Edge rounded field effect transistors and methods of manufacturing.

Edge rounded field effect transistors and methods of manufacturing

Номер патента: WO2012087978A3
Опубликовано: 27-09-2012
Автор(ы): Shenqing Fang, Tung-Sheng Chen
Принадлежит: SPANSION LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Edge rounded field effect transistors and methods of manufacturing

Номер патента: US09412598B2. Автор: Shenqing Fang,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Edge rounded field effect transistors and methods of manufacturing

Номер патента: WO2012087978A2. Автор: Shenqing Fang,Tung-Sheng Chen. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722096B2. Автор: Shoji Yoshida,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230117607A1. Автор: Hideaki Matsuzaki,Takuya Tsutsumi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Memory field-effect transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190378845A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150236131A1. Автор: Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

The two-dimensional material field-effect transistor and its manufacture method of a kind of inverted T shape buried grid structure

Номер патента: CN106783623A. Автор: 吴云,曹正义. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2017-05-31.

Dual conducting floating spacer metal oxide semiconductor field effect transistor (DCFS MOSFET) and method to fabricate the same

Номер патента: US8809147B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2014-08-19.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Gate air spacer for fin-like field effect transistor

Номер патента: US11764281B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Structure and method for forming an oscillating MOS transistor and nonvolatile memory

Номер патента: US20100252876A1. Автор: James Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Lateral double-diffused transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100741B2. Автор: YANG LU,Guangtao Han,Weiwei Ge. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Field-effect transistor, field-effect transistor array structure and method of manufacturing field-effect transistor

Номер патента: US20220149166A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Field effect transistor (fet) stack and methods to form same

Номер патента: US20210336005A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Trench field-effect transistor and method for manufacturing trench fet

Номер патента: US20240105843A1. Автор: Jian Liu,Jinyong Cai,Shida DONG,Zhenhan Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and method of forming groove

Номер патента: US8450782B2. Автор: Takehiko Nomura,Yoshihiro Sato,Masayuki Iwami,Sadahiro Kato,Nariaki Ikeda,Takuya Kokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-28.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Vertical field effect transistor (VFET) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11804540B2. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Vertical field effect transistor (vfet) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242330A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Vertical field effect transistor (vfet) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230103070A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

SELF-ALIGNED SLOTTED ACCUMULATION-MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR (ACCUFET) STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20160099351A1. Автор: Hebert Francois,Bobde Madhur,Bhalla Anup. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150349125A1. Автор: CHEN Huang-Kui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Vertically movable gate field effect transistor (VMGFET) on a silicon-on-insulator (SOI) wafer and method of forming a VMGFET

Номер патента: US09450066B2. Автор: Kang-Hee Lee,In-Hyouk Song,Byoung Hee You,Heung Seok Kang. Владелец: Texas State University. Дата публикации: 2016-09-20.

Tunnel field effect transistor, semiconductor device and method

Номер патента: DE102013101162B4. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20190386136A1. Автор: KANG Ill Seo,Tae Yong Kwon,Oh Seong Kwon,Ki Sik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210226057A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Sung-Li Wang,Fang-Wei Lee,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Jung-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210126129A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

MIS field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030211718A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US09825138B2. Автор: HONG Yang,Wei Tang,Zachary K. Lee,Yunlong Liu,Yufei Xiong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US09406774B1. Автор: HONG Yang,Wei Tang,Zachary K. Lee,Yunlong Liu,Yufei Xiong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Junction field effect transistor (jfet) structure and methods to form same

Номер патента: US20210091236A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Ferroelectric capacitor, ferroelectric field effect transistor, and method used in forming an electronic component comprising conductive material and ferroelectric material

Номер патента: US09876018B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Field effect transistor with a high breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060141726A1. Автор: Ji-Su Kim,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20110215383A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Interfacial layer regrowth control in high-k gate structure for field effect transistor

Номер патента: EP2294609A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-16.

Device and methods for high-K and metal gate slacks

Номер патента: US09865510B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583610B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Trench type mosfet device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100155838A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method

Номер патента: US20200066719A1. Автор: Chang Che-Cheng,Wu Po-Chi,CHANG Chai-Wei,CHAO Yi-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,You Jia-Chuan,Lin Tien-Lu,Huang Lin-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-17.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09553171B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09653605B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Fin field effect transistor having airgap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369120A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Fin field effect transistor having airgap and method for manufacturing the same

Номер патента: US11776855B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230352592A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

3ds fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240379794A1. Автор: PENG Zhao,Huaxiang Yin,Zhenhua Wu,Jiaxin YAO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-14.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, BIOSENSOR COMPRISING THE SAME, METHOD OF MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING BIOSENSOR

Номер патента: US20180364194A1. Автор: KIM Sang Kyung,Lee Seok,PARK Sungwook,Lee Kwan Hyi,Jeun Minhong. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR ARRAY STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20220149166A1. Автор: LEE Kwanghee,Kim Sangwook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-05-12.

Gate structure of vertical FET and method of manufacturing the same

Номер патента: US11233146B2. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-25.

Gate structure of vertical fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123143A1. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Gate structure of vertical fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200357920A1. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Finfet and method of fabrication thereof

Номер патента: US20170345936A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

SELF-ALIGNED SLOTTED ACCUMULATION-MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR (ACCUFET) STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20180102435A1. Автор: Hebert Francois,Bhalla Anup,Bobde Madjur. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD OF CHARGE STORAGE STRUCTURE

Номер патента: US20180366547A1. Автор: LIU FU-CHOU. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

The plough groove type transistor and its manufacture method of a kind of optimization

Номер патента: CN107302021A. Автор: 康晓旭. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-27.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Fin-like field effect transistor (FinFET) device and method of manufacturing same

Номер патента: US09911735B2. Автор: Chih-Hao Chang,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

High voltage field effect transistors with superjunctions and method of making the same

Номер патента: US20240250119A1. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: US20240047455A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: WO2024035471A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-15.

Bifunctional graphene dielectrophoresis (dep)-graphene field effect transistor (gfet) device and methods for using same

Номер патента: WO2023244489A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Ruixue LI,Steven J. Koester,Nezhueyotl Izquierdo ARRIOLA. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 2023-12-21.

Logic elements comprising carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) devices and methods of making same

Номер патента: US10002908B2. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Structure for a field effect transistor (fet) device and method of processing a fet device

Номер патента: US20220020882A1. Автор: Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Attilio Belmonte,Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-20.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9355909B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US09761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Dual-channel field effect transistor device having increased amplifier linearity

Номер патента: US09711616B2. Автор: Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Karen M. Renaldo,Howell G. Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same field

Номер патента: US09911859B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US09660086B2. Автор: Chun-Yu Chen,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Hsin-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of manufacture therefor

Номер патента: US20160163849A1. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device wtih an interconnecting semiconductor electrode between first and second semiconductor electrodes and method of manufacture therefor

Номер патента: US09837526B2. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Field-effect transistors with buried gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312970A1. Автор: Paul Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US12094944B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Hiroshi Nakatsuji,Dai Iwata,Eiichi Fujikura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

A high electron mobility field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013176905A4. Автор: Karim S. Boutros,Sameh Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20190181234A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer,Viet Thanh Dinh,Valerie Marthe Girault. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-13.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Fin shape for fin field-effect transistors and method of forming

Номер патента: US09460968B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Vertical field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09786784B1. Автор: Hyung Suk Lee,Hyun Seung Song,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240258317A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Koichi Matsuno,Dai Iwata,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of Manufacturing a Vertical Junction Field Effect Transistor

Номер патента: US20160064534A1. Автор: Romain Esteve,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of manufacturing a vertical junction field effect transistor

Номер патента: US09666696B2. Автор: Romain Esteve,Cedric OUVRARD. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Memcapacitor devices, field effect transistor devices, and, non-volatile memory arrays

Номер патента: US8867261B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-21.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220077321A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935790B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240186183A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Horizontal nanosheet FETs and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09960232B2. Автор: Mark Rodder,Titash Rakshit,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Tall single-fin fin-type field effect transistor structures and methods

Номер патента: US09929157B1. Автор: Andreas Knorr,Nigel Graeme Cave,Ruilong Xie,Murat Kerem Akarvardar,Lars Liebmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit comprising a jfet transistor and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20210151559A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Gate all-around FinFET device and a method of manufacturing same

Номер патента: US09721970B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Gate all-around FinFET device and a method of manufacturing same

Номер патента: US09929270B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Fin field effect transistor, semiconductor device including the same and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09391134B2. Автор: Jung-Dal Choi,Jae-Hwan Lee,Sang-Su Kim,Chang-Jae Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Methods of forming integrated circuitry, methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor, and methods of forming field effect transistors

Номер патента: US20020197804A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09748239B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin-double-gated junction field effect transistor

Номер патента: US09536789B1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Semiconductor device comprising an insulated gate field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: USRE30251E. Автор: Else Kooi. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1980-04-08.

CMOS thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030111691A1. Автор: Woo-Young So. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-19.

