Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Synchronous delay circuit and semiconductor IC apparatus

Synchronous delay circuit and semiconductor IC apparatus

Номер патента: KR100395467B1
Опубликовано: 25-08-2003
Автор(ы): 사에키타카노리
Принадлежит: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit having latch circuits and using delay circuits to fetch data bits in synchronization with clock signals

Номер патента: US20140055185A1. Автор: Masakuni Kawagoe. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Delay control circuit and delay control method

Номер патента: US20090160512A1. Автор: Seiichi Watarai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Timing generation circuit and method for timing generation

Номер патента: US20020140483A1. Автор: Yasuo Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Variable delay circuit, variable delay device, and vco circuit

Номер патента: US20080224747A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Voltage control type delay circuit and internal clock generation circuit using the same

Номер патента: US5731727A. Автор: Yasuhiro Konishi,Hisashi Iwamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Delay circuit and phase interpolator

Номер патента: US11349466B2. Автор: Ji Hwan Park,Byung Kuk YOON,Jun Il MOON,Myeong Jae PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-31.

Delayed locked loop & phase locked loop merged with synchronous delay circuit

Номер патента: KR100269316B1. Автор: 이정배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Delay circuit, delay locked loop circuit including delay circuit and processor including delay locked loop circuit

Номер патента: US09571110B2. Автор: Masazumi Maeda,Yoshiharu Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Delay circuit, delay locked loop circuit including delay circuit and processor including delay locked loop circuit

Номер патента: US20160105189A1. Автор: Masazumi Maeda,Yoshiharu Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Time delay circuit and time to digital converter

Номер патента: US20090128322A1. Автор: Stephan Henzler,Dominik Lorenz,Siegmar KÖPPE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-05-21.

Clock generating circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240072810A1. Автор: Young Jae An,Gyu Tae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Signal delay circuit and signal delay method

Номер патента: US20130127508A1. Автор: Shih-Lun Chen,Ming-Jing Ho. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Variable delay circuit, timing generator and semiconductor testing apparatus

Номер патента: KR101324341B1. Автор: 마사까쯔 스다. Владелец: 가부시키가이샤 어드밴티스트. Дата публикации: 2013-10-31.

Variable delay circuit, timing generator and semiconductor testing apparatus

Номер патента: US20100019795A1. Автор: Masakatsu Suda. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Variable delay circuit, timing generator, and semiconductor test apparatus

Номер патента: JPWO2008023624A1. Автор: 昌克 須田. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Delay circuit and semiconductor device

Номер патента: US09647651B2. Автор: Takahisa Takeda,Tomomi Taniguchi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Leakage current-based delay circuit

Номер патента: US09667241B2. Автор: Bum-man Kim,Tae-Young Chung,Jaesup Lee,Dae-Chul JEONG. Владелец: Poshtech Academy-Industry Foundation. Дата публикации: 2017-05-30.

Delay circuits

Номер патента: US20180091127A1. Автор: Wei-Chung Wu,Szu-Chi CHEN,Sheng-Chih CHUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Delay circuit and ring oscillator

Номер патента: US20030048141A1. Автор: Masakatsu Suda. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Delay circuit and delay stage thereof

Номер патента: US20130057322A1. Автор: Ming-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor device including delay circuit and operating method thereof

Номер патента: US09531362B1. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Variable delay circuit and delay correction method

Номер патента: US20090045864A1. Автор: Tetsutaro Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-02-19.

Tunable delay circuit and operating method thereof

Номер патента: US09825618B2. Автор: Yipin WU,Heng-Meng LIU. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Delay circuit

Номер патента: US20020140474A1. Автор: Takao Nakashimo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Delay circuit, clock control circuit and control method

Номер патента: US20200304115A1. Автор: Bo QU,Lixin Jiang,JinFu Chen. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Delay circuit and method

Номер патента: US5936451A. Автор: Mario Paparo,William A. Phillips,Piero Capocelli. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 1999-08-10.

Programmable clock delay circuit

Номер патента: US7102407B2. Автор: Darren Slawecki. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Digitally controlled delay circuit

Номер патента: CA1271816A. Автор: John W. Stewart. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-07-17.

Circuit and method for determining a delay of a delay circuit

Номер патента: US12028076B1. Автор: Richard Ernest Geiss. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Delay circuit, semiconductor integrated circuit device containing a delay circuit and delay method

Номер патента: US20020140484A1. Автор: Satoru Kawamoto,Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit and transmission device

Номер патента: US11031928B2. Автор: Takanobu Muraguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Delay circuit device having a reduced current consumption

Номер патента: US6104224A. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Delay circuit for clock generation

Номер патента: US11750177B2. Автор: Bjørnar Hernes. Владелец: Disruptive Technologies Research AS. Дата публикации: 2023-09-05.

Variable delay circuit and a variable pulse width circuit

Номер патента: US5821793A. Автор: Norio Higashisaka,Akira Ohta,Tetsuya Heima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Variable delay circuit

Номер патента: US5686851A. Автор: Hiroyuki Yamada,Shouhei Seki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-11.

Delay Circuit and Ring Oscillator Using The Same

Номер патента: US20060197572A1. Автор: Kazuo Hasegawa,Hirohisa Suzuki,Eiji Akama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Delay circuit

Номер патента: CA2014969C. Автор: Masaya Tanno,Masato Onaya. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Data dependent variable time delay circuit

Номер патента: US5059837A. Автор: Mark G. Marshall,Charles K. Erdelyi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Semiconductor device including delay circuit and operating method thereof

Номер патента: US20160373096A1. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Accurate low-power delay circuit

Номер патента: US20140002166A1. Автор: Steve X. Chi,Ekram H. Bhuiyan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-01-02.

Variable delay circuit

Номер патента: US20030135796A1. Автор: Toshiyuki Okayasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Delay circuit with delay cells in different orientations

Номер патента: US7683689B1. Автор: Kar Keng Chua,Boon Jin Ang,Thow Pang Chong,Tat Mun Lui,Kam Fai Suit. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Delay circuit

Номер патента: US09484902B2. Автор: Yo-Sep LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Variable delay circuit for delaying logic signals, characterized by a delay time that is a linear function of a control voltage

Номер патента: US6087874A. Автор: John Gordon Hogeboom. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Variable delay circuit

Номер патента: US5831465A. Автор: Seiichi Watarai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-03.

Signal delay circuit using charge pump circuit

Номер патента: US5059838A. Автор: Kenji Matsuo,Hideaki Uchida,Akira Nagae,Hiroyuki Motegi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Delay circuit and delay time adjustment method

Номер патента: US20080297221A1. Автор: Kazuhiro Kobayashi,Tatsuaki Denda. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Circuit and method for delaying signal

Номер патента: US20120262210A1. Автор: Tae-Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Variable delay circuit and delay amount control method

Номер патента: US20090160520A1. Автор: Hiroyuki Matsunami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Delay circuit and related method thereof

Номер патента: US20090322397A1. Автор: Yuan-Chin Liu,Chang-Po Ma. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Process tolerant delay circuit having process sensitive and process insensitive components placed therein

Номер патента: US5815009A. Автор: Makoto Ueda,Joseph Andrew Iadanza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Variable delay circuit

Номер патента: US5668491A. Автор: Norio Higashisaka,Akira Ohta. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Tunable delay circuit and operating method thereof

Номер патента: US20160211835A1. Автор: Yipin WU,Heng-Meng LIU. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Programmable delay circuit block

Номер патента: EP3192171A1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-07-19.

Delay circuit having stable delay time

Номер патента: US5057722A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Delay circuit employing different threshold fet's

Номер патента: US5063313A. Автор: Hiroshi Miyamoto,Michihiro Yamada,Shigeru Kikuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-11-05.

Delay circuit

Номер патента: US4914326A. Автор: Hiroshi Miyamoto,Michihiro Yamada,Shigeru Kikuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-03.

Adjustable delay circuit

Номер патента: US5592116A. Автор: Mohamed Bedouani. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1997-01-07.

Reconfigurable delay circuit, delay monitor circuit using said delay circuit, variation compensation circuit, variation measurement method, and variation compensation method

Номер патента: US09899993B2. Автор: Hidetoshi Onodera,Islam A. K. M Mahfuzul. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2018-02-20.

Delay circuit and ring oscillator incorporating the same

Номер патента: US20020039036A1. Автор: Toshiya Fujiyama,Masanori Inamori,Hiroki Doi,Syouji Sakurai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Delay circuit and semiconductor apparatus

Номер патента: WO2014007006A1. Автор: Junichi Kanno,Kuniaki Arai. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-01-09.

Clock gating using a delay circuit

Номер патента: EP3329341A1. Автор: Fadi Adel Hamdan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

Clock gating using a delay circuit

Номер патента: WO2017019219A1. Автор: Fadi Adel Hamdan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-02-02.

Clock gating using a delay circuit

Номер патента: US09837995B2. Автор: Fadi Adel Hamdan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Delay circuits and semiconductor devices

Номер патента: US11894850B1. Автор: XinXin Zhang,Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Input/output circuit and method

Номер патента: US20200287528A1. Автор: Ming-Chieh Huang,Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Chih-Chang Lin,Tsung -Ching HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Delay circuit and delay structure

Номер патента: EP3998705A1. Автор: Weibing SHANG,Kangling JI,Anping QIU,Chan Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Semiconductor delay circuit having inverter circuits and transfer gates

Номер патента: US6130567A. Автор: Yasuo Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method and apparatus to delay circuit trigger

Номер патента: US20020033719A1. Автор: Richard I. Mellitz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Signal delay circuit

Номер патента: GB1137708A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1968-12-27.

Clock generation circuit and latch using same, and computing device

Номер патента: US11799456B2. Автор: Jieyao Liu,Nangeng ZHANG,Jingjie Wu,Shenghou MA. Владелец: Canaan Creative SH Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Delay circuit, pulse generation circuit, chip, and server

Номер патента: CA3223771A1. Автор: HAO Yan,An Zhao,Benfu WEI. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Controllable delay circuit for delaying an electric signal

Номер патента: EP1402637A1. Автор: Rinze I. M. P. Meijer,Hendricus J. M. Veendrick,Victor E. S. Van Dijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-31.

Programmable delay circuit for low power applications

Номер патента: US09490785B1. Автор: Shraddha Sridhar,Jan Christian Diffenderfer,Guneet Singh,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Delay circuit, drive apparatus, semiconductor apparatus and delay method

Номер патента: US20240291473A1. Автор: Taizo ASANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Delay circuit

Номер патента: US09787296B1. Автор: Kyung-Hoon Kim,Yong-Ju Kim,Myeong-Jae Park,Sung-Eun Lee,Woo-Yeol SHIN,Han-Kyu Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High resolution phase correcting circuit and phase interpolating device

Номер патента: US11888486B2. Автор: Jaewoo Park,Junghwan Choi,Myoungbo KWAK,Jinook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Temperature independent delay circuits

Номер патента: US7733148B2. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-08.

Temperature Independent Delay Circuits

Номер патента: US20090102533A1. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-23.

Delay circuits, and related semiconductor devices and methods

Номер патента: US11342906B2. Автор: Hiroshi Akamatsu,Zhi Qi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Decision-feedback equalizer using feedback filter with controllable delay circuit and associated method

Номер патента: US20230308316A1. Автор: Chih-Lun Chuang,Wen-Hsuan Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Decision-feedback equalizer using feedback filter with controllable delay circuit and associated method

Номер патента: EP4254886A1. Автор: Chih-Lun Chuang,Wen-Hsuan Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Control circuit and delay circuit

Номер патента: US20220166416A1. Автор: LEI Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Delay time measuring method, delay time adjusting method, and variable delay circuit

Номер патента: US20090302910A1. Автор: Masazumi Maeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Delay circuit, pulse generation circuit, chip and server

Номер патента: EP4354731A1. Автор: HAO Yan,An Zhao,Benfu WEI. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Delay circuit, pulse generation circuit, chip and server

Номер патента: US20240213969A1. Автор: HAO Yan,An Zhao,Benfu WEI. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, delay circuit, and related method

Номер патента: US10998893B2. Автор: Hiroshi Akamatsu,Zhi Qi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-04.

Pulse delay circuit

Номер патента: GB1140226A. Автор: . Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1969-01-15.

Apparatus and method for controlling a delay circuit

Номер патента: US20180069541A1. Автор: Hiroshi Takatori. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Delay circuit

Номер патента: US20150214938A1. Автор: Masanari Fujii. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Programmable delay circuit for low power applications

Номер патента: US20160329884A1. Автор: Shraddha Sridhar,Jan Christian Diffenderfer,Guneet Singh,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Programmable delay circuit for low power applications

Номер патента: EP3292631A1. Автор: Shraddha Sridhar,Jan Christian Diffenderfer,Guneet Singh,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-14.

Programmable delay circuit for low power applications

Номер патента: WO2016178742A1. Автор: Shraddha Sridhar,Jan Christian Diffenderfer,Guneet Singh,Michael Thomas Fertsch. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-10.

High-precision voltage dependent timing delay circuit

Номер патента: WO1997005700A1. Автор: Rainer Clemen,Wolfdieter Loehlein,Harald Mielich. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 1997-02-13.

Pulse delay circuit

Номер патента: US9154118B1. Автор: Huan-Min Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Pulse delay circuit

Номер патента: US20150295567A1. Автор: Huan-Min Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finFETs)

Номер патента: US09985616B2. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finFETs)

Номер патента: US09543935B1. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Programmable proportional clock edge delay circuit

Номер патента: US3906247A. Автор: Samuel T Heffner. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-09-16.

Digital signal delay circuit

Номер патента: CA1251520A. Автор: Yasuhiko Miki. Владелец: Sony Tektronix Corp. Дата публикации: 1989-03-21.

Integrated delay circuit for digital signals

Номер патента: US4618788A. Автор: Reiner Backes,Ulrich Langenkamp. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1986-10-21.

