemi Matsuda,Norihisa Takiura,Sakae Kamitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-03-13.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, sensor, and digital x-ray image-capturing apparatus

Номер патента: US20130320338A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Optically anisotropic polymer thin film and method for making it

Номер патента: WO2022076358A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Warren Scott Martin,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Ashley Nicole Loper. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Thin-film capacitor and electronic circuit board

Номер патента: US20100265632A1. Автор: Akira Shibue,Naoto Tsukamoto,Kenji Horino,Hitoshi Saita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Optically anisotropic polymer thin film and method for making it

Номер патента: EP4225835A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Warren Scott Martin,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Ashley Nicole Loper. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

METHOD FOR FORMING LaNiO3 THIN FILM

Номер патента: US20170095835A1. Автор: Nobuyuki Soyama,Jun Fujii,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Method for preparing thin film piezoresistive material, thin film piezoresistive material, robot and device

Номер патента: US20220275220A1. Автор: HE Qian,Zhengyou Zhang,Bin Gao,Jian Yuan,Huaqiang Wu,Jianshi Tang,Yuan DAI,Zhenxuan ZHAO. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Near single-crystalline, high-carrier-mobility silicon thin film on a polycrystalline/amorphous substrate

Номер патента: WO2006060466A2. Автор: Paul N. Arendt,Quanxi Jia,Woong Choi,Vladimir Matias,Alp T Findikoglu. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2006-06-08.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: WO2016036838A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong-kyu Yoon. Владелец: The University of Florida Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US10221078B2. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

Thin film polymer structure having different modification on opposite sides thereof

Номер патента: US09956751B2. Автор: Takahiro Goto,Shinji Takeoka,Toshinori Fujie,Yosuke Okamura,Saori Utsunomiya. Владелец: Nanotheta Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Process for production of magnetic thin film, magnetic thin film, and magnetic material

Номер патента: US09886978B2. Автор: Kazuyuki Takami,Shin-ichi Ohkoshi,Asuka Namai,Koutaro Tomita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US09653284B2. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for modifying and controlling the threshold voltage of thin film transistors

Номер патента: US09640390B1. Автор: Joerg Rockenberger,Arvind Kamath,Fabio Zurcher,Wenzhuo Guo. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-05-02.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: US20040127064A1. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,Yoshiko Ihara,Hideyo Ihara,Hidetaka Ihara,Gen-Ei Ihara,Chiaki Ihara,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-07-01.

Desiccant, organic thin film including same, organic layered film in which organic thin film is layered, and electronic device provided therewith

Номер патента: US20200335727A1. Автор: Hiroshi Kita,Yoshiyuki Suzuri,Hideo Taka,Yukihiro MAKISHIMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for fabricating a thin film capacitor

Номер патента: US5872040A. Автор: Robert John Wojnarowski,James Wilson Rose,Michael Gdula,Ernest Wayne Balch,Leonard Richard Douglas,Evan Taylor Downey. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-02-16.

Noble metal-transition metal-based nano-catalyst thin film and preparation method thereof

Номер патента: US20230285953A1. Автор: Tao Zhu,Xiangchun LI,Junqing Meng,Baisheng Nie,Xianfeng Liu,Fanbei Kong. Владелец: China University of Mining and Technology Beijing CUMTB. Дата публикации: 2023-09-14.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Method to process antimony-based noble metals

Номер патента: RU2377327C2. Автор: Петр Михайлович Соложенкин,Надежда Кузьминична Иванова,Игорь Петрович Соложенкин,Олег Игоревич Соложенкин. Владелец: Институт проблем комплексного освоения недр РАН. Дата публикации: 2009-12-27.

Method of electrochemical extraction of noble metals

Номер патента: RU2540251C1. Автор: Анатолий Александрович Новиков,Андрей Александрович Антонов,Валерий Сергеевич Сапелкин,Александр Васильевич Морозов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Техноатом". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of noble metals receiving from phosphatic ore

Номер патента: RU2333267C2. Автор: Анатолий Васильевич Обысов,Валерий Иванович Чернышев,Игорь Григорьевич Тертышный,Александр Иванович Сычев,Михаил Михайлович Борщев,Сергей Иванович Казаков,Ярослав Ярославович Голко. Владелец: Михаил Михайлович Борщев. Дата публикации: 2008-09-10.

Extraction method of noble metals from wastes of radio-electronic industry

Номер патента: RU2357012C1. Автор: Владимир Стефанович Литвиненко,Наиль Михайлович Теляков,Денис Викторович Горленков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2009-05-27.

Method of producing noble metals from refractory and lean ores

Номер патента: RU2441079C1. Автор: Василий Александрович Низов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БИНОТЕК". Дата публикации: 2012-01-27.

Highly active, robust and versatile multifunctional, fully non-noble metals based electro-catalyst compositions and methods of making for energy conversion and storage

Номер патента: US20180331369A1. Автор: Prashant N. Kumta,Oleg Velikokhatnyi,Ramalinga Kuruba,Prasad P. Patel,Moni K. Datta,Prashanth J. Hanumantha,Shrinath Ghadge. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2018-11-15.

Highly active, robust and versatile multifunctional, fully non-noble metals based electro-catalyst compositions and methods of making for energy conversion and storage

Номер патента: US11996566B2. Автор: Prashant N. Kumta,Oleg Velikokhatnyi,Ramalinga Kuruba,Prasad P. Patel,Moni K. Datta,Prashanth J. Hanumantha,Shrinath Ghadge. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2024-05-28.

Inhibitor for selectively depositing thin film and method for selectively depositing thin film

Номер патента: US20240243010A1. Автор: Soyoung LEE,Younjoung CHO,Kiyoshi Murata,Jihyun Lee,Tomoharu Yoshino,Hoon Han,Hiroyuki Uchiuzou,Byungkeun Hwang,Eun Hyea Ko,Thanh Cuong Nguyen. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of noble metal extraction from liquid slag when it is removed from coal boiler and device for implementation of this method

Номер патента: RU2456354C1. Автор: Сергей Иванович Ивандаев. Владелец: Сергей Иванович Ивандаев. Дата публикации: 2012-07-20.

Procedure for processing sulphur wastes containing noble metals

Номер патента: RU2394924C1. Автор: Олег Анатольевич Власов,Валерий Валентинович Мечев. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2010-07-20.

Method of processing copper-zinc products containing noble metals

Номер патента: RU2366736C2. Автор: Александр Юрьевич Лапин,Константин Анатольевич Плеханов,Лев Владимирович Чугаев,Яков Михайлович Шнеерсон,Андрей Борисович Лебедь,Георгий Пантелеевич Харитиди,Геннадий Вениаминович Скопов,Владимир Федорович Козырев,Валерий Дмитриевич Шевелев. Владелец: ООО "УГМК-Холдинг". Дата публикации: 2009-09-10.

Method of processing material based on carbon and containing noble metal

Номер патента: RU2167212C2. Автор: А.Г. Касиков,К.А. Демидов,Л.М. Романова,П.Б. Громов. Владелец: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им.И.В.Тананаева Кольского научного центра РАН. Дата публикации: 2001-05-20.

Non-destructive methods for noble metal loading analysis on material surfaces

Номер патента: US09689856B2. Автор: Samson Hettiarachchi,Thomas Pompilio Diaz,Susan Elaine Garcia,Rajeshwar Singh Pathania. Владелец: Electric Power Research Institute Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Process of recovery of noble metals and plant for its realization

Номер патента: RU2119964C1. Автор: М.Г. Макаренко,Е.А. Петрова,А.А. Самахов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Катализатор". Дата публикации: 1998-10-10.

Selective deposition of silicon using deposition-treat-etch process

Номер патента: US11769666B2. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Abhijit Basu Mallick,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Thin film electroluminescent display device

Номер патента: CA1213027A. Автор: Martin P. Schrank. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1986-10-21.

Method of recovery of noble and nonferrous metals from secondary raw materials

Номер патента: RU2175679C2. Автор: Е.В. Каримов,Т.Ю. Комарова,Ю.М. Семин,В.Г. Косов,Н.А. Меньшиков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АФИНОР". Дата публикации: 2001-11-10.

Method for fabricating thin-film transistor

Номер патента: US5879973A. Автор: Tsutomu Tanaka,Yutaka Takizawa,Koji Ohgata,Takuya Hirano,Ken-ichi Yanai,Ken-Ichi Oki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-03-09.

Method of noble metals extraction from solutions, containing non-ferrous metals

Номер патента: RU2362820C1. Автор: Александр Иванович Круглов,Григорий Бенедиктович Рашковский,Виктор Степанович Гетманцев,Степан Викторович Гетманцев,Дмитрий Игоревич Кожуханцев. Владелец: Открытое акционерное общество "Аурат". Дата публикации: 2009-07-27.

Method for producing self-sustained thin films

Номер патента: RU2767034C2. Автор: Иван Александрович Корж. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2022-03-16.

Metal stent with surface layer of noble metal oxide and method of fabrication

Номер патента: WO2004071548A1. Автор: Torsten Scheuermann,Lutz Stehling. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC LIMITED. Дата публикации: 2004-08-26.

Silver nanowire and noble-metal coated silver nanowire conductive polymer composites with low loading percolation conduction

Номер патента: US20240290516A1. Автор: Xiqiang Yang,Peikang Liu,Ajay Virkar,Nazim UDDIN. Владелец: C3 Nano Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Clay composition for shaping noble metal and method for production of sinter of noble metal

Номер патента: US20040139778A1. Автор: Atsushi Fujimaru,Tomoaki Kasukawa,Akiyoshi Yatsugi. Владелец: Aida Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09520422B2. Автор: Yun Sik Im,Hyun Sic CHOI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of extracting noble metals from cyanide solutions and pulps containing nonferrous metals

Номер патента: RU2023733C1. Автор: В.В. Амбаров,Н.О. Нижегородцева. Владелец: Иркутский государственный научно-исследовательский институт редких и цветных металлов. Дата публикации: 1994-11-30.

Electronic component with thin-film shield layer

Номер патента: US20190363055A1. Автор: Hirokazu Yazaki,Keito Yonemori. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Nano aggregates of molecular ultra small clusters of noble metals and a process for the preparation thereof

Номер патента: WO2014128722A1. Автор: Arti HARLE. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for determination offinely disseminated grains of noble metals using ultrasound impact

Номер патента: RU2638790C1. Автор: Наталья Михайловна Литвинова,Роман Владимирович Богомяков,Наталья Анатольевна Лаврик. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2017-12-15.

Method of separation of noble and non-ferrous metals

Номер патента: RU2221884C1. Автор: А.В. Москалев,В.Ф. Малахов,Н.Г. Корицкая,Н.Г. Корицка. Владелец: ОАО "Красноярский завод цветных металлов им. В.Н.Гулидова". Дата публикации: 2004-01-20.

Method for treating tantalum metal thin film, quantum device, and quantum chip

Номер патента: US20240164221A1. Автор: Hao Deng,Xiaohang Zhang. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Stable thin film heaters based on transparent conductive coatings, structures formed with the heaters and applications thereof

Номер патента: WO2024158997A2. Автор: Xiqiang Yang,Ajay Virkar,Alexander Seung-il Hong,Yadong Cao,Xiaofeng Chen,Qiuxiang Zhang,Michael Fang,Devika Madan Oak,Feiqun Li. Владелец: C3 Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Stable thin film heaters based on transparent conductive coatings, structures formed with the heaters and applications thereof

Номер патента: WO2024158997A3. Автор: Xiqiang Yang,Ajay Virkar,Alexander Seung-il Hong,Yadong Cao,Xiaofeng Chen,Qiuxiang Zhang,Michael Fang,Devika Madan Oak,Feiqun Li. Владелец: C3 Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Structure and method for a superbarrier to prevent diffusion between a noble and a non-noble metal

Номер патента: US5420073A. Автор: Sampath Purushothaman,Chandrasekhar Narayan,Giulio DiGiacomo,Jung-Ihl Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-30.

Method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20020104994A1. Автор: Po-Sheng Shih. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Selective deposition of metal silicides

Номер патента: US20180342395A1. Автор: Ellie Yieh,Jong Choi,Srinivas Nemani,Namsung KIM,Raymond Hung,Christopher AHLES,Andrew Kummel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20050142669A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-06-30.

Thin film photoelectric conversion device and method for manufacturing thin film photoelectric conversion device

Номер патента: US20110272771A1. Автор: Jose Briceno. Владелец: Si Nano Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20050003588A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20070117283A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-05-24.

Stable thin film heaters based on transparent conductive coatings, structures formed with the heaters and applications thereof

Номер патента: US20240260144A1. Автор: Xiqiang Yang,Ajay Virkar,Alexander Seung-il Hong,Yadong Cao,Xiaofeng Chen,Qiuxiang Zhang,Michael Fang,Devika Madan Oak,Feiqun Li. Владелец: C3 Nano Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Line for extraction of noble metals from cyanide solution or pulp by coal sorption process

Номер патента: RU2041272C1. Автор: Г.И. Войлошников,В.К. Чернов,С.Н. Петухова,В.М. Червонин. Владелец: Иркутский государственный научно-исследовательский институт редких и цветных металлов. Дата публикации: 1995-08-09.

