Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Phase-shift mask for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US20180143527A1
Опубликовано: 24-05-2018
Автор(ы): Hwanseok SEO, Roman Chalykh, Seongsue Kim, Taehoon Lee
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Phase-shift mask

Номер патента: US20040229134A1. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-18.

Phase-shift mask

Номер патента: US7074529B2. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-11.

Phase-shift mask

Номер патента: WO2003021351A2. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-13.

Phase-shift mask

Номер патента: WO2003021351A3. Автор: Shahid Butt,Gerhard Kunkel. Владелец: Gerhard Kunkel. Дата публикации: 2003-10-23.

Attenuated phase shift mask for talbot lithography

Номер патента: US20240094623A1. Автор: Cheng Xu,Daniel Albert Corliss. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: EP3719575A1. Автор: Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: US20200310241A1. Автор: Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Subresolution grating for attenuated phase shifting mask fabrication

Номер патента: US6077630A. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Phase shift mask for euv lithography and manufacturing method for the phase shift mask

Номер патента: US20240310717A1. Автор: Tae Joong Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase shift mask for EUV lithography and manufacturing method for the phase shift mask

Номер патента: US12025912B2. Автор: Tae Joong Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Phase shift masks for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US20230018819A1. Автор: Dongwan Kim,Seongsue Kim,Hwanseok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Phase shift masks for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US11774846B2. Автор: Dongwan Kim,Seongsue Kim,Hwanseok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Mask blank and method of fabricating phase shift mask from the same

Номер патента: US20030194620A1. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Phase shift mask

Номер патента: KR101926614B1. Автор: 배윤미,전동욱,엄현석. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2018-12-11.

Method of manufacturing a device by means of a mask and phase-shifting mask for use in said method

Номер патента: EP1185903A1. Автор: Peter Dirksen,Casparus A. H. Juffermans. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-03-13.

Phase shift mask blank, method for producing phase shift mask, and phase shift mask

Номер патента: EP3971645A1. Автор: Shohei Mimura,Naoki Matsuhashi,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-23.

Phase shift mask blank, method for producing phase shift mask, and phase shift mask

Номер патента: US20220082929A1. Автор: Shohei Mimura,Naoki Matsuhashi,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Phase-shift mask blank, phase-shift mask, method of manufacturing phase-shift mask, and method of modifying phase-shift mask

Номер патента: EP4307047A1. Автор: Kyoko Kuroki,Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Phase shift mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for modifying phase shift mask

Номер патента: US20240152045A1. Автор: Kyoko Kuroki,Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Phase shift mask and method of fabricating the same

Номер патента: US09746763B2. Автор: Kao-Tun Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: US20230333461A1. Автор: Kyoko Kuroki,Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: EP4212956A1. Автор: Kyoko Kuroki,Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

Method of Correcting an Error in Phase Difference in a Phase Shift Mask

Номер патента: US20100330464A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of correcting an error in phase difference in a phase shift mask

Номер патента: US7998643B2. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of Fabricating Halftone Phase Shift Mask

Номер патента: US20090253053A1. Автор: Hye Mi Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of forming half-tone phase-shift masks with reduced susceptiblity to parasitic sputtering

Номер патента: US5741613A. Автор: Sung-Gi Kim,Sung-Chul Lim,Seong-yong Moon,In-kyun Shin,Jong-Wook Kye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-21.

Phase-shift mask blank and process for the production thereof comprising a semi transparent film with silicon and nitrogen

Номер патента: US5955223A. Автор: Kenji Matsumoto,Hideaki Mitsui,Yoichi Yamaguchi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1999-09-21.

Mask blank, phase shift mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240337919A1. Автор: Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa,Ryo Ohkubo,Kenta Tsukagoshi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Phase shift mask blank, manufacturing method of phase shift mask, and phase shift mask

Номер патента: US20220137502A1. Автор: Shohei Mimura,Naoki Matsuhashi,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Phase shift mask blank, manufacturing method thereof, and phase shift mask

Номер патента: US20220236638A1. Автор: Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Phase shift mask blank, manufacturing method thereof, and phase shift mask

Номер патента: EP3719574A1. Автор: Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Alternating rim phase-shifting mask

Номер патента: US5403682A. Автор: Burn J. Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-04-04.

Phase shift mask blank, manufacturing method of phase shift mask, and phase shift mask

Номер патента: EP3992712A1. Автор: Shohei Mimura,Naoki Matsuhashi,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask

Номер патента: US20180088457A1. Автор: Hideo Kaneko,Yukio Inazuki,Kouhei Sasamoto,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask

Номер патента: US20200026181A1. Автор: Hideo Kaneko,Yukio Inazuki,Kouhei Sasamoto,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Light pattern exposure method, halftone phase shift mask, and halftone phase shift mask blank

Номер патента: EP2594991A2. Автор: Takashi Haraguchi,Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki,Ryuji Koitabashi,Yosuke Kojima,Tomohito Hirose. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Phase shift mask, method for manufacturing the same, and method for forming micro pattern

Номер патента: US20160170294A1. Автор: Hyun Joo Lee,Min Kang,Yong Son,Jin Ho JU,Bong Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of forming a phase shift mask

Номер патента: US20030194614A1. Автор: Hsin-Di Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Phase Shift Mask for Double Patterning and Method for Exposing Wafer Using the Same

Номер патента: US20090269679A1. Автор: Goo Min Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Phase shift masks

Номер патента: US20110086296A1. Автор: Hoon Kim,Dong-Seok Nam,Se-Gun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-14.

Phase shift masks

Номер патента: US8361679B2. Автор: Hoon Kim,Dong-Seok Nam,Se-Gun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Manufacturing method and apparatus of phase shift mask blank

Номер патента: US7282121B2. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Phase shift mask for performing exposure process using extreme ultra-violet light source and method for manufacturing the its

Номер патента: KR20070071628A. Автор: 김석균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-04.

Method for phase shift mask design, fabrication, and use

Номер патента: US20020015900A1. Автор: John Petersen. Владелец: Petersen Advanced Lithography Inc. Дата публикации: 2002-02-07.

Mask blank, phase-shift mask and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09933698B2. Автор: Atsushi Matsumoto,Takashi Uchida,Hiroaki Shishido. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Phase shift mask, method for manufacturing the same, and method for forming micro pattern

Номер патента: US09885950B2. Автор: Hyun Joo Lee,Min Kang,Yong Son,Jin Ho JU,Bong Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

OPC method for generating corrected patterns for a phase-shifting mask and its trimming mask and associated device and integrated circuit configuration

Номер патента: US20020071997A1. Автор: Wilhelm Maurer,Rainer Zimmerman,Juergen Knobloch,Marco Ahrens. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-13.

Structure of phase shifting mask and method of manufacturing the same comprising an adhesive layer between a phase shift layer and a light blocking layer

Номер патента: US5824438A. Автор: Jun-Seok Lee,Chan-Min Park,Yong-Kyoo Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Method for fabricating phase shift mask comprising the use of a second photoshield layer as a sidewall

Номер патента: US5658695A. Автор: Yong Kyoo Choi. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-19.

Phase shifting mask

Номер патента: US5576126A. Автор: J. Brett Rolfson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Enchanced bright peak clear phase shifting mask and method of use

Номер патента: EP1370911A1. Автор: Lei Yang,Francesco Cerrina,James W. Taylor. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2003-12-17.

Enchanced bright peak clear phase shifting mask and method of use

Номер патента: WO2002075456A1. Автор: Lei Yang,Francesco Cerrina,James W. Taylor. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION (WARF). Дата публикации: 2002-09-26.

Enchanced bright peak clear phase shifting mask and method of use

Номер патента: EP1370911A4. Автор: Lei Yang,Francesco Cerrina,James W Taylor. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2005-04-20.

Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask

Номер патента: US20020076622A1. Автор: Youping Zhang,Christophe Pierrat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of enhancing clear field phase shift masks with chrome border around phase 180 regions

Номер патента: US20040023123A1. Автор: Todd Lukanc,Christopher Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Method of enhancing phase shift masks

Номер патента: EP1454191A1. Автор: Todd P. Lukanc,Christopher A. Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging

Номер патента: US5411824A. Автор: Prahalad K. Vasudev,Kah K. Low. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

A method of patterning photoresist on a wafer using an attenuated phase shift mask

Номер патента: WO2004079779A2. Автор: Pawitter Mangat,James R. Wasson. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

A method of patterning photoresist on a wafer using an attenuated phase shift mask

Номер патента: EP1604247A2. Автор: Pawitter Mangat,James R. Wasson. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-12-14.

A method of patterning photoresist on a wafer using an attenuated phase shift mask

Номер патента: WO2004079779A3. Автор: Pawitter Mangat,James R Wasson. Владелец: James R Wasson. Дата публикации: 2005-02-10.

Phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask using same and method for manufacturing display device including a phase shift film arranged on a transparent substrate comprises first and second functional layers and an intermediate layer arranged therebetween

Номер патента: TW201826010A. Автор: 坪井誠治,浅川敬司,中村伊都,安森順一. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2018-07-16.

A method of manufacturing a phase shift mask blank and a phase shift mask using the same, and a method of manufacturing a display device

Номер патента: KR102271751B1. Автор: 세이지 즈보이,게이시 아사까와,이또 나까무라,준이찌 야스모리. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-06-30.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: SG10202002368YA. Автор: Takuro Kosaka. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for measuring phase difference of shifter of phase shift mask, and mask using the same

Номер патента: JPH1083068A. Автор: Koji Hashimoto,耕治 橋本. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Method of forming linear pattern of less than quarter exposure wavelength using high transmittance halftone phase shift mask

Номер патента: JP2002501634A. Автор: チェン ジェイ．フン,コールドウェル ロジャー,レイディグ トム,イー．ウォンプラー カート. Владелец: エーエスエムエル マスクツールズ ネザーランズ ビー．ヴィ．. Дата публикации: 2002-01-15.

Multilayer attenuating phase-shift masks

Номер патента: US6274280B1. Автор: Peter Francis Carcia. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2001-08-14.

Hybrid phase-shift mask

Номер патента: TW512424B. Автор: Thomas Laidig,Jang Fung Chen,Roger Caldwell,Kurt E Wampler. Владелец: Asml Masktools Bv. Дата публикации: 2002-12-01.

Multilayer attenuating phase-shift masks

Номер патента: WO2000042473A1. Автор: Peter Francis Carcia. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 2000-07-20.

Attenuation (reduction) phase-shift mask and method for its production

Номер патента: DE4404453A1. Автор: Nobuyuki Yoshioka,Junji Miyazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-25.

Phase shift mask for extreme ultraviolet lithography and a method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US12099293B2. Автор: Seongsue Kim,Changyoung Jeong,Hwanseok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: US20240302732A1. Автор: Kyoko Kuroki,Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Defect inspection apparatus for phase shift mask

Номер патента: US20020036772A1. Автор: Yasuhiro Koizumi,Shigeru Noguchi,Katsuhide Tsuchiya,Shiaki Murai. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Phase shift mask with enhanced resolution and method for fabricating the same

Номер патента: US8257886B2. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-04.

Phase Shift Mask with Enhanced Resolution and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100233588A1. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Tri-tone attenuated phase shift trim mask for double exposure alternating phase shift mask process

Номер патента: US20040074868A1. Автор: Chung-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-04-22.

Strong phase shift mask substrates

Номер патента: US20020064713A1. Автор: Richard Schinella. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Embedded attenuated phase shift mask with tunable transmission

Номер патента: EP1730477A4. Автор: Guangming Xiao. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Multi-step phase shift mask and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20050089764A1. Автор: Ming Lu,Li-Wei Kung,Bin-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: EP4310591A1. Автор: Kyoko Kuroki,Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for adjusting a multilevel phase-shifting mask or reticle

Номер патента: US20030044698A1. Автор: Gernot Goedl,Dirk Loeffelmacher,Timo Wandel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-06.

System and Method for Providing Phase Shift Mask Passivation Layer

Номер патента: US20080233486A1. Автор: Ken Wu,Yao-Ching Ku,Luke Hsu,Hung-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Phase shift mask and method of producing the same

Номер патента: US5972543A. Автор: Hiroshi Mohri,Koichi Mikami,Toshifumi Yokoyama,Chiaki Hatsuda. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1999-10-26.

Phase-shifting mask

Номер патента: US5733686A. Автор: Hideo Shimizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Phase-shift mask and method for forming a pattern

Номер патента: US20090155699A1. Автор: Kuo-Kuei Fu,Yuan-Hsun Wu,Ya-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Phase shift mask blank, manufacturing method thereof, and phase shift mask

Номер патента: US20200310240A1. Автор: Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Phase shift masks and methods of forming phase shift masks

Номер патента: US20140170534A1. Автор: Hoon Kim,Dong-Seok Nam,Se-Gun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-19.

Magnetic storage system using thin film magnetic recording heads using phase-shifting mask

Номер патента: US5414580A. Автор: Marc D. Levenson,Hugo A. E. Santini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range

Номер патента: US5426503A. Автор: Haruhiko Kusunose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-06-20.

Phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170242331A1. Автор: Yi-Kai Lai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Simple repair method for phase shifting masks

Номер патента: US5795685A. Автор: BURN JENG LIN,Mark O. Neisser,Lars W. Liebmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-08-18.

Preparation of halftone phase shift mask blank

Номер патента: US7425390B2. Автор: Hiroki Yoshikawa,Satoshi Okazaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-16.

Method of exposure employing phase shift mask of attenuation type

Номер патента: US5644381A. Автор: Nobuyuki Yoshioka,Junji Miyazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-07-01.

Phase shift mask for euv lithography and manufacturing method for the phase shift mask

Номер патента: US20220397818A1. Автор: Tae Joong Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Mask blank, phase shift mask, and phase-shift mask manufacturing method

Номер патента: KR102260188B1. Автор: 히로시 와타나베,다카시 아다치,히데요시 다카미자와,가츠야 하야노,아야코 다니,요우헤이 오카와,요이치 미우라. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-06-04.

Mask blank, phase shift mask, and phase-shift mask manufacturing method

Номер патента: KR20160141720A. Автор: 히로시 와타나베,다카시 아다치,히데요시 다카미자와,가츠야 하야노,아야코 다니,요우헤이 오카와,요이치 미우라. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-12-09.

Attenuating extreme ultraviolet (EUV) phase-shifting mask fabrication method

Номер патента: CN1483157A. Автор: B·辛格,K・甘迪哈里,K·甘迪哈里,降,B·拉方丹. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Method and apparatus for using a complementary mask to clear phase conflicts on a phase shifting mask

Номер патента: US20040076892A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

System for and method of constructing an alternating phase-shifting mask

Номер патента: US6664030B1. Автор: Bhanwar Singh,Bruno LaFontaine,Kouros Ghandehari. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-12-16.

Method of exposure and attenuated type phase shift mask

Номер патента: US20060240337A1. Автор: Yukio Taniguchi. Владелец: Ekisho Sentan Gijutsu Kaihatsu Center KK. Дата публикации: 2006-10-26.

Phase Shift Mask

Номер патента: KR101916300B1. Автор: 배윤미,전동욱,엄현석. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2018-11-09.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: EP1529246A1. Автор: William J. Dauksher,Bernard J. Roman,Cesar M. Garza,Wei E. Wu,Panwitter J. S. Mangat,Kevin J. Nordquist. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-05-11.

Phase-shifting mask for equal line/space dense line patterns

Номер патента: US20060240333A1. Автор: Yuan-Hsun Wu,Yung-Long Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Phase shifting mask

Номер патента: GB2358485A. Автор: FENG Jin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-07-25.

Method of fabrication of rim-type phase shift mask

Номер патента: US6838214B1. Автор: Ching-Yueh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-01-04.

Method of making substractive rim phase shifting masks

Номер патента: US5495959A. Автор: J. Brett Rolfson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-03-05.

Phase shift mask and fabrication method therefor

Номер патента: US20030091909A1. Автор: Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask

Номер патента: US6007324A. Автор: San-De Tzu,Shy-Jay Lin,Ching-Chia Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask

Номер патента: US5853923A. Автор: San-De Tzu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-12-29.

Descrete phase shift mask writing

Номер патента: CA2077952C. Автор: Andrew J. Muray. Владелец: Etec Systems Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

High resolution phase shift mask

Номер патента: US20120164563A1. Автор: Chang Ju Choi,Sven Henrichs,Cheng-Hsin Ma,Robert H. Olshausen,Yulia Korobko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Half-tone phase shift mask for fabrication of poly line

Номер патента: US6312856B1. Автор: Chin-Lung Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-06.

Phase shift mask and method of forming patterns using the same

Номер патента: US09977324B2. Автор: DongEon Lee,Jinho JU,Junhyuk Woo,Min Kang,Yong Son,Hyunjoo Lee,Bong Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Phase shift mask and method of forming patterns using the same

Номер патента: US09632438B2. Автор: DongEon Lee,Jinho JU,Junhyuk Woo,Min Kang,Yong Son,Hyunjoo Lee,Bong Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Phase shift mask and phase shift mask blank

Номер патента: US20010014425A1. Автор: Masaru Mitsui,Hideki Suda,Kimihiro Okada. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Phase shift mask and phase shift mask blank

Номер патента: US6475681B2. Автор: Masaru Mitsui,Hideki Suda,Kimihiro Okada. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2002-11-05.

[half-tone phase shift mask and patterning method using thereof]

Номер патента: US20040253522A1. Автор: Jun-Cheng Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-16.

Phase shift mask and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11586107B2. Автор: Yi-Kai Lai. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Phase shift mask and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220155673A1. Автор: Yi-Kai Lai. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for correcting characteristics of attenuated phase-shift mask

Номер патента: US20040229137A1. Автор: Katsuhiro Takushima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-18.

Method for correcting characteristics of attenuated phase-shift mask

Номер патента: US20030071018A1. Автор: Katsuhiro Takushima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Attenuated phase shift mask and method of manufacture thereof

Номер патента: US5667919A. Автор: Chih-Chiang Tu,Chin-Lung Lin,Jon-Yiew Gan,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-09-16.

Mask blank, phase shift mask, and production method thereof

Номер патента: US09971238B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Katsuya Hayano,Takashi Adachi,Ayako Tani,Yoichi Miura,Hideyoshi Takamizawa,Youhei Ohkawa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Photolithographic led fabrication using phase-shift mask

Номер патента: SG182050A1. Автор: Andrew M Hawryluk,Robert L Hsieh,Warren W Flack. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2012-07-30.

Phase shift mask and method for repairing a defect of a phase shift mask

Номер патента: US5464713A. Автор: Nobuyuki Yoshioka,Junji Miyazaki,Kunihiro Hosono. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1995-11-07.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20200142313A1. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Single trench repair method with etched quartz for attenuated phase shifting mask

Номер патента: US20050153214A1. Автор: Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Single trench repair method with etched quartz for attenuated phase shifting mask

Номер патента: US20060234141A1. Автор: Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Halftone phase shifting mask blank, halftone phase shifting mask, and pattern transfer method

Номер патента: EP1582920A2. Автор: Hiroki c/o Shin-Etsu Chem. Co. Ltd. Yoshikawa,Toshinobu c/o Shin-Etsu Chem. Co. Ltd. Ishihara,Satoshi c/o Shin-Etsu Chem. Co. Ltd. Okazaki,Yukio c/o Shin-Etsu Chem. Co. Ltd. Inazuki,Tadashi Toppan Printing Co. Ltd. Saga,Kimihiro Toppan Printing Co. Ltd. Okada,Masahide Toppan Printing Co. Ltd. Iwakata,Takashi Toppan Printing Co. Ltd. Haraguchi,Mikio Toppan Printing Co. Ltd. Takagi,Yuichi Toppan Printing Co. Ltd. Fukushima. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-05.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern exposure method

Номер патента: US9927695B2. Автор: Yukio Inazuki,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020061452A1. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of repairing a phase shifting mask

Номер патента: US20020030034A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Attenuated phase shift mask for multi-patterning

Номер патента: US8691478B2. Автор: Frederick T. Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-08.

