• Главная
  • Three-dimensional memory device and method of making thereof including expanded support openings and double spacer word line contact formation

Three-dimensional memory device and method of making thereof including expanded support openings and double spacer word line contact formation

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US20200294599A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Word Line Decoder Circuitry under a Three-Dimensional Memory Array

Номер патента: US20190057741A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3660901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3375012A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2017142617A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device with separated contact regions and methods for forming the same

Номер патента: US11792988B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240185918A1. Автор: Xiaoxin LIU,Zongliang Huo,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Decoder architectures for three-dimensional memory devices

Номер патента: US20230395128A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory

Номер патента: US11991887B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yi-Ching Liu,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240312522A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240194263A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Three dimensional memory device

Номер патента: US9576976B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12020750B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Three-dimensional memory devices and memory system

Номер патента: US11929119B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282280A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023164861A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Wiring line structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US20190067316A1. Автор: Dong-Hyuk Kim,Sung-Lae OH,Soo-Nam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11804252B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240029772A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Word line structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307025A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20210183887A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: EP4109537A2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20200119046A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US20230413559A1. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: EP2586060A2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-01.

Three dimensional memory and method of operating the same

Номер патента: US20190043569A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Yu-Kai Liao,Chiang-Hung Chen,Wen Hung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Structures and methods for reducing stress in three-dimensional memory device

Номер патента: US20210050446A1. Автор: Jian Hua SUN,Ji XIA,Sizhe Li,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Staircase bridge structures for word line contacts in three-dimensional memory

Номер патента: US20230335170A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20190157280A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20200126999A1. Автор: Zhe Wang,Peng Cheng Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240021247A1. Автор: Xin Zhang,Chuan Yang,Qian Gao,Yujun Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119025A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Transition structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11756596B1. Автор: Lifang Xu,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230307042A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US11917826B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US20200251493A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US10332907B2. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Semiconductor memory device with three-dimensional memory cells

Номер патента: US20240172442A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Compact Three-Dimensional Memory with Semi-Conductive Address Line Portion

Номер патента: US20170221528A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Three dimensional memory device

Номер патента: US20210280596A1. Автор: Chun-Min Cheng,Chien-Lan Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Three-dimensional memory device erase operation

Номер патента: US20220293626A1. Автор: Feng Xu,LEI Jin,Jie Yuan,Shiyu Xia,Wenqiang CHEN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device erase operation

Номер патента: US11521988B2. Автор: Feng Xu,LEI Jin,Jie Yuan,Shiyu Xia,Wenqiang CHEN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4288997A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US11742039B2. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-area side-capacitor read-only memory device, memory array and method for operating the same

Номер патента: US20230230646A1. Автор: Yu Ting Huang,Chi Pei Wu. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Architecture of three-dimensional memory device and methods regarding the same

Номер патента: US12068192B2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US11985830B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Plane decoding method and device for three dimensional memories

Номер патента: US6906940B1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-14.

A modifiable circuit, methods of use and making thereof

Номер патента: EP1494283A1. Автор: Vafa J. Rakshani,Edmund H. Spittles,Tim Sippel,Richard Unda,Manolito Catalasan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Non-volatile three-dimensional memory cell, storage method, and chip assembly

Номер патента: US20240320180A1. Автор: Jun Zhou,Bin Hou,Fengguo ZUO. Владелец: Xian Unilc Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing Methods of JFET-Type Compact Three-Dimensional Memory

Номер патента: US20170186817A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Three dimensional memory structure

Номер патента: EP2965360A1. Автор: Haitao Liu,Jie Sun,Krishna K. Parat,Chandra V. Mouli,Guangyu Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-13.

Three dimensional memory structure

Номер патента: US20150333085A1. Автор: Haitao Liu,Jie Sun,Krishna K. Parat,Chandra V. Mouli,Guangyu Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Three dimensional memory structure

Номер патента: WO2014138056A1. Автор: Haitao Liu,Jie Sun,Krishna K. Parat,Chandra V. Mouli,Guangyu Huang. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-09-12.

