Mask for EUV lithography, EUV lithography apparatus and method for determining a contrast proportion caused by DUV radiation
Номер патента: US10156782B2
Опубликовано: 18-12-2018
Автор(ы): Peter Huber
Принадлежит: CARL ZEISS SMT GMBH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-12-2018
Автор(ы): Peter Huber
Принадлежит: CARL ZEISS SMT GMBH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for modifying a chip layout to minimize within-die CD variations caused by flare variations in EUV lithography
Номер патента: US20030149956A1. Автор: Francisco Leon,Vivek Singh,John Bjorkholm. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-08-07.