Semiconductor integrated circuit having a C-MOS internal logic block and an output buffer for providing ECL level signals.

Semiconductor integrated circuit having a C-MOS internal logic block and an output buffer for providing ECL level signals

Номер патента: US4645951A
Опубликовано: 24-02-1987
Автор(ы): Akira Uragami
Принадлежит: HITACHI LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit device with independently operable output buffers

Номер патента: US5404056A. Автор: Keiichi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Semiconductor integrated circuit device including input circuitry to permit operation of a Bi-CMOS memory with ECL level input signals

Номер патента: US5457412A. Автор: Masanori Odaka,Kayoko Saito,Toshiro Hiramoto,Nobuo Tamba,Masayuki Ohayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-10-10.

Semiconductor integrated circuit device with crosstalk prevention

Номер патента: US5311074A. Автор: Toshiaki Mori,Takashi Yoshimori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-05-10.

Method and apparatus for galvanically isolating two integrated circuits from each other

Номер патента: US6249171B1. Автор: Daniel A. Yaklin,Kevin Lee Kornher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-06-19.

CMOS integrated circuit device and data processing system using the same

Номер патента: US5455524A. Автор: Kazuo Koide,Toshiro Takahashi,Toyohito Ikeya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-10-03.

Semiconductor device having a regulator

Номер патента: US10126767B2. Автор: Tatsuya Ishikawa,Terunori Kubo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-13.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit having current leakage reduction scheme

Номер патента: WO2007036020A1. Автор: Hakjune Oh. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit with low-noise output buffers

Номер патента: US5237213A. Автор: Satoru Tanoi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-17.

Semiconductor integrated circuit device and level shifter circuit

Номер патента: US11979155B2. Автор: Masahiro Gion,Masahisa Iida. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor integrated circuit device having output buffer

Номер патента: US6163177A. Автор: Hiroshi Akamatsu,Motoko Hara,Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE49986E1. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Output buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US09998121B2. Автор: Hun-Dae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279082A1. Автор: Isao Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240304629A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Output buffer circuit having a variable output impedance

Номер патента: US5973520A. Автор: Shigeru Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device having an output buffer which reduces signal degradation due to leakage of current

Номер патента: US5587671A. Автор: Troy Manning,Paul Zagar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-12-24.

Output circuit, transmission circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11791820B2. Автор: Akiyoshi Matsuda,Takumi FUNAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device with a plurality of logic circuits having active pull-down functions

Номер патента: US5283480A. Автор: Toshio Yamada,Atsushi Shimizu,Masato Hamamoto,Mitsuo Usami,Tatsuya Kimura,Tohru Kobayashi,Noboru Shiozawa,Hiromasa Katoh,Kazuyoshi Satoh,Kaoru Koyu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-01.

Output driver circuit having a clamped mode and an operating mode

Номер патента: US20090027099A1. Автор: David Walter Flynn,David William Howard. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor integrated circuit provided with emitter coupled logic input/output buffers

Номер патента: US5266845A. Автор: Kenji Sakaue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230044191A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220182059A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor integrated circuit having a MOS transistor with a threshold level to enable a level conversion

Номер патента: US4977339A. Автор: Akira Denda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

On-chip termination apparatus in semiconductor integrated circuit, and method for controlling the same

Номер патента: US20030197525A1. Автор: Seong-Jin Jang,Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20190097581A1. Автор: Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Reduced power output buffer

Номер патента: US20080204070A1. Автор: Jie Chen,Kuang-Yu Chen,Chen Yu Wang,Ting-Yen Chiang,Joe Froniewski. Владелец: Silego Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Pad protection in an integrated circuit

Номер патента: US20200136373A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170264290A1. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit with input/output interface adapted for small-amplitude operation

Номер патента: US5557221A. Автор: HIROSHI Yoshioka,Masao Taguchi,Yoshihiro Takemae,Satoshi Eto,Makoto Koga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-09-17.

Differential output buffer having mixing and output stages

Номер патента: US20120249188A1. Автор: Yoshinori Nishi,Purushotham Brahmavar Ramakrishna,Srinivas Rao MADALA. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Differential output buffer having mixing and output stages

Номер патента: US9118321B2. Автор: Yoshinori Nishi,Purushotham Brahmavar Ramakrishna,Srinivas Rao MADALA. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Level converter for converting ecl-level signal voltage to ttl-level signal voltage

Номер патента: US5081376A. Автор: Shozo Nitta,Yasuhiro Sugimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-01-14.

Method and apparatus for reducing noise in an output buffer

Номер патента: US5917361A. Автор: Jeffrey F. Wong,Wassem Ahmad. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-29.

3d stacked integrated circuits having failure management

Номер патента: US20200195252A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

3D Stacked Integrated Circuits Having Failure Management

Номер патента: US20200244268A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

3D stacked integrated circuits having failure management

Номер патента: US12074599B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit having logical operation function

Номер патента: US20020003438A1. Автор: Shigeyuki Hayakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit having logical operation function

Номер патента: EP1130780A3. Автор: Shigeyuki Hayakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-13.

Slew rate controlled digital output buffer without resistors

Номер патента: US20080061831A1. Автор: Kuo-Ji Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010026171A1. Автор: Yasuhiko Hagihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Low di/dt output buffer with improved speed

Номер патента: US4958086A. Автор: Karl L. Wang,Taisheng Feng. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1990-09-18.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040027177A1. Автор: Kazuo Aoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Noise absorbing circuit suitable for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US5151615A. Автор: Noboru Egawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Self-calibration of output buffer driving strength

Номер патента: US20140132309A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Yu-Meng Chaung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Output buffer circuit for integrated circuit

Номер патента: US5414379A. Автор: Geoun T. Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09904590B2. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Multi-Output Look-Up Table (LUT) for Use in Coarse-Grained Field-Programmable-Gate-Array (FPGA) Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230363182A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6486572B1. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-26.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Output buffer circuit

Номер патента: WO1992017940A1. Автор: Kevin W. Glass,Ashok Nagarajan. Владелец: Mos Electronics Corporation. Дата публикации: 1992-10-15.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Input circuit of semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit having input circuit

Номер патента: US5073726A. Автор: Shinichi Kikuchi,Hiroshi Iwahashi,Hideo Kato,Hiroto Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Reconfigurable interconnect structure in integrated circuits

Номер патента: EP3866343A1. Автор: Mark Anders,Himanshu Kaul,Seongjong Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-18.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Data output buffer for a semiconductor memory device

Номер патента: US5512854A. Автор: Kee W. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-04-30.

Method and apparatus for reducing skew among input signals within an integrated circuit

Номер патента: US5903174A. Автор: Shailesh Shah,Ashish Pancholy,Greg J. Landry. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Semiconductor integrated circuit and method of operating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130194010A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Makoto Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor integrated circuit and system of controlling the same

Номер патента: US20120062314A1. Автор: Fumitoshi Hatori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device including a test circuit of a multivalued logic circuit having an impedance control

Номер патента: US20120086478A1. Автор: Munehisa Okita,Yoshitomo Numaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160043720A1. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Asymmetric nand gate circuit, clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: EP4366170A3. Автор: Byounggon Kang,Dalhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090127606A1. Автор: Koichi Kinoshita,Natsuki Kushiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Input/output circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020175734A1. Автор: Hideo Oishi,Masanori Hirofuji,Tadayoshi Seike. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6847252B1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070146049A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Macro model of a semiconductor integrated circuit device, a circuit design simulation program, and a circuit design simulator

Номер патента: US20240012052A1. Автор: Takuya Katayama,Kyoji Marumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for protecting a reconfigurable digital integrated circuit against reversible errors

Номер патента: US11762722B2. Автор: Yann Oster. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Multi-Output Look-Up Table (LUT) for Use in Coarse-Grained Field-Programmable-Gate-Array (FPGA) Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230095330A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09893065B2. Автор: Hiroshi Kanno,Hitoshi Sumida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Boosting circuit improved to operate in a wider range of power supply voltage, and a semiconductor memory and a semiconductor integrated circuit device using the same

Номер патента: US5404329A. Автор: Yoshikazu Morooka,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Compressor circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20240094987A1. Автор: Byoung Gon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20180269789A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit protection arrangement

Номер патента: US4295176A. Автор: Norman C. Wittwer. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1981-10-13.

Radio frequency circuitr having an integrated harmonic filter and a radio frequency circuit having transistors of different threshold voltages

Номер патента: US09866178B2. Автор: Sergey Anderson. Владелец: DSP GROUP LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit package substrates having a common die dependent region and methods for designing the same

Номер патента: US09780040B1. Автор: Siow Chek Tan,Swee Fong Chong,Pheak Ti Teh. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20080150567A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US20090015283A1. Автор: Choon Leong Lou,Li Min Wang. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Integrated circuit including transistors having a common base

Номер патента: US11882707B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: Stmicroelectro Rousset Sas. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated circuit including transistors having a common base

Номер патента: US20190312087A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit including transistors having a common base

Номер патента: US20220115441A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-04-14.

Integrated circuit including transistors having a common base

Номер патента: US11211428B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-12-28.

