Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Back gate tuning circuits

Номер патента: US20190242939A1
Опубликовано: 08-08-2019
Автор(ы): Jan Höntschel, Maximilian JÜTTNER, Michael Otto
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Back gates and related apparatuses, systems, and methods

Номер патента: US20210384201A1. Автор: Andrew Bicksler,Marc Aoulaiche,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Back gates and related apparatuses, systems, and methods

Номер патента: US20210202501A1. Автор: Andrew Bicksler,Marc Aoulaiche,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Back gates and related apparatuses, systems, and methods

Номер патента: US12108601B2. Автор: Andrew Bicksler,Marc Aoulaiche,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Back gates and related apparatuses, systems, and methods

Номер патента: US11127751B2. Автор: Andrew Bicksler,Marc Aoulaiche,Albert Fayrushin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-21.

Back gate bias voltage control of oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09378777B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Back gated sram cell

Номер патента: WO2009042029A3. Автор: Hussein I Hanafi. Владелец: Hussein I Hanafi. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device

Номер патента: US09990997B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Back gate biasing magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to reduce or avoid write operation failures caused by source degeneration

Номер патента: WO2019040891A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-28.

Computer-readable medium encoding a back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7742327B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-22.

Boosting read scheme with back-gate bias

Номер патента: US20210174881A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Ippei Yasuda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-10.

Three-dimensional flash memory using ferroelectric layer on basis of back gate structure

Номер патента: US20230292523A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-09-14.

Back-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080084733A1. Автор: Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang,Jac-Joon Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Boosting read scheme with back-gate bias

Номер патента: US20200411115A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Ippei Yasuda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Boosting read scheme with back-gate bias

Номер патента: US20200411112A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Ippei Yasuda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Tuning alignment data memory device for tuning circuits tunable to selectable frequencies

Номер патента: US4742564A. Автор: Dumont Daniel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-05-03.

Low cost detection of wobble inversions using a tuned circuit

Номер патента: US20040218506A1. Автор: D. Hanks. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Multiple-tuned circuit and probe for NMR spectrometer

Номер патента: US6686741B2. Автор: Kenichi Hasegawa. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2004-02-03.

Adaptive tuning circuit for wireless signal transmission

Номер патента: US20240079661A1. Автор: Aseim M. Elfrgani. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

BACK GATES AND RELATED APPARATUSES, SYSTEMS, AND METHODS

Номер патента: US20210202501A1. Автор: Bicksler Andrew,Fayrushin Albert,Aoulaiche Marc. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Tuned circuit monitor for structural materials

Номер патента: US3906340A. Автор: Peter Mauri Wingfield,Legal Representative Wingfield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-09-16.

charge pump for generating negative voltage without change of threshold due to undesirable back-gate biasing effect

Номер патента: KR100327642B1. Автор: 진보도시까쓰. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for producing a semiconductive device comprising a back gate

Номер патента: US20240213091A1. Автор: Heimanu Niebojewski,Benoit Bertrand,Thomas Bedecarrats. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-27.

Efficient quantum gate tuning through statistical modeling

Номер патента: US20240211786A1. Автор: Dominic Widdows,Chase Parker ZIMMERMAN,Peter Lukas Wilhem Maunz. Владелец: Ionq Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Efficient quantum gate tuning through statistical modeling

Номер патента: WO2024136914A1. Автор: Dominic Widdows,Peter Lukas Wilhelm Maunz,Chase Parker ZIMMERMAN. Владелец: IonQ, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Tuning circuit having amplitude-varying function

Номер патента: US7171178B2. Автор: Hiroya Yamamoto,Masahiro Umewaka,Keiji Morijiri,Akira Hyogo,Keitaro Sekine. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-30.

BACK GATE TUNING CIRCUITS

Номер патента: US20190242939A1. Автор: Otto Michael,HÖNTSCHEL Jan,JÜTTNER Maximilian. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Sense amplifier for static RAM, has double-gate transistor connected to node so that its back-gate is biased with predetermined voltage such that its voltage threshold is reduced when double-gate transistors is provided in conducting state

Номер патента: FR2996345A1. Автор: Franz Hofmann,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2014-04-04.

Display apparatus including first and second back gate signal applying lines and method of driving the same

Номер патента: US12020613B2. Автор: Hae-Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Circuit structure to generate back-gate voltage bias for amplifier circuit, and related method

Номер патента: US20200220499A1. Автор: Thomas G. McKay,Yiching Chen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Back-gated non-volatile memory cell

Номер патента: US09444041B2. Автор: Khee Yong Lim,Elgin Kiok Boone Quek,Kian Ming Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Dual-gate memory device and optimization of electrical interaction between front and back gates to enable scaling

Номер патента: WO2008045593A3. Автор: Andrew J Walker. Владелец: Andrew J Walker. Дата публикации: 2008-07-10.

Dual-gate memory device and optimization of electrical interaction between front and back gates to enable scaling

Номер патента: WO2008045593A2. Автор: Andrew J. Walker. Владелец: Schiltron Corporation. Дата публикации: 2008-04-17.

System for Maintaining Back Gate Threshold Voltage in Three Dimensional NAND Memory

Номер патента: US20150003161A1. Автор: Chen Jian,Lee Seungpil,Mui Man Lung,Dong Yingda,Dusija Gautam Ashok,Avila Chris Nga Yee,Mak Alexander Kwok-Tung. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-01-01.

Back Gate Operation with Elevated Threshold Voltage

Номер патента: US20150085574A1. Автор: Man Mui,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Chris Avila,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

BOOSTING READ SCHEME WITH BACK-GATE BIAS

Номер патента: US20210174881A1. Автор: Higashitani Masaaki,Oowada Ken,SAKAKIBARA Kiyohiko,Yasuda Ippei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-10.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE HAVING A BACK GATE ELECTRODE

Номер патента: US20160163389A1. Автор: Alsmeier Johann,Zhang Yanli,DONG Yinda,MATSUDAIRA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

THREE-DIMENSIONAL FLASH MEMORY WITH BACK GATE

Номер патента: US20210398593A1. Автор: SONG Yun Heub,SONG Chang Eun. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device including fdsoi transistors with compact ground connection via back gate

Номер патента: US20190312038A1. Автор: Elliot John Smith,Ming-Cheng Chang,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

NON-VOLATILE MEMORY (NVM) STRUCTURE WITH FRONT AND BACK GATES

Номер патента: US20200365740A1. Автор: Liang Qingqing,KUMARASAMY Sivakumar,GOKTEPELI Sinan,CLARKE Peter Graeme,IMTHURN George Pete. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

BOOSTING READ SCHEME WITH BACK-GATE BIAS

Номер патента: US20200411112A1. Автор: Higashitani Masaaki,Oowada Ken,SAKAKIBARA Kiyohiko,Yasuda Ippei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

BOOSTING READ SCHEME WITH BACK-GATE BIAS

Номер патента: US20200411115A1. Автор: Higashitani Masaaki,Oowada Ken,SAKAKIBARA Kiyohiko,Yasuda Ippei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Dynamic control of back gate bias in a FinFET SRAM cell

Номер патента: US7681628B2. Автор: Rajiv V. Joshi,Edward J. Nowak,Richard Q. Williams,Keunwoo Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Back gate operation with elevated threshold voltage

Номер патента: US9240238B2. Автор: Man Mui,Deepak Raghu,Gautam Dusija,Chris Avila,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-19.

Three dimensional flash memory using ferroelectric layer based on back gate structure

Номер патента: KR102537270B1. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-05-26.

Three dimensional flash memory with back gate

Номер патента: TWI791229B. Автор: 宋潤洽,宋昌垠. Владелец: 南韓商培迪塞有限責任公司. Дата публикации: 2023-02-01.

Three-dimensional memory structure having a back gate electrode

Номер патента: US9355727B1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Akira MATSUDAIRA,Yinda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-05-31.

Three-dimensional flash memory with back gate

Номер патента: CN114097082A. Автор: 宋润洽,宋昌垠. Владелец: Pedicer Co ltd. Дата публикации: 2022-02-25.

Semiconductor memory device having a reading transistor with a back-gate electrode

Номер патента: US8588000B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-19.

Dynamic control of back gate bias in a FinFET SRAM cell

Номер патента: US20070242497A1. Автор: Richard Williams,Rajiv Joshi,Edward Nowak,Keunwoo Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Back-gate controlled read SRAM cell

Номер патента: US20060227595A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Back-gate decode personalization

Номер патента: US20090219778A1. Автор: Kerry Bernstein,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Integrated circuit using a back gate voltage for burn-in-operations

Номер патента: TW434876B. Автор: Anthony W Leigh,Joe W Mcpherson,Kenan J Dickerson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-05-16.

Semiconductor integrated circuit, electronic machine, and control method for back-gate voltage of transistor

Номер патента: TW200504997A. Автор: Nobuo Karaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Embedded tuned circuit board probe for testing radio frequency signals based on radio frequency-free test seat

Номер патента: CN112305277A. Автор: 唐坤,刘好,唐锡辉,左达恒. Владелец: Shenzhen Heyi Testing Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

RADIO TRANSPONDER PROVIDED WITH AN ANTENNA AND A FREQUENCY TUNING CIRCUIT

Номер патента: FR2757952B1. Автор: Michel Leduc. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 1999-03-19.

Apparatus for automatic adjustment of an inductor in a tuned circuit

Номер патента: US4325040A. Автор: George J. Whitley. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-04-13.

Auto-tuning circuit apparatus and methods

Номер патента: US20210041516A1. Автор: Mark S. Olsson,Jan Soukup,Stephanie M. Bench. Владелец: Seescan Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Pulsed microwave field detector - has transistor with polarisation circuits at each terminal, tuned circuit in base and indicator circuit in collector

Номер патента: FR2344026A1. Автор: Michel De Vecchis,Bertrand Jarre. Владелец: Lignes Telegraphiques et Telephoniques LTT SA. Дата публикации: 1977-10-07.

Method and device for magnetic resonance imaging by implementing inductive tuning circuit for adjusting operating frequency and using top- hat dipole antenna having length freely adjustable depending on region of interest

Номер патента: US11946991B2. Автор: Jongmin Kim,Changhyun OH,Suchit KUMAR,Junsik YOON. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-02.

Electromagnetic method for sensing the relative position of two items using coupled tuned circuits

Номер патента: US20130093436A1. Автор: John Thorn. Владелец: AND Technology Research Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

IMPEDANCE TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20160268992A1. Автор: Salfelner Anton,Velandia Torres Javier Mauricio. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Multiple tuning circuits and probes for nuclear magnetic resonance apparatus

Номер патента: JP4037716B2. Автор: 長谷川憲一. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2008-01-23.

Method and device for magnetic resonance imaging by implementing inductive tuning circuit for adjusting operating frequency and using top-hat dipole antenna having length freely adjustable depending on region of interest

Номер патента: US20230025066A1. Автор: Jongmin Kim,Changhyun OH,Suchit KUMAR,Junsik YOON. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-26.

A kind of electromagnetic method using coupled tuned circuit to respond to relative position between two article

Номер патента: CN102939516B. Автор: J.索恩. Владелец: AND Technology Research Ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

Double tuning circuit for distributed concentrated capacitance observation coil

Номер патента: JP2748016B2. Автор: アルバート・ピー・ゼンツ. Владелец: BARIAN ASOSHEITSU Inc. Дата публикации: 1998-05-06.

An electromagnetic method for sensing the relative position of two items using coupled tuned circuits

Номер патента: EP2558822B1. Автор: John Thorn. Владелец: AND Technology Research Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Multiple-tuned circuit and probe for NMR spectrometer

Номер патента: EP1249709B1. Автор: Kenichi Hasegawa. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Electrical tuning circuit arrangement for a measurement bridge, especially a Wheatstone's bridge, has at least a current source for generating a compensation current

Номер патента: DE102004016425A1. Автор: Olaf Dr. Machul. Владелец: SICK AG. Дата публикации: 2005-10-27.

Ion sensitive field effect transistor (FET) with back-gate coupled reference electrode

Номер патента: US11815486B2. Автор: Sufi Zafar,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

BIOSENSOR HAVING A SENSING GATE DIELECTRIC AND A BACK GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20190107506A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

Back gate ion-sensitive field effect transistor sensing with stacked high-k nanosheets

Номер патента: US20240219343A1. Автор: Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek,Chia Ching YEO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

ION SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH BACK-GATE COUPLED REFERENCE ELECTRODE

Номер патента: US20180113092A1. Автор: Zafar Sufi,Solomon Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

SCALABLE BACK-GATED FUNCTIONALIZED GRAPHENE FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR DETECTION OF DNA AND OTHER TARGET MOLECULES

Номер патента: US20190113474A1. Автор: Johnson,JR. Alan T.,Ping Jinglei,VISHNUBHOTLA Ramya. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

ION SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) WITH BACK-GATE COUPLED REFERENCE ELECTRODE

Номер патента: US20210181143A1. Автор: Zafar Sufi,Solomon Paul M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Ion sensitive field effect transistor (FET) with back-gate coupled reference electrode

Номер патента: US10928356B2. Автор: Sufi Zafar,Paul M. Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-23.

Inertial sensor mode tuning circuit

Номер патента: EP2619594A1. Автор: Janusz Bryzek. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Band-spread tuning circuit for radio receivers

Номер патента: US2492519A. Автор: Blok Henri,Broos Henricus Adrianus. Владелец: Hartford National Bank and Trust Co. Дата публикации: 1949-12-27.

Inertial sensor mode tuning circuit

Номер патента: US20130247668A1. Автор: Janusz Bryzek. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for regulating the phase in an tuned circuit

Номер патента: EP2591553B1. Автор: Tobias Brengartner,Martin Urban. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2015-07-29.

Measurement of magnetic susceptibility of ground during prospecting - uses open wound measurement coil screened by graphite layer and included in tuned circuits

Номер патента: FR2343257A1. Автор: Jean Bonnet,Henri Fabre. Владелец: Compagnie Generale des Matieres Nucleaires SA. Дата публикации: 1977-09-30.

Length measurement of continuously cast billets - measuring roll lowered onto billet by proximity switches in tuned circuits

Номер патента: DE2410835A1. Автор: Horst K Lotz. Владелец: LOTZ KG GASTECHNIK. Дата публикации: 1975-09-11.

Inertial sensor mode tuning circuit

Номер патента: CN103210278A. Автор: J·布雷泽克. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-07-17.

METHOD, APPARATUS AND SYSTEM FOR BACK GATE BIASING FOR FD-SOI DEVICES

Номер патента: US20170324385A1. Автор: Mckay Thomas G.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2017-11-09.

Bootstrap diode emulator with dynamic back-gate biasing

Номер патента: KR100696719B1. Автор: 다나 윌헬름. Владелец: 인터내쇼널 렉티파이어 코포레이션. Дата публикации: 2007-03-20.

Method, apparatus and system for back gate biasing for FD-SOI devices

Номер патента: US9923527B2. Автор: Thomas G. McKay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Bootstrap diode emulator with dynamic back-gate biasing

Номер патента: US7215189B2. Автор: Dana Wilhelm. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-05-08.

Hardware back-gate removal method for IP (Internet protocol) fixed core netlist

Номер патента: CN111414622A. Автор: 陈哲,王坚,李桓,杨鍊. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-07-14.

Bootstrap diode emulator with dynamic back-gate biasing

Номер патента: WO2005050703A3. Автор: Dana Wilhelm. Владелец: Dana Wilhelm. Дата публикации: 2006-01-12.

Antagonistic interpolation back gate detection

Номер патента: CN116348879A. Автор: H·H·路德维格,E·楚巴,陈洛聿,B·J·爱德华,李泰星,I·M·摩洛伊. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

QUANTUM DOT DEVICES WITH BACK GATES

Номер патента: US20200203593A1. Автор: Pillarisetty Ravi,MICHALAK DAVID J.,CLARKE JAMES S.,Le Van H.,Roberts Jeanette M.,Yoscovits Zachary R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-06-25.

Quantum dot devices with back gates

Номер патента: US20220158069A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Van H. Le,Jeanette M. Roberts,Zachary R. Yoscovits. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Dynamic antenna tuning circuit for a radio frequency identification reader

Номер патента: WO2010126556A1. Автор: Robert Stewart. Владелец: Allflex USA, Inc.. Дата публикации: 2010-11-04.

Dynamic antenna tuning circuit for a radio frequency identification reader

Номер патента: US20090206999A1. Автор: Robert Stewart. Владелец: Allflex USA Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Tuning circuit with amplitude attenuation function and integrated circuit for radio communication apparatus

Номер патента: EP1538751A2. Автор: Hiroya Yamamoto,Masahiro Umewaka,Keitarou Sekine,Akira Hyougo,Keiji Morijiri. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2005-06-08.

Tuning circuit with amplitude attenuation function and integrated circuit for radio communication apparatus

Номер патента: EP1538751A3. Автор: Hiroya Yamamoto,Masahiro Umewaka,Keitarou Sekine,Akira Hyougo,Keiji Morijiri. Владелец: Tokyo University of Science. Дата публикации: 2006-10-25.

Automatic antenna tuning circuit

Номер патента: CN106599746A. Автор: 张韩,袁帅,叶乐,张志铜. Владелец: Changxin Core Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Rfid tag containing two tuned circuits

Номер патента: WO2007012109A1. Автор: Philippe Martin,David Malcolm Hall. Владелец: TAGSYS SAS. Дата публикации: 2007-02-01.

Automatic antenna tuning circuit for of RF transceiver

Номер патента: CN106599946A. Автор: 张韩,袁帅,叶乐,张志铜. Владелец: Changxin Core Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Passive dynamic antenna tuning circuit for a radio frequency identification reader

Номер патента: US20070013483A1. Автор: Robert Stewart. Владелец: Allflex USA Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Gm/C tuning circuit and filter using the same

Номер патента: TW200835145A. Автор: Chien-Ming Chen,Shang-Yi Lin,Chih-Chien Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-08-16.

EL display device and electronic apparatus to compensate back-gate effect on light-emitting unit drive transistor

Номер патента: US09640111B2. Автор: Junichi Yamashita,Tetsuro Yamamoto,Tetsuo Minami,Katsuhide Uchino,Naobumi Toyomura,Yusuke Onoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

EL DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS TO COMPENSATE BACK-GATE EFFECT ON LIGHT-EMITTING UNIT DRIVE TRANSISTOR

Номер патента: US20150235592A1. Автор: Uchino Katsuhide,Yamamoto Tetsuro,Yamashita Junichi,Minami Tetsuo,Onoyama Yusuke,Toyomura Naobumi. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Display apparatus including self-tuning circuits for controlling light modulators

Номер патента: US09818347B2. Автор: Paul Penchin PAN,Alan Gerald Lewis,Pramod Varma,Eric URIOSTIGUE,Mark Milenko TODOROVICH. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Display apparatus including self-tuning circuits for controlling light modulators

Номер патента: WO2017172137A1. Автор: Paul Penchin PAN,Alan Gerald Lewis,Pramod Varma,Eric URIOSTIGUE,Mark Milenko TODOROVICH. Владелец: SNAPTRACK, INC.. Дата публикации: 2017-10-05.

Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device

Номер патента: CA2815900C. Автор: Carsten Hoirup,Simon Andrew Hughes,Matthew Russell Greene,Keith Ronald Manssen,Steven Mark Morelen,Victor Galperin,John Spears. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device

Номер патента: US09671765B2. Автор: Keith Manssen,Carsten Hoirup,Simon Andrew Hughes,Matthew Russell Greene,Steven Mark Morelen,Victor Galperin,John Hanford Spears. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device

Номер патента: US20130325149A1. Автор: Keith Manssen,Carsten Hoirup,Matthew Greene,Simon Andrew Hughes,Steven Mark Morelen,Victor Galperin,John Spears. Владелец: Paratek Microwave Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

METHODS AND APPARATUS FOR TUNING CIRCUIT COMPONENTS OF A COMMUNICATION DEVICE

Номер патента: US20150142139A1. Автор: Hughes Simon Andrew,Manssen Keith,Spears John Hanford,Hoirup Carsten,Morelen Steven Mark,Galperin Victor,Greene Matthew Russell. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

DISPLAY APPARATUS INCLUDING SELF-TUNING CIRCUITS FOR CONTROLLING LIGHT MODULATORS

Номер патента: US20170287414A1. Автор: Varma Pramod,Todorovich Mark Milenko,Lewis Alan Gerald,Pan Paul Penchin,Uriostigue Eric. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Variable reluctance tuned circuit alternating current motor and method of operating the same

Номер патента: US2630540A. Автор: Jr Clarence W Hewlett. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1953-03-03.

Method and apparatus for tuning circuit components of a communication device

Номер патента: CN103516852A. Автор: 马修·格林,基思·曼森,卡斯滕·霍伊鲁普,西蒙·安德鲁·休斯,史蒂夫·马克·莫瑞伦,维克特·加尔佩任,约翰·斯皮尔斯. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Subterranean alarm system - has tuned circuits connected across transmission line which are manually switched in to give alarm

Номер патента: FR2417007A1. Автор: . Владелец: Funke and Huster Elektrizitaets GmbH. Дата публикации: 1979-09-07.

Automatic tuning circuit for rc filter

Номер патента: KR100760076B1. Автор: 류기현. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2007-09-18.

Methods and apparatus for tuning circuit components of a communication device

Номер патента: CA2815900A1. Автор: Carsten Hoirup,Simon Andrew Hughes,Matthew Russell Greene,Keith Ronald Manssen,Steven Mark Morelen,Victor Galperin,John Spears. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2013-12-01.

Tuned circuit for electronic article monitoring

Номер патента: NO313065B1. Автор: Richard Altwasser,Peter Lendering. Владелец: Meto International GmbH. Дата публикации: 2002-08-05.

Silicon on insulator (soi) transcap integration providing front and back gate capacitance tuning

Номер патента: US20190035945A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Silicon on insulator (soi) transcap device providing front and back gate capacitance tuning

Номер патента: WO2019022877A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-31.

Field effect transistor having delay element with back gate

Номер патента: US09520391B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Myung-Hee Na,Terence B. Hook. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Level shifter circuit with back gate controlled transistors

Номер патента: EP4283872A3. Автор: Christian SÖNNICHSEN. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2024-01-03.

Device threshold control of front-gate silicon-on-insulator mosfet using a self-aligned back-gate

Номер патента: EP1661158A2. Автор: Wilfried Haensch,Robert Dennard,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-31.

Level shifter circuit with back gate controlled transistors

Номер патента: EP4283872A2. Автор: Christian SÖNNICHSEN. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2023-11-29.

Three-dimensional memory structure having a back gate electrode

Номер патента: US09576971B2. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Akira MATSUDAIRA,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Fet with self-aligned back gate

Номер патента: WO2011161016A1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Bruce Doris,Pranita Kulkarni. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-12-29.

Circuits having a switch with back-gate bias

Номер патента: US20180358962A1. Автор: Abdellatif Bellaouar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Method for manufacturing device substrate with metal back-gate and structure formed thereby

Номер патента: US20040235284A1. Автор: Fenton McFeely,Paul Solomon,Kevin Chan,Lijuan Huang,Hon-Sum Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Method for manufacturing device substrate with metal back-gate and structure formed thereby

Номер патента: US7145212B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Kevin K. Chan,Paul M. Solomon,Fenton R. McFeely,Lijuan Huang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2019148170A3. Автор: Denis Murphy,Samuel Fuller,Max SHULAKER,Tathagata Srimani,Yosi Stein. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor structure with back-gate switching

Номер патента: US09762245B1. Автор: Michael Otto,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Gan hemts with a back gate connected to the source

Номер патента: EP2710636A2. Автор: Karim S. Boutros. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2014-03-26.

Gan hemts with a back gate connected to the source

Номер патента: WO2012158464A2. Автор: Karim S. Boutros. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2012-11-22.

Back gate controlled sram with coexisting logic devices

Номер патента: EP1964175A1. Автор: Robert Miller,Arvind Kumar,Wilfried Ernst-August Haensch,Robert Heath Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-03.

Fully depleted SOI device for reducing parasitic back gate capacitance

Номер патента: US09997606B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Back-gated quantum well heterostructure

Номер патента: US11367786B1. Автор: Andrew S. PAN. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2022-06-21.

Level shifter circuit with back gate controled transistors

Номер патента: US20230421155A1. Автор: Christian Westmark Sønnichsen. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2023-12-28.

Switch with back gate-connected compensation capacitors

Номер патента: US20240267042A1. Автор: Thomas G. McKay,Gail B. Katzman. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Switch with back gate-connected compensation capacitors

Номер патента: EP4407671A1. Автор: Thomas G. McKay,Gail B. Katzman. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Back gate FinFET SRAM

Номер патента: US20060183289A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Back gate finfet sram

Номер патента: US20050275040A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Power transistor free from back gate bias effect and an integrated circuit device using the same

Номер патента: US5250833A. Автор: Toshio Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Monolithic integration of high and low-side gan fets with screening back gating effect

Номер патента: EP4203034A1. Автор: Sridhar Seetharaman,Chang Soo Suh,Qhalid Fareed,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Analog/digital circuit including back gate transistor structure

Номер патента: US09653486B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Monolithic integration of high and low-side gan fets with screening back gating effect

Номер патента: US20230197784A1. Автор: Sridhar Seetharaman,Chang Soo Suh,Qhalid Fareed,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US20210050417A1. Автор: Denis Murphy,Samuel Fuller,Max SHULAKER,Tathagata Srimani,Yosi Stein. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Structure with back-gate having oppositely doped semiconductor regions

Номер патента: US20240170576A1. Автор: Tom Herrmann,Zhixing ZHAO,Jegadheesan Venkatesan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Circuit for compensation against back-gating

Номер патента: US20020182758A1. Автор: James Judkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Multi-layer crystalline back gated thin film transistor

Номер патента: US20230352598A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Kevin Lin,Jack Kavalieros,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN,Justin R. WEBER,Tristan A. TRONIC,Sanaz Gardner,Li Huey Tan,Kent MILLARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Etch-stopped SOI back-gate contact

Номер патента: US20030173621A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Etch-stopped SOI back-gate contact

Номер патента: US20020084488A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Back gate in select transistor for eDRAM

Номер патента: US09472469B2. Автор: Franz Hofmann,Gerhard Enders. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-10-18.

Bipolar transistor with base charge controlled by back gate bias

Номер патента: US5448104A. Автор: Kevin J. Yallup. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1995-09-05.

Field effect transistor devices with dopant free channels and back gates

Номер патента: US8772143B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Back gate triggered silicon controlled rectifiers

Номер патента: US20130134477A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Extremely thin semiconductor-on-insulator with back gate contact

Номер патента: US20140103436A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Stephen W. Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Suppression of back-gate transistors in RF CMOS switches built on an SOI substrate

Номер патента: US09806192B2. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa,Daniel Charles Kerr,Jan Edward VANDEMEER,Philip W. Mason. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Electronic chip comprising transistors with front and back gates

Номер патента: US09660034B1. Автор: Philippe Galy. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-23.

Differential amplifier circuit using lateral-type bipolar transistors with back gates

Номер патента: US5682120A. Автор: TAKAO Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Monolithic integration of high and low-side GaN FETs with screening back gating effect

Номер патента: US11888027B2. Автор: Sridhar Seetharaman,Chang Soo Suh,Qhalid Fareed,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Monolithic integration of high and low-side gan fets with screening back gating effect

Номер патента: US20240120383A1. Автор: Sridhar Seetharaman,Chang Soo Suh,Qhalid Fareed,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Suppression of back-gate transistors in rf cmos switches built on an soi substrate

Номер патента: US20160380101A1. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa,Daniel Charles Kerr,Jan Edward VANDEMEER,Philip W. Mason. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Back-gate effect control via doping

Номер патента: WO2023211777A1. Автор: Simon Edward Willard,Sebastien Kouassi,Sinan Goktepeli. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-11-02.

Three dimensional semiconductor device having a back-gate electrode

Номер патента: US20240049467A1. Автор: Yun Heub Song,Chang Han Kim,In Ku Kang,Jae Min SIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-02-08.

Double-tuned circuit featuring restrained degradation of selectivity

Номер патента: EP1109312A3. Автор: Masaki c/o Alps Electric Co. Ltd. Yamamoto,Akira C/o Alps Electric Co. Ltd. Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-22.

Double-tuned circuit of tuner featuring restrained degradation of selectivity

Номер патента: US20010004229A1. Автор: Akira Yamamoto,Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-21.

Tuning circuit

Номер патента: US20020036553A1. Автор: Kazuo Kawai. Владелец: General Research of Electronics Inc. Дата публикации: 2002-03-28.

Tuning circuit

Номер патента: US20020118082A1. Автор: Kazuo Kawai. Владелец: General Research of Electronics Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Tuning circuit

Номер патента: US20030160668A1. Автор: James Stansbury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Transconductance tuning circuit with independent frequency and amplitude control

Номер патента: EP1160967A3. Автор: Akira Yoshida,Akira Horikawa,Takashi Taya. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-22.

Signal gain tuning circuit and method having adaptive mechanism

Номер патента: US20230087248A1. Автор: Liang-Wei Huang,Hsuan-Ting Ho,Yun-Tse Chen,Tzung-Hua Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Signal gain tuning circuit and method having adaptive mechanism

Номер патента: US12068753B2. Автор: Liang-Wei Huang,Hsuan-Ting Ho,Yun-Tse Chen,Tzung-Hua Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Heterogeneous integration of radio frequency transistor chiplets having interconnection tuning circuits

Номер патента: WO2024191536A1. Автор: Justin Kim,Michael Hodge,Daniel Green,James Buckwalter,Florian Herrault. Владелец: PseudolithIC, Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Testing tuned circuits

Номер патента: US09571166B2. Автор: Bill Metzenthen. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Tuning circuit and receiver

Номер патента: US09491395B2. Автор: Kenji Fujimura. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Resonant wingbeat tuning circuit using strain-rate feedback for ornithoptic micro aerial vehicles

Номер патента: US20050001091A1. Автор: David Raney. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2005-01-06.

Double-tuned circuit

Номер патента: US3582808A. Автор: Donovan C Davis. Владелец: Hoffman Electronics Corp. Дата публикации: 1971-06-01.

Broadcast receiver tuning circuit

Номер патента: GB1493839A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1977-11-30.

Tuning circuit preventing a deterioration of Q value

Номер патента: US7436276B2. Автор: Takeo Suzuki,Shigeru Osada. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Reflective microstrip tuning circuit

Номер патента: AU2020297983A1. Автор: Gary I. MOORE. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-01-06.

Reflective microstrip tuning circuit

Номер патента: EP3987607A1. Автор: Gary I. MOORE. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-04-27.

Reflective microstrip tuning circuit

Номер патента: US20200403290A1. Автор: Gary Ian Moore. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-12-24.

Reflective microstrip tuning circuit

Номер патента: WO2020256909A1. Автор: Gary I. MOORE. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2020-12-24.

Reflective microstrip tuning circuit

Номер патента: AU2020297983B2. Автор: Gary I. MOORE. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-03.

Improvements in or relating to tuned circuit arrangements

Номер патента: GB649749A. Автор: Evan Heaton Jones. Владелец: Minister of Supply In Her Majesty S Government. Дата публикации: 1951-01-31.

Time-frequency multiplexing system for correcting output amplitude of a tuned circuit due to impedance drift

Номер патента: US4906950A. Автор: Nicholas P. Maris,Charles Montague. Владелец: Aeroquip Corp. Дата публикации: 1990-03-06.

TV receiver having a RF signal splitter that supplies more signal energy to a first tuning circuit than to the second substantially according to the picture display ratio of the first and second TV programs

Номер патента: US4967275A. Автор: Willem J. Vogel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-10-30.

Memory cell based array of tuning circuit

Номер патента: US8207802B2. Автор: Hong-Yean Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-06-26.

Tuned circuit and double tuned circuit

Номер патента: US20100097164A1. Автор: Keiichiro Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Tuning circuit with a wide tuning range

Номер патента: US8143962B1. Автор: Ali Atesoglu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Memory cell based array of tuning circuit

Номер патента: US20100001818A1. Автор: Hong-Yean Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Double-tuning circuit of television tuner

Номер патента: US20090167467A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Coupling adjusting structure for double-tuned circuit

Номер патента: US20030034868A1. Автор: Shigeru Osada. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-20.

Tuning circuit for a television receiver

Номер патента: MY117888A. Автор: Tohru Sasabe. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-30.

Tuning Circuit For Pivotal Antenna

Номер патента: US20120068783A1. Автор: Tsung-Wen Chiu,Fu-Ren Hsiao. Владелец: Advanced Connectek Inc. Дата публикации: 2012-03-22.

Tuning circuit for a YIG oscillator

Номер патента: US20020005762A1. Автор: Alexander Roth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Low-temperature radio-frequency tuning circuit

Номер патента: US12080488B2. Автор: Mark BUITELAAR,Pavlos APOSTOLIDIS,Byron VILLIS,Pavlo ZUBKO. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic tuning circuit for AM receiver

Номер патента: US4847572A. Автор: Hajime Yokoyama. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 1989-07-11.

A variable reactance tuning circuit

Номер патента: WO2003012976A1. Автор: George Hedley Storm Rokos. Владелец: C-Mac Quartz Crystals Limited. Дата публикации: 2003-02-13.

Radio antenna tuning circuit

Номер патента: US5263183A. Автор: Jeffrey R. Owen. Владелец: Seiko Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Tuning circuit incorporating a frequency synthesizer circuit

Номер патента: CA1193771A. Автор: Martinus F.A.M. Geurts. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-09-17.

Gm-C Time Constant Tuning Circuit

Номер патента: US20060192613A1. Автор: Kuan-Ta Chen,Joanna Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Antenna tuning circuit

Номер патента: US20230369767A1. Автор: Chenhui NIU,David Edward Reed. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Rf tuning systems including tuning circuits having impedances for setting and adjusting parameters of electrodes in electrostatic chucks

Номер патента: WO2020028347A1. Автор: LIANG Meng,David French,Vincent E. Burkhart,Karl Frederick Leeser. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-06.

Antenna tuning circuit

Номер патента: EP4277135A1. Автор: Chenhui NIU,David Edward Reed. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Configurable tuning circuit, matching network, antenna system, and terminal device

Номер патента: EP4199251A1. Автор: DAN CHEN,Xiaowei Zhang,Qiao SUN,Enliang Xiong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Tuning circuit for continuous-time filters and method therefor

Номер патента: US5187445A. Автор: H. Spence Jackson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Double-tuned circuit

Номер патента: US4749974A. Автор: Masaki Yamamoto,Mineo Koyama. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-06-07.

Tuning circuit wherein variation of transistor base bias causes variation of resonance frequency

Номер патента: US3832656A. Автор: T Ito,Y Miyake. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1974-08-27.

Automatic fine tuning circuit

Номер патента: US4121254A. Автор: Katsuo Isono,Kouji Morita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-10-17.

Receiver with voltage tunable tuned circuits

Номер патента: CA1047660A. Автор: Arnoldus Garskamp. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-01-30.

Auto-tuning circuit for an active filter used in video signal processing

Номер патента: CA2026345C. Автор: Hajime Sumiyoshi. Владелец: Toshiba Audio Video Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-04.

Heterogeneous integration of radio frequency transistor chiplets having interconnection tuning circuits

Номер патента: US11810876B1. Автор: Justin Kim,Michael Hodge,Daniel Green,James Buckwalter,Florian Herrault. Владелец: Pseudolithic Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Double-tuned circuit

Номер патента: US20100001825A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Double-tuned circuit

Номер патента: EP2141807A3. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Tuned-circuit RF-excited laser

Номер патента: US4363126A. Автор: Peter P. Chenausky,Erroll H. Drinkwater,Lanny M. Laughman. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1982-12-07.

Automatic fine tuning circuit

Номер патента: CA1064580A. Автор: Katsuo Isono,Kouji Morita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-10-16.

Receiver having a search tuning circuit

Номер патента: CA1171464A. Автор: Derk J.C. Wassink. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-07-24.

Compensation of oscillators and amplifiers with tuned circuits for variations in frequency response, caused by changes in internal capacitance due to agc or temperature variations

Номер патента: CA1050656A. Автор: Joseph M. Papay. Владелец: Electrohome Ltd. Дата публикации: 1979-03-13.

Capacitive Tuning Circuit Using RF Switches with PCM Capacitors and PCM Contact Capacitors

Номер патента: US20200058582A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Tuning circuit and communication device

Номер патента: US20230335904A1. Автор: Lei Xu,Jun He,Chengjie Zuo. Владелец: Anhui Annuqi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

A tuning device for electrical tuned circuits

Номер патента: GB792203A. Автор: James Douglas Jones,Leslie Ernest Robinson. Владелец: Pye Ltd. Дата публикации: 1958-03-19.

Tuning circuit and radio receiver using the same

Номер патента: US20090124225A1. Автор: Kazuhisa Ishiguro,Yoshiaki Takahashi. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

Wide range programmable resistor for discrete logarithmic control, and tuning circuit for variable gain active filter using same

Номер патента: US20180013406A1. Автор: Alexandru Aurelian Ciubotaru,Robert C. Glenn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-11.

Automatic tuning circuits for voltage controlled filters, by digital phase control

Номер патента: US4257018A. Автор: Arturo Masdea,Giuseppe Quagliarello. Владелец: Selenia Industrie Elettroniche Associate SpA. Дата публикации: 1981-03-17.

Double-tuned circuit device

Номер патента: US3820045A. Автор: S Igarashi. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-06-25.

Coaxial cavity radio frequency tuning circuit having a toroidal-shaped electrode to effect tuning

Номер патента: US4039982A. Автор: James O. Weldon. Владелец: Continental Electronics and Manufacturing Co. Дата публикации: 1977-08-02.

Variable-capacitance tuning circuit for high-frequency signals

Номер патента: US4675634A. Автор: Joji Nakamura,Seiji Matsushita,Akira Fujishima,Isao Arika. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-23.

Improvements in or relating to wide band oscillator tuning circuit arrangements for television receivers

Номер патента: GB853888A. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1960-11-09.

Precision linear tuning circuit

Номер патента: US4375626A. Автор: John J. Hudak. Владелец: National Security Agency. Дата публикации: 1983-03-01.

Tuning circuit for a high frequency heterodyne receiver with tuning controlled by direct voltage

Номер патента: US4201943A. Автор: Otto Klank. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1980-05-06.

Variable coupling if amplifier including a double-tuned circuit

Номер патента: US3562412A. Автор: Emory C Callaway. Владелец: Admiral Corp. Дата публикации: 1971-02-09.

