Manufacturing method of capacitive element
Номер патента: JP2954877B2
Опубликовано: 27-09-1999
Автор(ы): 恭博 嶋田, 能久 長野, 英治 藤井
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Опубликовано: 27-09-1999
Автор(ы): 恭博 嶋田, 能久 長野, 英治 藤井
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Manufacturing method of polysilicon semiconductor layer,thin film transistor and manufacturing method
Номер патента: US20200006524A1. Автор: Ming-Jen Lu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.