Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US12096697B2
Опубликовано: 17-09-2024
Автор(ы): Chia-Chang Hsu, Chih-Wei Kuo
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Dual spacer for double magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US12063867B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4381915A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman,Nathan MARCHACK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130037896A1. Автор: Jung Woo Park,Ki Seon Park,Gil Jae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8765489B2. Автор: Jung Woo Park,Ki Seon Park,Gil Jae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US11832527B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US11812667B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US20240049608A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Magnetic tunnel junction device with air gap

Номер патента: US11937512B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11744160B2. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334836A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device containing magnetic tunnel junction

Номер патента: US12082508B2. Автор: Jea Gun Park,Jong Ung BAEK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-03.

Low RA narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US12063868B2. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Modified double magnetic tunnel junction structure suitable for beol integration

Номер патента: WO2021084366A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetic tunnel junction device, magnetic memory using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US12041854B2. Автор: Jongill Hong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230354716A1. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Low ra narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: WO2022194510A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Low ra narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: EP4309174A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-24.

Electronic device including a magneto-resistive memory device and a process for forming the electronic device

Номер патента: US20090085058A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Nicholas D. Rizzo,Renu W. Dave,Phillip G. Mather,Frederick B. Mancoff,Brian R. Butcher. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-04-02.

Magnetic tunnel junctions with voltage tunable interlayer coupling for memory and sensor applications

Номер патента: US11805703B2. Автор: Weigang Wang,Ty Newhouse-Illige. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic tunnel junction with post-deposition hydrogenation

Номер патента: US09397287B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for patterning semiconductor device having magnetic tunneling junction structure

Номер патента: US20100055804A1. Автор: Sang-Hoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Reducing or avoiding metal deposition from etching magnetic tunnel junction (mtj) devices, including magnetic random access memory (mram) devices

Номер патента: WO2018026529A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-02-08.

Reducing or avoiding metal deposition from etching magnetic tunnel junction (mtj) devices, including magnetic random access memory (mram) devices

Номер патента: EP3472875A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-24.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315139A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device comprising magnetic tunneling junctions (MTJs) in a magnetoresistive random access memory (MRAM)

Номер патента: US11871585B2. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor Device Comprising Magnetic Tunneling Junctions in a Magnetoresistive Random Access Memory

Номер патента: US20240090233A1. Автор: Po-Wei Wang,Yi-An Shih,Huan-Chi Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-13.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-01.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20240090343A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US11856868B2. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230200257A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetoresistive memory device including a magnetoresistance amplification layer

Номер патента: US11968907B2. Автор: Lei Wan,Goran Mihajlovic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4202931A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP3985749A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor Device

Номер патента: US20230292627A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11957061B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215260A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240206192A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Magnetic tunneling junctions with a magnetic barrier

Номер патента: US20230422631A1. Автор: Shufeng Zhang,Weigang Wang,Yihong Cheng,Ali Habiboglu. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2023-12-28.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: US20140217532A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Hybrid synthetic antiferromagnetic layer for perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ)

Номер патента: US09614147B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Magnetic tunnel junction element and manufacturing method therefor

Номер патента: US09935262B2. Автор: Jinpyo Hong,Jabin LEE,Gwangguk AN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-03.

Synthetic antiferromagnet (SAF) coupled free layer for perpendicular magnetic tunnel junction (p-MTJ)

Номер патента: US09324939B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Synthetic antiferromagnet (SAF) coupled free layer for perpendicular magnetic tunnel junction (P-MTJ)

Номер патента: US09548446B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150340596A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09608195B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09537088B1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic tunnel junction devices having magnetic layers formed on composite, obliquely deposited seed layers

Номер патента: US8912614B2. Автор: Francesco A. Vetrò,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-16.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20220376167A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20180205002A1. Автор: Jung-Hoon Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

MTJ structures including magnetism induction pattern and magnetoresistive random access memory devices including the same

Номер патента: US10109676B2. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Woo-Jin Kim,Jung-Hoon Bak,Mina Lee,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US09647200B1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic tunnel junction element, magnetic memory using the same, and manufacture method of magnetic tunnel junction element

Номер патента: US20200027920A1. Автор: Yu Zhao,Masaki Yamada,Katsuya Miura,Kiyohiko Sato,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20220263013A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Voltage-controlled magnetic anisotropy memory device including an anisotropy-enhancing dust layer and methods for forming the same

Номер патента: US11871679B2. Автор: Derek Stewart,Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20210391530A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Magnetic tunnel junction element, magnetic memory using the same, and manufacture method of magnetic tunnel junction element

Номер патента: US11164906B2. Автор: Yu Zhao,Masaki Yamada,Katsuya Miura,Kiyohiko Sato,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US20170162782A1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Encapsulation of magnetic tunnel junction structures in organic photopatternable dielectric material

Номер патента: US20170162626A1. Автор: Qinghuang Lin,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Magnetic tunnel junction device utilizing lattice strain

Номер патента: US10170695B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20170117458A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240023456A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210057637A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09680089B1. Автор: Wei Chen,Suresh Ramarajan,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic tunnel junction structure and integration schemes

Номер патента: US20210384416A1. Автор: Young Seon You,Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Funan Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetic tunnel junction device with magnetoelectric assist

Номер патента: WO2023143046A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor devices including spin-orbit torque line and contact plug

Номер патента: US20200227626A1. Автор: Woo Jin Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor devices including spin-orbit torque line and contact plug

Номер патента: US20210280774A1. Автор: Woo Jin Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Magnetic Tunnel Junctions And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160118439A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-04-28.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09691817B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Reference layer for perpendicular magnetic anisotropy magnetic tunnel junction

Номер патента: US09583696B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20240381786A1. Автор: Qiang Fu,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of forming semiconductor device having magnetic tunnel junction and related device

Номер патента: US20140308759A1. Автор: Ki-Woong Kim,Young-Hyun Kim,Woo-Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10665772B2. Автор: Yu-Chun Chen,Hung-Chan Lin,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Magnetoresistive memory device including a magnetoresistance amplification layer

Номер патента: US20240016065A1. Автор: Lei Wan,Goran Mihajlovic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel structures therein

Номер патента: US09691967B2. Автор: Sechung Oh,Sangyong Kim,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Highly nonlinear magnetic tunnel junctions for dense magnetic random access memories

Номер патента: US20040109347A1. Автор: Yu Lu,John DeBrosse,Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Magnetic random access memory (mram) array with magnetic tunnel junction (mtj) cells and remote diodes

Номер патента: MY118271A. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor devices including reversible and one-time programmable magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190198077A1. Автор: Choong Jae Lee,Gwanhyeob Koh,Yongkyu Lee,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor Device With Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20200135806A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chung-Te Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Tsung-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20240251568A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chung-Te Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Tsung-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Perpendicular magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US09385308B2. Автор: Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Magnetic tunnel junction device with magnetoelectric assist

Номер патента: US20230240148A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Post-treatment processes for ion beam etching of magnetic tunnel junction and structures formed by the same

Номер патента: US11991932B2. Автор: Hung-Yu CHANG,Min-Yung KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and a method of operating the same

Номер патента: EP3985748A1. Автор: Jiho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240260481A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Tu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12102014B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11929105B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11980040B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chung-Te Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Tsung-Hsien Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20200243754A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US11751375B2. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Logic element using spin-orbit torque and magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US20230119656A1. Автор: Jin Pyo Hong,Jeong Woo Choi,Jeong Hun Shin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US09779793B2. Автор: Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11877520B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20230200256A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11611035B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20240107895A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Amorphous spin diffusion layer for modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: WO2022194515A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Sub-lithographic patterning of magnetic tunneling junction devices

Номер патента: US09490424B2. Автор: Yu Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: US20210013395A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Differential magnetic tunnel junction pair including a sense layer with a high coercivity portion

Номер патента: US09524765B2. Автор: Yu Lu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: EP3764362A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

Magnetic tunneling junction device capable of magnetic switching without external magnetic field and memory device including the same

Номер патента: US20240321333A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Voltage-controlled magnetic anisotropy memory device including an anisotropy-enhancing dust layer and methods for forming the same

Номер патента: US11889702B2. Автор: Derek Stewart,Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Voltage-controlled magnetic anisotropy memory device including an anisotropy-enhancing dust layer and methods for forming the same

Номер патента: US11887640B2. Автор: Derek Stewart,Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Ferromagnetic tunnel junction, spintronics device using same, and method for manufacturing ferromagnetic tunnel junction

Номер патента: EP3640942A1. Автор: Shinya Kasai,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Xiandong XU,Ikhtiar. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2020-04-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240032440A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Spinel containing magnetic tunnel junction and method of making the same

Номер патента: WO2022026057A1. Автор: Derek Stewart,Bhagwati PRASAD,Bruce Terris. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230038528A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11818965B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11849648B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11957064B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296572A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240081157A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240074328A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Tunnel junction memory cell

Номер патента: EP1306850A2. Автор: Manish Sharma,Lung T. Tran,Thomas C. Anthony. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-02.

Dual magnetic tunnel junction stack

Номер патента: US11832525B2. Автор: Mohit Gupta,Trong Huynh Bao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-28.

Weyl semimetal material for magnetic tunnel junction

Номер патента: US20220328757A1. Автор: Jian-Ping Wang,Tony Low,Duarte José Pereira de Sousa,Cesar Octavio Ascencio. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Magnetic Tunnel Junction Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021230A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Magnetic tunnel junction based memory device

Номер патента: SG10201807227PA. Автор: Romney R Katti. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US11990167B2. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20230380128A1. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US10840435B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-17.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US20200144482A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210257542A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Magnetic tunnel junction (mtj) element and its fabrication process

Номер патента: US20240365676A1. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Low current switching magnetic tunnel junction design for magnetic memory using domain wall motion

Номер патента: US20090109739A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klaus Malmhall. Владелец: Yadav Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Magnetic tunnel junction with TMR enhancement

Номер патента: US20190035447A1. Автор: Weisheng Zhao,Jiaqi Zhou. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US11716909B2. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Dual magnetic tunnel junction (DMTJ) stack design

Номер патента: US12082509B2. Автор: Ru-Ying Tong,Yu-Jen Wang,Guenole Jan,Luc Thomas,Sahil Patel,Vignesh SUNDAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic tunneling junction switching with parallel spin-momentum locked spin current

Номер патента: US12094508B1. Автор: See-Hun Yang,Jaewoo JEONG,Panagiotis Charilaos Filippou,Chirag Garg,Mahesh Govind Samant,Fnu Ikhtiar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetic tunneling junction element with a composite capping layer and magnetoresistive random access memory device using the same

Номер патента: US12108684B2. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US12069961B2. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Electronic device including a semiconductor memory

Номер патента: US09830967B2. Автор: Min-Suk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20200126606A1. Автор: Sang Kil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210104575A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Kilho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20210098043A1. Автор: Sang Kil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063792B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365563A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20230091364A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20210143212A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and forming method thereof

Номер патента: US20200227471A1. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and forming method thereof

Номер патента: US11950431B2. Автор: Wei Chen,Chin-Fu Lin,Hui-Lin WANG,Yu-Ru Yang,Chun-Yao Yang,Yi-Syun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Magnetic devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150061059A1. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Whankyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Magnetic tunnel junction device and stochastic computing system including the same

Номер патента: US20230111057A1. Автор: Jeong-Heon Park,Kwang Seok Kim,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: WO2011066324A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-03.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: EP2504836A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-10-03.

Magnetic tunnel junction device with separate read and write paths

Номер патента: RU2453934C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Шицюнь ГУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-06-20.

Perpendicular mtj stacks including magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer

Номер патента: EP2901506A1. Автор: Uday Shah,Robert S. Chau,Brian Doyle,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Magnetic tunnel junction transistor devices

Номер патента: GB2505599A. Автор: Vladislav Korenivski,Daniel C Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-05.

Magnetic tunnel junction devices and magnetoresistive memory devices

Номер патента: US20190164587A1. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe,Ken Machida. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: US10622011B2. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: US20190172485A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Electronic device including a semiconductor memory

Номер патента: US20160351240A1. Автор: Min-Suk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for MRAM characterization

Номер патента: US09541605B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device

Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic tunnel junction based anti-fuses with cascoded transistors

Номер патента: US09536926B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,John K. DeBrosse,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200111950A1. Автор: Yu-Chun Chen,Hung-Chan Lin,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Spinel containing magnetic tunnel junction and method of making the same

Номер патента: US20220036934A1. Автор: Matthew Carey,Tiffany Santos,Derek Stewart,Bhagwati PRASAD. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Magnetic tunnel junction devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic laver

Номер патента: US11751484B2. Автор: Satoru Araki. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329006A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Magnetic tunnel junction structure of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190259762A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US9711200B2. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic tunneling junction devices, memories, electronic systems, and memory systems, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150102440A1. Автор: Woo Jin Kim,Sang Hwan Park,Jang Eun Lee,Woo Chang Lim,Se Chung Oh,Jeong Heon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20160180907A1. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device having channel isolation structure

Номер патента: US20240260264A1. Автор: Moon Soo Sung,Sung Lae OH,Dong Hun Kwak,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3231019A1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-18.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09373779B1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160163967A1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09508692B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile variable resistance memory circuit which includes magnetic tunnel junction element

Номер патента: US09928891B2. Автор: Tetsuo Endoh,Takashi Ohsawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-03-27.

Redundant magnetic tunnel junctions in magnetoresistive memory

Номер патента: US09548095B2. Автор: Jon Slaughter,Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Anti-fuse circuit using mtj breakdown, and semiconductor device including the anti-fuse circuit

Номер патента: KR20130021760A. Автор: 박철우,최현호,황홍선,손종필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20210134884A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Junhee LIM,Kilho Lee,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237549A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Logic Unit Including Magnetic Tunnel Junction Elements Having Two Different Anti-Ferromagnetic Layers

Номер патента: US20150325624A1. Автор: Yakov Roizin,Avi Strum. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US20170170827A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Magnetic tunnel junction based logic circuits

Номер патента: US09865650B2. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US9705500B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09576634B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09569712B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic tunnel junction based chip identification

Номер патента: US09495627B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Philip L. Trouilloud. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction

Номер патента: US09336847B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Magnetic tunnel junction with improved tunnel barrier

Номер патента: RU2598863C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-09-27.

Magnetic tunnel junction having polarising layer

Номер патента: RU2573756C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Рикардо СУЗА. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230225220A1. Автор: Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Programmable magnetic tunnel junction

Номер патента: US20230076182A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: EP4403007A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240027550A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240027549A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US20200176041A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Magnetic tunnel junction device and method of forming same

Номер патента: US20210312965A1. Автор: Shih-Ho Lin,Yi-Wei Chiu,Chin-Hsing Lin,Joung-Wei Liou,Li-Te Hsu,Cheng-Yi Wu,Han-Ting Tsai,Bo-Jhih Shen,Kuang-I Liu,Jinn-Kwei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic tunnel junction based reconfigurable processing system and components

Номер патента: US9754997B2. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Mark B. Johnson. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP3890039A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968906B2. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction

Номер патента: EP3134899A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237550A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Forming irreversible state in single-bit cell having first magnetic tunnel junction and second magnetic tunnel junction

Номер патента: RU2553087C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ,Хари М. РАО,Дзунг Пилл КИМ,Тае Хиун КИМ,Кангхо ЛИ,Вах Нам ХСУ,Уян ХАО,Дзунгвон СУХ,Николас К. ЮЙ,Мэттью Майкл НОВАК,Стивен М. МИЛЛЕНДОРФ,Асаф АШКЕНАЗИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2015-06-10.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US11742014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic tunnel junction (MTJ) memory element having tri-layer perpendicular reference layer

Номер патента: US09608038B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic tunnel junction device, method for manufacturing magnetic tunnel junction device, and magnetic memory

Номер патента: US11963458B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Koichi Nishioka,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh,Sadahiko Miura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20220069011A1. Автор: Jinwoo Lee,Wonjun Lee,Zhe Wu,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu,Jabin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240268092A1. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12133381B2. Автор: Junhyoung Kim,Hyunjae Kim,Moorym CHOI,Taemok Gwon,Youngbum Woo,Jongin Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device array

Номер патента: US09728718B2. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device array

Номер патента: US09570509B2. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: US11980039B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: GB2622539A. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,P Marchack Nathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Magnetic tunnel junction (mtj) device array

Номер патента: WO2016122811A1. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-08-04.

Magnetic tunnel junction (mtj) device array

Номер патента: US20170104153A1. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230413579A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Random number generator using stochastic magnetic tunneling junction structure

Номер патента: US20220165933A1. Автор: Seok Min Hong,Ouk Jae Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-26.

Laser-detection devices including a voltage-controlled magnetic-tunneling-junction layer stack

Номер патента: US12027474B2. Автор: Vinayak Bharat Naik,Jia Hao Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Laser-detection devices including a voltage-controlled magnetic-tunneling-junction layer stack

Номер патента: US20240021543A1. Автор: Vinayak Bharat Naik,Jia Hao Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US12089507B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic tunnel junction device and method of forming the same

Номер патента: US12082510B2. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chen-Chiu Huang,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20210399045A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Magnetic tunnel junction device and method of forming the same

Номер патента: US20240373758A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chen-Chiu Huang,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237553A1. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11751482B2. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127414B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240357943A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12150387B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063871B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765983B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12120962B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Chau-Chung Hou,Da-Jun Lin,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11706999B2. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device including a magnetic tunneling junction (MTJ) device

Номер патента: US11515473B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Magnetic tunnel junction element and semiconductor device

Номер патента: US12022742B2. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuits including magnetic tunnel junctions for magnetoresistive random-access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09691971B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Ming He,Craig CHILD,Seowoo Nam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Multi-level magnetic tunnel junction nor device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20240090236A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-level magnetic tunnel junction NOR device with wrap-around gate electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US11864392B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Magnetic tunnel junction structure for mram

Номер патента: US20230200255A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09721990B2. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20240074329A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160260772A1. Автор: Yukio Miura,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Tunnel Junction selector MRAM

Номер патента: US20220123050A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Tunnel junction selector mram

Номер патента: US20210098530A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Tunnel Junction Selector MRAM

Номер патента: US20230345737A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230225221A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Tunnel junction selector MRAM

Номер патента: US11737284B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Low temperature encapsulation for magnetic tunnel junction

Номер патента: US20170179194A1. Автор: Eric A. Joseph,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Yamazaki,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Low temperature encapsulation for magnetic tunnel junction

Номер патента: US09691972B1. Автор: Eric A. Joseph,Sebastian U. Engelmann,Masahiro Yamazaki,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09412935B1. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing magnetic tunnel junction (MTJ) device

Номер патента: US11723287B2. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210408368A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of manufacturing magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: US20230017965A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240114702A1. Автор: Han-Jong Chia,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

In-situ annealing to improve the tunneling magneto-resistance of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09853208B2. Автор: Guohan Hu,Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Contact layer for magnetic tunnel junction element and manufacturing method thereof

Номер патента: US09698342B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11778917B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia-Wei Liu,Jia-Feng Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403942A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia-Wei Liu,Jia-Feng Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240107890A1. Автор: Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Double magnetic tunnel junction device, formed by UVH wafer bonding

Номер патента: US11114607B2. Автор: Alexander Reznicek,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11844284B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

On-chip integration of a high-efficiency and a high-retention inverted wide-base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4364542A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Magnetic Tunnel Junction with Reduced Damage

Номер патента: US20200295254A1. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: US09349945B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329004A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296576A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US11871677B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Chau-Chung Hou,Da-Jun Lin,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240032433A1. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230337551A1. Автор: Po-Kai Hsu,Rai-Min Huang,Chi-Hsuan Cheng,Jia-Rong Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230309322A1. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230329003A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11818960B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11785785B2. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968910B2. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968911B2. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380296A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240081154A1. Автор: Tai-Cheng Hou,Chau-Chung Hou,Da-Jun Lin,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210020693A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Tai-Cheng Hou,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Inverted wide base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20210288246A1. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Jonathan Zanhong Sun,Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237554A1. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic tunnel junction stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354718A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Po-Sheng LU,Zhi-Ren Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuits having magnetic tunnel junctions (MTJ) and methods for fabricating the same

Номер патента: US9299745B2. Автор: Xunyuan Zhang,Kunaljeet Tanwar,Sean Xuan Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Magnetic tunnel junction element and semiconductor device

Номер патента: US20210257541A1. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Ordered alloy magnetic tunnel junction with simplified seed structure

Номер патента: US20240244982A1. Автор: Alexander Reznicek,Guohan Hu,Matthias Georg GOTTWALD,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170084821A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09502642B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Magnetic tunnel junctions, methods used while forming magnetic tunnel junctions, and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09941466B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and device for huge magnetoresistance in graphene-based magnetic tunnel junctions with segmented potentials

Номер патента: US09537089B2. Автор: Chang-Hung CHEN,Wen-Jeng Hsueh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device using location and sign of the spin of electrons

Номер патента: EP1743387A2. Автор: Georg Schmidt,Charles Gould,Laurens W. Molenkamp,Christian Ruster. Владелец: ETeCH AG. Дата публикации: 2007-01-17.

Magnesium oxide capping with a shorted path for perpendicular magnetic tunnel junction devices and method for fabrication

Номер патента: US09444035B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of inspecting by-products and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09660186B2. Автор: Yongsun Ko,Wonjun Lee,Hoon Han,Jinhye Bae,Yoonsung HAN,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09831422B2. Автор: Stuart S. P. Parkin,Woojin Kim,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Prevention of switching of spins in magnetic tunnel junctions by on-chip parasitic magnetic shield

Номер патента: US10720567B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Semiconductor device using location and sign of the spin of electrons

Номер патента: WO2005109517A3. Автор: Georg Schmidt,Laurens W Molenkamp,Charles Gould,Christian Ruester. Владелец: Christian Ruester. Дата публикации: 2006-01-19.

Magnetic Tunnel Junction With Non-Metallic Layer Adjacent to Free Layer

Номер патента: US20130334633A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09530959B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Magnetic tunnel junction and method of fabrication

Номер патента: WO2010048259A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,Matthew Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Vertical magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20240237544A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: EP4236662A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Jia-Rong Wu,Hung-Yi Wu,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Tunnel junction selector MRAM

Номер патента: US12144184B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12108680B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11672184B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230263072A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12010926B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230270017A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Jia-Rong Wu,Hung-Yi Wu,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403941A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230320232A1. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12052932B2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US12052933B2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240315146A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765982B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200136015A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Magnetic tunnel junction between metal layers of a semiconductor device

Номер патента: US20150200353A1. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Hyun-Jin Cho,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Magnetic tunnel junction patterning using low atomic weight ion sputtering

Номер патента: US09728717B2. Автор: Rohit Kilaru,Hiroyuki Miyazoe,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20230247914A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20230247915A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20230301201A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12029138B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory built-in self-test with automated detection of magnetic tunneling junction degradation for repair

Номер патента: WO2024215333A1. Автор: Martin Keim,Jongsin Yun,Sina BAKHTAVARI MAMAGHANI,Christopher Münch,Mehdi Baradaran Tahoori. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230320229A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11778922B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11864469B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403946A1. Автор: Chih-Yueh Li,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Tai-Cheng Hou,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Kun-Ju Li,Kun-Yuan Laio. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416153A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416154A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090341A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090342A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380295A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic tunnel junction device with perpendicular magnetization and method of fabricating the same

Номер патента: US9172032B2. Автор: Yung-Hung Wang,Kuei-Hung Shen,Shan-Yi Yang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-10-27.

Magnetic tunnel junction (mtj) based true random number generators (trng)

Номер патента: US20180239590A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Jonathan Z. Sun,Suyog Gupta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Low resistance magnetic tunneling junction

Номер патента: EP1038324A1. Автор: Eugene Chen,Renu Whig,Jon Slaughter. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-27.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US12040333B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device including optical through via and method of making

Номер патента: US11754794B2. Автор: Hung-Yi Kuo,Chien-Te Wu,Tsung-Yuan Yu,Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices

Номер патента: US09911693B2. Автор: William R. Brown,David A. Kewley,Tim H. Bossart,Nikolay A. Mirin,Jenna L. Russon,Brian R. Watson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09728556B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Contactless damage inspection of perimeter region of semiconductor device

Номер патента: US09658279B2. Автор: Eric GRAETZ,Hermann Bilban,Rudolf Pairleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583634B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09508861B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and dc-to-dc converter

Номер патента: US20110156678A1. Автор: Hiroshi Saito,Yuichi Goto,Ryo Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device, display apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240257751A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Kouhei Toyotaka,Yuto Yakubo,Seiko Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicon contactor including plate type powders for testing semiconductor device

Номер патента: US8334595B2. Автор: Young Seok Jung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-18.

Semiconductor device, array structure of semiconductor devices, neuromorphic circuit including the semiconductor devices, and computing apparatus including the neuromorphic circuit

Номер патента: US12113129B2. Автор: Jaechul Park,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices having oxidation control layer

Номер патента: US12029134B2. Автор: Jaehoon Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Sanghwan Park,Heeju Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Magnetic tunnel junction structure with non-magnetic amorphous insertion layer

Номер патента: US20240081155A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Young-Suk Choi,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices including a channel pad, and methods of manufacturing semiconductor devices including a channel pad

Номер патента: US09525065B1. Автор: Woong Seop Lee,Dong Min Kyeon,Jin Hyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor devices including a support for an electrode and methods of forming semiconductor devices including a support for an electrode

Номер патента: US09647056B2. Автор: Jaehong Park,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor devices including charge storage patterns

Номер патента: US09960171B2. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Junghoon Park,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11778921B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Jonathan Zanhong Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11856869B2. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069201A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: GB2617742A. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,Zanhong Sun Jonathan,b doris Bruce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of recycling substrate

Номер патента: US12148666B2. Автор: Mie Matsuo,Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device containing graphene p-n junctions and method for producing same

Номер патента: US09343532B2. Автор: SUNG Kim,Dong Hee Shin,Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2016-05-17.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007053A1. Автор: Jung Hee Lee,Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230039359A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device including a MOSFET and having a super-junction structure

Номер патента: US9379235B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Tomohiro Tamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09620564B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US09640585B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09590175B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013580A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240196756A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Super junction semiconductor device including edge termination

Номер патента: US09520463B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250171A1. Автор: Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including magnetically coupled monolithic integrated coils

Номер патента: US09640602B2. Автор: Anton Mauder,Kevni Bueyuektas,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-02.

Method implemented in a computer for the numerical simulation of semiconductor devices containing tunnel junctions

Номер патента: US20130275095A1. Автор: Mathieu Baudrit,Carlos Algora Del Valle,Ignacio Rey-Stolle Prado,Ivan Garcia Vara,Pilar Esplnet Gonzalez. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device having vertical MOSFET with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496331B2. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Super junction semiconductor device having columnar super junction regions extending into a drift layer

Номер патента: US09722020B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Winfried Kaindl,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having super-junction structures and fabrication thereof

Номер патента: US20150295024A1. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device having super junction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US7342422B2. Автор: Tomoatsu Makino,Yoshiyuki Hattori,Shoichi Yamauchi,Makoto Kuwahara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US09905636B2. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Super-junction semiconductor device

Номер патента: US09711636B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Shih-han Yu,Ju-Hsu Chuang,Jia-Jan Guo. Владелец: Lite On Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for forming semiconductor device having super-junction structures

Номер патента: US09666485B2. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Implementing stochastic networks using magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09466030B2. Автор: Dharmendra S. Modha,Bryan L. Jackson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having super-junction structures

Номер патента: US09406742B2. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device with superjunction structure and transistor cells in a transition region along a transistor cell region

Номер патента: US09954056B2. Автор: Franz Hirler,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with a super junction structure having a vertical impurity distribution

Номер патента: US09318549B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130168739A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Masaki Ueno,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200127048A1. Автор: Yong-Jae Kim,Gwan-Hyeob Koh,Kil-Ho Lee,Dae-eun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Magnetic tunnel junction antifuse circuit comprising parallel connected reference magnetic tunnel junctions to provide an optimum reference resistance

Номер патента: WO2007120159A3. Автор: Thomas W Andre,Chitra K Subramanian. Владелец: Chitra K Subramanian. Дата публикации: 2009-04-16.

Short circuit reduction in magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20200403151A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for improving surface of semiconductor device

Номер патента: US11749524B2. Автор: Jung-Tang WU,Chin-Szu Lee,Szu-Hua Wu,Yao-Shien Huang,Yu-Jen Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Super junction semiconductor device with a nominal breakdown voltage in a cell area

Номер патента: US09515137B2. Автор: Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-06.

Super Junction Semiconductor Device with a Nominal Breakdown Voltage in a Cell Area

Номер патента: US20140231912A1. Автор: Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Electric shielding magnetic tunnel junction signal isolator

Номер патента: EP4451459A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a semiconductor device with epitaxial layers and an alignment structure

Номер патента: US09711357B1. Автор: Hans Weber,Andreas Moser,Johannes Baumgartl,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including blocking layer

Номер патента: US11495736B2. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-08.

Semiconductor device including blocking layer"

Номер патента: US20210043828A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09911864B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09812585B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09761734B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device

Номер патента: US09577110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09425217B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor Device Including First and Second Semiconductor Elements

Номер патента: US20130146971A1. Автор: Franz Hirler,Ulrich Glaser,Christian Lenzhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107013B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US09905644B2. Автор: Satoshi Eguchi,Tetsuya Iida,Akio Ichimura,Natsuo Yamaguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices including contact structures that partially overlap silicide layers

Номер патента: US09768255B2. Автор: Shigenobu Maeda,Chul-Sung Kim,Sang-Jin Hyun,Do-Sun LEE,Chang-Woo SOHN,Young-Moon Choi,Hyo-Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09443876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Device Including Electrode Trench Structure and Isolation Trench Structure and Manufacturing Method Therefore

Номер патента: US20200303528A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363417A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Circuit and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US09863999B2. Автор: Masanori Miyata,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Multi-level stacked transistor device including capacitor and different semiconductor materials

Номер патента: US09755084B2. Автор: Yasuyuki Arai,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices including patterns in a source region

Номер патента: US09698259B2. Автор: Jaehyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Methods of Forming Buried Junction Devices in Silicon Carbide Using Ion Implant Channeling and Silicon Carbide Devices Including Buried Junctions

Номер патента: US20170084700A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: WO2015013628A2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials and methods of forming the same

Номер патента: US09997537B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming counterdoped semiconductor device comprising first epitaxial layer and second epitaxial layer formed over first epitaxial layer having conductivity type different than second epitaxial layer

Номер патента: US09887272B2. Автор: Martin Christopher Holland,Richard Kenneth Oxland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09837547B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Interconnect structures for assembly of multi-layer semiconductor devices

Номер патента: US09812429B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices including a rare earth element and methods of forming semiconductor devices including a rare earth element

Номер патента: US09793368B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a semiconductor material on a fin, and related semiconductor devices

Номер патента: US09698268B2. Автор: Shigenobu Maeda,Bo-Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor devices including gate insulation layers on channel materials

Номер патента: US09553105B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jung-Hwan Lee,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Methods of forming buried junction devices in silicon carbide using ion implant channeling and silicon carbide devices including buried junctions

Номер патента: US09484413B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466705B2. Автор: Toru Sugiyama,Kunio Tsuda,Akira Yoshioka,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09461164B2. Автор: Thorsten Meyer,Werner Schwetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor arrangement having first semiconductor device over first shallow well having first conductivity type and second semiconductor device over second shallow well having second conductivity type and formation thereof

Номер патента: US09401361B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11950513B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240162286A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20190305126A1. Автор: Toru Oka,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230087572A1. Автор: Tomonari SHIODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210134956A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device including multi-layer gate insulating layer and electronic device including the same

Номер патента: US20240178307A1. Автор: Sungil Park,Jaehyun Park,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603407A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device, semiconductor module, and packaged semiconductor device

Номер патента: US11069783B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Mitsuaki Sakamoto,Toshikazu Imai,Yasuyuki Masumoto,Shigetoshi Sota,Tomonari OOTA,Masaaki HIRAKO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US20010050845A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor Device Including Insulating Layer of Cubic System or Tetragonal System

Номер патента: US20120168904A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Sung-Hae Lee,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sang-Yeol Kang,Jun-noh Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12125943B2. Автор: Huan-Yu LAI,Li-Chi PENG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09917131B2. Автор: Hajime Inoue,Ryuichi Kanamura,Taku Umebayashi,Keiji Tatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, storage device, resistor circuit, display device, and electronic device

Номер патента: US09847406B2. Автор: Masami Endo,Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09825139B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Super junction semiconductor device with field extension zones

Номер патента: US09825127B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09768320B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Akihisa Shimomura,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09768300B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including oxide semiconductor with an insulating film including galliium and oxygen

Номер патента: US09755082B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09735271B2. Автор: Ying-Lang Wang,Lai Wan CHONG,Wen Chu HSIAO,Ying Min CHOU,Hsiang Hsiang Ko,Chun-Chieh Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722030B1. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices including an isolation layer on a fin and methods of forming semiconductor devices including an isolation layer on a fin

Номер патента: US09704864B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Yeon-Jin Gil,Ha-Young Jeon,Ji-Won YUN,Won-Sang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Contact structures for compound semiconductor devices

Номер патента: US09666705B2. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen,Gianmauro Pozzovivo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09666530B1. Автор: Chen-Shien Chen,Han-Ping Pu,Mirng-Ji Lii,Yu-feng Chen,Kuo-Lung Pan,Yu-Jen Cheng,Yu-Chih Huang,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device including oxide semiconductor

Номер патента: US09640555B2. Автор: Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09613930B2. Автор: Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09590075B2. Автор: Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09576795B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09570625B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09570499B2. Автор: Hajime Inoue,Ryuichi Kanamura,Taku Umebayashi,Keiji Tatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09564524B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Simone Lavanga,Gianmauro Pozzovivo,Fabian Reiher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device including ion gel material and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09548368B2. Автор: Sungwoo HWANG,Yeonsang Park,Changwon Lee,Unjeong KIM,Youngseon SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09548301B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09478603B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09431450B2. Автор: Hajime Inoue,Ryuichi Kanamura,Taku Umebayashi,Keiji Tatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor devices including superlattice depletion layer stack and related methods

Номер патента: US09406753B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert Mears,Erwin Trautmann. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240357812A1. Автор: Byung Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device including first interface and second interface as an upper surface of a convex protruded from first interface and manufacturing device thereof

Номер патента: US09349856B2. Автор: Toru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US20240237351A1. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US20220238670A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US11799008B2. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20230025796A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240146030A1. Автор: Shih-Chun Ling,Wan-Jung Lee. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

High-voltage semiconductor device

Номер патента: US10784369B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device including data storage material pattern

Номер патента: US20200388758A1. Автор: Jiho Park,Hideki Horii,Gyuhwan Oh,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Jungmoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device including resonant tunneling diode structure having a superlattice and related methods

Номер патента: EP3494599A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-12.

Semiconductor device including a resonant tunneling diode structure with electron mean free path control layers comprising a superlattice and associated methods

Номер патента: EP3497728A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230282534A1. Автор: Takumi Shigemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240258410A1. Автор: Dongwoo Kim,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and data storage system including a landing pad on an external side region of a bypass via

Номер патента: US12051664B2. Автор: Junyoung Choi,Moorym CHOI,Jungtae Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258389A1. Автор: Manabu Yanagihara,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

High- voltage semiconductor device

Номер патента: US20190334031A1. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190341368A1. Автор: Chih-Pin Hung,Chih-Yi Huang,Ian HU,Ming-Han WANG,Tsun-Lung HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311203A1. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12074195B1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US11715778B2. Автор: Akira Mukai,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method for producing thereof

Номер патента: EP4135050A1. Автор: Hans Weber,Andreas Vörckel,Tobias Höchbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: WO2020116449A1. Автор: Toshiaki Iwafuchi,Ikue Mitsuhashi. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-11.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240297117A1. Автор: HyunJung Kim,Jaeduk LEE,Sejun Park,Eiwhan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4426082A1. Автор: HyunJung Kim,Jaeduk LEE,Sejun Park,Eiwhan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180286819A1. Автор: Tatsuya Kobayashi,Kazuo Shimokawa,Akira Tojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266280A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203970A1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20180083096A1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP3501039A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor Device and Method of Forming Three-Dimensional Vertically Oriented Integrated Capacitors

Номер патента: US20110233726A1. Автор: Rui Huang,Heap Hoe Kuan,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12080788B2. Автор: Matthew David Smith. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20240321829A1. Автор: Nobuyuki Momo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427268A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US20200243395A1. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US12087862B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Optical semiconductor device

Номер патента: EP3754799A1. Автор: Yutaka Ohki,Ryuichiro Minato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US10658244B2. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371748A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Chung-Ting Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09991340B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US12136665B2. Автор: Katsumi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978842B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Shinsuke Harada,Takashi Shinohe,Keiko ARIYOSHI,Takahito Kojima,Junji Senzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a contact including an alkaline earth metal on a semiconductor layer, and related devices

Номер патента: US09966449B2. Автор: Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09966375B2. Автор: Seong-Ju Kim,Mirco Cantoro,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Woong-Ki Hong,Do-hyoung Kim,Dong-Hoon KHANG,Chang-Jae Yang,Seung-Mo Ha,Tae-yong Kwon,Woo-Ram KIM,Seung-Jin MUN,So-Ra YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device assembly with through-mold cooling channel formed in encapsulant

Номер патента: US09960150B2. Автор: XIAO Li,Jaspreet S. Gandhi,Bradley R. Bitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices including empty spaces

Номер патента: US09953928B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Номер патента: US09947672B2. Автор: Bo-Un Yoon,Yong-Ho Jeon,Sang-Jine Park,Do-hyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device structure for improved performance and related method

Номер патента: US09929241B2. Автор: Jingjing Chen. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09929239B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,David Seo,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US09923051B1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09905555B2. Автор: Tatsuya Naito,Masahito Otsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having a trench with different electrode materials

Номер патента: US09899488B2. Автор: Martin Henning Vielemeyer,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09865685B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09831351B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09812466B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Jun Koyama,Masayuki Sakakura,Tomoaki Atsumi,Tetsuhiro Tanaka,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728648B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09663354B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US09614099B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Masaki Atsuta,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Tatsunori Sakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US09583613B2. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Three-dimensional semiconductor memory devices including a vertical channel

Номер патента: US09559115B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Номер патента: US09548309B2. Автор: Bo-Un Yoon,Yong-Ho Jeon,Sang-Jine Park,Do-hyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09530895B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US09520361B2. Автор: Seok-Ho Kim,Tae-Yeong Kim,Pil-Kyu Kang,Byung-lyul Park,Jin-Ho Chun,Joo-Hee Jang,Hyo-Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09490441B2. Автор: Kaori Takimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Fabricating shallow-trench isolation semiconductor devices to reduce or eliminate oxygen diffusion

Номер патента: US09484402B2. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484271B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443934B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices including empty spaces and methods of forming the same

Номер патента: US09391138B2. Автор: Jin-Hyung Park,Byoung-Deog Choi,Hong-Rae Kim,Hee-Young Park,Sang-Ho Roh,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor devices

Номер патента: US09337185B2. Автор: Frank Pfirsch,Carsten Schaeffer,Dorothea Werber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-10.

Composite semiconductor device, print head and image forming apparatus

Номер патента: US20090322852A1. Автор: Hiroshi Hamano,Masumi Koizumi,Masumi Taninaka,Kazuya Ohkawa,Shinya Jyumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US12022743B2. Автор: Tsann Lin,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device, semiconductor device fabrication method, and electronic device

Номер патента: US20230275001A1. Автор: Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Junya Yaita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210288177A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device comprising alignment key

Номер патента: US20240204068A1. Автор: Jin-Wook Yang,Yoshinao Harada,Woo Bin Song,Cheoljin YUN,Hyungjoo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210125976A1. Автор: Toma TAKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices

Номер патента: EP4238136A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Matt N. MCCAIN,Joe Mcpherson. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for making semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391446A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150097184A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299129A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for operating an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20210385918A1. Автор: Uli Hiller,Martin Moritz,Sebastian Stigler,Benjamin Höflinger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4000102A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Multi-silicide structure for a semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US12040375B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160372604A1. Автор: Hajime Yamaguchi,Shintaro Nakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20210028131A1. Автор: Michael B. Vincent,Abdellatif Zanati. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240194647A1. Автор: Yuki Sato,Tsukasa Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Stacked chip scale semiconductor device

Номер патента: US20240243101A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device comprising two-dimensional material and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230275128A1. Автор: Sangwoo Kim,Taehyeong Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Minseok SHIN,JunYoung KWON,Jaehwan Jung,Pin Zhao. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299066A1. Автор: Hongfei Lu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230290854A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tatsuya Shiraishi,Kouta Tomita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device including bonding pad metal layer structure

Номер патента: US11764176B2. Автор: Joachim Hirschler,Thomas Rupp,Jens Brandenburg,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Evelyn Napetschnig,Christoffer Erbert,Julia Zischang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11742372B2. Автор: Nobutaka Ukigaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device capable of preventing an increase in the number of manufacturing steps relating to wiring and a method for manufacturing the same

Номер патента: US11495543B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11744079B2. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Two-dimensional material structure, semiconductor device including the two-dimensional material structure, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230112883A1. Автор: Minsu Seol,Keunwook SHIN,Changseok Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US11605606B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor devices including hyper-abrupt junction region including spaced-apart superlattices and associated methods

Номер патента: EP4000101A1. Автор: Robert J. Mears,Marek Hytha,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290782A1. Автор: Kenji Suzuki,Takuya Yoshida,Yuki Haraguchi,Hidenori Koketsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062654B2. Автор: Kenji Suzuki,Takuya Yoshida,Yuki Haraguchi,Hidenori Koketsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266402A1. Автор: SangHoon HAN,Taegon Kim,Jihye Yi,Yonghee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US12068280B2. Автор: Hideaki Kitazawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230269868A1. Автор: Tomomi Nonaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Semiconductor device, related circuit, chip, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240282767A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20210328027A1. Автор: Tomoaki Inokuchi,Yusuke Kobayashi,Tatsunori Sakano,Hiro GANGI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20220130779A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device

Номер патента: US12080765B2. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi,Aya SHINDOME. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227559A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266428A1. Автор: Yusuke Kanda. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US20230282524A1. Автор: Cheng-I Lin,Chi On Chui,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043942A1. Автор: Shinya Kyogoku,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12057480B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Ryo Arasawa,Erika TAKAHASHI,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Vertically mountable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20020008310A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296437A1. Автор: Jaegil Lee,Sangtae Han. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266444A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282762A1. Автор: Shota IZUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255425A1. Автор: Hiroyuki Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321891A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240322020A1. Автор: Daiki Yoshikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312868A1. Автор: Yukinori Hatori. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240298444A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Radiation protection for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2023033950A1. Автор: Lu Fu Lin,Yung Sheng Zou,Chong Leong Gan,Li Jao,Min Hua Chung. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107148B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US12126344B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yusuke Negoro,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Inductor embedded in a substrate of a semiconductor device

Номер патента: US20240332170A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chien Hung Liu,Kuo-Ching Huang,Yu-Jui Wu,Harry-HakLay Chuang,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12094968B2. Автор: Hiroshi Yoshida,Yasuhiro Kawai,Hiroaki Katou,Saya SHIMOMURA,Shotaro BABA,Atsuro Inada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Power semiconductor devices including beryllium metallization

Номер патента: WO2024220798A1. Автор: Afshin Dadvand,Devarajan Balaraman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.