Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Resistance switching memory-based accelerator

Номер патента: US20180321880A1
Опубликовано: 08-11-2018
Автор(ы): Gyuyoung PARK, Jie Zhang, Myoungsoo Jung
Принадлежит: Memray Corp, University Industry Foundation UIF of Yonsei University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

RESISTANCE SWITCHING MEMORY-BASED ACCELERATOR

Номер патента: US20180321880A1. Автор: Zhang Jie,Jung Myoungsoo,PARK Gyuyoung. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

RESISTANCE SWITCHING MEMORY-BASED COPROCESSOR AND COMPUTING DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180032251A1. Автор: Jung Myoungsoo. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

Dynamic host allocation of physical unclonable feature operation for resistive switching memory

Номер патента: US12087397B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

USING TAGGED INSTRUCTION EXTENSION TO EXPRESS DEPENDENCY FOR MEMORY-BASED ACCELERATOR INSTRUCTIONS

Номер патента: US20220058024A1. Автор: Xue Fei,Chen Yen-Kuang,Sun Fei,Wang Yuhao,FANG Yuanwei,XIE Yuejian. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Multi-bit full adder based on resistive-switching devices and operation methods thereof

Номер патента: US09733900B2. Автор: Yi Wang,Lifeng Liu,Bing Chen,Xiaoyan Liu,Bin Gao,Yi HOU,Jinfeng Kang,Yuhua Cheng,Dedong Han. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-15.

Variable resistance switch for wide bandwidth resonant global clock distribution

Номер патента: US8704576B1. Автор: Robert A. Groves,Thomas J. Bucelot,Alan J. Drake,Jason D. Hibbeler,Yong I. Kim,Liang-Teck Pang,William R. Reohr,Phillip J. Restle,Michael G. R. Thomson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Method for improving endurance performance of 3d integrated resistive switching memory

Номер патента: US20190006584A1. Автор: LING Li,QI Liu,Hangbing Lv,Shibing Long,Nianduan Lu,Pengxiao Sun,Ming Iiu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-01-03.

Resistive switching memory cell

Номер патента: US20230301213A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

INTEGRATED CIRCUITS WITH PROGRAMMABLE NON-VOLATILE RESISTIVE SWITCH ELEMENTS

Номер патента: US20190020344A1. Автор: Lee Andy L.,Watt Jeffrey T.,Smolen Richard G.,Kurniawan Rusli,He Yue-Song,Pass Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

RECONFIGURABLE CIRCUIT USING NONVOLATILE RESISTIVE SWITCHES

Номер патента: US20200091914A1. Автор: Miyamura Makoto,TSUJI Yukihide,Sakamoto Toshitsugu,Nebashi Ryusuke,TADA Ayuka,BAI Xu. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2020-03-19.

Multi-bit full adder based on resistive-switching devices and operation methods thereof

Номер патента: US20160313975A1. Автор: Yi Wang,Lifeng Liu,Bing Chen,Xiaoyan Liu,Bin Gao,Yi HOU,Jinfeng Kang,Yuhua Cheng,Dedong Han. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-27.

Integrated circuit with programable nonvolatile resistance switch element

Номер патента: CN109215708A. Автор: Y-S·何,A·L·李,R·G·什莫伦,R·库尼亚万,J·T·瓦特,C·J·帕斯. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Reconfigurable circuit with non-volatile resistance switch

Номер патента: JP6795103B2. Автор: 利司 阪本,あゆ香 多田,阪本　利司,竜介 根橋,信 宮村,幸秀 辻,キョク ハク、. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2020-12-02.

Integrated circuits with programmable non-volatile resistive switch elements

Номер патента: US10447275B2. Автор: Yue-Song He,Andy L. Lee,Richard G. Smolen,Christopher J. Pass,Jeffrey T. Watt,Rusli Kurniawan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Overwrite read methods for resistance switching memory devices

Номер патента: US20210343338A1. Автор: Daniel Bedau,Christopher J. Petti,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for evaluating thermal effect and reducing thermal crosstalk of three-dimensional integrated resistive switching memory

Номер патента: US10418549B2. Автор: LING Li,QI Liu,Ming Liu,Hangbing Lv,Shibing Long,Nianduan Lu,Pengxiao Sun. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-09-17.

Resistive switching memory cell

Номер патента: GB2616558A. Автор: Ando Takashi,Vega Reinaldo,Adusumilli Praneet,CHI Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Resistive switching memory cell

Номер патента: WO2022105476A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-05-27.

Resistive switching memory cell

Номер патента: US20220158091A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Resistive switching memory cell

Номер патента: GB2616757A. Автор: Ando Takashi,Vega Reinaldo,Adusumilli Praneet,CHI Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

DEVICE WITH MULTIPLE RESISTANCE SWITCHES WITH DIFFERENT SWITCHING CHARACTERISTICS

Номер патента: US20170243109A1. Автор: Yang Jianhua,GE NING,Hu Miao. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-08-24.

QUANTUM CIRCUIT ASSEMBLIES WITH JOSEPHSON JUNCTIONS UTILIZING RESISTIVE SWITCHING MATERIALS

Номер патента: US20190042967A1. Автор: Pillarisetty Ravi,MICHALAK DAVID J.,CLARKE JAMES S.,Elsherbini Adel A.,Roberts Jeanette M.,Caudillo Roman,George Hubert C.,Lampert Lester,Yoscovits Zachary R.,Thomas Nicole K.,Singh Kanwaljit. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-02-07.

Electronic Neuromorphic System, Synaptic Circuit With Resistive Switching Memory And Method Of Performing Spike-Timing Dependent Plasticity

Номер патента: US20170083810A1. Автор: IELMINI DANIELE,BALATTI SIMONE,AMBROGIO STEFANO,WANG ZHONGQIANG. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Method and Means for Operating a Complementary Analogue Reconfigurable Memristive Resistive Switch and Use Thereof as an Artificial Synapse

Номер патента: US20190122730A1. Автор: Du Nan,SCHMIDT HEIDEMARIE,SKORUPA ILONA,Li Kefeng. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Resistive switching memory device and operation method thereof

Номер патента: KR20190062819A. Автор: 김성준,박병국,김민휘. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2019-06-07.

Neuromorphic system using ferroelectric partial polarlization and resistive switching

Номер патента: KR102517680B1. Автор: 황현상,유인경,이병근. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2023-04-04.

Resistive switching memory cell

Номер патента: US11456416B2. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Resistive switching memory cell

Номер патента: WO2022105606A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-05-27.

