Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Capping layer for crystallizing germanium, and substrate having thin crystallized germanium layer

Capping layer for crystallizing germanium, and substrate having thin crystallized germanium layer

Номер патента: WO2003091173A2
Опубликовано: 06-11-2003
Автор(ы): Michael Mauk
Принадлежит: Astropower, Inc.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Capping layer for crystallizing germanium, and substrate having thin crystallized germanium layer

Номер патента: WO2003091173A3. Автор: Michael Mauk. Владелец: Michael Mauk. Дата публикации: 2004-03-11.

Utilization of miscut substrates to improve relaxed graded silicon-germanium and germanium layers on silicon

Номер патента: US6039803A. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Srikanth B. Samavedam. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-03-21.

Silicon substrate having porous oxidized silicon layers and its production method

Номер патента: US5156896A. Автор: Takatoshi Ishikawa,Masakazu Katoh. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-20.

Hardmask capping layer

Номер патента: US20150200093A1. Автор: Robin Abraham KOSHY. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Hardmask capping layer

Номер патента: US20140057099A1. Автор: Robin Abraham KOSHY. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for forming a capping layer over a low-k dielectric with improved adhesion and reduced dielectric constant

Номер патента: US6756321B2. Автор: Lain-Jong Li,Yung-Cheng Lu,Yu-Huei Chen,Chung-Chi Ko,Lih-Ping Li,Shu-E Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Substrate having electrical interconnection structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09903024B2. Автор: Po-Yi Wu,Chun-Hung Lu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Fabrication method of substrate having electrical interconnection structures

Номер патента: US11913121B2. Автор: Po-Yi Wu,Chun-Hung Lu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Mask for crystallizing a semiconductor layer and method of crystallizing a semiconductor layer using the same

Номер патента: US8163444B2. Автор: Cheol-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-24.

Mask for crystallizing a semiconductor layer and method of crystallizing a semiconductor layer using the same

Номер патента: US20090203230A1. Автор: Cheol-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-13.

Treated substrate having hydrophilic region and water repellent region, and process for producing it

Номер патента: US7919180B2. Автор: Yutaka Furukawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Microwave plasma reactors and substrates for synthetic diamond manufacturing

Номер патента: RU2543986C2. Автор: Джеффри Алан СКАРСБРУК,Джон Роберт БРЭНДОН,Александр Лэмб КАЛЛЕН,Джозеф Майкл ДОДСОН,Кристофер Джон Ховард УОРТ,Карлтон Найджел ДОДЖ,Пол Николас ИНГЛИС,Тимоти Питер МОЛЛАРТ,Чарлз Саймон Джеймс ПИКЛЕС,Стивен Эдвард КОЭ. Владелец: Элемент Сикс Лимитед. Дата публикации: 2015-03-10.

Printing composition for obtaining electroconductive coatings based on silver particles dispersed in water, its application for obtaining electroconductive coatings, method of obtaining current-conductive paths and substrate with electroconductive coating

Номер патента: RU2532949C2. Автор: Штефани АЙДЕН,Штефан БАНМЮЛЛЕР,Штефан Михаэль МАЙЕР,Дирк ШТОРХ,Бернард ДУНКЕЛЬ. Владелец: Байер Интеллектуэль Проперти Гмбх. Дата публикации: 2014-11-20.

Damascene cap layer process for integrated circuit interconnects

Номер патента: EP1276146A3. Автор: Ping Jiang,Guoqiang Xing. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-06-11.

Damascene cap layer process for integrated circuit interconnects

Номер патента: EP1276146A2. Автор: Ping Jiang,Guoqiang Xing. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Method of forming a semiconductor device featuring copper wiring layers of different widths having metal capping layers of different thicknesses formed thereon

Номер патента: US20090081870A1. Автор: Kazuyoshi Ueno,Toshiyuki Takewaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Passivating window and capping layer for photoelectrochemical cells

Номер патента: US20180051379A1. Автор: Daniel Joseph Friedman,John A. Turner,Myles Aaron Steiner,Ryan Matthew FRANCE,Henning Döscher,Todd Gregory DEUTSCH,James Luke Young. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2018-02-22.

Organic compound for capping layer and organic light emitting diode comprising the same

Номер патента: US20220127277A1. Автор: Hee Joo Kim,Sung Kyu Lee,Tae Min Kim,Dong Jun Kim,Jeong Woo Han,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Copper-alloy capping layers for metallization in touch-panel displays

Номер патента: US9929187B2. Автор: Qi Zhang,Patrick Hogan,Marc Abouaf,Shuwei Sun,Francois-Charles Dary. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method

Номер патента: US20020134504A1. Автор: Kazuaki Omi,Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Kazutaka Yanagita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method

Номер патента: AU9819098A. Автор: Kazuaki Omi,Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Kazutaka Yanagita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-08-26.

Apparatus and method of separating sample and substrate fabrication method

Номер патента: CA2240701C. Автор: Kazuaki Omi,Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Kazutaka Yanagita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Fabrication of devices having thin dielectric layers

Номер патента: CA1297764C. Автор: Alvaro Maury,Sea-Chung Kim,William Henry Stinebaugh, Jr.. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-03-24.

Protection layer for fabricating a solar cell

Номер патента: WO2008143885A2. Автор: Hsin-Chiao Luan,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor memory device having a charge barrier layer for preventing soft error

Номер патента: US4961165A. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Substrate having rugged structure obtained from hydrophobic sol/gel material

Номер патента: US09859512B2. Автор: Takashi Seki,Madoka Takahashi,Keisuke Nakayama. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for Producing the Rear Contact Layer for CdTe Thin-Film Solar Cells

Номер патента: US20160260853A1. Автор: BASTIAN SIEPCHEN,SHOU PENG,Bettina Späth. Владелец: China Triumph International Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for manufacturing absorber layers for solar cell

Номер патента: EP1649520A1. Автор: In-Hwan Choi. Владелец: In-Solar-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Method for manufacturing a semiconductor substrate having a compound semiconductor layer on a single-crystal silicon wafer

Номер патента: US5244830A. Автор: Kyoung-Soo Lee,Sang-Won Kang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1993-09-14.

Composition for forming n-type diffusion layer, method for producing semiconductor substrate having n-type diffusion layer, and method for producing solar cell element

Номер патента: US20150017754A1. Автор: Masato Yoshida,Yasushi Kurata,Toranosuke Ashizawa,Takeshi Nojiri,Yoichi Machii,Tetsuya Sato,Mari Shimizu,Mitsunori Iwamuro,Akihiro Orita. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Capping layer for a hafnium oxide-based ferroelectric material

Номер патента: US11923189B2. Автор: Hyungsuk Alexander Yoon,Zhongwei Zhu. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Separation apparatus and a method for separating a cap layer from a chip package by means of the separation apparatus

Номер патента: US20150287619A1. Автор: Yi-Ming Chang,Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20220068642A1. Автор: Yoshihisa Matsubara,Daisuke Suzuki,Koji Kagawa,Kenji Sekiguchi,Yoshihiro Takezawa,Syuhei YONEZAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Insulating film forming method and substrate processing system

Номер патента: US20240321571A1. Автор: Nobuo Matsuki,Yoshinori Morisada,Daisuke Oba,Masafumi Ishida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Adhesion improvement between low-k materials and cap layers

Номер патента: US20240071817A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Ruitong Xiong,Rui Lu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Adhesion improvement between low-k materials and cap layers

Номер патента: WO2024044459A1. Автор: Yijun Liu,Li-Qun Xia,Xiaobo Li,Bo Xie,Ruitong Xiong,Rui Lu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220285166A1. Автор: Takumi Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US12065746B2. Автор: Masaki Inaba,Yasutoshi Okuno,Akihisa Iwasaki. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US12131947B2. Автор: Satoshi Takagi,Keisuke Fujita,Yutaka Motoyama,Akari Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor apparatus and substrate

Номер патента: US20130037968A1. Автор: Masahiro Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor apparatus and substrate

Номер патента: US20140367836A1. Автор: Masahiro Ishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220384184A1. Автор: Atsushi Endo,Yutaka Motoyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230122980A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu,Kae KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20190393028A1. Автор: Tomohiro Kaneko,Shuhei Goto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Substrate Processing Method and Substrate Processing Apparatus

Номер патента: US20200299840A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Syuji Nozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11948804B2. Автор: Takumi Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US11996296B2. Автор: Hiroki Murakami,Kenji Ouchi,Maju TOMURA,Munehito Kagaya,Ryutaro Suda,Kae KUMAGAI,Shuichiro SAKAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Substrate treatment method and substrate treatment device

Номер патента: US20240153779A1. Автор: kana Tahara,Yukifumi Yoshida. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230377953A1. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20240006161A1. Автор: Youngmin Kim,KiKang Kim,Hakjoo Lee,Haein Kim,YongWoong Jeong. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, program, and substrate processing apparatus

Номер патента: EP4160659A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani,Yuki Yamakado,Yasutoshi Tsubota. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-05.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230326762A1. Автор: Masami Oikawa,Yuya Takamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220238374A1. Автор: Satoshi Takagi,Keisuke Fujita,Yutaka Motoyama,Akari Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for removing impurities in thin film and substrate processing apparatus

Номер патента: US11972946B2. Автор: Kyu Jin Choi,Gyu Ho Choi,Sang Hyuk HWANG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Film forming method and substrate processing system

Номер патента: US20240105445A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Issei TAKEYASU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Mask for crystallizing silicon, apparatus having the mask and method of crystallizing with the mask

Номер патента: US20110003484A1. Автор: Hyun-dae Kim,Han-Na Jo. Владелец: Kim Hyun-Dae. Дата публикации: 2011-01-06.

Substrate processing device, method for preparing substrate processing device, and substrate processing method

Номер патента: US20220415613A1. Автор: Won Tae Cho. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Mask for crystallizing silicon, apparatus having the mask and method of crystallizing with the mask

Номер патента: US20070141482A1. Автор: Hyun-dae Kim,Han-Na Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

Mask for crystallizing silicon, apparatus having the mask and method of crystallizing with the mask

Номер патента: US7811721B2. Автор: Hyun-dae Kim,Han-Na Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-12.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP2469590A3. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Active layer for solar cell and the manufacturing method making the same

Номер патента: US20100035413A1. Автор: Jian-Ging Chen,Chung-Hua Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction

Номер патента: US6133589A. Автор: Paul Scott Martin,Michael Ragan Krames,Tun Sein Tan. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2000-10-17.

Multilayered ceramic substrate having solid non-porous metal conductors

Номер патента: US4879156A. Автор: Robert W. Nufer,Bernard Schwartz,Lester W. Herron,Robert O. Lussow,John Acocella,Srinivasa N. Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: EP3551780A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Methods for depositing polymer layer for sensor applications via hot wire chemical vapor deposition

Номер патента: WO2018106886A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Colin NEIKIRK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-06-14.

Three dimensional lithium anode with a capping layer

Номер патента: EP4315449A1. Автор: Siva Phani Kumar YALAMANCHILI. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2024-02-07.

Three dimensional lithium anode with a capping layer

Номер патента: US20240170738A1. Автор: Siva Phani Kumar YALAMANCHILI. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2024-05-23.

Metalized substrate having a thin film barrier layer

Номер патента: CA1103811A. Автор: Robert E. Holmes,Robert R. Zimmerman. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1981-06-23.

Method of treating substrates and substrate treated using said method

Номер патента: RU2459312C2. Автор: Казуя САЙТО,Сусуму САКИО,Хидео ТАКЕИ,Казухиро ВАТАНАБЕ,Синсуке ИГУТИ,Хироюки ЯМАКАВА,Кюзоу НАКАМУРА,Юй-хсынь ЛИНЬ,Хуан-чун ЧАН,Тун-Цзюн У. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2012-08-20.

Fixtures and methods for facilitating the fabrication of devices having thin film materials

Номер патента: WO2004021489A2. Автор: Werner Kraus,Raymond Puffer,Jürgen PAWLIK,Glen Hoppes,Stephen Derby,Glenn Saunders,Louise Courtois. Владелец: Pemeas GmbH. Дата публикации: 2004-03-11.

Substrate accommodating tray pallet and substrate transfer system

Номер патента: US20090255930A1. Автор: Hideo Taniguchi,Takenori Yoshizawa,Hiroto Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Power module substrate having heatsink, method for manufacturing the same, power module having heatsink, and power module substrate

Номер патента: US20110017496A1. Автор: Hiroya Ishizuka,Takeshi Kitahara,Hiroshi Tonomura,Hiromasa Hayashi,Yoshinoru Kuromitsu. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Package substrate having polymer-derived ceramic core

Номер патента: US20190393109A1. Автор: Siddharth K. Alur,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Amruthavalli Pallavi Alur,Andrew James Brown,Lilia May,Kristof Kuwawi Darmawikarta,Lauren Ashley Link,Lisa Ying Ying CHEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Substrate having electronic component embedded therein and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140182896A1. Автор: Yul Kyo Chung,Dae Hyun Park,Seung Eun Lee,Yee Na Shin,Doo Hwan Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for producing a bipolar plate layer for a bipolar plate of an electrochemical unit, bipolar plate layer for a bipolar plate of an electrochemical unit and electrochemical unit for an electrochemical device

Номер патента: US20240339632A1. Автор: Andreas Schmid. Владелец: Ekpo Fuel Cell Technologies Gmbh. Дата публикации: 2024-10-10.

Thin metal substrate having high thermal conductivity

Номер патента: US09902137B2. Автор: Chien Hui Lee,Meng Hao Chang,J. King Chen. Владелец: AISA ELECTRONIC MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing wiring substrate having sheet

Номер патента: US7901528B2. Автор: Munehide Saimen. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Functional layer for non-aqueous secondary battery and non-aqueous secondary battery

Номер патента: US20200052271A1. Автор: Takumi Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Hybrid gas diffusion layer for electrochemical cells

Номер патента: US11996590B2. Автор: Klaus Friedrich Gleich,Michael Ketzer. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for manufacturing an interfacial lithium fluoride layer for an electrochemical cell

Номер патента: US12040505B2. Автор: Mei Cai,Meinan HE,Biqiong WANG,Andrew J. Galant,William Osad. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Composition for Forming Insulating Layer for Lithium Secondary Battery and Method of Preparing Electrode for Lithium Secondary Battery Using the Same

Номер патента: US20200388850A1. Автор: Young Jae Kim,Sung Chul Park,Jung Woo Yoo,Won Hee Jeong,Ung Ju Lee,Koo Seung CHUNG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Hybrid Gas Diffusion Layer for Electrochemical Cells

Номер патента: US20220123327A1. Автор: Klaus Friedrich Gleich,Michael Ketzer. Владелец: JOHNS MANVILLE. Дата публикации: 2022-04-21.

Functional layer for non-aqueous secondary battery and non-aqueous secondary battery

Номер патента: US10840495B2. Автор: Takumi Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Method for manufacturing gas diffusion layer for fuel cell and gas diffusion layer for fuel cell

Номер патента: US20240327583A1. Автор: Nobuyuki Nishi,Masaaki Takemoto,Kazuyuki Hino,Junko OHIRA,Shigetomi Honda. Владелец: AICHI UNIVERSITY OF EDUCATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods and apparatus for ultrathin catalyst layer for photoelectrode

Номер патента: US09920438B2. Автор: Joseph Jacobson,Kimin Jun. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-20.

Preparation of nano-tubular titania substrates having gold and carbon particles deposited thereon and their use in photo-electrolysis of water

Номер патента: WO2008060293A2. Автор: Manoranjan Misra,Krishnan Selva Raja,Susant Kumar Mohapatra,Vishal Mahajan. Владелец: University Of Nevada, Reno. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for making an integrated circuit substrate having laminated laser-embedded circuit layers

Номер патента: US8826531B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Sukianto Rusli. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-09.

Anodized aluminum substrate having increased breakdown voltage

Номер патента: US5688606A. Автор: Deepak Mahulikar,Arvind Parthasarathi,Dexin Liang,Andrew J. Brock,Efraim Sagiv,Satish Jalota,Michael A. Holmes,Jeffrey M. Schlater,German J. Ramirez. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Buffer layer for the crystal growth of metal oxides of perovskite type in particular on amorphous substrates

Номер патента: US20230298778A1. Автор: Adrian David,Gilles Poullain,Alexis Boileau,Christophe LABBE,Fabrice Gourbilleau,Christophe CIBERT,Arnaud FOUCHET,Ulrike LÜDERS. Владелец: Ecole Nationale Superieure dIngenieurs de Caen. Дата публикации: 2023-09-21.

Substrate having electronic component embedded therein and method of manufacturing the same

Номер патента: US9313893B2. Автор: Yul Kyo Chung,Dae Hyun Park,Seung Eun Lee,Yee Na Shin,Doo Hwan Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Stacks having hermetic capping layers over porous ceramic matrix composite structures

Номер патента: US20190288384A1. Автор: Robert A. DiChiara,MaryAnn S. Muench,William Harrigan,Kevin R. Lenihan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-09-19.

Etching method and substrate processing system

Номер патента: US11784054B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Yasuo Asada,Kazuhito Miyata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer

Номер патента: US5059861A. Автор: Michael Scozzafava,Jon E. Littman. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1991-10-22.

Hafnium doped cap and free layer for MRAM device

Номер патента: US20080088986A1. Автор: Chyu-Jiuh Torng,Cheng T. Horng,Ru-Ying Tong,Witold Kula. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Hafnium doped cap and free layer for MRAM device

Номер патента: EP1918947A3. Автор: Chyu-Jiuh Torng,Cheng T. Horng,Ru-Ying Tong,Witold Kula. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-04.

Sacrificial cover layers for laser drilling substrates and methods thereof

Номер патента: US09758876B2. Автор: Garrett Andrew Piech,John Tyler Keech,Aric Bruce Shorey,Xinghua Li,John Christopher Thomas,Jeffrey John DOMEY,Paul John SHUSTACK. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Protective capping layer for area selective deposition

Номер патента: WO2024206261A1. Автор: Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Protective capping layer for area selective deposition

Номер патента: US20240332072A1. Автор: Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Etch stop layer for interconnect structures

Номер патента: US20240332070A1. Автор: Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG,Yen Ju Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Etching platinum-containing thin film using protective cap layer

Номер патента: WO2018136795A8. Автор: Helmut Rinck,Sebastian Meier,Mike Mittelstaedt. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US09966268B2. Автор: Arito Ogawa,Atsuro Seino. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Substrate surface metallization method and substrate having metallized surface manufactured by the same

Номер патента: US09875984B2. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Han Wu,Nai-Tien Ou,Tzu-Chien Wei,Tseng-Chieh Pan,Kuei-Po Chen,Kuei-Chang Lai,Cheng-You Hong. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-01-23.

Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same

Номер патента: US09905443B2. Автор: Ashish Goel,Joung Joo Lee,Joseph M. Ranish,Xiaoxiong Yuan,Anantha K. Subramani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Selective capping of contact layer for cmos devices

Номер патента: US20240014076A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Avgerinos V. Gelatos,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Selective capping of contact layer for cmos devices

Номер патента: WO2024010660A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Avgerinos V. Gelatos. Владелец: Breil, Nicolas Louis. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods of forming a more highly-oriented silicon layer and substrate having the same

Номер патента: US20060292313A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Kyung-bae Park,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Xiaoxin Zhang,Hyuck Lim,Suk-pil Kim,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Copper filled opening with a cap layer

Номер патента: WO2012171726A2. Автор: Albrecht Uhlig,Josef Gaida,Dirk Rohde,Nina Dambrowsky,Ruud van den Boom. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2012-12-20.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20070224811A1. Автор: Haruko Ono,Daisuke Takagi,Xinming Wang,Tomoatsu Ishibashi,Akira Owatari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US20150111378A1. Автор: Arito Ogawa,Atsuro Seino. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-04-23.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230420294A1. Автор: Takashi Matsumoto,Makoto Wada,Ryota IFUKU,Nobutake KABUKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20200211857A1. Автор: Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US11456184B2. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20210125837A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Methods for forming barrier/seed layers for copper interconnect structures

Номер патента: US09926639B2. Автор: Hoon Kim,Seshadri Ganguli,Wei Ti Lee,Sang Ho Yu,Hyoung-Chan Ha,Sang Hyeob Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Vacuum processing apparatus and substrate transfer method

Номер патента: US11688619B2. Автор: Shinji Wakabayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Plasma baffle, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20230245864A1. Автор: Hakyoung Kim,Chulwoo PARK,Dowon Kim,Youngjin Noh,Jisoo Im,Minyoung HUR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Patterned metallization handle layer for controlled spalling

Номер патента: US20170311436A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro,Turki bin Saud bin Mohammed Al-Saud. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2017-10-26.

Patterned metallization handle layer for controlled spalling

Номер патента: US20160183358A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro,Turki bin Saud bin Mohammed Al-Saud. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2016-06-23.

Patterned metallization handle layer for controlled spalling

Номер патента: US09918382B2. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro,Turki bin Saud bin Mohammed Al-Saud. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2018-03-13.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates having polysilicon and silicon oxide dielectric films

Номер патента: RU2573672C2. Автор: Шиам Сундар ВЕНКАТАРАМАН,Южуо ЛИ,Джеа-Джу ЧУ,Вей Лан Уиллиам ЧИУ,Харви Уэйн ПИНДЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-01-27.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, having structured or unstructured dielectric layers with low dielectric constant

Номер патента: RU2589482C2. Автор: Виджай Иммануэль РАМАН,Франк РИТТИГ,Юйчжо ЛИ,Вей Лан Уильям ЧИУ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Silicon substrate having textured surface, and process for producing same

Номер патента: US20140020750A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Ichiro Nakayama,Shigeru Sankawa,Yasushi Taniguchi,Kouji Arai,Naoshi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Etchant composition for etching silicon and silicon germanium, and preparation method of pattern using the same

Номер патента: US20240263072A1. Автор: Sang Won Bae,Jiwon Kim,Jung-min Oh,Jinkyu ROH,Hyojoong YOON,Heesuk WOO,Kyusang AHN,Kyungmo SUNG. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Patterned metallization handle layer for controlled spalling

Номер патента: US20160183362A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro,Turki bin Saud bin Mohammed Al-Saud. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2016-06-23.

Cobalt-Boron (CoB) Layer for Magnetic Recording Devices, Memory Devices, and Storage Devices

Номер патента: US20240112840A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Susumu Okamura,Brian R. York,Randy G. Simmons. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Photovoltaic cell including capping layer

Номер патента: EP1756871A1. Автор: Yann Roussillon,Dean M. Giolando,Michael G. Maltby. Владелец: First Solar US Manufacturing LLC. Дата публикации: 2007-02-28.

Photovoltaic cell including capping layer

Номер патента: WO2005117139A1. Автор: Yann Roussillon,Dean M. Giolando,Michael G. Maltby. Владелец: First Solar Us Manufacturing, Llc. Дата публикации: 2005-12-08.

Capping layer fabrication

Номер патента: CA1314110C. Автор: Stephen Keith Sargood. Владелец: BT&D Technologies Ltd. Дата публикации: 1993-03-02.

Electronic devices having bilayer capping layers and/or barrier layers

Номер патента: US10877582B2. Автор: Francois Dary,Barbara Cox,Helia JALILI. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2020-12-29.

Method for producing substrate having patterned conductive polymer film and substrate having patterned conductive polymer film

Номер патента: EP2348514A1. Автор: Takashi Ihara. Владелец: Tsurumi Soda Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Seed layer for solar cell conductive contact

Номер патента: EP2929567A1. Автор: Xi Zhu,Michael Cudzinovic,Junbo Wu. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Seed layer for solar cell conductive contact

Номер патента: WO2014089103A1. Автор: Xi Zhu,Michael Cudzinovic,Junbo Wu. Владелец: Junbo Wu. Дата публикации: 2014-06-12.