Sparse piers for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230309426A1. Автор: David H. Wells,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Bias to detect and prevent short circuits in three-dimensional memory device

Номер патента: WO2016022320A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu,Jiahui Yuan. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-02-11.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: WO2020220280A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US12027412B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional memory device structures and methods

Номер патента: US12052874B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US20230389326A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US11856782B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional memory device having bent backside word lines

Номер патента: EP3891812A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: EP3909048A1. Автор: Chun Yuan Hou,Yueping Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US12019919B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Three-dimensional memory device structures and methods

Номер патента: US20220302144A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Non-volatile memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250337A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Memory device power managers and methods

Номер патента: US20100191999A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20150302932A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Memory Devices, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190296021A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor memory device, electronic apparatus, and method of reading data

Номер патента: US20200373313A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Resistive memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190109279A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Three-dimensional memory and control method thereof

Номер патента: US11864379B2. Автор: LEI Jin,Jianquan Jia,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230282281A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12119056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional memory device

Номер патента: EP4428861A1. Автор: Changyeon Yu,Pansuk Kwak,Sungun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US20240306394A1. Автор: Changyeon Yu,Pansuk Kwak,Sungun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071465A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12075621B2. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2022246789A1. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional memory device with backside support pillar structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240292628A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory device with backside support pillar structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240315040A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional memory device with a columnar memory opening arrangement and method of making thereof

Номер патента: US11849578B2. Автор: Tatsuya Inoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of manufacturing three-dimensional memory device with vias connected to staircase structure

Номер патента: US12058855B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory device containing source rails and method of making the same

Номер патента: US20230328976A1. Автор: Tomohiro Kubo,Takaaki IWAI,Kento Iseri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Three-dimensional memory device with plural channels per memory opening and methods of making the same

Номер патента: US20220189986A1. Автор: Takeki Ninomiya. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Three-dimensional memory device with vias connected to staircase structure

Номер патента: US11943915B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Three-dimensional memory device with dielectric wall support structures and method of forming the same

Номер патента: WO2022072005A1. Автор: Tomohiro Kubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-04-07.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240015962A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-dimensional memory device with staircase etch stop structures and methods for forming the same

Номер патента: US11997850B2. Автор: Kenichi Shimomura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11742288B2. Автор: Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317609A1. Автор: Jin HO KIM,Chan Ho YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955429B2. Автор: Jin HO KIM,Chan Ho YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device, three-dimensional memory and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20230134659A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US20240147720A1. Автор: Chang Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20230376207A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210242072A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US20230238322A1. Автор: Jin HO KIM,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Chang Man SON,Chang Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148406A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Three-dimensional memory devices with backside isolation structures

Номер патента: US20210118988A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343705A1. Автор: Hyun Soo Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366919A1. Автор: Jin HO KIM,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Support structures for three dimensional memory arrays

Номер патента: US20240047349A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12033957B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Номер патента: US11983439B2. Автор: Xiang Ming ZHI,Augustus TSAI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305272A1. Автор: Jin LYU,Kai Jin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Three-dimensional memory device with word line side-contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2024123476A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Номер патента: US20240134573A1. Автор: Xiang Ming ZHI,Augustus TSAI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Capacitor in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US12068240B2. Автор: June Lee,Naveen KAUSHIK,Shuai Xu,Xiaojiang Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Capacitor in a three-dimensional memory structure

Номер патента: US20240371749A1. Автор: June Lee,Naveen KAUSHIK,Shuai Xu,Xiaojiang Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240321777A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US11792979B2. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Staircase structures for three-dimensional memory device double-sided routing

Номер патента: US20200006377A1. Автор: Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Interconnect structures of three-dimensional memory devices

Номер патента: US11903204B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Kun Bao,Haojie Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Interconnect structures of three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240114687A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Kun Bao,Haojie Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US11871573B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-Dimensional Memory Device and Method

Номер патента: US20230309315A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: EP4383982A2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Socket structure for three-dimensional memory

Номер патента: US20170077399A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Socket structure for three-dimensional memory

Номер патента: US20160315121A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Socket structure for three-dimensional memory

Номер патента: WO2016170759A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-27.

