Word line structure of three-dimensional memory device
Номер патента: US20230413560A1
Опубликовано: 21-12-2023
Автор(ы): Fandong LIU, Jia He, Peizhen Hong, Qiang Xu, Wenyu HUA, Yaohua Yang, Zhiliang Xia, Zongliang Huo
Принадлежит: Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-12-2023
Автор(ы): Fandong LIU, Jia He, Peizhen Hong, Qiang Xu, Wenyu HUA, Yaohua Yang, Zhiliang Xia, Zongliang Huo
Принадлежит: Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Word line structure of three-dimensional memory device
Номер патента: US11792989B2. Автор: Jia He,Zhiliang Xia,Qiang Xu,Zongliang Huo,Yaohua Yang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Peizhen Hong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.