Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Sense amplifier with increased headroom

Номер патента: US20200312382A1
Опубликовано: 01-10-2020
Автор(ы): Jeffrey Cooper, Milam Paraschou
Принадлежит: Advanced Micro Devices Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Sense amplifier with increased headroom

Номер патента: US20210090615A1. Автор: Jeffrey Cooper,Milam Paraschou. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US11823763B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220310133A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Sense amplifier and method thereof

Номер патента: US11961580B2. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Sense Amplifier and Method Thereof

Номер патента: US20230395100A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Sense Amplifier and Method Thereof

Номер патента: US20240212723A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and a method of operating a bit line sense amplifier of the same

Номер патента: US9704545B2. Автор: Ki-Seok OH,Jonghyun Choi,Seong-Heon Yu,Dongwoo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Reciprocal quantum logic (RQL) sense amplifier

Номер патента: US09646682B1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: EP4092673A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20240005967A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12112825B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20220310134A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12094562B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Tunable sense amplifier reference for single-ended bit lines

Номер патента: US09754641B1. Автор: Jimmy Lee Reaves. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Reciprocal quantum logic (rql) sense amplifier

Номер патента: WO2017204977A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2017-11-30.

Reciprocal quantum logic (rql) sense amplifier

Номер патента: EP3465685A1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2019-04-10.

Reciprocal quantum logic (rql) sense amplifier

Номер патента: CA3022780C. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Sense amplifier ciruit and semiconductor device

Номер патента: US20130315018A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Soichiro Yoshida,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Sense amplifier ciruit and semiconductor device

Номер патента: US20130301364A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Soichiro Yoshida,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2013-11-14.

Sense amplifier circuit and semiconductor device

Номер патента: US20140293721A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Soichiro Yoshida,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2014-10-02.

Control amplification circuit, sense amplifier and semiconductor memory

Номер патента: EP4276829A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Circuit structure and related method to compensate for sense amplifier leakage

Номер патента: US20240038283A1. Автор: Wei Zhao,Xiaohua Cheng,Xiaoli Hu,Xiaoxiao LI,Yuqing Sun,Xueqiang Dai. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09767872B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09564188B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Single ended bitline current sense amplifier for SRAM applications

Номер патента: US09589604B1. Автор: Juergen Pille,Alexander Fritsch,Shankar Kalyanasundaram,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Sense amplifier signal boost

Номер патента: US20180330766A1. Автор: Charles Ingalls,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Circuit providing compensated power for sense amplifier and driving method thereof

Номер патента: US20090161463A1. Автор: Jun Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Memory circuit including a current switch and a sense amplifier

Номер патента: US09761283B2. Автор: Filippo Marinelli,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2017-09-12.

Sense amplifier, control method for sense amplifier, and memory

Номер патента: EP4198983A1. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Sense amplifier, control method of sense amplifier, and equipment

Номер патента: US11854604B2. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Sense Amplifier Circuitry and Threshold Voltage Compensation

Номер патента: US20240290376A1. Автор: Yuan He,Shinichi Miyatake,Hiroki Fujisawa,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Sense amplifier and input/output circuit of semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09875775B2. Автор: Jong Su Kim,Yong Sung Lee,Dong Jae Lee,Deok Won KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device including sense amplifying circuit

Номер патента: US20240233851A1. Автор: Woongrae Kim,Yeonsu JANG,Jung Min Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Sense amplifier screen circuit and screen method thereof

Номер патента: US20080159028A1. Автор: Won Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US11901036B2. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Apparatuses and methods of power supply control for sense amplifiers

Номер патента: US20230290386A1. Автор: Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US7755963B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20090147604A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device with memory banks and sense amplifier arrays

Номер патента: US20200365191A1. Автор: Hyung Sik WON,Seung Han OAK,Jun Phyo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: WO2014057033A1. Автор: Roland Thewes. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-04-17.

Sense amplifier in low power and high performance SRAM

Номер патента: US09799395B2. Автор: Vinod Menezes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Reference circuit to compensate for PVT variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: US09478275B2. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-10-25.

Power line compensation for flash memory sense amplifiers

Номер патента: US20190355420A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device including sense amplifier having enhanced sensing margin and method of controlling the same

Номер патента: US11763878B2. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Byungjun Kang,Yunhee Lee,Daehyun KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Isolation of local lines of sense amplifiers

Номер патента: US20230206990A1. Автор: John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Isolation of local lines of sense amplifiers

Номер патента: US12002504B2. Автор: John Schreck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory device having a develop reference voltage generator for sense amplifiers

Номер патента: US20070047331A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics

Номер патента: US5592427A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hirokazu Yamazaki,Yasushi Kasa,Sinsuke Kumakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Memory device with sense amplifier groups and pipe latch groups

Номер патента: US09679620B1. Автор: Dong-Beom Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for controlling sense amplifier and control device using the same

Номер патента: US20240055031A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Sense amplifier with current regulating circuit

Номер патента: US09679619B2. Автор: Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Shared Sense Amplifier and Write Driver

Номер патента: US20170345465A1. Автор: Cheng Hung Lee,Fu-An Wu,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Shared sense amplifier and write driver

Номер патента: US09934828B2. Автор: Cheng Hung Lee,Fu-An Wu,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Sense amplifier having a timing circuit for a presearch and a main search

Номер патента: US09564183B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier power supply circuit

Номер патента: US20090109777A1. Автор: Sang Il Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Sense amplifier and methods thereof for single ended line sensing

Номер патента: US09620179B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier for single-ended sensing

Номер патента: US09564184B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20180144778A1. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Sense Amplifier having a Timing Circuit for a Presearch and a Main Search

Номер патента: US20160148688A1. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US20230352080A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US12073870B2. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: WO2017136106A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-10.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US09959912B2. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: EP3411879A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-12.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US20170221551A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Sense amplifier and operation method thereof

Номер патента: US20230298660A1. Автор: Han-Wen Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Pre-Sense Gut Node Amplification in Sense Amplifier

Номер патента: US20230395130A1. Автор: Christopher K. Morzano,Christopher J. KAWAMURA,Charles L. Ingalls,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Pre-sense gut node amplification in sense amplifier

Номер патента: US11967362B2. Автор: Christopher K. Morzano,Christopher J. KAWAMURA,Charles L. Ingalls,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US20240170031A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Single column select architecture for sense amplifier circuity

Номер патента: US12106820B2. Автор: Huy Thanh Vo,Christopher John Kawamura,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US09576623B2. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-21.

Data bus sense amplifier circuit

Номер патента: US7639553B2. Автор: Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Sense amplifier and operation method thereof

Номер патента: US11848046B2. Автор: Han-Wen Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Single ended sense amplifier with current pulse circuit

Номер патента: US20240127868A1. Автор: Suresh Pasupula,Chunsung CHIANG,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: WO2021021288A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-04.

Single ended sense amplifier with current pulse circuit

Номер патента: EP4358086A1. Автор: Suresh Pasupula,Chunsung CHIANG,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: US11783872B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: US20210035615A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: EP4004920A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Memory using dual sense amplifiers for error detection and correction

Номер патента: US11935612B2. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Sense amplifier calibration

Номер патента: US20180342273A1. Автор: Tz-yi Liu,Ali Al-Shamma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US11923036B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Sense amplifier circuit and method

Номер патента: US20240233782A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080008011A1. Автор: Jong-Hyoung Lim,Jang-Won Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Sense amplifier circuit and method

Номер патента: US11942178B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Single column select architecture for sense amplifier circuity

Номер патента: US20240144983A1. Автор: Huy Thanh Vo,Christopher John Kawamura,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device having sense amplifier including plural sense circuits for sensing a voltage of a bit line in a read operation

Номер патента: US11721371B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Sense amplifier circuit and method

Номер патента: US20230267970A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San KWHA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Voltage sense amplifier and methods for implementing the same

Номер патента: WO1998048424A1. Автор: Scott T. Becker,Steve P. Kornachuk. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-10-29.

Sense amplifier with local write drivers

Номер патента: US6088270A. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Differential sense amplifier circuit and dynamic logic circuit using the same

Номер патента: EP1111782A2. Автор: Koji Hirairi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-06-27.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11869624B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

High speed and low offset sense amplifier

Номер патента: US20140355360A1. Автор: Hsi-Wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Dual Sensing Current Latched Sense Amplifier

Номер патента: US20110235449A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11894047B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Rumin JI,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Skewed sense amplifier for single-ended sensing

Номер патента: US20200342918A1. Автор: Puneet Suri,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Anoop Delampady. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Sense amplifier, memory and method for controlling a sense amplifier

Номер патента: US20220208235A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Junlin GE,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Dual sensing current latched sense amplifier

Номер патента: EP2550654A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Dual sensing current latched sense amplifier

Номер патента: WO2011119643A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-09-29.

Sense amplifier systems and methods

Номер патента: US20060209608A1. Автор: Allen White,Louis Cruz. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Sense amplifier circuit and data read method

Номер патента: US12112824B2. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20230238069A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20240071540A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Sense amplifier sleep state for leakage savings without bias mismatch

Номер патента: US11854652B2. Автор: Russell J. Schreiber,Ryan T. Freese,Eric W. Busta. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Sense amplifier sleep state for leakage savings without bias mismatch

Номер патента: US20220208234A1. Автор: Russell J. Schreiber,Ryan T. Freese,Eric W. Busta. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Local sensing amplifier and memory

Номер патента: US20230274770A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Sense amplifier with pulsed control

Номер патента: WO2016175969A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-03.

Sense amplifier with pulsed control

Номер патента: EP3289589A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-07.

Sense amplifier and memory apparatus using the same

Номер патента: US09646658B1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device having sensing circuitry with automatic latching of sense amplifier output node

Номер патента: US20130215685A1. Автор: Md Rahim Chand Sk. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Bit line sense amplifier, semiconductor memory device and multi bit data sensing method thereof

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kyungryun Kim,Younghun Seo,Soobong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Sense amplifier, method for driving sense amplifier, and memory

Номер патента: US20230223072A1. Автор: Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Sense Amplifier Mapping and Control Scheme for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220406342A1. Автор: FENG Lu,Ohwon KWON,Jongyeon KIM. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Sense amplifier circuit using then film transistors

Номер патента: US5036231A. Автор: Minoru Kanbara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Low-voltage low-power dynamic folded sense amplifier

Номер патента: US5506524A. Автор: Jyhfong Lin. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 1996-04-09.

Sense amplifier circuit and data read method

Номер патента: US20230162762A1. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Testing one-time programmable (otp) memory with data input capture through sense amplifier circuit

Номер патента: US20210257007A1. Автор: Hochul Lee,Keejong Kim,Anil Kota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Sense amplifier circuit, memory device including the same and sensing method of memory device

Номер патента: US20230420034A1. Автор: Hyun-Chul Yoon,Kyu-Chang KANG,Changyoung Lee,Donghak Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Random access memory and sense-amplifying compensation circuit thereof

Номер патента: US20240170030A1. Автор: Miao Xie,Shaoxu JIA. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Latch type sense amplifier method and apparatus

Номер патента: US20040264276A1. Автор: Osamu Takahashi,Toru Asano,Sang Dhong,Takaaki Nakazato. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Sense structure based on multiple sense amplifiers with local regulation of a biasing voltage

Номер патента: US09679618B2. Автор: Antonino Conte,SantiNunzioAntonino Pagano,Mario Micciche′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Apparatuses and methods for compensated sense amplifier with cross coupled N-type transistors

Номер патента: US12080336B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160380596A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160204746A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Sense amplifier

Номер патента: WO2015042752A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-02.

Sense amplifier

Номер патента: US09621112B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier

Номер патента: US09444408B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: US20140269025A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: WO2004086406A8. Автор: Geirr I Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Robert Schweickert. Дата публикации: 2006-04-20.

Apparatus and method for sense amplifying

Номер патента: US09418713B2. Автор: Caleb Yu-Sheng Cho,Yu-Fan Lin,Jih-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Sense amplifiers, memories, and apparatuses and methods for sensing a data state of a memory cell

Номер патента: US09406353B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Sense Amplifier Circuit

Номер патента: US20120307571A1. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US8503252B2. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Sense amplifier with offset compensation

Номер патента: US20170236563A1. Автор: Saim Ahmad Qidwai,Stephen Keith Heinrich-Barna,Robert Antonio GLAZEWSKI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Reversed bias compensation for sense amplifier operation

Номер патента: US20200098402A1. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Input/output sense amplifier and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130293300A1. Автор: Kyu Nam LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Sense amplifier with mini-gap architecture and parallel interconnect

Номер патента: US09542980B1. Автор: Adam Saleh El-Mansouri,Adrian Jay Drexler,Ryan Martin Hofstetter. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09761286B2. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device having a simplified sense amplifier with a buffer conductive during both precharge and read operations

Номер патента: US4811300A. Автор: Michel Lanfranca. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

Sense structure based on multiple sense amplifiers with local regulation of a biasing voltage

Номер патента: US20170278552A1. Автор: Antonino Conte,Mario Micciche',Santi Nunzio Antonino Pagano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-28.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US12033690B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Sense amplifier with offset compensation

Номер патента: US09704554B2. Автор: Saim Ahmad Qidwai,Stephen Keith Heinrich-Barna,Robert Antoni Glazewski. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Sense amplifier structure for non-volatile memory with neighbor bit line local data bus data transfer

Номер патента: US11901018B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Chia-kai Chou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11315610B1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Zijian Wang,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

High speed dram local bit line sense amplifier

Номер патента: US20020105846A1. Автор: Robert Dennard,Ronald Knepper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US20160181993A1. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-23.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20240062815A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20200388333A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20220359008A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US11837287B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: EP2834817A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-02-11.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230395102A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-12-07.

Sense amplifier and latching scheme

Номер патента: US09761285B1. Автор: Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Ramesh Raghavan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Sense amplifier control circuit and semiconductor device using the same

Номер патента: US7675798B2. Автор: Woo Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-09.

Reference voltage generating circuit of sense amplifier using residual data line

Номер патента: US6002616A. Автор: Bong-Hwa Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

Apparatuses and methods for compensated sense amplifier with cross coupled n-type transistors

Номер патента: US20230360690A1. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Sense amplifiers for wider i/o memory devices

Номер патента: US20200227110A1. Автор: Yutaka Nakamura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Sense amplifier and latching scheme

Номер патента: US20170249976A1. Автор: Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Ramesh Raghavan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Sub-sense amplifier and semiconductor memory device

Номер патента: US20220399051A1. Автор: Hisayuki Nagamine. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory with a sense amplifier isolation scheme for enhancing memory read bandwidth

Номер патента: EP4405947A1. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Dhvani Sheth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Circuit for generating a sense amplifier enable signal with variable timing

Номер патента: US09685209B1. Автор: Ashish Kumar,Vinay Kumar,Kedar Janardan Dhori. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-20.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09552850B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Sense amplifier, storage device and read-write method

Номер патента: US11862283B2. Автор: YING Wang,Sunsoo Chi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sensing-amplifying device

Номер патента: US20200202904A1. Автор: Jui-Jen Wu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Sensing-amplifying device

Номер патента: US10679681B1. Автор: Jui-Jen Wu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Sense amplifier, memory and control method of sense amplifier

Номер патента: US11862285B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Jianqing Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sense amplifier, storage device and read-write method

Номер патента: US20210407558A1. Автор: YING Wang,Sunsoo Chi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Sensing-amplifying device

Номер патента: US20200219543A1. Автор: Jui-Jen Wu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Apparatus and method for repairing resistive memories and increasing overall read sensitivity of sense amplifiers

Номер патента: US20140104924A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Layout for equalizer and data line sense amplifier employed in a high speed memory device

Номер патента: US20070041256A1. Автор: Chi-wook Kim,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Apparatus and method for repairing resistive memories and increasing overall read sensitivity of sense amplifiers

Номер патента: WO2014062554A4. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Apparatus and method for repairing resistive memories and increasing overall read sensitivity of sense amplifiers

Номер патента: WO2014062554A1. Автор: Albert Wu,Pantas Sutardja,Peter Lee,Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

Apparatuses including temperature-based threshold voltage compensated sense amplifiers and methods for compensating same

Номер патента: US20210012818A1. Автор: Jonathan Hawkins,Boon Hor Lam,Karl L. Major,Galaly Ahmad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Input/output sense amplifier

Номер патента: US20140062598A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Apparatus and method for sense amplifying

Номер патента: US20150262629A1. Автор: Caleb Yu-Sheng Cho,Yu-Fan Lin,Jih-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Single ended bitline current sense amplifier for SRAM applications

Номер патента: GB2558829A. Автор: Pille Juergen,Fritsch Alexander,Kalyanasundaram Shankar,B Kugel Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-18.