Structure and method to ground reference voltage generator

Номер патента: US20240274161A1. Автор: Dzung T. Tran,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Field-effect transistor having back gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20130140612A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Memory device with back-gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20230389283A1. Автор: Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Bauelemente-schwellensteuerung eines front-gate-silicium-auf-isolator-mosfet unter verwendung eines selbstausgerichteten back-gate

Номер патента: DE602004003967T2. Автор: Robert New Rochelle DENNARD,Wilfried Somers HAENSCH,Hussein Basking Ridge HANAFI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

High performance capacitors in planar back gates cmos

Номер патента: WO2007011496A3. Автор: Andres Bryant,Edward J Nowak,Richard Q Williams. Владелец: Richard Q Williams. Дата публикации: 2008-05-29.

High performance capacitors in planar back gates cmos

Номер патента: WO2007011496A2. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-01-25.

Bauelemente-schwellensteuerung eines front-gate- silizium-auf-isolator-mosfet unter verwendung eines selbstausgerichteten back-gate

Номер патента: ATE349773T1. Автор: Wilfried Haensch,Robert Dennard,Hussein Hanafi. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-01-15.

Bauelemente-schwellensteuerung eines front-gate-silizium-auf-isolator-mosfet unter verwendung eines selbstausgerichteten back-gate

Номер патента: DE602004003967D1. Автор: Wilfried Haensch,Robert Dennard,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Structure and method to improve etsoi mosfets with back gate

Номер патента: US20130249002A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Back-gate voltage generator circuit, four-terminal back gate switching FET, and charge and discharge protection circuit using same

Номер патента: CN101356706A. Автор: 后藤智幸. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-28.

Back-gate voltage generator circuit, four-terminal back gate switching FET, and charge and discharge protection circuit using same

Номер патента: TW200836442A. Автор: Tomoyuki Goto. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

Back gate voltage generation circuit, four-terminal back gate switching FET, charge / discharge protection circuit using the FET, battery pack incorporating the charge / discharge protection circuit, and electronic device using the battery pack

Номер патента: JP5194412B2. Автор: 智幸 後藤. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Back-gated semiconductor device with a storage layer and methods for forming thereof

Номер патента: US20070134888A1. Автор: Thuy Dao,Gowrishankar Chindalore,Michael Sadd,Craig Swift. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-06-14.

Multi-layer crystalline back gated thin film transistor

Номер патента: US20200357929A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Kevin Lin,Jack Kavalieros,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN,Justin R. WEBER,Tristan A. TRONIC,Sanaz Gardner,Li Huey Tan,Kent MILLARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

COMPARATOR HAVING DIFFERENTIAL FDSOI TRANSISTOR PAIR WITH GATE CONNECTED TO BACK-GATE TO REDUCE RTS NOISE

Номер патента: US20190199336A1. Автор: Kanagala Vijay,Blackwell Don R.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Multiple-gate device with floating back gate

Номер патента: US7259420B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Back gate without junction and gate flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI656628B. Автор: 肖德元. Владелец: 上海新昇半導體科技有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

Method and structure for forming ETSOI capacitors, diodes, resistors and back-gate contacts

Номер патента: DE112012004824T5. Автор: c/o IBM Corp. Cheng Kangguo,c/o IBM Corp. Adam Thomas N.,c/o IBM Corp. Khakifirooz Ali,c/o IBM Corp. Reznicek Alexander. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Sub-lithographics opening for back contact or back gate

Номер патента: US20020086465A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Transistor with a body and back gate structure in different material layers

Номер патента: US20240222440A1. Автор: Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban,Samuel James Bader,Heli Chetanbhai VORA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device including embedded crystalline back-gate bias planes, related design structure and method of fabrication

Номер патента: US20160163879A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method and structure for forming etsoi capacitors, diodes, resistors and back gate contacts

Номер патента: GB201410067D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-16.

Race backing gate

Номер патента: AU3007189A. Автор: John Alexander Moore. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-06-08.

Back gate coupled voltage control oscillator

Номер патента: TW200820623A. Автор: Sheng-Lyang Jang,Yun-Hsueh Chuang,Shao-Hwa Lee,Chung-Ching Chiu. Владелец: Univ Nat Taiwan Science Tech. Дата публикации: 2008-05-01.

Three-dimensional memory structure having a back gate electrode

Номер патента: EP3231012B1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Akira MATSUDAIRA,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device including embedded crystalline back-gate bias planes, related design structure and method of fabrication

Номер патента: US09728649B2. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

DUAL-DEPTH SELF-ALIGNED ISOLATION STRUCTURE FOR A BACK GATE ELECTRODE

Номер патента: US20130143371A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Shahidi Ghavam G.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

MIRRORED CONTACT CMOS WITH SELF-ALIGNED SOURCE, DRAIN, AND BACK-GATE

Номер патента: US20180006126A1. Автор: Yamashita Tenko,Hook Terence B.,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

FINFET WITH BACK-GATE

Номер патента: US20160020326A1. Автор: Mazure Carlos,HOFMANN Franz. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

THERMALLY ENHANCED SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BACK-GATE FEATURE

Номер патента: US20180019184A1. Автор: Leipold Dirk Robert Walter,Maxim George,Scott Baker,Costa Julio C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

THERMALLY ENHANCED SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BACK-GATE FEATURE

Номер патента: US20180019185A1. Автор: Leipold Dirk Robert Walter,Maxim George,Scott Baker,Costa Julio C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Silicon on insulator (soi) transcap integration providing front and back gate capacitance tuning

Номер патента: US20190035945A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

TRANSISTOR SWITCH WITH BACK-GATE BIASING

Номер патента: US20160043722A1. Автор: Hu Yaqi,Fan Yanli. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

BACK-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20210050417A1. Автор: Fuller Samuel,SHULAKER Max,SRIMANI Tathagata,STEIN Yosi,MURPHY Denis. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2021-02-18.

Structure and method to improve etsoi mosfets with back gate

Номер патента: US20140124862A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH DOPANT FREE CHANNELS AND BACK GATES

Номер патента: US20140131790A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

CONTACT ELECTRIFICATION EFFECT-BASED BACK GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20170054067A1. Автор: Tang Wei,Zhang Limin,ZHANG CHI,WANG Zhonglin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH DOPANT FREE CHANNELS AND BACK GATES

Номер патента: US20140134826A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING BACK-GATE-VOLTAGE CONTROL CIRCUIT

Номер патента: US20140145773A1. Автор: HASHIMOTO Yasuhiro. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-05-29.

FULLY DEPLETED SOI TRANSISTOR WITH A BURIED FERROELECTRIC LAYER IN BACK-GATE

Номер патента: US20200066867A1. Автор: Cheng Kangguo,Hook Terence B.,FETTEROLF Shawn P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FULLY DEPLETED SOI DEVICE FOR REDUCING PARASITIC BACK GATE CAPACITANCE

Номер патента: US20180097076A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Ramachandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE HAVING A BACK GATE ELECTRODE

Номер патента: US20170098655A1. Автор: Alsmeier Johann,Zhang Yanli,Lee Dana,COSTA Xiying,Dong Yingda,MATSUDAIRA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-06.

Integrated Circuit Having Back Gating, Improved Isolation and Reduced Well Resistance and Method to Fabricate Same

Номер патента: US20140183687A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita,Cai Jin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

BACK-GATE CONTROLLED VARACTOR

Номер патента: US20190109243A1. Автор: ZHANG CHI. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY STRUCTURE HAVING A BACK GATE ELECTRODE

Номер патента: US20160163729A1. Автор: Alsmeier Johann,Zhang Yanli,Dong Yingda,MATSUDAIRA Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING EMBEDDED CRYSTALLINE BACK-GATE BIAS PLANES, RELATED DESIGN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20160163879A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

BACK-GATED NON-VOLATILE MEMORY CELL

Номер патента: US20140264554A1. Автор: QUEK Elgin Kiok Boone,LIM Khee Yong,Tan Kian Ming. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

BACK-GATED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RELATED METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140273418A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH BACK GATE CONTACT AND BURIED HIGH RESISTIVITY LAYER

Номер патента: US20210217849A1. Автор: Stamper Anthony K.,PEKARIK JOHN J.,Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

FULLY DEPLETED SOI DEVICE FOR REDUCING PARASITIC BACK GATE CAPACITANCE

Номер патента: US20190189761A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Ramachandra. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

FULLY DEPLETED SOI DEVICE FOR REDUCING PARASITIC BACK GATE CAPACITANCE

Номер патента: US20180204921A1. Автор: Cheng Kangguo,Divakaruni Ramachandra. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

CHARGE TRAP LAYER IN BACK-GATED THIN-FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20200220024A1. Автор: Ghani Tahir,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Le Van H.,SHARMA Abhishek A.,SHIVARAMAN Shriram,Ma Sean T.,WEBER Cory E.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-09.

CIRCUIT STRUCTURE TO GENERATE BACK-GATE VOLTAGE BIAS FOR AMPLIFIER CIRCUIT, AND RELATED METHOD

Номер патента: US20200220499A1. Автор: CHEN YICHING,Mckay Thomas G.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

BACK GATE SINGLE-CRYSTAL FLEXIBLE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20150243796A1. Автор: Hovel Harold John,Bedell Stephen W.,Sadana Devendra K.,LI NING,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD FOR TRIMMING SEGMENT CURRENTS IN CURRENT STEERING DAC BASED ON MOST BACK GATE VOLTAGE MODULATION

Номер патента: US20150244390A1. Автор: Teterwak Jerzy Antoni,Lutsky Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

CONTROLLING CURRENT FLOW BETWEEN NODES WITH ADJUSTABLE BACK-GATE VOLTAGE

Номер патента: US20190238044A1. Автор: Mckay Thomas G.,Chen Huaijin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH BACK GATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200235029A1. Автор: Yang Kuo-Yuh,VERMA Purakh Raj,Lin Chia-Huei. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING EMBEDDED CRYSTALLINE BACK-GATE BIAS PLANES, RELATED DESIGN STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION

Номер патента: US20140346573A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,SREENIVASAN Raghavasimhan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

Method and apparatus for using back gate biasing for power amplifiers for millimeter wave devices

Номер патента: US20190267946A1. Автор: Chi Zhang,Shafiullah Syed,Abdellatif Bellaouar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

POWER AMPLIFIER RAMPING AND POWER CONTROL WITH FORWARD AND REVERSE BACK-GATE BIAS

Номер патента: US20180302038A1. Автор: McKay Thomas Gregory,BALASUBRAMANIYAN Arul. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

INJECTION LOCK POWER AMPLIFIER WITH BACK-GATE BIAS

Номер патента: US20190296700A1. Автор: Bellaouar Abdellatif,Lee See T.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

WIDEBAND LOW NOISE AMPLIFIER HAVING DC LOOPS WITH BACK GATE BIASED TRANSISTORS

Номер патента: US20190326866A1. Автор: Manetakis Konstantinos,Mckay Thomas G.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-10-24.

BACK GATE IN SELECT TRANSISTOR FOR EDRAM

Номер патента: US20150357333A1. Автор: HOFMANN Franz,Enders Gerhard. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH BACK-GATE SWITCHING

Номер патента: US20170359070A1. Автор: Otto Michael,Chan Nigel. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

CIRCUITS HAVING A SWITCH WITH BACK-GATE BIAS

Номер патента: US20180358962A1. Автор: Bellaouar Abdellatif. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Suppression of back-gate transistors in rf cmos switches built on an soi substrate

Номер патента: US20160380101A1. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa,Daniel Charles Kerr,Jan Edward VANDEMEER,Philip W. Mason. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

MULTI-LAYER CRYSTALLINE BACK GATED THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20200357929A1. Автор: Ghani Tahir,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Le Van H.,SHARMA Abhishek A.,SHIVARAMAN Shriram,LIN Kevin,Gardner Sanaz,TAN Li Huey,TRONIC Tristan A.,Weber Justin R.,MILLARD Kent. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-12.

INJECTION LOCK POWER AMPLIFIER WITH BACK-GATE BIAS

Номер патента: US20190379338A1. Автор: Bellaouar Abdellatif,Lee See T.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method of making back gate contact for silicon on insulator technology

Номер патента: US5610083A. Автор: Lap Chan,Ravis H. Sundaresan,Che-Chia Wei. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1997-03-11.

Polysilicon back-gated soi mosfet for dynamic threshold voltage control

Номер патента: KR100518132B1. Автор: 데나드로버트에이치,하엔스크윌프리드이,하나피후세인아이. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2005-10-04.

Polysilicon back gate SOI MOSFET for dynamic threshold voltage control

Номер патента: CN1252833C. Автор: 罗伯特·H.·丹纳德,维尔弗理德·E.·何恩什,哈赛恩·I.·汉纳非. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-19.

Direct growth method for two-dimensional molybdenum disulfide back gate device

Номер патента: CN103928340A. Автор: 周鹏,杨松波,沈于兰. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-16.

Semiconductor device with back gate negative capacitor and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: CN106653857A. Автор: 朱慧珑,朱正勇,贾昆鹏. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-10.

Field effect transistors with back gate contact and buried high resistivity layer

Номер патента: US11296190B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Linear amplifier using back gate

Номер патента: KR100973499B1. Автор: 홍성철,구본훈. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2010-08-03.

Semiconductor device and back-gate bias application method using silicon on insulator (SOI) substrate

Номер патента: KR960012470A. Автор: 김기남,김형섭. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-04-20.

High electron mobility transistor with reduced back gating effect - has active semiconductor overlain with contact strips and on buffer layer partly separated from substrate by insulator

Номер патента: FR2693593A1. Автор: SAITO Junji. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-01-14.

Imaging device, module, and electronic device comprising a pixel including transistors using back gate electrical connections

Номер патента: US10917597B2. Автор: Naoto Kusumoto,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Two-dimensional material heterojunction back gate negative capacitance tunneling transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN110649092A. Автор: 李伟,汪钰成,关赫,汪瑛. Владелец: Northwest University of Technology. Дата публикации: 2020-01-03.

Bus switch circuit with back-gate control during power down

Номер патента: US20060226887A1. Автор: Leo Grimone. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Back gate non-junction NAND flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108305877B. Автор: 肖德元. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-25.

Low cost fabrication of double box back gate silicon-on-insulator wafers

Номер патента: US20100176495A1. Автор: Devendra K. Sadana,John A. Ott,Leathen Shi,Jack O. Chu,Robert H. Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Isolating back gates of fully depleted soi devices

Номер патента: US20090305470A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Field Effect Transistor With Etched-Back Gate Dielectric

Номер патента: US20060189083A1. Автор: Vijay Narayanan,Katherine Saenger,Rajarao Jammy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Back gate for stall for live stock

Номер патента: WO2007038925A1. Автор: Henrik Rasmussen. Владелец: Egebjerg Maskinfabrik A/S. Дата публикации: 2007-04-12.

Back-gate connection has the semiconductor devices and its manufacturing method and electronic equipment of negative capacitance

Номер патента: CN105609562B. Автор: 朱慧珑,朱正勇. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-05-31.

Finfet flash memory device with an extended floating back gate

Номер патента: US20090032859A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

CMOS low-voltage dynamic back-gate forward bias prescaler

Номер патента: US6462595B1. Автор: June-Ming Hsu,Shen Juan Liu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2002-10-08.

Integrated circuit having back gating, improved isolation and reduced well resistance and method to fabricate same

Номер патента: US9202864B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Jin Cai,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-01.

Method and apparatus for molding roofing products with back gating

Номер патента: US8211350B2. Автор: Dennis Carlson,Dan Robinson. Владелец: Tamko Building Products LLC. Дата публикации: 2012-07-03.

Fabrication method of plastic cover using hot runner back gate molding technology

Номер патента: JP2005532929A. Автор: カイアーステッド、アール,エス マクリーリィ、フレドリック,エー コンラッド、ウィリアム,ジー ナイト、アーサ,シー フーヴァ、ウィリアム,シー バトラー、トーマス,ディ オンジック、デイヴィド. Владелец: ウエスト・ファーマスーティカル・サービシーズ・インコーポレイテッド. Дата публикации: 2005-11-04.

OUTPUT DRIVER INCLUDING MOS CONTACTS WITH ADJUSTABLE BACK GATE Bias

Номер патента: DK3343763T3. Автор: Dan Raun Jensen,Per Asbeck. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2020-01-27.

Method for making plastic overcaps using hot runner back-gated mold technology

Номер патента: AU2003251861A1. Автор: William A. Conrad,Thomas C. Butler,William C. Hoover,Earle Keirstead,Arthur G. Knight,Fredrick S. Mccleery,David D. Onzik. Владелец: West Pharmaceutical Services Inc. Дата публикации: 2004-02-02.

Transistor switch with back-gate biasing

Номер патента: US9716500B2. Автор: Yaqi Hu,Yanli Fan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device having back gate connected with negative capacitor, manufacturing method for semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: CN105609562A. Автор: 朱慧珑,朱正勇. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-05-25.

Jfet with built in back gate in either soi or bulk silicon

Номер патента: CA2658567A1. Автор: Madhukar Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-02-21.

Back gate in select transistor for eDRAM

Номер патента: CN104995729A. Автор: F·霍夫曼,G·恩德斯. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-10-21.

Low cost fabrication of double box back gate silicon-on-insulator wafers

Номер патента: WO2010080292A1. Автор: Devendra K. Sadana,John A. Ott,Leathen Shi,Jack O. Chu,Robert H. Dennard. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2010-07-15.

A low-voltage prescaler using dynamic back-gate forward bias method

Номер патента: TW442951B. Автор: Shen-Yuan Liou,Jiun-Ming Shiu. Владелец: Nat Science Council. Дата публикации: 2001-06-23.

FinFET flash memory device with an extended floating back gate

Номер патента: US7619276B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-17.

Method and apparatus for molding roofing products with back gating

Номер патента: US7661947B2. Автор: Dennis Carlson,Dan Robinson. Владелец: Epoch Composite Products Inc. Дата публикации: 2010-02-16.

Output driver comprising mos switches with adjustable back gate biasing

Номер патента: EP3343763B1. Автор: Dan Raun Jensen,Per Asbeck. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2019-11-06.

Back gate transistor-based anti-radiation technology and implementation method thereof

Номер патента: CN103824856A. Автор: 陈邦明,亢勇. Владелец: Shanghai Xinchu Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-28.

Contact electrification effect-based back gate field-effect transistor

Номер патента: US9653674B2. Автор: Chi Zhang,Wei Tang,Limin Zhang,Zhonglin Wang. Владелец: Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems. Дата публикации: 2017-05-16.

Multiple back gate transistor

Номер патента: US9761525B1. Автор: Anthony K. Stamper,Renata A. Camillo-Castillo,Terence B. Hook,Richard A. Phelps. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Thyristor-based semiconductor memory device with back-gate bias

Номер патента: US7573077B1. Автор: Maxim Ershov. Владелец: T RAM Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-11.

Back gate field-effect transistor based on friction and contact electrification effects

Номер патента: KR101837077B1. Автор: 웨이 탕,치 장,리민 장,종린 왕. Владелец: 베이징 인스티튜트 오브 나노에너지 앤드 나노시스템즈. Дата публикации: 2018-03-09.

