Back-gated quantum well heterostructure.

Back-gated quantum well heterostructure

Номер патента: US11367786B1
Опубликовано: 21-06-2022
Автор(ы): Andrew S. PAN
Принадлежит: HRL LABORATORIES LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210091185A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2021055070A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4032127A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Techniques for forming contacts to quantum well transistors

Номер патента: US09704981B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Mantu K. Hudait,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Quantum well stack structures for quantum dot devices

Номер патента: WO2018057013A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Van H. Le,Jeanette M. Roberts,Zachary R. Yoscovits. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-03-29.

Uniaxially strained quantum well device and method of making same

Номер патента: EP2656390A2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-10-30.

Techniques for forming non-planar germanium quantum well devices

Номер патента: US09799759B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Been Y. Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-planar quantum well device having interfacial layer and method of forming same

Номер патента: US09786786B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Quantum well structure with self-aligned gate and method of making the same

Номер патента: US5548129A. Автор: Randall L. Kubena. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-08-20.

Quantum well stacks for quantum dot devices

Номер патента: WO2018111248A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Van H. Le,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Payam AMIN,Jessica M. TORRES. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-06-21.

Forming a non-planar transistor having a quantum well channel

Номер патента: US09806180B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Prashant Majhi,Wilman Tsai,Chi On Chui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Quantum well stacks for quantum dot devices

Номер патента: EP3724924A4. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Lester Lampert,Payam AMIN,Jessica M. TORRES. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Strained InGaAs Quantum Wells for Complementary Transistors

Номер патента: US20140264278A1. Автор: Brian R. Bennett,Theresa F. Chick,John Bradley Boos,James G. Champlain. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-09-18.

Strained InGaAs Quantum Wells for Complementary Transistors

Номер патента: US20150014745A1. Автор: Brian R. Bennett,Theresa F. Chick,John Bradley Boos,James G. Champlain. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-01-15.

TECHNIQUES FOR FORMING CONTACTS TO QUANTUM WELL TRANSISTORS

Номер патента: US20170309735A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Hudait Mantu K.,Chu-Kung Bejamin. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

METHOD FOR MAKING III-V NANOWIRE QUANTUM WELL TRANSISTOR

Номер патента: US20170179269A1. Автор: Xiao Deyuan,CHANG RICHARD R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Techniques for forming contacts to quantum well transistors

Номер патента: US9356099B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Mantu K. Hudait,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Techniques for forming contacts to quantum well transistors

Номер патента: WO2011087606A3. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Mantu K. Hudait,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-10-20.

Gate-all-around quantum well complementary inverter and method of making the same

Номер патента: US20200105750A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Dopant confinement in the delta doped layer using a dopant segregration barrier in quantum well structures

Номер патента: US20090298266A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Suman Datta,Mantu K. Hudait,Aaron A. Budrevich,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Multi-gate iii-v quantum well structures

Номер патента: EP2519968A2. Автор: Gilbert Dewey,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Titash Rakshit,Mathew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-11-07.

Quantum well fin-like field effect transistor (QWFinFET) having a two-section combo QW structure

Номер патента: US9263586B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chun-Hsiang FAN,Yung-Ta Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Multi-gate III-V quantum well structures

Номер патента: CN102714179A. Автор: R.皮拉里塞蒂,M.V.梅茨,G.德维,J.卡瓦列罗斯,N.穆克赫吉,M.拉多萨夫耶维奇,R.S.乔,U.沙,T.拉克施特. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Quantum Well Fin-Like Field Effect Transistor (QWFINFET) Having a Two-Section Combo QW Structure

Номер патента: US20160163843A1. Автор: HUANG Yu-Lien,Fan Chun-Hsiang,LI YUNG-TA. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Fin width measurement using quantum well structure

Номер патента: US09780212B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Germanium-based quantum well devices

Номер патента: US09876014B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Quantum-well-based semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: TWI469226B. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Robert Chau,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-01-11.

Quantum-well-based semiconductor devices

Номер патента: US20130337623A1. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Quantum well semiconductor device

Номер патента: JP5571193B2. Автор: デューイ，ギルバート,エス．チャウ，ロバート,ラドサヴリェヴィッチ，マルコ,ヴィー．メッツ，マシュー,ピラリセッティ，ラヴィ. Владелец: インテルコーポレイション. Дата публикации: 2014-08-13.

Scalable quantum well device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7915608B2. Автор: Geert Eneman,Marc Meuris,Geert Hellings. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-03-29.

Quantum-well-based semiconductor devices

Номер патента: US20110133168A1. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Scalable quantum well device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110140087A1. Автор: Geert Eneman,Marc Meuris,Geert Hellings. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for making III-V nanowire quantum well transistor

Номер патента: US09837517B2. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Non-planar germanium quantum well devices

Номер патента: KR101378661B1. Автор: 라비 필라리세티,잭 티 카발리에로스,윌리 라츠마디,우다이 사,벤자민 추-쿵,마르코 라도사블제빅,닐로이 머크허지,길버트 드웨이,빈 와이 진,로버트 에스 차우. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2014-03-26.

Techniques for forming non-planar germanium quantum well devices

Номер патента: US10236369B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Been Y. Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Non-planar quantum well device having interfacial layer and method of forming same

Номер патента: WO2012040681A2. Автор: Ravi Pillarisetty,Robert Chau,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-03-29.

Quantum well device, non-planar transistor and method

Номер патента: JP5474175B2. Автор: ピラリセッティ、ラヴィ,ハダイト、マンツ,ジン、ビーン−イー,チュ−クン、ベンジャミン,チャウ、ロバート. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-04-16.

Apparatus and methods for improving parallel conduction in a quantum well device

Номер патента: WO2010107571A2. Автор: Ravi Pillarisetty,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Been-Yih Jin,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-09-23.

Apparatus and methods for improving parallel conduction in a quantum well device

Номер патента: KR101302848B1. Автор: 라비 필라리세티,벤자민 추-쿵,로버트 차우,빈-이 진,만투 후다이트. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2013-09-02.

Strained stacked nanosheet FETS and/or quantum well stacked nanosheet

Номер патента: US9711414B2. Автор: Mark S. Rodder,Joon Goo Hong,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen,Ryan M. Hatcher. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-planar germanium quantum well devices

Номер патента: WO2011087570A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Been Y. Jin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-07-21.

Apparatus and methods for improving parallel conduction in a quantum well device

Номер патента: US20120032146A1. Автор: Ravi Pillarisetty,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Mantu Hudait,Been-Yin Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-09.

Apparatus and methods for improving parallel conduction in a quantum well device

Номер патента: US20130313520A1. Автор: Ravi Pillarisetty,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Been-Yih Jin,Mantu Hudait. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

NON-PLANAR QUANTUM WELL DEVICE HAVING INTERFACIAL LAYER AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20140110669A1. Автор: Rachmady Willy,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Le Van H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

QUANTUM WELL FIN-LIKE FIELD EFFECT TRANSISTOR (QWFINFET) HAVING A TWO-SECTION COMBO QW STRUCTURE

Номер патента: US20150357472A1. Автор: HUANG Yu-Lien,Fan Chun-Hsiang,LI YUNG-TA. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Non-planar quantum well device having interfacial layer and method of forming same

Номер патента: WO2012040681A3. Автор: Ravi Pillarisetty,Robert Chau,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2012-07-26.

Dislocation-free InSb quantum well structure on Si using novel buffer architecture

Номер патента: US7573059B2. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Quantum dot devices with passive barrier elements in a quantum well stack between metal gates

Номер патента: US20190043950A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

QUANTUM WELL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210091185A1. Автор: Manfra Michael James,THOMAS Candice Fanny. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

METHOD FOR FORMATION OF VERTICAL CYLINDRICAL GaN QUANTUM WELL TRANSISTOR

Номер патента: US20170117398A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Guangdong Chigo Air Conditioning Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

TECHNIQUES FOR FORMING CONTACTS TO QUANTUM WELL TRANSISTORS

Номер патента: US20160268407A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Hudait Mantu K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Quantum well transistor using high dielectric constant dielectric layer

Номер патента: TWI310990B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Quantum well transistor using high dielectric constant dielectric layer

Номер патента: GB2438331B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-13.

METHOD FOR FORMATION OF VERTICAL CYLINDRICAL GaN QUANTUM WELL TRANSISTOR

Номер патента: US20170222034A1. Автор: Xiao Deyuan,CHANG RICHARD R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Quantum well device and the method for making the same

Номер патента: TWI578531B. Автор: 肖德元,汝京張. Владелец: 上海新昇半導體科技有限公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Quantum well transistor using high dielectric constant dielectric layer

Номер патента: US20060148182A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Methods of manufacturing quantum well materials

Номер патента: US20110053359A1. Автор: Lawrence D. Woolf. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Quantum well device for producing localized electron states for detectors and modulators

Номер патента: US5311009A. Автор: Alfred Y. Cho,Federico Capasso,Jerome Faist,Carlo Sirtori,Deborah L. Sivco. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-05-10.

Phonon and charge carrier separation in quantum wells

Номер патента: US5289013A. Автор: Herbert Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

INTELLIGENT SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SiGe QUANTUM WELL

Номер патента: US20200083329A1. Автор: Seongjae Cho,Eunseon Yu. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2020-03-12.

Two dimensional layered material quantum well junction devices

Номер патента: EP3186836A1. Автор: Jun Amano. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Two-dimensional layered material quantum well junction devices

Номер патента: US20170309762A1. Автор: Jun Amano. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Two dimensional layered material quantum well junction devices

Номер патента: WO2016032680A1. Автор: Jun Amano. Владелец: KONICA MINOLTA LABORATORY U.S.A., INC.. Дата публикации: 2016-03-03.

Forming A Non-Planar Transistor Having A Quantum Well Channel

Номер патента: US20180033875A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Majhi Prashant,Chui Chi On,TSAI Wilman. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

ONE-TRANSISTOR DRAM CELL DEVICE HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20200135905A1. Автор: Cho Seongjae,Yu Eunseon,LEE Jae Yoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

QUANTUM WELL STACKS FOR QUANTUM DOT DEVICES

Номер патента: US20190334020A1. Автор: Pillarisetty Ravi,MICHALAK DAVID J.,CLARKE JAMES S.,Le Van H.,Roberts Jeanette M.,Caudillo Roman,George Hubert C.,Yoscovits Zachary R.,Thomas Nicole K.,Singh Kanwaljit,Torres Jessica M.,Amin Payam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

QUANTUM WELL MOSFET CHANNELS HAVING LATTICE MISMATCH WITH METAL SOURCE/DRAINS, AND CONFORMAL REGROWTH SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20160372574A1. Автор: Rakshit Titash,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Majhi Prashant,Hudait Mantu K.,Tsai Willman. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

One-transistor dram cell device having quantum well structure

Номер патента: KR102059896B1. Автор: 유은선,조성재,이재윤. Владелец: 가천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-12-27.

Modulation-doped halo in quantum well field-effect transistors, apparatus made therewith, and methods of using same

Номер патента: KR101300402B1. Автор: 라비 필라리세티,벤자민 추-쿵,마르코 라도사블제빅,길버트 드웨이,티타시 라크시트,만투 후다이트. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2013-08-26.

Forming a non-planar transistor with a quantum well channel

Номер патента: DE112008000571T5. Автор: Jack Portland Kavalieros,Chi On San Mateo Chui,Prashant Austin Majhi,Wilman Saratoga Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

HIGH MOBILITY PMOS AND NMOS DEVICES HAVING Si-Ge QUANTUM WELLS

Номер патента: US20160111539A1. Автор: Deepak Kumar Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

GERMANIUM-BASED QUANTUM WELL DEVICES

Номер патента: US20170012116A1. Автор: Rachmady Willy,Kotlyar Roza,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Metz Matthew V.,Jin Been-Yih. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-12.

TECHNIQUES FOR FORMING NON-PLANAR GERMANIUM QUANTUM WELL DEVICES

Номер патента: US20180047839A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Shah Uday,Jin Been Y.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-02-15.

Non-Planar Quantum Well Device Having Interfacial Layer and Method of Forming Same

Номер патента: US20170054026A1. Автор: Rachmady Willy,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Le Van H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

HIGH MOBILITY PMOS AND NMOS DEVICES HAVING Si-Ge QUANTUM WELLS

Номер патента: US20160111539A1. Автор: NAYAK Deepak Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Modulation-doped halos in quantum well field-effect transistors, apparatus made therewith, and methods of using same

Номер патента: US20100213441A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Titash Rakshit,Mantu Hudait. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Forming a non-planar transistor having a quantum well channel

Номер патента: CN101681924B. Автор: J·卡瓦列罗斯,P·马吉,C·O·徐,W·蔡. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-01-11.

Modulation doping halo in quantum well field effect transistor, with its manufacture equipment and using method

Номер патента: CN102326237B. Автор: R·皮利亚里塞蒂,T·拉克施特,M·赫戴特,M·拉多萨夫杰维克,G·达维,本杰明·丘康. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Implant Free Quantum Well Transistor, Method for Making Such an Implant Free Quantum Well Transistor and Use of Such an Implant Free Quantum Well Transistor

Номер патента: US20130161588A1. Автор: Hellings Geert,Eneman Geert. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

THREE-DIMENSIONAL QUANTUM WELL TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20140203243A1. Автор: Xiao De Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2014-07-24.

Non-volatile memory transistor with quantum well charge trap

Номер патента: US20080116447A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Non-volatile memory transistor with quantum well charge trap

Номер патента: WO2008064042A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Bohumil Lojek. Дата публикации: 2008-09-12.

TECHNIQUES FOR FORMING NON-PLANAR GERMANIUM QUANTUM WELL DEVICES

Номер патента: US20140054548A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Shah Uday,Jin Been-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

Forming A Non-Planar Transistor Having A Quantum Well Channel

Номер патента: US20150084000A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Majhi Prashant,Chui Chi On,TSAI Wilman. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

Multi-spectral quantum well infrared photodetectors

Номер патента: WO2001071811A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: MP Technologies LLC. Дата публикации: 2001-09-27.

A quantum well device

Номер патента: WO1994020990A1. Автор: William Sidney TRUSCOTT. Владелец: The University Of Manchester Institute Of Science And Technology. Дата публикации: 1994-09-15.

Multiple layer quantum well FET with a side-gate

Номер патента: US9793353B1. Автор: Roger S. Tsai. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Multiple layer quantum well FET with a side-gate

Номер патента: US09793353B1. Автор: Roger S. Tsai. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Quantum well structures useful for semiconductor devices

Номер патента: US5216262A. Автор: Raphael Tsu. Владелец: TWK TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 1993-06-01.

QUANTUM WELL STACKS FOR QUANTUM DOT DEVICES

Номер патента: US20210036110A1. Автор: Pillarisetty Ravi,MICHALAK DAVID J.,CLARKE JAMES S.,Roberts Jeanette M.,Caudillo Roman,George Hubert C.,Lampert Lester,Yoscovits Zachary R.,Thomas Nicole K.,Singh Kanwaljit,Torres Jessica M.,Amin Payam. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-02-04.

QUANTUM WELL MOS TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: FR2749977A1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1997-12-19.

Metal oxide semiconductor type field effect transistor with undoped GeSn quantum well

Номер патента: CN103811557A. Автор: 刘艳,韩根全,刘明山. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2014-05-21.

Quantum well MOSFET channel with uniaxial strain generated by metal source / drain and conformal regrowth source / drain

Номер патента: JP5450652B2. Автор: デューイ，ギルバート,ピラリセッティ，ラヴィ,フダイト，マントゥ,ラドサヴリジェヴィク，マルコ,ラクシット，ティタシュ,カヴェリエロス，ジャック,ツァイ，ウィルマン,マジヒ，プラシャント. Владелец: インテルコーポレイション. Дата публикации: 2014-03-26.

METHOD FOR MAKING III-V NANOWIRE QUANTUM WELL TRANSISTOR

Номер патента: US20170110540A1. Автор: Xiao Deyuan,CHANG RICHARD R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

P-type quantum-well-base bipolar transistor device employing interdigitated base and emitter formed with a capping layer

Номер патента: US20040135161A1. Автор: Geoff Taylor. Владелец: Taylor Geoff W.. Дата публикации: 2004-07-15.

A kind of MoS2Based quantum well type modulation-doped FET and preparation method thereof

Номер патента: CN108231871A. Автор: 李国强,王文樑,郑昱林,黄烈根. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-06-29.

QUANTUM WELL MOS TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: FR2749977B1. Автор: Simon Deleonibus. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1998-10-09.

A method to form very high mobility vertical channel transistor by selective deposition of sige or multi-quantum wells (mqws)

Номер патента: SG99963A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-11-27.

Quantum well intermixing

Номер патента: EP2210266A1. Автор: Chung-En Zah,Yabo Li,Kechang Song. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Quantum well intermixing

Номер патента: WO2009045394A1. Автор: Chung-En Zah,Yabo Li,Kechang Song. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-09.

Semiconductor device method of manfacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: US20090209067A1. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device method of manfacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: US7951684B2. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-05-31.

Semiconductor optical device having quantum well structure and its manufacturing method

Номер патента: US20060043356A1. Автор: Akitaka Kimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Low power floating body memory cell based on low bandgap material quantum well

Номер патента: US20090279355A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Titash Rakshit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Passivated polycrystalline semiconductors and quantum well/superlattice structures fabricated thereof

Номер патента: WO1991006982A1. Автор: Arnold Reisman,Raphael Tsu,Edward H. Nicollian. Владелец: MCNC. Дата публикации: 1991-05-16.

Quantum well electron barrier diode

Номер патента: US4814837A. Автор: Steven W. Kirchoefer. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1989-03-21.

Low-power multiple-channel fully depleted quantum well cmosfets

Номер патента: EP1695389A1. Автор: John G. Pellerin,Jon D. Cheek,James N. Pan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-08-30.

Low-power multiple-channel fully depleted quantum well cmosfets

Номер патента: WO2005053035A1. Автор: John G. Pellerin,Jon D. Cheek,James N. Pan. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-06-09.

Quantum well transistors with remote counter doping

Номер патента: US20110147712A1. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Iii-nitridie quantum-well field effect transistors

Номер патента: WO2005067468A2. Автор: Jing Li,Hongxing Jiang,Jingyu Lin,Zhaoyang Fan. Владелец: Zhaoyang Fan. Дата публикации: 2005-07-28.

LOGIC CIRCUIT WITH INDIUM NITRIDE QUANTUM WELL

Номер патента: US20200266190A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-08-20.

Process for formation of delta-doped quantum well field effect transistor

Номер патента: EP0531621A2. Автор: Yoon Hah Jeong,Dong Ho Jeong,Kyeong Sik Pohang Inst. Of Science & Techn. Jang. Владелец: Pohang Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-17.

Process for formation of delta-doped quantum well field effect transistor

Номер патента: EP0531621A3. Автор: Yoon Hah Jeong,Dong Ho Jeong,Kyeong Sik Pohang Inst Of Jang. Владелец: Pohang Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-30.

Iii-nitridie quantum-well field effect transistors

Номер патента: WO2005067468B1. Автор: Jing Li,Hongxing Jiang,Jingyu Lin,Zhaoyang Fan. Владелец: Zhaoyang Fan. Дата публикации: 2005-10-27.

METHOD AND APPARATUS FOR 3D CONCURRENT MULTIPLE PARALLEL 2D QUANTUM WELLS

Номер патента: US20160005849A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Cai Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

TECHNIQUES FOR FORMING NON-PLANAR GERMANIUM QUANTUM WELL DEVICES

Номер патента: US20140103397A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Shah Uday,Jin Been Y.. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

Germanium-based quantum well devices

Номер патента: US20160064520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Been-Yin Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

QUANTUM WELL-MODULATED BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

Номер патента: US20150243648A1. Автор: Edwards Henry Litzmann. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Three-dimensional quantum well transistor and formation method thereof

Номер патента: CN103943498A. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Germanium-based quantum well devices

Номер патента: US9478635B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

METHOD AND APPARATUS FOR 3D CONCURRENT MULTIPLE PARALLEL 2D QUANTUM WELLS

Номер патента: US20160013306A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Cai Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

GATE-ALL-AROUND QUANTUM WELL COMPLEMENTARY INVERTER AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200105750A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

METHOD OF FORMING FIN STRUCTURE ON PATTERNED SUBSTRATE THAT INCLUDES DEPOSITING QUANTUM WELL LAYER OVER FIN STRUCTURE

Номер патента: US20170117400A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Quantum Well IGZO Devices and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20150179815A1. Автор: AHMED Khaled. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Three-dimensional quantum well transistor

Номер патента: US20150214302A1. Автор: De Yuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Germanium-based quantum well devices

Номер патента: WO2011090583A2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Robert Chau,Niloy Mukherjee,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Germanium-based quantum well devices

Номер патента: KR101374515B1. Автор: 라비 필라리세티,잭 티 카발리에로스,윌리 라츠마디,벤자민 추-쿵,마르코 라도사블제빅,길버트 드웨이,로버트 차우,빈-위 진,매튜 브이 메츠,로자 코틀야,닐로이 무커르지. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2014-03-13.

Quantum well channel MOSFET for wireless weak energy collection and preparation method thereof

Номер патента: CN113871485A. Автор: 宋建军,刘伟峰,张士琦. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-12-31.

Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well

Номер патента: US6046464A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2000-04-04.

Quantum well graphene structure formed on a dielectric layer having a flat surface

Номер патента: US20120261640A1. Автор: Ernesto E. Marinero,Simone Pisana. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-10-18.

Quantum dot devices with passive barrier elements in a quantum well stack between metal gates

GATE-ALL-AROUND QUANTUM WELL COMPLEMENTARY INVERTER AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200105762A1. Автор: Xiao Deyuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

TECHNIQUES FOR FORMING CONTACTS TO QUANTUM WELL TRANSISTORS

Номер патента: US20140326953A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Hudait Mantu K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

METHODS OF FABRICATING QUANTUM WELL FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING MULTIPLE DELTA DOPED LAYERS

Номер патента: US20140329374A1. Автор: Rodder Mark S.,Bowen Robert C.. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of fabricating semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation

Номер патента: US20040082091A1. Автор: Scott Duncan,Geoff Taylor. Владелец: Opel Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Dislocation-free InSb quantum well structure on Si using novel buffer architecture

Номер патента: US20080073639A1. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W.K. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

HEMT epitaxial structures and preparation method with multiple quantum wells high resistance buffer layer

Номер патента: CN108400159A. Автор: 张恺玄,叶念慈,房育涛,刘波亭. Владелец: Integrated Circuit Co Ltd Is Pacified By Xiamen City Three. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor devices employing at least one modulation doped quantum well structure and one or more etch stop layers for accurate contact formation

Номер патента: US6841795B2. Автор: Geoff W. Taylor,Scott W. Duncan. Владелец: Opel Inc. Дата публикации: 2005-01-11.