Finfet having dual vertical spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170110568A1. Автор: Mark Rodder,Joon Goo Hong,Dharmendar Reddy Palle,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Parasitic capacitance reduction structure for nanowire transistors and method of manufacturing

Номер патента: US09893161B2. Автор: Genji Nakamura,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

A method for evaluating the quality of a laminate for evaluation of a thin film transistor, And quality management method of oxide semiconductor film

Номер патента: TWI652749B. Автор: 林和志,川上信之,三木綾. Владелец: 神戶製鋼所股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-01.

Transistor, method of manufacturing the transistor, electronic device including transistor, and electronic apparatus including the transistor

Номер патента: US20240222524A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Trench-gate-type field effect transistor device and method of manufacturing

Номер патента: EP4447121A1. Автор: Luther-King Ngwendson,Vinay Suresh,Hongyao LONG. Владелец: NIO Technology Anhui Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Field-effect transistor, and method of production

Номер патента: US20240234571A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Protrusion field-effect transistor and methods of making the same

Номер патента: US20240266399A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Georgios VALLIANITIS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10475892B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10147795B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Vertical field effect transistor

Номер патента: US09837553B1. Автор: John H. Zhang,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20020171113A1. Автор: Takaaki Murakami,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Group III-nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09905647B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-02-27.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: WO2005086237A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-15.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: EP1719183A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-08.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A3. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-04-01.

Junction field effect transistor using silicide connection regions and method of fabrication

Номер патента: WO2010011536A2. Автор: Ashok K. Kapoor,Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2010-01-28.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture

Номер патента: US09947770B2. Автор: JIAN Li,Kuo-In Chen,Kyle Terril. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture

Номер патента: US09761696B2. Автор: JIAN Li,Kuo-In Chen,Kyle Terril. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Transistor and switching system comprising silicon carbide and oxides of varying thicknesses, and method for providing the same

Номер патента: US09735263B2. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Insulated-gate field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: CA1150853A. Автор: Royce Lowis,Peter M. Tunbridge. Владелец: Peter M. Tunbridge. Дата публикации: 1983-07-26.

Field-effect transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312991A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US9559209B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20120168820A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US20160365457A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Metal-semiconductor field effect transistors (mesfets) having drains coupled to the substrate and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2006049677A2. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Allen. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2006-05-11.

Field-effect transistor, method of manufacturing the same, and radio-frequency device

Номер патента: US09659865B2. Автор: Hideki Tanaka,Daisaku Okamoto,Naoki Saka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Self-aligned, planarized thin-film transistors, devices employing the same, and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20020117717A1. Автор: Louis Hsu,Jack Mandelman,Li-Kong Wang,William Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Vertical tunneling field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190109214A1. Автор: Tae Yong Kwon,Yong Hee Park,Soo Yeon Jeong,Oh Seong Kwon,Kyung Yub JEON,Jong Ryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Optimum high density 3d device layout and method of fabrication

Номер патента: US20220059413A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Device integrated with junction field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252537A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704960B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755054B2. Автор: Hyeon Jun Lee,Ki Hwan Kim,Kap Soo Yoon,Jeong Uk Heo,Myung Kwan Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040164374A1. Автор: Kouji Ishikura. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

Circuits based on complementary field-effect transistors

Номер патента: US20190214469A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Annealed metal source drain overlapping the gate of a fin field effect transistor

Номер патента: US09935200B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Formation of a bottom source-drain for vertical field-effect transistors

Номер патента: US09799765B1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09748276B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Field effect transistor having a multilayer interconnection layer therein with tapered sidewall insulators

Номер патента: US5157469A. Автор: Yasushi Matsui,Hideaki Arima,Kaoru Motonami,Makoto Ohi,Tomonori Okudaira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8823005B2. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343715A1. Автор: Xiangdong Chen,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

An electrolyte-gated field-effect transistor with surfactant layer

Номер патента: WO2020216901A1. Автор: Qiaoming ZHANG,Marta Mas Torrent,Francesca LEONARDI. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2020-10-29.

Cfet with via fuse structure and method

Номер патента: US20240290865A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120037913A1. Автор: Seong-Hun Kim,Jean-Ho Song,Yang-Ho Bae,O-Sung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12074168B2. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Cross field effect transistor (xfet) architecture process

Номер патента: EP4409626A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363637A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647141B2. Автор: Tao Jiang,Botao SONG,Binbin CAO,Ling Han,Chengshao Yang,Junhao HAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Self-aligned slotted accumulation-mode field effect transistor (AccuFET) structure and method

Номер патента: US09882049B2. Автор: Francois Hebert,Madhur Bobde,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-01-30.

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR (JFET) STRUCTURE AND METHODS TO FORM SAME

Номер патента: US20210091236A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Holt Judson R.,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Self-aligned slotted accumulation-mode field effect transistor (ACCUFET) structure and method

Номер патента: US10468526B2. Автор: Francois Hebert,Madhur Bobde,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2019-11-05.

P-type field effect transistor (pfet) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI503991B. Автор: Wei Cheng Wu,Po Nien Chen,Harry Hak-Lay Chuang,Bao Ru Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-11.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

A kind of forming method of MOS transistor and the forming method of cmos image sensor

Номер патента: CN109065456A. Автор: 秋沉沉,曹亚民,梅翠玉. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-21.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Electrostatic discharge protection circuits using carbon nanotube field effect transistor (cntfet) devices and methods of making same

Номер патента: US20140268444A1. Автор: Claude L. Bertin. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Fin field-effect transistor with void and method of forming the same

Номер патента: US12068398B2. Автор: Yi-Jen Chen,Ming-Jhe Sie,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao,Hong Pin Lin,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Fin Field-Effect Transistor With Void and Method of Forming The Same

Номер патента: US20240371980A1. Автор: Yi-Jen Chen,Ming-Jhe Sie,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao,Hong Pin Lin,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Fin field effect transistor device with reduced overlap capacitance and enhanced mechanical stability

Номер патента: US09793378B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Bipolar field effect transistor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20140097472A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of forming vertical field-effect transistor devices having gate liner

Номер патента: US11915982B2. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210242091A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Field effect transistor (FET) devices and methods of manufacturing FET devices

Номер патента: US7804137B2. Автор: Hye-Jin Cho,Young-Joon Ahn,Dong-gun Park,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Field effect transistor (FET) devices and methods of manufacturing FET devices

Номер патента: US20050255656A1. Автор: Hye-Jin Cho,Young-Joon Ahn,Dong-gun Park,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-17.

Finfet integrated circuits and methods for their fabrication

Номер патента: US20150179644A1. Автор: Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Logic Elements Comprising Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) Devices and Methods of Making Same

Номер патента: US20130181189A1. Автор: Bertin Claude L.. Владелец: Nantero, Inc.. Дата публикации: 2013-07-18.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (VFET) DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210013112A1. Автор: PARK Yong Hee,Seo Kang Ill,Hong Sa Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (VFET) DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200020599A1. Автор: PARK Yong Hee,Seo Kang Ill,Hong Sa Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (VFET) DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190386136A1. Автор: KWON Tae Yong,KWON Oh Seong,Seo Kang Ill,Choi Ki Sik. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

For forming coating fluid, metal-oxide film, field-effect transistor and its manufacture method of metal-oxide film

Номер патента: CN107424910A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-01.

Fin field-effect transistor with void and method of forming the same

Номер патента: US11664444B2. Автор: Yi-Jen Chen,Ming-Jhe Sie,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao,Hong Pin Lin,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Vertical field-effect transistor (VFET) devices and methods of forming the same

Номер патента: US10818560B2. Автор: KANG Ill Seo,Yong Hee Park,Sa Hwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-27.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING AIRGAP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200043796A1. Автор: Lin Yu-Ming,Yeong Sai-Hooi,Lee Kai-Hsuan,Chui Chi-On. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20210074859A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Fin field effect transistor (finfet) device and method for forming the same

Номер патента: US20160111540A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200105603A1. Автор: Chang Shang-Wen,Lin Yi-Hsiung,CHIU Yi-Hsun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-02.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20190115473A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20190123205A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200161474A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210226057A1. Автор: Lin Keng-Chu,WANG Sung-Li,CHU Chia-Hung,CHANG Jung-Hao,LEE FANG-WEI,KHADERBAD Mrunal Abhijith. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-22.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210242332A1. Автор: Yeo Yee-Chia,Ma Ta-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-08-05.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200220019A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20170250286A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Field effect transistor, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: CN104638002A. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Fin-like field-effect transistor (finfet) device and method for fabricating the same

Номер патента: TWI545754B. Автор: 志強吳,江國誠,家馨馮. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-11.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US10840378B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Fin field effect transistor having airgap and method for manufacturing the same

Номер патента: US11557517B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US10164108B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Fin field effect transistor having airgap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230123292A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated circuit comprising at least one bipolar transistor and a corresponding method of production

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

N-type field effect thin film transistor and manufacturing method thereof, CMOS inverter and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108630760B. Автор: 赵建文,周春山,崔铮,徐文亚,许启启. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2021-11-30.

