• Главная
  • Integrated Circuit Structure and Method with Solid Phase Diffusion

Integrated Circuit Structure and Method with Solid Phase Diffusion

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US09660075B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Damage-resistant fin structures and FinFET CMOS

Номер патента: US09496373B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuit structure with insulated memory device and related methods

Номер патента: US09825041B1. Автор: Byeong Y. Kim,William L. Nicoll. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09425318B1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160254382A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

ANALOG INTEGRATED CIRCUIT WITH IMPROVED TRANSISTOR LIFETIME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210028167A1. Автор: REN NA,ZUO ZHENG,LI RUIGANG. Владелец: AZ Power, Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Integrated circuit structure including fuse and method thereof

Номер патента: US20160049367A1. Автор: I-Cheng Rou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated circuit device including air gaps and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862514B2. Автор: Woojin Lee,Sanghoon Ahn,Kyuhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160254382A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

INTEGRATED CIRCUITS WITH DUAL SILICIDE CONTACTS AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20160172493A1. Автор: Wahl Jeremy A.,Bouche Guillaume,Wei Andy C.,Koh Shao Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Integrated circuits with a bowed substrate, and methods for producing the same

Номер патента: US20160064513A1. Автор: Ralf Richter,Joanna WASYLUK,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Integrated circuits with shallow trench isolations, and methods for producing the same

Номер патента: US09460955B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Alban Zaka,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: EP4315414A2. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022212492A3. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuit dies having alignment marks and methods of forming same

Номер патента: US09685411B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE INCLUDING FUSE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20160049367A1. Автор: Rou I-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated Circuit (IC) including memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN109817640B. Автор: 刘建宏,洪至伟. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-22.

Integrated circuits having place-efficient capacitors and methods for fabricating the same

Номер патента: US8546915B2. Автор: Dmytro Chumakov. Владелец: GLOBLFOUNDRIES Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Integrated circuits having place-efficient capacitors and methods for fabricating the same

Номер патента: US8236645B1. Автор: Dmytro Chumakov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Integrated circuits having heterogeneous devices therein and methods of designing the same

Номер патента: US20230290779A1. Автор: Jungho DO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit including a body transistor and method

Номер патента: US20090261411A1. Автор: Dongping Wu. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-10-22.

Analog integrated circuit with improved transistor lifetime and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210028167A1. Автор: Ruigang Li,Zheng Zuo,Na Ren. Владелец: AZ Power Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Integrated circuits having improved gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US09490129B2. Автор: Huang Liu,Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit, method of manufacture thereof, and method of producing mask pattern

Номер патента: WO2000067324A1. Автор: Kazuo Koide,Toshiro Takahashi,Kazuhisa Suzuki. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2000-11-09.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240332131A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4451319A2. Автор: Kang-ill Seo,Seung Min Song,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit devices including stacked transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP4439645A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Rare-earth materials for integrated circuit structures

Номер патента: US20220059668A1. Автор: Scott B. Clendenning,Sudarat Lee,Charles Cameron Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit contact structures

Номер патента: US20240128340A1. Автор: Patrick Morrow,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

INTEGRATED CIRCUIT METAL GATE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20210265479A1. Автор: Chen Chien-Hao,CHAO Yuan-Shun,Hung Cheng-Lung,Hou Yong-Tian. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US20160049490A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated circuit including ferroelectric memory cells and methods for manufacturing

Номер патента: US20180233573A1. Автор: James Lin,Francesco Anthony Annetta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

INTEGRATED CIRCUITS WITH AN AIR GAP AND METHODS OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160118292A1. Автор: RYAN Errol Todd,He Ming,Zhao Larry,Child Craig,Augur Roderick Alan. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Integrated circuit with buried power rail and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR20200145651A. Автор: 서강일,홍준구,마크 로더. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-30.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09853019B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit device body bias circuits and methods

Номер патента: US09548086B2. Автор: Lawrence T. Clark,David A. Kidd,Augustine Kuo. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Integrated circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09620589B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH A SURFACE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170207098A1. Автор: Kong Keun Kyu,An Jeong Hoon,SIM Jae Hee,SON Min Seok. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING SMOOTH METAL GATES AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20150076624A1. Автор: Liu Huang,Yu Jialin,Xia Jilin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US09502646B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

MOSFET integrated circuit having doped conductive interconnects and methods for its manufacture

Номер патента: US8580665B2. Автор: Christian Witt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-12.

Integrated circuit with modified metal features and method of fabrication therefor

Номер патента: US20040185652A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Mosfet integrated circuit having doped conductive interconnects and methods for its manufacture

Номер патента: US20130089980A1. Автор: Christian Witt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Integrated circuit device featuring an antifuse and method of making same

Номер патента: US09502424B2. Автор: Xia Li,John Jianhong ZHU,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit packaging system with leads and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154080A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Integrated circuit packaging system with interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120146230A1. Автор: Sung Jun Yoon,Soo Won Lee,JiHoon Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Integrated circuit solder die-attach design and method

Номер патента: CA2032266A1. Автор: Michael J. Shannon,Randolf C. Turnidge. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-04-06.

Integrated circuit devices including a via and methods of forming the same

Номер патента: US20200144103A1. Автор: Harsono Simka,Jong Hyun Lee,Yung Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated circuit packaging system with interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326281A1. Автор: Reza Argenty Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Integrated circuit devices including a via and methods of forming the same

Номер патента: US20230352399A1. Автор: Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuit devices including a via and methods of forming the same

Номер патента: EP4270474A1. Автор: Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit including multiple height cell and method of designing the same

Номер патента: US20220005801A1. Автор: Sungok Lee,SangDo Park,Dayeon CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-06.

Integrated circuit with damascene structure and capacitor

Номер патента: GB2368721A. Автор: Sailesh Chittipeddi. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-05-08.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: EP4443515A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram ADB EI QADER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: US20240332172A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: US20240332077A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: EP4439673A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Structure and Method for FinFET Device with Asymmetric Contact

Номер патента: US20200365734A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Vertical transistors and methods of forming same

Номер патента: US09929152B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit having a contact etch stop layer

Номер патента: US09508814B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09589806B1. Автор: John A. Fitzsimmons,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Huihang Dong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230187283A1. Автор: Cheng-Han Wu,Chie-Iuan Lin,Kuei-Ming CHANG,Rei-Jay HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing integrated circuit having stacked structure and the integrated circuit

Номер патента: US20100081233A1. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Manufacturing method of integrated circuit having multilayer structure and the integreted circuit

Номер патента: KR100833250B1. Автор: 이병수. Владелец: (주)실리콘화일. Дата публикации: 2008-05-28.

Integrated circuit switches, design structure and methods of fabricating the same

Номер патента: TW201121876A. Автор: Anthony K Stamper,Felix P Anderson,Thomas L McDevitt. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-07-01.

INTEGRATED CIRCUITS WITH CLOSE ELECTRICAL CONTACTS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150137385A1. Автор: Frohberg Kai,MOLL Peter,SCHOLZ Heike. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-05-21.

