Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor integrated circuit having elongated fixed potential lines to reduce noise on the lines

Semiconductor integrated circuit having elongated fixed potential lines to reduce noise on the lines

Номер патента: US5717359A
Опубликовано: 10-02-1998
Автор(ы): Hideo Matsui, Takatsugu Kitora
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit protection arrangement

Номер патента: US4295176A. Автор: Norman C. Wittwer. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1981-10-13.

Semiconductor integrated circuit with a shield wiring

Номер патента: EP1349212A3. Автор: Takashi c/o Fujitsu Limited Eshima,Shogo c/o Fujitsu Limited Tajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Thermally coupling electrically decoupling cooling device for integrated circuits

Номер патента: US6646340B2. Автор: Daniel Murray,Thomas Marieb,Daniel Pantuso,Timothy L. Deeter,Sarangapani Sista. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-11-11.

Integrated Circuit Shielding Film and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130193566A1. Автор: Chuan-Li Cheng,Hsueh-Tsu Chang. Владелец: Chenming Mold Industrial Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006781A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit having reduced cross-talk noise

Номер патента: US20050006780A1. Автор: Shigenori Ichinose,Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

A high voltage destruction-prevention circuit for a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: GB2151846A. Автор: Jiro Sawada,Yasunori Yamaguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-24.

Semiconductor integrated circuit device in which integrated circuit units having different functions are stacked in three dimensional manner

Номер патента: US5138437A. Автор: Shinichi Nakagawa,Masao Nakaya,Toshio Kumamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Semiconductor integrated circuit device with electrostatic damage protection

Номер патента: US5486716A. Автор: Yutaka Saito,Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Semiconductor integrated circuit having an oblique global signal wiring and semiconductor integrated circuit wiring method

Номер патента: US8026537B2. Автор: Fumihiro Minami,Kimiyoshi Usami,Naohito Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5543651A. Автор: Kazuo Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1996-08-06.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Common Centroid Electrostatic Discharge Protection for Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20100127782A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4885628A. Автор: Kenji Kaneko,Masatoshi Kimura,Isao Shimizu,Takeaki Okabe,Yasuo Nagai,Koozoo Sakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070102820A1. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20110304055A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor integrated circuit having annular power supply with plural lines

Номер патента: US5315182A. Автор: Takeshi Hashizume,Isao Takimoto,Kazuhiro Sakashita,Terukazu Yusa,Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140091425A1. Автор: Yukimasa Minami. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor integrated circuit having multiple-layered connection

Номер патента: US4694320A. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-09-15.

Semiconductor integrated circuit reducing undesired current

Номер патента: US5943281A. Автор: Seiji Izumi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Encapsulation for semiconductor integrated circuit chip

Номер патента: CA1168764A. Автор: Arthur J. Ingram,Irving Weingrod. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-06-05.

Semiconductor integrated circuit device having clock signal wiring construction for suppressing clock skew

Номер патента: US5532500A. Автор: Hitoshi Okamura,Shin-ichi Ohkawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Semi-custom integrated circuit provided with standardized capacitor cells

Номер патента: US4841352A. Автор: Akira Aso. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20020056907A1. Автор: Shinji Miyano,Osamu Wada,Tomoaki Yabe,Ryo Haga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Chip id applying method suitable for use in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110189798A1. Автор: Shigenari Aoki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Integrated circuit layout utilizing separated active circuit and wiring regions

Номер патента: CA1102009A. Автор: Algirdas J. Gruodis,John Balyoz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070286316A1. Автор: Shigekiyo Akutsu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit with multi-cut via and automated layout method for the same

Номер патента: US20120306083A1. Автор: Keiichi Nishimuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Chromium refractory metal alloys conductors for use in high temperature integrated circuits

Номер патента: WO1997030476A1. Автор: George Gabriel Goetz,Warren Michael Dawson. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1997-08-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090256265A1. Автор: Koji Hashimoto,Kazuyuki Masukawa,Kosuke Yanagidaira,Hidefumi Mukai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor integrated circuit device having dummy pattern effective against micro loading effect

Номер патента: US5598010A. Автор: Yoshihide Uematsu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-01-28.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6107869A. Автор: Yoshinobu Nakagome,Masashi Horiguchi,Yasushi Kawase,Takesada Akiba,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-22.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060114052A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor integrated circuit having heat sinking means for heat generating wires

Номер патента: US6242807B1. Автор: Tetsuo Kazami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20050174141A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20120113709A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060226449A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US8125017B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US6885057B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20020179940A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7388238B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20060076610A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US7087942B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and frequency modulation device

Номер патента: US7474139B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-01-06.

Semiconductor integrated circuit having a switch, an electrically- conductive electrode line and an electrically-conductive virtual line

Номер патента: US09735775B2. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222274A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor integrated circuit, layout design system, layout designing method, and non-transitory computer-readable storage medium storing program

Номер патента: EP4386842A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030075771A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170111032A1. Автор: Chun-Wei Chang,Ching-Chih Li,Chun-Neng Liao,Chee-Kong Ung,Meng-Hsin CHIANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE49986E1. Автор: Hiromi Ogata. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP4068358A2. Автор: Yasuhiro Yadoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6140686A. Автор: Koichiro Ishibashi,Masataka Minami,Hiroyuki Mizuno,Masayuki Miyazaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device with reduced leakage current

Номер патента: US20080203437A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Akio Nishida,Kenichi Osada,Yoshikazu Saitoh,Masaru Nakamichi,Naoki Kitai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: GB2154060A. Автор: Shizuo Kondo,Setsuo Ogura,Makoto Furihata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240304629A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit power amplifier device

Номер патента: GB2073489A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-10-14.

Device for automatic configuration of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190267997A1. Автор: Hironori Sato,Hiroaki Muraoka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Layout design method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100123252A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09893065B2. Автор: Hiroshi Kanno,Hitoshi Sumida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Latch-up protection circuit fo integrated circuits using complementarymos circuit technology

Номер патента: CA1275456C. Автор: Werner Reczek,Wolfgang Pribyl,Josef Winnerl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-10-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit device having an NMOS with a high resistance drain terminal

Номер патента: US9947651B2. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor integrated circuit device having high matching degree and high integration density

Номер патента: US5216276A. Автор: Hideki Takada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-06-01.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US20150155879A1. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Integrated circuit with reduced stress on circuit components and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP3872849A1. Автор: Jonathan Ephraim David Hurwitz,Padraig Fitzgerald,Michael J. Flynn,George Redfield SPALDING. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-09-01.

System to minimize the temperature coefficient of resistance of passive resistors in an integrated circuit process flow

Номер патента: US20010000122A1. Автор: Greg Baldwin,Alwin Tsao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-05.

Integrated circuit and standard cell thereof

Номер патента: WO2020094220A1. Автор: Stephane Badel. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-05-14.

Integrated circuit chips comprising forksheet devices connected with buried power rails

Номер патента: US20240290660A1. Автор: Gaspard Hiblot,Boon Teik CHAN,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240204767A1. Автор: Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit, communication module, and smart meter

Номер патента: US09912305B2. Автор: Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Integrated circuit with reduced analog coupling noise

Номер патента: US20060192707A1. Автор: Munehiro Karasudani. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Integrated circuit with reduced analog coupling noise

Номер патента: US7211841B2. Автор: Munehiro Karasudani. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor integrated circuit device including switching elements and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741931B1. Автор: Hong Jung Kim,Young Hee YOON,Jeong Ho YI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

On-board control device, on-board integrated circuit

Номер патента: EP3330858A1. Автор: Masahito Sonehara,Youichirou Kobayashi. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-06-06.

Compressor circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20240094987A1. Автор: Byoung Gon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020015347A1. Автор: Ayako Kitamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US7006030B2. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-02-28.

Semiconductor integrated circuit device and audio appliance employing it

Номер патента: US20040222915A1. Автор: Takashi Oki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor integrated circuit having a C-MOS internal logic block and an output buffer for providing ECL level signals

Номер патента: US4645951A. Автор: Akira Uragami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-02-24.