A kind of transistor, the radiator structure of transistor and the production method of transistor

Номер патента: CN103887339B. Автор: 赵志勇,王大朋,曾武,崔亦军,宗柏青,穆学禄. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271494A1. Автор: Takahiro Nakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US11764225B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130187244A1. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-25.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A2. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

PROGRAMMABLE FETs USING Vt-SHIFT EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: WO2012024037A3. Автор: Yue Liang,Yanfeng Wang,Qingqing Liang,Eduard A. Cartier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09634112B2. Автор: Chull Won JU,Jae Kyoung Mun,Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Sang Heung LEE,Hokyun Ahn,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Commonly-bodied field-effect transistors

Номер патента: US09818652B1. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Kai D. Feng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Field effect transistor including silicon oxide film and nitrided oxide film as gate insulator film and manufacturing method thereof

Номер патента: US5554876A. Автор: Shigeru Kusunoki,Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Vertical field effect transistors

Номер патента: US09653360B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical field effect transistors

Номер патента: US09570357B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: EP4404270A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240250126A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1763084A3. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09553191B1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Ying-Min Chou,Mon-Nan How. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226030A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device including a repeater/buffer at upper metal routing layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381414A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of Manufacturing Transistor Gate Structures by Local Thinning of Dummy Gate Stacks Using an Etch Barrier

Номер патента: US20200075588A1. Автор: MING-CHING Chang,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of Manufacturing Transistor Gate Structures by Local Thinning of Dummy Gate Stacks Using an Etch Barrier

Номер патента: US20200075586A1. Автор: MING-CHING Chang,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Stepped field plate wide bandgap field-effect transistor and method

Номер патента: US09929243B1. Автор: Keisuke Shinohara,Rongming Chu,Miroslav Micovic,David F. Brown,Andrea Corrion,Alexandros D. Margomenos,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of manufacturing field effect transistor with spacer structure

Номер патента: US20220262918A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor ferroelectric storage transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20180006130A1. Автор: Wei Zhang,Shigeki Sakai,Mitsue Takahashi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor ferroelectric storage transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09780186B2. Автор: Wei Zhang,Shigeki Sakai,Mitsue Takahashi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect thin film transistor and static-type semiconductor memory device provided with memory cell having complementary field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5382807A. Автор: Yasuo Inoue,Motoi Ashida,Kazuhito Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Impact ionization devices, and methods of forming impact ionization devices

Номер патента: US09373716B2. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Fin-Like Field Effect Transistor (FinFET) Device And Method Of Manufacturing Same

Номер патента: US20160064381A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Fin-Like Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20200066721A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160104706A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Fin-Like Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20180175032A1. Автор: Chih-Hao Chang,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Fin-like field effect transistor (finfet) device and method of manufacturing same

Номер патента: CN102468235B. Автор: 张志豪,许俊豪. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-28.

Fin-like field effect transistor (FinFET) device and method of manufacturing same

Номер патента: US10468408B2. Автор: Chih-Hao Chang,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Field effect transistor and an operation method of the field effect transistor

Номер патента: US7592659B2. Автор: Kazunori Isogai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Field effect transistor and an operation method of the field effect transistor

Номер патента: US20060223251A1. Автор: Kazunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

STRUCTURE FOR A FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) DEVICE AND METHOD OF PROCESSING A FET DEVICE

Номер патента: US20220020882A1. Автор: Kar Gouri Sankar,Delhougne Romain,Rassoul Nouredine,Belmonte Attilio. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

Logic Elements Comprising Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) Devices and Methods of Making Same

Номер патента: US20180301508A1. Автор: Bertin Claude L.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

The manufacturing method of field effect transistor and the manufacturing method of wireless telecom equipment

Номер патента: CN109716491A. Автор: 村濑清一郎,清水浩二,河井翔太. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2019-05-03.

Dual Conducting Floating Spacer Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (DCFS MOSFET) and Method to Fabricate the Same

Номер патента: US20130224917A1. Автор: WANG Lee. Владелец: FLASHSILICON, INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160111542A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-04-21.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20150236132A1. Автор: Chen Chang-Yin,Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,LIN Chih-Han,Lin Jr-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-08-20.

Field effect thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0513644A2. Автор: Kazuhito c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Tsutsumi,Motoi c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Ashida,Yasuo c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-11-19.

Field effect thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0513644B1. Автор: Kazuhito c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Tsutsumi,Motoi c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Ashida,Yasuo c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-27.

Novel semiconductor field effect positive feedback transistor and method based on bulk silicon substrate

Номер патента: CN110634955A. Автор: 万景. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-31.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006516A1. Автор: Yong Hae Kim,Chi-Sun Hwang,Jong-Heon Yang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-01-04.

The manufacture method of bipolar junction transistor and the preparation method of semiconductor chip

Номер патента: CN107481930A. Автор: 吴健,张焕云. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-15.

The preparation method of oxide thin film transistor and the preparation method of array substrate

Номер патента: CN109524476A. Автор: 陈蕾,王治,姚琪,曹占锋,袁广才,宁策,许晨,关峰,李禹奉. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

VERTICAL STACK TRANSISTOR, A DISPLAY DEVICE INCLUDING THE VERTICAL STACK TRANSISTOR, AND A MANUFACTURING METHOD OF THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20190206967A1. Автор: Kim Tae Young,Kim Dae-Hwan,KIM Hee-Joong,PARK Jong Woo,KWON Hyuck-ln,HONG Sae-Young. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Field effect transistor with elevated active regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859422B2. Автор: Akira Inoue,Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

FinFET and method of manufacturing the same

Номер патента: US09679962B2. Автор: Miao Xu,Huilong Zhu,Lichuan Zhao. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US09627433B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Fin semiconductor device and method of manufacture with source/drain regions having opposite conductivities

Номер патента: US09685528B2. Автор: Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Power FET with integrated sensors and method of manufacturing

Номер патента: US09748376B2. Автор: David J Baldwin,Abidur Rahman,Simon John Molloy,Gary Eugene DAUM. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Field effect transistor and method of manufacturing a field effect transistor

Номер патента: EP1738405A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139873A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Lower temperature polycrystalline silicon thin film transistor and method of manufacture thereof and oled display device

Номер патента: US20190386146A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor Device Comprising a Field Effect Transistor and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20160322464A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor Device Comprising a Field Effect Transistor and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20170162660A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-08.

Method of manufacturing schottky gate field transistor by ion implantation method

Номер патента: US4889817A. Автор: Hiroshi Nakamura,Tadashi Saito,Masanori Tsunotani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-26.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

MOS transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139875A1. Автор: Hak-Dong Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Tunnel field effect transistors

Номер патента: US09577079B2. Автор: Harald Gossner,Ramgopal Rao,Ram Asra. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2017-02-21.

A semiconductor integrated circuit device comprising an mos transistor and a bipolar transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: EP0139266B1. Автор: Hiroshi C/O Patent Division Iwasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-25.

Image forming device, image forming system and method of manufacturing image forming device

Номер патента: RU2638108C1. Автор: Масахиро КОБАЯСИ,Махито СИНОХАРА,Масацугу ИТАХАСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2017-12-11.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Systems and devices including fin transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: EP2245658A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-03.

Systems and devices including fin transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: WO2009105315A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Integration of vertical-transport transistors and electrical fuses

Номер патента: US10439031B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09876084B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09911598B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Symmetric tunnel field effect transistor

Номер патента: US09613867B2. Автор: Edward J. Nowak,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Suresh Gundapaneni,Aniruddha Konar,Narasimha R. Mavilla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Field-effect transistors with a body pedestal

Номер патента: US11764060B2. Автор: Steven M. Shank,Alvin J. Joseph,Michel J. Abou-Khalil,Michael J. Zierak. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical field-effect transistor

Номер патента: EP3347915A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Bhabendra K. Pradhan,Hyeonggeun Yu. Владелец: Nanoholdings LLC. Дата публикации: 2018-07-18.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Two-dimensional material-based wiring conductive layer contact structures, electronic devices including the same, and methods of manufacturing the electronic devices

Номер патента: US12142697B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536A4. Автор: Toshiharu Furukawa,James M Leas,Mark C Hakey,Steven J Holmes,David V Horak,Paul A Rabidoux,William H L Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536A2. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Paul A. Rabidoux,James M. Leas,William H. L. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for fabricating vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536B1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,David V. Horak,Paul A. Rabidoux,James M. Leas,William H. L. Ma,Steven J. c/o IBM United Kingdom Limited HOLMES. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor device with junction fet transistor having multi pinch-off voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240243132A1. Автор: Ji Man Kim,Hee Hwan JI,Song Hwa HONG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit (IC) with offset gate sidewall contacts and method of manufacture

Номер патента: US09704760B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09653477B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing a fin-like field effect transistor (FinFET) device

Номер патента: US09601598B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Chih Chieh Yeh,Tzu-Chiang CHEN,Tsu-Hsiu Perng,Chia-Cheng Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203531A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US11764215B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of manufacturing self aligned buried contact electrodes for vertical channel transistors

Номер патента: US20120149184A1. Автор: Jinyoung Kim,Jongchul Park,Sangsup Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-14.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Multiple-layer spacers for field-effect transistors

Номер патента: US09947769B1. Автор: TAO Han,Zhenyu Hu,Jinping Liu,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09847330B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with high packing density and having field effect transistors

Номер патента: US5385857A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Solid oxygen ionic conductor based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088240A1. Автор: Donghui Ma,Bin LEI,Xianhui Chen,Shihao Liu. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-03-14.

