Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • WIDE-BASE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE WITH SIDEWALL POLYMER SPACER

WIDE-BASE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE WITH SIDEWALL POLYMER SPACER

Номер патента: US20220406841A1
Опубликовано: 22-12-2022
Автор(ы): Hashemi Pouya, Kothandaraman Chandrasekharan, Marchack Nathan P.
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

READ TECHNIQUES FOR A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ) MEMORY DEVICE WITH A CURRENT MIRROR

Номер патента: US20200105327A1. Автор: Gupta Gaurav,LIN Chung-Te,Chiang Katherine. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Magnetic tunnel junction with post-deposition hydrogenation

Номер патента: US09397287B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Magnetic tunnel junction device with perpendicular magnetization and method of fabricating the same

Номер патента: US9172032B2. Автор: Yung-Hung Wang,Kuei-Hung Shen,Shan-Yi Yang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-10-27.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: EP4403007A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US09553257B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US09553128B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20210399045A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Magnetic tunnel junction element and manufacturing method therefor

Номер патента: US09935262B2. Автор: Jinpyo Hong,Jabin LEE,Gwangguk AN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-03.

Magnesium oxide capping with a shorted path for perpendicular magnetic tunnel junction devices and method for fabrication

Номер патента: US09444035B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09537086B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09525125B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US09779793B2. Автор: Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetic tunnel junction device with separate read and write paths

Номер патента: RU2453934C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Шицюнь ГУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-06-20.

Memory Device with Spin-Harvesting Structure

Номер патента: US20230162773A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun,Christopher Safranski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Mram device with octagon profile

Номер патента: US20240233793A9. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150061059A1. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Whankyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Magnetic tunnel junction device and stochastic computing system including the same

Номер патента: US20230111057A1. Автор: Jeong-Heon Park,Kwang Seok Kim,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Method and device for huge magnetoresistance in graphene-based magnetic tunnel junctions with segmented potentials

Номер патента: US09537089B2. Автор: Chang-Hung CHEN,Wen-Jeng Hsueh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-03.

Magnetic tunnel junction element, magnetic memory using the same, and manufacture method of magnetic tunnel junction element

Номер патента: US20200027920A1. Автор: Yu Zhao,Masaki Yamada,Katsuya Miura,Kiyohiko Sato,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09502642B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Magnetic tunnel junction with improved tunnel barrier

Номер патента: RU2598863C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-09-27.

Double magnetic tunnel junction device, formed by UVH wafer bonding

Номер патента: US11114607B2. Автор: Alexander Reznicek,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09941466B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09721990B2. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Laser-detection devices including a voltage-controlled magnetic-tunneling-junction layer stack

Номер патента: US12027474B2. Автор: Vinayak Bharat Naik,Jia Hao Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Linear mram device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US20170005135A1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Vertical magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20240237544A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic tunnel junction antifuse circuit comprising parallel connected reference magnetic tunnel junctions to provide an optimum reference resistance

Номер патента: WO2007120159A3. Автор: Thomas W Andre,Chitra K Subramanian. Владелец: Chitra K Subramanian. Дата публикации: 2009-04-16.

Magnetic Tunnel Junctions And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160118439A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-04-28.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Magnetic tunnel junction based logic circuits

Номер патента: US09865650B2. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Low temperature encapsulation for magnetic tunnel junction

Номер патента: US09691972B1. Автор: Eric A. Joseph,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Yamazaki,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09691817B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing techniques and corresponding devices for magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US09666790B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09412935B1. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

Magnetic tunnel junction device with magnetoelectric assist

Номер патента: US20230240148A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Inverted wide base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20210288246A1. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Jonathan Zanhong Sun,Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Low temperature encapsulation for magnetic tunnel junction

Номер патента: US20170179194A1. Автор: Eric A. Joseph,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Yamazaki,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Magnetic etch stop layer for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09620706B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Sub-lithographic patterning of magnetic tunneling junction devices

Номер патента: US09490424B2. Автор: Yu Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20230091364A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20210143212A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Magnetic tunnel junction devices and magnetoresistive memory devices

Номер патента: US20190164587A1. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe,Ken Machida. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Magnetic tunnel junction device, method for manufacturing magnetic tunnel junction device, and magnetic memory

Номер патента: US11963458B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-04-16.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: US11944013B2. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: US20230091345A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: WO2011066324A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-03.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: EP2504836A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-10-03.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230225220A1. Автор: Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150340596A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170084821A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device

Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: US20140217532A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09608195B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic tunnel junction based anti-fuses with cascoded transistors

Номер патента: US09536926B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,John K. DeBrosse,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Prevention of switching of spins in magnetic tunnel junctions by on-chip parasitic magnetic shield

Номер патента: US10720567B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20200227471A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Magnetic tunnel junction and method for fabricating a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150280112A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and forming method thereof

Номер патента: US11950431B2. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: WO2023041530A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-23.

In-situ annealing to improve the tunneling magneto-resistance of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09853208B2. Автор: Guohan Hu,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150061051A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Magnetic Tunnel Junction With Non-Metallic Layer Adjacent to Free Layer

Номер патента: US20130334633A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor Device With Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20200135806A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chung-Te Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Tsung-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein

Номер патента: US09691967B2. Автор: Sechung Oh,Sangyong Kim,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Ultrathin perpendicular pinned layer structure for magnetic tunneling junction devices

Номер патента: US09634237B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11672184B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Magnetic tunnel junction transistor devices

Номер патента: GB2505599A. Автор: Vladislav Korenivski,Daniel C Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-05.

Magnetic tunnel junction stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354718A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Po-Sheng LU,Zhi-Ren Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Integration of spintronic devices with memory device

Номер патента: US09660183B2. Автор: Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09530959B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Magnetic tunnel junction element, magnetic memory using the same, and manufacture method of magnetic tunnel junction element

Номер патента: US11164906B2. Автор: Yu Zhao,Masaki Yamada,Katsuya Miura,Kiyohiko Sato,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US10840435B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-17.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US20200144482A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Mram device with octagon profile

Номер патента: US20240135978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Random number generator using stochastic magnetic tunneling junction structure

Номер патента: US20220165933A1. Автор: Seok Min Hong,Ouk Jae Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-26.

Mram device with hammerhead profile

Номер патента: US20240196758A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Spin-transfer torque magnetoresistive memory device with a free layer stack including multiple spacers and methods of making the same

Номер патента: US20210065761A1. Автор: Neil Smith,Tiffany Santos. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US9711200B2. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09680089B1. Автор: Wei Chen,Suresh Ramarajan,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic tunnel junction (MTJ) memory element having tri-layer perpendicular reference layer

Номер патента: US09608038B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09537088B1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

CoFeB Based Magnetic Tunnel Junction Device with Boron Encapsulation Layer

Номер патента: US20240122076A1. Автор: Alexander Reznicek,Young-Suk Choi,Matthias Georg GOTTWALD,Daniel P. Morris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Magnetic tunnel junction device utilizing lattice strain

Номер патента: US10170695B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20170117458A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Laser-detection devices including a voltage-controlled magnetic-tunneling-junction layer stack

Номер патента: US20240021543A1. Автор: Vinayak Bharat Naik,Jia Hao Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Mram device with wrap-around top electrode

Номер патента: US20240188446A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US20200058846A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20160180907A1. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2016-06-23.

Magnetic tunnel junction with TMR enhancement

Номер патента: US20190035447A1. Автор: Weisheng Zhao,Jiaqi Zhou. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-31.

Spin transfer torque magnetic tunnel junction with off-centered current flow

Номер патента: US09853205B1. Автор: Rolf Allenspach,Anthony J. Annunziata,Daniel C. Worledge,See-Hun Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Magnetic tunnel junction with low defect rate after high temperature anneal for magnetic device applications

Номер патента: US09842988B2. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09711200B2. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09373779B1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Magnetic tunnel junction devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic laver

Номер патента: US11751484B2. Автор: Satoru Araki. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: US20210013395A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: EP3764362A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

Tunnel junction selector mram

Номер патента: US20210098530A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Magnetic tunnel junction, magnetoresistive element and spintronics device in which said magnetic tunnel junction is used, and method of manufacturing magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210123991A1. Автор: Seiji Mitani,Kouichiro Inomata,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Thomas SCHEIKE. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2021-04-29.

Perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) devices employing a thin pinned layer stack and providing a transitioning start to a body-centered cubic (BCC) crystalline / amorphous structure below an upper anti-parallel (AP) layer

Номер патента: US09590010B1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09553259B2. Автор: Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Synthetic antiferromagnet (SAF) coupled free layer for perpendicular magnetic tunnel junction (P-MTJ)

Номер патента: US09548446B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Synthetic antiferromagnet (SAF) coupled free layer for perpendicular magnetic tunnel junction (p-MTJ)

Номер патента: US09324939B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Multiferroic magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US10319903B2. Автор: Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Methods of forming a magnetic electrode of a magnetic tunnel junction and methods of forming a magnetic tunnel junction

Номер патента: US9520553B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Magnetic tunneling junction devices, memories, electronic systems, and memory systems, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150102440A1. Автор: Woo Jin Kim,Sang Hwan Park,Jang Eun Lee,Woo Chang Lim,Se Chung Oh,Jeong Heon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-16.

Method of fabricating a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20140377884A1. Автор: MIENO FUMITAKE,Min-Hwa Chi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Tunnel Junction selector MRAM

Номер патента: US20220123050A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20240130243A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus and methods for magnetic memory devices with magnetic assist layer

Номер патента: US20220069202A1. Автор: Quang Le,Zhanjie Li,Xiaoyong Liu,Michael Ho,Yongchul Ahn,Thao A. Nguyen,Zhigang Bai,Hongquan Jiang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Mram device with wrap-around top electrode contact

Номер патента: US20240206345A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Logic chip including embedded magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09997563B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Joseph M. Steigerwald,Kevin J. Lee,John H. Epple. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09960346B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Logic chip including embedded magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09660181B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Joseph M. Steigerwald,Kevin J. Lee,John H. Epple. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming copper distribution with a thick cobalt-containing insert in the structure of devices operating based on magnetic tunnel junction

Номер патента: RU2694289C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Валентина Александровна Гайдедей. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА". Дата публикации: 2019-07-11.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and mram device

Номер патента: US20210376232A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: US10622011B2. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Mram device with self-aligned bottom electrodes

Номер патента: US20230422629A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Lisamarie White,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ annealing to improve the tunneling magneto-resistance of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20160190437A1. Автор: Guohan Hu,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

In-situ annealing to improve the tunneling magneto-resistance of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US9472754B2. Автор: Guohan Hu,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210408368A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of manufacturing magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: US20230017965A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: US20190172485A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Etch-resistant protective coating for a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20150340593A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Weyl semimetal material for magnetic tunnel junction

Номер патента: US20220328757A1. Автор: Jian-Ping Wang,Tony Low,Duarte José Pereira de Sousa,Cesar Octavio Ascencio. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-10-13.

Magnetic Tunnel Junction with Reduced Damage

Номер патента: US20200295254A1. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Perpendicular magnetic tunnel junction having improved reference layer stability

Номер патента: US20190207092A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20200127049A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11037982B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20210305317A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Short circuit reduction in magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20200403151A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Magnetic tunnel junction with an etched bottom electrode having non-planar sidewalls

Номер патента: US20230180622A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Magnetic tunnel junction (mtj) based true random number generators (trng)

Номер патента: US20180239590A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Jonathan Z. Sun,Suyog Gupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Logic Unit Including Magnetic Tunnel Junction Elements Having Two Different Anti-Ferromagnetic Layers

Номер патента: US20150325624A1. Автор: Yakov Roizin,Avi Strum. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Tungsten via for a magnetic tunnel junction interconnect

Номер патента: US12075709B2. Автор: Ming-Hsing Tsai,Ya-Ling Lee,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic tunnel junction structure for mram

Номер патента: US20230200255A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetic Random Access Memory (MRAM) Manufacturing Process for a Small Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Design with a Low Programming Current Requirement

Номер патента: US20130149797A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Interface engineering during MGO deposition for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09988715B2. Автор: Katie Lynn Nardi,Nerissa Sue Draeger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated magnetic tunnel junction (MTJ) in back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09917137B1. Автор: Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetic tunnel junction with reduced damage

Номер патента: US09905751B2. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device array

Номер патента: US09728718B2. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic tunnel junction patterning using low atomic weight ion sputtering

Номер патента: US09728717B2. Автор: Rohit Kilaru,Hiroyuki Miyazoe,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Precessional magnetization reversal in a magnetic tunnel junction with a perpendicular polarizer

Номер патента: US09721631B2. Автор: Andrew Kent,Huanlong Liu. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2017-08-01.

Contact layer for magnetic tunnel junction element and manufacturing method thereof

Номер патента: US09698342B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuits including magnetic tunnel junctions for magnetoresistive random-access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09691971B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Ming He,Craig CHILD,Seowoo Nam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) with in-plane magneto-static switching-enhancing layer

Номер патента: US09679625B2. Автор: Yuchen Zhou,Jing Zhang,Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Zihui Wang,Xiaojie Hao. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US09647200B1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Hybrid synthetic antiferromagnetic layer for perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ)

Номер патента: US09614147B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09601687B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Reference layer for perpendicular magnetic anisotropy magnetic tunnel junction

Номер патента: US09583696B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device array

Номер патента: US09570509B2. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09569712B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Differential magnetic tunnel junction pair including a sense layer with a high coercivity portion

Номер патента: US09524765B2. Автор: Yu Lu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Exclusive-OR gate using magneto-electric tunnel junctions

Номер патента: US09503085B1. Автор: Andrew Marshall,Jonathan Paul Bird. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-11-22.

Shared source line magnetic tunnel junction (MTJ) bit cells employing uniform MTJ connection patterns for reduced area

Номер патента: US09496314B1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device with enhanced stability and method to form same

Номер патента: US09478734B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Charles C. Kuo,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Balancing energy barrier between states in perpendicular magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09472748B2. Автор: Brian S. Doyle,Kaan OGUZ,Charles C. Kuo,Roksana GOLIZADEH MOJARAD,Arijit Raychowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Perpendicular magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US09385308B2. Автор: Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Magnetic tunnel junction devices having magnetic layers formed on composite, obliquely deposited seed layers

Номер патента: US8912614B2. Автор: Francesco A. Vetrò,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-16.

Magnetic tunnel junction transistor

Номер патента: US20100264475A1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Magnetic tunnel junction based reconfigurable processing system and components

Номер патента: US9754997B2. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Mark B. Johnson. Дата публикации: 2017-09-05.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US20200176041A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US20210312965A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20160308122A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetic tunnel junction structure and integration schemes

Номер патента: US20210384416A1. Автор: Young Seon You,Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Funan Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US11856866B2. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20240016064A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Magnetoelectric logic with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20240147867A1. Автор: Hai Li,Kaan OGUZ,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,John J. Plombon,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis,Dominique A. Adams. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20220263013A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180374896A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20200243754A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) device with enhanced stability and method to form same

Номер патента: US09882123B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Charles C. Kuo,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Spin transfer torque memory (STTM) device with half-metal and method to write and read the device

Номер патента: US09728238B2. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic tunnel junction ring oscillator with tunable frequency and methods for operating the same

Номер патента: US10693445B1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-23.

Magnetic tunnel junction element and method for manufacturing same

Номер патента: US10833256B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-11-10.

Mram device with annular electrodes

Номер патента: US20240107894A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Shanti Pancharatnam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Etching method for magnetic tunnel junction

Номер патента: US11963455B2. Автор: Lu Chen,Dongdong HU,Kaidong Xu,Dongchen CHE. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Structure and Method for an MRAM Device with a Multi-Layer Top Electrode

Номер патента: US20200098978A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: WO2019018051A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-24.

Cryogenic patterning of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190115528A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Hiroyuki Miyazoe,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: US20220359617A1. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20210391530A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Programmable magnetic tunnel junction

Номер патента: US20230076182A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Etching method for single-isolated magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210399215A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Huiqun REN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160163967A1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-09.

Dual Magnetic Tunnel Junction (DMTJ) Stack Design

Номер патента: US20200091408A1. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Guenole Jan,Luc Thomas,Sahil Patel,Vignesh SUNDAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor fabricating device and method for driving the same, and method for fabricating magnetic tunnel junction using the same

Номер патента: US20140038313A1. Автор: Won Joon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor fabricating device and method for driving the same, and method for fabricating magnetic tunnel junction using the same

Номер патента: US20130017625A1. Автор: Won Joon Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor fabricating device and method for driving the same, and method for fabricating magnetic tunnel junction using the same

Номер патента: US9287496B2. Автор: Won Joon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Magnetic Tunnel Junction with Low Defect Rate after High Temperature Anneal for Magnetic Device Applications

Номер патента: US20200395534A1. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: EP3656003A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-27.

Spinel containing magnetic tunnel junction and method of making the same

Номер патента: US20220036934A1. Автор: Matthew Carey,Tiffany Santos,Derek Stewart,Bhagwati PRASAD. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Mtj containing device with replacement top electrode

Номер патента: US20200251652A1. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Magnetic memory device with a plurality of capping layers

Номер патента: US12112783B2. Автор: Yongjae Kim,Kilho Lee,Seung Pil KO,Gawon LEE,Geonhee BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Processing apparatus based on MTJ(Magnetic Tunnel Junction) device, and electronic system comprising the same

Номер патента: KR20220116757A. Автор: 김상준,이강호,정승철,서보영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-23.

Magnetic tunnel junction having tapered all-around structure

Номер патента: US20210288247A1. Автор: Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Magnetic Tunnel Junction Device and Method

Номер патента: US20210226118A1. Автор: Qiang Fu,Yu-Shu Chen,Hui-Hsien Wei,Tai-Yen PENG,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Magnetic tunnel junction element with a robust reference layer

Номер патента: US20210134504A1. Автор: Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Reduced shorts in magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190341090A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Anthony Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160329489A1. Автор: Manzar Siddik. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-11-10.

Magnetic tunnel junction based true random number generator

Номер патента: US20200326911A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Jonathan Z. Sun,Rasit O. TOPALOGLU,Matthias G. Gottwald. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Combined physical and chemical etch for magnetic tunnel junction patterning

Номер патента: WO2018213107A1. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Sahil Patel,Dongna Shen,Vignesh SUNDAR. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-11-22.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US20230301198A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Multi-level memory cell using multiple magentic tunnel junctions with varying mgo thickness

Номер патента: EP2885787A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Kangho Lee,Taehyun Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-24.

Memory device with tunable probabilistic state

Номер патента: US20210065762A1. Автор: Ming Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Magnetic tunnel diode and magnetic tunnel transistor

Номер патента: US20180309047A1. Автор: Ersoy Şaşioǧlu,Stefan Blügel. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2018-10-25.

Tunnel junctions for long-wavelength vcsels

Номер патента: EP1766689A1. Автор: Rajaram Bhat,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Tunnel junctions for long-wavelength vcsels

Номер патента: WO2005117135A1. Автор: Rajaram Bhat,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2005-12-08.