Inverse lithography for high transmission attenuated phase shift mask design and creation

Номер патента: US20120117523A1. Автор: Sakajiri Kyohei,Eric Henri Jan Hendrickx,Alexander V. Tritchkov. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-05-10.

Self-aligned opaque regions for attenuating phase-shifting masks

Номер патента: US5589303A. Автор: Taeho Kook,John J. DeMarco,Robert L. Kostelak, Jr.. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

High-transmittance attenuated phase-shift mask blank

Номер патента: US20070082274A1. Автор: Fu-Der Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-12.

Sidelobe correction for attenuated phase shift masks

Номер патента: US20040121242A1. Автор: Sergei Rodin,Stanislav Aleshin,Marina Medvedeva. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Attenuating phase shift mask for photolithography

Номер патента: US20030044695A1. Автор: Vladimir Liberman,Mordechai Rothschild. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2003-03-06.

Attenuating phase shift mask for photolithography

Номер патента: WO2003023522A1. Автор: Vladimir Liberman,Mordechai Rothschild. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2003-03-20.

Embedded bi-layer structure for attenuated phase shifting mask

Номер патента: US20040253523A1. Автор: Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask comprising a semitransparent region

Номер патента: US5629114A. Автор: Nobuyuki Yoshioka,Junji Miyazaki,Ryoichi Kobayashi,Yaichiro Watakabe,Akihiko Isao. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 1997-05-13.

Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask

Номер патента: US5691090A. Автор: Nobuyuki Yoshioka,Junji Miyazaki,Ryoichi Kobayashi,Yaichiro Watakabe,Akihiko Isao. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Transmission balancing for phase shift mask with a trim mask

Номер патента: US20160246183A1. Автор: Yi Liu,Dan Yu,Aaron Bowser. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of fabricating phase shift mask and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180341172A1. Автор: JAE-HEE KIM,Chan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-29.

Phase-shifting mask, exposure method and method for measuring amount of spherical aberration

Номер патента: US5935738A. Автор: Shinji Ishida,Tadao Yasuzato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Critical dimension (CD) uniformity of photoresist island patterns using alternating phase shifting mask

Номер патента: US10831104B2. Автор: Jesmin Haq,Tom Zhong,Zhongjian Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks

Номер патента: WO2002075454A2. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Method and Apparatus for Determining Optical Constant of Attenuated Phase Shifting Layer for the Fabrication Processes of Attenuated Phase-Shift Mask Blank using the Measured and the Calculated Transmittance, Surface Reflectance and Backside Reflectance at a Wavelength Region of the Light Source of the Exposure Process

Номер патента: KR20220053931A. Автор: 김태영,최소영,김동규,황보창권,김유덕,유지혜. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-05-02.

Formation of silicon nitride film for a phase shift mask at 193 nm

Номер патента: US6045954A. Автор: Chang-Ming Dai,Lon A. Wang,H.L. Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2000-04-04.

PHASE-SHIFT MASK FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY

Номер патента: US20200209732A1. Автор: Lee Taehoon,Kim Seongsue,CHALYKH Roman,SEO Hwanseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-02.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: EP4212956A4. Автор: Kyoko Kuroki,Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and pattern transfer method

Номер патента: TWI335488B. Автор: Takashi Haraguchi,Yuichi Fukushima,Hiroki Yoshikawa,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Yoshihiro Ii,Tadashi Saga. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2011-01-01.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing phase shift mask blank

Номер патента: US20120251929A1. Автор: Masahiro Hashimoto,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing phase shift mask blank

Номер патента: JP5702920B2. Автор: 雅広 橋本,野澤　順,順 野澤. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230314929A1. Автор: Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Phase shift mask blank, method for producing phase shift mask, and phase shift mask

Номер патента: EP3971645B1. Автор: Shohei Mimura,Naoki Matsuhashi,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Method of manufacturing a device by means of a mask and phase-shifting mask for use in said method

Номер патента: TW530332B. Автор: Peter Dirksen,Casparus Anthonius Juffermans. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-05-01.

Mask blank, phase shift mask, halftone mask, mask blank, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: CN109478012B. Автор: 望月圣,影山景弘,诸沢成浩,野口鸠德,矶博幸. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2022-05-13.

Method for checking phase shift angle of phase shift mask, lithography process and phase shift mask

Номер патента: US7498105B2. Автор: Yung-Feng Cheng,Chin-Lung Lin,Yueh-Lin Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

Mask base, phase shift mask, manufacturing method of mask base, manufacturing method of phase shift mask, and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: TWI686662B. Автор: 酒井和也,宍戶博明. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-01.

Mask blank, phase-shift mask, method of manufacturing mask blank, method of manufacturing phase-shift mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10180622B2. Автор: Hiroaki Shishido,Kazuya Sakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Mask base, phase shift mask, semi-dimming cover, method of manufacturing mask base, and method of manufacturing phase shift mask

Номер патента: TW201905581A. Автор: 影山景弘,諸沢成浩,野口鳩徳,磯博幸,望月聖. Владелец: 日商阿爾貝克成膜股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-01.

Mask blank, phase-shifting mask, method of manufacturing mask blank, and method of manufacturing phase-shifting mask

Номер патента: TW201923119A. Автор: 諸沢成浩. Владелец: 日商阿爾貝克成膜股份有限公司. Дата публикации: 2019-06-16.

Pattern forming method and phase shift mask manufacturing method

Номер патента: US20070187361A1. Автор: Hideki Suda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

PHASE SHIFT MASK BLANK, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20150168823A1. Автор: Nozawa Osamu,Sakai Kazuya,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-18.

PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND BLANK PREPARING METHOD

Номер патента: US20180356720A1. Автор: INAZUKI Yukio,KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-13.

Optical pattern irradiation method, halftone phase shift mask, and halftone phase shift mask blank

Номер патента: JP5879951B2. Автор: 龍二 小板橋,英雄 金子,博樹 吉川,吉川　博樹,判臣 稲月,金子　英雄,稲月　判臣,崇 原口,小板橋　龍二,洋介 小嶋,原口　崇,智一 廣瀬. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2016-03-08.

Blank for phase shift mask, phase shift mask, and manufacturing process

Номер патента: DE60102717D1. Автор: Hideo Kaneko,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Tamotsu Maruyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-19.

Phase shift mask blank and method of making a phase shift mask

Номер патента: DE102009015589A1. Автор: Toshiyuki Suzuki,Yasushi Okubo,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture

Номер патента: US20010007731A1. Автор: Hideo Kaneko,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Tamotsu Maruyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-12.

Light pattern exposure method, halftone phase shift mask, and halftone phase shift mask blank

Номер патента: KR101540840B1. Автор: 히로키 요시카와,히데오 가네코,유키오 이나즈키,다카시 하라구치,류지 고이타바시,요스케 고지마,도모히토 히로세. Владелец: 도판 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-07-30.

Phase shift mask blank and method of manufacturing phase shift mask

Номер патента: TWI453529B. Автор: Toshiyuki Suzuki,Yasushi Okubo,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2014-09-21.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture

Номер патента: EP1117000A3. Автор: Yukio c/o Advanced Functio Mat Res. Cent Inazuki,Hideo c/o Advanced Functio Mat Res. Cent Kaneko,Tamotsu Advanced Functio Mat Res. Cent Maruyama,Satoshi Advanced Functio Mat Res. Cent Okazaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-05.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture

Номер патента: US20030235767A1. Автор: Hideo Kaneko,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Masayuki Nakatsu,Tsuneo Numanami,Atsushi Tajika. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Halftone phase shift photomask, blank halftone phase shift mask, and method of making the blank mask

Номер патента: DE69423686D1. Автор: Masahiro Takahashi,Hiroyuki Miyashita,Hiroshi Mohri,Naoya Hayashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-05-04.

Halftone Phase Shift Mask Blank And Halftone Phase Shift Mask

Номер патента: SG10201707730PA. Автор: Hideo Kaneko,Yukio Inazuki,Kouhei Sasamoto,Takuro Kosaka. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2018-04-27.

A phase shift mask blank and a method for manufacturing phase shift mask using the same, and a method for manufacturing the display device

Номер патента: KR102003650B1. Автор: 가즈따께 다니구찌,세이지 즈보이,마사오 우시다. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-07-24.

Light pattern exposure method, halftone phase shift mask, and halftone phase shift mask blank

Номер патента: TW201339739A. Автор: Takashi Haraguchi,Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Yukio Inazuki,Ryuji Koitabashi,Yosuke Kojima,Tomohito Hirose. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2013-10-01.

Phase Shift Mask Blank, Phase Shift Mask and Method of Manufacture

Номер патента: KR100526737B1. Автор: 히데오 가네꼬,유끼오 이나즈끼,다모쯔 마루야마,사또시 오까자끼. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-11-08.

Phase Shift Mask Blank, Phase Shift Mask, and Methods of Manufacture

Номер патента: KR100745940B1. Автор: 히데오 가네꼬,유끼오 이나즈끼,다모쯔 마루야마,사또시 오까자끼. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-08-02.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and methods of manufacture

Номер патента: TW491965B. Автор: Hideo Kaneko,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Tamotsu Maruyama. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2002-06-21.

Phase shift mask blank, phase shift mask and method of manufacture

Номер патента: TW497006B. Автор: Masayuki Suzuki,Ichiro Kaneko,Satoshi Okazaki,Jiro Moriya,Tamotsu Maruyama. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2002-08-01.

Phase shift mask substrate, method of manufacturing phase offset mask using same, and method of manufacturing display device

Номер патента: TW201902684A. Автор: 牛田正男,坪井誠治,谷口和丈. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-16.

Mask blank and phase shift mask using same

Номер патента: US10444619B2. Автор: Hwan Seok Seo,Hye Kyoung Lee,Il Yong JANG,Byung Gook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Mask blank and phase shift mask using same

Номер патента: US20180033612A1. Автор: Hwan Seok Seo,Hye Kyoung Lee,Il Yong JANG,Byung Gook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-01.

Phase shift mask and production method thereof and production method for semiconductor device

Номер патента: TW200425263A. Автор: Minoru Sugawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Halftone phase shift mask and its manufacturing method

Номер патента: TW538304B. Автор: Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-21.

Halftone phase shift mask blank and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200415436A. Автор: Toshinobu Ishihara,Satoshi Okazaki. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2004-08-16.

Halftone phase shift mask blank and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI261725B. Автор: Toshinobu Ishihara,Satoshi Okazaki. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2006-09-11.

Mask blank, phase-shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR102211544B1. Автор: 오사무 노자와,히로아끼 시시도,가즈야 사까이. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-02-02.

Exposure mask plate blank material, phase-shift mask plate and its manufacturing method

Номер патента: CN104903792B. Автор: 野泽顺,宍戸博明,酒井和也. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-11-01.

Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN114521245A. Автор: 前田仁,宍戸博明. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-05-20.

Attenuated phase shift mask and process for fabricating such a mask

Номер патента: EP0686876A2. Автор: Christopher A. Spence,Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1995-12-13.

Phase shift mask, method for manufacturing the same, and method for forming micro pattern

Номер патента: US20160170294A1. Автор: Hyun Joo Lee,Min Kang,Yong Son,Jin Ho JU,Bong Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Production of phase shift mask

Номер патента: JPH1048809A. Автор: Jun-Seok Lee,ジュン・ショク・イ. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-20.

Phase shift mask

Номер патента: KR100219079B1. Автор: 정우영,이태국. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-09-01.

Large-size phase shift mask and producing method of same

Номер патента: CN103890657A. Автор: 木下一树,二岛悟,飞田敦. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2014-06-25.

Photomask blank and phase shift mask

Номер патента: JP4507216B2. Автор: 順 野澤,勇樹 塩田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-07-21.

Phase shift mask and fabrication method thereof

Номер патента: KR100201040B1. Автор: 슈지 나카오. Владелец: 다니구찌 이찌로오; 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-06-15.

Apparatus and system for improving imaging performance of phase shift mask, and method thereof

Номер патента: JP4476243B2. Автор: オー． スーウェル ハリー. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2010-06-09.

Photomask blank and phase shift mask

Номер патента: JP4330622B2. Автор: 順 野澤,勇樹 塩田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Optical component e.g. phase shift mask, forming method for microelectronic application, involves inserting adjustment layer between stack, etching stack and layer parts and annealing layer to contract it to less than one nanometer

Номер патента: FR2884965A1. Автор: Etienne Quesnel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2006-10-27.

Phase shift mask ans fabrication method therefor

Номер патента: KR100190115B1. Автор: 문성용,차동호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of making a RIM absorption phase shift mask

Номер патента: DE19725808C2. Автор: Jun-Seok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-09.

Device and system for improving phase shift mask imaging performance and associated methods

Номер патента: EP1343050A3. Автор: Harry O. Sewell. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2004-05-19.

Phase-shifting mask and manufacturing method thereof

Номер патента: CN115202146A. Автор: 黄早红,任新平. Владелец: Shanghai Chuanxin Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Phase shift mask and method for manufacturing the same

Номер патента: CN106200255B. Автор: 陈高惇. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Double alternating phase shifting mask

Номер патента: TW381191B. Автор: Sz-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Method of optical lithography using phase shift masking

Номер патента: CN1115876A. Автор: 克里斯托弗·A·斯彭斯. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-01-31.

Adjustable transmission phase shift mask

Номер патента: US6841308B1. Автор: Kunal N. Taravade,Dodd C. Defibaugh. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-01-11.

Phase shift mask formation method for transparent substrate

Номер патента: DE19725808A1. Автор: Jun-Seok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-08.

Half tone phase shift mask

Номер патента: JPH1073914A. Автор: Woo Yung Jung,ウ ヨン ジョン,Tae Gook Lee,テ クック イ. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Attenuated phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112099308A. Автор: 刘志成,王见明,陈庆煌,柯思羽. Владелец: Quanxin Integrated Circuit Manufacturing Jinan Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-18.

Device and system for improving phase shift mask imaging performance and associated methods

Номер патента: EP1343050A2. Автор: Harry O. Sewell. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2003-09-10.

Apparatus and system for improving phase shift mask imaging performance and associated methods

Номер патента: US20050190355A1. Автор: Harry Sewell. Владелец: Asml Holding Nv. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP3131765B2. Автор: ホン・ソク・キム. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2001-02-05.

Adjustable transmission phase shift mask

Номер патента: US20050112478A1. Автор: Kunal Taravade,Dodd Defibaugh. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Apparatus and system for improving phase-shift mask image performance and its method

Номер патента: CN1453635A. Автор: 哈里·O·西威尔. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2003-11-05.

Method of opticlal lithography using phase shift masking

Номер патента: KR100382043B1. Автор: 크리스토퍼에이.스펜스. Владелец: 아드밴스트 마이크로 디이바이시스 인코포레이티드. Дата публикации: 2003-07-04.

Manufacturing method and apparatus of phase shift mask blank

Номер патента: US20040191651A1. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

The structure of phase shift mask and manufacture therefrom

Номер патента: KR0161879B1. Автор: 이준석. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-01-15.

Phase shift mask blank and manufacturing method thereof

Номер патента: TW535030B. Автор: Hideo Kaneko,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Tetsushi Tsukamoto. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2003-06-01.

Phase shift mask blanks, their manufacture and use

Номер патента: EP1286217B1. Автор: Hideo Kaneko,Yukio Inazuki,Tetsushi Tsukamoto,Satoshi Okazaki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Robust, high transmission pellicle for extreme ultraviolet lithography systems

Номер патента: US20210132490A1. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Mask for Extreme-Ultraviolet (Extreme-UV) Lithography and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20190155138A1. Автор: Jae Uk Lee,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-05-23.

Extreme ultraviolet lithography photomasks

Номер патента: US09946152B2. Автор: Jed H. Rankin,Zhengqing John QI,Christina A. Turley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Extreme ultraviolet lithography photomasks

Номер патента: US20170315438A1. Автор: Jed H. Rankin,Zhengqing John QI,Christina A. Turley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Chromeless phase-shifting mask for equal line/space dense line patterns

Номер патента: US20060240332A1. Автор: Yuan-Hsun Wu,Yung-Long Hung,Chia-Tsung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of manufacturing chromeless phase shift mask

Номер патента: US20040009412A1. Автор: In-kyun Shin,Myung-Ah Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-15.

Phase shift mask for avoiding phase conflict

Номер патента: US20080213676A1. Автор: Chih-Li Chen,Tsan Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Phase shift masking for "double-T" intersecting lines

Номер патента: US20020197546A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Full phase shifting mask in damascene process

Номер патента: EP1483628B1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

Full phase shifting mask in damascene process

Номер патента: EP1483628A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-08.

Full phase shifting mask in damascene process

Номер патента: EP1483628A4. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Method of mask making to prevent phase edge and overlay shift for chrome-less phase shifting mask

Номер патента: WO2008030950A2. Автор: Yung Tin Chen. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of Mask Making to Prevent Phase Edge and Overlay Shift For Chrome-Less Phase Shifting Mask

Номер патента: US20080057409A1. Автор: Yung Tin Chen. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of mask making to prevent phase edge and overlay shift for chrome-less phase shifting mask

Номер патента: WO2008030950A3. Автор: Yung Tin Chen. Владелец: Yung Tin Chen. Дата публикации: 2008-08-14.

Method and apparatus for allowing phase conflicts in phase shifting mask and chromeless phase edges

Номер патента: US20030023401A1. Автор: Hua-yu Liu. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for fabricating phase shifting mask

Номер патента: US5891596A. Автор: Yong Kyoo Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-06.

Phase-shifting mask and method of forming pattern using the same

Номер патента: US6800402B2. Автор: Masashi Fujimoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Phase shift mask, and exposure method and device manufacturing method using the same

Номер патента: US20040053144A1. Автор: Kenji Yamazoe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Alternating phase shift mask

Номер патента: US6977127B2. Автор: Yi-Yu Hsu,Yu-Cheng Tung,Chii-Ming Shiah,Jong-Bor Wang,Hung-Yueh Liao,Kao-Tsai Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for forming integrated circuit devices using a phase shifting mask

Номер патента: US5292623A. Автор: Bernard J. Roman,Kevin G. Kemp. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-03-08.

Phase-shifting mask and method for manufacturing the same

Номер патента: US5882824A. Автор: Byeong Chan Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-16.

Alternating phase shifting mask

Номер патента: US20030049544A1. Автор: Chien-Wen Lai,I-Hsiung Huang,Chien-Ming Wang,Feng-Yuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Exact transmission balanced alternating phase-shifting mask for photolithography

Номер патента: US5932377A. Автор: Scott M. Mansfield,Lars W. Liebmann,Richard A. Ferguson,David S. O'Grady,Alfred K. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Phase edge phase shift mask enforcing a width of a field gate image and fabrication method thereof

Номер патента: US20040091794A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Jeong-lim Nam,Moon-hyun Yoo,Chul-Hong Park,Yoo-hyon Kim,Soo-Han Choi,Hye-Soo Shin,Young-Chan Ban. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Multi-layer alternating phase shift mask structure

Номер патента: US20090029266A1. Автор: Allen B. Gardiner,Richard Schenker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Phase shift mask including a substrate with recess

Номер патента: US20050260506A1. Автор: Satoshi Aoyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-24.

Phase shift mask including a substrate with recess

Номер патента: US20080070416A1. Автор: Satoshi Aoyama. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Phase-shifting masks for photolithography

Номер патента: US5916711A. Автор: Amnon Yariv,Boaz Salik. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1999-06-29.