Method of processing noble metal concentrate

Номер патента: RU2180008C2. Автор: В.Н. Ефимов,В.В. Короленко,В.Н. Шамов,Д.Р. Шульгин,А.В. Москалев,С.И. Ельцин,А.М. Шпагин. Владелец: ОАО "Красноярский завод цветных металлов имени В.Н. Гулидова". Дата публикации: 2002-02-27.

Method of extraction of noble metals from solutions of their salts (versions)

Номер патента: RU2201980C2. Автор: В.А. Коньков,Г.С. Гребнев. Владелец: ЗАО "Гагарка-Аи-ПВ". Дата публикации: 2003-04-10.

Method of processing objects containing noble metals

Номер патента: RU2042719C1. Автор: Ида Игнатьевна Антокольская,Фаина Ильинична Данилова. Владелец: Фаина Ильинична Данилова. Дата публикации: 1995-08-27.

Method of extraction of noble metals from solutions

Номер патента: RU2201982C2. Автор: С.В. Алексеев,Ю.С. Дальнова,С.В. Ковтуненко,А.А. Иващенко,Ф.Р. Муртазин. Владелец: ООО Научно-производственная фирма "Паллада". Дата публикации: 2003-04-10.

Processes for preventing oxidation of metal thin films

Номер патента: US09947582B1. Автор: SHANG Chen,Dai Ishikawa,Aurélie Kuroda,Takahiro Onuma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-04-17.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Bar made of noble metal, and production method

Номер патента: US09682410B2. Автор: Dominik Lochmann. Владелец: Esg Edelmetall-Service & Co KG GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478562B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Zuqiang Wang,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of two-dimensional transition-metal chalcogenide thin film

Номер патента: US09460919B1. Автор: Henry Medina,Yu-Lun Chueh,Yu-Ze Chen,Yi-Chen Hsieh. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of recovery of noble metals from solution

Номер патента: RU2164554C1. Автор: В.П. Карманников,М.С. Игумнов,А.Н. Драенков,А.Н. Татаринцев,В.В. Ковалев,В.Т. Клеандров,О.В. Юрасова. Владелец: Карманников Владимир Павлович. Дата публикации: 2001-03-27.

Method of extracting of noble metals from wastes of radioelectronic industry

Номер патента: RU2553320C1. Автор: Алексей Наильевич Теляков,Денис Викторович Горленков,Татьяна Андреевна Александрова,Дмитрий Викторович Шмидт,Анна Ильфатовна Закирова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2015-06-10.

Method of noble metals recovery from solutions

Номер патента: RU2134307C1. Автор: Ю.К. Дмитриев,У.М. Джемилев,С.Г. Хабибуллин,Ю.С. Дальнова,С.В. Ковтуненко,О.А. Ширяева,Р.С. Алеев. Владелец: Институт нефтехимии и катализа АН Республики Башкортостан. Дата публикации: 1999-08-10.

Electrochemical cell electrodes incorporating noble metal-base metal alloy catalysts

Номер патента: US4192907A. Автор: John M. Lee,Vinod M. Jalan,Douglas A. Landsman. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1980-03-11.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including non-conformal selective deposition of spacers in memory openings

Номер патента: US20240244844A1. Автор: Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Fabrication of euv masks using a combination of monolayer lithography and area selective deposition

Номер патента: US20240280899A1. Автор: Nelson Felix,Rudy J. Wojtecki,Krystelle Lionti,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Fabrication of euv masks using a combination of monolayer lithography and area selective deposition

Номер патента: WO2024176020A1. Автор: Nelson Felix,Rudy J. Wojtecki,Krystelle Lionti,Noel Arellano. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of extraction of noble metals from sulfide materials

Номер патента: RU2210608C2. Автор: Л.К. Чучалин,Флорина Павловна Дергалина,Борис Дмитриевич Соловьёв,Анатолий Андреевич Русаков,А.Л. Покровский,Любовь Григорьевна Якушева,Т.С. Юсупов. Владелец: Чучалин Лев Климентьевич. Дата публикации: 2003-08-20.

Method for selective control of properties of noble metal ores

Номер патента: RU2711428C2. Автор: Роман Валерьевич Мещеряков,Павел Петрович Ананьев,Анна Валериевна Плотникова,Константин Олегович Беляков,Павел Вениаминович Ларионов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технология неорганических материалов". Дата публикации: 2020-01-17.

Noble metal single atom supported three-way catalyst and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: US20240066505A1. Автор: Yang Li,Mengyun Wang,Chao Lian,Hongchen Yang,Mingliang Deng,Minduo Wang. Владелец: Beijing Single Atom Site Catalysis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for high voltage rating thin film sensors

Номер патента: US20210262882A1. Автор: Jeff Jorgensen. Владелец: Custom Control Sensors LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Self-aligned via structure by selective deposition

Номер патента: US11756878B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Functional gas-assisted impregnation method for producing noble metal alloy catalysts with defined morphology

Номер патента: US09694346B2. Автор: Zhenmeng Peng. Владелец: UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for extracting noble metals from solutions and pulps and reactor for performing the same

Номер патента: RU2251582C1. Автор: С.А. Мазуркевич,А.Г. Секисов,А.Г. Секисов (RU),С.А. Мазуркевич (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Интегра Груп. Ру". Дата публикации: 2005-05-10.

Method of production of selective concentrates of noble metals

Номер патента: RU2215801C2. Автор: Л.В. Волков,Я.М. Шнеерсон,Т.Н. Грейвер,П.А. Гончаров,Г.В. Глазунова,Н.Н. Позднякова,кова Н.Н. Поздн,М.А. Климентенок. Владелец: ОАО "Институт Гипроникель". Дата публикации: 2003-11-10.

Method for manufacture of noble metal alloy catalysts and catalysts prepared therewith

Номер патента: EP1812160A1. Автор: Marco Lopez,Dan V. Goia,Tapan Kumar Sau,Mihaela-Ortansa Jitianu. Владелец: Umicore AG and Co KG. Дата публикации: 2007-08-01.

Method for manufacture of noble metal alloy catalysts and catalysts prepared therewith

Номер патента: CA2585542A1. Автор: Marco Lopez,Dan V. Goia,Tapan Kumar Sau,Mihaela-Ortansa Jitianu. Владелец: Mihaela-Ortansa Jitianu. Дата публикации: 2006-05-04.

Silver nano wire and noble-metal coated silver nano wire conductive polymer composites with low loading percolation conduction

Номер патента: WO2024076691A3. Автор: Xiqiang Yang,Peikang Liu,Ajay Virkar,Nazim UDDIN. Владелец: C3 Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of etching metallic thin film on thin film resistor

Номер патента: US20020115299A1. Автор: Tomio Yamamoto,Toshio Sakakibara,Akito Fukui,Ichiro Ito,Satoshi Shiraki,Takayuki Sugisaka,Makoto Ohkawa,Yasuaki Tsuzuki,Atsumi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Systems and methods for high voltage rating thin film sensors

Номер патента: WO2021045744A1. Автор: Jeff Jorgensen. Владелец: Custom Control Sensors, LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Systems and methods for high voltage rating thin film sensors

Номер патента: US20240019326A1. Автор: Jeff Jorgensen. Владелец: Custom Control Sensors LLC. Дата публикации: 2024-01-18.

Surface poisoning using ALD for high selectivity deposition of high aspect ratio features

Номер патента: US09460932B2. Автор: Jiang Lu,Paul F. Ma,Guodan Wei. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for extracting of noble metals from noble metal-containing material

Номер патента: RU2224033C1. Автор: В.И. Чернышев,Валерий Марьянович Одинец,И.Г. Тертышный,Валерий Марь нович Одинец. Владелец: Тертышный Игорь Григорьевич. Дата публикации: 2004-02-20.

Silver nano wire and noble-metal coated silver nano wire conductive polymer composites with low loading percolation conduction

Номер патента: WO2024076691A2. Автор: Xiqiang Yang,Peikang Liu,Ajay Virkar,Nazim UDDIN. Владелец: C3 Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of recovery of noble metals from products containing silver chloride, metals of platinum group and gold

Номер патента: RU2164255C2. Автор: В.Н. Ефимов,А.В. Москалев,С.И. Ельцин,Ю.А. Сидоренко. Владелец: ОАО "Красноярский завод цветных металлов". Дата публикации: 2001-03-20.

Application of noble metals to internal surfaces of operating boiling water reactors in the presence of zinc in reactor water

Номер патента: US20020101953A1. Автор: Samson Hettiarachchi,Robert Law,Thomas Diaz,Robert Cowan,David Siegwarth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-08-01.

Thin film transistor structures with regrown source and drain

Номер патента: US11887988B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Etching back and selective deposition of metal gate

Номер патента: US12068393B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Mao-Lin Huang,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Etching back and selective deposition of metal gate

Номер патента: US20240371973A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Mao-Lin Huang,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of producing noble metals from carbonaceous materials

Номер патента: RU2114202C1. Автор: Г.Ф. Казанцев,Н.М. Барбин,Г.К. Моисеев,Н.А. Ватолин. Владелец: Институт металлургии Уральского отделения РАН. Дата публикации: 1998-06-27.

Thin film resistor

Номер патента: US12034003B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film based structure, related flexible electronic device and their method of making

Номер патента: US20240237537A9. Автор: Shiyuan LIU,Zhengbao Yang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film based structure, related flexible electronic device and their method of making

Номер патента: US20240138266A1. Автор: Shiyuan LIU,Zhengbao Yang. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of noble metals extraction

Номер патента: RU2006506C1. Автор: Н.Г. Жукова,Б.Н. Ласкорин,А.Н. Баскаков,Г.И. Москвичева. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт химической технологии. Дата публикации: 1994-01-30.

Metal thin film resistor and process

Номер патента: US09502284B2. Автор: ABBAS Ali,Eric Beach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of control of selective deposition of polymer on technical cloth and technical cloth

Номер патента: RU2332533C2. Автор: Франсис Л. ДЭВЕНПОРТ,Чарльз И. КРАМЕР,Джозеф Дж. О`КОННОР,Морис ПАКЕН. Владелец: Олбани Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-08-27.

Electrocatalysts consisting of noble metals deposited on nickel based materials, their preparation and use and fuel cells that contain them

Номер патента: WO2008116930A1. Автор: Claudio Bianchini,Francesco Vizza,Paolo Bert,Stefano Catanorchi,Giuliano Giambastiani,Alessandro Tampucci,Andrea Marchionni,Serena Santiccioli. Владелец: Acta S.P.A.. Дата публикации: 2008-10-02.

Selective Deposition of Metal-Organic Frameworks

Номер патента: US20190198391A1. Автор: Silvia Armini,Ivo STASSEN,Rob AMELOOT,Mikhail Krishtab. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Thin film capacitor and manufacturing method therefo

Номер патента: US20220208477A1. Автор: Masahiro Hiraoka,Hitoshi Saita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminium hydride.

Номер патента: MY107418A. Автор: MASU Kazuya,Mikoshiba Nobuo,Tsubouchi Kazuo. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1995-12-30.

Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminium

Номер патента: SG45388A1. Автор: Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1998-01-16.

Method of extraction of noble metals from ore and concentrate

Номер патента: RU2071980C1. Автор: Е.В. Абрамина,А.П. Дариенко,А.И. Зарочинцев. Владелец: Абрамина Елена Васильевна. Дата публикации: 1997-01-20.

Installation to leach noble metals

Номер патента: RU2098494C1. Автор: С.И. Дорофеев,В.В. Хомутов. Владелец: Частное предприятие "Патент". Дата публикации: 1997-12-10.

Multi-layer circuit board bonding method utilizing noble metal coated surfaces

Номер патента: US4685210A. Автор: Michael M. King,Helen J. Walter. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1987-08-11.

Method for manufacturing a thin film transistor array substrate for a liquid crystal display device

Номер патента: US7400365B2. Автор: Eiji Shibata,Toshio Araki,Kazunori Inoue,Nobuaki Ishiga,Fumihiro Gotoh,Hiroyasu Itoh,Masanao Nabeshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Ferroelectric thin-film element, sensor, and method for making the ferroelectric thin-film element

Номер патента: US20010042877A1. Автор: Katsuhiko Tanaka,Xiao-min Li. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-22.