Low-Resistivity p-Type GaSb Quantum Wells for Low-Power Electronic Devices

Номер патента: US20140339501A1. Автор: Brian R. Bennett,Theresa F. Chick,Mario G. Ancona,John Bradley Boos. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2014-11-20.

Low-resistivity p-type GaSb quantum wells

Номер патента: US9006708B2. Автор: Brian R. Bennett,Theresa F. Chick,Mario G. Ancona,John Bradley Boos. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-04-14.

Mechanism for Forming a Remote Delta Doping Layer of a Quantum Well Structure

Номер патента: US20100219396A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Suman Datta,Amlan Majumdar,Been-Yih Jin. Владелец: Chau Robert S. Дата публикации: 2010-09-02.

TECHNIQUES FOR FORMING NON-PLANAR GERMANIUM QUANTUM WELL DEVICES

Номер патента: US20160172472A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Shah Uday,Jin Been Y.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-16.

Be used to form the mechanism of the remote delta doping layer of quantum well structure

Номер патента: CN101657903A. Автор: S·达塔,B·金,A·马宗达,J·卡瓦利罗斯,R·乔. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-02-24.

Method of disordering quantum well heterostructures

Номер патента: WO2002027774A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Lan Fu. Владелец: THE AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of disordering quantum well heterostructures

Номер патента: US20040038503A1. Автор: Chennupati Jagadish,Lan Fu,Hark Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of disordering quantum well heterostructures

Номер патента: US6936526B2. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Lan Fu. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2005-08-30.

Method for shifting the bandgap energy of a quantum well layer

Номер патента: WO2002035589A1. Автор: Seng-Tiong Ho,Boon-Siew Ooi. Владелец: Phosistor Technologies, Inc.. Дата публикации: 2002-05-02.

Optical device including three-coupled quantum well structure

Номер патента: US09841617B2. Автор: Byunghoon NA,Changyoung PARK,Yonghwa PARK,Yongchul Cho,Yongtak Lee,Gunwu Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor quantum well structure and semiconductor device using the same

Номер патента: US5848085A. Автор: Jun Nitta. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Coupled quantum well devices (CQWD) containing two or more direct selective contacts and methods of making same

Номер патента: US20070145347A1. Автор: Yasunao Katayama,Dennis Newns,Chang Tsuei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Multiple quantum well devices

Номер патента: WO2007071556A1. Автор: Yasunao Katayama,Dennis Newns,Chang Chyi Tsuei. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Multiple quantum well devices

Номер патента: EP1974388A1. Автор: Yasunao Katayama,Dennis Newns,Chang Chyi Tsuei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: EP1508163A2. Автор: Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Intense Photonics Ltd NAJDA,Xuefeng Intense Photonics Ltd LIU. Владелец: Intense Photonics Ltd. Дата публикации: 2005-02-23.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: WO2003100823A3. Автор: Xuefeng Liu,Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Najda. Владелец: Stephen Najda. Дата публикации: 2004-05-27.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: WO2003100823A2. Автор: Xuefeng Liu,Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Najda. Владелец: Intense Photonics Limited. Дата публикации: 2003-12-04.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: EP1508163B1. Автор: Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Intense Photonics Ltd NAJDA,Xuefeng Intense Photonics Ltd LIU. Владелец: Intense Ltd. Дата публикации: 2011-10-05.

Improved quantum well design for a coherent, single-photon detector with spin resonant transistor

Номер патента: WO2008042570B1. Автор: Mark F Gyure,Edward T Croke Iii. Владелец: Edward T Croke Iii. Дата публикации: 2008-06-26.

Iii-nitride quantum well structures with indium-rich clusters and methods of making the same

Номер патента: EP1142024A1. Автор: Robert F. Karlicek, Jr.,Chuong Highlink Technology Corporation TRAN. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2001-10-10.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CA2441310A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group iii nitride based quantum well structures and group iii nitride based superlattice structures

Номер патента: MY137396A. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-01-30.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US9112083B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: WO2002097904A3. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Multiple quantum well structure and semiconductor device using the same

Номер патента: US5392306A. Автор: Yuichi Matsushima,Masashi Usami. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1995-02-21.

Single quantum well led

Номер патента: WO1992016962A2. Автор: Harold E. Hager,Joseph L. Mantz,Daniel J. Booher,R. Jennhwa Fu. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 1992-10-01.

Light emitting devices with inhomogeneous quantum well active regions

Номер патента: US8048703B2. Автор: Christopher L. Chua,Zhihong Yang,John E. Northrup,Noble Marshall Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Light emitting devices with inhomogeneous quantum well active regions

Номер патента: US20100197062A1. Автор: Christopher L. Chua,Zhihong Yang,John E. Northrup,Noble Marshall Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Multicolour voltage tunable quantum well intersubband infrared photodetector and associated method

Номер патента: CA2127596A1. Автор: Hui Chun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-01-17.

High speed quantum well optical detector

Номер патента: CA1294350C. Автор: Daniel Simon Chemla,David Andrew Barclay Miller,Stefan Schmitt-Rink. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-01-14.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Semiconductor light emitting device having quantum well layer sandwiched between carrier confinement layers

Номер патента: US20050145857A1. Автор: Tsuyoshi Maruyama,Shotaro Tomita,Kazuhisa Ishii,Keizo Kawaguchi,Toshio Tomiyoshi,Ken Sasakura. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

High speed quantum well optical detector

Номер патента: US4749850A. Автор: David A. B. Miller,Daniel S. Chemla,Stefan N. Schmitt-Rink. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-06-07.

Multicolour voltage tunable quantum well intersubband infrared photodetector and associated method

Номер патента: CA2127596C. Автор: Hui Chun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-02.

Semiconductor light emitting device having quantum well layer sandwiched between carrier confinement layers

Номер патента: US20040069996A1. Автор: Tsuyoshi Maruyama,Shotaro Tomita,Kazuhisa Ishii,Keizo Kawaguchi,Toshio Tomiyoshi,Ken Sasakura. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Quantum efficiency of multiple quantum wells

Номер патента: WO2014008412A2. Автор: Masud Beroz,Liang Wang,Ilyas Mohammed. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-09.

Broad-band quantum well infrared photodetectors

Номер патента: CA2311629C. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2006-02-14.

A method for manufacturing an opto-electronic quantum well component, and an opto-electronic quantum well component

Номер патента: WO2001054173A1. Автор: Markus Pessa,Tomi Leinonen,Petteri Uusimaa,Seppo Orsila. Владелец: Optoelectronics Research Centre. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor lasers with varied quantum well thickness

Номер патента: US20020018502A1. Автор: Rickard von Wurtemberg. Владелец: Mitel Semiconductor AB. Дата публикации: 2002-02-14.

Miniband transport quantum well detector

Номер патента: US5965899A. Автор: John W. Little, Jr.. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed

Номер патента: US7257143B2. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2007-08-14.

Optoelectronic devices utilizing multiple quantum well pin structures and a process for fabricating the same

Номер патента: CA2156333C. Автор: Michael D. Williams,Keith Wayne Goossen,John Edward Cunningham,William Young Jan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

InP-based quantum-well laser

Номер патента: US5040186A. Автор: Ralph A. Logan,Henryk Temkin,Tawee Tanbun-ek. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-08-13.

Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same

Номер патента: US7132677B2. Автор: Hwa-Mok Kim,Tae-Won Kang,Kwan-Soo Chung. Владелец: Dongguk University. Дата публикации: 2006-11-07.

Quantum-well radiation detector

Номер патента: CA1314614C. Автор: Barry Franklin Levine,Roger John Malik,Clyde George Bethea. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Multiple quantum well photodetector for normal incident radiation

Номер патента: US5272356A. Автор: Cheng P. Wen,Chan-Shin Wu. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-12-21.

Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed

Номер патента: US20050129078A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Superlattice quantum well infrared detector

Номер патента: CA2813755C. Автор: David Kryskowski. Владелец: UD Holdings LLC. Дата публикации: 2019-12-03.

Tunable quantum well infrared detector

Номер патента: US4903101A. Автор: Joseph Maserjian. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1990-02-20.

Quantum well intermixing process for bandgap control in optoelectronic integrated circuits

Номер патента: GB2409333A. Автор: John Haig Marsh,Stewart Duncan Mcdougall,Dan Andreyevitch Yanson. Владелец: Intense Photonics Ltd. Дата публикации: 2005-06-22.

Terahertz radiating device based on semiconductor coupled quantum wells

Номер патента: WO2006077566A3. Автор: Leonid Shvartsman,Boris Laikhtman. Владелец: Boris Laikhtman. Дата публикации: 2006-08-24.

Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes

Номер патента: US5684309A. Автор: Forrest Gregg McIntosh,Salah Mohamed Bedair,Nadia Ahmed El-Masry,John Claassen Roberts. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-11-04.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259341A2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Tri-state optical device with quantum well absorption

Номер патента: US4800262A. Автор: Anthony L. Lentine. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1989-01-24.

Group iii nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: CA2567739C. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

Dual-band quantum-well infrared sensing array

Номер патента: CA2306212C. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala,John K. Liu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2004-03-16.

Dual-band quantum-well infrared sensing array

Номер патента: EP1040522A1. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala,John K. Liu. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2000-10-04.

Dual-band quantum-well infrared sensing array

Номер патента: EP1040522A4. Автор: John K Liu,Sarath D Gunapala,Sumith V Bandara. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2006-03-29.

Two dimensional layered material quantum well junction devices

Номер патента: EP3186836A4. Автор: Jun Amano. Владелец: Konica Minolta Laboratory USA Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

INTELLIGENT SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SiGe QUANTUM WELL

EPITAXIALLY GROWN QUANTUM WELL FINFETS FOR ENHANCED PFET PERFORMANCE

Номер патента: US20160093613A1. Автор: Yang Chih-Chao,He Hong,Bergendahl Marc A.,SREENIVASAN Raghavasimhan,Teehan Sean,Demarest James J.,Upham Allan W.,Knupp Seth L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

EPITAXIALLY GROWN QUANTUM WELL FINFETS FOR ENHANCED PFET PERFORMANCE

Номер патента: US20160093697A1. Автор: Yang Chih-Chao,He Hong,Bergendahl Marc A.,SREENIVASAN Raghavasimhan,Teehan Sean,Demarest James J.,Upham Allan W.,Knupp Seth L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

Quantum well device manufacturing method

Номер патента: JPH0654809B2. Автор: エイ・リードマーク,テイー・ベイトロバート. Владелец: テキサスインスツルメンツインコ−ポレイテツド. Дата публикации: 1994-07-20.

Method for growing a compound semiconductor, quantum well structure using the same, and compound semiconductor device including the same

Номер патента: US6579780B2. Автор: Koji Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-06-17.

Non-Planar Quantum Well Device Having Interfacial Layer and Method of Forming Same

Номер патента: US20160020317A1. Автор: Rachmady Willy,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Le Van H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Coupled quantum dot and quantum well semiconductor device and method of making the same

Номер патента: WO2003012834A1. Автор: Nick Holonyak, Jr.,Russell Dupuis. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2003-02-13.

Quantum well structure

Номер патента: DE10335443B4. Автор: William Ted Masselink,Mykhaylo Petrovych Semtsiv. Владелец: Humboldt Universitaet zu Berlin. Дата публикации: 2007-08-02.

Light-emitting heterostructure with quantum wells of combined profile

Номер патента: RU2720046C1. Автор: Василий Сергеевич Солдаткин,Василий Иванович Туев,Валерий Николаевич Давыдов,Михаил Валерьевич Давыдов,Анатолий Александрович Вилисов,Олег Федорович Задорожный. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники". Дата публикации: 2020-04-23.

Multi-quantum well structure and light emitting diode having the same

Номер патента: US20140014899A1. Автор: Ya-Wen Lin,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US12094998B2. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Ingan/gan multiple quantum well blue light detector combined with embedded electrode and passivation layer structure and preparation method and application thereof

Номер патента: US20220328706A1. Автор: Guoqiang Li,Wenliang Wang,Baiyu SU,Zhengliang LIN,Deqi KONG,Wenjin MAI. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-10-13.

Non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum wells

Номер патента: US09893236B2. Автор: Steven P. DenBaars,Michael D. Craven. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-02-13.

Quantum well infrared photodetectors using II-VI material systems

Номер патента: US09698286B2. Автор: Claire Gmachl,Arvind Ravikumar,Aidong Shen,Maria Tamargo. Владелец: Research Foundation Of City University of New York. Дата публикации: 2017-07-04.

Quantum well thermal sensing for power amplifier

Номер патента: US20180337269A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Optoelectronic semiconductor chip comprising a multi-quantum well comprising at least one high barrier layer

Номер патента: US09722140B2. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Quantum well thermal sensing for power amplifier

Номер патента: EP3625828A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-03-25.

Electrical device having magnetically doped topological insulator quantum well film

Номер патента: US9142760B2. Автор: XIAO Feng,Xi Chen,Ke He,Qi-Kun Xue,Xu-Cun Ma,Li-Li Wang,Cui-Zu Chang,Yao-Yi Li,Jin-Feng Jia. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2015-09-22.

Quantum well device with lateral electrodes

Номер патента: US09748473B2. Автор: Robert L. Willett. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Quantum well structure and preparation method therefor, and light-emitting diode

Номер патента: US20230246124A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Mixed strain multi-quantum well superluminescent light emitting diode

Номер патента: EP4244903A1. Автор: Andy Piper,Rajan Rajgopal,Royston Hogan,Ashish Kumar Rai,Dasa Lakshmi Narayana Dheeraj. Владелец: DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Non-uniform multiple quantum well structure

Номер патента: US09722139B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Remigijus Gaska,Wenhong Sun,Jinwei Yang,Maxim S Shatalov. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20170309777A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Quantum well infrared photodetectors using ii-vi material systems

Номер патента: US20140231750A1. Автор: Claire Gmachl,Arvind Ravikumar,Aidong Shen,Maria Tamargo. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-21.

Multiple quantum well band structures for light emitting devices

Номер патента: US20240014345A1. Автор: John G Wasserbauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-11.

Quantum well type light-emitting diode

Номер патента: CA2302103C. Автор: Yoshiyuki Mizuno. Владелец: Daido Steel Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-18.

Optoelectronic component with three-dimension quantum well structure and method for producing the same

Номер патента: US8294163B2. Автор: Benson Chao,Shih-Chieh Jang,Chung-Hua Fu. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Component having a multiple quantum well structure

Номер патента: US20180083160A1. Автор: Peter Stauss,Tobias Meyer,Asako Hirai,Philipp Drechsel,Matthias Peter,Thomas Lehnhardt,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-22.

Quantum Well Device With Lateral Electrodes

Номер патента: US20150155478A1. Автор: Robert L. Willett. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2015-06-04.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20160181471A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-23.

III-nitride quantum well structure, a method for producing the same, and a light-emitting unit using the same

Номер патента: US8916458B2. Автор: Cheng-Hung Shih,Yu-Chi Hsu,I-Kai LO,Wen-Yuan Pang,Ming-Chi Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2014-12-23.

Quantum well thermal sensing for power amplifier

Номер патента: WO2018212853A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-22.

Three color quantum well infrared photodetector focal plane array

Номер патента: EP1203413A1. Автор: Sumith V. California Inst of Techn BANDARA,Sarath D. California Inst of Techn GUNAPALA,John K. California Inst of Technology LIU,Daniel W. California Inst of Technology WILSON,William California Inst of Technology PARRISH. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2002-05-08.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: AU2021275060C1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

III-Nitride Quantum Well Structure and a Light-Emitting Unit Using the Same

Номер патента: US20150102286A1. Автор: Cheng-Hung Shih,Yu-Chi Hsu,I-Kai LO,Wen-Yuan Pang,Ming-Chi Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2015-04-16.

A method used for transportation of colloidal quantum well self-assembly

Номер патента: WO2024063744A3. Автор: Emre UNAL,Hilmi Volkan Demir,Hamed Denghanpour BARUJ. Владелец: Bilkent Universitesi Ulusal Nanoteknoloji Arastirma Merkezi. Дата публикации: 2024-05-23.

Three color quantum well infrared photodetector focal plane array

Номер патента: WO2001011696A1. Автор: William Parrish,Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala,John K. Liu,Daniel W. Wilson. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2001-02-15.

Avalanche photo diode with quantum well layer

Номер патента: US4731641A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Yukio Noda,Yukitoshi Kushiro,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1988-03-15.

Superluminescent diode having a quantum well and cavity length dependent threshold current

Номер патента: US5329134A. Автор: Charles B. Morrison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Slotted quantum well sensor

Номер патента: CA2351721C. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala,John K. Liu,Daniel W. Wilson. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2004-02-24.

Quantum well sensor having spatially separated sensing columns

Номер патента: US7211820B2. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala,John K. Liu,Daniel W. Wilson. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2007-05-01.

Multiple quantum well semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150129835A1. Автор: Takayoshi Yamane. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Multi-quantum well structure, light emitting diode and light emitting component

Номер патента: US20230261135A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing indium gallium nitride quantum well

Номер патента: US20230187576A1. Автор: I-Kai LO,Ying-Chieh Wang,Huei-Jyun Shih. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-06-15.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: AU2021275060B2. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Optical Cavity Devices Using Stacked Multi-Quantum Wells

Номер патента: US20220283452A1. Автор: Erik C. Nelson. Владелец: Fathom Radiant PBC. Дата публикации: 2022-09-08.

A method used for transportation of colloidal quantum well self-assembly

Номер патента: WO2024063744A2. Автор: Emre UNAL,Hilmi Volkan Demir,Hamed Denghanpour BARUJ. Владелец: Bilkent Universitesi Ulusal Nanoteknoloji Arastirma Merkezi. Дата публикации: 2024-03-28.

Optoelectronic device comprising a stack of multiple quantum wells

Номер патента: US20240204132A1. Автор: Florian Dupont. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-06-20.

Strained InGaAs Quantum Wells for Complementary Transistors

Номер патента: US20140264278A1. Автор: Boos John Bradley,Bennett Brian R.,Chick Theresa F.,Champlain James G.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2014-09-18.

Quantum-well logic using self-generated potentials

Номер патента: US4969018A. Автор: Mark A. Reed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-11-06.

Coupled-quantum-well field-effect resonant tunneling transistor for multi-valued logic/memory applications

Номер патента: US5512764A. Автор: Alan C. Seabaugh,Gary Frazier,Chad H. Mikkelson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-04-30.

Multi-spectral quantum well infrared photodetectors

Номер патента: AU2001274801A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: MP Technologies LLC. Дата публикации: 2001-10-03.

Semiconductor quantum well devices and methods of making the same

Номер патента: TW200541088A. Автор: Tirumala R Ranganath,jin-tian Zhu. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-12-16.

Method of making a three-dimensional memory device having a heterostructure quantum well channel

Номер патента: US09941295B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING A HETEROSTRUCTURE QUANTUM WELL CHANNEL

Номер патента: US20160358933A1. Автор: Alsmeier Johann,Rabkin Peter,Higashitani Masaaki,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

QUANTUM WELL TRANSISTOR WITH RESONANT TUNNEL EFFECT.

Номер патента: FR2684807B1. Автор: Borge Vinter,Didier Lippens. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2004-06-11.

Quantum well stacks for quantum dot devices

Номер патента: US11158731B2. Автор: Ravi Pillarisetty,James S. Clarke,Roza Kotlyar,Van H. Le,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Payam AMIN,Jeanette Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor quantum well devices and methods of making the same

Номер патента: US20050274941A1. Автор: Tirumala Ranganath. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2005-12-15.

Quantum well stacks for quantum dot devices

Номер патента: US20220013658A1. Автор: Ravi Pillarisetty,James S. Clarke,Roza Kotlyar,Van H. Le,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Payam AMIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Quantum well stacks for quantum dot devices

Номер патента: WO2019066840A1. Автор: Ravi Pillarisetty,James S. Clarke,Roza Kotlyar,Van H. Le,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Payam AMIN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Quantum well transistor with resonant tunnel effect.

Номер патента: DE69201436D1. Автор: Borge Vinter,Didier Lippens. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-03-23.

Multi-spectral quantum well infrared photodetectors

Номер патента: US6420728B1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Manijeh Razeghi. Дата публикации: 2002-07-16.

Electromagnetic wave modulator with quantum wells.

Номер патента: FR2696874B1. Автор: Michel Papuchon,Dominique Delacourt,Emmanuel Dupont. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-12-09.

Multi-spectral quantum well infrared photodetectors

Номер патента: WO2001071811A9. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: MP Technologies LLC. Дата публикации: 2002-10-24.

Quantum well p=channel field effect transistor for high transconductance

Номер патента: FR2694132A1. Автор: Castagne Jean,Linh T Nuyen. Владелец: Picogiga SA. Дата публикации: 1994-01-28.

Semiconductor device, method of manufacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: TW200504812A. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2005-02-01.

QUANTUM WELL MOSFET CHANNELS HAVING LATTICE MISMATCH WITH METAL SOURCE/DRAINS, AND CONFORMAL REGROWTH SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20130234113A1. Автор: Rakshit Titash,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Majhi Prashant,Hudait Mantu K.,Tsai Willman. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-12.

DEVICE WITH STRAINED LAYER FOR QUANTUM WELL CONFINEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20140054547A1. Автор: Hellings Geert,Eneman Geert,Brunco David. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

FIN WIDTH MEASUREMENT USING QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20150077086A1. Автор: SINGH Jagar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20140291613A1. Автор: Lai Yen-Lin,Wang Shen-Jie,Lin Ching-Liang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

QUANTUM WELL STACKS FOR QUANTUM DOT DEVICES

Номер патента: US20200350423A1. Автор: Kotlyar Roza,Pillarisetty Ravi,CLARKE JAMES S.,Le Van H.,Caudillo Roman,George Hubert C.,Yoscovits Zachary R.,Thomas Nicole K.,Singh Kanwaljit,Amin Payam,Roberts Jeanette. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-11-05.

Display substrate having quantum well for improved electron mobility and display device including the same

Номер патента: US20090180045A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Sung-Ryul Kim,Yong-Mo Choi,Hwa-Yeul Oh,Jae-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Three-dimensional memory device having a heterostructure quantum well channel

Номер патента: EP3262687A1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

STRAINED STACKED NANOSHEET FETS AND/OR QUANTUM WELL STACKED NANOSHEET

Номер патента: US20160111337A1. Автор: Obradovic Borna J.,Hong Joon Goo,Hatcher Ryan M.,Rodder Mark S.,Bowen Robert C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

THz DETECTION EMPLOYING MODULATION DOPED QUANTUM WELL DEVICE STRUCTURES

Номер патента: WO2003092047A2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: The University Of Connecticut Center Of Science & Technology Commercialization. Дата публикации: 2003-11-06.