Semiconductor integrated circuit and receiver device

Номер патента: US20240313769A1. Автор: Huy Cu NGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit having high voltage detection circuit

Номер патента: US5723990A. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Voltage generation circuit having a temperature compensation function

Номер патента: US20180181155A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Emulating power gating for a circuit design using a programmable integrated circuit

Номер патента: US9268901B1. Автор: Santosh Kumar Sood. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070075738A1. Автор: Mototsugu Hamada,Tsuyoshi Nishikawa,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080238485A1. Автор: Mototsugu Hamada,Tsuyoshi Nishikawa,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7602211B2. Автор: Mototsugu Hamada,Tsuyoshi Nishikawa,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20170272078A1. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09954532B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit and standard cell for an integrated circuit

Номер патента: US20100321063A1. Автор: Tilo Ferchland,Thorsten Riedel,Matthias Vorwerk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US20150155879A1. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220200553A1. Автор: Isao Sakakida. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

On-board control device, on-board integrated circuit

Номер патента: EP3330858A1. Автор: Masahito Sonehara,Youichirou Kobayashi. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-06-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130169247A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Kazumasa Yanagisawa,Sadayuki Morita,Kazuo Otsuga,Yasuto Igarashi,Masafumi Onouchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Coding of information in integrated circuits

Номер патента: EP1540828A1. Автор: Francesco Pessolano,Victor E. S. Van Dijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-06-15.

Coding of information in integrated circuits

Номер патента: EP1540828B1. Автор: Francesco Pessolano,Victor E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-25.

Semiconductor integrated circuit, communication module, and smart meter

Номер патента: US09912305B2. Автор: Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US20160211806A1. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180090214A1. Автор: Takeshi Yamaguchi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040119532A1. Автор: Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Circuit having high-pass filter with variable corner frequency

Номер патента: US20190131935A1. Автор: Sung-Han Wen,Chen-Chien Lin,Ying-Wei Chou,Jou Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Digital demodulation circuit using automatic gain control circuit having temperature compensation function

Номер патента: US20130288630A1. Автор: Yuuzou Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Reducing jitter in mixed-signal integrated circuit devices

Номер патента: US20020163456A1. Автор: Ian Dedic. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Circuit configurations having a delay device, a multiplier, filter and/or a master-slave flip-flop for generating: an output signal being orthogonal to an input signal, an output signal having a frequency being double that of an input signal, or two output signals being orthogonal to one another

Номер патента: US6531904B1. Автор: Werner Veit,Robert-Grant Irvine,Josef Fenk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-11.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10496569B2. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190087365A1. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit, PWM signal output device, and power conversion control apparatus

Номер патента: US7944720B2. Автор: Tsunehiro Endo,Takahiro Suzuki,Yuji Mori,Yasuo Notohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Phase synchronization circuit, transmission and reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11757457B2. Автор: Hiromitsu OSAWA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Reference voltage generator circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240361796A1. Автор: Yuta IIDA,Kengo KOMIYA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12046301B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit and radio communication apparatus

Номер патента: US20110227656A1. Автор: Yuji Satoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11474161B2. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Phase interpolation circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12081219B2. Автор: Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor integrated circuit and data processing system

Номер патента: US20040070420A1. Автор: Takashi Satou,Peter Lee,Shigezumi Matsui,Gouichi Yokomizo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

Output buffer circuit having pre-emphasis function

Номер патента: US20040145394A1. Автор: Takaaki Nedachi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-07-29.

Delay lock loop circuit, timing generator, semiconductor test device, semiconductor integrated circuit, and delay amount calibration method

Номер патента: US8058891B2. Автор: Masakatsu Suda,Takuya Hasumi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit device having an output voltage setting function

Номер патента: US6359428B1. Автор: Akinobu Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-03-19.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Input circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US8482321B2. Автор: Yuji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-09.

Delay circuit, semiconductor integrated circuit device containing a delay circuit and delay method

Номер патента: US20020140484A1. Автор: Satoru Kawamoto,Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7456669B2. Автор: Mototsugu Hamada,Chen Kong TEH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-25.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: EP3961343A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140145783A1. Автор: Tomomitsu Ohara,Masato YOSHIKUNI. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080297204A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1261127A2. Автор: Fumikazu Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Takahashi,Tatsumi Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Yamauchi,Fumio Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Murabayashi,Kazuhisa Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Miyamoto,Kazuharu Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110057722A1. Автор: Masayasu Komyo,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Data output buffer control circuit

Номер патента: GB2286911B. Автор: Gi Won Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200295744A1. Автор: Naotaka Koide. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Random number generators, integrated circuits having random number generators, and methods of operating random number generators

Номер патента: EP4184312A1. Автор: Bohdan Karpinskyy,Yongki LEE,Yunhyeok Choi,Jieun Park,Sumin Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Random number generators, integrated circuits having random number generators, and methods of operating random number generators

Номер патента: US20230153069A1. Автор: Bohdan Karpinskyy,Yongki LEE,Yunhyeok Choi,Jieun Park,Sumin Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Constant current circuit, timer circuit, one-shot multivibrator circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329681A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Backmatch resistor structure for an integrated circuit tester

Номер патента: US5955890A. Автор: Garry C. Gillette. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Semiconductor device having a time delay function

Номер патента: US4947064A. Автор: Chang-Hyun Kim,Won-Tae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-08-07.

Oscillator circuit, semiconductor integrated circuit device and method for frequency correction of oscillator circuit

Номер патента: US11863185B2. Автор: Yong Sung Ahn. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit having diagnosis function

Номер патента: US20010004123A1. Автор: Yoshikazu Nishikawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-21.

Comparator, AD converter, semiconductor integrated circuit, and rotation detector

Номер патента: US10110215B2. Автор: Akira Koshimizu,Hideki Shimauchi,Yoshinori Tatenuma,Mutsuo Daito,Akio Kamimurai,Masatoshi Uchino,Kanji Kitamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030030477A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Output buffer, method for operating the same, source driver and display device

Номер патента: US20180090053A1. Автор: CHEN Song,Zhongyuan Wu,Airong LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Output buffer circuit for display driving apparatus

Номер патента: US11308843B2. Автор: Young Ho Shin,Young Tae Kim,Young Bok Kim,Taiming Piao. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit and an operating method thereof, a timing verifying method for a semiconductor integrated circuit and a test method of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140132334A1. Автор: Hyoun Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030057449A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11831281B2. Автор: Masayuki Otsuka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Capacitance sensor circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200274498A1. Автор: Masayuki Otsuka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Capacitance sensor circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11368128B2. Автор: Masayuki Otsuka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit and operation method thereof

Номер патента: US09904275B2. Автор: Takehiro Shimizu,Toshio Asai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Output buffer circuits with controlled Miller effect capacitance

Номер патента: US5274284A. Автор: William R. Krenik,Louis J. Izzi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-12-28.

Semiconductor integrated circuit capable of compensating errors in manufacturing process

Номер патента: US5268872A. Автор: Masahiro Kimura,Shinji Fujii,Kenji Matsuo,Tadahiro Kuroda,Kazuhiko Kasai,Ayako Hirata,Toshiyuki Fukunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Semiconductor integrated circuit driving external FET and power supply incorporating the same

Номер патента: US7724047B2. Автор: Akira Aoki,Koji Miyamoto,Eiji Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-05-25.

Secure integrated circuit including parts having a confidential nature and method for operating the same

Номер патента: EP1433044A1. Автор: Albin Pevec,Hugues Blangy. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-06-30.

Integrated circuit packaging system with leads and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130154080A1. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Integrated circuit package with a conductive grid formed in a packaging substrate

Номер патента: US09831189B2. Автор: Leilei Zhang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated circuit packaging

Номер патента: CA2092371C. Автор: Boris L. Livshits,Kevin E. Harpell. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Multi-layered printed circuit board having integrated circuit embedded therein

Номер патента: US7751202B2. Автор: Ho-Seong Seo,Young-Min Lee,Youn-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-06.

Backside stacked die in an integrated circuit (ic) package

Номер патента: WO2017015542A1. Автор: Fernando Chen,Hazel Caballero. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-01-26.

Integrated circuit device having supports for use in a multi-dimensional die stack

Номер патента: US20150228635A1. Автор: Tak M. Mak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4695866A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-09-22.

BI-CMOS gate array semiconductor integrated circuits and internal cell structure involved in the same

Номер патента: US5497014A. Автор: Takayuki Momose. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Semiconductor integrated circuit device having component transistor with protected gate electrode

Номер патента: US5517050A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Integrated circuit package having a substrate vent hole

Номер патента: EP1186212A1. Автор: Ravi V. Mahajan,Michael J. Costello,Suresh Ramalingam,Nagesh Vodrahalli,Mun Leong Loke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Cooling structure for integrated circuit

Номер патента: CA2088821C. Автор: Hironobu Ikeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Method of configuring a semiconductor integrated circuit involving capacitors having a width equal to the length of active resistors

Номер патента: US8307318B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Won-Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-06.

Method of bonding integrated circuit chip to display panel, and display apparatus

Номер патента: EP3701775A1. Автор: Hongwei Ma,YoungYik Ko,Xiangdan Dong,Jinsan PARK,Tairong KIM. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-02.