Noise-tolerant delay circuit

Номер патента: US11777481B2. Автор: Stuart B. Molin,Joseph H. Colles,Steven E. Rosenbaum. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Clock generating circuit and clock distribution network and semiconductor apparatus including the clock generating circuit

Номер патента: US20240085939A1. Автор: Yong Suk Choi,Yeon Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit having data output circuit and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US11688439B2. Автор: Dong Heon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Asynchronous clock signal generator and semiconductor device for correcting multi-phase signals using asynchronous clock signal

Номер патента: US20180175843A1. Автор: Seonghwan Cho,Seonggyu LEE,Yongjo KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-21.

Lock detection circuit, DLL circuit, and receiving circuit

Номер патента: US8704565B2. Автор: Toyoaki Uo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Lock detention circuit, dll circuit, and receiving circuit

Номер патента: US20130214835A1. Автор: Toyoaki Uo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Delay circuit and method for driving the same

Номер патента: US8427218B2. Автор: Tae-Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-23.

Delay circuit and semiconductor device

Номер патента: US20060139079A1. Автор: Tadashi Onodera. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Delay line circuits and semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09467130B2. Автор: Quanfeng LIU,Huijie DUAN. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Delay line circuits and semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09432012B2. Автор: Quanfeng LIU,Huijie DUAN. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Dead time circuit for a switching circuit and a switching amplifier

Номер патента: US9866188B2. Автор: Joseph Sylvester Chang,Linfei Guo,Tong Ge. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-09.

Dead time circuit for a switching circuit and a switching amplifier

Номер патента: US09866188B2. Автор: Joseph Sylvester Chang,Linfei Guo,Tong Ge. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-09.

Delay circuit

Номер патента: US09467131B2. Автор: Li-Min Lee,Huan-Huan Zhang,Chao Shao,Ying-Ying YANG. Владелец: Green Solution Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Circuit and method for adaptively eliminating ringing in signals driving capacitive loads

Номер патента: AU2022344993A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Sam Seiichiro Ochi,Tetsuya Takata,Tomohiro Yoneyama. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Circuit and method for adaptively eliminating ringing in signals driving capacitive loads

Номер патента: EP4402801A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Sam Seiichiro Ochi,Tetsuya Takata,Tomohiro Yoneyama. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Circuit and method for adaptively eliminating ringing in signals driving capacitive loads

Номер патента: WO2023043677A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Sam Seiichiro Ochi,Tetsuya Takata,Tomohiro Yoneyama. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated circuit and computing device having the same

Номер патента: US09983617B2. Автор: Chan Woo Park,Je Kook Kim,Min Shik SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Delay line circuits and semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20150349765A1. Автор: Quanfeng LIU,Huijie DUAN. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Delay line circuits and semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20150349766A1. Автор: Quanfeng LIU,Huijie DUAN. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Signal generator adjusting a duty cycle and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09531365B1. Автор: Kwan Su SHON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Circuit and method for filtering voltage spikes

Номер патента: US5469476A. Автор: Benson Liao,Taming Wang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-11-21.

Noise filter circuit, dead time circuit, delay circuit, noise filter method, dead time method, delay method, thermal head driver, and electronic instrument

Номер патента: US20090153183A1. Автор: Tadamori Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Apparatuses and methods for controlling delay circuits during an idle state to reduce degradation of an electrical characteristic

Номер патента: US09479151B2. Автор: Tyler J. Gomm,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

A dead time circuit for a switching circuit and a switching amplifier

Номер патента: US20170070200A1. Автор: Joseph Sylvester Chang,Linfei Guo,Tong Ge. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-03-09.

Control circuit for controlling a push-pull circuit and method thereof

Номер патента: US20140203861A1. Автор: Leaf Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Circuit and method for adaptively eliminating ringing in signals driving capacitive loads

Номер патента: CA3232405A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Sam Seiichiro Ochi,Tetsuya Takata,Tomohiro Yoneyama. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

A resistor-capacitor (rc) delay circuit with a precharge mode

Номер патента: WO2018187263A1. Автор: David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-10-11.

Delay Circuit with Multiple Dependencies

Номер патента: US20220283549A1. Автор: Bo Zhao,Jaroslav Raszka. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Delay circuit, fan assembly, and electronic device using the delay circuit

Номер патента: US20130241457A1. Автор: LEI Liu,Guo-Yi Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Delay circuit

Номер патента: US09425779B2. Автор: Inhwa Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

MOS/LSI Time delay circuit

Номер патента: US4503345A. Автор: Michael M. Yamamura. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1985-03-05.

Flip-flop circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10396762B2. Автор: Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-08-27.

Phase error compensation circuit and method for compensating phase error between reference clock and feedback clock

Номер патента: US20240171162A1. Автор: Wei-Hao Chiu,Song-Yu Yang,Ang-Sheng Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Delay lock loop circuit, timing generator, semiconductor test device, semiconductor integrated circuit, and delay amount calibration method

Номер патента: US8058891B2. Автор: Masakatsu Suda,Takuya Hasumi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Delay circuit of delay-locked loop circuit and delay-locked loop circuit

Номер патента: US20220006461A1. Автор: Hundae CHOI,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-06.

DLL circuit and distance measuring sensor

Номер патента: US12095468B2. Автор: Yohtaro Yasu,Miho Akagi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Oscillating signal generating circuit and a semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US12095465B2. Автор: Ic Su Oh,Sun Ki CHO,Yang Ho Sur. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatuses, methods, and circuits including a delay circuit

Номер патента: US09584140B2. Автор: Yantao Ma,Tyler Gomm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Delay circuit and clock error correction device including the same

Номер патента: US11791811B2. Автор: Hyunyoon Cho,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Junyoung Park,Hyunsub Rie,Eunseok SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Dll circuit and distance measuring sensor

Номер патента: US20230370070A1. Автор: Yohtaro Yasu,Miho Akagi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Glitch less delay circuit for real-time delay adjustments

Номер патента: US09490821B2. Автор: Gilbert H. Herbeck,Jung Wan KIM,Gregoire J. Le Grand de Mercey,Yair R. Koren. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Synchronous oscillator, clock recovery apparatus, clock distribution circuit, and multi-mode injection circuit

Номер патента: US20110063039A1. Автор: Kenichi Maruko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Clock generating circuit and wireless communication device including the same

Номер патента: US11728961B2. Автор: Seung Jin Kim,Kyung Min Lee,Seung Hyun Oh,Jae Hong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Clock generating circuit and wireless communication device including the same

Номер патента: US20220368513A1. Автор: Seung Jin Kim,Kyung Min Lee,Seung Hyun Oh,Jae Hong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190080734A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Duty adjustment circuit, and delay locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11799463B2. Автор: Hundae CHOI,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Oscillating signal generating circuit and a semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20230336166A1. Автор: Ic Su Oh,Sun Ki CHO,Yang Ho Sur. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Differential signal skew calibration circuit and semiconductor memory

Номер патента: US11894853B2. Автор: Pengzhou Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Glitch less delay circuit for real-time delay adjustments

Номер патента: US20160094230A1. Автор: Gilbert H. Herbeck,Jung Wan KIM,Gregoire J. Le Grand de Mercey,Yair R. Koren. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Phase detection circuit, and clock generating circuit and semiconductor apparatus using the phase detection circuit

Номер патента: US11005479B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-11.

Phase detection circuit, clock generation circuit and semiconductor apparatus using the phase detection circuit

Номер патента: US11907009B2. Автор: Gyu Tae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Signal generation circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US11817165B2. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Phase detection circuit, clock generation circuit and semiconductor apparatus using the phase detection circuit

Номер патента: US20200401180A1. Автор: Gyu Tae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Ring oscillator circuit and clock signal generation circuit

Номер патента: US10320368B2. Автор: Koichi Hatanaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Pulse shift circuit and frequency synthesizer

Номер патента: US20190052252A1. Автор: Hiroyuki Mizutani,Kenichi Tajima,Morishige Hieda,Hideyuki Nakamizo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Clock Generation Circuit and Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20120173915A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Masami Endo,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Phase synchronization circuit, transmission and reception circuit, and integrated circuit

Номер патента: US11777701B2. Автор: Masatoshi Tsuge. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Equalizer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09424897B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Seung-Jun Bae,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

DLL circuit and semiconductor device

Номер патента: US09543967B2. Автор: Hiroki Takahashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-10.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US12057847B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Solid-state relay and semiconductor device

Номер патента: US11758745B2. Автор: Noboru Inoue,Takahiro Fukutome,Shigeru Onoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Duty detection circuit, a duty correction circuit, and a semiconductor apparatus using the duty correction circuit

Номер патента: US12074602B2. Автор: Young Suk SEO,Gyu Tae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Timing prediction circuit and method

Номер патента: US09762224B2. Автор: Tao Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Delay circuit that accurately maintains input duty cycle

Номер патента: WO2021145970A1. Автор: Sherif Galal,Subbarao Surendra Chakkirala. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-07-22.

Fault Detection Circuits and Methods for Drivers

Номер патента: US20220326296A1. Автор: Nathan Richard Schemm. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Delay control circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20240127881A1. Автор: Kai Sun,Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Impedance measurement circuit and impedance measurement method thereof

Номер патента: US20240085941A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Impedance measurement circuit and impedance measurement method thereof

Номер патента: US20230090529A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US20170310323A1. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Dll circuit and control method thereof

Номер патента: US20100102861A1. Автор: Hiroki Takahashi,Toru Ishikawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-29.

Phase-locked loops (pll), including time-to-digital converter (tdc) gain calibration circuits and related methods

Номер патента: US20240291495A1. Автор: PING Lu,Bupesh Pandita,Minhan Chen. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Phase-locked loops (pll), including time-to-digital converter (tdc) gain calibration circuits and related methods

Номер патента: WO2024182158A1. Автор: PING Lu,Bupesh Pandita,Minhan Chen. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-09-06.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09800130B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Power semiconductor drive circuit, power semiconductor circuit, and power module circuit device

Номер патента: US09729150B2. Автор: Motohiro Ando,Yuji Ishimatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09685862B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Skew compensation circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US10491219B2. Автор: Da In IM,Young Suk SEO,Seung Wook Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240235549A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240223188A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20240223189A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Delay locked loop including replica fine delay circuit and memory device including the same

Номер патента: US20230253971A1. Автор: Hun-Dae Choi,Junsub YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20230039697A1. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Delay circuits and related systems and methods

Номер патента: US09520865B2. Автор: Lior Amarilio,Gilad Sthoeger,Alexander Golubitski,Haim Hagay Haller,Felix Kolmakov. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Input buffer circuit, intelligent optimization method, and semiconductor memory thereof

Номер патента: US20210193216A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09608625B2. Автор: Masanori Inoue,Shuichi Kunie. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Circuit and architecture for a demodulator for a wireless power transfer system and method therefor

Номер патента: US09362756B2. Автор: ASHISH Khandelwal,Yipeng Su. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US12015403B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

DLL circuit and control method therefor

Номер патента: US8063679B2. Автор: Hiroki Takahashi,Toru Ishikawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-11-22.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240340010A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Buffer circuit for compensating for a mismatch between on-die termination resistors and semiconductor device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09438232B2. Автор: Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11322193B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

I/O interface circuit, semiconductor chip and semiconductor system

Номер патента: US20010040471A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Signal sampling circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230013811A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Constant impedance driver circuit and method for designing the same

Номер патента: US20010038302A1. Автор: Akira Kitamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Data latch circuit, semiconductor device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20240305279A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kiyofumi Sakurai,Eiji Kozuka,Teppei Higashitsuji,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Constant current circuit, timer circuit, one-shot multivibrator circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329681A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09747984B2. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09692424B2. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Storage circuit and semiconductor device

Номер патента: US09438206B2. Автор: Yukio Maehashi,Seiichi Yoneda,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US20230396258A1. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US11777506B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Termination circuit and semiconductor apparatus including the termination circuit

Номер патента: US20200145001A1. Автор: Jun Yong Song,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Control circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4276831A1. Автор: Yupeng Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170084339A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287563A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9721667B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287562A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Signal shielding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4170659A1. Автор: Siman LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Output circuit using calibration circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US09859869B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2. Автор: Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Buffer circuit, clock generating circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240356550A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Input circuit and semiconductor apparatus including the input circuit

Номер патента: US09716493B2. Автор: Yeonsu JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Clock delay detecting circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09602112B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Power-on reset circuit with variable detection reference and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09786371B1. Автор: Hyun Chul Lee,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Ring oscillator and semiconductor device

Номер патента: US20140002199A1. Автор: Tomoya Tsuruta. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Level shifter and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240235553A9. Автор: Chanhee Jeon,Jinsu JEONG,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Dividing circuit system and semiconductor memory system including thereof

Номер патента: US20220270656A1. Автор: Yo Han JEONG,Jin Ha Hwang,Kwang Soon Kim,Dae Ho Yang,Jun Sun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Duty correction device including duty correction circuit and semiconductor device including duty correction device

Номер патента: US11894102B2. Автор: Jin Hyung Lee,Chang Kwon Lee,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Signal generating circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US11769536B2. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US20240234411A1. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Pulse generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US09478187B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

State detection circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20120002779A1. Автор: Hiroyasu Yoshida,Shintaro Shimada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Transmission circuit, and semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US20170345474A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Current driver, write driver, and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US09984749B2. Автор: Seok Joon KANG,Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Internal power supply circuit and semiconductor device

Номер патента: US09871440B2. Автор: Yanzheng ZHANG. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Drive circuit and semiconductor device

Номер патента: US09502955B2. Автор: Masashi AKAHANE,Hidetomo Ohashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Input buffer circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240007108A1. Автор: Min Su Kim,In Seok Kong,Jae Hyeong Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrating analog-to-digital converter and semiconductor device

Номер патента: US12040813B2. Автор: Fukashi Morishita,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Operational comparator, differential output circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090153199A1. Автор: Shinichiro Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Comparison circuits and semiconductor devices employing the same

Номер патента: US09966121B2. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device including plurality of semiconductor circuits

Номер патента: US20080094125A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Fixed time-delay circuit of high-speed interface

Номер патента: US11695398B2. Автор: Kai Li,Yuanjun Liang. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-04.

Time counting circuit sampling circuit skew adjusting circuit and logic analyzing circuit

Номер патента: US5812626A. Автор: Akira Matsuzawa,Keiichi Kusumoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-22.