Field effect transistor, electronic apparatus including the same, and method of manufacturing the field effect transistor

Номер патента: US20230103876A1. Автор: Minsu Seol,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125774B2. Автор: Hisashi Shimura,Yoshiyasu Kuwabara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Fin-like field effect transistor (FinFET) based, metal-semiconductor alloy fuse device and method of manufacturing same

Номер патента: US09881837B2. Автор: Shien-Yang Wu,Wei-Chang Kung,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09768170B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09691766B1. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Jia-Ming Lin,Wei Ken Lin,Kuang Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical field effect transistor and method of manufacturing a vertical field effect transistor

Номер патента: US11201241B2. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Xin Miao,Richard Glen Southwick, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704752B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing thin film transistor and method of manufacturing display substrate having the same

Номер патента: US09412771B2. Автор: Masataka Kano,Sangho Park,Myounghwa KIM,Jun Hyung LIM,Soyoung Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Multi-gate field effect transistor (FET) including isolated FIN body

Номер патента: US09954002B2. Автор: Hongmei Li,Junjun Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US09899391B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09646993B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US09583497B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200402972A1. Автор: Fujio Shimizu,Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220005804A1. Автор: Fujio Shimizu,Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11152353B2. Автор: Fujio Shimizu,Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device that is advantageous in complex stress engineering and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070262391A1. Автор: Zhengwu Jin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Graphene transistor and method of manufacturing a graphene transistor

Номер патента: US12119388B2. Автор: SIMON Thomas,Robert Wallis,Ivor GUINEY,Thomas James BADCOCK. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Integration of vertical-transport transistors and planar transistors

Номер патента: US20190214307A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Body contact soi transistor structure and method of making

Номер патента: US20130026573A1. Автор: Dongping Wu,Shili Zhang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Self-aligned contacts for nanosheet field effect transistor devices

Номер патента: US20210183711A1. Автор: Juergen Boemmels,Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Eugenio Dentoni Litta,Pieter Weckx. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050035378A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09634033B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170110556A1. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of manufacturing semiconductor for transistor and method of manufacturing the transistor

Номер патента: US20110124152A1. Автор: Hong-Suk Yoo,Chang-Hoon Kim,Seon-Pil Jang,Bo-Kyoung Ahn,Gug-Rae Jo,Ju-han Bae,Min-Uk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-26.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09978746B2. Автор: Heonjong Shin,Eunsil Park,Dongho Cha,Seungseok HA,Keunhee Bai,Sunhom Steve Paak,Kyoung Hwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Field effect transistor having delay element with back gate

Номер патента: US09520391B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Myung-Hee Na,Terence B. Hook. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Asymmetric junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2010094541A1. Автор: David Collins,Robert Mark Rassel,Michael Joseph Zierak,Richard Phelps,Frederick Gustav Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-08-26.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8557653B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054302A1. Автор: Akira Fujihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Transistor, method of manufacturing the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09412769B2. Автор: Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Sun-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130109139A1. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Field-effect transistor, display element, display, system, and method of manufacturing field-effective transistor

Номер патента: US20170141237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Circuit comprising a cascode device and method of operating circuit

Номер патента: EP4170905A1. Автор: Maarten Jacobus Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09857329B2. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09494550B1. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Field effect transistor, display device , sensor, and method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20130328045A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8350304B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Tunneling field effect transistor and methods of making such a transistor

Номер патента: US09793384B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

III-V field effect transistor (FET) with reduced short channel leakage, integrated circuit (IC) chip and method of manufacture

Номер патента: US09515165B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Field-effect transistors with a non-relaxed strained channel

Номер патента: US09871057B2. Автор: Karen A. Nummy,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Germanium-based sensor with junction-gate field effect transistor and method of fabricating thereof

Номер патента: US12148853B2. Автор: JHY-JYI SZE,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: US09412818B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US20060281237A1. Автор: Akiyoshi Tamura,Yoshiharu Anda,Akiyoshi Kudo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: EP4117049A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-11.

Field effect semiconductor component and methods for operating and producing it

Номер патента: US09496364B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Peter Irsigler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Field-effect transistor, and methods for production

Номер патента: US20240234568A9. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: US20230008734A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-12.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

VERTICAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR (VFET) DEVICES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200357701A1. Автор: Kim Min Gyu,Hong Sa Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Surface modified diamond materials and methods of manufacturing

Номер патента: US20180212026A1. Автор: Mark A. Hollis,Theodore H. Fedynyshyn,Michael W. Geis. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-07-26.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09929268B2. Автор: Chii-Ming Wu,Ru-Shang Hsiao,Sen-Hong Syue,Chi-Cherng Jeng,Hung Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09853102B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US09525053B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160111420A1. Автор: Chang Che-Cheng,Chang Yung-Jung,CHENG Tung-Wen,ZHANG ZHE-HAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-04-21.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170316982A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Integrated circuit devices including strained channel regions and methods of forming the same

Номер патента: US20150123075A1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170098706A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2019148170A3. Автор: Denis Murphy,Samuel Fuller,Max SHULAKER,Tathagata Srimani,Yosi Stein. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-04-16.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923093B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-03-20.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09793403B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09608118B2. Автор: Sheng Wang,Lei Du,Xiangyang Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09490430B1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen,Sheng-Ting Fan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structures and methods of manufacture

Номер патента: US20150041895A1. Автор: Yanli Zhang,John J. Pekarik,Qizhi Liu,Yun Shi,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Microcrystalline organic semiconductor film, organic semiconductor transistor, and method of manufacturing organic semiconductor transistor

Номер патента: US20190237677A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Eiji Fukuzaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435B1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A8. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435A4. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A8. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-03-08.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A3. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-04-19.

Microcrystalline organic semiconductor film, organic semiconductor transistor, and method of manufacturing organic semiconductor transistor

Номер патента: US10985327B2. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Eiji Fukuzaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Double diffused field effect transistor having reduced on-resistance

Номер патента: EP1382071A1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Asymmetric field effect transistor structure and method

Номер патента: US20110101449A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090325357A1. Автор: Junji Koga,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Vacuum channel transistor and diode emitting thermal cathode electrons, and method of manufacturing the vacuum channel transistor

Номер патента: US20100102325A1. Автор: Hyun Tak Kim,Dae Yong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-04-29.

Thermal history devices, systems for thermal history detection, and methods for thermal history detection

Номер патента: US20150146761A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Husam Alshareef. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2015-05-28.

Compact source ballast trench mosfet and method of manufacturing

Номер патента: US20180315749A1. Автор: Ji Pan,Sik Lui,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4610076A. Автор: Seiji Ueda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1986-09-09.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Ion sensitive field effect transistors with protection diodes and methods of their fabrication

Номер патента: US09978689B2. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Richard De Souza,Patrice Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Thermal history devices, systems for thermal history detection, and methods for thermal history detection

Номер патента: US09976913B2. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Husam Alshareef. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical fin field effect transistor (V-FinFET), semiconductor device having V-FinFET and method of fabricating V-FinFET

Номер патента: US09870957B2. Автор: Myung Gil Kang,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786791B2. Автор: Jie Song,Gaofei Shi,Yijun Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09620627B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Field effect transistors having concave drain extension region and method of making the same

Номер патента: US12041770B2. Автор: Masashi Ishida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Transistor architecture having extended recessed spacer and source/drain regions and method of making same

Номер патента: US09786783B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09559168B2. Автор: Hung-Chih Chang,Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Der-Chuan Lai,Pin-Shiang Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Junction field effect transistor, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150102391A1. Автор: Edward John Coyne. Владелец: ANALOG DEVICES TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-04-16.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and intergrated circuits incorperating the transistors

Номер патента: NZ555625A. Автор: Igor Sankin,Jeffrey B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-01-28.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Dual mode memory system and method of working the same

Номер патента: US20190279701A1. Автор: Zhibiao Zhou,Yuanli Ding. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Vertical stacks of light emitting diodes and control transistors and method of making thereof

Номер патента: US11362134B2. Автор: Zhen Chen. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2022-06-14.

Improved oxide-based field-effect transistors

Номер патента: WO2008129238A1. Автор: Donal Donat Conor Bradley,Thomas Anthopoulos,Saif Ahmed Haque. Владелец: IMPERIAL INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2008-10-30.

Switch comprising a field effect transistor and integrated circuit

Номер патента: US10582580B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-03.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20130137231A1. Автор: Kazuhiro Onishi,Kazuhiro Tsukamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4443516A2. Автор: Doo Na Kim,Sang Sub KIM,Keun Woo Kim,Hye Na KWAK,Bum Mo SUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Hybrid junction field-effect transistor and active matrix structure

Номер патента: US09620726B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Tze-Chiang Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20150126026A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140284808A1. Автор: HASEBE Kazuhide,KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-25.

Stacked semiconductor device, and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US9343292B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Masaki Kurokawa,Tomoyuki OBU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit, and method and device of manufacture

Номер патента: JPH11186258A. Автор: Yasuhiro Mochizuki,Nobusuke Okada,康弘望月,亘右岡田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-07-09.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US20160181557A1. Автор: Matthew J. Walker,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER,John X. Przybysz, SR.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Fin-Like Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20130140637A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-06.

