Integrated circuit and method for manufacturing the same
Номер патента: US11751401B2
Опубликовано: 05-09-2023
Автор(ы): Kuo-Chi Tu, Sheng-Hung SHIH, Tzu-Yu Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-09-2023
Автор(ы): Kuo-Chi Tu, Sheng-Hung SHIH, Tzu-Yu Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuit semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: US11664379B2. Автор: Jaehyun Lee,Jonghan LEE,Jongha PARK,Seonghwa Park,Jaehoon WOO,Dabok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-30.