Sense amplifier circuit and flip-flop

Номер патента: US11979121B2. Автор: Dandan Shi,Qifan Gong. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Sense Amplifiers

Номер патента: US20210319812A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Sense amplifier circuit and flip-flop

Номер патента: US20240014789A1. Автор: Dandan Shi,Qifan Gong. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Data sense amplifier and a memory device with open or folded bit line structure

Номер патента: US09990962B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Bit line sense amplifier control circuit

Номер патента: US20070070751A1. Автор: Hee Byun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Combined sense amplifier and latching circuit for high speed roms

Номер патента: US5204560A. Автор: Pierre Coppens,Thierry Cantiant,Francis Bredin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Sense amplifier, memory and data readout method

Номер патента: US11862284B2. Автор: YING Wang,Weibing SHANG,Kanyu Cao,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929716B2. Автор: Li Zhao,Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Input/output sense amplifier and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US8797068B2. Автор: Kyu Nam LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20180144809A1. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Narrow range sense amplifier with immunity to noise and variation

Номер патента: WO2020251699A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo,Angada B. Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari-Sangamalli,Blessy Alexander. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-17.

Narrow range sense amplifier with immunity to noise and variation

Номер патента: EP3984034A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo,Angada B. Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari-Sangamalli,Blessy Alexander. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220319579A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Sense amplifier architecture providing reduced program verification time

Номер патента: US20230402111A1. Автор: Hiroki Yabe. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US20070195625A1. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US7423896B2. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-09.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20140140144A1. Автор: Takaaki Nakazato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Low voltage data path and current sense amplifier

Номер патента: US20070177442A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Current-Mode Sense Amplifier

Номер патента: US20170316812A1. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US9552851B2. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Sense amplifier of virtual ground flat-cell

Номер патента: US5898632A. Автор: Tae-Sun Hwang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Read techniques for sense amplifier in fdsoi technology

Номер патента: US20200105313A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young,Sing-Kai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory with a sense amplifier isolation scheme for enhancing memory read bandwidth

Номер патента: US11894050B2. Автор: Chulmin Jung,Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Dhvani Sheth. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier and operating method for non-volatile memory with reduced need on adjusting offset to compensate the mismatch

Номер патента: US11688436B2. Автор: Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Local sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20060291313A1. Автор: Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Shared sense amplifier

Номер патента: US9640231B1. Автор: Chulmin Jung,Fahad Ahmed. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Sense amplifier

Номер патента: US10783969B2. Автор: Bin SHENG,Zhifeng MAO,Shengbo ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

Sense amplifier

Номер патента: US20190279717A1. Автор: Bin SHENG,Zhifeng MAO,Shengbo ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US20060013051A1. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-19.

Asymmetric sensing amplifier, memory device and designing method

Номер патента: US20140269110A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Sense amplifier with adaptive reference generation

Номер патента: US20040213065A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Sense amplifier with adaptive reference generation

Номер патента: US20040151046A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Sense Amplifier Reference Voltage Through Sense Amplifier Latch Devices

Номер патента: US20230395131A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatuses and methods for single-ended sense amplifiers

Номер патента: US12051460B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Sense amplifier reference voltage through sense amplifier latch devices

Номер патента: US12131771B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A3. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-11-24.

Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages

Номер патента: US09852783B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-26.

Sense amplifier of semiconductor device

Номер патента: US09767871B2. Автор: Bum Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Reconfigurable sense amplifier for a memory device

Номер патента: US09761316B2. Автор: Francois Tailliet,Victorien Brecte. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-12.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Single-ended sense amplifier circuit

Номер патента: US20100124089A1. Автор: Shahid Ali,Raviprakash Suryanarayana Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Devices and methods for a finfet sense amplifier

Номер патента: US20240203462A1. Автор: Wenjun Li,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic RAM architecture

Номер патента: US20020191461A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: WO1997008700A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-03-06.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: US20020110015A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Systems and methods for controlling common mode level for sense amplifier circuitry

Номер патента: US12094521B2. Автор: Ki-Jun Nam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Sense amplifier and semiconductor device for securing operation margin of sense amplifier

Номер патента: US09627033B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Sense amplifier with configurable voltage swing control

Номер патента: CA2499408A1. Автор: Nicola Telecco. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Sense amplifier with configurable voltage swing control

Номер патента: WO2004034400A2. Автор: Nicola Telecco. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US8009496B2. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-30.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US20100074041A1. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Pseudo-Differential De-Glitch Sense Amplifier

Номер патента: US20240257868A1. Автор: Chulmin Jung,Po-Hung Chen,Chun-Yen Lin,David Li,Ayan PAUL,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Pseudo-differential de-glitch sense amplifier

Номер патента: WO2024163176A1. Автор: Chulmin Jung,Po-Hung Chen,Chun-Yen Lin,David Li,Ayan PAUL,Derek Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-08.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US20230121199A1. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Low-power sense amplifier

Номер патента: US20160049179A1. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-02-18.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US12087351B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Sensing amplifier utilizing bit line clamping devices and sensing method thereof

Номер патента: US09520195B2. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Lower power sense amplifier for reading non-volatile memory cells

Номер патента: US09460761B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-06-09.

Transistor voltage threshold mismatch compensated sense amplifiers and methods for precharging sense amplifiers

Номер патента: US20140085992A1. Автор: Howard C. Kirsch,Charles L. Ingalls,J. Wayne Thompson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: EP2507795A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-10-10.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US20120230134A1. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-09-13.

Sense amplifier, memory, and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929112B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Zijian Wang,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory device and sense amplifier

Номер патента: US20130064028A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Sense amplifier providing low capacitance with reduced resolution time

Номер патента: US20080143390A1. Автор: Mudit Bhargava,Ankur Goel,Shishir Kumar. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Sense amplifier, memory, and method for controlling sense amplifier by configuring structures using switches

Номер патента: US11887655B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Junlin GE,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Sense amplifiers and exemplary applications

Номер патента: US20130010561A1. Автор: Atul Katoch,Mayank TAYAL. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137681A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Systems and methods for controlling common mode level for sense amplifier circuitry

Номер патента: US20240055044A1. Автор: Ki-Jun Nam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Sense amplifier and semiconductor device for securing operation margin of sense amplifier

Номер патента: US20160307618A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic RAM architecture

Номер патента: US6577523B2. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-10.

Novel sense amplifier scheme

Номер патента: US20150055426A1. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Sense amplifier for static random access memory

Номер патента: US20140036581A1. Автор: PANKAJ Agarwal,Krishnan S. Rengarajan,Shiju K. Kandiyil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Circuit and method for generating a sense amplifier enable signal based on a voltage level of a tracking bitline

Номер патента: US20130155758A1. Автор: Jack Liu,Yi-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Sense amplifier scheme

Номер патента: US09858987B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Sensing Amplifiers in Semiconductor Devices

Номер патента: KR960025743A. Автор: 나병철,송호준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-20.

Power supply circuit for sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US20080123457A1. Автор: Kang Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Programmable logic device having a sense amplifier with varying capabilities

Номер патента: WO1998003976A1. Автор: Howard Benjamin Ashmore, Jr.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-01-29.

Sense amplifier employing control circuitry for decoupling resistive memory sense inputs during state sensing to prevent current back injection, and related methods and systems

Номер патента: EP3092645A1. Автор: Wenqing Wu,Venkatasubramanian Narayanan,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-16.

Sense amplifier circuit for preventing read disturb

Номер патента: US20220084590A1. Автор: Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Sense amplifier used in electrically erasable programmable read-only memory and the implementing method thereof

Номер патента: US20100014356A1. Автор: LIANG Xu,Xiang Yao,Nan Wang,Zi WANG,Li Zhaogui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210287725A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US9437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US09437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Sense amplifier and write driver enabling scheme

Номер патента: EP3433859A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Sense amplifier and write driver enabling scheme

Номер патента: WO2017165086A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-09-28.

Sense amplifier enabling scheme

Номер патента: US09978444B2. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Self-timed, single-ended sense amplifier

Номер патента: US09542981B2. Автор: Igor Arsovski,Travis R. Hebig. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

DRAM memory with a shared sense amplifier structure

Номер патента: US20040208073A1. Автор: Manfred Proell,Stephan Schroeder,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Self-timed integrating differential current sense amplifier

Номер патента: US20090059672A1. Автор: Thomas Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09595304B1. Автор: Juergen Pille,Ulrich Krauch,Alexander Fritsch,Michael B. Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Tri-level-cell DRAM and sense amplifier with alternating offset voltage

Номер патента: US09478277B1. Автор: BO LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-25.

Handshaking sense amplifier

Номер патента: US09418730B2. Автор: Andreas J. GOTTERBA,Jesse S. WANG. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Low power sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3384497A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Low Power Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20170194055A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-07-06.

Single-ended sense amplifier

Номер патента: US10971196B1. Автор: Jinn-Shyan Wang,Chien-Tung Liu. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-04-06.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US20150194192A1. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US09460759B2. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Sense amplifier with negative threshold sensing for non-volatile memory

Номер патента: US20190164616A1. Автор: Hao Nguyen,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Sense amplifier having a high operation speed and a low power consumption

Номер патента: US5675535A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-07.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods for bias sensing in DRAM sense amplifiers through voltage-coupling/decoupling devices

Номер патента: US09633714B2. Автор: David J. McElroy,Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Selective sense amplifier enablement

Номер патента: WO2016007372A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-14.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Floating Boosted Pre-Charge Scheme for Sense Amplifiers

Номер патента: US20200058360A1. Автор: Antonino Conte,Loredana CHIARAMONTE,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-02-20.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US11894101B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220310142A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Nmos-offset canceling current-latched sense amplifier

Номер патента: US20150228322A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Ji-Su Kim,Seong-Ook Jung,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor memory apparatus having sense amplifier

Номер патента: US20120026773A1. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: WO2007076414A3. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: Siu Lung Chan. Дата публикации: 2007-09-27.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: EP1966801A2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Single-Ended Sense Amplifier for Solid-State Memories

Номер патента: US20140119093A1. Автор: Sahilpreet Singh,Disha Singh. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929111B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Guanglei Wen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Sense amplifier circuit for preventing read disturb

Номер патента: US11328771B2. Автор: Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Systems and methods for controlling a sense amplifier

Номер патента: US09830979B1. Автор: Shawn Chen,Shao-Yu Chou,Chun-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US09741417B1. Автор: Michael A. Sadd,Michael Garrett Neaves,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory apparatus having open bit line structure in which a sense amplifier array shared between a dummy array and normal array,comparing one bit line of the normal array with two or more bit lines of the dummy array

Номер патента: US09666254B1. Автор: Jai Yong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210118477A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US20210319820A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US20200051606A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: EP3837687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: US10998028B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Sense amplifier with split capacitors

Номер патента: WO2020036744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-20.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1446807A2. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-08-18.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: WO2003044803A3. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor memory device and method with two sense amplifiers

Номер патента: US8050124B2. Автор: Yukio Fuji,Yasuko Tonomura,Satoshi Katagiri. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1446807A4. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: WO2003044803A2. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2003-05-30.

Apparatuses and methods for controlling sense amplifier operation

Номер патента: US20230410885A1. Автор: Christopher G. Wieduwilt,John P. Behrend. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US10692564B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

Signal line sense amplifying circuit and integrated circuit capable of calibrating driving strength of mos transistors

Номер патента: US20240014790A1. Автор: Gi Moon HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Sense amplifier circuit, memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20220270653A1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US20200335152A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US20200118613A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Sense amplifier circuit, memory device, and operation method thereof

Номер патента: EP4042422A1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Sense amplifier control

Номер патента: US20240249780A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yu-Der Chih,Chung-chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Sense amplifier local feedback to control bit line voltage

Номер патента: US09830987B2. Автор: Xiaowei Jiang,Yingchang Chen,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Sense amplifier

Номер патента: US20010026490A1. Автор: Yukiharu Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Sense amplifier, semiconductor storage device, information processing apparatus, and reading method

Номер патента: US10902888B2. Автор: Masami Kuroda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170103799A1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US20230123830A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US11854650B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Current-Mode Sense Amplifying Method

Номер патента: US20100202213A1. Автор: Chun-yi Lee,Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-12.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20150348602A1. Автор: Hyun-Sung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Sense amplifier

Номер патента: US20130214868A1. Автор: Hyun-Sung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Sense amplifier

Номер патента: US20140159820A1. Автор: Hyun-Sung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Sense-amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20150046723A1. Автор: Sang Il Park,Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US12080375B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US09466341B2. Автор: Hyun-Sung HONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

On-the-fly trimmable sense amplifier

Номер патента: US09431072B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Sense amplifier and method for generating variable reference level

Номер патента: US20050201171A1. Автор: Hong-Seok Kim,Sang-Won Kim,Jeong-Un Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-15.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US5293088A. Автор: Yasushi Kasa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-03-08.

Bipolar primary sense amplifier

Номер патента: US20130235686A1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Regulator of a sense amplifier

Номер патента: US20230110870A1. Автор: Vikas RANA,Marco Pasotti,Vivek Tyagi,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-04-13.

Apparatuses and methods of power supply control for threshold voltage compensated sense amplifiers

Номер патента: WO2022072032A1. Автор: Toshiyuki Sato,Hidekazu Noguchi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Sense amplifier and method for controlling the same

Номер патента: US11854606B2. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Sense amplifier and method for controlling the same

Номер патента: US20230377630A1. Автор: Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Sense amplifier control

Номер патента: US11978518B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yu-Der Chih,Chung-chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Sense amplifier local feedback to control bit line voltage

Номер патента: US20160254048A1. Автор: Xiaowei Jiang,Yingchang Chen,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

On-the-fly trimmable sense amplifier

Номер патента: EP2831877A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-04.

Semiconductor memory device with sense amplifier and bitline isolation

Номер патента: US20130265839A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US11783873B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US20210142832A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US20230386528A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Circuits and methods for compensating a mismatch in a sense amplifier

Номер патента: US20220262409A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Settable digital cmos differential sense amplifier

Номер патента: US20020030514A1. Автор: Daniel Bailey,Mark Matson. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-03-14.

DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes

Номер патента: US20030026153A1. Автор: Greg Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes

Номер патента: US6618308B2. Автор: Greg A. Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-09.

Current mode sense amplifier with load circuit for performance stability

Номер патента: US09484074B2. Автор: Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A3. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A2. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A3. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Sense amplifier layout

Номер патента: EP1320891A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Sense amplifier output control circuit

Номер патента: US20020041521A1. Автор: Kyu-Ha Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Clocked sense amplifier with positive source feedback

Номер патента: WO1997031375A1. Автор: Albert Mu. Владелец: Hal Computer Systems, Inc.. Дата публикации: 1997-08-28.

Sense amplifier with transistor threshold compensation

Номер патента: US09418714B2. Автор: John W. Poulton,Mahmut E. Sinangil. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: EP4392973A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Capacitively isolated mismatch compensated sense amplifier

Номер патента: WO2010074833A1. Автор: John E. Barth, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

Sense amplifier

Номер патента: US09601165B1. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Sense amplifier for complementary or non-complementary data signals

Номер патента: US6005816A. Автор: Troy A. Manning,Chris G. Martin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Sense amplifier for a memory device

Номер патента: US5126974A. Автор: Katsuro Sasaki,Koichiro Ishibashi,Katsuhiro Shimohigashi,Shoji Hanamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-06-30.

Apparatus and method for a direct-sense sense-amplifier with decoded read and write Y-select

Номер патента: US5831919A. Автор: Brent S. Haukness,Hugh Mcadams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Bitline sense amplifier and a memory device

Номер патента: US20240221824A1. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Sang Wook Park,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,Young-Il Lim,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu,Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Sense Amplifier Scan Capture Circuit with Reduced Sense Amplifier Offset

Номер патента: US20240321376A1. Автор: Rahul Sahu,Debarghya DUTTA,Ramakoti NIMMAKAYALA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Fast and low-power sense amplifier and writing circuit for high-speed MRAM

Номер патента: US09672886B2. Автор: Kang L. Wang,Pedram Khalili Amiri,Hochul Lee,Juan G. Alzate. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-06.

Layouts for sense amplifiers and related apparatuses and systems

Номер патента: US20210407578A1. Автор: Yuko Watanabe,Takefumi Shirako. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Sense amplifier with feedback-controlled bitline access

Номер патента: US20040130353A1. Автор: Ashish Kumar,Vivek Nautiyal. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2004-07-08.

Layout method for bit line sense amplifier driver

Номер патента: US6661722B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Cmos regenerative sense amplifier with high speed latching

Номер патента: US5057718A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09484073B1. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Fast sense amplifier for small voltage differences

Номер патента: US5905686A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset compensation and methods of operating same

Номер патента: US20240029782A1. Автор: Sun Young Kim,Dongil LEE,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Layout of a sense amplifier with accelerated signal evaluation

Номер патента: US20010048620A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Markert,Helmut Schneider,Sabine Schöniger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-06.

Latch type sense amplifier and method for operating thereof

Номер патента: US20010005150A1. Автор: In Eum. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Sense-amplifier monotizer

Номер патента: US20120154188A1. Автор: Samuel D. Naffziger,Visvesh S. Sathe,Srikanth Arekapudi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Differential sense amplifier for multilevel non-volatile memory

Номер патента: US20040047184A1. Автор: Hieu Tran,Jack Frayer,William Saiki,Michael Briner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Dynamic sense amplifier for SRAM

Номер патента: US20070097765A1. Автор: Patrick Chuang,Mu-Hsiang Huang,Jae-Hyeong Kim. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor memory device having sense amplifier having improved activation timing thereof and operating method thereof

Номер патента: US4916671A. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Silicon-on-insulator sense amplifier for memory cell

Номер патента: US20060170460A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor memory device with sense amplifiers

Номер патента: US4748596A. Автор: Yasuo Itoh,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Sense amplifier with bit-line derived clocking

Номер патента: US4810910A. Автор: Jean-Pierre Schoellikopf,Yann Boyer-Chammard. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1989-03-07.

Sense amplifier powered from bit lines and having regeneratively cross-coupling means

Номер патента: US5384504A. Автор: Mehdi Hatamian,Alexander G. Dickinson,Sailesh K. Rao. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: US11854609B2. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: WO2023027857A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-02.

Self-referenced sense amplifier for spin torque mram

Номер патента: US20160099040A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Sense amplifier

Номер патента: US20170092337A1. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Sense amplifier

Номер патента: WO2017052835A1. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Sense amplifier

Номер патента: US10127959B2. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Sense amplifier with transistor threshold compensation

Номер патента: US20150016183A1. Автор: John W. Poulton,Mahmut E. Sinangil. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

High performance sense amplifier

Номер патента: US09437282B1. Автор: Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Krishnan S. Rengarajan,George M. Braceras. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Dynamic dram sense amplifier

Номер патента: US20030043668A1. Автор: Curtis Wickman. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Asymmetric Sense Amplifier

Номер патента: US20100165767A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Shu-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Sense amplifier circuit, memory circuit, and sensing method thereof

Номер патента: US20230420041A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Resetable control circuit devices for sense amplifiers

Номер патента: US20050083088A1. Автор: Tao-Ping Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Dual port memory sense amplifier isolation

Номер патента: US4586168A. Автор: James Ward,Richard H. Adlhoch. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1986-04-29.

Integrated circuit memory devices having sense amplifier driver circuits therein that improve writing efficiency

Номер патента: US6154404A. Автор: Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-28.

Integrated memory comprising a sense amplifier

Номер патента: CA2017607C. Автор: Evert Seevinck. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-07-24.

Memory device and method for forming sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20230298635A1. Автор: Chun-Yen Lin,Cheng-Chang Chen,Chih-Chieh Chiu. Владелец: Sonic Star Global Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Sense amplifier for sensing multi-level cell and memory device including the sense amplifer

Номер патента: US20200294574A1. Автор: Kyung-Ryun Kim,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Bitline sense amplifier and a memory device with an equalizer

Номер патента: US11961551B2. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Sang Wook Park,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,Young-Il Lim,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu,Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Hybrid sense amplifier and method, and memory device using same

Номер патента: US7990792B2. Автор: Keiichiro Abe,Yukata Ito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Method for controlling sense amplifier and electronic device

Номер патента: US20240071474A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Sense amplifier power-gating technique for integrated circuit memory devices and those devices incorporating embedded dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US7248522B2. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2007-07-24.

Method for Asymmetric Sense Amplifier

Номер патента: US20110317506A1. Автор: Yi-Tzu Chen,Shu-Hsuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Voltage shifting sense amplifier for sram vmin improvement

Номер патента: US20130148452A1. Автор: Russell J. Schreiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

Sense amplifier circuit for large-capacity semiconductor memory

Номер патента: US5051957A. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-09-24.

Sense amplifier

Номер патента: CA1262477A. Автор: Mitsuo Soneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-10-24.

Self-referenced sense amplifier for spin torque mram

Номер патента: WO2013154991A2. Автор: THOMAS Andre,Chitra Subramanian,Syed Alam. Владелец: Everspin Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-10-17.

Highly sensitive high performance sense amplifiers

Номер патента: CA1226908A. Автор: Wilbur D. Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US7304903B2. Автор: Kaushik Roy,Saibal Mukhopadhyay,Hamid Mahmoodi. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2007-12-04.

Sense amplifier

Номер патента: US20240046968A1. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Sense amplifier

Номер патента: US20220319558A1. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Sense amplifier

Номер патента: US11783870B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Sense amplifier circuit and method for a DRAM

Номер патента: US20060262619A1. Автор: Michel Bouche,Marc Vernet. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2006-11-23.

High speed deglitch sense amplifier

Номер патента: US20150294697A1. Автор: Chulmin Jung,Rui Li,Sei Seung Yoon,David Li,Tahseen Shakir. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Sense amplifier with shielding circuit

Номер патента: US20110019456A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Han-Sung Chen,Chung Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US09390770B2. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Self-calibrating sense amplifier strobe

Номер патента: EP1516341A1. Автор: Ajay Bhatia,Shashank Shastry,Michael C. Braganza,Shannon V. Morton. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 2005-03-23.

Current sense amplifier with feedback loop

Номер патента: EP2308049A1. Автор: William Redman-White. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-13.

Semiconductor memory device with improved sense amplifier driver

Номер патента: US6075736A. Автор: Tae-Hyoung Kim,Jae-Goo Lee,Chang-Man Khang,Ha-Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-13.

Self-calibrating sense amplifier strobe

Номер патента: WO2004003920A1. Автор: Ajay Bhatia,Shashank Shastry,Michael C. Braganza,Shannon V. Morton. Владелец: Silicon Graphics, Inc.. Дата публикации: 2004-01-08.

Driving voltage controller of sense amplifiers for memory device

Номер патента: US20040213063A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Sense amplifier drive circuit

Номер патента: US20020079931A1. Автор: Young Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-27.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device using tapered arrangement of local input and output sense amplifiers

Номер патента: US20050169079A1. Автор: Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Current sense amplifiers, memory devices and methods

Номер патента: US09659631B2. Автор: Hoon Choi,Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Memory device with open bit line structure which minimizes loading difference of sense amplifiers arranged outermost part

Номер патента: US09570150B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for measuring the offset voltages of SRAM sense amplifiers

Номер патента: US5896332A. Автор: Jeffery C. Brauch. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1999-04-20.

Reference Averaging for MRAM Sense Amplifiers

Номер патента: US20130176773A1. Автор: Pokang Wang,Perng-Fei Yuh,Lejan Pu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Sense amplifier with stages to reduce capacitance mismatch in current mirror load

Номер патента: US20080170454A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Massimiliano Frulio,Davide Manfre,Gabriele Pelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Sense amplifier with stages to reduce capacitance mismatch in current mirror load

Номер патента: WO2008089159A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Massimiliano Frulio,Davide Manfre',Gabriele Pelli. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-30.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Sense amplifier with improved margin

Номер патента: US09419596B2. Автор: Su-Chueh Lo,Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device layout with intersecting region between sub-wordline and sense amplifier

Номер патента: US12094520B2. Автор: Harish Gadamsetty,John A. Winegard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Current-Sense Amplifier With Low-Offset Adjustment and Method of Low-Offset Adjustment Thereof

Номер патента: US20120294090A1. Автор: Shin-Jang Shen,Meng-Fan Chang,Yu-Der Chih,Yu-Fan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-11-22.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US12125551B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Sense amplifier circuits and methods of operation

Номер патента: US09697891B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory device having I/O sense amplifier with variable current gain

Номер патента: US6314029B1. Автор: Sang-Jae Rhee,Tae-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-11-06.

Magnetic random access memory using current sense amplifier for reading cell data and related method

Номер патента: US09916883B2. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Circuit and Method for a Sense Amplifier with Instantaneous Pull Up/Pull Down Sensing

Номер патента: US20090251975A1. Автор: Shine Chung,Jonathan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Integrated semiconductor memory with sense amplifier

Номер патента: US20050207251A1. Автор: Helmut Schneider,Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Sense amplifier with multiple bits sharing a common reference

Номер патента: WO2007143268A3. Автор: Joseph J Nahas,Thomas W Andre,Brad J Garni. Владелец: Brad J Garni. Дата публикации: 2008-06-19.

Memory and sense amplifying device thereof

Номер патента: US12094543B2. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Sense amplifier for high speed sensing, memory apparatus and system including the same

Номер патента: US20180233178A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Sense amplifier design

Номер патента: US5737274A. Автор: Satish C. Saripella,Jeffery Scott Hunt. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Sense amplifier

Номер патента: US20010038564A1. Автор: Michael Verbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Single ended output sense amplifier circuit with reduced power consumption and noise

Номер патента: US20040004881A1. Автор: Naren Sahoo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-01-08.

Input Circuit Devices for Sense Amplifier Circuits

Номер патента: US20200372942A1. Автор: El Mehdi Boujamaa,Cyrille Nicolas Dray. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Forming method of sense amplifier and layout structure of sense amplifier

Номер патента: US12106799B2. Автор: Tzung-Han Lee,Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

BICMOS sense amplifier with reverse bias protection

Номер патента: US5287314A. Автор: Stephen T. Flannagan,Taisheng Feng. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Control clocks generator and method thereof for a high speed sense amplifier

Номер патента: US6839296B2. Автор: Yu-Wei Lee,Hsiao-Yang Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-04.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US20150332740A1. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Dram sense amplifier architecture with reduced power consumption and related methods

Номер патента: WO2023215382A1. Автор: Robert J. Mears,Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2023-11-09.

Sense amplifier with shielding circuit

Номер патента: US20120224443A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US12040009B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20200168266A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Mismatch-compensated sense amplifier for highly scaled technology

Номер патента: US09466394B1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Perry H. Pelley. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Sense amplifier circuitry

Номер патента: US5528543A. Автор: Harvey J. Stiegler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-06-18.

Sense amplifier, nonvolatile memory device including the sense amplifier and sensing method of the sense amplifier

Номер патента: US9349428B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

Dram architecture with combined sense amplifier pitch

Номер патента: WO1998033185A1. Автор: Brian M. Shirley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1998-07-30.

DRAM with edge sense amplifiers which are activated along with sense amplifiers internal to the array during a read cycle

Номер патента: US6011737A. Автор: Michael A. Murray,Li-Chun Li,Lawrence C. Liu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US20190172514A1. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-06-06.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US10839880B2. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-11-17.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US20170352394A1. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device with a sense amplifier unit responsive to a voltage change of input signals and a sense control signal

Номер патента: US09536576B2. Автор: Hyung Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Differential sense amplifier circuit for high speed ROMS, and flash memory devices

Номер патента: US4903237A. Автор: Kameswara K. Rao. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 1990-02-20.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US20230253030A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Single ended bitline current sense amplifiers

Номер патента: EP4278352A1. Автор: Rajiv Joshi,Holger Wetter,Alexander Fritsch,Sudipto Chakraborty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Compact high speed sense amplifier for non-volatile memory with reduced layout area and power consumption

Номер патента: US09558836B2. Автор: Jongmin Park,Hao Thai Nguyen,Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of operating sense amplifier circuits

Номер патента: US09502100B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Sense amplifier circuitry and architecture to write data into and/or read data from memory cells

Номер патента: WO2006065698A8. Автор: William Kenneth Waller,Eric Carman. Владелец: Eric Carman. Дата публикации: 2006-08-17.

Current sense amplifier with feedback loop

Номер патента: WO2010013192A1. Автор: William Redman-White. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-02-04.

Sense amplifier with offset current injection

Номер патента: US20130148432A1. Автор: Erwin Castillon,Uday Mudumba. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Current sense amplifiers, memory devices and methods

Номер патента: US20170249985A1. Автор: Hoon Choi,Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US5604451A. Автор: Toshikazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-18.