Surface protective film, making method, and substrate processing laminate

Номер патента: US20170226386A1. Автор: Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Surface protective film, making method, and substrate processing laminate

Номер патента: US10377923B2. Автор: Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-13.

Ultrapure water supply apparatus, substrate processing system including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20230302502A1. Автор: Jiyeon Lee,Seyoon KIM,Cheolmin SHIN,Jongha Yun,Juhui PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Laminate, curable resin composition, method for manufacturing laminate, method for manufacturing substrate having junction electrode, semiconductor device, and image capturing device

Номер патента: EP4169971A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Munehiro Hatai,Hideaki Ishizawa,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Laminate, curable resin composition, method for manufacturing laminate, method for manufacturing substrate having junction electrode, semiconductor device, and image capturing device

Номер патента: US20230245936A1. Автор: Kenichiro Sato,Hidenobu Deguchi,Munehiro Hatai,Hideaki Ishizawa,Tokushige Shichiri,Taro Shiojima. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for producing a local coating and combinatory substrate having such coating

Номер патента: US20060019413A1. Автор: Andreas MÜLLER,Jorg Jockel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for producing a local coating and combinatory substrate having such coating

Номер патента: US7399705B2. Автор: Andreas MÜLLER,Jorg Jockel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2008-07-15.

Substrate, having a thin-layer system with thermal properties, comprising at least one layer of nickel oxide

Номер патента: RU2733552C2. Автор: Дени ГИМАР,Сильвия МАРЬЯНИ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-10-05.

Method of fabricating printed circuit board (pcb) substrate having a cavity

Номер патента: US20150090688A1. Автор: Jack Ajoian. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Front electrode with layer of thin metal film and high-work function buffer layer for use in photovoltaic device and production method thereof

Номер патента: RU2435251C2. Автор: Алексей КРАСНОВ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2011-11-27.

Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact

Номер патента: EP2936561A1. Автор: Xi Zhu,David D. Smith,Michael Cudzinovic,Richard Hamilton SEWELL,Seung Bum Rim,Michael C. Johnson,Xiuwen Tu,Junbo Wu. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2015-10-28.

Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact

Номер патента: WO2014099322A1. Автор: Xi Zhu,David D. Smith,Michael Cudzinovic,Richard Hamilton SEWELL,Seung Bum Rim,Michael C. Johnson,Xiuwen Tu,Junbo Wu. Владелец: Behnke, Joseph. Дата публикации: 2014-06-26.

Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods

Номер патента: US20240274437A1. Автор: Xin Sun,Joe Margetis,Dieter Pierreux,David Kohen,Amir Kajbafvala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-15.

Process for producing a scattering layer for electromagnetic radiation and scattering layer for scattering electromagnetic radiation

Номер патента: US09945989B2. Автор: Daniel Steffen Setz,Angela Eberhardt,Christina Wille,Manfred Deisenhofer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-04-17.

Glass articles comprising selectively patterned opaque layers for light sensors and display systems comprising the same

Номер патента: US20230339043A1. Автор: Yawei Sun,Xinghua Li. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Glass articles comprising selectively patterned opaque layers for light sensors and display systems comprising the same

Номер патента: EP4265575A2. Автор: Yawei Sun,Xinghua Li. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Glass articles comprising selectively patterned opaque layers for light sensors and display systems comprising the same

Номер патента: EP4265575A3. Автор: Yawei Sun,Xinghua Li. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Automatic production system and production process of a conductive backsheet with integrated encapsulating and dielectric layer for photovoltaic panels

Номер патента: US09711676B2. Автор: Davide Spotti,Elisa BACCINI. Владелец: VISMUNDA SRL. Дата публикации: 2017-07-18.

X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier

Номер патента: US10712454B2. Автор: Jie Jerry Liu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-14.

Diamond substrates having metallized vias

Номер патента: US5382758A. Автор: Elihu C. Jerabek,Charles D. Iacovangelo,Ronald H. Wilson,Peter C. Schaefer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-01-17.

Method of polishing a substrate having deposited amorphous carbon layer

Номер патента: US20230201992A1. Автор: Jae Hyun Kim,Jong Dai Park,Jisung Lee,Sam-Jong Choi,JuYoung Yun,Heesuk KIM,Goo Hwa LEE,Jaehong YOO,Seonung CHOI,Jae-hwi LEE,Bong Soo AHN. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Surface treatment method of glass substrate having pit on surface thereof, production method of array substrate, and array substrate

Номер патента: US20190273097A1. Автор: Hao Yin,Donghui Zhang,Chuan Chen,Xiaoye MA. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Surface treatment method of glass substrate having pit on surface thereof, production method of array substrate, and array substrate

Номер патента: US10644033B2. Автор: Hao Yin,Donghui Zhang,Chuan Chen,Xiaoye MA. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Method for manufacturing semiconductor substrate having group-iii nitride compound layer

Номер патента: US20190225731A1. Автор: Yasunobu Someya,Masaru Hori,Keisuke Hashimoto,Makoto Sekine. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2019-07-25.

A surface treatment process performed on a transparent conductive oxide layer for solar cell applications

Номер патента: WO2012057906A4. Автор: ZHENG Yuan,LIN Zhang,Shuran Sheng,Yong Kee Chae. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-07-12.

Source or drain structures with high germanium concentration capping layer

Номер патента: US12027417B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Szuya S. LIAO,Pratik Patel,Suresh Vishwanath,Yulia Tolstova. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for porous capping layers

Номер патента: GB2625513A. Автор: Clark Andrew,Hammond Richard. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-26.

Microchip with cap layer for redistribution circuitry and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922922B1. Автор: Ying-Chih Kuo,Wei-Feng Lin,Ying Chung,Chi-Kuei Lee. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Salicide formation using a cap layer

Номер патента: US09978604B2. Автор: Ling-Sung Wang,Ching-Hua Chu,Chih-Hsun Lin,Mei-Hsuan LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device with semiconductor capping layer

Номер патента: US12094757B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Hui-Cheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09953924B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices including a capping layer

Номер патента: US09711453B2. Автор: Nae-in Lee,Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Sacrificial layer for substrate analysis

Номер патента: US20240055305A1. Автор: Santosh Tripathi,Tuyen Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

A method of improving adhesion of a cap layer to a porous material layer on a wafer

Номер патента: WO2001078127A2. Автор: Rao V. Annapragada. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-10-18.

A method of improving adhesion of a cap layer to a porous material layer on a wafer

Номер патента: EP1275140A2. Автор: Rao V. Annapragada. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2003-01-15.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: WO2021118993A1. Автор: Yumiko Kawano,Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-17.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: US20210175118A1. Автор: Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira,Yumiko Kawana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Capping Layers in Metal Gates of Transistors

Номер патента: US20220208984A1. Автор: Yi-Ting Wang,Hsien-Ming Lee,Tsung-ta Tang,Chung Ta Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Microchip with Cap Layer for Redistribution Circuitry and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20180082937A1. Автор: Ying-Chih Kuo,Wei-Feng Lin,Ying Chung,Chi-Kuei Lee. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Structure for beol metal levels with multiple dielectric layers for improved dielectric to metal adhesion

Номер патента: US20170207121A1. Автор: Edward C. Cooney, III,Felix P. Anderson,Michael S. Dusablon,David C. Mosher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Capping layer for reducing ion mill damage

Номер патента: US10957841B2. Автор: Anthony Edward MEGRANT. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-03-23.

Formation of a Masking Layer on a Dielectric Region to Facilitate Formation of a Capping Layer on Electrically Conductive Regions Separated by the Dielectric Regions

Номер патента: US20110021015A1. Автор: Thomas R. Boussie,Sandra G. Malhotra,David E. Lazovsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Formation of a Masking Layer on a Dielectric Region to Facilitate Formation of a Capping Layer on Electrically Conductive Regions Separated by the Dielectric Region

Номер патента: US20120258595A1. Автор: Thomas R. Boussie,Sandra G. Malhotra,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Formation of a masking layer on a dielectric region to facilitate formation of a capping layer on electrically conductive regions separated by the dielectric regions

Номер патента: US8039383B2. Автор: Thomas R. Boussie,Sandra G. Malhotra,David E. Lazovsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device having a capping layer covering a capacitor of the semiconductor device

Номер патента: US6893501B2. Автор: Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Wan-Don Kim,Ki-chul Kim,Han-mei Choi,Yun-jung Lee,Jeong-hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor Devices Including a Capping Layer

Номер патента: US20180218980A1. Автор: Nae-in Lee,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,Jongmin Beak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-02.

Capping layer for reducing ion mill damage

Номер патента: EP3488474A1. Автор: Anthony Edward MEGRANT. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-05-29.

Capping layer for reducing ion mill damage

Номер патента: EP3703141A1. Автор: Anthony Edward MEGRANT. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-09-02.

Capping layer for reducing ion mill damage

Номер патента: US20190259931A1. Автор: Anthony Edward MEGRANT. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for preparing cap-layer-structured gallium oxide field effect transistor

Номер патента: US20190027590A1. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Soft ashing process for forming protective layer on conductive cap layer of semiconductor device

Номер патента: US12033860B2. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Ferroelectric device with capping layer and method of making same

Номер патента: WO2000042643A1. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Tatsuo Otsuki,Shinichiro Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.. Дата публикации: 2000-07-20.

Ferroelectric device with capping layer and method of making same

Номер патента: US20030034548A1. Автор: Tatsuo Otsuki,Shinichiro Hayashi,Carlos Paz de ARAUJO. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Ferroelectric device with capping layer and method of making same

Номер патента: EP1151470A1. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Tatsuo Otsuki,Shinichiro Hayashi. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-11-07.

Surface treatment and capping layer process for producing a copper interface in a semiconductor device

Номер патента: US20020072218A1. Автор: Hartmut Ruelke,Joerg Hohage,Minh Ngo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Interconnects having sealing structures to enable selective metal capping layers

Номер патента: US09984922B2. Автор: YING Zhou,Jun He,Peter K. Moon,Kevin J. Fischer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Protective capping layer for spalled gallium nitride

Номер патента: US20170222090A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Protective capping layer for spalled gallium nitride

Номер патента: US9929313B2. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Keith E. Fogel,Paul A. Lauro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Extreme ultraviolet mask with capping layer

Номер патента: US20230116213A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Wei-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Mask for crystallizing and method of crystallizing amorphous silicon using the same

Номер патента: US20030219936A1. Автор: Sang-Hyun Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Metal capping layer and methods thereof

Номер патента: US11894266B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Multi-wafer capping layer for metal arcing protection

Номер патента: US20210134663A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Cap Layer and Anneal for Gapfill Improvement

Номер патента: US20200075745A1. Автор: Chien-Hao Chen,De-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Advanced BEOL interconnect structures with low-k PE CVD cap layer and method thereof

Номер патента: US6939797B2. Автор: JIA LEE,John A. Fitzsimmons,Vincent McGahay,Stephen M. Gates,Thomas H. Ivers,Edward Barth,Darryl D. Restaino,Sarah L. Lane,Ann McDonald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-06.

Method of forming an insulating structure having an insulating interlayer and a capping layer and method of forming a metal wiring structure using the same

Номер патента: US20050026422A1. Автор: Kyung-Tae Lee,Yoon-hae Kim,Yong-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-03.

Phase transition method of amorphous material using cap layer

Номер патента: US7618852B2. Автор: Do-Young Kim,Jin Jang,Jonghyun Choi,Byoung-Kwon Choo. Владелец: Silicon Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-17.

Using selectively formed cap layers to form self-aligned contacts to source/drain regions

Номер патента: US20210280690A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of cleaning a structure and method of depositing a capping layer in a structure

Номер патента: US11830725B2. Автор: Hao Chen,Hao Jiang,Mehul B. Naik,He REN,Naomi Yoshida,Xuesong Lu,Chi-Chou Lin,Chenfei Shen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240234623A9. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20230307258A1. Автор: Toru Endo,Keisuke TAKAGI,Yusuke TAKEMATSU,Naohiko YOSHIHARA,Katsuei HIGASHI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Low Stress Sacrificial Cap Layer

Номер патента: US20070269951A1. Автор: Jiong-Ping Lu,Srinivasan Chakravarthi,Periannan Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: US11915973B2. Автор: Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira,Yumiko Kawana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US12057326B2. Автор: Hiroaki Inadomi,Shota Umezaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240339339A1. Автор: Hiroaki Inadomi,Shota Umezaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method, apparatus and system for providing nitride cap layer in replacement metal gate structure

Номер патента: US20170338325A1. Автор: Katsunori Onishi,Chih-Chiang Chang,Huy Cao,Songkram Srivathanakul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing semiconductor device including annealing a germanium layer to diffuse germanium atoms into a silicon substrate

Номер патента: US11996291B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Substrate processing system and substrate processing method

Номер патента: US12128451B2. Автор: Junichi Ishii,Hiroaki Ishii,Kazuhiro Honsho. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US09953840B2. Автор: Mitsunori Nakamori,Hiromi Kiyose,Kazuyuki Mitsuoka,Hiroshi Marumoto,Hisashi Kawano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure with metal cap layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US12009403B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240242972A1. Автор: Kei Suzuki,Masaki Inaba. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: EP4421850A1. Автор: Takayoshi Tanaka,Tomoya Tanaka,Masayuki Otsuji,Akihisa Iwasaki,Ryuta Tsukahara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Substrate processing apparatus, and substrate processing method

Номер патента: US20200126822A1. Автор: Hitoshi Nakai,Manabu Okutani,Yasunori KANEMATSU. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Field effect transistor with channel capping layer

Номер патента: US20240088277A1. Автор: Brent A. Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Ruqiang Bao,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230395390A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US09870914B2. Автор: Yuki Yoshida,Koji Kagawa,Meitoku Aibara,Hisashi Kawano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20210159095A1. Автор: Masami Yamashita,Gentaro Goshi,Toru Ihara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Method for producing a substrate having a structured surface, and substrate having a structured surface

Номер патента: US20240055267A1. Автор: Sebastian Taeger,Robert Walter,Adrian Stefan Avramescu,Andreas Lex,Martin Herz,Christian GrassI. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Crystallization pattern and method for crystallizing amorphous silicon using the same

Номер патента: US20070218658A1. Автор: Kyoung Seok Son,Myung Kwan Ryu,Eok Su Kim,Jang Soon Im. Владелец: Boe Hydis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Substrate treatment apparatus and substrate treatment method

Номер патента: US20190080947A1. Автор: Shinsuke Kimura,Hiroyasu Iimori,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Method for crystallizing silicon film and thin film transistor and fabricating method using the same

Номер патента: US6710411B2. Автор: Dae-Gyu Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-23.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet light-emitting element, method for manufacturing substrate for ultraviolet light-emitting element, epitaxial wafer for ultraviolet light-emitting element, and substrate for ultraviolet light-emitting element

Номер патента: EP4303940A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11935736B2. Автор: Mitsunori Nakamori,Rintaro Higuchi,Tsunemoto OGATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for manufacturing epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, method for manufacturing substrate for ultraviolet ray emission device, epitaxial wafer for ultraviolet ray emission device, and substrate for ultraviolet ray emission device

Номер патента: US20240136466A1. Автор: Masato Yamada,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Substrate processing apparatus and substrate processing system

Номер патента: US20170047233A1. Автор: Keisuke Yoshida,Masatoshi Kaneda,Yuzo Ohishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

A coated substrate having one or more cross-linked interfacial zones

Номер патента: WO2007022449A3. Автор: Caidian Luo,Van Ngoc Nguyen. Владелец: Van Ngoc Nguyen. Дата публикации: 2007-07-05.

Substrate processing system and substrate processing method

Номер патента: US20220203409A1. Автор: Junichi Ishii,Hiroaki Ishii,Kazuhiro Honsho. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11908680B2. Автор: Akira Fujita,Hiroki Aso,Kyosei GOTO,Daisuke Saiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240153756A1. Автор: Akira Fujita,Hiroki Aso,Kyosei GOTO,Daisuke Saiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20230230855A1. Автор: Mitsuaki Iwashita,Takeo Nakano,Hirokazu Ueda,Ryuichi Asako,Naoki UMESHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Substrate drying method and substrate processing apparatus

Номер патента: US10760852B2. Автор: Hiroshi Abe,Noriyuki Kikumoto,Manabu Okutani,Naohiko YOSHIHARA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20230260807A1. Автор: Yasuo Kiyohara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220165578A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240038533A1. Автор: Makoto Muramatsu,Kenichi Ueda,Keisuke Yoshida,Arnaud Alain Jean Dauendorffer,Tomoya ONITSUKA,Hiroki Tadatomo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus

Номер патента: US20160027652A1. Автор: Kyung-Sun Kim,Dougyong Sung,Kangmin JEON,Jung Min Kim,Tae-Hwa Kim,Heungsik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method

Номер патента: US20210220878A1. Автор: Yoshiki Okamoto,Teruhiko Kodama,Akihiro Kubo,Yasushi Takiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20170316947A1. Автор: Shuji Moriya,Masahiko Tomita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Substrate processing method and substrate processing system

Номер патента: US20240162054A1. Автор: Noritake SUMI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Substrate drying method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20190063834A1. Автор: Hiroshi Abe,Noriyuki Kikumoto,Manabu Okutani,Naohiko YOSHIHARA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230395371A1. Автор: Kazumasa Igarashi,Yuki Tanaka,Jun Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Substrate conveyance device and substrate conveyance method, exposure apparatus and exposure method, device manufacturing method

Номер патента: US8345216B2. Автор: Takashi Horiuchi,Atsushi Ohta. Владелец: Zao Nikon Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-01.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11887861B2. Автор: Jaewon WOO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240047223A1. Автор: Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230386855A1. Автор: Koji Kagawa,Koukichi Hiroshiro. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230395368A1. Автор: Kazumasa Igarashi,Yuki Tanaka,Jun Ogawa,Yamato Tonegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for crystallizing silicon layer

Номер патента: US6692996B2. Автор: Seok Woon Lee,Seung Ki Joo. Владелец: PT Plus Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-17.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11404292B2. Автор: Hiroshi Abe,Shuichi Yasuda,Hitoshi Nakai,Yukifumi Yoshida,Manabu Okutani,Yasunori KANEMATSU. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210335598A1. Автор: Shota Yoshimura,Shinya Morikita,Takahiro Tokuo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Plasma processing apparatus, substrate bonding system including the same, and substrate bonding method using the same

Номер патента: US20230215698A1. Автор: Ho Kim,Youngho Kim,SeungDae SEOK,Yongin LEE,Se-Hoon Jang,Donggap Shin,Siwoong Woo,Inhwa Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240173738A1. Автор: Junhee Choi,Yong Jun Kim,Tae-keun KIM,Kyeong Min Lee,Kang Sul KIM. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8168518B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8518756B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: US20230035562A1. Автор: Shigeru Yamamoto,Kenichi Ito,Yuya Kawai,Kenji Edamitsu,Keiji Iwata,Daiki Fujii. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Supercritical fluid supply apparatus, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20240069451A1. Автор: Kuntack Lee,Ji Hwan Park,Sangjine Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Epitaxial blocking layer for multi-gate devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240266167A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210287906A1. Автор: Yusuke Muraki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Passivation layer for semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7642203B2. Автор: Seung Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-01-05.

Epitaxial blocking layer for multi-gate devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US11923194B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Silicon substrate having cavity and cavity SOI substrate including the silicon substrate

Номер патента: US11738993B2. Автор: Yutaka Kishimoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Passivation layer for semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070148987A1. Автор: Seung Hyun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Silicon-on-insulator (SOI) substrate having dual surface crystallographic orientations and method of forming same

Номер патента: US6949420B1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for manufacturing silicon nitrogenous film on substrate having a groove

Номер патента: WO2023202936A1. Автор: Issei Sakurai. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-10-26.

Finfet structures having silicon germanium and silicon fins

Номер патента: US20150206744A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Apparatus and method for spin-coating, and method for manufacturing substrate having structure

Номер патента: US20120315578A1. Автор: Seung Seoup Lee,Dong Chul SHIN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Selective self-aligned patterning of silicon germanium, germanium and type III/V materials using a sulfur-containing mask

Номер патента: US10741405B2. Автор: Daniel Peter,YANG Pan,Samantha Tan,Reza Arghavani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Method of two-step annealing of ultra-thin silicon dioxide layers for uniform nitrogen profile

Номер патента: US20020197884A1. Автор: Douglas Grider,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for producing compound semiconductor epitaxial substrate having PN junction

Номер патента: US20090031944A1. Автор: Kazumasa Ueda,Masahiko Hata,Kenji Kohiro. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of forming silicon film on substrate having fine pattern

Номер патента: US20220005690A1. Автор: Takashi Masuda,Hiroyuki Hashimoto,Yuki Tanaka,Mayuko Nakamura,Hideyuki TAKAGISHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20090321744A1. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-12-31.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20040140468A1. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US8178882B2. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-15.

Structures containing electrodeposited germanium and methods for their fabrication

Номер патента: US20090302353A1. Автор: Qiang Huang,Hariklia Deligianni,Katherine L. Saenger,Lubomyr T. Romankiw,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor substrate having magnetic core inductor

Номер патента: US11791094B2. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yu Gu,Peng Suo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor substrate having low defects and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1881522A3. Автор: Ho-sun c/o Samsung Adv. Inst. of Techn. Paek,Youn-joon c/o Samsung Adv. Inst. of Techn. Sung,Kyoung-ho c/o Samsung Adv. Inst. of Techn. Ha,Joong-kon Samsung Adv. Inst. of Techn. Son,Sung-nam c/o Samsung Adv. Inst. of Techn. Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-20.

Method for preparing a germanium substrate and germanium substrate structure for epitaxial growth of a germanium layer

Номер патента: US20240186141A1. Автор: Stefan Janz,Waldemar Schreiber. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-06-06.

COBALT-BORON (CoB) LAYER FOR MAGNETIC RECORDING DEVICES, MEMORY DEVICES, AND STORAGE DEVICES

Номер патента: WO2024072505A1. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Susumu Okamura,Brian R. York,Randy G. Simmons. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Cobalt-boron (CoB) layer for magnetic recording devices, memory devices, and storage devices

Номер патента: US12033675B2. Автор: Quang Le,Cherngye Hwang,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Susumu Okamura,Brian R. York,Randy G. Simmons. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Gas diffusion layer for fuel cell including carboxymethyl cellulose and mehtod for producing the same

Номер патента: US20230065789A1. Автор: Jae Man Park,Seung Tak Noh,Ji Han Lee,Seung Hun Kang. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatuses and methods for producing thin crystal fibers using laser heating pedestal growth

Номер патента: WO2016153537A1. Автор: Gisele Maxwell,Bennett PONTING. Владелец: Shasta Crystals, Inc.. Дата публикации: 2016-09-29.

Procedure and substrate for fabrication of parts of composite materials by means of compaction of chemical infiltration with gas phase

Номер патента: RU2429212C2. Автор: Стефан ГУЖАР,Бруно БЕРНАР,Себастьен БЕРТРАН,Жак ТЕБО. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2011-09-20.

Battery pack and substrate with interconnection layer

Номер патента: RU2487440C2. Автор: Цукаса ТАКАХАСИ,Томомити ОКАДА,Содзи ТАТЕХАТА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-07-10.