Exposed pad integrated circuit package

Номер патента: US11769247B2. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20240258166A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device having a bit line and a main insulating spacer with an extended portion

Номер патента: US11908797B2. Автор: Sunghwan Kim,Jiyoung Ahn,Kiseok LEE,Yoonyoung CHOI,Taehee Han,Seunguk Han,Jiseok Hong,Seoryong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20240304549A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Vertical P-Type, N-Type, P-Type (PNP) Junction Integrated Circuit (IC) Structure

Номер патента: US20160197167A1. Автор: Qizhi Liu,Joseph R. Greco,Aaron L. Vallett,Robert F. Vatter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Vertical P-type, N-type, P-type (PNP) junction integrated circuit (IC) structure

Номер патента: US9837514B2. Автор: Qizhi Liu,Joseph R. Greco,Aaron L. Vallett,Robert F. Vatter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit device including air gaps and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862514B2. Автор: Woojin Lee,Sanghoon Ahn,Kyuhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11715786B2. Автор: Nak-Jin Son,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11094800B2. Автор: Nak-Jin Son,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-17.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303521A1. Автор: Nak-Jin Son,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343859A1. Автор: Nak-Jin Son,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240136255A1. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

A high density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces

Номер патента: WO1996008841A1. Автор: Shahram Mostafazadeh,Satya Chillara. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-03-21.

Integrated circuit with self-aligned line and via

Номер патента: US20070075371A1. Автор: Alex See,Randall Cha,Yeow Lim,Wang Goh. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Integrated circuit including a stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: US20110316085A1. Автор: Huang Liu,Wei Lu,Luona Goh,Jeff Shu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

An integrated circuit including a stressed dielectric layer with stable stress

Номер патента: SG175578A1. Автор: Huang Liu,Wei Lu,Shu Jeff,Goh Luona. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-28.

Electromechanical assembly having a pressed joint with low thermal resistance which is residue-free when disassembled

Номер патента: WO1999030365A1. Автор: Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Whittman Babcock. Владелец: UNISYS CORPORATION. Дата публикации: 1999-06-17.

Integrated circuits with copper hillock-detecting structures and methods for detecting copper hillocks using the same

Номер патента: US09881844B2. Автор: Gong Shun Qiang,Wei Shao,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Technique for handling diced wafers of integrated circuits

Номер патента: US11881425B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Guido Albermann,Johannes Cobussen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20220277996A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US11935783B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Voltage regulator module having a power stage

Номер патента: US20240314926A1. Автор: Anil Jeswani,Luca PELUSO,Kok Yau Chua,Kushal Kshirsagar,Paul Yeaman,Marco Pennetti. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Voltage regulator module having a power stage

Номер патента: EP4432541A1. Автор: Anil Jeswani,Luca PELUSO,Kok Yau Chua,Kushal Kshirsagar,Paul Yeaman,Marco Pennetti. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit with an improved inductor structure and method of fabrication

Номер патента: US5717243A. Автор: Rex Everett Lowther. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-02-10.

Integrated circuit and method of manufacture

Номер патента: GB2439883A. Автор: Darin Chan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Functional blocks implemented by 3d stacked integrated circuit

Номер патента: EP3871257A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Functional blocks implemented by 3d stacked integrated circuit

Номер патента: WO2020086383A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-30.

Functional blocks implemented by integrated circuit

Номер патента: US11764212B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Exposed pad integrated circuit package

Номер патента: US20230377124A1. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Photo-decomposable compound, photoresist composition including the same, and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US20230131429A1. Автор: Hyun-Ji SONG,Hyunwoo Kim,Juyoung Kim,SungHwan Park,JinJoo Kim,Giyoung Song,Jiyup KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Multi-height and multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US12002754B2. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20210407907A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Exposed pad integrated circuit package

Номер патента: US20160286652A1. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Integrated circuit packages includng sinuous lead frames

Номер патента: US20090146274A1. Автор: Sun-Won Kang,Se-Young Yang,Yeo-Hoon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-11.

Power and temperature management for functional blocks implemented by a 3d stacked integrated circuit

Номер патента: US20200365562A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Power and Temperature Management for Functional Blocks Implemented by a 3D Stacked Integrated Circuit

Номер патента: US20200135697A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Transition circuitry for integrated circuit die

Номер патента: US20200168567A1. Автор: Song Lin. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Integrated circuit interconnect structure having metal oxide adhesive layer

Номер патента: US20190164821A1. Автор: Shruti Rajeev Jaywant. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Power module integrated circuit package

Номер патента: US20230378022A1. Автор: Kwang-Soo Kim,Woochan Kim,Vivek Kishorechand Arora. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Power and temperature management for functional blocks implemented by a 3D stacked integrated circuit

Номер патента: US11935869B2. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Power and Temperature Management for Functional Blocks Implemented by a 3D Stacked Integrated Circuit

Номер патента: US20240213224A1. Автор: Tony M. Brewer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming voltage-invariant capacitors for MOS type integrated circuit device utilizing oxidation and reflow techniques

Номер патента: US4261772A. Автор: Edward R. Lane. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1981-04-14.

Method for forming capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer

Номер патента: US5506166A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-04-09.

A quad flat no lead (qfn) integrated circuit (ic) package having a modified paddle and method for designing the package

Номер патента: EP2115773A4. Автор: Lawrence Wayne Golick,Scott E Hynes,Thomas J Pilyar. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-11-02.

Component, used as a power component, comprises a semiconductor module having a support with electrically conducting strip conductors, a plate with further strip conductors and an electrically conducting connection

Номер патента: DE10211556A1. Автор: Anton Mauder,Mario Feldvos. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-10-02.

Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same

Номер патента: US20020195642A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING TRANSISTORS HAVING A COMMON BASE

Номер патента: US20190312087A1. Автор: Boivin Philippe. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

An integrated circuit package substrate having a thin film capacitor structure

Номер патента: CN100483706C. Автор: C·帕兰杜兹. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-04-29.

Method for producing a substrate having a colored interference filter layer, said substrate comprising a colored interference filter layer, and an array comprising at least two of said substrates

Номер патента: KR101706411B1. Автор: 프랑크 헤어게르트,얀 루돌프 티옌,폴커 프롭스트. Владелец: 로베르트 보쉬 게엠베하. Дата публикации: 2017-02-13.

Organic semiconductor composition including a non-polymeric material having a polydispersity equal to one, at least one solvent, and a crystallization modifier, and an organic thin-film transistor using the same

Номер патента: US9373795B2. Автор: Jeremy Burroughes,Christopher Newsome. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Integrated circuit memory cell having a small active area and method of forming same

Номер патента: US6287919B1. Автор: Russell C. Zahorik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-11.

Integrated circuit package substrate having a thin film capacitor structure

Номер патента: US7504271B2. Автор: Cengiz A. Palanduz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-17.

Quad flat no lead (QFN) integrated circuit (IC) package having a modified paddle and method for designing the package

Номер патента: US8222719B2. Автор: Lawrence Wayne Golick,Scott E. Hynes,Thomas J. Pllyer. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2012-07-17.

Quad flat no lead (qfn) integrated circuit (ic) package having a modified paddle and method for designing the package

Номер патента: US20100148329A1. Автор: Lawrence Wayne Golick,Scott E. Hynes,Thomas J. Pllyer. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-06-17.

Integrated circuit probing apparatus having a temperature-adjusting mechanism

Номер патента: US7576553B2. Автор: Li Min Wang,Choon-Leong Lou. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2009-08-18.

Magnetic device with a substrate, a sensing block and a repair layer

Номер патента: US20150076634A1. Автор: Cheng Wei Chien,Kuei Hung Shen,Yung Hung Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Integrated circuit having wiring structure, solid image pickup element having the wiring structure, and imaging device having the solid image pickup element

Номер патента: US20100244176A1. Автор: Takeharu Eto. Владелец: KINKI UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Integrated circuit apparatus

Номер патента: US20080174355A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020011890A1. Автор: Takahiro Miki,Kazuo Kaneki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Switching power supply, semiconductor integrated circuit device, and differential input circuit

Номер патента: US12047045B2. Автор: Tetsuo Tateishi,Masashi Nagasato,Seiji Takenaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (pll) circuit, and system

Номер патента: US20230403018A1. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Radio communication semiconductor integrated circuit, data processing semiconductor integrated circuit and portable device

Номер патента: EP1528694A1. Автор: Tetsuya c/o Renesas Technology Corp. Nakagawa,Masafumi c/o Renesas Technology Corp. Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09960739B2. Автор: Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit, receiving device, and dc offset cancellation method

Номер патента: US20220085779A1. Автор: Takaya Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8410961B2. Автор: Masaru Iwabuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: MY115272A. Автор: Kiyoshi Imai,Seiichi Taguchi,Toshiaki Tsuji,Taku Takada. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120019969A1. Автор: Masaru Iwabuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9484870B2. Автор: Shigeo Imai,Yosuke Ogawa,Shinji Nakatsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Power amplifier and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110235689A1. Автор: Shouhei Kousai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Power amplifier and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8565341B2. Автор: Shouhei Kousai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-22.