Discharging circuit and driving method thereof, display device

Номер патента: US10490149B2. Автор: Xing Dong,ZhiHui Wang,Heecheol KIM,Zhi Zhang,Shuai Chen,Cheng Zuo,Taeyup MIN,Xiaojun ZUO,Wangjing BAI,Kangpeng DANG. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Time counting circuit, sampling circuit, skew adjusting circuit, and logic analyzing circuit

Номер патента: US5973523A. Автор: Akira Matsuzawa,Keiichi Kusumoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Duty detection circuit, a duty correction circuit, and a semiconductor apparatus using the duty correction circuit

Номер патента: US20230336164A1. Автор: Young Suk SEO,Gyu Tae Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Control circuit and operation system

Номер патента: US11784635B1. Автор: Chi-Ray Huang,Hen-Kai Chang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Delay locked loop with segmented delay circuit

Номер патента: EP4338292A1. Автор: Jeffrey Mark Hinrichs. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor circuit and semiconductor circuit layout system

Номер патента: US20200192997A1. Автор: Ah Reum Kim,Min Su Kim,Young O LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor circuit and semiconductor device

Номер патента: US20160329616A1. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Delay circuits matching delays of synchronous circuits

Номер патента: WO2009042615A1. Автор: Mustafa Keskin,Marzio Pedrali-Noy. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-04-02.

Delay circuit with dual delay resolution regime

Номер патента: US20170230037A1. Автор: Marc Péralte Dandin. Владелец: KISKEYA MICROSYSTEMS LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Electronic circuit with low noise delay circuit

Номер патента: US20090051399A1. Автор: Johannes Petrus Antonius Frambach. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-26.

Circuit for resetting system and delay circuit

Номер патента: US8350612B2. Автор: Kai-Lan Chuang,Ching-Chung Lee,Zen-Wen Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Output buffer circuit and differential output buffer circuit, and transmission method

Номер патента: US7692445B2. Автор: Ritsuro Orihashi,Norio Chujo,Satoshi Muraoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-04-06.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20190214989A1. Автор: Sang Woo Kim,Byung Tak Lee,Yun Ju Kwon,Yoo Seok SHON,Joon-Woo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Electronic circuit and electronic device including the same

Номер патента: US9195933B2. Автор: Takaaki Fuchikami,Hiromitsu Kimura,Noriyuki Ema,Yoshikazu Fujimori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Electronic Circuit and Electronic Device Including the Same

Номер патента: US20140098926A1. Автор: Takaaki Fuchikami,Hiromitsu Kimura,Noriyuki Ema,Yoshikazu Fujimori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor circuit and semiconductor circuit layout system

Номер патента: US20200195237A1. Автор: Min Su Kim,Young O LEE,Doo Seok YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20190296008A1. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Impedance measurement circuit and impedance measurement method thereof

Номер патента: US11853112B2. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Impedance measurement circuit and impedance measurement method thereof

Номер патента: US20220404858A1. Автор: Chin-Ming Fu,Chih-Hsien Chang,Tsung-Che Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Delay locked loop including replica fine delay circuit and memory device including the same

Номер патента: US11888489B2. Автор: Hun-Dae Choi,Junsub YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Switching control circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210152075A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor circuit and semiconductor device

Номер патента: US20120154007A1. Автор: Yoshikazu Tanaka,Kenji Sakai,Motoki Imanishi,Kyouko Oyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Non-volatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same

Номер патента: US9692421B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same

Номер патента: US8432187B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-30.

Delay circuit and memory

Номер патента: US20230378956A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Level shifter circuit and operation method thereof

Номер патента: US20140320168A1. Автор: Shien-Chun Luo. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-10-30.

Circuit and architecture for a demodulator for a wireless power transfer system and method therefor

Номер патента: US20190103765A1. Автор: ASHISH Khandelwal,Robert A. Neidorff,Yipeng Su,Joseph M. Khayat,Bharath B. Kannan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Output buffer circuit and differential output buffer circuit, and transmission method

Номер патента: US20100219856A1. Автор: Ritsuro Orihashi,Norio Chujo,Satoshi Muraoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor chip including chip pads of different surface areas, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US12021515B2. Автор: Woo Jin Lee,Hyung Ho CHO,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Pulse stretching circuit and method

Номер патента: US20150349754A1. Автор: Gen Yamada,Masatoshi Ishii,Hisatada Miyatake. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Clock delay circuit for chip reset architecture

Номер патента: US12055989B2. Автор: Ankur Bal,Vikas Chelani. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20230370066A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160182041A1. Автор: Masanori Inoue,Shuichi Kunie. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Control circuit and delay circuit

Номер патента: US11887652B2. Автор: LEI Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Light source drive circuit and distance measuring device

Номер патента: US20240146290A1. Автор: Daisuke Suzuki,Takashi Masuda,Koichi Okamoto,Kouta Hiyama,Mitsushi TABATA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Delay locked-loop circuit and display apparatus

Номер патента: US8816733B2. Автор: Michiru Senda,Hiroshi Mizuhashi,Gen Koide. Владелец: Japan Display West Inc. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device having a plurality of temperature sensors and semiconductor device control method using the plurality of temperature sensors

Номер патента: US7569904B2. Автор: Sang-Seok Kang,Boa-Yeong Oh,Kyoung-Moo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20170229952A1. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20200220534A1. Автор: Masahiro Koyama,Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US20210174853A1. Автор: Yoo Jong Lee,Kang Sub KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Failure detector circuit and associated method

Номер патента: US9219468B2. Автор: Yike Li,Jiangyun Zhou. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Semiconductor element driving circuit and semiconductor element driving device

Номер патента: US11990894B2. Автор: Mitsutaka Hano,Yuki Terado,Kazuya Hokazono,Jun Fukudome. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Control circuit and delay circuit

Номер патента: US20220165323A1. Автор: LEI Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Compressor circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20240094987A1. Автор: Byoung Gon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Impedance calibration circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20080143377A1. Автор: Mi-Jin Lee,Yong-Ki Cho,Sung-Jinn CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor circuit capable of swapping signal paths and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US11967950B2. Автор: Min Chang Kim,Hyun Wook HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Pulse delay circuit

Номер патента: US3824411A. Автор: J Wharton. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-07-16.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20170062050A1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Clock signal generating circuit using variable delay circuit

Номер патента: US6577181B2. Автор: Yasuhiko Takahashi. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Oscillation circuit, booster circuit, and semiconductor device

Номер патента: US10193535B2. Автор: Masaya Murata. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Oscillation period detection circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230071369A1. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Control circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230307032A1. Автор: Yupeng Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Enable control circuit and semiconductor memory

Номер патента: US11881254B2. Автор: Zhan Ying,Yuanyuan Gong. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Output buffer circuit and differential output buffer circuit, and transmission method

Номер патента: US20110215830A1. Автор: Ritsuro Orihashi,Norio Chujo,Satoshi Muraoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Interface circuit and semiconductor output circuit device including the same

Номер патента: US20240014818A1. Автор: Seung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Delay-locked loop circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20110128056A1. Автор: Chang-Ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-02.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4328916A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11776610B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US20220223200A1. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Oscillation period measurement circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: EP4198989A1. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US20210407584A1. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Delay locked loop circuit and signal delay method

Номер патента: US20110032014A1. Автор: Masahiko Shihara,Atsushi Tangoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Crystal oscillator reducing phase noise and semiconductor chip including the same

Номер патента: US20220094302A1. Автор: Seunghyun Oh,Jaehong Jung,Seungjin Kim,Wonkang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Total security time-delay circuit

Номер патента: US4559460A. Автор: Etienne Camus. Владелец: Jeumont Schneider SA. Дата публикации: 1985-12-17.

Electronic circuit with low noise delay circuit

Номер патента: EP1966889B1. Автор: Johannes P. A. Frambach. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-11-02.

Memory device including delay circuit having gate insulation films with thicknesses different from each other

Номер патента: US20180005688A1. Автор: Doo-Young Kim,Ho-Sung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory device including delay circuit having gate insulation films with thicknesses different from each other

Номер патента: US20170125082A1. Автор: Doo-Young Kim,Ho-Sung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Memory device including delay circuit having gate insulation films with thicknesses different from each other

Номер патента: US9792976B2. Автор: Doo-Young Kim,Ho-Sung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Emi shielding circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20130127509A1. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

EMI shielding circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US8570062B2. Автор: Jun Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09966126B2. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Adaptive filter including a delay circuit

Номер патента: CA1149031A. Автор: Johannes O. Voorman. Владелец: Johannes O. Voorman. Дата публикации: 1983-06-28.

Method and system for controlling a delay circuit for generation of signals up to extremely high frequencies

Номер патента: US7672800B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Electronic circuit with low noise delay circuit

Номер патента: EP1966889A1. Автор: Johannes P. A. Frambach. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-09-10.

Method and system for controlling a delay circuit for generation of signals up to extremely high frequencies

Номер патента: US20090079482A1. Автор: Ahmadreza Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Ring oscillator and delay circuit using low threshold voltage type MOSFETS

Номер патента: US6154100A. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Data signal output circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US5600599A. Автор: Masakazu Kimura,Tomohiro Nakayama,Yutaka Fukutani,Takanori Shiga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-02-04.

Input circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US8482321B2. Автор: Yuji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-09.

Control circuit and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6154070A. Автор: Toshiki Ishii. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Signal masking circuit and semiconductor memory

Номер патента: US11854653B2. Автор: Siman LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Logic circuit design method, logic design program, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8566763B2. Автор: Yasuhiro Yadoguchi,Hiroharu Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-22.

High-side gate drive voltage generation circuit and semiconductor module

Номер патента: US11757347B2. Автор: Narumi Matsushita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US11973076B2. Автор: Liang-Yu SU,Hang FAN,Ming-Fang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Electronic circuit and semiconductor device

Номер патента: US20140111181A1. Автор: Tomoharu Awaya,Jun Nagayama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Window type watchdog timer and semiconductor device

Номер патента: US20200183770A1. Автор: Yuichi Kokusho. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Window type watchdog timer and semiconductor device

Номер патента: US11429468B2. Автор: Yuichi Kokusho. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-08-30.

Counting control circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20240119987A1. Автор: Kai Sun,Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Delay circuit for low power ring oscillator

Номер патента: US20110309885A1. Автор: Kyung Hee Hong,Yong Il Kwon,Joon Hyung LIM,Han Jin Cho,Myeung Su KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Differential signaling circuit for correcting for duty change due to nbti degradation, operating method thereof, and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240128935A1. Автор: Jung-June Park,Jehoon Kim,ChiWeon Yoon,Dongho Shin,Hyunsuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Impedance matching circuit, method for impedance matching and semiconductor memory

Номер патента: US20240048126A1. Автор: Yifan Ji. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Oscillator and semiconductor device

Номер патента: US20050265053A1. Автор: Hideki Ishida,Hirohito Higashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Signal transfer circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20200328748A1. Автор: Hee-jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Logic circuit design method, logic design program, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120274354A1. Автор: Yasuhiro Yadoguchi,Hiroharu Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Data transmission device, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US20180062651A1. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Electronic circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210287722A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Duty correction device including duty correction circuit and semiconductor device including duty correction device

Номер патента: US20230113204A1. Автор: Jin Hyung Lee,Chang Kwon Lee,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Clock distribution circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20230213961A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Gang Sik Lee,Ji Hyo KANG,Jae Hyeok YANG,Joo Hyung CHAE,Sang Yeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Level shifter and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240137023A1. Автор: Chanhee Jeon,Jinsu JEONG,Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Switching circuit and method to control power consumer

Номер патента: RU2420858C2. Автор: Торстен КЛЕММ,Инго ФЕТТЕР. Владелец: БРАУН ГмбХ. Дата публикации: 2011-06-10.

Sampling circuit and semiconductor memory device using a sampling circuit

Номер патента: US20190318772A1. Автор: Dae Han Kwon,Bo Ram Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Sampling circuit and semiconductor memory device using a sampling circuit

Номер патента: US10600457B2. Автор: Dae Han Kwon,Bo Ram Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Calibration circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20200265878A1. Автор: Jung Il Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Receiver circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160065189A1. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Cdr circuit and semiconductor device

Номер патента: US20160013928A1. Автор: Kosuke TSUIJI. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-01-14.

Data output control circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11862253B2. Автор: Kwang Soon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrating analog-to-digital converter and semiconductor device

Номер патента: US20230087101A1. Автор: Fukashi Morishita,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Transmission circuit, and semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US9865318B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Clock generation circuit and semiconductor device provided therewith

Номер патента: US09819352B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Phase locked loop circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240106441A1. Автор: Seung Jin Kim,Kyung Min Lee,Gyu Sik Kim,Jae Hong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Layout of delay circuit unit, layout of delay circuit, and semiconductor memory

Номер патента: US11984194B2. Автор: Meixiang LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Layout of delay circuit unit, layout of delay circuit, and semiconductor memory

Номер патента: US20230267980A1. Автор: Meixiang LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor apparatus for performing clock phase synchronization, and an operating method thereof and semiconductor system using the same

Номер патента: US20190131980A1. Автор: Seung Hun Lee,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Electronic delay circuit for firing ignition element

Номер патента: CA2091718C. Автор: Eiichi Suzuki,Kenichi Aikou,Tugio Goto. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 1997-10-14.

Hybrid ADC circuit and method

Номер патента: US11876524B2. Автор: Muhammed Bolatkale. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-16.