Semiconductor integrated circuit and method of production of same

Номер патента: US7646209B2. Автор: Mitsuhiro Oomori,Tomofumi Arakawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200083235A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor integrated circuit device and microcomputer

Номер патента: US6166577A. Автор: Yoshinobu Nakagome,Hiroyuki Mizuno,Takahiro Nagano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-12-26.

Master slice integrated circuit having high and low speed unit cells

Номер патента: US4922136A. Автор: Masahiro Ueda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-05-01.

Semiconductor integrated circuit and clock supply method

Номер патента: US20190272003A1. Автор: Shinji Sakaguchi,Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Isamu Miyanishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor integrated circuit and clock supply method including a sample and hold circuit

Номер патента: US11009905B2. Автор: Shinji Sakaguchi,Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Isamu Miyanishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor integrated circuit having interconnection with improved design flexibility

Номер патента: US5072274A. Автор: Masayuki Kokado. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-12-10.

Integrated circuit including ESD protection modules

Номер патента: US11798934B2. Автор: Hongquan Sun,Wangsheng Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit including esd protection modules

Номер патента: US20210272948A1. Автор: Hongquan Sun,Wangsheng Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Module for packaging semiconductor integrated circuit chips on a base substrate

Номер патента: US4866507A. Автор: Perwaiz Nihal,Arthur R. Zingher,Burhan Ozmat,Scott L. Jacobs,Henri D. Schnurmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-09-12.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20020053725A1. Автор: Hiroshi Kimura,Hiroshi Shimomura,Jyoji Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Integrated circuit memory and preparation method therefor, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP4068345A1. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Integrated circuits having reduced step height by using dummy conductive lines

Номер патента: US20020151166A1. Автор: Kye-Hyun Kyung,Bong-seok Chae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Techniques For Heat Spreading In An Integrated Circuit

Номер патента: US20180329759A1. Автор: David Mendel,Rajiv Kane. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Integrated circuit packaging system with a grid array with a leadframe and method of manufacture thereof

Номер патента: US09799589B2. Автор: Byung Tai Do,Linda Pei Ee CHUA,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Laser programming of integrated circuits

Номер патента: US20030006479A1. Автор: Harry Hedler,Roland Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit package

Номер патента: US20060068523A1. Автор: Tiang Lin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-30.

An integrated circuit package

Номер патента: WO2004105134A8. Автор: Tiang Hock Lin. Владелец: Tiang Hock Lin. Дата публикации: 2005-03-03.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Integrated circuit memory and the method of forming the same

Номер патента: US12033942B2. Автор: Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit with opposed spatial light modulator and processor

Номер патента: US20020067536A1. Автор: Kannan Raj,Ronald Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Arrangement for contacting an integrated circuit in a package

Номер патента: US20060109018A1. Автор: Werner Bischof. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-25.

Integrated circuit devices including metal lines spaced apart from metal vias, and related fabrication methods

Номер патента: EP4276901A1. Автор: Kangill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE,Wonhyuk HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Reworked integrated circuit device and reworking method thereof

Номер патента: US20090065944A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Flat cooling structure of integrated circuit

Номер патента: CA1303238C. Автор: Kazuhiko Umezawa,Jun Kubokawa,Toshiaki Komatsu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Materials and Methods for Fabricating Superconducting Quantum Integrated Circuits

Номер патента: US20230337553A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US11991935B2. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240074149A1. Автор: Dongwook Kim,Jungpyo Hong,Sangwuk PARK,Yangdoo KIM,Minkyu Suh,Geonyeop LEE,Dokeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit devices with high and low voltage components and processes for manufacturing these devices

Номер патента: US20060046362A1. Автор: Xi-Wei Lin,Gwo-Chung Tai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20210351202A1. Автор: Isaya Sobue. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180090214A1. Автор: Takeshi Yamaguchi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit with guard ring

Номер патента: US09941358B2. Автор: Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11309333B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210193682A1. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacture using automatic layout

Номер патента: US20050040435A1. Автор: Yukichi Ono. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200303262A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080225450A1. Автор: Hirokazu Hayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit with leakage current suppressed

Номер патента: US20080087920A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US20220278096A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20230290785A1. Автор: Toshio Hino. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170077094A1. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin and a dummy transistor

Номер патента: US12094878B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device having a standard cell which includes a fin

Номер патента: US09899381B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09847331B2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US8637906B2. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor integrated circuit having polysilicon members

Номер патента: US20090273059A1. Автор: Koji Nozoe,Hideyuki Komuro. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030101424A1. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for automatically laying out semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6754880B2. Автор: Mayumi Hayakawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7276769B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit fabrication method

Номер патента: US5388054A. Автор: Takeji Tokumaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170110400A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20040052021A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit for voltage detection

Номер патента: US20080246540A1. Автор: Masaki Okuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Layout method for compound semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09991198B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US4935800A. Автор: Minoru Taguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-06-19.

Semiconductor integrated circuit device having semi-insulator substrate

Номер патента: US4803527A. Автор: Takehisa Hayashi,Yasushi Hatta,Kazumichi Mitsusada,Hirotoshi Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-02-07.

Radio-frequency integrated circuits (rfics) including a porosified semiconductor isolation region to reduce noise interference and related fabrication methods

Номер патента: WO2023049559A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20180350797A1. Автор: Seung Yeop Lee,Hee Jeong SON,Chang Hwi LEE,Ki Ryong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit layout structure

Номер патента: US09905562B2. Автор: Shih-Chin Lin,Chen-Hsien Hsu,Ming-Jui Chen,Kuei-Chun Hung,Jerry Che Jen HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Semiconductor integrated circuit having silicon nitride provided as insulator of capacitor

Номер патента: US5296734A. Автор: Megumi Satoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

Method for deleting unused gates and method for manufacturing master-slice semiconductor integrated circuit device using the deleting method

Номер патента: US4960724A. Автор: Shoichi Watanabe,Terumine Hayashi,Takayuki Takei,Takashi Natabe. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit, method for manufacturing semiconductor device, and exposure apparatus

Номер патента: US20240152053A1. Автор: Soichi Owa,Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor integrated circuit device and manufacture method therefor

Номер патента: EP1225626A3. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

An equipment protection semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5304823A. Автор: Stephen W. Byatt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6940338B2. Автор: Osamu Kudo,Shinya Udo,Toshihiko Kasai,Yoshihiro Kizaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor integrated circuit having standard and custom circuit regions

Номер патента: US6037666A. Автор: Kazuhisa Tajima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Method of forming complementary bipolar and MOS transistor having power and logic structures on the same integrated circuit substrate

Номер патента: US5256582A. Автор: Dan M. Mosher,Joe R. Trogolo,Cornelia H. Blanton,Larry Latham,David R. Cotton,Bob Todd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-26.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200152629A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Layout of power source regions and power switch regions in a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7834381B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Kenji Hirose,Satoshi Umekita,Tomomi Ajioka,Yujiro Miyairi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119012A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical field-effect transistors for monolithic three-dimensional semiconductor integrated circuit devices

Номер патента: US20200119011A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7394143B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Kenji Hirose,Satoshi Umekita,Tomomi Ajioka,Yujiro Miyairi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070210404A1. Автор: Yoshihiko Yasu,Kenji Hirose,Satoshi Umekita,Tomomi Ajioka,Yujiro Miyairi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100187573A1. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332277A1. Автор: Hisashi Sugie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit including an insulating gate type semiconductor transistor

Номер патента: US4011653A. Автор: Norio Kobayashi,Taketoshi Kato. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-03-15.

Semiconductor integrated circuit design system, semiconductor integrated circuit design method, and computer readable medium

Номер патента: US20090164960A1. Автор: Toshiaki Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Integrated circuit manufacturing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120110535A1. Автор: Tokuzo Kiyohara,Masayoshi Tojima,Daisuke Iwahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor integrated circuit with connecting lines for connecting conductive lines of a memory cell array to a driver

Номер патента: US7721239B2. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Toshiki Hisada,Shigeru Ishibashi,Yoshiko Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Semiconductor integrated circuit device including an electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20230049774A1. Автор: Jin Woo Kim,Yoon Sung Lee,Chang Seok SONG,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20080149966A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US7358548B2. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160293583A1. Автор: Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240363521A1. Автор: Hideyuki Komuro. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09997496B2. Автор: Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09941263B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Multi-voltage complementary metal oxide semiconductor integrated circuits based on always-on N-well architecture

Номер патента: US09905560B2. Автор: Senthilkumar JAYAPAL,Navienkumar Ramachandran Arumugam. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing a semiconductor integrated circuit having an improved isolation structure

Номер патента: US4837178A. Автор: Naoki Yokoyama,Toshio Ohshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-06-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4717684A. Автор: Hisao Katto,Kousuke Okuyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-01-05.

Self-aligned integrated circuits

Номер патента: CA1043467A. Автор: Howard L. Kalter,Anatol Furman,Johann W. Nagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-11-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190244949A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit and pattern layouting method for the same

Номер патента: US20140035108A1. Автор: Kazuya Kamon. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11916056B2. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Boundary scheme for semiconductor integrated circuit and method for forming an integrated circuit

Номер патента: US20210202528A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080237752A1. Автор: Kazuhiro Hata,Hiroyuki Uchiyama,Takahiro Kumauchi,Ryo Nagai,Kiyonori Oyu,Hiroshi Kujirai,Kousuke Okuyama,Teruhisa Ichise. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070187783A1. Автор: Kazuhiro Hata,Hiroyuki Uchiyama,Takahiro Kumauchi,Ryo Nagai,Kiyonori Oyu,Hiroshi Kujirai,Kousuke Okuyama,Teruhisa Ichise. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

System and method to reduce noise in a substrate

Номер патента: US20040106263A1. Автор: Ichiro Fujimori. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

System and method to reduce noise in a substrate

Номер патента: US6844226B2. Автор: Ichiro Fujimori. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-01-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060214234A1. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method to reduce noise in a substrate

Номер патента: EP1388895A3. Автор: Ichiro Fujimori. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

System and method to reduce noise in a substrate

Номер патента: US20040026722A1. Автор: Ichiro Fujimori. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Complementary type semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5115297A. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-19.

Semiconductor integrated circuit device with connections formed using a conductor embedded in a contact hole

Номер патента: US20030071313A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shuji Ikeda,Koichiro Ishibashi,Harumi Wakimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-17.

Mram embedded smart power integrated circuits

Номер патента: WO2007005303A2. Автор: Mark A. Durlam,Young Sir Chung,Robert W. Baird,Gregory W. Grynkewich,Eric J. Salter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-01-11.

Rectifier circuit having a storage inductor which is connected to the load circuit to smooth the pulsating load currents on the output side by means of its load winding

Номер патента: DE3716415A1. Автор: Thomas Muellenheim. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-03-24.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1494288A2. Автор: Takashi Intell. Prop. Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor integrated circuit device comprising misfets in soi and bulk substrate regions

Номер патента: US20180350844A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20040164375A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Keisuke Tsukamoto,Tsutomu Okazaki,Daisuke Okada,Hiroshi Yanagita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20030042520A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Keisuke Tsukamoto,Tsutomu Okazaki,Daisuke Okada,Hiroshi Yanagita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020030213A1. Автор: Makoto Yoshida,Toshihiko Takakura,Katsuyuki Asaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP2200078A4. Автор: Yasuhide Sosogi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09881992B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20200119022A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09741786B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030042518A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama,Shoji Shukuri,Atsushi Ogishima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5610428A. Автор: Yukio Suzuki,Yoshikazu Kojima,Haruo Konishi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1997-03-11.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9202761B2. Автор: Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor integrated circuit device with reservoir capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236825A1. Автор: Jong Su Kim,Dong Kun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6998654B2. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-14.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6924237B2. Автор: Satoshi Yamamoto,Satoshi Sakai,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-02.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09865601B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Kai-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050280038A1. Автор: Noriaki Matsuno,Masato Tsunoda,Rie Itoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor integrated circuit device having a dummy conductive film and method of manufacturing the same

Номер патента: US7001808B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Keisuke Tsukamoto,Tsutomu Okazaki,Daisuke Okada,Hiroshi Yanagita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including a transistor with a vertical channel

Номер патента: US09837470B2. Автор: Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180151225A1. Автор: Shinichi Yasuda,Yinghao HO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Production of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020043679A1. Автор: Hiroshi Miki,Tomoyuki Hamada,Masahiko Hiratani,Yasuhiro Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor Integrated Device with Channel Region

Номер патента: US20140138763A1. Автор: Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhiqiang Wu,Wen-Hsing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030183941A1. Автор: Satoru Yamada,Takafumi Tokunaga,Toshihiro Sekiguchi,Hiroyuki Enomoto,Kiyonori Oyu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit devices having different thickness silicon-germanium layers

Номер патента: US20120228720A1. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-13.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US20140084469A1. Автор: Hsiang-Huan Lee,Ming Han Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09947583B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit device relating to resistance characteristics

Номер патента: US09905567B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of Semiconducotr integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20140138838A1. Автор: Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Semiconductor integrated circuit device suppressing a junction leak and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020089035A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Integrated circuit device having an improved package structure

Номер патента: US5041899A. Автор: Tetsushi Wakabayashi,Souichi Aonuma,Akihiro Oku. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1991-08-20.

Electronic device including processor executing defect detection module, operating method of electronic device, and method for fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230214990A1. Автор: Sooryong Lee,Kyen-Hee Lee,Min-Cheol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Built-up substrate, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit package

Номер патента: US20140124777A1. Автор: Koji Kawakita,Yoshihisa Yamashita,Seiichi Nakatani,Susumu Sawada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuits (ICs) employing localized low dielectric constant (low-K) material in inter-layer dielectric (ILD) material for improved speed performance

Номер патента: US09773866B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Thermal resistance analysis model and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180075176A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Methods of manufacturing integrated circuits having finfet structures with epitaxially formed source/drain regions

Номер патента: US20150099336A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hoong Shing Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Processing system and method for making spherical shaped semiconductor integrated circuits

Номер патента: US6203658B1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-03-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050007846A1. Автор: Masatoshi Hasegawa,Yousuke Tanaka,Tomofumi Hokari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US20040088667A1. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit capable of facilitating layout modification

Номер патента: US6954919B2. Автор: Hideo Matsui,Masaru Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-11.

Compound semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9070685B2. Автор: Shinichiro Takatani,Hsien-Fu HSIAO,Yu-Kai WU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197272A1. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit and computing device having the same

Номер патента: US09983617B2. Автор: Chan Woo Park,Je Kook Kim,Min Shik SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of producing semiconductor integrated circuit having parasitic channel stopper region

Номер патента: US4710265A. Автор: Tadahiko Hotta. Владелец: Nippon Gakki Co Ltd. Дата публикации: 1987-12-01.

Clock distribution networks and conductive lines in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20050051887A1. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120119282A1. Автор: Wen-Pin Lu,Tzung-Ting Han,Yu-Fong Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor integrated circuit capacitor

Номер патента: WO1983004343A1. Автор: Joshua Alspector,Eliezer Kinsbron,Marek Andre Sternheim. Владелец: Western Electric Company, Inc.. Дата публикации: 1983-12-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150372008A1. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor integrated circuit device and process for producing the same

Номер патента: US20050014326A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Hitoshi Kume,Katsutaka Kimura,Tokuo Kure,Yasushi Goto,Syunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8174123B2. Автор: Hideo Sonohara, Sr.. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Integrated circuit having three power bases and proportioned parasitic resistive and capacitive coupling to reduce output noise

Номер патента: US4613771A. Автор: Laszlo V. Gal. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1986-09-23.

Plastic encapsulation for integrated circuits having plated copper top surface level interconnect

Номер патента: US6140150A. Автор: Charles E. Williams,Taylor R. Efland,Dale J. Skelton,Quang X. Mai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit package for semiconductor devices with improved electric resistance and inductance

Номер патента: US20050145996A1. Автор: Sik Lui,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,Leeshawn Luo,Mike Chang. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor integrated circuit device having capacitance element and process of manufacturing the same

Номер патента: US5880497A. Автор: Takashi Hashimoto,Shuji Ikeda,Soichiro Hashiba,Toshiaki Yamanaka,Junichi Takano,Keiichi Yoshizumi,Chiemi Hashimoto,Yasuko Yoshida,Koichi Imato,Kazuo Yoshizaki,Fumiyuki Kanai,Kazushi Tomita,Tsuyoshi Tabata,Kousuke Okuyama,Kohji Yamasaki,Mitsugu Oshima,Kazushi Fukuda,Motoko Kawashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Semiconductor integrated circuit structures

Номер патента: US3818289A. Автор: J Mudge,J Zimmer,K Taft. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1974-06-18.

Integrated circuit chip test and assembly package

Номер патента: US3984620A. Автор: David R. Robillard,Robert L. Michals. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1976-10-05.

Semiconductor integrated circuit having oxide regions with different thickness

Номер патента: US5061654A. Автор: Katsuhiro Tsukamoto,Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US20070170425A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor integrated circuit having a multi-chip structure

Номер патента: US20110291265A1. Автор: Sang-Jin Byeon,Sin-Hyun Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor integrated circuit production method and device

Номер патента: US20080233664A1. Автор: Masao Okihara,Michihiro Ebe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190051720A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-14.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100155726A1. Автор: Hideo Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Through-dielectric-vias (TDVs) for 3D integrated circuits in silicon

Номер патента: US12087629B2. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Adeia Semiconductor Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: CA1173519A. Автор: Ryoichi Hori,Kiyoo Itoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-08-28.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6838320B2. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20100200907A1. Автор: Chan-Hee Park,Eun-ha Lee,Ki-Hyun Hwang,Hyung-ik Lee,Sung Heo,Han-mei Choi,Dong Chul Yoo,Byong-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for detecting stochastic weak points of layout pattern of semiconductor integrated circuit and computer system performing the same

Номер патента: US20220207227A1. Автор: Seungjin LEE,Yunkyoung Song,Dawoon Choi,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Circuit board and on-board structure of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170318661A1. Автор: Shinji Matsunaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for detecting stochastic weak points of layout pattern of semiconductor integrated circuit and computer system performing the same

Номер патента: US11977828B2. Автор: Seungjin LEE,Yunkyoung Song,Dawoon Choi,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit capable of realizing reduction in size

Номер патента: US20080099874A1. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Method and system for enhancing yield of semiconductor integrated circuit devices using systematic fault rate of hole

Номер патента: US7703055B2. Автор: Choel-hwyi Bae,Sang-Deok Kwon,Min-Geon Cho,Gwang-hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20160172196A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor Integrated Circuit and Fabricating the Same

Номер патента: US20140203434A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7923361B2. Автор: Hiromichi Waki,Naoto Aida,Katsuhisa Shibuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006112048A1. Автор: Takashi Inukai,Yukihiro Urakawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1864097A1. Автор: Takashi c/0 Intellectual Property Division INUKAI,Yukihiro c/0 Intellectual Property Division URAKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Insulating film for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7750102B2. Автор: Katsuyuki Watanabe,Yasufumi Watanabe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of manufacturing an electronic device and a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6660438B2. Автор: Toshihiko Tanaka,Norio Hasegawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080303158A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7786585B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8000923B2. Автор: Takashi Inukai,Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US20140335447A1. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit device and the method of producing the same

Номер патента: US20030132476A1. Автор: Masayuki Suzuki,Hiroyuki Uchiyama,Teruhisa Ichise. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Fuse set and semiconductor integrated circuit apparatus having the same

Номер патента: US20110199150A1. Автор: Jong Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020160566A1. Автор: Satoshi Yamamoto,Shinpei Iijima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09941139B2. Автор: Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09859356B2. Автор: Tung-Hsing Lee,Ming-Da Tsai,Cheng-Chou Hung,Tao-Yi Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit devices including updiffusion to selectively dope a silicon layer

Номер патента: US5017507A. Автор: Hideyuki Miyazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-21.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20110309515A1. Автор: Kenji Yokoyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for manufacturing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6720214B2. Автор: Yoshiteru Ono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry and mounting method

Номер патента: US5773321A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Semiconductor integrated circuit device incorporating memory cell transistor and logic transistor, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040212010A1. Автор: Hideaki Aochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Integrated circuit memory having high speed and low power by selectively coupling compensation components to a pulse generator

Номер патента: US5594690A. Автор: Roland D. Rothenberger,Greg T. Sullivan,Kenny Y. Tung. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Integrated circuit with an active-level configurable and method therefor

Номер патента: US5414380A. Автор: Lloyd P. Matthews,Jeffery A. Floyd. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-09.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: WO2001024363A3. Автор: Sanjay M Bhandari. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-10-18.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: EP1145428A2. Автор: Sanjay M. Bhandari. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-10-17.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: WO2001024363A2. Автор: Sanjay M. Bhandari. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-04-05.

An integrated circuit having a filter with charge balancing scheme to reduce transient disturbances

Номер патента: EP1145428A3. Автор: Sanjay M. Bhandari. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-03-27.

Filter circuit, semiconductor integrated circuit, communication apparatus, semiconductor device, and system

Номер патента: US20130148758A1. Автор: Kouji Okamoto,Heiji Ikoma,Michiko Tokumaru. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9274583B2. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110153241A1. Автор: Makio Abe. Владелец: Mitusmi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor integrated circuit with noise reduction circuit

Номер патента: US20050249005A1. Автор: Hiroyuki Nakamoto,Kunihiko Gotoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor integrated circuit including clock modulation circuit

Номер патента: US20020180496A1. Автор: Yukihiro Yaguchi,Yasuhiro Kitagawa,Sachie Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor integrated circuit and power-supply control method

Номер патента: USRE49662E1. Автор: Makoto Fujiwara,Yoshinori Tanaka,Ryuji Kaneko,Tetsuo Motomura,Hiromi Ogata,Masahiro Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12046301B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor integrated circuit having switch circuit of digital signal

Номер патента: US20070057824A1. Автор: Uichi Sekimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

A/D converter circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09685968B2. Автор: Keisuke Kimura,Hideo Nakane,Takaya Yamamoto,Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080169950A1. Автор: Naoki Yamada,Naoki Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Delay lock loop circuit, timing generator, semiconductor test device, semiconductor integrated circuit, and delay amount calibration method

Номер патента: US8058891B2. Автор: Masakatsu Suda,Takuya Hasumi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and control method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240259024A1. Автор: Yoshinori Takahashi,Hideo Yamaji,Riichi Nishino,Sho Ohashi,Yinta Lin. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Apparatus and method of generating DBI signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080136462A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit and radio communication apparatus

Номер патента: US20110227656A1. Автор: Yuji Satoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor integrated circuit device and electronic device for driving a power semiconductor device

Номер патента: US09835658B2. Автор: Makoto Tsurumaru. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor integrated circuit, storage device, and error correction method

Номер патента: US11132254B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Kazuhiko Bando. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Semiconductor integrated circuit having logical operation function

Номер патента: US20020003438A1. Автор: Shigeyuki Hayakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit having logical operation function

Номер патента: EP1130780A3. Автор: Shigeyuki Hayakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-13.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit, PWM signal output device, and power conversion control apparatus

Номер патента: US7944720B2. Автор: Tsunehiro Endo,Takahiro Suzuki,Yuji Mori,Yasuo Notohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit for realizing coding circuit

Номер патента: US7095895B2. Автор: Jun-Ichi Okamura,Tatsuo Tsujita. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Reducing noise associated with local reference-potential fluctuations in mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US20080094266A1. Автор: Arthur Lukoff. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Phase synchronization circuit, transmission and reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11757457B2. Автор: Hiromitsu OSAWA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit with shutoff control for plural power domains

Номер патента: US9425791B2. Автор: Masayoshi SHIOTANI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020011890A1. Автор: Takahiro Miki,Kazuo Kaneki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Reducing noise associated with local reference-potential fluctuations in mixed-signal integrated circuits

Номер патента: US7391348B2. Автор: Arthur Lukoff. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-06-24.

Reception circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20150023459A1. Автор: Yoshiyasu Doi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Clock recovery circuit, semiconductor integrated circuit device, and radio frequency tag

Номер патента: US20180123598A1. Автор: Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor integrated circuit with low-noise output buffers

Номер патента: US5237213A. Автор: Satoru Tanoi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160043720A1. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit device and power supply voltage control system

Номер патента: US20100327961A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor integrated circuit operable as a phase-locked loop

Номер патента: EP1791261A3. Автор: Masaya C/O Fujitsu Limited Tamamura,Syouji c/o FUJITSU LIMITED Ohishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040119532A1. Автор: Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

High frequency semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240322808A1. Автор: Takayuki Teraguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09960739B2. Автор: Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09904590B2. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882571B2. Автор: Kenichi Nomura,Hiroyuki Homma,Ryusuke Obara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880211B2. Автор: Yoichi Kawano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742383B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070146049A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Input circuit of semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit having input circuit

Номер патента: US5073726A. Автор: Shinichi Kikuchi,Hiroshi Iwahashi,Hideo Kato,Hiroto Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: MY115272A. Автор: Kiyoshi Imai,Seiichi Taguchi,Toshiaki Tsuji,Taku Takada. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-31.

Semiconductor integrated circuit and receiver

Номер патента: US11632082B2. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and controlling method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7394304B2. Автор: Masao Hamada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device including plurality of semiconductor circuits

Номер патента: US20080094125A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor integrated circuit, electronic device using the same, and controlling method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060244509A1. Автор: Masao Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US20090096516A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells

Номер патента: US8053934B2. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6559718B2. Автор: Ryotaro Kudo,Jin Kiong Ang,Shin Chiba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor integrated circuit and data processing system

Номер патента: US20040070420A1. Автор: Takashi Satou,Peter Lee,Shigezumi Matsui,Gouichi Yokomizo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040027177A1. Автор: Kazuo Aoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Input/output circuit of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020175734A1. Автор: Hideo Oishi,Masanori Hirofuji,Tadayoshi Seike. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09966956B2. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit driving external FET and power supply incorporating the same

Номер патента: US7724047B2. Автор: Akira Aoki,Koji Miyamoto,Eiji Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-05-25.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US11867757B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US20220187366A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10685685B2. Автор: Masanobu Hirose. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Clock regeneration circuit, semiconductor integrated circuit device and rf tag

Номер патента: US20180076950A1. Автор: Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Circuit, apparatus, digital phase locked loop, receiver, transceiver, mobile device, method and computer program to reduce noise in a phase signal

Номер патента: US20190052279A1. Автор: Rotem Banin,Elan BANIN,Gil Horovitz,Tamar Marom. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Circuit, apparatus, digital phase locked loop, receiver, transceiver, mobile device, method and computer program to reduce noise in a phase signal

Номер патента: WO2017153852A1. Автор: Rotem Banin,Elan BANIN,Gil Horovitz,Tamar Marom. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010026171A1. Автор: Yasuhiko Hagihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09871503B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09755622B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit device operated with an applied voltage lower than required by its clock oscillator

Номер патента: US5126695A. Автор: Sachiyuki Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1992-06-30.

Semiconductor integrated circuit and method of operating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130194010A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Makoto Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040090828A1. Автор: Junichi Okamura. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US8373587B2. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230044191A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor integrated circuit and activation method of the same

Номер патента: US20090027114A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor integrated circuit, threshold value setting method, and communication apparatus

Номер патента: US20110304359A1. Автор: Sanroku Tsukamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: AU2002339165A1. Автор: Hirotaka Osawa,Masumi Kasahara,Robert Astle Henshaw. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220182059A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor integrated circuit and receiver device

Номер патента: US20240313769A1. Автор: Huy Cu NGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit device with a plurality of logic circuits having active pull-down functions

Номер патента: US5283480A. Автор: Toshio Yamada,Atsushi Shimizu,Masato Hamamoto,Mitsuo Usami,Tatsuya Kimura,Tohru Kobayashi,Noboru Shiozawa,Hiromasa Katoh,Kazuyoshi Satoh,Kaoru Koyu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-01.

Semiconductor integrated circuit for communication

Номер патента: US20110053529A1. Автор: Kazuhisa Okada,Hiroaki Matsui,Ryoji Furuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor integrated circuit device having a hierarchical power source configuration

Номер патента: US6574161B2. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-03.

Semiconductor integrated circuit, receiver device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11137793B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor integrated circuit having a MOS transistor with a threshold level to enable a level conversion

Номер патента: US4977339A. Автор: Akira Denda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-12-11.

Semiconductor integrated circuit, logic operation circuit, and flip flop

Номер патента: EP1170865A2. Автор: Yukiko Ito,Masayuki Koizumi,Naoyuki Kawabe,Masahiro Kanazawa,Kimiyoshi Usami,Toshiyuki Furusawa,Hidemasa 435 Creare-Toshiba-Motosumiyoshi Zama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-01-09.

Semiconductor integrated circuit with phase adjusting function and system using the same

Номер патента: US6144239A. Автор: Isao Sezaki,Shigeki Yonemori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor integrated circuit having built-in PLL circuit

Номер патента: US20050134391A1. Автор: Satoshi Shimizu,Yasuyuki Kimura,Masakatsu Yokota,Ken Suyama,Aleksander Dec. Владелец: Epoch Microelectronics Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (pll) circuit, and system

Номер патента: US20230403018A1. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor integrated circuit and abnormal oscillation detection method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8248169B2. Автор: Masanori Honda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, and control method

Номер патента: US11749358B2. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120320482A1. Автор: Kazuyuki Kobayashi,Akinobu ONISHI,Yasuhiro Hinokuma,Kengo Murase. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030057449A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit having diagnosis function

Номер патента: US20010004123A1. Автор: Yoshikazu Nishikawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11831281B2. Автор: Masayuki Otsuka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190080734A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120223737A1. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20150162927A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: US20160134296A1. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor integrated circuit device and data processing system

Номер патента: EP2627007A3. Автор: Naoki Yada,Fumiki Kawakami,Hiroyuki Tsunakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-23.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8299815B2. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20120230105A1. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Masato Oda,Kumiko Nomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-13.

Apparatus for outputting data of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7920007B2. Автор: Chang Ki Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-05.

Oscillator and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9344034B2. Автор: Satoshi Onishi,Yasuo Ikeda,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240138159A1. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240237366A9. Автор: Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279082A1. Автор: Isao Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Error detection circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20150155057A1. Автор: Ha Jun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10496569B2. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190087365A1. Автор: Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor integrated circuit device having load means

Номер патента: US5185723A. Автор: Ryuichi Hashishita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090160544A1. Автор: Kenichi Osada,Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09966936B2. Автор: Min-Su Kim,Dae-Seong LEE,Ji-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit, variable gain amplifier, and sensing system

Номер патента: US09831842B2. Автор: Masahide Kiritani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor integrated circuit with plural use of a terminal

Номер патента: US5467028A. Автор: Yuji Hino,Hironari Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070075738A1. Автор: Mototsugu Hamada,Tsuyoshi Nishikawa,Toshiyuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US9252750B2. Автор: Takehiko Umeyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11798635B2. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic device using the same

Номер патента: US20150365049A1. Автор: Takashi Nakamura,Susumu Abe,Osamu Ozawa,Masaaki Tanimura,Soshiro NISHIOKA,Kazuya Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240021253A1. Автор: Sachio Ogawa,Masanori OKINOI,Ryo AZUMAI,Kiichi HAMASAKI. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US11698410B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US9503665B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US7679456B2. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US8289078B2. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240088906A1. Автор: Masahisa Tamura,Hironori Nakahara,Van Tuan Pham. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit, a/d converter, delta sigma-type a/d converter, incremental delta sigma-type a/d converter, and switched capacitor

Номер патента: US20210083684A1. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20220206062A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Comparator, AD converter, semiconductor integrated circuit, and rotation detector

Номер патента: US10110215B2. Автор: Akira Koshimizu,Hideki Shimauchi,Yoshinori Tatenuma,Mutsuo Daito,Akio Kamimurai,Masatoshi Uchino,Kanji Kitamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240086691A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Artificial Neural Network Computation using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240249130A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

System for controlling rotary electric machines to reduce current ripple on direct current bus

Номер патента: WO2012125339A2. Автор: Brij N. Singh. Владелец: Deere & Company. Дата публикации: 2012-09-20.

System for controlling rotary electric machines to reduce current ripple on direct current bus

Номер патента: EP2686950A2. Автор: Brij N. Singh. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2014-01-22.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240306375A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4429434A1. Автор: Kyungwook Park,Yoongoo Kang,Changwoo Seo,Suyoun SONG,Youmin Ban,Hyunchul Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Artificial neural network computation using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11960985B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit arrangement supporting aggregated transducers

Номер патента: GB2621206A. Автор: Weber Daniel,Eklund Jon,Ian Bothwell Andrew,J Hatfield Robert. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240023306A1. Автор: Jongin KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Packet-based integrated circuit dynamic random access memory device incorporating an on-chip row register cache to reduce data access latencies

Номер патента: US6549472B2. Автор: David Bondurant. Владелец: Enhanced Memory Systems Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor integrated circuit device provided with fm receiving function

Номер патента: US20090233569A1. Автор: Takashi Wakutsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit device having boosting circuit

Номер патента: US20030006823A1. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit, display device provided with same, and control method

Номер патента: US20170127011A1. Автор: Masahiro Takeuchi,Takashi Akiyama,Yoshinori Okajima,Masaki Toyokura,Masayuki Taniyama. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor integrated circuit, image transmission apparatus and image transmission system

Номер патента: US09900604B2. Автор: Keiri NAKANISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Processing circuit, radio communication circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12081251B2. Автор: Takashi Miyazaki,Shunsuke Hirano,Yasuhiro Majima,Daisuke Kimura,Shunichiro Masaki,Kenta Aruga. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Power switching circuit, semiconductor integrated circuit, radio apparatus, radio system, and power switching method

Номер патента: US09812894B2. Автор: Satoshi Yamada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit with switching variable resistance device

Номер патента: US20100026374A1. Автор: Dong-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor integrated circuit for sensorless driving and sensorless driving system

Номер патента: US20080203951A1. Автор: Shigeki Murai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit and position detector

Номер патента: US09739587B2. Автор: Osamu Kawatoko,Akio Kawai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6617916B1. Автор: Satoru Kurotsu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-09.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit device effectively decreased in surface state regardless of non-permeable layer for chemical species against surface state and process for fabricating thereof

Номер патента: US20020047211A1. Автор: Mitsuma Ooishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A3. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: Jiro Amemiya. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor integrated circuit device which processes image data using highly parallel processing units, image processing system and image processing method

Номер патента: WO2006112079A2. Автор: Jiro Amemiya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit realizing electrical interface

Номер патента: US20010032328A1. Автор: Satoshi Takahashi,Takashi Hirata,Hironori Akamatsu,Yutaka Terada,Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240233854A1. Автор: Hideo Akiyoshi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor integrated circuit device, charge pump circuit, and electric appliance

Номер патента: US20070236972A1. Автор: Yoshinori Imanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Sram device and 3d semiconductor integrated circuit thereof

Номер патента: US20230337443A1. Автор: Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Sang-Yeop BAECK,Dae Young Moon,Ho Young TANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7899144B2. Автор: Koji Fukuda,Hiroki Yamashita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160203859A1. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Memory embedded semiconductor integrated circuit and a method for designing the same

Номер патента: US20010044923A1. Автор: Toshio Kobayashi,Naoshi Ikeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Light Emitting Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20240179815A1. Автор: Faquan Liang. Владелец: Nanning Wang Choi Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US8792533B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor integrated circuit device provided with FM receiving function

Номер патента: US8170520B2. Автор: Takashi Wakutsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Semiconductor integrated circuit system and packet transmission control method in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110280250A1. Автор: Hiroaki Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Processing apparatus, semiconductor integrated circuit, and status monitoring method

Номер патента: US20200302069A1. Автор: Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040141366A1. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Acoustic induction-type semiconductor element and acoustic element integrated circuit

Номер патента: EP4422209A1. Автор: Yoshiaki Takemoto,Shin-ichiro Umemura,Yoshitaka Tadaki,Kaoru Ogaya. Владелец: Silicon & System Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Acoustic induction-type semiconductor element and acoustic element integrated circuit

Номер патента: US20240348988A1. Автор: Yoshiaki Takemoto,Shin-ichiro Umemura,Yoshitaka Tadaki,Kaoru Ogaya. Владелец: Silicon & System Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240349629A1. Автор: Yu Liu,Yajun Zhang,Taiwei CHIU,Lijun SHAN,Tingying SHEN,Szu-Chun Kang. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11956951B2. Автор: Takahiro Sugimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor integrated circuit and receiving apparatus

Номер патента: US20120242414A1. Автор: Jun Deguchi,Shoko Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Routing circuit and circuit having the routing circuit

Номер патента: US9456256B2. Автор: Chi-Chuang HSU,Tsung-Yao Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

System and method for refurbishable fan assembly for an information handling system to reduce carbon dioxide emissions resulting from manufacture and disposal of components

Номер патента: US20240257077A1. Автор: Travis C. North,Pomin Shih,Enoch Chen. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-01.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Curable compositions containing compounds with reactive functional groups and polysiloxane resins, industrial products and products containing coatings derived from compositions, and a method for reducing the accumulation of contaminants on the substrate

Номер патента: RU2764133C1. Автор: Бенджамин КАБАГАМБЕ,Сьюзан Ф. ДОНАЛЬДСОН,Рональд Дж. младший КРАЛИК. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for reducing switching activity during a scan operation with limited impact on the test coverage of an integrated circuit

Номер патента: US20030182604A1. Автор: David Hathaway,Brion Keller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Method and apparatus for making an integrated circuit using polarization properties of light

Номер патента: US20020068227A1. Автор: Ruoping Wang,Warren Grobman,James Clingan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Power optimization of a mixed-signal system on an integrated circuit

Номер патента: US20060217920A1. Автор: Matthew Felder,Marcus May. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-28.

Methods and systems for verifying integrated circuits

Номер патента: US20240337687A1. Автор: Taehwan Kim,Younsik PARK,Hyungjung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and system for designing layout of integrated circuit

Номер патента: US20240193340A1. Автор: Sunghoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit with opposed spatial light modulator and processor

Номер патента: US20020012158A1. Автор: Kannan Raj,Ronald Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Measuring apparatus for performing positional analysis on an integrated circuit carrier

Номер патента: WO2010019980A1. Автор: Joseph Tharion,William Granger,Jason Mark Thelander,Graeme Kenneth Bowyer,Ralph Lewis Ranger. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Interface integrated circuit device for a USB connection

Номер патента: US7752342B2. Автор: Chee Yen Tee,Rajeev Mehtani. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-06.

SCSI host adapter integrated circuit utilizing a sequencer circuit to control at least one non-data SCSI phase without use of any processor

Номер патента: US5655147A. Автор: Craig A. Stuber,Byron Arlen Young. Владелец: Adaptec Inc. Дата публикации: 1997-08-05.

Reconfigurable integrated circuit device

Номер патента: US20130002292A1. Автор: Takashi Hanai,Hayato Higuchi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

The way to reduce intraocular pressure during surgery on the eyeball

Номер патента: RU2015144392A. Автор: Александр Николаевич Самойлов,Радик Илдарович Гайнутдинов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский Государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2016-03-10.

Integrated circuit current transducer

Номер патента: EP4375678A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: LEM INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-05-29.

METHOD AND DEVICE TO REDUCE THE CONSEQUENCES OF TURBULENCE ON THE AIRCRAFT

Номер патента: RU2011122675A. Автор: РАБАДАН Гильермо ХЕНАРО,Стефан ПЮИГ. Владелец: Эрбюс Операсьон (С.А.С.). Дата публикации: 2012-12-20.

Procedure to reduce the pressure and temperature on the front of a missile at ultrasonic speed

Номер патента: CA2325763A1. Автор: Julio Srulijes,Kay Runne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-08.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020021615A1. Автор: Yoshiyuki Ota,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor integrated circuit including at least one master chip and at least one slave chip

Номер патента: US09773535B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Semiconductor integrated circuit having test circuit

Номер патента: US20020194564A1. Автор: Toshiyuki Tsujii,Masahiko Hyozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020126566A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09880058B2. Автор: Takeshi Nagahisa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US09846201B2. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Output control scan flip-flop, semiconductor integrated circuit including the same, and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8892971B2. Автор: Hayato Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Method of wiring semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, and computer product

Номер патента: US20030014726A1. Автор: Takao Hasegawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Optical disk apparatus, signal processing semiconductor integrated circuit constituting the same, and operation method

Номер патента: US20090147633A1. Автор: Hiroshi Abe,Takehiko Umeyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Standard cell library, method of using the same, and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09830415B2. Автор: Tae-Joong Song,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of wiring semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5872719A. Автор: Yoshiaki Miyazaki,Naoki Kato,Katsuyoshi Suzuki,Hiromitsu Yamada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor integrated circuit device and evaluation system

Номер патента: US20240319271A1. Автор: Hideki Miyoshi,Akira Uryu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of and apparatus for placing and routing elements of semiconductor integrated circuit having reduced delay time

Номер патента: US5917729A. Автор: Masayuki Naganuma,Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010007121A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor integrated circuit device and data-write method thereof

Номер патента: US20020145927A1. Автор: Kazumi Kojima,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Power supply arrangement for integrated circuit tester

Номер патента: US20050194989A1. Автор: Will MILLER,William DeVey,Anthony Delucco. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-09-08.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit having post-package testing function for error detection and correction circuit

Номер патента: US5263031A. Автор: Makoto Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5825712A. Автор: Tomoki Higashi,Hiroyuki Noji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor integrated circuit device with power consumption reducing arrangement

Номер патента: US5373474A. Автор: Shuichi Miyaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050017960A1. Автор: Motoaki Nishimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor integrated circuit including waveform-generating circuit having pulsed waveform-generating function

Номер патента: US6915222B2. Автор: Seiichi Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Semiconductor integrated circuit including waveform-generating circuit having pulsed waveform-generating function

Номер патента: US20040051577A1. Автор: Seiichi Tomita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Wiring Design System of Semiconductor Integrated Circuit, Semiconductor Integrated Circuit, and Wiring Design Program

Номер патента: US20080141207A1. Автор: Yuuichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

System, method and program for designing a semiconductor integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20060206849A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Programmed value determining circuit, semiconductor integrated circuit device including the same, and method for determining programmed value

Номер патента: US20030043652A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070011641A1. Автор: Ryota Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor integrated circuit having latching means capable of scanning

Номер патента: US20040042332A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor integrated circuit with memory redundancy circuit

Номер патента: US20040085826A1. Автор: Takeshi Sakata,Katsutaka Kimura,Tomonori Sekiguchi,Tsugio Takahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020145935A1. Автор: Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling activation thereof

Номер патента: US20020001239A1. Автор: Kaoru Mori,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030005209A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125588A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050120156A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit capable of reducing area occupied by data bus

Номер патента: US20020021613A1. Автор: Tadaaki Yamauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7428601B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7426587B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7181549B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7406544B2. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Individually coloring separated cell blocks in layout of integrated circuits

Номер патента: US09779198B2. Автор: Jiyoung JUNG,Jintae Kim,Ha-young Kim,Jaeseok Yang,Donggyun Kim,Chunghee Kim,Daekwon Kang,Sungkeun Park,Younggook Park,Myungsoo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09710009B2. Автор: Hidefumi Kushibe,Hiroyuki Ideno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Prober for semiconductor integrated circuit element wafer

Номер патента: US5555422A. Автор: Shoukichi Nakano. Владелец: Co operative Facility for Aging Tester Dev. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5490111A. Автор: Toshikazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith

Номер патента: US5970015A. Автор: Kenji Numata,Masaki Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Layout design method for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7979830B2. Автор: Mitsuyuki Katsuzawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170336816A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090085626A1. Автор: Hiroyuki Nakajima,Shigeyuki Ueno. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Method and device for predicting reliability failure rate of semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170206302A1. Автор: Yoo Hwan KIM,Sang Woo Pae,Jeong Min JO,Hye Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9766640B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6735129B2. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20160179111A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8054705B2. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034039A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit allowing internal voltage to be measured and controlled externally

Номер патента: US20020024330A1. Автор: Hiroaki Nakai,Akira Hosogane,Tatsuya Saeki,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit, timing controller, and display device

Номер патента: US20170110040A1. Автор: Takashi Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Knowledge-based statistical method and system to determine reliability compatibility for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070032973A1. Автор: Wei-Ting Chien,Siyuan Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Tire with reduced noise

Номер патента: US20200047563A1. Автор: Ki Bum Kim,Su Jin Son,Chang Hyo Hong,Il Sik Kim. Владелец: Hankook Tire Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110058434A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020062458A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Loopback testing of integrated circuits

Номер патента: US12123908B1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09947393B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device and method of regulating output voltage thereof

Номер патента: US09791873B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor integrated circuit including dynamic registers

Номер патента: US5926519A. Автор: Megumi Yoshikawa,Yukinori Kudou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Electronic circuit having electrically isolated digital and analog circuitry

Номер патента: US5621347A. Автор: Akira Ito,Hiroyuki Saito,Yoichi Seki. Владелец: Seiko Precision Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20080303494A1. Автор: Atsushi Nakakubo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090066362A1. Автор: Akira Akahori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor integrated circuit simulation apparatus and simulation method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120245915A1. Автор: Atsushi Kageshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20140055509A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20190122615A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20190347995A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20160307514A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method, for driving power supply line

Номер патента: US20170229068A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20140333605A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20140218419A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method, for driving power supply line

Номер патента: US10186201B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US9640115B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US8941633B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US9378679B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US8730221B2. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Layout data generation equipment of semiconductor integrated circuit, data generation method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080141196A1. Автор: Kazuhiro Yamada,Kiminobu Suzuki,Shigeo Ohshima,Takamichi Arizono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor integrated circuit, a method for testing the semiconductor integrated circuit, and a semiconductor system

Номер патента: US20230096746A1. Автор: Jehyun PARK,Sungcheol PARK,Hyungil WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor integrated circuit having different operation modes and design method thereof

Номер патента: US10331602B2. Автор: Seiji Goto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of designing semiconductor integrated circuit using test point insertion adjustable to delay time

Номер патента: US20080148209A1. Автор: Toshiyuki Maeda,Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030034549A1. Автор: Tatsunori Komoike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Clock tree layout method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070079262A1. Автор: Shigeo Miya. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Data line driver, semiconductor integrated circuit device, and electronic appliance with improved gradation voltage

Номер патента: US09741311B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Vehicle with reduced noise emission

Номер патента: RU2603631C2. Автор: Штеффен ТРЕБСТ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-11-27.

Semiconductor integrated circuit, radio frequency identification transponder, and non-cotact IC card

Номер патента: US20030183699A1. Автор: Shoichi Masui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor integrated circuit which generates different voltages based on an external power supply voltage and a generating method of the different voltages

Номер патента: US20060087366A1. Автор: Masakuni Kawagoe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10255957B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor integrated circuit device with built-in memory circuit group

Номер патента: US5377136A. Автор: Manabu Shibata,Akira Uragami,Yoji Nishio,Fumiaki Matsuzaki,Fumio Murabayashi,Shoichi Kotoku,Yoshitatsu Kojima. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Semiconductor integrated circuit with configurable setting based on temperature information

Номер патента: US11835399B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220228929A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of outputting signals on semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006100792A1. Автор: Takeshi Ishigaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-09-28.

Layout method, layout system, and non-transitory computer readable medium storing layout program of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8751991B2. Автор: Kazuyuki Irie. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, and memory system

Номер патента: US20240201903A1. Автор: Kazukuni Kitagaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Macro model of a semiconductor integrated circuit device, circuit design simulation program, and circuit design simulator

Номер патента: US20240193334A1. Автор: Takuya Katayama,Kyoji Marumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Test socket assemblies with liquid cooled frame for semiconductor integrated circuits

Номер патента: US12032000B2. Автор: Quynh Ngoc Nguyen,James Edward Spooner. Владелец: Smiths Interconnect Americas Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated ciruit device

Номер патента: US20040196731A1. Автор: Mitsuhiro Shimamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Method of semiconductor integrated circuit, circuit design system, and non-transitory computer-readable medium

Номер патента: US20210019462A1. Автор: Shintaro Fujiwara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9183899B2. Автор: Jae II Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150124535A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040022089A1. Автор: Ichiro Yamane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20100085341A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050099874A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160027483A1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050128780A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor integrated circuit for generating row main signal and controlling method thereof

Номер патента: US20090316504A1. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

System and method of reducing noise from belt

Номер патента: RU2596043C2. Автор: Янь Чэнь,Джон П. ВЕССОН,Дэвид ПОЛАК,Кристофер ЧИПМЭН,Чарльз КОФФИН,Артур БЛАНК,Дэниэл ОПОКУ,Сергей БУРЛАЦКИЙ. Владелец: Отис Элевэйтор Компани. Дата публикации: 2016-08-27.

System and method of reducing noise from belt

Номер патента: RU2596043C9. Автор: Янь Чэнь,Джон П. ВЕССОН,Дэвид ПОЛАК,Кристофер ЧИПМЭН,Чарльз КОФФИН,Артур БЛАНК,Дэниэл ОПОКУ,Сергей БУРЛАЦКИЙ. Владелец: Отис Элевэйтор Компани. Дата публикации: 2016-12-20.

Contactless integrated-circuit card

Номер патента: RU2189633C2. Автор: Роберт РАЙНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-09-20.

Method, apparatus and program for designing a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030167451A1. Автор: Mutsunori Igarashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Fuse circuit for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6838926B2. Автор: Eun-Han Kim,Chang-Whan Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-04.

Semiconductor integrated circuit having function for switching operational mode of internal circuit

Номер патента: US4771407A. Автор: Masao Nakano,Kimiaki Sato,Yoshihiro Takemae,Shigeki Nozaki,Yasuhiro Takada,Makoto Yanagisawa,Hatsuo Miyahara,Nobumi Kodama,Satoshi Momozono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-09-13.

Semiconductor integrated circuit operable and programmable at multiple voltage levels

Номер патента: US5615151A. Автор: Yasuhiro Nakamura,Takeshi Furuno,Akinori Matsuo. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Designing and operating of semiconductor integrated circuit by taking into account process variation

Номер патента: US20070226660A1. Автор: Toshio Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor integrated circuit and test method of built-in analog circuit

Номер патента: US20020026609A1. Автор: Shuji Murakami,Brian Worobey. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050046473A1. Автор: Katsuya Furue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Automatic wiring method of semiconductor integrated circuit, computer program and computer readable storage medium

Номер патента: US20080005715A1. Автор: Yoshiaki Shimizu,Kazuhiko Matsuki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor integrated circuit and memory

Номер патента: US20210398586A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070115748A1. Автор: Masanori Isoda,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Optimum placement method of circuit blocks in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5930151A. Автор: Masaki Uyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Layout method, layout system, and non-transitory computer readable medium storing layout program of semicoductor integrated circuit

Номер патента: US20110283248A1. Автор: Kazuyuki Irie. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040268008A1. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-12-30.

Computer-readable recording medium storing a method of masking or modifying output events of bi-directional signals in an event-format test pattern file for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6336199B1. Автор: Richard Lin. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100165760A1. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20160141005A1. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of compacting layouts of semiconductor integrated circuit designed in a hierarchy

Номер патента: US5663892A. Автор: Sachio Hayashi,Tyusei Ogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

System and method for analyzing crosstalk occurring in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7519932B2. Автор: Toshiyuki Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other

Номер патента: US6577543B2. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Method for controlling characteristics of a semiconductor integrated by circuit X-ray bombardment

Номер патента: US4392893A. Автор: Nguyen T. Du,Akihide Asao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020118290A1. Автор: Norimitsu Baba,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Design method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6785876B2. Автор: Kazuyoshi Takemura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor integrated circuit and data read method

Номер патента: US8605505B2. Автор: Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090083712A1. Автор: Shuichi Kunie,Hiroki Machimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090228752A1. Автор: Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor integrated circuit including a plurality of macros that can be operated although their operational voltages are different from each other

Номер патента: US20020008555A1. Автор: Isao Naritake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100238752A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

Номер патента: US12057186B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

LSI layout design apparatus, layout design method, recording medium recording layout design program, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020042905A1. Автор: Yukihiro Urakawa,Tsukasa Shirotori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060203596A1. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Apparatus and method for controlling refresh operation of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070291568A1. Автор: Jong Yeol Yang,Tae Woo Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Apparatus and method for controlling voltage of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090230943A1. Автор: Tae-Yong Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Power supply semiconductor integrated circuit and power supply device

Номер патента: US20240302854A1. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Speech recognition device and method, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09886947B2. Автор: Tsutomu Nonaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US09846788B2. Автор: Daisuke Oshida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09830977B2. Автор: Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile memory integrated circuit with built-in redundancy

Номер патента: US09620203B2. Автор: Shinichi Yasuda,Koichiro ZAITSU,Haiyang Peng. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Reducing noise level using rotation data

Номер патента: RU2562932C2. Автор: Паскаль ЭДМЕ,Эдвард Дж. КРЭГ,Йохан Э. МЕЙЗЕРТ. Владелец: Джеко Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4771406A. Автор: Takashi Shinoda,Kanji Oishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-13.

Turbo fan engine and method to reduce noise of turbo fan engine efflux

Номер патента: RU2387862C2. Автор: Ален ПОРТ. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor integrated circuit device having test control circuit in input/output area

Номер патента: US5509019A. Автор: Takeshi Yamamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor integrated circuit wiring condition processing method

Номер патента: US6401233B1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Masato Mogaki,Katsuaki Hongyo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-04.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20010011906A1. Автор: Yoshiro Nakata,Shinchi Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US9177625B2. Автор: Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Memory integrated circuit with local amplifier module and local read-write conversion module to improve operation speed and reduce number of data lines

Номер патента: US11848045B2. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor integrated circuit, test method and information processing apparatus

Номер патента: US20120239337A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20020190743A1. Автор: Shinichi Oki,Yoshiro Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040066684A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor integrated circuit device having clock signal transmission line and wiring method thereof

Номер патента: US20060123372A1. Автор: Niichi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and memory system

Номер патента: US20240105252A1. Автор: Masayuki USUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit and operating method

Номер патента: US20020041529A1. Автор: Keisuke Fujiwara,Sachiko Edo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Method and device for designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080010618A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-10.

Apparatus, method and medium storing program for designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130239074A1. Автор: Akira Wada,Tetsuaki Utsumi,Yasutomo Onozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Test substrate, test apparatus, and test method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240192269A1. Автор: Taisuke ICHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Device for protecting leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on sos (silicon-on-sapphire) and soi (silicon-on-insulator) structures from static electric discharges

Номер патента: RU2467431C1. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов,Николай Иванович Плис. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2012-11-20.

AUTOMATIC GAIN CONTROL AND BASEBAND PREINTEGRATION TO REDUCE COMPUTATION REQUIREMENTS AT LOWER DATA RATES

Номер патента: US20120002765A1. Автор: Kawaguchi Dean. Владелец: INTELLEFLEX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Deposition Apparatus And Methods To Reduce Deposition Asymmetry

Номер патента: US20120000772A1. Автор: Cox Michael S.,RITCHIE ALAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for protection against static electricity discharges of power leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on silicon wafers with n-type conductivity

Номер патента: RU2585882C2. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2016-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.