Dopant confinement in the delta doped layer using a dopant segregration barrier in quantum well structures
Номер патента: US20090298266A1
Опубликовано: 03-12-2009
Автор(ы): Aaron A. Budrevich, Amy W. Liu, Dmitri Loubychev, Jack T. Kavalieros, Joel M. Fastenau, Mantu K. Hudait, Suman Datta
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-12-2009
Автор(ы): Aaron A. Budrevich, Amy W. Liu, Dmitri Loubychev, Jack T. Kavalieros, Joel M. Fastenau, Mantu K. Hudait, Suman Datta
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Dislocation-free InSb quantum well structure on Si using novel buffer architecture
Номер патента: US7573059B2. Автор: Mohamad A. Shaheen,Peter G. Tolchinsky,Mantu K. Hudait,Loren A. Chow,Dmitri Loubychev,Joel M. Fastenau,Amy W. K. Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-08-11.