Capacitor digital-to-analog converter using random reset signal and integrated circuit including the same

Номер патента: US12113545B2. Автор: Wan Kim,Yanghoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Source driver including output buffer, display driving circuit, and operating method of source driver

Номер патента: US09979363B2. Автор: Jun-ho Song,Jin-Chul Choi,Ju-Hyun Ko,Beop-Hee KIM,Yong-joo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880211B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090095884A1. Автор: Toshio Mochizuki,Takanobu Ambo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US9503665B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Ad converter device, semiconductor integrated circuit device, and designing method of ad converter device

Номер патента: US20240243752A1. Автор: Minori Yoshida. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6559718B2. Автор: Ryotaro Kudo,Jin Kiong Ang,Shin Chiba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080095224A1. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Audio and ultrasound signal processing circuit and an ultrasound signal processing circuit, and associated methods

Номер патента: US09892631B2. Автор: Christophe Marc Macours. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit, storage device, and error correction method

Номер патента: US11132254B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Kazuhiko Bando. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Low-pass filter for a pll, phase-locked loop and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1454415A1. Автор: Toru Iwata,Masahiro Fukui,Shiro Dosho,Ryoichi Suzuki,Shiro Sakiyama,Takefumi Yoshikawa,Naoshi Yanagisawa,Masaomi Toyama,Keijiro Umehara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit, variable gain amplifier, and sensing system

Номер патента: US09831842B2. Автор: Masahide Kiritani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Radio communication semiconductor integrated circuit, data processing semiconductor integrated circuit and portable device

Номер патента: US20050094530A1. Автор: Tetsuya Nakagawa,Masafumi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor integrated circuit having built-in PLL circuit

Номер патента: US20050134391A1. Автор: Satoshi Shimizu,Yasuyuki Kimura,Masakatsu Yokota,Ken Suyama,Aleksander Dec. Владелец: Epoch Microelectronics Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US8289078B2. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Ad converter, semiconductor integrated circuit, and rotation detector

Номер патента: US10084464B1. Автор: Hideki Shimauchi,Yoshinori Tatenuma,Akio Kamimurai,Takeharu Umegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor integrated circuit device and current detection circuit

Номер патента: US20210278445A1. Автор: Tomohiro Ando,Kazuhiro Taguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Detection circuit, physical quantity detection apparatus, angular velocity detection apparatus, integrated circuit device, and electronic instrument

Номер патента: US20130055810A1. Автор: Masayuki Takahashi,Takayuki Kikuchi,Masahiro Oshio,Toshihiro Nishida,Yoshinao Yanagisawa. Владелец: Seiko NPC Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140203882A1. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor integrated circuit for communication

Номер патента: US20110053529A1. Автор: Kazuhisa Okada,Hiroaki Matsui,Ryoji Furuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Circuitry and method for multi-level signals

Номер патента: US9369317B2. Автор: Guy Torfs,Geert De Peuter,Jeffrey Sinsky,Zhisheng Li,Timothy De Keulenaer. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor integrated circuit device, electronic device, and radio communication device

Номер патента: US9136801B2. Автор: Seiji Yamamoto,Yutaka Uneme,Miki Shiraishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor integrated circuit, reception device, memory system, and semiconductor storage device for reducing power consumption of equalizer

Номер патента: US11989442B2. Автор: Shinichi Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Clamp circuit for a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030071672A1. Автор: Hiroshi Fujii,Hideaki Ishihara,Hirofumi Abe,Sinichi Noda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Clock regeneration circuit, semiconductor integrated circuit device and rf tag

Номер патента: US20180076950A1. Автор: Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Differential difference amplifier circuit having variable transconductance

Номер патента: US10971080B2. Автор: Jhih-Siou Cheng,Chih-Hsien Chou,Po-Yu Tseng. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-04-06.

Output buffer circuit and source driver of display device including the same

Номер патента: US20220109415A1. Автор: Woonyoung Lee,Chanbong YU,Yunseok JANG,Youngbae MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-07.

Differential difference amplifier circuit having variable transconductance

Номер патента: US20190385536A1. Автор: Jhih-Siou Cheng,Chih-Hsien Chou,Po-Yu Tseng. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2019-12-19.

Differential difference amplifier circuit having variable transconductance

Номер патента: US20200211472A1. Автор: Jhih-Siou Cheng,Chih-Hsien Chou,Po-Yu Tseng. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor integrated circuit for realizing coding circuit

Номер патента: US7095895B2. Автор: Jun-Ichi Okamura,Tatsuo Tsujita. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Filter circuit, semiconductor integrated circuit, communication apparatus, semiconductor device, and system

Номер патента: US20130148758A1. Автор: Kouji Okamoto,Heiji Ikoma,Michiko Tokumaru. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Differential difference amplifier circuit having variable transconductance

Номер патента: US10789895B2. Автор: Jhih-Siou Cheng,Chih-Hsien Chou,Po-Yu Tseng. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-09-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09973074B2. Автор: Ming Liu,Tatsuo Nakagawa,Kenichi Osada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882571B2. Автор: Kenichi Nomura,Hiroyuki Homma,Ryusuke Obara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotatioin link

Номер патента: PH12016502510B1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-10.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: EP3158610A1. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: MY183259A. Автор: Victor Landa. Владелец: Xcerra Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated circuit chip tester with an anti-rotation link

Номер патента: WO2015195201A1. Автор: Victor Landa. Владелец: XCERRA CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-23.

Ultra-broadband interface for integrated circuits

Номер патента: WO2024165670A1. Автор: Luis Enrique Garcia Muñoz,Guillermo CARPINTERO DEL BARRIO,Alejandro Rivera Lavado,Muhsin ALI. Владелец: Universidad Carlos III de Madrid. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit thermal management system

Номер патента: US11889661B2. Автор: Eric E. Wilson,John Joseph Costello,Richard Joseph Skertic. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit thermal management system

Номер патента: US20220087068A1. Автор: Eric E. Wilson,John Joseph Costello,Richard Joseph Skertic. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method and apparatus for orienting integrated circuit clips and sockets and assembling them into connector contacts

Номер патента: US4376339A. Автор: J. Preston Ammon,Harry R. Weaver,Evan Evans. Владелец: Elfab Corp. Дата публикации: 1983-03-15.

Galvanic cell having a lithium metal or an alloy comprising a lithium metal as anode material and an electrolyte having lithium bis(oxalato)borate and at least one other lithium complex salt

Номер патента: EP2399318B1. Автор: Ulrich Wietelmann,Ute Emmel,Thorsten Buhrmester,Rebecca Metzger. Владелец: Chemetall GmbH. Дата публикации: 2015-07-29.

Liquid crystal phase shifter having a delay line with a plurality of bias lines on two sides thereof and an antenna formed therefrom

Номер патента: US11646489B2. Автор: Yali Wang,Dongdong Zhang,Xiyuan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-09.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Plastic encapsulation for integrated circuits having plated copper top surface level interconnect

Номер патента: US6140150A. Автор: Charles E. Williams,Taylor R. Efland,Dale J. Skelton,Quang X. Mai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit having a multi-chip structure

Номер патента: US20110291265A1. Автор: Sang-Jin Byeon,Sin-Hyun Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8633038B2. Автор: Hideo Kawano,Haruko Tamegai,Tooru YASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20020053725A1. Автор: Hiroshi Kimura,Hiroshi Shimomura,Jyoji Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit having standard and custom circuit regions

Номер патента: US6037666A. Автор: Kazuhisa Tajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for producing a packaged integrated circuit

Номер патента: US20060063292A1. Автор: Leslie Landsberger. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Method for producing a packaged integrated circuit

Номер патента: EP1626926A2. Автор: Leslie M. Landsberger,Oleg Grudin. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-22.

Method for producing a packaged integrated circuit with a microcavity

Номер патента: WO2004037712A8. Автор: Oleg Grudin,Leslie M Landsberger. Владелец: Leslie M Landsberger. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1494288A2. Автор: Takashi Intell. Prop. Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030006466A1. Автор: Ryohei Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit I/O integrity and degradation monitoring

Номер патента: US11762789B2. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20160172196A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Insulating film for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7750102B2. Автор: Katsuyuki Watanabe,Yasufumi Watanabe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Overheat protection circuit, and semiconductor integrated circuit device and vehicle therewith

Номер патента: US20160336309A1. Автор: Hirofumi Yuki,Shuntaro Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-17.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Номер патента: US09905560B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL,Navienkumar Ramachandran Arumugam. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5619048A. Автор: Miho Yokota,Masatomi Okabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030071311A1. Автор: Katsuya Arai,Shiro Usami,Toshihiro Kohgami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit with voltage limiter having different output ranges for normal operation and performing of aging tests

Номер патента: US5493572A. Автор: Hitoshi Tanaka,Ryoichi Hori,Kiyoo Itoh. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190355808A1. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060022274A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Hisashi Hasegawa. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor integrated circuit having annular power supply with plural lines

Номер патента: US5315182A. Автор: Takeshi Hashizume,Isao Takimoto,Kazuhiro Sakashita,Terukazu Yusa,Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080225450A1. Автор: Hirokazu Hayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor integrated circuit with a shield wiring

Номер патента: EP1349212A3. Автор: Takashi c/o Fujitsu Limited Eshima,Shogo c/o Fujitsu Limited Tajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200303262A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100187573A1. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332277A1. Автор: Hisashi Sugie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030101424A1. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6754880B2. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Photosensitive system including an output buffer coupled to a gated photodiode for reducing an impedance of the photodiode signal

Номер патента: US8410417B2. Автор: Rob Van Dalen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-04-02.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit arrangement and method of operating such a circuit arrangement

Номер патента: US20070079202A1. Автор: Steffen Sonnekalb,Marcus Janke,Dirk Rabe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-05.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09941263B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09941139B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US09899381B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Designing method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100005439A1. Автор: Takashi Shikata. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor integrated circuit device which has first chip and second chip accessed via the first chip and test method thereof

Номер патента: US20090167337A1. Автор: Yuji Tada,Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Kazunori Yamane,Manabu Kitabatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor integrated circuit device with high reliability wiring layers

Номер патента: US4908690A. Автор: Masayuki Hata,Hiromasa Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-03-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240213770A1. Автор: Hidetoshi Tanaka,Yuko Nagai. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US8637906B2. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US20090273059A1. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Production of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020043679A1. Автор: Hiroshi Miki,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani,Yasuhiro Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006781A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006780A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor integrated circuit device having a decoupling capacitor

Номер патента: US7973383B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masayuki Furumiya,Hiroaki Ohkubo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit having multiple-layered connection

Номер патента: US4694320A. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-15.