A method for locally modifying the effective bandgap energy in indium gallium arsenide phosphide (ingaasp) quantum well structures

Номер патента: CA2343694A1. Автор: David A. Thompson,Bradley J. Robinson,Gregory J. Letal,Alex S.W. Lee. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2001-11-19.

Display substrate having quantum well for improved electron mobility and display device including the same

Номер патента: CN101487961A. Автор: 吴和烈,金成烈,崔在镐,尹甲洙,梁成勋,崔龙模. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-22.

Method for locally modifying the effective bandgap energy in indium gallium arsenide phosphide (InGaAsP) quantum well structures

Номер патента: US6611007B2. Автор: David A. Thompson,Gregory J. Letal,Brad J. Robinson,Alex S. W. Lee. Владелец: Fiber Optic Systems Tech Inc. Дата публикации: 2003-08-26.

Multi-layer superlattice quantum well thermoelectric material and module

Номер патента: WO2011121561A1. Автор: Frank Haass,Norbert B. Elsner,Saed Ghamaty,Daniel Krommenhoek. Владелец: Hi-Z Technology, Inc.. Дата публикации: 2011-10-06.

Low power floating body memory cell based on low bandgap material quantum well

Номер патента: US7964866B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Titash Rakshit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-21.

Laser diode with an improved multiple quantum well structure adopted for reduction in wavelength chirping

Номер патента: US5790578A. Автор: Shinji Takano. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Long wavelength VCSEL active region using Sb in GaAsN barrier layers and InGaAsN quantum wells

Номер патента: US20050243888A1. Автор: Ralph Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Wavelength tuning of multiple quantum well (MQW) heterostructure lasers

Номер патента: US4839899A. Автор: Donald R. Scifres,Robert D. Burnham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1989-06-13.

Multiple quantum well type semiconductor laser

Номер патента: CA1279394C. Автор: Hideaki Matsueda,Takashi Kajimura,Tadashi Fukuzawa,Kazuhisa Uomi,Naoki Chinone. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-01-22.

Quantum-well type semiconductor laser device

Номер патента: US5327445A. Автор: Hiroshi Okamoto,Akihiko Kasukawa,Takeshi Namegaya,Narihito Matsumoto. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Quantum well active region with three dimensional barriers and fabrication

Номер патента: WO2009023046A2. Автор: Victor C. Elarde,James J. Coleman. Владелец: The Board Of Trustees Of The University Of Illionis. Дата публикации: 2009-02-19.

Quantum well active region with three dimensional barriers and fabrication

Номер патента: WO2009023046A3. Автор: James J Coleman,Victor C Elarde. Владелец: Victor C Elarde. Дата публикации: 2009-04-16.

Strain-compensated multiple quantum well laser structures

Номер патента: WO1995031021A1. Автор: Yu-Hwa Lo. Владелец: Cornell Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 1995-11-16.

Method for increasing maximum modulation speed of a light emitting device, and light emitting device with increased maximum modulation speed and quantum well structure thereof

Номер патента: WO2006014308A1. Автор: YING-LAN Chang,Ashish Tandon,Michael R. T. Tan. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor laser element having tensile-strained quantum-well active layer

Номер патента: US7362786B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-04-22.

Separate lateral confinement quantum well laser

Номер патента: US20030006408A1. Автор: Mark Zediker,James Coleman,Reuel Swint. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Separate lateral confinement quantum well laser

Номер патента: WO2003003532B1. Автор: Mark S Zediker,James J Coleman,Reuel B Swint. Владелец: Univ Illinois. Дата публикации: 2003-04-10.

Separate lateral confinement quantum well laser

Номер патента: WO2003003532A1. Автор: Mark S. Zediker,Reuel B. Swint,James J. Coleman. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2003-01-09.

Strained quantum well type semiconductor laser device

Номер патента: CA2083026C. Автор: Toshio Kikuta,Akihiko Kasukawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-24.

Method of making multi-quantum well lasers

Номер патента: US5685904A. Автор: Christopher James Pinzone. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Strained quantum well type semiconductor laser device

Номер патента: CA2083026A1. Автор: Toshio Kikuta,Akihiko Kasukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-05-19.

Coupled quantum well tunable laser

Номер патента: US5287377A. Автор: Tadashi Fukuzawa,Ling Y. Liu,Emilio E. Mendez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-02-15.

Strained quantum well structure

Номер патента: US5671242A. Автор: Katsuhiko Goto,Tohru Takiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-09-23.

n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: EP1071180A1. Автор: Hitoshi The Furukawa Electric Co. Ltd. SHIMIZU,Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Kouji The Furukawa Electric Co. Ltd. KUMADA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-24.

Semiconductor laser device including multiple-quantum wells of different widths that uses carrier redistribution to adjust wavelength of light

Номер патента: US20030193979A1. Автор: Ching-Fuh Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Multi quantum well semiconductor laser and optical communication system using the same

Номер патента: US5621747A. Автор: Nobuyuki Otsuka,Yasushi Matsui,Masato Ishino,Masahiro Kitoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-15.

Multi-quantum well optical waveguide with broadband optical gain

Номер патента: US20060233213A1. Автор: Tawee Tanbun-ek,Fow-Sen Choa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor laser of modulation doping quantum well structure with stopper against dopant dispersion and manufacturing method thereof

Номер патента: US5319657A. Автор: Nobuyuki Otsuka,Yasushi Matsui,Masato Ishino,Masahiro Kito. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-07.

Semiconductor laser high optical gain quantum well

Номер патента: US5345461A. Автор: Do Y. Ahn,Tae K. You. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1994-09-06.

InP based high temperature lasers with InAsP quantum well layers and barrier layers of Gax(AIIN) 1-xP

Номер патента: EP1443616A3. Автор: Scott W. Corzine,Ying-Ian Chang,David P. Bour,Michael R.T. Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-11-30.

Quantum well semiconductor laser device

Номер патента: US4860297A. Автор: Saburo Yamamoto,Toshiro Hayakawa,Masafumi Kondo,Kohsei Takahashi,Takahiro Suyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-08-22.

Terahertz radiating device based on semiconductor coupled quantum wells

Номер патента: US20070054427A1. Автор: Leonid Shvartsman,Boris Laikhtman. Владелец: Yissum Research Development Co of Hebrew University of Jerusalem. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for increasing maximum modulation speed of a light emitting device, and light emitting device with increased maximum modulation speed and quantum well structure thereof

Номер патента: US20060007974A1. Автор: YING-LAN Chang,Michael Tan,Ashish Tandon. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Apparatus comprising a quantum well device and method of operating the apparatus

Номер патента: US5023878A. Автор: Kurt Berthold,Anthony F. J. Levi. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-11.

Type II quantum well laser with enhanced optical matrix

Номер патента: US5793787A. Автор: Jerry R. Meyer,Filbert J. Bartoli,Craig A. Hoffman. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1998-08-11.

Hybrid silicon laser-quantum well intermixing wafer bonded integration platform for advanced photonic circuits with electroabsorption modulators

Номер патента: EP2243152A2. Автор: John E. Bowers,Alexander W. Fang,Hyundai Park,Matthew N. Sysak. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2010-10-27.

Hybrid silicon laser-quantum well intermixing wafer bonded integration platform for advanced photonic circuits with electroabsorption modulators

Номер патента: US20140010253A1. Автор: John E. Bowers,Alexander W. Fang,Hyundai Park,Matthew N. Sysak. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-01-09.

Strained stacked Nanosheet FETs and/OR quantum well stacked nanosheet

Номер патента: KR102472672B1. Автор: 조지 에이. 키틀,마크 에스. 로더,보르나 제이. 오브라도빅,로버트 씨. 보윈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-11-30.

TECHNIQUES FOR FORMING CONTACTS TO QUANTUM WELL TRANSISTORS

Номер патента: US20130146845A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Hudait Mantu K.,Radiosavljevic Marko. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

GERMANIUM-BASED QUANTUM WELL DEVICES

Номер патента: US20140061589A1. Автор: Rachmady Willy,Kotlyar Roza,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Metz Matthew V.,Jin Been-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

STRAINED STACKED NANOSHEET FETS AND/OR QUANTUM WELL STACKED NANOSHEET

Номер патента: US20160111284A1. Автор: Obradovic Borna J.,Kittl Jorge A.,Rodder Mark S.,Bowen Robert C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Low-Resistivity p-Type GaSb Quantum Wells

Номер патента: US20140217363A1. Автор: Boos John Bradley,Bennett Brian R.,Chick Theresa F.,Ancona Mario G.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2014-08-07.

SEMICONDUCTING DEVICES CONTAINING QUANTUM WELLS

Номер патента: US20200235262A1. Автор: STEINER Myles Aaron,FRANCE Ryan Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Monolithic integrated circuit including a waveguide and quantum well inversion channel devices and a method of fabricating same

Номер патента: US20030123829A1. Автор: Geoff Taylor. Владелец: Taylor Geoff W.. Дата публикации: 2003-07-03.

Back-biasing to populate strained layer quantum wells

Номер патента: US20040004230A1. Автор: Richard Hammond,Glyn Braithwaite. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Quantum well structure, chip processing method, chip, and laser

Номер патента: EP4274040A1. Автор: HONGLIANG Liu,Yan Zou,Yanwei YANG. Владелец: Phograin Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Heterostructure electron emitter utilizing a quantum well

Номер патента: US5442192A. Автор: Herbert Goronkin,Lawrence N. Dworsky. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-08-15.

Quantum well structure, chip processing method, chip, and laser

Номер патента: US20230369829A1. Автор: HONGLIANG Liu,Yan Zou,Yanwei YANG. Владелец: Phograin Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor laser diode having multi-quantum well structure

Номер патента: US10230217B2. Автор: Naoki Ogawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-03-12.

Plasmonic quantum well laser

Номер патента: US20190386453A1. Автор: Heinz Schmid,Kirsten Emilie Moselund,Stephan WIRTHS,Benedikt F. Mayer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Monolithic wdm vcsel arrays by quantum well intermixing

Номер патента: US20180034242A1. Автор: Michael Renne Ty Tan,Sagi Varghese Mathai. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-02-01.

Quantum well placement in a tunable vcsel

Номер патента: EP3811473A1. Автор: Walid A. Atia,Mark E. Kuznetsov,Bartley C. Johnson,Peter S. Whitney. Владелец: Excelitas Technologies Corp. Дата публикации: 2021-04-28.

Quantum well placement in a tunable VCSEL

Номер патента: US20190386461A1. Автор: Walid A. Atia,Mark E. Kuznetsov,Bartley C. Johnson,Peter S. Whitney. Владелец: Axsun Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-19.

Quantum well placement in a tunable vcsel

Номер патента: WO2019246278A1. Автор: Walid A. Atia,Mark E. Kuznetsov,Bartley C. Johnson,Peter S. Whitney. Владелец: AXSUN TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-12-26.

Etched facet in a multi quantum well structure

Номер патента: US20220196911A1. Автор: Damien Lambert,Paveen Apiratikul. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Etched facet in a multi quantum well structure

Номер патента: US20200233150A1. Автор: Damien Lambert,Paveen Apiratikul. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Etched facet in a multi quantum well structure

Номер патента: US20230358951A1. Автор: Damien Lambert,Paveen Apiratikul. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Large optical cavity (loc) laser diode having quantum well offset and efficient single mode laser emission along fast axis

Номер патента: WO2019232261A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: nLIGHT, Inc.. Дата публикации: 2019-12-05.

Large optical cavity (loc) laser diode having quantum well offset and efficient single mode laser emission along fast axis

Номер патента: EP3804055A1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Strained InGaAs Quantum Wells for Complementary Transistors

Номер патента: US20150014745A1. Автор: Boos John Bradley,Bennett Brian R.,Chick Theresa F.,Champlain James G.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2015-01-15.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US20030006418A1. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Group iii nitride led with undoped cladding layer and multiple quantum well

Номер патента: KR20050010017A. Автор: 존 애덤 에드몬드,캐슬린 마리 도버스파이크,화-슈앙 콩,마이클 존 버그만,데이비드 토드 에머슨. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2005-01-26.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US6958497B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-25.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: TW544952B. Автор: James Ibbetson,David Todd Emerson,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-08-01.

Methods of fabricating group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US8227268B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-07-24.

Methods of fabricating group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group iii nitride based quantum well structures and group iii nitride based superlattice structures

Номер патента: US20080038858A1. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: EP2259347A3. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US20050045895A1. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: EP2259347A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Semiconductor optoelectronic apparatus having plural quantum wells of different well widths

Номер патента: GB2378318B. Автор: Ching-Fun Lin,Bing-Ruay Wu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2005-06-01.

A method for manufacturing an opto-electronic quantum well component, and an opto-electronic quantum well component

Номер патента: AU2001230269A1. Автор: Markus Pessa,Tomi Leinonen,Petteri Uusimaa,Seppo Orsila. Владелец: Optoelectronics Res Ct. Дата публикации: 2001-07-31.

Broadband quantum well led

Номер патента: AU1754492A. Автор: Harold E Hager,Joseph L Mantz. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1992-10-06.

Concentrator solar cell having a multi-quantum well system in the depletion region of the cell

Номер патента: AU668365B2. Автор: Keith Barnham. Владелец: Imperial College of Science Technology and Medicine. Дата публикации: 1996-05-02.

Solar cell having nanodiamond quantum wells

Номер патента: TW201023378A. Автор: jian-min Song. Владелец: jian-min Song. Дата публикации: 2010-06-16.

Single quantum well led

Номер патента: AU1877492A. Автор: Harold E Hager,Joseph L Mantz,R. Jennhwa Fu,Daniel J Booher. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1992-10-21.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: GB201915377D0. Автор: . Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2019-12-04.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: AU2003232340A8. Автор: Xuefeng Liu,Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Najda. Владелец: Intense Photonics Ltd. Дата публикации: 2003-12-12.

Optoelectronic semiconductor body with a quantum well structure

Номер патента: TW201115785A. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-05-01.

Semiconductor devices employing internally strained asymetric quantum wells

Номер патента: GB2236904B. Автор: Elisa A Caridi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-09-22.

Semiconductor structure and fabrication of a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083B1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2024-09-04.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: GB2589065B. Автор: Everard Filippus Kleijn Steven,Johannes Adrianus Thijs Petrus. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2024-08-21.

Improved quantum well design for a coherent, single-photon detector with spin resonant transistor

Номер патента: TW200824139A. Автор: Croke, Iii,Mark F Gyure. Владелец: Hrl Lab Llc. Дата публикации: 2008-06-01.

Devices employing internally strained asymmetric quantum wells

Номер патента: GB9021748D0. Автор: . Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-11-21.

Quantum Well Device

Номер патента: US20130130474A1. Автор: Pfeiffer Loren N.,Baldwin Kirk William,West Kenneth William. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

Solar cell having quantum well structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20160204291A1. Автор: Kwang-Ho Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Cheongju University. Дата публикации: 2016-07-14.

DEVICE WITH QUANTUM WELL LAYER

Номер патента: US20170309763A1. Автор: Sweeney Stephen,Zhang Yaping. Владелец: ASTRIUM LIMITED. Дата публикации: 2017-10-26.

Polarization dependent and polarization changing optoelectronic devices using strained quantum wells

Номер патента: JP2587761B2. Автор: チョン、クウォクワイ,ザー、チュンエン. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1997-03-05.

Optical semiconductor device comprising a multiple quantum well structure

Номер патента: WO2001039282A2. Автор: Dominik Eisert,Andreas Weimar,Uwe Strauss,Berthold Hahn,Stefan Bader,Ulrich Zehnder,Hans-Jürgen Lugauer,Volker HÄRLE,Helmut Bolay,Johannes VÖLKL,Alfred Lell. Владелец: Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg. Дата публикации: 2001-05-31.

System and method using migration enhanced epitaxy for flattening active layers and the mechanical stabilization of quantum wells associated with vertical cavity surface emitting lasers

Номер патента: US20030219917A1. Автор: Ralph Johnson,Virgil Blasingame. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Anisotropic strain control in semipolar nitride quantum wells by partially or fully relaxed aluminum indium gallium nitride layers with misfit dislocations

Номер патента: CN102484142A. Автор: 中村修二,阿努拉格·蒂雅吉,詹姆斯·S·斯佩克,太田裕朗,武凤,阿尔潘·查克拉伯蒂,斯蒂芬·P·登巴尔斯,埃林·C·永. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-05-30.

Group iii nitride led with undoped cladding layer and multiple quantum well

Номер патента: KR101238241B1. Автор: 존 애덤 에드몬드,캐슬린 마리 도버스파이크,화-슈앙 콩,마이클 존 버그만,데이비드 토드 에머슨. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2013-03-04.

Group III nitride based light emitting diode stru res with a quantum well and superlattice

Номер патента: KR100899133B1. Автор: 에머슨데이비드토드,이벳슨제임스,오로린마이클존,노드비하워드딘주니어,아베어앰버크리스틴,버그만마이클존,도버스파이크캐쓸린마리. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2009-05-27.

Group III nitride based light emitting diodes with a quantum well and a superlattice

Номер патента: EP2259347B1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Group Ⅲ nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: KR20080098693A. Автор: 마이클 존 버그만,데이비드 토드 에머슨,제임스 이벳슨,마이클 존 오로린,하워드 딘 주니어 노드비,앰버 크리스틴 아베어,캐쓸린 마리 도버스파이크. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-11-11.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: WO2002097904A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Group Ⅲ nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: KR101032847B1. Автор: 마이클 존 버그만,데이비드 토드 에머슨,제임스 이벳슨,마이클 존 오로린,하워드 딘 주니어 노드비,앰버 크리스틴 아베어,캐쓸린 마리 도버스파이크. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-05-06.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: AU2002257318A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2002-12-09.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: US7692182B2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Group iii nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: TWI394288B. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-04-21.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: US8546787B2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Optoelectronic semiconductor chip with a multiple quantum well structure

Номер патента: DE102007046027A1. Автор: Peter Dr. Stauss,Alexander Walter,Matthias Dr. Peter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-04-02.

Yellow-green light emitting diodes and laser based on strained-ingap quantum well grown on a transparent indirect bandgap substrate

Номер патента: WO2004017433A1. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Lisa Mcgill. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-02-26.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259340A3. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-01-05.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures

Номер патента: EP2242117A3. Автор: David Emerson,Michael Bergmann. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-01-05.

Group iii nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: WO2006023060A3. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: David Todd Emerson. Дата публикации: 2006-04-13.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CN1552104A. Автор: ,��ɭ,D·T·埃默森,J·伊贝特森,M·J·奥罗林,H·D·小诺尔比,A·C·阿巴雷,M·J·博格曼,K·M·多维斯皮克,D��T��Ĭɭ,��˹�С��ŵ��,��άƤ��˾. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2004-12-01.

Optoelectronic semiconductor chip having a multiple quantum well structure

Номер патента: CN101809767A. Автор: 彼得·施陶斯,马蒂亚斯·彼得,亚历山大·沃尔特. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-08-18.

Quantum well opto-semiconductor for laser, light modulator

Номер патента: FR2716575A1. Автор: INOUE Tadao. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-25.

Method for producing a matrix of quantum well components of electrically controllable vertical structure

Номер патента: FR2721752A1. Автор: Marcel Bensoussan,Yves Nissim. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-12-29.

OPTICAL DEVICE WITH QUANTUM WELLS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME.

Номер патента: FR2655434B1. Автор: Bois Philippe,Weisbuch Claude,Vinter Borge. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1992-02-28.

Optical semiconductor device comprising a multiple quantum well structure

Номер патента: KR100889144B1. Автор: 베르톨트 하안,안드레아스 바이마르,폴커 헤를레,한스-위르겐 루크아우어,헬무트 볼라이,슈테판 바더,도미닉 아이절트,우베 슈트라우스,요하네스 푈클,울리히 체엔더,알프레드 렐. Владелец: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하. Дата публикации: 2009-03-16.

Novel quantum well optoelectric switching device with stimulated emission

Номер патента: EP0530942B1. Автор: Szutsun Simon Ou. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-10-22.

INFRARED DETECTOR WITH QUANTUM WELLS.

Номер патента: FR2686456A1. Автор: Linh T Nuyen. Владелец: Picogiga SA. Дата публикации: 1993-07-23.

Group iii nitride light emitting diode with undoped cladding layer and multiple quantum well

Номер патента: EP1514313B1. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson,John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Optical semiconductor device comprising a multiple quantum well structure

Номер патента: KR100722031B1. Автор: 베르톨트 하안,안드레아스 바이마르,폴커 헤를레,한스-위르겐 루크아우어,헬무트 볼라이,슈테판 바더,도미닉 아이절트,우베 슈트라우스,요하네스 푈클,울리히 체엔더,알프레드 렐. Владелец: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하. Дата публикации: 2007-05-25.

Type ii quantum well optoelectronic devices

Номер патента: WO2004030032A2. Автор: Nelson Tansu,Luke J. Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2004-04-08.

Group iii nitride led with undoped cladding layer and multiple quantum well

Номер патента: EP1514313A2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson,John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-03-16.

WAVE MODULATOR AND OPTICAL DETECTOR WITH QUANTUM WELLS.

Номер патента: FR2675949B1. Автор: Papuchon Michel,Delacourt Dominique,Dupont Emmanuel,Vojdani Nakita. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-07-09.

Efficient radiation coupling to quantum-well radiation-sensing array via evanescent waves

Номер патента: US6271526B1. Автор: Thomas Cwik,Cavour Yeh. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2001-08-07.

Optoelectronic devices utilizing multiple quantum well pin structures and a process for fabricating the same

Номер патента: EP0704741A2. Автор: Michael D. Williams,Keith Wayne Goossen,John Edward Cunningham,William Young Jan. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-04-03.

Nanostructure having an nitride-baseed quantum well and light emitting diode employing the same

Номер патента: KR101186683B1. Автор: 김화목. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2012-09-28.

Single Quantum Well II-VI Laser Diode Without Cladding Layer

Номер патента: KR100274521B1. Автор: 화 쳉,제임스. 데핍트,마이클 이. 헤이즈,준 큐. Владелец: 미네소타 마이닝 앤드 매뉴팩춰링 컴퍼니. Дата публикации: 2001-01-15.

Broad-band quantum well infrared photodetectors

Номер патента: US6965152B1. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D Gunapala. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2005-11-15.

