• Главная
  • Imprint apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Imprint apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20170305043A1. Автор: Yoshihiro Shiode. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US09971256B2. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11837469B2. Автор: Masayuki Hatano,Kazuya Fukuhara,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190221421A1. Автор: Masayuki Hatano,Kazuya Fukuhara,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article

Номер патента: US11693309B2. Автор: Hiroki Echigo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article

Номер патента: US20190354007A1. Автор: Hiroki Echigo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US11841616B2. Автор: Nozomu Hayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20190310547A1. Автор: Hiroyuki Kondo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: WO2017047002A1. Автор: Shingo Ishida,Kunihiko Asada,Atsushi Kusaka. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2017-03-23.

Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11953825B2. Автор: Masayuki Hatano,Kei Kobayashi,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200073233A1. Автор: Masayuki Hatano,Kei Kobayashi,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230221635A1. Автор: Masayuki Hatano,Kei Kobayashi,Tetsuro Nakasugi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article

Номер патента: US11392027B2. Автор: Atsushi Kusaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article

Номер патента: US20200379343A1. Автор: Atsushi Kusaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article

Номер патента: US11833719B2. Автор: Kenji Yoshida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20160193758A1. Автор: Masayoshi Fujimoto,Hiromitsu Yamaguchi,Takuro Yamazaki,Tomomi Funayoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: CN105759566B. Автор: 山口裕充,山崎拓郎,藤本正敬,船吉智美. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-01-10.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: SG10201703225PA. Автор: Shiode Yoshihiro. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2017-11-29.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF ARTICLE

Номер патента: US20200310260A1. Автор: Koide Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210225638A1. Автор: Nakasugi Tetsuro,Fukuhara Kazuya,Hatano Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190221421A1. Автор: Nakasugi Tetsuro,Fukuhara Kazuya,Hatano Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20190265589A1. Автор: Nakagawa Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: KR101863987B1. Автор: 겐지 야마모토. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-07-04.

Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article

Номер патента: US20210132492A1. Автор: Tatsuya Hayashi,Ken-Ichiro Shinoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US11835855B2. Автор: Satoshi Iino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, IMPRINT SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20180329293A1. Автор: HASHIMOTO Tsutomu,Nishikawa Tadayasu. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20190057881A1. Автор: Kawahara Nobuto,Mita Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20170305043A1. Автор: Shiode Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

A roll stamp for imprint apparatus and a manufacturing method of the same

Номер патента: KR102117840B1. Автор: 이주열,이주영,이상열,김만. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2020-06-03.

IMPRINT APPARATUS, CONTROL METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20170217054A1. Автор: Murasato Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Imprint apparatus, imprinting method, and method for manufacturing article

Номер патента: US20170246658A1. Автор: Junichi Seki,Eiji Sakamoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Imprint apparatus, imprinting method, and manufacturing method of article

Номер патента: US10403508B2. Автор: Tatsuya Hayashi,Takahiro Matsumoto,Yusuke Tanaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-09-03.

Imprint apparatus, imprinting method, and manufacturing method of article

Номер патента: US20170057153A1. Автор: Tatsuya Hayashi,Takahiro Matsumoto,Yusuke Tanaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US10406743B2. Автор: Akio Saito,Yasuyuki Tamura,Yoshikazu Miyajima,Hiromitsu Yamaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20170015045A1. Автор: Akio Saito,Yasuyuki Tamura,Yoshikazu Miyajima,Hiromitsu Yamaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Imprint apparatus, imprint method, and method of producing article

Номер патента: US20170057154A1. Автор: Tatsuya Hayashi,Keiji Emoto,Hisanobu Azuma,Yoshikazu Miyajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Pattern formation method and method and apparatus for production of a semiconductor device using said method

Номер патента: SG67481A1. Автор: Tohro Ogawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: WO2016166929A1. Автор: Tsutomu Terao. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-10-20.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US11840011B2. Автор: Tadashi Hattori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20140353865A1. Автор: Kazuki Nakagawa,Tomofumi Nishikawara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20240017476A1. Автор: Satoshi Iino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20150343679A1. Автор: Hiroshi Morohoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Imprint apparatus, imprinting mold, and method of manufacturing article

Номер патента: US20150123313A1. Автор: Yusuke Tanaka,Hirotoshi Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Imprint apparatus, imprint method, and method for manufacturing article

Номер патента: US20170144363A1. Автор: Kazuhiro Sato,Tsutomu Terao,Kazuki Nakagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20190086796A1. Автор: Ken Minoda,Naoki Murasato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Imprint apparatus, imprinting mold, and method of manufacturing article

Номер патента: US10042250B2. Автор: Yusuke Tanaka,Hirotoshi Torii. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-08-07.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US11099491B2. Автор: Atsushi Kimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Imprinting apparatus, imprinting method, and manufacturing method of uneven plate

Номер патента: US20140353863A1. Автор: Takumi Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Imprinting apparatus, imprinting method, and manufacturing method of uneven plate

Номер патента: US20120207931A1. Автор: Takumi Ota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-16.