Semiconductor integrated circuit device with electrostatic damage protection

Номер патента: US5486716A. Автор: Yutaka Saito,Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Semiconductor integrated circuit structures

Номер патента: US3818289A. Автор: J Mudge,J Zimmer,K Taft. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1974-06-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5543651A. Автор: Kazuo Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1996-08-06.

Circuit board and on-board structure of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170318661A1. Автор: Shinji Matsunaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170077094A1. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated device

Номер патента: US5805605A. Автор: Myung-Ho Bae,Cheol-Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-08.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Electrostatic protection circuit, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09935096B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09865601B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Kai-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09847331B2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09793215B2. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09735168B2. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor integrated circuit device with an internal voltage-down converter

Номер патента: US5451896A. Автор: Shigeru Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry and mounting method

Номер патента: US5773321A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Integrated circuit i/o integrity and degradation monitoring

Номер патента: EP3903113A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuit i/o integrity and degradation monitoring

Номер патента: US20220156206A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Integrated circuit i/o integrity and degradation monitoring

Номер патента: US20200371972A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated circuit pad failure detection

Номер патента: US20240004812A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190244949A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11824055B2. Автор: Hidetoshi Tanaka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor integrated circuit having heat sinking means for heat generating wires

Номер патента: US6242807B1. Автор: Tetsuo Kazami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

Method of forming a contact plug in a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220208605A1. Автор: Won Jun Yoon,Dong Woo Kim,Seok Kyu Choi,Woo Hoon SUN,Tae Sung HAN,Jin Wu PARK. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11916056B2. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP2200078A4. Автор: Yasuhide Sosogi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US9899385B2. Автор: Takashi Yamazaki,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20080149966A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US7358548B2. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-15.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9070685B2. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Tamper detection in integrated circuits

Номер патента: EP3830735A1. Автор: Mikael Yves Marie RIEN,Subbayya Chowdary Yanamadala. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Input protection structure for integrated circuits

Номер патента: US5170240A. Автор: Burkhard Becker. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-12-08.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit for voltage detection

Номер патента: US20080246540A1. Автор: Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuits having signal lines formed with double patterning

Номер патента: US12100655B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Ching-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210193682A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and method for decapsulating packaged integrated circuits

Номер патента: US09991142B2. Автор: Kirk Alan Martin. Владелец: RKD ENGINEERING Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit device in which integrated circuit units having different functions are stacked in three dimensional manner

Номер патента: US5138437A. Автор: Shinichi Nakagawa,Masao Nakaya,Toshio Kumamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Method for manufacturing integrated circuits with a step for replacing defective circuit elements

Номер патента: US5391501A. Автор: Mitsuo Usami,Keijiro Uehara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-02-21.

Systems and methods for providing increased fault current capability in uninterruptible power supply systems

Номер патента: US09735616B2. Автор: Andrea Mannuccini,Silvio Colombi,Harry Bye Handlin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit for energy harvesting with synchronization means

Номер патента: US20200321910A1. Автор: Julien DE VOS,Geoffroy GOSSET,Cédric HOCQUET. Владелец: E Peas SA. Дата публикации: 2020-10-08.

Image display device for providing function of changing screen display direction and method thereof

Номер патента: US09930313B2. Автор: Dongyoung Lee,Sangjo Park,Donghyun Kang,Hyungseok Jang,Soonbo Han,Hyojin Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-03-27.

An Aerosol Generating Device and an Aerosol Generating System

Номер патента: US20240349806A1. Автор: Herman HIJMA,Jeroen DAMMERS,Dennis Freie. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-10-24.

Dual universal integrated circuit card (uicc) system for a portable device

Номер патента: IL173376A. Автор: . Владелец: Chun Hsin Ho. Дата публикации: 2010-11-30.

Subscriber line interface circuit, which can be performed by a C-MOS circuit

Номер патента: DE69633906T2. Автор: Kouichi Nishimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-24.

Dual universal integrated circuit card (uicc) system for a portable device

Номер патента: CA2535102C. Автор: Chun-Hsin Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-03.

Supply self adjustment for systems and methods having a current interface

Номер патента: US09784779B2. Автор: Simon Hainz,Christof Bodner,Christoph Schroers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Supply Self Adjustment for Systems and Methods Having a Current Interface

Номер патента: US20150247889A1. Автор: Simon Hainz,Christof Bodner,Christoph Schroers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-03.

Supply self adjustment for systems and methods having a current interface

Номер патента: US20200284829A1. Автор: Simon Hainz,Christof Bodner,Christoph Schroers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Storage system having a virtual connection between a virtual network attached process and a management process, and an information processing apparatus and connection method thereof

Номер патента: US8499062B2. Автор: Takahiro Nakano,Masakuni Agetsuma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US11391773B2. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor integrated circuit for detecting leakage current and earth leakage circuit breaker having the same

Номер патента: US20200333395A1. Автор: Sun-jung Kim. Владелец: Sunnyic Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

An optical assembly and method for providing a multifrequency optical resonator-based frequency comb

Номер патента: WO2024160476A1. Автор: Tobias Herr,Alexander Ulanov,Thibault WILDI,Maxim Karpov. Владелец: Enlightra Sàrl. Дата публикации: 2024-08-08.

Optical semiconductor device and optical semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1813974A3. Автор: Naoki Fujiwara,Yuichi Tomori,Nobuhiro Kikuchi,Yasuo Shibata,Nobuhiro Nunoya. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

System and method for facilitating efficient utilization of an output buffer in a network interface controller (nic)

Номер патента: US20240171507A1. Автор: David Charles Hewson,Partha Pratim Kundu. Владелец: Cray Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Inter-integrated circuit-slave interface, and method for operating an inter-integrated circuit-slave interface

Номер патента: US9025716B2. Автор: Dorde CVEJANOVIC. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-05-05.

Buck dc-to-dc converter having a novel output protection mechanism

Номер патента: US20130200863A1. Автор: Chia-Chieh Hung,Chung-Han Wu,Feng-Jung Huang. Владелец: Immense Advance Tech Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor integrated circuit realizing electrical interface

Номер патента: US20010032328A1. Автор: Satoshi Takahashi,Takashi Hirata,Hironori Akamatsu,Yutaka Terada,Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit device, charge pump circuit, and electric appliance

Номер патента: US20070236972A1. Автор: Yoshinori Imanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

System and method for facilitating efficient utilization of an output buffer in a network interface controller (NIC)

Номер патента: US11916781B2. Автор: David Charles Hewson,Partha Pratim Kundu. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor integrated circuit and dc-dc converter

Номер патента: US20130141060A1. Автор: Yoichi Tokai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system for executing data processing by using memory

Номер патента: US20020007436A1. Автор: Toyohiko Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Security integrated circuit

Номер патента: WO2005046233A1. Автор: Paul Elliott,Andrew Dellow,Peter Bennett. Владелец: STMICROELECTRONICS LIMITED. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110255201A1. Автор: Hiroshi Shimomura,Masaru Numano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit device and microphone module using same

Номер патента: US20230396933A1. Автор: Naoyuki Motoki. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Voltage control integrated circuit devices

Номер патента: US20150029806A1. Автор: Liang Qiao,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Synchronous operating system for discharge tube lighting apparatuses, discharge tube lighting apparatus, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090184653A1. Автор: Kengo Kimura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

System and method for facilitating efficient packet injection into an output buffer in a network interface controller (NIC)

Номер патента: US11799764B2. Автор: Vincent Chang,David Charles Hewson,Abdulla M. Bataineh,Thomas L. Court,Partha Pratim Kundu,Eric P. Lundberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit with multi-application image processing

Номер патента: US20230388661A1. Автор: Manoj Koul,David Stoller,Niraj NANDAN,Mihir Mody,Rajasekhar ALLU,Pandy KALIMUTHU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Signal buffers for printed circuit boards

Номер патента: US20020180517A1. Автор: Jose Cruz-Albrecht,Robert Bosnyak. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Signal buffers for printed circuit boards

Номер патента: WO2002099665A1. Автор: Robert J. Bosnyak,Jose M. Cruz-Albrecht. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-12-12.

