• Главная
  • Inspection device and inspection method of dielectric film, and method of manufacturing semiconductor device

Inspection device and inspection method of dielectric film, and method of manufacturing semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Flash memory device and a fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

Номер патента: US6838394B2. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa. Владелец: Tadahiro Ohmi. Дата публикации: 2005-01-04.

Flash memory device and a fabrication process thereof, method of forming a dielectric film

Номер патента: US7109083B2. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa. Владелец: Tadahiro Ohmi. Дата публикации: 2006-09-19.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Display module inspection device and display module inspection method

Номер патента: US20220206049A1. Автор: Jun-young Ko,Joo-Hyeon Jeong,Bongil Kang,Sangkook KIM,Gayeon Yun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Car body inspection device and car body inspection method

Номер патента: US20240314420A1. Автор: Makoto Hirakawa,Teruki Kamada,Makoto Hino,Masaru Kumagai,Rie Hirayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Car body inspection device and car body inspection method

Номер патента: EP4431922A1. Автор: Makoto Hirakawa,Teruki Kamada,Makoto Hino,Masaru Kumagai,Rie Hirayama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Work visual inspection device and work visual inspection method

Номер патента: US09838608B2. Автор: Hiroaki Chaki. Владелец: Tokyo Weld Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Inspection device, bonding system and inspection method

Номер патента: US20140055599A1. Автор: Hiroshi Tomita,Shinji Koga,Takeshi Tamura,Shuji Iwanaga,Akinori MIYAHARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Insulation inspection device for motors and insulation inspection method for motors

Номер патента: US09797955B2. Автор: Hiroki Shiota,Shinichi Okada,Hirotaka Muto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Inspection device, inspection facility and inspection device failure confirmation method

Номер патента: US20190120772A1. Автор: Yoshihiro Yamagata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Focus ring inspection device and focus ring inspection method

Номер патента: US20240159590A1. Автор: Sun Il Kim,Ki Ryong Lee,Dong Mok Lee,Jin Il SUNG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Display module inspection device and display module inspection method

Номер патента: US11906561B2. Автор: Jun-young Ko,Joo-Hyeon Jeong,Bongil Kang,Sangkook KIM,Gayeon Yun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Work visual inspection device and work visual inspection method

Номер патента: MY171995A. Автор: CHAKI Hiroaki. Владелец: Tokyo Weld Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-11.

Storage battery inspection device and storage battery inspection method

Номер патента: US11828811B2. Автор: Shogo Suzuki,Noriaki Kimura,Kenjiro Kimura,Yuki Mima. Владелец: Integral Geometry Science Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Insulation inspection device for motors and insulation inspection method for motors

Номер патента: US20150247901A1. Автор: Hiroki Shiota,Shinichi Okada,Hirotaka Muto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of analyzing metal contamination of silicon wafer and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20190371616A1. Автор: Taisuke Mizuno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Control method of driving apparatus, driving apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Номер патента: US11754932B2. Автор: Hayato Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Control method of driving apparatus, driving apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Номер патента: US20230011753A1. Автор: Hayato Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Control method of driving apparatus, driving apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Номер патента: US20230375946A1. Автор: Hayato Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Control method of driving apparatus, driving apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article

Номер патента: US12130560B2. Автор: Hayato Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of designing thickness of coating film and semiconductor photonic device

Номер патента: US20060115227A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of inspecting lithium ion secondary battery separator and method of producing the same

Номер патента: US20240027330A1. Автор: Tomofumi Yamada. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Board conveyance device and conveyance belt inspection method

Номер патента: US20170285545A1. Автор: Toshihiro Kodama. Владелец: Fuji Machine Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Pattern defect inspection device and pattern defect inspection method

Номер патента: US20240193755A1. Автор: Noyoung CHUNG,Jungkee CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

X-ray inspection device and X-ray inspection method

Номер патента: US8422630B2. Автор: Yoshiki Matoba. Владелец: SII NanoTechnology Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

Communication hole inspection device and communication hole inspection method

Номер патента: US12055499B2. Автор: Satoshi Matsumoto,Masato YOKEMURA,Ken AKIYAMA. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Welded portion inspection device and welded portion inspection method

Номер патента: US20240077427A1. Автор: Satoshi Fukui,Tomokatsu Nishiyama. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Display panel inspection device and display panel inspection method using the same