QUANTUM WELL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2741195B1. Автор: Bruno Gerard,Vincent Berger. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1997-12-05.

Quantum well intermixing

Номер патента: CA2398301A1. Автор: Yan Zhou,Yee Loy Lam,Yuen Chuen Chan,Boon Siew Ooi,Geok Ing Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Device with quantum well layer

Номер патента: EP2766757A1. Автор: Stephen SWEENEY,Yaping Zhang. Владелец: Astrium Ltd. Дата публикации: 2014-08-20.

Method for producing a matrix of quantum well components with an electrically controllable vertical structure.

Номер патента: FR2721752B1. Автор: Marcel Bensoussan,Yves Nissim. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-09-13.

Non-polar InGaN/GaN multi-quantum-well nano-pillar and preparation method thereof

Номер патента: CN106384763A. Автор: 王海燕,李国强,杨为家. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-02-08.

Electromagnetic quantum well detector.

Номер патента: FR2693594A1. Автор: MASSIES Jean,Bois Philippe,GRANDJEAN Nicolas,Rosencher Emmanuel,Vinter Borge,Neu Gerard. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-01-14.

Light modulation comprising si-ge quantum well layers

Номер патента: US20100117059A1. Автор: Hans Von Känel,Soichiro Tsujino,Daniel Chrastina,Hans-Christen Sigg. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2010-05-13.

Optical semiconductor device having multiple quantum well structure

Номер патента: JP4681186B2. Автор: ヘルレフォルカー,シュトラウスウーヴェ,バーダーシュテファン,ルーガウアーハンス−ユルゲン,ヴァイマールアンドレアス,レルアルフレート,ハーンベルトールト,ボライヘルムート,アイザートドミニク,フェルクルヨハネス,ツェーンダーウルリッヒ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-05-11.

Multiple quantum-well structure, radiation-emitting semiconductor base and radiation-emitting component

Номер патента: CN101461069A. Автор: 彼得·施陶斯. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-06-17.

Quantum well structured solar cells and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI557930B. Автор: 金光浩. Владелец: 清州大學校產學協力團. Дата публикации: 2016-11-11.

Optical semiconductor device with multiple quantum well structure

Номер патента: CA2360502A1. Автор: Dominik Eisert,Andreas Weimar,Uwe Strauss,Berthold Hahn,Stefan Bader,Ulrich Zehnder,Hans-Jürgen Lugauer,Volker HÄRLE,Helmut Bolay,Johannes VÖLKL,Alfred Lell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-31.

Phototransistor with quantum well base structure.

Номер патента: EP0638941A3. Автор: Naresh Chand. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-12-18.

Method of quantum wells mixing within semiconductor device and semiconductor device structure made according to this method

Номер патента: RU2324999C2. Автор: Стивен НАДЖДА,Стюарт Данкан МакДУГОЛ,Ксуефенг ЛИУ. Владелец: Интенс Лимитед. Дата публикации: 2008-05-20.

Electronic bolometer with quantum wells and use for a radiation detector.

Номер патента: DE69112784T2. Автор: Philippe Bois,Emmannuel Rosencher. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1996-02-22.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: US20220238737A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-07-28.

Control of contact resistance in quantum well intermixed devices

Номер патента: US7138285B2. Автор: Xuefeng Liu,Stewart Duncan Mcdougall,Stephen Najda. Владелец: Intense Ltd. Дата публикации: 2006-11-21.

Method of fabricating highly lattice mismatched quantum well structures

Номер патента: CA2026086A1. Автор: Chirravuri Jagannath,Emil S. Koteles,Paul Melman,Boris S. Elman. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Miniband transport quantum well infrared detector

Номер патента: AU9030791A. Автор: John William Little Jr.. Владелец: Martin Marietta Corp. Дата публикации: 1992-05-26.

Strained quantum well structure element and optical device having the same

Номер патента: JP3227661B2. Автор: 淳新田. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-11-12.

Electro-optical modulator with coupled quantum well structure.

Номер патента: DE69023013T2. Автор: Domenico Campi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1996-04-18.

Optoelectronic switching device with quantum well structure and stimulated emission

Номер патента: DE69222822T2. Автор: Szutsun Simon Ou. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1998-03-05.

Konzentrator-solarzelle mit multi-quantum-well system in der verarmungszone der zelle

Номер патента: DE69218613T2. Автор: Keith Mayfield London Barnham. Владелец: Imperial College of Science Technology and Medicine. Дата публикации: 1997-07-03.

Super lattice/quantum well nanowires

Номер патента: TW201004863A. Автор: Qiang Huang,George F Walker,Harold J Hovel,James Vichiconti,xiao-yan Shao. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-02-01.

Quantum-Confined Stark Effect Electro-Optic Modulator In Perovskite Quantum Wells Integrated On Silicon

Номер патента: US20230132224A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott Ortmann, JR.. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-04-27.

Monolithic multi-color, multi-quantum well semiconductor LED

Номер патента: TWI281274B. Автор: Shirong Liao,Yea-Chuan Milton Yeh,Jyh-Chia Chen,Jinlin Ye,Theeradetch Detchprohm. Владелец: Blue Photonics Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

Quantum well intermixing.

Номер патента: ZA200205931B. Автор: Yan Zhou,Yee Loy Lam,Siu Chung Tam,Yuen Chuen Chan,Boon Siew Ooi. Владелец: NTU Ventures Pte Ltd. Дата публикации: 2003-08-18.

Multiple quantum well devices

Номер патента: EP1974388B1. Автор: Yasunao Katayama,Dennis Newns,Chang Chyi Tsuei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-09-12.

Super lattice/quantum well nanowires

Номер патента: US20120286236A1. Автор: Qiang Huang,Harold J. Hovel,Xiaoyan Shao,James Vichiconti,George F. Walker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-15.

Strain-controlled atomic layer epitaxy, quantum wells and superlattices prepared thereby and uses thereof

Номер патента: US20130075694A1. Автор: Gad Bahir,Asaf ALBO,Dan Fekete. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

THERMO-TUNNELING DESIGN FOR QUANTUM WELL PHOTOVOLTAIC CONVERTER

Номер патента: US20130186458A1. Автор: Freundlich Alexandre,Alemu Andenet. Владелец: THE UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2013-07-25.

Device with quantum well layer

Номер патента: US20150028287A1. Автор: Stephen SWEENEY,Yaping Zhang. Владелец: Astrium Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Device with quantum well layer

Номер патента: EP2766757B1. Автор: Stephen SWEENEY,Yaping Zhang. Владелец: Astrium Ltd. Дата публикации: 2018-08-08.

Device with quantum well layer

Номер патента: KR102054781B1. Автор: 스티븐 스위니,야핑 장. Владелец: 아스트리움 리미티드. Дата публикации: 2020-01-22.

Optoelectronic semiconductor chip having a multiple quantum well structure

Номер патента: KR101488846B1. Автор: 피터 스타우스,마티아스 피터,알렉산더 워터. Владелец: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하. Дата публикации: 2015-02-03.

Quantum-well radiation detector

Номер патента: KR920009918B1. Автор: 조지 베세아 클라이드,프랭클린 레빈 배리,죤 매릭 로져. Владелец: 엘리 와이스. Дата публикации: 1992-11-06.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CN100350637C. Автор: D·T·埃默森,J·伊贝特森,M·J·奥罗林,H·D·小诺尔比,A·C·阿巴雷,M·J·博格曼,K·M·多维斯皮克. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2007-11-21.

Group ⅲ nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: KR101066760B1. Автор: 마이클 존 버그만,데이비드 토드 에머슨,제임스 이벳슨,마이클 존 오로린,하워드 딘 주니어 노드비,앰버 크리스틴 아베어,캐쓸린 마리 도버스파이크. Владелец: 크리 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-09-21.

Group iii nitride based semiconductor device with a multiple quantum well structure

Номер патента: EP1390990B1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-10-22.

III-nitride light-emitting diode structure with quantum well and superlattice

Номер патента: JP5363236B2. Автор: トッドエマーソンデイビッド,イベットソンジェイムス,ジョンオーロウリンマイケル,ディーンノードビージュニアハワード,クリスティンアバレアンバー,ジョンバーグマンマイケル,マリードーバースパイクキャスリーン. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-12-11.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: US8044384B2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-10-25.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: US9054253B2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: US20050056824A1. Автор: David Emerson,Michael Bergmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-17.

Staggered composition quantum well method and device

Номер патента: WO2009082404A1. Автор: Nelson Tansu,Ronald A. Arif,Yik Khoon Ee,Hongping Zhao. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2009-07-02.

Quantum well structured solar cells and method for manufacturing same

Номер патента: KR101461602B1. Автор: 김광호. Владелец: 청주대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-11-20.

Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well

Номер патента: US6906352B2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson,John Adam Edmond,Hua-Shuang Kong,Kathleen Marie Doverspike. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-06-14.

Group iii nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: US20100133508A1. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259342A3. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-11-22.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259341A3. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-11-22.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: EP1390990A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-02-25.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259341B1. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-08-26.

Optical element with quantum well

Номер патента: KR100928963B1. Автор: 송대성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-11-26.

Electromagnetic wave detector with quantum wells.

Номер патента: FR2693594B1. Автор: Jean Massies,Philippe Bois,Borge Vinter,Emmanuel Rosencher,Gerard Neu,Nicolas Grandjean. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-08-26.

Optical semiconductor device with a constrained quantum well.

Номер патента: FR2703188B1. Автор: Hiroshi C O Fujitsu L Ishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-02-09.

Optical semiconductor device comprising a multiple quantum well structure

Номер патента: KR100799793B1. Автор: 베르톨트 하안,안드레아스 바이마르,폴커 헤를레,한스-위르겐 루크아우어,헬무트 볼라이,슈테판 바더,도미닉 아이절트,우베 슈트라우스,요하네스 푈클,울리히 체엔더,알프레드 렐. Владелец: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor miniband transport quantum well detector and a method for detecting electromagnetic radiation

Номер патента: IL106130A. Автор: . Владелец: Martin Marietta Corp. Дата публикации: 1996-10-19.

Quantum dot/quantum well Light Emitting Diode

Номер патента: US20060145137A1. Автор: Chih-Ming Lai,Te-Chung Wang,Chang-Cheng Chuo,Ching-En Tsai,Jung-Tsung Hsu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-07-06.

Device with quantum well layer

Номер патента: CN103998965A. Автор: 斯蒂芬·斯韦内,张亚平. Владелец: ASTRIM AG. Дата публикации: 2014-08-20.

Yellow-green epitaxial transparent substrate-LEDs and lasers based on a strained-ingap quantum well grown on an indirect bandgap substrate

Номер патента: US20040099872A1. Автор: Eugene Fitzgerald,Lisa Mcgill. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-05-27.

Quantum well structured solar cells and method for manufacturing the same

Номер патента: TW201405846A. Автор: Kwang-Ho Kim. Владелец: Univ Cheongju Industry & Academy Cooperation Foundation. Дата публикации: 2014-02-01.

Quantum well device, perpendicular to layers forming laser

Номер патента: FR2741195A1. Автор: Bruno Gerard,Vincent Berger. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1997-05-16.

Semiconductor lasers with multiple quantum well structures

Номер патента: KR19980079683A. Автор: 쓰또무 무나까따,야스마사 가시마. Владелец: 오끼덴끼고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-11-25.

Optical device including three-coupled quantum well structure

Номер патента: EP2927966A1. Автор: Byunghoon NA,Changyoung PARK,Yonghwa PARK,Yongchul Cho,Yongtak Lee,Gunwu Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-07.

ELECTRONIC BOLOMETER WITH QUANTUM WELL AND APPLICATION TO A RADIATION DETECTOR.

Номер патента: FR2670006A1. Автор: Bois Philippe,Rosencher Emmanuel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1992-06-05.

Semiconductor laser array device employing modulation doped quantum well structures

Номер патента: US20050018730A1. Автор: Scott Duncan,Geoff Taylor. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2005-01-27.

Deep ultraviolet LED with component-gradient quantum well structure and preparation method

Номер патента: CN112382708A. Автор: 张骏,岳金顺,梁仁瓅. Владелец: Suzhou Zican Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Quantum well intermixing

Номер патента: AU3583001A. Автор: Yan Zhou,Yee Loy Lam,Yuen Chuen Chan,Geok Ing Ng,Boon-Siew Ooi. Владелец: NTU Ventures Pte Ltd. Дата публикации: 2001-09-17.

Epitaxy structure with a layer sequence of quantum wells with uneven and uneven surfaces and the corresponding method

Номер патента: DE102008004448A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Chih-ching Cheng. Владелец: Huga Optotech Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Device with quantum well layer

Номер патента: WO2013053688A1. Автор: Stephen SWEENEY,Yaping Zhang. Владелец: ASTRIUM LIMITED. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor device having quantum well structure, and forming method of semiconductor device

Номер патента: TW200539541A. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2005-12-01.

Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well

Номер патента: US20020195606A1. Автор: David Emerson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,John Edmond,Hua-Shuang Kong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

QUANTUM WELL OPTOELECTRONIC DEVICE

Номер патента: FR2741483B1. Автор: Jean Yves Duboz. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1998-01-02.

III-nitride LED with undoped cladding layer and multi-quantum well

Номер патента: JP2005528809A. Автор: ドーヴァースパイク，キャスリーン・マリー,エドモンド，ジョン・アダム,エマーソン，デーヴィッド・トッド,コン，フア−シュアン,バーグマン，マイケル・ジョン. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-09-22.

Manufacturing method for an optical analyser comprising a quantum cascade laser and a quantum-well detector

Номер патента: EP2149912A1. Автор: Vincent Berger,Mathieu Carras. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2010-02-03.

Semiconductor optical modulator with quantum well structure with increased effective photocurrent generation capability

Номер патента: JP5090668B2. Автор: デイビッド・ボーア,ジンティアン，ズー. Владелец: アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド. Дата публикации: 2012-12-05.

Semiconductor device having quantum well structure, and method of forming the same

Номер патента: US20050199903A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Type ii quantum well optoelectronic devices

Номер патента: AU2003262687A8. Автор: Nelson Tansu,Luke J Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2004-04-19.

Thermochromic optical filter in which transition wavelength is variable and controllable by adjustable temperature of a chosen quantum well layer

Номер патента: US7977621B2. Автор: Wil McCarthy,Richard M. Powers. Владелец: RavenBrick LLC. Дата публикации: 2011-07-12.

Quantum-well radiation detector

Номер патента: EP0345972B1. Автор: Barry Franklin Levine,Roger John Malik,Clyde George Bethea. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1994-07-20.

Miniband transport quantum well infrared detector

Номер патента: EP0555402A1. Автор: John William Little, Jr.. Владелец: Martin Marietta Corp. Дата публикации: 1993-08-18.

Yellow-green epitaxial transparent substrate-LEDs and lasers based on a strained-InGaP quantum well grown on an indirect bandgap substrate

Номер патента: US6987286B2. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Lisa Mcgill. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-01-17.

Group iii nitride led with undoped cladding layer and multiple quantum well

Номер патента: CN1666350A. Автор: 孔华双,约翰·亚当·埃德蒙德,凯瑟琳·玛丽·多维尔斯皮克,迈克尔·约翰·伯格曼. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2005-09-07.

ELECTRONIC BOLOMETER WITH QUANTUM WELL AND APPLICATION TO A RADIATION DETECTOR.

Номер патента: FR2670006B1. Автор: Bois Philippe,Philippe Bois,Emmanuel Rosencher,Rosencher Emmanuel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-03-12.

Broad-band quantum well infrared photodetectors

Номер патента: AU1535499A. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1999-06-15.

Multijunction solar cell with strained-balanced quantum well middle cell

Номер патента: US20080257405A1. Автор: Paul Sharps. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Resonant cavity enhanced multi-quantum well light modulator and detector

Номер патента: US20060180830A1. Автор: Patrick Maloney,F. Koch,Kambiz Alavi,Joseph Pellegrino. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2006-08-17.

Terahertz radiating device based on semiconductor coupled quantum wells

Номер патента: WO2006077566A2. Автор: Leonid Shvartsman,Boris Laikhtman. Владелец: YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM. Дата публикации: 2006-07-27.

Optical semiconductor device comprising a multiple quantum well structure

Номер патента: US6849881B1. Автор: Dominik Eisert,Uwe Strauss,Berthold Hahn,Stefan Bader,Ulrich Zehnder,Hans-Jürgen Lugauer,Volker HÄRLE,Helmut Bolay,Johannes VÖLKL,Alfred Lell,Andreas Weimer. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-02-01.

Super lattice/quantum well nanowires

Номер патента: EP2257968A1. Автор: Qiang Huang,Harold J. Hovel,Xiaoyan Shao,James Vichiconti,George F. Walker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Super lattice/quantum well nanowires

Номер патента: EP2257968A4. Автор: Qiang Huang,George F Walker,Harold J Hovel,Xiaoyan Shao,James Vichiconti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

Quantum-confined stark effect electro-optic modulator in perovskite quantum wells integrated on silicon

Номер патента: WO2021178959A1. Автор: Alexander A. Demkov,Agham POSADAS,John Elliott ORTMANN. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-09-10.

Quantum well intermixing.

Номер патента: ZA200205930B. Автор: Yan Zhou,Yee Loy Lam,Yuen Chuen Chan,Boon Siew Ooi,Geok Ing Ng. Владелец: NTU Ventures Pte Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Multiple quantum well light emitting device with multi-layer barrier structure

Номер патента: US09711682B2. Автор: Rak Jun Choi,Young Hun Han,Jeong Tak Oh. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: EP2532033A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Semiconductor light emitting element with quantum well active layer and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2015008871A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-22.

Group iii nitride based led structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US20190172971A1. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

GROUP III NITRIDE BASED LED STRUCTURES INCLUDING MULTIPLE QUANTUM WELLS WITH BARRIER-WELL UNIT INTERFACE LAYERS

Номер патента: US20180254377A1. Автор: Kuhr Thomas A.,Schmidt Robert David,Driscoll Daniel Carleton,Collins Brian T.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

Multi-quantum well solar cell and method of manufacturing multi-quantum well solar cell

Номер патента: US20150303334A1. Автор: Masaharu Shiratani,Naho Itagaki,Giichiro Uchida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2015-10-22.

GROUP III NITRIDE BASED LED STRUCTURES INCLUDING MULTIPLE QUANTUM WELLS WITH BARRIER-WELL UNIT INTERFACE LAYERS

Номер патента: US20200381581A1. Автор: Kuhr Thomas A.,Schmidt Robert David,Driscoll Daniel Carleton,Collins Brian T.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: US20110187294A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US9985168B1. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Group III nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: US8575592B2. Автор: Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro,James Ibbotson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: EP2532033B1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-08-23.

Multi-quantum-well structure and light-emitting diode with multi-quantum-well structure

Номер патента: CN103872198A. Автор: 王笃祥,刘晓峰,刘志彬,张东炎,陈沙沙. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US11088295B2. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

Multiple quantum well solar cell and method of manufacturing multiple quantum well solar cell

Номер патента: JPWO2013133264A1. Автор: 奈穂板垣,正治白谷,儀一郎内田. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2015-07-30.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: CN102822995A. Автор: M.J.伯格曼,D.C.德里斯科尔,A.查文,P.肯图-阿列汉德罗,J.伊贝森. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: EP4154317A4. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method and system for realistic and efficient simulation of light emitting diodes having multi-quantum-wells

Номер патента: US12050844B2. Автор: Gerhard Klimeck,Tillmann Kubis,Junzhe Geng. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-30.

n- and p-Channel Field Effect Transistors with Single Quantum Well for Complementary Circuits

Номер патента: US20130149845A1. Автор: Ancona Mario,Boos John Bradley,Bennett Brian R.,Champlain James G.,Papanicolaou Nicolas A.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2013-06-13.

ANISOTROPIC STRAIN CONTROL IN SEMIPOLAR NITRIDE QUANTUM WELLS BY PARTIALLY OR FULLY RELAXED ALUMINUM INDIUM GALLIUM NITRIDE LAYERS WITH MISFIT DISLOCATIONS

Номер патента: US20130259080A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Speck James S.,Wu Feng,Chakraborty Arpan,Ohta Hiroaki,Tyagi Anurag,Young Erin C.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

Concentrated photovoltaic/quantum well thermoelectric power source

Номер патента: US20130291919A1. Автор: Cheng-Yi Lu. Владелец: Hamilton Sundstrand Space System International Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

SUPERLATTICE QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR

Номер патента: US20130299781A1. Автор: Kryskowski David. Владелец: UD HOLDINGS, LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

LIGHT EMITTING DIODE WITH MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20130313515A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,LIN YA-WEN. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

QUANTUM EFFICIENCY OF MULTIPLE QUANTUM WELLS

Номер патента: US20140008607A1. Автор: Wang Liang,Mohammed Ilyas,Beroz Masud. Владелец: INVENSAS CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-09.

QUANTUM WELL THERMOELECTRIC COMPONENT FOR USE IN A THERMOELECTRIC DEVICE

Номер патента: US20140027714A1. Автор: Figuet Christophe,Delprat Daniel,Kononchuk Oleg. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-01-30.

Photodetectors based on interband transition in quantum wells

Номер патента: US20170012076A1. Автор: Yang Jiang,HONG Chen,LU Wang,Wenxin Wang,Haiqiang Jia,Ziguang Ma. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2017-01-12.

III-NITRIDE QUANTUM WELL STRUCTURE, A METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND A LIGHT-EMITTING UNIT USING THE SAME

Номер патента: US20140110664A1. Автор: Shih Cheng-Hung,LO I-Kai,HSU Yu-Chi,PANG Wen-Yuan,CHOU Ming-Chi. Владелец: NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-24.

NON-POLAR (Al,B,In,Ga)N QUANTUM WELLS

Номер патента: US20160043278A1. Автор: DenBaars Steven P.,Craven Michael D.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-02-11.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: US20160049544A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-02-18.

GREEN-LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING QUATERNARY QUANTUM WELL ON VICINAL C-PLANE

Номер патента: US20160056328A1. Автор: Kim Sungjin,CHO Yong-Hee,SHIM Munbo,PAK Yukeun Eugene. Владелец: AICT (Advanced Institutes of Convergence Technology). Дата публикации: 2016-02-25.