Differential current sense amplifier and method for non-volatile memory

Номер патента: WO2014200776A1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

Memory circuit having data lines selectively coupled to a sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US09881655B2. Автор: Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Read-current and word line delay path tracking for sense amplifier enable timing

Номер патента: US09576621B2. Автор: Anand Seshadri,Dharin Shah,Wah Kit Loh,Parvinder Rana. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Sense amplifier circuits and methods of operation

Номер патента: US9997238B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Sense amplifier optimized lay-out from dynamic random access memories on complementary metal oxide semicondutor

Номер патента: US4825417A. Автор: Seung M. Seo. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Single ended sense amplifier

Номер патента: US6813206B2. Автор: Cheng-Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Single ended sense amplifier

Номер патента: US20030107934A1. Автор: Cheng-Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09940978B2. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US09741435B1. Автор: Michael A. Sadd,Michael Garrett Neaves,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09478308B1. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Temperature compensated sense amplifier

Номер патента: US4727269A. Автор: Thomas M. Luich. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-02-23.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US11854617B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US11848056B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Sense amplifier and method for performing a read operation in a MRAM

Номер патента: US20040001383A1. Автор: THOMAS Andre,Mark Durlam,Bradley Engel,Mark DeHerrera,Chitra Subramanian,Joseph Nahas,Bradley Garni. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-01-01.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20240127887A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US20220180943A1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Sense amplifier architecture for a non-volatile memory storing coded information

Номер патента: EP4210054A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-12.

Sense amplifier configuration with fused diffusion regions and a distributed driver system

Номер патента: US6240005B1. Автор: Helmut Schneider,Robert Feurle,Athanasia Chrysostomides,Doominique Savignac. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-05-29.

Complementary bit pcram sense amplifier and method of operation

Номер патента: EP1454325A2. Автор: Glen Hush,Jake Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Sense amplifier structure for multilevel non-volatile memory devices and corresponding reading method

Номер патента: EP1324344A1. Автор: Emanuele Confalonieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-02.

High-speed current sense amplifier

Номер патента: US5345111A. Автор: Vincent L. Fong. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 1994-09-06.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20220358973A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method and apparatus for determining mismatch of sense amplifier, storage medium, and electronic equipment

Номер патента: US11928355B2. Автор: Jian Chen,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and apparatus for determining mismatch of sense amplifier, storag medium, and electronic equipment

Номер патента: US20220308786A1. Автор: Jian Chen,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

MRAM device including analog sense amplifiers

Номер патента: US6128239A. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-03.

Methods and apparatus for charging a sense amplifier

Номер патента: US5767737A. Автор: Li-Chun Li,Michael Murray,Lawrence Liu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1998-06-16.

Sense amplifier for flash memory

Номер патента: US5999454A. Автор: Malcolm H. Smith. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Sense amplifier for programmable logic device having selectable power modes

Номер патента: US5631583A. Автор: Napoleon W. Lee,Wei-Yi Ku. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Single path memory sense amplifier circuit

Номер патента: US20200211610A1. Автор: Wuyang Hao,Yentsai Huang,Chunsung CHIANG,Jack T. Wong,Lejan Pu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Bit line sense amplifier for inhibiting increase of offset voltage and method for fabricating the same

Номер патента: US20050213407A1. Автор: Kwang Myoung Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-29.

Low power multiple bit sense amplifier

Номер патента: EP1915759A1. Автор: Giulio Marotta,Girolamo Gallo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-30.

Sense amplifier driver circuits configured to track changes in memory cell pass transistor characteristics

Номер патента: US20030128608A1. Автор: Tae-Joong Song,Eun-Kyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-10.

High-speed mos sense amplifier

Номер патента: US3648071A. Автор: Dale A Mrazek. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

Memory and sense amplifying device thereof

Номер патента: US20230307064A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Sense amplifier

Номер патента: US4553053A. Автор: Richard H. Ong,Peter C. Economopoulos. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1985-11-12.

Circuit for controlling sense amplifier over-driving voltage

Номер патента: US6043685A. Автор: Jun-Pyo Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Sample and hold memory sense amplifier

Номер патента: US20060044907A1. Автор: Leonard Forbes,David Cuthbert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

CMOS eprom sense amplifier

Номер патента: US4725984A. Автор: Gust Perlegos,William W. Ip. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-02-16.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20210134333A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Balanced sense amplifier control for open digit line architecture memory devices

Номер патента: US20020131311A1. Автор: Stephen Porter,Scott Derner,Scot Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Balanced sense amplifier control for open digit line architecture memory devices

Номер патента: US20030081476A1. Автор: Stephen Porter,Scott Derner,Scot Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Data memory with sense amplifier and method of operation

Номер патента: US5602787A. Автор: Harry E. Oldham. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 1997-02-11.

Latch-type sense amplifier for a non-volatile memory with reduced margin between supply voltage and bitline-selection voltage

Номер патента: US20210020237A1. Автор: Marco Pasotti,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-21.

Sense amplifier

Номер патента: US20060192595A1. Автор: Michael Sommer,Rainer Schnabel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-31.

Non-volatile memory device with current injection sensing amplifier

Номер патента: EP2831885A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-04.

Lower power consuming sense amplifier

Номер патента: US20040013004A1. Автор: Kwok Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Sense amplifier

Номер патента: US20100149896A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Davide Manfre,Alex Pojer. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Vertical access line in a folded digitline sense amplifier

Номер патента: US12114489B2. Автор: Anton P. Eppich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Circuit to generate a sense amplifier enable signal

Номер патента: US09564193B2. Автор: Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,I-Han HUANG,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

High speed differential sense amplifier for use with single transistor memory cells

Номер патента: CA1325474C. Автор: Bernard Emoto,Alaaeldin A. M. Amin. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Current sense amplifier

Номер патента: US7262638B2. Автор: Jae-Yoon Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-28.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20220084580A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Data line control for sense amplifiers

Номер патента: US20150117124A1. Автор: Tae H. Kim,Howard Kirsch,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Dram sense amplifier architecture with reduced power consumption and related methods

Номер патента: US20230363150A1. Автор: Robert J. Mears,Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Sense amplifier with multiple bits sharing a common reference

Номер патента: WO2007143268A2. Автор: Joseph J. Nahas,Thomas W. Andre,Brad J. Garni. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-12-13.

Self referenced sense amplifier

Номер патента: US4584493A. Автор: Donald T. Y. Lee. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1986-04-22.

Self adjusting sense amplifier clock delay circuit

Номер патента: US5682353A. Автор: Boaz Eitan,Larry Willis Petersen,Yaron Slezak. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1997-10-28.

Memory device comprising double cascode sense amplifiers

Номер патента: US9564181B2. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Reference generation for narrow-range sense amplifiers

Номер патента: WO2022225678A1. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-27.

Sense amplifier with shielding circuit

Номер патента: US9093130B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-28.

Current sense amplifier

Номер патента: EP1787301A1. Автор: Hans-Heinrich Viehmann,Dietmar Gogl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-05-23.

Compact High Speed Sense Amplifier for Non-Volatile Memory with Reduced Layout Area and Power Consumption

Номер патента: US20160035430A1. Автор: Jongmin Park,Hao Thai Nguyen,Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Sense amplifier for coupling effect reduction

Номер патента: US11810635B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Current mirror sense amplifier

Номер патента: US6483352B1. Автор: Sheng-Chang Kuo,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-19.

Current source evaluation sense-amplifier

Номер патента: WO2003096032A9. Автор: Anthony Levi,Panduka Wijetunga. Владелец: Univ Southern California. Дата публикации: 2004-04-29.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20220270681A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Current sense amplifier circuit

Номер патента: US20020057597A1. Автор: Tomoo Kimura,Ikuo Fuchigami,Satoshi Kohtaka,Tomonori Kataoka,Youichi Nishida,Jyunji Michiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor memory device that does not require a sense amplifier

Номер патента: US20150016197A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Sense amplifier with overvoltage protection

Номер патента: US5559455A. Автор: Richard J. McPartland. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1996-09-24.

Reference generation for narrow-range sense amplifiers

Номер патента: US11854590B2. Автор: Frank Tzen-Wen Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device for minimizing mismatch of sense amplifier

Номер патента: US20120213025A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Sense amplifier for coupling effect reduction

Номер патента: US20230179186A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Sense amplifier for coupling effect reduction

Номер патента: US20230057357A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Sense amplifier for coupling effect reduction

Номер патента: US20240038281A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Sense amplifier circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US4658159A. Автор: Junichi Miyamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-04-14.

Sense amplifier for programmable read only memory

Номер патента: US4758748A. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-07-19.

High-speed cross-coupled sense amplifier

Номер патента: US20040155682A1. Автор: Yukio Sato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Method and circuit for determining sense amplifier sensitivity

Номер патента: US6862233B2. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2005-03-01.

Apparatus and method for controlling a bit line sense amplifier having offset compensation

Номер патента: US5754488A. Автор: Jeung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US11842783B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: US10546646B2. Автор: Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Xiaozhou Qiang,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Vertical access line in a folded digitline sense amplifier

Номер патента: US20230180467A1. Автор: Anton P. Eppich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Programmable Sense Amplifier Multiplexer Circuit with Dynamic Latching Mode

Номер патента: US20080151647A1. Автор: Christopher Miller,Michael Killian. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Sense amplifier circuit architecture

Номер патента: US20230162782A1. Автор: Guifen Yang,Sungsoo CHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Multi-state sense amplifier

Номер патента: US20080007992A1. Автор: Min-Chuan Wang,Chih-Sheng Lin,Chia-Pao Chang,Keng-Li Su. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-10.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US20240177792A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Improved sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3807881A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Improved sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: WO2019240892A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-12-19.

Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20190385685A1. Автор: Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Xiaozhou Qiang,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Latch type sense amplifier for non-volatile memory

Номер патента: US20240161811A1. Автор: Hsin-Chan PENG. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for controlling sensing amplifier driver

Номер патента: US6128235A. Автор: Woong Sik Jung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Automatic Bias Circuit for Sense Amplifier

Номер патента: US20090002058A1. Автор: Shine Chung,Fu-Lung Hsueh,Po Yao Ker. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Sense Amplifier Column Redundancy

Номер патента: US20140269104A1. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Sense amplifier column redundancy

Номер патента: EP2973587A2. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Sense amplifier column redundancy

Номер патента: WO2014150548A2. Автор: Chulmin Jung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Memory device with separately controlled sense amplifiers

Номер патента: US09384790B2. Автор: Setti Shanmukheswara Rao,Ankur Goel,Manish Trivedi. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20160372176A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US09659629B2. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having sense amplifiers

Номер патента: US20110205821A1. Автор: Akira Ichinose. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor memory having a first and second sense amplifier for sensing a memory cell voltage during a normal mode and a refresh mode

Номер патента: US7009902B2. Автор: Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-07.

Sense amplifier precharge control

Номер патента: US4879682A. Автор: Bruce E. Engles. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1989-11-07.

Method and apparatus for determining sense boundary of sense amplifier, medium, and device

Номер патента: US20230307034A1. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for determining sense boundary of sense amplifier, medium, and device

Номер патента: US11978504B2. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Sense amplifier control circuit for semiconductor memory device and method for controlling sense amplifier control circuit

Номер патента: US7813200B2. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

Sense amplifier drivers, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US20220051712A1. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: EP2973570A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kaiman YUE. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: US09620235B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kai Man Yue. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device equipped with step-down power voltage supply system for sense amplifier circuit arrays

Номер патента: US5272677A. Автор: Ryuji Yamamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Sense amplifier drivers, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11935584B2. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Sense amplifier circuit with temperature compensation

Номер патента: US20230343379A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Chia-Wei Lee,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Sense amplifier circuit with temperature compensation

Номер патента: US11955154B2. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Chia-Wei Lee,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset cancellation and methods of operating same

Номер патента: US20240062806A1. Автор: Eunki Hong,Minsoo Jang,Seungki HONG,Jaeseong Lim,Jinsol PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Encoder, data detecting semiconductor integrated circuit applicable to the same and dynamic sense amplifier

Номер патента: CA2086996C. Автор: Hiroshi Sasama,Masato Yoneda,Naoki Kanazawa. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1999-03-02.

Sense amplifying methods and sense amplification and output buffer integrated circuits

Номер патента: WO1998035354A1. Автор: Scott T. Becker,Dhrumil Gandhi,Daniel F. LaBouve. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-08-13.

Dram with hybrid sense amplifier

Номер патента: US20080266992A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Melinda L. Miller. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Noise reduction in sense amplifiers for non-volatile memory

Номер патента: US20240331741A1. Автор: Yonggang Wu,Iris LU,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Sense amplifier and semiconductor memory device including the sense amplifier

Номер патента: US11776588B2. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US10020038B1. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-10.

Input/output line sense amplifier and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080316840A1. Автор: Chang-Il Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Input-output line sense amplifier having adjustable output drive capability

Номер патента: US20130141993A1. Автор: Chulmin Jung,Kang Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device having sense amplifier

Номер патента: US20230352061A1. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device having sense amplifier

Номер патента: US11984188B2. Автор: Mamoru NISHIZAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Sense Amplifier Used in the Write Operations of SRAM

Номер патента: US20100165749A1. Автор: Jui-Jen Wu,Yi-Tzu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Sense amplifier read line sharing

Номер патента: US20090190425A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Andreas Gotterba. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

DRAM Semiconductor Memory Device with Increased Reading Accuracy

Номер патента: US20070091709A1. Автор: Ulrich Zimmermann,Ralf Gerber. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-04-26.

Using sense amplifier as a write booster in memory operating with a large dual rail voltage supply differential

Номер патента: US09966131B2. Автор: Niranjan Behera,Dharmesh Kumar Sonkar. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Fast sense amplifier with bit-line pre-charging

Номер патента: US09576653B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory Sense Amplifier And Column Pre-Charger

Номер патента: US20150269990A1. Автор: Dharmendra Kumar Rai,Rahul Sahu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

DRAM sensing control; connecting bitlines to sense amplifier

Номер патента: GB2242768A. Автор: Atsushi Wada,Peter Bruce Gillingham,Masami Mitsuhashi,Richard Charles Foss,Robert Harland. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-10-09.

Sense amplifier with fast bitline precharge means

Номер патента: US20130064021A1. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2013-03-14.

Leakage tolerant sense amplifier

Номер патента: US6052307A. Автор: Theodore T. Pekny,Brian W. Huber. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Trimmable reference generator for sense amplifier

Номер патента: EP2831887A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guangming Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-04.

Sense amplifier and nonvolatile memory device

Номер патента: US20240161813A1. Автор: Seiichi Yamamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Trimmable reference generator for sense amplifier

Номер патента: US09564235B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guangming Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Fast sense amplifier with bit-line pre-charging

Номер патента: US9812198B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and apparatus for determining sense boundary of sense amplifier, medium, and device

Номер патента: US11798617B2. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method and apparatus for determining sense boundary of sense amplifier, medium, and device

Номер патента: US20230307035A1. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Data Sense Amplifier Circuit with a Hybrid Architecture

Номер патента: US20240339152A1. Автор: YANG LU,WonJun CHOI,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Sense amplifier with efficient use of data latches

Номер патента: US09552882B2. Автор: Kwang Ho Kim,Tai-Yuan Tseng,Cynthia Hsu,YenLung Li,Man L Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: WO2018071107A1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Sense amplifier with integrating capacitor and methods of operation

Номер патента: US09704572B2. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: US09881676B1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen,Yen-Lung Jason Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Method and Apparatus for Implementing Efuse Sense Amplifier Testing Without Blowing the Efuse

Номер патента: US20080170449A1. Автор: Louis Bernard Bushard,Anthony Gus Aipperspach,David Howard Allen,Gregory John Uhlmann,Phil Christopher Felice Paone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US6667898B2. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-23.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US20030161176A1. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-28.