Logic Elements Comprising Carbon Nanotube Field Effect Transistor (CNTFET) Devices and Methods of Making Same

Номер патента: US20170005140A1. Автор: Bertin Claude L.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING WIRELESS COMMUNICATION DEVICE

Номер патента: US20200203292A1. Автор: MURASE Seiichiro,Wakita Junji,KAWAI Shota. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2020-06-25.

Organic thin film transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: US09887374B2. Автор: Hongyuan Xu,Changi Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: TW466128B. Автор: Katsuya Okumura,Yoshinori Yoshida. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

Vertical type nitride semiconductor light emitting device and method of of manufacturing the same

Номер патента: KR100723150B1. Автор: 김태준,오방원,백두고. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Lateral bipolar field effect mode hybrid transistor and method for the same

Номер патента: TW367595B. Автор: Anders Shederberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 1999-08-21.

Lateral bipolar field effect mode hybrid transistor and method for the same

Номер патента: CA2271313A1. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-05-22.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09508716B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Cheng-Tung Lin,Huicheng Chang,Wan-Chun Pan,Ming-Liang Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Capacitors, electrodes, reduced graphene oxide and methods and apparatuses of manufacture

Номер патента: EP3507823A4. Автор: Han Lin,Baohua Jia. Владелец: Swinburne University of Technology. Дата публикации: 2020-04-15.

Multivibrator employing field effect devices as transistors and voltage variable resistors in integrated semiconductive structure

Номер патента: US3134912A. Автор: Arthur D Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1964-05-26.

Organic thin film transistor and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20170237028A1. Автор: Hongyuan Xu,Changi Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND A MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170237028A1. Автор: XU Hongyuan,Su Changi. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING AT LEAST ONE BIPOLAR TRANSISTOR AND A CORRESPONDING METHOD OF PRODUCTION

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Marzaki Abderrezak,GAY Romeric. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of manufacturing field effect transistors and lateral bipolar transistors on the same substrate

Номер патента: US4891328A. Автор: Yvon Gris. Владелец: Etude et la Fabrication de Circuits Integres Speciaux. Дата публикации: 1990-01-02.

Power switch circuit, IC structure of power switch circuit, and method of forming IC structure

Номер патента: US11855619B2. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Power switch circuit, ic structure of power switch circuit, and method of forming ic structure

Номер патента: US20240056074A1. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2626075C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2017-07-21.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Sensing field effect transistor devices and method of their manufacture

Номер патента: US09470652B1. Автор: Stephen R. Hooper,Raymond M. Roop,Leo M. Higgins, III. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Power amplifier modules with power amplifier and transmission line and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09887668B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Sandra Louise Petty-Weeks,Peter J. Zampardi, JR.,Guohao Zhang,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Power amplifier modules including tantalum nitride terminated through wafer via and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09755592B2. Автор: HONG Shen,Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun,Mehran JANANI,Jens Albrecht RIEGE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

CFET with Different Channel Materials for NFET and PFET and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240274474A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Low-profile local interconnect and method of making the same

Номер патента: WO2013002851A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Field effect transistors for integrated circuits and methods of manufacture

Номер патента: US3576475A. Автор: John William Kronlage. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-04-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200035693A1. Автор: Digh Hisamoto,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1754255A1. Автор: Gerben Doornbos,Prabhat Agarwal,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

FinFET device including fins having a smaller thickness in a channel region, and a method of manufacturing same

Номер патента: US09502408B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the device based on evaluation data of test transistors uniformly arranged on test wafer

Номер патента: US20060214164A1. Автор: Mikinori Oguni. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Power semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130313696A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Chung-Ming Leng. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor Devices and Methods of Making Them.

Номер патента: GB1198696A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1970-07-15.

Ultra-thin power transistor and synchronous buck converter having customized footprint

Номер патента: US09779967B2. Автор: Jonathan A Noquil,Juan A Herbsommer,Osvaldo J Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Apparatus and methods for voltage regulation

Номер патента: US09971377B2. Автор: Florinel G. Balteanu,Peter Harris Robert Popplewell,Jakub F. Pingot. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Biosensor based on carbon nanotube-electric field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09880126B2. Автор: Sung-Wook Choi,Jae-ho Kim,Jae-Hyeok Lee,Gwang Hyeon Nam. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2018-01-30.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20220310670A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Photoreceptor protein-based spectrophotometer, method for manufacturing the same and method for light detection using the same

Номер патента: US09903761B2. Автор: Seok Lee,Sun Ho Kim,Jae Hun Kim,Chulki Kim,Deok Ha Woo,Hyun Seok Song,Taikjin Lee,Ju Yeong Oh,Jun Hyong CHO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20240234446A1. Автор: JIAN Ma,Wenming REN,Jinliang HU,Chengyong ZHAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1061582A3. Автор: Yasuhiro Uemoto,Keisaku Nakao,Atsushi Noma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-19.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Using a field effect device for identifying translocating charge-tagged molecules in a nanopore sequencing device

Номер патента: US09488636B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Andres JARAMILLO-BOTERO. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-11-08.

Circuit and method of driving the same

Номер патента: US09444457B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of fabricating image sensor having reduced dark current

Номер патента: US7955888B2. Автор: Jong-Won Choi,Tae-Seok Oh,Hyoun-Min Beak,Su-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20200027880A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12029023B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Combination positive temperature coefficient resistor and metal-oxide semiconductor field-effect transistor devices

Номер патента: EP1105922A1. Автор: Thomas J. Dougherty. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2001-06-13.

Combination positive temperature coefficient resistor and metal-oxide semiconductor field-effect transistor devices

Номер патента: WO2000010203A1. Автор: Thomas J. Dougherty. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2000-02-24.

Flat panel display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241010A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Asymmetric pass field-effect transistor for nonvolatile memory

Номер патента: US10418110B2. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20230301049A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210272967A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09620729B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Display device comprising a plurality of microcavities and an encapsulation layer that seals the plurality of microcavities and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595549B2. Автор: Yong Seok Kim,Han Joon Yoo,Sung Hwan Won,Won Tae Kim,Pil Sook Kwon,Seon Uk LEE,Woo Jae Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Asymmetric pass field-effect transistor for non-volatile memory

Номер патента: US09589652B1. Автор: Venkatraman Prabhakar,Sungkwon Lee. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

NAND type variable resistance random access memory and methods

Номер патента: US09548398B2. Автор: Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-01-17.

MONOBAGNET FIELD EFFECT EMITTER STRUCTURES WITH PORTES AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: FR2889840A1. Автор: Joleyn Eileen Balch,Ji Ung Lee,Anping Zhang,Heather Diane Hudspeth,Reed Roeder Corderman,Renee Bushey Rohling,Lauraine Denault. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-02-23.

CAPACITORS, ELECTRODES, REDUCED GRAPHENE OXIDE AND METHODS AND APPARATUSES OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210065996A1. Автор: JIA Baohua,Lin Han. Владелец: Swinburne University of Technology. Дата публикации: 2021-03-04.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055271A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: EP2904883A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Field effect type organic transistor and process for production thereof

Номер патента: WO2005029605A1. Автор: Shinichi Nakamura. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of using a field-effect transistor as a current sensing device

Номер патента: US09813063B2. Автор: Gary L. Stirk,Karthik Kadirvel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Current measurement device and method

Номер патента: RU2521715C2. Автор: Джеймс Дуглас ЛИНТ,Фусюе ЦЗИНЬ,Франциско МИХЕЛЬ,Виктор АЛЬДАКО. Владелец: Палс Электроникс, Инк.. Дата публикации: 2014-07-10.

Unit for manufacture of packaged electrode and method of manufacture of packaged electrode

Номер патента: RU2551843C1. Автор: Хироси ЮХАРА,Манабу ЯМАСИТА,Такахиро ЯНАГИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-05-27.

Method of manufacturing radome

Номер патента: RU2677943C2. Автор: Франц ШТАДЛЕР,Томас ШУСТЕР,Бернхард ШЁНЛИННЕР,Ульрих ПРЕХТЕЛЬ,Михель ЗАБИЛЬНИ,Герберт ЦИППОЛЬД,Кай В. ДИТРИХ,Маркус РОТЕНХОЙСЛЕР,Вильгельм ВУЛЬБРАНД,Томас КЁРВИН. Владелец: Эйрбас Дефенс Энд Спэйс Гмбх. Дата публикации: 2019-01-22.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: WO2016099668A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: EP3234989A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUITS USING CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR (CNTFET) DEVICES AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20140268444A1. Автор: Bertin Claude L.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Motor control assembly, system and method and means of manufacture, with tachometer integral with rotor

Номер патента: US3916278A. Автор: Richard W Currell,Louis Olah,Charles A Vogel. Владелец: American Videonetics Corp. Дата публикации: 1975-10-28.