Selective deposition of materials for composite structures via additive manufacturing

Номер патента: US11999097B2. Автор: Xiaoyu Zheng,Ryan HENSLEIGH. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Selective Deposition Defects Removal By Chemical Etch

Номер патента: US20190080904A1. Автор: CHANG Ke,LEI Zhou,Jeffrey W. Anthis,Paul F. Ma,Guoqiang JIAN,Benjamin Schmiege,Liqi Wu,Michael S. Jackson,Pratham JAIN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of selecting deposit development system

Номер патента: RU2692369C1. Автор: Алексей Васильевич Якасов,Данила Евгеньевич Кондаков,Алексей Петрович Рощектаев. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром нефть". Дата публикации: 2019-06-24.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Comprising agglomerates of one or more noble metals

Номер патента: US20040159872A1. Автор: Thomas Graettinger,F. Gealy,Cancheepuram Srividya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Hydrogen sensor utilizing rare earth metal thin film detection element

Номер патента: US6006582A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Semiconductor process using selective deposition

Номер патента: US5010030A. Автор: James R. Pfiester,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-04-23.

Thin film piezoelectric device for acoustic resonators

Номер патента: EP1054460A3. Автор: Yoshihiko Yano,Takao Noguchi,Hidenori Abe,Hisatoshi Saitou. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-01-19.

Semiconductor device having metal thin film resistance element

Номер патента: US7986028B2. Автор: Yasunori Hashimoto,Kimihiko Yamashita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-26.

Back side metallization thin film structure and method for forming the same

Номер патента: US20240170434A1. Автор: Chien-Hsun Chuang. Владелец: AG Materials Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Using sub-resolution openings to aid in image reversal, directed self-assembly, and selective deposition

Номер патента: US09633847B2. Автор: Mark H. Somervell,Benjamen M. Rathsack. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Redispersion of noble metals on supported catalysts

Номер патента: US4148750A. Автор: Lloyd A. Pine. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1979-04-10.

Method for production of noble metal-based selective concentrates

Номер патента: RU2241773C1. Автор: К.А. Демидов,Т.Н. Грейвер,П.А. Гончаров,Т.В. Вергизова,Г.В. Глазунова,М.А. Ласточкина,Е.В. Париевский,А.В. Деев. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт Гипроникель". Дата публикации: 2004-12-10.

METHOD FOR PRODUCTION OF THIN FILMS Cu(In, Ga)(S, Se)2

Номер патента: RU2347298C1. Автор: Валерий Борисович Залесский,Валерий Феликсович Гременок,Елена Петровна Зарецкая,Валерий Борисович Залесский (BY),Елена Петровна Зарецка (BY),Валерий Феликсович Гременок (BY). Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению"(ГО"НПЦ НАН Беларуси по материаловедению"). Дата публикации: 2009-02-20.

Selective deposition of tungsten on TiSi2

Номер патента: US5138432A. Автор: James W. Mayer,David Stanasolovich,Leslie H. Allen. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1992-08-11.

Novel self-align via structure by selective deposition

Номер патента: US20240021517A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Exhaust gas-purification catalyst having multi-layer structure including precious metal thin layer as top layer, and method for producing same

Номер патента: US12097483B2. Автор: Sang-Yun Han,Seung Chul Na,Do-Kyun Lee. Владелец: Heesung Catalysts Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of sorption extraction of noble metals from solutions

Номер патента: RU2201983C1. Автор: С.В. Орехов,С.В. Алексеев,Ю.С. Дальнова,С.В. Ковтуненко,А.А. Иващенко,С.Р. Хафизова. Владелец: ООО Научно-производственная фирма "Паллада". Дата публикации: 2003-04-10.

Magnetic nanoparticles of noble metals

Номер патента: CA2560892C. Автор: Masuncion Fernandez Camacho,Rocio Litran Ramos,Teresa Cristina Rojas Ruiz,Juan Carlos Sanchez Lopez,Antonio Hernando Grande,Patricia Crespo Del Arco,Blanca Sampedro Rozas. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2012-10-16.

Selective passivation and selective deposition

Номер патента: US20220208542A1. Автор: Michael Eugene Givens,Suvi P. Haukka,Delphine Longrie,Shaoren Deng,Eva E. Tois,Vamsi Paruchuri,Jan Willem Hub Maes,Ivo Johannes Raaijmakers,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for enabling self-aligned lithography on metal contacts and selective deposition using free-standing vertical carbon structures

Номер патента: US20180337061A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Kurtis LESCHKIES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Selective passivation and selective deposition

Номер патента: US11830732B2. Автор: Michael Eugene Givens,Viljami Pore,Suvi P. Haukka,Delphine Longrie,Shaoren Deng,Eva E. Tois,Vamsi Paruchuri,Jan Willem Hub Maes,Ivo Johannes Raaijmakers,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Production of urethanes from rno2, co, roh and a noble metal catalyst

Номер патента: AU6829481A. Автор: Robert Becker,Christian Rasp,Johann Grolig,Gunter Stammann. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1981-09-17.

Method for selective deposition of a semiconductor material

Номер патента: US8492273B2. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-07-23.

Integrated sicr metal thin film resistors for sige rf-bicmos technology

Номер патента: WO2006035377A3. Автор: Hongjiang Sun,Kaman Lau,Peggie Mcdonald,Nancy E Bell,Tayel Nesheiwat. Владелец: Tayel Nesheiwat. Дата публикации: 2006-05-18.

Selective passivation and selective deposition

Номер патента: US20240047197A1. Автор: Michael Eugene Givens,Suvi P. Haukka,Delphine Longrie,Shaoren Deng,Eva E. Tois,Viljami J. Pore,Vamsi Paruchuri,Jan Willem Hub Maes,Ivo Johannes Raaijmakers,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for enabling self-aligned lithography on metal contacts and selective deposition using free-standing vertical carbon structures

Номер патента: WO2018212905A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Kurtis LESCHKIES. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Lithium metal thin film composite and preparation method thereof

Номер патента: EP4350806A1. Автор: Seunghyeon JO,Kyu Tae Lee,Jeongeun Oh,Bomee KWON. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for Selective Deposition of a Semiconductor Material

Номер патента: US20120034762A1. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-02-09.

Integrated sicr metal thin film resistors for sige rf-bicmos technology

Номер патента: WO2006035377A2. Автор: Hongjiang Sun,Kaman Lau,Peggie Mcdonald,Tayel Nesheiwat,Nancy E. Bell. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.. Дата публикации: 2006-04-06.

Structure and Method for Producing a Precious Metal Thin-Film Laminate

Номер патента: US20140377517A1. Автор: Paul Diffendaffer,Laurie Johansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Precious metal thin-film laminate (pmtl)

Номер патента: EP2411217A1. Автор: Paul A. Diffendaffer,Laurie Johansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-01.

Precious metal thin-film laminate (pmtl)

Номер патента: EP2411217A4. Автор: Laurie Johansen,Paul A Diffendaffer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-18.

Membrane electrode assembly comprising a hydrogen permeable thin film, solid oxide fuel cell comprising the same and method of preparing the membrane electrode assembly

Номер патента: US8669020B2. Автор: Sang-Kyun Kang,Suk-Won Cha,Pil-Won Heo,Jin-su HA,Yoon-ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-11.

Surface plasmon resonance compatible carbon thin films

Номер патента: US09651487B2. Автор: Bin Sun,Lloyd M. Smith,Robert J. Hamers,Robert M. Corn,Stephen Weibel,Michael R. Shortreed,Matthew R. Lockett. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuits including selectively deposited metal capping layers on copper lines and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484252B2. Автор: Moosung Chae,Larry Zhao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of making thin-film solar module with scribing layers

Номер патента: RU2715088C1. Автор: Илья Александрович Няпшаев,Виктор Сергеевич Тарасов,Федор Сергеевич Егоров,Александр Дмитриевич Дубровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хевел». Дата публикации: 2020-02-25.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetic recording medium incorporating metallic magnetic thin film

Номер патента: US5110676A. Автор: Kiyoshi Takahashi,Masaru Odagiri,Mikio Murai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-05-05.

Physical contact layer for body-worn leadware using selective deposition

Номер патента: EP2827768A1. Автор: David G. Sime,Richard Koble. Владелец: Soligie Inc. Дата публикации: 2015-01-28.

Integrated sicr metal thin film resistors for sige rf-bicmos technology

Номер патента: EP1938361A2. Автор: Hongjiang Sun,Kaman Lau,Peggie Mcdonald,Tayel Nesheiwat,Nancy E. Bell. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-02.

Selective deposition and planarization for a CMOS image sensor

Номер патента: US09960200B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for biochemical leaching of noble metals from lean sulfide complex ores

Номер патента: RU2049128C1. Автор: Г.М. Яшина,С.В. Нестерова,Д.П. Храменкова. Владелец: Кооператив "Доминион". Дата публикации: 1995-11-27.

Magnetic recording medium having a metallic magnetic thin film layer, a primer layer comprising an amino alkoxysilane and a lubricant layer comprising a functional perfluoropolyether

Номер патента: US5178954A. Автор: Colin F. W. Norman,Timothy G. E. Swales. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1993-01-12.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Monitoring the deposition of organic polymer droplets onto a substrate

Номер патента: GB2379415A. Автор: Takeo Kawase. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-12.

Ex-situ reduction and dry passivation of noble metal catalysts

Номер патента: CA2581187C. Автор: Sylvain Hantzer,Stephen J. Mccarthy,Jean W. Beeckman,William G. Borghard. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2012-08-07.

Physical contact layer for body-worn leadware using selective deposition

Номер патента: WO2013142507A1. Автор: David G. Sime,Richard Koble. Владелец: Soligie, Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Noble metal decorated ordered metal oxide nanostructure thin films

Номер патента: US20220099643A1. Автор: Jerry Lin,Jiansong Miao. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2022-03-31.

Ex-situ reduction and dry passivation of noble metal catalysts

Номер патента: EP1814664A2. Автор: Sylvain Hantzer,Stephen J. Mccarthy,Jean W. Beeckman,William G. Borghard. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2007-08-08.

Ex-situ reduction and dry passivation of noble metal catalysts

Номер патента: WO2006039316A2. Автор: Sylvain Hantzer,Stephen J. Mccarthy,Jean W. Beeckman,William G. Borghard. Владелец: EXXONMOBIL RESEARCH AND ENGINEERING COMPANY. Дата публикации: 2006-04-13.

Ex-situ reduction and dry passivation of noble metal catalysts

Номер патента: CA2581187A1. Автор: Sylvain Hantzer,Stephen J. Mccarthy,Jean W. Beeckman,William G. Borghard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Selective deposition of conductive cap for fully-aligned-via (fav)

Номер патента: WO2021158748A1. Автор: Xinghua Sun,Kai-Hung YU,Yen-Tien Lu,Angelique RALEY. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Selectively deposited parylene masks and methods related thereto

Номер патента: US20190221422A1. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Shishi Jiang,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Selectively deposited parylene masks

Номер патента: EP3740965A1. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Shishi Jiang,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Selectively deposited parylene masks

Номер патента: WO2019143533A1. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Shishi Jiang,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Programmable deposition of thin films of a user-defined profile with nanometer scale accuracy

Номер патента: US09718096B2. Автор: Sidlgata V. Sreenivasan,Ovadia Abed,Shrawan Singhal,Lawrence Dunn. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Selective deposition of metal on metal nitride to form interconnect

Номер патента: US5187120A. Автор: Shein-Sen M. Wang. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1993-02-16.

Thin film metallization process for microcircuits

Номер патента: US3785937A. Автор: W Mcmahon,T Ramsey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-01-15.

Selective deposition of organic films

Номер патента: GB2336553A. Автор: Jeremy Henley Burroughes,Karl Pichler,David John Lacey,Craig Edward Murphy. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 1999-10-27.

Gate cut critical dimension shrink and active gate defect healing using selective deposition

Номер патента: US20200135575A1. Автор: Marc Bergendahl,Andrew Greene,Yann Mignot,Ekmini A. De Silva,Gangadhara Raja MUTHINTI,Alex Joseph Varghese,Dallas Lea,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for the Selective Deposition of Germanium Nanofilm on a Silicon Substrate and Semiconductor Devices Made Therefrom

Номер патента: US20090302426A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,Narsingh Bahadur Singh,Andre Berghmans,David J. Knuteson,David Kahler,Anthony A. Margarella. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

PROCESS OF MANUFACTURE OF CHALCOPYRITE CuInSe2,Cu(In,Ga)Se2,CuGaSe2 THIN FILMS

Номер патента: RU2212080C2. Автор: Валерий Борисович Залесский,Валерий Феликсович Гременок,Федор Васильевич Курдесов,Вячеслав Иосифович Ковалевский. Владелец: Государственное научное учреждение "Институт электроники НАН Беларуси". Дата публикации: 2003-09-10.