Two-dimensional material transistor for regulating back gate on the basis of two-dimensional electron gas, manufacturing method, and application

Номер патента: WO2019218907A1. Автор: 张晓东,蔡勇,何涛,宋亮,于国浩,张宝顺,丁晓煜. Владелец: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所. Дата публикации: 2019-11-21.

Display device having back gate electrodes

Номер патента: US9806197B1. Автор: Masahiro Yoshiga. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

High performance capacitors in planar back gates CMOS

Номер патента: CN101258592B. Автор: E·J·诺瓦克,A·布赖恩特,R·Q·威廉姆斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-09.

Method for making plastic overcaps using hot runner back-gated mold technology

Номер патента: CN100356900C. Автор: 厄尔·基尔斯特德,腓特烈·S·麦克利里,威廉·A·康拉德,阿瑟·G·奈特,威廉·C·胡佛,托马斯·C·巴特勒,戴维·D·昂斯科. Владелец: West Pharmaceutical Services Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Mirrored contact CMOS with self-aligned source, drain, and back-gate

Номер патента: US9997607B2. Автор: Tenko Yamashita,Terence B. Hook,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method and structure for forming ETSOI capacitors, diodes, resistors and back-gate contacts

Номер патента: DE112012004824B4. Автор: c/o IBM Corp. Cheng Kangguo,c/o IBM Corp. Adam Thomas N.,c/o IBM Corp. Khakifirooz Ali,c/o IBM Corp. Reznicek Alexander. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Lateral bipolar junction transistors with a back-gate

Номер патента: US11923417B2. Автор: Hong Yu,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for trimming segment currents in current steering dac based on most back gate voltage modulation

Номер патента: US20150244390A1. Автор: Joseph Lutsky,Jerzy Antoni Teterwak. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Fet with self-aligned back gate

Номер патента: TW201216470A. Автор: Ali Khakifirooz,Bruce Doris,Pranita Kulkarni,Kang-Guo Cheng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-04-16.

Feldeffekttransistoren mit back-gate-kontakt und vergrabener hochresistivitätsschicht

Номер патента: DE102020133646B4. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M . Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Hybrid double box back gate silicon-on-insulator wafers with enhanced mobility channels

Номер патента: GB201200820D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Source impedance tuning circuit for a receive path

Номер патента: US20200021263A1. Автор: Gary Lee Brown, JR.. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Electronic Device Having Antenna Tuning Circuits With Shared Control Interface Circuitry

Номер патента: US20190027809A1. Автор: Xu Han,Jing Zhu,LIANG Han,James G. Judkins,Thomas E. Biedka,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai,Victor C. Lee. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Impedance tuning circuit

Номер патента: US09991597B2. Автор: Javier Mauricio Velandia Torres. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-06-05.

Impedance tuning circuit

Номер патента: US09917566B2. Автор: Anton Salfelner,Javier Mauricio Velandia Torres. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-03-13.

Impedance tuning circuit

Номер патента: US09680442B2. Автор: Anton Salfelner,Javier Mauricio Velandia Torres. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-06-13.

Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers

Номер патента: US09515633B1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Environmentally tuned circuit card assembly and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1721499A1. Автор: Randolph G. Nichols. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Contour tuning circuit

Номер патента: US09966982B2. Автор: David Steven Ripley,Edward F. Lawrence,Joshua Kawika Ellis. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Improvements in or relating to tuned circuits employing transistors

Номер патента: GB1119708A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1968-07-10.

Amplifier Gain-Tuning Circuits and Methods

Номер патента: US20230291360A1. Автор: Rong Jiang,Ravindranath D. Shrivastava,Khushali Shah,Parvez H. Daruwalla. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Crucible induction furnace with at least two coils connected in parallel to a tuned circuit converter

Номер патента: US5940427A. Автор: Thomas Frey,Reinhold Hürtgen. Владелец: OTTO JUNKER GMBH. Дата публикации: 1999-08-17.

Automatic fsk tuning circuit for a hearing aid and method

Номер патента: CA2856572C. Автор: Soren Mollskov Larsen,Niels Ole Knudsen. Владелец: Widex AS. Дата публикации: 2015-12-29.

Switchable inductor for strong currents and antenna tuning circuit provided with at least one such inductance.

Номер патента: FR2691308A1. Автор: Wolk Ivan,Boulzaguet Guy. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-11-19.

Equaliser circuit for transmission lines - has interconnected tuned circuits correcting undesirable frequency response

Номер патента: FR2409641A1. Автор: Jean-Michel Quetin,Jacques Noyon. Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1979-06-15.

Improvements in scan tuning circuits for automatically tuned radio receivers

Номер патента: GB1203906A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1970-09-03.

Transconductance varying circuit of transconductor circuit, varying bandwidth filter circuit using the same and digital tuning circuit of transconductor-capacitor filter

Номер патента: US20050162194A1. Автор: Bo-Eun Kim,Seyeob Kim,Minsu Jeong. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2005-07-28.

Tunable notch filter and contour tuning circuit

Номер патента: US9712197B2. Автор: David Steven Ripley,Edward F. Lawrence,Joshua Kawika Ellis. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Digitally tuned circuit including switching of bank capacitors between plural tuned circuits

Номер патента: US4138654A. Автор: Gabriel J. Luhowy. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1979-02-06.

Frequency fine tuning circuit for superheterodyne receiver - has second AFC circuit deriving control signal after first intermediate frequency band pass filter and controlling RF input circuits

Номер патента: DE2719665A1. Автор: Walter Ing Grad Demmer,Peter Dr Draheim,Rolf-Werner Ing Grad Stamer. Владелец: Philips Patentverwaltung GmbH. Дата публикации: 1978-11-09.

Contour tuning circuit

Номер патента: GB2546188A. Автор: Steven Ripley David,Steven Ellis Joshua,F Lawrence Edward. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-12.

Improvements in or relating to composite units particularly adapted for use in tuning circuits of wireless and like systems

Номер патента: GB284892A. Автор: . Владелец: WILLIAM ERNEST KNORR. Дата публикации: 1928-02-09.

Electronic Circuit with Tuning Circuit

Номер патента: US20190386613A1. Автор: Stenman Anna-Karin. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Tuning circuits and superconducting integrated circuits using tunnel junction elements.

Номер патента: JP3820444B2. Автор: 佳徳 鵜澤,鎮 王. Владелец: National Institute of Information and Communications Technology. Дата публикации: 2006-09-13.

Discriminator for TV video recorder output channel - tests TV channels and sets TV receiver to free channel using tuning circuit

Номер патента: FR2434534A1. Автор: . Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1980-03-21.

Radio wave aerial tuning circuit - compares increments of inductance and capacitance with known impedance in discriminating circuit

Номер патента: FR2346901A1. Автор: . Владелец: Alliance Technique Industrielle SA. Дата публикации: 1977-10-28.

Bandwidth switching circuit of satellite broadcasting reception tuner tuning circuit

Номер патента: KR950015841U. Автор: 류태규. Владелец: 삼성전기 주식회사. Дата публикации: 1995-06-19.

Tuning circuit, integrated circuit, improved continuous-time integrator and programmable capacitor array adjustment unit

Номер патента: JP4564058B2. Автор: キーム ヌイアン,ロバート ダブリュ アダムス. Владелец: アナログ デバイスズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2010-10-20.

Scanning channels for programming memory in VCR or TV - memorising channel frequency when synchronising circuit is detected, and de-tunes circuit if not

Номер патента: DE4002616A1. Автор: Sung Gyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-11-29.

Gfi circuit having tuned circuit fault detector

Номер патента: CA997850A. Автор: Huai-Kuang Loh. Владелец: AMF Inc. Дата публикации: 1976-09-28.

Improvements in or relating to tuned circuit arrangements of the concentric resonantline type

Номер патента: GB534153A. Автор: . Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1941-02-28.

Signal-strength-peak detecting circuit for automatic tuning circuit

Номер патента: EP0469301A2. Автор: Hisao Ishii,Shinichi Yamasaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-05.

YIG-tuned circuit with rotatable magnetic polepiece

Номер патента: US5294899A. Автор: Hassan Tanbakuchi. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-03-15.

Tuning circuit, radio frequency circuit and electronic equipment

Номер патента: CN108900217B. Автор: 贾玉虎. Владелец: Oppo Chongqing Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-08.

Switchable varicap-tuned RF amplifier circuit, e.g. for TV tuner, has tuned circuit with two series inductors and supply connection via both coils or to center tap

Номер патента: DE10337981A1. Автор: Alfred Selz. Владелец: Deutsche Thomson Brandt GmbH. Дата публикации: 2005-03-17.

Tuning voltage generating circuit for electronic tuning circuit

Номер патента: JPS5831610A. Автор: Sadao Hashiguchi,貞男 橋口. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 1983-02-24.

Circuit arrangement for coupling a tuned circuit with a tube

Номер патента: US2047524A. Автор: Bernardus D H Tellegen. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1936-07-14.

Improvements in or relating to circuit arrangements for controlling the tuning of tuned circuits

Номер патента: GB833242A. Автор: Thomas Theodore Brown,Frank Ronald Goodwin Mitchell. Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1960-04-21.

Tuning circuit for edge-loaded nested resonant radiators that provides switching among several wide frequency bands

Номер патента: US6608598B2. Автор: Walter Gee,Paul E. Mayes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-19.

Resistance-tuned circuit

Номер патента: US1853604A. Автор: Cabot Sewall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1932-04-12.

Configurable tuning circuit, matching network, antenna system, and terminal device

Номер патента: EP4199251A4. Автор: DAN CHEN,Xiaowei Zhang,Qiao SUN,Enliang Xiong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Tuning circuit and method

Номер патента: TW200910771A. Автор: Joseph Hughes. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2009-03-01.

Semiconductor for macro and micro frequency tuning, and antenna and frequency tuning circuit having the semiconductor

Номер патента: EP1916715B1. Автор: Chang-won Jung,Young-eil Kim,In-Sang Song,Jung-han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-27.

Improvements in or relating to tuned circuit arrangements

Номер патента: GB820618A. Автор: William Morgan Pannell. Владелец: Pye Ltd. Дата публикации: 1959-09-23.

Bandspread and scale equalizing resistance-capacitance tuning circuit

Номер патента: US2540702A. Автор: Christian F Weiland. Владелец: Individual. Дата публикации: 1951-02-06.

Center tuning circuit for frequency modulation detectors

Номер патента: US2682606A. Автор: Eugene O Keizer,Marlin G Kroger. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1954-06-29.

Heterodyne tuning circuits

Номер патента: GB1593296A. Автор: . Владелец: LICENTIA OY. Дата публикации: 1981-07-15.

High-frequency tuning circuit

Номер патента: US2498932A. Автор: Wallace Marcel. Владелец: PANORAMIC RADIO CORP. Дата публикации: 1950-02-28.

Antenna tuning circuit

Номер патента: US2245662A. Автор: Dudley E Foster. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1941-06-17.

Tuning circuit

Номер патента: EP2386140A1. Автор: Nicolas Sornin,Michael John Story,Timothy John Newton,Johan Lucas Gertenbach,Oliver George Hylton Madge. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Loop antenna tuning circuit

Номер патента: US2589745A. Автор: William J Stolze. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1952-03-18.

Tuning circuit

Номер патента: EP2386140B1. Автор: Nicolas Sornin,Michael John Story,Timothy John Newton,Johan Lucas Gertenbach,Oliver George Hylton Madge. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Two-band tuned circuit

Номер патента: NZ179794A. Автор: K Mueller,J Rehm. Владелец: Licentia Gmbh. Дата публикации: 1978-03-06.

Tuning circuit of uhf tuner

Номер патента: JPS55149526A. Автор: Masao Oguri. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-11-20.

Method of compensation for distortion in sharply tuned circuits

Номер патента: US2205007A. Автор: Freeman Robert Lee. Владелец: CROSLEY CORP. Дата публикации: 1940-06-18.

Auto tuning circuit

Номер патента: KR860000116B1. Автор: Yun-Gi Lee. Владелец: Gold Star Co. Дата публикации: 1986-02-19.

Antenna tuning circuit

Номер патента: US09647706B2. Автор: Anton Salfelner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-05-09.

Tuning circuit

Номер патента: US09455687B2. Автор: Nicolas Sornin,Michael John Story,Timothy John Newton,Johan Lucas Gertenbach,Oliver George Hylton Madge. Владелец: Qualcomm Technologies International Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20130324067A1. Автор: Sekiguchi Satoru,Inaba Shinya,Odajima Toru. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2013-12-05.

TUNING CIRCUIT AND METHOD FOR WIRELESS POWER TRANSFER SYSTEMS

Номер патента: US20140015327A1. Автор: Keeling Nicholas A.,Beaver Jonathan,Kissin Michael. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-16.

Tuning circuit and receiver

Номер патента: US20160006972A1. Автор: Kenji Fujimura. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

TUNABLE NOTCH FILTER AND CONTOUR TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20200007177A1. Автор: Ripley David Steven,Ellis Joshua Kawika,Lawrence Edward F.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

WIDE RANGE PROGRAMMABLE RESISTOR FOR DISCRETE LOGARITHMIC CONTROL, AND TUNING CIRCUIT FOR VARIABLE GAIN ACTIVE FILTER USING SAME

Номер патента: US20180013406A1. Автор: Ciubotaru Alexandru Aurelian,GLENN Robert C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

SOURCE IMPEDANCE TUNING CIRCUIT FOR A RECEIVE PATH

Номер патента: US20200021263A1. Автор: Brown,JR. Gary Lee. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

RF TUNING SYSTEMS INCLUDING TUNING CIRCUITS HAVING IMPEDANCES FOR SETTING AND ADJUSTING PARAMETERS OF ELECTRODES IN ELECTROSTATIC CHUCKS

Номер патента: US20220044909A1. Автор: French David,Burkhart Vincent E.,Leeser Karl Frederick,Meng Liang. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Electronic Device Having Antenna Tuning Circuits With Shared Control Interface Circuitry

Номер патента: US20190027809A1. Автор: Zhu Jing,Han Xu,Han Liang,Mow Matthew A.,Tsai Ming-Ju,Lee Victor C.,Biedka Thomas E.,Judkins James G.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Electronic Device With Shared Control and Power Lines for Antenna Tuning Circuits

Номер патента: US20190027821A1. Автор: Pascolini Mattia,Zhu Jing,Han Xu,Han Liang,Mow Matthew A.,Tsai Ming-Ju,Lee Victor C.,Biedka Thomas E.,Judkins James G.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

DUTY CYCLE TUNING CIRCUIT AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140118044A1. Автор: Liu Ye. Владелец: Realtek Semiconductor Corp.. Дата публикации: 2014-05-01.

RF TUNING SYSTEMS INCLUDING TUNING CIRCUITS HAVING IMPEDANCES FOR SETTING AND ADJUSTING PARAMETERS OF ELECTRODES IN ELECTROSTATIC CHUCKS

Номер патента: US20200043703A1. Автор: French David,Burkhart Vincent E.,Leeser Karl Frederick,Meng Liang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Capacitive Tuning Circuit Using RF Switches with PCM Capacitors and PCM Contact Capacitors

Номер патента: US20200058582A1. Автор: Howard David J.,Slovin Gregory P.,Rose Jefferson E.,El-Hinnawy Nabil. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

TUNABLE NOTCH FILTER AND CONTOUR TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20170063412A1. Автор: Ripley David Steven,Ellis Joshua Kawika,Lawrence Edward F.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

CONTOUR TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20170063413A1. Автор: Ripley David Steven,Ellis Joshua Kawika,Lawrence Edward F.. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Actively Tuned Circuit Having Parallel Carrier and Peaking Paths

Номер патента: US20140152389A1. Автор: Hamparian Simon H.. Владелец: Andrew LLC. Дата публикации: 2014-06-05.

ANTENNA TUNING CIRCUIT, MODULE, AND SYSTEM

Номер патента: US20190109371A1. Автор: Jue Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

TUNING CIRCUIT, TUNING METHOD AND RESONANCE-TYPE CONTACTLESS POWER SUPPLY

Номер патента: US20160141887A1. Автор: Xue Xiaobo. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

AUTOMATIC FSK TUNING CIRCUIT FOR A HEARING AID AND METHOD

Номер патента: US20140241556A1. Автор: KNUDSEN Niels Ole,LARSEN Soren Mollskov. Владелец: WIDEX A/S. Дата публикации: 2014-08-28.

IMPEDANCE TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20170170564A1. Автор: Velandia Torres Javier Mauricio. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Energy conversion apparatus with tuned circuit

Номер патента: US20150214880A1. Автор: Gialdella Gerald. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

SELF-TUNING CIRCUIT FOR CONTROLLING INPUT PRESSURE VALUES FOR AN AFTERTREATMENT SYSTEM

Номер патента: US20170241314A1. Автор: KHALED Nassim,Pattel Bibin N.. Владелец: Cummins Emission Solutions Inc.. Дата публикации: 2017-08-24.

ANTENNA TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20160269060A1. Автор: Salfelner Anton. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Tuning Circuits for Hybrid Electronic Device Antennas

Номер патента: US20170264001A1. Автор: Pascolini Mattia,Gomez Angulo Rodney A.,Rajagopalan Harish,Romano Pietro,Azad Umar. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

IMPEDANCE TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20170272048A1. Автор: Salfelner Anton,Velandia Torres Javier Mauricio. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Load Tuning Circuit For Pulse-Width / Pulse-Position Modulation Amplifier And Related Techniques

Номер патента: US20140368268A1. Автор: Muir John,Tajima Yusuke. Владелец: Auriga Measurement Systems, LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

Antenna Tuning Circuit, Method for Tuning an Antenna, Antenna Arrangement and Method for Operating the Same

Номер патента: US20140375514A1. Автор: Bakalski Winfried. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Antenna Tuning Circuit, Method for Tuning an Antenna, Antenna Arrangement and Method for Operating the Same

Номер патента: US20170310007A1. Автор: Bakalski Winfried. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

ANTENNA TUNING CIRCUITS, MODULES, AND SYSTEMS AND RELATED TECHNIQUES

Номер патента: US20190319344A1. Автор: Jue Martin F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

CONTOUR TUNING CIRCUIT AND RELATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20170346516A1. Автор: Ripley David Steven,Ellis Joshua Kawika,Lawrence Edward F.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

TUNING CIRCUIT, TUNING METHOD AND RESONANCE-TYPE CONTACTLESS POWER SUPPLY

Номер патента: US20180351371A1. Автор: Xue Xiaobo. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Reflective microstrip tuning circuit

Номер патента: US20200403290A1. Автор: Gary Ian Moore. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-12-24.

FREQUENCY BASED IMPEDANCE ADJUSTMENT IN TUNING CIRCUITS

Номер патента: US20220375719A1. Автор: French David,Leeser Karl Frederick,Topping Stephen,WANG Jin Jimmy,HENRI Brandt. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Mu-tuning circuit of television receiver

Номер патента: KR820002312Y1. Автор: 다까오 모기,요시오 이시가끼,히사오 오까다. Владелец: 쏘니 가부시기 가이샤. Дата публикации: 1982-10-23.

Automatic tuning circuit for use in an ultrasonic apparatus

Номер патента: US4551690A. Автор: Eric Quist. Владелец: Branson Ultrasonics Corp. Дата публикации: 1985-11-05.

Tuning circuit

Номер патента: KR100396630B1. Автор: 타케시 이케다,타다타카 오헤,츄토무 나카니시. Владелец: 타케시 이케다. Дата публикации: 2003-12-01.