Imprinting apparatus, imprinting method, and manufacturing method of uneven plate

Номер патента: US9216539B2. Автор: Takumi Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Imprinting apparatus, imprinting method, and manufacturing method of uneven plate

Номер патента: US8826847B2. Автор: Takumi Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20180022015A1. Автор: Terao Tsutomu. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-01-25.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20210060832A1. Автор: TOYOSHIMA TAKAHIRO. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20160158978A1. Автор: Aihara Sentaro,Ueno Takehiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20160297116A1. Автор: TOYOSHIMA TAKAHIRO. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing a device

Номер патента: KR101357933B1. Автор: 히데끼 이나,가즈유끼 가즈미. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-02-03.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: US10875216B2. Автор: Takahiro Toyoshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-29.

Imprint apparatus, alignment method, and method of manufacturing article

Номер патента: US20150251348A1. Автор: Yoshiyuki Usui. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20180149969A1. Автор: SATO Kazuhiro,Miyaharu Takafumi. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ARTICLE

Номер патента: US20160363874A1. Автор: Kobayashi Kenichi,MATSUMOTO Takahiro,HAYASHI Tatsuya,Murakami Yosuke,Miyaharu Takafumi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING PRODUCT

Номер патента: US20190358863A1. Автор: KIMURA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Imprint apparatus, imprint method, and method for producing device

Номер патента: KR101503975B1. Автор: 히데끼 마쯔모또,후미오 사까이. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2015-03-18.

Imprint apparatus, imprinting method, and method for manufacturing article

Номер патента: KR102282089B1. Автор: 가즈히로 사토,다카후미 미야하루. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-07-27.

Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of commodities

Номер патента: WO2013035761A1. Автор: Junichi Seki,Akiko Iimura. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-03-14.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile memory apparatus and an operating method of a nonvolatile memory apparatus

Номер патента: US20190325975A1. Автор: Kwi Dong Kim,Keun Sik KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20190011844A1. Автор: KIMURA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article

Номер патента: KR102246569B1. Автор: 다다시 핫토리. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-04-30.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING PRODUCT

Номер патента: US20220026800A1. Автор: Sato Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20220043338A1. Автор: IINO Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20210124261A1. Автор: Hattori Tadashi. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing product

Номер патента: US20180136557A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20210173301A1. Автор: Nishida Toshihiko. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20190310547A1. Автор: KONDO Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing product

Номер патента: TW201642318A. Автор: 佐藤浩司. Владелец: 佳能股份有限公司. Дата публикации: 2016-12-01.

Imprint apparatus, alignment method, and method of manufacturing article

Номер патента: KR101933341B1. Автор: 요시유키 우스이. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2018-12-27.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20190317398A1. Автор: Hamaya Zenichi,Murakami Yosuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20190354007A1. Автор: Echigo Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20200379343A1. Автор: KUSAKA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20040046228A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20030030069A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: FabTech Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Imprinting apparatus, imprinting method, and manufacturing method of uneven plate

Номер патента: US20120207931A1. Автор: Takumi Ota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-16.

Metal back plate, display apparatus, and pre-coating method of metal back plate

Номер патента: US20220121252A1. Автор: Bing Li,Liqiang Liu,Zuo Chai. Владелец: Shenzhen TCL Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Ya Jui Lee,Kaun Fu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Radio frequency semiconductor device package and method for manufacturing same, and radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20150262901A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

LED Chip Assembly, LED Display Apparatus and Processing Method of LED Chip Assembly

Номер патента: US20230216009A1. Автор: Changjun Lu,Li Ma. Владелец: Leyard Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Led chip assembly, led display apparatus and processing method of led chip assembly

Номер патента: EP4207279A1. Автор: Changjun Lu,Li Ma. Владелец: Leyard Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and method for measuring a layer of a semiconductor device using x-ray diffraction

Номер патента: US20240241067A1. Автор: Seungchul Lee,Younghoon Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Image forming apparatus and control method of image forming apparatus

Номер патента: US20200267276A1. Автор: Nobuyuki Kato. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Imaging apparatus and a control method of the imaging apparatus

Номер патента: EP2074817A1. Автор: Atsushi Matsutani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Imaging apparatus and a control method of the imaging apparatus

Номер патента: WO2009017137A1. Автор: Atsushi Matsutani. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2009-02-05.