Delay circuit

Номер патента: US20080290922A1. Автор: Wen-Chang Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Delay circuit

Номер патента: US7605630B2. Автор: Wen-Chang Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-20.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Delay circuit and electronic circuit including delay circuit

Номер патента: US20060214715A1. Автор: Hajime Takashima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Circuit and Method For Dynamic Biasing of an Output Stage

Номер патента: US20130009689A1. Автор: Paulo Santos. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Feedforward amplifier circuit and method for controlling a feedforward amplifier circuit

Номер патента: US20090243721A1. Автор: Wei Jiang,Wentian Zhang,Dai Yong Wang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230204658A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210011076A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240168086A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240195429A1. Автор: Ju Hyun Lee,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200266779A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220094314A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Delay circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230378948A1. Автор: Yu Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Differential amplifier circuit and semiconductor memory device including same

Номер патента: US09543904B1. Автор: Kyoung-Han KWON,Han Qu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Delay Circuit and Video Signal Processing Circuit Using the Same

Номер патента: US20080252790A1. Автор: Shunsuke Serizawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Differential amplifier circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12113494B2. Автор: Hideki Kano,Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Oscillation circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240333214A1. Автор: Kenichi Motoki,Nozomu KOJA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Operational amplifying circuit and semiconductor device comprising the same

Номер патента: US09628034B2. Автор: Jin-soo Kim,Seung-Hwan Baek,Ji-Yong Jeong,Ha-Joon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Serializer, and semiconductor apparatus and system including the same

Номер патента: US09979535B2. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Power supply device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09614440B2. Автор: Eiji Yoshida,Yasufumi Sakai,Kazuaki Oishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

A/d converter and semiconductor device

Номер патента: US20090027247A1. Автор: Toshio Kumamoto,Takashi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Improvements in and relating to electrical storage and delay circuits

Номер патента: GB539501A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1941-09-12.

Power control method and apparatus for lower radio frequency power source, and semiconductor processing device

Номер патента: EP4407651A1. Автор: Yu Zhang,JING Yang,XING Chen,JING Wei,Gang Wei,Guodao SHAN,Chenyu ZHONG,Yanyan YOU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Power supply circuit and control method thereof

Номер патента: US20110012881A1. Автор: Shih-Hsien Chang,Po-Nien Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-20.

Integrated digital circuit and a method of manufacturing a digital filter arrangement as an integrated circuit

Номер патента: CA1218423A. Автор: Peter Draheim. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-02-24.

Semiconductor apparatus for compensating for degradation and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200219584A1. Автор: Woongrae Kim,Keun Soo Song,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Circuits and methods for voltage detection in integrated circuits

Номер патента: US11828776B2. Автор: Pratik Patel,Miguel Bautista Gabriel,Sriram Vangal,Patrick Koeberl,James Tschanz,Carlos Tokunaga. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Ad conversion circuit and solid-state image pickup device

Номер патента: US20140098271A1. Автор: Yoshio Hagihara. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Power management circuit and display device having the same

Номер патента: US20190165675A1. Автор: Minyoung Park,Min-soo CHOI,Yu-chol KIM,Kihyun PYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US11867757B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US20220187366A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Feedforward linear power amplifier with negative group delay circuit

Номер патента: WO2012050257A3. Автор: Chul-Dong Kim,Yong-Chae Jeong. Владелец: Sewon Teletech, Inc.. Дата публикации: 2012-10-26.

Semiconductor amplifier bias circuit and semiconductor amplifier device

Номер патента: US9590562B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Error correction methods and semiconductor devices and semiconductor systems using the error correction methods and the semiconductor devices

Номер патента: US11921578B2. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20220170981A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US11921153B2. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Delay circuit with all-pass network

Номер патента: US4853651A. Автор: Johannes O. Voorman,Pieter J. Snijder,Johannes S. Vromans. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-08-01.

Semiconductor integrated circuit, reception device, memory system, and semiconductor storage device for reducing power consumption of equalizer

Номер патента: US11989442B2. Автор: Shinichi Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Adaptive filter including a delay circuit

Номер патента: CA1149032A. Автор: Johannes O. Voorman. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-06-28.

Delay circuit and video signal processing circuit using the same

Номер патента: US7956931B2. Автор: Shunsuke Serizawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor integrated circuit and radio-frequency module

Номер патента: US20230188098A1. Автор: Hiroshi Nishikawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US11863139B2. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Electronic circuits and semiconductor device having the same

Номер патента: US11863136B2. Автор: Tao Zhang,Wenjie Lin,Yulin Chen,Jihua Li. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Signal receiver circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the signal receiver circuit

Номер патента: US20200274741A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Delay circuit for synchronizing arrival of a clock signal at different circuit board points

Номер патента: WO2006083556A3. Автор: Adam L Carley,Daniel J Allen,James E Mandry. Владелец: James E Mandry. Дата публикации: 2007-01-04.

Reference voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190158109A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Seon-Kyoo Lee,Anil KAVALA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: EP4387105A1. Автор: Ju Hyun Lee,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Switched delay circuit

Номер патента: US4424462A. Автор: Michael J. Gay. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-01-03.

Method for constructing delay circuits in a master slice IC

Номер патента: US4516312A. Автор: Masayoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Digital control variable delay circuit which is hardly susceptible to noise

Номер патента: US6888389B2. Автор: Mitsuo Baba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Delay circuit and schedule controller employing the same

Номер патента: US20120133409A1. Автор: Ming-Chih Hsieh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-31.

Pilot signal detection circuit and semiconductor integrated circuit equipping the circuit

Номер патента: US20070170946A1. Автор: Masaaki Kato,Hiroshi Miyagi. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Directional coupler and semiconductor chip

Номер патента: US11929539B2. Автор: Takanobu Fujiwara,Masaomi Tsuru,Tatsuya Hagiwara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Detection circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240088851A1. Автор: Hideki Kano,Ryoichiro Nakamura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240097632A1. Автор: Motomitsu IWAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Impedance matching system, impedance matching method, and semiconductor processing apparatus thereof

Номер патента: US20190108977A1. Автор: JING Wei,Gang Wei,Xiaoyang Cheng,Xingcun LI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Error check and correction circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20140075266A1. Автор: Makoto Hirano,Daisuke Fujiwara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Cyclic Redundancy Check Circuit And Semiconductor Device Having The Cyclic Redundancy Check Circuit

Номер патента: US20140120858A1. Автор: Masafumi Ito,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Cyclic Redundancy Check Circuit And Semiconductor Device Having The Cyclic Redundancy Check Circuit

Номер патента: US20150214979A1. Автор: Masafumi Ito,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Multiplexer and semiconductor device including the same

Номер патента: US11962295B2. Автор: Sangheon Lee,Jungho Lee,Michael Choi,Youngjae CHO,Woongtaek LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory apparatus and signal delay circuit for generating delayed column select signal

Номер патента: US20140160873A1. Автор: Phat Truong,Amna Shawwa. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240195430A1. Автор: Ju Pyo Hong,Hai Feng JIN,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Analog-to-digital converter and semiconductor device having the same

Номер патента: EP4387104A1. Автор: Ju Pyo Hong,Hai Feng JIN,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Processing circuit, radio communication circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12081251B2. Автор: Takashi Miyazaki,Shunsuke Hirano,Yasuhiro Majima,Daisuke Kimura,Shunichiro Masaki,Kenta Aruga. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US11837520B2. Автор: Shinya Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Synchronized delay-coupled laser system

Номер патента: US7899097B1. Автор: Ira B Schwartz,Leah B Shaw. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2011-03-01.

Medium synchronization delay timer setting method and related apparatus

Номер патента: EP4387315A1. Автор: Yunbo Li,Ming GAN,Yuchen Guo. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor module overcurrent detection device, semiconductor module using same, and semiconductor module overcurrent detection method

Номер патента: EP4404454A1. Автор: Takashi Wada,Hiroshi Kageyama,Katsuaki Saito,Daisuke Kawase,Akira Mima,Taiga Arai. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1494288A2. Автор: Takashi Intell. Prop. Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

LED driving circuit and control system

Номер патента: US09679515B2. Автор: Changjun Lu,Zhiyong LUI. Владелец: Leyard Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Signal transmission circuit and power conversion device equipped with same

Номер патента: US09502954B2. Автор: Tetsuya Uchida,Kazuyasu Nishikawa,Kenichi Morokuma,Jun TOMISAWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Signal transceiver circuit, method of operating signal transmitting circuit, and method of setting delay circuit

Номер патента: US20220200778A1. Автор: Liang-Wei Huang,Hsuan-Ting Ho,Chia-Lin Chang,Yang-Bang Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Buffer chip, and semiconductor package including buffer chip and memory chip

Номер патента: US20240249765A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Wafer-level packaging method for semiconductor and semiconductor package

Номер патента: US20240258269A1. Автор: Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Delay circuit for circuit interrupting device

Номер патента: US09793702B2. Автор: Stephen Paul Simonin. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Video transmitting circuit and signal delay compensation method thereof

Номер патента: US20220046204A1. Автор: Chih-Yuan Hsu,Fong-Shen Wong,Jian-Shiang Fang. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor Wafer And Semiconductor Die

Номер патента: US20150170985A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Hsi-Jung Wu,Volume Chien,Hung-Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor wafer and semiconductor die

Номер патента: US09728511B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Hsi-Jung Wu,Volume Chien,Hung-Ta Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Power control circuit and semiconductor apparatus including the power control circuit

Номер патента: US20200177070A1. Автор: Woongrae Kim,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Power supply circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20180102175A1. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Switching control circuit and self-excited DC-DC converter

Номер патента: US7379284B2. Автор: Takashi Noma,Tomoaki Nishi,Iwao Fukushi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240315037A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Keita Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Dynamic automotive turn signal circuit and dynamic automotive turn signal system

Номер патента: US20230147234A1. Автор: Jianyu Xie,Pitleong Wong. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Receiving circuit, and semiconductor device and system configured to use the receiving circuit

Номер патента: US20180183630A1. Автор: Jun Yong Song,Jeong Kyoum KIM,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

In-vehicle semiconductor circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US12109958B2. Автор: Mutsuo Nishikawa,Hirofumi Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

DC-DC converter, power source circuit, and semiconductor device

Номер патента: US09467047B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor die for determining load of through silicon via and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210104498A1. Автор: Reum Oh,Bumsuk Lee,SeungHan WOO,Je Min RYU,Moonhee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Lead frame structure and semiconductor package integrated with the lead frame structure

Номер патента: US20070111395A1. Автор: Hung-Wen Liu,Lien-Chen Chiang,Wen-Shan Tsai,M.C. Lin,Chien-Feng Wei. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US9997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20170256577A1. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090289310A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110312142A1. Автор: Toshikazu Fukuda,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Echo-cancelling acoustic delay circuit and related wireless device operable to detect a nearby object

Номер патента: US20240036158A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US09997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240006408A1. Автор: Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Clock generation circuit and wireless receiving device

Номер патента: US09973287B2. Автор: Tsuneo Suzuki,Yosuke Ogasawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Hetero-structure, injection laser, semiconductor amplifying element and semiconductor optical amplifier

Номер патента: RU2278455C1. Автор: Василий Иванович Швейкин. Владелец: Василий Иванович Швейкин. Дата публикации: 2006-06-20.

Dc/dc converter and semiconductor device using dc/dc converter

Номер патента: US20110241441A1. Автор: Masafumi Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09991698B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor wafer, semiconductor IC chip and manufacturing method of the same

Номер патента: US09443808B2. Автор: Hisao Nakamura,Yasuhiro Kumagai,Yuichi Nakagomi. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-09-13.

Image capturing apparatus, image capturing system, moving object, and semiconductor chip having signal processing circuits in two-dimensional form

Номер патента: US10652499B2. Автор: Daisuke Yoshida,Hirofumi Totsuka,Naoki Isoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-05-12.

Control device of power factor correction circuit, power factor correction circuit, power supply device, and semiconductor device

Номер патента: US11736003B2. Автор: Yoshinori Sato,Satoru Nate,Yifei Tang. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor package structure and semiconductor module including the same

Номер патента: US20200321270A1. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Parallel-to-serial converter circuit, electric device, and semiconductor device

Номер патента: US20060069823A1. Автор: Katsuhisa Ikeuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor material, preparation method, and semiconductor device

Номер патента: EP4439639A1. Автор: Qi Zhang,Kun Ma,Chaoyang Luo,Yuhang Zhang,Yanjun Wang,Chenguang Sun,Qianzhi MA,Zuying YAO,Qiwang Wei,Haiyun GU,Zhicai LI. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Interleaved DC-DC converter and semiconductor device having interleaved DC-DC converter

Номер патента: US09973089B1. Автор: Akira Ichinose,Satoshi Nakamoto,Youichi TERASAWA,Yoshimichi TADAMASA. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor modules and semiconductor packages

Номер патента: US09883593B2. Автор: KyongSoon Cho,Yungcheol KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Image reading apparatus and semiconductor device

Номер патента: US09854130B2. Автор: Takafumi Suzuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Voltage generation circuit, flash memory and semiconductor device

Номер патента: US09627963B2. Автор: Toshiaki Takeshita. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor chips, semiconductor chip packages including the same, and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09600424B2. Автор: Dong Kyun Kim,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Structure of semiconductor ic chip

Номер патента: CA2061522C. Автор: Akihiro Dohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Cooling assemblies and semiconductor assemblies, and methods for producing cooling assemblies and semiconductor assemblies

Номер патента: EP4435852A1. Автор: Remco Van Erp,Malik Fahrni,Andrea Francescon. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-09-25.