Variable intermediate frequency band tuning circuit for double conversion tuner

Номер патента: KR940002194Y1. Автор: 문웅한. Владелец: 황선두. Дата публикации: 1994-04-08.

profile tuning circuit

Номер патента: CN106797222A. Автор: D.S.里普利,J.K.埃利斯,E.F.劳伦斯. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2017-05-31.

Tuning circuit for gain control filter

Номер патента: KR100343470B1. Автор: 최준혁. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-18.

Tuning circuits for communications receivers

Номер патента: GB1573224A. Автор: . Владелец: LICENTIA OY. Дата публикации: 1980-08-20.

Input tuning circuit

Номер патента: JPS52126117A. Автор: Ichiro Araki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-10-22.

Voltage-controlled variable tuning circuit

Номер патента: KR0173833B1. Автор: 가즈히로 나까노. Владелец: 아루푸스 덴키 가부시키 가이샤. Дата публикации: 1999-04-01.

Phaser high frequency tuning circuit

Номер патента: KR100293272B1. Автор: 김종필. Владелец: 주식회사 케이이씨. Дата публикации: 2001-07-12.

Dual tuning circuit

Номер патента: JPS5940724A. Автор: Hideki Oto,Katsuzo Amano,大戸　秀起,天野　勝造. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-03-06.

Tuning circuit of radio receiver

Номер патента: JPS5975711A. Автор: Shinichi Hagitani,萩谷　真一. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-04-28.

Tuning circuit

Номер патента: JPS572117A. Автор: Masayuki Suzuki. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 1982-01-07.

Tv receiver tuning circuit

Номер патента: KR940005140A. Автор: 안소니 푸겔 마이클,레스터 레만 윌리암. Владелец: 프레드릭 에이. 웨인. Дата публикации: 1994-03-16.

Variable capacitance tuning circuit for high frequency signal reception

Номер патента: JPS6148224A. Автор: Joji Nakamura,Seiji Matsushita,誠二 松下,Isao Ariyoshi,Akira Fujishima,明 藤島,有可　功,中村　穣治. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-03-08.

Tuning circuit of one body type receiver for satellite tv broad casting

Номер патента: KR890002594B1. Автор: 정병국. Владелец: 한형수. Дата публикации: 1989-07-19.

Tuning circuit

Номер патента: JPS564922A. Автор: Akinori Maeda,Michihiro Tateishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-01-19.

A kind of antenna tuning circuit and mobile terminal

Номер патента: CN105897280B. Автор: 杨金胜. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2018-09-04.

Auto fine tuning circuit

Номер патента: KR960014232B1. Автор: 오사무 오다,사도시 이시구로. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1996-10-14.

High-frequency, short-term tuning circuit of satellite broadcast tuner

Номер патента: KR960006508U. Автор: 서형준. Владелец: 삼성전기 주식회사. Дата публикации: 1996-02-17.

Dual tuning circuit with balanced output stage and video trap

Номер патента: KR100326802B1. Автор: 레로이사무엘위그놋,마이클안쏘니푸겔. Владелец: 크리트먼 어윈 엠. Дата публикации: 2002-06-20.

Television receiver tuning circuit

Номер патента: CN1037226C. Автор: M·A·普格尔,W·L·莱曼. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1998-01-28.

Tuning circuit

Номер патента: JPS5391501A. Автор: Keisu Run Gerarudo,Jiyon Deibiesu Korin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-08-11.

Tuner's tuning circuit

Номер патента: KR970011440U. Автор: 김용정. Владелец: 엘지전자부품주식회사. Дата публикации: 1997-03-29.

FREQUENCY TUNING CIRCUIT FOR TRELLIS FILTER

Номер патента: FR2920612B1. Автор: Andreas Kaiser,Andreia Cathelin,Stephane Razafimandimby. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2009-12-04.

Four tuned circuit band filter, especially for television

Номер патента: FR1352223A. Автор: Albert Bensasson. Владелец: Radiotechnique SA. Дата публикации: 1964-02-14.

TUNING CIRCUIT DEVICE

Номер патента: FR2578366B1. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-11-22.

AUTOMATIC END TUNING CIRCUIT

Номер патента: FR2440655B1. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1985-09-27.

Automatic tuning circuit for fm tuner

Номер патента: JPS5545277A. Автор: Tadashi Adachi. Владелец: Aiwa Co Ltd. Дата публикации: 1980-03-29.

Tuning circuit for resonator of variable frequency oscillator - has comparator controlling device coupled to resonator mechanical tuner

Номер патента: FR2382133A1. Автор: Alain Parniere,Lazare Argintaru. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1978-09-22.

Assembly intended for the development of tuned circuits, such as those used in radio-electric devices

Номер патента: FR774318A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1934-12-05.

SWITCHABLE INDUCTANCE FOR HIGH CURRENTS AND ANTENNA TUNING CIRCUIT PROVIDED WITH AT LEAST ONE SUCH INDUCTANCE.

Номер патента: FR2691308B1. Автор: Ivan Wolk,Guy Boulzaguet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1997-08-14.

TUNING CIRCUIT OF A HIGH FREQUENCY SUPERHETERODYNE RECEIVER WITH CONTINUOUS VOLTAGE CONTROL TUNING

Номер патента: FR2389274A1. Автор: . Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1978-11-24.

FREQUENCY TUNING CIRCUIT FOR TRELLIS FILTER

Номер патента: FR2920612A1. Автор: Andreas Kaiser,Andreia Cathelin,Stephane Razafimandimby. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2009-03-06.

Oscillator with tuned circuit adjustable within a wide frequency range

Номер патента: FR2612017A1. Автор: Pierre Bohn,Michel Berteleau. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1988-09-09.

PRECISE AUTOMATIC TUNING CIRCUIT

Номер патента: FR2440653A1. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-05-30.

Auto-inverter for tuned circuits

Номер патента: FR668610A. Автор: Robert Javaux. Владелец: . Дата публикации: 1929-11-05.

TUNING CIRCUIT WITH PHASE REGULATING LOOP AND FREQUENCY REGULATING LOOP.

Номер патента: FR2662875B1. Автор: Hans-Peter Ketterling. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1997-01-10.

Arrangement for resonant tuning circuit

Номер патента: FR1492865A. Автор: Hans Keller. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1967-08-25.

DEVICE FOR ADJUSTING THE TUNING VOLTAGE OF TUNING CIRCUITS

Номер патента: FR2792784A1. Автор: Richard Stepp,Hans Eberhard Kroebel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-10-27.

Tuning circuit

Номер патента: JPS57135519A. Автор: Yukihiro Hayashi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-21.

Tuned circuit

Номер патента: FR1475606A. Автор: . Владелец: TEWEA TECHN WETENSCH APP FABRI. Дата публикации: 1967-04-07.

Tuning circuit and method for wireless power transmission system

Номер патента: CN104471821B. Автор: 尼古拉斯·A·基林,迈克尔·基辛,乔纳森·比弗. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-11.

Tuning circuit for inter-carrier wave television receivers

Номер патента: FR1409486A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1965-08-27.

Receiver comprising a search tuning circuit

Номер патента: EP0104688B1. Автор: Theodoor Antoon Jozef Schlösser,Theodorus Henricus Smakman. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-12-04.

The frequency tuning circuit for preventing the adjacent channel interference

Номер патента: KR200143245Y1. Автор: 박성동. Владелец: 이형도. Дата публикации: 1999-06-01.

Tuner's single stage tuning circuit

Номер патента: KR980006836A. Автор: 무라 타케 시 니시,권석목. Владелец: 삼성전기 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Variable-frequency clock generator for IC engine ignition - uses counter to switch tuning circuits through to pulse generator

Номер патента: DE2944231A1. Автор: Armin 3300 Braunschweig Stiller. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 1981-05-14.

Controlled tuning circuit for HF heterodyne receiver - has counter of local oscillator oscillations, whose reading is stored and evaluated

Номер патента: DE2738802A1. Автор: Otto Klank. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1979-03-08.

Variable tuning circuit using variable capacitance diode and television tuner

Номер патента: EP1931028B1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-14.

Satellite broadcasting automatic tuning circuit

Номер патента: KR950002359U. Автор: 김진복. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

Impedance tuning circuit

Номер патента: US6753738B1. Автор: Rex T. Baird. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2004-06-22.

METHOD AND TUNING CIRCUIT FOR AUTOMATICALLY ADJUSTING THE TUNING OF AN OVERLAY TUNING LEVEL OF A TELEVISION RECEIVER

Номер патента: DE3205835A1. Автор: Kouji Morita,Takao Mogi,Osamu Tokyo Masunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-09-16.

Tuning circuit.

Номер патента: NL191132B. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-09-01.

PRECISE AUTOMATIC TUNING CIRCUIT

Номер патента: FR2421519B1. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-03-07.

Method for tuning cascade tuned circuits

Номер патента: US2516056A. Автор: Eugene O Keizer. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1950-07-18.

Auto fine tuning circuit

Номер патента: KR0176631B1. Автор: 이흥배. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-05-01.

Tuning circuit for high frequency receivers

Номер патента: DE2557856C3. Автор: Otto Ing.(Grad.) 3160 Lehrte Klank,Dieter Dipl.-Ing. 3000 Hannover Rottmann. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1980-11-13.

Tuner's single-step tuning circuit

Номер патента: KR970026106U. Автор: 김현진. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 1997-06-20.

Variable tuning circuit using variable capacitance diode and television tuner

Номер патента: CN101197976B. Автор: 山本正喜. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Receiver having a tuning circuit with a selectable input

Номер патента: CA2279566A1. Автор: Koji Ohira. Владелец: Sanyo Tuner Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-03.

Double-tuning circuit

Номер патента: JPH11205700A. Автор: Masaki Yamamoto,正喜 山本,道徳 佐々木,Michitoku Sasaki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-30.

Tuning circuit

Номер патента: AU4399996A. Автор: Takeshi Ikeda,Tsutomu Nakanishi,Tadataka Ohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-07-31.

Tuning circuit apparatus

Номер патента: GB2172160B. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1989-02-08.

Frequency peak tuning circuit and system

Номер патента: CN114124039A. Автор: 杨超,刘尧,史林森,刘筱伟,刘盛富. Владелец: Micro Niche Guangzhou Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Hybrid tuning circuit for continuous-time sigma-delta analog-to-digital converter

Номер патента: US7095345B2. Автор: Khiem Nguyen,Robert W. Adams. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Automatic fine tuning circuit

Номер патента: US5065244A. Автор: Osamu Oda,Satoshi Ishiguro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-11-12.

Method for fine tuning circuit and controlling impedance with laser process

Номер патента: US20070075057A1. Автор: Yi-Hsi Chen,Chih-Chuan Lin. Владелец: APAC Opto Electronics Inc. Дата публикации: 2007-04-05.

Input tuning circuit of uhf tuner

Номер патента: JPS59100635A. Автор: Takeshi Nishimura,西村　武志. Владелец: NEC Home Electronics Ltd. Дата публикации: 1984-06-09.

Tuning circuit

Номер патента: JP4430633B2. Автор: ミンス・ジョン,セヨプ・キム. Владелец: インテグラント テクノロジーズ インコーポレーテッド. Дата публикации: 2010-03-10.

Antenna tuning circuit and mobile terminal

Номер патента: CN111211421A. Автор: 冯旭. Владелец: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-29.

Transmitter combiner having coupled tuned circuits

Номер патента: US3735289A. Автор: W Bruene. Владелец: Collins Radio Co. Дата публикации: 1973-05-22.

Automatic clock regenerator unit - suitable for obtaining high frequency clock signals from damped waveforms is controlled by tuned circuit

Номер патента: FR2235531A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1975-01-24.

Automatic fsk tuning circuit for a hearing aid and method

Номер патента: CA2856572A1. Автор: Soren Mollskov Larsen,Niels Ole Knudsen. Владелец: Widex AS. Дата публикации: 2013-05-30.

Antenna tuning circuit, antenna tuning method, antenna arrangement and method of operating the same

Номер патента: DE102014210199A1. Автор: Winfried Bakalski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-12-24.

Automatic tuning circuit of tv

Номер патента: KR900002670B1. Автор: 김종화. Владелец: 구자학. Дата публикации: 1990-04-21.

Electronic tuning circuit

Номер патента: JPS52104033A. Автор: Sadahiko Yamashita,Mitsuo Makimoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-09-01.

Improvements to the tuning circuits used for the reception of radio waves

Номер патента: FR693570A. Автор: Guillaume-Marie-Jose Rouzie. Владелец: . Дата публикации: 1930-11-21.

A tuning circuit

Номер патента: GB9511973D0. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-08-09.

High frequency tuning circuit with input tuning transformer

Номер патента: DE19703219A1. Автор: Masami Osawa,Shigeru Hatada. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 1997-08-07.

Tuning circuit for the uhf and vhf ranges

Номер патента: ZA844168B. Автор: Josef Rehm,Franz Heigl. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1985-04-24.

Low-temperature radio-frequency tuning circuit

Номер патента: WO2021005208A1. Автор: Mark BUITELAAR,Pavlos APOSTOLIDIS,Byron VILLIS,Pavlo ZUBKO. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Modular tuned circuits

Номер патента: US3069636A. Автор: Robert J Hannon. Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1962-12-18.

First order tuning circuit for a phase-locked loop

Номер патента: US7382848B2. Автор: James T. O'Connor. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2008-06-03.

Vhf tuning circuit of television tuner

Номер патента: KR100409149B1. Автор: 한경희. Владелец: 파츠닉(주). Дата публикации: 2003-12-06.

Receiver including a tuning circuit having a transmitter search device

Номер патента: CA1059665A. Автор: Theodorus H.M. Van Deursen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-07-31.

Automatic sweep digital tuning circuit

Номер патента: JPS5750124A. Автор: Hiroshi Kobayashi,Hideji Takebe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1982-03-24.

Digitally controlled antenna tuning circuit for radio frequency receivers

Номер патента: KR101122785B1. Автор: 다비드 벤-바셋. Владелец: 비쉐이 인터테크놀로지, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-03-21.

Tuning circuit

Номер патента: CN113422615A. Автор: 王燕,汪洋,安海燕,王艺蓉,张雯静,郭德军,唐明阳,潘会兰. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-21.

Electronic device with shared control and power lines for antenna tuning circuits

Номер патента: US10186769B1. Автор: Xu Han,Jing Zhu,LIANG Han,James G. Judkins,Mattia Pascolini,Thomas E. Biedka,Matthew A. Mow,Ming-Ju Tsai,Victor C. Lee. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-01-22.

Television receiver tuning circuit

Номер патента: EP0584717A1. Автор: Michael Anthony Pugel,William Lester Lehmann. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1994-03-02.

Auto-tuning circuit for car radio

Номер патента: KR890000588Y1. Автор: 남경태. Владелец: 안시환. Дата публикации: 1989-03-11.

Tuning circuit and method for wireless power transfer systems

Номер патента: US9679695B2. Автор: Jonathan Beaver,Michael Kissin,Nicholas A. KEELING. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

HF receiver with frequency band switching in tuning circuit - uses rectified beat frequency to eliminate need for bipolar voltage source

Номер патента: DE2615690A1. Автор: Takeshi Saito,Shigeo Matsuura,Mitsuhisa Shinagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1976-10-21.

Tuning circuit

Номер патента: AU549072B2. Автор: Martinus Franciscus Adriana Maria Geurts. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-01-09.

Tuning circuit

Номер патента: EP1737127A1. Автор: KIM Seyeob,Jeong Minsu. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-27.

Band switchable tuning circuit

Номер патента: EP0945980A1. Автор: Koichi c/o Sony International Ito (Europe) GMBH. Владелец: Sony International Europe GmbH. Дата публикации: 1999-09-29.

Receiver tuning circuit

Номер патента: CA1035477A. Автор: Arnoldus Garskamp. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-07-25.

Cable locator with parallel LC tuned circuit - has inductance in probe head to sense signal transmitted down lost cable

Номер патента: FR2483155A2. Автор: Yves Saint-Jean. Владелец: INTERNALE ELECTR COMP. Дата публикации: 1981-11-27.

Tuning circuit for at least two frequency ranges

Номер патента: EP0129154A2. Автор: Josef Rehm,Franz Heigl. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1984-12-27.

Amplifier gain-tuning circuits and methods

Номер патента: US11616475B2. Автор: Parvez DARUWALLA,Rong Jiang,Ravindranath D. Shrivastava,Khushali Shah. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

Tuning circuit for radio transmitters

Номер патента: US2438477A. Автор: Dodds John Mathieson,Ludlow John Heywood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1948-03-23.

Tuning circuit for a receiver operating on the superheterodyne principle

Номер патента: BE584208A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1960-05-03.

Fine tuning circuit and method

Номер патента: KR910006296B1. Автор: 김철진. Владелец: 안시환. Дата публикации: 1991-08-19.

Automatic adjusting method of tuning circuit

Номер патента: JPS6077511A. Автор: Kenji Uchida,Takashi Shiotani,憲司 内田,塩谷　隆司. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-05-02.

Auto-tuning circuit for an active filter used in video signal processing

Номер патента: CA2026345A1. Автор: Hajime Sumiyoshi. Владелец: Toshiba Audio Video Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1991-03-29.

Contour tuning circuit

Номер патента: GB2546188B. Автор: Steven Ripley David,Steven Ellis Joshua,F Lawrence Edward. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Automatic tuning circuit

Номер патента: WO2013006740A3. Автор: Carson R. White,Joseph S. Colburn,Michael W. Yung,Donald A. Hitko. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2013-02-28.

Tuning circuit for multiband tuner

Номер патента: KR940005381B1. Автор: 헤티거 제임스. Владелец: 글렌 에이취. 브르스틀. Дата публикации: 1994-06-17.

Electronic tuning circuit

Номер патента: KR900004427Y1. Автор: 다까가쯔 모리아이. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1990-05-19.

Electrical tuning circuit

Номер патента: US4121182A. Автор: Sadahiko Yamashita,Mitsuo Makimoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1978-10-17.

Receiver having a tuning circuit with a selectable input

Номер патента: US6342928B1. Автор: Koji Ohira. Владелец: Sanyo Tuner Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-29.

The frequency tuning circuit for continuous-time analog filter using the SAR scheme

Номер патента: KR100717880B1. Автор: 최중호. Владелец: 최중호. Дата публикации: 2007-05-14.

TUNING CIRCUIT DEVICE

Номер патента: FR2578366A1. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1986-09-05.

TV broadcast signal tuning circuit

Номер патента: KR890003935U. Автор: 배점한. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 1989-04-14.

DOUBLE TUNING CIRCUIT WITH BALANCED OUTPUT AND IMAGE TRAP.

Номер патента: ES2105018T3. Автор: Michael Anthony Pugel,Leroy Samuel Wignot. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1997-10-16.

Television receiver tuning circuit

Номер патента: EP1049255A2. Автор: Michael Anthony Pugel,William Lester Lehmann. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 2000-11-02.

TUNING CIRCUIT FOR A HIGH-FREQUENCY OVERLAY RECEIVER WITH DC-CONTROLLED TUNING

Номер патента: AT371640B. Автор: . Владелец: Licentia Gmbh. Дата публикации: 1983-07-11.

TELEVISION RECEIVER PURCHASES A TUNING CIRCUIT

Номер патента: IT1036184B. Автор: . Владелец: Magnavox Co. Дата публикации: 1979-10-30.