Substrate having fluorescent member, image display apparatus and image receiving and displaying apparatus

Номер патента: US20070296344A1. Автор: Shoshiro Saruta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Catalyst layer for fuel element with solid polymer electrolyte and method to produce thereof

Номер патента: RU2331953C1. Автор: Казухиро ЯМАДА,Казуя МИЯЗАКИ,Йосинобу ОКУМУРА,Казухиро ЯМАДА (JP),Казу МИЯЗАКИ (JP),Йосинобу ОКУМУРА (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2008-08-20.

Hydrophobic catalyst layer for fuel cell with solid polymer electrolyte, method of its preparation, fuel cell with solid polymer electrolyte and method of its preparation

Номер патента: RU2360330C1. Автор: Казухиро ЯМАДА,Казуя МИЯЗАКИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-06-27.

Composition for forming electrode active material layer for lithium ion secondary batteries

Номер патента: CA3238830A1. Автор: Hajime Kinoshita,Masanori Fujii,Fumiya KONDOU. Владелец: Kansai Research Institute KRI Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Electrode catalyst layer for fuel cells, electrode for fuel cells, membrane electrode assembly for fuel cells, and fuel cell

Номер патента: US09755243B2. Автор: Yoshitaka Ono,Atsushi Ohma,Tetsuya Mashio,Hiroshi Iden. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing gas diffusion layer for fuel cell and gas diffusion layer manufactured thereby

Номер патента: US20240105963A1. Автор: Jae Man Park,Won Jong Choi,Jong Hoon Lee,Soo Jin Park,Seul Yi Lee,Seung Tak Noh,Ji Han Lee,In Seok Lee,Choong Hee Kim,Seong Hwang Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Catalyst layer for fuel cell and manufacturing method therefor, membrane-electrode assembly and manufacturing method therefor, and fuel cell

Номер патента: US20240154131A1. Автор: Jun Young Kim,Jung Ho Kim,Ju Sung LEE,Nak Won KONG,Kyoung Sik NAM,Chan Mi PARK,Kah Young SONG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for examining reaction layer for fuel cell

Номер патента: US20140370605A1. Автор: Taizo Yamamoto. Владелец: Equos Research Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Composition for forming insulating layer for lithium secondary battery, and method for manufacturing electrode for lithium secondary battery using same

Номер патента: EP3726631A1. Автор: Young Jae Kim,Sung Chul Park,Jung Woo Yoo,Won Hee Jeong,Ung Ju Lee,Koo Seung CHUNG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Composition for electrochemical device functional layer, functional layer for electrochemical device, laminate for electrochemical device, and electrochemical device

Номер патента: US20240136658A1. Автор: Takuya Kaneda,Kazuki Takagi. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Composition for electrochemical element functional layers, functional layer for electrochemical elements, multilayer body for electrochemical elements, and electrochemical element

Номер патента: EP4300695A1. Автор: Takuya Kaneda,Kazuki Takagi. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Rechargeable battery with resistive layer for enhanced safety

Номер патента: US20210226262A1. Автор: Jiang Fan,Dengguo Wu. Владелец: American Lithium Energy Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Rechargeable battery with resistive layer for enhanced safety

Номер патента: US20190013553A1. Автор: Jiang Fan,Dengguo Wu. Владелец: American Lithium Energy Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Gas diffusion layer for fuel cells and apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170162880A1. Автор: Yoo Chang Yang,Sang Mun Jin,Kook Il Han. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-06-08.

Composition for electrochemical device functional layer, functional layer for electrochemical device, laminate for electrochemical device, and electrochemical device

Номер патента: US20240234949A9. Автор: Takuya Kaneda,Kazuki Takagi. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Gas diffusion layer for fuel cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210184223A1. Автор: Jae Man Park,Seung Tak Noh,Ji Han Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Gas diffusion layer for fuel cells and apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US11374233B2. Автор: Yoo Chang Yang,Sang Mun Jin,Kook Il Han. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2022-06-28.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery, functional layer for all-solid-state secondary battery, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US20240243288A1. Автор: Yusaku Matsuo. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Material layer for a fuel cell

Номер патента: EP4418371A1. Автор: Imran ASGHAR. Владелец: Tampere University Foundation Sr. Дата публикации: 2024-08-21.

Material layer for a fuel cell

Номер патента: WO2024170822A1. Автор: Imran ASGHAR. Владелец: Tampere University Foundation Sr. Дата публикации: 2024-08-22.

A layered structure comprising a composite thin single layer deposited over a base electrolyte layer for an electrochemical device, a process for manufacturing and uses thereof

Номер патента: WO2024017941A2. Автор: Albert TARANCÓN RUBIO,Marc TORRELL FARO,Nerea ALAYO BUENO,Judith Driscoll,Matt Wells,Federico BAIUTTI,Lucile BERNADET. Владелец: Cambridge Enterprise Ltd (Ce). Дата публикации: 2024-01-25.

A layered structure comprising a composite thin single layer deposited over a base electrolyte layer for an electrochemical device, a process for manufacturing and uses thereof

Номер патента: WO2024017941A3. Автор: Albert TARANCÓN RUBIO,Marc TORRELL FARO,Nerea ALAYO BUENO,Judith Driscoll,Matt Wells,Federico BAIUTTI,Lucile BERNADET. Владелец: Cambridge Enterprise Ltd (Ce). Дата публикации: 2024-04-25.

Method for welding metal tab of electrode layer for cable battery and electrode manufactured thereby

Номер патента: US09947913B2. Автор: Jinsoo Lee,Taesu Kim,Hyeran JUNG,Bugon SHIN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Positive active material layer for rechargeable lithium battery, separator for rechargeable lithium battery, and rechargeable lithium battery including at least one of same

Номер патента: US09905882B2. Автор: Hironari Takase,Hokuto Yokotsuji. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Functional layer for electrochemical device, functional layer-equipped separator for electrochemical device, and electrochemical device

Номер патента: US12100861B2. Автор: Keiichiro Tanaka. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Electrochemical fuel cell with an electrode substrate having an in-plane nonuniform structure for control of reactant and product transport

Номер патента: US5840438A. Автор: David P. Wilkinson,Mark C. Johnson,Charles P. Asman,Myles L. Bos,Robert J. Potter. Владелец: Ballard Power Systems Inc. Дата публикации: 1998-11-24.

Electrochemical fuel cell with an electrode substrate having an in-plane nonuniform structure for control of reactant and product transport

Номер патента: CA2229234C. Автор: David P. Wilkinson,Mark C. Johnson,Charles P. Asman,Myles L. Bos,Robert J. Potter. Владелец: Ballard Power Systems Inc. Дата публикации: 2002-04-09.

Method for use in making electronic devices having thin-film magnetic components

Номер патента: US20110008915A1. Автор: Jason Reid,Jean Pierre Nozieres. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-01-13.

Cap layer for bit line resistance reduction

Номер патента: WO2020081948A1. Автор: Ning Li,Sanjay Natarajan,Gill Yong Lee,Nobuyuki Sasaki,In Seok Hwang,Mihaela Balseanu,Sung-Kwan Kang,Jianxin Lei,Priyadarshi PANDA,Wenting Hou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for producing semiconductor components on a substrate, and substrate comprising semiconductor components

Номер патента: US20130049171A1. Автор: Martin Popp,Beat De Coi,Marco Annese. Владелец: ESPROS Photonics AG. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of manufacturing substrate and substrate, method of manufacturing liquid drop ejecting head and liquid drop ejecting head, and liquid drop ejecting device

Номер патента: US20120194617A1. Автор: Michiaki Murata,Regan Nayve. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Non-continuous conductive layer for laminated substrates

Номер патента: US20020189851A1. Автор: Patrick Tandy. Владелец: Tandy Patrick W.. Дата публикации: 2002-12-19.

Cap layer for pad oxidation prevention

Номер патента: US20240243080A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Harry-HakLay Chuang,Chih-Peng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal alloy capping layers for metallic interconnect structures

Номер патента: US09911698B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for reducing ARC layer removal bamd providing a capping layer for the ARC layer

Номер патента: US20010010976A1. Автор: Marina Plat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-02.

Method and system for reducing ARC layer removal by providing a capping layer for the ARC layer

Номер патента: US6420280B2. Автор: Marina V. Plat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-16.

Multi-wafer capping layer for metal arcing protection

Номер патента: US20220375789A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Multi-film capping layer for a salicide process

Номер патента: US6462390B1. Автор: Shu-Jen Chen,Ming-Shing Chen,Jy-Hwang Lin,Kuen-Syh Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Capping Layer For Liner-Free Conductive Structures

Номер патента: US20240355741A1. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Capping layer for liner-free conductive structures

Номер патента: US12057397B2. Автор: Sung-Li Wang,Chun-Hsien Huang,Chih-Wei Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Ken-Yu Chang,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Two 2D capping layers on interconnect conductive structure to increase interconnect structure reliability

Номер патента: US12051645B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with capping layer

Номер патента: US20240304696A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with capping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304697A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Interconnect structures comprising capping layers with low dielectric constants and methods of making the same

Номер патента: SG192319A1. Автор: Bonilla Griselda,Grunow Stephan,Yun Wang,Chao-Kun Hu,a clevenger Lawrence,Zhiguo Sun,Yiheng XU,Hyeok-Sang Oh,Tien Cheng,A Quon Roger,Wei-Tsui Tseng. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Method of modifying capping layer in semiconductor structure

Номер патента: US09837504B2. Автор: Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Wayne Liu,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Surface oxidation control of metal gates using capping layer

Номер патента: US12046475B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor package including cap layer and dam structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11133278B2. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Che Huang,An-Nong Wen,Po-Ming Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Cap layer for spacer-constrained epitaxially grown material on fins of a FinFET device

Номер патента: US09899268B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Treating a capping layer of a mask

Номер патента: US09897910B2. Автор: Anthony Yen,Chih-Cheng Lin,Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Wei-Shiuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Metal alloy capping layers for metallic interconnect structures

Номер патента: US20180061770A1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Forming low-resistance capping layer over metal gate electrode

Номер патента: US12094948B2. Автор: Chun-Chih Cheng,Yen-Ju Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Wei-Chen Hsiao,Wei Cheng Hsu,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having a cap layer with V-shape

Номер патента: US09929234B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq,Tsung-Mu Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor Devices with a Nitrided Capping Layer

Номер патента: US20230029002A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Chi Chuang,Yuting CHENG,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Tzu Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor Manufacturing Method Using Maskless Capping Layer Removal

Номер патента: US20110006378A1. Автор: Muhammad Hussain,Chang Seo Park. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

Damascene process having retained capping layer through metallization for protecting low-k dielectrics

Номер патента: US20080299718A1. Автор: Ping Jiang,Deepak A. Ramappa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of forming a novel gate electrode structure comprised of a silicon-germanium layer located between random grained polysilicon layers

Номер патента: US20040132270A1. Автор: Shih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Chia-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Interconnect structure having nanocrystalline graphene cap layer and electronic device including the interconnect structure

Номер патента: US20200294928A1. Автор: Yonghoon Kim,Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Keunwook SHIN,Changseok Lee,Yeonchoo CHO,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Two 2d capping layers on interconnect conductive structure to increase interconnect structure reliability

Номер патента: US20220157710A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Two 2d capping layers on interconnect conductive structure to increase interconnect structure reliability

Номер патента: US20220359381A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Depositing an etch stop layer before a dummy cap layer to improve gate performance

Номер патента: US9209258B2. Автор: Haiting Wang,FENG Zhou,Yong Meng Lee,Tien-Ying Luo,Padmaja NAGAIAH,Jean-Baptiste Laloe,Isabelle Pauline FERAIN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-08.

Interconnect structures comprising capping layers with low dielectric constants and methods of making the same

Номер патента: SG159452A1. Автор: Wang Yun,XU Yiheng,Hu Chao-Kun,Sun Zhiguo,OH Hyeok Sang,Griselda Bonilla,Stephan Grunow,Lawrence A Clevenger,Roger A Quon,Cheng Tien,Tseng Wei-Tsui. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-03-30.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor devices including conductive features with capping layers and methods of forming the same

Номер патента: US09812390B2. Автор: Mei-Ling Chen,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Damascene process using cap layer

Номер патента: US11929329B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Chi Ko,Chia-Cheng Chou,Ming-Tsung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Surface oxidation control of metal gates using capping layer

Номер патента: US20230386848A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Defect Reduction Through Scheme Of Conductive Pad Layer And Capping Layer

Номер патента: US20230345786A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chih-Chung Lai,Ching Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor wiring structures including dielectric cap within metal cap layer

Номер патента: US20080308942A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ping-Chuan Wang,Ronald G. Filippi,Kaushik Chanda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-18.

Depositing an etch stop layer before a dummy cap layer to improve gate performance

Номер патента: US20150249136A1. Автор: Haiting Wang,FENG Zhou,Yong Meng Lee,Tien-Ying Luo,Padmaja NAGAIAH,Jean-Baptiste Laloe,Isabelle Pauline FERAIN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Multi-wafer capping layer for metal arcing protection

Номер патента: US11862515B2. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Multi-wafer capping layer for metal arcing protection

Номер патента: US20240079268A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Reinforced structure with capping layer and methods of forming the same

Номер патента: US20230395450A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang,Chia-Ling Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Transistor formation using capping layer

Номер патента: US20110171794A1. Автор: O Sung Kwon,Oh-Jung Kwon,Jong-Ho Yang,Bong-seok Seo,Dong Hee Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for forming a semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug

Номер патента: US11778812B2. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for forming the same

Номер патента: US20240090204A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for preparinging the same

Номер патента: US20230403847A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for producing an electrical feedthrough in a substrate, and substrate having an electrical feedthrough

Номер патента: US20140131888A1. Автор: Michael Baumann,Jochen Reinmuth,Matthias Neubauer,Martin Lindemann,Eduard Rije. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-05-15.

Accommodating apparatus and substrate processing system

Номер патента: US6268900B1. Автор: Haruo Iwatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-07-31.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20120160805A1. Автор: Mitsuo Suzuki,Kiyoshi Ehara. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Substrate treating apparatus including eccentricity correction unit, and substrate treating method

Номер патента: US20240208001A1. Автор: In Ki JUNG,Jeong Hyup YU. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Stress engineering for cap layer induced stress

Номер патента: US20100029050A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of forming an integrated circuit device having a contact capping layer

Номер патента: US11955531B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Jin-Wook Lee,Dong-hyun Roh,Dae-Young Kwak,Min-Chan GWAK,Ji-ye Kim,Jung-Hwan Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Device with capping layer for improved residue defect and method of production thereof

Номер патента: US20200028067A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device with conductive cap layer over conductive plug and method for forming the same

Номер патента: US20200373308A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Forming Low-Resistance Capping Layer Over Metal Gate Electrode

Номер патента: US20220285514A1. Автор: Chun-Chih Cheng,Yen-Ju Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Wei-Cheng Wang,Kuan-Ting Liu,Wei-Chen Hsiao,Wei Cheng Hsu,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Integrated circuits including selectively deposited metal capping layers on copper lines and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150194344A1. Автор: Moosung Chae,Larry Zhao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Stress engineering for cap layer induced stress

Номер патента: US20100024978A1. Автор: Dipankar Pramanik,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-02-04.

Deposition of gate stacks including silicon germanium layers

Номер патента: WO2001041544B1. Автор: Majiid M Mansoori. Владелец: ASM Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Use of hafnium silicon oxynitride as the cap layer of the sidewall spacer

Номер патента: US20040113206A1. Автор: Mark Visokay,Yuanning Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

Capping layer overlying dielectric structure to increase reliability

Номер патента: US11990400B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device comprising cap layer over dielectric layer and method of manufacture

Номер патента: US11908792B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor devices including a gate isolation structure and a gate capping layer including different materials from each other

Номер патента: US20210036121A1. Автор: Sangsu Kim,Kangmook Lim,Wooseok Park,Daekwon Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Isolation Structure And A Self-Aligned Capping Layer Formed Thereon

Номер патента: US20230377943A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240071772A1. Автор: Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit fabrication process using a compression cap layer in forming a silicide with minimal post-laser annealing dopant deactivation

Номер патента: US20090042354A1. Автор: Christopher Sean Olsen,Abhilash J. Mayur,Philip Allan Kraus,Yi Ma,Khaled Z. Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor devices including capping layer

Номер патента: US11362187B2. Автор: Jinwoo Kim,Kyuman HWANG,Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-14.

Diffusion barrier layer for conductive via to decrease contact resistance

Номер патента: US20210287994A1. Автор: Ya-Lien Lee,Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,An-Jiao FU,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US8034720B2. Автор: Eiichi Nishimura,Jun Yamawaku,Chie Kato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-10-11.

Substrate processing method, micropattern forming method, and substrate processing apparatus

Номер патента: US12057323B2. Автор: Kuntack Lee,Jihoon Jeong,Sangjine Park,Seohyun Kim,Sukhoon KIM,Younghoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Wiring forming method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240071774A1. Автор: Masaki Inaba,Akihisa Iwasaki. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Compliant surface layer for flip-chip electronic packages and method for forming same

Номер патента: SG92634A1. Автор: Li Li,Eric A Johnson,Jan Obrzut,Miguel A Jimarez. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-11-19.

Compliant surface layer for flip-chip electronic packages and method for forming same

Номер патента: MY138376A. Автор: Li Li,Eric A Johnson,Jan Obrzut,Miguel A Jimarez. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-05-29.

Method for enhancing hydrogenation of thin film transistors using a metal capping layer and method for batch hydrogenation

Номер патента: US5899711A. Автор: Donald L. Smith. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: US20120193727A1. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US12112954B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Kenta Ono,Maju TOMURA,Yusuke Takino,Hironari SASAGAWA,Tomohiko Niizeki,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20240082956A1. Автор: Susumu Hayakawa,Yasutaka Mizomoto,Yohei Yamashita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Stress buffer layer for integrated microelectromechanical systems (mems)

Номер патента: US20150266728A1. Автор: Thorsten Meyer,Christian Mueller,Christian Geissler,Gerald Ofner,Reinhard Mahnkopf,Andreas Augustin. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Etching method, plasma processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20240312771A1. Автор: Noboru Saito,Takahiro Yokoyama,Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor Device and Method of Forming High Crystal Quality Magnetic Layer for Shielding of Low Frequency Magnetic Fields

Номер патента: US20240332207A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240149314A1. Автор: Youngseok JUNG,Hyunwoo Noh,NamHoon LEE,Youngjin Hong,Kyoungwoo Kim,Bongju Lee,Soochan Oh,Sungwoo SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US8071446B2. Автор: Tadashi Terasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2011-12-06.

Substrate polishing apparatus and substrate polishing method

Номер патента: US20210166967A1. Автор: Akira Fukunaga,Manabu Tsujimura,Itsuki Kobata,Katsuhide Watanabe. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and substrate carrier structure

Номер патента: US20110183496A1. Автор: Yuichi Kaneko. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Substrate polishing apparatus and substrate polishing method

Номер патента: US20240087963A1. Автор: Akira Fukunaga,Manabu Tsujimura,Itsuki Kobata,Katsuhide Watanabe. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Substrate transferring apparatus, and liquid processing apparatus and substrate processing equipment including same

Номер патента: US20240222174A1. Автор: Eun Jung Lee,Young Jin Jang,Gui Su PARK,Jun Hyun LIM,Hee Jun YOUN,Seul Gi CHOI. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240128111A1. Автор: Tae Yong Kim,Byungin AN. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Glass substrates having partially embedded conductive layers for power delivery in semiconductor packages and related methods

Номер патента: EP4156256A1. Автор: Aleksandar Aleksov,Srinivas V. Pietambaram,Kristof Kuwawi Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Method, device, and non-transitory computer readable medium for determining timing of removing substrate from cassette in substrate processing device, and substrate processing device

Номер патента: US12119246B2. Автор: Hidetatsu Isokawa. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect structure between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09847309B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET structures having silicon germanium and silicon fins with suppressed dopant diffusion

Номер патента: US09837415B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Substrate processing baffle, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20240280906A1. Автор: Kuntack Lee,Ji Hwan Park,Sangjine Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Focus ring, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method using the same

Номер патента: US20230143327A1. Автор: Sang Ki Nam,Kyung-Sun Kim,Kangmin JEON,Nam Kyun Kim,Kuihyun YOON,Seunghan BAEK,Dongseok Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Growing epitaxial films when the misfit between film and substrate is large

Номер патента: CA1112986A. Автор: William M. Stobbs,John W. Matthews (Deceased). Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-11-24.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240006166A1. Автор: Minyoung Kim,Hanglim Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with embedded semiconductor die and substrate-to-substrate interconnects

Номер патента: US20150108643A1. Автор: Jin Seong Kim,Cha Gyu Song,Ye Sul Ahn. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Nitridized ruthenium layer for formation of cobalt interconnects

Номер патента: US09941213B2. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Composition of acting agents for retarding or regulating nitrofication of ammonia nitrogen in soils being cultivated and substances, and method of retarding or regulating nitrification of ammonia nitrogen in soils being cultivated and substrates

Номер патента: RU2158721C2. Автор: Михель Ханс-Юрген,Ланг Зигхард,Грабарзе Маргрит,Возняк Хартмут. Владелец: Скв Штикштоффверке Пистеритц Гмбх. Дата публикации: 2000-11-10.

Circuit pattern of resistance heating elements and substrate-treating apparatus incorporating the pattern

Номер патента: CA2381597C. Автор: Masuhiro Natsuhara,Masashi Narita,Hirohiko Nakata,Akira Kuibira. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Method for producing substrate having through-silicon vias, substrate having through-silicon vias, and copper paste for through-silicon via formation

Номер патента: US20220230918A1. Автор: Masahiro Kimura,Michiko Natori,Masaru Fujita,Manabu Ishii,Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Yuki Kawana,Ryo HONNA,Motoki YONEKURA,Shinichirou Sukata. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor package substrate having an interfacial layer

Номер патента: WO2017172063A1. Автор: Bainye Francoise Angoua,Whitney Michael BRYKS,Dilan Anuradha SENEVIRATNE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-10-05.

Protection layer for adhesive material at wafer edge

Номер патента: US09997440B2. Автор: Shau-Lin Shue,Weng-Jin Wu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of filling a substrate having a selected plurality of channels with a granular material

Номер патента: US09834475B2. Автор: Maurice Lacasse,Luc Desrosiers. Владелец: Pyrotek Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Coating composition, method of preparation thereof and substrate coated therewith

Номер патента: MY140113A. Автор: Solveig Johansson,Christer Lind,Cecilia Rydin. Владелец: Borealis Tech Oy. Дата публикации: 2009-11-30.

Coating composition, method of preparation thereof and substrate coated therewith

Номер патента: CA2512863C. Автор: Solveig Johansson,Christer Lind,Cecilia Rydin. Владелец: BOREALIS TECHNOLOGY OY. Дата публикации: 2010-07-13.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230124597A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Akitaka Shimizu,Yasuo Asada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Adhesive layer bonding a plurality of substrates having a fillet raised portion

Номер патента: US11233001B2. Автор: Naoki Kobayashi,Shota MIKI. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Method for storing silicon substrate having silicon oxide film formed thereon

Номер патента: US20060207688A1. Автор: Toshiyuki Fujimoto,Shingo Ichimura,Akira Kurokawa,Hidehiko Nonaka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-09-21.

Sos substrate having low defect density in the vicinity of interface

Номер патента: US20120126362A1. Автор: Atsuo Ito,Makoto Kawai,Shoji Akiyama,Yuji Tobisaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Organic substrate having optical layers deposited by magnetron sputtering and method for preparing it

Номер патента: WO1999049097A1. Автор: Volker Kirchhoff,Gerhard Keller,Klaus Goedicke,Richard Bosmans,Pascal Comble,Jöm-Steffen Liebig. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 1999-09-30.