Tunnel junctions for long-wavelength vcsels

Номер патента: CA2567028A1. Автор: Rajaram Bhat,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Tunnel junctions for long-wavelength vcsels

Номер патента: EP1766689A4. Автор: Rajaram Bhat,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Magnetic tunnel junction encapsulation using hydrogenated amorphous semiconductor material

Номер патента: US9698339B1. Автор: Jeong-Heon Park,Deborah A. Neumayer,Anthony J. Annunziata,Marinus Hopstaken,Chandrasekara Kothandaraman,JungHyuk Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) with in-plane magneto-static switching-enhancing layer

Номер патента: USRE47975E1. Автор: Yuchen Zhou,Jing Zhang,Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Zihui Wang,Xiaojie Hao. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Integrated circuits having magnetic tunnel junctions (MTJ) and methods for fabricating the same

Номер патента: US9299745B2. Автор: Xunyuan Zhang,Kunaljeet Tanwar,Sean Xuan Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Nonvolatile memory devices having magnetic tunnel junction memory cells therein

Номер патента: US20220246837A1. Автор: Yong Jae Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH,Geon Hee Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-04.

Three-dimensional (3D) magnetic memory devices comprising a magnetic tunnel junction (MTJ) having a metallic buffer layer

Номер патента: US11456410B2. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Short circuit reduction in magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11094878B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-17.

Magnetic tunnel junction elements and magnetic resistance memory devices including the same

Номер патента: US20200212104A1. Автор: Yoshiaki Sonobe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20230200256A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11877520B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11611035B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20200235292A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Multilayered magnetic free layer structure in magnetic tunnel junction arrays for sub-micrometer resolution pressure sensors

Номер патента: US20200217735A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Nanoscale magnetic tunnel junction arrays for sub-micrometer resolution pressure sensor

Номер патента: US20200158582A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US20170162782A1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US20170162626A1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Magnetic Tunnel Junction Integration Without Patterning Process

Номер патента: US20200119262A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Metal Etching Stop Layer in Magnetic Tunnel Junction Memory Cells

Номер патента: US20210384418A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chien Chung Huang,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Metal Etching Stop Layer in Magnetic Tunnel Junction Memory Cells

Номер патента: US20230263068A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chien Chung Huang,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for etching magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210399216A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Dual function magnetic tunnel junction pillar encapsulation

Номер патента: US20200028069A1. Автор: Donald F. Canaperi,Son V. Nguyen,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Cryogenic oxidation of metal layer of magnetic-tunnel-junction (MTJ) device

Номер патента: US10847713B2. Автор: Woo Chang Lim,Jun Ho Jeong,Whan Kyun Kim,Eun Sun Noh,Joon Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Cryogenic oxidation of metal layer of magnetic-tunnel-junction (mtj) device

Номер патента: US20190355900A1. Автор: Woo Chang Lim,Jun Ho Jeong,Whan Kyun Kim,Eun Sun Noh,Joon Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device including a magnetic tunneling junction (MTJ) device

Номер патента: US11515473B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Spin-orbit torque (sot) magnetic tunnel junction (mtj) (sot-mtj) devices employing perpendicular and in-plane free layer magnetic anisotropy to facilitate perpendicular magnetic orientation switching, suitable for use in memory systems for storing data

Номер патента: US20200066968A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Generating random bitstreams with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190347074A1. Автор: Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190147930A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Tungsten via for a magnetic tunnel junction interconnect

Номер патента: US20230016126A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Ya-Ling Lee,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunnel junction structure with non-magnetic amorphous insertion layer

Номер патента: US20240081155A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Young-Suk Choi,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Magnetic tunnel junction (mtj) integration on backside of silicon

Номер патента: US20200006627A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Tanay GOSAVI,Ian Young,Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic tunnel junction (mtj) integration on backside of silicon

Номер патента: EP3588502A3. Автор: Sasikanth Manipatruni,Tanay GOSAVI,Ian Young,Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Method and apparatus for reading a magnetic tunnel junction using a sequence of short pulses

Номер патента: US8947922B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and apparatus for reading a magnetic tunnel junction using a sequence of short pulses

Номер патента: US20140219013A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Asymmetric engineered storage layer of magnetic tunnel junction element for magnetic memory device

Номер патента: US11538986B2. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Multilayered spacer structure for a magnetic tunneling junction and method of manufacturing

Номер патента: US10957847B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Huang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Protective passivation layer for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11758820B2. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic tunnel junction element and semiconductor device

Номер патента: US20210257541A1. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

System and method to provide a reference cell using magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20150036409A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-02-05.

Shared source line magnetic tunnel junction (mtj) bit cells employing uniform mtj connection patterns for reduced area

Номер патента: WO2017048509A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-23.

Magnetic tunnel junction structures and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20210193914A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetic Tunnel Junction Having All-Around Structure

Номер патента: US20210193910A1. Автор: Pouya Hashemi,Daniel Worledge,Jonathan Z. Sun,Kotb Jabeur. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Protective Passivation Layer for Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20210293912A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Protective Passivation Layer for Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20200035912A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Protective passivation layer for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20230371395A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20240107895A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic tunnel junction between metal layers of a semiconductor device

Номер патента: US20150200353A1. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Hyun-Jin Cho,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for manufacturing magnetic tunnel junction element, and inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20190088865A1. Автор: Masaki Yamada. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic tunnel junction structure of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190259762A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11600661B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Magnetic tunnel junction (mtj) device array

Номер патента: US20170104153A1. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Asymmetric engineered storage layer of magnetic tunnel junction element for magnetic memory device

Номер патента: US20210328135A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Flexible substrate for use with a perpendicular magnetic tunnel junction (pmtj)

Номер патента: US20190206933A1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Dafna Beery,Amitay Levi,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic Tunnel Junction Patterning Using Low Atomic Weight Ion Sputtering

Номер патента: US20160260893A1. Автор: Rohit Kilaru,Hiroyuki Miyazoe,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Magnetic tunneling junction (MTJ) element with an amorphous buffer layer and its fabrication process

Номер патента: US12029046B2. Автор: Tsann Lin,Chien-Min Lee,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnetic tunnel junction with reduced damage

Номер патента: US20180166623A1. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Field-Effect Transistor Devices with Sidewall Implant Under Bottom Dielectric Isolation

Номер патента: US20210336056A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Xin Miao,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

semiconductor device with a plurality of semiconductor chips

Номер патента: CN110581213A. Автор: 王裕平,朱中良,陈建诚,陈昱瑞. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-17.

Iii-nitride p-n junction device using porous layer

Номер патента: WO2021150688A1. Автор: Shuji Nakamura,Christian J. ZOLLNER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-07-29.

Ferroelectric tunnel junction devices with internal biases for long retention

Номер патента: US20230054171A1. Автор: Milan PESIC,Bastien Beltrando. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory device with composite spacer

Номер патента: US11800822B2. Автор: Shih-Chang Liu,Fu-Ting Sung,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Photovoltaic device with transparent tunnel junction

Номер патента: MY201253A. Автор: Wei Zhang,Fang Mei,Markus Gloeckler. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device with composite spacer

Номер патента: US20230380306A1. Автор: Shih-Chang Liu,Fu-Ting Sung,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Metamorphic two-junction photovoltaic devices with removable graded buffers

Номер патента: US11764326B2. Автор: Daniel Joseph Friedman,Kevin Louis SCHULTE,Myles Aaron Steiner,Ryan Matthew FRANCE,Asegun Henry. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Metamorphic two-junction photovoltaic devices with removable graded buffers

Номер патента: US20220069157A1. Автор: Daniel Joseph Friedman,Kevin Louis SCHULTE,Myles Aaron Steiner,Ryan Matthew FRANCE,Asegun Henry. Владелец: Massachusetts Institute Of Technonlogy. Дата публикации: 2022-03-03.

Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

Номер патента: WO2021141616A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Barriers, injectors, tunnel-junctions, and cascaded led junctions

Номер патента: US20160308093A1. Автор: Mark S. Miller. Владелец: Terahertz Device Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Barriers, injectors, tunnel-junctions, and cascaded LED junctions

Номер патента: US09691941B2. Автор: Mark S. Miller. Владелец: Terahertz Device Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Superparamagnetic tunnel junction element and computing system

Номер патента: US20240212907A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Keisuke Hayakawa,Shun Kanai,Keito KOBAYASHI. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-06-27.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240365560A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini,Chun-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Line edge roughness improvement with sidewall sputtering

Номер патента: US09852924B1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Yiting Zhang,Zhongkui Tan,Hua Xiang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20220189853A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with sidewall interconnection structure and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US11961787B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-04-16.

Superparamagnetic tunnel junction element and computing system

Номер патента: EP4386863A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Keisuke Hayakawa,Shun Kanai,Keito KOBAYASHI. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-06-19.

Tunnel junction ultraviolet light emitting diodes with enhanced light extraction efficiency

Номер патента: US20230335675A1. Автор: Siddharth Rajan,Yuewei ZHANG,Fatih AKYOL,Zane JAMAL-EDDINE. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-10-19.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12120885B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini,Chun-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Hybrid tandem solar cells with improved tunnel junction structures

Номер патента: US09899556B2. Автор: Zhenqiang Ma,Shaoqin GONG,Tzu-Hsuan Chang,Jung-Hun Seo,Kanglin Xiong,Hongyi Mi. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-02-20.

Ferromagnetic tunnel junction element and method of driving ferromagnetic tunnel junction element

Номер патента: US09680088B2. Автор: Takuya Ono. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Iii-nitride-based vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with a dielectric p-side lens and an activated tunnel junction

Номер патента: WO2024044567A2. Автор: Shuji Nakamura,Stephen Gee,Daniel A. Cohen,Jared KEARNS,Nathan PALMQUIST. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-02-29.

Ferroelectric tunnel junction devices for low voltage and low temperature operation

Номер патента: US20240105811A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods and structures to improve the performance of iii-nitride tunnel junctions

Номер патента: WO2023159192A3. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Philip Chan,Daniel A. Cohen,Matthew S. WONG,Emily TRAGESER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-11-30.

Ferroelectric tunnel junction unit, a manufacturing method of a ferroelectric film thereof, a memory element, and a method of reading and writing the memory

Номер патента: US20180366477A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Shadow mask sidewall tunnel junction for quantum computing

Номер патента: US20190245132A1. Автор: Markus BRINK,Sami Rosenblatt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Shadow mask sidewall tunnel junction for quantum computing

Номер патента: US20200321509A1. Автор: Markus BRINK,Sami Rosenblatt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions

Номер патента: MY190562A. Автор: M Hilali Mohamed. Владелец: Zhejiang Kaiying New Mat Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions

Номер патента: US09929299B1. Автор: Mohamed M. Hilali. Владелец: Zhejiang Kaiying New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Highly doped layer for tunnel junctions in solar cells

Номер патента: US09722131B2. Автор: Christopher M. Fetzer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with trench epitaxy and contact

Номер патента: US09627497B1. Автор: Soon-Cheon Seo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with trench epitaxy and contact

Номер патента: US09449884B1. Автор: Soon-Cheon Seo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Type-ii high bandgap tunnel junctions of inp lattice constant for multijunction solar cells

Номер патента: CA2810895C. Автор: Daniel C. Law,Joseph Charles Boisvert,Robyn L. Woo. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-10-16.

Magnetoresistive double spin filter tunnel junction

Номер патента: US20020064004A1. Автор: Daniel Worledge. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2002-05-30.

Iii-nitride light emitting diodes with tunnel junctions wafer bonded to a conductive oxide and having optically pumped layers

Номер патента: US20200335663A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Robert M. Farrell,Tal Margalith,Benjamin P. YONKEE,Erin C. Young,Stacy J. Kowsz,Asad J. Mughal,Christopher D. Pynn. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-10-22.

Visualization system including tunnel junction based rgb die with isolated active regions

Номер патента: WO2024129662A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Tunnel junction based rgb die with isolated active regions

Номер патента: WO2024129659A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Cmos compatible light emitting tunnel junction (letj)

Номер патента: WO2020231926A1. Автор: Volker J. Sorger,Hasan GOKTAS. Владелец: The George Washington University. Дата публикации: 2020-11-19.

Detection of magnetic domains by tunnel junctions

Номер патента: US3840865A. Автор: W Thompson,F Holtzberg,Molnar S Von,A Mayadas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-10-08.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240023341A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Ferromagnetic tunnel junction element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075842A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Yo Sato,Hiroyuki Uchida,Naoki Hase,Hiroyuki Ohmori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US11805657B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Activation of p-type layers of tunnel junctions

Номер патента: US20230307579A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Hongjian Li,Michael Iza,Panpan LI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-09-28.

Bottom tunnel junction light-emitting field-effect transistors

Номер патента: WO2022016183A1. Автор: Debdeep Jena,Kevin Lee,Kazuki Nomoto,Huili Xing,Vladimir Protasenko,Austin Hickman,Shyam BHARADWAJ,Len VAN DEURZEN. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-01-20.

Ferroelectric tunnel junction memory device with integrated ovonic threshold switches and methods of making the same

Номер патента: US20210210497A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Super junction device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274658A1. Автор: HAO LI. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-layered tunnel junction structure, light emitting device having the same, and production method of such device

Номер патента: US11011674B2. Автор: Chun-Yi Wu,Chaoyu Wu,Duxiang Wang,Senlin Li,Jingfeng Bi,Shih-Yi Lien. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Ferroelectric tunnel junctions with conductive electrodes having asymmetric nitrogen or oxygen profiles

Номер патента: US20230403862A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi-Hsuan Chen,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20220029049A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Ahmed Alyamani,Abdulrahman Albadri,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2022-01-27.

Bilayer dielectric stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: US20220223608A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Bilayer stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: WO2023191981A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Power semiconductor device with dual shield structure in silicon carbide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411511A1. Автор: Chongman Yun,Kwang Hoon OH,Soo Seong KIM. Владелец: Trinno Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Tunnel junctions in microfluidic arrays for molecular recognition

Номер патента: US20200158687A1. Автор: Juraj Topolancik,Yann Astier. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Tunnel junctions in microfluidic arrays for molecular recognition

Номер патента: US20220018809A1. Автор: Juraj Topolancik,Yann Astier. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Metal organic chemical vapor depostion (mocvd) tunnel junction growth in iii-nitride devices

Номер патента: US20190245112A1. Автор: Steven P. DenBaars,James S. Speck,Abdullah Ibrahim Alhassan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-08-08.

Magnetoresistive Tunnel Junction

Номер патента: US20160240780A1. Автор: Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Magnetoresistive tunnel junction

Номер патента: US20140131652A1. Автор: Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Ultrahigh tunneling electroresistance in ferroelectric tunneling junction with giant barrier height modulation by monolayer graphene contact

Номер патента: US20240188303A1. Автор: Han Wang,Hung-Yu Chen,Jiang-bin WU. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2024-06-06.

Single-Electron Tunnel Junction for a Complementary Metal-Oxide Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20080054253A1. Автор: Dirk Leipold,Robert Staszewski,Renaldi Winoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Control method for sidewall contamination of mram magnetic tunnel

Номер патента: EP4398700A1. Автор: Jiahe LI,Dongdong HU,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Ferroelectric tunnel junction structure with l-shaped spacers

Номер патента: US20240381658A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Tunnel junction fabrication

Номер патента: US09425377B2. Автор: Brian Keating,Stephanie Moyerman. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for fabricating semiconductor device with sidewall oxidized dielectric

Номер патента: US11955564B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating semiconductor device with sidewall oxidized dielectric

Номер патента: US20220149195A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Pn junction device structure in semiconductor device with back side power delivery network (bspdn) structure

Номер патента: EP4235787A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Tunnel Junction Fabrication

Номер патента: US20140315723A1. Автор: Brian Keating,Stephanie Moyerman. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-10-23.

Iii-nitride tunnel junction with modified p-n interface

Номер патента: US20180374699A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Tal Margalith,Benjamin P. YONKEE,Erin C. Young,John T. LEONARD. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-12-27.

Ferroelectric tunnel junction (ftj) structures

Номер патента: US20240057343A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Kuo-Ching Huang,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method to improve performances of tunnel junctions grown by metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20240145625A1. Автор: Shuji Nakamura,David Hwang,Matthew S. WONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-02.

Ferroelectric tunnel junction with multilevel switching

Номер патента: WO2023004379A1. Автор: Raisul Islam,Mario LAUDATO,Ruben WALDMAN. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor devices with scalable two transistor memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040227173A1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Su-Jin Ahn,Hyoung-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Tunnel junction based rgb die and driving scheme

Номер патента: WO2024129661A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method to improve performances of tunnel junctions grown by metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: EP4292123A1. Автор: Shuji Nakamura,David Hwang,Matthew S. WONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-12-20.

Electronic device with cooling via distributor with liquid metal

Номер патента: RU2604572C2. Автор: Жак САЛА,Иван АВЕНА,Режи Бернар Альбер МЕРЕ,Мансур ТАВК. Владелец: Энститю Политекник Де Гренобль. Дата публикации: 2016-12-10.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Method of making ophthalmic device with self-contained energy source

Номер патента: RU2505405C2. Автор: Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2014-01-27.

Method of obtaining sealed case of microelectronic device with controlled environment in its interior volume

Номер патента: RU2660799C1. Автор: Максим Сергеевич Писарев,Дмитрий Николаевич Лежнев,Сергей Аркадьевич Собко,Константин Александрович Агеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2018-07-09.

Side-emitting device with hybrid top reflector

Номер патента: RU2481672C2. Автор: Кристиан КЛЕЙНЕН,Хендрик Й.Б. ЯГТ,Михаэла-Иоана ПОПОВИЧИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-05-10.

Electronic device with cooling element (versions)

Номер патента: RU2385516C2. Автор: Владимир Абрамов,Дмитрий Агафонов,Александр ШИШОВ,Николай ЩЕРБАКОВ,Игорь ДРАБКИН,Владимир МАРЫЧЕВ,Владимир ОСВЕНСКИЙ,Валерий СУШКОВ,Владимир АБРАМОВ (RU),Дмитрий Агафонов (RU),Александр ШИШОВ (RU),Николай ЩЕРБАКОВ (RU),Игорь ДРАБКИН (RU),Владимир МАРЫЧЕВ (RU),Владимир ОСВЕНСКИЙ (RU),Валерий СУШКОВ (RU). Владелец: ЗАО "Лайт Энджинс Корпорейшн". Дата публикации: 2010-03-27.

Electronic devices with transparent conducting coatings containing carbon nanotubes and composites from nanowires and methods of their manufacture

Номер патента: RU2560031C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-08-20.

Light-emitting device with heterophase boundaries

Номер патента: RU2434315C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2011-11-20.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11778921B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Jonathan Zanhong Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic device with optimised heat confinement

Номер патента: RU2553410C2. Автор: Эрван ГАПИАН,Кеннет МАККЕЙ,Джейсон РЕЙД. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-06-10.

Magnetic tunnel junction having polarising layer

Номер патента: RU2573756C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Рикардо СУЗА. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic tunnel junction device and writing/reading method for said device

Номер патента: CA2540608A1. Автор: Bernard Dieny,Ricardo Sousa,Dana Stanescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: GB2617742A. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,Zanhong Sun Jonathan,b doris Bruce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Magnetic tunneling junction device capable of magnetic switching without external magnetic field and memory device including the same

Номер патента: US20240321333A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20060128037A1. Автор: Reinder Coehoorn,Dark Adelerhof,Joannes Baptist Van Zon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP1116248A1. Автор: Joannes B. A. D. Van Zon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-07-18.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2001008176A1. Автор: Joannes B. A. D. Van Zon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-02-01.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP1116043A1. Автор: Reinder Coehoorn,Joannes B. A. D. Van Zon,Derk J. Adelerhof. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-07-18.

