SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING BACK-GATE-VOLTAGE CONTROL CIRCUIT
Номер патента: US20140145773A1
Опубликовано: 29-05-2014
Автор(ы): HASHIMOTO Yasuhiro
Принадлежит: FUJITSU LIMITED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-05-2014
Автор(ы): HASHIMOTO Yasuhiro
Принадлежит: FUJITSU LIMITED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same
Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.