Sense amplifier design for ramp sensing

Номер патента: US09543030B1. Автор: Anirudh Amarnath,Tai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

3D Memory with 3D Sense Amplifier

Номер патента: US20220189515A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160284391A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Sense amplifier soft-fail detection circuit

Номер патента: US20140126312A1. Автор: Greg M. Hess,II James E. Burnette. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US9460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory

Номер патента: US09837152B2. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory

Номер патента: US09564215B2. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Sense amplifier

Номер патента: US20180012639A1. Автор: George McNeil Lattimore,Robert Campbell Aitken,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory device and sense amplifier capable of performing logical not operation

Номер патента: US20240304236A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Sense amplifier layout for FinFET technology

Номер патента: US09466493B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chien Chi TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Current sense amplifier

Номер патента: US12081182B2. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Sense amplifier, method of operating the same, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240339151A1. Автор: Dongil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Threshold voltage mismatch compensation sense-amplifiers for static random access memories with multiple differential inputs

Номер патента: US09542995B2. Автор: Manoj Sachdev,Jaspal Singh Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-10.

Low noise sense amplifier control circuits for dynamic random access memories and related methods

Номер патента: US5708616A. Автор: Jong-Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-13.

System, apparatus, and method for sense amplifiers

Номер патента: EP3281201A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of GNU. Дата публикации: 2018-02-14.

Complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) dynamic random access memory (dram) cell with sense amplifier

Номер патента: US20140204654A1. Автор: John E. Barth, Jr.,Adis Vehabovic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Current sensing type sense amplifier and method thereof

Номер патента: US20130155777A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US12106797B2. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-10-01.

CMOS sense amplifier with N-channel sensing

Номер патента: US4608670A. Автор: Charvaka Duvvury,Adin E. Hyslop. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Dynamic sense amplifier for CMOS static RAM

Номер патента: US4843264A. Автор: Douglas C. Galbraith. Владелец: VISIC Inc. Дата публикации: 1989-06-27.

Three-dimensional memory device including sense amplifiers having a common width and separation

Номер патента: US11925027B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masayuki Hiroi,Masatoshi Okumura,Takuma Takimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20230036684A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-02-02.

Sense amplifier with leakage compensation for electrical fuses

Номер патента: US20070139843A1. Автор: Hung-jen Liao,Fu-Lung Hsueh,Sung-Chieh Lin,Jiann-Tseng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US12112791B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device having sense amplifier

Номер патента: US09472264B2. Автор: Tetsuaki Okahiro,Ryuji Takishita. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with improved sense margin of sense amplifier

Номер патента: US09613680B2. Автор: Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Static type semiconductor memory with multi-stage sense amplifier

Номер патента: US4891792A. Автор: Katsuro Sasaki,Takao Oono,Kiyotsugu Ueda,Shoji Hanamura,Masaaki Kubotera. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1990-01-02.

Fin field effect transistor sense amplifier circuitry and related apparatuses and computing systems

Номер патента: US20240112724A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210143142A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Sense amplifier with reduced instantaneous power

Номер патента: US4627033A. Автор: Charvaka Duvvury,Adin E. Hyslop. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-12-02.

Memory device including bitline sense amplifier and operating method thereof

Номер патента: US20220020423A1. Автор: Jong-Ho Moon,Sung-hwan Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: WO2018048682A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-03-15.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: EP3485494A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-22.

Sense amplifier offset voltage reduction using test code stored in latches

Номер патента: EP3025350A2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Daeik D. KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Sense amplifier offset voltage reduction

Номер патента: WO2015013023A2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM,Daeik D. KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-01-29.

Integrated Assemblies Comprising Sense-Amplifier-Circuitry and Wordline-Driver-Circuitry Under Memory Cells of a Memory Array

Номер патента: US20210066272A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Dynamic Random Access Memory System Including Single-Ended Sense Amplifiers And Methods For Operating Same

Номер патента: US20240221823A1. Автор: Richard S. Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Fast sense amplifier for nonvolatile memories

Номер патента: US20020051386A1. Автор: Thomas Kern,Esther Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

Integrated semiconductor memory device with test circuit for sense amplifier

Номер патента: US20060152982A1. Автор: Martin Perner. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Latch type sense amplifier for testing

Номер патента: US20240242772A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A3. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-08-02.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A2. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-07-04.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A4. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-09-26.

Low power sense amplifier for programmable logic device

Номер патента: US4851720A. Автор: Hal Kurkowski,Jagdish Pathak,Stephen M. Douglas,Dov-Ami Vider. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Dc sense amplifier

Номер патента: US3573496A. Автор: Hannon S Yourke,Joseph A Lake Jr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-04-06.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US5566116A. Автор: Kyung-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-15.

Stored charge differential sense amplifier

Номер патента: CA1088668A. Автор: Scott C. Lewis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-28.

Sense amplifier for nonvolatile semiconductor storage devices

Номер патента: US5243573A. Автор: Hiroyasu Makihara,Kenji Kohda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-09-07.

Parameter independent fet sense amplifier

Номер патента: CA1084597A. Автор: Howard L. Kalter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-08-26.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20130336066A1. Автор: André Luis VILAS BOAS,Walter Luis Tercariol,Fernando Zampronho NETO. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-19.

Independent Sense Amplifier Addressing And Quota Sharing In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20170110189A1. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-20.

Sense amplifier layout designs and related apparatuses and methods

Номер патента: US11948657B2. Автор: Christopher G. Wieduwilt,Eric J. Schultz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Open collector bit driver/sense amplifier

Номер патента: CA1128207A. Автор: Shashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-07-20.

Sense amplifier arrangement for semiconductor memory

Номер патента: GB2227109A. Автор: Soo-In Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-07-18.

Independent Sense Amplifier Addressing And Quota Sharing In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20160232969A1. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-08-11.

Sense amplifier layout for finfet technology

Номер патента: US20200227095A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chien Chi Linus TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor memory device with first and second sense amplifiers

Номер патента: US20230410916A1. Автор: Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Temperature compensated sense amplifier for PROMs and the like

Номер патента: US4215282A. Автор: George W. Brown,Thomas L. Reynolds. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1980-07-29.

Sense-amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US9117545B1. Автор: Jang Geun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Sense amplifier, memory device including sense amplifier and operating method of memory device

Номер патента: US20240096402A1. Автор: Kyuchang KANG,Changyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device having sense amplifier equipped with compensation circuit

Номер патента: US12125521B2. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Bitline sense amplifier and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240371431A1. Автор: Taeyun Kim,Donghwee Kim,Junmyung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

High performance dynamic sense amplifier with active loads

Номер патента: US4370575A. Автор: Lionel S. White, Jr.,Joseph C. McAlexander, III,G. R. Mohan Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-01-25.

Sense amplifier with dual parallel driver transistors in MOS random access memory

Номер патента: US4286178A. Автор: Lionel S. White, Jr.,G. R. Mohan Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-08-25.

Sense amplifier activation timing scheme to suppress disturbance in memory cells of dram memory device

Номер патента: US11735250B2. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Sense amplifier layout for finfet technology

Номер патента: US20170032827A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chien Chi Linus TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240105253A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device with multistage sense amplifier

Номер патента: US7292479B2. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Method for sense margin detection for sense amplifier and electronic device

Номер патента: US11935582B2. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for sense margin detection for sense amplifier and electronic device

Номер патента: US20230386560A1. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US20170271341A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Sense amplifier, semiconductor memory device using thereof and read method thereof

Номер патента: US09672895B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Single-ended CMOS sense amplifier

Номер патента: US4598389A. Автор: Charvaka Duvvury,Russel W. Strawn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-07-01.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Current sense amplifier

Номер патента: US20240146266A1. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Time controllable sensing scheme for sense amplifier in memory IC test

Номер патента: US20070011508A1. Автор: Shi-Huei Liu,Bor-Doou Rong. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Negative Pull-Down Voltage in a Sense Amplifier

Номер патента: US20240203482A1. Автор: Charles L. Ingalls,Shizhong Mei,Huy T. Vo,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Monolithic memory sense amplifier/bit driver

Номер патента: US3676704A. Автор: Nicholas M Donofrio,Jehoshua N Pomeranz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Charge integrating sense amplifier

Номер патента: GB2390201A. Автор: Simon Tam. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-12-31.

System and method for detecting mismatch of sense amplifier

Номер патента: US11862233B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

PMOS THRESHOLD COMPENSATION SENSE AMPLIFIER FOR FeRAM DEVICES

Номер патента: US20230386545A1. Автор: Tong Liu,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device including sense amplifier and operation method of semiconductor device

Номер патента: US11984147B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Toshiki HAMADA,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Managing sense amplifier latch and data latch voltage to reduce standby current

Номер патента: US20240170075A1. Автор: Kwang Ho Kim,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Systems and methods for a current sense amplifier comprising a sample and hold circuit

Номер патента: US20190312549A1. Автор: Daniel J. Black,Brian A. Miller,Antoine D. Fifield. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory device with multistage sense amplifier

Номер патента: US20050286316A1. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-29.

High speed semiconductor memory device having a high gain sense amplifier

Номер патента: USRE34060E. Автор: Sho Yamamoto,Isao Akima,Kazuo Yoshizaki,Nobuyoshi Tanimura. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1992-09-08.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifiers and methods of utilizing the same

Номер патента: US20100118633A1. Автор: Dong-Min Kim,Sang-Seok Kang,Min-Ki HONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device having the same, and method of testing bit-line micro-bridge defect

Номер патента: US20110199836A1. Автор: Jung-Bae Lee,Cheol Kim,Jun-Phyo Lee,Sang-Kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230260567A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-17.

Sense Amplifier Constructions

Номер патента: US20180061460A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Sense Amplifier Constructions

Номер патента: US20190287579A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Sense Amplifier Constructions

Номер патента: US20180294015A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Ferroelectric FET nonvolatile sense-amplifier-based flip-flop

Номер патента: US12087344B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Sense amplifier and method for bit line voltage compensation thereof

Номер патента: US09881677B1. Автор: Ji-Yu Hung,Kai-Hsiang Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus and method for combining currents from passive equalizer in sense amplifier

Номер патента: US09602317B1. Автор: Eskinder Hailu,Bupesh Pandita,Hanan Cohen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Offset compensation for sense amplifiers

Номер патента: US09509255B2. Автор: Bharath Upputuri,Shreekanth Sampigethaya. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

CMOS Memory sense amplifier

Номер патента: US4247791A. Автор: Alexander Rovell. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1981-01-27.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230230633A1. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Sense amplifier, operating method thereof, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240105254A1. Автор: Younghun Seo,Duckyoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Bipolar transistor read only or read-write store with low impedance sense amplifier

Номер патента: US4439842A. Автор: Sashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Ultra high sensitivity sense amplifier for memories employing single transistor cells

Номер патента: US4031522A. Автор: John Anthony Reed,Joel Allen Karp. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1977-06-21.

CMOS dynamic memory device having multiple flip-flop circuits selectively coupled to form sense amplifiers specific to neighboring data bit lines

Номер патента: US5132930A. Автор: Koichiro Mashiko,Kazutami Arimoto,Yoshio Matsuda,Noriaki Matsumoto,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Integrated assemblies comprising sense-amplifier-circuitry and wordline-driver-circuitry under memory cells of a memory array

Номер патента: US10957681B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Hiroki Fujisawa,Scott J. Derner,Charles L. Ingalls,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Sense amplifier and operating method of the same

Номер патента: US20240112726A1. Автор: Shigeki Shimomura,Yongxi LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Selecting programming voltages in response to at least a data latch in communication with a sense amplifier

Номер патента: US20120113722A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Sense Amplifier Circuit in Flash Memory Device

Номер патента: KR19990076160A. Автор: 차병권. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Sensing amplifier for floating gate memory devices

Номер патента: US4223394A. Автор: Saroj Pathak,George Perlegos. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1980-09-16.

Semiconductor device having sense amplifier equipped with compensation circuit

Номер патента: US20240071472A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Dynamic sense amplifier supply voltage for power and die size reduction

Номер патента: US11978516B2. Автор: Yonggang Wu,Tai-Yuan Tseng,Yanjie Wang,Guirong Liang,Ohwon KWON,Yasue Yamamoto,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Dynamic sense amplifier supply voltage for power and die size reduction

Номер патента: US20230326531A1. Автор: Yonggang Wu,Tai-Yuan Tseng,Yanjie Wang,Guirong Liang,Ohwon KWON,Yasue Yamamoto,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Sense Amplifiers in Memory Cells

Номер патента: KR930006727A. Автор: 장성준. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1993-04-21.

Ultraviolet erasable nonvolatile memory with current mirror circuit type sense amplifier

Номер патента: US5198997A. Автор: Hideki Arakawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Sense amplifier

Номер патента: US4274013A. Автор: Donald G. Clemons,William R. Huber, Iii. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1981-06-16.

Phase tolerant magnetic bubble memory sense amplifier

Номер патента: US4318187A. Автор: Stephen R. Schenck,Jerold A. Seitchik,Thomas A. Closson,David B. Oxford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-03-02.

Apparatus and method for combining currents from passive equalizer in sense amplifier

Номер патента: EP3363118A1. Автор: Eskinder Hailu,Bupesh Pandita,Hanan Cohen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-22.

Apparatus and method for combining currents from passive equalizer in sense amplifier

Номер патента: WO2017065909A1. Автор: Eskinder Hailu,Bupesh Pandita,Hanan Cohen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-04-20.

Sense amplifier constructions

Номер патента: US10580464B2. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-03.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US20110079858A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US7876627B2. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Ferroelectric fet nonvolatile sense-amplifier-based flip-flop

Номер патента: US20220383926A1. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2022-12-01.

Sense amplifier constructions

Номер патента: EP3507802A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-10.

Memory device with increased electrode resistance to reduce transient selection current

Номер патента: US20210151672A1. Автор: John Gorman,Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Davide Mantegazza,Iniyan Soundappa Elango,Srivatsan Venkatesan,Davide Fugazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Disk drive read circuit comprising an ac coupled sense amplifier for amplifying a read signal

Номер патента: US20140334038A1. Автор: Michael L. Mallary,Yiao-Tee Hsia,William D. Huber. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Disk drive slider with sense amplifier for coupling to a preamp through a supply/bias line and a read signal line

Номер патента: US9047917B1. Автор: Dennis W. Hogg. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

High Precision Current Sensing using Sense Amplifier with Digital AZ Offset Compensation

Номер патента: US20190128932A1. Автор: Philippe Deval,Marija FERNANDEZ. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Universal CMOS single input, low swing sense amplifier without reference voltage

Номер патента: US20020125916A1. Автор: Mark Matson,Robert Dupcak,Randy Allmon. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-09-12.

Current sensing amplifier with offset cancellation

Номер патента: WO2024006848A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Current sensing amplifier with offset cancellation

Номер патента: US20230417806A1. Автор: Ravi Ananth,Edward Lee,Michael Chapman. Владелец: Efficient Power Conversion Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Aging compensation for poly-resistor based current sense amplifier

Номер патента: US20230417854A1. Автор: Ryan Desrosiers. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Current sense amplifier and method

Номер патента: US20020180418A1. Автор: David Jones,Heinz-Juergen Metzger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Dc restore scheme for capacitive sensing amplifiers with optimal noise filtering

Номер патента: US20240186971A1. Автор: Federico Mazzarella,Luca Collamati. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Sense amplifier decoding in a memory device to reduce power consumption

Номер патента: US5848428A. Автор: Michael J. Collins. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Current sense amplifier circuit and trimming method of offset referred to input voltage

Номер патента: US20240063767A1. Автор: Hao-Yu Li,Chia-Tseng Chiang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-02-22.