Electric shielding magnetic tunnel junction signal isolator

Номер патента: EP4451459A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Dual magnetic tunnel junction stack

Номер патента: US11832525B2. Автор: Mohit Gupta,Trong Huynh Bao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-28.

Post-treatment processes for ion beam etching of magnetic tunnel junction and structures formed by the same

Номер патента: US11991932B2. Автор: Hung-Yu CHANG,Min-Yung KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Logic element using spin-orbit torque and magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US20230119656A1. Автор: Jin Pyo Hong,Jeong Woo Choi,Jeong Hun Shin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US12022743B2. Автор: Tsann Lin,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Dual magnetic tunnel junction (DMTJ) stack design

Номер патента: US12082509B2. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Guenole Jan,Luc Thomas,Sahil Patel,Vignesh SUNDAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic tunneling junction element with a composite capping layer and magnetoresistive random access memory device using the same

Номер патента: US12108684B2. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic tunnel junction element with a robust reference layer

Номер патента: US11763972B2. Автор: Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Magnetic tunnel junction comprising an inhomogeneous granular free layer and associated spintronic devices

Номер патента: US12100437B2. Автор: Bernard Dieny,Ricardo Sousa,Ioan-Lucian Prejbeanu,Marco MANSUETO,Liliana Buda-Prejbeanu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-24.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US8216703B2. Автор: Jijun Sun,Jon M. Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Amorphous spin diffusion layer for modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: WO2022194515A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Self-pinned double tunnel junction head

Номер патента: US20050174702A1. Автор: Hardayal Gill. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Tunnel magneto-resistive (TMR) sensor with perpendicular magnetic tunneling junction (p-MTJ) structures

Номер патента: US11791083B2. Автор: Kazutaka Yamane,Vinayak Bharat Naik,Hemant M. Dixit,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: US8363459B2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Method for constructing magnetic tunneling junction devices and use of device for spin-dependent transport characterization

Номер патента: US20230247910A1. Автор: Quan Qing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for constructing magnetic tunneling junction devices and use of device for spin-dependent transport characterization

Номер патента: WO2022010935A9. Автор: Quan Qing. Владелец: Quan Qing. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for constructing magnetic tunneling junction devices and use of device for spin-dependent transport characterization

Номер патента: WO2022010935A3. Автор: Quan Qing. Владелец: Quan Qing. Дата публикации: 2022-04-07.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20120205762A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa,Akio Matsushita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Reduction of noise, and optimization of magnetic field sensitivity and electrical properties in magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20030179511A1. Автор: Gang Xiao,Xiaoyong Liu. Владелец: Brown University Research Foundation Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Magnetic tunnel junction having coherent tunneling structure

Номер патента: US20120217598A1. Автор: Yonghua Chen,Konstantin Nikolaev,Taras Pokhil,Xilin Peng,Victor Sapazhnikov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for immunosensing on a lipid layer using magnetic tunnel junctions ii

Номер патента: EP4356133A1. Автор: Dieter Heindl,Christian Wellner,Nikolaus-Peter Stengele,Regina BARANOWSKI. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for immunosensing on a lipid layer using magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP4356134A1. Автор: Dieter Heindl,Christian Wellner,Nikolaus-Peter Stengele,Regina BARANOWSKI. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2024-04-24.

Magnetic tunnel junction element and magnetoresistive memory device

Номер патента: US12004355B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hideto Yanagihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Spin logic device based on magnetic tunnel junction and electronic apparatus comprising the same

Номер патента: US20240120923A1. Автор: Ran Zhang,Xiufeng Han,Mingkun ZHAO,Caihua WAN. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2024-04-11.

Ultrathin perpendicular pinned layer structure for magnetic tunneling junction devices

Номер патента: WO2016105665A1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-30.

Magnetic tunnel junction with low defect rate after high temperature anneal for magnetic device applications

Номер патента: EP3326217A1. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-30.

Method for immunosensing on a lipid layer using magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20240118271A1. Автор: Dieter Heindl,Christian Wellner,Nikolaus-Peter Stengele,Regina BARANOWSKI. Владелец: Roche Diagnostics Operations Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for immunosensing on a lipid layer using magnetic tunnel junctions ii

Номер патента: US20240142441A1. Автор: Dieter Heindl,Christian Wellner,Nikolaus-Peter Stengele,Regina BARANOWSKI. Владелец: Roche Diagnostics Operations Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Tunnel Junction Device

Номер патента: US20070212572A1. Автор: Hiroshi Sato,Yuji Ishii,Hiroyuki Yamada,Yoshio Kaneko,Masashi Kawasaki,Yoshinori Tokura,Hiroshi Akoh. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2007-09-13.

Magnetic tunneling junction with synthetic free layer for sot-mram

Номер патента: US20230389448A1. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetic tunneling junction with synthetic free layer for SOT-MRAM

Номер патента: US11844287B2. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Vertical cavity surface emitting laser device with integrated tunnel junction

Номер патента: US12027819B2. Автор: Marcel Franz Christian Schemmann,Ulrich Weichmann. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Magneto-resistive random-access memory (mram) devices with self-aligned top electrode via

Номер патента: US20230337545A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Light emitting device with deteminable shape of output beam

Номер патента: US20240072518A1. Автор: Christopher Chase,Philip Worland,Michael Y. Huang,Neelanjan Bandyopadhyay,Carlos F. R. Mateus,Chuanshun Cao,Dalila Ellafi,Carl V. Ford,Kai Hui. Владелец: Bandwidth10 Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Optoelectronic device with vcsel providing a grid pattern

Номер патента: US20240088625A1. Автор: Carlos Fernando Rondina Mateus,Christopher Chase,Philip Worland,Michael C. Y. Huang,Murat Serbay,Stefano Prandoni. Владелец: Bandwidth10 Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Ultra-violet treatment for a tunnel barrier layer in a tunnel junction device

Номер патента: US20040082081A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-04-29.

Tunnel junction attenuator/dissipating element

Номер патента: EP4393061A1. Автор: Alberto Ronzani,Mika Prunnila,Janne Lehtinen,Nikolai Yurttagul. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2024-07-03.

Tunnel junction patterning for controlling optical and current confinement in a vertical-cavity surface-emitting laser

Номер патента: US20240380184A1. Автор: Elad Mentovich,Vladimir Iakovlev,Yuri Berk,Isabelle Cestier. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Long wavelength vcsel with tunnel junction and implant

Номер патента: WO2004049528A3. Автор: Tzu-Yu Wang,Ralph H Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Long wavelength vcsel with tunnel junction and implant

Номер патента: WO2004049528A2. Автор: Ralph H. Johnson,Tzu-Yu Wang. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-10.

Tunnel junction attenuator/dissipating element

Номер патента: WO2023025985A1. Автор: Alberto Ronzani,Mika Prunnila,Janne Lehtinen,Nikolai Yurttagul. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2023-03-02.

Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb

Номер патента: US20050094692A1. Автор: Jin Kim. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Iii-nitride-based vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with a dielectric p-side lens and an activated tunnel junction

Номер патента: WO2024044567A3. Автор: Shuji Nakamura,Stephen Gee,Daniel A. Cohen,Jared KEARNS,Nathan PALMQUIST. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-28.

Tunnel junction attenuator/dissipating element

Номер патента: AU2022332648A1. Автор: Alberto Ronzani,Mika Prunnila,Janne Lehtinen,Nikolai Yurttagul. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2024-03-07.

Tunnel junction attenuator/dissipating element

Номер патента: CA3229164A1. Автор: Alberto Ronzani,Mika Prunnila,Janne Lehtinen,Nikolai Yurttagul. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2023-03-02.

Magnetic field sensor with perpendicular to layer sensitivity, comprising a giant magnetorisistance material or a spin tunnel junction

Номер патента: EP1042684A1. Автор: Reinder Coehoorn,Kars-Michiel H. Lenssen,Pascal J. H. Bloemen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-11.

Distributed array of josephson devices with coherence

Номер патента: CA1178344A. Автор: Arthur Davidson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-11-20.

Distributed array of Josephson devices with coherence

Номер патента: US4344052A. Автор: Arthur Davidson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-08-10.

Magnon spin valve, magnon sensor, magnon field effect transistor, magnon tunnel junction and magnon memory

Номер патента: US11937513B2. Автор: Ping Tang,Xiufeng Han,Chenyang GUO,Caihua WAN. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2024-03-19.

Apparats for connecting electric device with communication line

Номер патента: RU2582575C1. Автор: Франсуа ГИЙО,Жан-Мари КУРТЕЙ,Максим ГУЛЬЕ,Мишель НОЛЛЕ. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2016-04-27.

Overvoltage protection device with movable contact comprising selective disconnection facility

Номер патента: RU2446502C2. Автор: Эрик ДОМЕЖАН. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2012-03-27.

Electric switching device with electromagnetic drive

Номер патента: RU2749091C1. Автор: Виктор Николаевич Петров,Геннадий Петрович Свинцов,Юрий Михайлович Зайцев,Николай Николаевич Сорокин,Николай Николаевич Николаев,Евгений Григорьевич Егоров,Николай Юрьевич Зайцев,Денис Семенович Сазанов,Валентин Юрьевич Котик,Наталия Юрьевна Луия. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный университет имени Ильи Николаевича Ульянова". Дата публикации: 2021-06-04.

Lighting device with the first and second related and mutually movable antennas

Номер патента: RU2653572C1. Автор: Рогер Хенри ДЕНКЕР,Марейн ГЕЛС,КАТОВЕН Дирк Ян ВАН,Хенрикус Матейс Мария КРЕМЕРС. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-05-15.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Electronic device with field emission cathode-mesh assembly manufacturing method

Номер патента: RU2653531C1. Автор: Магомет Абубекирович Конов,Мухамед Данильевич Бавижев,Рамазан Исаевич Тегаев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий"". Дата публикации: 2018-05-11.

Heating device with inbuilt thermal block for drink-making machine

Номер патента: RU2477068C2. Автор: Жиль ГАВИЛЛЕ,Штефан ЭТТЕР,Александр КОЛЛЕ,Петер МЁРИ,Томас ХОДЕЛЬ,Ренцо МОЗЕР,Петер ПРЕЙСИГ,Робин ШВАБ,Урс ГАУДЕНЦ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2013-03-10.

Device with at least one superconductive cable

Номер патента: RU2545027C2. Автор: Марк ШТЕММЛЕ,Клаус ШИППЛЬ,Штефан ЛАНГЕ,ПАЛЬМА Мишель ДИ. Владелец: Нексанс. Дата публикации: 2015-03-27.

Electronic device with cold emission cathode-mesh assembly manufacturing method

Номер патента: RU2652981C1. Автор: Магомет Абубекирович Конов,Мухамед Данильевич Бавижев,Рамазан Исаевич Тегаев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радий". Дата публикации: 2018-05-04.

Batteries of biomedical device with electrodeposited cathodes

Номер патента: RU2682482C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Ясер БЕЯД,Скотт ДОНН,Миллберн Эбенезер МУТУ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2019-03-19.

Method of filling high-voltage electrotechnical devices with liquid dielectric and device for its implementation

Номер патента: RU2699365C1. Автор: Николай Алексеевич Зарецкий,Роман Викторович Порубов,Олег Олегович Федоркин,Эльвира Алексеевна Деменкова,Артем Валерьевич Бурцев,Константин Александрович Квасников. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-09-05.

Electric device with multichamber body

Номер патента: RU2579152C2. Автор: Дитмар ГЕНЧ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2016-04-10.

Connecting device with movable contacts and pins sliding along electric guides, designed for use in home, office or industrial electric wiring

Номер патента: RU2516305C2. Автор: ПЕРАЛЕС-ФАЙОС Анхель. Владелец: Системас Метальпер, С.Л.. Дата публикации: 2014-05-20.

Analyte detection device with three-dimensional sensor

Номер патента: US20240268716A1. Автор: Cuijun YANG. Владелец: Medtrum Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Combined surge protection device with integrated spark gap

Номер патента: US09449778B2. Автор: Rainer Durth. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-20.

Internal current-conducting bus and electrical reciprocal junction device for it

Номер патента: RU2542714C2. Автор: Тодд М. БЕРГМАН,Брайан Т ПАТТЕРСОН,Уилльям Дж. ГАРВЕР,Чарльз Э. РЕЙНОЛДС,Рич ФЛИКЕНДЖЕР,Джей А. ЭЙЗЕНХАУЭР,Джере В. МАЙЕРС. Владелец: Уортингтон Армстронг Венчер. Дата публикации: 2015-02-27.

Device with decreased noise, and noise reduction method

Номер патента: RU2479050C2. Автор: Михель ЭРТЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2013-04-10.

Switching device with the arc extinction with the help of permanent magnets

Номер патента: RU2629563C2. Автор: Роберт КРАЛИК. Владелец: ШАЛЬТБАУ ГМБХ. Дата публикации: 2017-08-30.

Electrochemical device with solid alkaline ion-conducting electrolyte and water electrolyte

Номер патента: RU2521042C2. Автор: Гвенаэлле ТУССЕН,Филипп СТИВЕНС. Владелец: Электрисите Де Франс. Дата публикации: 2014-06-27.

Overvoltage protection device with state alarm

Номер патента: RU2412496C2. Автор: Йозеф ЧЕРНИКА. Владелец: Кива Спол. С Р.О.. Дата публикации: 2011-02-20.

Electrical mounting device with mobile telephone charger

Номер патента: RU2524924C2. Автор: Ханс Йорг ТРОЙДЕ. Владелец: Абб Аг. Дата публикации: 2014-08-10.

Radial power amplification device with amplifier channels phase variance compensation

Номер патента: RU2484558C2. Автор: Жан-Филипп ФРЕЙСС,Жан-Мишель ДЕНУАЛЬ,Ален ПЕДЕН. Владелец: Таль. Дата публикации: 2013-06-10.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: GB2622539A. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,P Marchack Nathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: US11980039B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: GB202400110D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Dual spacer for double magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US12063867B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Magnetic random access memory (mram) array with magnetic tunnel junction (mtj) cells and remote diodes

Номер патента: MY118271A. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12150387B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Magnetic tunnel junction device, magnetic memory using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US12041854B2. Автор: Jongill Hong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic tunnel junction device with air gap

Номер патента: US11937512B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Scandium nitride magnetic tunnel junction device

Номер патента: US12063789B2. Автор: Daniel S. Marshall,Jean Anne INCORVIA,Suyogya KARKI. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-13.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11844284B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4364542A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4381915A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman,Nathan MARCHACK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Josephson junction device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099161A1. Автор: Jaeho SHIN,Jaehyeong LEE,Jinhyoun KANG,Daeseok Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Magnetic tunnel junction device with magnetoelectric assist

Номер патента: WO2023143046A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-08-03.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for MRAM characterization

Номер патента: US09541605B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20240090236A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-level magnetic tunnel junction NOR device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US11864392B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Magnetic tunnel junction device and method of forming the same

Номер патента: US12082510B2. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chen-Chiu Huang,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Tunnel junction selector MRAM

Номер патента: US12144184B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Encaspulated mram device with wrap-around top electrode

Номер патента: US20240324469A1. Автор: Son Nguyen,Ashim Dutta,Rudy J. Wojtecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic tunnel junction device and method of forming the same

Номер патента: US20240373758A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chen-Chiu Huang,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20240381786A1. Автор: Qiang Fu,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Magnetic tunnel junction device with residue-protection sidewall spacer and the method for forming a magnetic tunnel junction device with residue-protection sidewall spacer

Номер патента: US11910620B2. Автор: Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-13.

Ferromagnetic tunnel junction, spintronics device using same, and method for manufacturing ferromagnetic tunnel junction

Номер патента: EP3640942A1. Автор: Shinya Kasai,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Xiandong XU,Ikhtiar. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2020-04-22.

Memory device with spin-harvesting structure

Номер патента: US11823723B2. Автор: Jonathan Zanhong Sun,Christopher Safranski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Magnetic tunnel junction device with improved barrier layer

Номер патента: WO2007120344A3. Автор: Jijun Sun,John T Martin,Jon M Slaughter. Владелец: Jon M Slaughter. Дата публикации: 2008-10-30.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-01.

Memory device with spin-harvesting structure

Номер патента: WO2023088922A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun,Christopher Safranski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Tunnel junction memory cell

Номер патента: EP1306850A2. Автор: Manish Sharma,Lung T. Tran,Thomas C. Anthony. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-02.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20240237551A1. Автор: Qiang Fu,Yu-Shu Chen,Hui-Hsien Wei,Tai-Yen PENG,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device containing magnetic tunnel junction

Номер патента: US12082508B2. Автор: Jea Gun Park,Jong Ung BAEK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-03.

Highly nonlinear magnetic tunnel junctions for dense magnetic random access memories

Номер патента: US20040109347A1. Автор: Yu Lu,John DeBrosse,Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Magnetic tunnel junction based memory device

Номер патента: SG10201807227PA. Автор: Romney R Katti. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for fabricating a magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2015148059A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-01.

Magnetic tunnel junction and method of fabrication

Номер патента: WO2010048259A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,Matthew Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor device with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20240251568A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chung-Te Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Tsung-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Ordered alloy magnetic tunnel junction with simplified seed structure

Номер патента: US20240244982A1. Автор: Alexander Reznicek,Guohan Hu,Matthias Georg GOTTWALD,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetic tunneling junctions with a magnetic barrier

Номер патента: US20230422631A1. Автор: Shufeng Zhang,Weigang Wang,Yihong Cheng,Ali Habiboglu. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2023-12-28.

Low resistance magnetic tunneling junction

Номер патента: EP1038324A1. Автор: Eugene Chen,Renu Whig,Jon Slaughter. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-27.

Magnetic tunnel junction (mtj) element and its fabrication process

Номер патента: US20240365676A1. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic tunnel junction device with separate read and write paths

Номер патента: CA2710334A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Shiqun Gu,Xiaochun Zhu. Владелец: Xiaochun Zhu. Дата публикации: 2009-06-25.

Low current switching magnetic tunnel junction design for magnetic memory using domain wall motion

Номер патента: US20090109739A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klaus Malmhall. Владелец: Yadav Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US11716909B2. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US12069961B2. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonmetallic liner around a magnetic tunnel junction

Номер патента: US11849647B2. Автор: Tao Li,Ashim Dutta,Yann Mignot,Wenyu Xu,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230263072A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for MRAM characterization

Номер патента: US9684035B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Scandium nitride magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2020150419A1. Автор: Daniel S. Marshall,Jean Anne INCORVIA,Suyogya KARKI. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2020-07-23.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12010926B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for mram characterization

Номер патента: US20170168114A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for tunnel junction sensor with magnetic cladding

Номер патента: WO2007016009A2. Автор: Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-02-08.

Low RA narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US12063868B2. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic tunnel junction free layer of multiple materials

Номер патента: US20240334837A1. Автор: Alexander Reznicek,Guohan Hu,Matthias Georg GOTTWALD,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

A multi-resistance non-volatile ferroelectric tunnel junction based on ferroelastic domain switching

Номер патента: AU2020103264A4. Автор: HUI Li,Xiaoyan Lu,Zhen Pan,Yanzhe Dong. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-01-14.