Номер патента: US20240219424A1. Автор: Dong Hoon Lee,Haewook YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Inspection device for scanning and inspecting object being inspected

Номер патента: EP4414695A1. Автор: LI ZHANG,XIN Jin,Zhiqiang Chen,Ming Chang,Qingping Huang,Mingzhi Hong,Liguo Zhang. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Liquid crystal display driving device and liquid crystal inspection method using the same

Номер патента: US5757346A. Автор: Hiroaki Mita. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Communication hole inspection device and communication hole inspection method

Номер патента: US20240151654A1. Автор: Satoshi Matsumoto,Masato YOKEMURA,Ken AKIYAMA. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Positioning device, hole inspection device, positioning method and hole inspection method

Номер патента: US20200378749A1. Автор: Masao Watanabe,Tatsuo Nakahata,Ryohei Ono. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Supporting force inspection device and supporting force inspection method

Номер патента: US11462335B2. Автор: Kazuo Hirota,Shingo Nishida,Ryoichi Kawakami. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Fracture surface inspection device and fracture surface inspection method for loss evaluation

Номер патента: US11821725B2. Автор: Ryosuke MURAKAMI. Владелец: Yasunaga Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Supporting force inspection device and supporting force inspection method

Номер патента: US20210151209A1. Автор: Kazuo Hirota,Shingo Nishida,Ryoichi Kawakami. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Implantable inspecting device, inspecting system, and inspecting method

Номер патента: US20220248991A1. Автор: Chi-Heng Chang,Mei-Ching WANG. Владелец: GIMER MEDICAL CO Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Inspection device, packaging machine, and package inspection method

Номер патента: US11933742B2. Автор: Tsuyoshi Ohyama,Norihiko Sakaida,Takamasa Ohtani. Владелец: CKD Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Display drive device and image data inspection method

Номер патента: US20240320811A1. Автор: Man Jung Kim,Myung Yu KIM,Seok Jin JEONG,Bong Sin KWAK,Kwang Hee YOON. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display drive device and image data inspection method

Номер патента: EP4435768A1. Автор: Man Jung Kim,Myung Yu KIM,Seok Jin JEONG,Bong Sin KWAK,Kwang Hee YOON. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Device and system for and a method of monitoring a cable for a physical disturbance

Номер патента: US09778227B2. Автор: Ernst Jacobus Gustav Pretorius. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

A screening method, a kit, a method of treatment and a compound for use in a method of treatment

Номер патента: US20170016881A1. Автор: Tore Bengtsson. Владелец: ATROGI AB. Дата публикации: 2017-01-19.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Screening method, a kit, a method of treatment and a compound for use in a method of treatment

Номер патента: US09891212B2. Автор: Tore Bengtsson. Владелец: ATROGI AB. Дата публикации: 2018-02-13.

Screening method, a kit, a method of treatment and a compound for use in a method of treatment

Номер патента: US09784726B2. Автор: Tore Bengtsson. Владелец: ATROGI AB. Дата публикации: 2017-10-10.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of evaluating power storage device, jig set, and method of producing power storage device

Номер патента: US20240302454A1. Автор: Kensaku Miyazawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of evaluating power storage device, jig set, and method of producing power storage device

Номер патента: EP4428552A1. Автор: Kensaku Miyazawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Apparatus and method to monitor thermal runaway in a semiconductor device

Номер патента: US09618560B2. Автор: Sam Ziqun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device, and design method, inspection method, and design program therefor

Номер патента: US20050055651A1. Автор: Shinobu Isobe. Владелец: UMC Japan Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Screening Method, a Kit, A method of Treatment and a Compound for Use in a Method of Treatement

Номер патента: US20180095072A1. Автор: Tore Bengtsson. Владелец: ATROGI AB. Дата публикации: 2018-04-05.

A contact printer and a method of exposing sensitized graphic art film and paper

Номер патента: WO1991007693A1. Автор: Robert Seth Jones,John Joseph Maurer. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1991-05-30.

Method of localizing the myocardium of the heart and method of determining perfusion parameters thereof

Номер патента: WO2002047027A3. Автор: Marcel Breeuwer. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-30.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Welding quality inspection device and welding quality inspection method

Номер патента: EP4306258A4. Автор: Jae Won Lim,Hak Kyun KIM,Je Jun Lee,Hong Jae MUN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Inspection device, bonding system and inspection method

Номер патента: US9097681B2. Автор: Hiroshi Tomita,Shinji Koga,Takeshi Tamura,Shuji Iwanaga,Akinori MIYAHARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-04.