Socket structure for three-dimensional memory

Номер патента: US9728722B2. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Socket structure for three-dimensional memory

Номер патента: US20170288141A1. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Data lines in three-dimensional memory devices

Номер патента: US11830767B2. Автор: Yi Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US11785776B2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan,Baoyou Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Staircase formation in three-dimensional memory device

Номер патента: US20240145296A1. Автор: Yu Ting ZHOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Microelectronic devices including slot structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12027460B2. Автор: Adam W. Saxler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107762A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US20240341096A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206179A1. Автор: LIANG XIAO,Yihuan WANG,Mingkang ZHANG,Yingcheng Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory devices having backside insulating structures and methods for forming the same

Номер патента: US11849585B2. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230411285A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Access circuitry structures for three-dimensional memory array

Номер патента: US20240088044A1. Автор: Taehyun Kim,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Formation of antifuse structure in a three dimensional memory

Номер патента: US20020106838A1. Автор: James Cleeves,Michael Vyvoda,N. Knall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Within array replacement openings for a three-dimensional memory device

Номер патента: US09935123B2. Автор: Masatoshi Nishikawa,Masafumi Miyamoto,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024103569A1. Автор: LIANG XIAO,Yi Zhao,Shu Wu,Wenbin Zhou,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210104548A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11800710B2. Автор: Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Within array replacement openings for a three-dimensional memory device

Номер патента: WO2017091274A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Masafumi Miyamoto,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor memory devices, memory systems and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20190229753A1. Автор: Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Liquid Crystal Display Device and a Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20110195534A1. Автор: Kiyohiro Kawasaki. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-08-11.

Display device and an inspection method of a display device

Номер патента: EP3866148A1. Автор: Kyun Ho KIM,Bong Im Park,Yong Jin SHIN,Uk Jae JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-18.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US10997020B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-04.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230359524A1. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US11740967B2. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device, memory system, and method of manufacturing memory device

Номер патента: US12020737B2. Автор: Hisanori Aikawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and data outputting method of the same

Номер патента: US20090167413A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Automatic detecting device and automatic detecting method of manufacturing equipment

Номер патента: US20220004180A1. Автор: Ching-Pei Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US11894065B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Techniques for concurrently-formed cavities in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230395511A1. Автор: David H. Wells,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220246544A1. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Three-Dimensional Memory, Chip Package Structure, and Electronic Device

Номер патента: US20240222367A1. Автор: Junxing GU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory, chip packaging structure, and electronic device

Номер патента: EP4333062A1. Автор: Junxing GU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Three-dimensional memory device and method for detecting leakage state

Номер патента: US20220351802A1. Автор: Weihua Shi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Three dimensional memory device with access signal triggering from voltage pump output levels

Номер патента: US20180053558A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Page buffer circuits of three-dimensional memory device

Номер патента: US11935619B2. Автор: Yan Wang,Masao Kuriyama,Teng CHEN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Page buffer circuits in three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240161789A1. Автор: Yan Wang,Masao Kuriyama,Teng CHEN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor memory device and block management method of the same

Номер патента: US8127071B2. Автор: Min-Young Kim,Su-Ryun LEE,Song-ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-28.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437540A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437539A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230223078A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device, memory system, and method of operating memory device

Номер патента: US20200020404A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory device and an operating method of a memory device

Номер патента: US20210050066A1. Автор: Jun Hyuk Lee,Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor memory device, a controller, and operating methods of the semiconductor memory device and the controller

Номер патента: US20210183464A1. Автор: Jung Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: WO2023197774A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230223085A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US20240062790A1. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US11837317B2. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional memory device with angled word lines and method of making thereof

Номер патента: US09905573B1. Автор: Akira Takahashi,Shogo Mada,Motoki Umeyama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129701A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Three-dimensional memory devices with deep isolation structures

Номер патента: US20210013088A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Staircase structure with multiple divisions for three-dimensional memory

Номер патента: US12052870B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Bo Huang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory and method for forming same

Номер патента: US20230345710A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Three-dimensional memory device and manufacturing method therefor, and three-dimensional memory

Номер патента: EP4266369A1. Автор: Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Three-dimensional memory devices and manufacturing methods thereof and three-dimensional memories

Номер патента: US20230422528A1. Автор: Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory device with plural channels per memory opening and methods of making the same