System for Coloring a Partially Colored Design in an Alternating Phase Shift Mask

Номер патента: US20080244503A1. Автор: Lars W. Liebmann,Young O. Kim,Mark A. Lavin,Ioana Graur. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Designing method and device for phase shift mask

Номер патента: US20050262468A1. Автор: Kei Mesuda,Nobuhito Toyama. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Phase Shift Mask for Extreme Ultraviolet Lithography and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20140038086A1. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Anthony Yen,Tsiao-Chen Wu,Chih-Tsung Shih,Hsin-Chang Lee,Shu-Hao Chang,Chia-Jen Chen,Pei-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

PHASE-SHIFT MASK FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY

Номер патента: US20180143527A1. Автор: Lee Taehoon,Kim Seongsue,CHALYKH Roman,SEO Hwanseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-24.

Embedded phase shifting mask with improved relative attenuated film transmission

Номер патента: US5618643A. Автор: Giang T. Dao,Gang Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Phase-shifting mask for projection photolithography and method for producing it

Номер патента: IE911163A1. Автор: Christoph Noelscher,Leonhard Mader. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-10-09.

Phase shift mask, blank for phase shift mask, and manufacturing method of phase shift mask

Номер патента: KR970076063A. Автор: 슈지 나까오,고우이찌로 쯔지따,다쯔노리 가네오까. Владелец: 기따오까 다까시. Дата публикации: 1997-12-10.

Phase shift mask, blank for phase shift mask, and method of manufacturing phase shift mask

Номер патента: KR100230714B1. Автор: 슈지 나까오,고우이찌로 쯔지따,다쯔노리 가네오까. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-11-15.

Method of repairing a phase shift mask and phase shift mask repaired by this method

Номер патента: DE10249193B4. Автор: Yo-han Yongin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

OPC method and program for generating corrected patterns for a phase-shifting mask and its trimming mask and associated device and integrated circuit configuration

Номер патента: TW507112B. Автор: Wilhelm Maurer,Rainer Zimmermann,Juergen Knobloch,Marco Ahrens. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-21.

Method for creating the sub-resolution phase shifting pattern for outrigger type phase shifting masks

Номер патента: US6301698B1. Автор: Chia-Hui Lin,San-De Tzu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Method and structure for fabricating patterns on phase shift mask for the manufacture of semiconductor wafers

Номер патента: US20050069783A1. Автор: Chi-Yuan Hung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Method of enhancing clear field phase shift masks with border regions around phase 0 and phase 180 regions

Номер патента: EP1454190A1. Автор: Todd P. Lukanc,Christopher A. Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Notched trim mask for phase shifting mask

Номер патента: US7695871B2. Автор: Paulus J. M. van Adrichem. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Phase shift mask, blank for such a mask and method for producing such a mask

Номер патента: DE69606979D1. Автор: Shuji Nakao,Tatsunori Kaneoka,Kouichirou Tsujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-13.

Method of enhancing phase shift masks

Номер патента: AU2002360533A1. Автор: Todd P. Lukanc,Christopher A. Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-06-23.

Pattern forming method and phase shift mask manufacturing method

Номер патента: TWI345132B. Автор: Hideki Suda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-07-11.

Phase-shifting mask and process for manufacturing the same

Номер патента: TW454255B. Автор: Kunio Watanabe. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2001-09-11.

Method of enhancing clear field phase shift masks with border regions around phase 0 and phase 180 regions

Номер патента: AU2002359860A1. Автор: Todd P. Lukanc,Christopher A. Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-07-09.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180252995A1. Автор: MATSUMOTO Atsushi,Uchida Takashi,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-09-06.

Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180299767A1. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Ryo Ohkubo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Phase shift mask and method of making such a mask

Номер патента: DE69622438T2. Автор: Shuji Nakao,Tatsunori Kaneoka,Kouichirou Tsujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201727355A. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Ryo Ohkubo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Mask base, manufacturing method of phase shift mask, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TWI696882B. Автор: 野澤順,大久保亮,宍戶博明. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2020-06-21.

Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201835674A. Автор: 野澤順,大久保亮,宍戶博明. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-01.

Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2017077915A1. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,亮 大久保. Владелец: Hoya株式会社. Дата публикации: 2017-05-11.

Mask blank, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR102416957B1. Автор: 오사무 노자와,히로아끼 시시도,료 오꾸보. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-05.

Mask blank, phase shift mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5823655B1. Автор: 博明 宍戸,淳志 小湊,崇 打田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101759046B1. Автор: 다까시 우찌다,히로아끼 시시도,아쯔시 고미나또. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-07-17.

Method of measuring a phase of a phase shift mask and apparatus for performing the same

Номер патента: KR101484937B1. Автор: 김성수,이동근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-01-21.

Method of enhancing clear field phase shift masks with chrome border around phase 180 regions

Номер патента: TW200300862A. Автор: Todd P Lukanc,Christopher A Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-06-16.

Method of enhancing clear field phase shift masks with chrome border around phase 180 regions

Номер патента: TWI265370B. Автор: Todd P Lukanc,Christopher A Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Phase shift masking for complex patterns

Номер патента: US6503666B1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Phase shift mask for manufacturing contact hole

Номер патента: KR0179552B1. Автор: 김영식,안창남. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-04-01.

Transparent phase shift mask for fabrication of small feature sizes

Номер патента: US6933085B1. Автор: George Talor. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2005-08-23.

Chromeless Phase Shift Mask Structure and Process

Номер патента: US20190377255A1. Автор: Lin Yun-Yue,Lee Hsin-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Phase shift mask and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100219485B1. Автор: 신인균. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-01.

Phase shifting mask with an assist pattern and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100523646B1. Автор: 이준석. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

A fabrication method of phase shift mask

Номер патента: KR0183923B1. Автор: 문성용,신인균,강호영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 1999-04-01.

Fabrication method of phase shift mask

Номер патента: KR0135149B1. Автор: 최용규. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-04-25.

Phase shift mask and method for fabricating the same

Номер патента: CN1114129C. Автор: 裵相满. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-09.

Phase shift mask and manufacture thereof

Номер патента: KR0157883B1. Автор: 이준석. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-12-15.

Half-tone phase shift mask and fabrication method

Номер патента: KR970009822B1. Автор: 함영목. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-06-18.

A phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR100641915B1. Автор: 김서민,임창문. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-02.

Phase shift mask and method of forming the same

Номер патента: KR100844981B1. Автор: 최선영,김희범,윤기성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-07-09.

Simplified process for making an outrigger type phase shift mask

Номер патента: US6251547B1. Автор: Chia-Hui Lin,San-De Tzu,Wei-Zen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-06-26.

Phase shift mask and method for fabricating the same

Номер патента: CN1081804C. Автор: 金永武,咸泳穆. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-27.

Phase shift mask and fabricating method thereof

Номер патента: US7332098B2. Автор: Jun Seok Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Method of Fabricating an Integrated Circuit using a Tri-Tone Attenuated Phase Shifting Mask Corrected for Proximity Effects

Номер патента: EP2177948A1. Автор: Youping Zhang,Christophe Pierrat. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Phase shift mask and method for manufacturing the same

Номер патента: TW347484B. Автор: SHIN In-Kyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-11.

Method of manufacturing chrome-less phase shift mask

Номер патента: KR100607203B1. Автор: 김성혁,신인균,윤기성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Phase shift mask and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100243713B1. Автор: 슈지 나까오. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 2000-02-01.

Phase shift mask

Номер патента: GB2291218B. Автор: Young Mog Ham. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-05.

Phase shift mask

Номер патента: JP2500039B2. Автор: バーン・ジェング・リン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-05-29.

Method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask

Номер патента: EP1344107B1. Автор: Youping Zhang,Christophe Pierrat. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-05-05.

Phase shift mask and method for manufacturing the same

Номер патента: TW378281B. Автор: Sz-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-01.

Method of forming and testing a phase shift mask

Номер патента: US7232629B2. Автор: Lin-Hsin Tu,Kun-Rung Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-19.

Method of making phase shift mask

Номер патента: KR940005606B1. Автор: 금은섭. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-06-21.

Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask

Номер патента: CN1633626A. Автор: Y·张,C·皮埃拉特. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2005-06-29.

Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission

Номер патента: AU5681194A. Автор: Kah Kuen Low,Prahalad K Vasudev. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 1994-08-15.

Phase-shift mask and method of forming the same

Номер патента: US20080145771A1. Автор: Gi-sung Yoon,Hee-Bom Kim,Sun-young Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Phase-shifting mask and method of fabricating the same

Номер патента: KR20020089195A. Автор: 이와사키하루오. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-11-29.

Generic phase shift masks

Номер патента: US6479196B2. Автор: Marc David Levenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-12.

Phase shift mask and method for manufacturing light-collecting device

Номер патента: US7846620B2. Автор: Toshinobu Matsuno,Kimiaki Toshikiyo,Motonori Ishii,Kazutoshi Onozawa,Takanori YOGO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Phase shift mask

Номер патента: US20040043306A1. Автор: Satoshi Aoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of fabricating chrome-less phase shift mask

Номер патента: US20060147819A1. Автор: In-kyun Shin,Gi-sung Yoon,Sung-Hyuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Process for restoring lithographic phase shift masks

Номер патента: DE69228725T2. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1999-09-09.

Phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100213250B1. Автор: 윤희선. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-08-02.

Fabrication of self-aligned attenuated rim phase shift mask

Номер патента: TW308651B. Автор: Chia-Shiung Tsai,Jung-Hsien Hsu,Chung-Kuang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-06-21.

A method of patterning photoresist on a wafer using an attenuated phase shift mask

Номер патента: TW200425269A. Автор: Pawitter Mangat,James R Wasson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-11-16.

A method of patterning photoresist on a wafer using an attenuated phase shift mask

Номер патента: TWI340989B. Автор: Pawitter Mangat,James R Wasson. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for preparing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and thin film forming apparatus

Номер патента: US20180059532A1. Автор: Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Mask blank, mask blank with negative resist film, phase shift mask, and method for producing pattern formed body using same

Номер патента: US09874808B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Katsuya Hayano,Takashi Adachi,Ayako Tani,Hideyoshi Takamizawa,Youichi Miura,Youhei Ohkawa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for preparing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and thin film forming apparatus

Номер патента: US20200026180A1. Автор: Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for preparing halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and thin film forming apparatus

Номер патента: US10466582B2. Автор: Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Single-mask dual damascene processes by using phase-shifting mask

Номер патента: US5976968A. Автор: Chang-Ming Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1999-11-02.

Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200409252A1. Автор: Hitoshi Maeda,Ryo Ohkubo,Kazutake Taniguchi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Phase shift mask and electronic component manufacturing method

Номер патента: EP3762775A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaoxiang Zhang,Yongzhi SONG,Huibin Guo,Wenqing Xu,Mingxuan Liu,Zumou Wu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-13.

Phase shift mask and electronic component manufacturing method

Номер патента: US20210356856A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaoxiang Zhang,Yongzhi SONG,Huibin Guo,Wenqing Xu,Mingxuan Liu,Zumou Wu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Phase shift mask and electronic component manufacturing method

Номер патента: WO2019153796A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaoxiang Zhang,Yongzhi SONG,Huibin Guo,Wenqing Xu,Mingxuan Liu,Zumou Wu. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-15.

Transistor arrangement, sense-amplifier arrangement and methods of manufacturing the same via a phase shift mask

Номер патента: US20080042171A1. Автор: Mario Hennig,Rainer Pforr,Karsten Zeiler,Jörg Thiele,Sebastian Mosler,Thi Phuong Hoa Nguyen. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-02-21.

Chromeless Phase Shift Mask Structure And Process

Номер патента: US20180059531A1. Автор: Yun-Yue Lin,Hsin-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of manufacturing EUVL alternating phase-shift mask

Номер патента: US20060240334A1. Автор: Dong-wan Kim,Chan-uk Jeon,Seong-Woon Choi,Hee-Bom Kim,Sung-min Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-26.

Phase-shift mask

Номер патента: US9638993B2. Автор: Wusheng Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Phase-shift mask

Номер патента: US20150301443A1. Автор: Wusheng Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Designing method and device for phase shift mask

Номер патента: US20060141365A1. Автор: Yasutaka Morikawa,Kei Mesuda,Nobuhito Toyama. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Mask for extreme ultraviolet lithography and method for manufacturing same

Номер патента: US20210397078A1. Автор: Jung Sik Kim,Jinho Ahn,Dong Min Jeong. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-23.

Extreme ultraviolet lithography method using robust, high transmission pellicle

Номер патента: US12055855B2. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Pellicle for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: EP4075195A1. Автор: Hyeong Keun Kim,Seul Gi Kim,Hyun Mi Kim,Jin Woo Cho,Ki Hun Seong. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2022-10-19.

Blankmask and photomask for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US20210132487A1. Автор: Jong-Hwa Lee,Cheol Shin,Chul-Kyu Yang,Gil-Woo KONG,Gyeong-Won SEO. Владелец: S&S Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Ultra-smooth layer ultraviolet lithography mirrors and blanks, and manufacturing and lithography systems therefor

Номер патента: US20140268083A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Ralf Hofmann,Cara Beasley,Soumendra N. Barman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Extreme ultraviolet lithography method using robust, high transmission pellicle

Номер патента: US20230251566A1. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Extreme Ultraviolet Lithography System, Device, and Method for Printing Low Pattern Density Features

Номер патента: US20200319545A1. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Extreme ultraviolet lithography system, device, and method for printing low pattern density features

Номер патента: US20180173089A1. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Extreme ultraviolet lithography process and mask

Номер патента: US09996013B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Extreme ultraviolet lithography process and mask

Номер патента: US09829785B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Extreme ultraviolet lithography process

Номер патента: US09760015B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Ultra-smooth layer ultraviolet lithography mirrors and blanks, and manufacturing and lithography systems therefor

Номер патента: WO2014152033A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Ralf Hofmann,Cara Beasley,Soumendra N. Barman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Multiple Exposures in Extreme Ultraviolet Lithography

Номер патента: US20140272720A1. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method providing for asymmetric pupil configuration for an extreme ultraviolet lithography process

Номер патента: US09886543B2. Автор: Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen,Norman Chen,Chih-Tsung Shih,Chia-Chun Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Extreme ultraviolet lithography process and mask

Номер патента: US20160306272A1. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Extreme Ultraviolet Lithography Process and Mask

Номер патента: US20150098069A1. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-09.

Extreme Ultraviolet Lithography Process and Mask

Номер патента: US20140268091A1. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Extreme ultraviolet lithography (euvl) alternating phase shift mask

Номер патента: US20140170533A1. Автор: Lei Sun,Vibhu Jindal,Pawitter S. Mangat,II Obert R. Wood. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Damascene extreme ultraviolet lithography (euvl) photomask and method of making

Номер патента: EP1412817A2. Автор: Pei-Yang Yan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-28.

Damascene extreme ultraviolet lithography (euvl) photomask and method of making

Номер патента: WO2003012546A3. Автор: Pei-Yang Yan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Mask blank, phase-shift mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210208497A1. Автор: Masahiro Hashimoto,Hiroaki Shishido,Hitoshi Maeda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Phase-shift mask blank for display device manufacture, phase-shift mask for display device manufacture and its manufacturing method, and method for manufacturing display device

Номер патента: KR101935171B1. Автор: 세이지 즈보이,마사오 우시다,유따까 요시까와. Владелец: 호야 일렉트로닉스 말레이지아 센드리안 베르하드. Дата публикации: 2019-01-03.

Phase shift mask blank for manufacturing display device, phase shift mask for manufacturing display device, method for manufacturing the same, and method for manufacturing display device

Номер патента: JP6266322B2. Автор: 誠治 坪井,正男 牛田,吉川　　裕,裕 吉川. Владелец: Hoya Electronics Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2018-01-24.

Phase-shift mask blank for display device manufacture, phase-shift mask for display device manufacture and its manufacturing method, and method for manufacturing display device

Номер патента: TWI655670B. Автор: 牛田正男,吉川裕,坪井誠治. Владелец: 馬來西亞商Hoya電子馬來西亞私人股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-01.

Phase-shift mask blank for display device manufacture, phase-shift mask for display device manufacture and its manufacturing method, and method for manufacturing display device

Номер патента: TWI591422B. Автор: 牛田正男,吉川裕,坪井誠治. Владелец: Ｈｏｙａ電子馬來西亞私人股份有限公司. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of determining alignment in the forming of phase shift regions in the fabrication of a phase shift mask

Номер патента: AU6398000A. Автор: J. Brett Rolfson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-13.

Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPWO2016103843A1. Автор: 博明 宍戸,猛伯 梶原,野澤　順,順 野澤. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Sub-micron device fabrication with a phase shift mask having multiple values of phase delay

Номер патента: US5229255A. Автор: Donald L. White. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP6599281B2. Автор: 博明 宍戸,猛伯 梶原,順 野澤. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-10-30.

PHASE SHIFT MASKS AND METHODS OF FORMING PHASE SHIFT MASKS

Номер патента: US20140170534A1. Автор: Kim Hoon,NAM Dong-Seok,MOON Se-Gun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-19.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing display device

Номер патента: CN107229181B. Автор: 牛田正男,坪井诚治. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Phase shift mask manufacturing method and phase shift mask

Номер патента: CN108345171B. Автор: 张小祥,李小龙,徐文清,刘明悬,郭会斌,宋勇志,吴祖谋. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-21.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and blank preparing method

Номер патента: KR102223666B1. Автор: 유키오 이나즈키,다쿠로 고사카. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-03-05.

Phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: CN101080671A. Автор: 田中启司,佐佐木淳,小西敏雄,根本悟,小岛洋介. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: EP3079011B1. Автор: Yukio Inazuki,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-01.

The manufacture method of phase shifting mask blanket, phase shifting mask and display device

Номер патента: CN107229181A. Автор: 牛田正男,坪井诚治. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: CN101080671B. Автор: 田中启司,佐佐木淳,小西敏雄,根本悟,小岛洋介. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-12.

Manufacturing method of phase shift mask and phase shift mask

Номер патента: US20200174359A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaoxiang Zhang,Yongzhi SONG,Huibin Guo,Wenqing Xu,Mingxuan Liu,Zumou Wu. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

PHASE SHIFT MASK BLANK, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20200310240A1. Автор: KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-01.

Phase shift mask blank, manufacturing method of phase shift mask, and manufacturing method of display device

Номер патента: JP7073246B2. Автор: 勝 田辺,敬司 浅川. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-05-23.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: US9005851B2. Автор: Masahiro Hashimoto,Hiroyuki Iwashita,Hiroaki Shishido,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Phase shift mask and manufacturing method thereof, and phase shift mask photoetching equipment

Номер патента: CN110967918A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Manufacturing method for phase shift mask blank, phase shift mask and display device

Номер патента: KR20170113083A. Автор: 세이지 즈보이,마사오 우시다. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-10-12.

Photomask blank, method for manufacturing photomask, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: SG195487A1. Автор: Hideo Nakagawa,Kouhei Sasamoto,Souichi Fukaya. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2013-12-30.

A mask substrate, a phase offset mask, a manufacturing method of a phase shift mask, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: TWI584056B. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Takenori Kajiwara. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-05-21.

Damascene extreme ultraviolet lithography (euvl) photomask and method of making

Номер патента: WO2003012546A2. Автор: Pei-Yang Yan. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2003-02-13.

Alternating phase shift masking for multiple levels of masking resolution

Номер патента: WO2002073312A1. Автор: Shao-Po Wu. Владелец: Numerical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2002-09-19.

Multi-step phase shift mask and methods for fabrication thereof

Номер патента: TWI268400B. Автор: Ming Lu,Li-Wei Kung,Bin-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-11.