METHOD AND APPARATUS OF DETERMINING LAYER DIRECTION OF MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING SERIES OF MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: US20140109389A1. Автор: OKAMURA Kouki. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20140097002A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20140097003A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026397A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: US20150319865A1. Автор: Dominique Freckmann,Helge Schmidt,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Marjorie Myers. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith

Номер патента: EP2510563A2. Автор: Herbert Lifka,Antonius Maria Bernardus Van Mol. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-10-17.

Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith

Номер патента: WO2011071372A2. Автор: Herbert Lifka,Antonius Maria Bernardus Van Mol. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2011-06-16.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Continuous-cast slab, method and apparatus of manufacturing the same, and method and apparatus of manufacturing thick steel plate

Номер патента: CA2973075C. Автор: Toshiaki Mizoguchi,Hiroaki Uchiyama,Shinji Nagai,Hideaki Sakurai,Daisuke Sakai,Shuntaro Imai,Ryousuke TAKATA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Fabric for an architectural covering and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2174915C. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson,Ricardo Ramirez,Dwight Greenough. Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1999-06-15.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Submodule, protective unit, transducer and method of controlling transducer

Номер патента: RU2674989C2. Автор: Юньлун Дун,Хайин Ли,Наньнань ВАН,Дунмин ЦАО,Цзе ТЯНЬ. Владелец: Нр Инжиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-12-14.

A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting of organic materials

Номер патента: WO1999010939A9. Автор: Leeuw Dagobert Michel De,Christopher John Drury,Cornelis Marcus Johan Mutsaers. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2006-05-26.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Method of driving FETs in saturating self-oscillating push-pull isolated DC-DC converter

Номер патента: US09917526B2. Автор: Rohit Sidapara. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Apparatus and method for hybrid differential envelope detector and full-wave rectifier

Номер патента: US20160072481A1. Автор: Thomas Cho,Siddharth Seth,Sang Won Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Methods of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and field effect transistors

Номер патента: US12069874B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Organic field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025667A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chien-Cheng Liu,Sheng-fu Horng. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of fabricating organic fets

Номер патента: WO2007022130A2. Автор: Klaus Dimmler,Robert R. Rotzoll. Владелец: Organicid, Inc.. Дата публикации: 2007-02-22.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US12075636B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Power supply branching control apparatus and method for supplying power to electric loads

Номер патента: US9385529B2. Автор: Koji Hashimoto,Tomohiro Kimura,Shozo Kanzaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Threshold voltage-modulated memory device using variable-capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US20240357840A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsia-Wei CHEN,Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US7858968B2. Автор: Takayuki Takeuchi,Naohide Wakita,Norishige Nanai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Device comprising a plurality of FDSOI static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US09490007B1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Device and method for short-circuit protection of semiconductor switch

Номер патента: RU2212098C2. Автор: Мартти САИРАНЕН. Владелец: Ой Лексел Финланд Аб. Дата публикации: 2003-09-10.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Nanoscale field-effect transistors for biomolecular sensors and other applications

Номер патента: US09541522B2. Автор: Charles M. Lieber,Xueliang Liu,Hwan Sung Choe. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming nanotube vertical field effect transistor

Номер патента: WO2009045585A1. Автор: Reginald C. Farrow,Amit Goyal. Владелец: New Jersey Institute Technology. Дата публикации: 2009-04-09.

Nanovesicle comprising heterodimeric G-protein coupled receptor, method for preparing nanovesicle, field effect transistor-based taste sensor comprising nanovesicle, and method for manufacturing taste sensor

Номер патента: US12099060B2. Автор: Seung Hun Hong,Hyun Seok Song,Tai Hyun Park,Hye Jun Jin,Sae Ryun Ahn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of and apparatus for biasing switches

Номер патента: US09667244B1. Автор: Bilal Tarik Cavus,Turusan Kolcuoglu,Yusuf Alperen Atesal. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11765917B2. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196666A1. Автор: Byung Yong Ahn,Won So Son,Chang Hyeon Cho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Photoelectric imaging sensor and method

Номер патента: US20060038110A1. Автор: Heather Bean,Mark Robins. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-23.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Quality control system and method for manufactured parts

Номер патента: EP2480383A1. Автор: Ramon Casanelles,Francesc CORTÉS GRAU. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-08-01.

Catalytic method of removing oxygen from water

Номер патента: RU2636996C2. Автор: Юрий Алексеевич Кныш,Владимир Васильевич Бирюк,Леонид Павлович Шелудько,Александра Борисовна Цапкова,Юрий Ильич Цыбизов,Владимир Васильевич Солодянников. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П.Королева". Дата публикации: 2017-11-29.

Inverted isfet and method of producing thereof

Номер патента: MY162299A. Автор: Hing Wah Lee,Bien Chia Sheng Daniel,Ismahadi Syono Mohd. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2017-05-31.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Radiation detector, method and apparatus of manufacturing the same, scintillator panel and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Hiroshi Horiuchi,Atsuya Yoshida. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20070025814A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Engineered t cells conditionally expressing a recombinant receptor, related polynucleotides and methods

Номер патента: US20240216508A1. Автор: Lothar Germeroth,Christian STEMBERGER,Mateusz Pawel POLTORAK. Владелец: Juno Therapeutics GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: AU2493500A. Автор: Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Donald J. Lobley,Salim Tharani,Edward S. Robins III. Владелец: TECHNOLOGYEVALUATION COM TEC. Дата публикации: 2000-08-07.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: WO2000043935A8. Автор: Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Salim Tharani,Donald J Lobley,Edward S Robins. Владелец: Edward S Robins. Дата публикации: 2002-03-14.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

CONTINUOUS-CAST SLAB, METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THICK STEEL PLATE

Номер патента: US20180009015A1. Автор: Sakurai Hideaki,SAKAI Daisuke,NAGAI Shinji,Uchiyama Hiroaki,MIZOGUCHI Toshiaki,TAKATA Ryousuke,IMAI Shuntaro. Владелец: NIPPONSTEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2018-01-11.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

RADIATION DETECTOR, METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME, SCINTILLATOR PANEL AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Horiuchi Hiroshi,YOSHIDA Atsuya. Владелец: CANON ELECTRON TUBES & DEVICES CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-24.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝席恩,漢瑞克皮杜斯瑪利亞皮勒曼,派翠克華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Manufacturing equipment for substrate for testing, and method and program of manufacturing substrate for testing

Номер патента: KR101185970B1. Автор: 다이스케 와타나베,토시유키 오카야스,마사카즈 수다. Владелец: 가부시키가이샤 어드밴티스트. Дата публикации: 2012-09-26.

Manufacturing equipment for substrate for testing, and method and program of manufacturing substrate for testing

Номер патента: WO2009144806A1. Автор: 俊幸岡安,大輔渡邊,昌克須田. Владелец: 株式会社アドバンテスト. Дата публикации: 2009-12-03.

Paint roller and method and apparatus of manufacturing a paint roller

Номер патента: CA2057392C. Автор: Lawrence J. Bower,Ronald R. Delo,Gerald D. Vanzeeland. Владелец: Newell Operating Co. Дата публикации: 2000-11-14.

Method For Dehydration Used In Optical Fiber Preform Menufacturing Process, and Method And Apparatus of Manufacturing Optical Fiber Preform Using The Same

Номер патента: KR100554424B1. Автор: 김재선,이명규,황석우,장기완,피터축신. Владелец: 엘에스전선 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

Method and apparatus of extracting lipid from microalgae and method and apparatus of manufacturing fatty acid ester from microalgae

Номер патента: TWI522459B. Автор: 王信智,談駿嵩. Владелец: 國立清華大學. Дата публикации: 2016-02-21.

Body posture measurement systems and methods

Номер патента: WO2024039725A1. Автор: Tadhg O'GARA,Kerry DANELSON. Владелец: Wake Forest University Health Sciences. Дата публикации: 2024-02-22.

Compositions for pre-treating shoes and methods and articles employing same

Номер патента: AU2002233951A1. Автор: Keith Homer Baker,Mary Vijayarani Barnabas,Donna Jean Haeggberg,Young Zhu. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2002-09-04.

Compositions for pre-treating shoes and methods and articles employing same

Номер патента: EP1360256A2. Автор: Keith Homer Baker,Mary Vijayarani Barnabas,Donna Jean Haeggberg,Young Zhu. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-11-12.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190021426A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Sports LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026393A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026394A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026395A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026396A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026406A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026407A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026809A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siegetek LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026810A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

VARIABLE TRANSMISSION AND METHOD AND SYSTEM OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Magyari Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

CERAMIC MATRIX COMPOSITE AND METHOD AND ARTICLE OF MANUFACTURE

Номер патента: US20140272373A1. Автор: Chamberlain Adam L.,Shinavski Robert J.,Lazur Andrew J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

WIDE FIELD OF VIEW ELECTRO-OPTIC MODULATOR AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING AND USING SAME

Номер патента: US20190204628A1. Автор: Banks Paul S.,Schmidt Bodo,Tuvey Charles Stewart,Ebbers Christopher Allen. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Non-woven fabric and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20180258565A1. Автор: Cheng-Kun Chu,Victor J. Lin,Chao-Chun Peng,Ming-Chih Kuo,Chia-Kun Wen. Владелец: Chia-Kun Wen. Дата публикации: 2018-09-13.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110C. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-05.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA2213126A1. Автор: Steven A. Fantl,Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-08-22.