Photoelectric conversion device, photoelectric conversion system, moving body, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240357263A1. Автор: Takanori Suzuki,Hideo Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Power supply device and semiconductor device

Номер патента: US09755543B2. Автор: Kazuhito AYUKAWA,Nobutoshi Kasai,Daisuke IIJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor package, module substrate and semiconductor package module having the same

Номер патента: US09570383B2. Автор: Yong-Hoon Kim,Seong-Ho Shin,Jin-Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Health data collecting system and semiconductor device

Номер патента: US09450290B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Layout design method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100123252A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Methods and semiconductor materials suitable for photovoltaic cells

Номер патента: US20140261665A1. Автор: Suneel Girish Joglekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20140185373A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-03.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20130215676A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Storage system and semiconductor package with improved power supply efficiency

Номер патента: US20240242742A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor package structure and semiconductor process

Номер патента: US09978715B2. Автор: Chun-Hung Lin,Yi-Ting Chen,Wen-Hsin Lin,Shih-Ming Huang,Yung-Hsing Chang,Shih-Wei CHAN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US09741675B2. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods and semiconductor materials suitable for photovoltaic cells

Номер патента: US09722112B2. Автор: Suneel Girish Joglekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Sensor module and semiconductor chip

Номер патента: US09533874B2. Автор: Marc Fueldner,Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Thermal resistance analysis model and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180075176A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11862510B2. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200303241A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210343584A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor process formula acquisition method and system and semiconductor process device

Номер патента: EP4428780A1. Автор: Yuanwei LIN. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus for transmitting an output with predetermined frequency response to an unshielded twisted-pair media and waveform shaping circuit and method employed therein

Номер патента: US5651029A. Автор: Tsen-Shun Yang,Chun-Ming Chou,Wen-Jung Su. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

Circuit board incorporating semiconductor IC and manufacturing method thereof

Номер патента: US9635756B2. Автор: Tsuyoshi Mochizuki,Yoshihiro Suzuki,Kazutoshi TSUYUTANI,Hiroshige Ohkawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Shock load stabilization circuit and voltage regulator having same

Номер патента: US5497069A. Автор: Michael H. Shriver,Rich A. Helm. Владелец: Sundstrand Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Led driving circuit and control system

Номер патента: CA2894580C. Автор: Zhiyong Liu,Changjun Lu. Владелец: Leyard Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Safety circuit and apparatus incorporating it

Номер патента: GB1461480A. Автор: . Владелец: Graco Inc. Дата публикации: 1977-01-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Power-loss delay circuit and detection control circuit thereof

Номер патента: US20230341459A1. Автор: Gang Feng,Mengyang XU,Dongsheng Lan. Владелец: Mornsun Guangzhou Science and Technology Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuit and power supply circuit

Номер патента: US20230088626A1. Автор: Ryuji Yamada,Ryuunosuke Araumi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor circuit and semiconductor device for determining status of a fuse element

Номер патента: US11749364B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Delay circuit for circuit interrupting device

Номер патента: CA3009053C. Автор: Stephen Paul Simonin. Владелец: Hubbell Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US20140362324A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: WO2014196550A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-11.

Power converting circuit and control circuit thereof

Номер патента: US20140266133A1. Автор: Tzu Huan Chiu,Hung-Yu Cheng,Chung-Lung Pai,Chien-Ping Lu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-09-18.

Power converting circuit and control circuit thereof

Номер патента: US9041374B2. Автор: Tzu Huan Chiu,Hung-Yu Cheng,Chung-Lung Pai,Chien-Ping Lu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-05-26.

Diversity circuit and frame phase (or sampling timing) estimation circuit using the diversity circuit

Номер патента: CA2037824C. Автор: Hiroshi Kubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Video transmitting circuit and signal delay compensation method thereof

Номер патента: US11792358B2. Автор: Chih-Yuan Hsu,Fong-Shen Wong,Jian-Shiang Fang. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20240128252A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Condenser and semiconductor processing machine

Номер патента: US20220349654A1. Автор: Tianlong LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Condenser and semiconductor processing machine

Номер патента: US11519669B2. Автор: Tianlong LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-06.

Package structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: SG189617A1. Автор: Shih Cheng-Hung,LIN Shu-Chen,Hsieh Yung-Wei,Yeh Jun-Yu. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Interposer and semiconductor package with noise suppression features

Номер патента: US9219039B2. Автор: Yu-Ling Lin,Yen-Jen Chen,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo,Huan-Neng CHEN,Hui Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Contact and socket device for burning-in and testing semiconductor IC

Номер патента: US11668744B2. Автор: Dong Weon Hwang,Logan Jae Hwang,Jae Baek Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-06.

Resin composition, cured product, sheet-like laminate material, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240287360A1. Автор: Kenji Kawai. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Coil structure for generating plasma and semiconductor equipment

Номер патента: US20240339296A1. Автор: Song WANG,Gang Wei,Jinrong ZHAO,Jinji XU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Electronic device and semiconductor package with thermally conductive via

Номер патента: US09674940B2. Автор: Seok-Jae Han,Eung-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Flyback switching power supply circuit and backlight driving device applying same

Номер патента: GB2535115A. Автор: WANG Zhao,Cao Dan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Luminance signal/color signal separating circuit and noise reduction circuit using a comb filter

Номер патента: CA2016444C. Автор: Shigeru Miki,Mitsuzou Shirai,Yuuichi Ichikawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-23.

Luminance signal/color signal separating circuit and noise reduction circuit using a comb filter

Номер патента: US5060056A. Автор: Shigeru Miki,Mitsuzou Shirai,Yuuichi Ichikawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-10-22.

A current limiter circuit and a method of controlling current between a power supply source and a power supply capacitor of a power supply

Номер патента: WO2024019666A1. Автор: Krishnamoorthy Ravishanker,Sehat Sutardja. Владелец: Zerro Power Systems Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Electrostatic protection circuit, integrated circuit and electrostatic discharge method

Номер патента: US11721688B2. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Control circuit and controlling method of switching power supply system

Номер патента: US20080247198A1. Автор: Kouhei Yamada,Satoshi Sugahara. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Flyback switching power supply circuit and backlight driving device applying same

Номер патента: GB2535115A8. Автор: WANG Zhao,Cao Dan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Semiconductor device and semiconductor integrated system

Номер патента: US20180151247A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by using said method

Номер патента: US4052269A. Автор: Jacques Michel,Michel Iost. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1977-10-04.

Line-doubler delay circuit

Номер патента: EP1774617A2. Автор: Inc. Chelton,Michael J. Drapac,Nicholas J. Schuab. Владелец: Chelton Inc. Дата публикации: 2007-04-18.

Delay circuit for reading out s/h arrays

Номер патента: EP1989875A1. Автор: Weize Xu. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-11-12.

Semiconductor IC device having a memory and a logic circuit implemented with a single chip

Номер патента: US6097663A. Автор: Hitoshi Tanaka,Takao Watanabe,Kazumasa Yanagisawa,Ryo Fujita,Kazushige Ayukawa. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Amplitude limiting circuit and CDMA communication apparatus

Номер патента: EP1696577A2. Автор: Motoya Iwasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-08-30.

Semiconductor ic device containing a conductive plate

Номер патента: US5089876A. Автор: Hiroshi Ishioka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-02-18.

Amplitude limiting circuit and CDMA communication apparatus

Номер патента: EP1696577A3. Автор: Motoya Iwasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Semiconductor package and semiconductor system in package using the same

Номер патента: US20080073771A1. Автор: Sang-Hyun Kim,Shi-yun Cho,Ho-Seong Seo,Young-Min Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Delay circuit of PCM data

Номер патента: US5740212A. Автор: Young-Dae Lee,Dong-Jin Shin,Don-Sung Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1998-04-14.

Adhesive film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9105754B2. Автор: Kenji Onishi,Sadahito Misumi,Yuichiro Shishido. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Multiwavelength light source device employing annular optical delay circuit

Номер патента: CA2352351C. Автор: Koji Kawakita,Isao Kobayashi,Hiroshi Furukawa,Shigeru Kinugawa. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Laser lift-off method for separating substrate and semiconductor-epitaxial structure

Номер патента: US11784094B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Tsung-Hua Hsieh. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Power off delay circuit and method, and audio system with power off delay

Номер патента: US20130063216A1. Автор: An-Tung Chen,Isaac Y. Chen,Chien-Fu Tang,Chi-Hua Lin. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for forming thermal inkjet printhead, thermal inkjet printhead, and semiconductor wafer

Номер патента: CA3034571C. Автор: Silvia Baldi,Paolo Schina,Irma Disegna,Miriam PERINI. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2023-10-17.

Delay circuit, electronic circuit using delay circuit and ultrasonic imaging device

Номер патента: US20160013782A1. Автор: Tatsuo Nakagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-01-14.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20130257441A1. Автор: Masaru Sekiguchi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240145406A1. Автор: Takatsugu Wachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor circuit and semiconductor device using same

Номер патента: US20080061869A1. Автор: KENICHI Takatori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Image sensor and semiconductor structure

Номер патента: EP3656120A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

Semiconductor apparatus and semiconductor chip

Номер патента: US20230188074A1. Автор: Ryu ARAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Contact and socket device for burning-in and testing semiconductor ic

Номер патента: US20220196727A1. Автор: Dong Weon Hwang,Logan Jae Hwang,Jae Baek Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-23.

Apparatus and methods for processing, testing, and packaging of semiconductor ics and image sensors

Номер патента: WO2007131194A4. Автор: Thomas Edward Dinan,Douglas N. Modlin,Fu Chiung Chong,Erh-Kong Chieh,Roman Milter,W.R. Bottoms,David Thanh Doan,Pierre H. Giauque. Владелец: Nanonexus, Inc.. Дата публикации: 2010-10-21.

Switching circuit and a relay device employed to prevent arcing

Номер патента: US4772809A. Автор: Hirofumi Koga,Katsumi Koyanagi. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1988-09-20.

Image forming device, imaging system, moving body and semiconductor substrate for layering

Номер патента: RU2731333C1. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Даисуке ЙОСИДА,Такахиро СИРАИ,Со ХАСЕГАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-09-01.

Irreversible semiconductor switching element and semiconductor memory device utilizing the same

Номер патента: CA1082809A. Автор: Takashi Watanabe,Nobuaki Ieda,Junichi Murota,Masafumi Tanimoto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-07-29.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130252423A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-26.

Luminescent device and manufacturing method for luminescent device and semiconductor device

Номер патента: US20150295129A1. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor devices and semiconductor structures

Номер патента: US20200243494A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device

Номер патента: US20180342269A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor device

Номер патента: US20200185012A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Transmitter circuit and operation method thereof

Номер патента: US20230403040A1. Автор: Sung-Yong Cho,Moon-Chul CHOI,Jaehyeok Baek,Donggun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160343927A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor package structure on a PCB and semiconductor module including the same

Номер патента: US11848255B2. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Autonomous mobile robot and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240152131A1. Автор: Sang Ok Park,Seungchan Lee,Hoyoung Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080214004A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of determining an overlay error, manufacturing method and system for manufacturing of a multilayer semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: EP3378092A1. Автор: Stefan Michael Bruno BÄUMER,Erwin John Van Zwet,Hamed Sadeghian Marnani,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-09-26.

In-vehicle semiconductor circuit and semiconductor circuit

Номер патента: US20220080907A1. Автор: Mutsuo Nishikawa,Hirofumi Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A3. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230240076A1. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A2. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor devices and semiconductor dice including electrically conductive interconnects between die rings

Номер патента: US20190067216A1. Автор: Daniel OSTERBERG,Gordon A. Haller,Hongbin Zhu,Merri L. Carlson,Jeremy Adams,Qinglin Zeng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Resist compositions and semiconductor fabrication methods using the same

Номер патента: US20210181628A1. Автор: Tsunehiro Nishi,Hyunwoo Kim,Naoto Umezawa,Thanh Cuong Nguyen,Daekeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Substrate processing method, thermal processing apparatus, and semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240186161A1. Автор: Sung Kyu Park,Sung Yong Lee,Myung Hwan Oh. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Overload protection delay circuit for switching power supply

Номер патента: US20080239607A1. Автор: Chalermkiat Tepsumran,Allwyn Jacob D. Cunha,Apinun Pomta. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2008-10-02.

Substrate degassing method and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20240218511A1. Автор: In-young Kim,Giduck Kweon,Dong-Gu Kim,Donghyun Jang,Sung-Woo JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240290702A1. Автор: Jin Ho An,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240309127A1. Автор: Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Showerhead, substrate processing apparatus including the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20240331981A1. Автор: Hyungsik KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Valve having electro-mechanical actuator and a control device with a delay circuit

Номер патента: US09909679B2. Автор: Ralf Forcht,Philippus Hartmann,Wolfram Turnaus. Владелец: Festo SE and Co KG. Дата публикации: 2018-03-06.

Solid-state lighting arrangement with startup delay circuit

Номер патента: US09713236B1. Автор: Steven Purdy. Владелец: ELB ELECTRONICS Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: US09608197B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and apparatus for epitaxial growth of type iii-v semiconductors, apparatus for generating low-temperature high-density plasma, epitaxial metal nitride layer, epitaxial metal nitride heterostructure and semiconductor

Номер патента: RU2462786C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ганс ФОН. Владелец: Зульцер Метко Аг. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Microelectronic assemblies with integrated circuits and interposers with cavities, and methods of manufacture

Номер патента: US9536862B2. Автор: HONG Shen,Arkalgud R. Sitaram,Charles G. Woychik. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor package and semiconductor device

Номер патента: US20230060520A1. Автор: Shu-Jung Tseng,Hui-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

High voltage generation circuit and method for generating high voltage

Номер патента: US20080191786A1. Автор: Oh Suk Kwon,Ki Hwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by means of the method

Номер патента: CA1216969A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-01-20.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11916149B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor-device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150041983A1. Автор: Xun Gu,Hirokazu Matsumoto,Akinobu Teramoto,Takenao Nemoto,Takehisa SAITO,Yugo Tomita,Akihide Shirotori. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Clock generation circuit and wireless receiving device

Номер патента: US20170075378A1. Автор: Tsuneo Suzuki,Yosuke Ogasawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Voltage detection circuit, charge control circuit, charge and discharge control circuit, and semiconductor device

Номер патента: US20230318315A1. Автор: Yasuhiro Miyamoto,Shinya FUKUCHI,Keiichi Murakawa. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit manufacturing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120110535A1. Автор: Tokuzo Kiyohara,Masayoshi Tojima,Daisuke Iwahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Electrostatic protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20230411383A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for voltage contrast imaging with a corpuscular multi-beam microscope, corpuscular multi-beam microscope for voltage contrast imaging and semiconductor structures for voltage contrast imaging with a corpuscular multi-beam microscope

Номер патента: WO2021104779A1. Автор: Dirk Zeidler,Stefan Schubert,Gregor Frank DELLEMANN. Владелец: Carl Zeiss Multisem Gmbh. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240105275A1. Автор: Yasuyuki Matsuda,Kiyoe YAMASAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: MY158651A. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-31.

