Three-dimensional reservoir based on volatile three-dimensional memristor and manufacturing method therefor
Номер патента: US20240130251A1
Опубликовано: 18-04-2024
Автор(ы): Danian Dong, Dashan Shang, Jie Yu, Jinru LAI, Wenxuan Sun, Woyu ZHANG, Xiaoxin Xu, Xu Zheng
Принадлежит: Institute of Microelectronics of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-04-2024
Автор(ы): Danian Dong, Dashan Shang, Jie Yu, Jinru LAI, Wenxuan Sun, Woyu ZHANG, Xiaoxin Xu, Xu Zheng
Принадлежит: Institute of Microelectronics of CAS
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Non-volatile three-dimensional memory cell, storage method, and chip assembly
Номер патента: US20240320180A1. Автор: Jun Zhou,Bin Hou,Fengguo ZUO. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.