Tunnel junction selector MRAM

Номер патента: US11737284B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Magnetic tunnel junctions with voltage tunable interlayer coupling for memory and sensor applications

Номер патента: US11805703B2. Автор: Weigang Wang,Ty Newhouse-Illige. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic tunnel junction (mtj) devices with heterogeneous free layer structure, particularly suited for spin-torque-transfer (stt) magnetic random access memory (mram) (stt mram)

Номер патента: WO2017078877A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-11.

Tunnel Junction Selector MRAM

Номер патента: US20230345737A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2024083036A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: EP4207252A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Tunnel junction sensor with magnetic cladding

Номер патента: WO2007016010A2. Автор: Young Sir Chung,Robert W. Baird. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for erasing a semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell

Номер патента: US7995402B2. Автор: Fernando Gonzalez,Parag Banerjee,Terry Gafron. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Method of manufacturing magnetic tunnel junction (MTJ) device

Номер патента: US11723287B2. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Etch-resistant protective coating for a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP3146572A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-29.

Etch-resistant protective coating for a magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2015179149A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Magnetic tunnel junction element and semiconductor device

Номер патента: US12022742B2. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for etching magnetic tunnel junction

Номер патента: US12035633B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20230225136A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11930645B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US9705500B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic tunnel junction on planarized electrode

Номер патента: EP2524403A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Wei-Chuan Chen,Wah Nam Hsu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-11-21.

Magnetic tunnel junction on planarized electrode

Номер патента: WO2011088359A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Wei-Chuan Chen,Wah Nam Hsu,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-21.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US11751375B2. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2015122963A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Reducing or avoiding metal deposition from etching magnetic tunnel junction (mtj) devices, including magnetic random access memory (mram) devices

Номер патента: WO2018026529A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for forming magnetic tunneling junction layer for magnetic random access memory

Номер патента: US6884731B2. Автор: Tae-Wan Kim,I-hun Song,Soon-won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-26.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US20170170827A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: EP3105760A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Magnetic tunnel junction resistance comparison based physical unclonable function

Номер патента: WO2016085629A1. Автор: Xu Guo,Xiaochun Zhu,Brian Marc Rosenberg. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-02.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2015035053A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

Reducing or avoiding metal deposition from etching magnetic tunnel junction (mtj) devices, including magnetic random access memory (mram) devices

Номер патента: EP3472875A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-24.

Separate write and read access architecture for magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2005096313A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL, INC.. Дата публикации: 2005-10-13.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044793A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Method for reducing damage to magnetic tunnel junction of mram

Номер патента: EP4391782A1. Автор: Jiahe LI,Dongdong HU,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Comparator including a magnetic tunnel junction (MTJ) device and a transistor

Номер патента: US09813049B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan,Manu RASTOGI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for reducing damage to magnetic tunnel junction of mram

Номер патента: US20240381778A1. Автор: Jiahe LI,Dongdong HU,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09576634B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09495627B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Magnetic tunnel junction resistance comparison based physical unclonable function

Номер патента: US09489999B2. Автор: Xu Guo,Xiaochun Zhu,Brian Marc Rosenberg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Spinel containing magnetic tunnel junction and method of making the same

Номер патента: WO2022026057A1. Автор: Derek Stewart,Bhagwati PRASAD,Bruce Terris. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US11856868B2. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Stochastic memristive devices based on arrays of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11875833B2. Автор: Pedram Khalili Amiri,Giovanni FINOCCHIO. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of forming a magnetic tunneling junction device

Номер патента: US11793085B2. Автор: Kevin Garello,Davide Francesco CROTTI. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-17.

Magnetic tunnel junction, array of magnetic tunnel junctions, and associated fabrication method

Номер патента: EP4362650A1. Автор: Bernard Dieny,Ricardo Sousa,Ioan-Lucian Prejbeanu,Nuno-Filipe Fernandes Caçoilo,Olivier Fruchart. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-05-01.

Modified double magnetic tunnel junction structure suitable for beol integration

Номер патента: WO2021084366A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20240090343A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetic etch stop layer for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2016089535A1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US11990167B2. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3284116A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2016167870A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-10-20.

Stochastic Memristive Devices Based on Arrays of Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20240105245A1. Автор: Pedram Khalili Amiri,Giovanni FINOCCHIO. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic tunnel junction cell including multiple vertical magnetic domains

Номер патента: EP2266136A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-12-29.

Magnetic tunneling junctions with a magnetic barrier

Номер патента: US11793086B2. Автор: MENG Xu,Shufeng Zhang,Weigang Wang,Ty A. Newhouse-Illige,Yihong Cheng,Pravin Khanal. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: US20230345840A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Technologies for physically unclonable functions with magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2018063570A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Magnetic Tunnel Junction Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021230A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: US11793002B2. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3323158A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-23.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2017011289A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11980040B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chung-Te Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Tsung-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic tunnel junction, array of magnetic tunnel junctions, and associated fabrication method

Номер патента: WO2024094572A1. Автор: Bernard Dieny,Ricardo Sousa,Ioan-Lucian Prejbeanu,Nuno-Filipe Fernandes Caçoilo,Olivier Fruchart. Владелец: Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives. Дата публикации: 2024-05-10.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: WO2022233235A1. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-11-10.

Magnetic tunnel junction storage element

Номер патента: GB2577021A. Автор: Hu Guohan,Park Jeong-Heon,Worledge Daniel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Magnetic tunnel junction storage element

Номер патента: WO2018224929A1. Автор: Jeong-Heon Park,Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic tunnel junction (mtj) element and its fabrication process

Номер патента: US20230337547A1. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Sot-mram device with in-plane magnetic layer

Номер патента: EP4369342A1. Автор: Sebastien COUET,Kaiming CAI,Giacomo TALMELLI. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-15.

Magnetic tunnel junction cell including multiple vertical magnetic domains

Номер патента: WO2009120487A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-10-01.

Magnetic tunnel junction storage element with magnetic exchange coupled free layer

Номер патента: GB2578039A. Автор: Hu Guohan,Worledge Daniel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-15.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11968908B2. Автор: Qiang Fu,Yu-Shu Chen,Hui-Hsien Wei,Tai-Yen PENG,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3231019A1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-18.

Low ra narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: WO2022194510A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Low ra narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: EP4309174A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-24.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2016178721A1. Автор: Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-11-10.

Magneto-electric low power analogue magnetic tunnel junction memory

Номер патента: US11823724B2. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US11963462B2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3292571A1. Автор: Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-14.

Magneto-electric low power analogue magnetic tunnel junction memory

Номер патента: WO2023072589A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of manufacturing mram device with enhanced etch control

Номер патента: US20240260479A1. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Meng-Yu Wu,Szu-Hua Wu,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Exclusive-or logic device with spin orbit torque effect

Номер патента: EP3304741A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-11.

Memory device with tunable probabilistic state

Номер патента: US12057153B2. Автор: Ming Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for reducing damage on mram magnetic tunnel junction

Номер патента: TW202310041A. Автор: 彭泰彥,胡冬冬,楊宇新,李佳鶴,開東 許. Владелец: 大陸商江蘇魯汶儀器有限公司. Дата публикации: 2023-03-01.

Magnetic random access memory with thermally stable magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US6518588B1. Автор: Stuart S. P. Parkin,Mahesh G. Samant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

Separate write and read access architecture for a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20050152180A1. Автор: Romney Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Hybrid synthetic antiferromagnetic layer for perpendicular magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: EP3084764A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Magnetic tunnel junction having all-around structure

Номер патента: AU2020405412B2. Автор: Pouya Hashemi,Daniel Worledge,Kotb Jabeur,Jonathan Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods to improve magnetic tunnel junction memory cells by treating native oxide

Номер патента: US20240065110A1. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Meng Yu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device comprising magnetic tunneling junctions (MTJs) in a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US11871585B2. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20230380128A1. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic tunnel junction (mtj) for multi-key encryption

Номер патента: US20200279058A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Bruce B. Doris,Dimitri Houssameddine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method to improve magnetic tunnel junction memory cells by treating native oxide

Номер патента: US11844283B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Meng Yu Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US11832527B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US11812667B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

A comparator including a magnetic tunnel junction (mtj) device and a transistor

Номер патента: EP3335316A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan,Manu RASTOGI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-20.

Comparator including a magnetic tunnel junction (mtj) device and a transistor

Номер патента: US20170047912A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan,Manu RASTOGI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Methods for forming a spacer stack for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11785858B2. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

System and method to provide a reference cell comprising four magnetic tunnel junction elements

Номер патента: EP3028280A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-08.

Generating random bitstreams with magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2019216994A1. Автор: Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

Magnetic tunnel junction (mtj) device array

Номер патента: WO2016122811A1. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-08-04.

Magnetic tunnel junction memory cell with a buffer-layer and methods for forming the same

Номер патента: US11844285B2. Автор: Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Processing device based on magnetic tunnel junction (MTJ) element and electronic system including the processing device

Номер патента: US11755900B2. Автор: Kangho Lee,Seungchul Jung,BoYoung Seo,SangJoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

1-bit 3-terminal racetrack array with integrated magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: WO2023046544A1. Автор: See-Hun Yang,Jaewoo JEONG,Stuart S.P. Parkin,Unghwan PI. Владелец: MAX PLANCK GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN EV. Дата публикации: 2023-03-30.

System and method to provide a reference cell comprising four magnetic tunnel junction elements

Номер патента: WO2015017134A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2015-02-05.

Magnetic Tunnel Junction Cell Adapted to Store Multiple Digital Values

Номер патента: US20110090732A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Magnetic tunnel junction structures with protection outer layers

Номер патента: US20230389446A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Device Comprising Magnetic Tunneling Junctions in a Magnetoresistive Random Access Memory

Номер патента: US20240090233A1. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Activation function generator based on magnetic domain wall driven magnetic tunnel junction and manufacturing method

Номер патента: US20240122075A1. Автор: Ming Liu,Yan Wang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Xiaoxin Xu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-04-11.

Multi-bit magnetic tunnel junction memory and method of forming same

Номер патента: EP2807648A1. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Raghu Sagar Madala,Kendrick H. Yuen,Sean Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-03.

Read circuit for magnetic tunnel junction (MTJ) memory

Номер патента: US11862218B2. Автор: Gaurav Gupta,Zhiqiang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Spacer Stack For Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20230413680A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic tunnel junction memory cell with a buffer-layer and methods for forming the same

Номер патента: US20230371393A1. Автор: Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Hard mask for patterning magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2016195946A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Ha CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-12-08.

Replacement conductive hard mask for multi-step magnetic tunnel junction (mtj) etch

Номер патента: EP3127174A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Intrinsic Josephson superconducting tunnel junction device

Номер патента: US20010050362A1. Автор: Yuji Kasai,Shigeki Sakai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Method of making devices with thin-film tunnel junctions

Номер патента: RU2733330C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Дарья Владимировна Нагирная,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of devices with floppy microbridges manufacture

Номер патента: RU2632630C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: ФАНО России Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2017-10-06.

Superconductive tunnel junction device with enhanced characteristics and method of manufacture

Номер патента: US4536414A. Автор: Lawrence N. Smith,Harry Kroger,Don W. Jillie. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1985-08-20.

Method of manufacturing mram device with enhanced etch control

Номер патента: US20230380291A1. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Meng-Yu Wu,Szu-Hua Wu,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetoresistive random access memory device with in-plane magnetic layer

Номер патента: US20240155949A1. Автор: Sebastien COUET,Kaiming CAI,Giacomo TALMELLI. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing MRAM device with enhanced etch control

Номер патента: US11985904B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Meng-Yu Wu,Szu-Hua Wu,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming semiconductor device with sidewall access gate

Номер патента: WO2003100834A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Michiel Slotboom,Franciscus P Widdershoven,Nicole A H F Wils. Владелец: Nicole A H F Wils. Дата публикации: 2004-04-22.

Corrosion and/or oxidation damage protection for tunnel junctions

Номер патента: US09685201B2. Автор: Icko E. T. Iben,Lee C. Randall. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Superconductive tunnel junction integrated circuit

Номер патента: US4430662A. Автор: Don W. Jillie, Jr.,Lawrence N. Smith. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US20240315150A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Corrosion and/or oxidation damage protection for tunnel junctions

Номер патента: US20170011777A1. Автор: Icko E.T. Iben,Lee C. Randall. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: US11957068B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory cells with sidewall and bulk regions in vertical structures

Номер патента: EP4348714A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: US20240147872A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Tunnel junction device using compound oxide superconductor material

Номер патента: CA2029662C. Автор: Saburo Tanaka,Hideo Itozaki,Takashi Matsuura,Kenjiro Higaki,Shuji Yazu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-07-23.

Memory cells with sidewall and bulk regions in planar structures

Номер патента: WO2022251792A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for producing edge geometry superconducting tunnel junctions utilizing an NbN/MgO/NbN thin film structure

Номер патента: US5100694A. Автор: Brian D. Hunt,Henry G. LeDuc. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1992-03-31.

Cross array ferroelectric tunnel junction devices for artificial intelligence and machine learning accelerators

Номер патента: EP4092749A1. Автор: Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-23.

Method for producing semiconductor device with capacitor stacked

Номер патента: US6048764A. Автор: Hiroshi Suzuki,Akira Kubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Ultrahigh tunnelling electroresistance in ferroelectric tunnelling junction with giant barrier height modulation by monolayer graphene contact

Номер патента: WO2022271844A1. Автор: Han Wang,Hung-Yu Chen,Jiang-bin WU. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-12-29.

Tunnel junctions in microfluidic arrays for molecular recognition

Номер патента: US20230349857A1. Автор: Juraj Topolancik,Yann Astier. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Tunnel junctions in microfluidic arrays for molecular recognition

Номер патента: US11726059B2. Автор: Juraj Topolancik,Yann Astier. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Tunnel junction

Номер патента: WO2015067933A1. Автор: Evan Parker,Terence Whall,Mika Prunnila,David GUNNARSSON,Martin PREST. Владелец: Vtt Technical Research Centre Of Finland. Дата публикации: 2015-05-14.

Topological tunnel junction

Номер патента: US20240276888A1. Автор: Heinz Schmid,Bernd W. Gotsmann,Bogdan Cezar Zota,Alan Molinari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and device with josephson junction

Номер патента: US20240260483A1. Автор: Daeyun Kim,Daeho YANG,Jaeho SHIN,Jaehyeong LEE,Jinhyoun KANG,Daeseok Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

System of controllable electric motor and device with electric drive which is part of this system

Номер патента: RU2639319C1. Автор: Масахиро КОБАЯСИ,Ясуси МОРИ,Йосиюки ОКАМОТО. Владелец: Мицубиси Хэви Индастриз Компрессор Корпорейшн. Дата публикации: 2017-12-21.

Electric motor with low short circuit moment, drive device with multiple engines and method of manufacturing such engine

Номер патента: RU2630254C2. Автор: Жером ПИАТОН. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2017-09-06.

Sliding device with breaker

Номер патента: RU2531366C1. Автор: Чжэньчжун ЛЮ,Янь ИНЬ,Жан-Поль ФЕРРАН,Ришар ВАШЕ. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2014-10-20.

Devices with scanner of fingerprints

Номер патента: RU2683621C2. Автор: Алоис ХОМЕР. Владелец: НОВОМАТИК АГ. Дата публикации: 2019-03-29.

Device with at least one sim

Номер патента: RU2636748C2. Автор: Марко НОУСИАЙНЕН,Илькка РАХИКАЙНЕН,Томми УХАРИ,Яри А. КОККОНЕН. Владелец: Урос Текнолоджи С.А.Р.Л.. Дата публикации: 2017-11-28.

Aerosol generating system, with charger and aerosol generating device, with contacts at the ends

Номер патента: RU2746573C1. Автор: Рафаэль ХОЛЬЦХЕРР,Ханкак ЛИ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2021-04-15.

Devices with heat exchanger for thermoelectric generator of car

Номер патента: RU2569128C2. Автор: Рольф БРЮК,Зигрид ЛИМБЕК. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2015-11-20.

Communication device with several carriers, communication system with several carriers and method of transmission power control

Номер патента: RU2365040C2. Автор: Исаму ЙОСИИ. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2009-08-20.

Aerosol delivery device with replaceable wick and heater assembly (options)

Номер патента: RU2747838C2. Автор: Майкл Ф. ДЭВИС,Перси Д. ФИЛЛИПС,Ноа М. МИНСКОФФ,Джеймс Уильям РОДЖЕРС,Лиза Э. БРАУН,Джеймс ДЕМОПУЛОС. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-05-14.

Aerosol delivery device with tank casing and evaporator assembly

Номер патента: RU2733366C2. Автор: Пол Эндрю БРИНКЛИ,Тимоти Брайан НЕСТОР,Джон ДЕПИАНО,Мэтью К. ЭББС,Майкл Ф. ДЭВИС,Стефан Бенсон СИРС,Эрик Тэйлор ХАНТ,Кристен Доддс УЭЙТ. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and device for selection of backlash in kinematic transmission of support-rotary device with two interconnected electric drives

Номер патента: RU2726951C1. Автор: Семен Львович Самсонович,Борис Константинович Федотов,Роман Владимирович Горюнов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)". Дата публикации: 2020-07-17.

Method for video coding with movement prediction, video coding device with movement prediction, video coding program with movement prediction, method for video decoding with movement prediction, video decoding device with movement prediction, video decoding program with movement prediction

Номер патента: RU2684573C1. Автор: Чоонг Сенг БООН,Тиоу Кенг ТАН,Йосинори СУДЗУКИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2019-04-09.

Method of integrating a server using alternating current power into a server system using direct current power and alternative junction device therefor

Номер патента: US09778712B2. Автор: Shih-Ming Chen,Wen-Che Tsai,Jin-Yuan Lai,Tsung-Wen Chang. Владелец: Lite On Electronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Sensor matching device with electronic equipment

Номер патента: RU2719427C1. Автор: Михаил Викторович Чиркин,Алексей Владимирович Молчанов,Георгий Витальевич Давыдов,Владимир Владимирович Климаков,Андрей Евгеньевич Серебряков,Валерий Юрьевич Мишин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2020-04-17.

Light-emitting device with organic phosphor

Номер патента: RU2595698C2. Автор: Йохан ЛУБ,Рифат Ата Мустафа ХИКМЕТ,Рене Теодорус ВЕГ. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2016-08-27.

Aerosol generating device with heater

Номер патента: RU2768239C2. Автор: Тхэ Хун КИМ,Чон Хо ХАН,Хен Иль ЛИМ,Сан Кю ПАК. Владелец: Кейтиэндджи Корпорейшн. Дата публикации: 2022-03-23.

Device for measuring complex transmission and reflection coefficients of microwave devices with frequency conversion up

Номер патента: RU2646948C1. Автор: Константин Станиславович Коротков,Аким Алексеевич Бабенко,Даниил Русланович Фролов,Антон Сергеевич Левченко,Александр Викторович Гноевой,Николай Андреевич Яковенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-03-12.

Search device with programmed matched filter for search of multiple pilot signals

Номер патента: RU2254680C2. Автор: Кристофер ПАТРИК,Гилберт К. СИХ,Ян ФЕВРИЕР,Иниуп КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2005-06-20.