Embedded attenuated phase shift mask with tunable transmission

Номер патента: TW200535575A. Автор: Guang-Ming Xiao. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2005-11-01.

Embedded attenuated phase shift mask with tunable transmission

Номер патента: TWI270754B. Автор: Guang-Ming Xiao. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2007-01-11.

Phase shift mask and method of manufacture

Номер патента: TW497007B. Автор: Hideo Kaneko,Satoshi Okazaki,Shinichi Takano,Sadaomi Inazuki,Tamotsu Maruyama. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2002-08-01.

MASK BLANK AND PHASE SHIFT MASK USING SAME

Номер патента: US20180033612A1. Автор: Kim Byung Gook,LEE Hye Kyoung,JANG Il Yong,SEO Hwan Seok. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

MASK BLANK, PHASE-SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200064727A1. Автор: Nozawa Osamu,Sakai Kazuya,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-27.

MASK BLANK, PHASE-SHIFT MASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20210208497A1. Автор: Hashimoto Masahiro,SHISHIDO Hiroaki,Maeda Hitoshi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2021-07-08.

MASK BLANK AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20150198873A1. Автор: OHKUBO Ryo,Okubo Yasushi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-16.

Mask blank, phase shift mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6297734B2. Автор: 博明 宍戸,猛伯 梶原,野澤　順,順 野澤. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Mask blank and method for manufacturing phase-shift mask

Номер патента: WO2014010408A1. Автор: 亮 大久保,大久保　靖. Владелец: Hoya株式会社. Дата публикации: 2014-01-16.

Mask blank, phase shift mask and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP6547019B1. Автор: 仁 前田,亮 大久保,康隆 堀込. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN111758071A. Автор: 堀込康隆,前田仁,大久保亮. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-10-09.

Mask blank, phase shift mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6621626B2. Автор: 博明 宍戸,淳志 小湊,崇 打田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-12-18.

Mask blank, phase shift mask, and semiconductor device production method

Номер патента: WO2017057376A1. Автор: 博明 宍戸,猛伯 梶原,野澤　順. Владелец: Hoya株式会社. Дата публикации: 2017-04-06.

Mask blank and method for manufacturing phase-shift mask

Номер патента: KR102056509B1. Автор: 야스시 오꾸보,료 오꾸보. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-12-16.

Mask blank and method of manufacturing phase shift mask

Номер патента: US9952497B2. Автор: Yasushi Okubo,Ryo Ohkubo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2019130802A1. Автор: 博明 宍戸,雅広 橋本,崇 打田,真理子 内田. Владелец: ホーヤ エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド. Дата публикации: 2019-07-04.

Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: SG11202005137VA. Автор: Takashi Uchida,Masahiro Hashimoto,Hiroaki Shishido,Mariko Uchida. Владелец: Hoya Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-07-29.

MASK BLANK AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20170023856A1. Автор: OHKUBO Ryo,Okubo Yasushi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2017-01-26.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200064726A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-27.

MASK BLANK, PHASE-SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190146327A1. Автор: Nozawa Osamu,Sakai Kazuya,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-16.

MASK BLANK, PHASE-SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150338731A1. Автор: Nozawa Osamu,Sakai Kazuya,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

Mask blank, phase shift mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6133530B1. Автор: 博明 宍戸,猛伯 梶原,野澤　順,順 野澤. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-05-24.

Photolithography Monitoring Mark, Photolithography Mask Comprising An Exposure Monitoring Mark, And Phase Shift Mask Comprising An Exposure Monitoring Mark

Номер патента: US20100316939A1. Автор: Woong Jae Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: SG11202010535YA. Автор: Masahiro Hashimoto,Hiroaki Shishido,Hitoshi Maeda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-11-27.

Method for detecting phase error of a phase shift mask

Номер патента: TW409277B. Автор: Hung-Eil Kim,Chang-Nam Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-10-21.

Vortex Phase Shift Mask for Optical Lithography

Номер патента: KR101055246B1. Автор: 마크 데이빗 레벤손. Владелец: 마크 데이빗 레벤손. Дата публикации: 2011-08-08.

Preparation method of phase shift mask for semiconductor process

Номер патента: KR970005055B1. Автор: 허익범. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-04-11.

Photomask blank, method for manufacturing photomask, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: US20130309601A1. Автор: Hideo Nakagawa,Kouhei Sasamoto,Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

PHASE SHIFT MASK AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20160097972A1. Автор: Lee HyunJoo,KANG Min,Ju Jinho,CHA Myounggeun,Son Yong,KIM Bongyeon. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

PHASE SHIFT MASK AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190155142A1. Автор: Lai Yi-Kai. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

PHASE SHIFT MASK, PATTERNING METHOD USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY PANEL USING THE SAME

Номер патента: US20150198872A1. Автор: KANG Min,JU Jin-Ho,KIM Bong-Yeon,Lim Sang-Uk,LEE Hyun-Joo,Woo Jun-Hyuk,Son Yong,Lee Dong-Eon. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

PHASE SHIFT MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170242331A1. Автор: Lai Yi-Kai. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

PHASE SHIFT MASK AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE SAME

Номер патента: US20150293438A1. Автор: Lee HyunJoo,KANG Min,Ju Jinho,WOO Junhyuk,Lee DongEon,Kim Bong Yeon,Son Yong. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

PHASE SHIFT MASK AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160327855A1. Автор: Chen Kao-Tun. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Exposure method using attenuated phase shift mask

Номер патента: JP3315254B2. Автор: 信行 吉岡,順二 宮崎. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-19.

The fabricating method of phase shift mask

Номер патента: KR100244483B1. Автор: 이준석. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of producing phase shift masks

Номер патента: KR101140027B1. Автор: 히데키 스다. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-07-20.

Method of manufacturing phase shift mask

Номер патента: KR0183754B1. Автор: 계종욱. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-01.

Phase shift mask manufacturing method

Номер патента: KR100207473B1. Автор: 우상균. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-15.

Inspection method for phase shift mask and inspection apparatus used for the method

Номер патента: JP3209645B2. Автор: 治彦 楠瀬. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-17.

Method of producing phase shift masks

Номер патента: KR101197804B1. Автор: 히데키 스다. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-12-24.

Phase shift mask

Номер патента: KR100589095B1. Автор: 히로시 모리,도시후미 요코야마,코이치 미카미,치아키 하쓰다. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: KR20060069598A. Автор: 김문식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-21.

Phase shift mask and its manufacturing method

Номер патента: KR100195240B1. Автор: 김형준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

A fabrication method of phase shift mask

Номер патента: KR100215880B1. Автор: 허훈. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-16.

Production of phase shift mask

Номер патента: JPH1124234A. Автор: Junseki Ri,▲じゅん▼ 碩 李. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-29.

Removal method of bridge occured from using phase shift mask

Номер патента: KR960016315B1. Автор: 김영식,함영목. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-12-09.

Phase shift mask and method for manufacturing the same

Номер патента: CN104737072B. Автор: 中村大介,望月圣,影山景弘. Владелец: Ulvac Seimaku KK. Дата публикации: 2020-01-07.

Phase shift mask

Номер патента: KR100544934B1. Автор: 모리히로시,요코야마도시후미,미카미코이치,하쓰다치아키. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-01-24.

Phase shift masks and methods of making the same

Номер патента: KR970011997A. Автор: 히로시 모리,도시후미 요코야마,코이치 미카미,치아키 하쓰다. Владелец: 다이닛폰인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-03-29.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP4443873B2. Автор: 秀喜 須田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-03-31.

Method for manufacturing phase shift mask by using quartz etching

Номер патента: KR100564431B1. Автор: 최성진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-28.

A phase shifting mask

Номер патента: KR100906049B1. Автор: 김종두. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-07-03.

Phase-shifting mask and semiconductor device

Номер патента: US7282461B2. Автор: FENG Jin. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-10-16.

Phase shift mask in semiconductor device

Номер патента: KR100349372B1. Автор: 배상만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Phase shift mask and method for fabricating same

Номер патента: CN1169546A. Автор: 裵相满. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-07.

Forming method for phase shift mask

Номер патента: KR100388320B1. Автор: 구영모,박동혁,구상술. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-25.

Phase-shifting masks with sub-wavelength diffractive optical elements

Номер патента: US8122388B2. Автор: Bin Hu,Yan Borodovsky,Vivek Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Method of making a rim-type phase-shift mask

Номер патента: EP0598672A1. Автор: Stanislav Peter Bajuk,David Shawn O'grady,Edward Tekle Smith. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-05-25.

Fabrication method of phase shift mask

Номер патента: KR0143339B1. Автор: 문승찬. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-08-17.

Phase shift mask defect repair method and defect repair device

Номер патента: JP3015646B2. Автор: 好 元 介 三,村 勝 弥 奥. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-06.

Self-aligning alignment marks for phase shift masks

Номер патента: DE69518809D1. Автор: Christophe Pierrat,John Joseph Demarco. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 2000-10-19.

The fabricating of phase shift mask

Номер патента: KR100244482B1. Автор: 이준석,신동진. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for fabricating phase shift mask

Номер патента: KR100623922B1. Автор: 조직호,유곤식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-13.

Phase shift mask and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100380982B1. Автор: 배상만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-10.

Phase shifting mask

Номер патента: EP0492630A2. Автор: Hiroyoshi Tanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-07-01.

Method for forming the phase shifting mask

Номер патента: KR100790564B1. Автор: 이준식,김문식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-02.

A fabrication method of phase shift mask

Номер патента: KR100215906B1. Автор: 김영관,한현규. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-16.

Method of producing phase shift masks

Номер патента: KR20060055527A. Автор: 히데키 스다. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-05-23.

Method for Fabricating of Phase Shifting Mask

Номер патента: KR100370167B1. Автор: 김홍익,심경진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for fabricating phase shift mask in semicondutor device

Номер патента: KR101039139B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-03.

Embedded attenuated phase shift mask with tunable transmission

Номер патента: WO2005090931A1. Автор: Guangming Xiao. Владелец: PHOTRONICS, INC.. Дата публикации: 2005-09-29.

Phase shift mask and its manufacturing method

Номер патента: KR100195241B1. Автор: 임성출. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of correcting phase shift mask efects using photoresist

Номер патента: KR950012540B1. Автор: 김영식,복철규,허익범. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-10-18.

Vortex phase-shift mask in photoetching technique

Номер патента: CN1294454C. Автор: 马克·戴维·利文森. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2007-01-10.

Method of manufacturing photomask, method of manufacturing phase-shifting mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO1997048019A1. Автор: Yasuo Sato,Toshio Suzuki,Eiji Tsujimoto. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 1997-12-18.

Phase-shifting mask and semiconductor device

Номер патента: US20060166517A1. Автор: FENG Jin. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-07-27.

The manufacture of phase shift mask

Номер патента: KR0138066B1. Автор: 함영목. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-04-28.

Row-based placement scoring and legalization measure for books with phase shift mask dependencies

Номер патента: US20030084419A1. Автор: Ivan Wemple,Kevin McCullen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Phase shift mask

Номер патента: KR0159017B1. Автор: 안창남. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-12-15.

Phase-shift mask and method for forming a pattern

Номер патента: TW200928577A. Автор: Kuo-Kuei Fu,Yuan-Hsun Wu,Ya-Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

Manufacturing integrated circuits using phase-shifting masks

Номер патента: AU2002229132A1. Автор: Christophe Pierrat,J. Tracy Weed,Yagyensh Pati (Buno),Atul Sharan. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-08.

Phase-shift mask and method for forming a pattern

Номер патента: TWI372939B. Автор: Kuo Kuei Fu,Ya Chih Wang,Yuan Hsun Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-09-21.

REFLECTIVE MASKS FOR USE IN EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160116835A1. Автор: SEO Hwan-seok,KIM Seong-Sue,KIM Tae-Geun,KIM In-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Photomask for extreme ultraviolet lithography and method for fabricating the same

Номер патента: US8158305B2. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Mask for extreme ultraviolet photolithography

Номер патента: US20210341829A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Ta-Cheng Lien,Wen-Chang Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Extreme ultraviolet (EUV) multilayer defect compensation and EUV masks

Номер патента: US9052617B2. Автор: Alfred Wagner,Gregory R. McIntyre,Emily E. Gallagher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Extreme ultraviolet lithography method, extreme ultraviolet mask and formation method thereof

Номер патента: US12072633B2. Автор: BO-TSUN Liu,Chih-Tsung Shih,Yu-Hsun Wu,Tsung-Chuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Mask for extreme ultraviolet photolithography

Номер патента: US11815805B2. Автор: Hsin-Chang Lee,Ta-Cheng Lien,Wen-Chang Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Extreme Ultraviolet Lithography Process and Mask

Номер патента: US20140272679A1. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Alternating phase shift mask and method for fabricating the alignment monitor

Номер патента: SG129216A1. Автор: Shyue Fong Quek,Sang Yee Loong,Ting Cheong Ang,Swee Hong Choo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-02-26.

Phase shift mask and method of manufacturing phase shift mask

Номер патента: TW200604726A. Автор: Jiro Yamamoto. Владелец: Semiconductor Leading Edge Tec. Дата публикации: 2006-02-01.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: AU2003232155A1. Автор: William J. Dauksher,Bernard J. Roman,Cesar M. Garza,Wei E. Wu,Panwitter J. S. Mangat,Kevin J. Nordquist. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-02-23.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: TW200405134A. Автор: Bernard J Roman,Wei E Wu,Cesar M Garza,Kevin J Nordquist,Panwitter J S Mangat,J Dauksher William. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Phase shift mask production method and phase shift mask

Номер патента: KR101760337B1. Автор: 요시노리 코바야시,사토루 모치쥬키,다이슈케 나카무라,카게히로 카지야마. Владелец: 알박 세이마쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-07-21.

Method of forming a rim phase shifting mask and using the rim phase shifting mask to form a semiconductor device

Номер патента: WO2004013694A1. Автор: William J. Dauksher,Bernard J. Roman,Cesar M. Garza,Wei E. Wu,Panwitter J. S. Mangat,Kevin J. Nordquist. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-02-12.

Phase shift mask production method and phase shift mask

Номер патента: WO2014171512A1. Автор: 聖 望月,影山　景弘,中村　大介,良紀 小林. Владелец: アルバック成膜株式会社. Дата публикации: 2014-10-23.

Phase shift mask

Номер патента: GB9518316D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-08.

A simplified method of fabricating a rim phase shift mask

Номер патента: SG98443A1. Автор: SONG JUN,Cheong Ang Ting,Fong Quek Shyue,Yee Loong Sang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-09-19.

Phase shift mask and fabrication method therefor

Номер патента: TW200300222A. Автор: Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-16.

Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks

Номер патента: WO2004097519A2. Автор: Chris A. Mack,Michael Adel,Mark Ghinovker. Владелец: KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2004-11-11.

PHASE SHIFT MASK AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE SAME

Номер патента: US20170192348A1. Автор: Lee HyunJoo,KANG Min,Ju Jinho,WOO Junhyuk,Lee DongEon,Kim Bong Yeon,Son Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Method for manufacturing phase shift masks

Номер патента: KR100295049B1. Автор: 김용훈,박진홍. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-30.

Phase shift mask and fabricating method thereof

Номер патента: KR0151427B1. Автор: 이준석,허훈. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-18.

Apparatus of rim typed phase shift mask used for manufacturing semiconductor device & manufacturing method thereof

Номер патента: KR100532382B1. Автор: 손창진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-27.

Method for fabricating phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR0127662B1. Автор: 함영목. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-12-26.

Method of fabricating phase shift mask

Номер патента: US20010038952A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Jin-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-11-08.

Phase shift mask and method for manufacturing the same

Номер патента: TW201432370A. Автор: Daisuke Nakamura,Satoru Mochizuki,Kagehiro Kageyama. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2014-08-16.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP4535243B2. Автор: 哲 青山,耕志 丹下,邦博 細野. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Method for fabricating phase shift mask

Номер патента: KR20090111684A. Автор: 준 전. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-27.

Method of making a halftone phase shift mask

Номер патента: DE4447264B4. Автор: Young Mog Ichon Ham. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Lithography method and manufacturing method of phase shift mask

Номер патента: JP2641362B2. Автор: ピエラ クリストフ. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1997-08-13.

Method for forming the phase shifting mask

Номер патента: KR20040003653A. Автор: 박기엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of forming a phase shift mask

Номер патента: US6207328B1. Автор: Benjamin Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-03-27.

Phase shift mask and its manufacturing method

Номер патента: KR100195333B1. Автор: 이준석. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Self-aligned phase-shifting mask

Номер патента: CA2082869A1. Автор: Malcolm A. Young. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-07-14.

Simplified fabrication methods for rim phase-shift masks.

Номер патента: EP0660185A3. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Derek Brian Dove,Timothy Allan Brunner,Chi-Min Yuan,William John Adair. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-07-17.

Alternating phase shift mask and method for fabricating the alignment monitor

Номер патента: TW533339B. Автор: Ting-Cheong Ang,Shyue Fong Quek,Sang Yee Loong,Swee Hong Choo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-21.

Mask absorber layers for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US20240312783A1. Автор: Daniel Staaks. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-09-19.

Positive resist composition for extreme ultraviolet lithography and resist pattern formation kit for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US20230324797A1. Автор: Manabu Hoshino. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Extreme ultraviolet lithography mask blank and manufacturing method therefor

Номер патента: US6117597A. Автор: Kathleen R. Early. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-12.

Pellicle for extreme ultraviolet lithography based on yttrium carbide

Номер патента: US11927881B2. Автор: Hyeong Keun Kim,Seul Gi Kim,Hyun Mi Kim,Jin Woo Cho,Ki Hun Seong. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-03-12.

Pellicle film including graphite-containing thin film for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US20180259847A1. Автор: Seul-Gi Kim,Sang-Jin Cho,Mun Ja KIM,Ji-Beom Yoo,Myung-shik CHANG,Jang-dong You. Владелец: Fine Semitech Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of reducing undesired light influence in extreme ultraviolet exposure

Номер патента: US20240295820A1. Автор: BO-TSUN Liu,Chih-Tsung Shih,Yahru CHENG,Tsung Chuan LEE,Chen-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of reducing undesired light influence in extreme ultraviolet exposure

Номер патента: US12013641B2. Автор: BO-TSUN Liu,Chih-Tsung Shih,Yahru CHENG,Tsung Chuan LEE,Chen-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Mask blank and phase shift mask

Номер патента: US20240361683A1. Автор: Hiroaki Shishido,Yasutaka HORIGOME,Keishi AKIYAMA. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for manufacturing half tone type phase shift mask blank, photo mask and half tone type phase shift mask, and half tone type phase shift mask blank, half tone type phase shift mask, photo mask blank, and photo mask manufactured thereby

Номер патента: TW522286B. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa,Masaru Mitsui. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2003-03-01.

Mask blank, phase shift mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240184194A1. Автор: Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Mask blank, phase shift mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230393457A1. Автор: Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

PHASE SHIFT MASK BLANK, METHOD FOR PRODUCING PHASE SHIFT MASK, AND PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20220082929A1. Автор: MIMURA Shohei,MATSUHASHI Naoki,KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-17.

PHASE SHIFT MASK BLANK, MANUFACTURING METHOD OF PHASE SHIFT MASK, AND PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20220137502A1. Автор: MIMURA Shohei,MATSUHASHI Naoki,KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2022-05-05.

Phase shift blank mask, phase shift mask and phase shift mask manufacturing method

Номер патента: TW201901282A. Автор: 小嶋洋介. Владелец: 日商凸版印刷股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-01.

Phase shift mask blank, phase shift mask and manufacturing method for phase shift mask

Номер патента: WO2018181891A1. Автор: 洋介 小嶋. Владелец: 凸版印刷株式会社. Дата публикации: 2018-10-04.

Half-tone phase shift mask blank, half-tone phase shift mask fabricated from the blank, method of pattern transfer using the phase shift mask, and process of fabricating photomask blank

Номер патента: TW518450B. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

MASK BLANK, PHASE-SHIFT MASK, METHOD OF MANUFACTURING MASK BLANK, METHOD OF MANUFACTURING PHASE-SHIFT MASK AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170176848A1. Автор: Sakai Kazuya,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of making a hard disk drive write pole using a tri-tone attenuated phase shift mask

Номер патента: US20240027892A1. Автор: Yi Zheng,Ming Jiang,Xianzhong Zeng,Donald G. Allen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, PHASE SHIFT MASK MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180210331A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,Kajiwara Takenori. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

Mask substrate, phase shift mask, manufacturing method of phase shift mask, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TWI758324B. Автор: 堀込康隆,宍戸博明,谷口和丈. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2022-03-21.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180129130A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-10.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190163047A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,Kajiwara Takenori,OHKUBO Ryo. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-30.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD OF MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190187551A1. Автор: MATSUMOTO Atsushi,Nozawa Osamu,IWASHITA Hiroyuki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-20.

Mask blank, phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6328863B1. Автор: 野澤　順,順 野澤,浩之 岩下,淳志 松本. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-05-23.

Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask

Номер патента: US5858625A. Автор: Shuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201820025A. Автор: 松本淳志,野澤順,岩下浩之. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2018-06-01.

Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10365556B2. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Mask blanks, phase shift mask, and manufacturing method of phase shift mask

Номер патента: TWI575305B. Автор: 安達俊,三浦陽一,高見澤秀吉,早野勝也,大川洋平,渡邊浩司,谷絢子. Владелец: 大日本印刷股份有限公司. Дата публикации: 2017-03-21.

Mask blank, phase shift mask, method of manufacturing phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20180026766A. Автор: 오사무 노자와,히로아키 시시도,다케노리 가지와라. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-03-13.

LIGHT PATTERN EXPOSURE METHOD, HALFTONE PHASE SHIFT MASK, AND HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK

Номер патента: US20130130159A1. Автор: YOSHIKAWA Hiroki,Kaneko Hideo,INAZUKI Yukio,KOITABASHI Ryuji,KOJIMA Yosuke,HARAGUCHI Takashi,HIROSE Tomohito. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

HALF-TONE PHASE SHIFT MASK BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING HALF-TONE PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20130309598A1. Автор: FUKAYA Souichi,Nakagawa Hideo,Sasamoto Kouhei. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK AND HALFTONE PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20200026181A1. Автор: Kaneko Hideo,INAZUKI Yukio,Sasamoto Kouhei,KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-23.

HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK AND HALFTONE PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20160291452A1. Автор: Kaneko Hideo,INAZUKI Yukio,Sasamoto Kouhei,KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK, AND PATTERN EXPOSURE METHOD

Номер патента: US20160291456A1. Автор: INAZUKI Yukio,KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

PHASE SHIFT MASK BLANK AND PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20200310241A1. Автор: KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-01.

Blanks for half tone phase shift mask and half tone phase shift mask

Номер патента: KR100725214B1. Автор: 모리히로시,모토나가도시아키,후지카와준지,요코야마도시후미,오카무라다카후미,기나세요시노리,나카가와히로오,스미다시게키,유사사토시,오쓰키마사시. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-06-07.

Phase shift mask, method for forming pattern using phase shift mask and manufacturing method for electronic device

Номер патента: CN1324400C. Автор: 中尾修治. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-04.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern exposure method

Номер патента: CN106019809B. Автор: 稻月判臣,高坂卓郎. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-10.

Method for manufacturing phase shift mask blank and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP4930964B2. Автор: 寿幸 鈴木,稔 坂本. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2012-05-16.

Phase shift mask and phase shift mask blank and methods of manufacturing the same

Номер патента: TW446852B. Автор: Megumi Takeuchi,Hideaki Mitsui,Jun Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2001-07-21.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern transfer method

Номер патента: JP4535241B2. Автор: 俊信 石原,智 岡崎,博樹 吉川,幹夫 高木,判臣 稲月,祐一 福島,崇 原口,匡 佐賀. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2010-09-01.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask and pattern exposure method

Номер патента: JP6380204B2. Автор: 判臣 稲月,稲月　判臣,卓郎 ▲高▼坂. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Phase shift mask blank and method of manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP2996613B2. Автор: 勝 三井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask

Номер патента: JP4325192B2. Автор: 正 松尾,政秀 岩片,匡 佐賀. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2009-09-02.

Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects

Номер патента: EP1720061A3. Автор: Kevin Cummings. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2007-06-20.

Phase shift mask and phase shift mask defect repair method

Номер патента: JP3354305B2. Автор: 信行 吉岡,順二 宮崎,邦博 細野. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2002-12-09.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern transfer method

Номер патента: TWI348590B. Автор: Takashi Haraguchi,Toshinobu Ishihara,Yuichi Fukushima,Hiroki Yoshikawa,Mikio Takagi,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Masahide Iwakata,Tadashi Saga,Kimihiro Okada. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2011-09-11.

Halftone phase shifting mask blank, halftone phase shifting mask, and pattern transfer method

Номер патента: EP1813984A3. Автор: Takashi Haraguchi,Toshinobu Ishihara,Yuichi Fukushima,Hiroki Yoshikawa,Mikio Takagi,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Masahide Iwakata,Tadashi Saga,Kimihiro Okada. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-31.

Halftone-type phase-shift mask blank, and halftone-type phase-shift mask

Номер патента: US7011910B2. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa,Yuki Shiota,Ryo Ohkubo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Halftone phase shift mask blank and method of manufacturing halftone phase shift mask

Номер патента: JP4578960B2. Автор: 勝 三井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask

Номер патента: EP0650090B1. Автор: Shuji C/O Mitsubishi Denki K. K. Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-13.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and method of producing the same

Номер патента: US20030180631A1. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa,Ryo Ohkubo,Yuuki Shiota. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Phase shift mask blank, phase shift mask, light exposure method and method for producing device

Номер патента: TW202011108A. Автор: 小澤隆仁,寳田庸平,林賢利,八神高史. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-16.

Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask

Номер патента: KR0130740B1. Автор: 노부유끼 요시오까,준지 미야자끼,료이찌 고바야시,아끼히꼬 이사오,야이찌로 와따가베. Владелец: 아르바크 세미마쿠(成膜) 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-04-06.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask and their preparation

Номер патента: TW200537240A. Автор: Hiroki Yoshikawa,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2005-11-16.

HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK AND HALFTONE PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20180088457A1. Автор: Kaneko Hideo,INAZUKI Yukio,Sasamoto Kouhei,KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-29.

PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND BLANK PREPARING METHOD

Номер патента: US20160291453A1. Автор: INAZUKI Yukio,KOSAKA Takuro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

Embedded attenuated phase shift mask and method of making embedded attenuated phase shift mask

Номер патента: WO2002044812A2. Автор: Russell Westerman,Christopher Constantine. Владелец: Unaxis Usa Inc.. Дата публикации: 2002-06-06.

Attenuation type phase shift mask and method for repairing an attenuation type phase shift mask

Номер патента: DE4434060C2. Автор: Nobuyuki Yoshioka,Junji Miyazaki,Kunihiro Hosono. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1999-06-10.

Blank for halftone type phase shift mask and halftone type phase shift mask

Номер патента: JP3289606B2. Автор: 正 松尾,欽司 大久保,敏雄 小西,崇 原口. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2002-06-10.

PHASE SHIFT MASK, ITS MANUFACTURING METHOD, AND EXPOSURE METHOD USING THE PHASE SHIFT MASK

Номер патента: JP3064769B2. Автор: 信行 吉岡,順二 宮崎,良一 小林,昭彦 悳,弥一郎 渡壁. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2000-07-12.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern transfer method

Номер патента: KR101165235B1. Автор: 히로키 요시카와,도시노부 이시하라,다카시 하라구치,사토시 오카자키,유키오 이나주키,다다시 사가,기미히로 오카다,마사히데 이와카타,미키오 다카기,유이치 후쿠시마. Владелец: 도판 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-09-13.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, and pattern exposure method

Номер патента: TWI663467B. Автор: 稲月判臣,髙坂卓郎. Владелец: 日商信越化學工業股份有限公司. Дата публикации: 2019-06-21.

Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects

Номер патента: EP1439418A3. Автор: Kevin Cummings. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2005-04-20.

Halftone type phase shift mask blank and phase shift mask thereof

Номер патента: US7169513B2. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa,Yuuki Shiota. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-01-30.

Blank for halftone phase shift mask, halftone phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100505494B1. Автор: 타다시 마쯔오,다카시 하라구찌,킨지 오쿠보. Владелец: 도판 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-06.

AlSixOy as a new bi-layer high transmittance attenuating phase shifting mask material for 193 nanometer lithography

Номер патента: US6872496B2. Автор: Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Halftone phase shift mask and method for measuring aberration by using halftone phase shift mask

Номер патента: JPH10148926A. Автор: Yoshio Kawai,義夫 河合,Akihiro Otaka,Yutaka Sakakibara,裕 榊原,大▲高▼明浩. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Phase shift mask and method for repairing a defect of a phase shift mask

Номер патента: KR0141433B1. Автор: 구니히로 호소노,노부유끼 요시오까,준지 미야자끼. Владелец: 다이니뽄 프린팅 코퍼레이션 리미티드. Дата публикации: 1998-07-15.

Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask

Номер патента: EP0650090A1. Автор: Shuji C/O Mitsubishi Denki K. K. Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-04-26.

PHASE SHIFT MASK USING CrAlON AS PHASE SHIFT MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: JP2001109129A. Автор: 恩 雅 金,Eun-ah Kim,Jo-Hyun Park,祚 賢 朴,Koshu Ro,光 洙 盧. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-04-20.

Method and Apparatus for Determining Optical Constant of Attenuated Phase Shifting Layer for the Fabrication Processes of Attenuated Phase-Shift Mask Blank using the Measured and the Calculated Transmittance, Surface Reflectance and Backside Reflectance at a Wavelength Region of the Light Source of the Exposure Process

Номер патента: KR102487988B1. Автор: 김태영,최소영,김동규,황보창권,김유덕,유지혜. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-01-12.

Phase shift mask for the projection of pattern of structure elements formed on mask into substrate includes first structure elements formed as elevated ridges and second structure elements formed by trenches or ridges

Номер патента: DE10359991A1. Автор: Christoph Noelscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-12.

Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks

Номер патента: AU2002309494A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for dual damascene patterning with single exposure using tritone phase shift mask

Номер патента: SG121865A1. Автор: Sia Kim Tan,Soon Yoeng Tan,Qun Ying Lin,Huey Ming Chong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-05-26.

An attenuating phase shifting mask with an embedded bi-layer and method of forming the same

Номер патента: TWI251719B. Автор: Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-03-21.

Photolithographic LED fabrication using phase-shift mask

Номер патента: TW201228031A. Автор: Andrew M Hawryluk,Robert L Hsieh,Warren W Flack. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

Method for tuning an attenuating phase shift mask

Номер патента: TW362170B. Автор: David Shawn O'grady,William John Adair. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1999-06-21.

Phase-shift mask for semiconductor device mfr. - has pattern contg. two transparent sections and phase reversal introduced by one section of pattern deposited as metal silicide, nitride or oxide film

Номер патента: DE4339481A1. Автор: Nobuyuki Yoshioka,Junji Miyazaki,Ryoichi Kobayashi,Yaichiro Watakabe,Akihiko Isao. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 1994-05-26.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200033718A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,Kajiwara Takenori. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-30.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210048740A1. Автор: SHISHIDO Hiroaki,TANIGUCHI Kazutake. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2021-02-18.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210088895A1. Автор: OHKUBO Ryo,Maeda Hitoshi,HORIGOME Yasutaka. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2021-03-25.

Transmission balancing for phase shift mask with a trim mask

Номер патента: US20160124299A1. Автор: Yi Liu,Dan Yu,Aaron Bowser. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123305A1. Автор: Watanabe Hiroshi,Miura Yoichi,Adachi Takashi,HAYANO Katsuya,TAKAMIZAWA Hideyoshi,OHKAWA Youhei,TANI Ayako. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-05-04.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180149961A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,Kajiwara Takenori. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-31.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210255538A1. Автор: OHKUBO Ryo,Maeda Hitoshi,HORIGOME Yasutaka. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2021-08-19.

TRANSMISSION BALANCING FOR PHASE SHIFT MASK WITH A TRIM MASK

Номер патента: US20160246183A1. Автор: Liu Yi,Yu Dan,Bowser Aaron. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210364909A1. Автор: Nozawa Osamu,Maeda Hitoshi,HORIGOME Yasutaka. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2021-11-25.

MASK BLANK, PHASE-SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160377975A1. Автор: MATSUMOTO Atsushi,Uchida Takashi,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2016-12-29.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200379338A1. Автор: Hashimoto Masahiro,Uchida Takashi,SHISHIDO Hiroaki,Uchida Mariko. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN111344633A. Автор: 野泽顺,堀込康隆,前田仁. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-06-26.

Mask blank, phase shift mask and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: KR102341792B1. Автор: 아츠시 마츠모토,오사무 노자와,히로유키 이와시타. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-12-21.

Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN110770652A. Автор: 宍户博明,桥本雅广. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-02-07.

Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2020137518A1. Автор: 仁 前田,野澤　順. Владелец: Hoya株式会社. Дата публикации: 2020-07-02.

Halftone phase shift mask and mask blank used for it

Номер патента: JP3331760B2. Автор: 秀典 蒲生,欽司 大久保,幸弘 木村. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2002-10-07.

Mask blank, phase shift mask and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TWI744533B. Автор: 宍戸博明,橋本雅廣. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2021-11-01.

Manufacturing method of mask blank, phase shift mask, and semiconductor device

Номер патента: JP7062573B2. Автор: 博明 宍戸,康隆 堀込,和丈 谷口. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Mask blank, phase-shifted mask and its manufacturing method

Номер патента: CN106133599B. Автор: 大川洋平,早野胜也,三浦阳一,渡边浩司,高见泽秀吉,安达俊,谷绚子. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2019-09-03.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210026235A1. Автор: Nozawa Osamu,Maeda Hitoshi,HORIGOME Yasutaka. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2021-01-28.

MASK BLANKS, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180031963A1. Автор: Kominato Atsushi,Nozawa Osamu. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-02-01.

MASK BLANK, PHASE-SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180180987A1. Автор: MATSUMOTO Atsushi,Uchida Takashi,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-06-28.

Half tone phase shift mask green body with transparent film producing a phase difference with respect to light passing directly through transparent substrate and weakens the light intensity on the substrate

Номер патента: DE10028644A1. Автор: Megumi Takeuchi,Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2001-01-18.

Mask blank, phase shift mask and method for producing semiconductor device

Номер патента: WO2021044917A1. Автор: 仁 前田,野澤　順. Владелец: Hoya株式会社. Дата публикации: 2021-03-11.

Phase shift mask for contact hole

Номер патента: KR100669559B1. Автор: 배상만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-15.

Phase shift mask for preventing haze

Номер патента: TW200705091A. Автор: Yong-Dae Kim,Jong-min Kim,Sang-Soo Choi,Hyun-Joon Cho,Han-Byul Kang. Владелец: Pkl Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20210055659A1. Автор: Zhong Tom,Haq Jesmin,Teng Zhongjian. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Critical Dimension (CD) Uniformity of Photoresist Island Patterns Using Alternating Phase Shifting Mask

Номер патента: US20200142313A1. Автор: Zhong Tom,Haq Jesmin,Teng Zhongjian. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20180196348A1. Автор: JANG IL-Yong,Ko Hyung-Ho,YOON Jin-Sang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Method for removing opaque defects of the phase shift mask

Номер патента: KR100861359B1. Автор: 김희천. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-01.

Method of designing and method of using a phase shift mask

Номер патента: DE60112355T2. Автор: Jang-Fung Cupertino Chen,John S. Austin Petersen. Владелец: ASML MaskTools Netherlands BV. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for manufacturing halftone phase shift mask

Номер патента: KR100370165B1. Автор: 김상표. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-05.

Fabricating method for half-tone type phase shift mask

Номер патента: KR0126650B1. Автор: 함영목. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-12-26.

Method for manufacturing the half tone phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR100588910B1. Автор: 박세진. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-09.

pattern formation method using two alternating phase shift mask

Номер патента: KR100594223B1. Автор: 이성우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-03.

Half tone phase-shifting mask and method for fabricating the same

Номер патента: KR100555447B1. Автор: 김용현,윤희선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-21.

Method for manufacturing half-tone phase shift mask

Номер патента: KR100244301B1. Автор: 김이주. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100879139B1. Автор: 김태근,안진호,정창영,김병헌. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2009-01-19.

Method for fabricating chromeless phase shift mask

Номер патента: US7993803B2. Автор: Jea Young Jun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Phase shift mask

Номер патента: CN1039465C. Автор: 咸泳穆. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-05.

Lithographic method utilizing a phase-shifting mask

Номер патента: GB0100168D0. Автор: . Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-02-14.

Phase shift mask

Номер патента: KR100706731B1. Автор: 하세가와노리오,다나까도시히꼬. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 2007-04-13.

Back alignment mark for half tone phase shift mask

Номер патента: TW352420B. Автор: si-min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-02-11.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP4654487B2. Автор: 昌志 林. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2011-03-23.

Manufacturing method of halftone type phase shift mask

Номер патента: JP3250415B2. Автор: 芳郎 山田,和明 千葉,英聖 狩川. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2002-01-28.

Method for operating micro-lithographic projection lighting system, involves illuminating alternating phase shift mask with projection light, which has approximately coherent lighting angle distribution with coherence parameter

Номер патента: DE102007031691A1. Автор: Jörg ZIMMERMANN. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2009-01-08.

Lithographic method utilizing a phase-shifting mask

Номер патента: TW478037B. Автор: FENG Jin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-01.

Attenuating phase shift mask blank and photomask

Номер патента: CN1603948A. Автор: G·赫斯,H·贝克,F·施米特,U·布特格雷特,O·戈茨伯格,F·索贝,M·伦诺,S·J·彻伊. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Manufacturing method of a phase-shift mask, method of forming a resist pattern and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US6821711B2. Автор: Koji Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-23.

Method for manufacturing halftone phase shift mask

Номер патента: KR100907887B1. Автор: 박의상. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-07-15.

Phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100230376B1. Автор: 우상균,강호영,노광수,임성출. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

The manufacturing method of half-tone phase shift mask

Номер патента: KR0147493B1. Автор: 정우영,문승찬. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-08-01.

Method and Apparatus for Producing a Phase-Shift Mask

Номер патента: KR100538461B1. Автор: 유키오 타니구찌. Владелец: 가부시끼가이샤 에키쇼 센탄 기쥬츠 가이하쯔 센터. Дата публикации: 2005-12-22.

Phase shift mask and its manufacture

Номер патента: JPH10123696A. Автор: Seishutsu Rin,Koshu Ro,姜浩英,林盛出,▲おう▼相均,Sokin O,Koei Kyo,盧光洙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-15.

Method for fabricating phase shift mask having size-corrected pattern

Номер патента: KR100854464B1. Автор: 김상표. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-27.

Method for manufacturing attenuated phase-shift masks and devices obtained therefrom

Номер патента: US7709160B2. Автор: Leonardus Leunissen,Masaki Yoshizawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2010-05-04.

Attenuated film with etched quartz phase shift mask

Номер патента: US20050019673A1. Автор: Kunal Taravade,Neal Callan,Ebo Croffie. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

Half-tone phase shift mask

Номер патента: TW324073B. Автор: KIM Hyoung-Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-01.

Contact printing as second exposure of double exposure attenuated phase shift mask process

Номер патента: US20040048166A1. Автор: Chung-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Phase shift mask used in photolithography

Номер патента: DE4447646C2. Автор: Nobuyuki Yoshioka,Akihiko Isao,Susumu Kawada. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 1998-08-27.

Phase shift mask in semiconductor device

Номер патента: KR100345072B1. Автор: 배상만. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-07-20.

Phase shift mask and method of making the same

Номер патента: DE10046067A1. Автор: Eun-ah Kim,Jo-Hyun Park,Kwang-Soo No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-03.

Phase shift mask and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2889443B2. Автор: 修一 松田,弥一郎 渡壁. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-05-10.

Selective attenuated phase shifting mask and its manufacturing method

Номер патента: KR100524630B1. Автор: 이준석. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-28.

Half tone phase shift mask having a stepped aperture

Номер патента: US20010009745A1. Автор: Hyoung-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-26.

Half-tone phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100546269B1. Автор: 김용현,윤희선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-21.

Method for manufacturing phase shifting mask of semiconductor device

Номер патента: KR20000045394A. Автор: 백승원,홍지석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-07-15.

Phase shift mask and methods of manufacture

Номер патента: KR100598258B1. Автор: 슈테펜에프. 슐체. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2006-07-07.

Structure and fabricating method of compound phase-shift mask

Номер патента: TW200743904A. Автор: Tzu-Chang Lin. Владелец: Toppan Chunghwa Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-01.

Repair method for phase shift mask in semiconductor device

Номер патента: TW494281B. Автор: Young-Mo Koo,Bong-Ho Kim,Sang-Man Bae,Yong-Chul Shin,Kwang-Yoon Koh. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2002-07-11.

Phase shift mask and methods of manufacture

Номер патента: TW413843B. Автор: Steffen F Schulze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-01.

Phase-shift masks and methods of fabrication

Номер патента: AU2001285019A1. Автор: James A. Reynolds,Michael S. Jin,Sing H. Lee. Владелец: Gray Scale Technologies Inc. Дата публикации: 2002-03-22.

Correcting 3D Effects In Phase Shifting Masks Using Sub-Resolution Features

Номер патента: US20070160917A1. Автор: Armen Kroyan,Vishnu Kamat. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Novel reticle design for alternating phase shift mask

Номер патента: US20030087164A1. Автор: William Stanton,Vishnu Agarwal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Method for production of phase shift mask and phase shift mask

Номер патента: TW548514B. Автор: Haruo Kokubo. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Phase shift mask for avoiding phase conflict

Номер патента: TW200837490A. Автор: Chih-Li Chen,Tsan Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-16.

Dark field trench in an alternating phase shift mask to avoid phase conflict

Номер патента: US20020160275A1. Автор: Hung-Eil Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of enhancing clear field phase shift masks by adding parallel line to phase 0 region

Номер патента: EP1454192A2. Автор: Todd P. Lukanc,Christopher A. Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-08.

Phase shift mask and method for forming resist pattern using phase shift mask

Номер патента: KR101624435B1. Автор: 가즈키 기노시타,아츠시 도비타. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-05-25.

Phase shift mask and method for forming resist pattern using phase shift mask

Номер патента: WO2013122220A1. Автор: 敦 飛田,一樹 木下. Владелец: 大日本印刷株式会社. Дата публикации: 2013-08-22.

Levenson type phase shift mask and method of levenson type phase shift mask

Номер патента: TWI436160B. Автор: Toshio Konishi,Jun Sasaki,Masao Otaki,Yosuke Kojima,Keishi Tanaka. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of mask making to prevent phase edge and overlay shift for chrome-less phase shifting mask

Номер патента: TW200834225A. Автор: Yung Tin Chen. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-08-16.

Phase shift mask and method for forming resist pattern using phase shift mask

Номер патента: KR20140104433A. Автор: 가즈키 기노시타,아츠시 도비타. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-08-28.

Preparation method of phase shift mask by forming light screening layer, phase shift layer and photosensitive layer in turn, pattering the photosensitive layer, removing the light screening layer and the phase shift layer by using the photosensitive layer, and removing remaining light screening layer to expose transparent substrate

Номер патента: KR100447216B1. Автор: 이준석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-24.

Phase shift mask and resist pattern forming method using the phase shift mask

Номер патента: TWI569090B. Автор: 木下一樹,飛田敦. Владелец: 大日本印刷股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-01.

Method of enhancing clear field phase shift masks by adding parallel line to phase 0 region

Номер патента: TW200301844A. Автор: Todd P Lukanc,Christopher A Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Phase shift mask for submicron integrated circuit technology - has light-screening regions on opposite sides of each phase-shifting oxygen-ion implant region

Номер патента: DE4238441A1. Автор: O Seok Han. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1993-07-08.

Methods of forming alternating phase shift masks having improved phase-shift tolerance

Номер патента: US20050202322A1. Автор: Steven Holmes,Toshiharu Furukawa,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Peter Mitchell,Larry Nesbit. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Method and apparatus for repairing an alternating phase shift mask

Номер патента: US20010038954A1. Автор: Eryn Smith. Владелец: Metron Technology Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

A blank mask for fabrication of alternating phase shift mask

Номер патента: KR100594221B1. Автор: 윤상준,윤희선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-03.

Method of enhancing clear field phase shift masks by adding parallel line to phase 0 region

Номер патента: WO2003050617A2. Автор: Todd P. Lukanc,Christopher A. Spence. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-06-19.

Etching apparatus and method for fabricating alternating phase shift mask using the same

Номер патента: US20110159415A1. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Full phase shifting mask in damascene process

Номер патента: AU2003217789A1. Автор: Christophe Pierrat. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-29.

Method and system for phase/amplitude error detection of alternating phase shifting masks in photolithography

Номер патента: KR100583871B1. Автор: 퀴앙 우,스코트 부코프스키. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2006-05-26.

Structure and method for partitioned dummy fill shapes for reduced mask bias with alternating phase shift masks

Номер патента: US20080086714A1. Автор: Howard S. Landis,Thomas B. Faure,Jeanne-Tania Sucharitaves. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Phase edge phase shift mask and method for fabricating the same

Номер патента: KR100604814B1. Автор: 신인균,강명아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

In-situ or ex-situ profile monitoring of phase openings on alternating phase shifting masks by scatterometry

Номер патента: US20030052084A1. Автор: Bharath Rangarajan,Bhanwar Singh,Ramkumar Subramanian,Khoi Phan,Cyrus Tabery. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Transmission and phase balance for phase-shifting mask

Номер патента: WO2002003138A3. Автор: TSAI Wilman,Qi-De Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Phase-width balanced alternating phase shift mask design

Номер патента: CN1503056A. Автор: 拉斯・W・利布曼,拉斯·W·利布曼,・A・方西卡,卡洛斯·A·方西卡,・格劳尔,约安纳·格劳尔. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-09.

Transmission and phase balance for phase-shifting mask

Номер патента: EP1295176A2. Автор: TSAI Wilman,Qi-De Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-26.

Method and system for phase/amplitude error detection of alternating phase shifting masks in photolithography

Номер патента: TW200424811A. Автор: Qiang Wu,Bukofsky Scott. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of enhancing clear field phase shift masks by adding parallel line to phase 0 region

Номер патента: AU2002357141A1. Автор: Todd P. Lukanc,Christopher A. Spence. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-06-23.

Phase shift mask for formation of contact holes having micro dimension

Номер патента: GB2295694B. Автор: Chang Nam Ahn,Hung Eil Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-05.

Phase shift mask for formation of contact holes having micro dimension

Номер патента: GB9524589D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-01-31.

Chromeless phase shifting mask for equal line/space dense line patterns

Номер патента: TWI278017B. Автор: Yuan-Hsun Wu,Yung-Long Hung,Chia-Tsung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-01.

Phase shifting mask for equal line/space dense line patterns

Номер патента: TW200712754A. Автор: Yuan-Hsun Wu,Yung-Long Hung,Chia-Tsung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-01.

Phase shift mask and method of fabricating the same

Номер патента: KR100508093B1. Автор: 신인균,강명아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

Phase shift mask and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100215876B1. Автор: 김병찬. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-16.

Phase shift mask

Номер патента: KR100294869B1. Автор: 스가와라미노루. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2001-10-24.

Phase shift mask and the method of producing it

Номер патента: KR0166837B1. Автор: 이준석. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-01-15.

Phase shift mask, method of exposure, and method of producing semiconductor device

Номер патента: KR20020090343A. Автор: 키쿠치코지. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2002-12-02.

Phase shift mask and fabrication method of the same

Номер патента: KR0137977B1. Автор: 배상만. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-06-15.

Phase shift mask and manufacturing method therefrom

Номер патента: KR100189741B1. Автор: 전영권,박찬민. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

A method for forming of A chromeless phase shift mask

Номер патента: KR100569538B1. Автор: 마원광. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-10.

Method for manufacturing alternating phase shift mask

Номер патента: KR100468735B1. Автор: 신인균,강명아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-29.

Alternative phase shift mask and it's manufacturing method

Номер патента: KR100861197B1. Автор: 김종두. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-09-30.

System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask

Номер патента: US6670082B2. Автор: Yong Liu,Hua-yu Liu. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-30.

Manufacturing method of phase shift mask

Номер патента: KR960015788B1. Автор: 한오석. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1996-11-21.

Defect repair method, in particular for repairing quartz defects on alternating phase shift masks

Номер патента: US7108798B2. Автор: Ralf Ludwig,Martin Verbeek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-19.

Alternating phase shift mask design conflict resolution

Номер патента: US7178128B2. Автор: Christophe Pierrat,Hua-yu Liu,Kent Richardson. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2007-02-13.

Wave guided alternating phase shift mask and fabrication method thereof

Номер патента: KR100455384B1. Автор: 김성혁,신인균,정태문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-06.

Phase shift mask, method of exposure, and method of producing semiconductor device

Номер патента: KR100870623B1. Автор: 키쿠치코지. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2008-11-27.

Levenson phase shifting mask and method for preparing the same and method for preparing a semiconductor device using the same

Номер патента: TW200641517A. Автор: Yee-Kai Lai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-01.

Method of conflict avoidance in fabrication of gate-shrink alternating phase shifting masks

Номер патента: US7175942B2. Автор: Lars W. Liebmann,Ioana Graur. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-13.

Levenson phase shift mask and method for forming fine pattern by using the same

Номер патента: US6841318B2. Автор: Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-01-11.

Levenson type phase shift mask and production method therefor

Номер патента: CN1973244B. Автор: 田中启司,佐佐木淳,小西敏雄,小岛洋介,大泷雅央. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-05.

Methods for repairing an alternating phase-shift mask

Номер патента: GB2439848B. Автор: Ted Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-08-20.

In-situ balancing for phase-shifting mask

Номер патента: US20030054262A1. Автор: Qi-De Qian,Giang Dao. Владелец: Giang Dao. Дата публикации: 2003-03-20.

Phase shift mask and method for fabricating same

Номер патента: CN1128897A. Автор: 裵相满. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-14.

Phase shift mask used in the production of a trench capacitor pair on a semiconductor wafer comprises structures arranged as a pair on a quartz support material with a light-impermeable chromium layer surrounding the structures

Номер патента: DE10160616A1. Автор: Mario Hennig,Rainer Pforr,Roderick Koehle,Gerhard Kunkel,Ina Voigt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-05.

In-situ balancing for phase-shifting mask

Номер патента: US6660649B2. Автор: Qi-De Qian,Giang Dao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Phase shift mask, method of exposure, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US6861178B2. Автор: Koji Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Method and apparatus that compensates for phase shift mask manufacturing defects

Номер патента: US6428936B1. Автор: Richard E. Schenker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-08-06.

Methods for repairing an alternating phase-shift mask

Номер патента: TWI286273B. Автор: Ted Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-09-01.

Dual trench alternating phase shift mask fabrication

Номер патента: US7033947B2. Автор: San-De Tzu,Chung-Hsing Chang,Ming-Shuo Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-04-25.

Phase shift mask and its formation

Номер патента: JPH10104819A. Автор: Chang-Ming Dai,ミン ダイ チャン. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-04-24.

In-situ balancing for phase-shifting mask

Номер патента: US20030054260A1. Автор: Qi-De Qian,Giang Dao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Method and apparatus for repairing an alternating phase shift mask

Номер патента: US20030207184A1. Автор: Eryn Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

System for coloring a partially colored design in an alternating phase shift mask

Номер патента: TW200602921A. Автор: Lars W Liebmann,Mark A Lavin,Loana Graur,Young O Kim. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-01-16.

Chromeless phase shifting mask, method to fabricate the same and method to fabricate semiconductor devices using the same

Номер патента: TW200519528A. Автор: Chung-Hsing Chang,C H Lin,Chung-Kwung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of producing phase shift mask blank, method of producing phase shift mask, phase shift mask blank, and phase shift mask

Номер патента: TWI249188B. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Noriyasu Fukushima. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2006-02-11.

Method of producing phase shift blank mask, method of producing phase shift mask, phase shift mask blank, and phase shift mask

Номер патента: TW200501226A. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Noriyasu Fukushima. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2005-01-01.

Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190018312A1. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Takenori Kajiwara. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Shock wave visualization for extreme ultraviolet plasma optimization

Номер патента: US12114412B2. Автор: Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Yen-Shuo Su,Chun-Lin Chang,Han-Lung Chang,Ting-Ya CHENG,Jen-Hao Yeh,Jhan-Hong YEH,Henry Yee Shian Tong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Mask blank, phase shift mask, method of manufacturing phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220128898A1. Автор: Hiroaki Shishido,Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Wafer chamber having a gas curtain for extreme-uv lithography

Номер патента: EP1127294A1. Автор: Michael P. Kanouff,Avijit K. Ray-Chaudhuri. Владелец: EUV LLC. Дата публикации: 2001-08-29.

Apparatus for extreme UV lithography comprising a wafer chamber and gas curtain

Номер патента: EP1127294B1. Автор: Michael P. Kanouff,Avijit K. Ray-Chaudhuri. Владелец: EUV LLC. Дата публикации: 2006-09-20.

Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10114281B2. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Takenori Kajiwara. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Multilayer graphene direct growth method and method for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography using the same

Номер патента: EP4002007A1. Автор: Hyeong Keun Kim,Seul Gi Kim,Hye Young Kim,Hyun Mi Kim. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2022-05-25.

METHOD FOR PREPARING HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK, AND THIN FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20200026180A1. Автор: INAZUKI Yukio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD FOR PREPARING HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK BLANK, HALFTONE PHASE SHIFT MASK, AND THIN FILM FORMING APPARATUS

Номер патента: US20180059532A1. Автор: INAZUKI Yukio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-01.

Pellicle for phase shift mask, the phase shift mask attached the pellicle, and method of fabricating the phase shift mask attached the pellicle

Номер патента: KR20110114299A. Автор: 우성하. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-19.

Method For Preparing Halftone Phase Shift Mask Blank, Halftone Phase Shift Mask Blank, Halftone Phase Shift Mask, And Thin Film Forming Apparatus

Номер патента: SG10201706361UA. Автор: Yukio Inazuki. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2018-03-28.

Shock wave visualization for extreme ultraviolet plasma optimization

Номер патента: US11800626B2. Автор: Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Yen-Shuo Su,Chun-Lin Chang,Han-Lung Chang,Ting-Ya CHENG,Jen-Hao Yeh,Jhan-Hong YEH,Henry Yee Shian Tong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Plasma position control for extreme ultraviolet lithography light sources

Номер патента: US20210389678A1. Автор: Chi Yang,Li-Jui Chen,Hsin-Feng Chen,Ssu-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Shock wave visualization for extreme ultraviolet plasma optimization

Номер патента: US20230380044A1. Автор: Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Yen-Shuo Su,Chun-Lin Chang,Han-Lung Chang,Ting-Ya CHENG,Jen-Hao Yeh,Jhan-Hong YEH,Henry Yee Shian Tong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

MASK BLANKS, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200117077A1. Автор: Kominato Atsushi,Nozawa Osamu. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-16.

Mask blank, phase-shift-mask production method, phase shift mask, and semiconductor-device production method

Номер патента: WO2015146422A1. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,崇 打田. Владелец: Hoya株式会社. Дата публикации: 2015-10-01.

Mask blank, method of manufacturing phase shift mask, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10088744B2. Автор: Takashi Uchida,Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201805716A. Автор: 宍戸博明,野澤順,大久保亮,梶原猛伯. Владелец: Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2018-02-16.

Mask blank, phase-shift-mask production method, phase shift mask, and semiconductor-device production method

Номер патента: KR102291478B1. Автор: 오사무 노자와,히로아키 시시도,다카시 우치다. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-08-19.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190064651A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,Kajiwara Takenori. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-28.

MASK BLANK, METHOD OF MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170068155A1. Автор: Nozawa Osamu,Uchida Takashi,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-09.

MASK BLANK, METHOD OF MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170075210A1. Автор: Nozawa Osamu,Uchida Takashi,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-16.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170285458A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,Kajiwara Takenori. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2017-10-05.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD OF MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190302604A1. Автор: SHISHIDO Hiroaki,TANIGUCHI Kazutake,HORIGOME Yasutaka. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-10-03.

Mask blank, phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6720139B2. Автор: 野澤　順,順 野澤,淳志 小湊. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Mask blank, method of manufacturing phase shift mask, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP6544943B2. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,順 野澤,崇 打田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-07-17.

Phase shifter film manufacturing method, phase shift mask blank manufacturing method, and phase shift mask manufacturing method

Номер патента: JP4163331B2. Автор: 信行 吉岡,前 川田,和行 前床,昭彦 悳. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2008-10-08.

Mask blank, phase shift mask manufacturing method, phase shift mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5779290B1. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,順 野澤,崇 打田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Mask blank, method of manufacturing phase shift mask, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9939723B2. Автор: Takashi Uchida,Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Mask blank, phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: KR102389121B1. Автор: 오사무 노자와,히로아끼 시시도,료 오꾸보,다께노리 가지와라. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-20.

Mask blank, phase shift mask manufacturing method, phase shift mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6454613B2. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,順 野澤,崇 打田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-01-16.

Mask blank, phase shift mask, method of manufacturing phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: SG11202108439YA. Автор: Hiroaki Shishido,Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Plasma position control for extreme ultraviolet lithography light sources

Номер патента: US12130556B2. Автор: Chi Yang,Li-Jui Chen,Hsin-Feng Chen,Ssu-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

PHASE SHIFT MASK BLANK, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20130071777A1. Автор: Nozawa Osamu,Sakai Kazuya,SHISHIDO Hiroaki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-21.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: JP5175932B2. Автор: 博明 宍戸,雅広 橋本,淳志 小湊,浩之 岩下. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-04-03.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: KR102198731B1. Автор: 마사히로 하시모또,히로유끼 이와시따,히로아끼 시시도,아쯔시 고미나또. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-01-05.

Photomask substrate, phase shift mask, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TWI673563B. Автор: 野澤順,小湊淳志. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Phase shift mask blank and manufacturing method therefor, method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: KR101916498B1. Автор: 세이지 쯔보이,마사유끼 미요시. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-11-07.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: US20110111332A1. Автор: Masahiro Hashimoto,Hiroyuki Iwashita,Hiroaki Shishido,Atsushi Kominato. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Phase shift mask substrate and manufacturing method thereof, and phase shift mask manufacturing method

Номер патента: TW201525608A. Автор: Seiji Tsuboi,Masayuki Miyoshi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-07-01.

Halftone phase shift mask blank, and method for preparing halftone phase shift mask

Номер патента: EP3287845B1. Автор: Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-18.

Mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: SG10201911778SA. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Takenori Kajiwara. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Approach to lowering extreme ultraviolet exposure dose for inorganic hardmasks for extreme ultraviolet patterning

Номер патента: US20180348636A1. Автор: Karen E. Petrillo,Ekmini A. De Silva,Indira P. Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Light-transmitting object examining method, manufacturing method for light-transmitting substrate of mask blank, manufacturing method for mask blank, manufacturing method for light-expososure mask, manufacturing method for semiconductor device and manufacturing method for phase shift mask

Номер патента: KR101117826B1. Автор: 마사루 다나베. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of cleaning extreme ultraviolet lithography collector

Номер патента: US20200073250A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Mask blanks, mask blanks with negative resist film, phase shift mask, and manufacturing method for pattern forming body using same

Номер патента: TWI545390B. Автор: 安達俊,三浦陽一,高見澤秀吉,早野勝也,大川洋平,渡邊浩司,谷絢子. Владелец: 大日本印刷股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-11.

Extreme ultraviolet lithography system that utilizes pattern stitching

Номер патента: US20190235393A1. Автор: David M. Williamson,Michael B. Binnard,Daniel Gene Smith. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Mask blank, mask blank with negative resist film, phase shift mask, and method for producing pattern formed body using same

Номер патента: US20160195803A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Katsuya Hayano,Takashi Adachi,Ayako Tani,Hideyoshi Takamizawa,Youichi Miura,Youhei Ohkawa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Mask blank, mask blank with negative resist film, phase shift mask, and method for producing patterned body using same

Номер патента: KR102251087B1. Автор: 히로시 와타나베,다카시 아다치,요우이치 미우라,히데요시 다카미자와,가츠야 하야노,요헤이 오카와,아야코 다니. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-05-14.

Method for rescuing Levenson phase shift mask from abnormal difference in transmittance and phase difference between phase shifter and non-phase shifter

Номер патента: TW550441B. Автор: Shinji Ishida,Haruo Iwasaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-01.

Extreme ultraviolet lithography system that utilizes pattern stitching

Номер патента: US20170336720A1. Автор: David M. Williamson,Michael B. Binnard,Daniel Gene Smith. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Extreme ultraviolet lithography projection optics system and associated methods.

Номер патента: NL2013719B1. Автор: Lu Yen-Cheng,Yu Shinn-Sheng,Yen Anthony. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-04.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190018312A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,Kajiwara Takenori. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-17.

MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190040516A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,OHKUBO Ryo. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-07.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180143528A1. Автор: Nozawa Osamu,SHISHIDO Hiroaki,Kajiwara Takenori. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-24.

MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200409252A1. Автор: OHKUBO Ryo,Maeda Hitoshi,TANIGUCHI Kazutake. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2020-12-31.

Mask blank, phase-shift mask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210132488A1. Автор: Masahiro Hashimoto,Hiroaki Shishido,Hitoshi Maeda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Phase shift mask blank, photo mask blank, and manufacturing apparatus and method of blanks

Номер патента: US20070034499A1. Автор: Hideaki Mitsui,Osamu Nozawa,Hitoshi Ootsuka,Masaru Mitsui. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

Mask blanks, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR102402659B1. Автор: 오사무 노자와,히로아끼 시시도,다케노리 가지와라. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-05-26.

Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching

Номер патента: US20190212663A1. Автор: Michael B. Binnard. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201945827A. Автор: 谷口和丈,宍戶博明. Владелец: 日商Ｈｏｙａ股份有限公司. Дата публикации: 2019-12-01.

Plasma position control for extreme ultraviolet lithography light sources

Номер патента: US20230273526A1. Автор: Chi Yang,Li-Jui Chen,Hsin-Feng Chen,Ssu-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Collector in an extreme ultraviolet lithography system with optimal air curtain protection

Номер патента: US09869934B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Shinn-Sheng Yu,Chia-Chen Chen,Chia-Hao Hsu,Chia-Ching HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Collector in an Extreme Ultraviolet Lithography System with Optimal Air Curtain Protection

Номер патента: US20160306282A1. Автор: Tsung-Yu Chen,Shinn-Sheng Yu,Chia-Chen Chen,Chia-Hao Hsu,Chia-Ching HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor

Номер патента: US20140268081A1. Автор: Kevin Moraes,Ralf Hofmann. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor

Номер патента: WO2014165298A1. Автор: Kevin Moraes,Ralf Hofmann. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-10-09.

Chromeless Phase Shift Mask Structure And Process

Номер патента: US20180059531A1. Автор: Lin Yun-Yue,Lee Hsin-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

PHASE SHIFT MASK, METHOD OF FORMING ASYMMETRIC PATTERN, METHOD OF MANUFACTURING DIFFRACTION GRATING, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140302679A1. Автор: MATSUI Shigeru,Onozuka Toshihiko,Hasegawa Norio,Ebata Yoshisada,Kakuta Kazuyuki. Владелец: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-09.

PHASE SHIFT MASK, ARRAY SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20210333704A1. Автор: Li Xiaolong,Xu Wenqing,SONG Yongzhi,LIU Mingxuan,Zhang Xiaoxiang,GUO Huibin,Wu Zumou. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Phase shift mask and electronic component manufacturing method

Номер патента: US20210356856A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaoxiang Zhang,Yongzhi SONG,Huibin Guo,Wenqing Xu,Mingxuan Liu,Zumou Wu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

PHASE-SHIFT MASK

Номер патента: US20150301443A1. Автор: LI Wusheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

METHOD OF FABRICATING PHASE SHIFT MASK AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180341172A1. Автор: Kim Jae-hee,HWANG Chan. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Phase shift mask of outrigger

Номер патента: KR0157928B1. Автор: 이준석. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-12-15.

Crystallization apparatus, crystallization method and phase shift mask

Номер патента: CN1537323A. Автор: ,谷口幸夫,松村正清,木村嘉伸,�ȿ��ҷ�. Владелец: Liguid Crystal Advanced Technology Development Center K K. Дата публикации: 2004-10-13.

Methods of manufacturing redistribution circuit structures using phase shift mask

Номер патента: US11189521B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chun-Chieh Wang,Jaw-Jung Shin,Ming-Tan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Regeneration method of phase shift mask and manufacturing method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: KR940003037A. Автор: 도시쯔구 다께꾸마,하루오 이이,가즈야 이또. Владелец: 히다찌초엘에스아이엔지니어링 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1994-02-19.

Dry etching apparatus having particle removing device and method of fabricating phase shift mask using the same

Номер патента: US20060148263A1. Автор: Jeong-Yun Lee,Il-yong Jang,Yo-han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Methods and systems for layout and routing using alternating aperture phase shift masks

Номер патента: US7475379B2. Автор: Kevin W. McCullen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-06.

Method for repairing phase shift masks

Номер патента: US8268516B2. Автор: Oliver Kienzle,Axel Zibold,Peter Kuschnerus. Владелец: Carl Zeiss SMS GmbH. Дата публикации: 2012-09-18.

A kind of phase shifting mask plate, array substrate, preparation method and display device

Номер патента: CN108363270A. Автор: 张小祥,李小龙,徐文清,刘明悬,郭会斌,宋勇志,吴祖谋. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-03.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and phase shift mask

Номер патента: EP3109697A2. Автор: Kenichi Watanabe,Kazuo Sukegawa,Toyoji Sawada,Takumi Hasegawa,Hiroshi Namba,Michiari Kawano. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

Lithographic apparatus, device manufacturing methods, devices manufactured thereby, method of manufacturing a reflector, reflector manufactured thereby and phase shift mask

Номер патента: US20040263820A1. Автор: Mandeep Singh,Josephus Johannes Braat. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of manufacturing a reflector, reflector manufactured thereby, phase shift mask and lithographic apparatus making use of them

Номер патента: EP1260861A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2002-11-27.

Process for fabricating half-tone phase shift mask blank

Номер патента: KR100561895B1. Автор: 미쯔이마사루,스즈끼도시유끼,이시하라시게노리. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-03-16.

Half-tone-type phase shift mask blank manufacturing method involves sputtering reactive gas onto substrate, to form half-tone film with desired optical characteristic, irrespective of change of gas flow amount

Номер патента: DE10349087A1. Автор: Toshiyuki Suzuki,Masaru Mitsui,Shigenori Ishihara. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Film-depositing target and preparation of phase shift mask blank

Номер патента: EP1582921B1. Автор: Takashi Haraguchi,Yuichi Fukushima,Masahide Iwakata,Tadashi Saga,Kimihiro Okada,Hiroki c/o New Funct. Mat. Res. Ctr. Yoshikawa,Toshinobu c/o New Funct. Mat. Res. Ctr. Ishihara,Satoshi c/o New Funct. Mat. Res. Ctr. Okazaki,Yukio c/o New Funct. Mat. Res. Ctr. Inazuki. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Method for fabricating phase shift mask in semicondutor device

Номер патента: KR100849722B1. Автор: 유태준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-01.

Phase shift mask and electronic component manufacturing method

Номер патента: EP3762775A4. Автор: Xiaolong Li,Xiaoxiang Zhang,Yongzhi SONG,Huibin Guo,Wenqing Xu,Mingxuan Liu,Zumou Wu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Extreme ultraviolet lithography system

Номер патента: US20240353766A1. Автор: Chi Yang,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Che-Chang Hsu,Ssu-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Extreme Ultraviolet Lithography System

Номер патента: US20200019070A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Extreme ultraviolet lithography system

Номер патента: US12055865B2. Автор: Chi Yang,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Che-Chang Hsu,Ssu-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

High Heat Load Optics with Vibration Isolated Hoses in an Extreme Ultraviolet Lithography System

Номер патента: US20130323649A1. Автор: Douglas C. Watson,Travis BOW. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Extreme ultraviolet lithography device and method of operating extreme ultraviolet lithography device

Номер патента: US11960212B2. Автор: Chan Hwang,HyungJong BAE,Hoduk CHO,SeongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Extreme ultraviolet lithography device and method of operating extreme ultraviolet lithography device

Номер патента: EP4286942A3. Автор: Chan Hwang,HyungJong BAE,Hoduk CHO,SeongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-13.

Extreme ultraviolet lithography device and method of operating extreme ultraviolet lithography device

Номер патента: EP4286942A2. Автор: Chan Hwang,HyungJong BAE,Hoduk CHO,SeongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Extreme ultraviolet lithography device and method of operating extreme ultraviolet lithography device

Номер патента: US20230393484A1. Автор: Chan Hwang,HyungJong BAE,Hoduk CHO,SeongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Mount, extreme ultraviolet light generation system, and device manufacturing method

Номер патента: US20200363733A1. Автор: Toshihiro Nishisaka. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2020-11-19.

Process solution composition for extreme ultraviolet lithography, and method for forming pattern by using same

Номер патента: US20210214649A1. Автор: Seung Hyun Lee,Su Jin Lee,Seung Hun Lee. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Nanotube-based pellicle for extreme ultraviolet lithography and related manufacturing method

Номер патента: US20240280893A1. Автор: Hyeong Keun Kim,Seul Gi Kim. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography having graphene defect healing layer

Номер патента: US11789359B2. Автор: Hyeong Keun Kim,Seul Gi Kim,Hyun Mi Kim,Jin Woo Cho,Jun Hyeok JEON. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-10-17.

Reflective mask for extreme ultraviolet lithography and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20240219824A1. Автор: Akio Misaka,Noyoung CHUNG,Seokyun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Droplet splash control for extreme ultraviolet photolithography

Номер патента: US20240231241A1. Автор: Chi-Hung Liao,Po-Ming SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Particle image velocimetry of extreme ultraviolet lithography systems

Номер патента: US20230296642A1. Автор: Chi Yang,Shang-Chieh Chien,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,En Hao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Particle image velocimetry of extreme ultraviolet lithography systems

Номер патента: US20210294220A1. Автор: Chi Yang,Shang-Chieh Chien,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,En Hao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Particle image velocimetry of extreme ultraviolet lithography systems

Номер патента: US12085585B2. Автор: Chi Yang,Shang-Chieh Chien,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,En Hao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Particle image velocimetry of extreme ultraviolet lithography systems

Номер патента: US20240361350A1. Автор: Chi Yang,Shang-Chieh Chien,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,En Hao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Beam transport system for extreme ultraviolet light source

Номер патента: WO2011075346A1. Автор: William N. Partlo,Nam-Hyong Kim,Robert N. Bergstedt,Lgor V. Fomenkov. Владелец: CYMER, INC.. Дата публикации: 2011-06-23.

Droplet splash control for extreme ultra violet photolithography

Номер патента: US11940738B2. Автор: Chi-Hung Liao,Po-Ming SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Target control in extreme ultraviolet lithography systems using aberration of reflection image

Номер патента: US11860544B2. Автор: Li-Jui Chen,Yen-Shuo Su,Han-Lung Chang,Ting-Ya CHENG,Shi-Han SHANN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Target control in extreme ultraviolet lithography systems using aberration of reflection image

Номер патента: US20240085797A1. Автор: Li-Jui Chen,Yen-Shuo Su,Han-Lung Chang,Ting-Ya CHENG,Shi-Han SHANN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Phase shift mask blank and its manufacturing method and phase shifting mask

Номер патента: CN105739233B. Автор: 野泽顺,酒井和也,宍户博明. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Phase shift mask blank, manufacturing method thereof, and phase shift mask

Номер патента: CN102834773A. Автор: 野泽顺,酒井和也,宍户博明. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Phase shift mask blank, method of manufacturing the same, and phase shift mask

Номер патента: US9436079B2. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Kazuya Sakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Phase shift mask blank, manufacturing method thereof, and phase shift mask

Номер патента: KR102071721B1. Автор: 오사무 노자와,히로아끼 시시도,가즈야 사까이. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-01-30.

Phase shift mask blank, method of manufacturing the same, and phase shift mask

Номер патента: CN105739233A. Автор: 野泽顺,酒井和也,宍户博明. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-07-06.

Phase shift mask blank, method of manufacturing the same, and phase shift mask

Номер патента: JPWO2011125337A1. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,順 野澤,和也 酒井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-07-08.

Phase shift mask blank, method of manufacturing the same, and phase shift mask

Номер патента: US8999609B2. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa,Kazuya Sakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Interferometer with pixelated phase shift mask

Номер патента: US20200103355A1. Автор: Nigel P. Smith. Владелец: Onto Innovation Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Inspection system for extreme ultraviolet (euv) light source

Номер патента: US20230142835A1. Автор: Heng-Hsin Liu,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Sheng-Kang Yu,Chiao-Hua Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Inspection of a three dimensional structure of a sample using a phase shift mask

Номер патента: US20220058784A1. Автор: Haim Feldman,Yoav SHECHTMAN. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

INSPECTION OF A THREE DIMENSIONAL STRUCTURE OF A SAMPLE USING A PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20220058784A1. Автор: Feldman Haim,Shechtman Yoav. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

INTERFEROMETER WITH PIXELATED PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20200103355A1. Автор: Smith Nigel P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

System and method for quantifying errors in an alternating phase shift mask

Номер патента: US7016027B2. Автор: Shahid Butt,Shoaib Zaidi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-21.

Crystallization Apparatus, Crystallization Method, and Phase Shift Mask and Filter for Use in These Apparatus and Method

Номер патента: KR20040025861A. Автор: 다니구치유키오. Владелец: 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타. Дата публикации: 2004-03-26.

Thermally stable multilayer mirror for extreme ultraviolet spectral range

Номер патента: RU2410732C2. Автор: Норберт КАЙЗЕР,Николя БЕНУА,Торстен ФАЙГЛЬ,Сергий ЮЛИН. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2011-01-27.

Variable Radius Mirror Dichroic Beam Splitter Module for Extreme Ultraviolet Source

Номер патента: US20160174351A1. Автор: Robert J. Rafac,Michael Purvis,Alexander Schafgans,Kevin W. Zhang. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2016-06-16.

Optical module for extreme ultraviolet light source

Номер патента: EP4405732A1. Автор: Jaden Robert BANKHEAD,Paul Alexander MCKENZIE,Erik Fernando HUERTA,Moonseob Jin. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Target for extreme ultraviolet light source

Номер патента: US9155179B2. Автор: Igor V. Fomenkov,Daniel J. W. Brown,Yezheng Tao,Robert J. Rafac,Daniel J. Golich. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2015-10-06.

Target for extreme ultraviolet light source

Номер патента: US8912514B2. Автор: Igor V. Fomenkov,Daniel J. W. Brown,Yezheng Tao,Robert J. Rafac,Daniel J. Golich. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2014-12-16.

Phase-shift mask blank, phase-shift mask and its manufacturing method, and method for manufacturing display device

Номер патента: TWI707053B. Автор: 牛田正男,坪井誠治. Владелец: 馬來西亞商Hoya電子馬來西亞私人股份有限公司. Дата публикации: 2020-10-11.

Phase-shift mask blank and its manufacturing method, method for manufacturing phase-shift mask, and method for manufacturing display device

Номер патента: KR20140114797A. Автор: 마사오 우시다,세이지 쯔보이. Владелец: 호야 일렉트로닉스 말레이지아 센드리안 베르하드. Дата публикации: 2014-09-29.

Phase-shift mask blank, phase-shift mask and its manufacturing method, and method for manufacturing display device

Номер патента: TW201819654A. Автор: 牛田正男,坪井誠治. Владелец: 馬來西亞商Hoya電子馬來西亞私人股份有限公司. Дата публикации: 2018-06-01.

Phase shift mask blank and method of manufacturing the same, method of manufacturing phase shift mask, and method of manufacturing display device

Номер патента: JP6553240B2. Автор: 誠治 坪井,正男 牛田. Владелец: Hoya Electronics Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor memory structures and phase shifting masks therefor

Номер патента: SG79913A1. Автор: Shimizu Hideo,Konishi Morikazu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-04-17.

Sub-micron device fabrication with a phase shift mask having multiple values of phase delay

Номер патента: KR100273073B1. Автор: 루트케 러쎌제이.. Владелец: 보그-워너 오토모티브 트랜스미션 앤드 엔진 콤포넌츠 코포레이션. Дата публикации: 2000-12-01.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20220084874A1. Автор: Kuo Hung-Jui,Wang Chun-Chieh,Shin Jaw-Jung,Lee Ming-Tan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Fabricating method of phase shift mask

Номер патента: KR960011468B1. Автор: 우상균. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-08-22.

Method of making self-aligned phase shift mask

Номер патента: KR940001503B1. Автор: 김우식. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-02-23.

Phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: KR950005441B1. Автор: 김진민. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-05-24.

Method for Manufacturing Semiconductor Device Using Halftone Phase Shift Mask

Номер патента: KR970063431A. Автор: 쯔또무 하야까와. Владелец: 닛본덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-09-12.

Phase shift mask, pattern building method using the same

Номер патента: KR940011095B1. Автор: 강호영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-11-23.

Method for manufacturing automatic batch phase shift mask

Номер патента: KR950004393A. Автор: 함영목. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-02-18.

Method of fabricating semiconductor device using half-tone phase shift mask

Номер патента: KR100222805B1. Автор: 쯔또무 하야까와. Владелец: 닛본 덴기 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-10-01.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: KR100232175B1. Автор: 이원기. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

A method of fabricating a fine annular charge storage electrode in a semiconductor device using a phase-shift mask

Номер патента: DE19524846B4. Автор: Chang Nam Ichon Ahn,Ik Boum Ichon Hur,Hung Eil Ichon Kim,Seung Chan Ichon Moon,Il Ho Ichon Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-11.

Method of making phase shift mask of semiconductor device

Номер патента: KR940003581B1. Автор: 금은섭. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-04-25.

Defect correction method of phase shift mask

Номер патента: KR950001749B1. Автор: 우상균. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-02-28.

Manufacturing method of phase shift mask

Номер патента: KR960000178B1. Автор: 함영목. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1996-01-03.

Phase-shifting mask and semiconductor device

Номер патента: US20050051873A1. Автор: FENG Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of fabricating semiconductor device using half-tone phase shift mask

Номер патента: TW401600B. Автор: Tsutomu Hayakawa. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2000-08-11.

Phase shift mask manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: KR930008848B1. Автор: 송영진. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-09-16.

Phase shift mask having controlled transmittance with respect to a predetermined wavelength of light by using energy trap and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20010095837A. Автор: 김은아,노광수,박조현. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-07.

Phase shift mask and the manufacturing method thereof having chrome film

Номер патента: KR960000183B1. Автор: 함영목. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1996-01-03.

Manufacturing method of phase shift mask

Номер патента: KR970004475B1. Автор: Jin-Min Kim,Young-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-03-28.

Compounds and processes for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: US20240002412A1. Автор: Thomas M. Cameron,David M. ERMERT. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Compounds and processes for extreme ultraviolet lithography

Номер патента: WO2024006453A1. Автор: Thomas M. Cameron,David M. ERMERT. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-01-04.

Rotating target for extreme ultraviolet source with liquid metal

Номер патента: US12133318B2. Автор: Rui-Fang Shi,Alexander Bykanov. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of halftone phase shift mask

Номер патента: KR970016757A. Автор: 이중현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-28.

Phase Shift Mask for Extreme Ultraviolet Lithography and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20140038086A1. Автор: Chen Chia-Jen,Lee Hsin-Chang,Lu Yen-Cheng,Yu Shinn-Sheng,Yen Anthony,Shih Chih-Tsung,CHANG Shu-Hao,Hsu Pei-Cheng,Wu Tsiao-Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-06.

Phase shift mask, method of manufacturing phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device using phase shift mask

Номер патента: JP2897299B2. Автор: 則夫 鈴木. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-05-31.

A phase shift mask blank, a phase shift mask intermediate, a method for manufacturing a phase shift mask using these, and a method for manufacturing a display device.

Номер патента: JP6999460B2. Автор: 勝 田辺,敬司 浅川. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-01-18.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, semiconductor device manufacturing method, and halftone phase shift mask correction method

Номер патента: JP4325175B2. Автор: 正 松尾,稔博 伊井,崇 原口,匡 佐賀. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2009-09-02.

Alternating phase shift masking for multiple levels of masking resolution

Номер патента: AU2001240111A1. Автор: Shao-Po Wu. Владелец: Numerical Technologies Inc. Дата публикации: 2002-09-24.

Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP6430155B2. Автор: 野澤　順,順 野澤,淳志 小湊. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-11-28.

Mask structure for combining phase shift mask and traditional mask on one substrate

Номер патента: TW442705B. Автор: Jia-Huei Lin,San-De Tz. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-06-23.

Mask blank, phase shift mask, method for manufacturing phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP6573806B2. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,順 野澤. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

PHASE SHIFT MASK BLANK AND PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20130065166A1. Автор: Kominato Atsushi,Hashimoto Masahiro,SHISHIDO Hiroaki,IWASHITA Hiroyuki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: JP2719493B2. Автор: 洋一 山口,研二 松本,英明 三ツ井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1998-02-25.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: JP4466805B2. Автор: 英雄 金子,智 岡崎,判臣 稲月,勉 品川,哲史 塚本,保 丸山. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Phase shift mask blank manufacturing method and phase shift mask blank manufacturing apparatus

Номер патента: JP4489820B2. Автор: 順 野澤,英明 三ツ井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Method of manufacturing phase shift mask and method of manufacturing blank for phase shift mask

Номер патента: JP3252236B2. Автор: 三上豪一. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2002-02-04.

Halftone type phase shift mask blank and halftone type phase shift mask

Номер патента: JP3250973B2. Автор: 勝 三井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2002-01-28.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask, method of manufacturing the same, and pattern transfer method

Номер патента: JP3993005B2. Автор: 順 野澤,英明 三ツ井,勇樹 塩田,亮 大久保. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-10-17.

Manufacturing method of phase shift mask and phase shift mask

Номер патента: JP7062377B2. Автор: 景弘 影山,鳩徳 野口,博幸 磯,聖 望月. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2022-05-16.

Edge-enhanced phase shift mask manufacturing method and edge-enhanced phase shift mask

Номер патента: JP6001987B2. Автор: 昌典 橋本,橋本　昌典,昭次 橋本. Владелец: SK Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Phase shift mask blanks and phase shift masks

Номер патента: JP4137974B2. Автор: 靖 大久保,秀喜 須田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2008-08-20.

Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask and its production

Номер патента: JPH10161294A. Автор: Kinji Okubo,欽司 大久保. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-19.

Phase shift mask blank, phase shift mask, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4933753B2. Автор: 智 岡崎,博樹 吉川,祐一 福島,崇 原口,政秀 岩片,匡 佐賀,寛 窪田,良紀 木名瀬. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2012-05-16.

Production of phase shift mask and production of phase shift mask blank

Номер патента: JPH11316454A. Автор: 勝 三井,秀喜 須田,Masaru Mitsui,Hideki Suda,Kimihiro Okada,公宏 岡田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

High transmittance attenuated phase shift mask for optical lithography

Номер патента: TWI276913B. Автор: Fu-Der Lai. Владелец: Nat Kaohsiung First University. Дата публикации: 2007-03-21.

High transmittance attenuated phase shift mask for an optical lithography

Номер патента: TWI321265B. Автор: Fu Der Lai. Владелец: Univ Nat Kaohsiung 1St Univ Sc. Дата публикации: 2010-03-01.

High transmittance attenuated phase shift mask for optical lithography

Номер патента: TW200736817A. Автор: Fu-Der Lai. Владелец: Univ Nat Kaohsiung 1St Univ Sc. Дата публикации: 2007-10-01.

Attenuating phase shift mask for photolithography

Номер патента: AU2002227363A1. Автор: Vladimir Liberman,Mordechai Rothschild. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2003-03-24.

High transmittance attenuated phase shift mask for an optical lithography

Номер патента: TW200741346A. Автор: Fu-Der Lai. Владелец: Univ Nat Kaohsiung 1St Univ Sc. Дата публикации: 2007-11-01.

Phase shift mask for ultra-small hole patterning

Номер патента: TW200702897A. Автор: Chin-Lung Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-01-16.

PHASE SHIFT MASK BLANK AND PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20150056539A9. Автор: Kominato Atsushi,Hashimoto Masahiro,SHISHIDO Hiroaki,IWASHITA Hiroyuki. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-26.

Phase shift mask blank, method for manufacturing the same, and method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP6661262B2. Автор: 誠治 坪井,典之 酒屋. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask

Номер патента: JP4014922B2. Автор: 順 野澤,英明 三ツ井,勇樹 塩田,亮 大久保. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-11-28.

Phase shift mask blank and phase shift mask

Номер патента: JP3174741B2. Автор: 洋一 山口,研二 松本,英明 三ツ井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2001-06-11.

Phase shift mask and phase shift mask blank

Номер патента: JP2837807B2. Автор: 英雄 小林,勝 三井. Владелец: HOOYA KK. Дата публикации: 1998-12-16.

Halftone phase shift mask blank and halftone phase shift mask

Номер патента: JPH11258772A. Автор: Takashi Haraguchi,Tadashi Matsuo,正 松尾,崇 原口. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-24.

Phase shift mask and phase shift mask blank

Номер патента: JP2837803B2. Автор: 勝 三井. Владелец: HOOYA KK. Дата публикации: 1998-12-16.

Phase shift mask for transmission type exposure and production of semiconductor integrated circuit device using this shift mask

Номер патента: JPH11223930A. Автор: Takashi Nakabayashi,隆 中林. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-08-17.

Measurement method of phase shift amount for processing phase shift mask

Номер патента: JP3508988B2. Автор: 浩 藤田,岩瀬和也. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2004-03-22.

Method for automatically generating annular phase shifting mask

Номер патента: TW372283B. Автор: Jin-Long Lin,yao-jin Gu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-21.

Alternating phase shift mask and method of the same

Номер патента: TW200827924A. Автор: Tsan Lu,Kun-Yuan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Mask blanks, mask blanks with a negative resist film, phase shift mask, and method for producing a pattern forming body using the same

Номер патента: JP6379556B2. Автор: 勝也 早野,浩司 渡邊,俊 安達,陽一 三浦,洋平 大川,秀吉 高見澤,早野　勝也,絢子 谷. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-08-29.

Photolithographic process using semi-transparent phase-shift mask to eliminate the edge side lobe effect

Номер патента: TW408387B. Автор: Chang-Ming Dai,Chuen-Huei Yang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2000-10-11.

Improved manufacturing method for alternation phase shift mask

Номер патента: TW362168B. Автор: San-De Tzu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-21.

Method of using alternative phase-shift mask to form contact-hole pattern

Номер патента: TW448495B. Автор: Hua-Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-08-01.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: TW412778B. Автор: Szu-Min Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Phase shift mask and its manufacturing method

Номер патента: TW573309B. Автор: San-De Tzu,Wei-Zen Chou,Ching-Shiun Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-01-21.

A phase shift mask

Номер патента: TW561312B. Автор: Chin-Lung Lin,Chuen-Huei Yang,Ming-Jui Chen,Wen-Tien Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-11.

Dual phase shifting mask

Номер патента: TW439115B. Автор: Sz-Min Lin,Lian-Sheng Jung,Guei-Jiun Hung,Shian-An Jang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

Phase shift mask and system and method for making the same

Номер патента: AU2002239503A1. Автор: Todd Lukanc. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-12.

Alternating phase shift mask

Номер патента: AU2002241686A1. Автор: Hung-Eil Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-11-11.

The manufacturing method for attenuated phase shift mask with double layers

Номер патента: TW318215B. Автор: Jia-Huey Lin,San-Der Tzy,Jyh-Chyang Twu,Wenn-Horng Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-10-21.

Mask blank manufacturing method, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6295352B2. Автор: 博明 宍戸,猛伯 梶原,野澤　順,順 野澤. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-03-14.

Manufacturing method of mask blank and manufacturing method of phase shift mask

Номер патента: JP6373607B2. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,順 野澤,和也 酒井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-08-15.

Mask blank, phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6505891B2. Автор: 博明 宍戸,野澤　順,順 野澤,和也 酒井. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-04-24.

Process for dual metal damascene of single mask using phase shift mask

Номер патента: TW364185B. Автор: Chang-Ming Dai. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 1999-07-11.

Phase-shift mask with assist phase regions

Номер патента: US20120156814A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

Method for optimizing two-phase phase shift mask based on generalized wavelet penalty function

Номер патента: CN102289146A. Автор: 马旭,李艳秋,董立松. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2011-12-21.

ATTENUATED PHASE SHIFT MASK FOR MULTI-PATTERNING

Номер патента: US20140072902A1. Автор: Chen Frederick T.. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing reflection-type phase shift mask for euv light exposure

Номер патента: JP2012124196A. Автор: 司 安部,Tsukasa Abe,友一 稲月,Takeya Shimomura,Yuichi Inazuki,剛哉 下村. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2012-06-28.

PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120058421A1. Автор: HIROSHIMA Masahito. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD FOR CORRECTING CRITICAL DIMENSION OF PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120061349A1. Автор: RYU Choong Han. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

INVERSE LITHOGRAPHY FOR HIGH TRANSMISSION ATTENUATED PHASE SHIFT MASK DESIGN AND CREATION

Номер патента: US20120117523A1. Автор: HENDRICKX Eric Henri Jan,Tritchkov Alexander V.,Kyohei Sakajiri. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2012-05-10.

Photolithographic led fabrication using phase-shift mask

Номер патента: US20120153323A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

HIGH RESOLUTION PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20120164563A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD AND SYSTEM FOR EXPOSURE OF A PHASE SHIFT MASK

Номер патента: US20130040242A1. Автор: CHEN Chih-Ming,Ho Ming-Tao,Tseng Ya-Ping. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-14.

ANISOTROPIC PHASE SHIFTING MASK

Номер патента: US20130293858A1. Автор: Hsieh Ken-Hsien,LIN Burn Jeng,Ng Hoi-Tou,Chou Shou-Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-11-07.

Halftone phase shift mask and resist exposure method

Номер патента: JP3344098B2. Автор: 史且 上澤. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-11-11.

Manufacturing method of phase shift mask

Номер патента: JP6931556B2. Автор: 景弘 影山,鳩徳 野口,博幸 磯,聖 望月,影山　景弘. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Halftone phase shift mask and blank and method for transferring pattern

Номер патента: JP2003255513A. Автор: Takashi Haraguchi,Tadashi Matsuo,正 松尾,Tsukasa Yamazaki,浩一郎 金山,Koichiro Kanayama,崇 原口,司 山嵜,Masahide Iwakata,政秀 岩片. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-10.

Method for manufacturing halftone phase shift mask

Номер патента: JP2006078727A. Автор: Jotaro Suzuki,丈太郎 鈴木. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Defect inspection system for phase shift mask

Номер патента: JP4654349B2. Автор: 潔 小川. Владелец: Lasertec Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Method for forming halftone phase shift mask

Номер патента: JP3582028B2. Автор: 和俊 太田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-27.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP2616562B2. Автор: 祐子 関,淳 潮田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-06-04.

Pattern forming method, phase shift mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3279313B2. Автор: 尚志 渡辺. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP2014092727A. Автор: 敦 飛田,一樹 木下,Kazuki Kinoshita,Atsushi Hida. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2014-05-19.

Method for correcting white defect in phase shift mask

Номер патента: JP3219315B2. Автор: 栗原　　正彰,正泰 高橋. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-10-15.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP3173314B2. Автор: 和夫 鈴木,祐一 福島. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2001-06-04.

Halftone phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: JP3636838B2. Автор: 靖 大久保. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Halftone phase shift mask and resist exposure method

Номер патента: JP3322007B2. Автор: 秀夫 清水. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-09.

Phase shift mask and its production

Номер патента: JPH10333316A. Автор: Akira Imai,彰 今井,Tsuneo Terasawa,Norio Hasegawa,昇雄 長谷川,恒男 寺澤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-12-18.

Method for manufacturing halftone phase shift mask

Номер патента: JP3630929B2. Автор: 秀喜 須田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2005-03-23.

Phase shift mask and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3322284B2. Автор: 芳郎 山田. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2002-09-09.

Method for manufacturing halftone phase shift mask

Номер патента: JP3677866B2. Автор: 正 松尾,欽司 大久保,崇 原口. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Method for producing phase shift mask

Номер патента: JP3736132B2. Автор: 義弘 越戸. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Phase shift mask

Номер патента: JPH10104813A. Автор: Masamitsu Ito,巌 東川,正光 伊藤,Iwao Tokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-04-24.

Method for manufacturing halftone phase shift mask

Номер патента: JP4419464B2. Автор: 和典 池田,渉 野崎. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2010-02-24.

Phase-shift mask manufacturing method

Номер патента: CN1455298A. Автор: 张庆裕,洪齐元,钟维民,吴义镳. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-12.

Halftone phase shift mask, method of repairing the same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP3263872B2. Автор: 圭祐 津▲高▼. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

How to modify the phase shift mask

Номер патента: JP3071324B2. Автор: 克宏 宅島,秀之 神保,太郎 齋藤. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-31.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP4314899B2. Автор: 和典 池田,元彦 森田. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2009-08-19.

Clean method of phase shifting mask

Номер патента: TW508642B. Автор: Jiun-Shian Li,Shian-Ting Chen,Ching-Wang Hu,Jie-Yuan Jeng,Shiang-Gan Shiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-11-01.

Halftone phase shift mask

Номер патента: JP3669631B2. Автор: 靖 大久保. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

Phase shift mask and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4562419B2. Автор: 晋生 渡邉. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-10-13.

Phase shift mask, method of manufacturing the same, and exposure apparatus

Номер патента: JP2967150B2. Автор: 直博 横川. Владелец: HOOYA KK. Дата публикации: 1999-10-25.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP2933759B2. Автор: 俊一 小林. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1999-08-16.

Method for manufacturing halftone phase shift mask blank

Номер патента: JP6263051B2. Автор: 今朝広 小池,重徳 石原,小池　今朝広,寿治 菊地,石原　重徳. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2018-01-17.

Phase shift mask and pattern forming method

Номер патента: JP4574343B2. Автор: 庭佑 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-04.

Method and apparatus for removing unnecessary coating film and method for manufacturing phase shift mask blank

Номер патента: JP3105991B2. Автор: 邦彦 輿石. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2000-11-06.

Method of repairing the bridge in the phase shift mask

Номер патента: KR100762235B1. Автор: 정호용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-01.

Defect correction method for halftone phase shift mask

Номер патента: JPH1165091A. Автор: Junichi Tanaka,淳一 田中,秀喜 須田,Hideki Suda. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1999-03-05.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP3434309B2. Автор: 修一 松田,欣也 上山. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-04.

Phase shift mask

Номер патента: JP3257232B2. Автор: 稔 菅原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-18.

Method of forming chrome blind halftone phase shift mask

Номер патента: KR19980068792A. Автор: 김형준. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-10-26.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP3230284B2. Автор: 淳一 佐藤. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-19.

Halftone phase shift mask, its blank and method for producing those

Номер патента: JP2003186175A. Автор: Takashi Haraguchi,Tadashi Matsuo,正 松尾,崇 原口. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Phase shift mask and method for correcting the same

Номер патента: JP2941975B2. Автор: 邦博 細野. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-30.

Method for manufacturing phase shift mask

Номер патента: JP4702905B2. Автор: 秀喜 須田. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-06-15.

Manufacturing method of alternating phase shift mask

Номер патента: TW533476B. Автор: San-De Tz,Jen-Hau Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-21.

Method of fabricating attenuated phase shift mask

Номер патента: TW544770B. Автор: Chung-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-01.

Method of producing outrigger type phase shifting mask

Номер патента: TW418350B. Автор: Chia-Hui Lin,San-De Tzu,Wei-Zen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-01-11.

Alternating phase shifting mask

Номер патента: TW508682B. Автор: Chien-Wen Lai,I-Hsiung Huang,Chien-Ming Wang,Feng-Yuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-11-01.

The manufacturing method for multi-layers attenuated phase shift mask

Номер патента: TW318214B. Автор: San-Der Tzy,Jyh-Chyang Twu,Jia-Jang Wang,Wenn-Horng Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1997-10-21.

Structure of phase-shift mask

Номер патента: TW444264B. Автор: San-De Tz,Yi-Shiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-07-01.

Manufacturing method of double trench alternating phase shift mask

Номер патента: TW538456B. Автор: San-De Tzu,Chung-Hsing Chang,Chang-Ming Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-06-21.

Semi-transparent phase shift mask structure and the manufacturing method

Номер патента: TW358170B. Автор: San-De Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-11.

Phase-shift mask and lithography method thereby

Номер патента: TW200731021A. Автор: Yee-Kai Lai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Exposure calibration method of phase shift mask

Номер патента: TW423048B. Автор: Hua-Tai Lin,Jia-Huei Lin,Jeng-Jeng Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-02-21.

Double rim half-tone phase shift mask

Номер патента: TW243585B. Автор: Ming-Tzong Yang,Horng-Syh Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Subresolution phase shift mask (PSM) automatic focusing manufacturing method and its structure

Номер патента: TW225037B. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-06-11.

Method of fabricating phase shift mask

Номер патента: TW552468B. Автор: Ching-Yu Chang,Chi-Yuan Hung,I-Pien Wu,Wei-Ming Chung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-11.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.