Termination impedance tuning circuit

Номер патента: US20050184824A1. Автор: Aruna Govind. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Reconciliation of tuning circuits in a radio receiver

Номер патента: FI94689C. Автор: Matti Koskinen,Jouko Heinonen,Henrik Sunell,Navarro Alejandro Monge,Rauno Aalto,Tapio Gustafsson. Владелец: Nokia Mobile Phones Ltd. Дата публикации: 1995-10-10.

Tuning circuit for high frequency receiver

Номер патента: JPS5275205A. Автор: Rotsutoman Deiitaa,Kuranku Otsutoo. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1977-06-24.

Transconductor tuning circuit

Номер патента: JP2003273666A. Автор: Jung-eun Lee,Jeong-won Lee,Gea-Ok Cho,正 源 李,啓 ▲玉▼ 趙,政 ▲艮▼ 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-26.

Automatic sweep tuning circuit with means to change the range of reactance after each sweep through a sub-band

Номер патента: US3166726A. Автор: Garold K Jensen,James E Mcgeogh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1965-01-19.

Electronic tuning circuit for the antenna of a receiver

Номер патента: DE2816786C2. Автор: Kazuo Kobe Hyogo Takayama. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 1983-05-11.

Tuning circuit

Номер патента: US20060256486A1. Автор: Seyeob Kim,Minsu Jeong. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Auto search tuning circuit

Номер патента: JPS5632822A. Автор: Takehide Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-02.

TUNING CIRCUIT

Номер патента: FR2722040A1. Автор: Mark J Chambers,Jesus P Finol,James B Phillips. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-01-05.

Automatic fine tuning circuit

Номер патента: GB2021883B. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1983-03-16.

A hybrid tuning circuit for continuous-time sigma-delta analog-to-digital converter

Номер патента: EP1890383A1. Автор: Robert Adams,Khiem Nguyen. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-02-20.

Tuning circuit for receiver

Номер патента: JPS55134533A. Автор: Kuranku Otsuto,Bueringu Uirufuriito. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1980-10-20.

Advanced tuning circuit for very high frequency radio installations

Номер патента: FR1192583A. Автор: Georges Bretin. Владелец: ATELIERS DE MONTAGES ELECTRIQUES. Дата публикации: 1959-10-27.

Broadcast receiver including a search tuning circuit

Номер патента: HK21584A. Автор: Theodorus Henricus Mar Deursen. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1984-03-16.

Contour tuning circuit and related systems and methods

Номер патента: US10340963B2. Автор: David Steven Ripley,Edward F. Lawrence,Joshua Kawika Ellis. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-02.

Fine tuning circuit for clock source

Номер патента: CN103378828A. Автор: 金杰,张义忠,徐秀强. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-10-30.

Thyristorised tuned-circuit inverter - has thyristor switching monitor detecting excess current flow time leading to change in current magnitude

Номер патента: DE2745630A1. Автор: Hasso Ing Grad Wittenbecher. Владелец: AEG Elotherm GmbH. Дата публикации: 1979-04-12.

Transconductor tuning circuit

Номер патента: US20030169115A1. Автор: Jung-eun Lee,Jeong-won Lee,Gea-Ok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-11.

Tuner tuning circuit

Номер патента: KR970047721U. Автор: 김용정. Владелец: 엘지전자부품주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Automatic control of coupling between input tuned circuits to vary attenuation and selectivity

Номер патента: US2947859A. Автор: Angus A Macdonald. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1960-08-02.

Double tuning circuit of tuner

Номер патента: KR100350092B1. Автор: 야마모토아키라,야마모토마사키. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-08-24.

TUNING CIRCUIT FOR A MULTI-BAND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: AT386309B. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-08-10.

Television tuner's intermediate frequency tuning circuit capable of receiving FM Broadcast signals

Номер патента: EP1158675A3. Автор: Masaki c/o Alps Electric Co. Ltd Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-29.

Electronic tuning circuit

Номер патента: JPS54115045A. Автор: Sadahiko Yamashita,Mitsuo Saito,Mitsuo Makimoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-09-07.

Antenna tuning circuit, antenna assembly and mobile terminal

Номер патента: CN108183331A. Автор: 伏奎,杨怀. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2018-06-19.

Frequency tuning circuit

Номер патента: JPS6079832A. Автор: Yoshio Hamada,浜田　芳男. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1985-05-07.

Combined band switching and tuning circuit for TV tuner - has variable-capacitance diode also constructed as zener diode to control point at which capacitance variation is effective

Номер патента: DE2759216A1. Автор: Guenter Dipl Ing Kroll. Владелец: Philips Patentverwaltung GmbH. Дата публикации: 1979-07-12.

Transistorised tuned-circuit invertor

Номер патента: DE3429773A1. Автор: Otto 7750 Konstanz Kreutzer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-02-20.

Tuner's RF inter-stage tuning circuit

Номер патента: KR900005833U. Автор: 김동원. Владелец: 삼성전기 주식회사. Дата публикации: 1990-03-09.

Device with variable self-induction for - tuned circuits in automatically controlled

Номер патента: NL6913340A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1971-03-03.

Antenna tuning circuit, method for tuning an antenna, antenna arrangement and method for operating the same

Номер патента: US10714832B2. Автор: Winfried Bakalski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-07-14.

Compact electric filter has first capacitor connecting tuning circuit to conductor in which damping and compensation are being carried, bypass capacitor connected in parallel with tuning branch

Номер патента: DE10309199A1. Автор: Thomas Westerweller,Frank Schettler,Norbert Christl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-09-23.

Gm-C tuning circuit with filter configuration

Номер патента: US6538498B2. Автор: Kyeongho Lee,Deog-Kyoon Jeong. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-25.

TV receiver with tuning circuit - has mixer oscillator and generator outputs connected through detector to counter

Номер патента: FR2274182A1. Автор: . Владелец: Magnavox Co. Дата публикации: 1976-01-02.

Channel selector for controlling a tuning circuit

Номер патента: DE2415468C2. Автор: Hisao Yokohama Kanagawa Okada,Shigetoshi Tokyo Murakami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1983-10-20.

Antenna tuning circuit, antena apparatus and mobile terminal

Номер патента: WO2019114622A1. Автор: 杨怀. Владелец: Oppo广东移动通信有限公司. Дата публикации: 2019-06-20.

Tuning circuit

Номер патента: CN102326331B. Автор: 尼古拉斯·索尔宁,约翰·卢卡斯·格藤巴赫,蒂莫西·约翰·牛顿,奥利弗·乔治·西尔顿·梅奇,迈克尔·约翰·斯托里. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

Double tuning circuit of TV tuner

Номер патента: JP3273535B2. Автор: 正志 鈴木,武男 鈴木,正喜 山本,康晴 工藤. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-08.

Electronic tuning circuit

Номер патента: KR880008856U. Автор: 다까가쯔 모리아이. Владелец: 가부시기가이샤 도시바. Дата публикации: 1988-06-30.

Termination impedance tuning circuit

Номер патента: US6982610B2. Автор: Aruna Govind. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-01-03.

Tuning circuit for inductor capacitor (LC) tank digitally controlled oscillator

Номер патента: US8299862B1. Автор: Luca Fanori,Fernando De Bernardinis,Antonio Liscidini. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Automatic fine tuning circuit

Номер патента: AU4562879A. Автор: Masaharu Tokuhara,Masayuki Hongu,Shigeru Ohmuro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-10-04.

Improvements to silent tuning circuits

Номер патента: FR1307425A. Автор: . Владелец: Compagnie Francaise Thomson Houston SA. Дата публикации: 1962-10-26.

Double tuning circuit of tuner

Номер патента: KR100362451B1. Автор: 야마모토아키라,야마모토마사키. Владелец: 알프스 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-11-23.

Method and receiver with a tuning circuit for adjusting a transmitter

Номер патента: DE3200751A1. Автор: Werner Ing.grad. 3051 Hohnhorst Henze. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1983-07-21.

Printed bandpass filter for dual mix tuning circuit

Номер патента: DE60333879D1. Автор: Ramon A Gomez,Carl W Pobanz,Lawrence M Burns,Sung-Hsien Chang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

UHF-VHF tuning circuit with range switching

Номер патента: DE1616297B2. Автор: Albert Vincennes Habian (Frankreich). Владелец: OREGA ELECTRONIQUE ET MECANIQUE VINCENNES (FRANKREICH). Дата публикации: 1980-04-17.

Potentiometer frequency adjustment of a tuned circuit

Номер патента: US3403361A. Автор: Winfield R Koch. Владелец: Navy Usa. Дата публикации: 1968-09-24.

Automatic tuning circuit

Номер патента: KR870011449U. Автор: 이원호. Владелец: 주식회사 금성사. Дата публикации: 1987-07-16.

Tuning Circuit in Tuner

Номер патента: KR101693853B1. Автор: 박정권. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2017-01-17.

High-resolution digitally controlled tuning circuit elements

Номер патента: US20090184749A1. Автор: Hong-Yean Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Tuning circuit and method for wireless power transfer systems

Номер патента: EP2873132B1. Автор: Jonathan Beaver,Michael Kissin,Nicholas A. KEELING. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-28.

PRECISE AUTOMATIC TUNING CIRCUIT

Номер патента: FR2440654A1. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1980-05-30.

Antenna tuning circuit, method for tuning an antenna, antenna arrangement and method for operating the same

Номер патента: KR101667847B1. Автор: 빈프라이드 바칼스키. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2016-10-19.

RECEIVER INCLUDING A TUNING CIRCUIT WITH TRANSMISSION SEARCHER

Номер патента: FR2287825A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1976-05-07.

Tuning circuit for radio receivers Process for receiving radio signals in multiple bands of radio signals and radio receiver

Номер патента: BR9700779A. Автор: John Francis Kennedy,Yao Hsien Kuo,Edmund Joe Ii Tillo. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1998-10-06.

Voltage control type tuning circuit

Номер патента: JPS57111115A. Автор: Susumu Honda,Seiji Hirata,Shigeharu Watanabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-10.

Tuning circuit for electronic tuner

Номер патента: JPS55147026A. Автор: Hiroyuki Inukai. Владелец: Gen Co Ltd. Дата публикации: 1980-11-15.

Reflective microstrip tuning circuit

Номер патента: EP3987607B1. Автор: Gary I. MOORE. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-05-24.

High frequency tuned circuits

Номер патента: US2212839A. Автор: Lett Frederic Tom. Владелец: EMI Ltd. Дата публикации: 1940-08-27.

High-resolution digitally controlled tuning circuit elements

Номер патента: TW200947859A. Автор: Hong-Yean Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-11-16.

Temperature compensated tuned circuit

Номер патента: US2371790A. Автор: John F Bell. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1945-03-20.

Bandswitichable double tuned circuit

Номер патента: AU2001250546A1. Автор: Takashi Maruyama,Paul Jeffrey-Read. Владелец: Alps Electric UK Ltd. Дата публикации: 2001-11-12.

Clock matching tune circuit

Номер патента: US20230421102A1. Автор: Dirk Preikszat,Gebhard Haug. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Clock matching tune circuit

Номер патента: US11967933B2. Автор: Dirk Preikszat,Gebhard Haug. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Tuning circuit

Номер патента: US2763843A. Автор: Cushman Norton. Владелец: Sprague Electric Co. Дата публикации: 1956-09-18.

Multirange tuning circuit

Номер патента: US2623995A. Автор: Gialluly Elie Marcel Scemam De. Владелец: Individual. Дата публикации: 1952-12-30.

Tuning circuit and method thereof

Номер патента: TW201004142A. Автор: Hong-Yean Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-01-16.

Band spread tuning circuit

Номер патента: US2507582A. Автор: Christian F Weiland. Владелец: Individual. Дата публикации: 1950-05-16.

Tuning circuit for transconductors and related method

Номер патента: TW200718005A. Автор: Chih-Chang Chien. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2007-05-01.

Double-tuned circuit

Номер патента: EP2141807B1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8854896B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9165655B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150016190A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11742014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor Device and Electronic Device

Номер патента: US20170060217A1. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09825526B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09501119B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device, electronic device, and semiconductor wafer

Номер патента: US09953695B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20220385284A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance

Номер патента: US09747966B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230386544A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472263B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device

Номер патента: US20170271516A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Memory devices, methods of manufacturing the same, and methods of accessing the same

Номер патента: US09735287B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230320101A1. Автор: Yukio Hayakawa,Bongyong Lee,Hyunmog Park,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20240265969A1. Автор: Richard J. Huang,Fu-Chang Hsu,I-Wei Huang,Jui-Hsin Chang,Re-Peng Tsay,Chiahaur Chang. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

SRAM read preferred bit cell with write assist circuit

Номер патента: US09583178B2. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device having a memory string that includes a transistor having a charge stored therein to indicate the memory string is defective

Номер патента: US09685232B2. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240130108A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Sang-Woon Lee,Euichul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

High coupling ratio split gate memory cell

Номер патента: US20190057970A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-21.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US12022659B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Device comprising a plurality of fdsoi static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US20160343428A1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Sram read preferred bit cell with write assist circuit

Номер патента: US20140036578A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Sram read preferred bit cell with write assist circuit

Номер патента: WO2014022565A1. Автор: Bin Yang,Seong-Ook Jung,Choh fei Yeap,Younghwi Yang. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09991887B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Device comprising a plurality of FDSOI static random-access memory bitcells and method of operation thereof

Номер патента: US09490007B1. Автор: Michael Otto,Germain Bossu,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Back Biasing of FD-SOI Circuit Block

Номер патента: US20220020741A1. Автор: XU Chang,Liang Wang,Javier A. Delacruz,Kenneth Duong,David Edward Fisch. Владелец: Xcelsis Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

Номер патента: US11785778B2. Автор: Chi-Jen Lin,Darsen Duane Lu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-10.

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

Номер патента: US20220278129A1. Автор: Chi-Jen Lin,Darsen Duane Lu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-09-01.

Method and apparatus for measuring the barrier height distribution in an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US5612628A. Автор: Davorin Babic,Edward H. Nicollian,John C. Lofgren. Владелец: University of North Carolina System. Дата публикации: 1997-03-18.

Memory circuit comprising a plurality of 1T1R memory cells

Номер патента: US12033696B2. Автор: Laurent Grenouillet,Carlo Cagli,Olivier Billoint. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory cell

Номер патента: US09905565B1. Автор: Pascal Fonteneau,Hassan El Dirani,Yohann Solaro. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-02-27.

Shift register circuit

Номер патента: US09548133B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20200373302A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20070201261A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US7787285B2. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Independent-gate controlled asymmetrical memory cell and memory using the cell

Номер патента: US20080278992A1. Автор: Jae-Joon Kim,Keunwoo Kim,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Memory device

Номер патента: US12082391B2. Автор: Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Switch Device and Hard Disk Device

Номер патента: US20240322813A1. Автор: Takashige Miyashita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods, apparatus, and system for frequency doubler using a passive mixer for millimeter wave devices

Номер патента: US20190296720A1. Автор: Abdellatif Bellaouar,See Taur Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Apparatus and method for integrating self-test oscillator with injection locked buffer

Номер патента: US20200116823A1. Автор: Abdellatif Bellaouar,Arul Balasubramaniyan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Temperature Sensing for Integrated Circuits

Номер патента: US20180164163A1. Автор: Koushik De,Santosh Kumar Pandiri,Prasanth Kumar Krishna,Ankush Kumar Dubey. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Nanofluid sensor with real-time spatial sensing

Номер патента: US09733210B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Vorrichtung und verfahren zur integration eines selbsttestoszillators mit injektionssynchronisiertem puffer

Номер патента: DE102019213841A1. Автор: Abdellatif Bellaouar,Arul Balasubramaniyan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Nanofluid sensor with real-time spatial sensing

Номер патента: US10605768B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

System and method for independent power sequencing of integrated circuits

Номер патента: AU5779700A. Автор: Agnes N. Woo. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2001-01-31.

Back biased transistor and current source biasing

Номер патента: US20150364382A1. Автор: Eric J. Lukes,Patrick L. Rosno,Dereje G. Yilma,Nghia V. Phan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Cmos output circuit

Номер патента: US20170338821A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-23.

Display apparatus and method of driving display using the same

Номер патента: US20210027713A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Soon-Dong Kim,Changnoh YOON,Jun Heyung JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device having a transistor with an oxide semiconductor layer between a first gate electrode and a second gate electrode

Номер патента: US09524993B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Monolithic qubit integrated circuits

Номер патента: US20220223722A1. Автор: Sorin Petre Voinigescu,Utku Alakusu,Shai Bonen,Ming-Jia Mecca Gong,Lucy Wu. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2022-07-14.

Quantum dot devices with fins

Номер патента: US20230263076A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Van H. Le,Jeanette M. Roberts,Zachary R. Yoscovits. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20230267864A1. Автор: Hae-Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20210027683A1. Автор: Hae-Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20200402464A1. Автор: Hae-Kwan Seo,Wontae Kim,Taehoon Kim,Sunghoon BANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Pixel structure of organic light emitting diode display device for improving image quality during low frequency driving

Номер патента: US12002419B2. Автор: Keunwoo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20240321205A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Susumu Kawashima,Yutaka Okazaki,Yuki Okamoto,Hidetomo Kobayashi,Munehiro KOZUMA,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US11037498B2. Автор: Hae-Kwan Seo,Wontae Kim,Taehoon Kim,Sunghoon BANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Display device and method of driving the same

Номер патента: US20230402008A1. Автор: Dong-Hoon Lee,Jangmi KANG,Byungchang Yu,Myunghoon PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Array substrate, display device and driving method thereof

Номер патента: US20220157268A1. Автор: Tatsuya Ishii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Array substrate, display device and driving method thereof

Номер патента: US11823636B2. Автор: Tatsuya Ishii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Pixel of organic light emitting diode display device, and organic light emitting diode display device

Номер патента: EP4036904A1. Автор: Keunwoo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Organic thin film transistor

Номер патента: US20240008294A1. Автор: Beverley Brown,Simon Ogier,Chia-Hung Tsai,Dan Sharkey,Alejandro CARRERAS. Владелец: Smartkem Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Organic thin film transistor

Номер патента: EP4244909A1. Автор: Beverley Brown,Simon Ogier,Chia-Hung Tsai,Dan Sharkey,Alejandro CARRERAS. Владелец: Smartkem Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Pixel and display device including the same

Номер патента: US12136383B2. Автор: Donghyun Kim,Su Jin Kim,Chulkyu Kang,Seon-Kyoon Mok. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Display device

Номер патента: US12100353B2. Автор: Tamotsu Sakai. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Amplitude regulator for crystal oscillator

Номер патента: WO2022106649A9. Автор: Hsin-Ta Wu. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2023-06-08.

Amplitude regulator for crystal oscillator

Номер патента: US20240022210A1. Автор: Hsin-Ta Wu. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-01-18.

Voltage generation circuit for selectively generating high and negative voltages on one node

Номер патента: US20030146741A1. Автор: Toru Endo,Shoichiro Kawashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-07.

Transistor and electronic device

Номер патента: US09882064B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

MOSFET and method for manufacturing the same

Номер патента: US09633854B2. Автор: Miao Xu,Huilong Zhu,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355833A1. Автор: Seiichi Yoneda,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile floating gate analog memory cell

Номер патента: WO2010046922A3. Автор: Dinesh Kumar Sharma,Ramgopal Rao,Mayank Shrivatsava,Baghini Maryam Shojaei. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY, BOMBAY. Дата публикации: 2010-12-09.