Номер патента: US11903190B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220165747A1. Автор: Chih-Kai Yang,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Three-dimensional memory device with plural channels per memory opening and methods of making the same

Номер патента: US20220189981A1. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180269215A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Chun-Ling Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11778823B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020650A1. Автор: Chih-Kai Yang,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Three dimensional memory device

Номер патента: US20210159243A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Lateral transistors for selecting blocks in a three-dimensional memory array and methods for forming the same

Номер патента: US11882702B2. Автор: Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Trench structures for three-dimensional memory devices

Номер патента: US20230284445A1. Автор: Zhiliang Xia,Ping Yan,Qiang Xu,Zongliang Huo,Guangji Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Dense piers for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230309326A1. Автор: David H. Wells,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Three-dimensional memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165745A1. Автор: Bo Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891184A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US20140295638A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11974431B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor structure for three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200312866A1. Автор: Yuan-Chieh Chiu,Yao-An Chung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Trench and pier architectures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230329010A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Twin channel access device for vertical three-dimensional memory

Номер патента: US20240188280A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Twin channel access device for vertical three-dimensional memory

Номер патента: WO2024118710A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-06.

Three-dimensional memory, the manufacturing method for the same, and memory system

Номер патента: US20230200076A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Three dimensional memory

Номер патента: US11949022B2. Автор: Zhenyu Lu,Minsoo Lee,Roger W. Lindsay,Gordon A. Haller,Hongbin Zhu,Andrew Bicksler,Brian J. Cleereman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional memory and formation method thereof

Номер патента: US20230371231A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Xingsong SU,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20230138251A1. Автор: Kun Zhang,Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12058864B2. Автор: Wei Xu,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory devices with support structures and methods for forming the same

Номер патента: US12058865B2. Автор: Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4289005A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Contact structures for three-dimensional memory

Номер патента: EP3928351A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-29.

Contact structures for three-dimensional memory

Номер патента: US20210287991A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Three-dimensional memory devices and system having the same

Номер патента: US20240206164A1. Автор: Han Yang,Lei Zhang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Contact structures for three-dimensional memory

Номер патента: US11862565B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device, memory system, and method

Номер патента: US20230410857A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device sideband systems and methods

Номер патента: US20230317193A1. Автор: Joshua E. Alzheimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated Neuro-Processor Comprising Three-Dimensional Memory Array

Номер патента: US20170270403A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: US20230326537A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11935862B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of forming three-dimensional memory device

Номер патента: US20230088149A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Systems and methods for adaptive write training of three dimensional memory

Номер патента: US20220293153A1. Автор: YANG LU,Christopher Heaton Stoddard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: WO2023134299A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: WO2023134297A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional memory device having integrated support and contact structures and method of making thereof

Номер патента: US09853038B1. Автор: Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-stack three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867952A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A8. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210091102A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240292629A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20210375913A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210320124A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A3. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: US12136618B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12058858B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12114498B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240224526A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067315A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Three-dimensional memory device with replacement select gate electrodes and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11968827B2. Автор: Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US11302715B2. Автор: Jun Liu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022120630A1. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods for forming three-dimensional memory device without conductor residual caused by dishing

Номер патента: US20200381452A1. Автор: Zhao Hui Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Three-dimensional memory devices, systems, and methods for forming the same

Номер патента: US20240040789A1. Автор: XIN Wang,Wenshan Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4285413A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11812611B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230413541A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220293627A1. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200411545A1. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Methods for forming three-dimensional memory device without conductor residual caused by dishing

Номер патента: US20200251487A1. Автор: Zhao Hui Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200273872A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282004A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Manufacturing method of three-dimensional memory device with improved RC delay

Номер патента: US12016180B2. Автор: Qiguang Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US20240334699A1. Автор: Chanho Kim,Kyunghwa Yun,Younghak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210225865A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210126002A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170425A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210104547A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240081069A1. Автор: Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Tingting Gao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200312870A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098484A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098587A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three dimensional memory system with column pipeline

Номер патента: EP2681738A1. Автор: Tz-yi Liu,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-01-08.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US11943923B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Three-dimensional memory device and fabrication method

Номер патента: US20230402425A1. Автор: Yang Zhou,SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Zhiyong Lu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210225874A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108427A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170424A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108435A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional memory device and fabrication method

Номер патента: US20210296325A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: EP3931868A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200312872A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US12041781B2. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional memory with super-pillar

Номер патента: US20230276621A1. Автор: NAN Wu,Chih Ting LIN,Xiangqin Zou,Ngoc Quynh Hoa LE. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US20240334708A1. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication method of three-dimensional memory device

Номер патента: US20230064048A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional memory device with reduced local stress

Номер патента: US11800707B2. Автор: Tuo Li,Jingjing Geng,Shuangshuang PENG,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20220028890A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: US20200286911A1. Автор: Linchun Wu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20230115194A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems and methods for adaptive read training of three dimensional memory

Номер патента: US20220276805A1. Автор: YANG LU,Christopher Heaton Stoddard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for forming a three-dimensional memory device

Номер патента: US20190067324A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Fandong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230065769A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282770A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200203363A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Systems and methods for adaptive read training of three dimensional memory

Номер патента: US20220066694A1. Автор: YANG LU,Christopher Heaton Stoddard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Systems and methods for adaptive read training of three dimensional memory

Номер патента: US11733915B2. Автор: YANG LU,Christopher Heaton Stoddard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US11832446B2. Автор: Hock Chun Chin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US20220077179A1. Автор: Hock Chun Chin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215241A1. Автор: QIAN LI,LIANG XIAO,Shu Wu,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device structures and methods

Номер патента: US20220302143A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional memory device structures and methods

Номер патента: US11670698B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210242233A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP3844806A1. Автор: Jun Liu,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11844216B2. Автор: Jun Liu,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US11616080B2. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device, memory system, and method of operating the device

Номер патента: US09904491B2. Автор: Dong-Uk Kim,Jin-Ho Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US11996405B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory devices, memory modules, and operating methods of memory devices

Номер патента: US20210217461A1. Автор: Nam Sung Kim,Seongil O,Haesuk LEE,Sang-Hyuk Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Microelectronic devices including staircase structures, related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240164083A1. Автор: Yuichi Yokoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device, memory system, and method of operating the memory system

Номер патента: EP4181140A1. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory Device and Read/Write Method of Memory Device

Номер патента: US20220199053A1. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device, memory circuit and manufacturing method of memory circuit

Номер патента: US20230189499A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Microelectronic devices, related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240074142A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20240111433A1. Автор: Haewon Lee,Jieun Shin,Sang-Kyu Kang,Ho-Cheol BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device isolation structure and method

Номер патента: US20230335582A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Shivani Srivastava,Toshihiko Miyashita,Bingwu Liu,Stephen David Snyder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and data read method of the same

Номер патента: US20050122830A1. Автор: Myeong-o Kim,Sung-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-09.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US20230123830A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US11854650B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High voltage semiconductor device and the associated method of manufacturing

Номер патента: US20140015017A1. Автор: Lei Zhang,Ji-Hyoung Yoo. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Power supply system, electronic device, and electricity distribution method of electronic device

Номер патента: US09935467B2. Автор: Zhiji DENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Display device and haptic feedback method of the same

Номер патента: US11762469B2. Автор: Jung Hun NOH,Yi Joon Ahn,Ga Na KIM,Jae Been LEE,Eun Kyung Yeon,So Young YEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Network processing device and networks processing method of communication frames

Номер патента: EP3809639A1. Автор: Keiichiro Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Display device and image display method of the same

Номер патента: EP3699902A1. Автор: Kwansik Yang,Kilsoo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US20180097987A1. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Camera device and auto-focusing method of varying focal length according to time variation

Номер патента: US10237471B2. Автор: Kuo-Yeh Hsieh,Chung-Cheng CHENG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Induction heating device and vessel-sensing method of the induction heating device

Номер патента: US11672053B2. Автор: Shinjae Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-06-06.

Touch display device and touch driving method of same

Номер патента: US11768556B2. Автор: Jian Ye. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Image sensing device and image processing method of the same

Номер патента: US20230300481A1. Автор: Hee Kang,Chan Young Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240235222A9. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: EP4106101A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Terminal device and antenna manufacturing method of terminal device

Номер патента: US20230246325A1. Автор: BIN Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: US20240136834A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Electronic device and copyright protection method of audio data thereof

Номер патента: US9196259B2. Автор: Chun-Te Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069871B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357838A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2023165379A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of and apparatus for reading out digital image data from three-dimensional memory

Номер патента: US5566279A. Автор: Yoichi Katayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-10-15.

Three-dimensional memory and manufacturing method therefor, and storage system

Номер патента: EP4440277A1. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Three-dimensional memories, manufacturing methods thereof, and memory systems

Номер патента: US20240365544A1. Автор: Jie Yuan,Yali SONG,Quanshan Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional memory device including trench bridges and methods of forming the same

Номер патента: WO2024035487A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Two transistor cells for vertical three-dimensional memory having verical digit lines

Номер патента: US20240357794A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Litao YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Two transistor cells for vertical three-dimensional memory having verical digit lines

Номер патента: WO2024226340A1. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Litao YANG. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230140992A1. Автор: Wei Xu,Ming Zeng,Qingqing WANG,Jianlu Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12048148B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3942611A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Bottom select gate contacts for center staircase structures in three-dimensional memory devices

Номер патента: US12133385B2. Автор: Qiang Tang,Jason Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240251558A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11839079B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11950419B2. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4205175A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3966867A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11980030B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206176A1. Автор: BIN Yuan,Zongke Xu,Qiangwei Zhang,Xiangning Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11871567B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory device with source structure and methods for forming the same

Номер патента: US11805650B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240172429A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US11877453B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: US11877448B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods for forming three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2021237881A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240164100A1. Автор: LIANG XIAO,Yi Zhao,Shu Wu,Wenbin Zhou,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional memory device and fabrication method

Номер патента: US20240206162A1. Автор: Sheng Xia,Yuping Xia,Xiaofen Zheng,Jiandong Wang,Wenbin Sun,Junyang Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Image sensor, optical pointing device and motion calculating method of optical pointing device

Номер патента: US20050200600A1. Автор: Bang-Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230350010A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Communication device and call transfer method of same

Номер патента: US20130157635A1. Автор: Qiang You. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Radar device and data output method of radar device

Номер патента: EP4411416A1. Автор: Hirosada Miyaoka,Ryosuke Yamada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Electronic devices and corresponding hybrid methods of low light image enhancement

Номер патента: US12079973B2. Автор: Hong Zhao,Chao Ma,Zhicheng FU,Yunming Wang,Joseph Nasti. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Machine learning device and maching learning method of machine learning device

Номер патента: US20190370661A1. Автор: Namyeong Kwon,Hayoung JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-05.

A memory device search system and method

Номер патента: WO2001052068A1. Автор: David L. Sherman. Владелец: Gigabus, Inc.. Дата публикации: 2001-07-19.

Storage device and garbage collection method of data storage system having the storage device

Номер патента: US09858182B2. Автор: JongWon Lee,Kangho Roh,Wooseok CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Lens master devices, lens structures, imaging devices, and methods and apparatuses of making the same

Номер патента: US8982469B2. Автор: David R. Hembree,Steve Oliver. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Lens master devices, lens structures, imaging devices, and methods and apparatuses of making the same

Номер патента: US20110157455A1. Автор: David R. Hembree,Steve Oliver. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Processor, memory device, computer system, and method for transferring data

Номер патента: US8532296B2. Автор: Tatsunori Kanai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Wireless network system, wireless device, and network registration method of the wireless device

Номер патента: CA2824968C. Автор: Young-jun Choi,Seong-man Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Magnetic field sensing device and a fabricating method of the same

Номер патента: US7338816B2. Автор: Kyung-Won Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Clamping device, electronic device and remote control method of electronic device

Номер патента: US20230362488A1. Автор: Chun-Wei Lu,Chi-Hwa Ho,Yea-Chin Yeh,Yi-Teng Tsai. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Electronic device and operation control method of electronic device

Номер патента: US20190156746A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Seung-jae Lee,Young-Do Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Electronic device and frame transmission method of electronic device

Номер патента: US11757789B2. Автор: Han-Yi Hung,Yi-Kuang Ko,Sheng-Pin Lin,Cheng-Yan Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Vehicle control device and data adjustment method of database

Номер патента: US20230365142A1. Автор: Takashi Okada,Yuuki Okuda. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Display device and image display method of multi-monitor system

Номер патента: US20210407374A1. Автор: Daisuke Moriwaki. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Electronic device, and wireless communication method of electronic device

Номер патента: US20190246428A1. Автор: Soo-Jin Park,Su-Ha Yoon,Eui-Chang JUNG,Sung-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-08.

Electronic device and an operating method of the electronic device

Номер патента: EP4358354A1. Автор: Dongjoon Kim,Junhan BAE,Duseung OH,Woonhyung HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230400577A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Source device and power control method of source device

Номер патента: US11886265B2. Автор: Zhenliu LI. Владелец: Sharp NEC Display Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Data Driving Device and Panel Driving Method of Data Driving Device

Номер патента: US20220189374A1. Автор: Hyun Woo Jeong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Portable device and electronic payment method of portable device

Номер патента: EP3440610A1. Автор: Young-Kyoo Kim,Nalin Chakoo,Seungdoo CHOI,Hyeseon SONG,Chaekyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-13.

Compositions Comprising Microbes and Methods of Use and Making Thereof

Номер патента: US20240277781A1. Автор: John S. Eid,Orville G. Kolterman,Paul J. McMurdie. Владелец: Pendulum Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Dosage forms with desired release profiles and methods of designing and making thereof

Номер патента: US20190209468A1. Автор: Xiaoling Li,Senping Cheng,Feihuang DENG. Владелец: Triastek Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Dosage forms with desired release profiles and methods of designing and making thereof

Номер патента: AU2018401078A1. Автор: Xiaoling Li,Senping Cheng,Feihuang DENG. Владелец: Triastek Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Dosage forms with desired release profiles and methods of designing and making thereof

Номер патента: EP3737358A1. Автор: Xiaoling Li,Senping Cheng,Feihuang DENG. Владелец: Triastek Inc. Дата публикации: 2020-11-18.

Dosage forms with desired release profiles and methods of designing and making thereof

Номер патента: CA3087723A1. Автор: Xiaoling Li,Senping Cheng,Feihuang DENG. Владелец: Triastek Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Dosage forms with desired release profiles and methods of designing and making thereof

Номер патента: AU2018401078B2. Автор: Xiaoling Li,Senping Cheng,Feihuang DENG. Владелец: Triastek Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Dosage forms with desired release profiles and methods of designing and making thereof

Номер патента: US20210078244A1. Автор: Xiaoling Li,Senping Cheng,Feihuang DENG. Владелец: Triastek Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Cell co-culture device and co-culture method of bovine myocytes and adipocytes

Номер патента: NL2026517B1. Автор: Cheng Gong,LI Anqi,WANG Hongbao,Wang Yaning,Su Xiaotong,Zan Linsen. Владелец: Univ Northwest A&F. Дата публикации: 2022-07-22.

Cell co-culture device and co-culture method of bovine myocytes and adipocytes

Номер патента: NL2026517A. Автор: Cheng Gong,LI Anqi,WANG Hongbao,Wang Yaning,Su Xiaotong,Zan Linsen. Владелец: Univ Northwest A&F. Дата публикации: 2021-05-18.

Temperature warning device and temperature warning method of friction element

Номер патента: US09897202B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Hidetoshi Tsukidate,Kenichi Ooshima. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Rack-mounted column, pouring device and temperature control method of drink

Номер патента: RU2493509C2. Автор: Барт Ян Бакс. Владелец: Хейнекен Сеплай Чейн Б.В.. Дата публикации: 2013-09-20.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20190285171A1. Автор: Kohei Sakai,Norihiro Akiyoshi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US10533660B2. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Braking control device and braking control method of construction machine

Номер патента: US11773568B2. Автор: Kwangseok PARK,Yeonhaeng HEO,Gyuhong PARK. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Hydraulic control device and hydraulic control method of transmission

Номер патента: US20180313446A1. Автор: Masayoshi Iwata. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.