Supply voltage sense amplifier

Номер патента: CA1182167A. Автор: James R. Kuo. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-02-05.

Transistor arrangement, sense-amplifier arrangement and methods of manufacturing the same via a phase shift mask

Номер патента: US20080042171A1. Автор: Mario Hennig,Rainer Pforr,Karsten Zeiler,Jörg Thiele,Sebastian Mosler,Thi Phuong Hoa Nguyen. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-02-21.

Automated method for accounting of material inventory with increased reliability of accounting operation coding

Номер патента: RU2761128C1. Автор: Семён Геннадьевич Кучин,Дмитрий Владимирович Судовский. Владелец: Дмитрий Владимирович Судовский. Дата публикации: 2021-12-06.

Mode of receiving an image with increased resolution

Номер патента: RU2319948C2. Автор: Юрий Владимирович Микляев,Сергей Александрович Ассельборн,ев Юрий Владимирович Микл (RU),Сергей Александрович Ассельборн (RU). Владелец: Сергей Александрович Ассельборн. Дата публикации: 2008-03-20.

Differential phase-contrast imaging with increased dynamic range

Номер патента: RU2596805C2. Автор: Томас КЕЛЕР,Эвальд РЕССЛ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2016-09-10.

Photoprotein with increased bioluminescence

Номер патента: RU2340629C2. Автор: Мари ФОТИ,Мария ФОТИ,Штефан ЛОМЕР. Владелец: Аксам С.Р.Л.. Дата публикации: 2008-12-10.

Luminescence concentrator with increased efficiency

Номер патента: RU2689302C2. Автор: Мартинус Петрус Йозеф ПЕТЕРС. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2019-05-27.

Heat flow sensor with increased heat exchange

Номер патента: RU2757064C1. Автор: Джейсон Х. РАД. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2021-10-11.

Method for determination of reduction of oestriol in placental homogenate in connection with increase in synthesis of phosphodiesterase in aggravated cytomegaloviral infection in third trimester of gestation

Номер патента: RU2580763C1. Автор: Михаил Тимофеевич Луценко,Инна Викторовна Довжикова,И.А. Андриевская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Дальневосточный научный центр физиологии патологии дыхания". Дата публикации: 2016-04-10.

System of matrix switches with multiple bus arbitrations in each cycle by means of arbitration device with increased frequency

Номер патента: RU2370807C2. Автор: Джая Пракаш Субраманиам ГАНАСАН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-10-20.

Fiber optic closure terminals with increased versatility

Номер патента: WO2018090582A1. Автор: Xu Qing,Chaoqian ZHEJIAN. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2018-05-24.

Systems and methods for magnetic resonance fingerprinting with increased volumetric coverage using deep learning reconstruction

Номер патента: WO2023129630A1. Автор: Ouri COHEN. Владелец: Memorial Hospital for Cancer and Allied Diseases. Дата публикации: 2023-07-06.

Systems and methods for magnetic resonance fingerprinting with increased volumetric coverage using deep learning reconstruction

Номер патента: AU2022425085A1. Автор: Ouri COHEN. Владелец: Memorial Hospital for Cancer and Allied Diseases. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for magnetic resonance fingerprinting with increased volumetric coverage using deep learning reconstruction

Номер патента: CA3242506A1. Автор: Ouri COHEN. Владелец: Memorial Hospital for Cancer and Allied Diseases. Дата публикации: 2023-07-06.

Tumor infiltrating lymphocytes with increased metabolic activity

Номер патента: US20240358835A1. Автор: Moran Meiron,Vered CAPLAN. Владелец: Orgenesis Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Gaming system with increasing odds of winning

Номер патента: US09489803B2. Автор: Justin Wald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for determining hysteresis losses with a torque system with increased temperatures

Номер патента: RU2680976C2. Автор: Валерий Петрович Измайлов,Олег Всеволодович Карагиоз,Владимир Михайлович Шахпаронов. Владелец: Владимир Михайлович Шахпаронов. Дата публикации: 2019-03-01.

Eyepiece with increased eye relief of the exit pupil

Номер патента: RU2652660C1. Автор: Александр Иванович Белоусов,Георгий Васильевич Вазагов. Владелец: Акционерное общество "Новосибирский приборостроительный завод". Дата публикации: 2018-04-28.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Device for current sensing in an amplifier with pmos voltage conversion

Номер патента: US20020079930A1. Автор: Kevin Zhang,Liqiong Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Phase locked loop with sense amplifier circuitry

Номер патента: US09871527B2. Автор: James D. Strom,Michael A. Sperling,Grant P. Kesselring,David M. Friend. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Operational transconductance amplifier, reconfigurable fully differential voltage sensing amplifier and reconfigurable fully differential capacitive sensing amplifier

Номер патента: US9337779B2. Автор: Sheng-Yu Peng,Tzu-Yun Wang,Min-Rui Lai. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2016-05-10.

Sense amplifier with tri-state bus line capabilities

Номер патента: CA1044334A. Автор: Ury Priel. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-12-12.

Clocked half-rail differential logic with single-rail logic and sense amplifier

Номер патента: US20040041589A1. Автор: Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Clocked half-rail differential logic with sense amplifier and shut-off

Номер патента: US20040036503A1. Автор: Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Sense amplifier with tri-state bus line capabilities

Номер патента: US3980898A. Автор: Ury Priel. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1976-09-14.

Bidirectional current sense amplifier

Номер патента: US20190068144A1. Автор: Razvan PUSCASU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Cardiac sense amplifier for capture verification

Номер патента: WO2000067842A1. Автор: Paul Haefner,Qingsheng Zhu,Scot C. Boon,Michael Lyden,Mark Gryzwa. Владелец: Cardiac Pacemakers, Inc.. Дата публикации: 2000-11-16.

Sense-amplifier control circuit and controlling method of sense amplifier

Номер патента: US8067963B2. Автор: Tsuneaki Fuse,Seiro Imai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-29.

Offset correction for sense amplifier

Номер патента: US09621176B2. Автор: Simon Forey,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Offset correction for sense amplifier

Номер патента: US09485119B1. Автор: Simon Forey,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Sense amplifier

Номер патента: US5276407A. Автор: Federico Faggin,Carver A. Mead. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 1994-01-04.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Reduction of Charge Injection Noise in Sense Amplifiers of High-Speed Data Interfaces

Номер патента: US20240313708A1. Автор: Chieh-Yuan Chao,Jenghung Tsai. Владелец: Parade Technologies Ltd USA. Дата публикации: 2024-09-19.

Offset correction for sense amplifier

Номер патента: US20170019119A1. Автор: Simon Forey,Parmanand Mishra. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Driver circuit for use with a sensing amplifier in a memory

Номер патента: US5844428A. Автор: Yong H. Jiang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Cascode array cell partitioning for a sense amplifier of a programmable logic device

Номер патента: US5491433A. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-02-13.

Low-Offset Current-Sense Amplifier and Operating Method Thereof

Номер патента: US20120293260A1. Автор: Shin-Jang Shen,Meng-Fan Chang,Yu-Der Chih,Yu-Fan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-11-22.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US11671062B2. Автор: Marco Berkhout,Quino Sandifort,Gayatri Agarwal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-06-06.

Method for clock control of clocked full-rail differential logic circuits with sense amplifier and shut-off

Номер патента: US20040066214A1. Автор: Edgardo Klass,Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US20220069782A1. Автор: Marco Berkhout,Quino Sandifort,Gayatri Agarwal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-03-03.

Physiological signal amplifier with voltage protection and fast signal recovery

Номер патента: EP2414039A1. Автор: Kevin A. Wanasek. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2012-02-08.

Physiological signal amplifier with voltage protection and fast signal recovery

Номер патента: WO2010114655A1. Автор: Kevin A. Wanasek. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2010-10-07.

Physiological signal amplifier with voltage protection and fast signal recovery

Номер патента: US20130296974A1. Автор: Kevin A. Wanasek. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2013-11-07.

Offset nulling for high-speed sense amplifier

Номер патента: US20190173440A1. Автор: Todd Morgan Rasmus,Minhan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Isolation amplifier with precise timing of signals coupled across isolation barrier

Номер патента: US4748419A. Автор: Thomas A. Somerville. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Isolation amplifier with precise timing of signals coupled across isolation barrier

Номер патента: US4835486A. Автор: Thomas A. Somerville. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1989-05-30.

Self-biasing sense amplifier

Номер патента: US6169424B1. Автор: Nasser A. Kurd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2001-01-02.

Bonded assembly with vertical power and control signal connection adjacent to sense amplifier regions and methods of forming the same

Номер патента: WO2021154325A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

Compensation of common mode voltage drop of sensing amplifier output due to decision feedback equalizer (dfe) taps

Номер патента: WO2022055697A3. Автор: Jing Wu,Ying DUAN,Zhi Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-14.

Compensation of common mode voltage drop of sensing amplifier output due to decision feedback equalizer (dfe) taps

Номер патента: US20220077830A1. Автор: Jing Wu,Ying DUAN,Zhi Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Intermediate cascade of operational amplifier with paraphrase output on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2720555C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Николай Владимирович Бутырлагин,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

High sensitivity sense amplifier using different threshold valued MOS devices

Номер патента: US4494020A. Автор: Satoshi Konishi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-15.

Current-mirror type sense amplifier

Номер патента: US4697112A. Автор: Mitsuo Isobe,Akira Aono,Nobuaki Urakawa,Takayuki Ohtani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-09-29.

High-speed soft-edge sense-amplifier-based flip-flop

Номер патента: US10038429B1. Автор: Manish Srivastava,Venkat Narayanan,Venugopal Boynapalli,Qi Ye. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Front trunk including closure providing increased headroom and shade

Номер патента: US11926287B2. Автор: Benjamin Howard,Michael John Harmon,Kathryn N. Cezar,Hussain Z. Tajmahal. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

Front trunk including closure providing increased headroom and shade

Номер патента: US20230391268A1. Автор: Benjamin Howard,Michael John Harmon,Kathryn N. Cezar,Hussain Z. Tajmahal. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Linearized class c amplifier with dynamic biasing

Номер патента: EP1344312A2. Автор: Tirdad Sowlati. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-09-17.

Semiconductor optical amplifier with transverse laser cavity intersecting optical signal path and method of fabrication thereof

Номер патента: US20030067675A1. Автор: Shih-Yuan Wang,Miao Zhu. Владелец: Gazillion Bits Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for correction of metabolic disorders in persons of working age with increased body weight index (bwt)

Номер патента: RU2711540C1. Автор: Анатолий Дмитриевич Фесюн,Валерий Николаевич Сергеев,Глеб Николаевич Барашков,Ильмира Ринатовна Гильмутдинова,Александр Борисович Петухов,Михаил Владимирович Никитин,Ольга Михайловна Мусаева,Ирина Михайловна Чукина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр реабилитации и курортологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ РК" Минздрава России). Дата публикации: 2020-01-17.

Fermented nutrition high in lactose with increased iron bioavailability

Номер патента: RU2677924C2. Автор: Томас ЛЮДВИГ,Хаукье БАУРИТИУС,ДЕН БРАК Клаудиа Катарина Мария ВАН. Владелец: Н.В. Нютрисиа. Дата публикации: 2019-01-22.

Operational amplifier with increased settling speed

Номер патента: CA1143018A. Автор: Veikko R. Saari. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-03-15.

Band pass arc-filter on two operational amplifiers with increase in pole frequency and independent adjustment of main parameters

Номер патента: RU2694134C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дарья Юрьевна Денисенко,Григорий Альбертович Свизев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Flat inductance coil with increased magnification factor

Номер патента: RU2523932C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Николай Николаевич Олюнин,Ки Ён Ким,Кум Су Сонг,Владимир Михайлович Парфеньев. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2014-07-27.

Stabilised composition of ivermectin fodder premix with increased storage term and method of its manufacturing

Номер патента: RU2370953C2. Автор: Кит Аллан ФРИХАУФ. Владелец: Мериал Лимитед. Дата публикации: 2009-10-27.

Potato with increased starch yield on conversion to individual plant and method for producing the same

Номер патента: RU2289914C2. Автор: Хиро ки КИСАКА,Хирояки КИСАКА,Суити ЯНАГИСАВА,Тетсу МИВА,Тетсуя МИВА,Аи АКИЯМА. Владелец: Адзиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2006-12-27.

Method of terracing with increasing a humus layer on extraction strip of a bed for intensive gardening

Номер патента: RU2646232C2. Автор: Владимир Нажмудинович Бербеков,Жамал Хажиосманович Бакуев,Хадис Ибрагимович Кучмезов,Садин Талович Кармов,Ильяс Османович Темиржанов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное научное учреждение "Северо-Кавказский научно-исследовательский институт горного и предгорного садоводства". Дата публикации: 2018-03-02.

Fat with increased content of triglycerides, method of preparing and food composition and spread containing the same

Номер патента: RU2307518C2. Автор: Экхард ФЛЕТЕР. Владелец: Юнилевер Н.В.. Дата публикации: 2007-10-10.

Method for production of cold-deformed steel reinforcement of periodic profile with increased plastic properties

Номер патента: RU2768064C1. Автор: Яков Викторович Чикишев,Андрей Владимирович Зиновенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Абинский ЭлектроМеталлургический завод". Дата публикации: 2022-03-23.

Textile surface with increased degree of visual contrast

Номер патента: RU2244770C1. Автор: Лоран ТИРИО. Владелец: Кермель. Дата публикации: 2005-01-20.

Three-phase ac-to-dc converter with increased power factor

Номер патента: RU2766558C1. Автор: Константин Львович Ковалев,Юрий Игоревич Кован,Сергей Иосифович Вольский,Дмитрий Александрович Сорокин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2022-03-15.

Dc voltage converter into quasi-sinusoidal three-phase voltage with increased power

Номер патента: RU2762829C1. Автор: Геннадий Сергеевич Мыцык. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2021-12-23.

Spacer with increased head pressure

Номер патента: RU2741843C2. Автор: Педер Стаусхольм АНДРЕАСЕН,Петур ЙЕНСЕН. Владелец: Тюборен Скибссмедие А/С. Дата публикации: 2021-01-29.

Silicate coating with increased durability and method of its preparation

Номер патента: RU2669642C2. Автор: Григорий Иванович Яковлев,Григорий Николаевич Первушин,Арина Валентиновна Шайбадуллина,Ирина Сергеевна Полянских,Эльдар Вагифович Алиев,Андрей Михайлович Огнев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова". Дата публикации: 2018-10-12.

Method for production of black ginseng with increased content of rh2 ginsenosids and black ginseng produced by such method

Номер патента: RU2569558C2. Автор: Санг Вха КО,Ван Сеок КО. Владелец: АН Ян Ю. Дата публикации: 2015-11-27.

Ballistic composite materials with increased flexibility and the method of their manufacturing

Номер патента: RU2441889C2. Автор: Ашок БХАТНАГАР,Дэвид А. ХЕРСТ,Брайан Д. АРВИДСОН,Данэль Ф. ПАУЭРС,Дэвид А. СТИНКЭМЕР. Владелец: Хонейвелл Интернэшнл Инк.. Дата публикации: 2012-02-10.

Wheel-spin and yaw acs with increased-friction differential to add to stability

Номер патента: RU2449909C2. Автор: Дамронгрит ПИЯБОНГКАРН,Джей Я. ЛЬЮ,Джон Э. ГРОГ,Роберт Дж. КАЙЛ. Владелец: Итон Корпорейшн. Дата публикации: 2012-05-10.

Gene sections and genes associated with increased yield in plants

Номер патента: RU2758718C2. Автор: Эллисон Линн ВЕБЕР,Эльхан Султан ЭРСЁЗ,Роберт Джон БЕНСЕН,Тодд Ли УОРНЕР,Майкл Малон МАГВАЙР. Владелец: Зингента Партисипейшнс Аг. Дата публикации: 2021-11-01.

RF power amplifier with variable bias and load impedance

Номер патента: GB2395382A. Автор: Matthew Greene,Armin Klomsdorf,Clark Conrad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

DNA Polymerase Mutants with Increased Processivity of DNA Synthesis

Номер патента: US20190203190A1. Автор: LI Wang,Jing Wu. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-07-04.

Composition setting with increased time of pumping

Номер патента: RU2601953C1. Автор: Крэйг Уэйн РОДДИ,Даррелл Чэд БРЕННИС,Джитен ЧАТТЕРДЖИ,Бобби Джо КИНГ. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2016-11-10.

Fused protein or peptide with increased half lifetime in vivo, which is maintained due to slow release in vivo, and method for increasing half lifetime in vivo using it

Номер патента: RU2503688C2. Автор: Хуе-Син ЧУНГ,Сонг Бум Ю,Санг Ми ЛИ. Владелец: Алтеоген, Инк. Дата публикации: 2014-01-10.

Design of package of special clothing with non-cohesive insulation with increased resistance to deformation

Номер патента: RU2756990C1. Автор: Иван Юрьевич Бринк,Евгений Евгеньевич Ширшов,Александр Юрьевич Сироткин,Ольга Васильевна Редькина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БВН Инжениринг". Дата публикации: 2021-10-08.

Method of processing meat semi-finished products with increased collagen content

Номер патента: RU2645886C1. Автор: Андрей Павлович Пермин,Дмитрий Валерьевич Гращенков. Владелец: Андрей Павлович Пермин. Дата публикации: 2018-02-28.

Amplifier with improved linearity

Номер патента: US20180083575A1. Автор: Baker Scott,Marcus Granger-Jones,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Kelvin Kai Tuan Yan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of weaving with increased crossing of warp and weaving loom for performance of the method

Номер патента: EP2099965A2. Автор: Josef Dvorak. Владелец: Vyzkumny Ustav Textilnich Stroju Liberec AS. Дата публикации: 2009-09-16.

Screen cloth with increased wear resistance and method for increasing the wear resistance of a screen cloth

Номер патента: CA3144167A1. Автор: Mathias Trojosky,Matthias Lenz,Thomas Rupp,Bernhard Wacker. Владелец: Allgaier Werke GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-13.

Package structure with increased capacitance and method

Номер патента: US20040188825A1. Автор: Mahadevan Survakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Method of weaving with increased crossing of warp and weaving loom for performance of the method

Номер патента: WO2008074268A3. Автор: Josef Dvorak. Владелец: Vyzk Ustav Textilnich Stroju L. Дата публикации: 2008-08-07.

Method of weaving with increased crossing of warp and weaving loom for performance of the method

Номер патента: WO2008074268A2. Автор: Josef Dvorak. Владелец: Vyzkumny Ustav Textilnich Stroju Liberec A.S.. Дата публикации: 2008-06-26.

Bacillus licheniformis host cell for production of a compound of interest with increased purity

Номер патента: US20240318188A1. Автор: Stefan Jenewein,Max Fabian FELLE,Christopher Sauer,Mathis APPELBAUM. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-09-26.

Filter with increased filtration area

Номер патента: RU2633601C2. Автор: Эрик Кэйди,Брайан Карр. Владелец: Эм-Ай ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-10-13.

Composition for cathode electrodeposition intended for formation of painted zinc-polymer coatings with increased hardness and water resistance

Номер патента: RU2638373C1. Автор: Евгений Михайлович Антипов,Михаил Юрьевич Квасников,Александр Валерьевич Павлов. Владелец: Александр Валерьевич Павлов. Дата публикации: 2017-12-13.

Method for production of rusks with increased nutritional value

Номер патента: RU2754875C1. Автор: Елена Ивановна Пономарева,Светлана Ивановна Лукина,Светлана Максимовна Павловская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2021-09-08.

Plants with increased yield, and method of their obtaining

Номер патента: RU2463351C2. Автор: Валери ФРАНКАР. Владелец: КРОПДИЗАЙН Н.Фи.. Дата публикации: 2012-10-10.

Mutant recombinant heparinase i with increased specific activity from pedobacter heparinus, dna fragment that codes the said heparinase

Номер патента: RU2650667C1. Автор: Сергей Павлович Синеокий,Лариса Николаевна Борщевская,Татьяна Леонидовна Гордеева,Анна Николаевна Калинина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научно-исследовательский институт генетики и селекции промышленных микроорганизмов Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ГосНИИгенетика). Дата публикации: 2018-04-16.

Method for manufacturing package with increased barrier properties

Номер патента: RU2756338C2. Автор: Дмитрий Викторович Савельев. Владелец: Дмитрий Викторович Савельев. Дата публикации: 2021-09-29.

Microorganism with increased production of l-amino acids and method for obtaining l-amino acids with its application

Номер патента: RU2549689C2. Автор: Кван Хо ЛИ,Кун Чуль ЛИ,Сок Мюн ЛИ,Юн Бин ХВАН. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2015-04-27.

Water-pressure storage tank for water with increased radon content

Номер патента: RU2750460C1. Автор: Виктор Гаврилович Петько,Максим Борисович Фомин,Владислав Викторович Самосюк,Алексей Борисович Рязанов,Валерий Валерьевич Кононец,Лилия Ринатовна Фомина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Оренбургский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2021-06-28.

Pharmaceutical product with increased stability, containing immunoglobulins

Номер патента: RU2748841C2. Автор: Ренцо ПЕДРУССИО,Регула ШТИГЕР. Владелец: Цсл Беринг Аг. Дата публикации: 2021-05-31.

Oil-and-gasoline-resistant frost-resistant rubber mixture with increased heat resistance

Номер патента: RU2719809C1. Автор: Николай Викторович Шадринов,Карл Петрович Антоев,Анна Романовна Халдеева,Марина Дмитриевна Соколова,Александра Афанасьевна Борисова,Валерия Валерьевна Павлова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Якутский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2020-04-23.

Stent with increased flexibility

Номер патента: RU2635474C1. Автор: Ясухиро СЁБАЯСИ. Владелец: Биомедикал Солюшнз Инк.. Дата публикации: 2017-11-13.

Calcium sulphate-based products with increased water resistance

Номер патента: RU2543008C2. Автор: Робин ФИШЕР. Владелец: Бпб Лимитед. Дата публикации: 2015-02-27.

Method for obtaining marmalade with increased vitamin e content

Номер патента: RU2631307C1. Автор: Александр Александрович Кролевец. Владелец: Александр Александрович Кролевец. Дата публикации: 2017-09-20.

Apparatus for quantum communication at side frequencies with increased discrete set of modulating signal phases

Номер патента: RU2744509C1. Автор: Георгий Петрович Мирошниченко,Андрей Алексеевич Гайдаш,Антон Владимирович Козубов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кванттелеком". Дата публикации: 2021-03-11.

Recombinant microorganism with increased ability to produce putrescine, and method of producing putrescine using said microorganism

Номер патента: RU2604806C2. Автор: Су Джин ЧОЙ,Юнг Леол ЯНГ,Хье Вон УМ,Сун Ху ДЖОН,Кьоунг Мин ЛИ,Мин Сун КАНГ,Хьянг ЧОЙ. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2016-12-10.

Piston ring with increased fatigue limit for internal combustion engine and method of piston ring manufacture

Номер патента: RU2633734C2. Автор: Штефан МАХЛИНЕР,Нигель ГРАЙ. Владелец: Федераль-Могуль Буршейд Гмбх. Дата публикации: 2017-10-17.

RESISTIVE ELEMENT OF A SPARK PLUG WITH INCREASED CONTENT OF THE ZrSiO4 PHASE

Номер патента: RU2765048C2. Автор: Бенедикт РАЙНШ,Патрик АРМСТРОНГ,Штефан НУФЕР,Хубертус БРАУН. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2022-01-25.

Beverage from rosebay leaves with increased content of potassium, magnesium, alanine, vitamin b6 and gamma-aminobutyric acid

Номер патента: RU2739950C1. Автор: Игорь Васильевич Лисиненко,Ирина Николаевна Лисиненко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «МАЙ». Дата публикации: 2020-12-30.

Tyre building drum with increased range of movement

Номер патента: RU2659249C2. Автор: МЛ. Роберт Л. МАРКУС. Владелец: Дейвиан Энтерпрайзиз, Ллк. Дата публикации: 2018-06-29.

Method of obtaining reindeer bone extract with increased amount of ganglioside

Номер патента: RU2580645C2. Автор: Дзонг Хоон КИМ,Хо Бонг ЛИ,Сео Дзин КИМ,Санг Чеол ОХ,Соо Хиун ПАРК,Сунг Уг ДЗУНГ,Биунг Дзунг МИН,Биунг Оон ДЗЕОН,Чанг Вон АХН. Владелец: Нонг Шим Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-04-10.

Adhesive composition and aluminium layered structure containing it with increased adhesive joints interlaminar strength

Номер патента: RU2625849C1. Автор: Марат Израильевич Лернер,Геннадий Евгеньевич Руденский,Игорь Владимирович Турунтаев,Иван Александрович Горбиков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Куранты". Дата публикации: 2017-07-19.

Redistiller with increased energy efficiency

Номер патента: RU2661589C1. Автор: Павел Александрович Литовка,Владимир Анатольевич Жупиков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью Производственная Фирма "Ливам" (Ооо Пф "Ливам"). Дата публикации: 2018-07-17.

Potato with increase starch in terms of each plant and method of its cultivation

Номер патента: RU2326527C2. Автор: Суити ЯНАГИСАВА,Тетсу МИВА,Тетсуя МИВА,Аи АКИЯМА,Хиро ки КИСАКИ,Хирояки КИСАКИ. Владелец: Адзиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2008-06-20.

Apparatus for forming monolithic pallet from pressed wood with increased load capacity

Номер патента: RU2750722C2. Автор: Паоло БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Имал С.Р.Л.. Дата публикации: 2021-07-01.

Diaphragm type electrolyzer with increased electrode surface for producing chlorine and caustic soda, method for making such electrolyzer

Номер патента: RU2293141C2. Автор: Джованни Менегини,Десью БАРРОС. Владелец: Де Нора Элеттроди С.П.А.. Дата публикации: 2007-02-10.

Installation for complex gas treatment with increased extraction of gas condensate and production of liquefied natural gas

Номер патента: RU2758362C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for obtaining yoghurt with increased iron content

Номер патента: RU2627158C1. Автор: Александр Александрович Кролевец. Владелец: Александр Александрович Кролевец. Дата публикации: 2017-08-03.

Bicycle cassette with increased tooth ratio

Номер патента: US12017730B2. Автор: Yuan-Shun Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-25.

Transgenic plants with increased titerpene saponin levels

Номер патента: US20070016982A1. Автор: Brian Mcgonigle,Carl Maxwell,Aideen Hession. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Lactose repressor proteins with increased operator DNA binding affinity

Номер патента: US20020193568A1. Автор: Catherine Foster,Kathleen Matthews,Liskin Swint-Kruse. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2002-12-19.

Golf balls having cores with increased hardness gradient

Номер патента: US20240261641A1. Автор: Manjari Kuntimaddi,Erin McDermott,Dennis Britton. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2024-08-08.

Centrifugal pump stage with increased compressive load capacity

Номер патента: US09683571B2. Автор: Narayanan Lakshmanan,David Milton Eslinger,Raju Ekambaram,Kean Wee Cheah,Lye Heng CHANG,Tony R. Morrison. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Modified polypeptide with increased half-life value, its preparing and using

Номер патента: RU2224764C2. Автор: Леонард Г. ПРЕСТА,Бредли Р. СНЕДЕКОР. Владелец: Генентек, Инк.. Дата публикации: 2004-02-27.

Cacao components, food products with increased content of polyphenol and methods of obtaining thereof

Номер патента: RU2355179C2. Автор: Кирк С. КИЛИ,Родни М. СНАЙДЕР,Лео Дж. мл. РОМАНЧУК,Ганс М. ГЕЙЕР,Мэри Е. МАЙЕРЗ,Эрик Дж. УАЙТАКР,Джон Ф. мл. ХАММЕРСТОУН,Гарольд Х. ШМИТЦ. Владелец: Марс, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-05-20.

Double-acting liquid separation device with increased pressure, system, complex and application of device

Номер патента: RU2764143C2. Автор: Торбьёрн МОЛЛАТТ. Владелец: Рсм Имэджиниринг Ас. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for producing a solution of polyacrylamide with increased viscosity

Номер патента: RU2751919C2. Автор: Бьерн Ланглотц,Юрген ДОЙВЕЛЬ,Линда ГАРЕЛЛА,Михаель Гунтер БРАУН. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2021-07-20.

Methods of obtaining catalyst systems with increased productivity

Номер патента: RU2647855C2. Автор: Тимоти Р. ЛИНН,Брюс Дж. САВАТСКИ,Ф. Дэвид ХУССЕЙН,Р. Эрик ПЕКУЕНО,Дэниел П. Мл. ЗИЛКЕР,Майкл Д. АВЕ. Владелец: ЮНИВЕЙШН ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-21.

Containers of a strengthened borosilicate glass with increased damage tolerance

Номер патента: RU2634133C2. Автор: Тереза ЧАНГ,Стивен Эдвард ДеМАРТИНО,Андрей Геннадьевич ФАДЕЕВ,Джон Стефен ПИНАСКИ,Роберт Энтони ШОТ,Кристофер Ли ТИММОНС,Дана Крейг БУКБАЙНДЕР. Владелец: Корнинг Инкорпорейтед. Дата публикации: 2017-10-24.

Fire-retardant intumescent paint with increased limit of fire resistance

Номер патента: RU2716448C1. Автор: Дмитрий Александрович Малюта. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Химиндустрия-Инвест". Дата публикации: 2020-03-11.

Method of catalytic conversion with increased output of diesel fuel with high cetane number

Номер патента: RU2547152C2. Автор: Чжихай ХУ,Юнь ЧЭНЬ,Юхао СЮЙ,Цзяньхун ГУН,Цунли ЧЭН,Шое ЦУЙ. Владелец: Ресерч Инститьют Оф Петролеум Процессинг, Синопек. Дата публикации: 2015-04-10.

Integrated gas treatment plant with increased gas condensate extraction

Номер патента: RU2753755C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин,Сергей Васильевич Акулов,Алена Геннадиевна Чиркова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Пегаз Инжиниринг". Дата публикации: 2021-08-23.

Glass melting furnace with increased efficiency

Номер патента: RU2715004C2. Автор: Хисаси КОБАЯСИ. Владелец: Праксайр Текнолоджи, Инк.. Дата публикации: 2020-02-21.