Junction field effect transistors in germanium and silicon-germanium alloys and method for making and using

Номер патента: WO2008134148A1. Автор: Weimin Zhang,Yujie Liu,Madhukar B. Vora,Ashok Kumar Kapoor,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-06.

Transmission gate

Номер патента: US20020053941A1. Автор: Masanori Kinugasa,Hiroshi Shigehara,Toshinobu Hisamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Komplementärer Metalloxidhalbleiter (CMOS) - Schaltkreis, Verfahren zur Herstellung eines komplementären Metalloxidhalbleiter (CMOS) - Schaltkreises

Номер патента: DE112021006261B4. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

DC/DC converter, power supply circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09543835B2. Автор: Kei Takahashi,Masato Ishii,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Delay cell circuits

Номер патента: WO2021228889A1. Автор: Cole NIELSEN. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP4255148A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Common-mode feedback

Номер патента: WO2022063849A1. Автор: Dominik PRZYBOROWSKI. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-03-31.

Common-mode feedback

Номер патента: US20230387874A1. Автор: Dominik PRZYBOROWSKI. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2023-11-30.

Back-plane for semiconductor device

Номер патента: US6281551B1. Автор: Sandip Tiwari,Kevin Kok Chan,Paul Michael Solomon,Erin Catherine Jones,Christopher Peter D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09991171B1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Load driving device

Номер патента: US09762053B2. Автор: Akihiro Nakahara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20130181296A1. Автор: Koji Shirai,Toshihiro Sakamoto,Tsuyoshi Hirayu,Ken INADUMI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Digitally controlled oscillator for a millimeter wave semiconductor device

Номер патента: US20190296751A1. Автор: Chi Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230320066A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hyungeun CHOI,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240334677A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Yoongi Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Tunable capacitor for FDSOI applications

Номер патента: US09748270B2. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Carbon nanotube vacuum transistors

Номер патента: US09680116B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Switch circuit

Номер патента: US20150054569A1. Автор: Makoto Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8350328B2. Автор: Takashi Ishigaki,Yusuke Morita,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-01-08.

Charge pump circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09837890B2. Автор: Kazunori Watanabe,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor arrangements and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09461113B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor arrangements and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09461068B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09406796B2. Автор: Katsushige Yamashita,Shigetaka Aoki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Charge pump circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09385592B2. Автор: Kazunori Watanabe,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Flash devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150171096A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007119389A1. Автор: Naohiro Ueda. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2007-10-25.

Buffer circuit

Номер патента: US20090146723A1. Автор: Katsuji Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09576948B2. Автор: Masahiro Inohara,Keita Takahashi,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09397088B2. Автор: Yoshitsugu Hirose,Koichi Shimazaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049116A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Graphene-based non-boolean logic circuits

Номер патента: US20150318856A1. Автор: Alexander Khitun,Alexander A. Balandin,Roger Lake. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2015-11-05.

Structure and method for dual-gate FET with SOI substrate

Номер патента: US7102181B1. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180269212A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Dual gate dynamic logic

Номер патента: US20060290383A1. Автор: Keunwoo Kim,Kevin Nowka,Jente Kuang,Ching-Te Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Programmable Hysteresis Comparator

Номер патента: US20160126909A1. Автор: Sameer Vashishtha,Saiyid Mohammad Irshad Rizvi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-05-05.

Dual gate transistor keeper dynamic logic

Номер патента: US20090302894A1. Автор: Kevin John Nowka,Keunwoo Kim,Jente Benedict Kuang,Ching-Te Chuang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250181A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09859434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09472679B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Programmable hysteresis comparator

Номер патента: US09397622B2. Автор: Sameer Vashishtha,Saiyid Mohammad Irshad Rizvi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-07-19.

Three dimensional (3d) double gate semiconductor

Номер патента: EP4367722A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Analog switch circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240097678A1. Автор: Hayato ASANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit device with MOSFET limiter circuit

Номер патента: US8198688B2. Автор: Mototsugu Okushima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-12.

Three dimensional (3d) double gate semiconductor

Номер патента: WO2023283500A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-01-12.

High-Speed DAC

Номер патента: US20190363729A1. Автор: Koushik De,Pramod Kumar Chennoju. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Overvoltage protection circuit, connector, and semiconductor device

Номер патента: US20240297644A1. Автор: Tomoya Nishitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Überspannungsschutzschaltung, verbinder und halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102024105653A1. Автор: Tomoya Nishitani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230337438A1. Автор: Bongyong Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4266851A1. Автор: Bongyong Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292602A1. Автор: Sang Ho Lee,Moon Young Jeong,Yoon Gi HONG,Dong Soo WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Input current leakage correction for multi-channel LVDS front multiplexed repeaters

Номер патента: US20040178832A1. Автор: Hector Torres,Mark Morgan,Julie Hwang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Switch circuit and semiconductor switch, for battery-powered equipment

Номер патента: WO2000059093A1. Автор: Pieter G. Blanken,Franciscus A. C. M. Schoofs,Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09799666B2. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Imaging device and electronic device

Номер патента: US09685476B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yuki Okamoto,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: EP4307386A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240147706A1. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Seok-ho Shin,Seokhan Park,Joongchan SHIN,Keunui KIM,Eunsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for controlling an integrated circuit

Номер патента: US09479168B2. Автор: Philippe Roche,Jean-Philippe Noel,Bastien Giraud,Sylvain Clerc,Yvain Thonnart,Fady Abouzeid. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-25.

Improvements in or relating to oscillators employing field-effect transistors

Номер патента: GB1035851A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1966-07-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240023311A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Pseudo Butted Junction Structure for Back Plane Connection

Номер патента: US20130270642A1. Автор: Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11935899B2. Автор: Seiichi Yoneda,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Circuits and methods for leakage reduction in mos devices

Номер патента: US20240275375A1. Автор: Buddhika Abesingha. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Feldeffekttransistor(fet)-einheiten

Номер патента: DE112021006261T5. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Field effect transistor (FET) devices

Номер патента: GB2616798A. Автор: Ando Takashi,Vega Reinaldo,Adusumilli Praneet,CHI Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Field effect transistor (fet) devices

Номер патента: CA3192560A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Nonvolatile floating gate analog memory cell

Номер патента: US20110175154A1. Автор: Dinesh Kumar Sharma,Ramgopal Rao,Mayank Shrivatsava,Maryam Baghini. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2011-07-21.

3d memory cells and array architectures

Номер патента: US20230397396A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Schaltungen und verfahren zur verringerung von leckagen in mos-vorrichtungen

Номер патента: DE112022004793T5. Автор: Buddhika Abesingha. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09589948B2. Автор: Yuichiro Kitajima. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Glass shipping rack having removable front and/or rear gates

Номер патента: US5711429A. Автор: William J. Brown. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1998-01-27.

Tunable capacitor for fdsoi applications

Номер патента: US20170309643A1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240147692A1. Автор: Seungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device including vertical channel region

Номер патента: US20230320077A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Insulated-gate type device driving circuit

Номер патента: US09490793B2. Автор: Morio Iwamizu,Shinji YAMASHINA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Glass shipping rack having removable front and/or rear gates

Номер патента: CA2186276C. Автор: William J. Brown. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Silicon-on-insulator based radiation detection device and method

Номер патента: US20080093634A1. Автор: Edward Nowak,William Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Silicon-on-insulator based radiation detection device and method

Номер патента: US8106457B2. Автор: Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Silicon-on-insulator based radiation detection device and method

Номер патента: US20060244062A1. Автор: Edward Nowak,William Clark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Method to control device threshold of SOI MOSFET's

Номер патента: US6812527B2. Автор: Hussein I. Hanafi,Robert H. Dennard,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Method to control device threshold of SOI MOSFET'S

Номер патента: US20040046207A1. Автор: Wilfried Haensch,Robert Dennard,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US8779523B2. Автор: Koji Shirai,Toshihiro Sakamoto,Tsuyoshi Hirayu,Ken INADUMI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Switch circuit, variable capacitor circuit and IC of the same

Номер патента: US7944268B2. Автор: Taiwa Okanobu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor integrated circuit device and frequency modulation device

Номер патента: US7474139B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-06.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09520873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Tunable capacitor for fdsoi applications

Номер патента: US20160379993A1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Carbon Nanotube Vacuum Transistors

Номер патента: US20170250359A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Carbon Nanotube Vacuum Transistors

Номер патента: US20170062743A1. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Halbleiterbauelement

Номер патента: DE10210662B4. Автор: Masaru Saito,Akio Kitamura,Naoto Fujishima,Gen Tada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-31.

Low voltage DMOS transistor

Номер патента: US5825065A. Автор: Marco Corsi,Louis N. Hutter,John P. Erdeljac. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-10-20.

Power supply switching circuit and electronic device

Номер патента: US10454471B2. Автор: Hiroshi Kiya,Hiroaki Nomizo,Nobuyuki Oikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150380546A1. Автор: Masahiro Inohara,Keita Takahashi,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Transistor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120168865A1. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-05.

Display device

Номер патента: US20220093679A1. Автор: Hyun Wook Lee,Su Min CHOI,Sung Won JO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Amplifier circuit, cmos inverter amplifier circuit, comparator circuit, delta-sigma analog-to-digital converter, and semiconductor device

Номер патента: US20160013763A1. Автор: Hiroyuki Ito,Noboru Ishihara,Kazuya Masu,Kazuki TOMIMATSU. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2016-01-14.

Side-gate defined tunable nanoconstriction in double-gated graphene multilayers

Номер патента: US20130328017A1. Автор: Shu-Jen Han,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Lateral MOSFET

Номер патента: US5306938A. Автор: Koji Shirai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Side-gate defined tunable nanoconstriction in double-gated graphene multilayers

Номер патента: US20130330885A1. Автор: Shu-Jen Han,Ching-Tzu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

3d cell and array structures with parallel bit lines and source lines

Номер патента: WO2024186945A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Hsu Fu Chang. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device comprising various thin-film transistors

Номер патента: US11929437B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190103408A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240290791A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Hideki Makiyama,Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Floating body memory cell having gates favoring different conductivity type regions

Номер патента: US09786667B2. Автор: Uygar E. Avci,David Kencke,Peter L. D. Chang,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Floating body memory cell having gates favoring different conductivity type regions

Номер патента: US09520399B2. Автор: Uygar E. Avci,David Kencke,Peter L. D. Chang,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Floating body memory cell having gates favoring different conductivity type regions

Номер патента: US09418997B2. Автор: Uygar E. Avci,David Kencke,Peter L. D. Chang,Ibrahim Ban. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: EP4044255A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Back bias control for always-on circuit section enabling leakage reduction during power saving mode

Номер патента: US11979145B1. Автор: Mahbub Rashed,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Protecting an integrated circuit from the drilling of a source and/or drain contact

Номер патента: US20210020663A1. Автор: Philippe Galy,Thomas Bedecarrats. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2021-01-21.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR WITH A MAJORITY CARRIER ACCUMULATION LAYER AS A SUBCOLLECTOR FOR SOI BiCMOS WITH REDUCED BURIED OXIDE THICKNESS FOR LOW-SUBSTRATE BIAS OPERATION

Номер патента: US20080261371A1. Автор: Qiging Ouyang,Mahender Kumar,Christopher D. Sheraw,Herbert L. Ho,Paul A. Papworth,Michael D. Steigerwalt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Backing gate for animal race

Номер патента: NZ228063A. Автор: John Alexander Moore. Владелец: John Alexander Moore. Дата публикации: 1990-07-26.

LOW COST FABRICATION OF DOUBLE BOX BACK GATE SILICON-ON-INSULATOR WAFERS WITH SUBSEQUENT SELF ALIGNED SHALLOW TRENCH ISOLATION

Номер патента: US20120112309A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

IMAGE SENSOR PIXELS WITH BACK-GATE-MODULATED VERTICAL TRANSISTOR

Номер патента: US20120175497A1. Автор: Hynecek Jaroslav. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

GaN HEMTs with a Back Gate Connected to the Source

Номер патента: US20120211800A1. Автор: Boutros Karim S. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2012-08-23.

DUAL-DEPTH SELF-ALIGNED ISOLATION STRUCTURE FOR A BACK GATE ELECTRODE

Номер патента: US20120256260A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

ETSOI CMOS with Back Gates

Номер патента: US20120299105A1. Автор: Khakifirooz Ali,Cai Jin,Dennard Robert H.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

ETSOI CMOS With Back Gates

Номер патента: US20130005095A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

BACK GATE TRIGGERED SILICON CONTROLLED RECTIFIERS

Номер патента: US20130134477A1. Автор: Gauthier,JR. Robert J.,Li Junjun. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING BACK GATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130140612A1. Автор: Park Byung-Gook,Sun Min-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

Method and Structure For Forming ETSOI Capacitors, Diodes, Resistors and Back Gate Contacts

Номер патента: US20130146953A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-13.

Integrated Circuit Having Back Gating, Improved Isolation And Reduced Well Resistance And Method To Fabricate Same

Номер патента: US20130175661A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,Cai Jin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Structure and method to improve etsoi mosfets with back gate

Номер патента: US20130249002A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kulkarni Pranita,HARAN BALASUBRAMANIAN S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-26.

EXTREMELY THIN SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR WITH BACK GATE CONTACT

Номер патента: US20140103436A1. Автор: Bedell Stephen W.,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

EXTREMELY THIN SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR WITH BACK GATE CONTACT

Номер патента: US20140103533A1. Автор: Bedell Stephen W.,Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

Back gate switching circuit, charge control device, electronic equipment

Номер патента: JP5150188B2. Автор: 英夫 原. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-02-20.

Back gate and basket for cart

Номер патента: USD684744S1. Автор: Ivor Michel Walter. Владелец: AMSA Inc. Дата публикации: 2013-06-18.

Silicon-on-insulator (SOI) device capable of restraining back gate leakage current caused by radiation and preparation method of SOI device

Номер патента: CN102938418A. Автор: 张兴,黄如,谭斐,安霞,武唯康,黄良喜. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-02-20.

Back gate

Номер патента: RU2416050C2. Автор: Анатолий Леонтьевич Шанаурин,Андрей Васильевич Гурьянов,Александр Васильевич Матвеев,Владимир Анатольевич Уфимцев,Анатолий Леонтьевич Шанаурин (RU),Александр Васильевич Матвеев (RU),Владимир Анатольевич Уфимцев (RU),Андрей Васильевич Гурьянов (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Армтехстрой". Дата публикации: 2011-04-10.

Compensating circuit for back gate effect

Номер патента: JPS5883406A. Автор: 康彦 藤田,Yasuhiko Fujita,Tetsuya Iida,哲也 飯田. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-19.

Device for automatic tuning circuit of patient at uhf-therary

Номер патента: RU2012379C1. Автор: Ю.В. Куликов,К.А. Викторов,О.И. Васильков,нченко А.С. Сто,А.С. Стоянченко,В.М. Червинский. Владелец: Акционерное общество "ВНИИМП-ВИТА". Дата публикации: 1994-05-15.

Resonance-tuned circuit

Номер патента: RU2107385C1. Автор: Юрий Сергеевич Макаров. Владелец: Юрий Сергеевич Макаров. Дата публикации: 1998-03-20.

Ultrahigh frequency tuning circuits, and tracking adjustments for such circuits

Номер патента: AU2212253A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1953-12-17.

Ultrahigh frequency tuning circuits, and tracking adjustments for such circuits

Номер патента: AU163834B2. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1953-12-17.

FREQUENCY TUNING CIRCUIT, PHASE-LOCKED LOOP CIRCUIT, COMMUNICATION APPARATUS, AND STORAGE APPARATUS

Номер патента: US20130051437A1. Автор: SAI Akihide. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-02-28.

IMPEDANCE TUNING CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130214812A1. Автор: Koo Kyung Hoi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-22.

Tracking adjusting circuit for tuning circuit

Номер патента: JPS6446312A. Автор: Tamaki Ohashi. Владелец: Nihon Technical Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-20.

Tuning circuits and superconducting integrated circuits using tunnel junction elements.

Номер патента: JP3820445B2. Автор: 佳徳 鵜澤,鎮 王. Владелец: National Institute of Information and Communications Technology. Дата публикации: 2006-09-13.

Tracking adjusting circuit in tuning circuit

Номер патента: JPS6439810A. Автор: Tamaki Ohashi. Владелец: Nihon Technical Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-10.

Circuit arrangements for controlling the tuning of tuned circuits

Номер патента: CA612264A. Автор: R. G. Mitchell Frank,T. Brown Thomas. Владелец: Frank R G Mitchell. Дата публикации: 1961-01-10.

Inductor, filter, tuning circuit, impedance matching circuit, and electronic device

Номер патента: CN115954192A. Автор: 金鹏,王大鹏,胡臻平,李男,周沫,李壮壮,杜玉欣,王家耀,刘婧迪. Владелец: Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Tuning circuit, integrated circuit applying the same, and signal filtering method

Номер патента: TWI344754B. Автор: Yeong Jar Chang,Shih Hsuan Hsu,May Show Chen. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2011-07-01.

Tuning circuit, integrated circuit applying the same, and signal filtering method

Номер патента: TW200941939A. Автор: Yeong-Jar Chang,Shih-Hsuan Hsu,May-Show Chen. Владелец: Faraday Tech Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Tuning circuit

Номер патента: JPS53105301A. Автор: Teruhisa Yoshizawa,Shigekichi Odagiri. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-09-13.

Temperature compensated tuned circuit

Номер патента: CA444564A. Автор: F. Bell John. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1947-10-14.

Concentric line tuned circuit

Номер патента: CA401671A. Автор: W. Conklin James. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1941-12-23.

Tuned circuits

Номер патента: AU502539A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1941-01-09.

Automatic fine-tuning circuit

Номер патента: AU2767071A. Автор: Koiner Ekkehard. Владелец: . Дата публикации: 1972-10-19.

Tuning device comprising at least two tuning circuits having an unequal range frequency

Номер патента: CA463588A. Автор: Antonius Spoor Theodorus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1950-03-07.

Tuning circuit of aerial amplifier

Номер патента: PL244715A1. Автор: Grzegorz Dowejko,Andrzej Duszynski,Wieslaw Ferens,Ryszard Janulis,Jozef Kryza,Jaroslaw Rufer. Владелец: Zaklady Radiowe Im M Kasprzaka. Дата публикации: 1985-06-04.

Improvements in feedback control arrangements for coupled tuned circuits

Номер патента: AU1290044A. Автор: Green Ernest. Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1944-02-18.

Tuned circuit and system therefor

Номер патента: AU121861B2. Автор: Van Braam Roberts Walter. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1947-06-05.

Radio receivers having means for rendering effective either fixedtuned or variably tuned circuits

Номер патента: AU109435B2. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1940-01-11.

Improvements in or relating to tuned circuit arrangements for radio transmitter-receivers

Номер патента: AU2075956A. Автор: Morgan Pannell William. Владелец: Pye Ltd. Дата публикации: 1957-02-21.

Improvements in or relating to aerial feed and aerial tuning circuit arrangements

Номер патента: AU110410B2. Автор: . Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1938-04-16.

Improvements in or relating to electrical tuning circuits

Номер патента: AU140494B2. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1947-07-31.

Tuning circuit for television receivers

Номер патента: CA551024A. Автор: W. Edens Jan,Broekema Heiko. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1957-12-31.