A power converter integrated circuit

Номер патента: GB2627045A. Автор: YANG Seunguk,LEE Sangjun,JEON Sehyung,An Cheolhwan. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor integrated circuit, image transmission apparatus and image transmission system

Номер патента: US09900604B2. Автор: Keiri NAKANISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Switching power supply circuit having a switching element and a free-wheeling element and adapted to turn on or off at least the switching element

Номер патента: US09837905B2. Автор: Norimasa Hane. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatus for providing variable control of the gain of an RF amplifier

Номер патента: EP1217763A3. Автор: THOMAS Jackson,Wansheng Su,Keith Ditzler,Matthew Poulton,Nadeem Burkhari. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit with surge-protected output MISFET's

Номер патента: US5608594A. Автор: Yasuhiro Fukuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Discharge lamp lighting apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080231207A1. Автор: Kengo Kimura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Integrated circuit for optimizing automated zoom in motion area of image

Номер патента: WO2024149733A1. Автор: Geoffroy GOSSET,Thomas HAINE,Loïc HENNETON. Владелец: E-Peas. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit with configurable output cell

Номер патента: US20130108088A1. Автор: Dan Christian Raun Jensen,Palle Hegne PEDERSEN. Владелец: GN Resound AS. Дата публикации: 2013-05-02.

Processing circuit, radio communication circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12081251B2. Автор: Takashi Miyazaki,Shunsuke Hirano,Yasuhiro Majima,Daisuke Kimura,Shunichiro Masaki,Kenta Aruga. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic sensor and an integrated circuit

Номер патента: US09966883B2. Автор: Yue Li,Ken Wong,Bao Ting Liu,Li Sheng Liu,Chi Ping SUN,Fei Xin,Shing Hin Yeung,Shu Juan HUANG,Yun Long JIANG,En Hui Wang,Xiu Wen YANG,Yan Yun CUI,Guang Jie CAI,Chun Fai WONG,Hui Min Guo,Shu Zuo LOU,Xiao Ming Chen. Владелец: Johnson Electric SA. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit system and packet transmission control method in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110280250A1. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

State detection device, semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240113613A1. Автор: Ken Hashimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Overvoltage protection circuit, integrated circuit and switching converter with the same

Номер патента: US11750083B2. Автор: Hongfeng Fan,Dengke Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit and method of digitally controling critical mode power factor correction circuit

Номер патента: US12119742B2. Автор: Ryuichi Furukoshi,Osamu Ohtake. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for configuring an integrated circuit for emulation with optional on-chip emulation circuitry

Номер патента: US5898862A. Автор: Sridhar Vajapey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-04-27.

Non-volatile memory having a static verify-read output data path

Номер патента: US20080266974A1. Автор: Padmaraj Sanjeevarao,David W. Chrudimsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of performing an operation on an integrated circuit

Номер патента: US5977784A. Автор: Deepak K. Pai. Владелец: General Dynamics Information Systems Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Integrated circuit having regulated voltage island power system

Номер патента: US09760106B2. Автор: Christopher P. Miller,Christopher Scoville,Donald W. Labrecque,Steffen A. Loeffler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Configuration of a clock distribution system for an integrated circuit

Номер патента: US10705561B1. Автор: Thanunathan Rangarajan,Ronald Cron,Sudeep Karkada Nagesha Holla. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-07-07.

Integrated circuit having distributed control and status registers and associated signal routing means

Номер патента: WO2001071511A3. Автор: Jurgen M Schulz. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit having distributed control and status registers and associated signal routing means

Номер патента: EP1299809A2. Автор: Jurgen M. Schulz. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-09.

Integrated circuit having distributed control and status registers and associated signal routing means

Номер патента: WO2001071511A2. Автор: Jurgen M. Schulz. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for providing center-of-gravity information by using image, and apparatus therefor

Номер патента: US20230401736A1. Автор: Dong-Jin Shin,Kwang-jun LEE. Владелец: Kakao VX Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Golf ball multilayer core having a gradient quotient

Номер патента: US20170106246A1. Автор: Michael J. Sullivan,Mark L. Binette,Brian Comeau. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2017-04-20.

An enclosure of an alarm system and an alarm peripheral thereof

Номер патента: EP3803816A1. Автор: Mikael Bergoo. Владелец: Verisure SARL. Дата публикации: 2021-04-14.

Key-card access system for providing selective access to medical equipment

Номер патента: CA2682909C. Автор: Benito Valencia Avila,Luc Bossoney,Blaise Paratte. Владелец: Codman Neuro Sciences Sárl. Дата публикации: 2018-06-26.

Optical integrated circuit with encapsulated edge coupler

Номер патента: WO2023244113A1. Автор: Bradley William SNYDER,Adriano Ricardo DO NASCIMENTO JÚNIOR. Владелец: Phix B.V.. Дата публикации: 2023-12-21.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US11829308B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-28.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US20230119579A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20050166004A1. Автор: Fabrizio Campanale,Gijs Van Steenwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-28.

Method for fetching data from a non-volatile memory in an integrated circuit and corresponding integrated circuit

Номер патента: EP1502202A1. Автор: F. Philips Int.Property & Standards Gmbh CAMPANALE,G. Philips Int.Prop.& Standards Gmbh VAN STEENWIJK. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-02-02.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US20230418770A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-28.

Munition Having A Reusable Housing Assembly and A Removable Powder Chamber

Номер патента: US20160003586A1. Автор: Scot M. Pace. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Exhaust heat recovery apparatus for vehicle having a longitudinal valve separating two parallel exhaust flow paths

Номер патента: US11371412B2. Автор: Young Dug Yang. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

A brake release system for a vehicle comprising a parking brake having a brake chamber

Номер патента: EP4431352A1. Автор: Amarnath JEYAKAR M R,Sabarinivas DEVENDRAN,Agnila C. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Means for creating and/or intensifying market demand for laminated multilayer goods having a core made of at least one layer of elastic polyurethane/polyester foam and a manufactured product utilizing the same

Номер патента: EP3732036A1. Автор: Radosław Wesołowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-04.

Retroreflective integrated circuit sealed product

Номер патента: MY141672A. Автор: Ikuo Mimura. Владелец: Nippon Carbide Kogyo Kk. Дата публикации: 2010-05-31.

Circuit device having a fuse

Номер патента: US20030117829A1. Автор: Olivier Picot,Mario Ronza,Volker Schober. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Gearing having a housing and a shaft unit

Номер патента: AU2021365360A1. Автор: Steffen Saar,Christoph Ruppaner,Dietmar Strauss. Владелец: SEW Eurodrive GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-05-18.

Gearing having a housing and a shaft unit

Номер патента: AU2021365360B2. Автор: Steffen Saar,Christoph Ruppaner,Dietmar Strauss. Владелец: SEW Eurodrive GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-25.

Gearing having a housing and a shaft unit

Номер патента: AU2021365360A9. Автор: Steffen Saar,Christoph Ruppaner,Dietmar Strauss. Владелец: SEW Eurodrive GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-03.

Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits

Номер патента: US4346164A. Автор: Werner Tabarelli,Ernst W. Lobach. Владелец: Loebach Ernst W. Дата публикации: 1982-08-24.

Compliant lens blocks and method of using them

Номер патента: US4925518A. Автор: Irving Erlichman,Nelson M. Wasserman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-05-15.

Contact assembly in a testing apparatus for integrated circuits

Номер патента: US20160178692A1. Автор: Wei Kuong Foong,Eng Kiat Lee,Kok Sing Goh,Shamal Mundiyath. Владелец: JF Microtechnology Sdn Bhd. Дата публикации: 2016-06-23.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system red vehicle having the same

Номер патента: EP4348318A1. Автор: Christopher T. Cotton,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Ron Friedman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Electrosurgical device having a visible indicator

Номер патента: US5817091A. Автор: David C. Yates,Paul C. Nardella. Владелец: Medical Scientific Inc. Дата публикации: 1998-10-06.

Elastomeric graft copolymers having a core/shell structure

Номер патента: US5223586A. Автор: Bernward Deubzer,Konrad Mautner. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 1993-06-29.

Nozzle for supersonic gas flow and an inertia separator

Номер патента: IL144004A. Автор: . Владелец: Shell Int Research. Дата публикации: 2004-12-15.

Golf ball multilayer core having a gradient quotient

Номер патента: US10130848B2. Автор: Michael J. Sullivan,Mark L. Binette,Brian Comeau. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2018-11-20.

Vibration damper having a gas-filled enveloping body

Номер патента: US20230392664A1. Автор: Alexander Schwarz,Bernd Göllner,Peter Neckermann. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Turbine engine with component having a cooling hole with a layback surface

Номер патента: US20240117743A1. Автор: Brian Kenneth Corsetti,Dane Michael Dale,John Curtis Calhoun. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-04-11.

Throttle valve having a large diameter shaft with integral valve plate

Номер патента: EP1499802A2. Автор: David M. Evans,Donald George Witzel. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2005-01-26.

GAMING SYSTEM HAVING A COMMON DISPLAY, A FIRST BONUS GAME OR A FIRST BONUS GAME PAYTABLE AND AN OPTION TO PURCHASE A SECOND BONUS GAME OR A SECOND BONUS GAME PAYTABLE WITH RELATIVELY EXPECTED HIGHER VALUES

Номер патента: US20130143648A1. Автор: Peterson Lance R.. Владелец: IGT. Дата публикации: 2013-06-06.

Integrated circuits probe card having a reinforced structure of electric contact for probes

Номер патента: KR20130082046A. Автор: 춘 렁 루,치 쿤 첸,호 예 첸. Владелец: 스타 테크놀로지스 인코포레이션. Дата публикации: 2013-07-18.