Sacrificial layers in selective deposition-based additive manufacturing of parts

Номер патента: US20200338814A1. Автор: Zeiter Farah,Andrew Rice. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Metal surface blocking molecules for selective deposition

Номер патента: WO2023191837A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Feng Q. Liu,Mark Saly,Michael L. McSwiney,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Xiangjin Xie,Aaron Dangerfield. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Selective deposition-based additive manufacturing device and method of printing 3d parts with semi-crystalline materials

Номер патента: EP3976348A1. Автор: J. Samuel Batchelder,Eric Carl Stelter. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Method and system of an ultra high q silicon cantilever resonator for thin film internal friction and young's modulus measurements

Номер патента: US20140002203A1. Автор: Xiao Liu,Thomas H. Metcalf. Владелец: US Office of Naval Research ONR. Дата публикации: 2014-01-02.

Polytetrafluoroethylene thin film with polydopamine adhesive layer

Номер патента: US09914152B2. Автор: Min Zou,Samuel George BECKFORD,Justin K Carter. Владелец: Surftec LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Self-alignment of metal and via using selective deposition

Номер патента: US09837314B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Non-noble metal based electro-catalyst compositions for proton exchange membrane based water electrolysis and methods of making

Номер патента: US09561497B2. Автор: Prashant N. Kumta,Oleg Velikokhatnyi,Moni Kanchan Datta,Karan Sandeep Kadakia. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2017-02-07.

Ultra-thin metal wires formed through selective deposition

Номер патента: US09558999B2. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Yunpeng Yin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Platform and method of operating for integrated end-to-end area-selective deposition process

Номер патента: US11302588B2. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Jason Mehigan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Selective deposition of doped silion-germanium alloy on semiconductor substrate

Номер патента: US5242847A. Автор: Mehmet C. Ozturk,Douglas T. Grider,Mahesh K. Sanganeria,Stanton P. Ashburn. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-09-07.

Metallic thin film magnetic recording medium

Номер патента: CA1149686A. Автор: Takashi Fujita,Masaru Odagiri,Koichi Shinohara,Toshiaki Kunieda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1983-07-12.

Self-aligned metallization for semiconductor device and process using selectively deposited tungsten

Номер патента: US4937657A. Автор: Janet M. DeBlasi,Paulus Z. A. van der Putte. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Selective deposition with alcohol selective reduction and protection

Номер патента: WO2016033145A1. Автор: Jiang Lu,David Thompson,Feng Q. Liu,Mei Chang,Hua Ai,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for producing metal thin film

Номер патента: US20120103222A1. Автор: Toshiki Shimamura,Masanobu Tanaka,Takahiro Kamei,Hirotsugu Ishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Selective deposition with alcohol selective reduction and protection

Номер патента: EP3186822A1. Автор: Jiang Lu,David Thompson,Feng Q. Liu,Mei Chang,Hua Ai,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Method for producing a textured reflector for a thin-film photovoltaic cell, and resulting textured reflector

Номер патента: US09952360B2. Автор: Cédric Ducros,Helga Szambolics. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-24.

Conditioning a non-conductive substrate for subsequent selective deposition of a metal thereon

Номер патента: US4948707A. Автор: Voya R. Markovich,Carlos J. Sambucetti,Gary K. Lemon,Roy H. Magnuson,William H. Lawrence,Robert W. Johnson,Ralph E. Parsons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-08-14.

Method of selectively depositing a metal film

Номер патента: US6013575A. Автор: Hitoshi Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for fabricating a MOSFET device, with local channel doping, self aligned to a selectively deposited tungsten gate

Номер патента: US5688706A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Methods for selective deposition on silicon-based dielectrics

Номер патента: WO2019023001A1. Автор: Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-31.

Selective deposition for sub 20 nm pitch euv patterning

Номер патента: US20240055255A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Selective deposition for sub 20 nm pitch euv patterning

Номер патента: WO2024030572A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-08.

Apparatus for bonding wafers and an optically-transparent thin film made from the same

Номер патента: US10948653B2. Автор: Jamie Nam,Payam Rabiei,Amir Torkaman,Seyfollah Toroghi. Владелец: Partow Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-16.

Pre-treatment method to improve selectivity in a selective deposition process

Номер патента: WO2020033171A1. Автор: Dennis Hausmann,Nagraj Shankar,Elham Mohimi,Pengyi Zhang,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Alexander R. Fox,Kapu Sirish Reddy,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-13.

Layered structure comprising insulator thin film and oxide superconductor thin film

Номер патента: US5480861A. Автор: Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-01-02.

Selective deposition and nitridization of bottom electrode metal for mram applications

Номер патента: US20180240968A1. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Christopher J. Penny,Joe Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Composition and method of making high-reflection silver mirrors or thin-film optical filters

Номер патента: US20040114247A1. Автор: James Lane,Philip Buchsbaum. Владелец: Ocean Optics Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for forming a thin-film transistor

Номер патента: US09799752B1. Автор: Shelby Forrester Nelson,Carolyn Rae Ellinger. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-10-24.

Calibrating deposition rates in selective deposition modeling

Номер патента: US6782303B1. Автор: Jon Jody Fong. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Method and apparatus for data manipulation and system control in a selective deposition modeling system

Номер патента: CA2233202A1. Автор: Chris R. Manners,Jeffrey S. Thayer,Jocelyn M. Earl,Thomas A. Kerekes,Paul H. Marygold. Владелец: Paul H. Marygold. Дата публикации: 1997-04-03.

Selective deposition modeling method and apparatus for forming three-dimensional objects and supports

Номер патента: AU7550396A. Автор: Christian M. Merot,Charles W Hull,Richard N Leyden,Michael S. Lockard,Dennis R Smalley,Thomas A. Kerekes,Richard P. Fedchenko,Dinh Ton That,Thomas A Almquist,Bryan J. L Bedal,Jocelyn M Earl,Thomas H Pang,Jeffrey S Thayer. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 1997-04-17.

Selective deposition modeling method and apparatus for forming three-dimensional objects and supports

Номер патента: US20020011693A1. Автор: Richard Leyden,Charles Hull,Bryan Bedal,Dennis Smalley,Michael Lockard,Thomas Almquist,Jeffrey Thayer,Jocelyn Earl,Thomas Kerekes,Christian Merot,Richard Fedchenko,Thomas Pang,Dinh That. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Device for selectively depositing molten plastic materials

Номер патента: CA2768762C. Автор: Francisco Javier PLANTÀ TORRALBA,Francesco Puliga,Jorge Ribatallada Diez. Владелец: FUNDACIÒ EURECAT. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of making integrated circuit structure with vertical isolation from single crystal substrate comprising isolation layer formed by implantation and annealing of noble gas atoms in substrate

Номер патента: US5508211A. Автор: Sheldon Aronowitz,Abraham Yee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Selective deposition method to form air gaps

Номер патента: US20230360964A1. Автор: Chiyu Zhu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of thermally transferring images in a selective deposition based additive manufacturing system

Номер патента: US11904531B2. Автор: J. Samuel Batchelder,Chris COUNTS. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Microelectronic structure by selective deposition

Номер патента: US20080001225A1. Автор: Steven Holmes,Toshiharu Furukawa,David Horak,Charles Koburger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of thermally transferring layers in a selective deposition-based additive manufacturing system using conductive heat

Номер патента: US11845221B2. Автор: J. Samuel Batchelder. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Thin film capacitor and manufacturing method therefor

Номер патента: US11967468B2. Автор: Masahiro Hiraoka,Hitoshi Saita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Integrated circuits including selectively deposited metal capping layers on copper lines and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150194344A1. Автор: Moosung Chae,Larry Zhao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Microelectronic structure by selective deposition

Номер патента: US20090072317A1. Автор: Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Making polymer thin films for optical uses

Номер патента: US5511143A. Автор: Jeffrey A. Tobin,Denice D. Denton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-04-23.

In-situ high power implant to relieve stress of a thin film

Номер патента: WO2019245735A1. Автор: Srinivas Gandikota,Pramit MANNA,Abhijit B. MALLICK,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of making thin film humidity sensors

Номер патента: US09976975B2. Автор: Muhammad Tariq Saeed Chani,Abdullah Mohamed Asiri,Sher Bahadar Khan. Владелец: KING ABDULAZIZ UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for mitigating lateral film growth in area selective deposition

Номер патента: US11804376B2. Автор: Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: US11967523B2. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: WO2023064016A1. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of manufacturing metal-insulator-metal (mim) capacitors with noble metal electrode liners

Номер патента: US20230006031A1. Автор: Michael Givens,Alessandra Leonhardt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-01-05.

Thin-film photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: MY167014A. Автор: Shiro Nishiwaki,Ayodhya Nath Tiwari,David Brémaud,Adrian CHIRILA,Patrick Bloesch. Владелец: EMPA. Дата публикации: 2018-07-31.

Ferromagnetic thin film and method for its manufacture

Номер патента: US5244627A. Автор: Toshiyuki Katsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-14.

Surface plasmon resonance compatible carbon thin films

Номер патента: GB2459604A. Автор: Bin Sun,Lloyd M Smith,Stephen Weibel,Michael Shortreed,Matthew Lockett,Robert Hamers. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2009-11-04.

Selectively deposited electrodes onto a substrate

Номер патента: US4882233A. Автор: K. R. Ramaprasad. Владелец: Chronar Corp. Дата публикации: 1989-11-21.

Magnetic recording/reproduction device for metal-thin-film magnetic tape

Номер патента: US8488273B2. Автор: Masaya Sakaguchi,Kenya Hori. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Methods for deposition of semiconductor material

Номер патента: EP1702355A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Cem Basceri,Eric R. Blomiley,Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-20.

Method for the manufacturing of thin film photovoltaic converter device

Номер патента: WO2010139698A3. Автор: Markus Kupich. Владелец: OERLIKON SOLAR AG, TRUEBBACH. Дата публикации: 2011-02-03.

Thin-film photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: US20140026956A1. Автор: Shiro Nishiwaki,Ayodhya Nath Tiwari,David Brémaud,Adrian CHIRILA,Patrick Bloesch. Владелец: EMPA. Дата публикации: 2014-01-30.

Thin-film photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: WO2012143858A2. Автор: Shiro Nishiwaki,Ayodhya Nath Tiwari,David Brémaud,Adrian CHIRILA,Patrick Bloesch. Владелец: EMPA. Дата публикации: 2012-10-26.

Device with ceramic thin plate member and metal thin plate member

Номер патента: US20080124601A1. Автор: Tsutomu Nanataki,Hiroki Fujita,Makoto Ohmori,Natsumi Shimogawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Device with ceramic thin plate member and metal thin plate member

Номер патента: EP1936725A3. Автор: Tsutomu C/O Ngk Insulators Ltd. Nanataki,Makoto c/o NGK Insulators Ltd. Ohmori,Natsumi c/o NGK Insulators Ltd. Shimogawa,Hiroki c/o NGK Insulators Ltd. Fujita. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-03-09.

Self-alignment of metal and via using selective deposition

Номер патента: WO2017136577A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-08-10.

Building layers with unsupported portions through selective deposition-based additive manufacturing

Номер патента: US11654624B2. Автор: J. Samuel Batchelder,Arun Chowdry,Chris Anton. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Compliant transfusion roller for selective deposition based additive manufacturing system

Номер патента: WO2019133840A1. Автор: James W. Comb,Chris COUNTS. Владелец: Evolve Additive Solutions, Inc.. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US20090001343A1. Автор: Michael W. Konevecki,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-01-01.

Low leakage thin film capacitors using titanium oxide dielectric with conducting noble metal oxide electrodes

Номер патента: US20220102483A1. Автор: Henning Braunisch,Kaan OGUZ,Aleksandar Aleksov,Neelam Prabhu Gaunkar,Thomas Sounart,I-Cheng Tung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Interconnection structure of selective deposition process

Номер патента: WO2021046212A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Shi YOU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-03-11.

Selective deposition-based additive manufacturing device and method of printing 3D parts with semi-crystalline materials

Номер патента: US11993006B2. Автор: J. Samuel Batchelder,Eric Carl Stelter. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Selective deposition-based additive manufacturing using dissimilar materials

Номер патента: EP3993987A1. Автор: J. Samuel Batchelder. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-11.

Area selective deposition for zero via enclosure and extremely small metal line end space

Номер патента: US20230282514A1. Автор: Chien-Wen Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Min HSIAO,Yu-Luen DENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Layer orientation in selective deposition based additive manufacturing of parts

Номер патента: US20190202113A1. Автор: J. Samuel Batchelder. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Self-aligned thin-film transistor and method of forming same

Номер патента: US20090298240A1. Автор: William S. Wong,Rene Lujan. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Thin-film photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: US9786807B2. Автор: Shiro Nishiwaki,Ayodhya Nath Tiwari,David Brémaud,Adrian CHIRILA,Patrick Bloesch. Владелец: EMPA. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin-film photovoltaic device and fabrication method

Номер патента: US09786807B2. Автор: Shiro Nishiwaki,Ayodhya Nath Tiwari,David Brémaud,Adrian CHIRILA,Patrick Bloesch. Владелец: EMPA. Дата публикации: 2017-10-10.