MULTI-QUANTUM WELL STRUCTURE AND LED DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220077347A1. Автор: Chang Chia-Hung,TSAI CHI-MING,Jiang Han,Huang Wen-Pin,LING CHAN-CHAN,LAN Yung-Ling,SONG Changwei,HUANG LI-CHENG,XUN FEILIN. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

SUPERLATTICE QUANTUM WELL THERMOELECTRIC GENERATOR VIA RADIATION EXCHANGE AND/OR CONDUCTION/CONVECTION

Номер патента: US20150068576A1. Автор: Kryskowski David. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

COMPONENT HAVING A MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20180083160A1. Автор: Peter Matthias,Meyer Tobias,Hirai Asako,Stauss Peter,Drechsel Philipp,LEHNHARDT Thomas,Off Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor Chip of Light Emitting Diode and Quantum Well Layer Thereof and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20200091374A1. Автор: Yao Gang,Lin Zhiwei,ZHUO Xiangjing,Wan Zhi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

III-Nitride Quantum Well Structure and a Light-Emitting Unit Using the Same

Номер патента: US20150102286A1. Автор: Shih Cheng-Hung,LO I-Kai,HSU Yu-Chi,PANG Wen-Yuan,CHOU Ming-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Mixed strain multi-quantum well superluminescent light emitting diode

Номер патента: US20220149229A1. Автор: Andy Piper,Rajan Rajgopal,Royston Hogan,Ashish Kumar Rai,Dasa Lakshmi Narayana Dheeraj. Владелец: DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

STAGGERED COMPOSITION QUANTUM WELL METHOD AND DEVICE

Номер патента: US20140191189A1. Автор: Tansu Nelson,Zhao Hongping,ARIF Ronald A.,EE Yik Khoon. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2014-07-10.

OPTICAL DEVICE INCLUDING THREE COUPLED QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20140191196A1. Автор: PARK Yong-hwa,CHO Yong-chul,LEE Yong-tak,NA Byung-hoon,PARK Chang-young,CHIO Hee-ju,JU Gun-wu. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20150129835A1. Автор: YAMANE Takayoshi. Владелец: STANLEY ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2015-05-14.

STRAIN BALANCED DIRECT BANDGAP ALUMINUM INDIUM PHOSPHIDE QUANTUM WELLS FOR LIGHT EMITTING DIODES

Номер патента: US20220271194A1. Автор: Alberi Kirstin,STENDER Christopher Leo,AHRENKIEL Scott Phillip. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

LIGHT EMITTING DIODE WITH DOPED QUANTUM WELLS AND ASSOCIATED MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160141449A1. Автор: ROBIN Ivan-Christophe. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2016-05-19.

Optical Cavity Devices Using Stacked Multi-Quantum Wells

Номер патента: US20220283452A1. Автор: Erik C. Nelson. Владелец: Fathom Radiant PBC. Дата публикации: 2022-09-08.

Quantum Well Device With Lateral Electrodes

Номер патента: US20150155478A1. Автор: Willett Robert L.. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2015-06-04.

QUANTUM EFFICIENCY OF MULTIPLE QUANTUM WELLS

Номер патента: US20150171265A1. Автор: Wang Liang,Mohammed Ilyas,Beroz Masud. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Quantum Well Structure for Polarized Semiconductors

Номер патента: US20210203134A1. Автор: Wasserbauer John. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20160181471A1. Автор: Tangring Ivar,Ernst Felix. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Tunnel Diode With Broken-Gap Quantum Well

Номер патента: US20160211393A1. Автор: Walters Robert J.,MACK SHAWN,Gonzalez Maria,Lumb Matthew P.,Schmieder Kenneth. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2016-07-21.

HIGH OPERATING TEMPERATURE RESONANT TUNNELLING QUANTUM WELL PHOTODETECTOR

Номер патента: US20150280035A1. Автор: Rihani Samir. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-10-01.

TWO-DIMENSIONAL LAYERED MATERIAL QUANTUM WELL JUNCTION DEVICES

Номер патента: US20170309762A1. Автор: Amano Jun. Владелец: KONICA MINOLTA LABORATORY U.S.A., INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20170309777A1. Автор: Tangring Ivar,Ernst Felix. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Method and system for realistic and efficient simulation of light emitting diodes having multi-quantum-wells

Номер патента: US20180336302A1. Автор: Gerhard Klimeck,Tillmann Kubis,Junzhe Geng. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-11-22.

Non-Uniform Multiple Quantum Well Structure

Номер патента: US20170345968A1. Автор: Gaska Remigijus,Shatalov Maxim S.,Dobrinsky Alexander,Yang Jinwei,Shur Michael,Sun Wenhong. Владелец: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-11-30.

Light emitting device having active region of quantum well structure

Номер патента: KR101644156B1. Автор: 유홍재. Владелец: 서울바이오시스 주식회사. Дата публикации: 2016-07-29.

Multi-quantum well light-emitting diode with insertion layer and preparation method thereof

Номер патента: CN110085713B. Автор: 刘卫东,赵伟,肖凯香,普丹丹. Владелец: Shanxi Crossing Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Green light emitting device including quaternary quantum well on a vicinal c-plane

Номер патента: KR102299362B1. Автор: 김성진,심문보,조용희,박유근. Владелец: 재단법인차세대융합기술연구원. Дата публикации: 2021-09-08.

Far-infrared camel photodetector combined with quantum dot or quantum well and the driving method thereof

Номер патента: KR100370822B1. Автор: 홍성철,박진성. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2003-02-05.

QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE SEPARATED BY BARRIER LAYERS OF INGAN HAVING VARIABLE INDIUM COMPOSITIONS

Номер патента: FR3012676A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-05-01.

MULTI-QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE AND ASYMMETRIC P-N JUNCTION

Номер патента: FR3004005A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-10-03.

Multiple quantum well of compound semiconductor

Номер патента: KR970004486B1. Автор: 이상훈,원용협,이일항,최영완,정종술,심숙이. Владелец: 재단법인 한국전자통신연구소. Дата публикации: 1997-03-28.

Quantum well type light-emitting diode

Номер патента: CA2302103A1. Автор: Yoshiyuki Mizuno. Владелец: Daido Steel Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-15.

Compound Semiconductor Shallow Multiple Quantum Well Structures Coupled with Asymmetric Fabry-Perot Resonances

Номер патента: KR950021283A. Автор: 이상훈,원용협,이일항,최영완,정종술,심숙이. Владелец: 재단법인 한국전자통신연구소. Дата публикации: 1995-07-26.

Light emitting diode epitaxial structure capable of shielding quantum well region polarized field effect

Номер патента: CN105870274A. Автор: 徐庶,毕文刚,耿翀,张紫辉,张勇辉. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-08-17.

It is a kind of that the method with staged quantum well structure near ultraviolet LED is prepared using MOCVD technologies

Номер патента: CN106033787B. Автор: 贾传宇,殷淑仪,张国义. Владелец: Sino Nitride Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Opto-electronic semiconductor chip with quantum-well structure

Номер патента: TW200919883A. Автор: Uwe Strauss,Georg Bruederl,Adrian Stefan Avramescu,Alfred Lell,Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Christian Rumbolz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2009-05-01.

Deep ultraviolet light-emitting device with P-type region growing in parallel in quantum well region and preparation method thereof

Номер патента: CN112467003A. Автор: 章勇,尹以安,张珂铭. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-09.

A kind of LED and preparation method thereof with novel quantum well structure

Номер патента: CN103985798B. Автор: 刘洋,叶国光,林振贤,罗长得. Владелец: Guangdong De Li Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-30.

Device including light-emitting diode used to convert electromagnetic radiation into electrical energy comprises two base regions of n-type and p-type III-V semiconductor materials; and multi-quantum well structure

Номер патента: FR2986661A1. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-08-09.

Multiple quantum well light-emitting layer, light-emitting diode epitaxial wafer and preparation method of light-emitting diode epitaxial wafer

Номер патента: CN116111015A. Автор: 张彩霞,胡加辉,高虹,印从飞,刘春杨,程龙,郑文杰,舒俊,程金连,金从龙. Владелец: Jiangxi Zhao Chi Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-12.

LED epitaxial structure capable of improving multi-quantum well combination efficiency

Номер патента: CN106328785A. Автор: 田宇,郑建钦,吴真龙,曾颀尧,赖志豪,林政志. Владелец: Tongfang Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-11.

Packaging device and method for unit device of back-incident quantum well infrared detector

Номер патента: CN110970509B. Автор: 张冶金,孙捷,苏艳梅,孙秀艳,种明. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2021-03-02.

High-efficiency blue InGaN/GaN quantum-well light-emitting diodes with saw-like later

Номер патента: KR101462238B1. Автор: 박승환. Владелец: 대구가톨릭대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-12-04.

Suspended p-n junction quantum-well device and optical waveguide monolithic integrated system and fabrication method thereof

Номер патента: CN105742383A. Автор: 蔡伟,王永进,袁威,袁炜,许银,高绪敏,朱桂遐. Владелец: Nanjing Post and Telecommunication University. Дата публикации: 2016-07-06.

Patch-coupled quantum well infrared photodetector

Номер патента: CA2228231A1. Автор: Austin John Brouns. Владелец: Lockheed Martin Vought Systems Corp. Дата публикации: 1998-09-19.

A kind of multiple quantum well light emitting diode and preparation method thereof

Номер патента: CN108365064B. Автор: 郭秀丽. Владелец: 郭秀丽. Дата публикации: 2019-05-24.

Slotted quantum well sensor

Номер патента: AU1738700A. Автор: Sumith V. Bandara,Sarath D. Gunapala,John K. Liu,Daniel W. Wilson. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2000-06-13.

Resonance tunneling diode with double InGaN sub quantum wells and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104465913A. Автор: 李月,郝跃,陈安,陈浩然,杨林安,田言. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-03-25.

A kind of quantum well detector and its manufacture method of multiband detection

Номер патента: CN107369738A. Автор: 康晓旭. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Enhanced quantum well infrared photodetector

Номер патента: CA2220834A1. Автор: Thomas R. Schimert. Владелец: Lockheed Martin Vought Systems Corporation. Дата публикации: 1996-10-24.

Quantum well composite LED epitaxial structure with high luminous efficiency and preparation method thereof

Номер патента: CN105355737A. Автор: 徐现刚,马旺,曲爽,柳颜欣. Владелец: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-24.

Slotted quantum well sensor

Номер патента: JP2002530893A. Автор: サラスディーグナパラ,スミスブイバンダラ,ジョンケイリュウ,ダニエルダブリュウィルソン. Владелец: カリフォルニア・インスティチュート・オブ・テクノロジー. Дата публикации: 2002-09-17.

AlGaN-based deep ultraviolet quantum well and preparation method and application thereof

Номер патента: CN111933757B. Автор: 沈波,康香宁,许福军,秦志新,王嘉铭,孙元浩. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-10.

Non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices

Номер патента: US8188458B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Michael D. Craven,James S. Speck,Stacia Keller,Umesh K. Mishra,Tal Margalith. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-05-29.

A kind of multiple quantum wells blue light detector and preparation method and application

Номер патента: CN110459628A. Автор: 李国强,王文樑,孔德麒,杨昱辉. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-11-15.

MULTI-QUANTUM WELL LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: FR3041476B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Pierre Ferret,Amélie DUSSAIGNE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-01.

Multiple quantum well structure and light emitting diodes

Номер патента: US9997665B2. Автор: Xiaofeng Liu,Zhibin Liu,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Shasha Chen. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: EP2979307B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-07-24.

Guided-wave photodiode using through-absorber quantum-well-intermixing and methods thereof

Номер патента: US9477040B1. Автор: Erik J. Skogen. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Light emitting diode with five-step quantum well and V-shaped electronic barrier layer structure

Номер патента: CN111477729A. Автор: 李林,刘国军,赵志斌,乔忠良,李再金,曲轶,谢琼涛. Владелец: Hainan Normal University. Дата публикации: 2020-07-31.

Method for manufacturing indium gallium nitride/gallium nitride quantum-well reversed pyramid

Номер патента: TWI682053B. Автор: 羅奕凱,周明奇,蔡承達,王映傑. Владелец: 國立中山大學. Дата публикации: 2020-01-11.

Quantum well structure quantum dot and preparation method thereof

Номер патента: CN109390436B. Автор: 杨一行,程陆玲. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: TW202201806A. Автор: 班傑明梁,妙嬋蔡. Владелец: 美商瑞克斯姆股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-01.

A kind of quantum well region growth technique promoting LED product yield

Номер патента: CN105226148A. Автор: 徐现刚,马旺,曲爽,王成新,逯瑶. Владелец: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-06.

InGaN/AlGaN-GaN based multiple-quantum well structure and preparation method thereof

Номер патента: CN104201262A. Автор: 贾伟,许并社,党随虎,李天保,翟光美. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-12-10.

N- and p-channel field-effect transistors with single quantum well for complementary circuits

Номер патента: US8461664B2. Автор: Brian R. Bennett,John Bradley Boos,Mario Ancona,James G. Champlain,Nicolas A Papanicolaou. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for forming quantum well structure and method for manufacturing semiconductor light emitting element

Номер патента: TW200945452A. Автор: Masaki Ueno,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2009-11-01.

Non-Uniform Multiple Quantum Well Structure

Номер патента: US20130270519A1. Автор: Gaska Remigijus,Dobrinsky Alexander,Yang Jinwei,Shur Michael,Sun Wenhong,Shatalov Maxim S. Владелец: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-10-17.

GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH AN INDIUM CONTAINING CAPPING STRUCTURE

Номер патента: US20130341593A1. Автор: Bergmann Michael John,Emerson David Todd. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-12-26.

MULTI-QUANTUM WELL STRUCTURE AND LIGHT EMITTING DIODE HAVING THE SAME

Номер патента: US20140014899A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,LIN YA-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Multiple quantum well structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170033260A1. Автор: Chi-Feng Huang,Hsin-Chiao Fang,Chi-Hao Cheng. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-02-02.

MULTI-QUANTUM WELL STRUCTURE AND LED DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200052155A1. Автор: Chang Chia-Hung,TSAI CHI-MING,Jiang Han,Huang Wen-Pin,LING CHAN-CHAN,LAN Yung-Ling,SONG Changwei,HUANG LI-CHENG,XUN FEILIN. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

MULTIPLE QUANTUM WELL FOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DIODE AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20140158981A1. Автор: Kwon Se-Hun,Min Jae-Sik,Cho Byoung-Gu. Владелец: CHIP TECHNOLOGY CO., LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

MULTIPLE QUANTUM WELL LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20170084781A1. Автор: ROBIN Ivan-Christophe,Dussaigne Amélie,FERRET Pierre. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2017-03-23.

OPTICAL DEVICE INCLUDING THREE-COUPLED QUANTUM WELL STRUCTURE HAVING MULTI-ENERGY LEVEL

Номер патента: US20150123077A1. Автор: PARK Yong-hwa,CHO Yong-chul,LEE Yong-tak,NA Byung-hoon,PARK Chang-young,JU Gun-wu. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Mimcaps with quantum wells as selector elements for crossbar memory arrays

Номер патента: US20150137062A1. Автор: Ananthan Venkat,Phatak Prashant B. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTORS USING II-VI MATERIAL SYSTEMS

Номер патента: US20140231750A1. Автор: Ravikumar Arvind,Gmachl Claire,Shen Aidong,Tamargo Maria. Владелец: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-08-21.

OPTICAL DEVICE INCLUDING THREE-COUPLED QUANTUM WELL STRUCTURE HAVING ASYMMETRIC MULTI-ENERGY LEVELS

Номер патента: US20170200856A1. Автор: PARK Yonghwa,PARK Changyoung,NA Byunghoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-13.

METHOD FOR MANUFACTURING INDIUM GALLIUM NITRIDE/GALLIUM NITRIDE QUANTUM-WELL PYRAMID

Номер патента: US20200203555A1. Автор: Wang Ying-Chieh,LO I-Kai,CHOU Ming-Chi,Tsai Cheng-Da. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Multiple Quantum Well Structure and Light Emitting Diodes

Номер патента: US20160293796A1. Автор: LIU Xiaofeng,WANG DUXIANG,ZHANG Dongyan,LIU Zhibin,Chen Shasha. Владелец: XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

OPTICAL DEVICE INCLUDING THREE-COUPLED QUANTUM WELL STRUCTURE HAVING ASYMMETRIC MULTI-ENERGY LEVELS

Номер патента: US20200287081A1. Автор: PARK Yonghwa,PARK Changyoung,NA Byunghoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-10.

QUANTUM WELL THERMAL SENSING FOR POWER AMPLIFIER

Номер патента: US20180337269A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Concentrated photovoltaic/quantum well thermoelectric power source

Номер патента: CN103426963A. Автор: C-Y.卢. Владелец: Hamilton Sundstrand Space System International Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

Light-emitting diode and laser of p-GaN/ZnO-based multi-quantum well/n-ZnO structure and preparation method

Номер патента: CN105762243A. Автор: 何海平,吕斌,叶志镇,黄靖云,陈珊珊,潘新花. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2016-07-13.

Non-polar (Al,B,In,Ga)N Quantum Well and Heterostructure Materials and Devices

Номер патента: KR101317469B1. Автор: 제임스 에스. 스펙,스타시아 켈러,슈지 나카무라,마이클 디. 크레이븐,스티븐 피. 덴바아아스,탈 마르갈리스,우메쉬 케이. 미슈라. Владелец: 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아. Дата публикации: 2013-10-11.

light emitting diode including multiple quantum well structure and method for thereof

Номер патента: KR20150085950A. Автор: 김호연,박성주,임용철. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2015-07-27.

Infrared laser using quantum well structure

Номер патента: KR100532986B1. Автор: 윤성주. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2006-02-01.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: US20210367099A1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Raxium Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

MULTI-QUANTUM WELL LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: FR3041476A1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Pierre Ferret,Amélie DUSSAIGNE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-24.

DOPED QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR3028671A1. Автор: Ivan-Christophe Robin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-20.

DOPED QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR3028671B1. Автор: Ivan-Christophe Robin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-09.

MULTI-QUANTUM WELL ELECTROLUMINESCENT DIODE AND ASYMMETRIC P-N JUNCTION

Номер патента: FR3004005B1. Автор: Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-25.

QUANTUM WELL DETECTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: FR2729789B1. Автор: Philippe Bois,Jean Yves Duboz,Francois Luc. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1998-03-20.

Quantum well infrared photodetector for photosensitive array, has structure combining properties of coupling network and Bragg grating to obtain plasmonic wave that is localized in active zone having smaller dimension than structure

Номер патента: FR2863774A1. Автор: Rossi Alfredo De,Philippe Bois,Mathieu Carras. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2005-06-17.

Optoelectronic device comprising a multiple quantum well stack

Номер патента: FR3122038B1. Автор: Florian Dupont. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-04-14.

QUANTUM WELL DETECTOR WITH PHOTOEXCITED ELECTRON STORAGE LAYER

Номер патента: FR2780203A1. Автор: Philippe Bois,Vincent Berger. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1999-12-24.

Deep ultraviolet light-emitting device with P-type region growing in parallel in quantum well region and preparation method thereof

Номер патента: CN112467003B. Автор: 章勇,尹以安,张珂铭. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-23.

Hetero-phased quantum wells

Номер патента: TWI416762B. Автор: I Kai Lo,Yu Chi Hsu,Chia Ho Hsieh,Wen Yuan Pang,Ming Chi Chou. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2013-11-21.

Non-polar (Al, B, In, Ga) quantum well and heterostructure materials and devices

Номер патента: EP2316989A2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P Denbaars,Stacia Keller,James S Speck,Tal Margalith,Michael D Craven,Umesh K Mishra. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2011-05-04.

Light emitting diode with active region of multiple quantum well structure

Номер патента: JP5349849B2. Автор: スンイ、ドン,ボムキム、ギュ. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

LED quantum well structure, manufacture method of the same, and LED epitaxial wafer comprising the same

Номер патента: CN104064644A. Автор: 徐迪,曾莹,苗振林,刘为刚. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Uv optical device having quantum well structure

Номер патента: KR101937592B1. Автор: 박승환. Владелец: 대구가톨릭대학교산학협력단. Дата публикации: 2019-01-10.

Monolithic device with optically interconnected "quantum-well" structures.

Номер патента: DE68912916T2. Автор: David A B Miller,Harvard S Hinton,Anthony L Lentine. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-05-19.

Growth method of GaN-based high-In-component multi-quantum well

Номер патента: CN112909144A. Автор: 王小兰,张建立,刘庭,郑畅达,高江东. Владелец: Nanchang Guiji Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-06-04.

The method that nanometer metal structure is prepared near the Quantum Well of light-emitting diode chip for backlight unit

Номер патента: CN106449902B. Автор: 万巍,陈湛旭. Владелец: Guangdong Polytechnic Normal University. Дата публикации: 2018-04-17.

Silicon-germanium, quantum-well, light-emitting diode

Номер патента: US8476647B2. Автор: Alexandre M. Bratkovski,Viatcheslav Osipov. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-07-02.

Light-emitting diode with multiple quantum wells and asymmetric p-n junction

Номер патента: KR102156594B1. Автор: 이반-크리스토프 로빈,휴버트 보노. Владелец: 꼼미사리아 아 레네르지 아또미끄 에 오 에네르지 알떼르나띠브스. Дата публикации: 2020-09-16.

Solar cell with tunneling quantum wells structures directly connected to semiconductor pn junction structures

Номер патента: KR102499055B1. Автор: 김광호. Владелец: 청주대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-02-13.

Infrared detector for micro-tube resonant cavity quantum well

Номер патента: CN104733562A. Автор: 李宁,王晗,陆卫,陈效双,李梁,李梦瑶,黄高山,梅永丰,甄红楼,景友亮. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2015-06-24.

Quantum well device with control of spontaneous photon emission, and method of manufacturing same

Номер патента: WO1992000610A1. Автор: Thomas J. Rogers,Dennis G. Deppe. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 1992-01-09.

Silicon-germanium, quantum-well, light-emitting diode

Номер патента: WO2011037574A1. Автор: Alexandre M. Bratkovski,Viatcheslav Osipov. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor quantum well photon detecting element

Номер патента: CN101299445B. Автор: 周磊,安正华,陈张海,沈学础. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-11-17.

ZnO-based nanorod/ quantum well composite ultraviolet light-emitting diode and preparation method thereof

Номер патента: CN106601884A. Автор: 龙浩,侯金,顾锦华,杨春勇,杨艳芹,李颂战,王皓宁,钟志有. Владелец: South Central University for Nationalities. Дата публикации: 2017-04-26.

Multi-quantum well structure, photoelectric device epitaxial wafer and photoelectric device

Номер патента: CN110571311B. Автор: 刘明,龙世兵,孙海定. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2021-12-14.

Multiple quantum well for ultraviolet light emitting diode and a production method therefor

Номер патента: WO2013012232A2. Автор: 민재식,조병구,권세훈. Владелец: 주식회사 칩테크놀러지. Дата публикации: 2013-01-24.