Inspection device, bonding system and inspection method

Номер патента: US20140054463A1. Автор: Hiroshi Tomita,Shinji Koga,Takeshi Tamura,Shuji Iwanaga,Akinori MIYAHARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Battery inspection device and battery inspection method

Номер патента: EP3982450A1. Автор: Takahiro Murai. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2022-04-13.

Sample inspection device and sample inspection method

Номер патента: US20200080949A1. Автор: Atsushi Koizumi,Tomohiro Nishitani,Haruka Shikano. Владелец: Photo Electron Soul Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Sample inspection device and sample inspection method

Номер патента: EP3734641A1. Автор: Atsushi Koizumi,Tomohiro Nishitani,Haruka Shikano. Владелец: Photo Electron Soul Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Welding quality inspection device and welding quality inspection method

Номер патента: EP4306258A1. Автор: Jae Won Lim,Hak Kyun KIM,Je Jun Lee,Hong Jae MUN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Welding quality inspection device and welding quality inspection method

Номер патента: US20240042557A1. Автор: Jae Won Lim,Hak Kyun KIM,Je Jun Lee,Hong Jae MUN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: WO2010056731A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2010-05-20.

Network-transmission inspection device and network-transmission inspection method

Номер патента: US09565086B2. Автор: Fu-Ming KANG. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of nonstoichiometric cvd dielectric film surface passivation for film roughness control

Номер патента: EP2347438A1. Автор: Kwanghoon Kim,Lance Kim. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-27.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of forming a dielectric film and plasma display panel using the dielectric film

Номер патента: US20050093451A1. Автор: Tae-Joung Kweon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Network-transmission inspection device and network-transmission inspection method

Номер патента: US20140177453A1. Автор: Fu-Ming KANG. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of patterning multiple-layered resist film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070141764A1. Автор: Eiichi Soda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of patterning multiple-layered resist film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7754543B2. Автор: Eiichi Soda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716159B1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09530848B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Manufacturing method of main metal fitting for spark plug and manufacturing method of spark plug

Номер патента: US9343878B2. Автор: Hajime Kawano,Koji Kamikawa. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9805944B2. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240079275A1. Автор: Takashi Tsuji,Naoto Fujishima,Yuichi Onozawa,Johnny Kin On Sin,Linhua Huang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271168A1. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of controlling contamination of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial wafer

Номер патента: US20200392618A1. Автор: Shota Kinose. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20240234142A9. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films

Номер патента: US09905420B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Methods of forming dielectric structures in semiconductor devices

Номер патента: WO2008054689A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of producing a semiconductor on insulating substrate, and a method of forming a transistor thereon

Номер патента: US5427976A. Автор: Risho Koh,Atsushi Ogura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20230420253A1. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of processing liquid crystal polymer film and device of processing liquid crystal polymer

Номер патента: US20200157297A1. Автор: Li-Hua Wang. Владелец: Azotek Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Method of fabricating thin, crystalline silicon film and thin film transistors

Номер патента: US11791159B2. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20240136182A1. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Manufacturing method of gas diffusion layer with microporous layer, and manufacturing method of fuel cell

Номер патента: US11502307B2. Автор: Hiroyuki Kawai,Yosuke Inoue. Владелец: Toho Titanium Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-15.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of Fabricating Thin, Crystalline Silicon Film and Thin Film Transistors

Номер патента: US20230420254A1. Автор: Ramesh kumar Harjivan Kakkad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

Systems and methods for forming additional metal routing in semiconductor devices

Номер патента: EP1977447A2. Автор: James Green,Mark Fischer,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-08.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11043450B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20040046228A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Radio frequency semiconductor device package and method for manufacturing same, and radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20150262901A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11798881B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US20200357741A1. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20030030069A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: FabTech Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Attention ability inspection device and attention ability inspection method

Номер патента: US11819330B2. Автор: Hiroshi Kishi,Kentaro Yokoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Attention ability inspection device and attention ability inspection method

Номер патента: US20220079486A1. Автор: Hiroshi Kishi,Kentaro Yokoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Dielectric film forming apparatus and method for forming dielectric film

Номер патента: US09593409B2. Автор: Isao Kimura,Hiroki Kobayashi,Takehito Jinbo,Youhei ENDOU,Youhei OONISHI. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of adjusting drive mechanism of wind turbine, and method of adjusting drive mechanism