FINFET INTEGRATED CIRCUITS WITH UNIFORM FIN HEIGHT AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140203376A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

Integrated circuits with replacement metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US9698241B1. Автор: Min-Hwa Chi,Mitsuhiro Togo,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Gate structure and its manufacturing method with different in width

Номер патента: CN104835838B. Автор: 张家铭,何伟硕,林俊铭,江宗育. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING VERTICAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160336376A1. Автор: CHOI Kang Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US9425282B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING VERTICAL CHANNEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160013292A1. Автор: CHOI Kang Sik. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Circuit structures, memory circuitry, and methods

Номер патента: US9269795B2. Автор: Haitao Liu,Wolfgang Mueller,John K. Zahurak,Sanh D. Tang,Martin C. Roberts,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Integrated Circuit Devices with Well Regions and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20210305099A1. Автор: CHEN Chia-Chung,LIU Mingo,Liang Victor Chiang,Huang Chi-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

An integrated circuit package having interchip bonding and method therefor

Номер патента: WO1999045591A9. Автор: Steve V Drehobl,Joseph D Fernandez,Mike Charles. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

Integrated circuit assembly with heat spreader and method of making the same

Номер патента: US09978663B2. Автор: Amir Amirkhany,T. Gary Yip. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit device with shaped leads and method of forming the device

Номер патента: US09679870B2. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361026A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit switching device, structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008134225A2. Автор: Madhu P. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-06.

Carrier film and integrated circuit device using the same and method of making the same

Номер патента: US6078104A. Автор: Kazunori Sakurai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Destructor integrated circuit chip, interposer electronic device and methods

Номер патента: US7880248B1. Автор: David E. Chubin,Cuong V. Pham,Colleen L. Khalifa. Владелец: Teledyne Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

Integrated circuit / printed circuit board assembly and method of manufacture

Номер патента: US11910519B2. Автор: Quentin Diduck,Douglas A. Kirkpatrick. Владелец: Eridan Communications Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit device featuring an antifuse and method of making same

Номер патента: EP2867922A2. Автор: Xia Li,John Jianhong ZHU,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Semiconductor integrated circuit device with reservoir capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236825A1. Автор: Jong Su Kim,Dong Kun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Integrated circuit having a level shifter and method of making the same

Номер патента: US9362320B2. Автор: Yuichiro Yamashita,Po-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Integrated circuits including integrated passive devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20140159198A1. Автор: Xiaowei Ren,Wayne R. Burger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-12.

Electrooptic or optoelectric integrated circuit enabling a bias-tee and method for fabricating the same

Номер патента: WO2023148197A1. Автор: Juerg Leuthold,David MOOR. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit package having security feature and method of manufacturing same

Номер патента: US20100314750A1. Автор: Dhruv P. Bhate,Sergei L. Voronov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Integrated circuit package having security feature and method of manufacturing same

Номер патента: WO2010147694A1. Автор: Dhruv P. Bhate,Sergei L. Voronov. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-12-23.

INTEGRATED CIRCUITS WITH HIGH VOLTAGE DEVICES AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20180082999A1. Автор: Zhang Fan,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

INTEGRATED CIRCUIT WITH BURIED POWER RAIL AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220139835A1. Автор: Hong Joon Goo,Rodder Mark S.,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuit including ferroelectric memory cells and methods for manufacturing

Номер патента: US20180233573A1. Автор: Lin James,Annetta Francesco Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

INTEGRATED CIRCUIT WITH BURIED POWER RAIL AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200402909A1. Автор: Hong Joon Goo,Rodder Mark S.,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit structure with methods of electrically connecting same

Номер патента: US09659941B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING VARYING SUBSTRATE DEPTH AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20130285161A1. Автор: Jia Kemiao,KARLIN LISA H.,Desai Hemant D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Integrated circuits with non-volatile memory and methods for manufacture

Номер патента: US9368588B2. Автор: Chun Chen,Kuo Tung CHANG,Shenqing Fang. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Integrated circuit having varying substrate depth and method of forming same

Номер патента: US20150084138A1. Автор: Lisa H. Karlin,Hemant D. Desai,Kemiao Jia. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-26.

Circuit Structures, Memory Circuitry, and Methods

Номер патента: US20160056175A1. Автор: Mueller Wolfgang,Liu Haitao,Zahurak John K.,Tang Sanh D.,Heineck Lars P.,Roberts Martin C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Substrate-less vertical diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4020597A1. Автор: Brian Greene,Avyaya Jayanthinarasimham,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761691B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20240274718A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240105772A1. Автор: Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit package structures

Номер патента: WO2017105701A1. Автор: Sanka Ganesan,Debendra Mallik,Yikang Deng,Jimin Yao,Shawna M. LIFF. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

Integrated circuit package structures

Номер патента: US09721880B2. Автор: Sanka Ganesan,Debendra Mallik,Yikang Deng,Jimin Yao,Shawna M. LIFF. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Integrated circuit package, and methods and tools for fabricating the same

Номер патента: US09947560B1. Автор: David Tan,Mohsen H. Mardi,Gamal Refai-Ahmed. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit features with obtuse angles and method of forming same

Номер патента: US12087715B2. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit features with obtuse angles and method of forming same

Номер патента: US20240363561A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional integrated circuit systems in a package and methods therefor

Номер патента: US09570387B1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09922884B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit with non-functional structures

Номер патента: US20210202379A1. Автор: Sven Trester,Tobias Richard Erich Nink. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated Circuit Features With Obtuse Angles and Method Forming Same

Номер патента: US20200161260A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated Circuit Features with Obtuse Angles and Method of Forming Same

Номер патента: US20210074656A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US10553498B2. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US20180102294A1. Автор: Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Integrated circuit packaging system with interconnects and method of manufacture thereof

Номер патента: US20120326281A1. Автор: Reza Argenty Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Integrated circuits including copper local interconnects and methods for the manufacture thereof

Номер патента: US20130193489A1. Автор: Peter Baars,Erik P. Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130320525A1. Автор: Shim Il Kwon,Lin Yaojian,Koo JunMo,Caparas Jose Alvin. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

INTEGRATED CIRCUITS WITH PROGRAMMABLE ELECTRICAL CONNECTIONS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150016174A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS IN A PACKAGE AND METHODS THEREFOR

Номер патента: US20170053862A1. Автор: Gong Zhiwei,Hayes Scott M.,Vincent Michael B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

INTEGRATED CIRCUIT WITH REPLACEMENT GATE STACKS AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20170110375A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE FEATURING AN ANTIFUSE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20140210043A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Zhu John Jianhong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES INCLUDING A VIA AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200144103A1. Автор: LEE Jong Hyun,Simka Harsono,Kim Yung Bae. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated circuit device with shaped leads and method of forming the device

Номер патента: US20160172262A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Integrated Circuit Features With Obtuse Angles and Method Forming Same

Номер патента: US20200161260A1. Автор: Chung Shu-Wei,Wang Yen-Sen. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

INTEGRATED CIRCUIT ASSEMBLIES WITH REINFORCEMENT FRAMES, AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150262972A1. Автор: Woychik Charles G.,Mirkarimi Laura Wills,Katkar Rajesh,Sitaram Arkalgud. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Integrated circuit packaging system with substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US9257384B2. Автор: Sung Jun Yoon,Soohan Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Integrated circuit comprising a layer stack and method of fabrication

Номер патента: EP2251900A2. Автор: Heinrich Korner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-11-17.