Superlattice quantum well thermoelectric generator via radiation exchange and/or conduction/convection

Номер патента: US9954154B2. Автор: David Kryskowski. Владелец: UD Holdings LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Packaging device and method for unit device of back-incident quantum well infrared detector

Номер патента: CN110970509A. Автор: 张冶金,孙捷,苏艳梅,孙秀艳,种明. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-04-07.

The flexible substrate solar cell of gap tunable quantum well structure and preparation method

Номер патента: CN103715284B. Автор: 王健,张东,边继明,鞠振河,赵琰,郑洪�,张铁岩,刘宝丹,李昱材,宋世巍. Владелец: Shenyang Institute of Engineering. Дата публикации: 2016-03-09.

Quantum well detector with photo-excited electron storage device

Номер патента: DE69935947T2. Автор: Vincent Thomson-CSF Berger,Philippe Thomson-CSF Bois. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2008-01-10.

Intermittent-annealing isothermal-growth multi-quantum well LED extension structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104319321B. Автор: 王辉,王怀兵,傅华,吴岳,南琦. Владелец: SUZHOU NANOJOIN PHOTONICS CO Ltd. Дата публикации: 2017-02-08.

Surface-plasma-reinforced quantum well infrared detector and preparation method thereof

Номер патента: CN105870219A. Автор: 徐云,宋国峰,陈良惠,廖垠鑫. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2016-08-17.

Light shutter device based on quantum well structure

Номер патента: CN107248536B. Автор: 杨春,宋振杰,贾少鹏. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-29.

Slotted quantum well sensor

Номер патента: JP3660879B2. Автор: サラスディーグナパラ,スミスブイバンダラ,ジョンケイリュウ,ダニエルダブリュウィルソン. Владелец: カリフォルニア・インスティチュート・オブ・テクノロジー. Дата публикации: 2005-06-15.

Quantum well-based led structure enhanced with sidewall hole injection

Номер патента: CA3179454A1. Автор: Miao-Chan TSAI,Benjamin Leung. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Optoelectronic device comprising a multiple quantum well stack

Номер патента: FR3122038A1. Автор: Florian Dupont. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-10-21.

Quantum well type light-emitting diode

Номер патента: TW441140B. Автор: Yoshiyuki Mizuno. Владелец: Daido Steel Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-16.

Light emitting diode having active region of multi quantum well structure

Номер патента: US20090152586A1. Автор: Eu Jin Hwang,Dong Seon LEE. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Method and system for realistic and efficient simulation of light emitting diodes having multi-quantum-wells

Номер патента: US20210334438A1. Автор: Gerhard Klimeck,Tillmann Kubis,Junzhe Geng. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Quantum well nanocrystals with quaternary alloy structure for improved light absorption

Номер патента: US12031070B2. Автор: Jongmin Lee,Shin Ae Jun,Tae Gon Kim,Hyeyeon Yang,Jooyeon AHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Strained quantum-well structure having ternary-alloy material in both quantum-well layers and barrier layers

Номер патента: US20030235224A1. Автор: Ulf Ohlander. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Strained quantum well semiconductor laser device and method of fabricating strained quantum well structure

Номер патента: JP2659872B2. Автор: 紘岡本,義弘今荘. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 1997-09-30.

Method for increasing maximum modulation speed of a light emitting device, and light emitting device with increased maximum modulation speed and quantum well structure thereof

Номер патента: TW200625741A. Автор: YING-LAN Chang,Michael R T Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2006-07-16.

Method for increasing maximum modulation speed of a light emitting device, and light emitting device with increased maximum modulation speed and quantum well structure thereof

Номер патента: TWI368369B. Автор: YING-LAN Chang,Michael R T Tan,Ashish Tandon. Владелец: Avago Tech Fiber Ip Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Deep quantum well electro-absorption modulator

Номер патента: TW200703474A. Автор: David P Bour,Michael R T Tan,Ashish Tandon. Владелец: Avago Tech Fiber Ip Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2007-01-16.

Hybrid silicon laser-quantum well intermixing wafer bonded integration platform for advanced photonic circuits with electroabsorption modulators

External cavity surface emitting laser device having a plurality of quantum wells

Номер патента: KR101015501B1. Автор: 김택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2011-02-16.

Single mode laser diode using strain compensated multi-quantum-wells and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100602973B1. Автор: 이정일,최원준,허두창,한일기,조운조. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2006-07-20.

Dual quantum-well tunable semiconductor infrared laser

Номер патента: FR2607978A1. Автор: Armand Tardella,Borge Vinter. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-06-10.

GaInNAsSb quantum well semiconductor devices

Номер патента: US6798809B1. Автор: James S. Harris,Vincent Gambin,Wonill Ha. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2004-09-28.

Quantum-well-type semiconductor laser element

Номер патента: WO1992004753A1. Автор: Hiroshi Okamoto,Akihiko Kasukawa,Takeshi Namegaya,Narihito Matsumoto. Владелец: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 1992-03-19.

Mechanical stabilization of lattice mismatched quantum wells

Номер патента: US7167496B1. Автор: Ralph H. Johnson. Владелец: Finisar Corp. Дата публикации: 2007-01-23.

Wavelength shifting method in a semiconductor quantum well structure.

Номер патента: FR2718576A1. Автор: Goldstein Leon,Emery Jean-Yves. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1995-10-13.

Quantum well type semiconductor laser

Номер патента: JPS58216489A. Автор: Akira Sugimura,杉村　陽. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1983-12-16.

Quantum well semiconductor laser device

Номер патента: CA2068339A1. Автор: Hiroshi Okamoto,Akihiko Kasukawa,Takeshi Namegaya,Narihito Matsumoto. Владелец: Narihito Matsumoto. Дата публикации: 1992-03-13.

Semiconductor laser diode with quantum wells structure

Номер патента: KR100862925B1. Автор: 류상완. Владелец: 전남대학교산학협력단. Дата публикации: 2008-10-13.

Quantum well semiconductor laser

Номер патента: JPH0671115B2. Автор: 晶藤本. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 1994-09-07.

Semiconductor laser to widen the tunable range of wavelength by adjusting the quantum well sequence and the method thereof

Номер патента: TWI289961B. Автор: Ching-Fuh Lin,Yi-Shin Su. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2007-11-11.

Semiconductor laser with a quantum well layer including a disordered region

Номер патента: US4680768A. Автор: Katsumi Yagi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-07-14.

Laser diode having separate-confinement, highly strained quantum wells

Номер патента: WO1999057790A2. Автор: Dmitri Z. Garbuzov,Viktor B. Khalfin,John C. Connolly,Hao Lee. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 1999-11-11.

Multiple quantum well semiconductor laser

Номер патента: JPS62118591A. Автор: Hideaki Watanabe,秀明渡辺. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1987-05-29.

Light emitting system according to a polariton mode with electrical injection of quantum wells

Номер патента: US8498318B2. Автор: Aldo Di Carlo,Guillaume Malpuech,Dmitry Solnyshkov,Eleonora Petrolati. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2013-07-30.

Quantum well laser

Номер патента: JPS61220492A. Автор: Mitsunori Sugimoto,杉本　満則. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-30.

Long-wavelength photonic device with GaAsSb quantum-well layer

Номер патента: US20030161369A1. Автор: YING-LAN Chang,Michael Tan,Scott Corzine,Ashish Tandon,Min Noh,Russell Dupuis,Jae Ryou. Владелец: Board of Regents. Дата публикации: 2003-08-28.

Multiple quantum well semiconductor laser

Номер патента: US5559820A. Автор: Akira Suzuki,Akitaka Kimura,Akihisa Tomita,Masaaki Nido. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-24.

Laser diode with asymmetric quantum well

Номер патента: TW201126853A. Автор: Wei-li CHEN,Shi-Zhang Lin. Владелец: Univ Nat Changhua Education. Дата публикации: 2011-08-01.

Multiple quantum well distributed feedback semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US5450437A. Автор: Mitsuhiro Kitamura,Jong-In Shim. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Semiconductor quantum well laser and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2502949B2. Автор: アバス・ベーファーラッド,クリストフ・ステファン・ハーダー,ハインツ・ペーター・マイヤー. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-05-29.

Article comprising a strained layer quantum well laser

Номер патента: EP0544439B1. Автор: Young-Kai Chen,Maurice Alphonso Chin,Jenn-Ming Kuo,Arthur Mike Sergent,Ming-Chiang Wu. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1996-01-31.

Manufacture of multiplex quantum well structure semiconductor laser

Номер патента: JPS6092685A. Автор: Hiroshi Iwata,Yuichi Ide,Mitsunori Sugimoto,雄一井手,岩田　普,杉本　満則. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-05-24.

QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: FR2649549B1. Автор: Claude Weisbuch,Julien Nagle. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1991-09-20.

Wavelength shifting method in a semiconductor quantum well structure.

Номер патента: FR2718576B1. Автор: Leon Goldstein,Jean-Yves Emery. Владелец: Alcatel NV. Дата публикации: 1996-04-26.

Quantum-well diode laser

Номер патента: WO1993023902A1. Автор: Hong K. Choi,Stephen J. Eglash. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1993-11-25.

Quantum well device with anti-electrostatic discharge and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW459371B. Автор: Bau-Yi Huang,Chiuan-Cheng Du,Ren-Jau Wu,Shiou-Mu Tang. Владелец: United Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-11.

Device for shifting the wavelength in a semiconductor quantum well structure

Номер патента: CA2146407A1. Автор: Leon Goldstein,Jean-Yves Emery. Владелец: Jean-Yves Emery. Дата публикации: 1995-10-07.

Quantum well type semiconductor laser

Номер патента: JPS60202980A. Автор: Koichi Kuroiwa,Koichi Wakita,Yuichi Kawamura,Hajime Asahi,紘一脇田,一朝日,河村　裕一,黒岩　紘一. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-10-14.

Semiconductor laser with disordered and non-disordered quantum well regions

Номер патента: CA2372862A1. Автор: Edward H. Sargent. Владелец: FOX-TEK. Дата публикации: 2003-05-16.

Lasers with quantum wells having high indium and low aluminum with barrier layers having high aluminum and low indium with reduced traps

Номер патента: WO2012125997A2. Автор: Ralph H. Johnson,Jimmy Alan Tatum,Luke A. Graham,Andrew N. Macinnes,Jerome K. WADE. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

Long wavelength photonics device comprising a GaAsSb quantum well layer

Номер патента: JP4663964B2. Автор: マイケル・アール・ティー・タン,イン―ラン・チャン,スコット・ダブリュウ・コルジン,ラッセル・ディー・ダピュイス,ミン・スー・ノー,ジェー・ユン・リョウ,アシッシュ・タンドン. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2011-04-06.

Long wavelength photonic device with InGaAsSb quantum well layer

Номер патента: DE60225781T2. Автор: Ying-Lan Cupertino Chang,Scott W. Sunnyvale Corzine,Russell D Austin Dupuis,Min Soo Austin Noh,Jae Hyun Plymouth Ryou,Michael R.T. Menlo Park Tan,Ashish Sunnyvale Tandon. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

QUANTUM WELL LASER

Номер патента: FR2740271B1. Автор: Philippe Bois,Vincent Berger,Julien Nagle. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1997-11-07.

Quantum well semiconductor laser and method of fabrication

Номер патента: EP0674371A1. Автор: Saied N. Tehrani,Michael S. Lebby. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-09-27.

Grating coupler with monolithically integrated quantum well index modulator

Номер патента: EP0345923B1. Автор: Uziel Koren,Rodney Clifford Alferness,Thomas Lawson Koch,Jane Elisa Zucker. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1994-05-18.

Quantum well optical semiconductor amplifier for optical telecommunications

Номер патента: FR2734064A1. Автор: Toshitaka Aoyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-15.

Semiconductor device for controlling light using multiple quantum wells

Номер патента: EP0135582B1. Автор: Thomas Huntington Wood,Theodoor Charlouis Damen,Arthur Charles Gossard,Daniel Simon Chemla,David Andrew Barclav Miller. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1991-08-07.

Ultraviolet group III-nitride-based quantum well laser diodes

Номер патента: EP1544968B1. Автор: Michael A. Kneissl,David W. Treat. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-08-06.

Quantum well thermoelectric module

Номер патента: WO2012021381A1. Автор: Saeid Ghamaty,Norbert B. Elsner,Frederick A. Leavitt,Aleksandr Kushch,Daniel J. Krommenhoek. Владелец: Hi-Z Technology, Inc.. Дата публикации: 2012-02-16.

Quantum well device with lateral electrodes

Номер патента: EP2786410A1. Автор: Robert L. Willett. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2014-10-08.

Quantum Well Device With Lateral Electrodes

Номер патента: US20130140523A1. Автор: Robert L. Willett. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: WO2010107852A3. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2011-01-13.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: EP2409428A2. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2012-01-25.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: SG174460A1. Автор: Christopher R Doerr. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2011-10-28.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: WO2010107852A2. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

Modulating retroreflector using multiple quantum well technology

Номер патента: CA2335121A1. Автор: G. Charmaine Gilbreath,William S. Rabinovich,Steven R. Bowman,Charles H. Merk,H. E. Senasack. Владелец: H. E. Senasack. Дата публикации: 1999-12-23.

Quantum dot array devices

Номер патента: EP3497725A1. Автор: Ravi Pillarisetty,James S. Clarke,Robert L. Bristol,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-19.

Quantum dot devices with fins

Номер патента: US20230263076A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Van H. Le,Jeanette M. Roberts,Zachary R. Yoscovits. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Qubit element

Номер патента: US20240304706A1. Автор: Matthias Künne,Lars Schreiber. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2024-09-12.

Laser architectures using quantum well intermixing techniques

Номер патента: US11777279B2. Автор: Mark Alan ARBORE,Ross M. Audet,Alfredo Bismuto. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Vertical-cavity surface-emitting laser with an intracavity quantum-well optical absorber

Номер патента: WO1999057789A1. Автор: Connie J. Chang-Hasnain,Kam-Yin Lau,Janice A. Hudgings,Sui F. Lim. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1999-11-11.

Laser Architectures Using Quantum Well Intermixing Techniques

Номер патента: US20240113508A1. Автор: Mark Alan ARBORE,Ross M. Audet,Alfredo Bismuto. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Vertical-cavity surface-emitting laser with an intracavity quantum-well optical absorber

Номер патента: EP1075718A4. Автор: Kam-Yin Lau,Connie J Chang-Hasnain,Sui F Lim,Janice A Hudgings. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2001-09-19.

Quantum well structure, chip processing method, chip, and laser

Номер патента: EP4274040A4. Автор: HONGLIANG Liu,Yan Zou,Yanwei YANG. Владелец: Phograin Tech Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Laser Architectures Using Quantum Well Intermixing Techniques

Номер патента: US20220006267A1. Автор: Arbore Mark Alan,Audet Ross M.,BISMUTO Alfredo. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

Monolithic wdm vcsel arrays by quantum well intermixing

PLASMONIC QUANTUM WELL LASER

Номер патента: US20200083667A1. Автор: Moselund Kirsten Emilie,Schmid Heinz,Mayer Benedikt F.,Wirths Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR LASER DIODE HAVING MULTI-QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20180123320A1. Автор: OGAWA Naoki. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2018-05-03.

Etched facet in a multi quantum well structure

Номер патента: US20200233150A1. Автор: Damien Lambert,Paveen Apiratikul. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Laser Architectures Using Quantum Well Intermixing Techniques

Номер патента: US20200244045A1. Автор: Arbore Mark Alan,Bismuto Alfred,Audet Ross M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

ANISOTROPIC STRAIN CONTROL IN SEMIPOLAR NITRIDE QUANTUM WELLS BY PARTIALLY OR FULLY RELAXED ALUMINUM INDIUM GALLIUM NITRIDE LAYERS WITH MISFIT DISLOCATIONS

Номер патента: US20140376584A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Speck James S.,Wu Feng,Chakraborty Arpan,Ohta Hiroaki,Tyagi Anurag,Young Erin C.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2014-12-25.

Quantum well placement in a tunable VCSEL

Broadband absorber having multiple quantum wells of different thicknesses

Номер патента: US5265107A. Автор: Peter J. Delfyett, Jr.. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1993-11-23.

Long distance optical signal transmission semiconductor laser having n type lower layer/quantum well active layer and p type upper layer with lower layer higher refraction index upper covering.

Номер патента: FR2833418A1. Автор: Stephane Lovisa. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-06-13.

Semiconductor laser of multi quantum well structure

Номер патента: JPS6058693A. Автор: Hiroshi Iwata,Yuichi Ide,Mitsunori Sugimoto,雄一井手,岩田　普,杉本　満則. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-04-04.

Quantum well tunable short cavity laser

Номер патента: WO2014018945A9. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Alex Ezra Cable,Benjamin Michael Potsaid. Владелец: Praevium Research, Inc.. Дата публикации: 2015-02-19.

Optoelectronic oscillator using monolithically integrated multiple quantum well laser and phase modulator

Номер патента: CN112654915A. Автор: 阿贾伊·库马尔·波达尔,乌尔里希·L·罗德,阿夫申·S·达尤什. Владелец: Synergy Microwave Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Quantum well vertical cavity laser

Номер патента: EP0385643A2. Автор: Kuochou Tai,Kai-Feng Huang,Jack Lee Jewell,Samuel Leverte McCall, Jr.. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1990-09-05.

Aluminum quantum well laser and preparation method thereof

Номер патента: CN113078553B. Автор: 张海超,潘彦廷,李马惠,穆瑶,师宇晨. Владелец: Shaanxi Yuanjie Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

Quantum well tunable short cavity laser

Номер патента: CN111211487A. Автор: B·M·波特赛义德,A·E·凯布尔,V·贾亚拉曼. Владелец: Praevium Research Inc. Дата публикации: 2020-05-29.

Method of manufacturing multi-wavelengths distributed feedback (DFB) laser array including top separate confinement layer having different thickness laser units on the quantum-well layer grown by selective area epitaxial growth

Номер патента: US8921138B2. Автор: SONG Liang,Wei Wang,Hongliang Zhu,Can Zhang. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2014-12-30.

High-efficiency photo-anode based on II-type CdSe/CdTe quantum well and preparation method thereof

Номер патента: CN108806990B. Автор: 王松,陈美华,吴凯丰,程晓红,汪竞阳,梁桂杰,李望南. Владелец: Hubei University of Arts and Science. Дата публикации: 2020-02-14.

Strained Quantum Well Structure, Optical Semiconductor Device, and Semiconductor Laser

Номер патента: US20230178964A1. Автор: Tomonari Sato,Manabu Mitsuhara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Quantum well tunable short cavity laser

Номер патента: EP2878046A1. Автор: Vijaysekhar Jayaraman,Alex Ezra Cable,Benjamin Michael Potsaid. Владелец: Praevium Research Inc. Дата публикации: 2015-06-03.

Large optical cavity (loc) laser diode having quantum well offset and efficient single mode laser emission along fast axis

Номер патента: EP3804055B1. Автор: Zhigang Chen,Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Lasers With InGaAsP Quantum Wells And GaAsP Barrier Layers

Номер патента: US20140198817A1. Автор: Landry Gary,Johnson Ralph H.. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-17.

Optoelectronic Oscillator Using Monolithically Integrated Multi-Quantum Well Laser And Phase Modulator

Номер патента: US20210167578A1. Автор: Poddar Ajay Kumar,Rohde Ulrich L.,Daryoush Afshin S.. Владелец: Synergy Microwave Corporation. Дата публикации: 2021-06-03.

LARGE OPTICAL CAVITY (LOC) LASER DIODE HAVING QUANTUM WELL OFFSET AND EFFICIENT SINGLE MODE LASER EMISSION ALONG FAST AXIS

Номер патента: US20190372309A1. Автор: Chen Zhigang,Kanskar Manoj. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

PLASMONIC QUANTUM WELL LASER

Номер патента: US20190386453A1. Автор: Moselund Kirsten Emilie,Schmid Heinz,Mayer Benedikt F.,Wirths Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Quantum well passivation structure for laser facets

Номер патента: KR102228664B1. Автор: 아쿠보비치 아브람. Владелец: 투-식스 델라웨어, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-03-18.

Non absorbent mirror power laser semiconductor structure/manufacture technique having lower substrate/optical cavity layer and quantum well regions with inner etched cavities and upper deposition layers

Номер патента: FR2788172A1. Автор: Jean Charles Garcia,Jean Louis Guyaux. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2000-07-07.

Laser architectures using quantum well intermixing techniques

Номер патента: WO2019067455A1. Автор: . Владелец: Masseta Technologies Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor laser diode with multiple quantum well structure

Номер патента: CN108011295B. Автор: 小河直毅. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-02-12.

Optoelectronic oscillator using monolithically integrated multi-quantum well laser and phase modulator

Номер патента: US11848537B2. Автор: Ajay Kumar Poddar,Ulrich L Rohde,Afshin S. Daryoush. Владелец: Synergy Microwave Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device including cascaded modulation-doped quantum well heterostructures

Номер патента: CA2007829C. Автор: Israel Bar-Joseph,Tao-Yuan Chang,Daniel S. Chemla. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-12-07.

Ultrafast optical switching device having a double-junction multiple quantum well structure

Номер патента: US5448080A. Автор: Tae-Hyung Zyung,Byueng-Su Yoo,Pyong-Woon Park,El-Hang Lee,Young-Wan Choi,Seon-Gyu Han,Jong-Tai Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1995-09-05.

Metallic quantum wells

Номер патента: US20190155067A1. Автор: Zhaowei Liu,Yuzhe Xiao,Haoliang Qian. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-05-23.

Infrared/optical imaging techniques using anisotropically strained doped quantum well structures

Номер патента: US5748359A. Автор: Paul H. Shen,Michael Wraback,Mitra Dutta,Jagadeesh Pamulapati. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1998-05-05.

Multiple quantum well electrically/optically addressed spatial light modulator

Номер патента: US5844709A. Автор: William S. Rabinovich,Steven R. Bowman,Guy Beadie. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1998-12-01.

Optical frequency doubler using quantum well semiconductor structures

Номер патента: US5289309A. Автор: Michel Papuchon,Dominique Delacourt,Jean-Claude Pocholle. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1994-02-22.

Hybridized asymmetric fabry-perot quantum well light modulator

Номер патента: WO1995006272A1. Автор: Terrance L. Worchesky,Kenneth J. Ritter. Владелец: Martin Marietta Corporation. Дата публикации: 1995-03-02.

Quantum well structures

Номер патента: CA2065247C. Автор: Michael Graham Burt. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1998-12-01.