Composite antenna substrate and semiconductor package module

Номер патента: US20190115310A1. Автор: Jung Hyun Cho,Won Wook So,Doo Il KIM,Yong Ho Baek,Young Sik Hur. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Microelectronic die including swappable phy circuitry and semiconductor package including same

Номер патента: WO2023129783A9. Автор: Debendra Das Sharma,Zuoguo Wu,Gerald Pasdast,Zhiguo Qian,Lakshmipriya Seshan,Swadesh CHOUDHARY,Peipei WANG,Srikanth Nimmagadda,Sathya Narasimman TIAGARAJ,Narasimha LANKA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US8541841B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-24.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20200388502A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: EP4086958A1. Автор: QIAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US20160211235A1. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Voltage detection circuit, charge control circuit, charge and discharge control circuit, and semiconductor device

Номер патента: EP4270723A1. Автор: Yasuhiro Miyamoto,Shinya FUKUCHI,Keiichi Murakawa. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020098625A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20240057352A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20220181161A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Process for producing electrical-connections on a semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US6528407B1. Автор: Luc Petit,Alexandre Castellane. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-03-04.

Wafer Holder for Semiconductor Manufacturing Equipment and Semiconductor Manufacturing Equipment in Which It Is Installed

Номер патента: US20040216678A1. Автор: Masuhiro Natsuhara,Manabu Hashikura,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-04.

Signal transmission system and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8477855B2. Автор: Yoshihiro Nakagawa,Tadahiro Kuroda,Muneo Fukaishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Methods of forming isolated active areas, trenches, and conductive lines in semiconductor structures and semiconductor structures including the same

Номер патента: US20090273051A1. Автор: John K. Zahurak,Kunal R. Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for producing semiconductor wafers composed of silicon having a diameter of at least 450 mm, and semiconductor wafer composed of silicon having a diameter of 450 mm

Номер патента: SG173278A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-29.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20230215953A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Manganese-doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11908943B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Charge trap evaluation method and semiconductor element

Номер патента: EP3674723A1. Автор: Hiroshi Iwai,Hitoshi Wakabayashi,Kazuo Tsutsui,Taiki Yamamoto,Kuniyuki Kakushima,Takuya HOSHII. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-01.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888067B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11848386B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11837664B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888066B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20240088299A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949018B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949017B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Resin paste for die bonding, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: SG172144A1. Автор: Seigo Yokochi,Shuichi Mori,Yoshifumi Sugiura,Youji Katayama,Megumu Oshikoji. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Electrostatic protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US11791330B2. Автор: Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Conveyor device and semiconductor production equipment

Номер патента: US20230067252A1. Автор: Xueyu LIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Conveyor device and semiconductor production equipment

Номер патента: US11923226B2. Автор: Xueyu LIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Electro-static discharge protection circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US7671415B2. Автор: Hirokazu Hayashi,Yasuhiro Fukuda,Toshikazu Kuroda. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240203773A1. Автор: Jong Seok SEO. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Solid-state load protection system having an improved inverse time delay circuit

Номер патента: US4368500A. Автор: Robert T. Elms,Ernest F. Conroy, Jr.. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-01-11.

Memory Element and Semiconductor Device, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080205132A1. Автор: Yoshiharu Hirakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same

Номер патента: US20210181636A1. Автор: Takashi Sekito,Hiroshi Yanagita,Shigemasa NAKASUGI,Yusuke Hama,Yuriko Matsuura. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-06-17.

Perovskite film, precursor composition thereof, method for preparing the same, and semiconductor element including the same

Номер патента: US11778839B2. Автор: Kuo-Wei Huang,Yung-Liang Tung,Shih-Hsiung Wu,Jung-Pin CHIOU,Pei-Ting Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-10-03.

Perovskite film, precursor composition thereof, method for preparing the same, and semiconductor element including the same

Номер патента: US20220123242A1. Автор: Kuo-Wei Huang,Yung-Liang Tung,Shih-Hsiung Wu,Jung-Pin CHIOU,Pei-Ting Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-04-21.

Electronic device and semiconductor package with thermally conductive via

Номер патента: US20160050744A1. Автор: Seok-Jae Han,Eung-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Interposer and semiconductor package with noise suppression features

Номер патента: US20140001609A1. Автор: Yu-Ling Lin,Yen-Jen Chen,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo,Huan-Neng CHEN,Hui Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of manufacturing semiconductor elements and semiconductor integrated circuits

Номер патента: US3591423A. Автор: Kazuo Kamimura,Nobuo Kawamura. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-07-06.

Coil structure for generating plasma and semiconductor process device

Номер патента: EP4369870A1. Автор: XING Chen,Ying Zhang,Song WANG,Gang Wei,Jinrong ZHAO,Jinji XU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for making FINFETs and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US8729638B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-05-20.

Power supply apparatus and semiconductor manufacturing equipment, transport system including the same

Номер патента: US20240014059A1. Автор: Sang Oh Kim,Wan Hee JEONG,Chan Young Choi,Hee Jae Byun. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Process fluid treatment apparatus, and wafer cleaning apparatus and semiconductor manufacturing equipment including same

Номер патента: US20240145265A1. Автор: Dong Uk Lee,Young Seop CHOI,Bok Kyu Lee,Myung A Jeon,Boo Seok YANG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Wafer structure and semiconductor device

Номер патента: US20230260845A1. Автор: Junho Yoon,Junyun Kweon,Heejae Nam,Yeongbeom Ko,Wooju Kim,Jungseok Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Control unit and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240203757A1. Автор: Jae Ho Yoo,Dongwoon PARK,Doo Young Oh,Hyeong Og MUN. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Back side illumination (bsi) sensors, manufacturing methods thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US20140235008A1. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chin-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Line-doubler delay circuit

Номер патента: US20060028294A1. Автор: Michael Drapac,Nicolas Schaub. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Line-doubler delay circuit

Номер патента: WO2006017830A3. Автор: . Владелец: Schuab Nicholas J. Дата публикации: 2006-05-26.

Line-doubler delay circuit

Номер патента: WO2006017830B1. Автор: . Владелец: Schuab Nicholas J. Дата публикации: 2006-07-20.

Multilayer printed wiring board, solder resist composition, method for manufacturing multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: EP2028915A1. Автор: Yoshitaka Ono,Motoo Asai,Yukihiko Toyoda,Dongdong Wang,Kenichi Shimada,Koji Sekine,Hui Zhong. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Energy saver delay circuit for ac induction motors

Номер патента: US20100102771A1. Автор: Nicholas Anderson. Владелец: Energy Innovative Products LLC. Дата публикации: 2010-04-29.

Camera input interface and semiconductor device

Номер патента: US20190260983A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Power supply circuit and semiconductor device including the power supply circuit

Номер патента: US11817780B2. Автор: Kei Takahashi,Takeshi Aoki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Flexible substrate and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220130739A1. Автор: Kei Imafuji. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Image reading apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20170237877A1. Автор: Takafumi Suzuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220077042A1. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220077050A1. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11887922B2. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230307439A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Output buffer circuit and semiconductor device

Номер патента: US20060071688A1. Автор: Yasutaka Uenishi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Power supply device and semiconductor device

Номер патента: US20240097561A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Data latch circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20230197160A1. Автор: Tomoya Sanuki,Koji Kohara,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US20240177485A1. Автор: Susumu HOGYOKU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Protection circuit, and semiconductor device and light emitting device using such protection circuit

Номер патента: US20090309117A1. Автор: Akira Shimizu,Naoki Takahashi,Kenichi Nakata,Mitsuru Okazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

IC Package Method Capable of Decreasing IR Drop and Associated IC Apparatus

Номер патента: US20100032824A1. Автор: Chih-An Yang,Ming-Chung Chang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2010-02-11.

Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device

Номер патента: RU2503694C2. Автор: Такаши САГАВА,Макото ЙОШИТАКЕ. Владелец: Дау Корнинг Торей Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-01-10.

Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device

Номер патента: RU2503696C2. Автор: Такаши САГАВА,Макото ЙОШИТАКЕ,Масайоши ТЕРАДА. Владелец: Дау Корнинг Торей Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-01-10.

Rocking device for electric circuit and protective unit with such device

Номер патента: RU2685547C2. Автор: Мальвина КЛАВЕРИ,Борис ГОТЬЕ. Владелец: АББ ФРАНС. Дата публикации: 2019-04-22.

Over-current protection circuit, led backlight driving circuit and liquid crystal device

Номер патента: RU2649751C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-04-04.

Power module power generation redundant circuit and its control method

Номер патента: RU2741338C1. Автор: Хайин Ли,Дунмин ЦАО,Чжунфэн ЧЖАН,Еюань Се,Тяньгуй ЦЗЯН,Минлянь Чжу. Владелец: Нр Энджиниринг Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-01-25.

Power supply circuit and heat pump unit

Номер патента: RU2551112C2. Автор: Нобуйоси ТАКАТА. Владелец: Дайкин Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2015-05-20.

Overvoltage protection circuit, led backlight driving circuit and lcd

Номер патента: RU2648293C2. Автор: Дань ЦАО. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-03-23.

Transmission channel, control method therefor, controller, radio communication device, correction circuit and computer-readable medium

Номер патента: RU2528088C2. Автор: Пол Муррей РОУ,Дориан Томас Чарльз ДЕВИС. Владелец: Эппл Инк. Дата публикации: 2014-09-10.

Elastic electric circuit and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719733C1. Автор: Владислав Андреевич Кондрашов,Альберт Галиевич Насибулин,Евгения Павловна Гильштейн. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования «Сколковский институт науки и технологий» (Сколковский институт науки и технологий). Дата публикации: 2020-04-22.

Electronic circuit and method of operation of electronic circuit

Номер патента: RU2661311C2. Автор: Ян КНУДСЕН,Нильс Хогхольт ПЕТЕРСЕН. Владелец: Грундфос Холдинг А/С. Дата публикации: 2018-07-13.

Communication device, communication method, module of electronic circuit and integrated circuit

Номер патента: RU2468523C2. Автор: Нобутака КОДАМА,Хисао КОГА,Стефано ГАЛЛИ,Акио КУРОБЕ. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2012-11-27.

Overvoltage protection circuit and power supply source system

Номер патента: RU2460189C2. Автор: Такео ОХКИДО,Масафуми ХАСИМОТО. Владелец: Дайкин Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2012-08-27.

Electric circuit and arc detection sensor and glazing with usage of above circuit and sensor

Номер патента: RU2562966C1. Автор: Джозеф МЕДЗИУС,Юй ЦЗЯО,Харс ДЬОРДЬ,Али Н. РАШИД. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2015-09-10.

Circuit board for layout of electronic component circuits and electronic unit for it

Номер патента: RU2758947C1. Автор: Геннадий Сергеевич Вараксин. Владелец: Геннадий Сергеевич Вараксин. Дата публикации: 2021-11-03.

Adhesion-promoting agent, curable organopolysiloxane composition, and semiconductor device

Номер патента: MY145123A. Автор: MORITA Yoshitsugu,KATO Tomoko,Osamu Tanaka,Hiroshi Ueki. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-30.

Variable resistance element and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240099157A1. Автор: Jin Won Jung,Ku Youl JUNG,Jung Hyeok KWAK,Tae Yup KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Contact structure and semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190267284A1. Автор: Jian-Ming Huang,Ying Lee,Hsien-Ming Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Composite substrates and semiconductor device structures

Номер патента: US20240055555A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240006288A1. Автор: Jin Ho An,Jeonggi Jin,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-01-04.

Circuit boards, methods of fabricating the same, and semiconductor packages including the circuit boards

Номер патента: US20140097525A1. Автор: Ji Eun Kim,Il Yeon Cho,Baesun Kim,Yong Ki Son. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-04-10.

Redistribution substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210118788A1. Автор: Seokhyun Lee,Gwangjae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for forming storage node contact structure and semiconductor structure

Номер патента: US11871562B2. Автор: Zhen Zhou,Weiping BAI,Erxuan PING,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Laminated top plate of a workpiece carrier in micromechanical and semiconductor processing

Номер патента: WO2018017183A1. Автор: Kadthala R. Narendrnath. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-01-25.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US11798872B2. Автор: Jin Ho An,Jeonggi Jin,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Door locking mechanism and semiconductor container using the same

Номер патента: US20230386876A1. Автор: Chih-Ming Lin,Ming-Chien Chiu,Yung-Chin PAN,Po-Ting Lee,Cheng-En Chung,Wei-Chien Liu,Tzu-Ning Huang. Владелец: Gudeng Precision Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220059442A1. Автор: Jin Ho An,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Receiver circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9600427B2. Автор: Masahiro Kudo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Photoelectric conversion apparatus, imaging system, movable object, and semiconductor substrate

Номер патента: US11937004B2. Автор: Kazuhiro Morimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Information processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US11546485B2. Автор: Kenji Kuroishi,Tsutomu NAKAMINATO,Yuya Hirayama. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2023-01-03.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: WO2015130657A1. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10306099B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Valve device and semiconductor production device

Номер патента: US20200011448A1. Автор: Tsutomu Shinohara,Yasumasa Yanagida,Ryutaro TANNO. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Resin composition and semiconductor device produced using resin composition

Номер патента: SG188309A1. Автор: Takashi Kawana,Ryuichi Murayama,Naoya Kanamori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2013-04-30.

Photoelectric conversion apparatus, imaging system, movable object, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240171876A1. Автор: Kazuhiro Morimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board and semiconductor device

Номер патента: EP4357375A1. Автор: Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Image reader device, and semiconductor device

Номер патента: US20180091692A1. Автор: Takafumi Sano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Power supply circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230146002A1. Автор: Toyoaki Uo,Tatsuhiko Maruyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for forming storage node contact structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220208772A1. Автор: Zhen Zhou,Weiping BAI,Erxuan PING,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: WO2019133289A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US12009288B2. Автор: Jin Ho An,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180167531A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US11735248B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Elimination of log file synchronization delay at transaction commit time

Номер патента: US11768820B2. Автор: Yunrui Li. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor cell for photomask data verification and semiconductor chip

Номер патента: US20090193386A1. Автор: Takayasu Hirai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Timing sequences generation circuits and liquid crystal devices

Номер патента: US09978333B2. Автор: Dan Cao,Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Pulse detection circuit, radiation detection circuit, and radiation detection apparatus

Номер патента: US09952334B2. Автор: Tetsuro Itakura,Shunsuke Kimura,Hideyuki Funaki,Masanori Furuta,Go KAWATA,Hirokatsu SHIRAHAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Light source driving circuit and projection device using the same

Номер патента: US20240152042A1. Автор: Chuan-Chu Chen. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Clock management circuit and clock management method

Номер патента: US20240069590A1. Автор: Yu-Jie Liang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09997257B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor design assisting device and semiconductor design assisting method

Номер патента: US20170185711A1. Автор: Mitsuyoshi FUJIWARA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Test path compensating circuit and test path compensating system

Номер патента: US09535128B2. Автор: Seong Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

High precision photonic distance meter circuit and distance measuring method

Номер патента: US20230400576A1. Автор: Wen-Hao HO. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230386553A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

A pulse-stretcher clock generator circuit and clock generation method for high speed memory subsystems

Номер патента: WO2018106372A1. Автор: Venkat Narayanan,Venugopal Boynapalli,Seid Hadi Rasouli,Dorav KUMAR,Bilal Zafar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-14.