System and method for identification of manufacturing components

Номер патента: US6259056B1. Автор: Laura Cowden. Владелец: Color Wheel Systems LLC. Дата публикации: 2001-07-10.

Carbon footprint assessment system and method in components of manufactured goods

Номер патента: KR101068232B1. Автор: 유태연. Владелец: (주)코리아컴퓨터. Дата публикации: 2011-09-28.

Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: EP0930543B1. Автор: Roger F. Sinta,Thomas M. Zydowsky. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2007-06-27.

Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US20060204892A1. Автор: Timothy Adams,Manuel DoCanto,Rosemary Bell,Roger Sinta,Edward Pavelchek,James Mori,James Thackeray,Robin Miller-Fahey,Thomas Zydowsky. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

High-protein food product made from grain and method and apparatus of manufacture thereof

Номер патента: WO1979000982A1. Автор: J Gannon. Владелец: J Gannon. Дата публикации: 1979-11-29.

Disc brake backing plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2262214A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Ray Arbesman. Дата публикации: 2000-08-18.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: EP0715558A1. Автор: Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1996-06-12.

Hook-engageable fastener sheets, and methods and articles of manufacture

Номер патента: US20060102037A1. Автор: George Provost,William Shepard. Владелец: Velcro Industries BV. Дата публикации: 2006-05-18.

Hook-engageable fastener sheets, and methods and articles of manufacture

Номер патента: US8500940B2. Автор: William H. Shepard,George A. Provost. Владелец: Velcro Industries BV. Дата публикации: 2013-08-06.

Improvements in knitted articles and method and means of manufacture thereof

Номер патента: GB553245A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1943-05-13.

Multilayer substrate structure and method and system of manufacturing the same

Номер патента: EP2862206A2. Автор: Indranil De,Francisco Machuca. Владелец: Tivra Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Paint roller and method and apparatus of manufacturing a paint roller

Номер патента: EP0494729B1. Автор: Lawrence J. Bower,Ronald R. Delo,Gerald D. Vanzeeland. Владелец: Newell Operating Co. Дата публикации: 1996-07-03.

Copula-based system and method for management of manufacturing test and product specification throughout the product lifecycle for electronic systems or integrated circuits

Номер патента: WO2013112275A1. Автор: W. Robert Daasch,Carvin Glenn SHIRLEY. Владелец: The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The Portland State University. Дата публикации: 2013-08-01.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA2213126C. Автор: Steven A. Fantl,Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 2002-01-15.

Plate-shaped peeling member and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CN1621962A. Автор: 福泽觉,广濑和夫,大桥正明,大田幸生. Владелец: Shiizu K K. Дата публикации: 2005-06-01.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-08-18.

Package with integrated tracking device and method and apparatus of manufacture

Номер патента: WO2007106891A3. Автор: R Charles Murray. Владелец: R Charles Murray. Дата публикации: 2009-01-08.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU4971696A. Автор: Robert H Hanneman,Steven A Fantl,James G Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1996-09-04.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20040240937A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and appts. of manufacture

Номер патента: CN1181798A. Автор: R·H·汉内曼,J·G·瓦格内尔,S·A·凡特尔. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1998-05-13.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A2. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-07-26.

Apparatus and method for control of manufacturing cockpit module using rfid signal

Номер патента: KR100783598B1. Автор: 김도현. Владелец: 덕양산업 주식회사. Дата публикации: 2007-12-10.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU693327B2. Автор: Robert H Hanneman,Steven A Fantl,James G Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1998-06-25.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Slide fastener chain with leg remanents at gap and method and apparatus of manufacture

Номер патента: ZA824828B. Автор: Harry M Fisher,Stuart N Fisher. Владелец: Talon Inc. Дата публикации: 1983-05-25.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: WO2000043935A2. Автор: Edward S. Robins,Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Donald J. Lobley,Salim Tharani. Владелец: Technologyevaluation.Com (Tec). Дата публикации: 2000-07-27.

Slide fastener chain with leg remanents at gap and method and apparatus of manufacture

Номер патента: IL66163A0. Автор: . Владелец: Talon Inc. Дата публикации: 1982-09-30.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Method of selective determination of the concentration of gas-containing mercapt-containing and/or amine-containing compounds by means of a gas sensor on the basis of organic field transistor and device for selective determination of the concentration of gas-bearing and/or amine-containing compounds

Номер патента: RU2675667C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Михаил Юрьевич Яблоков,Алексей Андреевич Васильев,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2018-12-21.

Method of manufacturing a cutting tool and a cutting tool

Номер патента: US09849515B2. Автор: Nima Zarif YUSSEFIAN,Jonny Edman. Владелец: Sandvik Intellectual Property AB. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

System, apparatus, and method for viral monitoring in effluent

Номер патента: WO2022081330A1. Автор: Morton M. Mower. Владелец: Mower Morton M. Дата публикации: 2022-04-21.

Sulphur-containing fullerene derivatives and method for production thereof

Номер патента: RU2477273C2. Автор: Павел Анатольевич Трошин,Владимир Федорович Разумов,Екатерина Александровна Хакина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2013-03-10.

Method of non-marking single-molecular sequency of dna and device for its implementation

Номер патента: RU2679494C1. Автор: Алексей Олегович Мантуров,Михаил Александрович Гуторов,Владимир Иванович Башкиров,Эдуард Анатольевич Ильичев,Владимир Владимирович Колесов,Антон Владимирович Григорьев,Константин Валерьевич Крутовский. Владелец: Ооо "Гамма-Днк". Дата публикации: 2019-02-11.

Memory circuit and method of operating same

Номер патента: US20240274190A1. Автор: Chia-En HUANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Field-Effect Transistor and Method and Control Unit for Operating a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20160305904A1. Автор: Philipp Nolte. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of measuring medium flow rate

Номер патента: RU2401991C2. Автор: Герд ШТАНГЕ. Владелец: Цилум Бетайлигунгсгезелльшафт Мбх & Ко. Патенте Ii Кг. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of manufacturing stand for toothpicks, method of manufacturing holder for toothpicks, method of manufacturing of guide for toothpicks and method of manufacturing bearing surface for toothpicks

Номер патента: RU2465801C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2012-11-10.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Mxene-graphene field effect transistor virus sensor

Номер патента: WO2023034113A3. Автор: Yang Wang,Donghyun Kim,Chenglin Wu,Risheng Wang,Yuwei Zhang,Yue-Wern HUANG,Yanxiao LI,Jiaoli LI. Владелец: The Curators of the University of Missouri. Дата публикации: 2023-04-13.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US09683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing stand for toothpicks, method of manufacturing holder for toothpicks, method of manufacturing guide for toothpick and method of manufacturing bearing surfaces of toothpick

Номер патента: RU2463938C1. Автор: Александр Иванович Максимов. Владелец: Александр Иванович Максимов. Дата публикации: 2012-10-20.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated connecting rod and method of its manufacture

Номер патента: RU2653822C2. Автор: Бенуа БОВЕРУ,Даниель ДАРДЕН. Владелец: Бд Инвент Са. Дата публикации: 2018-05-14.

Layered structure with barrier layer, garment with the said layered structure and method of manufacture this layered structure

Номер патента: RU2462966C1. Автор: Александер ЦАГГЛЬ,Хольгер ЦОУДЛИК,Хельмут КЛУГ. Владелец: В.Л. Гор Энд Эсошиейтс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Device and method for manufacturing blanks of thermoplastic bags for vacuum cleaners

Номер патента: RU2659047C1. Автор: Владимир Евгеньевич Зарецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Топ-маркет". Дата публикации: 2018-06-27.

Structural unit, device and method for its manufacture and laminated panel produced of structural unit

Номер патента: RU2294827C2. Автор: Йозеф ШТУТЦ. Владелец: Кроноспан Текникал Компани Лтд.. Дата публикации: 2007-03-10.

Machine and method of manufacture of logs of paper material

Номер патента: RU2745969C1. Автор: Фабио ПЕРИНИ. Владелец: ФУТУРА С.п.а.. Дата публикации: 2021-04-05.

Head for immobilizing microorganisms at biological cleaning of sewage water and method of its manufacture

Номер патента: RU2259960C1. Автор: Николай Николаевич Васильченко,Виктор Романович Дядюшко,Виталий Андреевич Заярнюк,Юрий Николаевич Киреев,Сергей Александрович Ковригин,Николай Иванович Наумов,Николай Владимирович Пискунов,Константин Кириллович Савченко,дюшко Виктор Романович Д,рнюк Виталий Андреевич За. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью Предприятие Материально-Технического Снабжения "Спецснаб" (Ооо Пмтс "Спецснаб"). Дата публикации: 2005-09-10.