Formation of SiOCN thin films

Номер патента: US09786492B2. Автор: Toshiya Suzuki,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-10.

Formation of SiOCN thin films

Номер патента: US09786491B2. Автор: Toshiya Suzuki,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-10.

Thin film deposition

Номер патента: US09735392B2. Автор: Chuanjun Xia,Ruiqing Ma,Prashant Mandlik. Владелец: Universal Display Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin-film device

Номер патента: US10181407B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kenji Kuroiwa,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Device for introducing a small amount of noble earths, in particular cerium, into an internal combustion engine combustion chamber

Номер патента: AU3092697A. Автор: Miltiathis Markou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-01-05.

Ultramicro to mesopore frameworks for selective separation and storage of noble gases

Номер патента: US20190091623A1. Автор: Praveen K. Thallapally,John D. Vienna. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Thin film battery fabrication with mask-less electrolyte deposition

Номер патента: EP2721689A2. Автор: Daoying SONG,Chong JIANG,Byung Sung Leo KWAK. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-04-23.

Thin-film hybrid photoelectric converter and method of its manufacturing

Номер патента: RU2694113C2. Автор: Олег Викторович Сергеев,Альберт Галийевич Насибулин,Прамод Малбагал Раджанна,Сергей Иванович Березнев. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-07-09.

Microfluidal thin-film structure for batching of fluids

Номер патента: RU2515287C2. Автор: БЛАНКЕНШТАЙН Герт,КУРОВСКИ Дирк,ХЕМПЕЛЬ Марио,РОДЕНФЕЛЬС Тобиас. Владелец: Бёрингер Ингельхайм Майкропартс Гмбх. Дата публикации: 2014-05-10.

Superconducting thin-film material, superconducting wire and method of production thereof

Номер патента: RU2338280C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-11-10.

Sealed thin-film device, method of and system for repairing a sealing layer applied to a thin-film device

Номер патента: EP2436059A1. Автор: Herbert Lifka,Coen A. Verschuren,Rifat A. M. Hikmet. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-04-04.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20030211668A1. Автор: Makoto Takatoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Dielectric thin film, dielectric thin film element and thin film capacitor

Номер патента: US9324497B2. Автор: Takayoshi Sasaki,Minoru Osada,Takafumi Okamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US7838351B2. Автор: Toshiaki Arai,Motohiro Toyota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Thin film transitor, display device, and liquid crystal display device

Номер патента: US20120080683A1. Автор: Takeshi Sakai,Takeshi Noda,Hidekazu Miyake,Takuo Kaitoh. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin-film transistor substrate, thin-film transistor substrate manufacturing method, and liquid crystal display

Номер патента: US09876039B2. Автор: Takaaki Murakami,Kazunori Inoue,Naoki Nakagawa,Koji Oda,Rii Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Piezoelectric thin film resonator including an insertion film, filter, and duplexer

Номер патента: US09748925B2. Автор: Takeshi Sakashita,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Piezoelectric thin film element, inkjet recording head, and inkjet image-forming apparatus

Номер патента: US09586401B2. Автор: Masaru Shinkai,Toshiaki Masuda,Masahiro Ishimori. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of producing electrotechnical thin films at room temperature and electrotechnical thin film

Номер патента: RU2720133C2. Автор: Гангадаран ПУФАНЕНДРАЛИНГАМ,Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2020-04-24.

Flexible thin-film positive electrode and method of manufacture thereof

Номер патента: RU2722687C1. Автор: Алексей Михайлович Кашин,Дмитрий Викторович Новиков,Лолита Сергеевна Самохина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инэнерджи". Дата публикации: 2020-06-03.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

Pressure sensor of strain gauge type with a thin film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2657362C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Наталья Анатольевна Козлова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-06-13.

Method of forming superconducting thin film with local regions of variable thickness

Номер патента: RU2580213C1. Автор: Александр Геннадьевич Кузин,Геннадий Михайлович Серопян,Андрей Анатольевич Теплоухов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2016-04-10.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A3. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-26.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US20170133045A1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Piezoelectric thin film resonator and fabrication method of the same, filter, and multiplexer

Номер патента: US20190007021A1. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2019-01-03.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for measuring adhesive strength of thin film using dispersion characteristics of surface waves, and computer-readable recording medium having program for performing same recorded thereon

Номер патента: US20200217820A1. Автор: Yu Min Choi,Tae Sung Park,Ik Keun PARK,Dong Ryul KWAK. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20240178232A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin-film transistor array device, organic el display device, and method of manufacturing thin-film transistor array device

Номер патента: US20120032179A1. Автор: Tomoya Kato,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US20090140257A1. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

Thin film transistor substrate, display device, and manufacturing method for thin film transistor substrate

Номер патента: US20230120056A1. Автор: Takashi Terauchi,Ryuji Matsumoto,Kazunari Sasaki,Kimihiko HAYASHI. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for fabricating nanoporous thin film, nanoporous thin film and its applications

Номер патента: EP3991831A1. Автор: Ivo Rangelow,Xiang-qian ZHOU. Владелец: Zhou Xiang Qian. Дата публикации: 2022-05-04.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US7833826B2. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Thin-film filter, thin-film filter substrate, method of manufacturing the thin-film filter, method of manufacturing the thin-film filter substrate, MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS microphone

Номер патента: US11425508B2. Автор: Makoto Yoshida,Masashi Shiraishi,Hiroshi Take,Toyotaka Kobayashi,Anthony Reymund Melad Binarao,Cheng Bu Heng. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Air bearing surface of thin-film magnetic head slider and method of processing the same

Номер патента: US7554770B2. Автор: Shinichi Tanaka,Atsushi Tondokoro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20240178233A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20230317855A1. Автор: Jaeyoon Park,Jungseok Seo,Jin Seong Park,Ki Lim HAN,Taewon Hwang,Won-Bum Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-10-05.

Flux Transformer Formed of an Oxide Superconducting Thin Film and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: CA2145827A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Hirokazu Kugai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-30.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423B1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-10-26.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180082839A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Thin film manufacturing method and method of manufacturing substrate

Номер патента: US20220032623A1. Автор: Keiji Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Thin film magnetic head integrated structure, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20070044297A1. Автор: Tatsuya Harada,Naoto Matono,Yoshihiko Koyama. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

Thin film circuit board device and its manufacturing method

Номер патента: EP1429590A4. Автор: Tsuyoshi Ogawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Ultra-thin thin-film optical interference filters

Номер патента: US20240272340A1. Автор: Esmaeil Banaei. Владелец: Everix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer

Номер патента: US20170257076A1. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-09-07.

Thin film transistor

Номер патента: US20150162450A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Thin film transistor

Номер патента: US20140284601A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Beta-phase tantalum thin-film resistor and thin-film magnetic head with the resistor

Номер патента: US20070127161A1. Автор: Masashi Sano,Norio Kiuchi,Kento Edakawa,Nobuyoshi Morizumi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Thin film formation method and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090253264A1. Автор: Junichi Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Method Of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20020117671A1. Автор: Yoshinori Tateishi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-29.

Thin film transistor, display device and liquid crystal display device

Номер патента: US8670082B2. Автор: Takeshi Sakai,Takeshi Noda,Hidekazu Miyake,Takuo Kaitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423A1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-04-11.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929186B2. Автор: Kazunori Inoue,Kensuke Nagayama,Naoki Tsumura,Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917197B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Kojiro SHIRAISHI,Takafumi Mizoguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911765B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing a liquid crystal display by applying a laser to remove at least a portion of a polymer thin film layer and a substrate

Номер патента: US09910305B2. Автор: Myung Hwan Kim,Myeong Hee Kim,Dae Ho Lee,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film type controlled viewing window back light unit and thin flat type controlled viewing window display using the same

Номер патента: US09910208B2. Автор: Friedrich-Karl Bruder,Hyungseok Bang,Rainer Hagen,Günther Walze,Thomas Peter FACKE,Seungman Ryu. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Alkali-niobate-based piezoelectric thin film element

Номер патента: US09882546B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09859391B2. Автор: Jun Tanaka. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus and method for manufacturing thin film, electro-chemical device and method for manufacturing electro-chemical device

Номер патента: US09770890B2. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US09722169B1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Piezoelectric thin film resonator and method of fabricating the same

Номер патента: US09716956B2. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Ryuichi Okamura,Tsuyoshi Yokoyama,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716118B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Fractal-edge thin film and method of manufacture

Номер патента: US09679940B2. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Thin film solid state lithium ion secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US09673481B2. Автор: Momoe Adachi,Yuichi Sabi,Hiroyuki Morioka,Tatsuya Furuya,Koichiro Hinokuma,Yui Senda,Katsunori Takahara,Reina Ichikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Thin film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09660103B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi,Shinya Morita,Yasuyuki Takanashi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US09646637B1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing thin film polarizer, and thin film polarizer and polarizing plate manufactured using the same

Номер патента: US09645293B2. Автор: Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu,Sung Hyun Nam. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09627515B2. Автор: Eiichi Satoh. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Thin-film pattern array and production method therefor

Номер патента: US09530668B2. Автор: Hojin Lee,Youngseok Kim. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2016-12-27.

Optical thin film laminate for organic electroluminescent display element, production method thereof, organic electroluminescent display element and display device

Номер патента: US09450210B2. Автор: Fei Liu,Xue Gao,Jinlong Liao,Qinghui Zeng,Junran Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Poly-Silicon Thin Film and Preparation Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20200035490A1. Автор: Hongping Yu,Peng He. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for producing a multilayer thin-film heterostructure with a given value of specific surface resistance

Номер патента: RU2750503C1. Автор: Игорь Валерианович Волохов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2021-06-29.

Device for application of homogeneous smooth thin films of different materials on solid substrates

Номер патента: RU2529865C2. Автор: Андрей Валериевич Варлашкин,Сергей Иванович Красносвободцев,Евгений Владимирович Печень. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2014-10-10.

Thin-film electric heater

Номер патента: RU2646421C1. Автор: Олег Иванович Филатов,Борис Григорьевич Полевой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НАНОТЕРМ". Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing a thin-film transistor

Номер патента: RU2749493C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Аюб Рамзанович Умаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-06-11.

Oral thin film with high active substance loading

Номер патента: RU2754824C1. Автор: Маркус МЮЛЛЕР,Кристоф ШМИТЦ,Михаэль ЛИНН,Мариус БАУЭР. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for determining mechanical properties of thin film membranes formed over round holes

Номер патента: RU2758417C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Леонидович Переверзев,Валерий Юрьевич Киреев,Анна Александровна Дедкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-10-28.

Multilayer oral thin film

Номер патента: RU2762081C1. Автор: Кристоф ШМИТЦ,Михаэль ЛИНН. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-12-15.

Method of depositing thin films on surface of substrates for making solar cells

Номер патента: RU2586265C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова,Мария Николаевна Литовченко,Тажидин Экберович Саркаров,Юсуп Пахрудинович Шангереев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2016-06-10.

Thin-film capacitor built around conductive polymers

Номер патента: RU2318263C2. Автор: Прабхат КУМАР,Хеннинг ЮЛЕНХАТ. Владелец: Х.Ц. Штарк, Инк.. Дата публикации: 2008-02-27.

Thin-film thermo-electric generator and fabrication method thereof

Номер патента: US20110197942A1. Автор: Ping Fan,Dongping Zhang,Guangxing Liang,Zhuangghao Zjemg. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-08-18.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US8098462B2. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150263142A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337322B2. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Thin-film transitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140346497A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Globally planarized backend compatible thin film resistor contact/interconnect process

Номер патента: US20030030107A1. Автор: Khanh Tran,Viktor Zekeriya. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Thin film transistor based light sensor

Номер патента: US20230063673A1. Автор: Katherine H. Chiang,Shih-Llen Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin Film Transistor Substrate and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240204010A1. Автор: Youngjin Yi,Yubeen LIM,JungJune KIM,Soyang CHOI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Retrofitting a thin film to a solar system

Номер патента: WO2023027983A2. Автор: Kurt G. Conti,Cullin J. Wible. Владелец: Conti SPE, LLC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin film electrode ceramic substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130032383A1. Автор: Yun Hwi Park,Won Hee Yoo,Byeung Gyu Chang,Taek Jung Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US9385297B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Thin film multivariate optical element and detector combinations, thin film optical detectors, and downhole optical computing systems

Номер патента: US20220178819A1. Автор: JIAN Li,Bin Dai,John Laureto MAIDA, JR.,Christopher Michael Jones,Daniel Stark,James M. Price. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for manufacturing functional mixture-coated skin attachment thin film and skin-attachment thin film manufactured by using same

Номер патента: EP4374908A1. Автор: Ki Don Kim,Jun-Ho Jeong,Soon-Hyoung Hwang,Sohee JEON,Hyeok Jung Kang. Владелец: Crscube America Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Thin film capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20020001165A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Thin film optoelectronic devices using delafossite type metal oxides and methods of their fabrication

Номер патента: WO2015198321A1. Автор: Stelios A. Choulis,Savva ACHILLEAS. Владелец: Reinhold Cohn And Partners. Дата публикации: 2015-12-30.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20100321822A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Large lateral scale two-dimensional materials and other thin films, and associated systems and methods

Номер патента: US12030081B2. Автор: Yu Zhong,Jiwoong Park,Baorui Cheng. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator, manufacturing apparatus for a piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, and electronic component

Номер патента: US20040200050A1. Автор: Eiju Komuro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for producing waterproof organic thin film

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Shoichi Matsuda,Hiroshi TOMOHISA,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Thin-film transistor and solid-state imaging apparatus

Номер патента: US20140070222A1. Автор: Tatsuya Ohguro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin film transistor substrate

Номер патента: US20150076502A1. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US8034672B2. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Encapsulating thin film, production method thereof, and method for encapsulating display panel

Номер патента: US20190165307A1. Автор: Yang Xu,Tao Jin,Jianhui Zhang,Yong Cui,Biao TIAN,Tianfeng Pan,Jieshu Wu,Lihao ZHAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Retrofitting a thin film to a solar system

Номер патента: EP4393016A2. Автор: Kurt G. Conti,Cullin J. Wible. Владелец: Conti Innovation Center LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Retrofitting a thin film to a solar system

Номер патента: WO2023027983A3. Автор: Kurt G. Conti,Cullin J. Wible. Владелец: Conti SPE, LLC.. Дата публикации: 2023-04-06.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same and magnetic memory apparatus

Номер патента: US5917681A. Автор: Takamitsu Orimoto,Keita Ohtsuka,Mithumasa Okada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: EP4024493A1. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: AU2020338944A1. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: AU2020338944B2. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Self-adherent flexible thin film stacks and photovoltaic devices including same

Номер патента: US20240276745A1. Автор: Mahshid Sam,Alfonso Fabian De La Fuente Sanchez. Владелец: Solaires Entreprises Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabricating method for optical multilayer thin film structure

Номер патента: US20070247716A1. Автор: Myoung Jin Kim,Hwe Kyung KIM. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US20150064804A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Thin film-planar structure and method for producing the same

Номер патента: US6406637B1. Автор: Akira Shimokohbe,Seiichi Hata. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2002-06-18.

Piezoelectric thin film structure and angular velocity detection apparatus

Номер патента: US8978469B2. Автор: Mizuho Okada,Nobuhisa Yamashita,Masaki Takaoka,Daisuke Kaminishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Piezoelectric thin film structure and angular velocity detection apparatus

Номер патента: US20120247207A1. Автор: Mizuho Okada,Nobuhisa Yamashita,Masaki Takaoka,Daisuke Kaminishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-10-04.

Multilayered optical thin-film filter, method of designing the same and filter module utilizing the same

Номер патента: US20040196557A1. Автор: Shigeki Takeda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Polycrystal thin film forming method and forming system

Номер патента: US20010041391A1. Автор: Kuninori Kitahara,Akito Hara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting display apparatus including the same

Номер патента: US20160118420A1. Автор: Deukjong KIM,Yongho YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Integrated thin-film resistive sensor with integrated heater and metal layer thermal equalizer

Номер патента: US12066514B2. Автор: Zhong You,Vamsikrishna Parupalli. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Thin film transistor array and el display employing thereof

Номер патента: US20140252365A1. Автор: Ken Ito,Yasuharu Shinokawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: EP2436044A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: WO2010138157A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2010-12-02.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of thin film laminated article

Номер патента: US6514372B1. Автор: Akio Yamazaki. Владелец: New Create Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Thin film transistor substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US8558226B2. Автор: Masaru Aoki,Kazunori Inoue,Toshihiko Iwasaka,Reiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Dielectric thin film-applied substrate and optical modulation element using the same

Номер патента: US10649246B2. Автор: Kenji Sasaki,Shinji Iwatsuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Thin film transistor substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120305911A1. Автор: Masaru Aoki,Kazunori Inoue,Toshihiko Iwasaka,Reiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Method and apparatus for photovoltaic thin film quality control

Номер патента: WO2010007617A3. Автор: Moshe Finarov. Владелец: Brightview Systems Ltd.. Дата публикации: 2010-03-18.

Aligning a featureless thin film in a TEM

Номер патента: US9583303B2. Автор: Bart Buijsse,Gijs van Duinen. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-02-28.

Aligning a featureless thin film in a tem

Номер патента: US20160104596A1. Автор: Bart Buijsse,Gijs van Duinen. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Method of degassing thin layer and method of manufacturing silicon thin film

Номер патента: US20070264800A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

Thin film endovascular electrode array and method of fabrication

Номер патента: US20240215889A1. Автор: Ellis Meng,Brianna Leilani THIELEN. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2024-07-04.

Electron devices comprising a thin-film electron emitter

Номер патента: WO1998006135A3. Автор: John Martin Shannon,Sembukuttiarachilage Rav Silva. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-03-19.

A method and apparatus for thin film quality control

Номер патента: EP2212680A2. Автор: Moshe Finarov. Владелец: Brightview Systems Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

Drug injection stopper with thin film lubricant

Номер патента: AU2021413356B2. Автор: Peter Heicksen,Naomi DELONG. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037531A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen,Hong-Chih Chen,Mao-Chou Tai,Shin-Ping Huang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-02-03.

Thin film photovoltaic cell, cell pack and method of fabricating thin film photovoltaic cell

Номер патента: US12125925B2. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Segmented-width thin-film sense resistors with width-distributed terminal land connections

Номер патента: US20240361356A1. Автор: Michael J. Murphy,Aleksey KHENKIN. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Organic light-emitting display device including thin-film solar cell and method of manufacturing the organic light-emitting display device

Номер патента: US09972661B2. Автор: Tsuyoshi Naijo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Mechanical design of thin-film diamond crystal mounting apparatus with optimized thermal contact and crystal strain for coherence preservation x-ray optics

Номер патента: US09966161B2. Автор: Deming Shu,Stanislav Stoupin,Kwang-Je Kim,Yury Shvydko. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Monolithically integrated thin-film device with a solar cell, an integrated battery, and a controller

Номер патента: US09941419B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl,Johann H. Bredel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Computer thin film switch keyboard

Номер патента: US09941077B2. Автор: Ming Li,Jinxin Ding,Xiaopeng Cao,Guishun HONG,Xiaojun HONG. Владелец: Shenzhen Hui Chuang Da Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Fabrication of thin-film devices using selective area epitaxy

Номер патента: US09905727B2. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing a thin film cell arrangement

Номер патента: US09865755B2. Автор: Birger Zimmermann,Hans-Frieder Schleiermacher,Sebastian Schiefer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin-film transistor array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09841630B2. Автор: Shishuai Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Display device with contact between an electrode of a thin film transistor and a pixel electrode

Номер патента: US09837449B2. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for controlling an increase in conductivity of a polymer thin-film to provide a conductive film

Номер патента: US09825226B2. Автор: Sun Jin Yun,Changbong YEON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786791B2. Автор: Jie Song,Gaofei Shi,Yijun Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Temperature sensor device and radiation thermometer using this device, production method of temperature sensor device, multi-layered thin film thermopile using photo-resist film and radiation thermometer using this thermopile, and production method of multi-layered thin film thermopile

Номер патента: US09759613B2. Автор: Mitsuteru Kimura,Nobuo Tanaka,Hironori Shimobayashi. Владелец: HME CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09754970B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Porous, thin film electrodes for lithium-ion batteries

Номер патента: US09748569B2. Автор: Byunghoon Yoon,Wenming Li,Ann Koo. Владелец: Applejack 199 LP. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin-film transistor substrate and display device comprising the same

Номер патента: US09748320B2. Автор: Seungmin Lee,Youngwoon Yoon,Sunghoon Hong,Byungyong AHN,Sungki Hong,Sangkug Han,Yujin Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor substrate and display panel having film layer with different thicknesses

Номер патента: US09741804B2. Автор: I-Ho Shen,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US09728754B2. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US09685603B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Thin film polarizer having superior optical properties, manufacturing method thereof, and polarizing plate and display device including the same

Номер патента: US09684104B2. Автор: Sung-Hyun Nam,Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for preparing organic polymer thin film laser

Номер патента: US09667035B1. Автор: Li Chen,LI Wang,SONGTAO Li,Xinping Zhang,Tianrui Zhai. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for forming thin film chalcogenide layers

Номер патента: US09647153B2. Автор: Marc Meuris,Marie Buffiere,Hossam ElAnzeery. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film transistor substrate

Номер патента: US09640564B2. Автор: Eiichi Sato,Shinya Ono. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of patterning a thin film

Номер патента: US09625820B2. Автор: Arnold Chang-Mou Yang,Wei-Chun Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting display apparatus including the same

Номер патента: US09620534B2. Автор: Deukjong KIM,Yongho YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for depositing copper-indium-gallium selenide (CuInGaSe2-cigs) thin films and other materials on a substrate

Номер патента: US09614118B2. Автор: Jehad A. Abushama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing positive electrode of thin-film battery and method for producing thin-film battery

Номер патента: US09601799B2. Автор: Yuichi Sabi,Hiroyuki Morioka,Tatsuya Furuya,Katsunori Takahara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Organic thin film transistor and preparation method thereof, array substrate and preparation method thereof, and display device

Номер патента: US09583722B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Aligning a featureless thin film in a TEM

Номер патента: US09583303B2. Автор: Bart Buijsse,Gijs van Duinen. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-02-28.

Flat panel display device with oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09570483B2. Автор: Ki Tae Kim,Chang Hoon Han,Ki Young Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Thin-film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device

Номер патента: US09564460B1. Автор: Wei Li,Yunyou Zheng,Shengnan Xiong,Yicun Zhang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for producing amorphous oxide thin film and thin film transistor

Номер патента: US09543143B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masayuki Suzuki,Tatsuya Shimoda,Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer

Номер патента: US09531342B2. Автор: Takeshi Sakashita,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Coil unit for thin film inductor, manufacturing method of coil unit for thin film inductor, thin film inductor and manufacturing method of thin film inductor

Номер патента: US09514880B2. Автор: Jeong Woo Park,Seon Ha Kang,Oh Hi Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for manufacturing CI(G)S-based thin film comprising Cu-Se thin film using Cu-Se two-component nanoparticle flux, and CI(G)S-based thin film manufactured by the method

Номер патента: US09496449B2. Автор: Ara Cho,Jae-Ho Yun,Kyung-Hoon YOON,Kee-Shik Shin,SeJin Ahn,Jihye Gwak,SeoungKyu Ahn. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film transistor array panel and liquid crystal display device including the same

Номер патента: US09490274B2. Автор: Kyung-ho Park,Woo-Jung Shin,Si Hyun AHN,Hyung Jun Park,Dong-hyun Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Fabrication of thin-film devices using selective area epitaxy

Номер патента: US09490119B2. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Organic light emitting display apparatus having thin-film encapsulation layer with interlayer and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09461266B2. Автор: Jae-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and display device

Номер патента: US09412765B2. Автор: Yujiro Hara,Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Nobuyoshi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing stacked thin film piezoelectric filter

Номер патента: US09386388B2. Автор: Takashi Miyake. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Microcellular thermoplastic thin films formed by a solid-state foaming process

Номер патента: US09381723B2. Автор: Henry G. Schirmer,Vipin Kumar,Dustin Miller,John Chunpo Lu. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2016-07-05.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US09362313B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Hiroaki Tao,Shinya Morita,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer including a film inserted in the piezoelectric film

Номер патента: US09356573B2. Автор: Takeshi Sakashita,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

METHOD IMPROVING CHARACTERISTICS OF Si THIN-FILM ANODE OF LITHIUM ACCUMULATOR BATTERY

Номер патента: RU2327254C1. Автор: Сунг-Ман ЛИ,Сео-Дзае ЛИ. Владелец: Эл Джи Кем, Лтд.. Дата публикации: 2008-06-20.

Thin-film actuated mirror matrix and process of its manufacture

Номер патента: RU2140722C1. Автор: Джи Джеонг-Беом,Ким Донг-Кук,Ли Сеок-Вон. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 1999-10-27.

High-active multi-layered thin-filmed ceramic structure of active part of elements of solid oxide devices

Номер патента: RU2662227C2. Автор: Александр Сергеевич Липилин,Алексей Викторович Спирин,Ольга Ивановна Гырдасова,Сергей Николаевич Шкерин,Алексей Викторович Никонов,Антон Валерьевич Кузьмин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2018-07-25.

Method of producing high-stable tensoresistor pressure sensor based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2601204C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-10-27.

Radiation hardened thin-film transistors

Номер патента: US12027630B2. Автор: Shiqiang Wang,Michael C. Hamilton,Minseo Park,Kosala Yapa Bandara. Владелец: AUBURN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

High power, double-sided thin film filter

Номер патента: US12034425B2. Автор: Michael Marek,Elinor O'neill,Ronit Nissim. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin-film transistor circuit, design method for thin-film transistor, design program for thin-film transistor circuit, design program recording medium, design library database, and display device

Номер патента: US20090044161A1. Автор: Genshiro Kawachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Thin film transistor

Номер патента: US20030183857A1. Автор: Takahiro Korenari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Thin-film substrate and energy-sensitive electronic component including same

Номер патента: US20240234037A1. Автор: Soo Deok HAN. Владелец: Vanam Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20240222445A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Tianmin Zhou,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic thin film inductor structures

Номер патента: US20180219059A1. Автор: Eric Soenen,Alan Roth,Paul Rannuci,Ted Dibenne. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Magnetic thin film inductor structures

Номер патента: US20240162277A1. Автор: Eric Soenen,Alan Roth,Paul Rannuci. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US12034082B2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Poly-crystalline thin film, thin film transistor formed from a poly-crystalline thin film and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7851802B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon,Kyung-seok SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-14.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100177441A1. Автор: Takayasu Kanaya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

NTC thin film thermistor and method for producing an NTC thin film thermistor

Номер патента: US12033774B2. Автор: Jan Ihle,Thomas Bernert,Christl Lisa Mead,Thomas STENDEL,Marko Vrabelj,Sebastian Redolfi. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20050087745A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-04-28.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20040209388A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-10-21.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Methods and systems for forming oleds and thin film devices

Номер патента: US20180277793A1. Автор: W. Dennis Slafer. Владелец: MicroContinuum Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Thin-film transistor device

Номер патента: US20230178660A1. Автор: Po-Tsun Liu,Zhen-Hao Li,Tsung-Che Chiang,Po-Yi Kuo. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-06-08.

Thin film actuator having transversely oriented structural stiffeners to increase actuator stroke

Номер патента: WO2021242443A1. Автор: Marco Mattila,Tommi Riekkinen,Risto Heikki MUTIKAINEN,Nikolay CHEKUROV. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Thin-film antenna, displaying module and displaying device

Номер патента: US20240170846A1. Автор: XIN Wang,Penghao GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Flow line for year-round heap leaching of noble metals in cryolithic zone

Номер патента: RU2493363C1. Автор: Юрий Николаевич Резник,Виктор Петрович Мязин,Артур Геннадьевич Секисов,Лидия Владимировна Шумилова,Сергей Александрович Кондратьев,Виктор Николаевич Опарин,Александр Петрович Тапсиев,Владимир Александрович Усков,Дмитрий Михайлович Шестернев,Юрий Васильевич Артеменко,Виктор Иванович Ростовцев,Елена Николаевна Шемякина,Алексей Евгеньевич Баянов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт горного дела Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2013-09-20.

Process line for treatment of loose rocks and separation of noble metals, their solid solutions and intermetallic compounds

Номер патента: RU2149694C1. Автор: В.П. Герман,М.С. Мельников,В.В. Маликов,В.И. Власюк,Ю.Б. Макаров,В.Л. Бараблин,В.И. Степанчук. Владелец: Тульское государственное научно-исследовательское геологическое предприятие. Дата публикации: 2000-05-27.

Charge and method of extracting noble metals out of it

Номер патента: RU2383637C1. Автор: Анатолий Прокопьевич Коробейников,Александр Николаевич Филин,Михаил Александрович Усов,Александр Илларионович Стариков,Никита Анатольевич Коробейников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2010-03-10.

Method of identification of noble metals in sulfide ores and their processing products

Номер патента: RU2365644C1. Автор: Сергей Георгиевич Рыбкин,Евгений Владимирович Богородский,Людмила Антоновна Медведева. Владелец: Открытое акционерное общество "Иркутский научно-исследовательский институт благородных и редких металлов и алмазов" ОАО "Иргиредмет". Дата публикации: 2009-08-27.

Method for processing sulfide concentrates containing lead, non-ferrous and noble metals

Номер патента: RU2316606C1. Автор: Юрий Львович Николаев,Вера Петровна Бескровная,Сергей Георгиевич Рыбкин,Вера Петровна Бескровна,Виктор Германович Баранкевич,Ольга Владимировна Гребенюкова. Владелец: Открытое акционерное общество "Иркутский научно-исследовательский институт благородных и редких металлов и алмазов" ОАО "Иргиредмет". Дата публикации: 2008-02-10.

Process to determine content of noble metals in porous media

Номер патента: RU2158941C1. Автор: Г.В. Прис,Л.А. Прис,В.И. Пятницкий,В.И. Сущев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт цветных и благородных металлов". Дата публикации: 2000-11-10.

Method of making powder preparation of noble metal nanoparticles

Номер патента: RU2489231C1. Автор: Николай Григорьевич Хлебцов,Борис Николаевич Хлебцов. Владелец: Борис Николаевич Хлебцов. Дата публикации: 2013-08-10.

Method of reprocessing of alloys containing noble metals on the basis of copper and/or zinc

Номер патента: RU2017842C1. Автор: А.М. Давыдов,С.И. Лолейт,Г.А. Ильченко,Н.А. Устиченко,В.Г. Караев,С.Т. Масликов,М.А. Меретуков. Владелец: Масликов Сергей Тимофеевич. Дата публикации: 1994-08-15.

Flotation method of noble metals

Номер патента: RU2368427C1. Автор: Валентин Алексеевич Чантурия,Татьяна Анатольевна Иванова,Татьяна Васильевна Недосекина,Виктория Николаевна Степанова,Дмитрий Алексеевич Недосекин. Владелец: Институт проблем комплексного освоения недр РАН (ИПКОН РАН). Дата публикации: 2009-09-27.

Method of extraction of noble metals

Номер патента: RU2272084C1. Автор: Валерий Иванович Чернышев,Андрей Иванович Иванов,Игорь Григорьевич Тертышный,Валентин Григорьевич Моисеенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Пат". Дата публикации: 2006-03-20.

Procedure for processing concentrates containing noble metals and sulphides

Номер патента: RU2395598C1. Автор: Юрий Львович Николаев,Сергей Георгиевич Рыбкин,Евгений Владимирович Богородский. Владелец: Открытое акционерное общество "Иркутский научно-исследовательский институт благородных и редких металлов и алмазов" ОАО "Иргиредмет". Дата публикации: 2010-07-27.

Method of processing of materials containing noble metals

Номер патента: RU2139142C1. Автор: В.А. Вдовин,В.А. Чантури,В.А. Чантурия,И.Ж. Бунин,ев Ю.В. Гул,Ю.В. Гуляев,А.В. Корженевский,В.Д. Лунин,В.А. Черепенин,Г.С. Крылова,Г.В. Седельникова. Владелец: Институт проблем комплексного освоения недр РАН. Дата публикации: 1999-10-10.

Method of extraction of noble metals from middlings

Номер патента: RU2295580C2. Автор: Владимир Семенович Чекушин,Сергей Пантелеймонович Бакшеев,Наталь Васильевна Олейникова,Наталья Васильевна Олейникова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный университет цветных металлов и золота". Дата публикации: 2007-03-20.

Method for purification of noble metals and their alloys

Номер патента: RU2060285C1. Автор: Е.И. Рытвин,В.В. Васекин,Е.В. Лапицкая,М.Г. Слотинцева,Н.М. Слотинцев. Владелец: Научно-производственный комплекс "Суперметалл". Дата публикации: 1996-05-20.

Method of noble metals recovery from ones at their places of occurrence by underground leaching

Номер патента: RU2185507C1. Автор: А.Н. Шустов,Н.П. Седов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Геоприд". Дата публикации: 2002-07-20.

Mixed basicity anionite for sorption of noble metals from cyanide solutions and pulp

Номер патента: RU2435792C1. Автор: Виктор Васильевич Доброскокин,Лариса Илларионовна Сахарова,Ариадна Ивановна Зорина,Евгений Васильевич Овчаренко,Николай Владимирович Балановский,Зоя Максимовна Каменцева,Ольга Николаевна Мятковская. Владелец: Открытое акционерное общество "Ведущий научно-исследовательский институт химической технологии". Дата публикации: 2011-12-10.

Noble metal nanoparticles and method of production thereof

Номер патента: RU2351391C1. Автор: Юрий Васильевич Ларичев,Юрий Васильевич Ларичев (RU). Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2009-04-10.

Noble metal leaching apparatus

Номер патента: RU2051982C1. Автор: В.М. Муллов,Г.Б. Рашковский. Владелец: Иркутский государственный научно-исследовательский институт редких и цветных металлов. Дата публикации: 1996-01-10.

Centrifuge for recovery of particles of noble metals from slime

Номер патента: RU2041966C1. Автор: Владимир Михайлович Лепехин. Владелец: Владимир Михайлович Лепехин. Дата публикации: 1995-08-20.

Method of making the combined tooth prosthesis made of noble metal

Номер патента: RU2071289C1. Автор: Александр Александрович Голубев,Игорь Константинович Батрак,Виктор Васильевич Морозов,Анатолий Владимирович Бесов,Степан Иванович Насикан,Ирина Яковлевна Аристова,Григорий Иванович Алексеев,Евгений Леонидович Городисский,Лев Израильевич Ковальский,Андрей Гаврилович Фаробин. Владелец: Андрей Гаврилович Фаробин. Дата публикации: 1997-01-10.

Synthesis of noble metal, sulphide catalysts in a sulphide ion-free aqueous environment

Номер патента: MY138495A. Автор: Robert J Allen,Andrea F Gulla. Владелец: Industrie De Nora Spa. Дата публикации: 2009-06-30.

Process of recovery of noble metals from material carrying them

Номер патента: RU2158774C2. Автор: А.З. Понизовский,А.П. Шведчиков,Л.З. Понизовский,В.Я. Старобинский,С.П. Крючков. Владелец: Крючков Сергей Петрович. Дата публикации: 2000-11-10.

Method of noble metals recovery

Номер патента: RU2167950C2. Автор: Г.И. Войлошников,Н.С. Войлошникова,В.В. Барченков. Владелец: Открытое акционерное общество "Иргиредмет". Дата публикации: 2001-05-27.

Method for refining of noble metals

Номер патента: RU2278183C2. Автор: Нина Архиповна Салтыкова,Ольга Леонидовна Семерикова. Владелец: Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской Академии Наук. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of noble metals extraction from ores and concentrates

Номер патента: RU2078840C1. Автор: Александр Александрович Ковалев,Виктор Владимирович Гостищев. Владелец: Виктор Владимирович Гостищев. Дата публикации: 1997-05-10.

Method for processing rebellious ores of noble metals

Номер патента: RU2113526C1. Автор: С.Ф. Винокуров,В.Г. Хитров. Владелец: Закрытое акционерное общество "Интегра". Дата публикации: 1998-06-20.

Method of producing modified granulated carbon active sorbent of noble metals

Номер патента: RU2447934C1. Автор: Тамара Георгиевна Ермакова,Надежда Петровна Кузнецова,Владимир Иванович Дударев,Галина Фирсовна Прозорова,Юрий Николаевич Пожидаев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-04-20.

Method for selective conveyance and deposition of medicinal substances in dentistry

Номер патента: RU2088277C1. Автор: С.Т. Сохов,И.А. Верхоломова. Владелец: Сохов Сергей Талустанович. Дата публикации: 1997-08-27.

Reactivation of noble metal-containing catalyst materials

Номер патента: CA1254191A. Автор: Quang N. Le,Sowmithri Krishnamurthy,Stephen S.F. Wong. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Production line for recovery of noble metals from rocks

Номер патента: RU2068301C1. Автор: М.И. Хрусталев,А.М. Кузнецов,Т.Т. Лукашева,В.Ф. Панин,Г.П. Коваленко. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Восторг". Дата публикации: 1996-10-27.

Method of recovering noble metals

Номер патента: RU2123887C1. Автор: В.Я. Бывальцев,Н.А. Дементьева. Владелец: Акционерное общество "Иргиредмет". Дата публикации: 1998-12-27.

Method for regenerating noble metals of touchstones after operation of its testing control

Номер патента: RU2013458C1. Автор: Валентин Петрович Никитин,Лев Николаевич Кодомской,Алексей Евгеньевич Новиков,Рафаэль Шарифович Ильясов,Александр Вячеславович Матвеев,Елена Ивановна Бызова,Раиса Харитоновна Аккалаева. Владелец: Раиса Харитоновна Аккалаева. Дата публикации: 1994-05-30.

Method of preparation of used catalysts including carrier and containing at least one noble metal for subsequent extraction of this metal

Номер патента: RU2154686C1. Автор: М.Г. Макаренко,Е.А. Петрова,А.Н. Парфенов,А.А. Самахов. Владелец: Самахов Александр Александрович. Дата публикации: 2000-08-20.