Optical device with quantum well absorption

Номер патента: US4751378A. Автор: David A. B. Miller,Anthony L. Lentine,Harvard S. Hinton. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1988-06-14.

Method for Calibrating Absolute Responsivity of Terahertz Quantum Well Detector and Device thereof

Номер патента: US20180216994A1. Автор: Li Gu,Juncheng Cao,Yonghao Zhu,Zhiyong Tan. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-08-02.

Method and apparatus of surface-incident, plasmon-enhanced multiple quantum well modulators and optical coupling thereon

Номер патента: US20180267339A1. Автор: Juejun Hu,Tian GU,Jifeng Liu,Xiaoxin Wang,Xiaochen Sun. Владелец: Laxense Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

OPTICAL DEVICE HAVING MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE LATTICE-MATCHED TO GAAS SUBSTRATE, AND DEPTH IMAGE ACQUISITION APPARATUS AND 3D IMAGE ACQUISITION APPARATUS INCLUDING THE OPTICAL DEVICE

Номер патента: US20150160481A1. Автор: PARK Yong-hwa,YOU Jang-woo,PARK Chang-young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

Methed of controlling bandgap of semiconductor optical devices having quantum well structure

Номер патента: KR100368791B1. Автор: 김선호,우덕하,최원준,이석,강광남,한일기,이희택,김회종. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2003-01-24.

QUANTUM WELL THERMOELECTRIC COMPONENT FOR USE IN A THERMOELECTRIC DEVICE

Номер патента: FR2974245A1. Автор: Oleg Kononchuk,Daniel Delprat,Christophe Figuet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-10-19.

GUIDED WAVE PHOTORECEPTOR BASED ON QUANTUM WELLS OF SEMICONDUCTOR MATERIALS, PARTICULARLY FOR CONSISTENT COMMUNICATION SYSTEM IN POLARIZATION DIVERSITY.

Номер патента: FR2688964B1. Автор: Marcel Bensoussan,Christophe Minot. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1995-03-03.

The QLED device of Quantum Well

Номер патента: CN106410057B. Автор: 钱磊,曹蔚然,向超宇,陈崧,杨一行. Владелец: TCL Corp. Дата публикации: 2019-05-24.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: US8208817B2. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2012-06-26.

Quantum Well Device With Lateral Electrodes

Номер патента: US20130140523A1. Автор: Robert L. Willett. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Perovskite material multi-quantum well structure regulation method and application and device thereof

Номер патента: CN108305948B. Автор: 黄维,王娜娜,王建浦. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-01-24.

Quantum well thermoelectric materials on ultra-thin substrates

Номер патента: JP2002530874A. Автор: サエイドガマティ，,ノルベルト・ビーエルスナー，. Владелец: エイチアイ−ゼット・テクノロジー・インク. Дата публикации: 2002-09-17.

Photopumped semiconductor image amplifier comprising a waveguide with embedded quantum wells and an optical narrow bandpass filter

Номер патента: US8076629B2. Автор: Robert Rex Rice. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Quantum well thermoelectric material on very thin substrate

Номер патента: AU1723800A. Автор: Saeid Ghamaty,Norbert B. Elsner. Владелец: Hi Z Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-05.

Organic electroluminescence device with quantum well structure and preparation method thereof

Номер патента: CN103855313A. Автор: 王平,张振华,周明杰,冯小明. Владелец: Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

High-speed optical modulation using a quantum-well modulator

Номер патента: US20100239268A1. Автор: Christopher R. Doerr. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Quantum well device with lateral electrodes

Номер патента: EP2786410B1. Автор: Robert L. Willett. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2016-05-11.

Quantum-Well mit resonanter Ladungskopplung und mit erhöter Leitfähigkeit.

Номер патента: DE69107320T2. Автор: Herb Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US9129891B2. Автор: Akira Endoh,Issei WATANABE. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor Process Optimized For Quantum Structures

Номер патента: US20200220065A1. Автор: Dirk Robert Walter Leipold,George Adrian Maxim,Michael Albert Asker. Владелец: Equal1 Labs Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Quantum dipole battery

Номер патента: WO2024158514A1. Автор: Woo Yong LIE. Владелец: Pronoia, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Quantum Dipole Battery

Номер патента: US20240250156A1. Автор: Woo Yong LIE. Владелец: Pronoia Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Quantum domain relay

Номер патента: US20030156781A1. Автор: Boris Pavlov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Light emitting devices based on spatially-diagonal interband transitions in type-ii quantum well heterostructures

Номер патента: CA2150499A1. Автор: Rui Qing Yang. Владелец: Rui Qing Yang. Дата публикации: 1996-12-01.

Optical operator with quantum well heterostructure.

Номер патента: FR2713788A1. Автор: Gérard Jean-Michel,Deveaud-Plédran Benoît,Pelekanos Nikolaos,Gravey Philippe. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1995-06-16.

Semiconductor device including cascaded modulation-doped quantum well heterostructures

Номер патента: CA2007829A1. Автор: Israel Bar-Joseph,Tao-Yuan Chang,Daniel S. Chemla. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-09-03.

Fabrication method for high quality ingan/gan multi-quantum wells

Номер патента: KR100342013B1. Автор: 김동완,김동준,박성주,문용태,송근만. Владелец: 김효근. Дата публикации: 2002-06-27.

Photorefractive device with quantum wells.

Номер патента: FR2709003B1. Автор: Gérard Jean-Michel,Deveaud-Plédran Benoît,Guillemot Christian. Владелец: DEVEAUD PLEDRAN BENOIT. Дата публикации: 1995-09-15.

ELECTROMAGNETIC WAVE MODULATOR WITH QUANTUM WELLS

Номер патента: FR2741489B1. Автор: Michel Papuchon,Dominique Delacourt,Jean Yves Duboz. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1997-12-12.

Surface plasmon enhanced InGaN/GaN multi-quantum well photoelectrode and preparation method thereof

Номер патента: CN110835766B. Автор: 刘斌,谢自力,桑艺萌. Владелец: Nanjing Jixin Optoelectronic Technology Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Quantum well photorefractive device

Номер патента: EP0736791B1. Автор: Philippe Gravey,Alain Le Corre,Bertrand Lambert. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2003-07-02.

Quantum well optical device

Номер патента: JP2674626B2. Автор: バージョセフイスラエル,サイモンシェムラダニエル,アンドリューバークレーミラーデビッド. Владелец: アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー. Дата публикации: 1997-11-12.

Coupled quantum well structure

Номер патента: US20100245969A1. Автор: Hiroshi Ishikawa,Masanori Nagase,Ryoichi Akimoto. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-09-30.

Degenerate four-wave mixer using multiple quantum well structures

Номер патента: CA1239462A. Автор: Daniel S. Chemla,David A.B. Miller,Peter W. Smith. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-07-19.

Photorefractive device with quantum wells.

Номер патента: FR2709003A1. Автор: Gérard Jean-Michel,Deveaud-Plédran Benoît,Guillemot Christian. Владелец: DEVEAUD PLEDRAN BENOIT. Дата публикации: 1995-02-17.

System and method for an optical modulator having a quantum well

Номер патента: US7279698B2. Автор: Donald S. Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

Electroabsorption modulator having a barrier inside a quantum well

Номер патента: US7095542B2. Автор: Dong-Soo Shin,Paul K. Yu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2006-08-22.

Article comprising an electro-optic quantum well device

Номер патента: EP0532204A1. Автор: Federico Capasso,Carlo Sirtori,Alfred Yi-Cho,Lawrence Camest West. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1993-03-17.

ZnO based quantum well and/or superlattice nanowires

Номер патента: KR100458162B1. Автор: 이규철,박원일. Владелец: 학교법인 포항공과대학교. Дата публикации: 2004-11-26.

Quantum well structures

Номер патента: HK142996A. Автор: Michael Graham Burt. Владелец: British Telecomm. Дата публикации: 1996-08-09.

Hybrid Asymmetric Febriferot Quantum Well Optical Modulator

Номер патента: KR100359188B1. Автор: 테란스 엘. 오체스키,캐네쓰 제이. 리터. Владелец: 마르틴 마리에타 코포레이션. Дата публикации: 2003-06-12.

Optical reading of quantum well device.

Номер патента: EP0292529A1. Автор: Daniel Simon Chemla,David Andrew Barclay Miller,Israel Bar-Joseph,Tao-Yuan Chang. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-11-30.

METALLIC QUANTUM WELLS

Номер патента: US20190155067A1. Автор: Liu Zhaowei,Xiao Yuzhe,Qian Haoliang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

OPTICAL DEVICE INCLUDING THREE-COUPLED QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20150286078A1. Автор: PARK Yonghwa,PARK Changyoung,NA Byunghoon,CHO Yongchul,LEE Yongtak,JU Gunwu. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-10-08.

Electro-absorption optical modulator having multiple quantum well

Номер патента: KR100605372B1. Автор: 김성복,김제하,강영식,임지연. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-07-28.

Electric field induced quantum well waveguide

Номер патента: JP3228509B2. Автор: ウィクマン，ランディ・ウィリアム,モレッティ，アンソニー・レイク. Владелец: アモコ・コーポレイション. Дата публикации: 2001-11-12.

Method for producing a matrix of quantum well components of vertical "all optical" structure.

Номер патента: FR2721722B1. Автор: Marcel Bensoussan,Jean-Louis Oudar,Yves Nissim,Elchuri Rao. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1996-09-13.

Method of producing a matrix of quantum well components of vertical structure "all optical".

Номер патента: FR2721722A1. Автор: Marcel Bensoussan,Jean-Louis Oudar,Yves Nissim,Elchuri Rao. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1995-12-29.

MODULATOR FOR ELECTROMAGNETIC WAVE, WITH QUANTUM WELLS, AND USE OF THIS MODULATOR AS A POLARIZER

Номер патента: FR2619936B1. Автор: Michel Papuchon,Dominique Delacourt. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-12-01.

white-light emitting diode containing InGaN quantum wells and fabrication method therefor

Номер патента: KR20000074844A. Автор: 김동준,박성주,문용태,송근만. Владелец: 김효근. Дата публикации: 2000-12-15.

METHOD AND APPARATUS OF SURFACE-INCIDENT, PLASMON-ENHANCED MULTIPLE QUANTUM WELL MODULATORS AND OPTICAL COUPLING THEREON

Номер патента: US20180267339A1. Автор: Liu Jifeng,Hu Juejun,Gu Tian,Sun Xiaochen,Wang Xiaoxin. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

ULTRAFAST OPTICAL SWITCHES USING QUANTUM WELLS

Номер патента: US20200387016A1. Автор: DIROLL Benjamin,Schaller Richard D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Method and Apparatus for Measuring Internal Quantum Well Efficiency of LED

Номер патента: KR101116840B1. Автор: 김현성,심종인. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-03-07.

Nc-Si:H/SiNx superlattice quantum well solar battery

Номер патента: CN102157594A. Автор: 祝俊,丁建宁,卢超,程广贵,郭立强. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2011-08-17.

In-phase RF drive of Mach-Zehnder modulator push-pull electrodes by using coupled quantum well optical active region

Номер патента: US6933583B2. Автор: Elizabeth T. Kunkee,David C. Scott,Timothy A. Vang,Wenshen Wang,David V. Forbes. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Method and apparatus for measuring internal quantum well efficiency of led

Номер патента: US20110178770A1. Автор: Jong-In Shim,Hyunsung Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2011-07-21.

Optical modulator including multiple quantum well and carrier blocks and 3D image acquisition apparatus including the same

Номер патента: US9904078B2. Автор: Sang-Hun Lee,Yong-hwa Park,Chang-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

SiGe silicon multiple quantum wells infrared-sensitive material electrical parameter test device and method

Номер патента: CN109115835A. Автор: 苏岩,周同,王雅刚,曹豫. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2019-01-01.

Quantum well bias and stress sensor

Номер патента: CN114964569A. Автор: 张岩,曾凯文,聂家恒,刘儒昊. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-08-30.

OPTICAL TESTING OF A MULTI QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140111241A1. Автор: Maris Humphrey J.. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-24.

OPTICAL MODULATOR INCLUDING MULTIPLE QUANTUM WELL AND CARRIER BLOCKS AND 3D IMAGE ACQUISITION APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180180907A1. Автор: Lee Sang-Hun,PARK Yong-hwa,PARK Chang-young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for Calibrating Absolute Responsivity of Terahertz Quantum Well Detector and Device thereof

Номер патента: US20180216994A1. Автор: Gu Li,Tan Zhiyong,Cao Juncheng,Zhu Yonghao. Владелец: SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2018-08-02.

Photodetector based on structure with quantum wells

Номер патента: RU2589759C1. Автор: Виктор Васильевич Тарасов,Владимир Борисович Куликов,Алексей Аркадьевич Солодков. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-07-10.

A kind of deep ultraviolet multi-quantum well waveguide

Номер патента: CN108627915A. Автор: 窦琳,吴锜,佟瑶,姬兰婷. Владелец: Dezhou Yao Ding Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Preparation method of multiple quantum well structure for photoelectric device

Номер патента: CN102103990B. Автор: 李淼,郝茂盛,周健华,颜建锋,徐黎杰. Владелец: Shanghai Blue Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Resonant tunneling diode with adjusted effective masses

Номер патента: US6773940B2. Автор: Joel N. Schulman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-08-10.

Semiconductor material doping

Номер патента: WO2011069140A3. Автор: Michael Shur,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor material doping

Номер патента: EP2507820A2. Автор: Michael Shur,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-10.

Semiconductor material doping

Номер патента: WO2011069140A2. Автор: Michael Shur,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-06-09.

Resonant tunneling diode with adjusted effective masses

Номер патента: US20020119591A1. Автор: Joel Schulman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Magnetic contacts for spin qubits

Номер патента: US20200194566A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Ravi Pillarisetty,James S. Clarke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Resonant tunneling transistor utilizing upper resonance

Номер патента: WO1989002654A3. Автор: William E Stanchina,Michael Waldner,Joel N Schulman,Carl L Anderson. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1989-05-05.

Semiconductor Material Doping

Номер патента: US20160260867A1. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor Material Doping

Номер патента: US20140077154A1. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Remigijus Gaska,Jinwei Yang,Maxim S Shatalov. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor material doping

Номер патента: US09997667B2. Автор: Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Photoactive devices with improved distribution of charge carriers, and methods of forming same

Номер патента: US20130285015A1. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-10-31.

Superluminescent diode, or amplifier chip

Номер патента: WO2010022526A3. Автор: Valerio Laino,Christian Velez. Владелец: EXALOS AG. Дата публикации: 2010-07-15.

One-chip micro-integrated optoelectronic sensor

Номер патента: US6608360B2. Автор: Abdelhak Bensaoula,David Starikov,Igor Berishev. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2003-08-19.

Light-emitting diode

Номер патента: US12062736B2. Автор: Yi-Qun Li,Cheng-Chang Hsieh,Hung-Chih Yang,Ben-Jie Fan,Jing-qiong Zhang,Tsung-Chieh Lin,Ho-Chien CHEN,Shuen-Ta TENG. Владелец: Bridgelux Optoelectronics Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Monolithic multi-color led device

Номер патента: WO2024170075A1. Автор: Prashanth Makaram. Владелец: Crocus Labs GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

LED Epitaxial Structure and Preparation Method and Application Thereof

Номер патента: US20240170606A1. Автор: Hu Cheng,HAN Jiang,Guochang Li,Wenjun Wang,Yangyang Xu,Zhijun Xu,Shuwei YUAN. Владелец: Focus Lighting Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Light Emitting Diode Chip Having Temperature Compensation of the Wavelength

Номер патента: US20170271553A1. Автор: Andreas Rudolph,Ivar Tangring,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-21.

Optoelectronic device and method for processing the same

Номер патента: US20240282886A1. Автор: Heng Wang. Владелец: Ams Osram Intemational GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

High-efficiency active layer and semiconductor light-emitting device and preparation method

Номер патента: US20240332910A1. Автор: Xiao Xiao,Li Zhou,Yang Cheng,Hao Yu,Jun Wang,Shaoyang TAN,Quanling LI,Yintao GUO,Xinsheng LIAO,Dayong Min. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US09912123B2. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Light-emitting device

Номер патента: US20140048768A1. Автор: Chien-Fu Huang,Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Rong-Ren LEE,Shiuan-Leh Lin. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Light-emitting thyristor, light-emitting thyristor array, exposure head, and image forming apparatus

Номер патента: US20200287073A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Full-color light-emitting diode micro-display and the fabrication method thereof

Номер патента: US20230275074A1. Автор: Xu Zhang,Kei May Lau,Peian LI,Longheng QI. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-08-31.

Photon tunneling light emitting diodes and methods

Номер патента: WO2010014610A1. Автор: Dung T. Duong,William Gregory Flynn. Владелец: ILLUMITEX, INC.. Дата публикации: 2010-02-04.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

P-type tunneling-based ohmic contact

Номер патента: WO2024104942A1. Автор: Ashutosh Kumar,Martin Berg,Michael Salter,Qin Wang,Peter Ramvall. Владелец: Rise Research Institutes of Sweden AB. Дата публикации: 2024-05-23.

Light emitting element

Номер патента: US20210328105A1. Автор: Makoto Abe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100080257A1. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Hee Seok Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Quantum cascade laser structure

Номер патента: US8971369B2. Автор: William Ted Masselink,Mykhaylo Petrovych Semtsiv. Владелец: QUANTIOX GmbH. Дата публикации: 2015-03-03.

Laser device

Номер патента: US7864828B2. Автор: Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

(Ga,In)(N,As) laser structures using distributed feedback

Номер патента: US20020080844A1. Автор: Martin Dawson,Anthony Kelly,Craig Tombling,Alistair Kean. Владелец: Kamelian Ltd. Дата публикации: 2002-06-27.

Laser device

Номер патента: US20090310639A1. Автор: Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-12-17.

(ga,in)(n,as) laser structures using distributed feedback

Номер патента: WO2002045221A3. Автор: Alistair Henderson Kean,Craig Tombling,Martin David Dawson,Anthony Edward Kelly. Владелец: Kamelian Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

(ga,in)(n,as) laser structures using distributed feedback

Номер патента: WO2002045221A2. Автор: Alistair Henderson Kean,Craig Tombling,Martin David Dawson,Anthony Edward Kelly. Владелец: Kamelian Limited. Дата публикации: 2002-06-06.

Gain medium structure for semiconductor optical amplifier with high saturation power

Номер патента: EP4016764A1. Автор: Radhakrishnan L. Nagarajan,Xiaoguang He. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Quantum cascade laser

Номер патента: EP3075040A1. Автор: Feng Xie,Catherine Genevieve Caneau,Chung-eng ZAH. Владелец: Thorlabs Quantum Electronics Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09831636B2. Автор: Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Controlling the emission wavelength in group III-V semiconductor laser diodes

Номер патента: US09755403B2. Автор: Boon Siew Ooi,Abdul Majid Mohammed,Rami Afandy,Ahmad Aljabr. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor laser

Номер патента: US12027823B2. Автор: Atsushi Nakamura,Shoko Yokokawa. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Thermal emission source and two-dimensional photonic crystal for use in the same emission source

Номер патента: US20170077675A1. Автор: Takuya Inoue,Takashi Asano,Susumu Noda,Menaka DE ZOYSA. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-03-16.

Thermal emission source and two-dimensional photonic crystal for use in the same emission source

Номер патента: US09972970B2. Автор: Takuya Inoue,Takashi Asano,Susumu Noda,Menaka DE ZOYSA. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2018-05-15.

Electroabsorption optical modulator

Номер патента: US09823497B1. Автор: Erik J. Skogen. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Interfering excitations in FQHE fluids

Номер патента: US8324120B2. Автор: Loren N. Pfeiffer,Kenneth William West,Robert L Willett,Kirk William Baldwin. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor nano-structure with composite quantum well

Номер патента: RU2278072C2. Автор: Владимир Иванович Кадушкин. Владелец: Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина (РГПУ). Дата публикации: 2006-06-20.

Optical reading of quantum well device

Номер патента: CA1278881C. Автор: Daniel Simon Chemla,David Andrew Barclay Miller,Israel Bar-Joseph,Tao-Yuan Chang. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-01-08.

Photodetector built around quantum-well semiconductor structure

Номер патента: RU2022411C1. Автор: В.И. Кадушкин. Владелец: Научно-исследовательский технологический институт. Дата публикации: 1994-10-30.

White light emitting diode lamp with multi-quantum well structures for three primary colors

Номер патента: KR200410859Y1. Автор: 김근주. Владелец: 전북대학교산학협력단. Дата публикации: 2006-03-10.

GaN-BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICES ENHANCED BY PLASMA TREATMENT AND DEVICE MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: KR20020095769A. Автор: 이형재,한윤봉. Владелец: 퀀테코주식회사. Дата публикации: 2002-12-28.

Method of disordering quantum well heterostructures

Номер патента: AU2001293494A1. Автор: Hark Hoe Tan,Chennupati Jagadish,Lan Fu. Владелец: Australian National University. Дата публикации: 2002-04-08.

MAGNETORESISTIVE SENOSOR HAVING A QUANTUM WELL STRUCTURE AND A TRAPPING LAYER TO PREVENT SURFACE CHARGE CARRIERS FROM MIGRATING TO THE QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20120176705A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES WITH A QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE, GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL STRUCTURES AND GROUP III NITRIDE BASED SUPERLATTICE STRUCTURES

Номер патента: US20120298955A1. Автор: Ibbetson James,Bergmann Michael John,Emerson David Todd,"OLoughlin Michael John",JR. Howard Dean,Doverspike Kathleen Marie,Nordby,Abare Amber Christine. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Multi -quantum well structure and contain nitride emitting diode of this multi -quantum well structure

Номер патента: CN204760413U. Автор: 张家宏,蓝永凌,林兓兓,谢祥彬,黄文宾. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-11.

InGaN/GaN multiple quantum well growing on La0.3Sr1.7AlTaO6 substrate and manufacturing method of InGaN/GaN multiple quantum well

Номер патента: CN103296159A. Автор: 李国强,杨为家,王文樑,林云昊,刘作莲. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2013-09-11.

Low resistance n-type contact layer structure for GaN multi-quantum well light emitting diode

Номер патента: TW200610175A. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Process for two-dimensional buckled quantum well

Номер патента: TWI247348B. Автор: Po-Wen Chen,Cheng-Yeh Yu,Chee-Wee Liu. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for producing quantum well by reactive sputtering

Номер патента: TW200521256A. Автор: Ching-Jung Liu,Chiung-Hsiung Chen,Jong-Hong Lu. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for shifting the bandgap energy of a quantum well layer

Номер патента: AU2002213216A1. Автор: Seng-Tiong Ho,Boon-Siew Ooi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-06.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH A SINGLE QUANTUM WELL ROD

Номер патента: US20120007042A1. Автор: Lee Shih-Chang,Hsieh Min-Hsun,Yang Hung-Chih,LIN Yung-Hsiang,YEN Sheng-Horng,HSU TA-CHENG,CHANG Shih-Pang. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-12.