Input linear module of broadband receiving microwave device with extended dynamic range

Номер патента: RU2715406C1. Автор: Сергей Александрович Петров,Павел Васильевич Куприянов. Владелец: Павел Васильевич Куприянов. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and screen image editing device of the mobile device with the touch sensitive display

Номер патента: RU2629429C2. Автор: Дзоонг Хун КВОН,Киу Сунг КИМ,Дзее Йеун ВАНГ,Ю Сик КИМ,Хой Чул ЯНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2017-08-29.

Load power supply device with variable electric power consumption

Номер патента: RU2598901C2. Автор: Ив БОНИ. Владелец: Атлантик Индюстри. Дата публикации: 2016-10-10.

Threshold device with automatic noise stabilization of threshold

Номер патента: RU2732003C1. Автор: Валерий Григорьевич Вильнер,Михаил Михайлович Землянов,Евгений Викторович Кузнецов,Александр Ефремович Сафутин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха". Дата публикации: 2020-09-09.

Overlay device for mobile electronic device with liquid container and means of spraying

Номер патента: RU2615635C2. Автор: ПАДРЕ Мария Маддалена ДЕЛЬ,Серджио МАТТИА,Юлия Владимировна КАПРАНОВА. Владелец: Найсвей Криэйшн Лимитед. Дата публикации: 2017-04-06.

Electric heating device with heating element with electric drive and anode for cathodic protection against corrosion

Номер патента: RU2724655C1. Автор: Вильфрид БИТИН,Кристоф КЛЯЙН-ШМАЙНК,Енс ГРЮЦМАНН. Владелец: Магонтек Гмбх. Дата публикации: 2020-06-25.

Power amplifier device with built-in power supply unit

Номер патента: RU2701486C1. Автор: Сергей Вячеславович Власкин,Виталий Геннадиевич Соколов,Иван Николаевич Логунов,Виктор Николаевич Погосьян. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Ангстрем". Дата публикации: 2019-09-26.

Active field semiconductor or optoelectronic device with non-volatile memory and method for manufacture of such device

Номер патента: RU2498461C2. Автор: ДИ ПАЙВА МАРТИНШ Родригу ФЕРРАН,ФОРТУНАТУ Элвира Мария КОРРЕЯ,ПЕРЕЙРА Луиш Мигел НУНИШ,БАРКИНЬЯ Педру Мигел КАНДИДУ,ОЛИВЕЙРА КОРРЕЯ Нуну Филипи ДИ. Владелец: Факулдади Ди Сиенсьяш И Текнология Да Универсидади Нова Ди Лижбуа. Дата публикации: 2013-11-10.

Device with motor and engine controller

Номер патента: RU2596586C2. Автор: Беат ВЕБЕР,Атилла БЕКЕР,Пауль Ф. ГУЙЕР. Владелец: Белимо Холдинг Аг. Дата публикации: 2016-09-10.

Low frequency loudspeaker device with configurable directivity

Номер патента: RU2323550C2. Автор: Гуидо НОСЕЛЛИ,Стефано НОСЕЛЛИ,Мишель НОСЕЛЛИ. Владелец: АУТЛАЙН ди НОСЕЛЛИ ДЖИ энд СИ. ЭС ЭН СИ.. Дата публикации: 2008-04-27.

Redundant magnetic tunnel junctions in magnetoresistive memory

Номер патента: US09548095B2. Автор: Jon Slaughter,Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Implementing stochastic networks using magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09466030B2. Автор: Dharmendra S. Modha,Bryan L. Jackson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Spin transfer torque - magnetic tunnel junction device and method of operation

Номер патента: EP2436010A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for writing to a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09734884B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Memory built-in self-test with automated detection of magnetic tunneling junction degradation for repair

Номер патента: WO2024215333A1. Автор: Martin Keim,Jongsin Yun,Sina BAKHTAVARI MAMAGHANI,Christopher Münch,Mehdi Baradaran Tahoori. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2024-10-17.

Otp scheme with multiple magnetic tunnel junction devices in a cell

Номер патента: WO2014043575A1. Автор: Jung Pill Kim,Kangho Lee,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-20.

Forming irreversible state in single-bit cell having first magnetic tunnel junction and second magnetic tunnel junction

Номер патента: RU2553087C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ,Хари М. РАО,Дзунг Пилл КИМ,Тае Хиун КИМ,Кангхо ЛИ,Вах Нам ХСУ,Уян ХАО,Дзунгвон СУХ,Николас К. ЮЙ,Мэттью Майкл НОВАК,Стивен М. МИЛЛЕНДОРФ,Асаф АШКЕНАЗИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2015-06-10.

Nonvolatile variable resistance memory circuit which includes magnetic tunnel junction element

Номер патента: US09928891B2. Автор: Tetsuo Endoh,Takashi Ohsawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction

Номер патента: US09336847B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Magnetic tunnel junction with compensation element

Номер патента: US8023316B2. Автор: WEI Tian,DeXin Wang,Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Xiaohua Lou. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-09-20.

Spiking neural network hardware based on magnetic-tunnel-junction layer stacks

Номер патента: US11894029B1. Автор: Kazutaka Yamane,Vinayak Bharat Naik,Joel Tan,Jia Hao Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

High-Speed Compare Operation Using Magnetic Tunnel Junction Elements Including Two Different Anti-Ferromagnetic Layers

Номер патента: US20150325279A1. Автор: Yakov Roizin,Avi Strum. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method and apparatus for sensing the state of a magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: US20140169079A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Non-volatile static random access memory (nvsram) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20240296887A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic tunnel junction current sensors

Номер патента: WO2007053340A2. Автор: Mark A. Durlam,Jiang-Kai Zuo,Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-05-10.

Magnetic tunnel junction temperature sensors

Номер патента: WO2007041007A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-04-12.

Sense path circuitry suitable for magnetic tunnel junction memories

Номер патента: US09773537B2. Автор: Michael A. Sadd,Bruce L. Morton. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatuses, methods, and systems for stochastic memory circuits using magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09734880B1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Sadique Ul Ameen Sheik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile (NV)-content addressable memory (CAM) (NV-CAM) cells employing differential magnetic tunnel junction (MTJ) sensing for increased sense margin

Номер патента: US09728259B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic tunnel junction ternary content addressable memory

Номер патента: US09543013B1. Автор: Swaroop Ghosh,Rekha Govindaraj. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-01-10.

Method and apparatus for writing to a magnetic tunnel junction (MTJ) by applying incrementally increasing voltage level

Номер патента: US09520174B2. Автор: Petro Estakhri,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Magnetic memory having two transistors and two magnetic tunnel junctions per memory cell

Номер патента: US09472256B1. Автор: THOMAS Andre. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods and systems to read a magnetic tunnel junction (MTJ) based memory cell based on a pulsed read current

Номер патента: US09455011B2. Автор: Yih Wang,Brian Doyle,Fatih Hamzaoglu,Charles Kuo,David Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD,James Tschanz,Arijit Raychowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method and apparatus for increasing the reliability of an access transitor coupled to a magnetic tunnel junction (MTJ)

Номер патента: US09343134B2. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Generating a non-reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction and a second magnetic tunnel junction

Номер патента: CA2807392A1. Автор: Xia Li,Asaf ASHKENAZI,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Wah Nam Hsu,Tae Hyun Kim,Kangho Lee,Wuyang Hao,Jungwon Suh,Nicholas K. Yu,Hari M. Rao,Steven M. Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Stochastic Memristive Devices Based on Arrays of Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20210005236A1. Автор: Pedram Khalili Amiri,Giovanni FINOCCHIO. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-01-07.

Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction

Номер патента: EP3134899A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-01.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20130021842A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Generating a non-reversible state at a bitcell having a first magnetic tunnel junction and a second magnetic tunnel junction

Номер патента: CA2807392C. Автор: Xia Li,Asaf ASHKENAZI,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Wah Nam Hsu,Tae Hyun Kim,Kangho Lee,Wuyang Hao,Jungwon Suh,Nicholas K. Yu,Hari M. Rao,Steven M. Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Bias structure for magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor

Номер патента: US6724586B2. Автор: Hardayal Singh Gill. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2004-04-20.

Dual magnetic tunnel junction sensor with a longitudinal bias stack

Номер патента: US6822838B2. Автор: Tsann Lin,Daniele Mauri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-23.

Magnetic gradiometer based on magnetic tunnel junctions in magnetic vortex state (vortex mtj)

Номер патента: US20230333057A1. Автор: Gang Xiao,Xixiang Zhang,Guanyang HE,Yiou ZHANG. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory cell including a spin-orbit-torque (SOT) layer and magnetic tunnel junction (MTJ) layer stacks and writing method therefor

Номер патента: US11842758B2. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-12.

Magnetic-tunnel-junction-based random number generator

Номер патента: US20220398068A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Raising Programming Currents of Magnetic Tunnel Junctions Using Word Line Overdrive and High-k Metal Gate

Номер патента: US20120281464A1. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Raising programming currents of magnetic tunnel junctions using word line overdrive and high-k metal gate

Номер патента: US8879308B2. Автор: Yu-Jen Wang,Shine Chung,Chun-Jung Lin,Hung-Sen Wang,Tao-Wen Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Magnetic field sensor using magnetic tunneling junction (MTJ) structures and passive resistors

Номер патента: US11747412B2. Автор: Eng Huat Toh,Kazutaka Yamane,Vinayak Bharat Naik,Hemant M. Dixit. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile static random access memory (nvSRAM) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US11984164B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

NON-VOLATILE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (nvSRAM) WITH MULTIPLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELLS

Номер патента: US20230298665A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

NON-VOLATILE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (nvSRAM) WITH MULTIPLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELLS

Номер патента: US20210201997A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Corking device with valve and method of its fabrication

Номер патента: RU2458832C2. Автор: Геррит Ян СТЕГЕМАН,БУР Себастиан Вилхелмус Йосефус ДЕН,АЛЬФЕН Ян ВАН,ОЛЬСТ Ленни Марита ЭЛЛЕНКАМП-ВАН. Владелец: Пластикум Груп Б.В.. Дата публикации: 2012-08-20.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20140328117A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Memory device with shared read/write circuitry

Номер патента: US09530476B2. Автор: Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Electronic devices with sidewall passageways

Номер патента: US20240211717A1. Автор: Domen Barovic. Владелец: Chipolo doo. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device with differential bit cells

Номер патента: US20160099037A1. Автор: Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Fabrication of tunneling junctions with nanopores for molecular recognition

Номер патента: US12024744B2. Автор: Juraj Topolancik,Zsolt Majzik,Flint MITCHELL. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of repairing defective tunnel junctions

Номер патента: EP1195680A2. Автор: Thomas C. Anthony,Janice H. Nickel. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-04-10.

Conveyor belt with sidewalls

Номер патента: US09771220B1. Автор: Daniel Hendrickson,James Honeycutt,Edward T. Mol. Владелец: Intralox LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method implemented in a computer for the numerical simulation of semiconductor devices containing tunnel junctions

Номер патента: US20130275095A1. Автор: Mathieu Baudrit,Carlos Algora Del Valle,Ignacio Rey-Stolle Prado,Ivan Garcia Vara,Pilar Esplnet Gonzalez. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Дата публикации: 2013-10-17.

Memory device with shared read/write circuitry

Номер патента: US20160099038A1. Автор: Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Memory device with shared read/write circuitry

Номер патента: US20160247551A1. Автор: Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Conveyor belt with sidewalls

Номер патента: EP3468901A1. Автор: Daniel Hendrickson,James Honeycutt,Edward T. Mol. Владелец: Intralox LLC. Дата публикации: 2019-04-17.

Conveyor belt with sidewalls

Номер патента: WO2017213744A1. Автор: Daniel Hendrickson,James Honeycutt,Edward T. Mol. Владелец: Intralox, L.L.C.. Дата публикации: 2017-12-14.

Tunnel-junction structures and methods

Номер патента: US6821848B2. Автор: Kurt Ulmer,Andrew L. Van Brocklin,David Punsalan,Neal W. Meyer,Peter Fricke,Andrew Koll,Dennis Lazaroff,Kenneth M. Kramer,James E. Ellenson. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-11-23.

LCD with polymer spacers

Номер патента: US6437847B1. Автор: Katsuhiko Kishimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-08-20.

Molecular tunnel junctions and their use as sources of electronic plasmons

Номер патента: US20170285225A1. Автор: LIN Wu,Tao Wang,Wei Du,Christian Albert Nijhuis,Hong-Son Chu. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-10-05.

Tunneling junctions for sequencing

Номер патента: US20230332223A1. Автор: Dieter Heindl,Frank Bergmann,Hannes KUCHELMEISTER,Juraj Topolancik,Yann Astier,Nikolaus Klaus-Peter Stengele. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Techniques for electrically characterizing tunnel junction film stacks with little or no processing

Номер патента: US8004278B2. Автор: David William Abraham,Daniel Christopher Worledge,Philip Louis Trouilloud,Joerg Dietrich Schmid. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2011-08-23.

Content addressable memory based on selfrectifying ferroelectric tunnel junction element

Номер патента: US20230086821A1. Автор: Seong Ook Jung,Se Hee LIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-03-23.

Method and apparatus for adjustment of current through a magnetoresistive tunnel junction (MTJ) based on temperature fluctuations

Номер патента: US09911482B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic field sensor comprising a spin-tunnel junction

Номер патента: WO1999022368A2. Автор: Reinder Coehoorn,Jacobus Josephus Maria Ruigrok,Pieter Jan Van Der Zaag. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-05-06.

Tunnel junction type magneto-resistive head

Номер патента: US20100103564A1. Автор: Koichi Nishioka,Hiroaki Chihaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Tunnel junction sensor with antiparallel (AP) coupled flux guide

Номер патента: US20020135949A1. Автор: Hardayal Gill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Method and apparatus for evaluating superconducting tunnel junction detector noise versus bias voltage

Номер патента: US10816587B2. Автор: William K. Warburton,Jackson T. Harris. Владелец: XIA LLC. Дата публикации: 2020-10-27.

Solid state gas sensors based on tunnel junction geometry

Номер патента: CA2526087C. Автор: Rex Ramsier,Desmond Lundy. Владелец: UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2011-09-20.

Locking and regulating device with electromagnet

Номер патента: RU2749630C1. Автор: Алексей Валентинович Ушенин,Михаил Анатольевич Бойцов,Михаил Петрович Кофлер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Промавтоматика-Саров". Дата публикации: 2021-06-16.

Fire and explosion protection system for two-stage dust collection devices with cyclone in first stage

Номер патента: RU2673509C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-11-27.

Method of stage change in fuel supply in device with combustion chamber

Номер патента: RU2526410C2. Автор: Дональд У. КЕНДРИК. Владелец: Лин Флейм, Инк.. Дата публикации: 2014-08-20.

Safety shut-off device with controlled valve disc (versions)

Номер патента: RU2647577C2. Автор: Кристьян-Тибериу МОЛДОВАН,Роман АЛЕКСАНДРУ-ВЛАД,Стэнли Д. ХОЛЛ,Мишель БУВРИ,Дэвид Е. ВУЛЛАМС,Тун К. НГУЕН. Владелец: Эмерсон Процесс Менеджмент Регьюлэйтор Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2018-03-19.

Ultrasonic generator and skin care device with mentioned generator

Номер патента: RU2373915C2. Автор: Такеси МАЦУСАКА,Махито НУНОМУРА,Итару САИДА. Владелец: Панасоник Электрик Воркс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-11-27.

Structure reinforced concrete slab dismantling method and load-gripping device with eccentric for its implementation

Номер патента: RU2662478C1. Автор: Инна Дмитриевна Сахарова,Вильгельм Юрьевич Казарян. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПП СК МОСТ". Дата публикации: 2018-07-26.

Aircraft control device with protected force sensor and aircraft, equipped with such device

Номер патента: RU2631720C2. Автор: Седрик АНТРЕЖЮ. Владелец: Ратье Фижак. Дата публикации: 2017-09-26.

Refrigerating device with height-adjustable carrier for cooled objects

Номер патента: RU2423900C2. Автор: Ханс-Керстен ХРУБЕШ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2011-07-20.

Water feed device filter and filter holder, and water feed device with, at least, one filter and, at least, one filter holder

Номер патента: RU2418614C2. Автор: Норберт МАЙЕР,Андреас ШВАРЦ. Владелец: Альфред Кэрхер Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-05-20.

Self-locking drive control handle of medical device with mechanism for coupling with cam drive

Номер патента: RU2608440C2. Автор: Томас В. СЕЛКИ. Владелец: Байосенс Вебстер (Изрэйл), Лтд.. Дата публикации: 2017-01-18.

Electric power supply method and device with redundancy of several servo motors or drive motors by means of common power electronic unit

Номер патента: RU2437135C2. Автор: Кристоф ГИЕБЕЛЕР,Мартин РЕКСИЕК. Владелец: Дойчес Центрум Фюр Люфт-Унд Раумфарт И.В. (Длр). Дата публикации: 2011-12-20.

Connection device with profile plank and sliding bearing unit for movable elements of furniture piece

Номер патента: RU2386772C2. Автор: Рейнхард БЕРИНГ. Владелец: Хеттих-Хейнце ГмбХ энд Ко. КГ. Дата публикации: 2010-04-20.

Burner attachment device with cooling system for burner plant in gas generator with flow gasification

Номер патента: RU2499815C2. Автор: Олаф ШУЛЬЦЕ,Антон Альтапп,Михаель Гэтке,Буркхард Меллер,Райнхольд Грунвальд,Вольфганг Рабэ,Гюнтер Шольц. Владелец: Линдэ Аг. Дата публикации: 2013-11-27.

Aerosol generating device with holding mechanism

Номер патента: RU2771102C2. Автор: Майкл Эллиотт ДОЙЛ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2022-04-26.

Vehicle with elongated longitudinal structure for loading and unloading device with engine drive

Номер патента: RU2688084C2. Автор: Даниель ШЕЕР. Владелец: Лор Электромеканик. Дата публикации: 2019-05-17.

Medical device with surface containing gallous oxide

Номер патента: RU2636515C1. Автор: Андерс ЙОХАНССОН,Анна АРВИДССОН,Мортен РОТ. Владелец: Дентспли Их Аб. Дата публикации: 2017-11-23.

Massage device with shock wave effect

Номер патента: RU2695307C1. Автор: . Владелец: АЙС ГмбХ. Дата публикации: 2019-07-22.

Air intake device with drop plug of unmanned aerial vehicle with air-jet engine

Номер патента: RU2739449C1. Автор: Юрий Николаевич Левченко,Владимир Данилович Матрусов,Валерий Анатольевич Щеглов,Елтуган Кимашевич Сыздыков,Павел Агдреевич Агнистиков. Владелец: Акционерное Общество "Государственное Машиностроительное Конструкторское Бюро "Радуга" Имени А.Я. Березняка". Дата публикации: 2020-12-24.

Connection device with wide accessibility for furniture elements and furnishings

Номер патента: RU2719220C2. Автор: Карло КАТТАНЕО. Владелец: Леонардо С.р.Л.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method of feeding water-hydrogen fuel into hydroelectric spark device with spark ignition, water-hydrogen fuel, and device for production thereof

Номер патента: RU2725648C1. Автор: Нурислям Нуруллович Шарапов. Владелец: Киямов Расим Хамзович. Дата публикации: 2020-07-03.

Flow regulator and starting device with flow regulator

Номер патента: RU2764474C2. Автор: Леонид Васильевич Салич,Филипп Андреевич Казанкин. Владелец: Акционерное общество "НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ МАШИНОСТРОЕНИЯ" (АО "НИИМаш"). Дата публикации: 2022-01-17.

Beard cutting device with one or more rotary heads surrounded by special-shaped crests, having crest protection position

Номер патента: RU2697119C2. Автор: Пьер ЖЮЛЬМОН,Оливье Смаль. Владелец: Бабилисс Фако Спрл. Дата публикации: 2019-08-12.

Method for short-term operation of well using immersed pump device with electric drive

Номер патента: RU2293176C1. Автор: Николай Петрович Кузьмичев. Владелец: Николай Петрович Кузьмичев. Дата публикации: 2007-02-10.

Methods for manufacturing and application of ophthalmological devices with power supply, with energy saving mode

Номер патента: RU2641917C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС,Кэмилл ХИГХАМ,Скотт Р. ХАМФРИЗ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Pipeline surface temperature measuring device with the installation device

Номер патента: RU2652661C1. Автор: Георгий Александрович Васильев,Сергей Алексеевич Суровикин,Валерий Васильевич Сосновиков,Сергей Алексеевич Ерохин. Владелец: Закрытое акционерное общество Специализированное конструкторское бюро "Термоприбор". Дата публикации: 2018-04-28.

Aerosol generating device with flat heater

Номер патента: RU2765175C1. Автор: Симон ДЕСНЕРК,Луи-Филипп ВАНКРАЙНЕСТ,Питер ВАН ЛАНКЕР. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2022-01-26.

Metered and activated sprayer devices with aerosol functionality ("flairosol ii")

Номер патента: RU2683982C2. Автор: Вильхельмус Йоханнес Йосеф МАС,Петрус Ламбертус Вильхельмус ХЮРКМАНС,Аарон С. ХАЛЕВА,Паоло НЕРВО. Владелец: Диспенсинг Текнолоджиз Б.В.. Дата публикации: 2019-04-03.

Flexible fixing-combining device with high criminal resistance

Номер патента: RU2647244C1. Автор: Сергей Владимирович Назаркин,Александр Васильевич Анненков,Алексей Петрович Кретов,Сергей Николаевич Масибут. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Транс-пломбир". Дата публикации: 2018-03-14.

Device with direct control, particularly, proportional and/or linear control for fluid feed and/or discharge system

Номер патента: RU2488547C2. Автор: Николя СИЛАР. Владелец: Фмс Текноложи Са. Дата публикации: 2013-07-27.

Tray for frozen food and refrigerating device with such tray

Номер патента: RU2455592C2. Автор: Кристоф БЕКЕ,Макс АЙГЕР. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2012-07-10.

Control method and vehicle control device with automatic driving function

Номер патента: RU2705480C1. Автор: Такаси СУНДА,Матико ХИРАМАЦУ,Хвасеон ДЗАНГ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-11-07.

Device with turntable sections

Номер патента: RU2597033C1. Автор: Вальтер ГЮНТЕР,Александр КРОНШТАЙНЕР. Владелец: Лисец Аустриа Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

The active devices with alternating properties of energy/light transmission

Номер патента: RU2442203C2. Автор: Ксавье ФАНТОН,Жан-Кристоф Жирон,Филипп Летокар,Рино МЕССЕР,Аннабелль АНДРО-ВИДЕНМАИР,Манфред ГИЛЛИССЕН,Карл-Хайнц ПАФФЕН,Херманн ЕРИС. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2012-02-10.

Fire fighting device with fire sprinklers

Номер патента: RU2630786C1. Автор: Татьяна Дмитриевна Ходакова. Владелец: Татьяна Дмитриевна Ходакова. Дата публикации: 2017-09-13.

Linen care device with pump for washing solution

Номер патента: RU2675461C2. Автор: Раймонд Рёмер,Торстен БЁТТГЕР,Кевин ХАН. Владелец: Бсх Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2018-12-19.

Injection device with means for blocking function

Номер патента: RU2433840C2. Автор: Клаус Шмидт МЁЛЛЕР,Бо КВОЛСБЬЕРГ,Бенни Педер Смижек ПЕДЕРСЕН. Владелец: Ново Нордиск А/С. Дата публикации: 2011-11-20.

Liquid dosing device with reusable pump

Номер патента: RU210059U1. Автор: Евгений Александрович Непокульчицкий. Владелец: Евгений Александрович Непокульчицкий. Дата публикации: 2022-03-25.

Kitchenware device with cover

Номер патента: RU2327407C2. Автор: Урос СЕМЕЙЯ,Игорь ЗИБРЕТ,Хенрик ПАВЛОВИЧ,Александер СЕДОВСЕК. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2008-06-27.

Needleless injection device with double limiter and reduced pressure profiles

Номер патента: RU2437684C2. Автор: Патрик АЛЕКСАНДР. Владелец: Кроссжект. Дата публикации: 2011-12-27.

Fixing device with adjustable length and fast adjustment, namely for control panel of sanitary fixture

Номер патента: RU2401912C2. Автор: ДЕ ОЛИВЕЙРА Антонио Мануэль МОУРА. Владелец: Оливейра И Ирмао, С.А.. Дата публикации: 2010-10-20.

Device with hook for hanging objects

Номер патента: RU2629870C2. Автор: ГРУСЕН Вилхелмус Мария ВАН. Владелец: Ян Ван Бокстел Артитес Б.В.. Дата публикации: 2017-09-04.

Electromagnetic locking device with actuator

Номер патента: RU2757431C1. Автор: Александр Георгиевич Юдин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «АТОС-ПРО». Дата публикации: 2021-10-15.

Device containing chamber for filling it with substance and method of manufacturing and filling chamber-containing device with substance

Номер патента: RU2504357C2. Автор: Дэниел ПАЙ. Владелец: Медикал Инстилл Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2014-01-20.

Connecting device with coaxial end sections of two liquid passing pipelines

Номер патента: RU2313027C1. Автор: Герхард ВАХТЕР,Янос КЕРТЕШ. Владелец: Расмуссен Гмбх. Дата публикации: 2007-12-20.

Printing device with rotation unit with gear transmission

Номер патента: RU2344044C2. Автор: Ричард Л. КАРЬЕР,Кевин Л. УИЛКЕН. Владелец: Брейди Уорлдуайд, Инк.. Дата публикации: 2009-01-20.

Gaming device with optical wireless connection system

Номер патента: RU2288504C2. Автор: Крейг А. ПОЛСЕН. Владелец: Ай Джи Ти. Дата публикации: 2006-11-27.

Pour-out device with improved locking and sealing cap with such device

Номер патента: RU2272765C2. Автор: Жак ГРАНЖЕ,Жан-Мари БУРРО. Владелец: ПЕШИНЭ КАПСЮЛЬ. Дата публикации: 2006-03-27.

Driving device of infusion device with locking device

Номер патента: RU2724045C1. Автор: Ханс ЛИСТ. Владелец: Ф. Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2020-06-18.

Connecting device with minimum visibility for parts of furniture and fittings

Номер патента: RU2721327C2. Автор: Карло КАТТАНЕО. Владелец: Леонардо С.р.Л.. Дата публикации: 2020-05-19.

Whirlpool device with adjustable orientation of jet

Номер патента: RU2397825C2. Автор: Пете КАЖУЧ. Владелец: Коулер Ко.. Дата публикации: 2010-08-27.

Block of test tape and device with test tape

Номер патента: RU2480773C2. Автор: Вольфганг ХЕК,Карл МИЛТНЕР,Роберт ЛОРЕНЦ,Штефан ШОСНИГ,Ульрих ПОРШ,Ульрих КЕР,Андрее ТРАЙНЦЕН,Беда ШТАЙНАХЕР,Штефан ЗИБЕР,Удо МАНЗЕР. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2013-04-27.

Mechanism to suspend wing body lift devices element and lift devices element retract-and-release device with such mechanism

Номер патента: RU2529588C2. Автор: ШЛИПФ Бернхард,МИССБАХ Мирко. Владелец: Эрбус Оперейшнс Гмбх. Дата публикации: 2014-09-27.

Batching device with self-cleaning nozzle

Номер патента: RU2382732C2. Автор: Балакрисхна РЕДДИ,Герхард УФЕЛЬ,Ричард ФАРРЕЛЛ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2010-02-27.

Fastener of a penis extension device with a tensile force meter

Номер патента: RU2738581C2. Автор: Херберт ЙОХУМ. Владелец: Свисс-Тек Глоубл Лимитед. Дата публикации: 2020-12-14.

Device with jar head

Номер патента: RU2529040C2. Автор: Патрик САЛЬВАДОР. Владелец: Атлас Копко Кэнада Инк.. Дата публикации: 2014-09-27.

Injection device with retainer for preventing unintentional movement of piston rod

Номер патента: RU2526438C2. Автор: Аксель РОТ,Михаэль ШАББАХ,Герхард ХАМБРЕХТ. Владелец: Санофи-Авентис Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2014-08-20.

Mine-sweeping device with tension target sensors

Номер патента: RU2296289C2. Автор: Александр Евгеньевич Петренко. Владелец: Александр Евгеньевич Петренко. Дата публикации: 2007-03-27.

Device with useful application of heat pump operation results

Номер патента: RU2456512C2. Автор: Владимир Андреевич Васютин. Владелец: Владимир Андреевич Васютин. Дата публикации: 2012-07-20.

Steam foaming device with system of control flow foam

Номер патента: RU2399362C2. Автор: Матьё ОЗАНН. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2010-09-20.

Uniaxial sealing device with double distribution means

Номер патента: RU2277507C2. Автор: Джеффри Т. РЭНДАЛЛ,Келли А. СМИТ,ГРУТ Сьюзн ДЕ. Владелец: Сиквист Клоужерз Форин, Инк.. Дата публикации: 2006-06-10.

Device with code lock for closing capacities with portion medium

Номер патента: RU2641879C2. Автор: Владимир Васильевич Касаткин,Александр Владимирович Касаткин,Ирина Викторовна Мандрик. Владелец: Ирина Викторовна Мандрик. Дата публикации: 2018-01-22.

Submersible device with fin propeller

Номер патента: RU2678732C1. Автор: Андрей Львович Сухоруков,Борис Анатольевич Лускин,Кирилл Алексеевич Коваль. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро морской техники "Рубин". Дата публикации: 2019-01-31.

Device with heat-insulating screen, combustion chamber and gas turbine

Номер патента: RU2508507C2. Автор: Йенс КЛЯЙНФЕЛЬД,Маркус ЦУРХОРСТ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-02-27.

Aerosol-generating device with several heaters

Номер патента: RU2732423C2. Автор: Рюи Нуно Батиста,Лоран Манка. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-09-16.

Improved interface of field device with circuit protection mechanism

Номер патента: RU2475824C2. Автор: Олден С. РАССЕЛЛ,ВУССЕ Дэниел Э. ВАНДЕ,Дуглас У. АРНТСОН. Владелец: ФИШЕР-РОУЗМАУНТ СИСТЕМЗ, ИНК.. Дата публикации: 2013-02-20.

Multiple sensor device with different parameters to monitor the reservoir flow profile by multiple methods

Номер патента: RU2752068C1. Автор: Виктор Александрович Шель,Марат Шамилевич Валиев. Владелец: Марат Шамилевич Валиев. Дата публикации: 2021-07-22.

System and method of controlling several devices with touch screen and obtaining data therefrom

Номер патента: RU2469380C2. Автор: Роберт П. МАДОННА,Артур А. ЯКОБСОН,Джеймс Ф. АЛЛЕН. Владелец: Савант Системс Ллс. Дата публикации: 2012-12-10.

Electromechanical lifting device with the mechanism of actuation the limit switch

Номер патента: RU2645197C1. Автор: Юрий Валентинович Молокин. Владелец: Открытое акционерное общество "ПРИБОР РСТ". Дата публикации: 2018-02-16.

Injection device with means of electronic control

Номер патента: RU2491965C2. Автор: Андре ЛАРСЕН,Клаус Уруп ГЁДЕСЕН,Сёрен Краг ЕСПЕРСЕН. Владелец: Ново Нордиск А/С. Дата публикации: 2013-09-10.

Hydraulic device with magnetic securing valves

Номер патента: RU2543365C2. Автор: Бенджамин Джеймс МОРРИС,Джеффри Чарльз ТОМПСОН. Владелец: Итон Корпорейшн. Дата публикации: 2015-02-27.

Safety device with rope

Номер патента: RU2405898C2. Автор: Франклин Х. мл. ВЭЛЕЙД,Гилберт ФЕРНАНДЕС,Педро ЛОПЕС,Роберт Л. МАЙКЛ. Владелец: Сенсормэтик Электроникс, Ллк. Дата публикации: 2010-12-10.

Method and ophthalmic device with active agent release system

Номер патента: RU2677538C2. Автор: Шарика СНУК,Рэндалл Б. ПЬЮ,В. Энтони МАРТИН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2019-01-17.

Outlet head of a tool for installing anti-slip inserts, anti-slip insert and system for equipping a device with an anti-slip insert to increase grip with the ground

Номер патента: RU2754879C1. Автор: Ярмо ААЛТОНЕН,Лаури ХЕЙККИНЕН,Артту ЛАУРЕЛЬ. Владелец: Спайксейф Ой. Дата публикации: 2021-09-08.

Turning device with inclinometer

Номер патента: RU2746741C2. Автор: Йоаким ХАРР,Магнус ЛИНДГРЕН,Никлас ВЕННМАН. Владелец: Индексатор Ротейтор Системз Аб. Дата публикации: 2021-04-20.

Winding device with asymmetrically cooled wound strip

Номер патента: RU2703753C2. Автор: Лукас ПИХЛЕР,Алоис ЗАЙЛИНГЕР,Йозеф МАЙЕРЛЬ. Владелец: ПРАЙМЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ АУСТРИА ГМБХ. Дата публикации: 2019-10-22.

Composite corking device with outer dog layer

Номер патента: RU2448882C2. Автор: Дэвид БЭБКОК,Дэвид ШАШ. Владелец: Клоужер Системз Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2012-04-27.

Refrigerating device with pull-out reservoir for cooled products

Номер патента: RU2393396C2. Автор: Карл-Фридрих Лайбле. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2010-06-27.

Closure device with tamper-evident rim

Номер патента: RU2732658C2. Автор: Стефано ТАМАРИНДО. Владелец: ГУАЛА ПЭК С.п.А.. Дата публикации: 2020-09-21.

Flue gas cleaning device with activated carbon and flue gas cleaning method

Номер патента: RU2697688C1. Автор: Хэнди Е,Цзиньчао ВЭЙ,Чанци ЛЮ. Владелец: Чжуне Чантянь Интернэшнл Инджиниринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-08-16.

Electroporation device with removable needle head with locking system in retracted position

Номер патента: RU2746466C2. Автор: Бит ШТАДЕЛЬМАНН,Стефен КЕММЕРРЕР,Алехандро КАМПИЛЬО-АГУСТИ,Эдуардо Э. ХО,Натан ЛОУВЕЛЛ,Стивен Мастерсон. Владелец: Иновио Фармасьютикалз, Инк.. Дата публикации: 2021-04-14.

Heating device with fixing device for fastening of facing elements

Номер патента: RU2713980C1. Автор: Дитер ЭДЕЛЬМАНН. Владелец: КЕРМИ ГМБХ. Дата публикации: 2020-02-11.

Device with filler for closing bottle and treating liquid product contained therein

Номер патента: RU2469083C1. Автор: Павел Дмитриевич Жердев. Владелец: Павел Дмитриевич Жердев. Дата публикации: 2012-12-10.

Method of draining operational material, drainage device and power supply device with operating material

Номер патента: RU2713781C1. Автор: Штефан ГЕРШТЕНМЕЙЕР. Владелец: СИМЕНС МОБИЛИТИ ГМБХ. Дата публикации: 2020-02-07.

Device with instrument for preparation or implementation of implant fixation

Номер патента: RU2449759C2. Автор: Франк ОБЕРМАЙЕР,Дитрих ВОЛЬФ,Дирк-Йоахим ДРЕВС. Владелец: Фриадент Гмбх. Дата публикации: 2012-05-10.

Method of treatment of varus or valgus gonarthrosis by the method of high corrective osteotomy of tibia by means of a device with an increasing height

Номер патента: RU2672284C1. Автор: Станислав Владимирович Басов. Владелец: Станислав Владимирович Басов. Дата публикации: 2018-11-13.

Device with multiple tripods for placement of containers with biological product removed from storage to store these containers, associated with laboratory automation system

Номер патента: RU2645088C2. Автор: Джанандреа ПЕДРАЦЦИНИ. Владелец: Инпеко Холдинг Лтд.. Дата публикации: 2018-02-15.

Downhole devices with position adjustment in radial direction and methods for downhole devices usage

Номер патента: RU2319833C2. Автор: Рокко Дифоджио,ФРОСТ Джр. Элтон,Оле Г. ЭНДЖЕЛС. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2008-03-20.

Closing device with pressure operated valve and sealed cover

Номер патента: RU2296087C2. Автор: Тимоти Р. СОСЬЕ,Мардж М. ХИКС. Владелец: Сиквист Клоужерз Форин, Инк.. Дата публикации: 2007-03-27.

Device with flexible curtain

Номер патента: RU2430229C2. Автор: Бенуа КУНРАТС. Владелец: Динако Энтернасьональ С.А.. Дата публикации: 2011-09-27.

Method for combined drainage device with auger water lift

Номер патента: RU2710713C1. Автор: Татьяна Викторовна Иванова,Светлана Юрьевна Ладенко,Валерия Васильевна Михайлова,Никита Андреевич Абрамов. Владелец: Акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский институт гидротехники имени Б.Е. Веденеева". Дата публикации: 2020-01-10.

Piercing device with damper

Номер патента: RU2419386C2. Автор: Роберт АСКОЛД. Владелец: Лайфскен, Инк.. Дата публикации: 2011-05-27.

Device with intermittent supply of liquid component of plastic

Номер патента: RU2693150C1. Автор: Марио МЕТЦЛЕР,Гюнтер БАЛЬДАУФ. Владелец: Зондерхофф Инджиниринг Гмбх. Дата публикации: 2019-07-01.

Electrocontrolled device with alternating optical and/or energetic properties

Номер патента: RU2282226C2. Автор: Самюэль ДЮБРЕНА,Жан-Кристоф Жирон,Фабьен БЕТЕЙ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2006-08-20.

Device with interruption for determination of microbial contamination of overalls

Номер патента: RU2730027C1. Автор: Елена Ивановна Гаврикова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Орловский государственный аграрный университет имени Н.В. Парахина". Дата публикации: 2020-08-14.

Products lifting device with the steam-thermal effects on the formation

Номер патента: RU2683459C1. Автор: Роман Михайлович Полежаев,Руслан Фаридович Хасанов,Владимир Александрович Климов,Александр Сергеевич Гречухин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭЛКАМ". Дата публикации: 2019-03-28.

Wrapping device with electric drive

Номер патента: RU2531628C2. Автор: Мирко НЕЕЗЕР,Роланд ВИДМЕР,Флавио ФИНЦО. Владелец: ПРЕМАРК ПЭКЭДЖИНГ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-10-27.

Tapping device with automatic control of carbon dioxide content in barrelled beer

Номер патента: RU2245841C2. Автор: Торбен Линнгор НИЛЬСЕН. Владелец: Грам-Инвента А/С. Дата публикации: 2005-02-10.

Flexible fixing-combining device with high criminal resistance

Номер патента: RU2647250C1. Автор: Сергей Владимирович Назаркин,Александр Васильевич Анненков,Алексей Петрович Кретов,Сергей Николаевич Масибут. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Транс-пломбир". Дата публикации: 2018-03-14.

Dust collector fasten-unfasten mechanism and cyclone dust-entrapping device with such mechanism

Номер патента: RU2321331C2. Автор: Донг-джун КИМ,Кь нг-вонг КИМ,Кьянг-вонг КИМ. Владелец: Самсунг Гуангджу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-04-10.

Device with spraying nozzles, washing machine, and spraying nozzle

Номер патента: RU2474481C2. Автор: Даниель ВАЛЬД. Владелец: Кхс Гмбх. Дата публикации: 2013-02-10.

Gas burner device with preliminary mixing

Номер патента: RU2511820C2. Автор: Лорис БАРДУКА,Стефано КАЛОРЕ,Данило ПУЛЬЦАТО. Владелец: СИТ ЛА ПРЕЧИЗА С.П.А. кон сочио унико. Дата публикации: 2014-04-10.

Device with electric or pneumatic drive of collapsible mechanism to stimulate reduction of vehicle speed

Номер патента: RU2732389C1. Автор: Виктор НАСТЕВ. Владелец: Виктор НАСТЕВ. Дата публикации: 2020-09-16.

Method and device with a rotating magnet for electrochemical metallisation of magnetic powders

Номер патента: RU2684295C1. Автор: Геннадий Владимирович Степанов,Павел Аркадьевич Стороженко,Антон Велитович Бахтияров. Владелец: Акционерное общество "Государственный Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт химии и технологии элементоорганических соединений" (АО "ГНИИХТЭОС"). Дата публикации: 2019-04-05.

Filtering device with drum screen for medium viscosity and high viscosity fluids and method of its sealing and mounting

Номер патента: RU2705080C1. Автор: Даниэль ГНОЙСС,Детлеф ГНОЙСС,Штефан ГНОЙСС. Владелец: Гнойсс Гмбх. Дата публикации: 2019-11-01.

Three-link locking device with cam

Номер патента: RU2739881C1. Автор: Константин Федорович Петров. Владелец: Константин Федорович Петров. Дата публикации: 2020-12-29.

Sealing device with hinge-fastened cap molded in closed position

Номер патента: RU2295483C2. Автор: Филипп НЮСБАУМ,Янник СЕЛЕРЬЕР,КАМ Джереми ЛЕ,Филипп НЮСБАУМ (FR),Янник СЕЛЕРЬЕР (FR),КАМ Джереми ЛЕ (FR). Владелец: Берикап. Дата публикации: 2007-03-20.

Device with multiple toilet care action and two compartments that can be communicated with each other via connecting element

Номер патента: NZ525776A. Автор: Petrus Henricus Aloysius Kuhn. Владелец: Sara Lee De N. Дата публикации: 2004-07-30.

Denture Sterilization & Storage Device with mercury-free UVC LED

Номер патента: AU2020100257A4. Автор: Martin Christoph Assmann,Jui Chih Hsiao. Владелец: Eos Enviro/eos Imp And Export Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Junction device for conveyor belt

Номер патента: AU2019294292B2. Автор: Bernard Tavernier. Владелец: FP Business Invest SAS. Дата публикации: 2024-08-01.

Swivel joint device with sealed duct

Номер патента: EP4071396A1. Автор: Daniele Mantovani. Владелец: Tecno System Srl. Дата публикации: 2022-10-12.

ROTATABLE LOCK CATCH AND GRILLING DEVICE WITH ROTATABLE LOCK CATCH (Amended)

Номер патента: US20120000373A1. Автор: Dongmei Chen. Владелец: Tsann Kuen Zhangzhou Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Device with high-pressure reactor, provided with unloading valve with hydraulic control

Номер патента: RU2265877C2. Автор: Георг ГРООС,Клаус ХАММЕР. Владелец: Базелль Полиолефине Гмбх. Дата публикации: 2005-12-10.

Track-modular device with the load-independent load distribution

Номер патента: RU2676916C1. Автор: Джамшид РЕШАД,Дуэйн ТИД,Тимоти Д. СТЭЙСИ,Кеннетт Дж. ДЖАНКЕР. Владелец: ЭйТиАй, ИНК.. Дата публикации: 2019-01-11.

Device with knee-shaped support tube for draining oil from machine crankcase

Номер патента: RU2733569C2. Автор: Василий Николаевич Хабардин,Анна Васильевна Хабардина,Марина Владимировна Чубарева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский государственный аграрный университет имени А.А. Ежевского". Дата публикации: 2020-10-05.

Flotation device with thresholds and hydraulic means for separating oil droplets

Номер патента: RU2762677C1. Автор: Пер Рейдар ЛАРНХОЛЬМ. Владелец: Зульцер Мэнэджмент Аг. Дата публикации: 2021-12-21.

Orthopedic auxiliary device with put-in functional element

Номер патента: RU2459603C2. Автор: Штефан ВАЙГЕРМЮЛЛЕР. Владелец: Меди Гмбх & Ко. Кг. Дата публикации: 2012-08-27.

Sliding coating for medical devices with a small quantity of microparticles

Номер патента: RU2627390C2. Автор: Дэвид Е. БАБКОК. Владелец: Сурмодикс, Инк.. Дата публикации: 2017-08-08.

Refrigerating device with pull-out reservoir for cooled products

Номер патента: RU2401963C2. Автор: Карл-Фридрих Лайбле,Александер ГЁРЦ,Томас БЕНЦ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2010-10-20.

Beverage preparation device with ergonomic control

Номер патента: RU2748515C2. Автор: Марко МАГАТТИ,Бертран ГИОН. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-05-26.

Oral care device with liquid collection system

Номер патента: RU2492783C1. Автор: Харш М. ТРИВЕДИ,Мадхусудан ПАТЕЛ,Джон ГАТЗЕМЕЙЕР,Элизабет ГИТТИНС. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2013-09-20.

Potato tuber treatment device with protective and stimulating preparations

Номер патента: RU2649620C2. Автор: Рим Рашитович Камалетдинов,Эдуард Рифович Хасанов,Андрей Маратович Якупов,Мирзоюсуф Бобоевич Ниёзов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Башкирский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-04-04.

Refrigerating device with moisture separator, and operating method of refrigerating device

Номер патента: RU2467264C2. Автор: Стефан ХОЛЬЦЕР,Йоахим ДАМРАТ,Ральф-Йюрген ШТРИК. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2012-11-20.

Catheter devices with valves and methods for their assembly

Номер патента: RU2718498C2. Автор: Кевин ВОЕР,Джеррид Кенг Гене НГ,Бун Пинг НЕОХ. Владелец: Б. БРАУН МЕЛЬЗУНГЕН АГ. Дата публикации: 2020-04-08.

Device with wound curtain

Номер патента: RU2430230C2. Автор: Бенуа КУНРАТС. Владелец: Динако Энтернасьональ С.А.. Дата публикации: 2011-09-27.

Lighting device with organic light diodes

Номер патента: RU2406924C2. Автор: Йоханнес Петрус Мария АНСЕМС,Дитрих БЕРТРАМ,Лингли ВАНГ,УРС Денис Йозеф Карел ВАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2010-12-20.

Evacuation output unlocking device with sliding latch

Номер патента: RU2596945C2. Автор: ДИ ВИНАДИО Аймоне БАЛЬБО. Владелец: САВИО С.П.А.. Дата публикации: 2016-09-10.

Device with a sensitive element and a method of monitoring the vital activity of a subject

Номер патента: RU2692213C2. Автор: Харальд ГРАЙНЕР,Томас Герхард ЭММРИХ,Хайнц Отто КУРЦЕНБЕРГЕР,Бернд Гюнтер Вернер ВИЛМ,Стефан ЦИММЕРМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-06-21.

Aerosol delivery device with improved atomizer

Номер патента: RU2763652C2. Автор: Майкл Ф. ДЭВИС,Стивен Бенсон СИРС,Ноа Марк МИНСКОФФ. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-12-30.

Electrosurgical device with offset conducting element

Номер патента: RU2612863C2. Автор: Дениз ТЕМЕЛЛИ,Нил ГОДАРА. Владелец: Авент Инк.,. Дата публикации: 2017-03-13.

Removable gripping device with clamp for cooking reservoir

Номер патента: RU2672351C2. Автор: Паскаль КЮЙЕРИ. Владелец: СЕБ С.А.. Дата публикации: 2018-11-13.

Fastening device with high resistance to pulling out

Номер патента: RU2682550C1. Автор: Жан-Франсуа АЛЬБАРАН,МАРКО Себастьен ДЕ. Владелец: А Раймон Э Компани. Дата публикации: 2019-03-19.

Pipeline clamping device with fixing structure for pipe fitting

Номер патента: RU2555924C2. Автор: Питер К. УИЛЛЬЯМС,Кэл Р. БРАУН,Дуглас С. УЭЛЧ,Эндрю П. МАРШАЛЛ,Грегори С. КАЛАТА,Дэйл К. АРСТЕЙН,Марк А. БЕННЕТТ,Марк Д. БИРЕР,Тобин П. БЕРРИ,Марк А. КЛЕЙСОН,Росс А. КЛАРК,Роберт А. ФОТТА,Джастин ХЭМИЛТОН,Джон Д. КАРКОСИАК,Кеннан Джозеф МАЛЕК,Майкл Дж. МОХЛЕНКАМП,Джеффри С. РЕЙЛ,Герхард Х. ШИРОКИ,Гарри СЛЕЙВЕН. Владелец: Своджлок Компани. Дата публикации: 2015-07-10.

Cutting device with adjustable side guide

Номер патента: RU2532220C2. Автор: Томас БАУР,Клаус БОЙМЕР. Владелец: Смс Зимаг Аг. Дата публикации: 2014-10-27.

Medical ultrasound device with determination of temperature on distal end

Номер патента: RU2549528C2. Автор: Миса МЕГЕНС,Ян Фредерик СЕЙВЕР. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-04-27.

Evaporation heat exchange device with coil from ribbed elliptical pipe assembly

Номер патента: RU2529765C1. Автор: Томас Уилльям БАГЛЕР,Дэви Джо ВАДДЕР. Владелец: Эвапко, Инк.. Дата публикации: 2014-09-27.

Drug identification system for injection devices with multiple doses

Номер патента: RU2533985C2. Автор: Дэвид ПЛАМПТР,Крис СМИТ. Владелец: Санофи-Авентис Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2014-11-27.

Downhole device with pullout roller bearers

Номер патента: RU2543010C2. Автор: Пол Бернард ЛИ. Владелец: Пол Бернард ЛИ. Дата публикации: 2015-02-27.

Inflatable damping device with pipelines system

Номер патента: RU2362471C2. Автор: Джон Дабл-ю Вилкинсон. Владелец: МПЛ, Лтд.. Дата публикации: 2009-07-27.

Method of measuring voltage drop using four-contact devices with elimination of voltage drop on contact resistances

Номер патента: RU2739518C1. Автор: Андрей Юрьевич Кожевников. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие «Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им.Н.Л.Духова» (ФГУП «ВНИИА»). Дата публикации: 2020-12-25.

Replacement unit for insert in hair care device with turning

Номер патента: RU2672952C1. Автор: Эдуар МЕССАЖЕ. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2018-11-21.

Appliance for cutting of food products with improved discharge and electric household device with such appliances

Номер патента: RU2561862C2. Автор: Никола СЮБЕРБИ,Жан-Мари ЛАФОН,Филипп РУЙЕ. Владелец: СЕБ С.А.. Дата публикации: 2015-09-10.

Field device with radio-frequency connection, in which consumed power is controlled dynamically

Номер патента: RU2389056C2. Автор: Келли М. ОРТ. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2010-05-10.

Time device with time indication of spacecraft launch window to mars

Номер патента: RU2748398C1. Автор: Константин Юрьевич Чайкин. Владелец: Константин Юрьевич Чайкин. Дата публикации: 2021-05-25.

Control device with sphincter valve of drink preparation machine

Номер патента: RU2454588C2. Автор: Жан-Поль ДЕНИЗАР,Жан-Люк ДЕНИЗАР,Кристиан ТАЛОН,ГансПетер ПЛЯЙШ,Энзо БОНАЧЧИ,Жан-Поль ДЕНИЗАР (CH),Жан-Люк ДЕНИЗАР (CH),Энзо БОНАЧЧИ (CH),Ганспетер ПЛЯЙШ (CH),Кристиан ТАЛОН (CH). Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2012-06-27.

Refrigerating device with glass door

Номер патента: RU2517852C2. Автор: Хосе Мария САДАБА. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2014-06-10.

Supply ventilation device with heat energy recovery

Номер патента: RU2672958C1. Автор: Дмитрий Викторович Коновалов. Владелец: Дмитрий Викторович Коновалов. Дата публикации: 2018-11-21.

Spraying disc, a spraying device with a spraying disc and an unmanned aerial vehicle

Номер патента: RU2720016C1. Автор: Цзюэсунь ЛИ,Шенхуа ЛИ. Владелец: Гуанчжоу Иксэркрафт Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2020-04-23.

Connective device with end sections of two connected pipelines for a fluid

Номер патента: RU2324102C2. Автор: Герхард ВАХТЕР,Янос КЕРТЕШ. Владелец: НОРМА Джемани ГмбХ. Дата публикации: 2008-05-10.

Switching device with synchronizer

Номер патента: RU2610330C2. Автор: Кадзуйоси ХИРАИВА. Владелец: Киова Метал Воркс Ко., Лтд. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of making fastening devices with limited torque

Номер патента: RU2583573C2. Автор: Марк ШЭФФЕР,Андреас ЭКШТАЙН,Матиас ГОЛЬДТ,Йорг АППЛЬ,Арйен Детмер ДИЙКХУИС. Владелец: Хильти Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2016-05-10.

Driving system for turned and/or displaced doors or for entrance/exit device with improved position measurement

Номер патента: RU2429334C1. Автор: Дирк МЮЛЛЕР,Альфонс ХАРДИНГ,Клаус МЕЙЕРРОЗЕ. Владелец: Гебр. Боде Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-09-20.

Kochetov's explosion protection device with initial emergency phase alarm system

Номер патента: RU2620182C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-05-23.

Kitchen device with treatment bowl

Номер патента: RU2532147C2. Автор: Юрий ПЕСЕЦ,Дарко РУДЕЗ,Матей БЕРЗЕЛАК. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2014-10-27.

Lighting of refrigerating device with transparent door

Номер патента: RU2469248C2. Автор: Франк ПЛАККЕ,Маттиас ШТАЛЬ,ПЕЛЬС Ульрих ВАН,Райнер СПААГ,Александер ХАЙНРИХ,Хольгер ВАЛЛИЗЕР. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2012-12-10.

Device with passive matrix addressing and method for reading information from this device

Номер патента: RU2275698C2. Автор: Кристер КАРЛССОН,Пер БРЕМС. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2006-04-27.

Impact device with transfer member compressing elastic energy absorbing material

Номер патента: RU2321486C2. Автор: Маркку КЕСКИНИВА,Эркки АХОЛА,Ари КОТАЛА. Владелец: Сандвик Тамрок Ой. Дата публикации: 2008-04-10.

Clamping device with alignment of wheel hub

Номер патента: RU2590840C1. Автор: Дирк ВАРКОЧ,Тило ЯНЗ. Владелец: Хавека Аг. Дата публикации: 2016-07-10.

Concealed adjustable mounting device with improved system of attachment to upper angle of wall mounted furniture

Номер патента: RU2321325C2. Автор: Карло КАТТАНЕО,Карло КАТТАНЕО (IT). Владелец: Леонардо С.р.Л.. Дата публикации: 2008-04-10.

Safety razor device with components turning and rotation possibility

Номер патента: RU2510328C2. Автор: Теренс Гордон РОЙЛ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-03-27.

Device with shape memory for bone tissue distraction of alveolar crest and method of its use before implant prosthetics

Номер патента: RU2713939C1. Автор: Фаниля Асгатовна Хафизова,Руслан Марсельевич Миргазизов,Марсель Закиевич Миргазизов,Ильдар Раисович Хафизов,Мария Андреевна Ушакова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2020-02-11.

Sealing device with tamper indicator

Номер патента: RU2274591C2. Автор: Келли А. СМИТ,Уолтер У. ПИТЕРСОН,Джозеф У. СТАНИШЕВСКИ. Владелец: Сиквист Клоужерз Форин, Инк.. Дата публикации: 2006-04-20.

Supporting time and date information for synchronisation of devices with low data integrity

Номер патента: RU2367008C2. Автор: Брайн Т. СТАРБАК. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-09-10.

Refrigerating device with height-adjustable storage device

Номер патента: RU2419046C2. Автор: Ральф ШТАУД,Томас ТИШЕР,Франк АЙЗЕЛЕ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2011-05-20.

Acoustic well device with built-in diagnostics system

Номер патента: RU2725005C1. Автор: Валерий Михайлович Коровин,Ильдар Захидович Кадраков,Сергей Анатольевич Селезнев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Геофизика" (АО НПФ "Геофизика"). Дата публикации: 2020-06-29.

Multifunctional device with realization of method for studying foreign languages

Номер патента: RU2682524C1. Автор: Альберт Харисович Гильмутдинов,Александр Азикович Порунов,Марина Михайловна Тюрина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2019-03-19.

Hydrogen generating device with stackable assembly type

Номер патента: RU2731617C1. Автор: Хсин-Юйнг Линь. Владелец: Хсин-Юйнг Линь. Дата публикации: 2020-09-07.

Shaving unit and shaving device with support structure for external cutting element

Номер патента: RU2739743C1. Автор: Рейндер Нилс ЛАП,Алвин Уильям ДЕ ВРИС,Маркус Корнелис ПЕТРЕЛЛИ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-12-28.

Device with form-die segment for fabrication of metal cellular elements and procedure for fabrication of metal cellular elements

Номер патента: RU2425726C2. Автор: Михаэль ФОИТ,Франк ФРЕХЕН. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2011-08-10.

Conveyor device for layer-by-layer production of material in open mines, and method of coordination of conveyor device with methods of progressive development

Номер патента: RU2570850C1. Автор: Руслан Борисович Юн,Уве ЛАБУДЕ,Франк КРИГЕЛ,Дитер Хоффманн. Владелец: Такраф Гмбх. Дата публикации: 2015-12-10.

Clamp appliance with moving clamp device with feed and clamp stages to be executed in pipe bending machine die

Номер патента: RU2507021C2. Автор: Алессандро КАПОРУССО. Владелец: Смл Интернэшнл С.П.А.. Дата публикации: 2014-02-20.

Heat exchanger with a liquid/gas mixing device with improved channel geometry

Номер патента: RU2743818C2. Автор: Наташа ХАИК-БЕРО,Филипп ГРИГОЛЕТТО,Софи ЛАЦЦАРИНИ,Жан-Марк Пейрон. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2021-02-26.

Injection device with feedback mechanism for dosing termination report

Номер патента: RU2401134C2. Автор: Клаус Шмидт МЁЛЛЕР,Кристиан Петер ЭНГГААРД,Бо РАДМЕР,Ларс Ульрик НИЛЬСЕН. Владелец: Ново Нордиск А/С. Дата публикации: 2010-10-10.

Cutting device with table

Номер патента: RU2494842C2. Автор: Тосиюки КАНИ,Гох ЯМАМУРА. Владелец: Макита Корпорейшн. Дата публикации: 2013-10-10.

Massage device with massage head provided with tapping finger

Номер патента: RU2681706C2. Автор: Камий ЖИРО,Лоранс ЛАРАНЖЕРА,Франк МАНДИКА. Владелец: СЕБ С.А.. Дата публикации: 2019-03-12.

Adapter device for portable cleaning apparatus as well as cleaning device with adapter device and cleaning apparatus

Номер патента: RU2499541C2. Автор: Майк ХЕНЗЕЛЬ,Штефан ХЕСС,Дирк РИКЛЕФЗЕН. Владелец: Альфред Кэрхер Гмбх & Ко. Кг. Дата публикации: 2013-11-27.

Refrigerating device with water drain device

Номер патента: RU2374574C2. Автор: Петер БАУЭР,Мариетта БОРМАНН,Юрген ДИБОЛЬД. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2009-11-27.

Artificial pulmonary ventilation device with pressure difference sensor

Номер патента: RU2736215C1. Автор: Франк ХЕРРМАНН,Штефан Хайн,Маркус ДИЛЬ,Маттиас ПУЛЛА. Владелец: Вайнманн Эмёрдженси Медикал Текнолоджи Гмбх + Ко. Кг. Дата публикации: 2020-11-12.

Apparatus for diagnosing faults of smoking devices with electric control

Номер патента: RU2709650C2. Автор: Феликс Фернандо,Стефан Антони ЭДАРШЕ,Нори Мояд БРИФКАНИ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-12-19.

Technological device with upgraded power supplies

Номер патента: RU2347921C2. Автор: Роберт Дж. КАРШНИА,Маркос ПЕЛУЗО,Адриан К. ТОЙ. Владелец: Роузмаунт Инк.. Дата публикации: 2009-02-27.

Leather processing device with different surfaces for leather processing

Номер патента: RU2752192C2. Автор: Михел ВАН ЭС,Тибо Поль ФОКОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-07-23.

Movable device with contact surface used for cooking

Номер патента: RU2370197C2. Автор: Роберто БАДИН. Владелец: Смартек Италия С.П.А.. Дата публикации: 2009-10-20.

Braking method with supercharging internal combustion engine and vehicle braking power modulation device with supercharging internal combustion engine

Номер патента: RU2711785C2. Автор: Андреас ПАППЕНХАЙМЕР,Андреас ЗОММЕРМАНН. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2020-01-23.

Metal roll holder and devices with such holder

Номер патента: RU2507019C1. Автор: Клаус БОЙМЕР. Владелец: Смс Зимаг Аг. Дата публикации: 2014-02-20.

Device with dispenser of ice and water sensitive to displacement

Номер патента: RU2558971C2. Автор: Курт ФРЕЛИХ. Владелец: Элюктролюкс Хоум Продактс, Инк.. Дата публикации: 2015-08-10.

Personal hygiene device with replaceable head

Номер патента: RU2726658C1. Автор: Дуглас Дж. ХОХЛБЕЙН,Дэниел УАЙНЛЕСС,Дуглас ХЕНДЕРСОН,Тхуан Чонг ТАН,Пенян ФУ. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2020-07-15.

Method of processing signals in scanning devices with a highly focused electron beam

Номер патента: RU2713090C1. Автор: Кирилл Николаевич Смирнов,Дмитрий Олегович Новиков,Алексей Владимирович Бородин,Вячеслав Васильевич Казьмирук,Татьяна Николаевна Савицкая,Илья Геннадьевич Курганов,Александр Владимирович Веретенников,Максим Николаевич Кузьмин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Экспериментальный завод научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро Российской академии наук. Дата публикации: 2020-02-03.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Method of making devices with thin-film superconducting transitions

Номер патента: RU2593647C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Дарья Владимировна Нагирная,Михаил Юрьевич Фоминский,Людмила Викторовна Филиппенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2016-08-10.

The method of production of devices with thin film superconducting junctions

Номер патента: RU2442246C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Леонид Сергеевич Кузьмин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2012-02-10.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming structures of magnetic tunnel barriers for magnetoresistive random access magnetic memory and structure of magnetic tunnel barrier for magnetoresistive random access magnetic memory (versions)

Номер патента: RU2367057C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский Инженерно-Физический Институт (государственный университет)". Дата публикации: 2009-09-10.

Bottle with sidewall design

Номер патента: CA170252S. Автор: . Владелец: Thermos LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Bottle with sidewall design

Номер патента: AU201614809S. Автор: . Владелец: Thermos LLC. Дата публикации: 2016-09-12.

EMITTER WIRE CLEANING DEVICE WITH WEAR-TOLERANT PROFILE

Номер патента: US20120000486A1. Автор: . Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Surgical Stapling Device With Independent Tip Rotation

Номер патента: US20120000962A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Measuring device with a measuring section and a reference section

Номер патента: US20120001792A1. Автор: DINGLER Peter,Halder Dipl.-Ing. Ernst. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL DEVICE WITH LENTICULAR ARRAYS, EDGE-TYPE BACKLIGHT MODULE AND DIRECT-TYPE BACKLIGHT MODULE

Номер патента: US20120002440A1. Автор: . Владелец: ENTIRE TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIBEROPTIC DEVICE WITH LONG FOCAL LENGTH GRADIENT-INDEX OR GRIN FIBER LENS

Номер патента: US20120002919A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL DEVICES WITH PROXIMITY DETECTION

Номер патента: US20120003933A1. Автор: . Владелец: WELCH ALLYN, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compression Device with Structural Support Features

Номер патента: US20120004583A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

Medical Device with Retractable Needle and Moveable Plunger Seal

Номер патента: US20120004621A1. Автор: Shaw Thomas J.,Zhu Ni. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRUG DELIVERY DEVICE WITH NEEDLES AND ROLLER

Номер патента: US20120004638A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electrosurgical Devices with Wire Electrode And Methods of Use Thereof

Номер патента: US20120004657A1. Автор: . Владелец: Salient Surgical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

LOCKING ASSEMBLY FOR SECURING A ROD MEMBER IN A RECEIVER PART FOR USE IN SPINAL OR TRAUMA SURGERY, BONE ANCHORING DEVICE WITH SUCH A LOCKING ASSEMBLY AND TOOL THEREFOR

Номер патента: US20120004689A1. Автор: Biedermann Lutz,Matthis Wilfried. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AIR NAVIGATION DEVICE WITH INERTIAL SENSOR UNITS, RADIO NAVIGATION RECEIVERS, AND AIR NAVIGATION TECHNIQUE USING SUCH ELEMENTS

Номер патента: US20120004846A1. Автор: Coatantiec Jacques,Dussurgey Charles. Владелец: THALES. Дата публикации: 2012-01-05.

Rail track for rail-railless transport device with combination power plant

Номер патента: RU2270772C1. Автор: Максим Михайлович Слесарев. Владелец: Максим Михайлович Слесарев. Дата публикации: 2006-02-27.

FASTENER DRIVING DEVICE WITH DUST BLOWER

Номер патента: US20120000031A1. Автор: LIU Jim,Lee Sean,Liao Benson. Владелец: STANLEY FASTENING SYSTEMS, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD DEVICE WITH INTERNAL BATTERY

Номер патента: US20120000294A1. Автор: Mizutori Kenji,Mitsutake Ichiro,Watanabe Takashi. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTRONIC DEVICE WITH ELECTRON TUNNELING LAYER

Номер патента: US20120001164A1. Автор: GAO WEIYING,Deibler Dean T.. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH ENCAPSULATED REACH-THROUGH REGION

Номер патента: US20120001681A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Impact-action air-operated device with throttle air control

Номер патента: RU2334106C2. Автор: Эдуард Александрович Абраменков,Дмитрий Эдуардович Абраменков,Юли Эдуардовна Малышева,Юлия Эдуардовна Малышева,нов Владимир Алексеевич Емель,Владимир Алексеевич Емельянов,Вадим Юрьевич Ильюченко,Василий Владимирович Казаков. Владелец: Дмитрий Эдуардович Абраменков. Дата публикации: 2008-09-20.

Electrochromic device with lithium polymer electrolyte and method of manufacturing thereof

Номер патента: RU2534119C2. Автор: Анатолий Ильич Сапрыкин,Пётр Сергеевич Галкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-11-27.

Artificial obstacle to prevent moving of vehicle onto guarded road lane for vehicles equipped with rail-railless transport device with combination power plant

Номер патента: RU2270776C1. Автор: Максим Михайлович Слесарев. Владелец: Максим Михайлович Слесарев. Дата публикации: 2006-02-27.

Enriching device with thin heating panels

Номер патента: RU2318165C1. Автор: Чинг-Сонг ЧЭН. Владелец: Чинг-Сонг ЧЭН. Дата публикации: 2008-02-27.

Firing device with cooled bottom

Номер патента: RU2464494C1. Автор: Виктор Константинович Любов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северный (Арктический) федеральный университет" (С(А)ФУ). Дата публикации: 2012-10-20.

Vibratory percussion part processing device with controlled container

Номер патента: RU2353504C1. Автор: Юрий Сергеевич Румянцев,Игорь Константинович Ананьин,Дмитрий Владимирович Галяпин. Владелец: Открытое акционерное общество Национальный институт авиационных технологий (ОАО НИАТ). Дата публикации: 2009-04-27.

Levelling device with preliminary pressing to load wet materials into dryer

Номер патента: RU2538216C1. Автор: Станислав Антонович Булавин,Константин Владимирович Казаков,Алексей Николаевич Радомский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородская государственная сельскохозяйственная академия имени В.Я. Горина". Дата публикации: 2015-01-10.

Automatic shut-off-start-up device with electric start-up

Номер патента: RU2411086C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Игорь Георгиевич Гетия,Сергей Игоревич Гетия,Евгений Федорович Баранов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2011-02-10.

Pneumatic percussion device with throttling air distribution

Номер патента: RU2301891C2. Автор: Эдуард Александрович Абраменков,Дмитрий Эдуардович Абраменков,Юли Эдуардовна Малышева,Юлия Эдуардовна Малышева,нов Владимир Алексеевич Емель,Владимир Алексеевич Емельянов,Вадим Юрьевич Ильюченко,Максим Николаевич Ноздренко,Николай Сергеевич Бых. Владелец: Дмитрий Эдуардович Абраменков. Дата публикации: 2007-06-27.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Flexible sealing-and-closing device with unauthorised opening control means

Номер патента: RU2533106C1. Автор: Владимир Ефимович Акимов,Сергей Владимирович Назаркин,Александр Васильевич Анненков,Алексей Петрович Кретов,Сергей Николаевич Масибут. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Транс-пломбир". Дата публикации: 2014-11-20.

Flexible locking-sealing device with monitoring of unauthorised opening

Номер патента: RU2528364C1. Автор: Алексей Петрович Кретов. Владелец: Алексей Петрович Кретов. Дата публикации: 2014-09-10.

Fire extinguishing device with use of gas-liquid mixture

Номер патента: RU2474454C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мария Олеговна Стареева. Владелец: Мария Олеговна Стареева. Дата публикации: 2013-02-10.

Braking device with flange lubricator

Номер патента: RU2543132C1. Автор: Валерий Семёнович Коссов,Анатолий Пантелеевич Троицкий,Александр Константинович Кириков. Владелец: Открытое акционерное общество Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт подвижного состава (ОАО "ВНИКТИ"). Дата публикации: 2015-02-27.

Semiconducting laser device with external resonator with provision for continuous frequency tuning

Номер патента: RU2354020C2. Автор: Виталий Валентинович Васильев. Владелец: Открытое акционерное общество "КДП". Дата публикации: 2009-04-27.

In-tube fault detection device with controlled movement speed

Номер патента: RU2395750C2. Автор: Андрей Иванович Синев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Газприборавтоматикасервис". Дата публикации: 2010-07-27.

Aeration device with variable flow section for natural ventilation systems at architectural monuments

Номер патента: RU2375644C1. Автор: Игорь Викторович Фомин,Виктор Борисович Дорохов. Владелец: Виктор Борисович Дорохов. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Functional structure of turning elements of sliding device with electromagnetic retention of diagnostics and surgical devices in toroidal surgical robot system with extension lid (version of russian logic)

Номер патента: RU2577650C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-03-20.

Load-gripping device with self-release hook and self-opening lock

Номер патента: RU2245291C2. Автор: В.А. Андреева,М.А. Сазонов. Владелец: Открытое акционерное общество "Акрон". Дата публикации: 2005-01-27.

Superconducting josephson device with composite magnetic layer

Номер патента: RU2598405C1. Автор: Геннадий Александрович Овсянников,Карен Иванович Константинян,Антон Викторович Шадрин,Юлий Вячеславович Кислинский. Владелец: ФАНО России Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2016-09-27.

Flexible locking and sealing device with unauthorised opening monitoring

Номер патента: RU2504633C1. Автор: Алексей Петрович Кретов. Владелец: Алексей Петрович Кретов. Дата публикации: 2014-01-20.

Shut-off-start device with electric start-up

Номер патента: RU2410163C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Игорь Георгиевич Гетия,Сергей Игоревич Гетия,Евгений Федорович Баранов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2011-01-27.

Power device with double synchronisation

Номер патента: RU2441306C1. Автор: Джинс-Петер РАЙНКЕНС. Владелец: Кейтерпиллар Моторен Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2012-01-27.

Locking-sealing device with twisting

Номер патента: RU2364693C1. Автор: Виктор Владимирович Крылов,Сергей Федорович Горнов,Владимир Михайлович Синицын,Михаил Юрьевич Полоротов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инженерный Промышленный Концерн "Страж". Дата публикации: 2009-08-20.

Linear stepped electromagnetic motor with axial channel and pull-though device with engagement with washers

Номер патента: RU2488212C1. Автор: Константин Михайлович Усанов,Виталий Александрович Каргин,Андрей Валерьевич Волгин,Алексей Петрович Моисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова". Дата публикации: 2013-07-20.

Device with pulse load for surface endurance testing

Номер патента: RU2522781C2. Автор: Андрей Викторович Киричек,Дмитрий Евгеньевич Тарасов,Николай Николаевич Самойлов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный университет-учебно-научно-производственный комплекс" (ФГБОУ ВПО "Госуниверситет-УНПК"). Дата публикации: 2014-07-20.

Electromagnetic device with reciprocal anchor movement

Номер патента: RU2435287C1. Автор: Леонид Ефимович Круковский,Федор Федорович Пащенко,Владимир Викторович Торшин,Владимир Павлович Старовойтов. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН. Дата публикации: 2011-11-27.

Suspended manipulating device with manual control

Номер патента: RU2561559C1. Автор: Юлий Александрович Драгомирецкий,Виктор Михайлович Яковлев,Дмитрий Викторович Калякин,Александр Николаевич Куляба. Владелец: Публичное акционерное общество "ДНЕПРОТЯЖМАШ". Дата публикации: 2015-08-27.

Device with low coefficient of reflection of radio waves in wide frequency range

Номер патента: RU2589501C1. Автор: Антон Викторович Матвеенцев,Ирина Евгеньевна Карпова,Юрий Михайлович Патраков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2016-07-10.

Reading device with time delay and accumulation of signals from multi-element infrared photodetectors (versions)

Номер патента: RU2465684C1. Автор: Ирлам Игнатьевич Ли. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2012-10-27.

Junction device for conveyor belt.

Номер патента: OA20042A. Автор: Bernard Tavernier. Владелец: Fp Business Invest. Дата публикации: 2021-11-01.

Medical vial access device with spike

Номер патента: CA149300S. Автор: . Владелец: Carmel Pharma AB. Дата публикации: 2014-06-09.

FOLDABLE COMPUTING DEVICE WITH COUNTERBALANCE MEMBER

Номер патента: US20120002369A1. Автор: WANG TAO. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device with controllable electric drive for delivering and metering of fuel

Номер патента: RU2286474C1. Автор: Леон Цезаревич Горбунов,Владислав Иванович Меленков. Владелец: ОАО "Омское машиностроительное конструкторское бюро". Дата публикации: 2006-10-27.

Service line branching device with releasable coupler

Номер патента: RU2281892C2. Автор: Рудольф Алексеевич Петров,Юрий Леонович Арзуманов,Валерий Алексеевич Смольянинов,Валерий Евгеньевич Строев,Владимир Александрович Колобанов,Рудольф Алексеевич Петров (RU),нинов Валерий Алексеевич Смоль (RU),Валерий Евгеньевич Строев (RU),Владимир Александрович Колобанов (RU),Юрий Леонович Арзуманов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева". Дата публикации: 2006-08-20.

Driving device with gas-aerodynamic configuration

Номер патента: RU2245509C1. Автор: А.И. Сидоров,В.А. Баранов,В.В. Баранов,А.А. Платонов. Владелец: Пензенский Артиллерийский Инженерный Институт им. Главного маршала артиллерии Н.Н. Воронова. Дата публикации: 2005-01-27.

Centrifugal device with magnetic bearing

Номер патента: RU2358807C1. Автор: Евгений Алексеевич Артюхов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые технологии". Дата публикации: 2009-06-20.

Charging method of explosive device with plastisol explosive

Номер патента: RU2471140C1. Автор: Владимир Александрович Афанасьев,Михаил Петрович Кужель,Рамис Мавлявиевич Тагиров,Владимир Петрович Ильин,Айрат Арслангалиевич Бадыгеев,Владимир Георгиевич Кожевников,Михаил Евгеньевич Евстифеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт "Кристалл" - ФГУП "ГосНИИ "Кристалл". Дата публикации: 2012-12-27.

Method of electric parameters stabilisation in gas-discharge devices with negative resistance

Номер патента: RU2498441C1. Автор: Александр Сеит-Умерович Мустафаев,Артем Юрьевич Грабовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный университет". Дата публикации: 2013-11-10.

Rotary vane engine sealing device with vanes secured on disks (versions)

Номер патента: RU2300635C1. Автор: Валерий Владиславович Гридин. Владелец: Валерий Владиславович Гридин. Дата публикации: 2007-06-10.

Secondary power device with backup

Номер патента: RU2583002C1. Автор: Александр Николаевич Смирнов,Александр Васильевич Хныков. Владелец: Открытое акционерное общество "РАТЕП". Дата публикации: 2016-04-27.

Optical device with echelon lens

Номер патента: RU2328759C2. Автор: Рюдигер КИТТЕЛЬМАНН,Гарри ВАГЕНЕР. Владелец: Ауер Лайтинг Гмбх. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with turning bypass for measuring water-gas-oil flows

Номер патента: RU2445582C1. Автор: Николай Леонидович Егоров. Владелец: Николай Леонидович Егоров. Дата публикации: 2012-03-20.

Vibration smoothing device with magnetostrictive drive

Номер патента: RU2279975C1. Автор: Леонид Алексеевич Мамаев,Артем Анатольевич Кононов,Сергей Николаевич Герасимов,Владимир Богданович Кашуба,Николай Александрович Вершинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2006-07-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.