Feed-back control arrangement for coupled tuned circuits

Номер патента: CA451467A. Автор: Green Ernest. Владелец: Canadian Marconi Co. Дата публикации: 1948-09-28.

Tuning circuits for ultrashort waves

Номер патента: AU106553B2. Автор: . Владелец: Radtoaktienoesetxschaft D S Loewe. Дата публикации: 1939-02-16.

Ant tuning circuit

Номер патента: MXPA97008126A. Автор: Yamamoto Masaki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-12.

Improvements relating to tuned circuits ofthe concentric line or cavity resonator type

Номер патента: AU124007B2. Автор: Laverne Carlson Wendell. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1947-09-04.

Improvements relating to tuned circuits ofthe concentric line or cavity resonator type

Номер патента: AU1707844A. Автор: Laverne Carlson Wendell. Владелец: Amalgamated Wireless Australasia Ltd. Дата публикации: 1947-09-04.

Tuning circuits for ultrashort waves

Номер патента: AU54738A. Автор: . Владелец: Radtoaktienoesetxschaft D S Loewe. Дата публикации: 1939-02-16.

Radio receivers having means for rendering effective either fixedtuned or variably tuned circuits

Номер патента: AU571638A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1940-01-11.

Improvements in or relating to tuning devices comprising atleast two tuning circuits having an unequal frequency range

Номер патента: AU1907948A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1948-04-15.

Improvements in or relating to tuning devices comprising atleast two tuning circuits having an unequal frequency range

Номер патента: AU138769B2. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1948-04-15.

Improvements in or relating to aerial feed and aerial tuning circuit arrangements

Номер патента: AU146938A. Автор: . Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1938-04-16.

Antenna coupling and tuning circuit

Номер патента: CA875179A. Автор: S. Manson Peter,Slavin Michael. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1971-07-06.

Socket and tuned circuit assembly unit for radio apparatus

Номер патента: AU127032B2. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1948-03-18.

Dual mode tuning circuits

Номер патента: CA811307A. Автор: P. Arntsen Arnt. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-04-22.

Automatic transmitter selection and tuning circuit for receiving equipment ofthe communications art

Номер патента: AU4140268A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1970-02-05.

Automatic transmitter selection and tuning circuit for receiving equipment ofthe communications art

Номер патента: AU427863B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1970-02-05.

Low frequency drift variable tuned circuit

Номер патента: CA454897A. Автор: F. Bell John. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1949-03-01.

Improvements in tuned circuits employing negative resistance devices or generating oscillations or reducing damping

Номер патента: AU120382B2. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1945-10-04.

Improvements in or relating to tuned circuit arrangements ofthe concentric resonant line type

Номер патента: AU111370B2. Автор: Erik Lindenblad Nils. Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1996-04-11.

Tuned circuits employing resonant gases as frequency-selective elements

Номер патента: CA552848A. Автор: H. Townes Charles. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1958-02-04.

Device for finely adjusting tuning frequency for tuning circuit

Номер патента: JPS5293202A. Автор: Hajime Yashita,Tomotaka Haezuka. Владелец: Torio KK. Дата публикации: 1977-08-05.

Improvements in or relating to tuning circuits for receivers operating onthe superheterodyne principle

Номер патента: AU5426759A. Автор: Wigbold Edens and Heiko Broersma Jan. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-05-05.

Improvements in or relating to tuning circuits for receivers operating onthe superheterodyne principle

Номер патента: AU244893B2. Автор: Wigbold Edens and Heiko Broersma Jan. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-05-05.

Improvements in tuned circuits employing negative resistance devices or generating oscillations or reducing damping

Номер патента: AU1209043A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1945-10-04.

Socket and tuned circuit assembly unit for radio apparatus

Номер патента: AU1025947A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1948-03-18.

Method of adjusting tuned circuits

Номер патента: CA879296A. Автор: L. Weber Roger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-08-24.

Temperature compensating means for a tuned circuit

Номер патента: CA584666A. Автор: J. Icenbice Phines. Владелец: Collins Radio Co. Дата публикации: 1959-10-06.

Means for preventing de-tuning of tuned circuit during standby

Номер патента: CA799617A. Автор: R. Buehler Ervin. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1968-11-19.

Selective loading of tuned circuits

Номер патента: AU132213B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2001-07-11.

Constant bandwidth capacitivelyy tuned circuits

Номер патента: CA874053A. Автор: K. Von Fange Eugene. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-06-22.

Fine-tuning circuit for the winding voltage of transformer

Номер патента: TW200737234A. Автор: Matthew Cheung. Владелец: Pi Internat Ltd. Дата публикации: 2007-10-01.

Remotely Located Tuning Circuits for Multi-Frequency, Multi-Purpose Induction Antennae in Downhole Tools

Номер патента: US20120032868A1. Автор: Wang Tsili,Fang Sheng,Signorelli John,Bell Samuel,Chemali Roland Edward. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-02-09.

Tuning Circuit For Pivotal Antenna

Номер патента: US20120068783A1. Автор: . Владелец: ADVANCED CONNECTEK, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Tuning Circuit

Номер патента: US20120268228A1. Автор: . Владелец: Cambridge Silicon Radio Limited. Дата публикации: 2012-10-25.

WIDE BANDWIDTH AUTOMATIC TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20130009720A1. Автор: . Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2013-01-10.

WIDE BANDWIDTH AUTOMATIC TUNING CIRCUIT

Номер патента: US20130009722A1. Автор: White Carson R.,Colburn Joseph S.,Yung Michael W.,Hitko Donald A.. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2013-01-10.

TESTING TUNED CIRCUITS

Номер патента: US20140024919A1. Автор: Metzenthen Bill. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

Extra-high frequency electronic tuning circuit

Номер патента: JPS5257701A. Автор: Sadahiko Yamashita,Mitsuo Makimoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-12.

Device for measuring tuned-circuit q-factor

Номер патента: SU1153303A1. Автор: Владимир Александрович Тукай,Алексей Геннадьевич Варакомский,Владимир Валерьевич Рыжаков. Владелец: Предприятие П/Я Г-4493. Дата публикации: 1985-04-30.

Antenna automatic tuning circuit

Номер патента: JPH01115225A. Автор: Hiroshi Yoshizawa,浩 吉沢. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-08.

Frequency tuning circuit

Номер патента: JP2913683B2. Автор: 等 河野,敦 奥野,満弘 林. Владелец: Shinko Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-28.

Device for automatic control of aerial tuned circuit

Номер патента: SU1062857A1. Автор: Александр Алексеевич Семенов,Борис Николаевич Михайлов,Анатолий Ильич Пенязь. Владелец: Предприятие П/Я Р-6721. Дата публикации: 1983-12-23.

Variable tuning circuit

Номер патента: JPS548401A. Автор: Toshio Nagashima,Shigeo Matsuura,Mitsuhisa Shinagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-01-22.

Method of measuring tuned-circuit q-factor

Номер патента: SU1406524A1. Автор: Александр Александрович Манин,Андрей Алексеевич Михайленко,Владимир Николаевич Колесов. Владелец: Сибирский государственный научно-исследовательский институт метрологии. Дата публикации: 1988-06-30.

Tuning circuit for uhf tuner

Номер патента: JPS5575334A. Автор: Takeshi Saito,Toshio Nagashima,Hiroshi Hatashita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-06.

Device for automatic measurement of tuned-circuit parameters

Номер патента: SU1406525A1. Автор: Владимир Лукич Свирид. Владелец: Минский радиотехнический институт. Дата публикации: 1988-06-30.

Channel Auto Tuning Circuit by Region

Номер патента: KR19980057863U. Автор: 김동성. Владелец: 배순훈. Дата публикации: 1998-10-15.

High frequency tuning circuit

Номер патента: JPS5840935A. Автор: Seiichi Kotani,小谷　清一. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 1983-03-10.

Device for measuring tuned circuit quality factor

Номер патента: SU892351A1. Автор: Николай Петрович Шалейко,Виктор Викторович Молочников. Владелец: Предприятие П/Я Г-4493. Дата публикации: 1981-12-23.

Variable tuning circuit

Номер патента: JPS546402A. Автор: Toshio Nagashima,Shigeo Matsuura,Mitsuhisa Shinagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-01-18.

Tuning circuit with extended tuning band

Номер патента: KR970060007U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-11-10.

Device for automatic frequency control of aerial tuned circuit

Номер патента: SU1298860A1. Автор: Александр Алексеевич Семенов,Виктор Сергеевич Антоненков,Анатолий Ильич Пенязь. Владелец: Предприятие П/Я Р-6721. Дата публикации: 1987-03-23.

Method of measuring resonance tuned circuit natural frequency

Номер патента: SU1128197A1. Автор: Николай Данилович Бирюк. Владелец: Воронежский Ордена Ленина Государственный Университет Им.Ленинского Комсомола. Дата публикации: 1984-12-07.

Frequency tuning circuit

Номер патента: JP2867452B2. Автор: 等 河野,敦 奥野,満弘 林. Владелец: Shinko Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-08.

Automatic fine-tuning circuit for band-gap reference

Номер патента: CN103488229A. Автор: 李泽宏,曾智,刘广涛,吴明进. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-01-01.

Tuning circuit between vhf/uhf switching stages

Номер патента: JPS5489501A. Автор: Fumio Ishikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1979-07-16.

Tuner's single phase double tuning circuit

Номер патента: KR970011441U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-03-29.

VH band input tuning circuit of tuner

Номер патента: KR980006834A. Автор: 김현진. Владелец: 삼성전기 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Antenna tuning circuit

Номер патента: JP5657945B2. Автор: 秀次 古田,健 奥出. Владелец: Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-21.

Antenna fine tuning circuit

Номер патента: KR980005541U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-03-30.

Digital frequency tuning circuit

Номер патента: JPS63300617A. Автор: 秀樹 佐藤,Hideki Sato,Fumio Goto,後藤　文雄. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-12-07.

Improved integrated oscillators and tuning circuits

Номер патента: TW565993B. Автор: Zeul Paul T M Van. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2003-12-11.

Band step filter with tuned circuits in intermediate frequency amplifiers in transistors receivers (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

Номер патента: ES275718A1. Автор: . Владелец: Goldberg SA. Дата публикации: 1962-10-16.

Tuning circuit

Номер патента: JP3149378B2. Автор: 繁 畑田. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 2001-03-26.

Tuner's Input Tuning Circuit

Номер патента: KR950010330U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-04-24.

Intermediate Frequency Tuning Circuit

Номер патента: KR960009427U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-03-16.

Tuning circuit

Номер патента: JP3118411B2. Автор: 幸男 鈴木,繁 畑田,昭洋 古賀. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 2000-12-18.

Double tuning circuit

Номер патента: JP3136050B2. Автор: 幸広 大西. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-19.

Tuning circuit

Номер патента: JPS62154809A. Автор: Hideki Hayashi,林　秀喜. Владелец: Toyo Electric Manufacturing Ltd. Дата публикации: 1987-07-09.

Tuning circuit for position indicator

Номер патента: JPS642121A. Автор: Tsugunari Yamanami,Toshiaki Senda,Toshihide Chikami. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-06.

Electronic tuning circuit

Номер патента: JPS5258301A. Автор: Sadahiko Yamashita,Mitsuo Makimoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-13.

Device for preliminary adjusting of tuned circuit of induction furnace

Номер патента: SU1066042A1. Автор: Михаил Юрьевич Лившиц,Юрий Николаевич Бойков,Геннадий Николаевич Рогачев,Владимир Михайлович Курчаткин,Азарий Лейбович Сквирчак. Владелец: Куйбышевский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт им.В.В.Куйбышева. Дата публикации: 1984-01-07.

Tuned circuit arrangements

Номер патента: CA855854A. Автор: S. Marshall Richard,S. Summers Allan. Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1970-11-10.

Tuner double-tuned circuit

Номер патента: JP4014772B2. Автор: 亮 山本,正喜 山本. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Automatic tuning circuit

Номер патента: JP3070987B2. Автор: 久雄 石井. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-31.

Method for fine tuning circuit and controlling impedance with laser process

Номер патента: TWI274618B. Автор: Yi-Hsi Chen,Chih-Chuan Lin. Владелец: Apac Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Tuning circuit for a receiving device operating according to the superimposition principle

Номер патента: AT213978B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1961-03-10.

Microstrip line tuning circuit and base station antenna

Номер патента: CN210926339U. Автор: 杨华,丁文,丁元良. Владелец: Guangdong Shenglu Telecommunication Tech Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-03.

Magnetic sensor having tuning circuit

Номер патента: JP2000329858A. Автор: Kazuyuki Matsuda,和幸 松田. Владелец: Sun Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-30.

Electronic tuner tuning circuit

Номер патента: JP2876709B2. Автор: 明 藤島,美秋 逸見. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-31.

Adjustment device for high-frequency tuning circuit

Номер патента: JP2753808B2. Автор: 義照 橋本. Владелец: Yaesu Musen Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-20.

Tuning circuit of transmitter

Номер патента: JPH0671207B2. Автор: 洋己 村上. Владелец: Fujitsu General Ltd. Дата публикации: 1994-09-07.

Automatic Tuning Circuit

Номер патента: KR950012726U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-05-17.

Double-tuned circuit

Номер патента: JPS5493901A. Автор: Takeshi Saito,Toshio Nagashima,Mitsuhisa Shinagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-07-25.

Improvements in band-spread tuning circuits for radio receivers

Номер патента: AU115086B2. Автор: . Владелец: Mullard Radio Valve Co Ltd. Дата публикации: 1942-05-14.

Tuning circuit of tuner

Номер патента: KR200234707Y1. Автор: 강성표. Владелец: 송재인. Дата публикации: 2001-10-25.

Dual tuning circuit

Номер патента: JPS61103308A. Автор: Takashi Oshima,Shigeru Sawada,孝 尾島,澤田　繁. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1986-05-21.

Antenna tuning circuit

Номер патента: JPH11234090A. Автор: Yoshihiro Sato,Masaki Yamamoto,義浩 佐藤,正喜 山本. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-27.

Tuning circuit and receiver

Номер патента: JP2003234642A. Автор: Takashi Sano,貴司 佐野. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-22.

Antenna tuning circuit

Номер патента: JPS5433607A. Автор: Kazuo Takayama. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 1979-03-12.

Tuning circuit of tuner

Номер патента: JPS54127601A. Автор: Tasuku Tate. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 1979-10-03.

Tuning circuit do

Номер патента: MXPA99000508A. Автор: Yamamoto Masaki,Sasaki Michinori. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-24.

Method for determining the resonant frequency of tuned circuits

Номер патента: CA837253A. Автор: H. Kramer George. Владелец: Dayton Electronic Products Co. Дата публикации: 1970-03-17.

Electronic switching of tuned circuits

Номер патента: CA908775A. Автор: W. Carter George. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-08-29.

Electronic switching of tuned circuits

Номер патента: CA911531A. Автор: W. Carter George. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-10-03.

Tuning circuit for radio transmitter

Номер патента: CA459140A. Автор: Mathieson Dodds John,Heywood Ludlow John. Владелец: Metropolitan Vickers Electrical Co Ltd. Дата публикации: 1949-08-23.

Automatic tuning circuit for radio receivers

Номер патента: AU2871149A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1949-09-15.

Automatic tuning circuit for radio receivers

Номер патента: AU149690B2. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1949-09-15.

Tuned circuit and system therefor

Номер патента: CA450321A. Автор: Van B. Roberts Walter. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1948-08-03.

Tuning circuit

Номер патента: JPS5460801A. Автор: Kazumi Kuwabara,Masashi Satou,Yasutaka Shimada. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-05-16.

Improvements in or relating to variable tuning circuits

Номер патента: AU1665853A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1953-05-14.

Improvements in or relating to variable tuning circuits

Номер патента: AU159000B2. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1953-05-14.

Tuning circuits for high frequency receivers

Номер патента: CA471292A. Автор: Joseph A. Worcester, Jr.. Владелец: Canadian General Electric Co Ltd. Дата публикации: 1951-02-06.

Radio tuning circuit

Номер патента: CA386615A. Автор: Ware Paul. Владелец: PR Mallory and Co Inc. Дата публикации: 1940-01-30.

High frequency tuned circuit

Номер патента: CA399499A. Автор: Tom Lett Frederick. Владелец: Electrical and Musical Industries Ltd. Дата публикации: 1941-09-23.

Tuned circuit for wireless receivers

Номер патента: CA437903A. Автор: Henry Cooper Arthur. Владелец: Electrical and Musical Industries Ltd. Дата публикации: 1946-11-12.

Selectivity device for tuned circuits

Номер патента: CA442033A. Автор: Frederick Goodenough Ernest. Владелец: Canadian Marconi Co. Дата публикации: 1947-06-10.

Tuned circuit coupling device

Номер патента: CA384592A. Автор: A. Schaper William. Владелец: Johnson Laboratories Inc. Дата публикации: 1939-10-10.

Automatic fine-tuning circuit

Номер патента: AU450345B2. Автор: Koiner Ekkehard. Владелец: . Дата публикации: 1972-10-19.

Tuned circuits

Номер патента: AU112140B2. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1941-01-09.

Radio tuning circuit

Номер патента: CA380849A. Автор: Jan Van Loon Carel. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1939-04-18.

Improvements in feedback control arrangements for coupled tuned circuits

Номер патента: AU121964B2. Автор: Green Ernest. Владелец: Marconis Wireless Telegraph Co Ltd. Дата публикации: 1944-02-18.

Broad band tuned circuit

Номер патента: CA597269A. Автор: R. Smith Harry,R. Taylor Allen. Владелец: STANDARD ELECTRONICS CORP. Дата публикации: 1960-05-03.

Tuning circuits for tuning to at least two separate frequency bands

Номер патента: CA833693A. Автор: J. Boomgaard Dirk. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1970-02-03.

Tuning control for multiple electronically tuned circuits

Номер патента: CA896730A. Автор: Goncharoff Nikolai,Y. Jabbar Kamil. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1972-03-28.

Tuning circuit for high frequency receivers

Номер патента: AU1533547A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1947-10-23.

Band-spread tuning circuit for radio receivers

Номер патента: CA439221A. Автор: Caplin Frank,Edward Payne Charles. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1947-01-14.

Device for automatically switching tuning system for electronic tuning circuit

Номер патента: JPS5315702A. Автор: Tokuji Negishi,Kouzou Miura. Владелец: Clarion Co Ltd. Дата публикации: 1978-02-14.

Improvements in or relating to electrical tuning circuits

Номер патента: AU1332047A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables Pty Ltd. Дата публикации: 1947-07-31.

Automatic tuning circuit

Номер патента: CA522380A. Автор: M. Bucksbaum Arnold. Владелец: Collins Radio Co. Дата публикации: 1956-03-06.

HIGH FREQUENCY SWITCH CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001676A1. Автор: IRAHA Tomoyuki,Maruyama Tatsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001952A1. Автор: Hasegawa Hideaki,Higuchi Koji,HIRAMA Atsushi. Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001954A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Miyake Hiroyuki,Toyotaka Kouhei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001955A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Miyake Hiroyuki,Toyotaka Kouhei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRA LOW-POWER CMOS BASED BIO-SENSOR CIRCUIT

Номер патента: US20120001614A1. Автор: Zafar Sufi,Bansal Aditya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: NZ784891A. Автор: KANDA Ryo. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.