Integrated circuit packaging system with underfill and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100320587A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,DaeWook Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Integrated circuit packaging system with underfill and method of manufacture thereof

Номер патента: TW201110245A. Автор: Sun-Mi Kim,Kyung-hoon Lee,Dae-Wook Yang. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Integrated circuit packaging system with encapsulation and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130075923A1. Автор: HeeJo Chi,Hyungmin Lee,YeongIm Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Integrated circuit device featuring an antifuse and method of making same

Номер патента: US20140001568A1. Автор: Xia Li,Zhongze Wang,John J. Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES INCLUDING METAL WIRES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220045003A1. Автор: BAE TAEYONG,SEO HOONSEOK. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING WIRE STRUCTURE AND RELATED METHOD

Номер патента: US20150056799A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Cooney,III Edward C.,He Zhong-Xiang,LEIDY Robert K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Integrated Circuit Features with Obtuse Angles and Method of Forming Same

Номер патента: US20210074656A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Integrated Circuit Dies Having Alignment Marks and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170084544A1. Автор: Chen Hsien-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

INTEGRATED CIRCUIT WITH REPLACEMENT GATE STACKS AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20180096900A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

INTEGRATED CIRCUIT WITH REPLACEMENT GATE STACKS AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20180102294A1. Автор: Krishnan Siddarth A.,Bao Ruqiang. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Integrated Circuit Having Stress Tuning Layer and Methods of Manufacturing Same

Номер патента: US20160181209A1. Автор: Jeng Shin-Puu,Lu Szu Wei,Chao Clinton. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES WITH WETTABLE FLANKS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190206768A1. Автор: Shibuya Makoto,Komatsu Daiki. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGES WITH SHIELDS AND METHODS OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20190287918A1. Автор: Poddar Anindya,KIM Woochan,Arora Vivek Kishorechand. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM WITH DEBONDING ADHESIVE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20150311180A1. Автор: Choi Won Kyoung,Marimuthu Pandi Chelvam. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

INTERPOSERS FOR INTEGRATED CIRCUITS WITH ONE-TIME PROGRAMMING AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160343719A1. Автор: Liu Wei,Jiang Yi,Shum Danny,TAN Juan Boon. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Integrated circuit (IC) plating deposition system and method

Номер патента: US6341998B1. Автор: Liming Zhang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-29.

A kind of integrated circuit plastics seal structure and preparation method thereof

Номер патента: CN108899306A. Автор: 王剑峰,朱媛,高娜燕,明雪飞. Владелец: CETC 58 Research Institute. Дата публикации: 2018-11-27.

INTEGRATED CIRCUIT HOUSING, MEANS FOR ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: FR2498814A1. Автор: Christian Meigne,Alain Keryuel. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-07-30.

Integrated circuit arrangement with several components and method for their production

Номер патента: DE19716102C2. Автор: Holger Huebner,Anton Anthofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Integrated circuit packaging system with trenches and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110316162A1. Автор: WonJun Ko,Oh Han Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor integrated circuit including a bidirectional transistor and method of making the same

Номер патента: US3483446A. Автор: Binne Van Der Leest. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-12-09.

Integrated circuit packaging system with encapsulation and method of manufacture thereof

Номер патента: US20110233736A1. Автор: A Leam Choi,JoHyun Bae,Hyungsang PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259773A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING DUMMY GATE ELECTRODES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20150069530A1. Автор: CHERN Chan-Hong,HUANG MEI-HUI. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Integrated Circuits With Non-Volatile Memory and Methods for Manufacture

Номер патента: US20140167139A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun,Chang Kuo Tung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

INTEGRATED CIRCUITS WITH IMPROVED GATE UNIFORMITY AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20140231920A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

Integrated Circuits with Non-Volatile Memory and Methods for Manufacture

Номер патента: US20150031197A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun,Chang Kuo Tung. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

INTEGRATED CIRCUITS WITH DUAL SILICIDE CONTACTS AND METHODS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20160049490A1. Автор: Wei Andy,Wahl Jeremy A.,Bouche Guillaume,Koh Shao Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

INTEGRATED CIRCUITS WITH A CORRUGATED GATE, AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20150076618A1. Автор: Hoentschel Jan,Richter Ralf,Yan Ran,Sassiat Nicolas. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

Integrated Circuit having a MOM Capacitor and Method of Making Same

Номер патента: US20190123042A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

INTEGRATED CIRCUITS WITH HIGH CURRENT CAPACITY AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20180166438A1. Автор: CHENG Chao,LINEWIH Handoko. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING RESERVOIR CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150357377A1. Автор: PARK Hae Chan. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Monolithic MEMS and integrated circuit device having a barrier and method of fabricating the same

Номер патента: US20080006889A1. Автор: Brett M. Diamond,Matthew A. Zeleznik. Владелец: Akustica Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit

Номер патента: US20070065983A1. Автор: Robert Vinson,Donald Beck,Gregory Jandzio,Joseph Brief. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2007-03-22.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

3D integrated circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9064849B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-23.

An integrated circuit package having interchip bonding and method therefor

Номер патента: TW466743B. Автор: Steve V Drehobl,Joseph D Fernandez,Mike Charles. Владелец: Microchip Tech Inc. Дата публикации: 2001-12-01.

Integrated circuit packaging system with leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: TW201209940A. Автор: FENG Yao,guo-qiang Shen,Jae-Hak Yee. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Integrated circuit packaging system with interposer and method of manufacture thereof

Номер патента: TW201110268A. Автор: Soo-San Park,Chan-Hoon Ko. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

Spherical shaped semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6486071B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-26.

Integrated circuit with a gas sensor and method of manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: EP2554981A1. Автор: Roel Daamen,Aurelie Humbert,Matthias Merz,David Tio Castro. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-02-06.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20140159198A1. Автор: Burger Wayne R.,Ren Xiaowei. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

Integrated circuits including integrated passive devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: CN103872009A. Автор: 任小伟,W·R·博格尔. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-06-18.

Integrated circuits including integrated passive devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP2744003B1. Автор: Xiaowei Ren,Wayne R. Burger. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-02-12.

Integrated Circuit Device Body Boas Circuits and Methods

Номер патента: US20170047100A1. Автор: Clark Lawrence T.,Kidd David A.,Kuo Augustine. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Integrated Circuit / Printed Circuit Board Assembly and Method of Manufacture

Номер патента: US20210160997A1. Автор: Diduck Quentin,Kirkpatrick Douglas A.. Владелец: ERIDAN COMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2021-05-27.

Semi-custom-made semiconductor integrated circuit device, method for customization and method for redesign

Номер патента: US20020145444A1. Автор: Masaharu Mizuno,Naotaka Maeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Integrated circuit switching device, structure and method of manufacture

Номер патента: TW200901443A. Автор: Madhu P Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Integrated circuit system with test pads and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130069063A1. Автор: Bao Xusheng,Rui Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Integrated circuit packaging system with encapsulation and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130075927A1. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-28.

Integrated Circuit System With Memory Support And Method Of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190058009A1. Автор: Yang Chung-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

Integrated Circuits with Magnetic Core Inductors and Methods of Fabrications Thereof

Номер патента: US20140203399A1. Автор: Ahrens Carsten,Klein Wolfgang,Glas Alexander,Hofmann Renate. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-24.

INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING MAGNETIC CORE INDUCTORS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160133565A1. Автор: TAN Juan Boon,YI Wanbing,ENGLAND Luke,BHATKAR Mahesh,PENG Lulu. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

INTEGRATED CIRCUIT ASSEMBLY WITH HEAT SPREADER AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20170170164A1. Автор: Amirkhany Amir,Yip T. Gary. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING ENCAPSULATION FILM AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Oh Sang Chul,PARK Hae Chan,LEE Se Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated Circuits with Non-Volatile Memory and Methods for Manufacture

Номер патента: US20160218113A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun,Chang Kuo Tung. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A VOLTAGE DIVIDER AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140307510A1. Автор: LIN Yvonne,Chu Wen-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Integrated Circuit Having a MOM Capacitor and Method of Making Same

Номер патента: US20160233213A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH RESERVOIR CAPACITORS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170236825A1. Автор: KIM Jong Su,LEE Dong Kun. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Integrated Circuit System With Memory Support And Method Of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170236870A1. Автор: Yang Chung-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

INTEGRATED CIRCUITS WITH MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20170309813A1. Автор: Yamane Kazutaka,Lee Kangho,NAIK Vinayak Bharat. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

INTERPOSERS FOR INTEGRATED CIRCUITS WITH MULTIPLE-TIME PROGRAMMING AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160343773A1. Автор: Jiang Yi,Shum Danny,TAN Juan Boon,GONG Shunqiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

INTEGRATED CIRCUITS WITH MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Yamane Kazutaka,Lee Kangho,Noh Seungmo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP WITH EXTERNAL PLATES AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH CHIP

Номер патента: FR2894716A1. Автор: Briz Olivier Le,Sebastien Marsanne. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2007-06-15.

Integrated circuit device featuring an antifuse and method of making same

Номер патента: US9842802B2. Автор: Xia Li,John Jianhong ZHU,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit packaging system with stiffener and method of manufacture thereof

Номер патента: US8492888B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Integrated circuit packages incorporating an inductor and methods

Номер патента: US7969002B2. Автор: Mansour Izadinia,Ahmad Ashrafzadeh,Nitin Kalje,Ignacio McQuirk. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Integrated circuit package containing an inductor and method

Номер патента: DE112009002568A5. Автор: Mansour Izadinia,Ahmad Ashrafzadeh,Nitin Kalje,Ignacio McQuirk. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Monolithic integrated circuit for picture line scanning, and method of operating it

Номер патента: EP0027545A1. Автор: Heiner Dr. Herbst,Matthias Dipl.-Phys. Niemeyer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-04-29.

Semiconductor integrated circuit device having MIN capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: TW200812064A. Автор: Jung-min Park,Seok-Jun Wo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-01.

COMPONENT HAVING AN INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A CRYPTO-PROCESSOR AND METHOD OF INSTALLATION

Номер патента: FR2901075A1. Автор: Florent Miller,Nadine Buard,Imad Lahoud,Cedric Ruby. Владелец: EADS CCR. Дата публикации: 2007-11-16.

Packaged integrated circuit having large solder pads and method for forming

Номер патента: US20140117554A1. Автор: Brett P. Wilkerson,Trent S. Uehling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

THIN INTEGRATED CIRCUIT CHIP-ON-BOARD ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20140035129A1. Автор: Stuber Michael A.,Molin Stuart B.,Drucker Mark,Fowler Peter. Владелец: IO SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING ASYMMETRIC DECOUPLING CELL AND METHOD OF DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20220102336A1. Автор: CHO SUNGWE,JIN Subin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-31.

INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT METHODS, STRUCTURES, AND SYSTEMS

Номер патента: US20190095573A1. Автор: CHEN SHENG-HSIUNG,CHANG Fong-Yuan,HUANG Po-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

THIN INTEGRATED CIRCUIT CHIP-ON-BOARD ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20150108640A1. Автор: Stuber Michael A.,Molin Stuart B.,Drucker Mark,Fowler Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT, METHOD, STRUCTURE, AND SYSTEM

Номер патента: US20210202505A1. Автор: Wang Yih,Chang Meng-Sheng,HUANG Chia-En,Chen Chien-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit protection and ruggedization coatings and methods

Номер патента: US8076185B1. Автор: Nathan P. Lower,Alan P. Boone,Ross K. Wilcoxon. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2011-12-13.

MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT WITH FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION

Номер патента: DE2835642A1. Автор: Walter Dr Phil Kellner,Hermann Dipl Phys Kniepkamp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-02-28.

Integrated circuit packaging system with interconnect and method of manufacture thereof

Номер патента: US8633059B2. Автор: Byung Tai Do,Reza Argenty Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Integrated circuit device having reduced bow and method for making same

Номер патента: US20060141673A1. Автор: William Tandy,Cary Baerlocher,Matt Schwab. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Integrated circuit packaging system with interposer and method of manufacture thereof

Номер патента: US9184122B2. Автор: Wei Qiang Jin,Ding Hui Xu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-10.

Integrated circuit packaging substrate structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW471148B. Автор: Shr-Bin Shiu. Владелец: Phoenix Prec Technology Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Semiconductor integrated circuit device having MIM capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7888773B2. Автор: Jung-min Park,Seok-jun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US09859227B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US09837359B1. Автор: Ming-Yen Chiu,Hsin-Chieh Huang,Ching-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated circuit structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09711408B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Circuit structure wafer member and method of fabrication thereof

Номер патента: ZA717709B. Автор: C Jackson,W Griff,P Paterson. Владелец: Bunker Ramo. Дата публикации: 1972-08-30.

Circuit structure wafer member and method of fabrication thereof

Номер патента: AU3581571A. Автор: Charles Alexis Jackson Paul Gordon Paterson William Griff. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1973-05-24.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240304544A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008782A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240339411A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM,Seungyeon Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US09741687B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240274483A1. Автор: Hsin-Yu Pan,Teng-Yuan Lo,Lipu Kris Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11735487B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

EMI package and method for making same

Номер патента: US09818698B2. Автор: Der-Chyang Yeh,Chuei-Tang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Via bottom structure and methods of forming

Номер патента: US09716065B2. Автор: Takeshi Nogami,James J. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Three-dimensional integrated circuit structure and bonded structure

Номер патента: US09620488B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuit packaging system with support structure and method of manufacture thereof

Номер патента: US09768102B2. Автор: Koo Hong Lee,Sung Soo Kim,Dong Ju Jeon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same

Номер патента: US09589911B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US12051683B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of forming an integrated circuit on a low loss substrate

Номер патента: US20030008441A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Robert Scheer. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Package structure and method

Номер патента: US12148684B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Integrated circuit processing system

Номер патента: WO2003049154A2. Автор: Gary Bouchard. Владелец: Intercon Tools, Inc.. Дата публикации: 2003-06-12.

Integrated fan-out package and method for fabricating the same

Номер патента: US20200066642A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chun-Hui Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Bump-on-Trace (BOT) Structures and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140252596A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Via profile shrink for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4191651A1. Автор: Weimin Han,Charles H. Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas,Tiffany Zink. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530753B2. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A9. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2006-11-09.

System and method for test structure on a wafer

Номер патента: US09472476B2. Автор: Waisum Wong,Chin Chang Liao,Wang Jian Ping. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Distributed multi-modal power maximizing integrated circuit for solar photovoltaic modules

Номер патента: US20240275174A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Sigmagen Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US12087684B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US20240363523A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit structure and chip

Номер патента: US20240321828A1. Автор: Liang-Cai Zeng,Yun-Ju Hsieh. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit structure having dies with connectors

Номер патента: US09653423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Integrating chip scale packaging metallization into integrated circuit die structures

Номер патента: US20040245631A1. Автор: Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Structure and method for forming integral nitride light sensors on silicon substrates

Номер патента: US20140264358A1. Автор: Robert Forcier. Владелец: ROSESTREET LABS LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Integrated circuit structures with extended conductive pathways

Номер патента: US20190109063A1. Автор: Yen Hsiang Chew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Balanced leadframe package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130147024A1. Автор: Kim-yong Goh,Xueren Zhang,Wingshenq Wong. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2013-06-13.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

System and method for calibrating temperatures sensor for integrated circuits

Номер патента: US09442025B2. Автор: Jun Zhai,Yizhang Yang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Structure and method for deep trench capacitor

Номер патента: US20240321944A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Fu-Chiang KUO,Po Cheng KUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetoresistive sensor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812496B2. Автор: Juergen Zimmer,Klemens Pruegl,Stefan Kolb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Device, system and method for alignment of an integrated circuit assembly

Номер патента: US09625256B1. Автор: Deepak Goyal,Mario Pacheco,Purushotham Kaushik Muthur Srinath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor integrated circuit mountable on recording device and method of operating the same

Номер патента: US09501879B2. Автор: Yutaka Funabashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit comprising voltage modulation circuitry and method threfor

Номер патента: US09484811B2. Автор: Franck Galtie,Eric Rolland,Philippe Goyhenetche. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuit of superconducting circuit blocks and method of designing the same

Номер патента: US6703857B2. Автор: Shinichi Yorozu,Yoshio Kameda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-03-09.

Integrated circuit of superconducting circuit blocks and method of designing the same

Номер патента: US20030034794A1. Автор: Shinichi Yorozu,Yoshio Kameda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

An integrated circuit having a circuit for and method of providing intensity correction for a video

Номер патента: EP2396764A1. Автор: Justin G. Delva,Mohammed S. Sayed. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2011-12-21.

Optical modulator module, integrated circuit for driving optical modulator, and method for modulating optical signal

Номер патента: US9217883B2. Автор: Tomoaki Kato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Semiconductor integrated circuit device with trench capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6150686A. Автор: Soichi Sugiura,Shigeki Sugimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Integrated circuit for physically unclonable function and method of operating the same

Номер патента: US11849054B2. Автор: Sung Ung Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Integrated circuit comprising voltage modulation circuitry and method therefor

Номер патента: EP2454805A1. Автор: Franck Galtie,Eric Rolland,Philippe Goyhenetche. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-05-23.

Semiconductor integrated circuit mountable on recording device and method of operating the same

Номер патента: US20120188375A1. Автор: Yutaka Funabashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Integrated circuit for physically unclonable function and method of operating the same

Номер патента: US20240089125A1. Автор: Sung Ung Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit for physically unclonable function and method of operating the same

Номер патента: US20210399905A1. Автор: Sung Ung Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Phased array systems and methods with phase shifter

Номер патента: US12095495B2. Автор: Saikat Sarkar,Behzad BIGLARBEGIAN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Integrated circuit design utilizing array of functionally interchangeable dynamic logic cells

Номер патента: US20060259887A1. Автор: Christophe Tretz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Half-bridge driver circuit, related integrated circuit, half-bridge switching circuit and method

Номер патента: US20240243739A1. Автор: Marco Giovanni Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit for self-interference cancellation and method of performing full-duplex radio communication

Номер патента: EP3394994A1. Автор: Sudip Shekhar,Ahmed El Sayed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Rf transmitter and integrated circuit with programmable filter module and methods for use therewith

Номер патента: US20090197560A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-08-06.

Prevented inter-integrated circuit address conflict service system and method thereof

Номер патента: US09977757B2. Автор: Ying-Xian Han. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit for self-interference cancellation and method of performing full-duplex radio communication

Номер патента: US20210050878A1. Автор: Sudip Shekhar,Ahmed El Sayed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

INTEGRATED CIRCUIT WITH SIGNAL ASSIST CIRCUITRY AND METHOD OF OPERATING THE CIRCUIT

Номер патента: US20150091609A1. Автор: Ashok Ambica,Bohra Fakhruddin Ali,SRINATH Srinivasan. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2015-04-02.

Integrated Circuit Device Body Bias Circuits and Methods

Номер патента: US20150318026A1. Автор: Clark Lawrence T.,Kidd David A.,Kuo Augustine. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Integrated circuit with signal assist circuitry and method of operating the circuit

Номер патента: US9407265B2. Автор: Fakhruddin Ali Bohra,Srinivasan Srinath,Ambica Ashok. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

An integrated circuit having a circuit for and method of providing intensity correction for a video

Номер патента: EP2396764B1. Автор: Justin G. Delva,Mohammed S. Sayed. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2015-10-07.

Integrated circuit with signal assist circuitry and method of operating the circuit

Номер патента: GB201414195D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING SELF-CALIBRATING OSCILLATORS, AND METHODS OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200159278A1. Автор: Pereira Angelo William,Manohar Sujan Kundapur,Korkmaz Pinar. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

INTEGRATED CIRCUIT FOR SELF-INTERFERENCE CANCELLATION AND METHOD OF PERFORMING FULL-DUPLEX RADIO COMMUNICATION

Номер патента: US20180358997A1. Автор: Shekhar Sudip,El Sayed Ahmed. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Integrated circuit output pad driving apparatus and method

Номер патента: KR960039639A. Автор: 이. 데이어 빌리,에이. 린 스코트. Владелец: 레이몬드 에이. 젠스키. Дата публикации: 1996-11-25.

Inductively coupled integrated circuit with near field communication and methods for use therewith

Номер патента: US20090218657A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Integrated circuit having boosted array voltage and method therefor

Номер патента: US8031549B2. Автор: Prashant U. Kenkare,Troy L. Cooper. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-04.

Integrated circuit device, wireless communication unit and method of manufacture therefor

Номер патента: CN103155426A. Автор: 劳伦特·戈捷. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-06-12.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING ANCHORED MESH VOLTAGE AND METHOD FOR THE SAME

Номер патента: BRPI0918467A8. Автор: U Kenkare Prashant,L Cooper Troy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit and memory protection apparatus and methods thereof

Номер патента: TW201030517A. Автор: Morgan Du. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-16.

Rf polar transmitter and integrated circuit with programmable filter module and methods for use therewith

Номер патента: US20090202019A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Integrated circuit comprising voltage modulation circuitry and method therefor

Номер патента: US20120098510A1. Автор: Franck Galtie,Eric Rolland,Philippe Goyhenetche. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-26.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, WIRELESS COMMUNICATION UNIT AND METHOD OF MANUFACTURE THEREFOR

Номер патента: US20130189937A1. Автор: Gauthier Laurent. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

INTEGRATED CIRCUIT FOR SELF-INTERFERENCE CANCELLATION AND METHOD OF PERFORMING FULL-DUPLEX RADIO COMMUNICATION

Номер патента: US20210050878A1. Автор: Shekhar Sudip,El Sayed Ahmed. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT ADAPTED TO SCAN TESTING, AND METHOD OF DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20190267973A1. Автор: NAKAKO Takahisa. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

INTEGRATED CIRCUIT FOR PHYSICALLY UNCLONABLE FUNCTION AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20210399905A1. Автор: Kwak Sung Ung. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

INTEGRATED CIRCUIT-BASED WIRELESS CHARGING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20180294671A1. Автор: Li Jie,PAN Siming,HE Dawei,LI Tun. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Integrated circuit with channel estimation module and method therefor

Номер патента: CN102449970B. Автор: 文森特·马丁尼兹. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-17.

Integrated circuit having an FM demodulator and method therefor

Номер патента: US6646500B2. Автор: Junsong Li,Jon D. Hendrix,Raghu G. Raj. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Voice, data and RF integrated circuit with multiple modulation modes and methods for use therewith

Номер патента: US7684767B2. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor integrated circuit adapted to scan testing, and method of designing the same

Номер патента: US11005458B2. Автор: Takahisa Nakako. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Voice, data and rf integrated circuit with multiple modulation modes and methods for use therewith

Номер патента: US20100136934A1. Автор: Ahmadreza Reza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Integrated circuit having boosted array voltage and method therefor

Номер патента: TW201027551A. Автор: Prashant U Kenkare,Troy L Cooper. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-07-16.

BACK-UP POWER SUPPLY SYSTEMS AND METHODS FOR USE WITH SOLID STATE STORAGE DEVICES

Номер патента: US20150378415A1. Автор: George Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Integrated circuit chip with repeater flops and method for automated design of same

Номер патента: WO2008021489A3. Автор: Bharat Patel,Stuart A Taylor,Victor Ma. Владелец: Victor Ma. Дата публикации: 2008-05-29.

Touch sensing integrated circuit system, touch sensing system, and method for writing firmware

Номер патента: US20230251868A1. Автор: Gyu Chul Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Touch sensing integrated circuit system, touch sensing system, and method for writing firmware

Номер патента: US20210182076A1. Автор: Gyu Chul Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Touch sensing integrated circuit system, touch sensing system, and method for writing firmware

Номер патента: US12118364B2. Автор: Gyu Chul Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit, and data processing apparatus and method

Номер патента: EP4322016A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

On-chip integrated circuit, and data processing apparatus and method

Номер патента: EP4322017A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Photonic integrated circuit having redundant light path and method of using

Номер патента: US11815721B2. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated circuit including data synchronization apparatus and method

Номер патента: US20080101238A1. Автор: Stefan Dietrich,Rex Kho. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-01.

Thermal barriers with solid/solid phase change materials

Номер патента: WO2003059614A1. Автор: Monte C. Magill,Bernard T. Perry,Dustin L. Clark. Владелец: Outlast Technologies, Inc.. Дата публикации: 2003-07-24.

Reverse engineering data analysis system, and integrated circuit component data processing tool and method thereof

Номер патента: US20210042902A1. Автор: Michael Green. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Integrated circuit facilitating subsequent failure analysis and methods useful in conjunction therewith

Номер патента: US20220066884A1. Автор: Ilan Margalit. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Circuit substrate structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09791753B2. Автор: Chi-Ming Wu,Ta-Nien Luan,Ming-Sheng Chiang,Chen-Lung Lo,Chen-Yuan Sung. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Systems and methods for scan test access using bond pad test access circuits

Номер патента: US20050039097A1. Автор: Amar Guettaf. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Radio frequency domain calibration system and method for radio frequency circuit units

Номер патента: US20240214082A1. Автор: Fengyi Huang. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-27.

Radio frequency domain calibration system and method for radio frequency circuit units

Номер патента: US12003281B1. Автор: Fengyi Huang. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatuses and methods to perform post package trim

Номер патента: US09741403B2. Автор: Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit having a bus network, and method for the integrated circuit

Номер патента: US09665514B2. Автор: Ramamoorthy Guru Prasadh. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Optical integrated circuit with encapsulated edge coupler

Номер патента: WO2023244113A1. Автор: Bradley William SNYDER,Adriano Ricardo DO NASCIMENTO JÚNIOR. Владелец: Phix B.V.. Дата публикации: 2023-12-21.

Optical integrated circuit with encapsulated edge coupler

Номер патента: NL2032178B1. Автор: William Snyder Bradley,Ricardo Do Nascimento Júnior Adriano. Владелец: Phix B V. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit, and data processing apparatus and method

Номер патента: EP4322016A4. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

On-chip integrated circuit, and data processing apparatus and method

Номер патента: EP4322017A4. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Yimin Chen,Junmou Zhang,Chuang Zhang,Yuanlin Cheng. Владелец: Lemon Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Signal processing system and integrated circuit comprising a prefetch module and method therefor

Номер патента: US09652413B2. Автор: Joseph Circello,Mark Maiolani,Alistair Robertson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor integrated circuit with delay test circuit, and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7613971B2. Автор: Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-03.

Apparatuses and methods to perform post package trim

Номер патента: EP3218903A1. Автор: Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-20.

Apparatuses and methods to perform post package trim

Номер патента: US20160133310A1. Автор: Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-05-12.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING A BUS NETWORK, AND METHOD FOR THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20140032808A1. Автор: Prasadh Ramamoorthy Guru. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2014-01-30.

Integrated circuit and the computing system and method for integrated design circuit

Номер патента: CN108205602A. Автор: 张铭洙,元孝植,朴炫洙,曹多演. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-26.

Thermal barriers with solid/solid phase change materials

Номер патента: TW200302268A. Автор: Bernard T Perry,Monte C Magill,Dustin L Clark. Владелец: Outlast Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-01.

Thermal barriers with solid/solid phase change materials

Номер патента: AU2002357383A1. Автор: Monte C. Magill,Bernard T. Perry,Dustin L. Clark. Владелец: Outlast Technologies LLC. Дата публикации: 2003-07-30.

System-on-a-chip integrated circuit having time code receiver and method of operation thereof

Номер патента: WO2013032644A2. Автор: Thomas Jung,Oren E. Eliezer. Владелец: Xw, Llc Dba Xtendwave. Дата публикации: 2013-03-07.

Integrated circuit contact test apparatus with and method of construction

Номер патента: US20210018533A1. Автор: Jeffrey Sherry,Joel Erdman. Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

TOUCH INTEGRATED CIRCUIT, AND TOUCH DISPLAY DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20170031505A1. Автор: KIM Hui,SONG Hongsung,KWON Soonho. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

TOUCH INTEGRATED CIRCUIT, AND TOUCH DISPLAY DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20170031523A1. Автор: KIM Hui,SONG Hongsung,SEO ByungHyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

INTEGRATED CIRCUIT FOR DRIVING DISPLAY PANEL AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20180075802A1. Автор: CHEN CHIEN-YU,Chang Chia-Wei,Lo Hsien-Wen,Liu I-Te. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2018-03-15.

Touch Integrated Circuit, And Touch Display Device And Method Of Driving The Same

Номер патента: KR102349822B1. Автор: 김휘,송홍성,서병현. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2022-01-11.

Digital integrated circuit testing and characterization system and method

Номер патента: US9188627B2. Автор: Muhammad E. S. Elrabaa. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2015-11-17.

Integrated circuit device, voltage regulation circuitry and method for regulating a voltage supply signal

Номер патента: EP2671227A4. Автор: Michael Priel,Dan Kuzmin,Anton Rozen. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-18.

Integrated circuit for driving display panel and method thereof

Номер патента: US10699662B2. Автор: Chia-Wei Chang,Chien-Yu Chen,Hsien-Wen Lo,I-Te Liu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-06-30.

Integrated circuit and programming modules, systems and methods

Номер патента: CN1376288A. Автор: P·E·约翰逊,R·W·伦德斯特伦. Владелец: Datacard Corp. Дата публикации: 2002-10-23.

Sense amplifier circuitry for integrated circuit having memory cell array, and method of operating same

Номер патента: WO2009030631A1. Автор: Philippe Graber. Владелец: Innovative Silicon ISi SA. Дата публикации: 2009-03-12.

System-on-a-chip integrated circuit having time code receiver and method of operation thereof

Номер патента: WO2013032644A3. Автор: Thomas Jung,Oren E. Eliezer. Владелец: Xw, Llc Dba Xtendwave. Дата публикации: 2013-05-02.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, POWER MANAGEMENT MODULE AND METHOD FOR PROVIDING POWER MANAGEMENT

Номер патента: US20130308409A1. Автор: Priel Michael,Kuzmin Dan,Sergey Sofer. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

INTEGRATED CIRCUIT FACILITATING SUBSEQUENT FAILURE ANALYSIS AND METHODS USEFUL IN CONJUNCTION THEREWITH

Номер патента: US20220066884A1. Автор: Margalit Ilan. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2022-03-03.

OPTICAL MODULATOR MODULE, INTEGRATED CIRCUIT FOR DRIVING OPTICAL MODULATOR, AND METHOD FOR MODULATING OPTICAL SIGNAL

Номер патента: US20140169723A1. Автор: Kato Tomoaki. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2014-06-19.

TOUCH SENSING INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM, TOUCH SENSING SYSTEM, AND METHOD FOR WRITING FIRMWARE

Номер патента: US20210182076A1. Автор: LEE Gyu Chul. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING LOAD STANDARD CELL AND METHOD OF DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20190197214A1. Автор: Choi Jong-Ryun,CHAE KWAN-YEOB. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

REVERSE ENGINEERING DATA ANALYSIS SYSTEM, AND INTEGRATED CIRCUIT COMPONENT DATA PROCESSING TOOL AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20190206040A1. Автор: Green Michael. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated Circuit Contactor For Testing ICs And Method Of Construction

Номер патента: US20200363451A1. Автор: Johnson David,Nelson John,Andres Michael,Sherry Jeffrey,Perez Ranauld. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Integrated circuit device, power management module and method for providing power management

Номер патента: EP2673684B1. Автор: Sergey Sofer,Michael Priel,Dan Kuzmin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-06-05.

Integrated circuit card programming modules, systems and methods

Номер патента: CA2384725A1. Автор: Peter E. Johnson,Robert W. Lundstrom. Владелец: Robert W. Lundstrom. Дата публикации: 2001-03-29.

Integrated circuit sorts fool proof system and method

Номер патента: CN107321641B. Автор: 张建文,顾汉玉. Владелец: Semicon Microelectronics Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-06.

INTEGRATED CIRCUIT CARD WITH GRATIFICATION COUNTER AND METHOD OF COUNTING GRATIFICATIONS

Номер патента: FR2761791B1. Автор: Mounji Methlouti. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2000-05-12.

Reverse engineering data analysis system, and integrated circuit component data processing tool and method thereof

Номер патента: CA2990205A1. Автор: Michael Green. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2019-06-28.

An inter integrated circuit router error management system and method

Номер патента: GB2403039B. Автор: Kirk Yates,Thane M Larson. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-10-04.

APPARATUS AND METHOD FOR COATING WITH SOLID-STATE POWDER

Номер патента: US20160153082A1. Автор: Kim Ok Ryul,Kim Ok Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Amplification methods and methods for the detection of solid phase polynucleotide sequences

Номер патента: DE4301693A1. Автор: Gustav F Jirikowski. Владелец: Cytech Biomedical Inc. Дата публикации: 1994-07-28.

Apparatus and method for coating with solid-state powder

Номер патента: US10053765B2. Автор: Ok Min Kim,Ok Ryul Kim. Владелец: FEMVIX CORP. Дата публикации: 2018-08-21.

Device, system and method to aspirate liquid from solid phase extraction (SPE) plates

Номер патента: EP1366818B1. Автор: Urs Knecht,Nikolaus Ingenhoven. Владелец: TECAN TRADING AG. Дата публикации: 2005-04-13.

Device and method for testing crude oil solid phase deposition by pulse reflection

Номер патента: CN110763757A. Автор: 张涛涛,郭平,刘煌,杜建芬,张森林. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-02-07.

Signal enhancement structure and measuring method with signal enhancement

Номер патента: US20240060901A1. Автор: Chien-Chung Chang,Chun-Ta Huang. Владелец: Protrustech Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Structure and its manufacture method with liquid film

Номер патента: CN107531380A. Автор: 阿久津洋介,岩本晋也,冈田芳明,丹生启佑,宫崎知之,朝仓干男. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Bandgap reference apparatus and methods

Номер патента: US09958895B2. Автор: Mark Shane Peng,Chih-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240126017A1. Автор: Hsiao Che Wu,Ping Ming Liu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

System and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20190128961A1. Автор: Olivier Heron,Boukary Ouattara. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-05-02.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Photonic integrated circuit system and method of fabrication

Номер патента: US20240280748A1. Автор: Lei Wang,Thomas W. Baehr-Jones,Mitchell A. Nahmias. Владелец: Luminous Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit interconnect shape optimizer

Номер патента: WO2023158579A1. Автор: Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

System and method for marketing integrated circuits

Номер патента: US20060010088A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuit interconnect shape optimizer

Номер патента: EP4449294A1. Автор: Dino Ruic. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Integrated circuit design systems and methods

Номер патента: US09959380B2. Автор: Ji xU,Bharath Rangarajan,Vito Dai,Edward Kah Ching Teoh. Владелец: Motivo Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

MEMS structure with improved shielding and method

Номер патента: US09950921B2. Автор: Shingo Yoneoka,Wenhua Zhang,Te-Hsi “Terrence” Lee,Sudheer S. Sridharamurthy. Владелец: MCube Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Logic Circuit, Integrated Circuit Including The Logic Circuit, And Method Of Operating The Integrated Circuit

Номер патента: US20120212255A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-23.

Integrated circuit device isolation structure and process thereof

Номер патента: TW289142B. Автор: Huoo-Tiee Lu,An-Nah Su,Neng-Shing Sheen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-10-21.

Integrated circuit device isolation structure and process thereof

Номер патента: TW261693B. Автор: Jiunn-Yuan Wu,Huoo-Tiee Lu,Shyh-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-11-01.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING A BUS NETWORK, AND METHOD FOR THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130124767A1. Автор: Prasadh Ramamoorthy Guru. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2013-05-16.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING IT

Номер патента: US20120049325A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-03-01.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH POST AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120068332A1. Автор: Park DongSam,Shin HanGil,Chi HeeJo. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM WITH BANDGAP MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120119281A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT MOUNTABLE ON RECORDING DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120188375A1. Автор: FUNABASHI Yutaka. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH LEADS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120223435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING A BIPOLAR TRANSISTOR AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120235280A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-09-20.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH INTERCONNECTS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120241964A1. Автор: Han BongHwan,Choi Tae Kyu,Kwak SeungJoo,Son DongWon,Yun Gyung Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING PLACE-EFFICIENT CAPACITORS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120267763A1. Автор: Chumakov Dmytro. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-10-25.

RF TRANSMITTER ARCHITECTURE, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, WIRELESS COMMUNICATION UNIT AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120269293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH INTERCONNECT AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120286432A1. Автор: Do Byung Tai,Pagaila Reza Argenty. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH UNDERFILL AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120319300A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

RF AMPLIFIER MODULE, INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, WIRELESS COMMUNICATION UNIT AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130009710A1. Автор: Zhang Hongli,Tenbroek Bernard Mark. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

INTEGRATED CIRCUIT WITH ELECTROMAGNETIC INTRACHIP COMMUNICATION AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20130023210A1. Автор: ROFOUGARAN AHMADREZA (REZA). Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-24.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING A STANDARD CELL AND METHOD FOR FORMING

Номер патента: US20130069691A1. Автор: Sundareswaran Savithri. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH INTERPOSER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130070438A1. Автор: Bae JoHyun,Yang DeokKyung,Choi A Leam. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

MOSFET INTEGRATED CIRCUIT HAVING DOPED CONDUCTIVE INTERCONNECTS AND METHODS FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20130089980A1. Автор: Witt Christian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Integrated Circuit having a MOM Capacitor and Method of Making Same

Номер патента: US20130113073A1. Автор: LIU Chi-Wen,Wang Chao-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-09.

DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT TESTING AND CHARACTERIZATION SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20130116961A1. Автор: ELRABAA Muhammad E.S.. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2013-05-09.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH PAD AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130154072A1. Автор: Do Byung Tai,Trasporto Arnel Senosa,Chua Linda Pei Ee. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH LEADS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130154080A1. Автор: Do Byung Tai,Trasporto Arnel Senosa,Chua Linda Pei Ee. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH LEADS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130154115A1. Автор: Camacho Zigmund Ramirez,Bathan Henry Descalzo,Espiritu Emmanuel. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH CONTACTS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130154118A1. Автор: Do Byung Tai,Trasporto Arnel Senosa,Chua Linda Pei Ee. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH INTERCONNECTS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130157418A1. Автор: Choi JoonYoung,Choi DaeSik,Jeong YongHyuk. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130320566A1. Автор: Park Soohan,Yoon Sung Jun. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Integrated circuit chip temperature test device and method

Номер патента: CN101452048A. Автор: 王楠,周平,古炯钧. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-10.

Integrated circuit contact impedance test system and method thereof

Номер патента: TW555992B. Автор: Tsung-Jr Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-10-01.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH OPEN SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120018886A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH INTERLOCK AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120074548A1. Автор: Camacho Zigmund Ramirez,Bathan Henry Descalzo,Espiritu Emmanuel. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

INTEGRATED CIRCUIT WITH CHANNEL ESTIMATION MODULE AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120087428A1. Автор: Martinez Vincent. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-04-12.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH INTERCONNECTS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120146230A1. Автор: Oh JiHoon,Yoon Sung Jun,Lee Soo Won. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

RF TRANSMITTER AND INTEGRATED CIRCUIT WITH PROGRAMMABLE BASEBAND FILTERING AND METHODS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120157017A1. Автор: . Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-21.

INTEGRATED CIRCUITS HAVING PLACE-EFFICIENT CAPACITORS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120199950A1. Автор: Chumakov Dmytro. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

Integrated Circuit Chip with Repeater Flops and Methods for Automated Design of Same

Номер патента: US20120221993A1. Автор: . Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-08-30.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH PADS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120241948A1. Автор: Camacho Zigmund Ramirez. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING DOPED SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD

Номер патента: US20120313225A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-12-13.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH PADS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120319295A1. Автор: Shin HanGil,Chi HeeJo,Cho NamJu. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH UNDERFILL AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20120326291A1. Автор: Choi DaeSik,Kim Oh Han,SeIl Jung. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH STIFFENER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130056863A1. Автор: Shin HanGil,Chi HeeJo,Cho NamJu. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH INTERCONNECTS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130221543A1. Автор: Choi JoonYoung,Choi DaeSik,Jeong YongHyuk. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING SYSTEM WITH INTERPOSER AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20130328216A1. Автор: Jin Wei Qiang,Xu Ding Hui. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Photonic Integrated Circuit Based Phase Conjugation Devices and Methods

Номер патента: US20140003815A1. Автор: Mertz Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

PACKAGED INTEGRATED CIRCUIT HAVING LARGE SOLDER PADS AND METHOD FOR FORMING

Номер патента: US20140117554A1. Автор: Uehling Trent S.,WILKERSON Brett P.. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

Integrated circuit capable of selecting function and method for selecting function

Номер патента: JP3636232B2. Автор: 晶 柴田,嘉人 大友,浩一 瀬野. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-06.

Circuit structure wafer member and method of fabrication thereof

Номер патента: AU478221B2. Автор: Charles Alexis Jackson Paul Gordon Paterson William Griff. Владелец: Bunker Ramo Corp. Дата публикации: 1973-05-24.

Circuit Structures, Memory Circuitry, And Methods

Номер патента: US20130026471A1. Автор: Mueller Wolfgang,Liu Haitao,Zahurak John K.,Tang Sanh D.,Heineck Lars P.,Roberts Martin C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

Circuit structure of testkey and method for testing testkey

Номер патента: TWI520244B. Автор: 左青宇. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-02-01.

Copper foil structure and its manufacture method with black ultrathin copper foil

Номер патента: CN103857178B. Автор: 邹明仁,陈国钊,林雅玫. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

A kind of vertical LED chip structure and its manufacture method with Sapphire Substrate

Номер патента: CN105280767B. Автор: 林宇杰. Владелец: SHANGHAI PN-STONE PHOTOELECTRIC CO LTD. Дата публикации: 2018-02-16.

Appearance member structure and its manufacturing method with stereo suspending pattern

Номер патента: CN105059039B. Автор: 朱晓亮. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-16.

Multi-Voltage Level, Multi-Dynamic Circuit Structure Device

Номер патента: US20120002500A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GAS SENSOR CONTROL APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120001641A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Card Guide System and Method

Номер патента: US20120002385A1. Автор: Hanna John N.,Crowley David M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRUG DELIVERY MANAGEMENT SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004637A1. Автор: . Владелец: Lifes-can, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multiband Antenna and Method for an Antenna to be Capable of Multiband Operation

Номер патента: US20120001815A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel composition and methods for the treatment of psoriasis

Номер патента: US20120003246A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTION SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENTS OF A MOVABLE OBJECT

Номер патента: US20120001860A1. Автор: Phan Le Kim. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lithographic Apparatus and Method

Номер патента: US20120002182A1. Автор: NIENHUYS Han-Kwang,HUIJBERTS Alexander Marinus Arnoldus,Jonkers Peter Gerardus. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

DIE CONNECTION MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120001642A1. Автор: Hodge Richard H.,Sylvester Jeffry S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVITY MONITORING SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004883A1. Автор: . Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120002987A1. Автор: ODANI Makoto. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR VOICEMAIL TO TEXT CONVERSION

Номер патента: US20120002794A1. Автор: Zubas Michael,Jackson Jacqueline. Владелец: AT&T Mobility II LLC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

IR Detector System and Method

Номер патента: US20120001073A1. Автор: . Владелец: SELEX GALILEO LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR INDOOR POSITIONING

Номер патента: US20120002702A1. Автор: . Владелец: TENSORCOM INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Vacation Faucet Apparatus and Method

Номер патента: US20120004778A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AUDIO DRIVER SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120002819A1. Автор: Thormundsson Trausti,Jonsson Ragnar H.,Thorvaldsson Vilhjalmur S.,Wihardja James Walter. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods to Treat Bone Related Disorders

Номер патента: US20120003219A1. Автор: LU Chris,HU Shou-Ih,KNEISSEL Michaela,HALLEUX Christine. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Cleaning an Electronic Device

Номер патента: US20120000491A1. Автор: . Владелец: Lenovo (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIRECTOR DEVICE ARRANGEMENT WITH VISUAL DISPLAY ARRANGEMENT AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002552A1. Автор: Shaw Robert,Fung Randy,Liu Xiaochun,Matityahu Eldad,Carpio Dennis,Hui Siuman. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.