Integrated Circuit Structure and Method with Solid Phase Diffusion
Номер патента: US20150372144A1
Опубликовано: 24-12-2015
Автор(ы): Fang Ziwei, Wang Tsan-Chun
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-12-2015
Автор(ы): Fang Ziwei, Wang Tsan-Chun
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same
Номер патента: US09660075B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.