Method of recovery of noble metals from silver-containing concentrates

Номер патента: RU2162897C1. Автор: С.Б. Полонский,В.И. Седых,И.М. Седых. Владелец: Иркутский государственный технический университет. Дата публикации: 2001-02-10.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of processing materials containing noble metals

Номер патента: RU2176558C1. Автор: В.А. Вдовин,В.А. Чантури,В.А. Чантурия,И.Ж. Бунин,ев Ю.В. Гул,Ю.В. Гуляев,А.В. Корженевский,В.Д. Лунин,В.А. Черепенин. Владелец: Чантурия Валентин Алексеевич. Дата публикации: 2001-12-10.

Method of noble metals extraction from the solid materials

Номер патента: RU2027785C1. Автор: В.К. Бубнов,А.П. Яковлев,А.В. Югай,В.А. Нерлов,В.М. Баранов,В.Ф. Девбилов. Владелец: Производственное объединение "Целинный горно-химический комбинат". Дата публикации: 1995-01-27.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Controllable Sodium Delivery for Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120003785A1. Автор: Mackie Neil M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of thin films based on samarium monosulphide

Номер патента: RU2459012C2. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Юрьевич Лебединский,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-08-20.

Method for reprocessing sulfide noble metal-containing antimonial raw material

Номер патента: RU2055922C1. Автор: Д.К. Донских,В.Я. Зайцев,И.И. Кириллин,товский Л.И. Дит,Л.И. Дитятовский,С.А. Лайкин. Владелец: Акционерное общество закрытого типа Научно-технический центр "Сурьма". Дата публикации: 1996-03-10.

Plant for recovery of noble metals from loose rocks

Номер патента: RU2135294C1. Автор: В.П. Герман,М.С. Мельников,В.В. Маликов. Владелец: Тульское государственное научно-исследовательское геологическое предприятие. Дата публикации: 1999-08-27.

Method for separation of noble metals from pyrometallurgy wastes

Номер патента: RU2092597C1. Автор: Дмитрий Николаевич Шишкин,Виктор Геннадьевич Усов. Владелец: Виктор Геннадьевич Усов. Дата публикации: 1997-10-10.

Method of layer-by-layer analysis of thin films

Номер патента: RU2229116C1. Автор: С.А. Гынгазов,А.П. Суржиков,н Т.С. Франгуль,Т.С. Франгульян,вский А.В. Черн,А.В. Чернявский. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

Selectively depositing silicon oxide on a dielectric surface of a substrate

Номер патента: WO2024215620A1. Автор: Dennis Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Kevin McLaughlin,Kapu Sirish Reddy,Joel David Smith,Nupur BIHARI,Jason Nathaniel BELLING. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of extracting particles of noble metals from metalliferous sands and product line to this end

Номер патента: RU2427431C1. Автор: Виктор Петрович Мязин,Валерий Иванович Дядин,Геннадий Александрович Григорский,Василий Николаевич Левченко,Александр Павлович Муравьев,Сергей Дмитриевич Кондратьев,Данил Андреевич Синичук,Петр Сергеевич Щербанов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Читинский государственный университет (ЧитГУ). Дата публикации: 2011-08-27.

Method of extraction of noble metals from gravitational silicate concentrates containing gold and silver

Номер патента: RU2221062C1. Автор: И.Н. Танутров,М.Н. Свиридова,Н.М. Макарова. Владелец: Государственное учреждение Институт металлургии Уральского отделения РАН. Дата публикации: 2004-01-10.

Device for noble metal recovery

Номер патента: RU2205697C1. Автор: А.В. Тарасов,Б.П. Руднев,И.А. Енбаев,А.А. Шамин,Д.А. Клишин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный Научно-Исследовательский Институт Цветных Металлов "Гинцветмет". Дата публикации: 2003-06-10.

Method of processing concentrates containing noble metals

Номер патента: RU2215802C2. Автор: С.Г. Рыбкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Иргиредмет". Дата публикации: 2003-11-10.

Method for concentration of sands of noble metals of placer deposits

Номер патента: RU2095149C1. Автор: В.М. Кузьминых,В.Г. Моисеенко. Владелец: Амурский комплексный научно-исследовательский институт Амурского научного центра ДВО РАН. Дата публикации: 1997-11-10.

Method to manufacture thin-film high-temperature superconductive material

Номер патента: RU2481673C1. Автор: Сергей Владимирович Самойленков,Андрей Рафаилович Кауль,Артём Михайлович Макаревич,Вадим Анатольевич Амеличев,Алексей Сергеевич Манкевич,Андрей Викторович Бледнов,Всеволод Николаевич Чепиков,Антон Викторович Маркелов. Владелец: Закрытое акционерное общество "СуперОкс". Дата публикации: 2013-05-10.

Process of deposition of films of hydrogenized silicon

Номер патента: RU2100477C1. Автор: Андрей Андреевич Полисан,Равель Газизович Шарафутдинов,Александр Валерьевич Скрынников. Владелец: Александр Валерьевич Скрынников. Дата публикации: 1997-12-27.

Method for producing printhead interconnection structure incorporating thin-film resistor

Номер патента: RU2263998C2. Автор: В.А. Хрусталев,М.И. Лукасевич,А.Н. Еременко,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко,С.В. Нефедьев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-11-10.

Method for producing thin film resistor

Номер патента: RU2583952C1. Автор: Илья Николаевич Малышев,Сергей Валерьевич Симаков,Александр Борисович Колосов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН"). Дата публикации: 2016-05-10.

Method for producting thin films of amorphous hydrogenated silicon

Номер патента: RU2061281C1. Автор: Е.Л. Приходько,А.А. Айвазов,Б.Г. Будагян,А.Ю. Сазонов. Владелец: Московский институт электронной техники. Дата публикации: 1996-05-27.

Method for vacuum sputtering of topological thin-film pattern of hybrid microcircuit on substrate

Номер патента: RU2586937C1. Автор: Валерий Григорьевич Эдвабник,Амир Энверович Алямов,Любовь Васильевна Григорьева,Владимир Борисович Цай,Рэм Васильевич Кудрявцев,Денис Юрьевич Сидоров,Светлана Викторовна Юркова. Владелец: ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов". Дата публикации: 2016-06-10.

Method of preparing thin-film metal structure of tungsten on silicon

Номер патента: RU2375785C1. Автор: Геннадий Михайлович Михайлов,Светлана Всеволодовна Плющева,Сергей Юрьевич Шаповал,Александра Викторовна Андреева,Геннадий Михайлович Михайлов (RU),Светлана Всеволодовна Плющева (RU),Сергей Юрьевич Шаповал (RU),Александра Викторовна Андреева (RU). Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов. Дата публикации: 2009-12-10.

Improved method for the preparation of nanocrystalline diamond thin films

Номер патента: WO1997013892A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-06-12.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Cathodic unit preferably for plasma-beam vacuum deposition of thin films

Номер патента: RU2046154C1. Автор: Евгений Николаевич Ивашов,Сергей Михайлович Оринчев,Сергей Валентинович Степанчиков,Владимир Владимирович Слепцов,Павел Евгеньевич Кондрашов. Владелец: Павел Евгеньевич Кондрашов. Дата публикации: 1995-10-20.

THIN FILM PHOTOELECTRIC COVERSION MODULE

Номер патента: US20120000505A1. Автор: Chan Chung-Pui,Yeh Hsieh-Hsin. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Thin-film material that contains functional components and method of preparation of thin-film material that contains functional components

Номер патента: RU2326898C1. Автор: Александр Николаевич Тихонов,Алексей Юрьевич Семенов,Геннадий Борисович Хомутов,Андрей Анатольевич Дементьев. Владелец: Андрей Анатольевич Дементьев. Дата публикации: 2008-06-20.

Improvements in or in connection with the Drawing Off Rollers of Noble and like Combing Machines for Wool and like Fibres.

Номер патента: GB190224393A. Автор: . Владелец: CARDING AND COMBING MACHINE MA. Дата публикации: 1903-01-29.

Method of determining optical absorption losses in thin films

Номер патента: RU2377543C1. Автор: Олег Дмитриевич Вольпян,Владимир Николаевич Курятов,Юрий Александрович Обод,Петр Петрович Яковлев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха). Дата публикации: 2009-12-27.

Method of making thin-film resistor

Номер патента: RU2374710C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2009-11-27.

Method of producing nanosized thin-film standard sample of chemical composition

Номер патента: RU2483388C1. Автор: Юрий Александрович Карпов,Ольга Александровна Дальнова,Герман Григорьевич Главин. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2013-05-27.

Method of manufacture of composite membranes on base of thin films of metals

Номер патента: RU2285748C2. Автор: Виталий Васильевич Старков,Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Тимофеевич Волков,ткин Анатолий Федорович В. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2006-10-20.

Precise thin-film resistor

Номер патента: RU2421837C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2011-06-20.

Remote four-wave method for measurement of thin film thickness

Номер патента: RU2359220C1. Автор: Валентин Иванович Козинцев,Ольга Алексеевна Смирнова,Михаил Леонидович Белов,Виктор Александрович Городничев,Юрий Викторович Федотов. Владелец: ООО "НИИ Радиоэлектроники и лазерной техники". Дата публикации: 2009-06-20.

Pressure sensor of strain gauge with thin-film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2391641C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова,Светлана Александровна Васильева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Method for manufacturing of microcircuit boards with multi-level thin-film commutation

Номер патента: RU2398369C1. Автор: Лидия Ивановна Тулина,Вячеслав Евгеньевич Сергеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2010-08-27.

Method of producing thin films of chemical compounds

Номер патента: RU2469124C1. Автор: Валентина Владимировна Уточникова,Наталия Петровна Кузьмина,Алена Сергеевна Калякина. Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Факультет наук о материалах Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (ФНМ МГУ). Дата публикации: 2012-12-10.

Method for producing thin-film resistors

Номер патента: RU2270490C1. Автор: Валентин Константинович Смолин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова. Дата публикации: 2006-02-20.

Method of one-layer-at-a-time analysis of thin films

Номер патента: RU2229115C1. Автор: С.А. Гынгазов,А.П. Суржиков,н Т.С. Франгуль,Т.С. Франгульян,вский А.В. Черн,А.В. Чернявский. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for manufacturing thin-film resistor

Номер патента: RU2208256C2. Автор: А.Н. Лугин,Г.С. Власов. Владелец: Пензенский технологический институт. Дата публикации: 2003-07-10.

Pressure sensor of strain gauge type with thin-film nano- and microelectrical system

Номер патента: RU2472125C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2013-01-10.

Method of forming thin-film protective coating on bases of removable dentures, obturators and components of maxillofacial prostheses

Номер патента: RU2540227C2. Автор: Андрей Леонидович Калинин,Евгений Аркадьевич Митрофанов,Сергей Борисович Симакин. Владелец: Сергей Борисович Симакин. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

Thin-film electric heater

Номер патента: RU2546134C2. Автор: Олег Анатольевич Толмачев,Юрий Александрович Сажнев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная компания "НАНО". Дата публикации: 2015-04-10.

Electrostatic adhesion tester for thin film conductors

Номер патента: WO1998044334A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1999-03-11.

Thin film solar panel clip

Номер патента: CA134531S. Автор: . Владелец: OMCO Holdings Inc. Дата публикации: 2010-10-29.

Method of preparing thin-film nanocomposite coating on solid-state body

Номер патента: RU2324643C1. Автор: Владимир Владимирович Кислов,Евгений Сергеевич Солдатов,Сергей Павлович Губин,Артем Сергеевич Трифонов,Геннадий Борисович Хомутов,Анна Александровна Рахнянская,Андрей Николаевич Сергеев-Черенков,Дмитрий Иванович Черничко,Сергей Павлович Губин (RU),Евгений Сергеевич Солдатов (RU),Владимир Владимирович Кислов (RU),Геннадий Борисович Хомутов (RU),нска Анна Александровна Рахн (RU),Андрей Николаевич Сергеев-Черенков (RU),Артем Сергеевич Трифонов (RU),Дмитрий Иванович Черничко (RU). Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского Государственного университета им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2008-05-20.

Thin-film thermistor manufacturing process

Номер патента: RU2133514C1. Автор: А.Н. Лугин,Г.С. Власов,Л.С. Проскурин,С.В. Шутенко. Владелец: Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов. Дата публикации: 1999-07-20.

Method for producing ohmic contacts in thin-film devices built around amorphous hydrogenated semiconductors

Номер патента: RU2229755C2. Автор: А.А. Маслов,А.А. Попов,С.П. Вихров,ков Н.В. Вишн,Н.В. Вишняков,В.Г. Мишустин. Владелец: Рязанская государственная радиотехническая академия. Дата публикации: 2004-05-27.

Improvements in or appertaining to the Ball Feed Mechanism of Noble Combing Machines.

Номер патента: GB190108494A. Автор: . Владелец: Jeremiah Ambler & Sons Ltd. Дата публикации: 1902-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.