Image-forming apparatus and phase match method of photosensitive parts

Номер патента: EP4383009A1. Автор: Lei Yin,Haifei GONG,Zihao Yan. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Image processing apparatus, authentication apparatus, and user authentication method of image processing apparatus

Номер патента: US11372966B2. Автор: Myung Hwa SON. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Projection apparatus and direct setting method of projection image

Номер патента: US20220038665A1. Автор: Yuan-Mao TSUI,Yu-Cheng Lee. Владелец: Optoma Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Image-forming apparatus and phase match method of photosensitive parts

Номер патента: US20240184238A1. Автор: Lei Yin,Haifei GONG,Zihao Yan. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Image forming apparatus and data communication method of image forming apparatus

Номер патента: US20200252511A1. Автор: Takaaki Suzuki. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Systems and methods for forming additional metal routing in semiconductor devices

Номер патента: EP1977447A2. Автор: James Green,Mark Fischer,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-08.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11043450B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11798881B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US20200357741A1. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF PRODUCING ARTICLE

Номер патента: US20170057154A1. Автор: EMOTO Keiji,HAYASHI Tatsuya,Miyajima Yoshikazu,Azuma Hisanobu. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20170246658A1. Автор: Seki Junichi,SAKAMOTO Eiji. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Epitaxy susceptor, epitaxy growth apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240191393A1. Автор: Gongbai Cao,Shuai Pan. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Display device manufacturing apparatus and method

Номер патента: US20190341277A1. Автор: Juhee Lee,Myungsoo Huh,TaeJong Kim,Haeyoung YOO,Jaekyu Park,Hyunwoo Joo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5889335A. Автор: Takashi Kuroi,Hirokazu Sayama,Maiko Sakai,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254149A1. Автор: Genba Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210167173A1. Автор: FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271455A1. Автор: TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220367642A1. Автор: KAGOYAMA Yohei. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-11-17.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the compound semiconductor device

Номер патента: US10134889B2. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279921A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

EXPOSURE METHODS USING E-BEAMS AND METHODS OF MANUFACTURING MASKS AND SEMICONDUCTOR DEVICES THEREFROM

Номер патента: US20150362834A1. Автор: Lee Sang-Hee,Choi Jin,AHN Byoung-Sup,SHIN In-Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: TW200411816A. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180245238A1. Автор: Hori Tsutomu,Itoh Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Electric power motion apparatus and lease management method of electric power motion apparatus

Номер патента: EP3628528A1. Автор: Yu Tian. Владелец: Yujet International Corp Ltd. Дата публикации: 2020-04-01.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20170015045A1. Автор: Yamaguchi Hiromitsu,Miyajima Yoshikazu,TAMURA Yasuyuki,Saito Akio. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Ultrasound diagnostic apparatus and operation method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US11737731B2. Автор: Katsuya Yamamoto,Satoru Okada,Yasuhiko Morimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Information processing apparatus and information processing method

Номер патента: US12017768B2. Автор: Hiroaki Nishimura,Michiro Hirai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Electronic apparatus, and image processing method of electronic apparatus

Номер патента: EP4297397A1. Автор: Shaojie Chen,Weicheng Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Information processing apparatus, a sender apparatus and a control method of the information processing apparatus

Номер патента: US20130246851A1. Автор: Yoshitsugu Goto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Image alignment apparatus and image alignment method of using the same

Номер патента: US20150055873A1. Автор: Joon Sung Lee,Jae Yoon Oh,Gon Soo KIM. Владелец: Samsung Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor apparatus and status control method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20170068629A1. Автор: Hideaki Tomonaga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor memory apparatus and refresh control method of the same

Номер патента: US8169847B2. Автор: Young Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Magneto-optical disk apparatus and position adjustment method of head mechanism

Номер патента: US20020064101A1. Автор: Hitoshi Watanabe,Masashi Suenaga,Norio Ohta. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Electronic apparatus and image processing method of electronic apparatus

Номер патента: US20230214955A1. Автор: Fei Huang,Cui Hu,Weicheng Zhang,Jieyu Chu,Qiushi Qin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233563A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Akihiko Sugai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-09-29.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170141206A1. Автор: KOGA Takeharu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200144371A1. Автор: TAWARA Takeshi,OHSE Mina. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271156A1. Автор: GOTOH Masahide. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Okumura Keiji. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-24.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220406931A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-12-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220406948A1. Автор: HASHIZUME Yuichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-12-22.

Non-volatile semiconductor devices and methods of manufacturing non-volatile semiconductor devices

Номер патента: US20110233653A1. Автор: Hak-sun Lee,Kyoung-sub Shin. Владелец: Lee Hak-Sun. Дата публикации: 2011-09-29.

Apparatus and method for high voltage switches

Номер патента: WO2013169516A1. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Image forming apparatus and control method of image forming apparatus

Номер патента: US20200117408A1. Автор: Nobuaki Takahashi,Yoji Sato. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Display apparatus and displaying method of the same

Номер патента: US9032333B2. Автор: Chang-Soo Lee,Sang-Hee Lee,Yeo-Ri Yoon,Dong-Heon Lee,Joon-Ho Phang,Hyeon-Ji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-12.

Display apparatus and displaying method of the same

Номер патента: EP2405372A3. Автор: Chang-Soo Lee,Sang-Hee Lee,Yeo-Ri Yoon,Dong-Heon Lee,Joon-Ho Phang,Hyeon-Ji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-28.

Transfer apparatus, and jitter control method of transmission signal

Номер патента: US20110110474A1. Автор: Tomoko Sato,Sunao Itou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Display apparatus and control method therefor

Номер патента: EP1770526A3. Автор: Tae-Deok Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-29.

Image forming apparatus and velocity control method of rotating body thereof

Номер патента: US20100104321A1. Автор: Hyun-Ki Cho,Jong-Tae Kim,Sung-Dae Kim,Dong-Hoon Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-29.

Image forming apparatus and control method thereof

Номер патента: US8270859B2. Автор: Han-sang Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-18.

Image forming apparatus and velocity control method of rotating body thereof

Номер патента: US8229327B2. Автор: Hyun-Ki Cho,Jong-Tae Kim,Sung-Dae Kim,Dong-Hoon Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-24.

Image forming apparatus and control method thereof

Номер патента: US20100092194A1. Автор: Han-sang Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Recording and reproducing apparatus and time calibration method of recording and reproducing apparatus

Номер патента: US20020026290A1. Автор: Kazuyoshi Ozaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

System and method for obfuscating opcode commands in a semiconductor device

Номер патента: US20210351922A1. Автор: Jan-Peter Schat,Fabrice Poulard,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-11-11.

ATM communication apparatus and bandwidth control method of the same

Номер патента: US20010028631A1. Автор: Hiroshi Hashimoto,Atsushi Iwamura,Yoshihiro Ashi,Noriko Saitoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-10-11.

ATM communication apparatus and bandwidth control method of the same

Номер патента: US20060153234A1. Автор: Hiroshi Hashimoto,Atsushi Iwamura,Yoshihiro Ashi,Noriko Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Apparatus and wireless communication method of positioning measurement

Номер патента: WO2024169754A1. Автор: Li Guo. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP., LTD.. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and wireless communication methods of inter-cell mobility

Номер патента: WO2024207991A1. Автор: Li Guo. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Rudp apparatus and dynamic adjustment method of sliding window parameter

Номер патента: US20190075057A1. Автор: Yi-Sheng Wu,Yuan-Hsiu Lee. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

RUDP apparatus and dynamic adjustment method of sliding window parameter

Номер патента: US10530701B2. Автор: Yi-Sheng Wu,Yuan-Hsiu Lee. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2020-01-07.

Apparatuses and wireless communication methods of resource allocation

Номер патента: WO2024067846A1. Автор: Wenfeng Zhang. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP., LTD.. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10832915B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170012111A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190115218A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of manufacturing a lateral semiconductor device

Номер патента: EP1914797B1. Автор: Puo-Yu Chiang,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Ruey-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Method of manufacturing base for semiconductor device

Номер патента: JPS5270764A. Автор: Tokuo Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Semiconductor device interconnection pattern with rim

Номер патента: CA1203643A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170278763A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Leadframe, method of manufacturing the same, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: TW577157B. Автор: Akinobu Abe. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2004-02-21.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Vacuum prcessing apparatus and vacuum processing method of sample

Номер патента: US20090000741A1. Автор: Tsunehiko Tsubone,Shigeru Shirayone,Tadamitsu Kanekiyo,Hideki Kihara,Tooru Aramaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Multiple well device and process of manufacture

Номер патента: US5698458A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang,Sun-Chieh Chien,Chung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Contact Pad for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170179051A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Dummy Gate Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160005814A1. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Self-aligned via for gate contact of semiconductor devices

Номер патента: WO2016003595A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210234005A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160268163A1. Автор: NAKAMURA Kenro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-15.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing an integrated semiconductor device

Номер патента: CN101174649A. Автор: 于尔根·福尔. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-07.