Advanced seed layers for interconnects

Номер патента: US7550386B2. Автор: Uri Cohen. Владелец: Uri Cohen. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of using an electroless plating for depositing a metal seed layer for the subsequent plated backside metal film

Номер патента: US8003532B2. Автор: Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2011-08-23.

Method of using an electroless plating for depositing a metal seed layer for the subsequent plated backside metal film

Номер патента: US20110059610A1. Автор: Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

A technique for processing a substrate having a non-planar surface

Номер патента: WO2011047142A2. Автор: Ludovic Godet,Vikram Singh,George D. Papasouliotis,Helen L. Maynard,Heyun Yin. Владелец: Variam Semiconductior Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of forming a molding layer for semiconductor package

Номер патента: US20160322238A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Device for supporting substrate having thermal expansion coefficient

Номер патента: US20210305077A1. Автор: Daisuke Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2023183692A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-28.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20230307336A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Photodefinable alignment layer for chemical assisted patterning

Номер патента: EP3238234A1. Автор: Todd R. Younkin,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Marie KRYSAK,Rami HOURANI,Eungnak Han,Michael J. Leeson,Ernisse S. Putna. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Process for manufacturing a ceramic wiring substrate having a low dielectric constant

Номер патента: US5283081A. Автор: Yuzo Shimada,Yoshinobu Kobayashi,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-01.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: EP2878010A1. Автор: Guy F. Burgess,Anthony P. Curtis,Douglas M. Scott,Shannon D. Buzard. Владелец: Flipchip International LLC. Дата публикации: 2015-06-03.

Method for applying a final metal layer for wafer level packaging and associated device

Номер патента: US20130328203A1. Автор: Guy F. Burgess,Anthony P. Curtis,Douglas M. Scott,Shannon D. Buzard. Владелец: Flipchip International LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

Substrate having electronic component embedded therein

Номер патента: US20210193580A1. Автор: Dae Jung Byun,Chang Hwa Park,Sang Ho Jeong,Ki Ho NA,Je Sang Park,Yong Duk Lee,Jin Won Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Substrate having electronic component embedded therein

Номер патента: US20210193563A1. Автор: Dae Jung Byun,Chang Hwa Park,Ki Ho NA,Je Sang Park,Yong Duk Lee,Jin Won Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Substrate having electronic component embedded therein

Номер патента: US20220130766A1. Автор: Dae Jung Byun,Chang Hwa Park,Sang Ho Jeong,Ki Ho NA,Je Sang Park,Yong Duk Lee,Jin Won Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Substrate having embedded electronic component

Номер патента: US20190267338A1. Автор: Tae Sung Jeong,Hong In KIM,Thomas A KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Substrate having embedded electronic component

Номер патента: US20180286822A1. Автор: Tae Sung Jeong,Hong In KIM,Thomas A KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Dram fabricated on a silicon-on-insulator (soi) substrate having bi-level digit lines

Номер патента: SG141234A1. Автор: Brent Keeth,Charles H Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-28.

Processing method for substrate having metal exposed

Номер патента: US20190051560A1. Автор: Makiko Ohmae. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for Forming a Protective Layer for Use In Packaging a Semiconductor Die

Номер патента: US20040183163A1. Автор: Tongbi Jiang,Zhiping Yin,Mike Connell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Substrate having an optically transparent EMI/RFI shield

Номер патента: US5489489A. Автор: Thomas J. Swirbel,Reginald L. Barnes. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-02-06.

Package comprising a substrate having a via wall configured as a shield

Номер патента: US20210175152A1. Автор: Xiaoming Chen,Rajneesh Kumar,Chaoqi Zhang,Jeahyeong HAN,Suhyung HWANG,Darryl Sheldon Jessie,Jaehyun YEON,Li-Sheng WENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Electronic device including first substrate having first and second surfaces opposite from each other, second substrate facing first surface, and drive circuit facing second surface

Номер патента: US20190103373A1. Автор: Keita Hirai. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Electronic device including first substrate having first and second surfaces opposite from each other, second substrate facing first surface, and drive circuit facing second surface

Номер патента: US20210043595A1. Автор: Keita Hirai. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Electronic device including first substrate having first and second surfaces opposite from each other, second substrate facing first surface, and drive circuit facing second surface

Номер патента: US10847484B2. Автор: Keita Hirai. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Substrate having one or more electrical interconnects

Номер патента: US20240006298A1. Автор: Yi Yang,Gang Duan,Hiroki Tanaka,Steve Cho,Kristof Darmawikarta,Brandon C. MARIN,Haifa Hariri,Suddhasattwa NAD,Haobo Chen,Bai Nie,Jeremy D. Ecton,Srinivas Venkata Ramanuja Pietambaram,Marcel Arlan Wall,Ali LEHAF,Onur Ozkan,Kyle MCELHINNY,Jason Scott Steill,Jason GAMBA,Venkata Rajesh Saranam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Package comprising a substrate having a via wall configured as a shield

Номер патента: EP4070372A1. Автор: Xiaoming Chen,Rajneesh Kumar,Chaoqi Zhang,Jeahyeong HAN,Suhyung HWANG,Darryl Sheldon Jessie,Jaehyun YEON,Li-Sheng WENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Perpendicular magnetic tunnel junction with multi-interface free layer for magnetoelectric devices

Номер патента: US20230255121A1. Автор: Weigang Wang,Pravin Khanal. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2023-08-10.

Raised source drain mosfet with amorphous notched gate cap layer with notch sidewalls passivated and filled with dielectric plug

Номер патента: US7700425B2. Автор: Sadanand V. Deshpande,Werner A. Rausch,Tina J. Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-20.

Back-End Processing Using Low-Moisture Content Oxide Cap Layer

Номер патента: US20160133666A1. Автор: Yakov Roizin,Amos Fenigstein,Avi Strum. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods for forming FinFETS having a capping layer for reducing punch through leakage

Номер патента: US9312183B1. Автор: Hoon Kim,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Image sensor with passivation layer for dark current reduction

Номер патента: US11848345B2. Автор: JHY-JYI SZE,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Image sensor with passivation layer for dark current reduction

Номер патента: US20230387159A1. Автор: JHY-JYI SZE,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Passivation capping layer for ohmic contact in ii-vi semiconductor light transducing device

Номер патента: US20010003057A1. Автор: Michael A. Haase,Thomas J. Miller,Fen-Ren Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Passivation capping layer for ohmic contact in ii-vi semiconductor light transducing device

Номер патента: MY116233A. Автор: Chien Fen-Ren,J Miller Thomas,A Haase Michael. Владелец: Minnesota Mining & Mfg. Дата публикации: 2003-12-31.

Gallium nitride based high electron mobility transistor (GaN-HEMT) device with an iron-doped cap layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997594B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Boron-Based Capping Layers for EUV Optics

Номер патента: US20200217804A1. Автор: Gildardo R. Delgado,Zefram Marks,Shannon B. HILL. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Mtj capping layer structure for improved write error rate slopes and thermal stability

Номер патента: US20210249588A1. Автор: Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Low temperature, high germanium, high boron sige:b pepi with a silicon rich capping layer for ultra-low pmos contact resistivity and thermal stability

Номер патента: EP4156283A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Mauro Kobrinsky,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Nazila Haratipour,Debaleena Nandi,Rushabh Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Display device with cap layer

Номер патента: US10522777B2. Автор: Takahiro Ushikubo,Norihisa Maeda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-12-31.

Fabricating a cap layer for a magnetic random access memory (mram) device

Номер патента: US20170338404A1. Автор: Jeong-Heon Park,Guohan Hu,Younghyun Kim,Kwangseok KIM,Jung-Hyuk Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Light-emitting device comprising first and second capping layers and electronic apparatus including the same

Номер патента: US11950499B2. Автор: Bora LEE,Ilsoo Oh,Hyomin Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method and system for providing magnetic tunneling junction elements having improved performance through capping layer induced perpendicular anisotropy and memories using such magnetic elements

Номер патента: US9412787B2. Автор: Zhitao Diao,Xueti Tang,Steven M. Watts. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Bandgap engineered mono-crystalline silicon cap layers for si-ge hbt performance enhancement

Номер патента: WO2007056018A3. Автор: Damian Carver,Darwin Gene Enicks. Владелец: Darwin Gene Enicks. Дата публикации: 2007-10-04.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Iii-n diodes with n-doped wells and capping layers

Номер патента: US20230068318A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Harald Gossner,Georgios Panagopoulos,Luis Felipe Giles. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Non-common capping layer on an organic device

Номер патента: US10340313B2. Автор: Michael S. Weaver,Michael Hack. Владелец: Universal Display Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using tfr cap layer(s) as an etch stop and/or hardmask

Номер патента: WO2021173200A1. Автор: Paul Fest,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-09-02.

Hybridized oxide capping layer for perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20160020387A1. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Keyu Pi. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Thin film resistor (tfr) formed in an integrated circuit device using tfr cap layer(s) as an etch stop and/or hardmask

Номер патента: US20210272725A1. Автор: Paul Fest,Jacob Williams,Josh KAUFMAN. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Hybridized oxide capping layer for perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20150372224A1. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Keyu Pi. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Substrate evaluation chip and substrate evaluation device

Номер патента: US20200378912A1. Автор: Dongjin Kim,Katsuaki Suganuma,Naoki Wakasugi,Akio Shimoyama,Kazutaka TAKESHITA,Shijo Nagao. Владелец: Yamato Scientific Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: EP4421856A1. Автор: Masafumi Suzuki,Shigehiro Goto. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of manufacturing display panel with circuit-layer stack including metal, oxide, and capping layers, and display panel manufactured by the same

Номер патента: US11910679B2. Автор: Hongsick PARK,Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Gyungmin BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device structure with cap layer

Номер патента: US12107165B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Heating unit and substrate treating apparatus including the same

Номер патента: US20230268203A1. Автор: Seung Han Lee,Dongwoon PARK,Jong Seok SEO,Jin Taek Oh. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Light emitting device including a capping layer and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354633A1. Автор: Michael HELANDER,Zhibin Wang. Владелец: OTI Lumionics Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Back-illuminated photodiode with a wide bandgap cap layer

Номер патента: US4608586A. Автор: Ock-Ky Kim. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Silicon rich capping layer pre-amorphized with germanium and boron implants for thermal stability and low pmos contact resistivity

Номер патента: EP4156281A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Cory BOMBERGER,Chi-hing Choi,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL,Debaleena Nandi,Rushabh Shah,Chanaka MUNASINGHE,Brian J. KRIST,Ashkar ALIYARUKUNJU,Anand MURHTY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Integrated circuit with well and substrate contacts

Номер патента: US20160336343A1. Автор: Sang Hoo Dhong,Kuo-Feng Tseng,Cheng-Chung Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Ho-Chieh Hsieh,Ming-Zhang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Electronic package and substrate structure having chamfers

Номер патента: US20200350261A1. Автор: Po-Hao WANG,Chang-Fu Lin,Chun-Tang Lin,Bo-Hao Chang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for forming conductive layer and substrate having the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080096366A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Antistick composition containing diamond particles and substrate on which composition is applied

Номер патента: RU2435653C2. Автор: Осаму ХАЯКАВА. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2011-12-10.

Method of manufacturing electronic device, and substrate for element transfer

Номер патента: US20240105884A1. Автор: Kazuyuki Yamada,Keisuke Asada,Kenichi Takemasa,Daiki ISONO. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Substrate measurement method and substrate measurement control apparatus

Номер патента: US20240219297A1. Автор: Hark Ryong KIM,Dong Seop JUNG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of applying coating for deploying layer system on substrate and substrate with layer system

Номер патента: RU2630090C2. Автор: Йорг ФЕТТЕР,Юрген МЮЛЛЕР,Георг ЭРКЕНС. Владелец: Зульцер Метаплас Гмбх. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for testing light-emitting elements, testing device, and substrate

Номер патента: US11837124B2. Автор: Hung-Chih Wu. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for predicting de novo biomacromolecule crystallization conditions and for crystallization of the same

Номер патента: WO2005080422A1. Автор: Yan Wei Jia,Xiang-Yang Liu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for Predicting De Novo Biomacromolecule Crystallization Conditions and for Crystallization of the Same

Номер патента: US20070259335A1. Автор: YAN Jia,Xiang-Yang Liu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2007-11-08.

Motor attachment bracket, motor attachment structure, and substrate processing apparatus

Номер патента: SG10201800586RA. Автор: Tanaka Hideaki. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of forming strain-causing layer for mos transistors and process for fabricating strained mos transistors

Номер патента: US20090111272A1. Автор: Pei-Lin Kuo,Huo-Tieh Lu,Jin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Substrate processing system and substrate processing method

Номер патента: US20180019441A1. Автор: Beom Jun KIM,Il Ho Noh,Seung Duk Bang,Soo Ho Oh,Sin Pyoung Kim. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor structures and substrates thereof, and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220223757A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Ball grid array semiconductor package and substrate without power ring or ground ring

Номер патента: US6667546B2. Автор: Eric Ko,Chih-Ming Huang,Chien-Ping Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-23.

Semiconductor Device and Method of Forming Electrical Interconnection Between Semiconductor Die and Substrate with Continuous Body of Solder Tape

Номер патента: US20110254146A1. Автор: Daesik Choi,Taewoo Lee,SungWon Cho,KyuWon Lee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor structures and substrates thereof, and methods of manufacturing semiconductor structures and substrates thereof

Номер патента: US11978826B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010013608A1. Автор: Toshimasa Kobayashi,Tsuyoshi Tojo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Multi layer package substrate having different dielectric materials for metal layers with different circuit structures

Номер патента: US20230090188A1. Автор: Whitney M. Bryks,Kemal Aygun,Jieying KONG,Junxin Wang,Ala OMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Bump stress mitigation layer for integrated circuits

Номер патента: EP2359396A2. Автор: Kevin J. Lee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Bump stress mitigation layer for integrated circuits

Номер патента: WO2010080275A2. Автор: Kevin J. Lee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-07-15.

Packaging substrate having metal posts

Номер патента: WO2024059477A1. Автор: Yi Liu,CAI Liang,Ki Wook Lee,Shaul Branchevsky,Chien Jen Wang. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor package substrate having an interfacial layer

Номер патента: US20170287827A1. Автор: Bainye Francoise Angoua,Whitney Michael BRYKS,Dilan Anuradha SENEVIRATNE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor package substrate having an interfacial layer

Номер патента: US09799593B1. Автор: Bainye Francoise Angoua,Whitney Michael BRYKS,Dilan Anuradha SENEVIRATNE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for crystallization of silicon

Номер патента: CA2774176C. Автор: Jan-Erik Eriksson,Olof Hjortstam,Ulf Sand. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2014-07-29.

Flexible substrates having semiconductor packages

Номер патента: US20220399388A1. Автор: Nagesh Surendranath,Bradley Andrew Glasscock,Shriram DEVI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device with a substrate having depressions formed thereon

Номер патента: US11521941B2. Автор: Yoshinori Oda,Yoshinori Uezato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor device with cooler including heat dissipating substrate having a plurality of fins bonded to reinforcing plate

Номер патента: US12074091B2. Автор: Takahiro Koyama,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Light emitting element with light transmissive substrate having recess in cross-sectional plane

Номер патента: US9812622B2. Автор: Yukitoshi Marutani. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Laminated substrate having piezoelectric film, element having piezoelectric film and method for manufacturing this laminated substrate

Номер патента: US20230115136A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Array substrate having data line self-repairing function and liquid crystal device

Номер патента: US9746730B2. Автор: Meng Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Light emitting element with light transmissive substrate having recess in cross-sectional plane

Номер патента: US09812622B2. Автор: Yukitoshi Marutani. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Film applied as intermediate layer for triplexes, triplex containig this film and method of transportation and/or storage of rolled film

Номер патента: RU2325408C2. Автор: Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ,Манфред ХОСС,Бернард КОЛЛЬ,Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ (DE),Манфред ХОСС (DE),Бернард КОЛЛЬ (DE). Владелец: Курарей Юроп ГмбХ. Дата публикации: 2008-05-27.

Glazing assembly comprising a substrate provided with a stack of thin layers for solar protection and/or thermal insulation

Номер патента: US6045896A. Автор: Philippe Boire,Fabrice Didier,Jean-Michel Grimal. Владелец: Saint Gobain Vitrage SA. Дата публикации: 2000-04-04.

Coated substrates having an ultrathin, single-layer or multilayer coating, a process for their production and polyesters as intermediate products for the coated substrates

Номер патента: US5030516A. Автор: Rolf Wehrmann,Heinrich-Christian Schopper,Dittmar K. Nerger. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1991-07-09.

Coated substrates having an ultrathin, single-layer or multilayer coating, a process for their production and polyesters as intermediate products for the coated substrates

Номер патента: CA1327296C. Автор: Rolf Wehrmann,Heinrich-Christian Schopper,Dittmar K. Nerger. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1994-03-01.

Radiator layers for ultrasonic transducers

Номер патента: US20240113063A1. Автор: Baher S. Haroun,Bichoy BAHR,Swaminathan Sankaran,Udit RAWAT. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Display substrate having additional pad layer

Номер патента: US12035594B2. Автор: Dan Cao,Yu Wang,Tingliang Liu,Tinghua Shang,Huijuan Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Circuit substrate having improved bonding structure

Номер патента: US20240188215A1. Автор: Li-Chun Hung. Владелец: Tong Hsing Electronic Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Display substrate having additional pad layer

Номер патента: US20230189595A1. Автор: Dan Cao,Yu Wang,Tingliang Liu,Tinghua Shang,Huijuan Yang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Package substrate having depression

Номер патента: US20240222207A1. Автор: Michael Lueders,Jonathan Almeria Noquil,Giacomo Calabrese. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Pressure sensor assembly for use in implantable medical device including a substrate having via that extends through substrate along via axis between first major surface and second major surface of substrate

Номер патента: US11725995B2. Автор: David A. Ruben,Andrew J. Ries,Chetan Patel,Andreas Fenner. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for producing metallized paper or flexible substrate, coated flexible substrate having matt, semi-sheen or sheen metallized appearance, and, aqueous solution

Номер патента: US20060142457A1. Автор: Antonio Cunha. Владелец: Schweitzer Mauduit do Brasil SA. Дата публикации: 2006-06-29.

Display substrate having a black matrix with a curved surface, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US09978995B2. Автор: Hongda Sun,Jingang Fang,Wulin SHEN,Chun I Lin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Interconnect substrate having cavity for stackable semiconductor assembly, manufacturing method thereof and vertically stacked semiconductor assembly using the same

Номер патента: US09825009B2. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Substrate having improved adhesion of ink and colour stability to effect of oil

Номер патента: RU2466230C2. Автор: Саймон ПОРУТХОР,Лиза САНАБРИА,Али ЯХЯУИ,Келли БРЭНХЭМ,Хью Скотт СНОУДЕН,Олеся СУХАРЕВА. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2012-11-10.

Substrate, having system of thin layers with thermal properties

Номер патента: RU2708304C2. Автор: Жан Карлос ЛОРЕНЦЦИ,Бенуа Жорж. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-12-05.

Highly soft composite having large thickness of insulating layer for napkins

Номер патента: RU2429285C2. Автор: Лютер СТОКТОН,Сьюзан Мари МАЧЕЛСКИ,Сяодун ЧЖАН,Йоунг-сам КИМ,Дидре Анн СТРАНД,Гарольд Кристиан ФАУЛЕР,Герт Йоханнес КЛААСЕН,Фридерике Т. ШТОЛЛЬМАЙЕР,Верена М. Т. ТИДЕ,Карин КАТЦЕР. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2011-09-20.

Film applied as intermediate layer for triplexes, triplex containing this film and method of transportation and/or storage of rolled film

Номер патента: RU2325408C9. Автор: Хольгер ШТЕНЦЕЛЬ,Манфред ХОСС,Бернард КОЛЛЬ. Владелец: Курарей Юроп ГмбХ. Дата публикации: 2009-04-10.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637003C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-11-29.

METAL FILLER, SEPARATING p- AND n-TYPE LAYERS, FOR LIGHT-EMITTING DIODES MOUNTED BY FLIP-CHIP METHOD

Номер патента: RU2597071C2. Автор: Цзипу ЛЭЙ,Яцзюнь ВЭЙ,Александер Х. НИКЕЛ,Стефано СЧИАФФИНО,Дэниел Александер СТЕЙДЖЕРУОЛД. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Air oxidisable scratch resistant protective layer for optical coatings

Номер патента: RU2424202C2. Автор: Питер Алан МАШВИТЦ,Питер Алан МАШВИТЦ (US). Владелец: Эйджиси Флэт Гласс Норс Америка, Инк. Дата публикации: 2011-07-20.

Device for inspecting substrate having irregular rough surface and inspection method using same

Номер патента: CA2886007C. Автор: Yusuke Sato,Suzushi Nishimura. Владелец: JX Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Packaging substrate having metal posts

Номер патента: US20240087999A1. Автор: Yi Liu,CAI Liang,Ki Wook Lee,Shaul Branchevsky,Chien Jen Wang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Substrates having a broadband antireflection layer and methods of forming a broadband antireflection layer

Номер патента: US20240030362A1. Автор: Peng Jiang,Zhuxiao GU,Ruwen TAN. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Welding method of demetallized ceramic substrate having surface capillary microgroove structure

Номер патента: US12009270B2. Автор: Yong Tang,Hong Wang,Kejian Wu,Zongtao Li,Shudong YU,Guanwei LIANG,Xinrui DING. Владелец: Shenzhen Good Machine Automatic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

INTEGRATED CIRCUITS (ICs) EMPLOYING DIRECTLY COUPLED METAL LINES BETWEEN VERTICALLY-ADJACENT INTERCONNECT LAYERS FOR REDUCED COUPLING RESISTANCE, AND RELATED METHODS

Номер патента: US20240203866A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuits (ics) employing directly coupled metal lines between vertically-adjacent interconnect layers for reduced coupling resistance, and related methods

Номер патента: EP4402720A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Plating layer for sliding portion and method for forming the same

Номер патента: US20060151329A1. Автор: Satoshi Nanba,Yoshio Tanita,Shinji Kadoshima. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Pressure-sensitive adhesive layer for optical applications, pressure-sensitive adhesive layer-attached optical film, and image display device

Номер патента: US09809729B2. Автор: Takaaki Ishii,Atsushi Yasui,Shinsuke Akizuki,Yuusuke Toyama. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Article comprising a substrate having a hard and corrosion-proof coating thereon

Номер патента: US4557981A. Автор: Erich Bergmann. Владелец: ETA Manufacture Horlogere Suisse SA. Дата публикации: 1985-12-10.

Method for producing substrate having carbon-doped titanium oxide layer

Номер патента: CA2540778C. Автор: Masahiro Furuya. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2011-02-15.

Nickel-base superalloy article substrate having aluminide coating thereon, and its fabrication

Номер патента: US20030152799A1. Автор: Dwayne Burnett,William Walston,Theodore Grossman,Ronald Rajala,Wendy Murphy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2003-08-14.

Substrate having an intermediate coating and a carbon coating

Номер патента: US20180127869A1. Автор: Yashar Musayev,Edgar Schulz,Joanna Procelewska. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2018-05-10.

Epitaxial Substrate Having a 2D Material Interposer, Method for Manufacturing the Epitaxial Substrate, and Device Prepared from the Epitaxial Substrate

Номер патента: US20240038931A1. Автор: Neng-Tai Shih,Hsiao-Lei Wang,Kao-Mei Sung. Владелец: King Rack Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Substrate having built-in semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050067717A1. Автор: Yoshinori Shizuno. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-31.

Passivation layer assembly on a substrate and display substrate having the same

Номер патента: US20060076653A1. Автор: Ho Lee,Kwan-Young Cho,In-ho Song,Je-Min Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-13.

Laminated substrate having piezoelectric film, element having piezoelectric film and method for manufacturing this laminated substrate

Номер патента: US11557713B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Micromechanical component and method for packaging a substrate having a micro-electromechanical microphone structure which includes at least one piezoelectric layer

Номер патента: US20170332176A1. Автор: Daniel PANTEL,Fabian Purkl,Kerrin DOESSEL. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-11-16.

Laminated substrate having piezoelectric film, element having piezoelectric film and method for manufacturing this laminated substrate

Номер патента: US20200161533A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Display substrate having bonding area for bonding with circuit structure, display apparatus, and circuit structure having bonding area for bonding with display substrate

Номер патента: US20210358959A1. Автор: JIANJUN WU,Zewen Li,Yichen Jiang,Jiangsheng Wang,Biyu Zhao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

A routing layer for mitigating stress in a semiconductor die

Номер патента: EP2471096A1. Автор: Gabriel Wong,Roden Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-07-04.

Plating layer for sliding portion

Номер патента: US7422797B2. Автор: Satoshi Nanba,Yoshio Tanita,Shinji Kadoshima. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2008-09-09.

Method for producing substrate having carbon-doped titanium oxide layer

Номер патента: NZ545830A. Автор: Masahiro Furuya. Владелец: Central Res Inst Elect. Дата публикации: 2010-03-26.

Solid polymeric substrate having adherent resin component derived from curable silylated polyurethane composition

Номер патента: CA2661812C. Автор: Shayne J. Landon,Bruce A. Waldman,Misty Huang. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

IC card including a substrate having improved strength and heat radiation properties

Номер патента: US5521433A. Автор: Yasuhiro Murasawa,Shigeo Onoda,Tetsuro Washida,Teru Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-28.

Solid polymeric substrate having adherent resin component derived from curable silylated polyurethane composition

Номер патента: EP2064257A2. Автор: Shayne J. Landon,Bruce A. Waldman,Misty Huang. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-03.

Packaging substrate having capacitor embedded therein

Номер патента: US20090102045A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Chih-Kui Yang,Wen-Sung Chang. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Substrate having animated flashing figure, application thereof and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130065025A1. Автор: Kun-Mu Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Passivation layer for epitaxial semiconductor process

Номер патента: US11908900B2. Автор: Jen-Cheng Liu,Kuan-Chieh Huang,Jyh-Ming Hung,Po-Chun Liu,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Metal-resin composite material, method for producing the same, and aluminum substrate having aluminum oxide coating

Номер патента: US20160194779A1. Автор: Kenzo Fukumori,Hideaki Matsuoka,Kazuhiko Umemoto,Hiroaki KADOURA,Takuro MATSUNAGA,Shuxin Dong. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Display substrate including additional insulating layer between transistor gate and active layer for preventing dark spots, preparation method thereof, and display apparatus

Номер патента: US11980058B2. Автор: HAITAO Wang,Jun Wang,Jun Cheng,Tongshang Su,Qinghe Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Fabrication method of packaging substrate having embedded capacitors

Номер патента: US20140076492A1. Автор: Chun-Chih Huang,Chien-Kuang Lai. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

High energy treatment of cutter substrates having a wear resistant layer

Номер патента: US20120285101A1. Автор: Michael R. Reese,Kelly O. Malone. Владелец: Varel International Ind LLC. Дата публикации: 2012-11-15.

Passivation layer for epitaxial semiconductor process

Номер патента: US20240136401A1. Автор: Jen-Cheng Liu,Kuan-Chieh Huang,Jyh-Ming Hung,Po-Chun Liu,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Package architecture with glass core substrate having integrated inductors

Номер патента: US20240128247A1. Автор: Gang Duan,Hiroki Tanaka,Srinivas V. Pietambaram,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Kristof Kuwawi Darmawikarta,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Transparent substrate having durable hydrophobic/oleophobic surface

Номер патента: EP2635539A1. Автор: Jia Liu,Wageesha Senaratne,Prantik Mazumder,Mark A Quesada,Todd P St. Clair,Shari E Koval,Charlotte D Milia. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-09-11.

Plastic Substrate having a Porous Layer and Method for Producing the Porous Layer

Номер патента: US20170031070A1. Автор: Matthias Fahland,Ulrike Schulz,Peter Munzert,Waldemar Schoenberger. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-02-02.

Magnetic tunneling junction element with a composite capping layer and magnetoresistive random access memory device using the same

Номер патента: US12108684B2. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

一种Cap layer层蚀刻优化方法

Номер патента: CN113675722. Автор: 成飞,王凤玲,王田瑞. Владелец: Weike Saile Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

一种Cap layer层蚀刻优化方法

Номер патента: CN113675722B. Автор: 成飞,王凤玲,王田瑞. Владелец: Weike Saile Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Organic el device, amine compound having benzazole ring structure, and method in which said amine compound is used in capping layer of organic el device

Номер патента: US20240260457A1. Автор: Takeshi Yamamoto,Shuichi Hayashi,Kouki Kase,Shunji Mochizuki. Владелец: Hodogaya Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nitride capping layer for spin torque transfer (STT) magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US11849646B2. Автор: Jian Zhu,Ru-Ying Tong,Huanlong Liu,Guenole Jan,Vignesh SUNDAR,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Compound for capping layer and organic light emitting device including same

Номер патента: US20240254112A1. Автор: Hyung Jin Lee,Dong Jun Kim,Jeong Woo Han,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Byung Cheol Min,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Novel compound for capping layer and organic light emitting device including same

Номер патента: US20240279158A1. Автор: Dae Woong Lee,Sung Kyu Lee,Dong Hyun Lee,Tae Jin Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Metal protective layer for electron emitters with a diffusion barrier

Номер патента: EP3766092A1. Автор: Frances Hill,Rudy Garcia,Mike Romero,Katerina Ioakeimidi,Gildardo DELGADO,Gary Lopez,Zefram Marks. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Metal protective layer for electron emitters with a diffusion barrier

Номер патента: US20190362927A1. Автор: Gildardo R. Delgado,Frances Hill,Rudy F. Garcia,Katerina Ioakeimidi,Zefram Marks,Gary V. Lopez Lopez,Michael E. Romero. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Method and system for providing magnetic tunneling junction elements having improved performance through capping layer induced perpendicular anisotropy and memories using such magnetic elements

Номер патента: US20110032644A1. Автор: Zhitao Diao,Xueti Tang,Steven M. Watts. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2011-02-10.

一种Cap layer层蚀刻优化方法

Номер патента: CN113675722A. Автор: 成飞,王凤玲,王田瑞. Владелец: Weike Saile Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

Organic EL device, amine compound having benzazole ring structure, and method in which said amine compound is used in capping layer of organic EL device

Номер патента: US11974499B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Shuichi Hayashi,Kouki Kase,Shunji Mochizuki. Владелец: Hodogaya Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Compound for capping layer and organic light emitting device including same

Номер патента: US20240158338A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Sung Kyu Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho,Hwan Il JE. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Novel compound for capping layer, and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4403548A1. Автор: Dae Woong Lee,Sung Kyu Lee,Dong Hyun Lee,Tae Jin Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Compound for capping layer and organic light emitting device including same

Номер патента: US20240251591A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Sung Kyu Lee,Dong Hyun Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Novel compound for capping layer, and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4417604A1. Автор: Hyung Jin Lee,Dong Jun Kim,Jeong Woo Han,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Byung Cheol Min,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Slot-die coating method, apparatus, and substrate

Номер патента: EP2991774A1. Автор: Ike Gerke De Vries,Sabine Juliane Gabel. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2016-03-09.

Novel compound for capping layer, and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4365167A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Hyung Jin Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Byung Cheol Min,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Novel compound for capping layer, and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4365164A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Hyung Jin Lee,Dong Jun Kim,Jeong Woo Han,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Novel compound for capping layer and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4365166A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Sung Kyu Lee,Tae Jin Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Compound for capping layer and organic light emitting device including same

Номер патента: US20240164138A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Sung Kyu Lee,Tae Jin Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Novel compound for capping layer, and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4365165A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Sung Kyu Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho,Hwan Il JE. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Compound for capping layer and organic light emitting device including same

Номер патента: US20240190811A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Hyung Jin Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Byung Cheol Min,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Compound for capping layer and organic light emitting device including same

Номер патента: US20240190810A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Hyung Jin Lee,Dong Jun Kim,Jeong Woo Han,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method for magnetoresistance effect element, oxidation processing device, and substrate processing system

Номер патента: US20230371391A1. Автор: Kanto Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Laser beam source with a laser element containing a thin crystal disk as a laser-active medium

Номер патента: US20050094689A1. Автор: Klaus Ludewigt. Владелец: ROFIN SINAR LASER GMBH. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of applying metal coating on the surface of powders and substrates

Номер патента: RU2149217C1. Автор: . Владелец: Черник Галина Георгиевна. Дата публикации: 2000-05-20.

Device comprising a substrate having a unidirectional conductivity perpendicular to its surface, and methods for manufacturing such a device

Номер патента: AU8132098A. Автор: Georges Hadziioannou,Jacobus Christiaan Gerardus Maria Ruiter,Erik Maarten Terlouw,Hendrik-Jan Brouwer. Владелец: Zetfolie BV. Дата публикации: 1998-12-30.

INTEGRATED MICROSTRIP AND SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE CIRCULATORS/ISOLATORS FORMED WITH CO-FIRED MAGNETIC-DIELECTRIC COMPOSITES

Номер патента: US20230008079A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Methods for integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: US20210050644A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: WO2018089853A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: US20230008079A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: US11804642B2. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated microstrip and substrate integrated waveguide circulators/isolators formed with co-fired magnetic-dielectric composites

Номер патента: US20240128627A1. Автор: David Bowie Cruickshank,David Martin Firor,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Thermal stress and substrate damage reducing additive manufacturing method

Номер патента: US20240082920A1. Автор: Scott N. Schiffres,Arad Azizi,Bahgat Sammakia,Changhong Ke,Feilin Gou. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-03-14.

Strain-engineered cladding layer for optimized active region strain and improved laser diode performance

Номер патента: US20220368108A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Strain-engineered cladding layer for optimized active region strain and improved laser diode performance

Номер патента: WO2021067033A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: nLIGHT, Inc.. Дата публикации: 2021-04-08.

Systems and methods for communication between mac layer and physical layer for transmissions

Номер патента: RU2754680C1. Автор: Маттиас БЕРГСТРЁМ,Рим КАРАКИ,Марко БЕЛЛЕСКИ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-09-06.

Charging-transporting layer for solar batteries

Номер патента: RU2686860C1. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Александр Витальевич Аккуратов,Всеволод Константинович Тузовский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НПО "КвинтТех" (ООО НПО "КвинтТех"). Дата публикации: 2019-05-06.

Manufacturing method for substrate having conductive pattern, manufacturing method for electronic device, substrate having conductive pattern, and protective film for metal nanobody

Номер патента: US20220400553A1. Автор: Morimasa Sato,Akio Katayama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Resin substrate having metal film pattern formed thereon

Номер патента: US20140178571A1. Автор: Hideyuki Yamada,Kouichi Kugimiya,Kazuhisa Tsujimoto,Akimitsu Bamba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-26.

Band-pass filter comprised of a dielectric substrate having a pair of conductive layers connected by sidewall through holes and center through holes

Номер патента: US09793589B2. Автор: Takafumi Kai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Flexible protective layer for moving and deforming elements of constructions

Номер патента: RU2660656C1. Автор: Андрей Андреевич Балашов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2018-07-09.

Method for manufacturing substrate having textured structure and method for manufacturing organic el elements using same

Номер патента: CA2830078C. Автор: Yusuke Sato,Suzushi Nishimura. Владелец: JX Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for manufacturing substrate having textured structure

Номер патента: AU2014294412A1. Автор: Satoshi Masuyama,Suzushi Nishimura,Shigetaka Toriyama,Toshihiko Shibanuma. Владелец: JX Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Light-transmissive substrate having a light-transmissive, low-ohmic coating

Номер патента: US20020090520A1. Автор: Henricus Willems,Bauke Zwerver. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Light-transmissive substrate having a light-transmissive, low-ohmic coating

Номер патента: EP1058941A1. Автор: Johannes M. A. A. Compen,Gerardus V. A. Aben,Henricus X. Willems,Bauke H. Zwerver. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-13.

Wiring substrate having inductor function and method for producing the same

Номер патента: EP3800651A1. Автор: Takayuki Tanaka,Chihiro Hagiwara,Hideki Ooyama. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2021-04-07.

Protective layer for plasma display panel and method for forming the same

Номер патента: US20060038495A1. Автор: Jong-Seo Choi,Min-Suk Lee,Jae-Hyuk Kim,Suk-Ki Kim,Soon-Sung Suh. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for laminating a polymer electrolyte film onto a porous support layer for energy storage devices

Номер патента: WO2022128858A1. Автор: Lorenz Gubler,Aaron Schneider,Jamie DUBURG,Elena ZANZOLA. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2022-06-23.

Electron transport layer for perovskite solar cell and perovskite solar cell including same

Номер патента: US20240260283A1. Автор: Jung Hwan Lee,Jong Hyeok Park. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-01.

Release layer for metal foil with carrier and metal foil comprising the same

Номер патента: US20240237229A9. Автор: Sung Wook Chun,Bo Mook Chung,Dea Geun Kim,Nak Eun Ko,Ju Yong SIM,Myong Hwan PARK. Владелец: YMT Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Software abstraction layer for energy generation and storage systems

Номер патента: US09831677B2. Автор: Eric Daniel Carlson,Karthikeyan Varadarajan. Владелец: SolarCity Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Display Substrate Having a Transparent Conductive Layer Made of Zinc Oxide and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090242887A1. Автор: Naoki Yamamoto,Tetsuya Yamamoto,Hisashi Aoki,Hisao Makino,Motohiko Yoshida,Hitoshi Hokari,Hiroaki IWAOKA,Akira UJIHARA,Yoshinori HIRASHIMA. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Substrate having a built-in capacitor and process for producing the same

Номер патента: US5400210A. Автор: Yukihiro Kimura,Noriyasu Sugimoto,Masaharu Seto. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-21.

Electrical connector for substrate having conductive tracks

Номер патента: CA3126526C. Автор: John Nelson,Maurizio Volpe,Gary Carroll,Roberto Beretta,Ivan Confield,Michele Sala,Luca Valsecchi. Владелец: Lifescan IP Holdings LLC. Дата публикации: 2023-07-18.

Resin substrate having dielectric characteristics with little frequency dependence

Номер патента: US11920011B2. Автор: Toshio Shiobara,Yusuke Taguchi,Hajime Itokawa,Ryunosuke NOMURA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Treatment process for crystallizing a metal sulfate

Номер патента: EP4240879A1. Автор: Robert John FRASER,Henry Christian Immo Von Schroeter,Mark Joseph Machado. Владелец: Hatch Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Treatment process for crystallizing a metal sulfate

Номер патента: AU2021376545A9. Автор: Robert John FRASER,Henry Christian Immo Von Schroeter,Mark Joseph Machado. Владелец: Hatch Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Pressure container for crystal production

Номер патента: US11746439B2. Автор: Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Sasagawa,Kouhei KURIMOTO,Masaya Morimoto,Quanxi Bao,Mutsuo UEDA. Владелец: Japan Steel Works M&E Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Consecutive molding method for crystallized glass and device thereof

Номер патента: US20120291492A1. Автор: Kuo-Chuan Hsu,Yan-bin JIANG,Chao Qu. Владелец: Huzhou Ta Hsiang Glass Products Co Ltd a China Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Treatment process for crystallizing a metal sulfate

Номер патента: WO2022094706A1. Автор: Robert John FRASER,Henry Christian Immo Von Schroeter,Mark Joseph Machado. Владелец: Hatch Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Pressure container for crystal production

Номер патента: US20200048791A1. Автор: Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Sasagawa,Kouhei KURIMOTO,Masaya Morimoto,Quanxi Bao,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-02-13.

Sun-screen glass having thin-film coatings

Номер патента: RU2695203C2. Автор: Александр МАЙЛЕ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2019-07-22.

Porous transport layer for use in a polymer electrolyte membrane electrolyzer, an electrolyzer comprising said porous transport layer, a method for obtaining said porous transport layer and a method for electrolysing water using said porous transport layer

Номер патента: AU2022409751A1. Автор: Johannes Godfried VOS,Matti VAN SCHOONEVELD,Adriaan W. JEREMIASSE. Владелец: Magneto Special Anodes BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Porous transport layer for use in a polymer electrolyte membrane electrolyzer, an electrolyzer comprising said porous transport layer, a method for obtaining said porous transport layer and a method for electrolysing water using said porous transport layer

Номер патента: EP4448840A2. Автор: Johannes Godfried VOS,Matti VAN SCHOONEVELD,Adriaan W. JEREMIASSE. Владелец: Magneto Special Anodes BV. Дата публикации: 2024-10-23.

Resinous construction material having fire-resistant intumescent cap layer

Номер патента: US5458966A. Автор: Dean S. Matsumoto,David G. Hawron,Margaret L. Blohm. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-10-17.

Tips and substrates for scanning probe microscopy

Номер патента: WO1997010901A1. Автор: Tianwei Jing,Stuart M. Lindsay,Yuri L. Lyubchencko. Владелец: Molecular Imaging Corporation. Дата публикации: 1997-03-27.

Dye-receiver subbing layer for thermal dye transfer

Номер патента: US5597775A. Автор: Thomas W. Martin,Ronald S. King. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1997-01-28.

Method for making a dual-textured food substrate having large seasoning bits

Номер патента: CA2553253C. Автор: Richard Todd Smith,Adrianna Ashley Heywood,Heather Ann Longo,Michael K. King. Владелец: Frito Lay North America Inc. Дата публикации: 2010-09-14.

Method of determining alignment of a template and a substrate having a liquid disposed therebetween

Номер патента: US7186483B2. Автор: Matthew E. Colburn,Sidlgata V. Sreenivasan,Byung-Jin Choi,Todd C. Bailey. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2007-03-06.

Dye-receiving element subbing layer for use in thermal dye transfer

Номер патента: US5585326A. Автор: Thomas W. Martin,Richard W. Topel, Jr.,Ronald S. King. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1996-12-17.

Conducting electron beam resist thin film layer for patterning of mask plates

Номер патента: US6482558B1. Автор: Bharath Rangarajan,Bhanwar Singh,Ramkumar Subramanian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-11-19.

Method to fabricate smooth-surfaced crystalline phase-change layer for atomic resolution storage device

Номер патента: US20020182363A1. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-12-05.

Phase change of a recording layer under a temporary capping layer

Номер патента: EP1265235A3. Автор: Heon Lee,Robert Bicknell-Tassius. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-09-17.

Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method

Номер патента: EP1999513A1. Автор: Seung-Tae Oh,Sang-Choll Han,Deok-Joo Kim,Matthias Henyk. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Method for the Production of a Metallic Substrate Having a Biocompatible Surface and Substrate Produced Using Same

Номер патента: US20070122638A1. Автор: Georg Berger,Ute Ploska. Владелец: Bundesanstalt fuer Materialforschung und Pruefung BAM. Дата публикации: 2007-05-31.

Enhanced free layer for a spin valve sensor

Номер патента: US20020085322A1. Автор: Mustafa Pinarbasi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Lightweight noise absorbing material and substrate having the same attached thereto

Номер патента: US20200035210A1. Автор: Hyun Jun Park. Владелец: Seoyon E Hwa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Fabrication of barrier for substrate and substrate with said barrier

Номер патента: RU2566787C2. Автор: Исто ХЕЙСКАНЕН,Кай БАКФОЛЬК. Владелец: СТОРА ЭНСО ОЙЙ. Дата публикации: 2015-10-27.

Substrate having high initial water repellency and a laundry durable water repellency

Номер патента: US6309752B1. Автор: Rudolf J. Dams,Johan E. DeWitte,Christoffel C. Maes. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2001-10-30.

Multilayer article containing biodegradable polymer-based layer and substrate based on cellulose fibre, method for production of multilayer article and device for food products containing multilayer article

Номер патента: RU2587442C1. Автор: Эрве ПЛАНШАР. Владелец: Альстром Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-20.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Packing laminated plastic, folding roller, and also layer for usage in packing laminated plastic

Номер патента: RU2283769C2. Автор: Ханс ЙОХАНССОН,Ларс БЕРГХОЛЬТЦ,Лотта КЛИНТ. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2006-09-20.

Composition layer for laminate glass

Номер патента: RU2289510C2. Автор: Джеймс Р. МОРАН,Фрэнсис Г. ГЕРБЕРИЧ. Владелец: Солютиа Инк.. Дата публикации: 2006-12-20.

Substrate having channel portion including chambers, and method of transferring liquid by using the substrate

Номер патента: US20100120166A1. Автор: Tomohiro Yamamoto,Nobuhiko Ozaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Protective layer for plants and trees, preparation thereof and use thereof

Номер патента: RU2464784C2. Автор: Саша ШВИНДТ. Владелец: Стифтунг Нано Инновейшнз. Дата публикации: 2012-10-27.

Method of layering for non-planar components made of composite material

Номер патента: RU2603791C2. Автор: СЕВИЛЬЯ Альберто ЛОСАНО,МАКАРРИЛЬЯ Хосе Оренсио ГРАНАДО,ВАЛЬДЕГРАМА Висенте МАРТИНЕС,ГАЛЬЕГО Рауль БУРГОС. Владелец: Эйрбас Оперейшнз, С.Л.. Дата публикации: 2016-11-27.

Portable adhesive layer for use in absorbing article adhesion to the body

Номер патента: RU2601272C2. Автор: Джон Тимоти ХАН,Мелисса Джин ДЕННИС,Перри Аллен БУШ,Дональд Джеймс ШМИДТ,Тодд Уильям УИЛКС,Дэвид Джон ЭНЗ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-10-27.

Reinforcing material layer for pneumatic tire, method of manufacture of said layer and method of manufacture of pneumatic tire

Номер патента: RU2250836C2. Автор: Жан БИЙЕР. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2005-04-27.

Substrate having decorated surface and method of production

Номер патента: WO2018154427A1. Автор: Andrew Leo Haynes,John Wason MCKEE. Владелец: ZINNIATEK LIMITED. Дата публикации: 2018-08-30.

Substrate having decorated surface and method of production

Номер патента: AU2018223324B2. Автор: Andrew Leo Haynes,John Wason MCKEE. Владелец: Zinniatek Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Substrate having decorated surface and method of production

Номер патента: US11970858B2. Автор: Andrew Leo Haynes,John Wason MCKEE. Владелец: Zinniatek Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Padding layer for multi-layered sports playing field

Номер патента: EP2588208A1. Автор: Frédéric Vachon. Владелец: ADVANTAGE COCHRANE SPORT Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Absorbent fibrous web substrates having distinct graphics and method for printing substrates

Номер патента: US20100092743A1. Автор: Kathryn Christian Kien,Alrick Vincent Warner,Kevin Benson Mcneil. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-04-15.

Web substrate having optimized emboss design

Номер патента: WO2010135386A1. Автор: Kevin Benson Mcneil,Thomas Timothy Byrne,André Mellin,Jason Merrill Jones. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2010-11-25.

Coated substrate having high MVTR

Номер патента: US6133168A. Автор: James G. Moore,Robert E. Doyle,Mohamed A. Fahmy. Владелец: K2 Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Web substrates having wide color gamut indicia printed thereon

Номер патента: US8916261B2. Автор: Michael Scott Prodoehl. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2014-12-23.

Web substrates having wide color gamut indicia printed thereon

Номер патента: CA2769987C. Автор: Michael Scott Prodoehl,Kevin Benson Mcneil,Thomas Timothy Byrne. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2016-01-19.

Web substrate having optimized emboss design

Номер патента: CA2762220C. Автор: Kevin Benson Mcneil,Thomas Timothy Byrne,André Mellin,Jason Merrill Jones. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2016-07-05.

Artwork substrates having raised outer edges to prevent curable coatings from spilling over outer perimeters thereof

Номер патента: US20190322126A1. Автор: Elizabeth Schiller. Владелец: Foremost Manufacturing Co Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Surface acoustic wave filter with a cap layer for improved reliability

Номер патента: US09973169B2. Автор: Kurt G. Steiner,Chad Thompson,Alan S. Chen,Benjamin P. Abbott,Daniel Chesire,Curtiss Hella. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2015122963A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: EP3105760A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Capping layer for tandem structure and display device having the same

Номер патента: US11844257B2. Автор: Jin Woo Park,Sunhye LEE,Donghoon Kim,Sanghoon Yim,Jinsook BANG,Jungjin Yang,Solji Kim,Seokjae Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Display device including stacked capping layers

Номер патента: US11985846B2. Автор: Sun Hwa Kim,Sang Min Hong,Dal Ho Kim,Hee Seong JEONG,Won Ju KWON,Hyang Ki SUNG,Na Ri HEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Mtj capping layer structure

Номер патента: WO2021156681A1. Автор: Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: International Business Machines Corpofiation. Дата публикации: 2021-08-12.

Display device including color absorbing layer between capping and bank layers for improving color matching, and method of providing the same

Номер патента: US11903261B2. Автор: Jong Hoon Kim,Jeong Ki Kim,Hwa Yeul OH,Ji Seong Yang,Jea Heon Ahn,Won Ji GU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Package comprising an acoustic device and a polymer cap layer

Номер патента: US20240097648A1. Автор: Christian Hoffmann,Sebastian Brunner,Changhan Hobie Yun,Manuel Höfer,Stefan Leopold Hatzl,Horst DROESCHER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Package comprising an acoustic device and a polymer cap layer

Номер патента: WO2024064524A1. Автор: Christian Hoffmann,Sebastian Brunner,Changhan Hobie Yun,Manuel Höfer,Stefan Leopold Hatzl,Horst DROESCHER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic etch stop layer for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2016089535A1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-common capping layer on an organic device

Номер патента: US20230380237A1. Автор: Michael S. Weaver,Michael Hack. Владелец: Universal Display Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Mg discontinuous insertion layer for improving mt j shunt

Номер патента: WO2014109978A1. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Takahiro Moriyama. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

Circuit module and substrate module

Номер патента: US20240107676A1. Автор: Takuya Nakagawa,Tomohiko Sugiyama,Daisuke Nakashima,Mayu SUZUKI,Junichi Takashima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Oled with osc capping layer

Номер патента: US20230397470A1. Автор: Tanya Malhotra,Andrew John Ouderkirk,Tingling Rao,Arman Boromand,II Lafe Joseph Purvis,Kilbock LEE,Ehsan Vadiee,Batagoda Kankanamalage Thilini Batagoda. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Oled with osc capping layer

Номер патента: EP4287813A1. Автор: Tanya Malhotra,Andrew John Ouderkirk,Tingling Rao,Arman Boromand,Lafe Joseph PURVIS II,Kilbock LEE,Ehsan Vadiee,Batagoda Kankanamalage Thilini Batagoda. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Display device and substrate of display device

Номер патента: US20240280864A1. Автор: Hiroyuki Abe,Gen Koide,Kazune MATSUMURA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Light emitting device, display apparatus, and substrate

Номер патента: US10788620B2. Автор: Masashi Yokota,Yuki Okawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Light emitting device, display apparatus, and substrate

Номер патента: US20190243060A1. Автор: Masashi Yokota,Yuki Okawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Display device and substrate of display device

Номер патента: US12007654B2. Автор: Hiroyuki Abe,Gen Koide,Kazune MATSUMURA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Mounting arrangement for crystal resonators

Номер патента: US5834881A. Автор: John A. Kosinski. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1998-11-10.

Surface acoustic wave device and substrate thereof

Номер патента: EP1309085A4. Автор: Takahiro Imai,Natsuo Tatsumi,Hideaki Nakahata,Akihiro Hachigo,Shinichi Shikata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Surface acoustic wave device and substrate thereof

Номер патента: EP1309085A1. Автор: Takahiro Imai,Natsuo Tatsumi,Hideaki Nakahata,Akihiro Hachigo,Shinichi Shikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-05-07.

Method and system for utilizing undersampling for crystal leakage cancellation

Номер патента: US20090086703A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Maryam Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Process for producing substrate having wiring, radiation-sensitive composition, electronic circuit and electronic device

Номер патента: US09980392B2. Автор: Hitoshi Hamaguchi,Kenzou Ookita,Keisuke Kuriyama,Kenrou TANAKA. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Organic electroluminescent element, method of manufacturing a substrate having a prism structure and an organic electroluminescent element using the substrate having a prism structure

Номер патента: US20060043880A1. Автор: Shun-ichi Ishikawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Encapsulation layer for chalcogenide material

Номер патента: WO2022203710A1. Автор: Sung-hoon Jung,Sang Young Lee,Niloy Mukherjee,Jerry Mack. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2022-09-29.

Encapsulation layer for chalcogenide material

Номер патента: EP4315395A1. Автор: Sung-hoon Jung,Sang Young Lee,Niloy Mukherjee,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Encapsulation layer for chalcogenide material

Номер патента: US12029144B2. Автор: Sung-hoon Jung,Sang Young Lee,Niloy Mukherjee,Jerry Mack. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods and apparatus for enabling frequency layers for positioning

Номер патента: US20240259853A1. Автор: Erdem Bala,Paul Marinier,Moon Il Lee,Fumihiro Hasegawa,Jaya Rao,Aata EL HAMSS,Tuong Hoang. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for Manufacturing Display Panel within Substrates having Different Thickness

Номер патента: US20090258565A1. Автор: Jong-wen Chwu,Yu-Chen Liu,Chao-Cheng Lin,Shu-Chih Wang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-10-15.

Methods and apparatus for enabling frequency layers for positioning

Номер патента: EP4420444A1. Автор: Erdem Bala,Paul Marinier,Moon Il Lee,Fumihiro Hasegawa,Jaya Rao,Aata EL HAMSS,Tuong Hoang. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Embedded Substrate Having Circuit Layer Element With Oblique Side Surface and Method for Making the Same

Номер патента: US20100288542A1. Автор: Chih-Cheng LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods and apparatus for enabling frequency layers for positioning

Номер патента: US20240314615A1. Автор: Erdem Bala,Paul Marinier,Moon Il Lee,Fumihiro Hasegawa,Jaya Rao,Aata EL HAMSS,Tuong Hoang. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods and apparatus for enabling frequency layers for positioning

Номер патента: US12114196B1. Автор: Erdem Bala,Paul Marinier,Moon Il Lee,Fumihiro Hasegawa,Jaya Rao,Aata EL HAMSS,Tuong Hoang. Владелец: InterDigital Patent Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for using a service enabler architecture layer for verticals, seal, in a vertical application layer, val, implementation, system or telecommunications networks, network slice capability enablement server or application data analytics enablement server, program and computer-readable medium

Номер патента: EP4443837A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for using a service enabler architecture layer for verticals, seal, in a vertical application layer, val, implementation, system or telecommunications networks, network slice capability enablement server or application data analytics enablement server, program and computer-readable medium

Номер патента: EP4443836A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for producing ceramic circuit boards from ceramic substrates having metal-filled vias

Номер патента: US20150108003A1. Автор: Dietmar Jaehnig. Владелец: CERAMTEC GMBH. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of manufacturing a porous resin substrate having perforations and method of making a porous resin substrate including perforations having electrically conductive wall faces

Номер патента: CA2578033A1. Автор: Yasuhiro Okuda,Fumihiro Hayashi,Taro Fujita,Yuichi Idomoto,Yasuhito Masuda,Mayo Uenoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Cloud communication layer for a user device

Номер патента: EP2721470A1. Автор: Linda Tolj,Lars-Gunnar Lundgren,Erik GREISSON. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2014-04-23.

Parallel transmission of preamble sequences with data layers for improved data detection

Номер патента: US11575551B2. Автор: Jing Lei,Wanshi Chen,Renqiu Wang,Yiqing Cao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-02-07.

Control layer for multistage optical burst switching system and method

Номер патента: US8971320B2. Автор: John Dunne,James Alexander Shields. Владелец: Intune Networks Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Method for using a user equipment with first and second telecommunications networks having, or using, different network identifiers in relation to or in the framework of service enabler architecture layer for verticals, seal, user equipment, system or telecommunications networks or network slice capability enablement service provider, program and computer-readable medium

Номер патента: EP4418739A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Selective communication protocol layering for synchronous replication

Номер патента: US12086431B1. Автор: Roland Dreier,Daquan Zuo,Aaron Dailey,Nicole Tselentis,Logan Jennings,Anatoliy Glagolev. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for using a user equipment with first and second telecommunications networks having, or using, different network identifiers in relation to or in the framework of service enabler architecture layer for verticals, seal, user equipment, system or telecommunications networks or network slice capability enablement service provider, program and computer-readable medium

Номер патента: WO2024170448A1. Автор: Vasil Aleksiev. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2024-08-22.

Vibration substrate having a pair of holding portions and a beam portion connecting the holding portions, vibrator, and vibrator unit

Номер патента: US11824521B2. Автор: Hiroshi Kumano,Hiroaki Kaida,Hayato Sasaki,Yuuki OOI,Toru Kizu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Laminated substrate having piezoelectric film, element having piezoelectric film and method for manufacturing this laminated substrate

Номер патента: US11805700B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for forming magnetic tunneling junction layer for magnetic random access memory

Номер патента: US6884731B2. Автор: Tae-Wan Kim,I-hun Song,Soon-won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-26.

Multiple sensing resource sets and frequency layers for integrated sensing and communication

Номер патента: WO2024130711A1. Автор: Shuqiang Xia,Guanghui Yu,Chuangxin JIANG,Zhiqiang Han,Zhifeng Yuan,Yihua MA,Liujun Hu. Владелец: ZTE CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-27.

Surface acoustic wave (SAW) device with one or more intermediate layers for self-heating improvement

Номер патента: US12081199B2. Автор: Matthias Honal,Tomasz Jewula. Владелец: RF360 Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of production of active layer for general-purpose memory on basis of resistive effect

Номер патента: RU2611580C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Шакирович Алиев,Дамир Ревинирович Исламов,Виталий Александрович Воронковский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2017-02-28.

Stretchable substrate having improved stretch uniformity and method of manufacturing the same

Номер патента: US11968778B2. Автор: Phillip Lee,Seungjun Chung,Heesuk KIM,JeongGon SON,SukJoon HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-04-23.

Substrate having electric component embedded therein

Номер патента: US11765833B2. Автор: Yong Hoon Kim,Seung Eun Lee,Myeong Hui Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Stretchable substrate having improved stretch uniformity and method of manufacturing the same

Номер патента: US11844175B2. Автор: Phillip Lee,Seungjun Chung,Heesuk KIM,JeongGon SON,SukJoon HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-12.

Package substrate having embedded capacitor

Номер патента: US20100319970A1. Автор: Chih-Peng Fan. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Package substrate having embedded capacitor

Номер патента: US20100294553A1. Автор: Chih-Peng Fan. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Uv-blocking coating with capping layer for optics

Номер патента: EP3338128A1. Автор: Jean-François Oudard,Michael Jerome Cangemi. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-06-27.

Pac-based cap layers and compositions

Номер патента: US20240228738A1. Автор: Greg Smith,Tyler Lee,Dustin BAUMAN,Andrew Timmis,Sam Crawford. Владелец: JF Brennan Company Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof

Номер патента: EP3167472A1. Автор: Ralf Hofmann,Majeed A. Foad,Cara Beasley,Rudy BECKSTROM III. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof

Номер патента: WO2016007394A1. Автор: Ralf Hofmann,Majeed A. Foad,Cara Beasley,Rudy BECKSTROM III. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-01-14.

Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof

Номер патента: MY182792A. Автор: Ralf Hofmann,Cara Beasley,Majeed A Foad,Iii Rudy Beckstrom. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-05.

Coextruded, crosslinked multilayer polyolefin foam structures with crosslinked, polyolefin cap layers and methods of making the same

Номер патента: EP4126533A1. Автор: Dan Ben-Daat,Pawel Sieradzki,Kaitlyn Michelle BOCK,Jesse Jude BALDWIN. Владелец: Toray Plastics America Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Coextruded, crosslinked multilayer polyolefin foam structures with crosslinked, polyolefin cap layers and methods of making the same

Номер патента: WO2021195545A1. Автор: Dan Ben-Daat,Pawel Sieradzki,Kaitlyn Michelle BOCK,Jesse Jude BALDWIN. Владелец: TORAY PLASTICS (AMERICA), INC.. Дата публикации: 2021-09-30.

Surface treatment method and substrate treatment device

Номер патента: US20240191344A1. Автор: Yumiko Kawano,Hiroki Murakami,Shuji Azumo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for crystallization separation and purification of uranyl nitrate hexahydrate and device for its implementation

Номер патента: RU2755474C1. Автор: Владимир Александрович Кащеев,Татьяна Александровна Бойцова,Владимир Иванович Волк. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2021-09-16.

Device for crystallization of periodic action for obtaining crystals of the spherical shape

Номер патента: RU2652680C1. Автор: Мартин СОУЦЕК,Ян МЫСИК,Ян КУПКА. Владелец: Эруца Текнолоджиз С.Р.О.. Дата публикации: 2018-04-28.

Foam-jetting member for protein crystal device and protein crystal-adsorbing foam-jetting member, protein crystal device and method for crystallizing protein, and protein crystal cutting device and method for cutting protein crystal

Номер патента: US20160208405A1. Автор: Yoko Yamanishi,Fumihito Arai,Hiroki Kuriki. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-07-21.

Method and device for crystallization and increasing molecular weight of polymer particles

Номер патента: RU2748939C1. Автор: Стефан Дитмер ВИЛХЕЛМИ,РЕН Ян ДЕ,Роэль Джулия Жульен БОТЕР. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2021-06-01.

Novel compound for capping layer, and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: EP4368612A1. Автор: Hee Joo Kim,Dae Woong Lee,Sung Kyu Lee,Dong Hyun Lee,Dong Jun Kim,Il Soo Oh,Bo Ra Lee,Yeong Rong PARK,Ho Wan Ham,Hyun Cheol An,Ja Eun Ann,Dong Yuel Kwon,Hyeon Jeong Im,Ill Hun Cho. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Methods and apparatuses for crystal growth

Номер патента: US20210317594A1. Автор: Tian Yang,Min Li,Yu Wang,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for crystal pulling

Номер патента: EP4357489A1. Автор: Peng Xiang,Bo Xiong,Chunsheng Su,Yuang YANG. Владелец: Sichuan Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Antimicrobial protective layer, substrate having the antimicrobial protective layer, and method for producing the substrate having the antimicrobial protective layer

Номер патента: US20240268392A1. Автор: Jens Dahl Jensen,Ursus KRÜGER,Gabriele Winkler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-08-15.

Crucible support for crystal growing

Номер патента: RU2759623C1. Автор: Дмитрий Николаевич Борисенко,Николай Николаевич Колесников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2021-11-16.

Method for electrodepositing a dark chromium layer on a substrate and substrate having at least one side fully covered with a dark chromium layer

Номер патента: EP4259854A1. Автор: Philipp Wachter,Berkem Özkaya. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for crystallizing compound sugar solution of xylose and sucrose

Номер патента: US20240287630A1. Автор: Qiang Wu,Huan ZHOU,Mian Li,Yinyin Liu,Shufang QIN,Wulong YANG,Jiangen YAN. Владелец: Zhejiang Huakang Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Weather resistant substrates having protective elastomeric layers

Номер патента: CA1279566C. Автор: Marc Knaepen. Владелец: Exxon Chemical Patents Inc. Дата публикации: 1991-01-29.

Method of fabricating orientation film for crystal display device

Номер патента: US20050238821A1. Автор: Yong-Sung Ham. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Method of fabricating orientation film for crystal display device

Номер патента: US7288153B2. Автор: Yong-Sung Ham. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-30.

Method for Producing Substrate Provided with Coating Film, and Substrate Provided with Coating Film

Номер патента: US20180305248A1. Автор: Ryota Yoshimura,Takeyuki Kaneda. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method for crystallization of azetidinonecarboxylic acid

Номер патента: US20100298556A1. Автор: Yasuyoshi Ueda,Keita Nishino,Teruyoshi Koga,Masafumi Fukae. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Process for crystallizing enantiomerically enriched 2-acetylthio-3-phenylpropionic acid

Номер патента: WO2002006217A1. Автор: Franciscus Alphons Marie Lommen. Владелец: Dsm N.V.. Дата публикации: 2002-01-24.

A method for crystallization of active pharmaceutical ingredients

Номер патента: WO2024153857A1. Автор: Niklas Sandler,Martti KAASALAINEN,Tatiana DANILOVA,Eric KISSI,Nikolay HOUBENOV. Владелец: Nanoform Finland Oyj. Дата публикации: 2024-07-25.

Process for crystallizing enantiomerically enriched 2-acetylthio-3-phenylpropionic acid

Номер патента: EP1313702A1. Автор: Franciscus Alphons Marie Lommen. Владелец: DSM NV. Дата публикации: 2003-05-28.

Bendable glass and substrate assembly

Номер патента: US20240228356A1. Автор: Daniel J. Smith,Richard Gifford,Frank NOTHELLE,Kenneth BORKOWSKI. Владелец: Polymer Process Development LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Bendable glass and substrate assembly and assembly methods

Номер патента: US20230234877A1. Автор: Daniel J. Smith,Richard Gifford,Frank NOTHELLE,Kenneth BORKOWSKI. Владелец: Polymer Process Development LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for crystallization of aromatic amino acids, enabling sustainable cycle of ammonia

Номер патента: US20240239753A1. Автор: In Sung Lee,Youn Jae Lee,Hwayeon LIM,Hyeongpyo HONG,Jong Hwan SHIN. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for crystallizing alpha-l-aspartyl-l-phenylalanine methyl ester

Номер патента: CA2089358A1. Автор: Tsugio Murakami,Hidetoshi Wakamatsu,Kengo Okajima,Hidetaka Egashira,Winfried J. W. Vermijs. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-01-20.

Retardation layer having thin glass substrates

Номер патента: US5576077A. Автор: Martin Bosma,Stephen J. Picken,Jan W. Venema,Gustaaf R. Mohlmann. Владелец: Akzo Nobel NV. Дата публикации: 1996-11-19.

Crystal growing method for crystals

Номер патента: US20240011185A1. Автор: Ching-Shan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Coating apparatus and substrate processing equipment

Номер патента: US20240246110A1. Автор: Qi Zhang,Jie GENG,Haishang CAO,Hanrong BI. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for crystallizing alpha-l-aspartyl-l-phenylalanine methyl ester from aqueous solution

Номер патента: RU2155635C2. Автор: Петр Вильхельм Мария РЕЙКЕРС Маринус,Герард Теодор ТАУССАЙНТ Антон,Петер Мария Вринзен Александр. Владелец: ХОЛЛАНД СВИТЕНЕР КОМПАНИ В.о.Ф.. Дата публикации: 2000-09-10.

Hydrophobisation composition, method for hydrophobisation and substrate

Номер патента: CA2920732C. Автор: Bjarne Holmbom,Thomas Holmbom. Владелец: Separation Research Oy AB. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for crystallization of compound sugar solution of xylose and sucrose

Номер патента: EP4310199A1. Автор: Qiang Wu,Huan ZHOU,Mian Li,Yinyin Liu,Shufang QIN,Wulong YANG,Jiangen YAN. Владелец: Zhejiang Huakang Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Porous polymer compound, method of separating compound to be separated, single crystals, method of producing sample for crystal structure analysis, method of determining molecular structure of compound to be analyzed, and method of determining absolute configuration of chiral compound

Номер патента: US20180051048A1. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-02-22.

Porous polymer compound, method of separating compound to be separated, single crystals, method of producing sample for crystal structure analysis, method of determining molecular structure of compound to be analyzed, and method of determining absolute configuration of chiral compound

Номер патента: US10385086B2. Автор: Makoto Fujita,Yasuhide Inokuma. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2019-08-20.

Methods for crystal growth by replacing a sublimated target source material with a candidate source material

Номер патента: US11926922B2. Автор: Tian Yang,Min Li,Yu Wang,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for crystallizing compound sugar solution of xylose and sucrose

Номер патента: US20230349012A1. Автор: Qiang Wu,Huan ZHOU,Mian Li,Yinyin Liu,Shufang QIN,Wulong YANG,Jiangen YAN. Владелец: Zhejiang Huakang Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method and crystallizing tank and arrangement thereof for crystallizing calcium nitrate from the nitro-phosphate process

Номер патента: EP3997035A1. Автор: Robertus Louwe,Olav Lier. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2022-05-18.

Method and crystallizing tank and arrangement thereof for crystallizing calcium nitrate from the nitro-phosphate process

Номер патента: AU2020309764A1. Автор: Robertus Louwe,Olav Lier. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2021-11-25.

Method and crystallizing tank and arrangement thereof for crystallizing calcium nitrate from the nitro-phosphate process

Номер патента: WO2021005146A1. Автор: Robertus Louwe,Olav Lier. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for crystallizing compound sugar solution of xylose and sucrose

Номер патента: US11987852B2. Автор: Qiang Wu,Huan ZHOU,Mian Li,Yinyin Liu,Shufang QIN,Wulong YANG,Jiangen YAN. Владелец: Zhejiang Huakang Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods and apparatuses for crystal growth

Номер патента: US20240209543A1. Автор: Min Li,Yu Wang,Peng GU,Zhenxing Liang. Владелец: Meishan Boya Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and crystallizing tank and arrangement thereof for crystallizing calcium nitrate from the nitro-phosphate process

Номер патента: ZA202109131B. Автор: Robertus Louwe,Olav Lier. Владелец: Yara Int Asa. Дата публикации: 2024-05-30.

Elastase variants and substrates

Номер патента: WO2000068363A3. Автор: Acqua William Dall,Paul J Carter,Maria Rodriques. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2001-02-15.

Coating compositions for building materials and substrates of building materials with coating

Номер патента: RU2640544C1. Автор: Джеффри Х. ПИТ,Сэм ЮАНЬ,Тимоти Дж. КУГАН. Владелец: Сёртнтид Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-09.

Process for crystallizing the organic substances from steroidal origin and the thus obtained compounds

Номер патента: US5266712A. Автор: Michel Lanquetin. Владелец: Laboratoire Theramex SAM. Дата публикации: 1993-11-30.

Process for crystallization of polyethylene naphthalate

Номер патента: CA2019546C. Автор: Ben Duh. Владелец: Shell Canada Ltd. Дата публикации: 2001-07-17.

Method for crystallizing alpha-l-aspartyl-l-phenylalanine methyl ester

Номер патента: CA2172022A1. Автор: Tsugio Murakami,Hidetoshi Wakamatsu,Kengo Okajima,Hidetaka Egashira. Владелец: Holland Sweetener Co VOF. Дата публикации: 1996-09-21.

Method for crystal pulling

Номер патента: US20240125005A1. Автор: Peng Xiang,Bo Xiong,Chunsheng Su,Yuang YANG. Владелец: Sichuan Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Cell seeding agent and substrate for cell transplantation use

Номер патента: EP4368181A1. Автор: Shinji Yoshizaki,Yoshiki Sakaguchi,Shin Hatou. Владелец: Cellusion Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for crystallizing highly functional polymer by post-processing, and crystalline polymer produced thereby

Номер патента: US20230383057A1. Автор: Jeong Min Lee,Myung Chul Park,Shin Je CHO,Ha Na KANG,Bong Seon SHIN. Владелец: Hanwha Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Process for crystallizing (r)-fluoxetine hydrochloride

Номер патента: WO2000068182A1. Автор: David Mitchell,John Brennan,Lynne Ann Hay,William David Diseroad. Владелец: ELI LILLY AND COMPANY. Дата публикации: 2000-11-16.

Method for crystallizing highly functional polymer by post-processing, and crystalline polymer produced thereby

Номер патента: EP4230681A1. Автор: Jeong Min Lee,Myung Chul Park,Shin Je CHO,Ha Na KANG,Bong Seon SHIN. Владелец: Hanwha Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Process for crystallizing adduct of bisphenol A with phenol

Номер патента: US4950806A. Автор: Yoshio Morimoto,Shigeru Iimuro,Takashi Kitamura. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1990-08-21.

Process for crystallizing N2 - ((S) -1-ethoxycarbonyl-3-phenylpropyl)-N6 -trifluoroacetyl-L-lysyl-L-proline

Номер патента: US5519146A. Автор: Yasuyoshi Ueda,Hajime Manabe. Владелец: Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-21.

Process for crystal growth of ktiopo_ from solution

Номер патента: CA1308001C. Автор: Peter F. Bordui,Gabriel M. Loiacono. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-09-29.

Apparatus and method for crystallization

Номер патента: AU2014219028A1. Автор: Stephen John Clarke,Idalberto DELGADO. Владелец: Florida Crystals Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for crystallizing tapentadol intermediate, tapentadol intermediate of high purity, method of making tapentadol and tapentadol of high purity

Номер патента: EP4269384A1. Автор: Dusan Krasovec,Jaroslav Tihi,Borut Anžič,Jure BEZENŠEK,Anita CESEK. Владелец: KRKA dd. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for crystallizing tapentadol intermediate, tapentadol intermediate of high purity, method of making tapentadol and tapentadol of high purity

Номер патента: WO2023209033A1. Автор: Dusan Krasovec,Jaroslav Tihi,Borut Anžič,Jure BEZENŠEK,Anita CESEK. Владелец: Krka, D.D., Novo Mesto. Дата публикации: 2023-11-02.

Multi-layer coating system, method of coating and substrate with coating applied when it is used

Номер патента: RU2655125C1. Автор: Юаньцзе СУН,Чжэнсун ЛО,Чжисинь ИНЬ. Владелец: Ппг Коутингз (Тяньцзинь) Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-23.

Method of producing a coated polymer substrate having low emissive capacity

Номер патента: RU2732134C2. Автор: БЕЙССЕР Клартье ДЕ,Матхиас ИДЕ,ЗЕЛЕ Маттиас ВАН,ДРИССЕ Изабель ВАН. Владелец: Михилс Груп. Дата публикации: 2020-09-11.

Improvements in apparatus for crystallizing sugar or other solutions

Номер патента: GB245114A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1926-10-07.

Methods and systems for crystallizing tacky materials using a tumbler

Номер патента: EP3941702A1. Автор: Boonlert Thepsimuang. Владелец: Maag Gala Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Antimicrobial protective layer, substrate having the antimicrobial protective layer, and method for producing the substrate having the antimicrobial protective layer

Номер патента: CA3223316A1. Автор: Jens Dahl Jensen,Ursus KRÜGER,Gabriele Winkler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Single-component polysiloxane coating compositions and substrates with said coating

Номер патента: RU2445333C2. Автор: Норман Р. Маурер,Луи Х. ГОММАНС,Майкл Н. БЭВИН,Карен Т. КОНСТЕЙБЛ,Грэхам С. КЕЙ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2012-03-20.

Systems of film coating for preparations with immediate release, creating enhanced anti-moisture barrier, and substrates with such coating

Номер патента: RU2528095C2. Автор: Томас П. ФАРРЕЛЛ,Джейсон ТЕККОЕ. Владелец: БиПиЭсАй ХОЛДИНГЗ, ЭлЭлСи.. Дата публикации: 2014-09-10.

Solar-control substrate having coat with high reflective characteristic

Номер патента: RU2248945C2. Автор: ЛЕГРАН Филипп. Владелец: Главербель. Дата публикации: 2005-03-27.

Antistatic layer for electrically modulated display

Номер патента: WO2006039230A1. Автор: Hwei-Ling Yau,Peter Thomas Aylward,Kelly Stephen Robinson,Debasis Majumdar,Donald Orrin Bigelow,Daniel Allan Slater,William John Durkin. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2006-04-13.

Fluorescent polymerase enzyme substrates having protein shields

Номер патента: US20210347808A1. Автор: Keith Bjornson,Erik Miller,Lubomir Sebo,Jeremiah Hanes,Louis Brogley,Satwik Kamtekar. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Antistatic layer for electrically modulated display

Номер патента: EP1794643A1. Автор: Hwei-Ling Yau,Peter Thomas Aylward,Kelly Stephen Robinson,Debasis Majumdar,Donald Orrin Bigelow,Daniel Allan Slater,William John Durkin. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-06-13.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: EP3892681A1. Автор: Taku Yamanaka,Shuji Tagashira,Katsusada Tokuhira,Haijun Yang,Zhengmao Quan. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Preparation method for polytetrafluoroethylene composition, polytetrafluoroethylene composition, forming product, conductive pipe, heat conduction film, and substrate ccl

Номер патента: US20210332228A1. Автор: Taku Yamanaka,Shuji Tagashira,Katsusada Tokuhira,Haijun Yang,Zhengmao Quan. Владелец: Daikin Fluorochemicals China Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Substrate Having a Burnable Coating Mask

Номер патента: US20230201869A1. Автор: Farzad FAREED. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of manufacturing glass substrate having penetrating structure, and glass substrate

Номер патента: US20230183130A1. Автор: Katsuaki Miyatani,Mamoru Isobe,Kohei HORIUCHI,Naoki UEMURA,Akiko OSAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Interfacial layer for optical film performance

Номер патента: US12110582B2. Автор: Ludovic Godet,Kenichi Ohno,Takashi KURATOMI,Rami HOURANI,Andrew Ceballos,Fariah HAYEE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Process for crystallizing inorganic salts

Номер патента: US5447543A. Автор: Abraham Sadan. Владелец: Exportadora de Sal de SA de CV. Дата публикации: 1995-09-05.

Hydrolytic enzyme inhibitors and substrates and assays, methods and kits embodying same

Номер патента: CA2064793C. Автор: William N. Washburn,Edward A. Dennis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-11-13.

Methods for crystallization of drugs

Номер патента: AU2021242202B2. Автор: Yen-Lane Chen,Hongxia Zeng,Jonathan Pascal Chaky. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods for crystallization of drugs

Номер патента: US20240034741A1. Автор: Yen-Lane Chen,Hongxia Zeng,Jonathan Pascal Chaky. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods for crystallization of drugs

Номер патента: US11814397B2. Автор: Yen-Lane Chen,Hongxia Zeng,Jonathan Pascal Chaky. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Process for crystallizing nalmefene hydrochloride

Номер патента: US20240109907A1. Автор: C. Frederick M. Huntley. Владелец: Rhodes Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method for crystallizing d-allulose from d-allulose solution

Номер патента: EP4352069A1. Автор: Rahul Raju Kanumuru,Binay Kumar Giri,Muthuvaduganathan NAGASUNDRAM. Владелец: Petiva Private Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Process for crystallizing 2'-fucosyllactose and related compositions

Номер патента: EP3596095A1. Автор: Juha Nurmi,Jani SIITONEN,Pentti BACKMAN,Heidi MARTIKAINEN. Владелец: DUPONT NUTRITION BIOSCIENCES APS. Дата публикации: 2020-01-22.

Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides

Номер патента: US20100284660A1. Автор: David Neil Payne,Jayanta Kumar Sahu,Andrew Simon Webb,Corin Barry Edmund Gawith,Peter George Robin Smith,Faisal Rafiq MAHAMD ADIKAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Method of fabricating a planar substrate having optical waveguides

Номер патента: EP2064158A1. Автор: David Neil Payne,Jayanta Kumar Sahu,Andrew Simon Webb,Corin Barry Edmund Gawith,Peter George Robin Smith,Faisal Rafiq MAHAMD ADIKAN. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2009-06-03.

Adhesive system for lignocellulose substrates having high levels of extractive substances

Номер патента: RU2701866C2. Автор: Карлос АМЕН-ЧЕН,Йозеф ГАБРИЭЛЬ. Владелец: Хенкель Аг Унд Ко. Кгаа. Дата публикации: 2019-10-02.

Pearl composition in unified doses (versions), method for production of detergent pearl composition and substrate treatment method

Номер патента: RU2421507C2. Автор: Раян Кешав ПАНАНДИКЕР,Керри Эндрю ВЕТТЕР,Дэвид Скотт ДАНЛОП,Карл Гислейн БРАЭКМАН. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2011-06-20.

Catalyst for protective layer for processing of heavy oil feedstock

Номер патента: RU2698191C1. Автор: Екатерина Васильевна Пархомчук,Ксения Александровна Сашкина,Виктория Сергеевна Семейкина,Андрей Владимирович Клейменов,Антон Игоревич Лысиков,Александр Валерьевич Полухин,Константин Владимирович Федотов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Федеральный исследовательский центр "Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук" (ИК СО РАН). Дата публикации: 2019-08-23.

Method of making aircraft thrust reverser bearing grate sections from polymer composites, mandrel to this end, mould for pouring anti-adhesion elastic material of mandrel separation layer for implementation of said method and sections of aircraft thrust reverser bearing grate

Номер патента: RU2509649C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Анатолий Иванович Уфимцев,Михаил Анатольевич Терешонков,Александр Алексеевич Кульков,Сергей Васильевич Баранов,Александр Павлович Ведерников,Михаил Анатольевич Гринев,Вячеслав Викторович Мерзляков,Аркадий Витальевич Пашутов,Мария Юрьевна Пашкова,Вячеслав Витальевич Шведов. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of forming catalyst layer for solid-polymer fuel cell

Номер патента: RU2456717C1. Автор: Александр Константинович Филиппов,Екатерина Евгеньевна Терукова,Александр Александрович Томасов,Надежда Викторовна Глебова,Андрей Алексеевич Нечитайлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН). Дата публикации: 2012-07-20.

Pretreatment of substrates having unsaturated units

Номер патента: RU2682587C1. Автор: Маркус ХАУФЕ,Патрисия ЭГЛЕ. Владелец: Сикэ Текнолоджи Аг. Дата публикации: 2019-03-19.

Substrate, having a set with thermal properties, containing at least one layer of nickel oxide

Номер патента: RU2721608C2. Автор: Дени ГИМАР,Сильвия МАРЬЯНИ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-05-21.

Cathodic cell with falling layer for electrochemical extraction of metal

Номер патента: RU2353711C2. Автор: Дуглас Дж. РОБИНСОН,Стейси А. МАКДОНАЛЬД,Давиде СКОТТИ,Франческо ТОДАРО. Владелец: Де Нора Элеттроди С.П.А.. Дата публикации: 2009-04-27.

Flexible substrate having a plasmonic particle surface coating and method of making the same

Номер патента: US20200087775A1. Автор: Myungchan Kang,Douglas L. Elmore,Evan Koon Lun Yuuji HAJIME. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-03-19.

Substrates having a functional capability

Номер патента: EP3240404A2. Автор: Michael Bird,Tarquin Crouch. Владелец: Imerys Minerals Ltd. Дата публикации: 2017-11-08.

Manufacture of a substrate having a modified orientation layer and of a liquid crystalline display device comprising such a substrate

Номер патента: US5705220A. Автор: Nicolaas P. Willard,Gerard Cnossen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Substrates having a functional capability

Номер патента: WO2016108044A2. Автор: Michael Bird,Tarquin Crouch. Владелец: IMERYS MINERALS LIMITED. Дата публикации: 2016-07-07.

Composite layer for display, preparation process thereof, glass stacking and window assembly comprising the composite layer for display

Номер патента: WO2024179534A1. Автор: LU Wang,Daming Li,Yiheng Zhang,JianFeng Zhang. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-09-06.

Recombination layers for crossover mitigation for exchange membranes and water electrolyzer membrane electrode assemblies

Номер патента: WO2024215367A1. Автор: FAN YANG,Qiang Sun,Cortney Mittelsteadt. Владелец: PLUG POWER INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Recombination layers for crossover mitigation for exchange membranes and water electrolyzer membrane electrode assemblies

Номер патента: US20240344212A1. Автор: FAN YANG,Qiang Sun,Cortney Mittelsteadt. Владелец: Plug Power Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Polyimide substrate, manufacturing method thereof, and display substrate having same

Номер патента: US11926704B2. Автор: Yamin Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for the production and removal of a temporary protective layer for a cathodic coating

Номер патента: US09822436B2. Автор: Josef Faderl,Werner Brandstätter,Siegfried Kolnberger,Martin Peruzzi. Владелец: VOESTALPINE STAHL GMBH. Дата публикации: 2017-11-21.

Catalyst of protective layer for hydrotreating process

Номер патента: RU2660904C1. Автор: Анна Николаевна Логинова,Илья Михайлович Круковский,Вадим Владимирович Фадеев,Сергей Александрович Свидерский,Янина Владиславовна Морозова. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2018-07-11.

Reinforcing layer for articles from elastomer material, preferably for pneumatic tires of vehicle, and pneumatic tires of vehicle

Номер патента: RU2702369C1. Автор: Томас КРАМЕР,Вольфганг РЕЕЗЕ. Владелец: КОНТИНЕНТАЛЬ РАЙФЕН ДОЙЧЛАНД ГМБХ. Дата публикации: 2019-10-08.

Removable colour layer for artificial nail coatings and related methods

Номер патента: RU2560249C2. Автор: Тонг Х. ВУ,Диан Мари ЛАРСЕН,Чэд КОНДЖЕР,Даглас Д. ШУН. Владелец: Криэйтив Нэил Дизайн, Инк.. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of making catalyst layer for fuel cell

Номер патента: RU2414021C1. Автор: Владимир Николаевич Фатеев,Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько,Александр Григорьевич Домантовский,Владимир Николаевич Фатеев (RU),Борис Аронович Гурович (RU),Евгения Анатольевна Кулешова (RU),Александр Григорьевич Домантовский (RU),Кирилл Евгеньевич Приходько (RU). Владелец: Федеральное Государственное учреждение "Российский научный центр "Курчатовский институт" (РНЦ "Курчатовский институт"). Дата публикации: 2011-03-10.

Decorative non-porous layers for ion-exchangeable glass substrates

Номер патента: WO2017106085A1. Автор: Philippe Lehuede,Bruce Gardiner Aitken,Marie Jacqueline Monique Comte. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2017-06-22.

Carbon rich layer for scale control

Номер патента: WO2023172236A1. Автор: Manuel Marya,Virendra Singh,Alireza Zolfaghari. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2023-09-14.

Chemically amplified photosentive composition, photosensitive dry film, production method of substrate having template for plating, and production method of plated article

Номер патента: US20230273521A1. Автор: Akiya Kawaue,Yuta Yamamoto,Daisuke OJIMA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Fluorescent polymerase enzyme substrates having protein shields

Номер патента: US20230365614A1. Автор: Keith Bjornson,Erik Miller,Lubomir Sebo,Jeremiah Hanes,Louis Brogley,Satwik Kamtekar. Владелец: Pacific Biosciencesof California Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Substrate having a marking element, container comprising such a substrate and method for producing a substrate having a marking element

Номер патента: EP3815915A8. Автор: Oliver Sohr,Stephan Corvers,Christoph Brüning. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2021-10-27.

Recyclable artificial turf and HDPE backing layer for recyclable artificial turf

Номер патента: US20240254688A1. Автор: Colin Young,Niels Gerhardus KOLKMAN,Hein Anton Heerink,Salil Sethunath,Michael Rene Vogel. Владелец: Ten Cate Thiolon BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for cultivating functional crops using nano organic germanium and nano organic selenium

Номер патента: EP4098105A1. Автор: Yoon Young Gang,Hwa Un Gang,Goo Wan Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-07.

Systems and methods of making polymeric optical layers for optical layering applications

Номер патента: US20230125794A1. Автор: Ankit Vora,Matthew E. Colburn,Austin Lane,Richard Farrell,Marvin Dion ALIM. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-27.

A method for manufacturing a barrier layer for a paper or paperboard based packaging laminate

Номер патента: WO2023166387A1. Автор: Kaj Backfolk,Isto Heiskanen,Tommi NORDSTRÖM,Raino KAUPPINEN. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-09-07.

Chafe layer for a fluid conduit, fluid conduit, method for producing a fluid conduit and use of a polyurethane as a chafe layer and use of an ethylene copolymer as an additive

Номер патента: US20230235114A1. Автор: Marcus Leberfinger,Sanghoon Moon,Christoph Wehrmann,Jeongbeom PARK,Chansoo RA. Владелец: AFT Automotive GmbH. Дата публикации: 2023-07-27.

Systems and methods of making polymeric optical layers for optical layering applications

Номер патента: EP4422853A1. Автор: Ankit Vora,Matthew E. Colburn,Austin Lane,Richard Farrell,Marvin Dion ALIM. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Systems and methods for applying electric fields during ultraviolet exposure of lubricant layers for hard disk media

Номер патента: US09953665B1. Автор: Hiroshi Tani,Yasuo Sakane. Владелец: WD Media LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Process for preparing zinc coated ferrous metal substrates having improved resistance spot welding characteristics

Номер патента: US3843494A. Автор: D Brown. Владелец: British Steel Corp. Дата публикации: 1974-10-22.

Substrates having superhydrophobic surfaces, methods of producing the same and the use thereof

Номер патента: EP4037844A1. Автор: Dehui Wang,Robin Ras,Xu Deng. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2022-08-10.

Method of forming alignment layer for liquid crystal display and liquid crystal display fabricated using the same

Номер патента: US20060198969A1. Автор: Hyun SEO,Kwang Shin. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Processes for making stabilized divalent germanium and tin compounds

Номер патента: US20090275723A1. Автор: Alex Sergey Ionkin,William Marshall,Brian M. Fish. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2009-11-05.

Insulation layer composition and insulation layer for plant tissue culture

Номер патента: US20200079928A1. Автор: Jun-Nan LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-12.

Wear-protection layer for piston rings

Номер патента: US09869390B2. Автор: Michael Zinnabold,Marcus Kennedy. Владелец: Federal Mogul Burscheid GmbH. Дата публикации: 2018-01-16.

Substrate, having a thin-layer system with thermal properties, comprising at least one layer of nickel oxide

Номер патента: RU2731597C2. Автор: Дени ГИМАР,Сильвия МАРЬЯНИ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-09-04.

Method for structurally joining substrates having different coefficients of linear thermal expansion

Номер патента: US11932786B2. Автор: Urs Rheinegger,Elyes Jendoubi,Christian Krüger,Dominique Gallo. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of reclaiming tantalum from tantalum substrates having oxides of tantalum thereon

Номер патента: US3560259A. Автор: Robert S Moore. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-02-02.

Photosensitive composition, photosensitive transfer material, light shielding layer for display device, color filter, liquid crystal display element, substrate having light shielding layer and process for producing the same

Номер патента: TW200540557A. Автор: Akira Hatakeyama,Hidenori Gotou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-16.

DFL read head with SiOx cap layer on AlOx refill layers

Номер патента: US12106787B1. Автор: Ming Jiang,Guanxiong Li,Ming Mao,Chih-Ching Hu,Yung-Hung Wang,Chen-Jung Chien,Hongxue LIU. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Cap layer able to be reactive ion etched for RSB DFL read elements

Номер патента: US12094499B1. Автор: Howard Gordon Zolla,Rong Cao. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatus and method for reducing corrosion in capping layer of magnetic recording reader

Номер патента: US09940956B1. Автор: Chih-Ching Hu,Yung-Hung Wang,Haifeng Wang,Lifan Chen,Rong R. Cao. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for producing a capping layer composed of silicon oxide on an EUV mirror, EUV mirror, and EUV lithography apparatus

Номер патента: US09880476B2. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Gisela von Blanckenhagen. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Dual cap layers for heat-assisted magnetic recording media

Номер патента: US9886977B1. Автор: Gerardo Bertero,Oleg Mryasov,Alan Kalitsov,Hoan Ho,Paul Dorsey. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Extreme ultraviolet mask with capping layer

Номер патента: US20230161241A1. Автор: Ching-Fang Yu,Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Ping-Hsun LIN,Wei-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Downhole completion system sealing against the cap layer

Номер патента: MY193816A. Автор: Paul Hazel. Владелец: Welltec Oilfield Solutions AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Downhole completion system sealing against the cap layer

Номер патента: CA2993890A1. Автор: Paul Hazel. Владелец: Welltec AS. Дата публикации: 2017-02-23.

Lithography Mask with an Amorphous Capping Layer

Номер патента: US20210349386A1. Автор: Ming-Wei Chen,Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Chih-Tao Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Coextruded, crosslinked polyolefin foam with KEE cap layers

Номер патента: US11590730B2. Автор: Dan Ben-Daat,Pawel Sieradzki,Kaitlyn Michelle BOCK,Jesse Jude BALDWIN. Владелец: Toray Plastics America Inc. Дата публикации: 2023-02-28.

Substrate inspection apparatus and substrate inspection method

Номер патента: US20240175915A1. Автор: Suyoung LEE,Jinwoo Lee,Chungsam Jun,Hyeongcheol Lee,Sekye Jeon,Jongcheon Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for conditioning polishing tool, substrate processing method, and substrate processing device

Номер патента: US20240253182A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Wataru Yano,Ryohei Hokaku. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Cap and substrate electrical connection at wafer level

Номер патента: US09834436B2. Автор: Jung-Huei Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Substrate inspection apparatus and substrate inspection method

Номер патента: US20240219315A1. Автор: LEI Tian,HAO WANG,Seungbeom Park,Hojun Lee,Myungjun Lee,Junho SHIN,Jiabei Zhu,Wookrae Kim,Jangwoon SUNG. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2024-07-04.

Device for crystallization of polymer materials

Номер патента: RU2750253C1. Автор: Герман Гаджиахмедович Рамалданов,Николай Юрьевич Ткаченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно Исследовательская Компания «ПОФ ПЛЮС». Дата публикации: 2021-06-24.

Online measurement device for crystal size and shape in high-solid-content crystallization process

Номер патента: US12072276B2. Автор: Bing Wu,Baoming Shan,Fangkun Zhang,Zidong AI. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-08-27.

Container box and substrate set

Номер патента: US20120118787A1. Автор: Tetsuo Uchida. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Container box and substrate set

Номер патента: US8464873B2. Автор: Tetsuo Uchida. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Easy-to-swallow coatings and substrates coated with them

Номер патента: RU2753049C2. Автор: Джеффри Р. ДЖИМБЕЛ,Дэниел ТУ,Джейсон ТЕКО. Владелец: БиПиЭсАй ХОЛДИНГЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-08-11.

Method and apparatus for determining and calibrating image plane tilt and substrate plane tilt in photolithography

Номер патента: US20020197548A1. Автор: W. Novak. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Substrate processing apparatus control system and substrate processing apparatus control method

Номер патента: US20240149599A1. Автор: Beomjeong OH,Jong Nam NA. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

A chamfering apparatus for crystal raw stones

Номер патента: AU2019202364B1. Автор: Kuanjiang Fan. Владелец: Zibo Xiuxian Crafts Co ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Liquid jet head and substrate therefor having selected spacing between ejection energy generating elements

Номер патента: US5896147A. Автор: Masami Ikeda,Toshihiro Mori,Masami Kasamoto,Masaaki Izumida,Teruo Ozaki,Yoshiyuki Imanaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

An Online Measuring Device For Crystal Size And Shapein The Crystallization Process Of High Solid Content

Номер патента: AU2021105990A4. Автор: Bing Wu,Baoming Shan,Fangkun Zhang,Zidong AI. Владелец: Univ Qingdao Science & Technology. Дата публикации: 2021-10-28.

Low cost self-contained transformerless solid state electronic watthour meter having thin film ferromagnetic current sensor

Номер патента: CA1254619A. Автор: Miran Milkovic. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-05-23.

Super-twist nematic liquid crystal display using thin crystal film polarizer

Номер патента: WO2004114007A3. Автор: Louis D Silverstein,Michael V Paukshto,Serguei P Palto. Владелец: Serguei P Palto. Дата публикации: 2005-05-26.

Super-twist nematic liquid crystal display using thin crystal film polarizer

Номер патента: WO2004114007A2. Автор: Louis D. Silverstein,Michael V. Paukshto,Serguei P. Palto. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2004-12-29.

Slab waveguide layer for enhanced near-eye-display surface relief grating lightguide

Номер патента: US12050344B2. Автор: Samarth Bhargava,Kevin MESSER,David Alexander Sell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Installation and process for crystallizing and drying granular polymer material

Номер патента: EP4285062A1. Автор: Rinaldo Piva. Владелец: Pegaso Industries SpA. Дата публикации: 2023-12-06.

An anti-theft apparatus for crystal jewelry

Номер патента: AU2019202056A1. Автор: Chunliang Mao. Владелец: Hangzhou Zhenhang Crystal Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Microbeam laser machine for acting on objects having thin layers of material

Номер патента: US4825034A. Автор: Yves Guern,Jean-Claude Georgel,Geoffroy Auvert. Владелец: Ministere des PTT. Дата публикации: 1989-04-25.

Method for kiwi cultivation, device for arrangement of aerial part of kiwi and substrate for root system of kiwi fruit

Номер патента: RU2744618C2. Автор: Григорий Ильич Криворучко. Владелец: Григорий Ильич Криворучко. Дата публикации: 2021-03-12.

Bitumen production and substrate stimulation

Номер патента: CA1228023A. Автор: Donald S. Mims. Владелец: Texaco Development Corp. Дата публикации: 1987-10-13.

Systems, methods, and apparatuses to predict pairs of enzyme primary sequences and substrates and an interaction probability for each predicted pair

Номер патента: US11929152B1. Автор: Yen Ling Adelene Sim,Franziska SEEGER,Zachary WU,Layne Christopher Price,Alexander Sewall FORD. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Sensor chip and substrate assembly for mems device

Номер патента: US20080230857A1. Автор: Jeson HSU. Владелец: Lingsen Precision Industries Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Capillary structure for directed fluid transfer (embodiments) and substrate for directed liquid transfer

Номер патента: RU2720872C2. Автор: Герда БУХБЕРГЕР,Флориан ХИШЕН,Вернер БАУМГАРТНЕР,Марша ФОРТХОФЕР,Филипп КОМАНС. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2020-05-13.

Methods, reagents, and substrates for detecting target analytes

Номер патента: EP3850348A1. Автор: J. Paul Robinson,Bartlomiej Rajwa,Euiwon Bae,Carmen Gondhalekar. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-21.

Methods, reagents, and substrates for detecting target analytes

Номер патента: CA3112559A1. Автор: J. Paul Robinson,Bartlomiej Rajwa,Euiwon Bae,Carmen Gondhalekar. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-19.

Optical substrates having light collimating and diffusion structures

Номер патента: US09851479B2. Автор: Han-Tsung PAN,Ching-An Yang,Lung-Pin Hsin,Yu-Mei JUAN,Wei-Tai CHIU. Владелец: Ubright Optronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Substrate having energy source for ophthalmic device

Номер патента: RU2505406C2. Автор: Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2014-01-27.

Heat exchangers for crystallization of crystallizable suspensions while in motion

Номер патента: US4308236A. Автор: Hilda Garcia. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-12-29.

Device for crystallizing a mouth on a polyester container

Номер патента: CA2272206A1. Автор: Kuang-Tse Chin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-11-19.

A storage apparatus for crystal accessories

Номер патента: AU2019201960B1. Автор: Chunliang Mao. Владелец: Yantai Tanyi Handicraft Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Apparatus and method for testing a substrate having a plurality of terminals

Номер патента: US20010050553A1. Автор: Timothy J Keller. Владелец: Electroglas Inc. Дата публикации: 2001-12-13.

Liquid crystal display device employing a guard plane between a layer for measuring touch position and common electrode layer

Номер патента: US6057903A. Автор: Evan George Colgan,James Lewis Levine,Michael Alan Schappert,Gregory Fraser Russell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Process for micro-grooving a polymer alignment layer for a liquid crystal display

Номер патента: WO2005098523A1. Автор: Gregory S. Clemons. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-10-20.

Device and method for preprocessing of sliding layer for guardrails from extruded composite material

Номер патента: RU2476316C2. Автор: Эндрю Оливер КЕННИ,Викар ХАЙДЕР. Владелец: ИЭйчСи Канада, Инк.. Дата публикации: 2013-02-27.

Intermediate layer for laminated glass, roll and laminated glass

Номер патента: RU2721740C2. Автор: Эцуроу ХИРОТА,Хиромицу НИСИНО. Владелец: Секисуй Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-05-21.

Protective layer for insulating construction panels, containing environmentally safe materials, and method for manufacturing such a protective layer

Номер патента: RU2763913C1. Автор: Уго ФАОТТО,Гиованни ФАОТТО. Владелец: Элементс С.Р.Л. Дата публикации: 2022-01-11.

Gas-sensitive layer for determining formaldehyde in air, sensor with gas-sensitive layer and detector for determining formaldehyde

Номер патента: RU2723161C1. Автор: Александр Михайлович Гаськов,Марина Николаевна Румянцева,Алеся Андреевна Осипова,Абулкосим Фирузджонович Насриддинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-06-09.

Reinforcing layer for rubber article

Номер патента: RU2691355C1. Автор: Риотаро СУЕФУДЗИ,Ган ХОУ. Владелец: Дзе Йокогама Раббер Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-11.

Apparatus for determining the optimal residual fuel layer for solid fuel heaters

Номер патента: RU2752211C1. Автор: Михал ГАЛАДА. Владелец: Блазе Гармоны С.Р.О.. Дата публикации: 2021-07-23.

Method for treating rheumatoid arthritis (ra) using an enzyme-and substrate selective exosite inhibitor of a disintegrin and metalloprotease 10 (adam10)

Номер патента: WO2023172594A2. Автор: Dmitriy MINOND. Владелец: NOVA SOUTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-14.

Slab waveguide layer for enhanced near-eye-display surface relief grating lightguide

Номер патента: WO2024091646A1. Автор: Samarth Bhargava,Kevin MESSER,David Alexander Sell. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Slab waveguide layer for enhanced near-eye-display surface relief grating lightguide

Номер патента: US20240142699A1. Автор: Samarth Bhargava,Kevin MESSER,David Alexander Sell. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for treating rheumatoid arthritis (ra) using an enzyme-and substrate selective exosite inhibitor of a disintegrin and metalloprotease 10 (adam10)

Номер патента: WO2023172594A3. Автор: Dmitriy MINOND. Владелец: NOVA SOUTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods, reagents, and substrates for detecting target analytes

Номер патента: US20220120738A1. Автор: J. Paul Robinson,Bartlomiej Rajwa,Euiwon Bae,Carmen Gondhalekar. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods, reagents, and substrates for detecting target analytes

Номер патента: WO2020056257A1. Автор: J. Paul Robinson,Bartlomiej Rajwa,Euiwon Bae,Carmen Gondhalekar. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-19.

Array Substrate Having A Touch Function And Display Device

Номер патента: US20170322440A1. Автор: Man Li,Yao-Li Huang,Jianxing Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Generating object-based layers for digital image editing using object classification machine learning models

Номер патента: US12056791B2. Автор: Harshit Agrawal,Venkatrayalu Krishnamurthy Logashwar. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Providing a coating layer for a label web

Номер патента: US20240246104A1. Автор: Markus PÄÄKKÖNEN,Janne VALKAMA. Владелец: UPM RAFLATAC OY. Дата публикации: 2024-07-25.

Hermetically-covered photonic integrated circuit (pic) on a substrate having an integrated laser diode

Номер патента: US20240295690A1. Автор: Rahul Agarwal,Giuseppe Calafiore,Zhujun Shi,Steven Alexander-Boyd HICKMAN,Petr Markov,John Michael Goward,Dusan Coso,Shermin Arab. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Distributed and fast data storage layer for large scale web data services

Номер патента: EP3080953A1. Автор: AMIT Aggarwal,Ashutosh Garg,Gurashish Singh Brar,Prateek Gupta,Praveen K. Patnala,Kannan Nitin Sharma,Manojit Sarkar,Shao-Chuan Wang. Владелец: BloomReach Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Distributed and fast data storage layer for large scale web data services

Номер патента: WO2015089463A1. Автор: AMIT Aggarwal,Ashutosh Garg,Gurashish Singh Brar,Prateek Gupta,Praveen K. Patnala,Kannan Nitin Sharma,Manojit Sarkar,Shao-Chuan Wang. Владелец: BloomReach Inc.. Дата публикации: 2015-06-18.

Array substrate having a touch function and display device

Номер патента: US09910309B2. Автор: Man Li,Yao-Li Huang,Jianxing Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Apparatus for producing a substrate having a surface with a plurality of spherical dimples for photoconductive members

Номер патента: US5575849A. Автор: Atsushi Koike,Keiichi Murai,Mitsuru Honda,Takahisa Kawamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Layer for pants

Номер патента: RU2286119C2. Автор: Шарлотте ПЕРССОН,Бритт-Мари ВИЗЕЛЛЬ. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2006-10-27.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Systems and methods for determining a safety layer for an anatomical element

Номер патента: US20240225760A9. Автор: Jaffar Hleihil,Itamar ESHEL,Dvir Kadshai,Hay Shmulevich. Владелец: Mazor Robotics Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Using a caching layer for key-value storage in a database

Номер патента: EP4124970A1. Автор: Mark Nelson,Gabriel Zvi BenHanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-02-01.

Artificial Intelligent Stent with Endovascular Nano-structured Flowmeter Layer for Monitoring Mental Performance, Re-stenosis and Thromboembolism

Номер патента: US20230301535A1. Автор: Philip Chidi Njemanze,Michelle Nkem Chidi-Njemanze,Philip Chidi Njemanze, JR.,Nicole Odera Chidi-Njemanze. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-28.

Electrophotosensitive member having an amorphous silicon-germanium layer

Номер патента: US4681825A. Автор: Toshiya Natsuhara,Isao Doi,Izumi Osawa. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1987-07-21.

Engine compartment component in co-molded layers for vehicles

Номер патента: EP3762203A1. Автор: Antonio Affinita. Владелец: Sapa SpA. Дата публикации: 2021-01-13.

Complex of germanium and 2,6-pyridine dicarboxylic acid 1:2, method of its preparing, pharmaceutical composition

Номер патента: RU2171259C2. Автор: А.В. Санин,Л.Л. Данилов,С.Д. Мальцев,В.В. Веселовский,нский А.Н. Наровл,А.Н. Наровлянский,А.В. Деева,А.В. Пронин,А.М. Амченкова. Владелец: Праймамедик Лимитед. Дата публикации: 2001-07-27.

First and second light sensitive conductive layers for use in image displays

Номер патента: US5990994A. Автор: Stanley W. Stephenson. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1999-11-23.

Optical reader system for substrates having an optically readable code

Номер патента: US20090194589A1. Автор: John A. Moon,Martin A. Putnam,Alan D. Kersey,Tuo Li,David R. Fournier. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2009-08-06.

Microelectronic substrate having removable edge extension element

Номер патента: US8946866B2. Автор: Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Karen E. Petrillo,Kurt R. Kimmel,Christopher F. Robinson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Microelectronic substrate having removable edge extension element

Номер патента: US20120241913A1. Автор: Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Karen E. Petrillo,Kurt R. Kimmel,Christopher F. Robinson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Microelectronic substrate having removable edge extension element

Номер патента: EP1927031A1. Автор: Steven Holmes,David Horak,Christopher Robinson,Karen Petrillo,Iii Charles Koburger,Kurt Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Microelectronic substrate having removable edge extension element

Номер патента: WO2007039381A1. Автор: Steven Holmes,David Horak,Christopher Robinson,Karen Petrillo,Iii Charles Koburger,Kurt Kimmel. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-04-12.

Core layer for information carrying card, resulting information carrying card, and methods of making the same

Номер патента: US20240131826A1. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Core layer for information carrying card, resulting information carrying card, and methods of making the same

Номер патента: US20240131833A1. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Writing pen with built-in facility for creating an embossed and metallic coated surface under- layer for signature, to secure originality

Номер патента: WO2003086778B1. Автор: Chenicheri Vadakki Venugopalan. Владелец: Chenicheri Vadakki Venugopalan. Дата публикации: 2003-12-24.

Core layer for information carrying card, resulting information carrying card, and methods of making the same

Номер патента: US20240227368A9. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Core layer for information carrying card, resulting information carrying card, and methods of making the same

Номер патента: US20240227379A9. Автор: Mark A. Cox. Владелец: X Card Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic media with a low molecular weight lubricating layer for use in head/media contact detection

Номер патента: US20140198409A1. Автор: Yoko Saito,Hiroyuki Matsumoto,Sukefumi Ito,Yoshihiko Ooeda. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2014-07-17.

Coating layer for vehicle trim element, trim element and method thereof

Номер патента: US20240286377A1. Автор: Benjamin Quesnel. Владелец: Materi'act. Дата публикации: 2024-08-29.

Signal layer for an absorbent article

Номер патента: US09775750B2. Автор: Elisabeth KARLSSON. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2017-10-03.

SAMPLE WITH APPLIED SURFACE LAYER FOR DETERMINATION OF PLASTIC DEFORMATION ZONE

Номер патента: RU209994U1. Автор: Павел Александрович Бимбереков,Александр Олегович Токарев,Екатерина Сергеевна Кожевникова. Владелец: Екатерина Сергеевна Кожевникова. Дата публикации: 2022-03-24.

Three-dimensional air layer for boot (versions)

Номер патента: RU2180792C2. Автор: Ин-Чжин ХУАН. Владелец: Ин-Чжин ХУАН. Дата публикации: 2002-03-27.

Semiconductor substrate having extended scribe line test structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US6027859A. Автор: Robert Dawson,Mark W. Michael,Fred Hause. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-02-22.

Method for the production of a substrate having a holographic appearance

Номер патента: CA2569783A1. Автор: Wayne Ernest Conrad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-04.

Method to obtain a height map of a substrate having alignment marks, Substrate alignment measuring apparatus and Lithographic apparatus

Номер патента: NL2021057A. Автор: VAN HOOF Bram,Hölscher Arjan,Franciscus Van Gils Petrus,Pascal Ten Brink Alex. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2019-01-25.

Patterned conductive layer for secure instruments

Номер патента: CA3228970A1. Автор: Nabil Lawandy. Владелец: Spectra Systems Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Diffusing layer for a light emitting apparatus

Номер патента: US20170297481A1. Автор: David J. Cammenga,Adam R. Heintzelman,Garret C. DeNolf. Владелец: Gentex Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Printing method with transfer of a barrier layer for producing high gloss printed products

Номер патента: US11850877B2. Автор: Martin Schmitt-Lewen,Heike Gute,Thorsten Euler. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Noncontact communication medium including an antenna coil that is formed on a substrate having a through-hole

Номер патента: US11977943B2. Автор: Eiichiro Kataoka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Patterned conductive layer for secure instruments

Номер патента: EP4387848A1. Автор: Lawandy Nabil. Владелец: Spectra Systems Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120003481A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120004388A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD ADOPTED IN SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20120004753A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Light-Emitting Diode Packaging Structure and Substrate Therefor

Номер патента: US20120001212A1. Автор: Wei Shih-Long,Hsiao Shen-Li,Ho Chien-Hung,Shao Chien-Min. Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Optimized sicn capping layer

Номер патента: SG144774A1. Автор: Huang Liu,Heidi Lee Baks,James T Kelliher. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SCRATCH-RESISTANT AND EXPANDABLE CORROSION PREVENTION LAYER FOR LIGHT METAL SUBSTRATES

Номер патента: US20120003483A1. Автор: Salz Dirk,Vissing Klaus-Dieter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for crystallization cleaning of matters by continuous zonal melting and apparatus for performing the same (variants)

Номер патента: RU2308555C2. Автор: Александр Леонидович Таран,Андрей Юрьевич Холин. Владелец: Андрей Юрьевич Холин. Дата публикации: 2007-10-20.

Device for x-ray beam shaping and device for crystal bending

Номер патента: RU2260218C2. Автор: В.А. Шишков,М.В. Ковальчук,С.И. Желудева,В.В. Лидер,Д.М. Хейкер,Ю.Н. Шилин,Г.И. Добрынин. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2005-09-10.

Installation for crystallization of lactose

Номер патента: RU2300572C2. Автор: Владимир Георгиевич Куленко,Евгения Александровна Фиалкова,Ольга Ивановна Топал,Евгени Александровна Фиалкова,Никита Николаевич Липатов,Евгений Михайлович Костюков,Елена Александровна Качалова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Вологодская государственная молочнохозяйственная академия имени Н.В.Верещагина". Дата публикации: 2007-06-10.

A process for Crystallizing L-Glutamic Acid

Номер патента: GB1178605A. Автор: Hideshi Ono,Yoshiki Sakata,Masato Nishikiori. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 1970-01-21.

Method for crystallizing azithromycin dihydrate

Номер патента: RU2260012C1. Автор: И.М. Рабинович,В.Г. Пшеничников,З.И. Зарипова. Владелец: Открытое акционерное общество "Акционерное курганское общество медицинских препаратов и изделий "Синтез". Дата публикации: 2005-09-10.

Device for crystal growing in furnace with two-zone electric heating

Номер патента: RU2038356C1. Автор: Э.Я. Станишевский,Б.П. Соболев,Е.А. Кривандина,З.И. Жмурова,Ю.В. Семенков,М.П. Кисельков,Е.Н. Зубова. Владелец: Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова РАН. Дата публикации: 1995-06-27.

Method of determining adhesion strength between coating and substrate and device for realising said method

Номер патента: RU2419084C2. Автор: Максим Владимирович Ненашев,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Константин Петрович Якунин,Ольга Анатольевна Кобякина,Евгений Сергеевич Балашов,Тамара Александровна Тюрнина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПО СПЕЦПОКРЫТИЕ". Дата публикации: 2011-05-20.

Improvements in Processes for Crystallizing Rock-candy and the like within Bottles in which it is Desired to Produce an Inner Crystal-line Coating previous to Filling the Bottles with Liquor.

Номер патента: GB190312386A. Автор: George Edmund Stadtegger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-09-17.

Application of coating by magnetron spraying and substrate holder based thereon

Номер патента: RU2539487C2. Автор: Вера Дмитриевна Мирошникова,Татьяна Дмитриевна Мирошникова,Александр Валерьевич Шугалов. Владелец: Александр Валерьевич Шугалов. Дата публикации: 2015-01-20.

Manufacturing method of nanowires, matrix of nanowires from nitrides of group iii of periodic table (versions), and substrate (versions)

Номер патента: RU2437180C2. Автор: Синь Ван,Синьюй СУНЬ,Стивен М. ХЕРСИ. Владелец: эСТиСи.ЮэНэМ. Дата публикации: 2011-12-20.

Device for crystal turning

Номер патента: RU2030998C1. Автор: Петр Александрович Удовидчик,Сергей Иванович Черных,Инесса Анатольевна Кирпиченко,Юрий Васильевич Скорынин,Николай Иванович Севостьянов. Владелец: Институт надежности машин АН Беларуси. Дата публикации: 1995-03-20.

A method and system for crystallization

Номер патента: MY193775A. Автор: Skhariya Rajan. Владелец: Skhariya Rajan. Дата публикации: 2022-10-27.

Methods and Systems for Providing a Logical Network Layer for Delivery of Input/Output Data

Номер патента: US20120002668A1. Автор: Lariviere Robert,Chenard Sylvain Joseph Henri,Waines Gregory,Baker Brian Neil,Mousseau Guy. Владелец: ROCKSTAR BIDCO LP. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Reaction system with bubble column type suspended layer for fischer-tropsch synthesis

Номер патента: RU2384603C1. Автор: Ясухиро ОНИСИ,Кенитиро ФУДЗИМОТО,Масару ИХАРА,Есифуми СУЕХИРО,Ясумаса МОРИТА,Кийоси ИНАБА,Тосио СИМИЗУ,Осаму ИВАМОТО. Владелец: Секиюсиген Кайхацу Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-03-20.

Procedure for production of erosion-resistant coating containing nano-layers for blades of turbo-machines out of titanium alloys

Номер патента: RU2390578C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Алиса Аскаровна Мингажева,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Марина Константиновна Смыслова,Константин Сергеевич Селиванов,Михаил Юрьевич Дыбленко,Вячеслав Юрьевич Гордеев,Альберт Нуруллаевич Рамазанов. Владелец: ООО "НПП Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2010-05-27.

Drying machine of the boiling layer for the polydisperse materials

Номер патента: RU2303221C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мари Олеговна Кочетова,Мария Олеговна Кочетова,Сергей Савельевич Кочетов,Сергей Сергеевич Кочетов,Геннадий Васильевич Львов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2007-07-20.

Facilities for conditioning with covering layer for food and pharmaceutical products

Номер патента: RU2332865C2. Автор: Джон Марк КОРНЕЛИУС,Майкл Э. ТАРКВИНИ,Джун М. НИДЕС,Гэри М. ФРИМАН. Владелец: Дж. М. Хьюбер Корпорейшн. Дата публикации: 2008-09-10.

Layer for sealing of flanged connection

Номер патента: RU2282083C2. Автор: Александр Павлович Епишов,Игорь Петрович Клепцов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИЛЬМА". Дата публикации: 2006-08-20.

Graft polymer compositions of terminated epoxy resin, processes for making and using same, and substrates coated therewith

Номер патента: CA1096530A. Автор: Vincent W. Ting,James M. Evans. Владелец: SCM Corp. Дата публикации: 1981-02-24.

Drier of flowing layer for dispersive materials

Номер патента: RU2178242C1. Автор: С.Т. Антипов,А.В. Прибытков,Е.А. Ширшов. Владелец: Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2002-01-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.