Номер патента: US12072019B2. Автор: Hirofumi Komori. Владелец: Nabtesco Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of cooling main roll for ring rolling and method of manufacturing ring rolled body

Номер патента: US20200061686A1. Автор: Takanori Matsui,Takuya Murai,Tomoyoshi KIWAKE. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of commissioning an elevator system, elevator system and method of providing power to a landing operating panel

Номер патента: WO2024200341A1. Автор: Antonio Perfetto. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of producing refined oils and/or fats, and method for producing tocopherols

Номер патента: US20220177441A1. Автор: Hiroyuki KOZUI. Владелец: Nisshin Oillio Group Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of detecting a dna sequence, a dna sequence, a method of making a dna construct and the use thereof

Номер патента: EP1104490B1. Автор: Arie Pieter Otte. Владелец: Chromagenics BV. Дата публикации: 2007-08-15.

Method of detecting a dna sequence, a dna sequence, a method of making a dna construct and the use thereof

Номер патента: IL141371A. Автор: Arie Pieter Otte. Владелец: Chromagenics BV. Дата публикации: 2008-04-13.

Method of setting heat-resistant alloy cutting conditions and method of cutting heat-resistant alloy

Номер патента: US11925992B2. Автор: Jun Eto. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of fabricating a spar for a blade, and a method of fabricating a blade

Номер патента: US09950478B2. Автор: Jacques Gaffiero,Andre Amari,Benedicte Rinaldi. Владелец: Airbus Helicopters SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of the cutting tool and its structure and corresponding method of machining rotors

Номер патента: US12138718B1. Автор: Yu-Ren Wu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-11-12.

Cervical collar brace kit, collar blanks, methods of forming a model of a patient, and methods of forming collar blanks

Номер патента: US09687380B1. Автор: David L. Falk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of repairing defects in cast iron workpieces, and a method of connecting cast iron workpieces

Номер патента: US09545665B2. Автор: Hong Wei Zhang. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2017-01-17.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Method of reducing particle count inside a furnace and method of operating the furnace

Номер патента: US20070218694A1. Автор: Chiu-Hsien Yeh,Cheng-Chung Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of adding activated carbon in water purification and method of water purification

Номер патента: US7276167B2. Автор: Nobuhiro Aoki,Satoru Mima. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Method of forming score in can end plate and method of attaching tab to the same for facilitating the opening of can

Номер патента: CA1173701A. Автор: Kiyoshi Kawamata. Владелец: Nihon Seikan KK. Дата публикации: 1984-09-04.

Method of selectively stimulating oil wells, compositions therefor, and methods of making such compositions

Номер патента: US3719228A. Автор: C Carcia. Владелец: Byron Jackson Inc. Дата публикации: 1973-03-06.

Method of producing a compostable bioplastic film and compostable bioplastic film

Номер патента: WO2023161620A1. Автор: Lucy HUGHES. Владелец: Marinatex Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of making cerium oxide polyaniline composite nanospheres and methods of use

Номер патента: US20180162801A1. Автор: Mohammad W. KADI,R. M. Mohamed. Владелец: KING ABDULAZIZ UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of producing low molecular weight chitin/chitosan and method of producing an osteoconduction substance

Номер патента: US20030078394A1. Автор: Michio Ito. Владелец: Matsumoto Dental University. Дата публикации: 2003-04-24.

Method of producing a porous plastic film, and plastic film

Номер патента: EP1680461A1. Автор: Mikko Karttunen,Mika Paajanen,Satu Kortet. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2006-07-19.

Methods of laser scoring multi-layer films and related structures

Номер патента: EP2834069A1. Автор: Marc David SOREM,Josh Benjamin BALL. Владелец: Exopack Technology LLC. Дата публикации: 2015-02-11.

Non-destructive inspection device and non-destructive inspection method

Номер патента: EP4099009A4. Автор: Osamu Hasegawa,Takashi Shibutani. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

X-ray inspection device and x-ray inspection method

Номер патента: EP4220142A4. Автор: Masaru Ishida. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Briquette inspection device and briquette inspection method

Номер патента: US20140146310A1. Автор: Koji Tsukada,Fumio Yuasa. Владелец: Furukawa Industrial Machinery Systems Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

X-ray inspection system, x-ray inspection device, and x-ray inspection method

Номер патента: EP4027135A1. Автор: Kazuyuki Sugimoto,Daisuke Kudo. Владелец: Ishida Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

Fluid path inspection device and fluid path inspection method

Номер патента: US20170261396A1. Автор: Takuji Sasaki,Masaki Fujita,Jun Yoshioka,Jun KOGAWA,Toshiki AKAHIRA. Владелец: Takashin Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Silicon enhanced ionizing radiation shielding and its method of manufacture

Номер патента: WO2023230485A1. Автор: Anna Brown. Владелец: Stark Street Materials Company. Дата публикации: 2023-11-30.

DRUG SOLUTION INSPECTION DEVICE AND DRUG SOLUTION INSPECTION METHOD

Номер патента: US20130343620A1. Автор: Okuda Akinobu,OKAMOTO Tamao. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

SURFACE PROPERTY INSPECTION DEVICE AND SURFACE PROPERTY INSPECTION METHOD

Номер патента: US20140084910A1. Автор: MAKINO Yoshiyasu. Владелец: SINTOKOGIO, LTD.. Дата публикации: 2014-03-27.

SLEEVE POSITION INSPECTING DEVICE AND SLEEVE POSITION INSPECTING METHOD

Номер патента: US20200025553A1. Автор: Uchiyama Hideaki,TOKURA Kentaro,NAGAMOTO Naoki,KAKEHASHI Takao,IKEHARA Motohiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

INSPECTION DEVICE, INSPECTION SYSTEM, AND INSPECTION METHOD

Номер патента: US20200064274A1. Автор: Uchida Satoshi,WAKIZAKA Yoshikazu,ENJOJI Takaharu,TAKANO Masayo,KATO Eiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FOREIGN OBJECT INSPECTION DEVICE AND FOREIGN OBJECT INSPECTION METHOD

Номер патента: US20190084013A1. Автор: MITSUE Toyoaki,SAWASAKI Tomio,KANAYAMA Chieko. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425288B2. Автор: Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502525B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Optical module and method of manufacturing optical module

Номер патента: US09530907B2. Автор: Hiroshi Yamamoto,Daisuke Noguchi,Masahiro Hirai. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20040207047A1. Автор: Amitava Bose,Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Todd Roggenbauer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method of forming high dielectric film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200832545A. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Hiroaki Uchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-01.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

IMAGE INSPECTION DEVICE, IMAGE INSPECTION SYSTEM, IMAGE INSPECTION METHOD, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20130301083A1. Автор: Kaneda Kanako. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-11-14.

NETWORK-TRANSMISSION INSPECTION DEVICE AND NETWORK-TRANSMISSION INSPECTION METHOD

Номер патента: US20140177453A1. Автор: KANG Fu-Ming. Владелец: Wistron NeWeb Corp.. Дата публикации: 2014-06-26.

Manufacturing method of waterproof glove

Номер патента: US20240269950A1. Автор: Boung Wook Kim. Владелец: Bnh Inc Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

ATTENTION ABILITY INSPECTION DEVICE AND ATTENTION ABILITY INSPECTION METHOD

Номер патента: US20220079486A1. Автор: Kishi Hiroshi,YOKOI Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODULATING VASCULAR DEVELOPMENT

Номер патента: US20120003208A1. Автор: Ye Weilan,Parker,Schmidt Maike,Filvaroff Ellen,IV Leon H.,Hongo Jo-Anne S.. Владелец: Genentech, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for the Treatment of Ophthalmic Disease

Номер патента: US20120003275A1. Автор: Donello John E.,Schweighoffer Fabien J.,Rodrigues Gerard A.,McLaughlin Anne P.,Mahé Florence. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Removing Ticks from the Skin and Reducing the Risk of Bites

Номер патента: US20120003333A1. Автор: Schaffner Carl P.,Griesinger William K.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DYNAMICALLY CHANGING A PARAMETER OF A FRAME

Номер патента: US20120002073A1. Автор: Chen Chi-De. Владелец: ABILITY ENTERPRISE CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Bread Product And Method

Номер патента: US20120003353A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Bread Product And Method

Номер патента: US20120003354A1. Автор: Lonergan Dennis Arthur. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIRECT DRIVE ENDOSCOPY SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004502A1. Автор: Shaw William J.,Weitzner Barry,Smith Paul J.,Golden John B.,Intoccia Brian J.,Suon Naroun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.