Method of processing oats to obtain oats with increased avenanthramide content

Номер патента: RU2660247C2. Автор: Йонгсоо ЧУНГ,Гэри Д. КАРДЕР,Роберт Э. ЧЕТЕЛ,И-Фан ЧУ,МА Урсула Ванеса ЛАЙ,Джастин А. ФРЕНЧ,Мэрианн О'ШИ,КЛИНКЕН Бернардус Ян-Виллем ВАН. Владелец: Дзе Квакер Оутс Компани. Дата публикации: 2018-07-05.

Composition setting with increased time of pumping

Номер патента: RU2601953C9. Автор: Крэйг Уэйн РОДДИ,Даррелл Чэд БРЕННИС,Джитен ЧАТТЕРДЖИ,Бобби Джо КИНГ. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2017-03-10.

Grain crusher with increased separation surface

Номер патента: RU2658704C1. Автор: Петр Алексеевич Савиных,Владимир Николаевич Нечаев,Сергей Юрьевич Булатов,Константин Евгеньевич Миронов. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Нижегородский государственный инженерно-экономический университет (НГИЭУ). Дата публикации: 2018-06-22.

Method for production of polyisoprene with increased content of cis-1,4-sequences

Номер патента: RU2281296C2. Автор: Филипп ЛОБРИ. Владелец: МИШЛЕН РЕШЕРШ Э ТЕКНИК С.А.. Дата публикации: 2006-08-10.

Cellulose fibers with increased surface

Номер патента: RU2656495C2. Автор: Бруно МАРКОЧЧИЯ,Харшад ПАНДЕ,Роберт М. Уилльямс. Владелец: ДОМТАР ПЭЙПЕР КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-06-05.

Differential amplifier with increased amplification factor

Номер патента: RU2416146C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Вячеслав Игоревич Романов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-04-10.

Differential amplifier with increased weakening of input cophased signal

Номер патента: RU2293433C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Сергеевич Будяков,ков Алексей Сергеевич Буд,Владимир Валентинович Крюков. Владелец: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2007-02-10.

Differential amplifier with increased amplification coefficient at low-ohmic load

Номер патента: RU2421891C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-06-20.

Differential amplifier with increased amplification factor

Номер патента: RU2419192C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Алексей Владимирович Жидков,Николай Николаевич Прокопенко (RU),Александр Игоревич Серебряков (RU),Алексей Владимирович Жидков (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-05-20.

Differential amplifier with increased amplification coefficient at low-ohmic load

Номер патента: RU2421885C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-06-20.

Differential amplifier with increased depletion of cophased signal

Номер патента: RU2278466C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Иванович Сергеенко,Владимир Валентинович Крюков. Владелец: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2006-06-20.

Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage

Номер патента: RU2419197C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Владимир Владимирович Косарев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-05-20.

Cascode differential amplifier with increased input differential resistance

Номер патента: RU2396699C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Николай Васильевич Ковбасюк. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2010-08-10.

Differential amplifier with increased input resistance

Номер патента: RU2413356C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Максим Владимирович Наумов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-02-27.

Differential amplifier with increased amplification factor

Номер патента: RU2416148C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Евгений Александрович Семенищев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-04-10.

Differential amplifier with increased weakening coefficient of cophased input signal

Номер патента: RU2317633C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Сергей Владимирович Крюков,Алексей Сергеевич Будяков. Владелец: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2008-02-20.

Differential amplifier with increased input resistance

Номер патента: RU2393628C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Даниил Николаевич Конев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2010-06-27.

Cascode differential amplifier with increased amplification ratio

Номер патента: RU2455756C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Илья Викторович Пахомов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-07-10.

Cascode differential amplifier with increased amplification ratio

Номер патента: RU2439787C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Сергей Сергеевич Белич,Максим Владимирович Наумов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮГУЭС"). Дата публикации: 2012-01-10.

Differential amplifier with increased amplification coefficient as to voltage

Номер патента: RU2421896C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Андрей Александрович Сильнов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-06-20.

Cascode differential operational amplifier with low zero offset voltage and high gain

Номер патента: RU2426221C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2011-08-10.

Steel for manufacture of items with increased hardness penetration

Номер патента: RU2532628C1. Автор: Юрий Николаевич Симонов,Михаил Юрьевич Симонов,Григорий Сергеевич Шайманов,Денис Павлович Подузов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2014-11-10.

Method for producing of tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2290019C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Игорь Александрович Татарченко. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2006-12-27.

Method for producing of aromatized tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2306035C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for producing of aromatized tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2290002C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Игорь Александрович Татарченко. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2006-12-27.

Method of feeding poultry for obtaining eggs and meat with increased content of iodine and selenium

Номер патента: RU2547469C1. Автор: Владимир Иванович Фисинин,Иван Афанасьевич Егоров,Сергей Михайлович Юдин,Юрий Александрович Пономаренко. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский и технологический институт птицеводства Россельхозакадемии. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for preparation of bakery products with increased nutritive and biological value

Номер патента: RU2596849C1. Автор: Ольга Валерьевна Скрипко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт сои". Дата публикации: 2016-09-10.

Method of production of low alloyed cold-resistant welded rolled plates with increased corrosion resistant

Номер патента: RU2569619C1. Автор: Сергей Иванович Новоселов,Наталия Павловна Шеремет,Анна Александровна Попова,Наталья Николаевна Сафронова. Владелец: Публичное акционерное общество "Северсталь" (ПАО "Северсталь"). Дата публикации: 2015-11-27.

Method for producing of aromatized tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2289979C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Игорь Александрович Татарченко. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2006-12-27.

Roll of pilger mill for rolling of thin-wall tubes with diameter of 508 mm with increased accuracy as to wall

Номер патента: RU2542131C1. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Виктор Николаевич Еремин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Кирилл Николаевич Никитин,Владимир Яковлевич Осадчий,Евгений Юрьевич Шмаков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Валерий Александрович Головинов,Александр Анатольевич Сафьянов,Владимир Сергеевич Баричко,Владимир Петрович Пашнин. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2015-02-20.

Method for production of cultured milk product with increased iodine content

Номер патента: RU2506801C1. Автор: Анатолий Иванович Бараников,Вера Васильевна Крючкова,Наталья Ивановна Мосолова,Владимир Анатольевич Бараников,Александр Иванович Тариченко,Карина Александровна Голубова,Наталья Николаевна Фурс. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Донской государственный аграрный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Method for treating human diseases accompanied with increased dna content in extracellular spaces of tissues and medicinal preparation for its realization

Номер патента: RU2308968C2. Автор: Виктор Вениаминович Тец,Георгий Викторович ТЕЦ,Дмитрий Дмитриевич Генкин. Владелец: Дмитрий Дмитриевич Генкин. Дата публикации: 2007-10-27.

Method of producing of intermetallic alloys based on titanium aluminide with increased niobium content

Номер патента: RU2576288C1. Автор: Александр Владимирович Александров,Александр Юрьевич Безуглов,Владимир Григорьевич Смирнов,Константин Александрович Токарев,Надежда Алексеевна Ночовная,Светлана Владимировна Скворцова,Андрей Владиславович Андреев,Виктор Васильевич Кодинцев,Игорь Львович Волков. Владелец: Открытое акционерное общество "Чепецкий механический завод" (ОАО ЧМЗ). Дата публикации: 2016-02-27.

Differential stage with increased voltage gain

Номер патента: RU2461957C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Алексей Иванович Сергеенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-09-20.

Production method of choux spice cakes with increased nutritive value

Номер патента: RU2386254C1. Автор: Газибег Омарович Магомедов,Светлана Ивановна Лукина,Надежда Николаевна Алехина,Ирина Валентиновна Черемушкина,Анна Сергеевна Аносова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежская государственная технологическая академия". Дата публикации: 2010-04-20.

Method for producing of tobacco with increased filling property

Номер патента: RU2309643C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Елена Анатольевна Юшина. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2007-11-10.

Modifying agent for carbon and low-alloyed steel for rolled products and tubes from steel with increased corrosion resistance

Номер патента: RU2387727C2. Автор: Александр Иванович Зайцев,Ирина Гавриловна Родионова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВПО Сталь". Дата публикации: 2010-04-27.

Compound for receiving of polymerous inhibited coating with increased oil absorbtion and plating method of polymerous inhibited coating with increased oil absorbtion

Номер патента: RU2359069C2. Автор: Валентин Николаевич Нарышкин,Антонина Николаевна Михайлова,Ирина Владимировна Левитина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИНПРОМСЕРВИС XXI ВЕК". Дата публикации: 2009-06-20.

Differential amplifier with increased weakening of input cophased signal

Номер патента: RU2458455C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Сергей Владимирович Крюков,Сергей Сергеевич Белич. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-08-10.

Method for producing of tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2306033C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко,Олег Иванович Квасенков (RU),Ирина Игоревна Татарченко (RU). Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2007-09-20.

Thermostable rubber mixture with increased hardness

Номер патента: RU2567291C1. Автор: Марат Мирсатович Нагуманов,Михаил Сергеевич Резников,Сергей Иванович Сандалов,Николай Филиппович Ушмарин,Азат Шамилович Мингазов,Леонид Петрович Старухин,Надежда Андреевна Семенова. Владелец: Акционерное общество "Чебоксарское производственное объединение имени В.И. Чапаева". Дата публикации: 2015-11-10.

Ionic source of glow discharge with increased illumination

Номер патента: RU2504859C1. Автор: Константин Сергеевич Фокин,Александр Иванович Ханчук,Георгий Георгиевич Сихарулидзе. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Минерал "Нано-Технология". Дата публикации: 2014-01-20.

Fiber-optic light-pipe with increased steadfastness to diffusion of molecules from the environment

Номер патента: RU2314556C2. Автор: Евгений Михайлович Дианов,Сергей Львович Семенов,Алексей Федорович Косолапов. Владелец: Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук НЦВО при ИОФ РАН. Дата публикации: 2008-01-10.

Pile with increased resistance to heaves

Номер патента: RU2441964C1. Автор: Юрий Робертович Гунгер,Николай Николаевич Агаркин,Денис Александрович Близниченко. Владелец: Николай Николаевич Агаркин. Дата публикации: 2012-02-10.

Secrecy mechanism for high-reliability lock with increased resistance to breaking-in

Номер патента: RU2253724C2. Автор: Ю.А. Иванов,Ю.А. Камынин. Владелец: Иванов Юрий Анатольевич. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of growing calves in areas with increased radioactivity

Номер патента: RU2373706C1. Автор: Ирина Михайловна Донник,Ирина Алексеевна Шкуратова,Альбина Геннадьевна Исаева,Анна Сергеевна Кривоногова,Евгения Николаевна Шилова,Александр Терентьевич Татарчук. Владелец: Государственное научное учреждение Уральский научно-исследовательский ветеринарный институт. Дата публикации: 2009-11-27.

Method for producing of dried milk with increased thermal stability and solubility

Номер патента: RU2248130C2. Автор: В.Д. Харитонов,А.Н. Петров,В.В. Павлова,н А.Г. Галст,А.Г. Галстян,И.А. Радаева. Владелец: Радаева Искра Александровна. Дата публикации: 2005-03-20.

Method of packaging meat products with increased positive temperatures of storage

Номер патента: RU2568132C2. Автор: Мушег Лорисович Мамиконян,Алишер Вафоевич Адылов,Армен Вагинакович Погосян. Владелец: Армен Вагинакович Погосян. Дата публикации: 2015-11-10.

Coupler with increased noise protection and high speed information transmission

Номер патента: RU2334361C2. Автор: Геннадий Александрович Кыштымов,Сергей Геннадьевич Кыштымов,Виктор Васильевич Бондаренко,Владимир Викторович Бондаренко. Владелец: Владимир Викторович Бондаренко. Дата публикации: 2008-09-20.

Cardiomonitor for detecting informative parametres of st-segment of electrocardiosignal with increased accuracy

Номер патента: RU2372840C1. Автор: Сергей Александрович Турко,Ахсарбек Хизирович Амилаханов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное объединение "Сатурн". Дата публикации: 2009-11-20.

Method of obtaining pectins with increased content of galactose residues from callus cultures

Номер патента: RU2550952C1. Автор: Елена Александровна Гюнтер,Юрий Семенович Оводов,Оксана Викторовна Попейко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физиологии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-05-20.

Method for making conversion tubes of hard-to-form kinds of steels and alloys with increased linear expansion factor

Номер патента: RU2220794C2. Автор: А.В. Сафьянов,нов А.В. Сафь,А.А. Фёдоров,Л.И. Лапин,И.А. Романцов,С.В. Ненахов,В.В. Игнатьев,В.А. Логовиков,Н.П. Климов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2004-01-10.

Diode switch with increased microwave power

Номер патента: RU2332757C2. Автор: Олег Васильевич Кустов,Юрий Яковлевич Ганьшин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2008-08-27.

Method for producing of bread with increased nutritive value

Номер патента: RU2244429C1. Автор: Е.И. Пономарева,Т.В. Санина,О.Н. Воропаева. Владелец: Государственное образовательное учреждение Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2005-01-20.

Control method for processes of drying and storage of plant materials with increased content of fatty acids

Номер патента: RU2534264C1. Автор: Сергей Александрович Шевцов,Алексей Викторович Дранников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВПО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2014-11-27.

Method for producing of bread with increased nutritive value

Номер патента: RU2266003C1. Автор: Е.И. Пономарева,Т.В. Санина,Н.В. Кондрашова,О.Н. Воропаева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежская государственная технологическая академия. Дата публикации: 2005-12-20.

Method of increasing corrosion resistance of structural materials, metal article with increased corrosion resistance

Номер патента: RU2595184C2. Автор: Саид Мирфаисович ШАРИКПУЛОВ. Владелец: Саид Мирфаисович ШАРИКПУЛОВ. Дата публикации: 2016-08-20.

Method for producing of aromatized tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2306044C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for producing of tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2306032C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for producing of aromatized tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2306034C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2007-09-20.

Design of package of special clothes with increased resistance to aerodynamic deformation

Номер патента: RU2535275C2. Автор: Иван Юрьевич Бринк,Елена Олеговна Лебедева,Светлана Юрьевна Матузова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-12-10.

Armoured box van module with increased mine resistance

Номер патента: RU2492406C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Митряев,Дмитрий Валерьевич Прокудин,Виктор Борисович Севастьянов,Михаил Петрович Брыкин,Владимир Александрович Безбородов,Денис Владимирович Петрунин. Владелец: Закрытое акционерное общество Корпорация "Защита". Дата публикации: 2013-09-10.

Drinking water with increased content of 1н2 16о and foodstuffs containing the same

Номер патента: RU2270590C1. Автор: Сергей Павлович Соловьев. Владелец: Сергей Павлович Соловьев. Дата публикации: 2006-02-27.

Submersible motor with increased power factor

Номер патента: RU2485660C2. Автор: Наиль Габдулбариевич Ибрагимов,Руслан Габделракибович Заббаров,Ильнур Дидарович Фаткуллин,Дмитрий Сергеевич Грабовецкий,Роберт Иршатович Гарифуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for producing sponge aerated biscuits with increased nutritional value

Номер патента: RU2640839C1. Автор: Елена Ивановна Пономарева,Светлана Ивановна Лукина,Ирина Петровна Пешкина,Марина Васильевна Пастухова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2018-01-12.

Method for producing of tobacco with increased filling capacity

Номер патента: RU2306789C1. Автор: Олег Иванович Квасенков,Ирина Игоревна Татарченко. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2007-09-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.