Delay circuit and electronic device using the same

Номер патента: US20140308026A1. Автор: Ya-Guo Wang,Chun-Ching Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

A pulse-stretcher clock generator circuit and clock generation method for high speed memory subsystems

Номер патента: EP3552204A1. Автор: Venkat Narayanan,Venugopal Boynapalli,Seid Hadi Rasouli,Dorav KUMAR,Bilal Zafar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Power gating control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240312500A1. Автор: Mino KIM,Sungwoo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Current generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09836074B2. Автор: Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09672884B1. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09536592B2. Автор: Atsuo Isobe,Takuro Ohmaru,Wataru Uesugi,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Configurable delay circuit and method of clock buffering

Номер патента: US20150332757A1. Автор: Lei Wang,Spencer Gold,Hwong-Kwo Lin,Zhenye Jiang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20100122147A1. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory controller controlling semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US7848143B2. Автор: Shinichi Kanno,Toshio Shirakihara,Yosuke Kuroda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof, and semiconductor memory system

Номер патента: US20210391020A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US12112791B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Sense timing generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230326534A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Receiver circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US20180137901A1. Автор: Hae Kang Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Clock distribution network, and semiconductor device and semiconductor system including the clock distribution network

Номер патента: US20240192722A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Address latch, address control circuit and semiconductor apparatus including the address control circuit

Номер патента: US12009058B2. Автор: Ji Eun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Command address control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the command address control circuit

Номер патента: US20240257891A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hwan Park,Jae Hoon Cha,Ha Jun JEONG,Se Ra JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20210373784A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US20240321383A1. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor apparatus and semiconductor memory apparatus

Номер патента: US12125516B2. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Data input/output circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09905281B2. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Refresh time detection circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09824745B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09741407B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09620177B2. Автор: Koichiro Hayashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09542983B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Precharge control signal generator and semiconductor memory device therewith

Номер патента: US09437314B2. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240282356A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US12100465B2. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Input apparatus and semiconductor memory apparatus having the input apparatus

Номер патента: US09564194B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor manufacturing-and-inspection system, and semiconductor device

Номер патента: US20020067182A1. Автор: Osamu Hashimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Bandgap voltage reference core circuit, bandgap voltage reference source and semiconductor memory

Номер патента: US20230280777A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Data processing system and semiconductor memory suited for the same

Номер патента: US5576997A. Автор: Noboru Masuda,Hideo Maejima,Kazunori Nakajima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-11-19.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US12013712B2. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Sense amp circuit, and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20090303823A1. Автор: Toshimasa Namekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060031655A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Program circuit suppressing stand-by current and permitting highly reliable operation, and semiconductor memory device using the program circuit

Номер патента: US6320802B1. Автор: Shigeki Ohbayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030145177A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-31.

Testing method and semiconductor integrated circuit to which the same method is applied

Номер патента: US20140040686A1. Автор: Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09557853B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-01-31.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Device for accessing semiconductor memory card, computer- readable data carrier, initialization method and semiconductor memory card

Номер патента: RU2257609C2. Автор: Теруто ХИРОТА,Такудзи МАЕДА. Владелец: МАЦУСИТА ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИАЛ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9886537B2. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Information processing system, information processing method, and semiconductor device

Номер патента: US20210011873A1. Автор: Yasuo Nishiguchi,Shuichi Yamane,Satoru Okamoto,Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160224712A1. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20240274212A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor laser control method and semiconductor laser control device

Номер патента: US20020070329A1. Автор: Kenji Koishi,Makoto Usui,Yasuhiro Ueki,Tomonori Ueno,Yutaka Osada,Toru Fujimoto,Kohjyu Konno,Yoshiyuki Miyabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Electro-optical device, method of measuring characteristics of electro-optical device, and semiconductor chip

Номер патента: US09741276B2. Автор: Akimasa Maruo,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Driving test circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09496054B1. Автор: Sung Soo Chi,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Internal strobe signal generating circuit capable of selecting data rate and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09990980B2. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09727164B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-08-08.

Synchronization variable monitoring device, processor, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09619386B2. Автор: Seiji Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Electronic slow-wave circuit and delay circuits

Номер патента: RU2205497C2. Автор: Роберт С. ПАТТИ. Владелец: Те Инсайн - Бикфорд Компани. Дата публикации: 2003-05-27.

Electronic circuitry for timing and delay circuits

Номер патента: CA2292542C. Автор: Robert S. Patti. Владелец: Ensign Bickford Co. Дата публикации: 2003-11-25.

Probe card for semiconductor IC test and method of manufacturing the same

Номер патента: US7768285B2. Автор: Minoru Sanada,Yoshirou Nakata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-03.

Control circuit and method for controlling a data line switching circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US5654936A. Автор: Ho-Yeol Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-05.

Semiconductor circuit and semiconductor device for determining a status of a fuse element

Номер патента: US20230176143A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor circuit and semiconductor device for determining a status of a fuse element

Номер патента: US11946984B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Artificial neuromorphic circuit and operation method

Номер патента: US20210406650A1. Автор: Chung-Hon Lam,Ching-Sung Chiu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and semiconductor device testing method

Номер патента: US20240085473A1. Автор: Tomomi Miyano. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Data reading device and semiconductor device

Номер патента: US09424943B2. Автор: Makoto Mitani,Kotaro Watanabe. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Data signal delay circuit, delay method and display device

Номер патента: US10923065B2. Автор: Xue Dong,MING Chen,Rui Liu,Wei Sun,Mingming Wang,Wenchao HAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

VCOM generation circuit and liquid crystal display

Номер патента: US9696570B2. Автор: Dongsheng Guo,Zhaolin Fang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Vcom generation circuit and liquid crystal display

Номер патента: US20170038624A1. Автор: Dongsheng Guo,Zhaolin Fang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Dram partial refresh circuits and methods

Номер патента: US20030086325A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020017923A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US7536659B2. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Neuron circuit and method

Номер патента: EP2877958A1. Автор: Jose Cruz-Albrecht,Narayan Srinivasa,Micahel W. YUNG. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2015-06-03.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Method for calibrating variable delay circuit and a variable delay circuit using the same

Номер патента: US6163759A. Автор: Kazumi Kita. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Semiconductor device comprising transition detecting circuit and method of activating the same

Номер патента: EP1431981A2. Автор: Yoshiaki Takeuchi,Shinichiro Shiratake,Thomas Roehr,Daisaburo Takashima,Kohei Oikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Memory system and semiconductor storage device

Номер патента: US20210241812A1. Автор: Yusuke TANEFUSA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130039136A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140063992A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Circuit and method for calibrating data control signal

Номер патента: US20080130377A1. Автор: Yi Lin Chen,Cheng Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20100007368A1. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Method and memory device including plurality of memory banks and having shared delay circuit

Номер патента: US20220208250A1. Автор: Sangho Shin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020196053A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Diffusion replica delay circuit

Номер патента: US20020048198A1. Автор: Esin Terzioglu,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11450390B2. Автор: Yutaka Shimizu,Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito,Fumiya Watanabe,Kei Shiraishi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141691A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141687A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Pulse generator, error check and scrub (ecs) circuit and memory

Номер патента: US20240038282A1. Автор: Kai Sun,Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20210295930A1. Автор: Yutaka Shimizu,Masaru Koyanagi,Mikihiko Ito,Fumiya Watanabe,Kei Shiraishi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Error correction methods and semiconductor devices and semiconductor systems using the same

Номер патента: US20210304807A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Bus drivers using skew compensation delay circuits for enabling tristate output buffers

Номер патента: US5585742A. Автор: Hiroshi Kamiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-12-17.

Timing calibration circuit and method for test signals

Номер патента: US5703489A. Автор: Shinichiro Kuroe. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1997-12-30.

Semiconductor apparatus and semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20230253026A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Reception circuit and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20170110162A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Signal detecting circuit and method therefor

Номер патента: US20040230388A1. Автор: Yong-Jun Kim,Myung-Bo Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US11875041B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240061590A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230075286A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system

Номер патента: US20230031020A1. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100165760A1. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Copper alloy for electrical and electronic parts and semiconductors with high strength and high electrical conductivity and method of preparing the same

Номер патента: MY192447A. Автор: Jun Young Choi,Min Jae Jeong,Won Shin Kwak. Владелец: Poongsan Corp. Дата публикации: 2022-08-21.

Copper alloy for electrical and electronic parts and semiconductors with high strength and high electrical conductivity and method of preparing the same

Номер патента: US20210332459A1. Автор: Jun Young Choi,Min Jae Jeong,Won Shin Kwak. Владелец: Poongsan Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Mux scan cell with delay circuit for reducing hold-time violations

Номер патента: US20040015759A1. Автор: Cheng-I Huang,Chen-Teng Fan,Wang-Jin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

System for treating wastewater from electronics and semiconductor fabrication facilities

Номер патента: US20240246840A1. Автор: Richard Peacock,Matthew J BURGER,Emily AKINS,Robert Bellitto. Владелец: Samco Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Reaction chamber and semiconductor equipment

Номер патента: US20240368803A1. Автор: Xue Dong,Xiaojun Li,Xiaoqin Sun,Jingjing Liu,Boyu Dong,Keke Xu,Leilei Wang,Shikai Li,Donghua ZHAO,Fushun YUAN,Guangzheng LIU,Zhaohui Gong,Wanyong JIA,Lifei XU,Tieran WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Clean polycarbonate material for use in hard disk drive and semiconductor applications

Номер патента: US09499693B2. Автор: Yun ZHENG,Yangang YAN,Fanshun Meng,Xiangping (David) Zou. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2016-11-22.

Hybrid electronic detonator delay circuit assembly

Номер патента: CA2272712C. Автор: Kenneth A. Rode,David W. Ewick,Paul N. Marshall,Thomas C. Tseka,Brendan M. Walsh. Владелец: Ensign Bickford Co. Дата публикации: 2002-06-25.

Power supply step-down circuit and semiconductor device

Номер патента: US20080061749A1. Автор: Tatsuo Kato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4328917A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Enable signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US11817175B2. Автор: Mino KIM,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of supplying voltage in the same, and semiconductor device

Номер патента: US8248865B2. Автор: Daichi KAKU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4325501A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230230633A1. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods of executing an arithmetic operation and semiconductor devices performing the arithmetic operation

Номер патента: US20210027149A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Noise measuring system, noise measuring method, and semiconductor device

Номер патента: US7289934B2. Автор: Yasufumi Suzuki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-10-30.

Temperature compensation circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US11809207B2. Автор: Masafumi Nakatani,Kimihisa Hiraga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Address and command generation circuit, and semiconductor system

Номер патента: US20190267076A1. Автор: Ji Hwan Kim,Dong Uk Lee,Heat Bit Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Control amplification circuit, sense amplifier and semiconductor memory

Номер патента: EP4276829A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Enable signal generation circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20210183424A1. Автор: Mino KIM,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Circuitry and method for processing data, and semiconductor memory

Номер патента: US20230410852A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Data processing circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230384945A1. Автор: Tao Du. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Crystal Structure Orientation in Semiconductor Semi-Finished Products and Semiconductor Substrates for Fissure Reduction and Method of Setting Same

Номер патента: US20230349071A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel,Arnd-Dietrich Weber,Ralph-Uwe Barz,Dominik Bannspach. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

Signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20190221275A1. Автор: Young Sub Yuk,Seung Wan Chai. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Data transmission circuit, method and semiconductor memory

Номер патента: US20230343387A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Crystal structure orientation in semiconductor semi-finished products and semiconductor substrates for fissure reduction and method of setting same

Номер патента: EP4185744A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel,Arnd-Dietrich Weber,Ralph-Uwe Barz,Dominik Bannspach. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2023-05-31.

Method and device for forming microchannels on substrates from optical glass, optical crystals and semiconductor materials by femtosecond impulses of laser radiation

Номер патента: RU2661165C1. Автор: Виктор Павлович Бессмельцев,Николай Юрьевич Никаноров,Василий Андреевич Рассохин,Сергей Геннадьевич Баев,Николай Владимирович Голошевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of pulsed thermoelectric nondestructive testing of thermophysical properties of metals and semiconductors

Номер патента: RU2665590C1. Автор: Иван Валерьевич Смирнов,Юрий Васильевич Судьенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2018-08-31.

Self adjusting sense amplifier clock delay circuit

Номер патента: US5682353A. Автор: Boaz Eitan,Larry Willis Petersen,Yaron Slezak. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1997-10-28.

Address transforming circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9128817B2. Автор: Sung-Ho Choi,You-Keun Han,Seok-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-08.

Adjustable delay circuit for setting the speed grade of a semiconductor device

Номер патента: US5930182A. Автор: Terry R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Voltage generating circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20060098501A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Data transmission circuit, data line driving circuit, amplifying circuit, semiconductor intergrated circuit, and semiconductor memory

Номер патента: US6038188A. Автор: Hironori Akamatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-14.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20230352102A1. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230065578A1. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Operation control circuit and semiconductor memory device including the operation control circuit

Номер патента: US20190318778A1. Автор: Geun Il Lee,I Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Data buffer control circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US20100329039A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Signal sensing circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080279026A1. Автор: Chun Shiah,Cheng-Nan CHANG,Chun-Peng Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Page buffer circuit, method of operating a semiconductor memory device and semiconductor memory system

Номер патента: US20230402104A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Delay circuit, ferroelectric memory device and electronic equipment

Номер патента: US20050128859A1. Автор: Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Address delay circuit of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US8526250B2. Автор: Jae Bum KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-03.