Gas turbine power plant having a heat exchanger

Номер патента: US4307568A. Автор: Josef Huller,Wolfram Krockow. Владелец: MTU Motoren und Turbinen Union Muenchen GmbH. Дата публикации: 1981-12-29.

Integrated circuits probe card having a reinforced structure of electric contact for probes

Номер патента: KR101296523B1. Автор: 춘 렁 루,치 쿤 첸,호 예 첸. Владелец: 스타 테크놀로지스 인코포레이션. Дата публикации: 2013-08-13.

A method of designing a back swept impeller having a self-cleaning function, a back swept impeller manufactured by this design method, and an axial water pump having a back swept impeller

Номер патента: KR102012172B1. Автор: 김윤성. Владелец: 김윤성. Дата публикации: 2019-08-20.

Field-primable chub cartridge having a longitudinal threading tunnel integral therewith

Номер патента: CA1150100A. Автор: James H. Forgey,Donald R. Stephens,Engnam A. Tan. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1983-07-19.

Process for the installation and tensioning of a brace having a false bearing, in particular a stay cable for a cable-stayed bridge and an anchoring device with which to carry out the process

Номер патента: TW508396B. Автор: Oswald Nutzel. Владелец: Walter Bau AG. Дата публикации: 2002-11-01.

Integrated circuit with memory having a current limiting switch

Номер патента: US8059446B2. Автор: Ralf Symanczyk. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-11-15.

A greenhouse having a climate control system, climate control system and method of operating the greenhouse

Номер патента: CA3113420A1. Автор: Bart Jan Van Den Berg. Владелец: Vdb BV. Дата публикации: 2020-03-26.

A greenhouse having a climate control system, climate control system and method of operating the greenhouse

Номер патента: WO2020060402A1. Автор: Bart Jan Van Den Berg. Владелец: B. Van Den Berg Holding B.V.. Дата публикации: 2020-03-26.

A greenhouse having a climate control system, climate control system and method of operating the greenhouse

Номер патента: EP3852512A1. Автор: Bart Jan Van Den Berg. Владелец: Vdb BV. Дата публикации: 2021-07-28.

Liquid crystal display device having a horizontal stripe-type pixel array, consequently preventing stick inferiority between blocks and removing a flicker phenomenon

Номер патента: KR100448935B1. Автор: 장종웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Test circuit for semiconductor integrated logic circuit using tristate buffers allowing control circuit for tristate to be tested

Номер патента: US6028443A. Автор: Hideharu Ozaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050046473A1. Автор: Katsuya Furue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040022089A1. Автор: Ichiro Yamane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Output control scan flip-flop, semiconductor integrated circuit including the same, and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8892971B2. Автор: Hayato Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit and its application device

Номер патента: US5677916A. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit having post-package testing function for error detection and correction circuit

Номер патента: US5263031A. Автор: Makoto Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor integrated circuit having a DC test function

Номер патента: US4904883A. Автор: Hideyuki Iino,Hidenori Hida. Владелец: Fujitsu Microcomputer Systems Ltd. Дата публикации: 1990-02-27.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20020101249A1. Автор: Hirotaka Shimoda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Source driver integrated circuit, method of driving the same, and timing controller

Номер патента: EP4375978A1. Автор: Jung Min Choi,Woong Jin OH,Hee Yoon JUNG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Power supply semiconductor integrated circuit including a short-circuit-fault detection circuit that detects a short circuit of the voltage-output terminal

Номер патента: US11768510B2. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Sense amplifying methods and sense amplification and output buffer integrated circuits

Номер патента: WO1998035354A1. Автор: Scott T. Becker,Dhrumil Gandhi,Daniel F. LaBouve. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-08-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020021615A1. Автор: Yoshiyuki Ota,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US09846201B2. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090228752A1. Автор: Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09710009B2. Автор: Hidefumi Kushibe,Hiroyuki Ideno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor integrated data matching circuit

Номер патента: US5661421A. Автор: Tadahiro Ohmi,Tadashi Shibata,Koji Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170336816A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Phase compensation circuit, semiconductor integrated circuit having phase compensation circuit, and power supply circuit having phase compensation circuit

Номер патента: US20130134952A1. Автор: Takashi Imura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9766640B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20160179111A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110242896A1. Автор: Atsushi Nakakubo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor test system, semiconductor test method, method of wiring pattern formation and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5453994A. Автор: Masahiko Yoshimoto,Kiyofumi Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5214609A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Hiroto Nakai,Nobuaki Hiraga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-05-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5825712A. Автор: Tomoki Higashi,Hiroyuki Noji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Integrated circuit margin measurement and failure prediction device

Номер патента: US20240036105A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor integrated circuit device, data recording device, and layout method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7826738B2. Автор: Yoshinobu Amano,Chisato Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Integrated circuit margin measurement and failure prediction device

Номер патента: EP4328596A2. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit margin measurement and failure prediction device

Номер патента: US11841395B2. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor integrated circuit with test points inserted thereinto

Номер патента: US20020024352A1. Автор: Gyoo-Chan Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Integrated circuit margin measurement and failure prediction device

Номер патента: EP4328596A3. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Shai Cohen,Inbar Weintrob. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070247962A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Method and system for providing a sleep mode to a configurable logic block using an intermittent power saving logic

Номер патента: US20210232209A1. Автор: Jinghui Zhu. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit device and evaluation system

Номер патента: US20240319271A1. Автор: Hideki Miyoshi,Akira Uryu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US4980890A. Автор: Yasuhiro Tanaka,Tadashi Saitoh,Takayoshi Taniai. Владелец: Fujitsu Microcomputer Systems Ltd. Дата публикации: 1990-12-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP2065893A1. Автор: Makoto Mizuno,Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Tomonori Sekiguchi,Takao Watanabe,Riichiro Takemura,Shinya Kajiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-03.

Semiconductor integrated circuit device having a control circuit for setting the test mode

Номер патента: US5557232A. Автор: Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20100007368A1. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Functional verification system for semiconductor integrated circuit, and functional verification method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130031520A1. Автор: Yoji Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit having latching means capable of scanning

Номер патента: US20040042332A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor integrated circuit with memory redundancy circuit

Номер патента: US20040085826A1. Автор: Takeshi Sakata,Katsutaka Kimura,Tomonori Sekiguchi,Tsugio Takahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100238752A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Clock gating verification during RTL stage of integrated circuit design

Номер патента: US09934342B1. Автор: Lei Ji,Song Huang,Yifeng Liu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit device and data-write method thereof

Номер патента: US20020145927A1. Автор: Kazumi Kojima,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated device

Номер патента: US20040240289A1. Автор: Kenichiro Sugio. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor integrated device

Номер патента: US20050162968A1. Автор: Kenichiro Sugio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: EP4379706A2. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Output buffering circuit, amplifier device, and display device with reduced power consumption

Номер патента: US20100182307A1. Автор: Chin-Tien Chang,Ching-Chung Lee. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: EP4379706A3. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Individually coloring separated cell blocks in layout of integrated circuits

Номер патента: US09779198B2. Автор: Jiyoung JUNG,Jintae Kim,Ha-young Kim,Jaeseok Yang,Donggyun Kim,Chunghee Kim,Daekwon Kang,Sungkeun Park,Younggook Park,Myungsoo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5270584A. Автор: Takahiro Hara,Yasuji Koshikawa,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5490111A. Автор: Toshikazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Output control scan flip-flop, semiconductor integrated circuit including the same, and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130055040A1. Автор: Hayato Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010027546A1. Автор: Takehiko Hojo,Toshiyuki Kouchi,Yoshinori Sugisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9183899B2. Автор: Jae II Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150124535A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Optical disk apparatus, signal processing semiconductor integrated circuit constituting the same, and operation method

Номер патента: US20090147633A1. Автор: Hiroshi Abe,Takehiko Umeyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Scan circuitry for testing input and output functional paths of an integrated circuit

Номер патента: US20140143621A1. Автор: Vijay Sharma,Ramesh C. Tekumalla. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor integrated circuit having test circuit

Номер патента: US20020194564A1. Автор: Toshiyuki Tsujii,Masahiko Hyozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160027483A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Circuit design apparatus, circuit design method, circuit design program and semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US6543033B2. Автор: Itaru Yamazaki,Nobuyuki Ikumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-01.

Semiconductor integrated circuit including at least one master chip and at least one slave chip

Номер патента: US09773535B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith

Номер патента: US5970015A. Автор: Kenji Numata,Masaki Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090066362A1. Автор: Akira Akahori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Scalable integrated circuit with synaptic electronics and cmos integrated memristors

Номер патента: EP3987452A1. Автор: Jose Cruz-Albrecht,Narayan Srinivasa,Timothy Derosier. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2022-04-27.

Scalable Integrated Circuit with Synaptic Electronics and CMOS integrated Memristors

Номер патента: US20190318232A1. Автор: Jose Cruz-Albrecht,Narayan Srinivasa,Timothy Derosier. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2019-10-17.

Scalable Integrated Circuit with Synaptic Electronics and CMOS integrated Memristors

Номер патента: US20220121911A9. Автор: Jose Cruz-Albrecht,Narayan Srinivasa,Timothy Derosier. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11450390B2. Автор: Yutaka Shimizu,Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito,Fumiya Watanabe,Kei Shiraishi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US7782689B2. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020017923A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20210295930A1. Автор: Yutaka Shimizu,Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito,Fumiya Watanabe,Kei Shiraishi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020196053A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit including command decoder for receiving control signals

Номер патента: US20030160645A1. Автор: Shinichi Yamada,Satoshi Eto,Satoru Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Integrated circuit having current detection device and operating method thereof

Номер патента: US20230400502A1. Автор: Namsu Kim,Heesu KIM,Junsik PARK,Kyungsuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Hall electromotive force signal detection circuit having a difference calculation circuit and current sensor thereof

Номер патента: US20210199732A1. Автор: Takenobu Nakamura,Shigeki Okatake. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Integrated circuit having a built-in self test design

Номер патента: US4724380A. Автор: Mark Paraskeva,David F. Burrows,William L. Knight. Владелец: Plessey Overseas Ltd. Дата публикации: 1988-02-09.

Method, apparatus and computer program product for providing an attention block for neural network-based image and video compression

Номер патента: US20240289590A1. Автор: Francesco Cricri,Hamed REZAZADEGAN TAVAKOLI,Honglei Zhang,Nannan ZOU. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-08-29.

Circuit configuration for accelerated charge reversal of the voltage level of a bus line of an integrated circuit

Номер патента: US5004937A. Автор: Antonio M. d. A. de Oliveira,Jakob Staerk. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-04-02.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Simultaneous bi-directional buffer including self-test circuit having function of generating input signal and self testing method of the simultaneous bi-directional buffer

Номер патента: US20040109464A1. Автор: Jung-hwan Choi,Hee-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-10.

Chemically amplified resist composition and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device with such chemically amplified resist composition

Номер патента: US20080233518A1. Автор: Kazunori Maeda,Satoshi Watanabe,Seiji Nagahara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Architecture of a photonic integrated circuit (pic) and method for operating the same as well as an optical coupler

Номер патента: EP4432909A1. Автор: Abu Thomas,Andrea TRITA,Aaron John ZILKIE,Adam Scofield,Babak BAHARI. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: US09804224B2. Автор: Ilan Cohen,Eyal Melamed-Kohen,Shlomi Sde-Paz. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Designing and operating of semiconductor integrated circuit by taking into account process variation

Номер патента: US20070226660A1. Автор: Toshio Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor integrated circuit and test method for characteristics

Номер патента: US5004934A. Автор: Kouichi Furuta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Semiconductor integrated circuit with configurable setting based on temperature information

Номер патента: US11835399B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220228929A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Design apparatus, method for designing semiconductor integrated circuit, and non-transitory medium storing program for designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130179854A1. Автор: Naohito Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor integrated circuit, and data interface system provided with same

Номер патента: US20160091943A1. Автор: Makoto Hirano,Masahiro Takeuchi,Akihiro Suzuki,Norihiko Mizobata,Hironori Kubo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor integrated circuit, and data interface system provided with same, which provides for dynamic control of the supply voltage

Номер патента: US10089258B2. Автор: Makoto Hirano,Masahiro Takeuchi,Akihiro Suzuki,Norihiko Mizobata,Hironori Kubo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-10-02.

System, method and program for designing a semiconductor integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20060206849A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010012232A1. Автор: Toru Kobayashi,Shuichi Miyaoka,Michiaki Nakayama,Hideo Sawamoto,Yuji Yokoyama,Masaji Kume,Hideki Sakakibara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-08-09.

Source driver integrated circuit, method of driving the same, and timing controller

Номер патента: US20240169887A1. Автор: Jung Min Choi,Woong Jin OH,Hee Yoon JUNG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Power supply arrangement for integrated circuit tester

Номер патента: US20050194989A1. Автор: Will MILLER,William DeVey,Anthony Delucco. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Test socket and probe with stepped collar for semiconductor integrated circuits

Номер патента: EP4409303A1. Автор: Zhe Yang,Jiachun Zhou. Владелец: Antares Advanced Test Technologies Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Method of designing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030135833A1. Автор: Masahiro Ohashi,Yuji Sugisawa,Masayoshi Tojima,Mana Hamada,Miki Arita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7426587B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7181549B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor integrated circuit with stabilizing capacity

Номер патента: US6838927B2. Автор: Kenji Oonishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Semiconductor integrated circuit with a testable block

Номер патента: US5729553A. Автор: Akira Motohara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Semiconductor integrated circuit having function for switching operational mode of internal circuit

Номер патента: US4771407A. Автор: Masao Nakano,Kimiaki Sato,Yoshihiro Takemae,Shigeki Nozaki,Yasuhiro Takada,Makoto Yanagisawa,Hatsuo Miyahara,Nobumi Kodama,Satoshi Momozono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-09-13.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor integrated circuit device for enabling easy confirmation of discrete information

Номер патента: CA2216054C. Автор: Atsushi Yamashiroya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Semiconductor integrated circuit having self-diagnosis test function and test method thereof

Номер патента: US20010003196A1. Автор: Hideo Miyazawa,Satoshi Hori,Atsushi Kawabe. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor integrated circuit with a testable block

Номер патента: US5894482A. Автор: Akira Motohara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-13.

Data output buffer circuit for a SRAM

Номер патента: US5067109A. Автор: Tae-Sung Jung,Yong-Bo Park,Byeong-Yun Kim. Владелец: Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 1991-11-19.

Semiconductor integrated circuit operable and programmable at multiple voltage levels

Номер патента: US5615151A. Автор: Yasuhiro Nakamura,Takeshi Furuno,Akinori Matsuo. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Integrated circuit with input and/or output bolton pads with integrated logic

Номер патента: EP1797442B1. Автор: Eric Société Civile SPID BERNASCONI,Emmanuel Société Civile SPID SOLARI. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-28.

Prober for semiconductor integrated circuit element wafer

Номер патента: US5555422A. Автор: Shoukichi Nakano. Владелец: Co operative Facility for Aging Tester Dev. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor integrated circuit and test method of built-in analog circuit

Номер патента: US20020026609A1. Автор: Shuji Murakami,Brian Worobey. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US9177625B2. Автор: Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US20160125940A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070043995A1. Автор: Ryoji Shiota,Kaoru Maruyama,Hiroyuki Sekiguta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20140062584A1. Автор: Young Tae Kim. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Wiring Design System of Semiconductor Integrated Circuit, Semiconductor Integrated Circuit, and Wiring Design Program

Номер патента: US20080141207A1. Автор: Yuuichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Contactless integrated circuit comprising a wired logic anticollision circuit

Номер патента: US20020180487A1. Автор: Ahmed Kari,Christophe Moreaux. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-12-05.

Self-test circuit for an integrated circuit, and method for operating a self-test circuit for an integrated circuit

Номер патента: US20220107364A1. Автор: Juergen Alt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130049864A1. Автор: Kazuo Tanaka,Masashi Arakawa,Takeo Toba,Natsuki IKEHATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125588A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050120156A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Output buffer circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20060239084A1. Автор: Young-Man Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110058434A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7428601B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7406544B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Loopback testing of integrated circuits

Номер патента: US12123908B1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880058B2. Автор: Takeshi Nagahisa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method

Номер патента: US8289792B2. Автор: Kazuya KUDOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010055219A1. Автор: Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

SIGNAL DRIVER CIRCUIT HAVING ADJUSTABLE OUTPUT VOLTAGE FOR A HIGH LOGIC LEVEL OUTPUT SIGNAL

Номер патента: US20120002489A1. Автор: Lee Seong-Hoon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Systems for Providing a Logical Network Layer for Delivery of Input/Output Data

Номер патента: US20120002668A1. Автор: Lariviere Robert,Chenard Sylvain Joseph Henri,Waines Gregory,Baker Brian Neil,Mousseau Guy. Владелец: ROCKSTAR BIDCO LP. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuits probe card having a therometer apparatus for probes

Номер патента: TWM436929U. Автор: Choon-Leong Lou,Hsiao-Ting Tseng. Владелец: Star Techn Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

GALVANIC CELL HAVING A LITHIUM METAL OR AN ALLOY COMPRISING A LITHIUM METAL AS ANODE MATERIAL AND AN ELECTROLYTE HAVING LITHIUM...COMPLEX SALT

Номер патента: US20120082900A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION DETECTOR HAVING A PLURALITY OF UNIT COMPONENTS WITH SENSITIVITY TO A PHYSICAL QUANTITY CHANGE OF LIGHT

Номер патента: US20120002088A1. Автор: FUKUSHIMA Noriyuki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC BALLAST HAVING A PARTIALLY SELF-OSCILLATING INVERTER CIRCUIT

Номер патента: US20120001560A1. Автор: Taipale Mark S.,Jr. Robert C.,Newman. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING QUALITY OF SERVICE FOR WIRELESS VIDEO TRANSMISSION USING MULTI-BAND OPERATION

Номер патента: US20120002103A1. Автор: Shao Huai-Rong,Hsu Ju-Lan,Ngo Chiu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Device for protecting leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on sos (silicon-on-sapphire) and soi (silicon-on-insulator) structures from static electric discharges

Номер патента: RU2467431C1. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов,Николай Иванович Плис. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2012-11-20.

Semiconductor integrated circuit having a C-MOS internal logic block and an output buffer for providing ECL level signals

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты