Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Reflective mask and fabricating method thereof

Номер патента: US20230229072A1
Опубликовано: 20-07-2023
Автор(ы): Pei-Cheng Hsu, Tsiao-Chen Wu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Reflective mask and fabricating method thereof

Номер патента: US20220146924A1. Автор: Tsiao-Chen Wu,Pei-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Reflective mask and fabricating method thereof

Номер патента: US12038684B2. Автор: Tsiao-Chen Wu,Pei-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Reflective mask blank, reflective mask, and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4390536A3. Автор: Yukio Inazuki,Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240295807A1. Автор: Kenichi Sasaki,Yuya Nagata,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240094622A1. Автор: Kenichi Sasaki,Yuya Nagata,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US12001134B2. Автор: Kenichi Sasaki,Yuya Nagata,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240168370A1. Автор: Ichiro Ishikawa,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI,Shunya TAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US11829065B2. Автор: Ichiro Ishikawa,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI,Shunya TAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20230251564A1. Автор: Ichiro Ishikawa,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI,Shunya TAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Reflective mask blank and reflective mask

Номер патента: EP4152093A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240280890A1. Автор: Takuma Kato,Yusuke Ono,Takeshi Okato,Daijiro AKAGI,Ryusuke OISHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Reflective mask and method of designing anti-reflection pattern of the same

Номер патента: US20240027890A1. Автор: Chan Hwang,HyungJong BAE,Heebom Kim,Woo-Yong Jung,Seungyoon LEE,Seong-Bo Shim,Hyun Jung Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20230350285A1. Автор: Takuma Kato,Kenichi Sasaki,Ichiro Ishikawa,Daijiro AKAGI,Shunya TAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US11914284B2. Автор: Takuma Kato,Kenichi Sasaki,Ichiro Ishikawa,Daijiro AKAGI,Shunya TAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240176224A1. Автор: Takuma Kato,Kenichi Sasaki,Ichiro Ishikawa,Daijiro AKAGI,Shunya TAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240045320A1. Автор: Takuma Kato,Yusuke Ono,Takeshi Okato,Daijiro AKAGI,Ryusuke OISHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US12001133B2. Автор: Takuma Kato,Yusuke Ono,Takeshi Okato,Daijiro AKAGI,Ryusuke OISHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240337918A1. Автор: Ming-Wei Chen,Hsin-Chang Lee,Wei-Che Hsieh,Ta-Cheng Lien,Hao-Ping Cheng,Hung-Yi Tsai,Ping-Hsun LIN,Szu-Ping TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US9075315B2. Автор: Toshiyuki Suzuki,Osamu Nozawa,Kazuya Sakai,Ryo Ohkubo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

EUV photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044959B2. Автор: Ming-Wei Chen,Hsin-Chang Lee,Wei-Che Hsieh,Ta-Cheng Lien,Hao-Ping Cheng,Hung-Yi Tsai,Ping-Hsun LIN,Szu-Ping TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20150261083A1. Автор: Toshiyuki Suzuki,Osamu Nozawa,Kazuya Sakai,Ryo Ohkubo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210373431A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device

Номер патента: US12072619B2. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing reflective mask and apparatus for manufacturing reflective mask

Номер патента: US20140186754A1. Автор: Takeharu Motokawa,Kosuke TAKAI,Tomoaki Yoshimori,Yoshihisa Kase,Makoto Karyu. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for manufacturing reflective mask and apparatus for manufacturing reflective mask

Номер патента: US9507251B2. Автор: Takeharu Motokawa,Kosuke TAKAI,Tomoaki Yoshimori,Yoshihisa Kase,Makoto Karyu. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Substrate with film for reflective mask blank, reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: EP4160311A1. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Substrate with film for reflective mask blank, reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: US12124162B2. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Reflective mask blank, and manufacturing method of reflective mask

Номер патента: US20240337916A1. Автор: Shohei Mimura,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Reflective mask blank, and manufacturing method of reflective mask

Номер патента: EP4443235A2. Автор: Shohei Mimura,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Reflective structure, reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12025911B2. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Reflective mask blank, reflective mask, reflective mask manufacturing method, and reflective mask correction method

Номер патента: EP4080283A1. Автор: Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

EUV photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US11886109B2. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240134266A1. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210397075A1. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240152044A1. Автор: Kenichi Sasaki,Toshiyuki Uno,Ichiro Ishikawa,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI,Shunya TAKI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Reflective mask blank and reflective mask

Номер патента: US20240176225A1. Автор: Toshiyuki Uno,Hiroyoshi Tanabe,Hiroshi HANEKAWA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Reflective mask blank and reflective mask

Номер патента: US11914283B2. Автор: Toshiyuki Uno,Hiroyoshi Tanabe,Hiroshi HANEKAWA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Reflective mask blank, and reflective mask

Номер патента: EP4184245A1. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Reflective mask blank for euv lithography, reflective mask for euv lithography, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230324785A1. Автор: Keishi Tsukiyama,Toshiyuki Uno,Michinori Suehara,Hiroaki IWAOKA,Hirotomo Kawahara,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Reflective mask blank for EUV lithography, reflective mask for EUV lithography, and method for manufacturing same

Номер патента: US11953822B2. Автор: Keishi Tsukiyama,Toshiyuki Uno,Michinori Suehara,Hiroaki IWAOKA,Hirotomo Kawahara,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Reflective mask, method of monitoring the same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140242733A1. Автор: Takashi Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Reflective mask blank for euv lithography, reflective mask for euv lithography, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240210814A1. Автор: Keishi Tsukiyama,Toshiyuki Uno,Michinori Suehara,Hiroaki IWAOKA,Hirotomo Kawahara,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Reflective mask blank, and method for manufacturing thereof

Номер патента: EP4053632A1. Автор: Hideo Kaneko,Tsuneo Terasawa,Shohei Mimura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11852964B2. Автор: Takahiro Onoue,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Reflective mask blank

Номер патента: EP4390537A3. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230333459A1. Автор: Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

EUV photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US12013630B2. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Reflective mask blank, and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: EP4105718A3. Автор: Hideo Kaneko,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Reflective mask

Номер патента: US20240302731A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Reflective mask blank and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: EP4332676A2. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Reflective mask blank and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240077797A1. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Reflective mask blank and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: EP4332676A3. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Reflective mask and method for producing reflective mask

Номер патента: EP4231094A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Reflective mask blank, method of manufacturing same, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09726969B2. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Tsutomu Shoki,Tatsuo ASAKAWA. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Reflective mask blank and method for manufacturing same, method for manufacturing reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150301441A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Osamu Maruyama,Tsutomu Shoki,Tatsuo ASAKAWA. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Reflective mask blank and method for manufacturing same, method for manufacturing reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160282711A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Osamu Maruyama,Tsutomu Shoki,Tatsuo ASAKAWA. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240231214A9. Автор: Teiichiro Umezawa,Kota Suzuki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

EUV photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044960B2. Автор: Ming-Wei Chen,Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Hung-Yi Tsai,Ching-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: US12032280B2. Автор: Yusuke Ono,Hiroshi HANEKAWA,Shunya TAKI,Taiga FUDETANI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank for EUV lithography, reflective mask for EUV lithography, and method of manufacturing the same, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09740091B2. Автор: Takahiro Onoue,Hirofumi Kozakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Substrate with a multilayer reflective film, reflective mask blank for EUV lithography, reflective mask for EUV lithography and method of manufacturing the same, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09720317B2. Автор: Takahiro Onoue. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Reflective mask blank and reflective mask

Номер патента: US12124164B2. Автор: Takuma Kato,Keishi Tsukiyama,Yukihiro Iwata,Toshiyuki Uno,Hiroshi HANEKAWA,Sadatatsu IKEDA,Daijiro AKAGI,Ryusuke OISHI,Chikako HANZAWA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Reflective mask blank and reflective mask

Номер патента: US20240241433A1. Автор: Takuma Kato,Keishi Tsukiyama,Yukihiro Iwata,Toshiyuki Uno,Hiroshi HANEKAWA,Sadatatsu IKEDA,Daijiro AKAGI,Ryusuke OISHI,Chikako HANZAWA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Reflective mask and method for producing reflective mask

Номер патента: US20240019776A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Reflective mask blank

Номер патента: EP4390537A2. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Reflective mask blank

Номер патента: US20240210812A1. Автор: Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240134265A1. Автор: Teiichiro Umezawa,Kota Suzuki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210103209A1. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210223679A1. Автор: Ming-Wei Chen,Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Hung-Yi Tsai,Ching-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230350283A1. Автор: Ming-Wei Chen,Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Hung-Yi Tsai,Ching-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240160097A1. Автор: Yusuke Ono,Hiroshi HANEKAWA,Shunya TAKI,Taiga FUDETANI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Reflective mask blank for euv lithography, and process for its production

Номер патента: US20140186752A1. Автор: Kazuyuki Hayashi,Masaki Mikami,Takeru Kinoshita. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US09897909B2. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Junichi Horikawa,Tsutomu Shoki,Toshihiko Orihara,Hirofumi Kozakai,Youichi Usui. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

MASK BLANK SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, TRANSMISSIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK BLANK, TRANSMISSIVE MASK, REFLECTIVE MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20170023853A1. Автор: SHOKI Tsutomu,HAMAMOTO Kazuhiro,ORIHARA Toshihiko,Horikawa Junichi,KOZAKAI Hirofumi,USUI Youichi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-26.

MASK BLANK SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, TRANSMISSIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK BLANK, TRANSMISSIVE MASK, REFLECTIVE MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20180081264A1. Автор: SHOKI Tsutomu,HAMAMOTO Kazuhiro,ORIHARA Toshihiko,Horikawa Junichi,KOZAKAI Hirofumi,USUI Youichi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-22.

MASK BLANK SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, TRANSMISSIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK BLANK, TRANSMISSIVE MASK, REFLECTIVE MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20190361337A1. Автор: SHOKI Tsutomu,HAMAMOTO Kazuhiro,ORIHARA Toshihiko,Horikawa Junichi,KOZAKAI Hirofumi,USUI Youichi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-11-28.

Reflective mask blank for EUV lithography and manufacture method thereof

Номер патента: CN101978468B. Автор: 林和幸,宇野俊之,海老原健. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-20.

Mask blank substrate, transmissive mask blank, transmissive mask, and semiconductor device fabrication method

Номер патента: TW201816504A. Автор: 笑喜勉,濱本和宏,折原敏彥,小阪井弘文,臼井洋一,堀川順一. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Reflective mask and fabricating method thereof

Номер патента: US20200133113A1. Автор: Tsiao-Chen Wu,Pei-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240319578A1. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12105413B2. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210373430A1. Автор: Ming-Wei Chen,Hsin-Chang Lee,Wei-Che Hsieh,Ta-Cheng Lien,Hao-Ping Cheng,Hung-Yi Tsai,Ping-Hsun LIN,Szu-Ping TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180329285A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190339608A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11815807B2. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240036458A1. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Reflective mask blank and process for producing the reflective mask blank

Номер патента: US09927693B2. Автор: Kazuyuki Hayashi,Junichi Kageyama,Hiroshi HANEKAWA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240053669A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Ta-Cheng Lien,Wen-Chang Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230244135A1. Автор: Takahiro Onoue,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE,Hirofumi Kozakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11892768B2. Автор: Yohei IKEBE,Mizuki KATAOKA. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11880130B2. Автор: Takahiro Onoue,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE,Hirofumi Kozakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Reflective mask and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120141927A1. Автор: Takashi Kamo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-07.

Light reflecting mask, exposure apparatus, and measuring method

Номер патента: US20110286002A1. Автор: Kosuke TAKAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Reflective mask blank for EUV lithography

Номер патента: US12038685B2. Автор: Toshiyuki Uno,Hiroyoshi Tanabe,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Reflective mask blank for EUV exposure, and reflective mask

Номер патента: US11835852B2. Автор: Hiroyoshi Tanabe. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Pellicle for euv lithography masks and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230259021A1. Автор: Han Wang,Ming-Yang Li,Tzu-Ang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Reflective mask blank and reflective mask

Номер патента: US20240103354A1. Автор: Takahiro Onoue,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE,Hirofumi Kozakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Reflective mask blank for euv lithography

Номер патента: US20080199787A1. Автор: Kazuyuki Hayashi,Takashi Sugiyama,Kazuo Kadowaki. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Light reflecting mask, exposure apparatus, and measuring method

Номер патента: US20090273772A1. Автор: Kosuke TAKAI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Reflective mask blank for euv lithography

Номер патента: US20230305383A1. Автор: Toshiyuki Uno,Hiroyoshi Tanabe,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Reflective mask

Номер патента: US20210072634A1. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Reflective mask blank for EUV lithography and substrate with conductive film

Номер патента: US11934093B2. Автор: Yusuke Ono,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Reflective mask blank for euv lithography and substrate with conductive film

Номер патента: US20240184191A1. Автор: Yusuke Ono,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Reflective mask blank for euv lithography and substrate with conductive film

Номер патента: US20230350284A1. Автор: Yusuke Ono,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12111566B2. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Reflection-type mask blank, reflection-type mask, method for manufacturing reflection-type mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240160095A1. Автор: Masanori Nakagawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09864267B2. Автор: Takahiro Onoue,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Substrate equipped with multi-layer reflection film, reflection-type mask blank, reflection-type mask, and semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US20200310239A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Reflective mask blank, reflective mask, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240319577A1. Автор: Hitoshi Maeda,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Reflective mask and method for manufacturing reflective mask

Номер патента: US09977323B2. Автор: Takashi Kamo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Low-expansion glass substrate for a reflective mask and reflective mask

Номер патента: US20070009812A1. Автор: Masabumi Ito,Hitoshi Mishiro. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230168575A1. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11815806B2. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240036457A1. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Reflective mask blank for euv lithography, and process for its inspection and process for its production

Номер патента: US20160109384A1. Автор: Hiroshi Nakanishi,Junichi Kageyama,Yoshiaki Ikuta. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Reflective mask, reflective mask blank and manufacturing method therefor

Номер патента: US09921465B2. Автор: Norihito Fukugami,Shinpei Kondo. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240272541A1. Автор: Kenichi Sasaki,Ichiro Ishikawa,Wataru Nishida,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US12105412B2. Автор: Kenichi Sasaki,Ichiro Ishikawa,Wataru Nishida,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Euv photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230375910A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Reflective mask blank, reflective mask, and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4390536A2. Автор: Yukio Inazuki,Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Reflective Mask Blank, Reflective Mask, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240210813A1. Автор: Yukio Inazuki,Takuro Kosaka,Taiga OGOSE. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Reflective mask blank for EUV lithography, and process for its inspection and process for its production

Номер патента: US09739722B2. Автор: Hiroshi Nakanishi,Junichi Kageyama,Yoshiaki Ikuta. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Reflecting mask, apparatus for fixing the reflecting mask and method of fixing the reflecting mask

Номер патента: US20080057412A1. Автор: Suk-Ho Lee,Sung-min Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

EUV photo masks and manufacturing method thereof

Номер патента: US11829062B2. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Reflective mask blank, method of manufacturing thereof, and reflective mask

Номер патента: US12050396B2. Автор: Takuro Yamamoto,Shohei Mimura,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Reflective mask blank for euvl, reflective mask for euvl, and method of manufacturing reflective mask for euvl

Номер патента: US20220187699A1. Автор: Hiroyoshi Tanabe. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Reflective mask and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US11768432B2. Автор: Donghoon Lee,Soo Kyung Kim,Soonmok Ha,Sang-Ho Yun,Jaikyun PARK,Rankyung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Reflective mask blank for euv lithography

Номер патента: US20140356770A1. Автор: Kazuyuki Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Reflective mask blank, reflective mask, method for manufacturing reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240142866A1. Автор: Masanori Nakagawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device

Номер патента: US12019366B2. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Substrate with Film for Reflective Mask Blank, and Reflective Mask Blank

Номер патента: US20240248388A1. Автор: Hideo Kaneko,Tsuneo Terasawa,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Multilayer reflective film-equipped substrate, reflective mask blank, reflective mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230314928A1. Автор: Masanori Nakagawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Reflective mask blank for euv lithography

Номер патента: US20110171566A1. Автор: Kazuyuki Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Reflective mask blank for euv lithography, mask blank for euv lithography, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240045319A1. Автор: Toshiyuki Uno,Ichiro Ishikawa,Hirotomo Kawahara,Daijiro AKAGI,Kenichi Sakaki. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Multilayer reflective film-equipped substrate, reflective mask blank, reflective mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230418148A1. Автор: Masanori Nakagawa,Kota Suzuki,Ikuya FUKASAWA. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Reflective mask blank for EUV lithography, mask blank for EUV lithography, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11822229B2. Автор: Kenichi Sasaki,Toshiyuki Uno,Ichiro Ishikawa,Hirotomo Kawahara,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240027891A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200249558A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for manufacturing reflective mask and apparatus for manufacturing reflective mask

Номер патента: US20130260292A1. Автор: Katsuhiro Yamazaki,Kensuke Demura. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11914281B2. Автор: Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Reflective mask and method for manufacturing same

Номер патента: US20140170536A1. Автор: Kazuaki Matsui,Norihito Fukugami,Yo Sakata,Genta Watanabe. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Reflective mask blank, reflective mask and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240103355A1. Автор: Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask blank, and method of manufacturing reflective mask

Номер патента: US20240160096A1. Автор: Kenichi Sasaki,Yuya Nagata,Hiroaki IWAOKA,Daijiro AKAGI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Reflection mask and pattern formation method

Номер патента: US20170336721A1. Автор: Masaru Suzuki,Hiroyuki Mizuno,Kazuyuki Yoshimochi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Reflection mask for X ray

Номер патента: US5399448A. Автор: Katsuhiko Murakami,Hiroshi Nakamura,Hiroshi Nagata. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

MASK BLANK SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, TRANSMISSIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK BLANK, TRANSMISSIVE MASK, REFLECTIVE MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20140329174A1. Автор: SHOKI Tsutomu,HAMAMOTO Kazuhiro,ORIHARA Toshihiko,Horikawa Junichi,KOZAKAI Hirofumi,USUI Youichi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-06.

MASK BLANK SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, TRANSMISSIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20170010527A1. Автор: SHOKI Tsutomu,HAMAMOTO Kazuhiro,ORIHARA Toshihiko,Horikawa Junichi,KOZAKAI Hirofumi,USUI Youichi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-12.

Half tone mask and fabricating method

Номер патента: WO2010074481A3. Автор: Joo Hyun Hwang,Jin Ho HONG,Seung Ho Back,Seung Han Kang. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2010-09-16.

Mask and fabrication method thereof and application thereof

Номер патента: US7648804B2. Автор: Chun-hao Tung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-19.

Mask and control method and use method thereof

Номер патента: US20190302605A1. Автор: Peizhi Cai,Yue Geng,Fengchun Pang,Le Gu,Chuncheng CHE. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Mask and control method and use method thereof

Номер патента: US10948815B2. Автор: Peizhi Cai,Yue Geng,Fengchun Pang,Le Gu,Chuncheng CHE. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Mask and control method and use method thereof

Номер патента: US20190302605A1. Автор: Peizhi Cai,Yue Geng,Fengchun Pang,Le Gu,Chuncheng CHE. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Phase edge phase shift mask enforcing a width of a field gate image and fabrication method thereof

Номер патента: US20040091794A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Jeong-lim Nam,Moon-hyun Yoo,Chul-Hong Park,Yoo-hyon Kim,Soo-Han Choi,Hye-Soo Shin,Young-Chan Ban. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Reflective mask blank, method of manufacturing reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09720315B2. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Tsutomu Shoki,Tatsuo ASAKAWA. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Reflective mask blank, method of manufacturing reflective mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190265585A1. Автор: Tsutomu Shoki,Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Multilayer reflective film-attached substrate, reflective mask blank, reflective mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220269161A1. Автор: Kota Suzuki,Kayo CHAEN. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12105411B2. Автор: Kota Suzuki,Kayo CHAEN. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Reflective mask blank, reflective mask and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220107557A1. Автор: Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Reflective mask blank, reflective mask, reflective mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240069428A1. Автор: Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Reflective mask blank for euv lithography

Номер патента: US20240201576A1. Автор: Toshiyuki Uno,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara,Masafumi AKITA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Reflective mask blank for EUV lithography

Номер патента: US11982935B2. Автор: Toshiyuki Uno,Hiroshi HANEKAWA,Hirotomo Kawahara,Masafumi AKITA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Reflective mask for extreme ultraviolet lithography and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20240219824A1. Автор: Akio Misaka,Noyoung CHUNG,Seokyun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Transparent wafer with optical alignment function and fabricating method and alignment method thereof

Номер патента: US20070159631A1. Автор: Yu-Lin Huang,Kuo-Ting Wu,Jun-Yao Huang,Dun-Ying Shu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of manufacturing reflective mask blank, and reflective mask blank

Номер патента: US11789357B2. Автор: Tsuneo Terasawa,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Pellicle for reflective mask

Номер патента: US20210116802A1. Автор: Jinhwan Lee,SungHyup KIM,Jeonggil KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Mask and fabrication method thereof, and method of patterning by using mask

Номер патента: US9488917B2. Автор: HONGLIANG Liu,Dawei Shi. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Display panel and manufacturing method thereof, mask and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09880426B2. Автор: Huifang Yuan. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230307378A1. Автор: Dong Xue. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Thin film transistor, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180309074A1. Автор: Defeng MAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US20140077897A1. Автор: Jin-Woo Lee,Young-Min Park,In-Sang Song,Jae-Sung Rieh,Byeong-Kwon Ju,Yun-Kwon Park,Byeoung-ju Ha,Jea-Shik Shin. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2014-03-20.

Resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US9054673B2. Автор: Jin-Woo Lee,Young-Min Park,In-Sang Song,Jae-Sung Rieh,Byeong-Kwon Ju,Yun-Kwon Park,Byeoung-ju Ha,Jea-Shik Shin. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2015-06-09.

Resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US20090267706A1. Автор: Jin-Woo Lee,Young-Min Park,In-Sang Song,Jae-Sung Rieh,Yun-Kwon Park,Byeoung-ju Ha,Jea-Shik Shin,Byeong-Kwon Ku. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2009-10-29.

Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20150017574A1. Автор: Kazuhiro Hamamoto,Junichi Horikawa,Tsutomu Shoki,Toshihiko Orihara,Hirofumi Kozakai,Youichi Usui. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

MASK BLANK SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, TRANSMISSIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20180275507A1. Автор: SHOKI Tsutomu,HAMAMOTO Kazuhiro,ORIHARA Toshihiko,Horikawa Junichi,KOZAKAI Hirofumi,USUI Youichi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-27.

Color wheel unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20070081265A1. Автор: Nak-Yun Sung,Yong-Wan Cho,Ji-Hyung Jung,Ju-Dong Oh,Kye-Woong Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Carrier substrate and fabricating method thereof, flexible substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20200266347A1. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US9570434B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Implementing ir reflective mask to minimize cte mismatch between laminate and pth copper

Номер патента: US20190364670A1. Автор: Joseph Kuczynski,Kevin O'Connell,Timothy Tofil,Mark Plucinski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Alignment film and fabrication method thereof, liquid crystal panel and display device

Номер патента: US09753331B2. Автор: Jifeng TAN,Xinxing Wang,Jikai YAO,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Solid-state light emitting display and fabrication method thereof

Номер патента: US20080280384A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chia-Hung Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180307887A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Jing LV,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Whispering gallery mode resonator based on cylindrical cavity in optical fiber and fabrication method thereof

Номер патента: US20240295794A1. Автор: Dongning Wang,Yongli Mei,Qiaoben Wang. Владелец: Shenzhen Technology University. Дата публикации: 2024-09-05.

Electro-static discharge assembly, array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US20180204830A1. Автор: Xiaodong Pan,Zhiming Hu,Chunxiang NAN,Chen Ting LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Optical storage media and fabrication method thereof

Номер патента: US20050142323A1. Автор: Shin-Shin Wang,Hui-Ping Tsai,Wen-Yih Liao,Ming-Chia Lee,Wen-Ping Chu,Hsin-Hong Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-30.

Recording medium cartridge and fabrication method thereof

Номер патента: US20070086111A1. Автор: Hideaki Shiga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

Superconducting quantum circuit and fabrication method thereof, quantum computer

Номер патента: US20240341202A1. Автор: Liangliang Ma,Bing YOU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Touch display panel and fabrication method thereof, and touch display apparatus

Номер патента: US09927911B2. Автор: Lei Wang,WEI Liu,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu,Liguang DENG,Huizhong ZHU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US09893091B2. Автор: Hongming Zhan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893090B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabricating method thereof, and display panel

Номер патента: US09891495B2. Автор: Fu Chen,Zhi Hou,Ying Zhang,Xin Ding,Rong Shen,Yinan WANG,Ziheng Yang,Jianhui Liu,Daeoh Oh. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Eyeglass of 3D glasses and fabrication method thereof, and 3D glasses

Номер патента: US09841613B2. Автор: Junwei Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Polarizer and fabrication method thereof

Номер патента: US09739919B2. Автор: Long Zhang,Ting Zhou,Poping Shen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09696594B2. Автор: Xiaobin Yin. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Touch electrode and fabricating method thereof, capacitive touch device and touch dislay device

Номер патента: US09684401B2. Автор: Jing Wang,Yun Qiu,Youqiang Lu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Light-emitting panel, and driving method and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US11244603B1. Автор: Lihua Wang,Conghua MA,Xiaoping Sun,Qiang Dong. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827A. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-06-19.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827B1. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-10-11.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170020002A1. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Array substrate for a transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050237453A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Joo-Soo Lim,Won-Seok Kang,Se-Duk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Electro-phoretic display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130057464A1. Автор: Chi-Ming Wu,Kai-Cheng Chuang,Yung-Sheng Chang,Tzu-Ming WANG,Po-Wen Hsiao,Yuan-Chih Tsai,Jen-Shiun Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US10165688B2. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Metal nanoparticle sensor and fabrication method

Номер патента: US12077844B2. Автор: BO XIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US09996188B2. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Touch display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09785005B2. Автор: Po-Yuan Liu,Yu-Feng Chien,Hung-Wen Chou,Chia-Chun Yeh,Wen-Rei Guo,Chin-Chuan Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Touch screen and fabrication method thereof

Номер патента: US09772707B2. Автор: Xiaomin Liu,Ting Zhou. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Programmable devices with current-facilitated migration and fabrication methods

Номер патента: US09691497B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09684216B2. Автор: Chien-Han Chen,Shih-Fang Chen,Chih-Cheng Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2016188087A1. Автор: Junwei Wang,Weitao CHEN,Xiaopeng CUI,Zhixiao Yao,Jianguo XING. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Gas detector fabrication method, gas detector, and ray detection device

Номер патента: US20240272316A1. Автор: Yi Zhou,Zhiyong Zhang,Changqing Feng,Ming SHAO,Sicheng WEN,Jianbei LIU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-08-15.

Light guide plate and fabricating method thereof, array substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170192155A1. Автор: YUTING ZHANG,Shanshan ZHOU,Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Light guide plate and fabricating method thereof, array substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20180017730A9. Автор: YUTING ZHANG,Shanshan ZHOU,Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Single cell array microchip and fabrication, electrical measurement and electroporation method thereof

Номер патента: US09695412B2. Автор: Rong Zhu,Xiaoliang Guo. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-04.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US11762239B2. Автор: Dongze Li,Yongming YIN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Flexible display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US11793013B2. Автор: Jing Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20210200038A1. Автор: Dongze Li,Yongming YIN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157085A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Optical disc apparatus, information recording method, adjustment apparatus, adjustment method and fabrication method for optical disc apparatus, and method and apparatus for adjusting phase shift amount

Номер патента: US20050047297A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7816192B2. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Silicon-Based Rib-Waveguide Modulator And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150378185A1. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US7646439B1. Автор: Seung Kyu Choi,Sang Moo Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Optical pickup head of optical recording reproducing apparatus, fabrication method thereof, lubricant-coated optical pickup head of optical recording reproducing apparatus and lubricant coating method thereof

Номер патента: US20040202101A1. Автор: Chang-Hoon Oh,Young-Joo Yee,Seong-Hyok Kim,Jung-Hoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-14.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Single-fiber bidirectional multimode WDM optical-to-electrical converter and fabrication method thereof

Номер патента: US11054591B2. Автор: HAO WANG,Dong Wang. Владелец: Hangzhou Mo Link Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Connection structure and fabrication method thereof, array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US20200365627A1. Автор: Zhen Zhang,Pengyu LIAO. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Micro led transfer method, display panel and fabrication method

Номер патента: US20240006217A1. Автор: Ping Zhu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Active array color filter structure and fabricating method therefor

Номер патента: US20070268421A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Wan-Wen Chiu,Fu-Kang Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Flat panel display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7732267B2. Автор: Hun Jeoung,Soon Kwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Flexible display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20220005910A1. Автор: Xing Ming. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Testing probe and semiconductor testing fixture, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160124017A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Dual interface electronic module with value-add component and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4433943A1. Автор: Carsten Nieland. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-09-25.

Capacitive touch panel and recognition method and fabrication method thereof

Номер патента: US20130038562A1. Автор: Te-Mu CHEN,Hsin-Hao Lee. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Flexible pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20190353548A1. Автор: Xiaoming Yang,Hua PAN,Daji TU,Houjun XIA. Владелец: Zhejiang Ouren New Materials Co ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411A. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2021-08-30.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411B1. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2022-01-28.

Ultra-low power and ultra-low voltage bandgap voltage regulator device and method thereof

Номер патента: US09780652B1. Автор: Ali Tasdighi Far. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Flexible touch panel, flexible display panel and flexible display apparatus, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2018094639A1. Автор: Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Jing LV. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-05-31.

Fingerprint sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US7400750B2. Автор: Yun-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-15.

Reflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7242452B2. Автор: Hyun-Suk Jin,Yong-Jin Cho,Woo-Nam Jeong. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Display substrate and fabrication method thereof, display panel and display system

Номер патента: US10719154B2. Автор: Na Zhao,Liyun DENG,Miao YUAN. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Liquid crystal display device capable of reducing leakage current, and fabrication method thereof

Номер патента: US20060289867A1. Автор: Byoung-Ho Lim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Display module and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US20220157901A1. Автор: YuJu CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US11793042B2. Автор: WENXU Xianyu,Jing Zhou,Yixian Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Display panel and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20200264483A1. Автор: Xibin Shao,Xueqiang QIAN,Yanping Liao. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Alloy-coated optical fiber and fabricating method thereof

Номер патента: US20010048800A1. Автор: Un-Chul Paek,Jin-han Kim,Dong-Soo Park,Yong-Kon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-06.

Touch control unit and fabricating method thereof

Номер патента: US20160291734A1. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Protective Cover for an Acoustic Wave Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170272052A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU,Re-Ching Lin,Chih-Feng Chiang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Display device, stretchable display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20210064091A1. Автор: Qian Jin,Wei Wang,Xiaoyan Zhu,Xiaoyun Liu,Xiaohu Li,Jingkai Ni,Xiaofen Wang,Kai SUI,Haibin Zhu,Weikang Xiao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Display device, display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US9541788B2. Автор: Xiaodong Zhou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Touch panels and fabrication methods thereof

Номер патента: US10359877B2. Автор: Yau-Chen Jiang,Yanjun Xie,Bixin Guan,Zhuxiu Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Liquid crystal display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20070109483A1. Автор: Young Lee,Hun Jeoung. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

MgO NANOWIRE RRAM WITH LOW LEAKAGE CURRENT AND LARGE RESISTANCE RATIO AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: NL2030987B1. Автор: Li Tiejun,GAO Yunlong,ZHENG Haojian,Pan Jinyan,Huang Huixiang,Lin Xiangyujie. Владелец: Univ Jimei. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit element and fabricating method thereof, circuit board, display panel and display device

Номер патента: US20180033629A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Ping Zhang,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Chunwei Wu,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Liquid crystal display device using cholesteric liquid crystal color filter layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20060012746A1. Автор: Su-Hyun Park,Jong-Weon Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220045268A1. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20160064415A1. Автор: Hongming Zhan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Fingerprint recognition unit and fabrication method thereof, fingerprint recognition module and display device

Номер патента: US11301082B2. Автор: Qi Yao,Yang Yue,Feng Zhang,Haitao Huang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG,Dongfei HOU,Jalil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel, and display apparatus

Номер патента: EP3368944A1. Автор: WEI YANG,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-05.

Display panel and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US20190064560A1. Автор: NI YANG,Yan Fang,WU Wang,Xiaoyuan Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Flexible display substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US10984687B2. Автор: Yanqiu Li. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-20.

Spectrometer and fabrication method thereof

Номер патента: US11927534B2. Автор: Wei Wang,Xue Dong,Jian Gao,Xiaochuan Chen,Xiandong MENG,Jifeng TAN,Pengxia LIANG,Xianqin MENG,Fangzhou Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device with a double helix biopolymer layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8772081B2. Автор: Yu-Chueh Hung,Wei-Ting Hsu,Ting-Yu Lin,Ljiljana Fruk. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-07-08.

Memory Device with a Double Helix Biopolymer Layer and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20130320305A1. Автор: Yu-Chueh Hung,Wei-Ting Hsu,Ting-Yu Lin,Ljiljana Fruk. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-12-05.

Middle frame, rear cover, and fabrication methods thereof, and electronic device

Номер патента: US20220329677A1. Автор: Liang Ma,Huan WANG,Guoping Wu,Siwei Wang,YuChan YANG,Chengjie Gao,Guangxiang ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Display panel and fabrication method thereof, and mobile terminal

Номер патента: US20240107822A1. Автор: LIANG Fang,Ding Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory, fabrication and control methods thereof

Номер патента: US20240032291A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Fingerprint recognition unit and fabrication method thereof, fingerprint recognition module and display device

Номер патента: US20220035503A1. Автор: Qi Yao,Yang Yue,Feng Zhang,Haitao Huang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG,Dongfei HOU,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Liquid crystal display device using cholesteric liquid crystal color filter layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20040119934A1. Автор: Su-Hyun Park,Jong-Weon Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-24.

Array substrate and fabrication method thereof, and liquid crystal display device

Номер патента: US20140210006A1. Автор: Rui Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Retroreflective sheet and fabrication method thereof

Номер патента: US9170354B2. Автор: Se Won Yoon. Владелец: HJ CORP. Дата публикации: 2015-10-27.

Display module and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12029069B2. Автор: YuJu CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Flexible display substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US20190156709A1. Автор: Yanqiu Li. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Double-gate transistor array substrate and fabrication method of the same

Номер патента: US12034079B2. Автор: Yuhan QIAN,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Quantum chip, quantum computer, and fabrication method for quantum chip

Номер патента: US20240119335A1. Автор: Ye Li,Hui Yang. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Display substrate, display device, mobile terminal and fabricating method of display substrate

Номер патента: US20200219902A1. Автор: Yang Wang,Peng Chen. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Chip packaging device and alignment bonding method thereof

Номер патента: US20200144078A1. Автор: In-Gann Chen,Chia-Ming Yang,Shih-Wen Tseng,Po-Tsung Hsieh,Ya-Wen Tsai,Ya-Wen Chuang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2020-05-07.

Backlight-type mini led chip and fabrication method therefor

Номер патента: US20230136566A1. Автор: Fan Zhang,Yongsheng Wu,Tingfang ZHANG,Jiapeng Qi. Владелец: Fujian Prima Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Pixel structure and fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20130119386A1. Автор: Chang-Yu Huang,Pei-Ming Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-05-16.

Terminal device and fabrication method therefor

Номер патента: AU2019218326A1. Автор: Jianfeng Wang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Chip packaging device and alignment bonding method thereof

Номер патента: US10685852B2. Автор: In-Gann Chen,Chia-Ming Yang,Shih-Wen Tseng,Po-Tsung Hsieh,Ya-Wen Tsai,Ya-Wen Chuang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2020-06-16.

Fiber optic cable assembly with overlapping bundled strength members, and fabrication method and apparatus

Номер патента: US11774677B2. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Resonating star gyroscope and fabrication methods

Номер патента: US20060225504A1. Автор: Ajit Sharma,Farrokh Ayazi,Mohammad ZAMAN,Babak Amini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Fiber optic cable assembly with integrated shuffle and fabrication method

Номер патента: US20220057592A1. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Fiber optic cable assembly with integrated shuffle and fabrication method

Номер патента: EP3973341A1. Автор: QI Wu. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Cell array region of a NOR-type mask ROM device and fabricating method therefor

Номер патента: US20010017800A1. Автор: Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-30.

Magnetic head slider with crown profile and fabrication method for the magnetic head slider

Номер патента: US20080062566A1. Автор: Hirohisa Ishihara,Hironori Namba. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Display panel, display device, and fabricating method of display panel

Номер патента: US20240251643A1. Автор: Yang Gao,Haowei Wang,Yuanming Zhang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Display substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240251628A1. Автор: Jun Liu,Jun Cheng,Liangchen YAN,Tongshang Su,Yongchao HUANG,Shengping Du. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional force flexible tactile sensor and preparation method and decoupling method thereof

Номер патента: US12092543B2. Автор: Jian Liu,Xinjian Chen,Baoqing Nie,Jialei GENG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-17.

Display device and fabricating method

Номер патента: US09966365B2. Автор: Qi Yao,Shi Shu,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhanfeng CAO,Seong Yeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Novel hyaluronic acid mask and preparation method and use method thereof

Номер патента: CN111759749A. Автор: 吴小江. Владелец: Taicangmiao Pinyuan Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Organic electro-luminescence device and fabricating method thereof

Номер патента: US09887359B2. Автор: Cheng-Yi Chen,Jyun-Kai Ciou,Chao-Feng Sung,Yung-Min Hsieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865593B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Hsiang-Hung Peng,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Suture-free coagulation-assisted fixed cardiac patch and preparation method thereof

Номер патента: US20240335272A1. Автор: Yang Zhu,Changyou Gao,Yuwen LU,Tanchen REN,Liyin SHEN,Xiaoqian HONG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-10.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Structure for reducing stress for vias and fabricating method thereof

Номер патента: US20090156001A1. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Chih-Yuan Cheng,Shou-Lung Chen,Shan-Pu Yu,Ji-cheng Lin,Rong-Chang Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Artificial retinal nerve flexible microelectrode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210290947A1. Автор: Chengzhi LUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US20210113999A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: EP3808452A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-21.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US11583835B2. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-21.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetically driven capsule robot with controllable drug administration and sampling functions and fabrication method thereof

Номер патента: US20240299715A1. Автор: Liang Li,WANG Zhang,Yuxuan Sun,Enmin SONG,Quanliang Cao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20220302061A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Nan-Chun Lin,Shang-Yu Chang-Chien. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240334780A1. Автор: Ming Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Thin film transistor (TFT) array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09991398B2. Автор: Liangchen YAN,Dini XIE,Xiaojin Zhang,Xianbin Xu,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US09978728B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972643B2. Автор: Ke Wang,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Composition for sheet using biomass, eco-friendly composite sheet, and fabrication method for thereof

Номер патента: US09963832B2. Автор: Chan Suk Yoon,Chung Ku Han,Seung In Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display

Номер патента: US09929277B2. Автор: Zhenyu Zhang,Changgang HUANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Organic light emitting display device and fabricating method thereof

Номер патента: US09923170B2. Автор: Taro Hasumi,Jongkyung KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905797B2. Автор: YUTING ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

OLED backplane and fabrication method thereof

Номер патента: US09882172B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US09853241B2. Автор: Defeng Bi,Kaen Jiang. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Array substrate and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09837479B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor including diffusion blocking layer and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09825175B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

OLED and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09818810B2. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Programmable via devices with metal/semiconductor via links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09812393B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Diodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09768325B2. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US09721976B2. Автор: Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

LDMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US09721806B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

OLED device with anode of silver nanowire and fabrication method thereof, display substrate

Номер патента: US09716244B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09711577B2. Автор: Peng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09705007B2. Автор: WEI YANG,Wenlin Zhang,Woo Bong Lee,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof

Номер патента: US09698380B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Capacitor structures with embedded electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09881738B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP2973836A1. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: PAPER BATTERY COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Monolithic bubble-ink jet print head having anti-curing-deformation part and fabrication method thereof

Номер патента: US7168787B2. Автор: Myung-Song Jung,Tae-Kyun Kim,Jung-Woog Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Connector and fabrication method thereof

Номер патента: US20130344742A1. Автор: Seiya Matsuo,Takashi Kuwahara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Silicon-controlled-rectifier electrostatic protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303368A1. Автор: Jie Chen,Guang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20060043378A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-03-02.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040150341A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Nitride Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170309773A1. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Electronic package, packaging substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282689A1. Автор: Yu-Cheng Pai,Chan-Yu YEH,Yuan-Ping YEH,Yuan-Chang NI,Meng-Jou HE. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US11228018B2. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Fuel cell and fabricating method thereof

Номер патента: WO2010079376A1. Автор: Tsung-Her Yeh,Chen-Chia Chou. Владелец: National Taiwan University Of Science & Technology. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof, filter, and radio frequency communication system

Номер патента: US12081197B2. Автор: Fei Qi,Guohuang YANG,Huan SUI. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12087747B2. Автор: LIANG Xing. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Nitride light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US09929308B2. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Optical security device and system and fabrication methods thereof

Номер патента: US09789724B2. Автор: Yingqiu Jiang,Aharon Hochbaum. Владелец: Opthentic Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09754893B2. Автор: ZUOPENG He,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistor device and fabrication method

Номер патента: US09741819B2. Автор: HAIYANG Zhang,Xuan Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Electronic package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240266335A1. Автор: Yih-Jenn Jiang,Wei-Son Tsai,Cheng-Kai Chang,Yi-Chieh Wang,Huan-Shiang Li. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Latent hardener with improved storage stability through a dry surface treatment process, one-component epoxy adhesive formulation comprising the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US20210155749A1. Автор: Jong Hyuk Park,Min Park,Jongwon Kim,Tae Ann KIM,Sung Min JEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Layered polycrystalline lead selenide photoelectric film and fabrication method thereof

Номер патента: US11781222B2. Автор: Jian Yang,Yuan Zhu,Junlin Liu,Guiwu LIU,Guanjun QIAO,Xiangzhao ZHANG,Quanjiang LV,Haigang HOU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-10-10.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20240326320A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Chip package structure and fabrication

Номер патента: US20240371716A1. Автор: LI Tao,Shanshan Zhao,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

A porous substrate and fabricating method thereof, and a fabricating method for thin film transistor

Номер патента: US20180294442A1. Автор: Fan TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US11926947B2. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-12.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US20200115839A1. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof, and semiconductor apparatus using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20140299918A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Display backplane and fabrication method thereof, display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US12002913B2. Автор: Qi Qi,Ke Wang,Guangcai Yuan,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093799A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Electrode and fabricating method therefor, electrochemical device, and electronic device

Номер патента: EP4432388A1. Автор: Qingwen Zhang,Yajie LI,Mingju LIU. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Multi-tubular reactor and multi-tubular reactor design and fabrication method

Номер патента: US09713800B2. Автор: Shingo Yamauchi,Tamotsu Takamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Ltps substrate and fabricating method thereof, thin film transistor thereof, array substrate thereof and display device thereof

Номер патента: US20190237488A1. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Dapeng XUE,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

LTPS substrate and fabricating method thereof, thin film transistor thereof, array substrate thereof and display device thereof

Номер патента: US10916565B2. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Dapeng XUE,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Multifunctional antistatic non-woven fabric and fabrication method thereof

Номер патента: US20100159773A1. Автор: Wei-Jen Lai,Sheng-Shan Chang. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2010-06-24.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230036754A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Piezoelectric device and fabricating method thereof, and electronic device and controlling method thereof

Номер патента: US11985898B2. Автор: YuJu CHEN,Shuai Hou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Photovoltaic device through lateral crystallization process and fabrication method thereof

Номер патента: EP2025006A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Young-Joo Eo,Heon-Min Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-02-18.

Bipolar plate of fuel cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP1704614A1. Автор: Hong Choi,Cheol-Hwan Kim,Tae-hee Cho,Sam-Chul Ha,Kyu-Jung Kim,Seung-Tae Ko,Yong-Jun LG Electronics Dormitory H-324 HWANG,Myung-Seok Wooseong Apt. 107-103 PARK,Myeong-Ho; Lee,Seong-Geun; Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-09-27.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096981A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096982A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US12057520B2. Автор: Ke Wang,Shuang Liang,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Led light bulb and fabrication method thereof

Номер патента: EP3290773A1. Автор: Szu-Min Fan. Владелец: Double Good Co. Дата публикации: 2018-03-07.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US20240082917A1. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-03-14.

LED light bulb and fabrication method thereof

Номер патента: US20180066812A1. Автор: Szu-Min Fan. Владелец: Double Good Co. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230317507A1. Автор: Taegyun Kim,Runping WU,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabricating method of mos transistor, fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20130001707A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien,Chan-Lon Yang,Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Self-aligned thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9252241B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-02-02.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Thin-film double-glazed photovoltaic module and fabrication method thereof

Номер патента: CA3018695A1. Автор: Jinchun ZHANG. Владелец: Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-19.

Keyboard keys using marked elastic domes and fabrication method thereof

Номер патента: US7083343B2. Автор: Hung-Ming Tseng. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-01.

Light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY165794A. Автор: Deyuan Xiao,Richard Rugin Chang. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co. Дата публикации: 2018-04-27.

Phase change memory structure having low-k dielectric heat-insulating material and fabrication method thereof

Номер патента: US20130175493A1. Автор: Zhitang Song,Liangcai Wu,Songlin Feng. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-07-11.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20200350511A1. Автор: Linshan Guo. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US20160293636A1. Автор: Yinhu HUANG,Zhixiang ZOU,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Pixel unit and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258810A1. Автор: Chih-Hung Shih,Chih-Chun Yang,Chin-Yueh Liao,Shine-Kai Tseng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US11961637B1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Huan Ran Yu,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

MOMENTUM-MATCHING AND BAND-ALIGNMENT VAN DER WAALS (vdW) INFRARED PHOTODETECTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230420594A1. Автор: Wei Lu,ZHEN Wang,PENG Wang,FANG Wang,Ting He,Yunfeng Chen,Fang Zhong,Xiaoshuang CHEN,Weida HU,Jinshui MIAO,Runzhang XIE. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170141031A1. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160284643A1. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Polymeric based and surface treated metallic hybrid materials and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180369453A1. Автор: Karen Wong Hoi Man,Kelvin Yeung Wai Kwok,Kenneth Cheung Man Chee,Keith Luk Dip Kei,John Lam Kin On,Paul Chu Kim Ho. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230422465A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US20150329774A1. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256461A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9929267B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166466A1. Автор: Chi-Ho CHANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-06-14.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9941305B2. Автор: Chi-Ho CHANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-04-10.

Protective Cover for an Acoustic Wave Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170077899A1. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU,Re-Ching Lin. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Protective cover for an acoustic wave device and fabrication method thereof

Номер патента: US10498310B2. Автор: Yi-Ling Liu,Shu-Hsiao TSAI,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Rong-Hao SYU,Re-Ching Lin. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-12-03.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076520A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210020447A1. Автор: Yan Wang,Xin Jiang,Hai Yang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138184A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10475798B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138183A1. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Pixel substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US9230999B2. Автор: Chia-Hua Yu,Mu-Kai KANG,Hsien-Tang Hu,Chang-Ming Chao,Jui-Chi Lai. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Pixel substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US20150194449A1. Автор: Chia-Hua Yu,Mu-Kai KANG,Hsien-Tang Hu,Chang-Ming Chao,Jui-Chi Lai. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Transparent Conductive Film and Fabrication Method Thereof, Display Substrate and Display Device

Номер патента: US20160042829A1. Автор: Jinyu REN,Yongzhi SONG,Tengteng HU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20160322494A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Polymeric based and surface treated metallic hybrid materials and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2011006354A8. Автор: Dipkei Keith Luk,Waikwok Kelvin Yeung,Manchee Cheung,Kimho Paul Chu,Hoiman Karen Wong,Kinon John Lam. Владелец: The City University Of Hong Kong. Дата публикации: 2012-02-02.

Anti-surge resistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006098A1. Автор: Ren-Hong Wang,Shen-Li Hsiao,Kuang-Cheng Lin. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertical schottky barrier diodes using two-dimensional layered semiconductors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210066511A1. Автор: Sung Jin Yang,Seongil IM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2021-03-04.

Sensor-type semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20080105942A1. Автор: Tse-Wen Chang,Chien-Ping Huang,Cheng-Yi Chang,Chang-Yueh Chan. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP4340046A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Apparatus for fabricating display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20240120230A1. Автор: Tae Hee Lee,Min Woo Kim,Sung Kook PARK,Jae Gwang Um. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11791225B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Vertically-integrated 3-dimensional flash memory for high reliable flash memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20190393237A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-12-26.

Finfet and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256632A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9773891B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170256460A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220278003A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Image sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180138218A1. Автор: Ching-Hung Kao,Fu-Cheng Chang,Chia-Pin Cheng,Che-Chun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10199383B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: AU2023201492A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Trench power MOSFET structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8872266B1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Insulator, capacitor with the same and fabrication method thereof, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190148139A1. Автор: Kwan-Soo Kim,Soon-Wook Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210343605A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Functional glue mixed with crushed on ginko (leaves) and poulownia (leaves) materials and fabricating method thereof

Номер патента: US20020185039A1. Автор: Man-Gu Sim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG139758A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2008-02-29.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20050186804A1. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Electrically insulated fin structure(s) with alternative channel materials and fabrication methods

Номер патента: US09881830B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin-film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080054257A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Yuh-Zheng Lee,Jhih-Ping Lu,Hsuan-Ming Tsai,Kuo-Tong Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10186598B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Mono gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US7227216B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-05.

Radiation-detecting structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP3158365A2. Автор: Rajendra P. Dahal,Ishwara B. Bhat,Yaron Danon,James Jian-Qiang Lu. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2017-04-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3291291A3. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Insulator, capacitor with the same and fabrication method thereof, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150318343A1. Автор: Kwan-Soo Kim,Soon-Wook Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Dynamic random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10685962B2. Автор: Xi Lin,Yi Hua SHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

OLED display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US11957004B2. Автор: Xingyu Zhou. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Tandem Solar Cell and Fabricating Method thereof

Номер патента: US20110100431A1. Автор: Ming-Kun Lee,Sheng-fu Horng,Jen-Chun Wang,Hsin-Fe Meng,Tsung-Te Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20030104661A1. Автор: Kazuhide Koyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Anti-surge resistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11935675B2. Автор: Ren-Hong Wang,Shen-Li Hsiao,Kuang-Cheng Lin. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180130710A1. Автор: Xu Dong YI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Piezoelectric bio-organic films and fabrication method thereof

Номер патента: US20230363283A1. Автор: Zhengbao Yang,Zhuomin Zhang,Xuemu LI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210320107A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Electro-assisted transfer and fabrication of wire arrays

Номер патента: US20160181121A1. Автор: Xiaolin Zheng,Jeffrey Weisse. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-06-23.

Mold for ceramic membrane tube and fabrication method of ceramic membrane tube using the same

Номер патента: WO2007067011A1. Автор: Ji-Haeng Yu,Ki-Suk Hong,Sang-Kuk Woo,In-Sub Han,Doo-Won Seo,Shi-Woo Lee. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2007-06-14.

3d printing and fabrication

Номер патента: US20230405881A1. Автор: Charlotte A.E. Hauser,Panagiotis BILALIS,Hamed Albalawi. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-12-21.

Acoustic wave device and fabrication method of the same

Номер патента: US20130076205A1. Автор: Tomo Kurihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US8586810B2. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2013-11-19.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Hidden storage/utility system and fabrication thereof

Номер патента: WO1997005008A1. Автор: Scott Clare. Владелец: Scott Clare. Дата публикации: 1997-02-13.

Semiconductor device fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US7371694B2. Автор: Takayuki Takahagi,Hiroyuki Sakaue,Ken Sasaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Circuit board surface structure and fabrication method thereof

Номер патента: US8164003B2. Автор: Ying-Tung Wang,Sao-Hsia Tang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US6566180B2. Автор: Juhn-Suk Yoo,Min-Koo Han,Kee-Chan Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-20.

Carrier-free semiconductor package with stand-off member and fabrication method thereof

Номер патента: US20070054438A1. Автор: Fu-Di Tang,Chien Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Mixed powder including solid-solution powder and sintered body using the mixed powder, mixed cermet powder including solid-solution powder and cermet using the mixed cermet powder, and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2008018752A1. Автор: Shin-hoo KANG,Jin-Kwan JUNG,Han-Jung Kwon. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9269895B2. Автор: Hee Gyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Organic electro-luminescence device and fabricating method thereof

Номер патента: US20160293901A1. Автор: Cheng-Yi Chen,Jyun-Kai Ciou,Chao-Feng Sung,Yung-Min Hsieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-10-06.

Organic electroluminescent device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190006632A1. Автор: Lei PEI,Mingming Chi. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075602A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Split gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030214864A1. Автор: Yong Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170424A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Flexible substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20190229281A1. Автор: BO Liang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Textile digital band and fabricating method thereof

Номер патента: US20110130060A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2011-06-02.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: AU2023201491A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP4354515A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Oled display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20230422542A1. Автор: Fanjing Wu,Jingyuan HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Fin-type transistor structures with extended embedded stress elements and fabrication methods

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Puneet Khanna,Hyucksoo Yang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Array substrate, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09859350B2. Автор: Yongqian Li,Cuili Gai,Longyan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Electrically conductive composition and fabrication method thereof

Номер патента: US20110101283A1. Автор: Hong-Ching Lin,Chun-An Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US8653560B2. Автор: Atsuhiro Kinoshita,Kosuke Tatsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Bipolar transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20060252214A1. Автор: Tae-Jin Kim,Dong-Kyun Nam,Sung-ryoul Bae,Kye-Won Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220270982A1. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

High-strength and ductile multicomponent precision resistance alloys and fabrication methods thereof

Номер патента: US11851735B2. Автор: Yong Zhang,Zhiming Li,Shuya ZHU,Dingshun YAN,Kefu GAN. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-26.

Cylindrical secondary battery to which laser welding is applied and fabricating method thereof, battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3234294A1. Автор: Min-Woo Kim,Do-Gyun Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Light Emitting Diode and Fabricating Method thereof

Номер патента: US20110147790A1. Автор: Yu-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11205703B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230361031A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230361030A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050269670A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20110284984A1. Автор: Chih-Min Liu,Chung-Wei Chang,Fang-Ming Huang,Kuo-Chan Huang,Ping-Hung Yin. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2011-11-24.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20240120424A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108427A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220416049A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2022-12-29.

High-power resistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240013957A1. Автор: Shen-Li Hsiao,Hwan-Wen LEE,Fu-Sheng Huang. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11676865B2. Автор: HAIYANG Zhang,Zhenyang ZHAO,Enning ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Display substrate, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20200168640A1. Автор: Ming Wang,HUI Li,Wei Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417738B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210358809A1. Автор: HAIYANG Zhang,Zhenyang ZHAO,Enning ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Mask-layer-free hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: US12021158B2. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12035523B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Flame retardant phosphonium dicarboxylic acid ionic liquid compound, flame retardant synthetic polymer, fiber and fabric containing the same

Номер патента: US20230348786A1. Автор: Krishnaswamy Kasthuri Rangan,Tirumalai Srinivas Sudarshan. Владелец: Materials Modification Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Phenyl-modified polydimethylsiloxane (PDMS) separation membrane, fabrication method thereof, and use thereof in separation of aromatic compound

Номер патента: US11969697B2. Автор: YANG Pan,Gongping Liu,Haipeng Zhu,Wanqin Jin. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-30.

Organic light emitting diode display panel, fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972665B2. Автор: Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof

Номер патента: US7589462B2. Автор: Hak Su Kim,Kwang Young Kim,Kwang Heum Baik. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US7489037B2. Автор: Yi-Hsin Chen,Feng-Lung Chien,Chao-Dung Suo. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-10.

Light emitting diode device and fabrication method thereof

Номер патента: US7884384B2. Автор: Chih-Cheng Chiang,Shu-Ru Chung,Kuan-Wen Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-02-08.

Burying type avalanche photodiode and fabrication method thereof

Номер патента: US6635908B2. Автор: Kazuhiro Ito,Shinji Tsuji,Shigehisa Tanaka,Yasunobu Matsuoka,Tsukuru Ohtoshi,Sumiko Fujisaki,Tomohiro Ohno,Akira Taike. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-10-21.

2-bit mask ROM device and fabrication method thereof

Номер патента: US6590266B1. Автор: Tao-Cheng Lu,Yen-hung Yeh,Mu-Yi Liu,Kwang-Yang Chan,Tso-Hung Fan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-08.

Dynamic random access memory cell layout and fabrication method thereof

Номер патента: US20050045936A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Jeng-Ping Lin,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY183934A. Автор: Xiao Deyuan,Richard Rugin Chang,Mengjan Cherng,Chi Jen Hsu. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11201222B2. Автор: King Yuen Wong. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

LED package and fabricating method thereof

Номер патента: US8012778B2. Автор: Yong Suk Kim,Seog Moon Choi,Taek Jung Lee,Young Soo Oh,Hyoung Ho Kim. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-06.

High power light emitting diode package and fabrication method thereof

Номер патента: US20060267036A1. Автор: Seon Lee,Hun Hahm,Chang Song,Young Park,Dae Kim,Young Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Infrared detector and fabrication method thereof

Номер патента: US5977603A. Автор: Tomohiro Ishikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Image sensor with optical guard ring and fabrication method thereof

Номер патента: US20070020791A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Tzu-Hsuan Hsu,Yean-Kuen Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Field emission display and fabrication method thereof

Номер патента: US20040222732A1. Автор: Chun-Tao Lee,Yu-Yang Chang,Yu-Wu Wang,Ming-Chun Hsiao,Wei-Yi Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-11-11.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220246544A1. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Dielectric thin film and fabrication method thereof

Номер патента: US5874379A. Автор: Jae-Hyun Joo,Seung-Ki Joo. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230328971A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Double-sided capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US11894419B2. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US11943979B2. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Display device, display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20220399426A1. Автор: Dongsheng Li,Pengcheng LU,Zhijian Zhu,Yunlong Li,Longfei FAN,Yuanlan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11869984B2. Автор: Er-Xuan Ping,Lianhong Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US11942917B2. Автор: Guohuang YANG. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Electro-absorption modulated laser chip and fabrication method thereof

Номер патента: US11831124B1. Автор: Haichao Zhang,Yuchen SHI,Mahui LI,Yenting Pan,Yao MU. Владелец: Yuanjie Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US9024381B2. Автор: Hyuk Woo,Chang-sik Lim,Moon-soo CHO,Kwang-yeon Jun. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Display panel, display module, and fabrication method thereof

Номер патента: US20200312931A1. Автор: Min Zheng,Yangqi OU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200335402A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10854558B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Integrated Circuit and Fabricating Method thereof

Номер патента: US20110241137A1. Автор: Tzung-Han Tan,Bang-Chiang Lan,Ming-I Wang,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Li-Che Chen,Tzung-I Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180261610A1. Автор: Er Hu ZHENG,Lu Jun ZOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US20170345801A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240008375A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150207068A1. Автор: Yong Seok Lee,Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Organic light emitting diode display panel, display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3523827A1. Автор: Dejiang Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11830921B2. Автор: Qiongyang ZHAO,Anni WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210351137A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20230411303A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure, high electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11967642B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN,Chun-Yang Chen,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device having a contact window and fabrication method thereof

Номер патента: US20030132526A1. Автор: Jeong-sic Jeon,Jae-Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130313504A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180122701A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Piezoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US20120319792A1. Автор: Hidenori Harima. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180130893A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10418286B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Vertical high-voltage semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150076521A1. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Coms structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170110580A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160111516A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190067127A1. Автор: Shi Liang JI,Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Anode plate and fabrication method thereof, battery cell, battery and electronic device

Номер патента: EP4067457A1. Автор: Xiangfei Yuan. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11830913B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US11871595B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040855A1. Автор: Hui Song. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160056231A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Hybrid passivation back contact cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20240097060A1. Автор: Kairui LIN. Владелец: Golden Solar Quanzhou New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Fuse and fabrication method thereof

Номер патента: US20190019750A1. Автор: Yi Wang,Qiang Zhang,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

System for displaying images and fabrication method thereof

Номер патента: US7932669B2. Автор: Du-Zen Peng,Chuan-Yi Chan. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Semiconductor Devices and Fabricating Methods Thereof

Номер патента: US20190115344A1. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20160190131A1. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

OLED Device and Fabrication Method Thereof, Display Substrate

Номер патента: US20160233450A1. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US20150014635A1. Автор: Seung-Peom NOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-15.

Display panel with resistance-reducing trace and signal line configured to reduce peel-off, and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US11930677B2. Автор: Jun Liu,Tao Sun,Chao Wang,Can Yuan,Qinghe Wang,Liusong NI,Yongchao HUANG,Jiawen SONG,Zhiwen LUO,Leilei CHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Thermoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130160806A1. Автор: Young Sam Park,Taehyoung Zyung,Moon Gyu Jang,Younghoon Hyun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-06-27.

Conductive paste for external electrode, multilayered ceramic electronic component using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20130063865A1. Автор: Chang Hoon Kim,Sang Hoon Kwon,Hyun Hee Gu,Myung Jun Park,Sung Bum Sohn. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20160141415A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

3d filter and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299450A1. Автор: Meng-Hua TSAI,Sin-Siang WANG,Gang-Lin ZHANG,Weiting LEE. Владелец: QuantumZ Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

End cap of dialyzer and fabricating method thereof, and dialyzer

Номер патента: US20190184085A1. Автор: Wei-Ming Shieh,Yi-Feng Pu,Pei-Hsuan HUANG. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US6875654B2. Автор: Tieh Chiang Wu,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-05.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040115927A1. Автор: Tieh Chiang Wu,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US8247589B2. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166283A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Piezoelectric assembly and fabrication method thereof, screen component, and mobile terminal

Номер патента: EP3852160A1. Автор: Yen Chiafu,Jing Chen. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long-term stability and fabrication method thereof

Номер патента: US20170155044A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Flash memory with reduced source resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US20040161706A1. Автор: Chang Han,Sung Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080054478A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20220399375A1. Автор: Yang Yang,Liqiang Chen,Qingsong Wang,Jiafan SHI,Zuojia WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Non-volatile memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US7943917B2. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Nitride semiconductor and fabricating method thereof

Номер патента: US20140103352A1. Автор: Jung-Hee Lee,Hee-Sung Kang,Dong-Seok Kim,Ki-Sik Im,Dong-hyeok SON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2014-04-17.

Group III nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US11810910B2. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor laser diode formed with window at cleavage facet and fabricating method thereof

Номер патента: US20080259982A1. Автор: Chi Sun KIM,Ji Na Jbon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-10-23.

Earphone and fabrication method thereof

Номер патента: US9525927B2. Автор: Xiaoming Yang,Yimu Hu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20040207014A1. Автор: Koichi Kishiro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130334670A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee,Young Ho Lee,Hye Jin Seo,Su Jin Chae,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240172429A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170425A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108435A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20240040856A1. Автор: Caiwen LI,Shijian Qin. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory and fabricating method thereof

Номер патента: US11877441B2. Автор: Tao Chen,Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Thin film transistor and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US20160308061A1. Автор: WEI YANG,Wenlin Zhang,Woo Bong Lee,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Organic small-molecule cathode material of lithium-ion battery and fabricating method thereof, and lithium-ion battery

Номер патента: US20220149373A1. Автор: Teng-Hao CHEN,Watchareeya KAVEEVIVITCHAI,Meng-Siou WU. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-05-12.

Organic small-molecule cathode material of lithium-ion battery and fabricating method thereof, and lithium-ion battery

Номер патента: US11581542B2. Автор: Teng-Hao CHEN,Watchareeya KAVEEVIVITCHAI,Meng-Siou WU. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220262556A1. Автор: Tong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273048A1. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Electronic device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210335764A1. Автор: Yeong-E Chen. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof

Номер патента: US20240186973A1. Автор: Guohuang YANG. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Electro-absorption modulated laser chip and fabrication method thereof

Номер патента: US20230361526A1. Автор: Haichao Zhang,Yuchen SHI,Mahui LI,Yenting Pan,Yao MU. Владелец: Yuanjie Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020783A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor package with EMI shield and fabricating method thereof

Номер патента: US11967567B2. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200328085A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100270910A1. Автор: Wei-Yuan Cheng,Yu-Chao Wu. Владелец: Hong Yuan Tech Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Monolithic duplexer and fabrication method thereof

Номер патента: US7432781B2. Автор: Chul-Soo Kim,In-Sang Song,Moon-Chul Lee,Kyu-dong Jung,Duck-Hwan Kim,Sang-chul Sul,Jea-Shik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220069139A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lianhong Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180174921A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Image sensor package with trench insulator and fabrication method thereof

Номер патента: US20110193210A1. Автор: Chien-Hung Liu,Wen-Cheng Chien,Joey Lai,Wen-Ken HUANG. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

InGaN-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: US12009455B2. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120080746A1. Автор: Se Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Trench power mosfet structure fabrication method

Номер патента: US20140349456A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Diodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160359056A1. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Composite substrate, surface acoustic wave resonator, and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220352870A1. Автор: Wei Li,Herb He Huang,Hailong LUO,Fei Qi. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20140035049A1. Автор: Hui-min Huang,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210028181A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286983A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Trenched power semiconductor structure with reduced gate impedance and fabrication method thereof

Номер патента: US20120309177A1. Автор: Hsiu Wen Hsu. Владелец: Great Power Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device having a contact window and fabrication method thereof

Номер патента: US20020093105A1. Автор: Jeong-sic Jeon,Jae-Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-18.

Monolithic duplexer and fabrication method thereof

Номер патента: US20070024391A1. Автор: Chul-Soo Kim,In-Sang Song,Moon-Chul Lee,Kyu-dong Jung,Duck-Hwan Kim,Sang-chul Sul,Jea-Shik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-01.

System for displaying images and fabrication method thereof

Номер патента: US20090021152A1. Автор: Du-Zen Peng,Chuan-Yi Chan. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006514A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Solder terminal and fabricating method thereof

Номер патента: US20040080049A1. Автор: Jong-Heon Kim. Владелец: Ccube Digital Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

High voltage semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050139916A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Coordination-polymer cathode material and fabricating method thereof, and lithium-ion battery

Номер патента: US20220199999A1. Автор: KAVEEVIVITCHAI Watchareeya,Teng-Hao CHEN,Cheng-Han Chang,An-che Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-06-23.

Coordination-polymer cathode material and fabricating method thereof, and lithium-ion battery

Номер патента: US11600822B2. Автор: KAVEEVIVITCHAI Watchareeya,Teng-Hao CHEN,Cheng-Han Chang,An-che Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286747A1. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210358912A1. Автор: HAIYANG Zhang,WEI Tian,Shuaijie Chi,Ermin Chong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Organic light emitting diode and fabricating method thereof

Номер патента: US11943953B2. Автор: Anxing ZHONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US20060186421A1. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20160365313A1. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220254911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180158744A1. Автор: Yi Zhong,Chun Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224559A1. Автор: Xu Yuan,ZHUO Li,Di Zhang,Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220285363A1. Автор: Tao Chen,Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240234486A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Inkjet printhead with two-dimensional nozzle arrangement and fabricating method therefor

Номер патента: WO2001083220A1. Автор: Chul-Hi Han,Ki-Chul Chun,Jae-Duk Lee,Choon-Sup Lee. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2001-11-08.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Quantum dot film layer, quantum dot light-emitting device, and fabrication method

Номер патента: US20230389406A1. Автор: Wenhai MEI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Fluid control assembly and fabrication method therefor

Номер патента: US20240159321A1. Автор: LONG Lin,Yun Wang,Lixin Wang,Jianhua CHI. Владелец: Zhejiang Sanhua Automotive Components Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

EMBEDDED TRACE SUBSTRATES (ETSs) WITH T-SHAPED INTERCONNECTS WITH REDUCED-WIDTH EMBEDDED METAL TRACES, AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGES AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20240250009A1. Автор: Zhijie Wang,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Seongryul CHOI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Buried shield structures for power semiconductor devices including segmented support shield structures for reduced on-resistance and related fabrication methods

Номер патента: WO2024147924A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US20240250176A1. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Embedded trace substrates (etss) with t-shaped interconnects with reduced-width embedded metal traces, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024158553A1. Автор: Zhijie Wang,Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Seongryul CHOI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-02.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Thermally driven digital microfluidic chip, fabricating method and control method thereof

Номер патента: US20190184397A1. Автор: Yue Li,Yu Zhao,WANG Guo,Dong Wang,Jinyu Li,Mingyang Lv,Yanchen Li,Dawei Feng,Shaojun HOU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Image sensor and fabricating method of image sensor

Номер патента: US20150048466A1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Yu Hin Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Stretchable substrate and fabricating method therefor

Номер патента: US20210316529A1. Автор: HE Li. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Oled display panel and fabrication method of oled display panel

Номер патента: US20240114722A1. Автор: Xingyu Zhou,Qianyi Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Display substrate, display panel, display device, and fabrication method of display substrate

Номер патента: US20200274088A1. Автор: Tao Wang,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US10468417B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2023183692A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-09-28.

Package substrates employing pad metallization layer for increased signal routing capacity, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20230307336A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Zhijie Wang,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US20130328164A1. Автор: Ling Liu,Xining Wang,Jenhao Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US8884399B2. Автор: Ling Liu,Xining Wang,Jenhao Cheng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Antenna and fabrication method

Номер патента: US12062852B2. Автор: ZHENYU Jia,Ning He,Kerui XI,Zuocai Yang,Donghua Wang,Qinyi Duan,Yunhua Liu,Yingru Hu. Владелец: Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Substrate employing vertical conductor loops for coupling noise reduction in radio-frequency (rf) transmission lines, and related antenna modules and fabrication methods

Номер патента: WO2024173076A1. Автор: Hong-Ming Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Array substrate, display device and fabrication method

Номер патента: US12074222B2. Автор: Jun Wang,Zhonghao Huang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Shadow mask and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070001577A1. Автор: Oh Kwon,Soon Yoo. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Substrate employing vertical conductor loops for coupling noise reduction in radio-frequency (rf) transmission lines, and related antenna modules and fabrication methods

Номер патента: US20240282688A1. Автор: Hong-Ming Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Current collecting member, secondary battery and fabrication method

Номер патента: US20210265709A1. Автор: HU XU,Long Xu,Yongshou Lin,Lingbo Zhu,Yuanbao Chen,Miaomiao REN,Donglai ZHENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structures with coplanar recessed gate layers and fabrication methods

Номер патента: US20160049495A1. Автор: Yuan-Hung Liu,Xing Zhang,Ganesh Upadhyaya,Taejoon Han,Chang Ho Maeng,Gowri Kamarthy,Hoong Shing Wong,Gabriel Padron Wells,Kristina Trevino,Isabelle Orain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Display panel, display device, and fabricating method for display panel

Номер патента: US20240284721A1. Автор: Rubo Xing,Zhimin Yan,Siming GAO. Владелец: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor chip package and fabrication method therefor

Номер патента: US20010045632A1. Автор: Dong-You Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Fan-out package structure and fabrication method therefor

Номер патента: US20240283132A1. Автор: Wei Zheng,Zhikuan Chen,Chuan Hu,Zhitao Chen,Yingqiang YAN,Yunshi LING. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2024-08-22.

High-density three-dimensional multilayer memory and fabrication method

Номер патента: US20240224540A1. Автор: Ke Wang,Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US20190287976A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Substrate with multiple core layers to provide varied thickness cavities supporting varied thickness embedded electrical devices, and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: US20240355747A1. Автор: Xia Li,John Holmes,Bin Yang,Aniket Patil. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Substrate employing core with cavity embedding reduced height electrical device(s), and related integrated circuit (ic) packages and fabrication methods

Номер патента: WO2024228817A1. Автор: Lily Zhao,Omar James Bchir,Dongming He,Kuiwon Kang,Ryan Lane. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-07.

Microfluidic chip and fabrication method

Номер патента: US12134097B2. Автор: Wei Li,ZHENYU Jia,Yunfei Bai,Baiquan LIN,Ping Su,Kerui XI,Kaidi Zhang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Electronic package device for testing a package effect of the device, fabrication method thereof and method for testing electronic package device

Номер патента: US09882133B2. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Spiral-type heat exchanger and its fabrication method

Номер патента: RU2358218C1. Автор: Леонид Владимирович Чумазов. Владелец: Леонид Владимирович Чумазов. Дата публикации: 2009-06-10.

LED traffic signal with anti-reflection mask

Номер патента: NZ510592A. Автор: Keith James Aldridge,Raj Nath Bhat. Владелец: ALDRIDGE TRAFFIC SYSTEMS. Дата публикации: 2001-06-29.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FLIM TRANSISTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003768A1. Автор: Lee Ho-jun,CHIN Hong-Kee,BANG Jung-Suk,KIM Woong-Kwon,CHOI Shin-Il,CHOI Seung-Ha,KIM Sang-Gab,Jeong Yu-Gwang,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Chip light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY135367A. Автор: Chung-Hoon Lee,Kwan Young HAN,Do-Hyung Kim,Seung-Man Yang,Hong-San Kim,Kwang-II Park. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.