Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor device with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11980040B2
Опубликовано: 07-05-2024
Автор(ы): Chih-Yuan Ting, Chung-Te Lin, Jyu-Horng Shieh, Tai-Yen PENG, Tsung-Hsien Chang, Yu-Shu Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20240251568A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chung-Te Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Tsung-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic tunnel junction device with magnetoelectric assist

Номер патента: WO2023143046A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor Device With Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20200135806A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chung-Te Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Tsung-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Magnetic tunnel junction device with magnetoelectric assist

Номер патента: US20230240148A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11929105B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and methods for magnetic memory devices with magnetic assist layer

Номер патента: US20220069202A1. Автор: Quang Le,Zhanjie Li,Xiaoyong Liu,Michael Ho,Yongchul Ahn,Thao A. Nguyen,Zhigang Bai,Hongquan Jiang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US09779793B2. Автор: Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US09553257B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Linear MRAM device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US09553128B1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Redundant magnetic tunnel junctions in magnetoresistive memory

Номер патента: US09548095B2. Автор: Jon Slaughter,Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Linear mram device with a self-aligned bottom contact

Номер патента: US20170005135A1. Автор: Michael C. Gaidis,Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory cell with magnetic access selector apparatus

Номер патента: US12137617B2. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory cell with magnetic access selector apparatus

Номер патента: US20240373757A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory cell with magnetic access selector apparatus

Номер патента: US20210296573A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Spin transfer torque - magnetic tunnel junction device and method of operation

Номер патента: EP2436010A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

High-Speed Compare Operation Using Magnetic Tunnel Junction Elements Including Two Different Anti-Ferromagnetic Layers

Номер патента: US20150325279A1. Автор: Yakov Roizin,Avi Strum. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory Device with Spin-Harvesting Structure

Номер патента: US20230162773A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun,Christopher Safranski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US11751375B2. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Magnetic tunnel junction storage element with magnetic exchange coupled free layer

Номер патента: GB2578039A. Автор: Hu Guohan,Worledge Daniel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-15.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: US11793002B2. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: WO2022233235A1. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory device with spin-harvesting structure

Номер патента: WO2023088922A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun,Christopher Safranski. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory device with spin-harvesting structure

Номер патента: US11823723B2. Автор: Jonathan Zanhong Sun,Christopher Safranski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Dual magnetic tunnel junction stack

Номер патента: US11832525B2. Автор: Mohit Gupta,Trong Huynh Bao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetic tunnel junction based memory device

Номер патента: SG10201807227PA. Автор: Romney R Katti. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20230380128A1. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Logic element using spin-orbit torque and magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US20230119656A1. Автор: Jin Pyo Hong,Jeong Woo Choi,Jeong Hun Shin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic tunneling junctions with a magnetic barrier

Номер патента: US20230422631A1. Автор: Shufeng Zhang,Weigang Wang,Yihong Cheng,Ali Habiboglu. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2023-12-28.

Low current switching magnetic tunnel junction design for magnetic memory using domain wall motion

Номер патента: US20090109739A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klaus Malmhall. Владелец: Yadav Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Magnetic tunnel junction with TMR enhancement

Номер патента: US20190035447A1. Автор: Weisheng Zhao,Jiaqi Zhou. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-31.

Spin transfer torque magnetic tunnel junction with off-centered current flow

Номер патента: US09853205B1. Автор: Rolf Allenspach,Anthony J. Annunziata,Daniel C. Worledge,See-Hun Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for erasing a semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell

Номер патента: US7995402B2. Автор: Fernando Gonzalez,Parag Banerjee,Terry Gafron. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Sub-lithographic patterning of magnetic tunneling junction devices

Номер патента: US09490424B2. Автор: Yu Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Weyl semimetal material for magnetic tunnel junction

Номер патента: US20220328757A1. Автор: Jian-Ping Wang,Tony Low,Duarte José Pereira de Sousa,Cesar Octavio Ascencio. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-10-13.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20240237551A1. Автор: Qiang Fu,Yu-Shu Chen,Hui-Hsien Wei,Tai-Yen PENG,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic tunnel junction current sensors

Номер патента: WO2007053340A2. Автор: Mark A. Durlam,Jiang-Kai Zuo,Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for writing to a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09734884B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) with in-plane magneto-static switching-enhancing layer

Номер патента: US09679625B2. Автор: Yuchen Zhou,Jing Zhang,Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Zihui Wang,Xiaojie Hao. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20240381786A1. Автор: Qiang Fu,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Magnetic devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150061059A1. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Whankyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Magnetic device with optimised heat confinement

Номер патента: RU2553410C2. Автор: Эрван ГАПИАН,Кеннет МАККЕЙ,Джейсон РЕЙД. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-06-10.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: US20220359617A1. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Magnetic tunnel junction based anti-fuses with cascoded transistors

Номер патента: US09536926B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,John K. DeBrosse,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Magnetic tunnel junction transistor devices

Номер патента: GB2505599A. Автор: Vladislav Korenivski,Daniel C Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-05.

Magnetic tunnel junction devices and magnetoresistive memory devices

Номер патента: US20190164587A1. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe,Ken Machida. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Magnetic tunnel junctions with voltage tunable interlayer coupling for memory and sensor applications

Номер патента: US11805703B2. Автор: Weigang Wang,Ty Newhouse-Illige. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2023-10-31.

Anti-fuse circuit using mtj breakdown, and semiconductor device including the anti-fuse circuit

Номер патента: KR20130021760A. Автор: 박철우,최현호,황홍선,손종필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-03-06.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory with magnetic field-free current-induced perpendicular magnetization reversal

Номер патента: US20210074344A1. Автор: Jiamian Hu,Minyi Dai. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-03-11.

Perpendicular magnetic tunnel junction having improved reference layer stability

Номер патента: US20190207092A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic tunnel junction with post-deposition hydrogenation

Номер патента: US09397287B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Magnetic tunnel junction device with air gap

Номер патента: US11937512B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Dual spacer for double magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US12063867B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Mram device with wrap-around top electrode

Номер патента: US20240188446A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Perpendicular magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US09385308B2. Автор: Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Mram device with octagon profile

Номер патента: US20240233793A9. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Semiconductor devices with magnetic regions and attracter material and methods of fabrication

Номер патента: US09786841B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including spin-orbit torque line and contact plug

Номер патента: US20200227626A1. Автор: Woo Jin Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for patterning semiconductor device having magnetic tunneling junction structure

Номер патента: US20100055804A1. Автор: Sang-Hoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Magnetic tunnel junction element, magnetic memory using the same, and manufacture method of magnetic tunnel junction element

Номер патента: US20200027920A1. Автор: Yu Zhao,Masaki Yamada,Katsuya Miura,Kiyohiko Sato,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20220376167A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11744160B2. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12102014B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315139A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US12096697B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240260481A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Tu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices including spin-orbit torque line and contact plug

Номер патента: US20210280774A1. Автор: Woo Jin Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334836A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20180205002A1. Автор: Jung-Hoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20200243754A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Magnetic Tunnel Junctions And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160118439A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-04-28.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Magnetic tunnel junction element and manufacturing method therefor

Номер патента: US09935262B2. Автор: Jinpyo Hong,Jabin LEE,Gwangguk AN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-03.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09691817B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic tunnel junction devices having magnetic layers formed on composite, obliquely deposited seed layers

Номер патента: US8912614B2. Автор: Francesco A. Vetrò,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor device comprising magnetic tunneling junctions (MTJs) in a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US11871585B2. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US11832527B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US11812667B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor Device Comprising Magnetic Tunneling Junctions in a Magnetoresistive Random Access Memory

Номер патента: US20240090233A1. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunnel junction device, magnetic memory using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US12041854B2. Автор: Jongill Hong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Ferromagnetic tunnel junction, spintronics device using same, and method for manufacturing ferromagnetic tunnel junction

Номер патента: EP3640942A1. Автор: Shinya Kasai,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Xiandong XU,Ikhtiar. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2020-04-22.

Tunnel junction memory cell

Номер патента: EP1306850A2. Автор: Manish Sharma,Lung T. Tran,Thomas C. Anthony. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-02.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein

Номер патента: US09691967B2. Автор: Sechung Oh,Sangyong Kim,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device containing magnetic tunnel junction

Номер патента: US12082508B2. Автор: Jea Gun Park,Jong Ung BAEK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-03.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4381915A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman,Nathan MARCHACK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic Tunnel Junction Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021230A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US11990167B2. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11877520B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetic tunnel junction element, magnetic memory using the same, and manufacture method of magnetic tunnel junction element

Номер патента: US11164906B2. Автор: Yu Zhao,Masaki Yamada,Katsuya Miura,Kiyohiko Sato,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Mram device with octagon profile

Номер патента: US20240135978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Spin-transfer torque magnetoresistive memory device with a free layer stack including multiple spacers and methods of making the same

Номер патента: US20210065761A1. Автор: Neil Smith,Tiffany Santos. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09680089B1. Автор: Wei Chen,Suresh Ramarajan,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09537088B1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction

Номер патента: US09336847B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20230200256A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11611035B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20240107895A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Mram device with hammerhead profile

Номер патента: US20240196758A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetic tunnel junction (mtj) element and its fabrication process

Номер патента: US20240365676A1. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Nonvolatile variable resistance memory circuit which includes magnetic tunnel junction element

Номер патента: US09928891B2. Автор: Tetsuo Endoh,Takashi Ohsawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-03-27.

Post-treatment processes for ion beam etching of magnetic tunnel junction and structures formed by the same

Номер патента: US11991932B2. Автор: Hung-Yu CHANG,Min-Yung KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of forming semiconductor device having magnetic tunnel junction and related device

Номер патента: US20140308759A1. Автор: Ki-Woong Kim,Young-Hyun Kim,Woo-Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US11716909B2. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Dual magnetic tunnel junction (DMTJ) stack design

Номер патента: US12082509B2. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Guenole Jan,Luc Thomas,Sahil Patel,Vignesh SUNDAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic tunneling junction element with a composite capping layer and magnetoresistive random access memory device using the same

Номер патента: US12108684B2. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US12069961B2. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic tunnel junction with low defect rate after high temperature anneal for magnetic device applications

Номер патента: US09842988B2. Автор: Po-Kang Wang,Jian Zhu,Huanlong Liu,Guenole Jan,Yuan-Jen Lee. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: US20210013395A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Magnetic tunnel junction and method for fabricating a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150280112A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

semiconductor device with a plurality of semiconductor chips

Номер патента: CN110581213A. Автор: 王裕平,朱中良,陈建诚,陈昱瑞. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-17.

Magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: EP3764362A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

Scandium nitride magnetic tunnel junction device

Номер патента: US12063789B2. Автор: Daniel S. Marshall,Jean Anne INCORVIA,Suyogya KARKI. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-13.

Low RA narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US12063868B2. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) devices employing a thin pinned layer stack and providing a transitioning start to a body-centered cubic (BCC) crystalline / amorphous structure below an upper anti-parallel (AP) layer

Номер патента: US09590010B1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Synthetic antiferromagnet (SAF) coupled free layer for perpendicular magnetic tunnel junction (P-MTJ)

Номер патента: US09548446B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Synthetic antiferromagnet (SAF) coupled free layer for perpendicular magnetic tunnel junction (p-MTJ)

Номер патента: US09324939B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Magnetic tunnel junction (mtj) devices with heterogeneous free layer structure, particularly suited for spin-torque-transfer (stt) magnetic random access memory (mram) (stt mram)

Номер патента: WO2017078877A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-11.

Amorphous spin diffusion layer for modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: WO2022194515A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: EP4207252A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Logic chip including embedded magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09997563B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Joseph M. Steigerwald,Kevin J. Lee,John H. Epple. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Logic chip including embedded magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09660181B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Joseph M. Steigerwald,Kevin J. Lee,John H. Epple. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09553259B2. Автор: Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of forming a magnetic electrode of a magnetic tunnel junction and methods of forming a magnetic tunnel junction

Номер патента: US9520553B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-13.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-01.

Method for fabricating a magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2015148059A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240032440A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230038528A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: EP4236665A3. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US20240049608A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11818965B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4202931A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230200257A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11849648B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230354716A1. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Mram device with self-aligned bottom electrodes

Номер патента: US20230422629A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Lisamarie White,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10665772B2. Автор: Yu-Chun Chen,Hung-Chan Lin,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: EP3985749A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: EP4236665A2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor Device

Номер патента: US20230292627A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11957061B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11957064B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296572A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210257542A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240081157A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074328A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240023456A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP4235670A3. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210057637A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130037896A1. Автор: Jung Woo Park,Ki Seon Park,Gil Jae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8765489B2. Автор: Jung Woo Park,Ki Seon Park,Gil Jae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215260A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240206192A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile static random access memory (nvsram) with multiple magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20240296887A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Fu-An Wu,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150061051A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150340596A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2015122963A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Reducing or avoiding metal deposition from etching magnetic tunnel junction (mtj) devices, including magnetic random access memory (mram) devices

Номер патента: WO2018026529A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-02-08.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: EP3105760A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Reducing or avoiding metal deposition from etching magnetic tunnel junction (mtj) devices, including magnetic random access memory (mram) devices

Номер патента: EP3472875A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-24.

Otp scheme with multiple magnetic tunnel junction devices in a cell

Номер патента: WO2014043575A1. Автор: Jung Pill Kim,Kangho Lee,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-20.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Magnetic tunneling junction device capable of magnetic switching without external magnetic field and memory device including the same

Номер патента: US20240321333A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: US20140217532A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Magnetic Random Access Memory (MRAM) Manufacturing Process for a Small Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Design with a Low Programming Current Requirement

Номер патента: US20130149797A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US09647200B1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Ultrathin perpendicular pinned layer structure for magnetic tunneling junction devices

Номер патента: US09634237B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Hybrid synthetic antiferromagnetic layer for perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ)

Номер патента: US09614147B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for tunnel junction sensor with magnetic cladding

Номер патента: WO2007016009A2. Автор: Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-02-08.

Tunnel junction sensor with magnetic cladding

Номер патента: WO2007016010A2. Автор: Young Sir Chung,Robert W. Baird. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-02-08.

Highly nonlinear magnetic tunnel junctions for dense magnetic random access memories

Номер патента: US20040109347A1. Автор: Yu Lu,John DeBrosse,Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotrophy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US09548441B2. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetoelectric logic with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20240147867A1. Автор: Hai Li,Kaan OGUZ,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,John J. Plombon,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis,Dominique A. Adams. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20210104575A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063792B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365563A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic tunnel junction device with separate read and write paths

Номер патента: RU2453934C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Шицюнь ГУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-06-20.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for MRAM characterization

Номер патента: US09541605B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device

Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20230091364A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20210143212A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20200227471A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and forming method thereof

Номер патента: US11950431B2. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US8980650B2. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Perpendicular mtj stacks with magnetic anisotrophy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: US20150194596A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Magnetic tunnel junction device and stochastic computing system including the same

Номер патента: US20230111057A1. Автор: Jeong-Heon Park,Kwang Seok Kim,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Forming irreversible state in single-bit cell having first magnetic tunnel junction and second magnetic tunnel junction

Номер патента: RU2553087C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ,Хари М. РАО,Дзунг Пилл КИМ,Тае Хиун КИМ,Кангхо ЛИ,Вах Нам ХСУ,Уян ХАО,Дзунгвон СУХ,Николас К. ЮЙ,Мэттью Майкл НОВАК,Стивен М. МИЛЛЕНДОРФ,Асаф АШКЕНАЗИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2015-06-10.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: EP2504836A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-10-03.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US9711200B2. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: WO2011066324A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-03.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20160180907A1. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09711200B2. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200126606A1. Автор: Sang Kil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for MRAM characterization

Номер патента: US9684035B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210098043A1. Автор: Sang Kil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for mram characterization

Номер патента: US20170168114A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Magnetic tunnel junction device and writing/reading method for said device

Номер патента: CA2540608A1. Автор: Bernard Dieny,Ricardo Sousa,Dana Stanescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and mram device

Номер патента: US20210376232A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: US10622011B2. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: US20190172485A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329006A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200111950A1. Автор: Yu-Chun Chen,Hung-Chan Lin,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for forming magnetic tunneling junction layer for magnetic random access memory

Номер патента: US6884731B2. Автор: Tae-Wan Kim,I-hun Song,Soon-won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-26.

Magnetic tunnel junction resistance comparison based physical unclonable function

Номер патента: WO2016085629A1. Автор: Xu Guo,Xiaochun Zhu,Brian Marc Rosenberg. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-02.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2015035053A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-12.

Physically unclonable function based on resistivity of magnetoresistive random-access memory magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044793A1. Автор: Xu Guo,Matthew Michael Nowak,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,David M. Jacobson,Steven M. Millendorf. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Magnetic tunnel junction with compensation element

Номер патента: US8023316B2. Автор: WEI Tian,DeXin Wang,Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Xiaohua Lou. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-09-20.

Method and apparatus for sensing the state of a magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: US20140169079A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Magnetic tunnel junction temperature sensors

Номер патента: WO2007041007A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-04-12.

Sense path circuitry suitable for magnetic tunnel junction memories

Номер патента: US09773537B2. Автор: Michael A. Sadd,Bruce L. Morton. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Apparatuses, methods, and systems for stochastic memory circuits using magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09734880B1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Sadique Ul Ameen Sheik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile (NV)-content addressable memory (CAM) (NV-CAM) cells employing differential magnetic tunnel junction (MTJ) sensing for increased sense margin

Номер патента: US09728259B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic random access memory (mram) array with magnetic tunnel junction (mtj) cells and remote diodes

Номер патента: MY118271A. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Separate write and read access architecture for magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2005096313A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL, INC.. Дата публикации: 2005-10-13.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

FABRICATING EMBEDDED MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH V SHAPED MAGNETIC TUNNEL JUNCTION PROFILE

Номер патента: US20200119088A1. Автор: Reznicek Alexander,Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,Gottwald Matthias Georg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and a method of operating the same

Номер патента: EP3985748A1. Автор: Jiho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

A multi-resistance non-volatile ferroelectric tunnel junction based on ferroelastic domain switching

Номер патента: AU2020103264A4. Автор: HUI Li,Xiaoyan Lu,Zhen Pan,Yanzhe Dong. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device with input/output line

Номер патента: US09589605B1. Автор: Tae Kyun Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09972389B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for operating semiconductor device

Номер патента: US09633710B2. Автор: Masashi Fujita,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20210134884A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Junhee LIM,Kilho Lee,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20200127049A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20230225136A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20210305317A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: EP4403007A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11037982B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11930645B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Magnetic tunnel junction having polarising layer

Номер патента: RU2573756C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Рикардо СУЗА. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Technologies for physically unclonable functions with magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2018063570A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Magnetic tunnel junction with improved tunnel barrier

Номер патента: RU2598863C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237549A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180374896A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Generating random bitstreams with magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2019216994A1. Автор: Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

Generating random bitstreams with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190347074A1. Автор: Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US20200176041A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US20210312965A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: US11944013B2. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: US20230091345A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11600661B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: WO2023041530A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-23.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic tunnel junction (MTJ) memory element having tri-layer perpendicular reference layer

Номер патента: US09608038B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic tunnel junction device, method for manufacturing magnetic tunnel junction device, and magnetic memory

Номер патента: US11963458B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-04-16.

Magnetic tunnel junction, magnetoresistive element and spintronics device in which said magnetic tunnel junction is used, and method of manufacturing magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210123991A1. Автор: Seiji Mitani,Kouichiro Inomata,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Thomas SCHEIKE. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230225220A1. Автор: Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnetic tunnel junction element with a robust reference layer

Номер патента: US11763972B2. Автор: Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Magnetic tunnel junction comprising an inhomogeneous granular free layer and associated spintronic devices

Номер патента: US12100437B2. Автор: Bernard Dieny,Ricardo Sousa,Ioan-Lucian Prejbeanu,Marco MANSUETO,Liliana Buda-Prejbeanu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with a small off current and oxide semiconductor layer having a function of a channel formation layer

Номер патента: US09553583B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP3890039A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240027550A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968906B2. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240027549A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237550A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory devices with dielectric fin structures

Номер патента: US20240268106A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251567A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic tunnel junction based logic circuits

Номер патента: US09865650B2. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device with a stoichiometric gradient

Номер патента: US09589635B2. Автор: Geoffrey W. Burr,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan,Kumar R. Virwani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US9705500B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US20170170827A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor integrated circuit device with SOTE and MOS transistors

Номер патента: US11373700B2. Автор: Nobuyuki Sugii,Takumi Hasegawa,Shiro Kamohara,Yasushi Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Logic Unit Including Magnetic Tunnel Junction Elements Having Two Different Anti-Ferromagnetic Layers

Номер патента: US20150325624A1. Автор: Yakov Roizin,Avi Strum. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Memory built-in self-test with automated detection of magnetic tunneling junction degradation for repair

Номер патента: WO2024215333A1. Автор: Martin Keim,Jongsin Yun,Sina BAKHTAVARI MAMAGHANI,Christopher Münch,Mehdi Baradaran Tahoori. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Semiconductor device with variable pin locations

Номер патента: US20020190347A1. Автор: Ho Nguyen,Frederick Fischer,Kenneth Fitch,Scott Segan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09373779B1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Self-pinned double tunnel junction head

Номер патента: US20050174702A1. Автор: Hardayal Gill. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP1116248A1. Автор: Joannes B. A. D. Van Zon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-07-18.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240231756A9. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2001008176A1. Автор: Joannes B. A. D. Van Zon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-02-01.

Spiking neural network hardware based on magnetic-tunnel-junction layer stacks

Номер патента: US11894029B1. Автор: Kazutaka Yamane,Vinayak Bharat Naik,Joel Tan,Jia Hao Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Laser-detection devices including a voltage-controlled magnetic-tunneling-junction layer stack

Номер патента: US12027474B2. Автор: Vinayak Bharat Naik,Jia Hao Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Random number generator using stochastic magnetic tunneling junction structure

Номер патента: US20220165933A1. Автор: Seok Min Hong,Ouk Jae Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Laser-detection devices including a voltage-controlled magnetic-tunneling-junction layer stack

Номер патента: US20240021543A1. Автор: Vinayak Bharat Naik,Jia Hao Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device and method of detecting wire open failure thereof

Номер патента: US9354269B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and circuit with dynamic control of electric field

Номер патента: US09515644B2. Автор: Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Godefridus Antonius Maria Hurxk,Ivan Zahariev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with dummy cells of different data types

Номер патента: US09471737B1. Автор: Min Paek,Nor Razman Md Zin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Tunnel magneto-resistive (TMR) sensor with perpendicular magnetic tunneling junction (p-MTJ) structures

Номер патента: US11791083B2. Автор: Kazutaka Yamane,Vinayak Bharat Naik,Hemant M. Dixit,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09627198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09436036B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Magnetic tunnel junction (mtj) based true random number generators (trng)

Номер патента: US20180239590A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Jonathan Z. Sun,Suyog Gupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20060128037A1. Автор: Reinder Coehoorn,Dark Adelerhof,Joannes Baptist Van Zon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP1116043A1. Автор: Reinder Coehoorn,Joannes B. A. D. Van Zon,Derk J. Adelerhof. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-07-18.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09785566B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US09754784B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method implemented in a computer for the numerical simulation of semiconductor devices containing tunnel junctions

Номер патента: US20130275095A1. Автор: Mathieu Baudrit,Carlos Algora Del Valle,Ignacio Rey-Stolle Prado,Ivan Garcia Vara,Pilar Esplnet Gonzalez. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Дата публикации: 2013-10-17.

Implementing stochastic networks using magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09466030B2. Автор: Dharmendra S. Modha,Bryan L. Jackson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device with integrated mirror and method of producing a semiconductor device with integrated mirror

Номер патента: US09753218B2. Автор: Jochen Kraft,Joerg Siegert,Ewald STUECKLER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation

Номер патента: US20110241181A1. Автор: Dwight L. Daniels,Scott M. Hayes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09778725B2. Автор: Tsuyoshi Kuroiwa,Shigeru Ota. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device containing graphene p-n junctions and method for producing same

Номер патента: US09343532B2. Автор: SUNG Kim,Dong Hee Shin,Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2016-05-17.

Magnetic tunnel junction (mtj) device array

Номер патента: WO2016122811A1. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250171A1. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including blocking layer

Номер патента: US11495736B2. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-08.

Semiconductor device including blocking layer"

Номер патента: US20210043828A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Layered structure, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220336674A1. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Layered structure, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955549B2. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170084821A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices having oxidation control layer

Номер патента: US12029134B2. Автор: Jaehoon Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Sanghwan Park,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US09640585B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Encaspulated mram device with wrap-around top electrode

Номер патента: US20240324469A1. Автор: Son Nguyen,Ashim Dutta,Rudy J. Wojtecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: GB2622539A. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,P Marchack Nathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: US11980039B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic tunnel junction device and method of forming the same

Номер патента: US12082510B2. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chen-Chiu Huang,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device array

Номер патента: US09728718B2. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic tunnel junction device and method of forming the same

Номер патента: US20240373758A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chen-Chiu Huang,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device array

Номер патента: US09570509B2. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20210399045A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device using location and sign of the spin of electrons

Номер патента: EP1743387A2. Автор: Georg Schmidt,Charles Gould,Laurens W. Molenkamp,Christian Ruster. Владелец: ETeCH AG. Дата публикации: 2007-01-17.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09537086B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09525125B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12089507B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic tunnel junction element and semiconductor device

Номер патента: US12022742B2. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013580A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12052932B2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US12052933B2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuits having magnetic tunnel junctions (MTJ) and methods for fabricating the same

Номер патента: US9299745B2. Автор: Xunyuan Zhang,Kunaljeet Tanwar,Sean Xuan Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Method of manufacturing mram device with enhanced etch control

Номер патента: US20240260479A1. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Meng-Yu Wu,Szu-Hua Wu,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: EP4236662A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Jia-Rong Wu,Hung-Yi Wu,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11778921B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Jonathan Zanhong Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and device for huge magnetoresistance in graphene-based magnetic tunnel junctions with segmented potentials

Номер патента: US09537089B2. Автор: Chang-Hung CHEN,Wen-Jeng Hsueh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-03.

Mram device with annular electrodes

Номер патента: US20240107894A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Shanti Pancharatnam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11751482B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765982B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12108680B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240315146A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127414B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12062586B2. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weil Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09502642B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237553A1. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240196756A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Magnetic tunnel junction device with perpendicular magnetization and method of fabricating the same

Номер патента: US9172032B2. Автор: Yung-Hung Wang,Kuei-Hung Shen,Shan-Yi Yang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063871B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765983B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200136015A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12120962B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Chau-Chung Hou,Da-Jun Lin,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240357943A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09941466B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09721990B2. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Magnetic tunnel junction between metal layers of a semiconductor device

Номер патента: US20150200353A1. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Hyun-Jin Cho,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Structure and formation method of semiconductor device with magnetic element

Номер патента: US20200075448A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11706999B2. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11856869B2. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069201A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12074193B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230238422A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for improving surface of semiconductor device

Номер патента: US11749524B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Yao-Shien Huang,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Magnetic tunnel junction antifuse circuit comprising parallel connected reference magnetic tunnel junctions to provide an optimum reference resistance

Номер патента: WO2007120159A3. Автор: Thomas W Andre,Chitra K Subramanian. Владелец: Chitra K Subramanian. Дата публикации: 2009-04-16.

Low temperature encapsulation for magnetic tunnel junction

Номер патента: US09691972B1. Автор: Eric A. Joseph,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Yamazaki,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Perpendicular MRAM with magnet

Номер патента: US09472595B1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Bing K. Yen,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for fabricating magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09412935B1. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device including a magnetic tunneling junction (MTJ) device

Номер патента: US11515473B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20240090236A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-level magnetic tunnel junction NOR device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US11864392B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Low temperature encapsulation for magnetic tunnel junction

Номер патента: US20170179194A1. Автор: Eric A. Joseph,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Yamazaki,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Tunnel junction selector MRAM

Номер патента: US12144184B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Electric shielding magnetic tunnel junction signal isolator

Номер патента: EP4451459A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12150387B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Magnetic tunnel junction (mtj) device array

Номер патента: US20170104153A1. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

In-situ annealing to improve the tunneling magneto-resistance of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09853208B2. Автор: Guohan Hu,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of inspecting by-products and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09660186B2. Автор: Yongsun Ko,Wonjun Lee,Hoon Han,Jinhye Bae,Yoonsung HAN,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Magnesium oxide capping with a shorted path for perpendicular magnetic tunnel junction devices and method for fabrication

Номер патента: US09444035B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Prevention of switching of spins in magnetic tunnel junctions by on-chip parasitic magnetic shield

Номер патента: US10720567B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Double magnetic tunnel junction device, formed by UVH wafer bonding

Номер патента: US11114607B2. Автор: Alexander Reznicek,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor device using location and sign of the spin of electrons

Номер патента: WO2005109517A3. Автор: Georg Schmidt,Laurens W Molenkamp,Charles Gould,Christian Ruester. Владелец: Christian Ruester. Дата публикации: 2006-01-19.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: GB2617742A. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,Zanhong Sun Jonathan,b doris Bruce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11672184B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11844284B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4364542A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Magnetic Tunnel Junction With Non-Metallic Layer Adjacent to Free Layer

Номер патента: US20130334633A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09530959B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Magnetic tunnel junction stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354718A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Po-Sheng LU,Zhi-Ren Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Magnetic tunnel junction element and semiconductor device

Номер патента: US20210257541A1. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Inverted wide base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20210288246A1. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Jonathan Zanhong Sun,Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic tunnel junction and method of fabrication

Номер патента: WO2010048259A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,Matthew Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Ordered alloy magnetic tunnel junction with simplified seed structure

Номер патента: US20240244982A1. Автор: Alexander Reznicek,Guohan Hu,Matthias Georg GOTTWALD,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Low resistance magnetic tunneling junction

Номер патента: EP1038324A1. Автор: Eugene Chen,Renu Whig,Jon Slaughter. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integration of spintronic devices with memory device

Номер патента: US09660183B2. Автор: Chenchen Jacob WANG,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240114702A1. Автор: Han-Jong Chia,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Vertical magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20240237544A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20240074329A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US12022743B2. Автор: Tsann Lin,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Multi-gate device with planar channel

Номер патента: US09478542B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of forming an inductor with magnetic material

Номер патента: US09449917B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Min-Chie Jeng,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Nonmetallic liner around a magnetic tunnel junction

Номер патента: US11849647B2. Автор: Tao Li,Ashim Dutta,Yann Mignot,Wenyu Xu,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230263072A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic tunnel junction device with residue-protection sidewall spacer and the method for forming a magnetic tunnel junction device with residue-protection sidewall spacer

Номер патента: US11910620B2. Автор: Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12010926B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US20230142940A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130168739A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Masaki Ueno,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09691848B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09490329B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230225221A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US12095006B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic tunnel junction free layer of multiple materials

Номер патента: US20240334837A1. Автор: Alexander Reznicek,Guohan Hu,Matthias Georg GOTTWALD,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20230247914A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Tunnel junction selector MRAM

Номер патента: US11737284B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20230247915A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Tunnel Junction selector MRAM

Номер патента: US20220123050A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Tunnel junction selector mram

Номер патента: US20210098530A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Tunnel Junction Selector MRAM

Номер патента: US20230345737A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Mram device with wrap-around top electrode contact

Номер патента: US20240206345A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09960346B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US09881998B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with guard ring coupled resonant circuit

Номер патента: US09705466B2. Автор: Chi-Feng Huang,Tzu-Jin Yeh,Yen-Jen Chen,Hsieh-Hung HSIEH,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with variable resistive element

Номер патента: US09691887B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: US09627409B2. Автор: Hans-Peter Moll,Maciej Wiatr,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with a strained region and method of making

Номер патента: US09553149B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Improved semiconductor device with the schottky diode

Номер патента: RU2683377C1. Автор: Михаэль РЕШКЕ. Владелец: Диотек Семикондактор Аг. Дата публикации: 2019-03-28.

Magnetic tunnel junction device with improved barrier layer

Номер патента: WO2007120344A3. Автор: Jijun Sun,John T Martin,Jon M Slaughter. Владелец: Jon M Slaughter. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230270017A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Jia-Rong Wu,Hung-Yi Wu,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP1936690A3. Автор: Tetsuya Nissan Motor Co. Ltd. Hayashi,Masakatsu Nissan Motor Co. Ltd. Hoshi,Hideaki Nissan Motor Co. Ltd. Tanaka,Shigeharu Nissan Motor Co. Ltd. Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Esd protection device with reduced harmonic distortion background

Номер патента: EP3971972A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

A three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: EP3286785A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,George Matamis,Jixin Yu,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Trench-gate planar-gate semiconductor device with monolithically integrated schottky barrier diode and junction schottky barrier diode

Номер патента: WO2024183928A1. Автор: Samir Mouhoubi,Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Packaged semiconductor devices with laser grooved wettable flank and methods of manufacture

Номер патента: US09978668B1. Автор: Erwin Victor Cruz,Aira Lourdes VILLAMOR,Geraldine Suico,Silnore Sabando. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09954003B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masayuki Sakakura,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US12142692B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: US09449987B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Jixin Yu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming copper distribution with a thick cobalt-containing insert in the structure of devices operating based on magnetic tunnel junction

Номер патента: RU2694289C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Валентина Александровна Гайдедей. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА". Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of manufacturing mram device with enhanced etch control

Номер патента: US20230380291A1. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Meng-Yu Wu,Szu-Hua Wu,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing MRAM device with enhanced etch control

Номер патента: US11985904B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Meng-Yu Wu,Szu-Hua Wu,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20080210938A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US7910923B2. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213107A1. Автор: Hiroki Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with a polymer layer

Номер патента: US20240071976A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4254493A1. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062723B2. Автор: Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Tomosato KANAGAWA,Shota Mizukami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device with low noise transistor and low temperature coefficient resistor

Номер патента: US20230290775A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US20240251576A1. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US12101948B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131996B2. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US09818685B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including one or more p-type semiconductors provided between an n-type semiconductor layer and an electrode

Номер патента: US12148804B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09590061B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09484467B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with conductive pillars having recesses or protrusions to detect interconnect continuity between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09478513B2. Автор: Chien Chen Lee,Jen Yu Chen,Ting Yu Fu,Men Hsien Li. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with reduced thickness

Номер патента: US09418922B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230320229A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing magnetic tunnel junction (MTJ) device

Номер патента: US11723287B2. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200127048A1. Автор: Yong-Jae Kim,Gwan-Hyeob Koh,Kil-Ho Lee,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329004A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296576A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11778917B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia-Wei Liu,Jia-Feng Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11778922B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11864469B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403941A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403946A1. Автор: Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li,Kun-Yuan Laio. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US11871677B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Chau-Chung Hou,Da-Jun Lin,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240032433A1. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230337551A1. Автор: Po-Kai Hsu,Rai-Min Huang,Chi-Hsuan Cheng,Jia-Rong Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230413579A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230309322A1. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329003A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11818960B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416153A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416154A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403942A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia-Wei Liu,Jia-Feng Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11785785B2. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230320232A1. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

In-situ annealing to improve the tunneling magneto-resistance of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20160190437A1. Автор: Guohan Hu,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

In-situ annealing to improve the tunneling magneto-resistance of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US9472754B2. Автор: Guohan Hu,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968910B2. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968911B2. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11950513B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090341A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090342A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380295A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380296A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210408368A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of manufacturing magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: US20230017965A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240081154A1. Автор: Tai-Cheng Hou,Chau-Chung Hou,Da-Jun Lin,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210020693A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240107890A1. Автор: Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230301201A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12029138B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Structure to form and integrate high voltage finfet i/o device with nanosheet logic device

Номер патента: US20240105769A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Anthony I. Chou,Charlotte DeWan Adams,Barry Paul Linder,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor Device with Slotted Backside Metal for Improving Q Factor

Номер патента: US20180331031A1. Автор: Chih-Wen Huang,Jui-Chieh CHIU,you-cheng Lai. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237554A1. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US12027479B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1192663A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2001059844A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-08-16.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20180076195A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to define etch stop layer

Номер патента: EP4423798A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices with doped semiconductor materials

Номер патента: US12094714B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices with enhanced substrate isolation

Номер патента: US12080799B2. Автор: Jaeduk LEE,Sohyeon LEE,Sungsu Moon,Ikhyung Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with low lifetime region

Номер патента: US09985090B2. Автор: Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with vertically integrated pHEMTs

Номер патента: US09923088B2. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Three dimensional NAND memory device with novel support structures

Номер патента: US12144175B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Magnetic tunnel junction patterning using low atomic weight ion sputtering

Номер патента: US09728717B2. Автор: Rohit Kilaru,Hiroyuki Miyazoe,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with an anti-pad peeling structure and associated method

Номер патента: US09711478B2. Автор: Shih-Wen Huang,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09711377B2. Автор: Toshihiko Akiba,Hiromi Shigihara,Kei YAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Multi-gate FinFET semiconductor device with flexible design width

Номер патента: US09691763B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic etch stop layer for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09620706B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Dual three-dimensional and RF semiconductor devices using local SOI

Номер патента: US09508743B2. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Compact FDSOI device with Bulex contact extending through buried insulating layer adjacent gate structure for back-bias

Номер патента: US09425189B1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device with a super junction structure having a vertical impurity distribution

Номер патента: US09318549B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Magnetic Tunnel Junction with Reduced Damage

Номер патента: US20200295254A1. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with open cavity and method therefor

Номер патента: EP4235767A3. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Graphitic carbon contacts for devices with oxide channels

Номер патента: EP4152412A1. Автор: Edward Johnson,Noriyuki Sato,Justin Weber,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Abhishek Anil Sharma,Arnab SEN GUPTA,Eric Mattson,Yu-Jin Chen,Jason RETASKET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for etching magnetic tunnel junction

Номер патента: US12035633B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Hongyue Sun,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: EP3905339A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon on insulator semiconductor device with mixed doped regions

Номер патента: US20190371943A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-orthogonal slotted vias for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20220189874A1. Автор: Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Magnetic tunnel junction on planarized electrode

Номер патента: EP2524403A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Wei-Chuan Chen,Wah Nam Hsu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-11-21.

Magnetic tunnel junction on planarized electrode

Номер патента: WO2011088359A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Wei-Chuan Chen,Wah Nam Hsu,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Short circuit reduction in magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20200403151A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Magnetic tunnel junction with an etched bottom electrode having non-planar sidewalls

Номер патента: US20230180622A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and inverter device

Номер патента: US20230010169A1. Автор: Takeshi Ogawa,Takuro Mori,Masaru Furukawa,Hideki Tsukamoto,Seiji Saiki,Korehide Okamoto,Takamasa ODA,Yosuke Miyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US11605606B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device with multiple channels

Номер патента: US7579657B2. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-25.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with a portion including silicon and nitrogen and method of manufacturing

Номер патента: US11075134B2. Автор: Gerhard Schmidt,Markus Kahn,Christian Maier,Angelika Koprowski,Oliver Humbel,Philipp Sebastian Koch,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-27.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20220130779A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Etching method and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120094445A1. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20150206827A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Method to manufacture semiconductor device with optical grating

Номер патента: US20120094402A1. Автор: Yutaka Oonishi,Katsumi Uesaka,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device with appraisal circuitry

Номер патента: US20110297935A1. Автор: Andreas Roth,Andreas Laudenbach,Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device with multiple channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20090275177A1. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetic tunnel junction structure for mram

Номер патента: US20230200255A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing p-channel fet device with sige channel

Номер патента: US20160315016A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for reducing damage to magnetic tunnel junction of mram

Номер патента: EP4391782A1. Автор: Jiahe LI,Dongdong HU,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Device with integration of light-emitting diode, light sensor, and bio-electrode sensors on a substrate

Номер патента: US20200044113A1. Автор: Jia Chen,Hariklia Deligianni,Devendra Sadana,Steve Holmes,Stephen W. Bedell,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Package module structure for high power device with metal substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130020726A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Kyoung-Min Kim. Владелец: Wavenics Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Interface engineering during MGO deposition for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09988715B2. Автор: Katie Lynn Nardi,Nerissa Sue Draeger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing semiconductor device with a multi-layered gate dielectric

Номер патента: US09984884B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with separated main terminals

Номер патента: US09966344B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device with surface integrated focusing element and method of producing a semiconductor device with focusing element

Номер патента: US09947711B2. Автор: Rainer Minixhofer,Martin Schrems,Sara Carniello. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09935179B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated magnetic tunnel junction (MTJ) in back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09917137B1. Автор: Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Magnetic tunnel junction with reduced damage

Номер патента: US09905751B2. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices with redistribution pads

Номер патента: US09859204B2. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Ae-nee JANG,Hyunsoo Chung,Myeong Soon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with wettable corner leads

Номер патента: US09847283B1. Автор: Xue Ke,Sven Walczyk,Kan Wae Lam,Wai Keung Ho,Wing Onn Chaw. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion

Номер патента: US09831238B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Comparator including a magnetic tunnel junction (MTJ) device and a transistor

Номер патента: US09813049B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan,Manu RASTOGI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with selectively etched surface passivation

Номер патента: US09799760B2. Автор: Bruce M. Green,Darrell G. Hill,Jenn Hwa Huang,Karen E. Moore. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for reducing damage to magnetic tunnel junction of mram

Номер патента: US20240381778A1. Автор: Jiahe LI,Dongdong HU,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Group III-V semiconductor device with strain-relieving layers

Номер патента: US09741841B2. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices with trench gate structures in a semiconductor body with hexagonal crystal lattice

Номер патента: US09741712B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Contact layer for magnetic tunnel junction element and manufacturing method thereof

Номер патента: US09698342B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuits including magnetic tunnel junctions for magnetoresistive random-access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09691971B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Ming He,Craig CHILD,Seowoo Nam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Power semiconductor device

Номер патента: US09691844B2. Автор: In Su Kim,Jeong Hwan Park,Seung Sik PARK,Ha Yong YANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US20240355818A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing techniques and corresponding devices for magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US09666790B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with semiconductor mesa including a constriction

Номер патента: US09666665B2. Автор: Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for making semiconductor device with filled gate line end recesses

Номер патента: US09653579B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with thick bottom metal and preparation method thereof

Номер патента: US09653383B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue,Aihua Lu,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US12148722B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.