P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING TYPE-2 QUANTUM WELL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120007045A1. Автор: Shin Sang Hoon,CHANG Joonyeon,KIM Hyung-Jun,KOO Hyun Cheol,HAN Suk Hee,SONG JIN-DONG. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

HOMO-MATERIAL HETEROPHASED QUANTUM WELL

Номер патента: US20120043528A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

UNIAXIALLY STRAINED QUANTUM WELL DEVICE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20120161105A1. Автор: Rachmady Willy,Pillarisetty Ravi,Le Van H.. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

SILICON-GERMANIUM, QUANTUM-WELL, LIGHT-EMITTING DIODE

Номер патента: US20120175586A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

FRONTSIDE-ILLUMINATED INVERTED QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120193608A1. Автор: Jones Robert,Endres Darrel,Forrai David,Garter Michael James. Владелец: L-3 COMMUNICATIONS CINCINNATI ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

SUPER LATTICE/QUANTUM WELL NANOWIRES

Номер патента: US20120286236A1. Автор: Walker George F.,Huang Qiang,Shao Xiaoyan,Hovel Harold J.,Vichiconti James. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

METHOD FOR FABRICATING InGaN-BASED MULTI-QUANTUM WELL LAYERS

Номер патента: US20120295422A1. Автор: . Владелец: LATTICE POWER (JIANGXI) CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

Optoelectronic Semiconductor Body with a Quantum Well Structure

Номер патента: US20120298951A1. Автор: . Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-11-29.

QUANTUM-WELL-BASED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120298958A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

APPARATUS AND METHODS FOR IMPROVING PARALLEL CONDUCTION IN A QUANTUM WELL DEVICE

Номер патента: US20120326123A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

FRONTSIDE-ILLUMINATED INVERTED QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR DEVICES

Номер патента: US20120326124A1. Автор: . Владелец: L-3 COMMUNICATIONS CINCINNATI ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

LASER EMISSION SYSTEMS, HETEROSTRUCTURE AND ACTIVE ZONE HAVING COUPLED QUANTUM-WELLS, AND USE FOR 1.55 MM LASER EMISSION

Номер патента: US20130022074A1. Автор: Cerutti Laurent,Rodriguez Jean-Baptiste,Tournie Eric. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

MULTI-QUANTUM WELL LED STRUCTURE WITH VARIED BARRIER LAYER COMPOSITION

Номер патента: US20130292637A1. Автор: BERRYMAN-BOUSQUET Valerie,Sénés Mathieu Xavier. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-11-07.

LIGHT EMITTING DEVICE WITH QCSE-REVERSED AND QCSE-FREE MULTI QUANTUM WELL STRUCTURE

Номер патента: US20130320296A1. Автор: Yu Chun-Ta,Yang Hung-Chih,TSENG Chien-Yuan,LIN YU-YAO,CHANG Shih-Pang. Владелец: EPISTAR CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

Light emitting device having active region of multi quantum well structure and method for fabricating the same

Номер патента: KR101423720B1. Автор: 이상준,김규범,김광중,한창석. Владелец: 서울바이오시스 주식회사. Дата публикации: 2014-08-04.

Multi-quantum well structure capable of improving luminous efficiency of GaN based LED (light-emitting diode)

Номер патента: CN103117341A. Автор: 李鸿建,靳彩霞,董志江,罗绍军,艾常涛,李四明. Владелец: Diyuan Photoelectric Science & Technology Co Ltd Wuhan. Дата публикации: 2013-05-22.

Quantum well semiconductor laser element

Номер патента: JPH1084170A. Автор: Toshihiko Makino,俊彦牧野,John Margatloyd Ian,イアン・ジョン・マーガットロイド. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-31.

Preparation method and light emitting diode (LED) structure of indium gallium nitride (InGaN) base multiple quantum well structure

Номер патента: CN103022289A. Автор: 李鹏,张冀,康学军,杜雪红,王垚浩. Владелец: Foshan Nationstar Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Semiconductor laser, manufacturing method thereof, and strained quantum well crystal

Номер патента: JP2905123B2. Автор: 信之大塚,雅弘鬼頭,正人石野,康松井. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-14.

GaN-base multiple quantum well structure and LED of the structure

Номер патента: CN1220282C. Автор: 于洪波,陈弘,贾海强,周均铭,韩英军,黄绮. Владелец: SHANGHAI LANBAO PHOTOELECTRIC MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Grow the InGaN/GaN Multiple Quantum Well on strontium aluminate tantalum lanthanum substrate and preparation method

Номер патента: CN103296159B. Автор: 李国强,杨为家,王文樑,林云昊,刘作莲. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2015-09-16.

How to make a quantum well box

Номер патента: JP2996715B2. Автор: 賢司渡邊,敏明福永,毅高森,健上條. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Strained multiple quantum well structure and its manufacture

Номер патента: JPH10242571A. Автор: 松幸小笠原,Hideo Sugiura,英雄杉浦,Mamoru Oishi,学満原,護大石,Matsuyuki Ogasawara,Manabu Mitsuhara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1998-09-11.

Quantum well type semiconductor laser

Номер патента: JPS63161690A. Автор: Mitsuhiro Kitamura,北村　光弘. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-07-05.

Multiple-quantum well waveguide butt-coupling method

Номер патента: CN102545047B. Автор: 刘建军,周志强,唐琦. Владелец: Wuhan Huagong Genuine Optics Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Two-tone quantum well infrared light detector

Номер патента: CN103325862A. Автор: 王青,徐云,胡海峰,韦欣,宋国峰,许斌宗,刘杰涛. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2013-09-25.

Waveguide multiple quantum well optical modulator

Номер патента: JP3273494B2. Автор: 進近藤,勇小高,紘一脇田. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2002-04-08.

Semiconductor quantum well laser

Номер патента: JPH0793471B2. Автор: 隆由阿南,研一西,雄一井手,研太郎尾鍋. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-10-09.

Multiple quantum well structure

Номер патента: TW201411876A. Автор: Yen-Lin LAI,Ching-Liang Lin,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2014-03-16.

Npn triode based on double-quantum-well resonance and tunnelling type and application thereof

Номер патента: CN103247673A. Автор: 张晔. Владелец: Hefei Institutes of Physical Science of CAS. Дата публикации: 2013-08-14.

Growing method for duplex multi-quantum well luminescent layer structure and LED epitaxial structure

Номер патента: CN103346219A. Автор: 张宇. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

LED epitaxial structure with luminescent layer multi -quantum well transition layer

Номер патента: CN204741026U. Автор: 曾颀尧,林政志,韦春余,梁庆荣. Владелец: Tongfang Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-04.

Manufacturing method of semiconductor quantum well box

Номер патента: JP2979752B2. Автор: 俊介大塚. Владелец: NIPPON ITA GARASU KK. Дата публикации: 1999-11-15.

AlGaN-based multiple quantum well uv-LED device based on sapphire substrate and manufacturing method

Номер патента: CN101515619A. Автор: 马晓华,郝跃,杨凌,周小伟,李培咸. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2009-08-26.

Quantum well structure, laminated structure and semiconductor device

Номер патента: JP6533982B2. Автор: 真也織田,俊実人羅,貴博佐々木. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Luminance device having quantum well

Номер патента: KR100765387B1. Автор: 김경훈. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2007-10-10.

Quantum well distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: JP2913922B2. Автор: 裕幸山崎,郁夫水戸,光弘北村. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-28.

Semiconductor quantum point/quantum well conduction band inner transition material structure

Номер патента: CN101038946A. Автор: 金鹏,王占国. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2007-09-19.

Multiple quantum well structure, manufacturing method thereof and light emitting diode

Номер патента: CN102142492A. Автор: 肖德元,张汝京. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-03.

Quantum well box manufacturing method

Номер патента: JP2687843B2. Автор: 普岩田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-08.

Terahertz quantum well photodetector (THzQWP)-based passive thermal imaging detection system and method thereof

Номер патента: CN102288299B. Автор: 周涛,张戎,曹俊诚,郭旭光. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-11-21.

Semiconductor light emitting device with asymmetric multiple quantum wells

Номер патента: TW200709522A. Автор: Tao-Yuan Chang,Chun-Yang Chen,Tsong-Sheng Lay,Jui-Yang Feng,Eu-Ying Lin. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2007-03-01.

Optical wavelength discriminating quantum well photodetector

Номер патента: JPS6459968A. Автор: Akira Furuya,Osamu Wada,Masao Makiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-07.

Quantum well photodetector

Номер патента: JP5168868B2. Автор: 弘師西野. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Multiple quantum well structure for photoelectric device

Номер патента: CN101714602A. Автор: 李淼,郝茂盛,周健华,颜建锋,顾拓. Владелец: Shanghai Blue Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Superradiance luminous tube based on quantum dot and quantum well material mixed structure

Номер патента: CN202534677U. Автор: 苏辉. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-14.

Method of controlling epitaxial growth of thickness of membrane of quantum well

Номер патента: CN103390705A. Автор: 方方. Владелец: GOLD MEDAL ANALYTICAL & TESTING GROUP. Дата публикации: 2013-11-13.

Strained multiple quantum well structure

Номер патента: JPH10242511A. Автор: 松幸小笠原,Hideo Sugiura,英雄杉浦,学満原,Matsuyuki Ogasawara,Manabu Mitsuhara. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1998-09-11.

Quantum well crystal, semiconductor laser and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3638305B2. Автор: 信之大塚,雅弘鬼頭,康松井. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2005-04-13.

Semiconductor device using quantum well

Номер патента: JPS6344776A. Автор: Masahiro Tsuchiya,Hiroyuki Sakaki,Masamichi Yamanishi,正道山西,裕之榊,昌弘土屋. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1988-02-25.

Quantum well semiconductor laser device

Номер патента: JP3041381B2. Автор: 俊彦牧野,イアン・ジョン・マーガットロイド. Владелец: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2000-05-15.

Method for growing indium arsenide/indium gallium arsenide quantum well material on indium phosphide substrate

Номер патента: CN102208756B. Автор: 杨涛,汪明. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2012-09-05.

Manufacturing method for LED in high In ingredient multiple InGaN/GaN quantum wells structure

Номер патента: CN101488550A. Автор: 张国义,郝茂盛,潘尧波,周健华,颜建锋. Владелец: Shanghai Blue Light Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-22.

Multi-quantum well semiconductor laser and manufacture thereof

Номер патента: JPS6184087A. Автор: Masaya Mannou,Tsunao Yuasa,Jun Ishii,Keisuke Shinozaki,Shigeya Narizuka,重弥成塚,湯浅　図南雄,篠崎　啓助,石井　恂,萬濃　正也. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-04-28.

F-P (Fabry-Perot) cavity strained quantum well laser with low linewidth

Номер патента: CN102332681A. Автор: 马晓辉,李林,张帆,高欣,刘国军,李占国,薄报学,曲铁. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2012-01-25.

Multiple quantum well semiconductor light emitting device

Номер патента: JP4069479B2. Автор: 好司玉村,裕泰野口. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

A infrared focal plane of waveband selection nature reinforcing quantum well for hyperspectral imager

Номер патента: CN205039169U. Автор: 李宁,李志锋,王文娟,王少伟,陆卫,陈效双,陈平平,李天信,甄红楼,景友亮. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2016-02-17.

LED structure using AlGaInN quaternary material as quantum well and quantum barrier and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102738341A. Автор: 王强,徐现刚,李树强,曲爽,王成新. Владелец: Shandong Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

Method for growing quantum well stress release layer of epitaxial structure and epitaxial structure

Номер патента: CN103413877A. Автор: 农明涛. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-27.

Low resistance n-type contact layer structure for GaN multi-quantum well light emitting diode

Номер патента: TWI249866B. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu,Tzu-Chi Wen,Ru-Chin Tu,Cheng-Tsang Yu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2006-02-21.

Apparatus and method for forming quantum-dot and quantum-well mixed-mode infrared photodetector

Номер патента: TW201010105A. Автор: Shih-Yen Lin,Chi-Che Tseng,Wei-Hsun LIN,Shu-Ting Chou. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2010-03-01.

Method for producing quantum well by reactive sputtering

Номер патента: TWI228545B. Автор: Ching-Jung Liu,Chiung-Hsiung Chen,Jong-Hong Lu. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2005-03-01.

Group III Nitride Based Quantum Well Light Emitting Device Structures with an Indium Containing Capping Structure

Номер патента: US20120018701A1. Автор: Bergmann Michael John,Emerson David Todd. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

Non-planar quantum well device having interfacial layer and method of forming same

Номер патента: US20120074386A1. Автор: Rachmady Willy,Chau Robert,Pillarisetty Ravi,Le Van H.. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

SUPERLATTICE QUANTUM WELL INFRARED DETECTOR HAVING EXPOSED LAYERS

Номер патента: US20120085990A1. Автор: . Владелец: UD HOLDINGS, LLC.. Дата публикации: 2012-04-12.

MAGNESIUM DOPING IN BARRIERS IN MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURES OF III-NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DEVICES

Номер патента: US20120107991A1. Автор: Huang Chia-Yen,Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Speck James S.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-05-03.

Design and Fabrication of Dilute Nitride Material and Multi-Quantum Well Solar Cells

Номер патента: US20120174971A1. Автор: . Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2012-07-12.

GERMANIUM-BASED QUANTUM WELL DEVICES

Номер патента: US20120193609A1. Автор: Rachmady Willy,Kotlyar Roza,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Metz Matthew V.,Jin Been-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

NON-POLAR (Al,B,In,Ga)N QUANTUM WELL AND HETEROSTRUCTURE MATERIALS AND DEVICES

Номер патента: US20120205623A1. Автор: Nakamura Shuji,DenBaars Steven P.,Keller Stacia,Mishra Umesh K.,Craven Michael D.,Speck James Stephen,Margalith Tal. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-08-16.

Forming A Non-Planar Transistor Having A Quantum Well Channel

Номер патента: US20120211726A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-23.

Optoelectronic Devices Including Compound Valence-Band Quantum Well Structures

Номер патента: US20120217475A1. Автор: Leavitt Richard P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

OPTOELECTRONIC COMPONENT WITH THREE-DIMENSION QUANTUM WELL STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120231569A1. Автор: . Владелец: Hermes-Epitek Corp.. Дата публикации: 2012-09-13.

QUANTUM WELL MOSFET CHANNELS HAVING UNI-AXIAL STRAIN CAUSED BY METAL SOURCE/DRAINS, AND CONFORMAL REGROWTH SOURCE/DRAINS

Номер патента: US20120231596A1. Автор: Rakshit Titash,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Majhi Prashant,Hudait Mantu K.,Tsai Willman. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

LASERS WITH QUANTUM WELLS HAVING HIGH INDIUM AND LOW ALUMINUM WITH BARRIER LAYERS HAVING HIGH ALUMINUM AND LOW INDIUM WITH REDUCED TRAPS

Номер патента: US20120236891A1. Автор: . Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

LASERS WITH INGAAS(P) QUANTUM WELLS WITH INDIUM INGAP BARRIER LAYERS WITH REDUCED DECOMPOSITION

Номер патента: US20120236892A1. Автор: Johnson Ralph H.,Wade Jerome K.. Владелец: FINISAR CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

QUANTUM WELL GRAPHENE STRUCTURE FORMED ON A DIELECTRIC LAYER HAVING A FLAT SURFACE

Номер патента: US20120261640A1. Автор: Marinero Ernesto E.,Pisana Simone. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-10-18.

NON-PLANAR GERMANIUM QUANTUM WELL DEVICES

Номер патента: US20130032783A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Mukherjee Niloy,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Shah Uday,Radosavljevic Mark,Jin Been Y.. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

ORGANIC-INORGANIC HYBRID POLYMER HAVING QUANTUM WELL STRUCTURES

Номер патента: US20130079484A1. Автор: Choi Jin-Kyu,JANG Seung Hyun,JEONG Hyun-Dam,SOHN HONG LAE. Владелец: MOLECULAR ELECTRONICS CONSULTING. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor laser chip quantum well structure with P/N (phosphorus/ nitrogen) heterojunction

Номер патента: CN102545059A. Автор: 张欣刚,任大为,邱继广,谢镇隆. Владелец: Hua Hanjing Source (beijing) Photoelectric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

The growing method of epitaxial structure quantum well stress release layer and epitaxial structure thereof

Номер патента: CN103413877B. Автор: 农明涛. Владелец: Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-20.

Quantum well semiconductor laser device

Номер патента: JP2794743B2. Автор: 信石川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-10.

GaN-based Semiconductor Light Emitting Devices of Quantum Well Electronic Structures Resonating with Two-dimensional Electron Gas

Номер патента: KR100330228B1. Автор: 조장연,김근주. Владелец: (주)나리지* 온. Дата публикации: 2002-03-25.

The LED quantum well structure that a kind of controllable can carry

Номер патента: CN103296165B. Автор: 王军喜,李晋闽,曾建平,张连,路红喜. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2016-08-10.

Light emitting diode having active region of multi quantum well structure

Номер патента: KR100868205B1. Автор: 김규범,이동선. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2008-11-12.

Manufacture of quantum well laser

Номер патента: JPS61258487A. Автор: Kunihiko Kodama,邦彦児玉. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-11-15.

Gallium nitride semiconductor light-emitting diode with tilt quantum well structure

Номер патента: CN102623596A. Автор: 王江波,董彬忠,杨春艳,李文兵. Владелец: HC Semitek Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

Multi-quantum well structure and light emitting diode

Номер патента: CN213636023U. Автор: 李政鸿,林兓兓,张家豪,李家安. Владелец: Anhui Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Multi-quantum well structure, manufacturing method thereof and light-emitting diode

Номер патента: CN102122688B. Автор: 肖德元,张汝京. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Large power and small vertical divergence angle InGaAs/GaAs multiple quantum well semiconductor laser device structure

Номер патента: CN104332826A. Автор: 王勇,李辉,李林,张晶,高欣,李特,乔忠良,李占国,曲轶,薄报学. Владелец: Changchun University of Science and Technology. Дата публикации: 2015-02-04.

Optimization of InP-based Multi-Quantum Well Structures for Long-wavelength Optical Switches

Номер патента: KR960027587A. Автор: 이일항,최영완,권오균,심숙이. Владелец: 재단법인 한국전자통신연구소. Дата публикации: 1996-07-22.

Quantum well structure with compensation polarization effect

Номер патента: CN104733574A. Автор: 陈振. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

A kind of Npn triode based on double quantum well resonant tunneling type and application thereof

Номер патента: CN103247673B. Автор: 张晔. Владелец: Hefei Institutes of Physical Science of CAS. Дата публикации: 2016-01-27.

Preparation method and light emitting diode (LED) structure of indium gallium nitride (InGaN) base multiple quantum well structure

Номер патента: CN103022289B. Автор: 李鹏,张冀,康学军,杜雪红,王垚浩. Владелец: Foshan Nationstar Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

Multi-quantum well structure and manufacturing method thereof, and light emitting diode

Номер патента: CN102122689A. Автор: 肖德元,张汝京. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Preparing method for improving limiting capability of laser quantum well carrier

Номер патента: CN104577712A. Автор: 陈平,李翔,朱建军,赵德刚,刘宗顺,江德生. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2015-04-29.

Polychrome quantum well photon detecting device based on surface plasma micro cavity

Номер патента: CN102593201A. Автор: 周磊,安正华,毛飞龙,陈张海,沈学础. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-18.

Quantum well photodetector

Номер патента: JP3911647B2. Автор: 義博宮本,博大工,弘師西野. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-09.

Type II mid-infrared quantum well laser

Номер патента: GB0121903D0. Автор: . Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2001-10-31.

Quantum spot/quantum well light emitting diode

Номер патента: CN100401541C. Автор: 赖志铭,王德忠,卓昌正,蔡敬恩. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-07-09.

Infrared optical system suitable for quantum well detector thermal infrared imager

Номер патента: CN102829877A. Автор: 赵珩. Владелец: Luoyang Institute of Electro Optical Equipment AVIC. Дата публикации: 2012-12-19.

Multiple quantum well semiconductor light device

Номер патента: JPH1022573A. Автор: Yoshinobu Sekiguchi,芳信関口. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-01-23.

Light emitting diode having active region of multi quantum well structure

Номер патента: KR101393352B1. Автор: 김규범. Владелец: 서울바이오시스 주식회사. Дата публикации: 2014-05-12.

Multiple quantum well structure and optical modulator having the same

Номер патента: JP3288283B2. Автор: 卓夫森本. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

Quantum well semiconductor laser device

Номер патента: JP2898643B2. Автор: 俊彦牧野,イアン・ジョン・マーガットロイド. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-02.

Quantum well structures

Номер патента: GB8919989D0. Автор: . Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1989-10-18.

Superconducting semiconductor nanostructure with quantum wells

Номер патента: RU2227346C1. Автор: В.И. Кадушкин. Владелец: Рязанский государственный педагогический университет им. С.А. Есенина. Дата публикации: 2004-04-20.

Multi-layer quantum well nitride light-emitting diode with carrier providing layer

Номер патента: CN101859825A. Автор: 武良文,简奉任. Владелец: SHANDONG CANYUAN OPTO-ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

Package for quantum well infrared photo-detector with thermoelectric refrigerating unit

Номер патента: CN202453086U. Автор: 刘惠春. Владелец: WUXI WOPU OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Semiconductor multiple strain quantum well structure

Номер патента: JP2806089B2. Автор: 宏一難波江,正明仁道. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-09-30.

Quantum well structure

Номер патента: JPH01188837A. Автор: Fumiaki Koga,文明古賀. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-28.

Quantum well intermixing method

Номер патента: TW200908373A. Автор: Tao-Yuan Chang,Tsong-Sheng Lay,Chien-Liang Chiu,Heng-Jui Chang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2009-02-16.

Semiconductors - phosphorus polyphosphide barriers in¹quantum well devices

Номер патента: IE850772L. Автор: . Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1985-09-05.

Process for 2-D buckled SiGe quantum wells of elastic film on semiconductors

Номер патента: TW200601436A. Автор: Po-Wen Chen,Cheng-Yeh Yu,Chee-Wee Liu. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2006-01-01.

Quantum well intermixing method

Номер патента: TWI347688B. Автор: Tsong Sheng Lay,Tao Yuan Chang,Chien Liang Chiu,Heng Jui Chang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2011-08-21.