Apparatus and method for stacking semiconductor devices

Номер патента: US20200135688A1. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11869814B2. Автор: Hidetatsu Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW200537623A. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140065735A1. Автор: KOSHIBA Takeshi,Komine Nobuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Ferroelectric semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5874755A. Автор: Daniel S. Marshall,William J. Ooms,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-23.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190123194A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10825926B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Interdigitated capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6740922B2. Автор: Yiu-Huen Wong,Christopher D. W. Jones,Donald W. Murphy. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-05-25.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: TW200306657A. Автор: James Howard Knapp,Stephen St Germain. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2003-11-16.

Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US8440493B2. Автор: Takehiro Toyoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Method of manufacturing stack-type semiconductor device and method of manufacturing stack-type electronic component

Номер патента: CN1841688A. Автор: 芳村淳,大久保忠宣. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Power Semiconductor Devices Including Beryllium Metallization

Номер патента: US20240355738A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High hole mobility transistor (hhmt) and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199818A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Sensing apparatus and sensing method thereof

Номер патента: US20220201230A1. Автор: Wan-Jung Lo. Владелец: Egis Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140021488A1. Автор: LEE Jae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180061951A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Tsuji Takashi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220285501A1. Автор: ICHIKAWA Yoshihito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-08.

Vertical semiconductor device, and method of manufacturing the vertical semiconductor device

Номер патента: US20150303294A1. Автор: Yasushi Niimura,Toshiaki SAKATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220376065A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hatayama Tomoaki,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device for generating an electron beam and method of manufacturing such a semiconductor device.

Номер патента: NL184589C. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1989-09-01.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4208899A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-12.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022048919A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-10.

STACKED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210202839A1. Автор: TOMINAGA Junji,Miyata Noriyuki,KAMATA Yoshiki,KUNISHIMA Iwao. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Battery cell, battery, electric apparatus, and manufacturing method of battery

Номер патента: US12068446B2. Автор: Kun FANG. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Heat exchange plate, battery, electric apparatus, and fabrication method for battery

Номер патента: EP4386935A1. Автор: Haihua Huang,Liangyi WANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Quality control system and method for manufactured parts

Номер патента: EP2480383A1. Автор: Ramon Casanelles,Francesc CORTÉS GRAU. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-08-01.

Ultrasound diagnostic apparatus and operation method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US12121402B2. Автор: Katsuya Yamamoto,Satoru Okada,Yasuhiko Morimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Vehicle, vehicle control system, display apparatus for vehicle, terminal apparatus and control method for the vehicle

Номер патента: US09975445B2. Автор: Hyun Soo Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Driving apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240210943A1. Автор: Ho Young Lee,Seung Chan Lee,Wang Hyeon SON,Woo Sang KWON. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Laundry treating apparatus and a control method of the same

Номер патента: WO2019203566A1. Автор: Seonil Heo,Shinwon KIM,Ingeun Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2019-10-24.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING AN ARTICLE

Номер патента: US20150192515A1. Автор: IWAI Toshiki,SHINODA Ken-ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Content addressable memory apparatus and method of operating the same

Номер патента: US20020097595A1. Автор: Pien Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Apparatus for performing device communication and method for operating the same

Номер патента: US7376759B1. Автор: Ross Stenfort. Владелец: Adaptec Inc. Дата публикации: 2008-05-20.

Ultrasonic diagnostic apparatus and image filtering method of the same

Номер патента: US20080175454A1. Автор: Takeshi Sato,Ryota Osumi,Fumiyasu Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Display apparatus and driving method of display panel thereof

Номер патента: US09990895B2. Автор: Yu-Yen Lin,Hou-Hong Li. Владелец: Giantplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of controlling an electrowetting element with stable fluid configurations

Номер патента: US09952423B2. Автор: Petrus Maria De Greef,Gor MANUKYAN. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Magnetic disc apparatus and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050190490A1. Автор: Shigeki Yanagihara,Hitoshi Naruse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Display panel, display apparatus and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20180081238A1. Автор: Hyunsic Choi,Yunyun TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Ultrasound diagnostic apparatus and control method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US20230270408A1. Автор: Kenichi Shidara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Display panel, electronic apparatus, and imaging method of display panel

Номер патента: US20210042492A1. Автор: Lei Wang,LIN Zhang,Haisheng Wang,Changfeng LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Centralized control apparatus and display control method of operation panel

Номер патента: US20210035684A1. Автор: Kiyoshi Sekiguchi,Iori Nemoto. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Electronic apparatus, control method of the same, and recording media

Номер патента: US20180210702A1. Автор: Il-joo Kim,Woo-Chul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Electronic apparatus, control method of the same, and recording media

Номер патента: EP3555884A1. Автор: Il-joo Kim,Woo-Chul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-23.

Light-emitting diode apparatus and control method thereof

Номер патента: US11145252B2. Автор: Sen-Chuan Hung,Shih-Hao Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-10-12.

Medical imaging apparatus and control method of the same

Номер патента: US20240281963A1. Автор: Mitsuyo FUJITA. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Carrier apparatus and carrier method of thin disc tray

Номер патента: US20070209045A1. Автор: Yutaka Watanabe. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Pcct apparatus and control method of the same

Номер патента: US20240130701A1. Автор: Ryo Tanaka,Masafumi Onouchi. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Pcct apparatus and control method of the same

Номер патента: US20240225574A9. Автор: Ryo Tanaka,Masafumi Onouchi. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Adsorption nozzle, component transfer apparatus, and attitude control method of adsorption nozzle

Номер патента: US20230398698A1. Автор: Tomohiro Hirano. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Visual examination apparatus and visual examination method of semiconductor device

Номер патента: SG70640A1. Автор: Eiji Isomura,Hiroshi Toomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Operation management apparatus and operation management method of autonomous travel vehicle

Номер патента: US20210312813A1. Автор: KEIICHI Uno,Kenji Okazaki,Hiroshi Higashide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Visual examination apparatus and visual examination method of semiconductor device

Номер патента: TW412630B. Автор: Eiji Isomura,Hiroshi Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Operation management apparatus and operation management method of autonomous travel vehicle

Номер патента: US12039870B2. Автор: KEIICHI Uno,Kenji Okazaki,Hiroshi Higashide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Medical image capturing apparatus and control method of the same

Номер патента: US20240281917A1. Автор: Kazuma TAKEMOTO. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Display apparatus and controlling method thereof

Номер патента: EP3146422A1. Автор: Dai-Boong Lee,Jeong-wook BANG,So-yeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-29.

Drawing control apparatus and drawing control method of electronic paper

Номер патента: US20100097314A1. Автор: Yuji Ueno,Yoshinori Ito. Владелец: Fujitsu Frontech Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Processing apparatus and processing method of sound signal

Номер патента: US20240096342A1. Автор: Chang-Hsin Lai,Han-Yi Liu. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Operation management apparatus and operation management method of autonomous travel vehicle

Номер патента: US11914396B2. Автор: KEIICHI Uno,Kenji Okazaki,Hiroshi Higashide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Optical reticle substrate inspection apparatus and beam scanning method of the same

Номер патента: US20020093719A1. Автор: Motonari Tateno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Optical reticle substrate inspection apparatus and beam scanning method of the same

Номер патента: US20030117683A1. Автор: Motonari Tateno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Operation management apparatus and operation management method of autonomous travel vehicle

Номер патента: US20210312812A1. Автор: KEIICHI Uno,Kenji Okazaki,Hiroshi Higashide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Image reading apparatus and method of controlling the apparatus, and storage medium

Номер патента: US20100321728A1. Автор: Koki Shibao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Base station apparatus and method

Номер патента: US20110124374A1. Автор: Hitoshi Yoshino,Yuta Sagae. Владелец: NTT DOCOMO INC. Дата публикации: 2011-05-26.

Printing apparatus and colorimetry control method of printing apparatus

Номер патента: US11134177B2. Автор: Shinichi Arazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Mobile terminal test apparatus and position correction method of mobile terminal

Номер патента: US20230308922A1. Автор: Ryota Chinbe,Dan Osone,Ryuso Kasai. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Image pickup apparatus and image pickup method of image pickup apparatus

Номер патента: US20180084137A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Keiji Kunishige. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Imaging apparatus and control method of imaging apparatus

Номер патента: US20240276085A1. Автор: Tetsuya Fujikawa,Tomoyuki Kawai,Tomoharu Shimada,Shinichi Shimotsu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Power conversion apparatus and charging method thereof

Номер патента: US20210376713A1. Автор: Po-Jen Ke. Владелец: Power Forest Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Apparatus and communication method of same

Номер патента: WO2022063132A1. Автор: Xin Xu,Yongsheng Shi,Jaehyeuk YANG. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP., LTD.. Дата публикации: 2022-03-31.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20130313744A1. Автор: Maruyama Naoki. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-11-28.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20150190961A1. Автор: Nakagawa Kazuki,Murakami Yosuke,Hiura Mitsuru. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLES

Номер патента: US20160207248A1. Автор: Sato Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20140353865A1. Автор: Nakagawa Kazuki,Nishikawara Tomofumi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-12-04.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20160288404A1. Автор: TAMURA Masahiro,Yamazaki Takuro,Srinivasan Yeshwanth,Schumaker Philip D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20150352756A1. Автор: Yamaguchi Hiromitsu,Miyajima Yoshikazu. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

IMPRINTING APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING OBJECT

Номер патента: US20170008219A1. Автор: ASANO Tosiya. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20210187797A1. Автор: Koide Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20140339734A1. Автор: Murakami Yosuke. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-11-20.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20140367874A1. Автор: Yamamoto Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20200316843A1. Автор: Hattori Tadashi. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20150343679A1. Автор: MOROHOSHI Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20160001493A1. Автор: ARAI Tsuyoshi,Miyajima Yoshikazu,Mita Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20160075076A1. Автор: Sato Hiroshi,Takabayashi Yukio,MOROHOSHI Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINTING MOLD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20150123313A1. Автор: Tanaka Yusuke,Torii Hirotoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Enveloping apparatus and method

Номер патента: WO2011051479A1. Автор: Alessandro Prataiola. Владелец: Kern Sistemi S.R.L.. Дата публикации: 2011-05-05.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20210122089A1. Автор: Yoshida Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING ARTICLE

Номер патента: US20170144363A1. Автор: SATO Kazuhiro,Nakagawa Kazuki,Terao Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING DEVICE

Номер патента: US20150290846A1. Автор: Matsumoto Hideki,Sakai Fumio. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Apparatus and method for simultaneously treating different fluctuating gas flows

Номер патента: US20240278170A1. Автор: Markus Priske. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-08-22.

IMPRINTING APPARATUS, IMPRINTING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF UNEVEN PLATE

Номер патента: US20140353863A1. Автор: OTA Takumi. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Microwave irradiation apparatus and method of producing metal nanoparticles

Номер патента: US20240149345A1. Автор: Jyunya Murai,Reimi YAMADA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF PRODUCT

Номер патента: US20170157811A1. Автор: Fujita Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Stretching apparatus and parts replacement method of stretching apparatus

Номер патента: US12090688B2. Автор: Ichiro Nakajima,Naoaki Yoshimatsu. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Multi-gas pressurized housing apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: US20200390289A1. Автор: W. Davis Lee,Warren R. Kirsch,Christian T. METCALFE. Владелец: Korvata Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Printing apparatus and position adjusting method of mark detector

Номер патента: US9925764B2. Автор: Tomoyuki Shiiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Additive manufacturing apparatus and additive manufacturing method of shaped article

Номер патента: US20190143407A1. Автор: Yoshinori Imoto,Takaya NAGAHAMA,Koichi SHIIBA. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Printing apparatus and position adjusting method of mark detector

Номер патента: US20170305147A1. Автор: Tomoyuki Shiiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Printing apparatus and leakage detection method of the same

Номер патента: US9643413B2. Автор: Tomoya Teraji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Vehicle sensor cleaning apparatus and control method thereof

Номер патента: US20240286584A1. Автор: Jong Wook Lee,Hyeong Jun Kim,Min Wook PARK,Sun Ju Kim,Sin Won Kang. Владелец: Dy Essys Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Vehicle sensor cleaning apparatus and control method thereof

Номер патента: US20240286583A1. Автор: Jong Wook Lee,Hyeong Jun Kim,Min Wook PARK,Sun Ju Kim,Sin Won Kang. Владелец: Dy Essys Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Puncture needle, ultrasonic diagnostic device, and method for controlling ultrasonic diagnostic device

Номер патента: EP3912559A1. Автор: Tomoki Inoue,Tsuyoshi Matsumoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Tassel protector and method

Номер патента: US8966722B2. Автор: Kfir Ohayon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-03.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20070025814A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Control apparatus and a control method of a gas turbine combustor

Номер патента: US5477670A. Автор: Koji Takahashi,Isao Sato,Tetsuo Sasada,Minoru Takaba,Yoshikazu Moritomo,Hiraku Ikeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-12-26.

Cylinder judgment apparatus and cylinder judgment method of engine

Номер патента: US20020194903A1. Автор: Isamu Iizuka. Владелец: Unisia Jecs Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Ultrasound diagnostic apparatus and control method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US20240225603A9. Автор: Tomoki Inoue,Tsuyoshi Matsumoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Ultrasound diagnostic apparatus and control method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US20230380811A1. Автор: Riki Igarashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Ultrasound diagnostic apparatus and control method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US20240122576A1. Автор: Tetsurou Ebata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Ultrasound diagnostic apparatus and control method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US20230301618A1. Автор: Tetsurou Ebata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Medical image capturing apparatus and control method of the same

Номер патента: US20240268777A1. Автор: Kazuma TAKEMOTO. Владелец: Fujifilm Healthcare Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Ultrasound diagnostic apparatus and control method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US20230293144A1. Автор: Tetsurou Ebata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Ultrasound diagnostic apparatus and control method of ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: US20230301636A1. Автор: Tetsurou Ebata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Ultrasound diagnostic apparatus and display method for ultrasound diagnostic apparatus

Номер патента: EP4230148A1. Автор: Eiichi Imamichi,Yuto Okada. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Medical image diagnostic apparatus and control method for medical image diagnostic apparatus

Номер патента: US20240324979A1. Автор: Yukiya Miyachi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Medical image diagnostic apparatus and control method for medical image diagnostic apparatus

Номер патента: EP4437968A1. Автор: Yukiya Miyachi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Plating apparatus and wire inspection method of the same

Номер патента: US8858773B2. Автор: Kenichirou NISHIWAKI. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Plating apparatus and wire inspection method of the same

Номер патента: US20110180411A1. Автор: Kenichirou NISHIWAKI. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PROJECTION OPTICAL SYSTEM, EXPOSURE APPARATUS, AND EXPOSURE METHOD

Номер патента: US20120002186A1. Автор: Omura Yasuhiro,Okada Takaya,Nagasaka Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

UNDERWATER PIPE-LAYING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120003047A1. Автор: Signaroldi Teresio,Giovannini Umberto. Владелец: SAIPEM S.p.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING SAME

Номер патента: US20120002562A1. Автор: Kawade Takahisa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Imprint apparatus, mold thereof and method of manufacturing article

Номер патента: JP2012129314A. Автор: Koji Sato,Kenji Yamamoto,浩司 佐藤,健司 山本. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Message creating apparatus and method for mobile phone

Номер патента: SG140506A1. Автор: Hyuk Kwon,Jae-Yeong Lee. Владелец: Mbridge Systems Inc. Дата публикации: 2008-03-28.

IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING DEVICE

Номер патента: US20120274006A1. Автор: Matsumoto Hideki,Sakai Fumio. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL239947A1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1984-07-16.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO METHODS OF X'v MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: AU270812B2. Автор: ADRIAAN GROENEWEGEN and NAHUM DEMIROVSKI MARTINIS. Владелец: . Дата публикации: 1964-03-05.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL136425B1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1986-02-28.

Methods of manufacturing housings for semiconductor devices

Номер патента: CA903930A. Автор: Diel Burkhart,Gregor Kurt,Huber Walther. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-06-27.

JOINING ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120211894A1. Автор: Aoyagi Kenichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

Power semiconductor devices including beryllium metallization

Номер патента: WO2024220798A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH-INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20120077337A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of forming oxide film and method of manufacturing p-type semiconductor device

Номер патента: JP3588994B2. Автор: 豊隆 片岡. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Heat exchange coil and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU526261A. Автор: Gondek and William O. Mueller Stanley. Владелец: Bundy Tubing Co. Дата публикации: 1963-05-02.

An Improved Safety Explosive, and Method or Process of Manufacturing the same.

Номер патента: GB189319931A. Автор: Wilbraham Evelyn-Liardet. Владелец: Individual. Дата публикации: 1893-12-02.

Bathing pad and method and device of manufacture

Номер патента: IL94569A0. Автор: . Владелец: Amos Shefi. Дата публикации: 1991-03-10.

New or improved compostion of matter to form a buliding material and method and process of manufacturing same

Номер патента: AU785018A. Автор: Edward Todren Francis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1919-06-03.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU401551A. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU155352B2. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.