Address delay circuit of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20120243350A1. Автор: Jae Bum KO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Interior lighting delay circuit

Номер патента: CA1063668A. Автор: Eugene W. Brock. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1979-10-02.

Reaction chamber and semiconductor processing apparatus

Номер патента: EP4375395A1. Автор: Xue Dong,Xiaojun Li,Xiaoqin Sun,Jingjing Liu,Boyu Dong,Keke Xu,Leilei Wang,Shikai Li,Donghua ZHAO,Fushun YUAN,Guangzheng LIU,Zhaohui Gong,Wanyong JIA,Lifei XU,Tieran WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Interior lighting delay circuit

Номер патента: US4071805A. Автор: Eugene W. Brock. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1978-01-31.

Sram delay circuit that tracks bitcell characteristics

Номер патента: WO2011049679A1. Автор: Igor Arsovski,Harold Pilo,George M. Braceras,Robert M. Houle. Владелец: International Busines Machines Corporation. Дата публикации: 2011-04-28.

Method to control double-phase short-circuit and to inhibit second cycle of automatic reclosing for master circuit-breaker in line feeding transformer substation

Номер патента: RU2522171C2. Автор: Леонид Дмитриевич Суров,Татьяна Борисовна Сурова,Андрей Александрович Квасов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО ОрелГАУ). Дата публикации: 2014-07-10.

Modular system for erection of aerial circuit and/or consolidation pile support foundations

Номер патента: RU2353740C2. Автор: Антонио ПРОКОПИО. Владелец: КО.ГЕ.Пи.Ай. С.Р.Л.. Дата публикации: 2009-04-27.

Variable delay circuit, recording apparatus, and delay amount calibration method

Номер патента: US8305858B2. Автор: Masaki Endo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-06.

Delay circuit for interior illumination means of a motor vehicle

Номер патента: US4385258A. Автор: Walter Voll. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-05-24.

Light emission delay circuit

Номер патента: US4454475A. Автор: Ryuichi Tsuchiya. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-06-12.

In-memory computing circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230420035A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Control amplifying circuit, sense amplifier and semiconductor memory

Номер патента: US11894048B2. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Multiport memory, memory macro and semiconductor device

Номер патента: US9922703B2. Автор: Masao Morimoto,Yuichiro Ishii,Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Electro-optical device, method of measuring characteristics of electro-optical device, and semiconductor chip

Номер патента: US20150379910A1. Автор: Akimasa Maruo,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-12-31.

Data sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: US11854636B2. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Control amplifying circuit, sense amplifier and semiconductor memory

Номер патента: US20230223071A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Data sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230101821A1. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Microcontroller and semiconductor device

Номер патента: US20200193014A1. Автор: Seishiro NAGANO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Circuit and method for data processing, and semiconductor memory

Номер патента: US20230410859A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Current source circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110215859A1. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Self-diagnosis circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240175922A1. Автор: Takayuki Matsuura,Katsuhiro Oshikawa,Ryosuke Sumii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Sense amp circuit, and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080212384A1. Автор: Toshimasa Namekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Data processing circuitry and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230384818A1. Автор: Yinchuan GU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20220300024A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230236618A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230186970A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Oil circuit and an oil-free compressor equipped with such oil circuit, and a method of controlling lubrication and/or cooling of such oil-free compressor by means of such oil circuit

Номер патента: RU2718090C1. Автор: Вим МЕУСЕН,Томас ДЕ БОНТРИДДЕР,Эдвин РОСКАМ. Владелец: АТЛАС КОПКО ЭРПАУЭР, НАМЛОЗЕ ВЕННОТСХАП. Дата публикации: 2020-03-30.

Scanning signal line control circuit and display device having said circuit

Номер патента: RU2491651C1. Автор: Ясуаки ИВАСЕ,Маюко САКАМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-08-27.

Shear register circuit, goa circuit and display device and excitation method thereof

Номер патента: RU2713335C1. Автор: Сюэгуан ХАО. Владелец: Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-05.

Pixel circuit and display device

Номер патента: RU2487422C1. Автор: Йосимицу ЯМАУТИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-07-10.

Pixel circuit and display device

Номер патента: RU2510535C2. Автор: Йосимицу ЯМАУТИ. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-03-27.

Heat exchanger system, turbomachine fuel circulation circuit and turbomachine

Номер патента: RU2498099C2. Автор: Жилль БРЕН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2013-11-10.

Device for checking of start-up circuits and adjustment of blocks of unguided aircraft rockets

Номер патента: RU2716375C1. Автор: Василий Николаевич Гордеев,Алексей Владимирович Емельянов. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-11.

Adaptation of sampling instants of selecting circuits and storage optical smoke detector

Номер патента: RU2461886C1. Автор: Ханс ЭБЕРЗОЛЬД,Берни ИМФЕЛЬД,Вольф ЛИБЕРТ,Ханс ЭБЕРЗОЛЬД (CH),Берни ИМФЕЛЬД (CH),Вольф ЛИБЕРТ (CH). Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-09-20.

Automated device for examination of mounting circuits and circuit diagrams

Номер патента: RU2698418C1. Автор: Денис Владимирович Зуев,Дмитрий Владимирович Седых,Иван Сергеевич Ушаков,Александра Юрьевна Яворская. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российские Железные Дороги". Дата публикации: 2019-08-26.

Interturbine case with cooling circuit and gas turbine engine therewith

Номер патента: RU2450129C2. Автор: Жан-Люк СУПИЗОН,Жан-Мишель ГИМБАР,Себастьен ПРЕСТЕЛЬ,Филипп ПАБИОН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2012-05-10.

Magnetic compensation circuit and method for compensating output of magnetic sensor, responding to changes of first magnetic field

Номер патента: RU2663682C2. Автор: Гордон Фокс ВЕСТ,Питер Уайт УОЛКЕР,Бенджамин Дэвид Пользер. Владелец: Вале С.А.. Дата публикации: 2018-08-08.

Support element, corresponding cryogenic fluid circuit and corresponding method

Номер патента: RU2654794C1. Автор: Жан-Люк ФУРНЕЛЬ. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and apparatus for reading, measuring or determining parameters of display elements combined with display control circuit, and system using said method and apparatus

Номер патента: RU2526708C2. Автор: Алок ГОВИЛЬ. Владелец: Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2014-08-27.

Test circuit and semiconductor memory system including the test circuit

Номер патента: US20220076775A1. Автор: Sung Won Choi,Jong Seok JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

System on chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240036627A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Constant current circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120086503A1. Автор: Sadanori Akiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Power source noise measuring device, integrated circuit, and semiconductor device

Номер патента: US20100052726A1. Автор: Kazuhiro Furuya,Akihiko Harada,Takahito TAKEMOTO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Power source noise measuring device, integrated circuit, and semiconductor devide

Номер патента: US20080106324A1. Автор: Kazuhiro Furuya,Akihiko Harada,Takahito TAKEMOTO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

System for treating wastewater from electronics and semiconductor fabrication facilities

Номер патента: WO2023205438A1. Автор: Richard Peacock,Matthew J BURGER,Emily AKINS. Владелец: Samco Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Data reading device and semiconductor device

Номер патента: US20150162091A1. Автор: Makoto Mitani,Kotaro Watanabe. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

Testing probe and semiconductor testing fixture, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160124016A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Magnetic detection device and semiconductor integrated circuit for amplifying magnetic detection signal

Номер патента: US11860245B2. Автор: Yutaka Ogawa. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US20240079076A1. Автор: Hong Ki Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7990782B2. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Magnetic detection device and semiconductor integrated circuit for amplifying magnetic detection signal

Номер патента: US20220326316A1. Автор: Yutaka Ogawa. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VARIABLE DELAY CIRCUIT, RECORDING APPARATUS, AND DELAY AMOUNT CALIBRATION METHOD

Номер патента: US20120002528A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming semiconductor layout patterns, semiconductor layout patterns, and semiconductor structure

Номер патента: SG195405A1. Автор: Jie Zhao,Huabiao Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-30.

Cooling assemblies and semiconductor assemblies, and methods for producing cooling assemblies and semiconductor assemblies

Номер патента: WO2024194720A1. Автор: Remco Van Erp,Malik Fahrni,Andrea Francescon. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials

Номер патента: RU2152349C1. Автор: А.В. Тихомиров. Владелец: Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2000-07-10.

Power semiconductor switching device and semiconductor device thereof

Номер патента: CA1169978A. Автор: Masahiko Akamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-06-26.

Electronic delay circuits

Номер патента: CA1252524A. Автор: Iain T. Robertson. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1989-04-11.

Device for non-destructive measurement of dielectric and semiconductor film thickness

Номер патента: RU2411448C1. Автор: Алексей Сергеевич Иванов,Александр Борисович Федорцов,Юрий Валентинович Чуркин,Василий Владимирович Манухов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-западный государственный заочный технический университет (СЗТУ). Дата публикации: 2011-02-10.

Method of cutting metals and semiconductors using electroplastic deformation effect

Номер патента: RU2426629C2. Автор: Сергей Анатольевич Баранов,Александр Васильевич Тяпкин,Юрий Алексеевич Евсеев,Владимир Иванович Сташенко,Олег Александрович Троицкий,Александр Валерьевич Сухов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2011-08-20.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CLOCK DIVIDER CIRCUIT AND SYSTEM LSI HAVING SAME

Номер патента: US20120001664A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL PROCESSING CIRCUIT AND ANTENNA APPARATUS

Номер патента: US20120001701A1. Автор: KATO Noboru,TANIGUCHI Katsumi. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE DRIVING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001894A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Kim Young-Do,Cha Je-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001952A1. Автор: Hasegawa Hideaki,Higuchi Koji,HIRAMA Atsushi. Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROTECTION CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002335A1. Автор: TANG XING-HUA. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Arbitration method, arbiter circuit, and apparatus provided with arbiter circuit

Номер патента: US20120002677A1. Автор: Hataida Makoto,UEKI Toshikazu,Iwami Yoshikazu,Kinoshita Takayuki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE ELEMENT, OPTICAL HYBRID CIRCUIT, AND OPTICAL RECEIVER

Номер патента: US20120002921A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Plasmapheresis procedure in single-needle extracorporeal circuit and device for implementation thereof

Номер патента: RU2491100C1. Автор: Артур Игоревич Саркисов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Биотех-М". Дата публикации: 2013-08-27.

Method and cutting tool for cutting of metals and semiconductors with simultaneous feed of electric current

Номер патента: RU2530245C2. Автор: Константин Эдуардович Огоньков. Владелец: Константин Эдуардович Огоньков. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of determining charge state of atoms in subnanolayer films on surface of metals and semiconductors

Номер патента: RU2509299C1. Автор: Степан Степанович Волков,Сергей Васильевич Николин,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Алевтина Анатольевна Аристархова,Татьяна Ивановна Китаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-03-10.

Device for protection of track circuits and locomotive alss hardware against interferences in electrical rolling stock traction current (versions)

Номер патента: RU2549311C1. Автор: Ефим Наумович Розенберг,Александр Константинович Табунщиков,Леонид Игоревич Стряпкин,Евгений Вячеславович Горенбейн. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт информатизации, автоматизации и связи на железнодорожном транспорте" (ОАО "НИИАС"). Дата публикации: 2015-04-27.

Mode of adjustment of the consumption of warmth in a thermal circuit and an arrangement (an electrical heater) for its realization

Номер патента: RU2317489C2. Автор: Геннадий Павлович Сергеев. Владелец: Костюхина Марина Михайловна. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for determination of input impedances of electric circuit and device for its realization

Номер патента: RU2301425C1. Автор: Василий Иванович Туев. Владелец: Василий Иванович Туев. Дата публикации: 2007-06-20.

Digital automated temperature measure circuit and thermal calibration of variable temperature calorimetre

Номер патента: RU2377512C1. Автор: Лариса Петровна Бондарева,Елена Вячеславовна Григорова,Алексей Васильевич Каданцев,Артур Андреевич Гайдин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежская государственная технологическая академия". Дата публикации: 2009-12-27.

Compressor of cooling circuit; cooling circuit, and its control method

Номер патента: RU2467261C2. Автор: Маркус ХАФКЕМАЙЕР,Тобиас Х. СИНЭЛ. Владелец: Кэрриер Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-20.

Method for controlling control circuits and device for its realization

Номер патента: RU2285944C2. Автор: Вячеслав Михайлович Киселев,Владимир Владимирович Тарасов,В чеслав Михайлович Киселев,Александр Сергеевич Сапронов,Виктор Михайлович Трусов,Александр Георгиевич Михайличенко,Валерий Дмитриевич Скороделов,Владимир Фомич Крюков,Михаил Михайлович Феськов,Алексей Петрович Романюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Прибор". Дата публикации: 2006-10-20.

Device for training of electronic circuits and programming algorithms design

Номер патента: RU2337410C1. Автор: Василий Васильевич Зуйков. Владелец: Василий Васильевич Зуйков. Дата публикации: 2008-10-27.

Automatic block signal system with voice track circuits and central arrangement of equipment

Номер патента: RU2287447C2. Автор: Борис Данилович Никифоров,Михаил Даниилович Рабинович,Юрий Александрович Кравцов,Владимир Анатольевич Згура. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АВП-Технология" (ООО "АВП-Технология"). Дата публикации: 2006-11-20.

Method of checking work capability of static meter with two current measuring circuits and circuit of its realisation

Номер патента: RU2344428C1. Автор: Олег Фёдорович Меньших. Владелец: Олег Фёдорович Меньших. Дата публикации: 2009-01-20.

Microprofile of structure of vacuum integral microwave circuit and method of its manufacturing

Номер патента: RU2404481C1. Автор: Виталий Яковлевич Подвигалкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2010-11-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.