Liquid-permeable device, refrigerator and method of manufacture of such device

Номер патента: RU2644593C1. Автор: Минь Ли,Эньвэй ДИН,Госинь ЮЙ,Вэйин ЧЖАН,Айминь ВАН,Юншэн СУНЬ,Жуйтао ТАО. Владелец: Циндао Хайер Джойнт Сток Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus for manufacturing a rod of aerosol generating material, methods of manufacturing a rod of aerosol generating material and methods of manufacturing an article for an aerosol provision system

Номер патента: WO2023118857A3. Автор: John Richardson,Barry DIMMICK. Владелец: Nicoventures Trading Limited. Дата публикации: 2023-08-10.

Devices with field effect transistors

Номер патента: EP4176250A1. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Methods of operating an electronic circuit for measurement of transistor variability and the like

Номер патента: US7764080B2. Автор: Keith A. Jenkins,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-27.

Self Locking Fasteners And Methods Relating To Same

Номер патента: US20110296668A1. Автор: Scott J. Emmerich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods of Operating an Electronic Circuit for Measurement of Transistor Variability and the Like

Номер патента: US20080315907A1. Автор: Keith A. Jenkins,Jae-Joon Kim,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Apparatus for manufacturing compound powder, method of manufacturing iron-boron compound powder by using the apparatus, boron alloy powder mixture, method of manufacturing the boron alloy powder mixture, combined powder structure, method of manufacturing the combined powder structure, steel pipe, and method of manufacturing the steel pipe

Номер патента: US09725789B2. Автор: Kee-Seok Nam,Jung-Dae Kwon,Jong-Joo RHA,Hee-Chan Ahn,Tae-Su Lim. Владелец: KMT CO Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Field-effect p-n transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2102818C1. Автор: Соломон Давидович Эдлин. Владелец: Соломон Давидович Эдлин. Дата публикации: 1998-01-20.

Method of electrochemical edge rounding off

Номер патента: RU2416500C2. Автор: Иван Владимирович Милишин,Лев Борисович Уваров,Роман Вячеславович Абабков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Сатурн". Дата публикации: 2011-04-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120012932A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120091528A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120104472A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120205747A1. Автор: HATA Masahiko,Urabe Yuji,TAKENAKA Mitsuru,TAKAGI Shinichi,TAKAGI Hideki,Yasuda Tetsuji,Yokoyama Masafumi,YAMADA Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

An Improved Safety Explosive, and Method or Process of Manufacturing the same.

Номер патента: GB189319931A. Автор: Wilbraham Evelyn-Liardet. Владелец: Individual. Дата публикации: 1893-12-02.

Heat exchange coil and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU526261A. Автор: Gondek and William O. Mueller Stanley. Владелец: Bundy Tubing Co. Дата публикации: 1963-05-02.

Bathing pad and method and device of manufacture

Номер патента: IL94569A0. Автор: . Владелец: Amos Shefi. Дата публикации: 1991-03-10.

New or improved compostion of matter to form a buliding material and method and process of manufacturing same

Номер патента: AU785018A. Автор: Edward Todren Francis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1919-06-03.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU401551A. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU155352B2. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

Method and apparatus for removing bubble in resin, and method and apparatus of manufacturing diamond disk

Номер патента: TW201001509A. Автор: Jiun-Rong Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-01.

LOW IGNITION PROPENSITY WRAPPING PAPER AND METHOD AND MACHINE OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120231288A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRODE THEREFORE, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING AN ELECTRODE AND THE ELECTRO-OPTICAL DEVICE PROVIDED THEREWITH

Номер патента: US20120299050A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

SIDE WALL SUPPORT PIER AND METHOD FOR FOUNDATION OF MANUFACTURED BUILDING

Номер патента: US20120304555A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

Light Guide Plate, and Method and Apparatus of Manufacturing Same

Номер патента: US20130004726A1. Автор: PARK Doo Jin,PARK Ji Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

SYSTEM AND METHOD FOR INTAKE OF MANUFACTURING PATTERNS AND APPLYING THEM TO THE AUTOMATED PRODUCTION OF INTERACTIVE, CUSTOMIZABLE PRODUCT

Номер патента: US20130060654A1. Автор: Beaver,Harvill Young,III Robert I.. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

COPULA-BASED SYSTEM AND METHOD FOR MANAGEMENT OF MANUFACTURING TEST AND PRODUCT SPECIFICATION THROUGHOUT THE PRODUCT LIFECYCLE FOR ELECTRONIC SYSTEMS OR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130197875A1. Автор: Shirley Carvin Glenn,Daasch W. Robert. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Synthetic thermosetting resin tank and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: JPS54111118A. Автор: Hachiro Sato. Владелец: Kubota Corp. Дата публикации: 1979-08-31.

Fastening element chain and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA1068479A. Автор: John A. Kowalski. Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Metal semiconductor field effect light emitting transistor and preparing method thereof

Номер патента: CN101308895A. Автор: 郭志友,孙慧卿,曾坤,赵华雄,范广涵,高小奇. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-11-19.

New or improved composition of matter for use in lieu of leather or for other suitable purposes and method or process of manufacturing same

Номер патента: AU560217A. Автор: Stocks William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1918-05-21.

The preparation method of MOS transistor and the preparation method of semiconductor devices

Номер патента: CN104900522B. Автор: 何永根. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER AMPLIFIER AMPLITUDE MODULATOR SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001693A1. Автор: Aoki Ichiro,Hajimiri Seyed-Ali,Kee Scott D.,Damgaard Morten,Magoon Rahul,Mohta Setu,Aparicio Joo Roberto,Hatcher Geoff. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making selective gas pickup on basis of system of oscillating carbon nano-pipes

Номер патента: RU2314252C1. Автор: Михаил Максимович Симунин,Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РПСЛ". Дата публикации: 2008-01-10.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Process of manufacture of bipolar cos/mos structure

Номер патента: RU2141149C1. Автор: В.Ф. Морозов,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,С.В. Трунов,А.П. Шевченко,П.В. Игнатов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 1999-11-10.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Measurement Device and Method Utilizing the Same

Номер патента: US20120000796A1. Автор: . Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AUDIO DRIVER SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120002819A1. Автор: Thormundsson Trausti,Jonsson Ragnar H.,Thorvaldsson Vilhjalmur S.,Wihardja James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field Effect Resistor for ESD Protection

Номер патента: US20120003818A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Field emission microtriode and method of manufacture

Номер патента: RU2360321C2. Автор: Николай Иванович Татаренко. Владелец: Николай Иванович Татаренко. Дата публикации: 2009-06-27.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel composition and methods for the treatment of psoriasis

Номер патента: US20120003246A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

EMBOSSED TEXTURED WEBS AND METHOD FOR MAKING

Номер патента: US20120003423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Process of manufacture of field-effect transistor with submicronic shottky-barrier gate

Номер патента: RU2046453C1. Автор: А.А. Чернявский,А.Ф. Мозгунов,В.Л. Романов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Планета". Дата публикации: 1995-10-20.

Hydrosol for forming coatings of electrochemical peroxide-sensitive sensors and biosensors, method of producing said hydrosol, electrochemical sensor and biosensor, use and production methods thereof

Номер патента: RU2419785C1. Автор: Илья Николаевич Курочкин,Екатерина Александровна Донцова,Аркадий Вениаминович Еременко,Сергей Леонидович Кальнов,Дэвид Трудил. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЧипДетект". Дата публикации: 2011-05-27.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing 1,8-{bis[(pent-2,4-dion-3-yl)methylsulphanyl]}-3,6-dioxaoctane and 4,4'-{bis[(pent-2,4-dion-3-yl)methylsulphanyl]}-diphenyl oxide

Номер патента: RU2529512C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Внира Рахимовна Ахметова,Виталий Александрович Веклов,Рушана Флоридовна Габдрахманова,Наиль Салаватович Ахмедиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нефтехимии и катализа Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-27.

Laminated glass and method of its manufacture

Номер патента: RU2057093C1. Автор: Юрий Иванович Сакуненко,Сима Абрамовна Пельц. Владелец: Сима Абрамовна Пельц. Дата публикации: 1996-03-27.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ice and/or snow acetate-based remover, method of manufacturing thereof and method of ice and/or snow melting on road surfaces using such remover

Номер патента: RU2331729C2. Автор: Михаил Николаевич Киреев,Олег Анатольевич Широбоков,Анатолий Николаевич Авраменко,Александр Владимирович Дудкин,Людмила Петровна Шестакова,Борис Павлович Резников. Владелец: Открытое акционерное общество "Минерально-химическая компания "ЕвроХим" (ОАО "МХК "ЕвроХим"). Дата публикации: 2008-08-20.

Method of registering change of energy index of living organism, device for its realisation and method of manufacturing thermosensitive element of thereof (versions)

Номер патента: RU2496408C1. Автор: Александр Игоревич Мартынов,Юрий Геннадьевич Усанов,Евгений Леонидович Игонин,Алексей Владимирович Меркушов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр "Институт иммунологии" Федерального медико-биологического агентства (ФГБУ "ГНЦ Институт иммунологии" ФМБА России). Дата публикации: 2013-10-27.

Method of erection of structure from building blocks and/or building boards and method of manufacture of building block or board

Номер патента: RU2566350C1. Автор: Виктор Павлович Ремез. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-Производственное предприятие "Эксорб". Дата публикации: 2015-10-27.

Edge rounded field effect transistors and methods of manufacturing

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты