• Главная
  • Intrinsic Josephson superconducting tunnel junction device

Intrinsic Josephson superconducting tunnel junction device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Superconductive tunnel junction device with enhanced characteristics and method of manufacture

Номер патента: US4536414A. Автор: Lawrence N. Smith,Harry Kroger,Don W. Jillie. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1985-08-20.

Superconductive tunnel junction integrated circuit

Номер патента: US4430662A. Автор: Don W. Jillie, Jr.,Lawrence N. Smith. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Method of controlling the supercurrent of a Josephson junction device

Номер патента: US4474828A. Автор: Richard M. Josephs,Peter L. Young,John A. Coleman. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1984-10-02.

Superconductive tunneling device

Номер патента: GB1283690A. Автор: Robert Rosenberg,Robert Benjamin Laibowitz,Jerome John Cuomo,Ashok Frank Mayadas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-08-02.

Superconducting tunnel junction devices and method of making them

Номер патента: EP0109166A2. Автор: Harry Kroger. Владелец: Sperry Corp. Дата публикации: 1984-05-23.

Low resistance magnetic tunneling junction

Номер патента: EP1038324A1. Автор: Eugene Chen,Renu Whig,Jon Slaughter. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-27.

Josephson tunnel junction device having polycrystalline silicon* germanium or silicon germanium alloy tunneling barrier

Номер патента: JPS55166979A. Автор: Kurogaa Harii. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1980-12-26.

Magnetic tunnel junction having polarising layer

Номер патента: RU2573756C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Рикардо СУЗА. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic tunnel junction device with separate read and write paths

Номер патента: CA2710334A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Shiqun Gu,Xiaochun Zhu. Владелец: Xiaochun Zhu. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for tunnel junction sensor with magnetic cladding

Номер патента: WO2007016009A2. Автор: Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-02-08.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic tunnel junction cell including multiple vertical magnetic domains

Номер патента: EP2266136A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-12-29.

Magnetic tunnel junction cell including multiple vertical magnetic domains

Номер патента: WO2009120487A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-10-01.

Magnetic Tunnel Junction Cell Adapted to Store Multiple Digital Values

Номер патента: US20110090732A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Multiple junction device

Номер патента: MY103306A. Автор: Nozaki Takao,Saka Youji. Владелец: Sumitomo Wiring Systems. Дата публикации: 1993-05-29.

Semiconductor junction devices

Номер патента: US3586542A. Автор: Alfred U Macrae. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1971-06-22.

Method of fabricating semiconductor junction device employing separate metallization

Номер патента: US4301592A. Автор: Hung Chang Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-11-24.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP1116248A1. Автор: Joannes B. A. D. Van Zon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-07-18.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2001008176A1. Автор: Joannes B. A. D. Van Zon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-02-01.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US8216703B2. Автор: Jijun Sun,Jon M. Slaughter. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of repairing defective tunnel junctions

Номер патента: EP1195680A2. Автор: Thomas C. Anthony,Janice H. Nickel. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-04-10.

Junction device for tridimensionally extending trussed structures

Номер патента: CA1061983A. Автор: Simone Gionvanni. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-09-11.

Josephson junction device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099161A1. Автор: Jaeho SHIN,Jaehyeong LEE,Jinhyoun KANG,Daeseok Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Superconductive tunnel junction device

Номер патента: GB1243357A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-08-18.

Josephson junction device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11349059B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Jaehyeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Josephson junction device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210217946A1. Автор: Hyeokshin Kwon,Jaehyeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Stacked josephson junction device composed of oxide superconductor material

Номер патента: CA2037949C. Автор: Hideo Itozaki,Keizo Harada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Stacked Josephson junction device composed of oxide superconductor material

Номер патента: US5468973A. Автор: Hideo Itozaki,Keizo Harada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-11-21.

Process for direct integration of a thin-film silicon p-n junction diode with a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20050083729A1. Автор: Daniel Toet,Thomas Sigmon. Владелец: Sigmon Thomas W.. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for manufacturing magnetic tunnel junction device

Номер патента: KR20110002706A. Автор: 표승석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-01-10.

Photovoltaic device with transparent tunnel junction

Номер патента: MY201253A. Автор: Wei Zhang,Fang Mei,Markus Gloeckler. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Interdigitated back contact metal-insulator-semiconductor solar cell with printed oxide tunnel junctions

Номер патента: MY190562A. Автор: M Hilali Mohamed. Владелец: Zhejiang Kaiying New Mat Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Highly doped layer for tunnel junctions in solar cells

Номер патента: US09722131B2. Автор: Christopher M. Fetzer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-08-01.

Type-ii high bandgap tunnel junctions of inp lattice constant for multijunction solar cells

Номер патента: CA2810895C. Автор: Daniel C. Law,Joseph Charles Boisvert,Robyn L. Woo. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-10-16.

Flexible substrate for use with a perpendicular magnetic tunnel junction (pmtj)

Номер патента: US20190206933A1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Dafna Beery,Amitay Levi,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Impact-resistant super junction device and preparing method thereof

Номер патента: US20240297219A1. Автор: WEI Hu,Liang Shi,Xiao Feng Qin. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Impact-resistant super junction device and preparing method thereof

Номер патента: EP4425564A1. Автор: WEI Hu,Liang Shi,Xiao Feng Qin. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Tunnel junction

Номер патента: WO2015067933A1. Автор: Evan Parker,Terence Whall,Mika Prunnila,David GUNNARSSON,Martin PREST. Владелец: Vtt Technical Research Centre Of Finland. Дата публикации: 2015-05-14.

Shadow mask sidewall tunnel junction for quantum computing

Номер патента: US20190245132A1. Автор: Markus BRINK,Sami Rosenblatt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Shadow mask sidewall tunnel junction for quantum computing

Номер патента: US20200321509A1. Автор: Markus BRINK,Sami Rosenblatt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Smooth metal layers in Josephson junction devices

Номер патента: US11882771B2. Автор: Hongwen Yan,Gerald W. Gibson,Kathryn Jessica Pooley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Dual spacer for double magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US12063867B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12150387B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Magnetic tunnel junction element and manufacturing method therefor

Номер патента: US09935262B2. Автор: Jinpyo Hong,Jabin LEE,Gwangguk AN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-03.

Scandium nitride magnetic tunnel junction device

Номер патента: US12063789B2. Автор: Daniel S. Marshall,Jean Anne INCORVIA,Suyogya KARKI. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-08-13.

Double magnetic tunnel junction device, formed by UVH wafer bonding

Номер патента: US11114607B2. Автор: Alexander Reznicek,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP4381915A1. Автор: Pouya Hashemi,Chandrasekara Kothandaraman,Nathan MARCHACK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150340596A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: US20140217532A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09608195B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic tunnel junction device with air gap

Номер патента: US11937512B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-20.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-13.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A3. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-01.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150061051A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Vertical magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20240237544A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US20200058846A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for fabricating a magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2015148059A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-10-01.

Magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09721990B2. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Magnetic Tunnel Junction With Non-Metallic Layer Adjacent to Free Layer

Номер патента: US20130334633A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Zihui Wang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Tunnel junction selector MRAM

Номер патента: US12144184B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11672184B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Scandium nitride magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2020150419A1. Автор: Daniel S. Marshall,Jean Anne INCORVIA,Suyogya KARKI. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for fabricating magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09412935B1. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

Etch-resistant protective coating for a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP3146572A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-29.

Etch-resistant protective coating for a magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2015179149A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Etch-resistant protective coating for a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20150340593A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of fabricating a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20140377884A1. Автор: MIENO FUMITAKE,Min-Hwa Chi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Magnetic tunnel junction and method of fabrication

Номер патента: WO2010048259A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,Matthew Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Memory device containing magnetic tunnel junction

Номер патента: US12082508B2. Автор: Jea Gun Park,Jong Ung BAEK. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09537088B1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Multiferroic magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US10319903B2. Автор: Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Nonmetallic liner around a magnetic tunnel junction

Номер патента: US11849647B2. Автор: Tao Li,Ashim Dutta,Yann Mignot,Wenyu Xu,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230263072A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of forming a magnetic tunneling junction device

Номер патента: US11793085B2. Автор: Kevin Garello,Davide Francesco CROTTI. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-10-17.

Magnetic tunnel junction device with improved barrier layer

Номер патента: WO2007120344A3. Автор: Jijun Sun,John T Martin,Jon M Slaughter. Владелец: Jon M Slaughter. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: EP4207252A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12010926B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Tunnel Junction selector MRAM

Номер патента: US20220123050A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Tunnel junction selector mram

Номер патента: US20210098530A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Tunnel junction selector MRAM

Номер патента: US11737284B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Magnetic tunnel junction having tapered all-around structure

Номер патента: US20210288247A1. Автор: Janusz Jozef Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Tunnel Junction Selector MRAM

Номер патента: US20230345737A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2024083036A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-04-25.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20240130243A1. Автор: Kevin W. Brew,Ching-Tzu Chen,Timothy Mathew Philip,Injo OK,Jin Ping HAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Magnetic tunneling junctions with a magnetic barrier

Номер патента: US20230422631A1. Автор: Shufeng Zhang,Weigang Wang,Yihong Cheng,Ali Habiboglu. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming magnetic tunneling junction layer for magnetic random access memory

Номер патента: US6884731B2. Автор: Tae-Wan Kim,I-hun Song,Soon-won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-26.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: EP3105760A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Method for reducing damage to magnetic tunnel junction of mram

Номер патента: EP4391782A1. Автор: Jiahe LI,Dongdong HU,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Low RA narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US12063868B2. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic tunnel junction with reduced damage

Номер патента: US09905751B2. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for reducing damage to magnetic tunnel junction of mram

Номер патента: US20240381778A1. Автор: Jiahe LI,Dongdong HU,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device array

Номер патента: US09728718B2. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetic tunnel junction (MTJ) device array

Номер патента: US09570509B2. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic tunnel junction element and method for manufacturing same

Номер патента: US10833256B2. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-11-10.

Etching method for magnetic tunnel junction

Номер патента: US11963455B2. Автор: Lu Chen,Dongdong HU,Kaidong Xu,Dongchen CHE. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of manufacturing magnetic tunnel junction (MTJ) device

Номер патента: US11723287B2. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for etching mram magnetic tunnel junction

Номер патента: US20230345840A1. Автор: Jiahe LI,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US11856868B2. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3323158A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-23.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2017011289A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-01-19.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20240090343A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Magnetic tunnel junction (mtj) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210408368A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of manufacturing magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: US20230017965A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetoresistive Tunnel Junction

Номер патента: US20160240780A1. Автор: Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Magnetoresistive tunnel junction

Номер патента: US20140131652A1. Автор: Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Magnetic Tunnel Junction with Reduced Damage

Номер патента: US20200295254A1. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Magnetic tunnel junction element and semiconductor device

Номер патента: US12022742B2. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Magnetic tunnel junction on planarized electrode

Номер патента: EP2524403A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Wei-Chuan Chen,Wah Nam Hsu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-11-21.

Magnetic tunnel junction on planarized electrode

Номер патента: WO2011088359A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Wei-Chuan Chen,Wah Nam Hsu,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-07-21.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2015122963A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Topological tunnel junction

Номер патента: US20240276888A1. Автор: Heinz Schmid,Bernd W. Gotsmann,Bogdan Cezar Zota,Alan Molinari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic tunnel junction structure for mram

Номер патента: US20230200255A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09960346B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Contact layer for magnetic tunnel junction element and manufacturing method thereof

Номер патента: US09698342B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Hybrid synthetic antiferromagnetic layer for perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ)

Номер патента: US09614147B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Dual interface free layer with amorphous cap layer for perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09601687B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09530959B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for reducing damage on mram magnetic tunnel junction

Номер патента: TW202310041A. Автор: 彭泰彥,胡冬冬,楊宇新,李佳鶴,開東 許. Владелец: 大陸商江蘇魯汶儀器有限公司. Дата публикации: 2023-03-01.

Hybrid synthetic antiferromagnetic layer for perpendicular magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: EP3084764A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Low ra narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: EP4309174A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-24.

Magnetic tunnel junction having all-around structure

Номер патента: AU2020405412B2. Автор: Pouya Hashemi,Daniel Worledge,Kotb Jabeur,Jonathan Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Magnetic tunnel junction elements and magnetic resistance memory devices including the same

Номер патента: US20200212104A1. Автор: Yoshiaki Sonobe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Magnetic Tunnel Junction Integration Without Patterning Process

Номер патента: US20200119262A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2016178721A1. Автор: Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-11-10.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20160308122A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-10-20.

Dual function magnetic tunnel junction pillar encapsulation

Номер патента: US20200028069A1. Автор: Donald F. Canaperi,Son V. Nguyen,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US11832527B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device including magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US11812667B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods for forming a spacer stack for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11785858B2. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Asymmetric engineered storage layer of magnetic tunnel junction element for magnetic memory device

Номер патента: US11538986B2. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Magnetic tunnel junction memory cell with a buffer-layer and methods for forming the same

Номер патента: US11844285B2. Автор: Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3231019A1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-18.

Magnetic tunnel junction element and semiconductor device

Номер патента: US20210257541A1. Автор: Tetsuhiro Suzuki,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Modified double magnetic tunnel junction structure suitable for beol integration

Номер патента: WO2021084366A1. Автор: Jonathan Zanhong Sun. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-06.

Magnetic tunnel junction structures and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20210193914A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetic Tunnel Junction Having All-Around Structure

Номер патента: US20210193910A1. Автор: Pouya Hashemi,Daniel Worledge,Jonathan Z. Sun,Kotb Jabeur. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Magnetic tunnel junction storage element

Номер патента: GB2577021A. Автор: Hu Guohan,Park Jeong-Heon,Worledge Daniel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Magnetic tunnel junction storage element

Номер патента: WO2018224929A1. Автор: Jeong-Heon Park,Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic tunnel junction between metal layers of a semiconductor device

Номер патента: US20150200353A1. Автор: Xunyuan Zhang,Xiuyu Cai,Hyun-Jin Cho,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3292571A1. Автор: Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-14.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3284116A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2016167870A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-10-20.

Low ra narrow base modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: WO2022194510A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Magnetic tunnel junction (mtj) device array

Номер патента: US20170104153A1. Автор: Yu Lu,Mustafa Badaroglu,Chando Park,Vladimir Machkaoutsan,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Spacer Stack For Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20230413680A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Asymmetric engineered storage layer of magnetic tunnel junction element for magnetic memory device

Номер патента: US20210328135A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Shu-Jen Han,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Hard mask for patterning magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2016195946A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Ha CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-12-08.

Magnetic tunnel junction storage element with magnetic exchange coupled free layer

Номер патента: GB2578039A. Автор: Hu Guohan,Worledge Daniel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-15.

Replacement conductive hard mask for multi-step magnetic tunnel junction (mtj) etch

Номер патента: EP3127174A1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

Magnetic tunnel junction with reduced damage

Номер патента: US20180166623A1. Автор: Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for manufacturing a grain boundary type josephson junction device

Номер патента: CA2143522C. Автор: Tatsuoki Nagaishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-12-29.

Magnetic tunnel junction device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101115039B1. Автор: 민병철,신경호,최경민. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2012-03-07.

Magnetic tunnel junction device and Fabricating method thereof

Номер патента: KR100513722B1. Автор: 김태완,조병기,심희재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-08.

Magnetic tunnel junction device and method for fabricating the same

Номер патента: CN1501523A. Автор: ,金泰完,赵炳起,沈希宰. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-02.

Magnetic tunnel junction device with improved insulating tunnel barrier

Номер патента: US6359289B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Magnetic tunnel junction device with a magnetization free layer of sandwich structure

Номер патента: JPWO2009054062A1. Автор: 孝二 恒川,ヨンスック チョイ. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Magnetic tunnel junction device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5300701B2. Автор: 慶 敏 崔,丙 ▲吉▼ 閔,慶 浩 申. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2013-09-25.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: US11778921B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Jonathan Zanhong Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic random access memory (mram) array with magnetic tunnel junction (mtj) cells and remote diodes

Номер патента: MY118271A. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20240381786A1. Автор: Qiang Fu,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Double magnetic tunnel junction device

Номер патента: GB2617742A. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,Zanhong Sun Jonathan,b doris Bruce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Magnetic tunnel junction and method for fabricating a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150280112A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Magnetic tunnel junction device with magnetoelectric assist

Номер патента: WO2023143046A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-08-03.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic Tunnel Junctions And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160118439A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-04-28.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Magnetic tunnel junction device utilizing lattice strain

Номер патента: US10170695B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-01.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20170117458A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09691817B2. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic tunnel junction structure and magnetic memory device including the same

Номер патента: US20230301199A1. Автор: Young Keun Kim,Taehyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Separate write and read access architecture for magnetic tunnel junction

Номер патента: WO2005096313A2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL, INC.. Дата публикации: 2005-10-13.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09680089B1. Автор: Wei Chen,Suresh Ramarajan,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Magnetic tunnel junction structure and integration schemes

Номер патента: US20210384416A1. Автор: Young Seon You,Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Funan Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20210391530A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Magnetic tunnel junction structures and related methods

Номер патента: US20220263013A1. Автор: Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Magnetic tunnel junction element and magnetoresistive memory device

Номер патента: US12004355B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hideto Yanagihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Logic chip including embedded magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09997563B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Joseph M. Steigerwald,Kevin J. Lee,John H. Epple. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Logic chip including embedded magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09660181B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Joseph M. Steigerwald,Kevin J. Lee,John H. Epple. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09373779B1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Separate write and read access architecture for a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20050152180A1. Автор: Romney Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Magnetic tunnel junction structure with non-magnetic amorphous insertion layer

Номер патента: US20240081155A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Young-Suk Choi,Qinli Ma. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US11963462B2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160163967A1. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US09779793B2. Автор: Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Tunnel junctions for long-wavelength vcsels

Номер патента: WO2005117135A1. Автор: Rajaram Bhat,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2005-12-08.

Tunnel junctions for long-wavelength vcsels

Номер патента: EP1766689A1. Автор: Rajaram Bhat,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Tunnel junctions for long-wavelength vcsels

Номер патента: CA2567028A1. Автор: Rajaram Bhat,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-08.

Tunnel junctions for long-wavelength vcsels

Номер патента: EP1766689A4. Автор: Rajaram Bhat,Nobuhiko Nishiyama. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: EP4403007A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Magnetic tunnel junction based logic circuits

Номер патента: US09865650B2. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

Magnetic tunnel junction device and writing/reading method for said device

Номер патента: CA2540608A1. Автор: Bernard Dieny,Ricardo Sousa,Dana Stanescu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Sub-lithographic patterning of magnetic tunneling junction devices

Номер патента: US09490424B2. Автор: Yu Lu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20060128037A1. Автор: Reinder Coehoorn,Dark Adelerhof,Joannes Baptist Van Zon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Magnetic tunnel junction device and stochastic computing system including the same

Номер патента: US20230111057A1. Автор: Jeong-Heon Park,Kwang Seok Kim,Sung Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of manufacturing a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP1116043A1. Автор: Reinder Coehoorn,Joannes B. A. D. Van Zon,Derk J. Adelerhof. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-07-18.

Magnetic tunnel junction devices and magnetoresistive memory devices

Номер патента: US20190164587A1. Автор: Takeshi Kato,Yoshiaki Sonobe,Ken Machida. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Iii-nitride p-n junction device using porous layer

Номер патента: WO2021150688A1. Автор: Shuji Nakamura,Christian J. ZOLLNER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-07-29.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: WO2011066324A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-03.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: EP2504836A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-10-03.

Corrosion and/or oxidation damage protection for tunnel junctions

Номер патента: US09685201B2. Автор: Icko E. T. Iben,Lee C. Randall. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230225220A1. Автор: Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnetic tunnel junction device with magnetoelectric assist

Номер патента: US20230240148A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US10840435B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-17.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US20200144482A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Ultra-violet treatment for a tunnel barrier layer in a tunnel junction device

Номер патента: US20040082081A1. Автор: Manish Sharma. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-04-29.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for MRAM characterization

Номер патента: US09541605B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Long wavelength vcsel with tunnel junction and implant

Номер патента: WO2004049528A3. Автор: Tzu-Yu Wang,Ralph H Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: US11944013B2. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: US20230091345A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Long wavelength vcsel with tunnel junction and implant

Номер патента: WO2004049528A2. Автор: Ralph H. Johnson,Tzu-Yu Wang. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-10.

Tunnel junction memory cell

Номер патента: EP1306850A2. Автор: Manish Sharma,Lung T. Tran,Thomas C. Anthony. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-05-02.

Magnetic tunnel junction device with minimum stray field

Номер патента: WO2023041530A1. Автор: Huai HUANG,Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Tianji ZHOU. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-23.

Superparamagnetic tunnel junction element and computing system

Номер патента: US20240212907A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Keisuke Hayakawa,Shun Kanai,Keito KOBAYASHI. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-06-27.

Tunnel junction attenuator/dissipating element

Номер патента: EP4393061A1. Автор: Alberto Ronzani,Mika Prunnila,Janne Lehtinen,Nikolai Yurttagul. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2024-07-03.

Superparamagnetic tunnel junction element and computing system

Номер патента: EP4386863A1. Автор: Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Keisuke Hayakawa,Shun Kanai,Keito KOBAYASHI. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-06-19.

Tunnel junction attenuator/dissipating element

Номер патента: WO2023025985A1. Автор: Alberto Ronzani,Mika Prunnila,Janne Lehtinen,Nikolai Yurttagul. Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT OY. Дата публикации: 2023-03-02.

Electric shielding magnetic tunnel junction signal isolator

Номер патента: EP4451459A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Ferromagnetic tunnel junction element and method of driving ferromagnetic tunnel junction element

Номер патента: US09680088B2. Автор: Takuya Ono. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Ferroelectric tunnel junction devices with internal biases for long retention

Номер патента: US20230054171A1. Автор: Milan PESIC,Bastien Beltrando. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: US8363459B2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Magnetic tunnel junction transistor devices

Номер патента: GB2505599A. Автор: Vladislav Korenivski,Daniel C Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-05.

Method for constructing magnetic tunneling junction devices and use of device for spin-dependent transport characterization

Номер патента: US20230247910A1. Автор: Quan Qing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for constructing magnetic tunneling junction devices and use of device for spin-dependent transport characterization

Номер патента: WO2022010935A9. Автор: Quan Qing. Владелец: Quan Qing. Дата публикации: 2022-03-03.

Corrosion and/or oxidation damage protection for tunnel junctions

Номер патента: US20170011777A1. Автор: Icko E.T. Iben,Lee C. Randall. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Method for constructing magnetic tunneling junction devices and use of device for spin-dependent transport characterization

Номер патента: WO2022010935A3. Автор: Quan Qing. Владелец: Quan Qing. Дата публикации: 2022-04-07.

Dual magnetic tunnel junction stack

Номер патента: US11832525B2. Автор: Mohit Gupta,Trong Huynh Bao. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-11-28.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20120205762A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa,Akio Matsushita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Magnetic tunnel junction based memory device

Номер патента: SG10201807227PA. Автор: Romney R Katti. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Magnetic tunnel junction based reconfigurable processing system and components

Номер патента: US9754997B2. Автор: Mark B. Johnson. Владелец: Mark B. Johnson. Дата публикации: 2017-09-05.

Tunnel junction utilizing GaPSb, AlGaPSb

Номер патента: US20050094692A1. Автор: Jin Kim. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Magnetic devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150061059A1. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Whankyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Tunnel junction attenuator/dissipating element

Номер патента: AU2022332648A1. Автор: Alberto Ronzani,Mika Prunnila,Janne Lehtinen,Nikolai Yurttagul. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2024-03-07.

Magnetoresistive double spin filter tunnel junction

Номер патента: US20020064004A1. Автор: Daniel Worledge. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2002-05-30.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US11856866B2. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20240016064A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: US20210013395A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for MRAM characterization

Номер патента: US9684035B1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Magnetic tunnel junction (mtj) device

Номер патента: EP3764362A1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

Magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20200243754A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Visualization system including tunnel junction based rgb die with isolated active regions

Номер патента: WO2024129662A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Tunnel junction based rgb die with isolated active regions

Номер патента: WO2024129659A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Cmos compatible light emitting tunnel junction (letj)

Номер патента: WO2020231926A1. Автор: Volker J. Sorger,Hasan GOKTAS. Владелец: The George Washington University. Дата публикации: 2020-11-19.

Magnetic tunnel junction loaded ring oscillators for mram characterization

Номер патента: US20170168114A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Self-pinned double tunnel junction head

Номер патента: US20050174702A1. Автор: Hardayal Gill. Владелец: HGST Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Detection of magnetic domains by tunnel junctions

Номер патента: US3840865A. Автор: W Thompson,F Holtzberg,Molnar S Von,A Mayadas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-10-08.

Cross array ferroelectric tunnel junction devices for artificial intelligence and machine learning accelerators

Номер патента: EP4092749A1. Автор: Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-23.

Activation of p-type layers of tunnel junctions

Номер патента: US20230307579A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Hongjian Li,Michael Iza,Panpan LI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-09-28.

Tunnel junction attenuator/dissipating element

Номер патента: CA3229164A1. Автор: Alberto Ronzani,Mika Prunnila,Janne Lehtinen,Nikolai Yurttagul. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2023-03-02.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US11751375B2. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20160180907A1. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2016-06-23.

Short circuit reduction in magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20200403151A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Magnetic tunnel junction element with a robust reference layer

Номер патента: US11763972B2. Автор: Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Magnetic tunnel junction resistance comparison based physical unclonable function

Номер патента: WO2016085629A1. Автор: Xu Guo,Xiaochun Zhu,Brian Marc Rosenberg. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-02.

Logic Unit Including Magnetic Tunnel Junction Elements Having Two Different Anti-Ferromagnetic Layers

Номер патента: US20150325624A1. Автор: Yakov Roizin,Avi Strum. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US9711200B2. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Magnetic tunnel junction (mtj) element and its fabrication process

Номер патента: US20240365676A1. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Interface engineering during MGO deposition for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09988715B2. Автор: Katie Lynn Nardi,Nerissa Sue Draeger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Ferroelectric tunnel junction structure with l-shaped spacers

Номер патента: US20240381658A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Magnetic tunnel junction resistance comparison based physical unclonable function

Номер патента: US09489999B2. Автор: Xu Guo,Xiaochun Zhu,Brian Marc Rosenberg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Magnetic tunnel junction transistor

Номер патента: US20100264475A1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Spinel containing magnetic tunnel junction and method of making the same

Номер патента: WO2022026057A1. Автор: Derek Stewart,Bhagwati PRASAD,Bruce Terris. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Technologies for physically unclonable functions with magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2018063570A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: US10622011B2. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-14.

Stochastic memristive devices based on arrays of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11875833B2. Автор: Pedram Khalili Amiri,Giovanni FINOCCHIO. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-01-16.

Programmable magnetic tunnel junction

Номер патента: US20230076182A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Amorphous spin diffusion layer for modified double magnetic tunnel junction structure

Номер патента: WO2022194515A1. Автор: Guohan Hu,Daniel Worledge. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-09-22.

Tunnel junctions in microfluidic arrays for molecular recognition

Номер патента: US20200158687A1. Автор: Juraj Topolancik,Yann Astier. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Tunnel junctions in microfluidic arrays for molecular recognition

Номер патента: US20220018809A1. Автор: Juraj Topolancik,Yann Astier. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Tunnel junctions in microfluidic arrays for molecular recognition

Номер патента: US20230349857A1. Автор: Juraj Topolancik,Yann Astier. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Tunnel junctions in microfluidic arrays for molecular recognition

Номер патента: US11726059B2. Автор: Juraj Topolancik,Yann Astier. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: US20190172485A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Stochastic Memristive Devices Based on Arrays of Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20240105245A1. Автор: Pedram Khalili Amiri,Giovanni FINOCCHIO. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-28.

Weyl semimetal material for magnetic tunnel junction

Номер патента: US20220328757A1. Автор: Jian-Ping Wang,Tony Low,Duarte José Pereira de Sousa,Cesar Octavio Ascencio. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-10-13.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US12022743B2. Автор: Tsann Lin,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Tunnel junction sensor with magnetic cladding

Номер патента: WO2007016010A2. Автор: Young Sir Chung,Robert W. Baird. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-02-08.

Magnetic tunnel junction with TMR enhancement

Номер патента: US20190035447A1. Автор: Weisheng Zhao,Jiaqi Zhou. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US11716909B2. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Tungsten via for a magnetic tunnel junction interconnect

Номер патента: US12075709B2. Автор: Ming-Hsing Tsai,Ya-Ling Lee,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic tunnel junction (MTJ) element and its fabrication process

Номер патента: US12069961B2. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Comparator including a magnetic tunnel junction (MTJ) device and a transistor

Номер патента: US09813049B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan,Manu RASTOGI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Precessional magnetization reversal in a magnetic tunnel junction with a perpendicular polarizer

Номер патента: US09721631B2. Автор: Andrew Kent,Huanlong Liu. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for computing with complementary networks of magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09711200B2. Автор: Alan V. Sahakian,Joseph Shimon Friedman. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09553259B2. Автор: Manzar Siddik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Differential magnetic tunnel junction pair including a sense layer with a high coercivity portion

Номер патента: US09524765B2. Автор: Yu Lu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Exclusive-OR gate using magneto-electric tunnel junctions

Номер патента: US09503085B1. Автор: Andrew Marshall,Jonathan Paul Bird. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-11-22.

Tunnel junction fabrication

Номер патента: US09425377B2. Автор: Brian Keating,Stephanie Moyerman. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-08-23.

Perpendicular magnetic tunnel junction structure

Номер патента: US09385308B2. Автор: Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Short circuit reduction in magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11094878B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-17.

Magnetic tunnel junction element with a robust reference layer

Номер патента: US20210134504A1. Автор: Shu-Jen Han,Qinli Ma,Youngsuk Choi. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Reduced shorts in magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190341090A1. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Anthony Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Magnetic tunneling junction with synthetic free layer for sot-mram

Номер патента: US20230389448A1. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Ferroelectric tunnel junction with multilevel switching

Номер патента: WO2023004379A1. Автор: Raisul Islam,Mario LAUDATO,Ruben WALDMAN. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2023-01-26.

Static random access memory with magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US20230380128A1. Автор: Jui-Lin Chen,Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Magnetic tunneling junction with synthetic free layer for SOT-MRAM

Номер патента: US11844287B2. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Tunnel Junction Fabrication

Номер патента: US20140315723A1. Автор: Brian Keating,Stephanie Moyerman. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-10-23.

Generating random bitstreams with magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20190347074A1. Автор: Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

A comparator including a magnetic tunnel junction (mtj) device and a transistor

Номер патента: EP3335316A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan,Manu RASTOGI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-20.

Comparator including a magnetic tunnel junction (mtj) device and a transistor

Номер патента: US20170047912A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan,Manu RASTOGI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Tungsten via for a magnetic tunnel junction interconnect

Номер патента: US20230016126A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Ya-Ling Lee,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunnel junction (mtj) integration on backside of silicon

Номер патента: US20200006627A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Tanay GOSAVI,Ian Young,Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetic tunnel junction (mtj) integration on backside of silicon

Номер патента: EP3588502A3. Автор: Sasikanth Manipatruni,Tanay GOSAVI,Ian Young,Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Generating random bitstreams with magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2019216994A1. Автор: Won Ho Choi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

Method and apparatus for reading a magnetic tunnel junction using a sequence of short pulses

Номер патента: US8947922B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and apparatus for reading a magnetic tunnel junction using a sequence of short pulses

Номер патента: US20140219013A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Protective passivation layer for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US11758820B2. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Magnetic tunnel junction having coherent tunneling structure

Номер патента: US20120217598A1. Автор: Yonghua Chen,Konstantin Nikolaev,Taras Pokhil,Xilin Peng,Victor Sapazhnikov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-08-30.

Ferroelectric tunnel junction (ftj) structures

Номер патента: US20240057343A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Kuo-Ching Huang,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Protective Passivation Layer for Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20210293912A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Protective Passivation Layer for Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20200035912A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Protective passivation layer for magnetic tunnel junctions

Номер патента: US20230371395A1. Автор: Ru-Ying Tong,Guenole Jan,Jodi Mari IWATA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Magnetic tunnel junction (mtj) element and its fabrication process

Номер патента: US20230337547A1. Автор: Tsann Lin,Han-Jong Chia,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Multi-bit magnetic tunnel junction memory and method of forming same

Номер патента: EP2807648A1. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Raghu Sagar Madala,Kendrick H. Yuen,Sean Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-12-03.

Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160329489A1. Автор: Manzar Siddik. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-11-10.

Magnetic tunnel junctions suitable for high temperature thermal processing

Номер патента: EP3656003A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-27.

Read circuit for magnetic tunnel junction (MTJ) memory

Номер патента: US11862218B2. Автор: Gaurav Gupta,Zhiqiang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Magneto-electric low power analogue magnetic tunnel junction memory

Номер патента: WO2023072589A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-04.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US20230301198A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Tunnel junction based rgb die and driving scheme

Номер патента: WO2024129661A1. Автор: Toni LOPÉZ. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Multi-level memory cell using multiple magentic tunnel junctions with varying mgo thickness

Номер патента: EP2885787A1. Автор: Seung H. Kang,Jung Pill Kim,Kangho Lee,Taehyun Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-24.

Super Junction Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20230006036A1. Автор: Shengan Xiao,Dajie Zeng. Владелец: Shenzhen Sanrise Tech Co ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Super junction device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274658A1. Автор: HAO LI. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

High holding voltage bipolar junction device

Номер патента: US12068401B2. Автор: Prantik Mahajan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Super junction device and method for making the same

Номер патента: US12136648B2. Автор: Shengan Xiao,Dajie Zeng. Владелец: Shenzhen Sanrise Tech Co ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Junction Device For Flat Flexible Cables

Номер патента: US20240145961A1. Автор: William J. Remaley,Raghunandan Shrikanth Shanbhag,Paul D. Roman, Jr.. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for making super junction device

Номер патента: US11646344B2. Автор: HAO LI. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Control System, Communication Control Method for Control System, and Junction Device

Номер патента: US20210157293A1. Автор: Shigenori Sawada. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Vertical p-n junction device and method of forming same

Номер патента: US20080258173A1. Автор: Steven H. Voldman,Benjamin T. Voegeli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-23.

Memory cell having a magnetic Josephson junction device with a doped magnetic layer

Номер патента: US9972380B2. Автор: Thomas F. Ambrose. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Landscape lighting junction device

Номер патента: US10364952B1. Автор: Jesse Daniel Harper. Владелец: Volt LLC. Дата публикации: 2019-07-30.

Super-junction device

Номер патента: US20230282696A1. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang,Lvqiang Li. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Rectifying junction device employing a glassy amorphous material as an active layer

Номер патента: US3864716A. Автор: Seymour Merrin. Владелец: Innotech Corp USA. Дата публикации: 1975-02-04.

High holding voltage bipolar junction device

Номер патента: US20230317835A1. Автор: Prantik Mahajan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Junction device employing a glassy amorphous material as an active layer

Номер патента: GB1386099A. Автор: . Владелец: Innotech Corp. Дата публикации: 1975-03-05.

Flush/recessable junction device

Номер патента: CA2306473C. Автор: David Haut. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-25.

Junction device and undersea cable system

Номер патента: EP3989461A1. Автор: YOSHINARI Takigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-04-27.

Junction device, and undersea cable system

Номер патента: US11994728B2. Автор: YOSHINARI Takigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Microwave non-reciprocal junction device

Номер патента: US3968457A. Автор: Bernard Desormiere. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1976-07-06.

Electrical connection or junction device

Номер патента: US6743061B2. Автор: Raimund Jaegerskuepper. Владелец: Phoenix Contact GmbH and Co KG. Дата публикации: 2004-06-01.

Trench mos resurf super-junction devices

Номер патента: US20030214009A1. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-11-20.

Systems and methods for forming diamond heterojunction junction devices

Номер патента: US20180053827A1. Автор: Anirudha V. Sumant,Kiran Kumar KOVI. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-02-22.

Graphene semiconductor junction device

Номер патента: US20210167172A1. Автор: So Young Kim,Byoung Hun Lee,Ki Yung KIM. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for making super junction device

Номер патента: US20210376060A1. Автор: HAO LI. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Manufacturing method of semiconductor super-junction device

Номер патента: US20230246066A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Rui Wang,Yuanlin Yuan. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Manufacturing method of semiconductor super-junction device

Номер патента: US11973107B2. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Rui Wang,Yuanlin Yuan. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Cable Junction Devices

Номер патента: US20180338190A1. Автор: Brian K. Hanson,Cameron James ADAMS,Andre Martineau. Владелец: PPC Broadband Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

A method for manufacturing a semiconductor super-junction device

Номер патента: US20230052416A1. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Yuanlin Yuan,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for manufacturing a semiconductor super-junction device

Номер патента: US11626480B2. Автор: WEI Liu,Zhenyi Xu,Yuanlin Yuan,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Method for manufacturing a semiconductor super-junction device

Номер патента: US11658209B2. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Rui Wang,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for stabilizing characteristics of ferromagnetic tunnel junction device

Номер патента: JP3436711B2. Автор: 悟 荒木,幸司 島沢. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-08-18.

Barriers, injectors, tunnel-junctions, and cascaded LED junctions

Номер патента: US09691941B2. Автор: Mark S. Miller. Владелец: Terahertz Device Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Barriers, injectors, tunnel-junctions, and cascaded led junctions

Номер патента: US20160308093A1. Автор: Mark S. Miller. Владелец: Terahertz Device Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Method and apparatus for evaluating superconducting tunnel junction detector noise versus bias voltage

Номер патента: US10816587B2. Автор: William K. Warburton,Jackson T. Harris. Владелец: XIA LLC. Дата публикации: 2020-10-27.

Spin transfer torque - magnetic tunnel junction device and method of operation

Номер патента: EP2436010A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for writing to a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09734884B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Otp scheme with multiple magnetic tunnel junction devices in a cell

Номер патента: WO2014043575A1. Автор: Jung Pill Kim,Kangho Lee,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-20.

Implementing stochastic networks using magnetic tunnel junctions

Номер патента: US09466030B2. Автор: Dharmendra S. Modha,Bryan L. Jackson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Redundant magnetic tunnel junctions in magnetoresistive memory

Номер патента: US09548095B2. Автор: Jon Slaughter,Dimitri Houssameddine. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Fabrication of tunneling junctions with nanopores for molecular recognition

Номер патента: US12024744B2. Автор: Juraj Topolancik,Zsolt Majzik,Flint MITCHELL. Владелец: Roche Sequencing Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile variable resistance memory circuit which includes magnetic tunnel junction element

Номер патента: US09928891B2. Автор: Tetsuo Endoh,Takashi Ohsawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction

Номер патента: US09336847B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Magnetic tunnel junction ternary content addressable memory

Номер патента: US09543013B1. Автор: Swaroop Ghosh,Rekha Govindaraj. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2017-01-10.

Magnetic tunnel junction with compensation element

Номер патента: US8023316B2. Автор: WEI Tian,DeXin Wang,Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Xiaohua Lou. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-09-20.

Stochastic Memristive Devices Based on Arrays of Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20210005236A1. Автор: Pedram Khalili Amiri,Giovanni FINOCCHIO. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-01-07.

Method and apparatus for generating a reference for use with a magnetic tunnel junction

Номер патента: EP3134899A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-01.

Method and apparatus for sensing the state of a magnetic tunnel junction (mtj)

Номер патента: US20140169079A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Magnetic tunnel junction temperature sensors

Номер патента: WO2007041007A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-04-12.

Sense path circuitry suitable for magnetic tunnel junction memories

Номер патента: US09773537B2. Автор: Michael A. Sadd,Bruce L. Morton. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Magnetic memory having two transistors and two magnetic tunnel junctions per memory cell

Номер патента: US09472256B1. Автор: THOMAS Andre. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Bias structure for magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor

Номер патента: US6724586B2. Автор: Hardayal Singh Gill. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2004-04-20.

Dual magnetic tunnel junction sensor with a longitudinal bias stack

Номер патента: US6822838B2. Автор: Tsann Lin,Daniele Mauri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-23.

Solid state gas sensors based on tunnel junction geometry

Номер патента: CA2526087C. Автор: Rex Ramsier,Desmond Lundy. Владелец: UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2011-09-20.

Magnetic field sensor comprising a spin-tunnel junction

Номер патента: WO1999022368A2. Автор: Reinder Coehoorn,Jacobus Josephus Maria Ruigrok,Pieter Jan Van Der Zaag. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-05-06.

Tunnel junction type magneto-resistive head

Номер патента: US20100103564A1. Автор: Koichi Nishioka,Hiroaki Chihaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Magnetic-tunnel-junction-based random number generator

Номер патента: US20220398068A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Tunnel junction sensor with antiparallel (AP) coupled flux guide

Номер патента: US20020135949A1. Автор: Hardayal Gill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Junction device for conveyor belt

Номер патента: AU2019294292B2. Автор: Bernard Tavernier. Владелец: FP Business Invest SAS. Дата публикации: 2024-08-01.

Junction device for ducts and pipelines

Номер патента: US20140028017A1. Автор: Anna Stiatti,Matteo Maria Stiatti,Alberto Stiatti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-30.

Optical fiber junction devices

Номер патента: CA1267801A. Автор: Brian S. Kawasaki,Guy Castonguay,Roger Tremblay. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1990-04-17.

Junction device, system and method for fluid drainage

Номер патента: MY166761A. Автор: Chun Hee Goh,Kern Ling Yap,Gilbert Ang. Владелец: Fast Flow Ltd. Дата публикации: 2018-07-20.

Junction device, system and method for fluid drainage

Номер патента: WO2008118099A1. Автор: Chun Hee Goh,Kern Ling Yap,Gilbert Ang. Владелец: Fast Flow Limited. Дата публикации: 2008-10-02.

Junction device, system and method for fluid drainage

Номер патента: EP2129840A1. Автор: Chun Hee Goh,Kern Ling Yap,Gilbert Ang. Владелец: Fast Flow Ltd. Дата публикации: 2009-12-09.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376B1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Magnetic tunnel junction device, memory cell having the same, and method for fabricating the same

Номер патента: TW201010151A. Автор: Sang-Hoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-01.

Inverted wide base double magnetic tunnel junction device

Номер патента: GB202215020D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-23.

Wide-base magnetic tunnel junction device with sidewall polymer spacer

Номер патента: GB202400110D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Magnetic tunnel junction free layer, and magnetic tunnel junction structure having same

Номер патента: WO2022111483A1. Автор: 孟凡涛,简红,宫俊录,孙一慧. Владелец: 浙江驰拓科技有限公司. Дата публикации: 2022-06-02.

Method for stabilizing a tunnel junction component and a stabilized tunnel junction component

Номер патента: CA2394116A1. Автор: Jukka Pekola,Juha Kauppinen,Antti Manninen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Spin-orbit torque magnetic device, magnetic tunnel junction device, and magnetic memory

Номер патента: CN111697127A. Автор: 赵巍胜,曹凯华,王子路,乔俊峰. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-09-22.

Magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US9525126B1. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Yeu-Chung LIN. Дата публикации: 2016-12-20.

Magnetic tunneling junction device and its manufacturing method

Номер патента: US20120038011A1. Автор: Yoshihisa Iba. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: CN102422421A. Автор: 李霞,朱晓春,升·H·康. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Magnetic tunnel junction device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102255436B1. Автор: 홍진표,안광국,이자빈. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-05-24.

Magnetic tunnel junction device for magnetic random access memory

Номер патента: CN110112286B. Автор: 叶力. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2021-10-15.

On-plug magnetic tunnel junction devices based on spin torque transfer switching

Номер патента: TW200805721A. Автор: Lien-Chang Wang,Yiming Huai,Eugene Youjun Chen,zhi-tao Diao. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2008-01-16.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20110133299A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for fabricating magnetic tunnel junction device

Номер патента: KR101870873B1. Автор: 이민석. Владелец: 삼성세미콘덕터, 인코포레이티드. Дата публикации: 2018-07-20.

Magnetic tunneling junction device with recessed magnetic free layer

Номер патента: US8421138B2. Автор: Yoshihisa Iba. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: WO2011072058A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for fabricating magnetic tunnel junction device

Номер патента: US8642358B2. Автор: Min Suk Lee. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Etch-resistant protective coating for a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP3146572B1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Chando Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-05.

Amorphous alloy spacer for perpendicular magnetic tunnel junction devices

Номер патента: EP2878017B1. Автор: Seung H. Kang,Wei-Chuan Chen,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Magnetic tunnel junction device and its fabricating method

Номер патента: US20130099336A1. Автор: MIENO FUMITAKE,Chi Min-Hwa. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Multiferroic Magnetic Tunnel Junction Devices

Номер патента: US20180151798A1. Автор: Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: US8455267B2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-06-04.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: WO2012074537A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-06-07.

Magnetic Tunnel Junction Device and Fabrication

Номер патента: US20100289098A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: TW201123571A. Автор: Xia Li,Seung H Kang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-07-01.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A4. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-03.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815B1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: WO2015038240A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Magnetic Tunnel Junction Device, Magnetic Memory Using the Same and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: KR102323401B1. Автор: 홍종일. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-11-05.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: KR100968248B1. Автор: 정하창,이성래. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-07-06.

Mram architecture with a bit line located underneath the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP1623463A4. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

A layer stack for a magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP3739640B1. Автор: Sebastien COUET,Johan Swerts. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-08-24.

Mram architecture with a bit line located underneath the magnetic tunneling junction device

Номер патента: WO2004100169A3. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Tech Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

MRAM architecture with a bit line located underneath the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US6982445B2. Автор: David Tsang. Владелец: Applied Spintronics Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-03.

Electronic Circuitry Having Superconducting Tunnel Junctions with Functional Electromagnetic-Responsive Tunneling Regions

Номер патента: US20150380631A1. Автор: Taylor Benjamin J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US09608198B2. Автор: Shinji Yuasa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-28.

High flux led with low operating voltage utilizing two p-n junctions connected in parallel and having one tunnel junction

Номер патента: WO2023250146A1. Автор: Robert Armitage. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

MAGNETIC STRUCTURE OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE, MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20190088713A1. Автор: Swerts Johan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: EP2404332B1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-23.

Memory device having memory cells with magnetic tunnel junction and tunnel junction in series

Номер патента: TW567492B. Автор: Manish Sharma,Thomas C Anthony,Lung T Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-12-21.

Graphene magnetic tunnel junction spin filters and methods of making

Номер патента: US09564579B2. Автор: Mi Zhou,Jeffry Kelber. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetic Tunnel Junctions, Methods Used While Forming Magnetic Tunnel Junctions, And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160301001A1. Автор: Sandhu Gurtej S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

MANUFACTURING TECHNIQUES AND CORRESPONDING DEVICES FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20170018704A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Chiang Tien-Wei,Wang Hung Cho,You Wen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

MANUFACTURING TECHNIQUES AND CORRESPONDING DEVICES FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20200028072A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Chiang Tien-Wei,Wang Hung Cho,You Wen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170084825A1. Автор: Tsunoda Koji. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2017-03-23.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180114898A1. Автор: LEE Kyung-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETIC RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200144482A1. Автор: SONOBE Yoshiaki,Nakatani Yoshinobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES AND MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190164587A1. Автор: Kato Takeshi,SONOBE Yoshiaki,MACHIDA KEN. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

METHOD FOR MANUFACTURING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND DEVICE MANUFACTURED USING SUCH METHOD

Номер патента: US20190221608A1. Автор: Cosemans Stefan,Kar Gouri Sankar. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

MANUFACTURING TECHNIQUES AND CORRESPONDING DEVICES FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20170256704A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Chiang Tien-Wei,Wang Hung Cho,You Wen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200259075A1. Автор: LEE Kyung-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Magnetic Tunnel Junction Device And Magnetic Memory Device

Номер патента: KR101963482B1. Автор: 이경진. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-03-28.

Magnetic Tunnel Junction Devices

Номер патента: US20230296701A1. Автор: Tsann Lin,Jui-Fen CHIEN,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic Tunnel Junction Device and Method

Номер патента: US20220050150A1. Автор: Tsann Lin,Jui-Fen CHIEN,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETIC RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200058846A1. Автор: SONOBE Yoshiaki,ITOH Hiroyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Magnetic Tunnel Junctions And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20150069562A1. Автор: Sandhu Gurtej S.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

Magnetic Tunnel Junction and 3-D Magnetic Tunnel Junction Array

Номер патента: US20170069685A1. Автор: LIN Yeu-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Magnetic Tunnel Junctions And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160118439A1. Автор: Sandhu Gurtej S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF DRIVING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT

Номер патента: US20150200356A1. Автор: ONO Takuya. Владелец: Ill Holdings 3, LLC. Дата публикации: 2015-07-16.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND METHOD FOR FABRICATING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION

Номер патента: US20150280112A1. Автор: Lu Yu,Li Xia,Chen Wei-Chuan,Lee Kangho,Kang Seung Hyuk,Park Chando. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND METHOD OF DRIVING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT

Номер патента: US20170271577A1. Автор: ONO Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

BARRIERS, INJECTORS, TUNNEL-JUNCTIONS, AND CASCADED LED JUNCTIONS

Номер патента: US20160308093A1. Автор: Miller Mark S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND METHOD FOR FABRICATING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION

Номер патента: US20150311429A1. Автор: Lu Yu,Li Xia,Chen Wei-Chuan,Lee Kangho,Kang Seung Hyuk,Park Chando. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Magnetic tunnel junction reference layer, magnetic tunnel junctions and magnetic random access memory

Номер патента: US20200357983A1. Автор: Zhao Weisheng,CAO Kaihua,WANG Gefei,Cheng Houyi. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Light emitting tunnel junctions which are stable at room temperature

Номер патента: US4165515A. Автор: Sigurd Wagner,Ravinder K. Jain,John G. Bergman, Jr.. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1979-08-21.

Ferromagnetic tunnel junction element and method of driving ferromagnetic tunnel junction element

Номер патента: US20110163400A1. Автор: Takuya Ono. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Shadow mask area correction for tunnel junctions

Номер патента: US20200019068A1. Автор: Markus BRINK,Sami Rosenblatt,Bryan D. TRIMM. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Shadow mask area correction for tunnel junctions

Номер патента: EP3707758A1. Автор: Markus BRINK,Sami Rosenblatt,Bryan TRIMM. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-16.

Shadow mask area correction for tunnel junctions

Номер патента: WO2019091592A1. Автор: Markus BRINK,Sami Rosenblatt,Bryan TRIMM. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2019-05-16.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20120161262A1. Автор: Shinji Yuasa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-06-28.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20120205762A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa,Akio Matsushita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION

Номер патента: US20130130406A1. Автор: Li Xia,Zhu Xiaochun,Kang Seung H.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-23.

MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC TUNNELING JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20130196451A1. Автор: IBA Yoshihisa. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-08-01.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20130228883A1. Автор: Yuasa Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE FABRICATION

Номер патента: US20130288395A1. Автор: Li Xia,Kang Seung H.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Fabrication of a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20140038312A1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Magnetic Tunnel Junction Device And Method Of Making Same

Номер патента: US20140048896A1. Автор: Shen Kuei-Hung,Wang Yung-Hung,Huang Sheng-Huang. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2014-02-20.

Magnetic Tunnel Junction Devices Including a Free Magnetic Trench Layer and a Planar Reference Magnetic Layer

Номер патента: US20220028929A1. Автор: Araki Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20160020385A1. Автор: Yuasa Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Novel magnetic tunnel junction device and magnetic random access memory

Номер патента: US20190019943A1. Автор: Wang Lei,Min Tai,Zhou Xue. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

Magnetic tunnel junction device and magnetic random access memory

Номер патента: US20190027680A1. Автор: Wang Lei,Zhang Lin,Min Tai,Zhou Xue. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Magnetic Tunnel Junction Device and Method

Номер патента: US20220050150A1. Автор: Chien Jui-Fen,Chiu Wei-Gang,Lin Tsann. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US20180069173A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Shigeki Nakagawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

SUB-LITHOGRAPHIC PATTERNING OF MAGNETIC TUNNELING JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20160079307A1. Автор: Lu Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FORMATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210083178A1. Автор: Hsu Chern-Yow. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-03-18.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20170117458A1. Автор: SONOBE Yoshiaki,ITOH Hiroyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

DOUBLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE, FORMED BY UVH WAFER BONDING

Номер патента: US20210159389A1. Автор: Reznicek Alexander,Mehta Virat Vasav. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION

Номер патента: US20140217532A1. Автор: Li Xia,Kang Seung Hyuk. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-07.

Dual Magnetic Tunnel Junction Devices for Magnetic Random Access Memory (MRAM)

Номер патента: US20200144488A1. Автор: WANG YU-JEN,Jan Guenole,THOMAS LUC,Sundar Vignesh. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220310903A1. Автор: Chen Yen-Ming,Cheng Kai-Wen,CHEN Dian-Hau,Huang Chih-Fan,Huang Chen-Chiu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

PERPENDICULAR MAGNETIC ANISOTROPY INTERFACE TUNNEL JUNCTION DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20190207095A1. Автор: Pinarbasi Mustafa,Vasquez Jorge,Kardasz Bartlomiej. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

PRECESSIONAL SPIN CURRENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20190207097A1. Автор: Pinarbasi Mustafa,Vasquez Jorge,Kardasz Bartlomiej. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE WITH SPIN-FILTER STRUCTURE

Номер патента: US20200227630A1. Автор: Kim Young Keun,LEE Kyung-Jin,GO Gyungchoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

SUB-LITHOGRAPHIC PATTERNING OF MAGNETIC TUNNELING JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20160254446A1. Автор: Lu Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

CROSS ARRAY FERROELECTRIC TUNNEL JUNCTION DEVICES FOR ARTIFICIAL INTELLIGENCE AND MACHINE LEARNING ACCELERATORS

Номер патента: US20210342679A1. Автор: Karpov Elijah V.. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-04.

METHOD OF FABRICATING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20140377884A1. Автор: Fumitake Mieno,Chi Min-Hwa. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150340596A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Liu Shih-Chang,Huang Wei-Hang,Hsu Chern-Yow. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20200341079A1. Автор: Swerts Johan,Garello Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

INSULATION LAYER ARRANGEMENT FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20200411591A1. Автор: HAN Yoonsung,KO Seung Pil. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-31.

WIDE-BASE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE WITH SIDEWALL POLYMER SPACER

Номер патента: US20220406841A1. Автор: Kothandaraman Chandrasekharan,Hashemi Pouya,Marchack Nathan P.. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Method for forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: KR101015144B1. Автор: 김용수,최원준,조흥재,주문식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-02-16.

Magnetic tunnel junction device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101042338B1. Автор: 민병철,신경호,신일재. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2011-06-17.

Magnetic Tunnel Junction Device and Method of operating the same

Номер патента: KR102315910B1. Автор: 홍진표,최윤성,신정훈. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-10-20.

Method of forming a magnetic tunnel junction device

Номер патента: US7781231B2. Автор: Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Magnetic tunnel junction device and its method of fabrication

Номер патента: US7196882B2. Автор: James G. Deak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-27.

Magnetic tunnel junction device

Номер патента: US10367138B2. Автор: Shinji Yuasa. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-07-30.

Magnetic Tunnel Junction Device and Fabrication

Номер патента: US20100315863A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-12-16.

Magnetic layer structure for magnetic tunnel junction device

Номер патента: EP3460811B1. Автор: Johan Swerts. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-17.

Magnetic tunnel junction device with intermediate layer

Номер патента: JP2003500837A. Автор: ウープトス,ウォウテル. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 2003-01-07.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION

Номер патента: US20130235656A1. Автор: Li Xia,Zhu Xiaochun,Kang Seung H.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-12.

PERPENDICULARLY MAGNETIZED MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20140001586A1. Автор: Shen Kuei-Hung,Yang Shan-Yi. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2014-01-02.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20140035075A1. Автор: Li Xia,Zhu Xiaochun,Lee Kangho,Kang Seung Hyuk. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-02-06.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20140048895A1. Автор: Shen Kuei-Hung,Wang Yung-Hung,Huang Sheng-Huang. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2014-02-20.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20200020851A1. Автор: Yuasa Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

METHOD OF FORMING A MAGNETIC TUNNELING JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20220059760A1. Автор: Crotti Davide Francesco,Garello Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20150061051A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Liu Shih-Chang,Huang Wei-Hang,Hsu Chern-Yow. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-03-05.

SCANDIUM NITRIDE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20220077233A1. Автор: INCORVIA Jean Anne,KARKI Suyogya,MARSHALL Daniel S.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20160087194A1. Автор: SONOBE Yoshiaki,ITOH Hiroyoshi,KAYAMA Yasuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Logic circuits including magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US20180122445A1. Автор: Kyung Min Lee,Hyunsung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20220271217A1. Автор: Lu Chih-Wei,Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods of Forming a Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20140227801A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Liu Shih-Chang,Hsu Chern-Yow. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-14.

Magnetic Tunnel Junction Device

Номер патента: US20170155042A1. Автор: Yuasa Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20150188034A1. Автор: TAKAHASHI Shigeki,SONOBE Yoshiaki,Takanashi Koki. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

METHOD OF FORMING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20140273288A1. Автор: Li Xia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-18.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE WITH SPIN-FILTER STRUCTURE

Номер патента: US20180190899A1. Автор: Kim Young Keun,LEE Kyung-Jin,GO Gyungchoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20180190902A1. Автор: Garello Kevin,Rao Siddharth. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Magnetic Tunnel Junction Device and Method

Номер патента: US20210226118A1. Автор: Fu Qiang,CHEN YU-SHU,CHANG An-Shen,PENG Tai-Yen,YANG SIN-YI,WANG CHEN-JUNG,LIN HAN-TING,WEI Hui-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140299952A1. Автор: CHOI Won Joon. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20200203598A1. Автор: Kar Gouri Sankar,Garello Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

METHODS OF MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20190207105A1. Автор: Pinarbasi Mustafa,Manandhar Pradeep,Boone Thomas,Schabes Manfred,Kardasz Bartlomiej. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Perpendicular Magnetic Anisotropy Interface Tunnel Junction Devices

Номер патента: US20190237664A1. Автор: Pinarbasi Mustafa,Vasquez Jorge,Kardasz Bartlomiej. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20200243754A1. Автор: Lu Chih-Wei,Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-30.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20200259077A1. Автор: Yuasa Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

FERROELECTRIC TUNNEL JUNCTION DEVICES WITH METAL-FE INTERFACE LAYER AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210398990A1. Автор: Chia Han-Jong,Manfrini Mauricio. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

Multiferroic Magnetic Tunnel Junction Devices

Номер патента: US20190280192A1. Автор: Pandey Sumeet C.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-12.

Magnetic Tunnel Junction Devices Including an Annular Free Magnetic Layer and a Planar Reference Magnetic Layer

Номер патента: US20190295618A1. Автор: Araki Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Magnetic Tunnel Junction Devices Including an Annular Free Magnetic Layer and a Planar Reference Magnetic Layer

Номер патента: US20190296220A1. Автор: Araki Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Magnetic Tunnel Junction Devices Including a Free Magnetic Trench Layer and a Planar Reference Magnetic Layer

Номер патента: US20190296224A1. Автор: Araki Satoru. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

ETCH-RESISTANT PROTECTIVE COATING FOR A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20150340593A1. Автор: Lu Yu,Chen Wei-Chuan,Park Chando. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-26.

Perpendicular magnetic tunnel junction devices with high thermal stability

Номер патента: US20170373246A1. Автор: Weigang Wang,Hamid ALMASI. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2017-12-28.

LAYER STACK FOR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20200365195A1. Автор: Swerts Johan,Couet Sebastien. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

METHODS OF MANUFACTURE PRECESSIONAL SPIN CURRENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20200411752A1. Автор: Pinarbasi Mustafa,Vasquez Jorge,Kardasz Bartlomiej. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Methods of manufacturing magnetic tunnel junction devices

Номер патента: US10367139B2. Автор: Mustafa Pinarbasi,Thomas Boone,Pradeep MANANDHAR,Manfred SCHABES,Bartlomiej KARDASZ. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-30.

Precessional spin current magnetic tunnel junction devices and methods of manufacture

Номер патента: US10784439B2. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej KARDASZ,Jorge Vasquez. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

Magnetic tunnel junction devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer

Номер патента: US11107974B2. Автор: Satoru Araki. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2021-08-31.

Magnetic tunnel junction device with improved fixed and free ferromagnetic layers

Номер патента: US5966012A. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Magnetic Tunnel Junction Device With Spin-Filter Structure

Номер патента: KR101873695B1. Автор: 김영근,이경진,고경춘. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-07-02.

Magnetic tunnel junction device witf improved fixed and free ferromagnetic layers

Номер патента: KR100271141B1. Автор: 스튜어트 스테펜 팝워드 파킨. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2000-11-01.

Magnetic Tunnel Junction Device With Spin-Filter Structure

Номер патента: KR101825318B1. Автор: 김영근,이경진,고경춘. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-02-05.

Magnetic tunnel junction device with longitudinal biasing

Номер патента: SG60136A1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,Robert Edward Fontana Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1999-02-22.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: KR20130108485A. Автор: 승 에이치. 강,시아오춘 주,시아 리. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-10-02.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: KR101387583B1. Автор: 승 에이치. 강,시아오춘 주,시아 리. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-04-23.

Method of forming a magnetic tunnel junction device.

Номер патента: MX2010009811A. Автор: Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Magnetic tunnel junction device and fabrication

Номер патента: KR101401568B1. Автор: 승 에이치. 강,시아오춘 주,시아 리. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-06-03.

Method and Apparatus for Evaluating Superconducting Tunnel Junction Detector Noise Versus Bias Voltage

Номер патента: US20160245852A1. Автор: Warburton William K.,Harris Jackson T.. Владелец: XIA LLC. Дата публикации: 2016-08-25.

Method and apparatus for evaluating superconducting tunnel junction detector noise versus bias voltage

Номер патента: WO2012058449A1. Автор: William K. Warburton. Владелец: Harris, Jackson, T.. Дата публикации: 2012-05-03.

Spin transfer torque-magnetic tunnel junction device and method of operation

Номер патента: TW201117206A. Автор: Xia Li,Seung H Kang,Kang-Ho Lee,xiao-chun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-05-16.

Spin transfer torque—magnetic tunnel junction device and method of operation

Номер патента: US7969767B2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

OTP SCHEME WITH MULTIPLE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES IN A CELL

Номер патента: US20140071740A1. Автор: Kim Sungryul,Kim Taehyun,Kim Jung Pill,Lee Kangho. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-03-13.

METHOD FOR WRITING TO A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20150109854A1. Автор: Alam Syed M.,Andre Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD FOR WRITING TO A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20160276013A1. Автор: Alam Syed M.,Andre Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Simulating circuit for magnetic tunnel junction device

Номер патента: US7554838B2. Автор: Yung-Hsiang Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-06-30.

Junction device for conveyor belt.

Номер патента: OA20042A. Автор: Bernard Tavernier. Владелец: Fp Business Invest. Дата публикации: 2021-11-01.

METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING SUPERCONDUCTING TUNNEL JUNCTION DETECTOR NOISE VERSUS BIAS VOLTAGE

Номер патента: US20120166117A1. Автор: Warburton William K.,Harris Jackson T.. Владелец: XIA LLC. Дата публикации: 2012-06-28.

Superconduction tunnel junction and preparation method thereof

Номер патента: CN102437281A. Автор: 许伟伟,吴培亨,翟计全,孙国柱,曹春海. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-05-02.

Superconducting tunnel junction element

Номер патента: JP3740107B2. Автор: 進 高田,裕彦 清水,広海 佐藤,広昭 明連. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2006-02-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE INCLUDING A LAMINATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120301975A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Generating a Non-Reversible State at a Bitcell Having a First Magnetic Tunnel Junction and a Second Magnetic Tunnel Junction

Номер патента: US20120033490A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-02-09.

Temperature Sensor Based on Magnetic Tunneling Junction Device

Номер патента: US20120181651A1. Автор: . Владелец: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD OF FORMING A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE

Номер патента: US20130062716A1. Автор: Li Xia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-03-14.

Magnetic tunnel junction device and magnetic random access memory

Номер патента: JP6630035B2. Автор: 義明 園部,康之 嘉山,博介 伊藤. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-15.

Method for manufacturing magnetic tunnel junction device

Номер патента: CN103123954A. Автор: 张海洋,周俊卿. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-29.

Manufacturing method of tunnel junction device

Номер патента: JP2635880B2. Автор: 康夫 田雑,礼三 金子,昌志 向田,信太郎 宮澤,孝典 宮本. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION

Номер патента: US20120086089A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-04-12.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND FABRICATION

Номер патента: US20120107966A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-03.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130015540A1. Автор: CHOI Won Joon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

Ferromagnetic tunnel junction device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4729109B2. Автор: 好昭 斉藤,実 天野. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-20.