Dual program state cycling algorithms for resistive switching memory device

Номер патента: US09524777B1. Автор: Venkatesh Gopinath,Deepak Kamalanathan,Ming Kwan,John Jameson. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of making a resistive random access memory device with metal-doped resistive switching layer

Номер патента: US09385164B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Vladimir Machkaoutsan,Jan Willem Maes,Michael Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140546A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-07.

Writing a multibit resistance-switching memory cell including a dummy resistance, resistance switching elements and diodes

Номер патента: EP2415052A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Techniques for dopant implantation and multilayer oxides for resistive switching devices

Номер патента: US20200357991A1. Автор: Nicholas Fang,Zheng Jie Tan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-11-12.

Resistive switching memory

Номер патента: US09627441B2. Автор: Michael A. Van Buskirk. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile resistance-switching thin film devices

Номер патента: US09905760B2. Автор: Xiang Yang,I-Wei Chen. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2018-02-27.

Nanoscale metal oxide resistive switching element

Номер патента: US09508425B2. Автор: Wei Lu,Sung Hyun Jo. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2016-11-29.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20140247649A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics

Номер патента: US09444047B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang,Vidyut Gopal. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Bipolar resistive-switching memory with a single diode per memory cell

Номер патента: US8750021B2. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130107607A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Bipolar resistive-switching memory with a single diode per memory cell

Номер патента: US8369131B2. Автор: Yun Wang,Tony Chiang,Prashant B Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-02-05.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130314974A1. Автор: Yun Wang,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Differential programming of two-terminal resistive switching memory with program soaking and adjacent path disablement

Номер патента: US12080347B1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Multi-level reversible resistance-switching memory

Номер патента: US09679640B1. Автор: Yoshihiro Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Resistive switching devices and methods for their manufacture and operation

Номер патента: WO2023170172A1. Автор: Ming Xiao,Judith Driscoll,Markus HELLENBRAND. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Step soft program for reversible resistivity-switching elements

Номер патента: WO2011103379A3. Автор: XIAO Li,Abhijit Bandyopadhyay,Tao Du,Roy Scheuerlein,Xiying Chen Costa,Brian Le,Chandrasekhar R. Gorla. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-11-24.

Resistive switching for MEMS devices

Номер патента: US09945727B2. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Ashwin K. SAMARAO,Gary O'brien,Fabian Purkl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive switching element and use thereof

Номер патента: WO2014020478A3. Автор: Yusuf Leblebici,Giovanni De Micheli,Pierre-Emmanuel Julien Marc GAILLARDON,Davide Sacchetto,Tugba Demirci,Shashi Kanth BOBBA. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE (EPFL). Дата публикации: 2014-05-15.

Resistive switching devices having alloyed electrodes and methods of formation thereof

Номер патента: EP2756524A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Philippe Blanchard,John Ross JAMESON,Janet Wang,Jeffrey Shields,Foroozan Sarah Koushan,Chakravarthy Gopalan,Mark Kellam. Владелец: Adesto Technologies France SARL. Дата публикации: 2014-07-23.

Differential programming of two-terminal resistive switching memory with intrinsic error suppression

Номер патента: US12100449B1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Multi-level reversible resistance-switching memory

Номер патента: US09595321B1. Автор: Yoshihiro Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Resistive switching memory with cell access by analog signal controlled transmission gate

Номер патента: US09472272B2. Автор: Daniel Wang,Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Resistive switching element and use thereof

Номер патента: US09412940B2. Автор: Yusuf Leblebici,Giovanni De Micheli,Pierre-Emmanuel Julien Marc GAILLARDON,Davide Sacchetto,Tugba Demirci,Shashi Kanth BOBBA. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-08-09.

Resistively switching memory

Номер патента: US7442605B2. Автор: Klaus Dieter Ufert,Cay-Uwe Pinnow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-28.

Nonvolatile rewritable memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse

Номер патента: US7829875B2. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-11-09.

Resistive Switching Sample and Hold

Номер патента: US20150170760A1. Автор: Yun Wang,Federico Nardi,Ryan C. Clarke. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Resistive switching memory having confined filament formation and methods thereof

Номер патента: US11997932B2. Автор: Wei Ti Lee,Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory Cell With Resistance-Switching Layers Including Breakdown Layer

Номер патента: US20110310656A1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer

Номер патента: WO2011159584A1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-22.

Resistive switching element and memory device including the same

Номер патента: US11871687B2. Автор: TAE JOO Park,Sung Min Kim,Seong Hwan Kim,Hye Ju Kim,Sang Woon Lee,Hae Jun JUNG. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-01-09.

Stacked backend memory with resistive switching devices

Номер патента: EP4102584A1. Автор: Van H. Le,Hui Jae Yoo,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Resistive switching element and memory device including the same

Номер патента: US20220407002A1. Автор: TAE JOO Park,Sung Min Kim,Seong Hwan Kim,Hye Ju Kim,Sang Woon Lee,Hae Jun JUNG. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2022-12-22.

Highly sensitive magnetic tunable heterojunction device for resistive switching

Номер патента: US09594129B2. Автор: Satishchandra Balkrishna Ogale,Dipankar Das SARMA,Abhimanyu Singh RANA,Vishal Prabhakar THAKARE,Anil Kumar PURI. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell comprising a diode connected to at least three resistivity-switching elements and methods of fabricating and reading the same

Номер патента: WO2010080437A3. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-09-02.

Resistive switching memory device including dual active layer, manufacturing method thereof, and array including same

Номер патента: US20230097791A1. Автор: Dong Su Kim,Hee Won Suh,Hyung Koun Cho. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-30.

Display Matrix with Resistance Switches

Номер патента: US20130249879A1. Автор: R. Stanley Williams,Matthew D. Pickett. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-09-26.

Resistive switching for mems devices

Номер патента: EP3230702A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Ashwin K. SAMARAO,Gary O'brien,Fabian Purkl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-10-18.

Resistance-switching memory cells adapted for use at low voltage

Номер патента: US8686476B2. Автор: Feng Li,Xiaoyu Yang,Roy E. Scheuerlein,Albert T. Meeks. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-04-01.

Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US20090001343A1. Автор: Michael W. Konevecki,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-01-01.

Resistive switching memory cell

Номер патента: US20170358742A1. Автор: Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-14.

Non-volatile resistance switching memory

Номер патента: US20090308313A1. Автор: Rolf Allenspach,Johannes G. Bednorz,Gerhard Ingmar Meijer,Chung Hon Lam,Daniel Widmer,Richard Stutz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US20130320287A1. Автор: S. Brad Herner,April D. Schricker,Mark H. Clark. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-05.

Protuberant contacts for resistive switching devices

Номер патента: US10790445B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Resistive switching memory cell

Номер патента: WO2016097252A1. Автор: Bogdan Govoreanu. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-06-23.

Protuberant contacts for resistive switching devices

Номер патента: US20190207109A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Protuberant contacts for resistive switching device

Номер патента: US20190207110A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Non-volatile write and read cache for storage media

Номер патента: US09971545B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive switching schmitt triggers and comparators

Номер патента: WO2015095200A1. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Resistive switching memory including resistive switching layer fabricated using sputtering and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167286A1. Автор: Jin Pyo Hong,Tae Yoon Kim,Gwang Ho BAEK,Da Seul HYEON,Gabriel JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistance-switching memory cell with multiple raised structures in a bottom electrode

Номер патента: US09466644B2. Автор: Yuan Zhang,Henry Chien,George Matamis,James K Kai,Vinod R Purayath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US12075712B2. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Resistive switching memory stack for three-dimensional structure

Номер патента: US09985206B1. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Transition metal oxide resistive switching device with doped buffer region

Номер патента: US09722179B2. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Jolanta Celinska,Christopher R. McWilliams. Владелец: Symetrix Memory LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Resistance switching memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853215B1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

An integrated circuit comprising a resistive switching section enabling photon emission

Номер патента: WO2023156650A1. Автор: Juerg Leuthold,Alexandros EMBORAS,Bojun CHENG. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2023-08-24.

An integrated circuit comprising a resistive switching section

Номер патента: EP4231366A1. Автор: Juerg Leuthold,Alexandros EMBORAS,Bojun CHENG. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2023-08-23.

Resistance-switching device having conductive fiber, fabric type resistance-switching device array having the same, memory and sensor having the device or the array

Номер патента: US09853219B2. Автор: Mijung Lee,Suji Kim,Younhee Kim,Chaewon KIM,Youngdae SEO,Museok KO,Anjae JO,Heejoo Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-12-26.

Resistive switching memory element including doped silicon electrode

Номер патента: US8502187B2. Автор: Wen Wu,Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Resistance switching device and process for producing thereof

Номер патента: US09496492B2. Автор: Hideki Yoshikawa,Naoki Ohashi,Sakyo Hirose. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Voltage-resistant switch

Номер патента: US09871505B2. Автор: Thomas Desel. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2018-01-16.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US8563959B2. Автор: Tony Chiang,Chi-l Lang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Three-dimensional resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210384258A1. Автор: Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2021-12-09.

Resistance-switching polymer films and methods of manufacture

Номер патента: WO2022087055A1. Автор: John Sudijono,Xiao Gong,Xinke WANG. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-04-28.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Two-terminal resistance switching device and semiconductor device

Номер патента: US20100193757A1. Автор: Tetsuo Shimizu,Hiroshi Suga,Masayo Horikawa,Yasuhisa Naitou. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-08-05.

Resistive switching in memory cells

Номер патента: US09853212B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Resistive switching devices having a switching layer and an intermediate electrode layer and methods of formation thereof

Номер патента: US09818939B2. Автор: Wei Ti Lee,John E. Sanchez,Yi Ma,Venkatesh P. Gopinath,Foroozan Sarah Koushan,John R. Jameson, III. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Fast time-tagged event detection using resistive switching devices

Номер патента: US8384401B2. Автор: Kai-Mei FU,John Paul Strachan,Julien Borghetti,Raymond Beausoleil. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-02-26.

Resistive switching devices containing lithium titanate, and associated systems and methods

Номер патента: WO2020172499A1. Автор: Jennifer Rupp,Juan Carlos GONZALEZ ROSILLO. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-08-27.

Resistive switching devices containing lithium titanate, and associated systems and methods

Номер патента: US11825758B2. Автор: Jennifer Rupp,Juan Carlos GONZALEZ ROSILLO. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-21.

Radiation enhanced resistive switching layers

Номер патента: US20140175364A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Resistance-Switching Memory Cell With Multiple Electrodes

Номер патента: US20140225057A1. Автор: Yuan Zhang,Vinod R. Purayath,Henry Chien,George Matamis,James K. Kai. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Resistive switching devices containing lithium titanate, and associated systems and methods

Номер патента: WO2020172499A8. Автор: Jennifer Rupp,Juan Carlos GONZALEZ ROSILLO. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-10-29.

Resistive Switching Memory Device

Номер патента: US20120132883A1. Автор: Sakyo Hirose. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-31.

Arc-ablation resistant switch contact and preparation method thereof

Номер патента: US09905376B2. Автор: Hongmei Zhang,Yang DING,Zhenxing WANG,Huisheng HAN. Владелец: Nantong Memtech Technologies Co ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Variable resistance switch

Номер патента: CA2035818C. Автор: Gary D. Meyer,Fred L. Crook,Greg J. Topel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-09.

Strained multilayer resistive-switching memory elements

Номер патента: US9735356B2. Автор: Jennifer L. M. Rupp,Sebastian Schweiger,Felix Messerschmitt. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2017-08-15.

Oxygen vacancy and filament-loss protection for resistive switching devices

Номер патента: US20200075860A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-volatile resistive-switching memory containing halide perovskite material and method for fabricating the same

Номер патента: US20200194669A1. Автор: Hyojung KIM,Ho Won Jang,Ji su HAN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2020-06-18.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US20130273707A1. Автор: Pragati Kumar,Prashant B. Phatak,Nobumichi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US20140084236A1. Автор: Pragati Kumar,Prashant B. Phatak,Nobumichi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US8623671B2. Автор: Pragati Kumar,Prashant Phatak,Nobumichi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-01-07.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive-switching memories

Номер патента: US8481338B2. Автор: Pragati Kumar,Prashant Phatak,Nobi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

Method for forming a doped metal oxide for use in resistive switching memory elements

Номер патента: US09543516B2. Автор: Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Conductor system for resistive switching element with two conductor bundles made of superconductive tapes

Номер патента: RU2491674C2. Автор: Ханс-Петер КРЕМЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2013-08-27.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US20080185567A1. Автор: Nitin Kumar,Zhi-Wen Sun,Chi-I Lang,Tony Chiang,Jihhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile resistance switching in monoslayer atomic sheets

Номер патента: US20210408372A1. Автор: Deji Akinwande,Xiaohan WU,Jack C. Lee,Ruijing Ge. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-12-30.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US20130140511A1. Автор: Chi-I Lang,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Positive feel variable resistance switch

Номер патента: US4769626A. Автор: Victor Herrera. Владелец: Lear Corp EEDS and Interiors. Дата публикации: 1988-09-06.

Child resistant switch lock

Номер патента: US5738206A. Автор: Michael A. Souza. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 1998-04-14.

Method for manufacturing memory device having resistance switching layer

Номер патента: US11963460B2. Автор: Chih-Lin Wang,Hsin-Hsiang TSENG,Yi-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Confinement techniques for non-volatile resistive-switching memories

Номер патента: US20120286230A1. Автор: Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US20130146832A1. Автор: Brad Herner,April D. Schricker,Mark H. Clark. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-06-13.

Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers

Номер патента: EP2548238A1. Автор: Deepak Chandra Sekar,Franz Kreupl,Raghuveer S. Makala. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-01-23.

Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers

Номер патента: EP2548239A1. Автор: Deepak Chandra Sekar,Franz Kreupl,Raghuveer S. Makala. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-01-23.

Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers

Номер патента: WO2011115924A1. Автор: Deepak Chandra Sekar,Franz Kreupl,Raghuveer S. Makala. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-09-22.

Surface treatment to improve resistive-switching characteristics

Номер патента: US20090272961A1. Автор: Michael Miller,Tanmay Kumar,Tony Chiang,Prashant Phatak,Xiying Chen,April Schricker. Владелец: April Schricker. Дата публикации: 2009-11-05.

Surface treatment to improve resistive-switching characteristics

Номер патента: US9178149B2. Автор: Michael Miller,Tanmay Kumar,Tony P. Chiang,Prashant B Phatak,April Schricker,Xiying Costa. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Heterojunction device comprising a semiconductor and a resistivity-switching oxide or nitride

Номер патента: US20120280202A1. Автор: Tanmay Kumar,S. Brad Herner. Владелец: Herner S Brad. Дата публикации: 2012-11-08.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device with variable resistance switch and programming method therefor

Номер патента: US09508432B2. Автор: Toshitsugu Sakamoto,Munehiro Tada,Makoto Miyamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Memristive memory cell resistance switch monitoring

Номер патента: US09847128B2. Автор: Brent Buchanan,Richard James Auletta. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods for resistive switching of memristors

Номер патента: US09336870B1. Автор: Patrick R. Mickel,Conrad D. James,Matthew Marinella,Andrew Lohn,Alexander H. Hsia. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Method to form a rewriteable memory cell comprising a diode and a resistivity-switching grown oxide

Номер патента: WO2009005706A2. Автор: Tanmay Kumar. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-01-08.

Capacitor arrangements using a resistive switching memory cell structure

Номер патента: US09368206B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,John Dinh,John R. Jameson,Shane Hollmer,Derric Lewis,Michael Van Buskirk,Ming Sang Kwan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

RESISTIVE SWITCHING IN NITROGEN-DOPED MgO

Номер патента: WO2011069697A1. Автор: Xin Jiang,Cheng-Han Yang,Stuart Stephen Parkin,Mahesh Govind Samant. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-16.

Resistive switching for non volatile memory device using an integrated breakdown element

Номер патента: US09627614B2. Автор: Wei Lu,Sung Hyun Jo. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-04-18.

Low-power magnetic resistance switch sensor

Номер патента: US09958512B2. Автор: Xiaojun ZHONG. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Switching diode for resistance switching element and resistance switching element and resistance random access memory using the same

Номер патента: KR100976424B1. Автор: 황철성. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2010-08-17.

Variable resistance switch suitable for supplying high voltage to drive load

Номер патента: WO2012154341A1. Автор: Feng Pan,Jonathan Hoang Huynh,Khin Htoo. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2012-11-15.

Complementary resistance switch, contact-connected polycrystalline piezo- or ferroelectric thin-film layer, method for encrypting a bit sequence

Номер патента: US09583704B2. Автор: Nan Du,Heidemarie Schmidt,Ilona Skorupa,Danilo Buerger,Tiangui You. Владелец: Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf eV. Дата публикации: 2017-02-28.

Deep in memory architecture using resistive switches

Номер патента: US20200105833A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Jack T. Kavalieros,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Ravi Pillarisetty,Ram Krishnamurthy,Raghavan Kumar,Phil Knag,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Huichu Liu,Gregory Chen,Huseyin SUMBUL. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-02.

Multi-bit resistance-switching memory cell

Номер патента: TW201044395A. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of making nonvolatile memory cell containing carbon resistivity switching as a storage element by low temperature processing

Номер патента: TW201003910A. Автор: Er-Xuan Ping,Tanmay Kumar,Alper Ilkbahar. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-01-16.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element formed over a bottom conductor and methods of forming the same

Номер патента: EP2227827A4. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-11-16.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element formed over a bottom conductor and methods of forming the same

Номер патента: EP2227827A1. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-09-15.

Method of making nonvolatile memory cell containing carbon resistivity switching as a storage element by low temperature processing

Номер патента: WO2009126493A1. Автор: Er-Xuan Ping,Alper Ilkbahar,Tammy Kumar. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-10-15.

Method to form a rewriteable memory cell comprising a diode and a resistivity-switching grown oxide

Номер патента: TW200915540A. Автор: Tanmay Kumar. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-04-01.

Dual damascene crossbar array for disabling a defective resistive switching device in the array

Номер патента: AU2021281966B2. Автор: Seyoung Kim,Oscar van der Straten,ChoongHyun Lee,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Filament confinement in reversible resistance-switching memory elements

Номер патента: US09805793B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian,Juan Saenz,Alvaro Padilla,Bijesh Rajamohanan,Mohsen Purahmad. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive Switching Random Access Memory Structure and Method To Recreate Filament and Recover Resistance Window

Номер патента: US20140241034A1. Автор: Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

Measurement of resistance variations - employs Wheatstone bridge with resistance switched in parallel with one arm during nulling

Номер патента: FR2304086A1. Автор: . Владелец: Controle Bailey SA. Дата публикации: 1976-10-08.

Resistive switching memory having a resistor, diode, and switch memory cell

Номер патента: US9530495B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Nathan Gonzales,John Dinh,Deepak Kamalanathan,Derric Lewis,Ming Sang Kwan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Varying nitrogen content in switching layer of two-terminal resistive switching devices

Номер патента: US20220320431A1. Автор: Wei Ti Lee,Sundar Narayanan,Zhen Gu,Yunyu Wang,Wee Chen Gan,Xiesen Yang. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Capacitance measurement and apparatus for resistive switching memory devices

Номер патента: US11393529B2. Автор: Cung Vu,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

Resistive Switching in a RRAM Device

Номер патента: US20240107904A1. Автор: Hieu Nguyen,Ravi Velpula,Barsha Jain. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-28.

Complementary resistance switch, contact-connected polycrystalline piezo- or ferroelectric thin-film layer, method for encrypting a bit sequence

Номер патента: US9812640B2. Автор: Nan Du,Heidemarie Schmidt,Ilona Skorupa,Danilo Buerger,Tiangui You,Niveditha Manjunath. Владелец: Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf eV. Дата публикации: 2017-11-07.

Write/delete process for resistive switching memory components

Номер патента: US20050232014A1. Автор: Thomas Happ,Michael Kund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-20.

Complementary resistance switch, contact-connected polycrystalline piezo- or ferroelectric thin-film layer, method for encrypting a bit sequence

Номер патента: US20150364682A1. Автор: Nan Du,Heidemarie Schmidt,Ilona Skorupa,Danilo Buerger,Tiangui You. Владелец: Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf eV. Дата публикации: 2015-12-17.

Soft forming reversible resistivity-switching element for bipolar switching

Номер патента: TW201126525A. Автор: Li Xiao,Abhijit Bandyopadhyay,Roy Scheuerlein,Brian Le,Xi-Ying Chen. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-01.

Programming reversible resistance switching elements

Номер патента: US20120147657A1. Автор: Deepak C. Sekar,Roy Scheuerlein,Klaus Schuegraf. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-14.

Variable Resistance Switch Suitable for Supplying High Voltage to Drive Load

Номер патента: US20120275225A1. Автор: Feng Pan,Jonathan Hoang Huynh,Khin Htoo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-11-01.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130107607A1. Автор: Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.,Wang Yun. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

Multi-bit resistive-switching memory cell and array

Номер патента: US20130119340A1. Автор: Tuo-Hung Hou,Shih-Chieh Wu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-05-16.

NONVOLATILE MEMORY CELL COMPRISING A DIODE AND A RESISTANCE-SWITCHING MATERIAL

Номер патента: US20130121061A1. Автор: Kumar Tanmay,HERNER Scott Brad,Petti Christopher J.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-05-16.

Circuit and method for reading a resistive switching device in an array

Номер патента: US20130223132A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-08-29.

HERETO RESISTIVE SWITCHING MATERIAL LAYER IN RRAM DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20130301341A1. Автор: Jo Sung Hyun. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2013-11-14.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20130314974A1. Автор: Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.,Wang Yun. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US20130320287A1. Автор: S. Brad Herner,April D. Schricker,Mark H. Clark. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-12-05.

RESISTIVE SWITCHING FOR NON VOLATILE MEMORY DEVICE USING AN INTEGRATED BREAKDOWN ELEMENT

Номер патента: US20140036605A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

BINARY-TO-TERNARY CONVERTER USING A COMPLEMENTARY RESISTIVE SWITCH

Номер патента: US20210020238A1. Автор: Miyamura Makoto,TSUJI Yukihide,Sakamoto Toshitsugu,Nebashi Ryusuke,TADA Ayuka,BAI Xu. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2021-01-21.

Non-Volatile Resistance-Switching Thin Film Devices

Номер патента: US20150029787A1. Автор: Yang Xiang,CHEN I-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

ROUTING AND PROGRAMMING FOR RESISTIVE SWITCH ARRAYS

Номер патента: US20160043724A1. Автор: Lewis David. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2016-02-11.

Methods of Using A Two Terminal Multi-Layer Thin Film Resistance Switching Device With A Diffusion Barrier

Номер патента: US20160064660A1. Автор: Ignatiev Alex,Young-Fisher Kristina,Ebrahim Rabi,Wu Naijuan. Владелец: Board of Regents, University of Houston. Дата публикации: 2016-03-03.

Method And Structure For Resistive Switching Random Access Memory With High Reliable And High Density

Номер патента: US20140146593A1. Автор: Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. Дата публикации: 2014-05-29.

CIRCUIT AND METHOD FOR READING A RESISTIVE SWITCHING DEVICE IN AN ARRAY

Номер патента: US20140153318A1. Автор: Perner Frederick. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

Methods and circuitry for programming non-volatile resistive switches using varistors

Номер патента: US20200075088A1. Автор: Yue-Song He,Andy L. Lee,Richard G. Smolen,Christopher J. Pass,Jeffrey T. Watt,Rusli Kurniawan,Anwen Liu,Alok Nandini ROY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

INTEGRATION OF EPITAXIALLY GROWN CHANNEL SELECTOR WITH TWO TERMINAL RESISTIVE SWITCHING MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20210090626A1. Автор: Levi Amitay,Beery Dafna,Walker Andrew J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

PROTUBERANT CONTACTS FOR RESISTIVE SWITCHING DEVICES

Номер патента: US20200091427A1. Автор: Yang Chih-Chao,Ando Takashi,Clevenger Lawrence A.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

DEEP IN MEMORY ARCHITECTURE USING RESISTIVE SWITCHES

Номер патента: US20200105833A1. Автор: Yoo Hui Jae,Kavalieros Jack T.,Krishnamurthy Ram,Pillarisetty Ravi,Le Van H.,Manipatruni Sasikanth,Young Ian A.,Sharma Abhishek,KUMAR Raghavan,KNAG Phil,CHEN Gregory,SUMBUL Huseyin,LIU Huichu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

CIRCUIT AND METHOD FOR READING A RESISTIVE SWITCHING DEVICE IN AN ARRAY

Номер патента: US20140198559A1. Автор: Perner Frederick. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

MEMRISTIVE MEMORY CELL RESISTANCE SWITCH MONITORING

Номер патента: US20170140817A1. Автор: Buchanan Brent,Auletta Richard James. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-05-18.

PHASE CHANGE MATERIAL-BASED DISPLAY DEVICE WITH RESISTIVE SWITCHING ELEMENTS

Номер патента: US20200133033A1. Автор: Bhaskaran Harish,Hosseini Peiman,Broughton Ben. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Set/Reset Algorithm Which Detects And Repairs Weak Cells In Resistive-Switching Memory Device

Номер патента: US20140233299A1. Автор: Scheuerlein Roy E.,Lan Zhida,Yan Thomas. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

RESISTIVE SWITCHING FOR NON VOLATILE MEMORY DEVICE USING AN INTEGRATED BREAKDOWN ELEMENT

Номер патента: US20140233301A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

Resistive Switching Sample and Hold

Номер патента: US20150170760A1. Автор: Wang Yun,Nardi Federico,Clarke Ryan C.. Владелец: Intermolecuarl Inc.. Дата публикации: 2015-06-18.

Bipolar Resistive-Switching Memory with a Single Diode Per Memory Cell

Номер патента: US20140247649A1. Автор: Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.,Wang Yun. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

SENSING DATA IN RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140254238A1. Автор: Kozicki Michael N.,Dinh John,Gilbert Nad Edward,Jameson,III John Ross,Hollmer Shane Charles. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE USING BROWNMILLERITE-STRUCTURED MATERIAL

Номер патента: US20170170395A1. Автор: Acharya Susant Kumar,Jung Chang-Uk,Lee Bo-Hwa,Tambunan Octolia Togibasa. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

WRITING APPARATUS AND METHOD FOR COMPLEMENTARY RESISTIVE SWITCH

Номер патента: US20200168275A1. Автор: Miyamura Makoto,TSUJI Yukihide,Sakamoto Toshitsugu,Nebashi Ryusuke,TADA Ayuka,BAI Xu. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2020-05-28.

RESISTIVE SWITCHING ELEMENT AND USE THEREOF

Номер патента: US20150200363A1. Автор: LEBLEBICI Yusuf,De Micheli Giovanni,Sacchetto Davide,Bobba Shashi Kanth,Gaillardon Pierre-Emmanuel Julien Marc,Demirci Tugba. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

HIGHLY SENSITIVE MAGNETIC TUNABLE HETEROJUNCTION DEVICE FOR RESISTIVE SWITCHING

Номер патента: US20140287534A1. Автор: Ogale Satishchandra Balkrishna,Sarma Dipankar Das,Rana Abhimanyu Singh,Thakare Vishal Prabhakar,Puri Anil Kumar. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2014-09-25.

PROTUBERANT CONTACTS FOR RESISTIVE SWITCHING DEVICES

Номер патента: US20190207109A1. Автор: Yang Chih-Chao,Ando Takashi,Clevenger Lawrence A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

PROTUBERANT CONTACTS FOR RESISTIVE SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20190207110A1. Автор: Yang Chih-Chao,Ando Takashi,Clevenger Lawrence A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Method And Structure For Resistive Switching Random Access Memory With High Reliable And High Density

Номер патента: US20150235698A1. Автор: Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY WITH CELL ACCESS BY ANALOG SIGNAL CONTROLLED TRANSMISSION GATE

Номер патента: US20160247564A1. Автор: Wang Daniel,Kamalanathan Deepak,Gopinath Venkatesh P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140347913A1. Автор: Chen Bing,Gao Bin,LIU Xiaoyan,Liu Lifeng,KANG Jinfeng,ZHANG Feifei. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

LOW-POWER MAGNETIC RESISTANCE SWITCH SENSOR

Номер патента: US20160282426A1. Автор: ZHONG Xiaojun. Владелец: MultiDimension Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-09-29.

FILAMENT CONFINEMENT IN REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING MEMORY ELEMENTS

Номер патента: US20170287557A1. Автор: Melik-Martirosian Ashot,Rajamohanan Bijesh,Padilla Alvaro,Saenz Juan,PURAHMAD Mohsen. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2017-10-05.

DEVICE AND METHOD FOR HARDWARE-BASED DATA ENCRYPTION WITH COMPLEMENTARY RESISTIVE SWITCHES

Номер патента: US20200295920A1. Автор: Du Nan,SCHULZ Stefan,SCHMIDT HEIDEMARIE,ECKE Ramona. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Resistive Switching Element and Use Thereof

Номер патента: US20160322101A1. Автор: LEBLEBICI Yusuf,De Micheli Giovanni,Sacchetto Davide,Bobba Shashi Kanth,Gaillardon Pierre-Emmanuel Julien Marc,Demirci Tugba. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Routing and Programming for Resistive Switch Arrays

Номер патента: US20160344390A1. Автор: David Lewis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

METHOD FOR IMPLEMENTING LOGIC CALCULATION BASED ON A CROSSBAR ARRAY STRUCTURE OF RESISTIVE SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20200335165A1. Автор: Liu Ming,Long Shibing,Wang Wei,Liu Sen,Liu Qi,Lv Hangbing,Zhang Feng. Владелец: Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences. Дата публикации: 2020-10-22.

Complementary resistance switch, contact-connected polycrystalline piezo- or ferroelectric thin-film layer, method for encrypting a bit sequence

Номер патента: US20150364682A1. Автор: Du Nan,SCHMIDT HEIDEMARIE,SKORUPA ILONA,BUERGER DANILO,You Tiangui. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

METHOD FOR PROGRAMMING A BIPOLAR RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150371705A1. Автор: CLERMIDY FABIEN,Belleville Marc,ONKARAIAH Santhosh. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2015-12-24.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY CELL

Номер патента: US20170358742A1. Автор: GOVOREANU Bogdan. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Resistive Switching for MEMS Devices

Номер патента: US20170363478A1. Автор: Feyh Ando,Yama Gary,"OBrien Gary",Purkl Fabian,Samarao Ashwin K.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

METHOD FOR EVALUATING THERMAL EFFECT AND REDUCING THERMAL CROSSTALK OF THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED RESISTIVE SWITCHING MEMORY

Номер патента: US20180366643A1. Автор: Long Shibing,Liu Qi,Lv Hangbing,Li Ling,LU Nianduan,SUN Pengxiao,IIU Ming. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2018-12-20.

FINFET RESISTIVE SWITCHING DEVICE HAVING INTERSTITIAL CHARGED PARTICLES FOR MEMORY AND COMPUTATIONAL APPLICATIONS

Номер патента: US20200365737A1. Автор: Sadana Devendra K.,LI NING,Kumar Arvind,de Souza Joel P.,LEE YUN SEOG,Khan Babar. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Non-volatile resistance-switching thin film devices

Номер патента: WO2013151675A1. Автор: Xiang Yang,I-Wei Chen. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2013-10-10.

Non-volatile resistance-switching thin film devices

Номер патента: US9425393B2. Автор: Xiang Yang,I-Wei Chen. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2016-08-23.

Two terminal multi-layer thin film resistance switching device with a diffusion barrier and methods thereof

Номер патента: US9218901B2. Автор: NaiJuan Wu,Alex Ignatiev,Kristina Young-Fisher,Rabi Ebrahim. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 2015-12-22.

Memory cell that includes a carbon nano-tube reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: KR101537518B1. Автор: 에이프럴 디. 슈릭커,마크 에이치. 클락. Владелец: 쌘디스크 3디 엘엘씨. Дата публикации: 2015-07-17.

Non-volatile resistive switching memory structure

Номер патента: KR101081739B1. Автор: 최지혁,명재민,다스 사친드라나스. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-11-09.

3D vertical complementary resistive switching memory device based on multi-layer matrix

Номер патента: KR101646365B1. Автор: 홍진표,이아람,백광호,배윤철. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-08-08.

Memory cell that includes a carbon nano-tube reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: CN102027610A. Автор: 阿普里尔·D·施里克,马克·H·克拉克. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-04-20.

The nonvolatile dram having capacitorless dram characteristic and nonvolatile memory characteristic by resistance switching material

Номер патента: KR100862216B1. Автор: 김성호,최양규. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2008-10-09.

Nonvolatile memory device based on resistance switching of crystalline oxide

Номер патента: KR100644869B1. Автор: 황현상. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2006-11-14.

Nonvolatile Memory Device Based on Resistance Switching of Oxide ? Method Thereof

Номер патента: KR100693409B1. Автор: 이동수,황현상. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2007-03-12.

Composition of memory cell with resistance-switching layers

Номер патента: WO2011159583A3. Автор: Wipul Pemsiri Jayasekara,Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Abhijit Bandyopadhyay,Yung-Tin Chen,James Kai,Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,George Samachisa,Jingyan Zhang. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-14.

A kind of resistance switching circuit, storage circuit and consumable chip

Номер патента: CN104952485B. Автор: 孙万里. Владелец: Apex Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-19.

Nonvolatile memory elements with metal-deficient resistive-switching metal oxides

Номер патента: US20080219039A1. Автор: Nitin Kumar,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Resistive-switching nonvolatile memory elements

Номер патента: US20080278990A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sean Barstow. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Non-volatile resistive-switching memories

Номер патента: US8129704B2. Автор: Michael Miller,Tony Chiang,Pragati Kumar,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Method for obtaining reversible resistance switches on a PCMO thin film when integrated with a highly crystallized seed layer

Номер патента: US6939724B2. Автор: Wei Pan,Tingkai Li,David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Nonvolatile memory elements with metal-deficient resistive-switching metal oxides

Номер патента: US8097878B2. Автор: Nitin Kumar,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-01-17.

Resistive-switching nonvolatile memory elements

Номер патента: US8144498B2. Автор: Sandra G. Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sean Barstow. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-03-27.

Memory cell that includes a carbon nano-tube reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: CN102027610B. Автор: 阿普里尔·D·施里克,马克·H·克拉克. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-12-05.

Resistance switching element and method of fabricating the same

Номер патента: KR100989180B1. Автор: 김경민,황철성. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2010-10-20.

Resistive-switching nonvolatile memory elements

Номер патента: CN101711431A. Автор: 普拉加提·库马尔,桑德拉·G.·马尔霍特拉,肖恩·巴斯托,托尼·江. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-05-19.

Memory device for resistance switching using material having a brownmillerite structure

Номер патента: KR101537396B1. Автор: 정창욱,이보화,옥토리아 토기바사 탐부난,수산트 구나르 아자리아. Владелец: 한국외국어대학교 연구산학협력단. Дата публикации: 2015-07-16.

Sensing data in resistive switching memory devices

Номер патента: TWI616874B. Автор: Michael N. Kozicki,Nad Edward Gilbert,奈德 吉伯特,John Dinh,約翰 鼎,Iii John Ross Jameson,約翰 詹姆森三世,麥克 柯斯基,Shane Charles Hollmer,夏恩 荷馬. Владелец: 愛德斯托科技有限公司. Дата публикации: 2018-03-01.

Resistively switching semiconductor memory

Номер патента: DE102004046804B4. Автор: Klaus Dieter Dr. Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-05.

Method for manufacturing a resistive switching device and devices obtained thereof

Номер патента: WO2008026081A3. Автор: Dirk Wouters,Ludovic Goux. Владелец: Ludovic Goux. Дата публикации: 2008-08-28.

Multilevel nonvolatile memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse

Номер патента: US20070236981A1. Автор: S. Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-10-11.

Multi-bit resistive switching memory cell and array

Номер патента: TW201320323A. Автор: Tuo-Hung Hou,Shih-Chieh Wu. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2013-05-16.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: EP2227824B1. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-04-16.

Erase and soft program within the erase operation for a high speed resistive switching memory operation with controlled erased states

Номер патента: US8659931B1. Автор: Mehmet Günhan Ertosun. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Circuit and method for reading a resistive switching device in an array

Номер патента: EP2734999A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-05-28.

Routing and programming for resistive switch arrays

Номер патента: EP2662861A2. Автор: David Lewis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

The display equipment based on phase-change material with resistive switch element

Номер патента: CN109791313A. Автор: 哈里什·巴斯卡兰,培曼·胡赛尼,本·布劳顿. Владелец: Bode Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Sensing data in resistive switching memory devices

Номер патента: TW201503127A. Автор: Nad Edward Gilbert,John Dinh,Shane Charles Hollmer,Michael N Kozicki,Jameson, Iii. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2015-01-16.

Step soft program for reversible resistivity-switching elements

Номер патента: US20110205782A1. Автор: Li Xiao,Abhijit Bandyopadhyay,Tao Du,Roy Scheuerlein,Xiying Chen Costa,Brian Le,Chandrasekhar R. Gorla. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-25.

Highly sensitive magnetic tunable heterojunction device for resistive switching

Номер патента: WO2012176064A1. Автор: Satishchandra Balkrishna Ogale,Dipankar Das SARMA,Abhimanyu Singh RANA,Vishal Prabhakar THAKARE,Anil Kumar PURI. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2012-12-27.

Memory system with reversible resistivity-switching using pulses of alternate polarity

Номер патента: US8355271B2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Peter Rabkin,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-01-15.

Memristive memory cell resistance switch monitoring

Номер патента: WO2015195141A1. Автор: Brent Buchanan,Richard James AULETTA. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L. P.. Дата публикации: 2015-12-23.

Resistive switching non-volatile alkaline ion drift storage cell, process for making and using a compound for production

Номер патента: DE102004040751B4. Автор: Klaus Dr. Ufert,Cay-Uwe Dr. Pinnow,Thomas Dr. Happ. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-12.

Set and reset detection circuits for reversible resistance switching memory material

Номер патента: TWI486960B. Автор: Marco Cazzaniga,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-06-01.

Circuit and method for reading a resistive switching device in an array

Номер патента: US9064568B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-06-23.

Electronic percussion instrument with impact position-dependent variable resistive switch

Номер патента: US6815602B2. Автор: Vince De Franco. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-09.

Resistively switching non-volatile memory cell based on alkali ion drift

Номер патента: DE102004040751A1. Автор: Klaus Dr. Ufert,Cay-Uwe Dr. Pinnow,Thomas Dr. Happ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-09.

Non-volatile resistive-switching memories

Номер патента: CN102017146B. Автор: 托尼·江,迈克尔·米勒,普拉桑特·法塔克,普拉加蒂·库马尔. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-07-16.

Programmable non-volatile resistance switching device

Номер патента: US7465952B2. Автор: Gerhard Ingmar Meijer,Johannes Georg Bednorz,Santos F. Alvarado. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Methods and circuitry for programming non-volatile resistive switches using varistors

Номер патента: US10573375B1. Автор: Yue-Song He,Andy L. Lee,Richard G. Smolen,Christopher J. Pass,Jeffrey T. Watt,Rusli Kurniawan,Anwen Liu,Alok Nandini ROY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Method of controlling resistive switching memory cell and semiconductor memory device

Номер патента: CN107836023B. Автор: D·刘易斯,J·丁,D·卡马拉汉,关明生,V·P·戈皮纳特,N·冈萨雷斯. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2021-06-04.

Resistance-switching stretch sensor including knitted conductive fibers

Номер патента: KR101997327B1. Автор: 김수지,이미정,김희주,조안재. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2019-07-08.

Rewriteable memory cell comprising a diode and a resistance-switching material

Номер патента: US20060250836A1. Автор: S. Herner,Christopher Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-09.

Resistive-switching device capable of implementing multiary addition operation and method for multiary addition operation

Номер патента: US8963275B2. Автор: Lifeng Liu,Xiaoyan Liu,Bin Gao,Jinfeng Kang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-02-24.

Non-volatile resistive-switching memories

Номер патента: EP2286454B1. Автор: Michael Miller,Tony Chiang,Pragati Kumar,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-09-09.

Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer

Номер патента: CN103003971A. Автор: 弗朗茨·克罗伊普尔,付初辰,年一波. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-03-27.

Resistively switching semiconductor memory

Номер патента: US20090045387A1. Автор: Klaus-Dieter Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-02-19.

Ambient gas sensor including resistance-switching device having conductive fiber

Номер патента: KR101766152B1. Автор: 이미정,김희주,조안재. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer

Номер патента: EP2583324B1. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-05.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element formed over a bottom conductor and methods of forming the same

Номер патента: US8530318B2. Автор: April D. Schricker. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-09-10.

Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance―switching material

Номер патента: KR101335383B1. Автор: 에스. 브래드 허너,크리스토퍼 제이. 페티,탄메이 쿠마르. Владелец: 쌘디스크 3디 엘엘씨. Дата публикации: 2013-12-03.

Use of centrosymmetric Mott insulators in a resistive switched memory for storing data

Номер патента: US9837607B2. Автор: Marie-Paule Besland,Laurent Cario,Benoit Corraze,Etienne Janod,Vincent Guiot. Владелец: UNIVERSITE DE NANTES. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of epitaxially grown channel selector with two terminal resistive switching memory element

Номер патента: US10957370B1. Автор: Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2021-03-23.

Resistive-switching nonvolatile memory elements

Номер патента: US8441838B2. Автор: Sandra G. Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sean Barstow. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Dual damascene crossbar array for disabling a defective resistive switching device in the array

Номер патента: US20210375389A1. Автор: Seyoung Kim,Oscar van der Straten,ChoongHyun Lee,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer

Номер патента: US8395927B2. Автор: Chu-Chen Fu,Franz Kreupl,Yibo Nian. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-03-12.

Resistance switches and the like

Номер патента: US3271584A. Автор: Stanford R Ovshinsky. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1966-09-06.

Dual damascene crossbar array of resistance-switching devices for disabling defects in the array

Номер патента: CN115669287A. Автор: 金世荣,李忠贤,本山幸一,J.F.马尼斯卡科,O.范德斯特拉滕. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-31.

Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics

Номер патента: WO2014043630A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Vidyut Gopal. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Display device based on phase change material with resistive switching elements

Номер патента: ES2809026T3. Автор: Peiman Hosseini,Harish Bhaskaran,Ben Broughton. Владелец: Bodle Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Circuit and method for reading a resistive switching device in an array

Номер патента: EP2734999A4. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-12-24.

Method for obtaining reversible resistance switches in a PCMO thin film deposited on a highly crystallized seed layer

Номер патента: EP1507297B1. Автор: Wei Pan,Tingkai Li,David Russell Evans,Sheng Teng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-08-13.

Memory cell with resistance-switching layers

Номер патента: US8737111B2. Автор: Franz Kreupl,James Kai,Raghuveer S. Makala,Xiying Costa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-05-27.

Resistive switching memory with cell access by analog signal controlled transmission gate

Номер патента: WO2016133661A1. Автор: Daniel Wang,Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-25.

USE OF CENTROSYMETRIC MOTOR INSULATION IN A RESISTIVE SWITCHING DATA STORAGE MEMORY

Номер патента: FR2989212A1. Автор: Marie-Paule Besland,Laurent Cario,Benoit Corraze,Etienne Janod,Vincent Guiot. Владелец: UNIVERSITE DE NANTES. Дата публикации: 2013-10-11.

Carbon-based resistivity-switching materials and methods of forming the same

Номер патента: US20100006812A1. Автор: Er-Xuan Ping,Huiwen Xu,Roy E. Scheuerlein,Tanmay Kumar,Xiying Chen,Alper Ilkbahar. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-01-14.

DUAL DAMASCENE CROSSBAR ARRANGEMENT FOR DISABLED A FAULTY RESISTIVE SWITCHING UNIT IN THE ARRANGEMENT

Номер патента: DE112021003002T5. Автор: Seyoung Kim,Oscar van der Straten,ChoongHyun Lee,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Nonvolatile memory cell comprising a resistivity-switching oxide or nitride and an antifuse

Номер патента: TW200805629A. Автор: S Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-01-16.

Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US8809114B2. Автор: S. Brad Herner,April D. Schricker,Mark H. Clark. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-19.

Memory cell that employs a selectively fabricated carbon nano-tube reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: TW200943489A. Автор: Mark Clark,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-10-16.

Non-volatile resistance switching memory

Номер патента: US7897411B2. Автор: Rolf Allenspach,Johannes G. Bednorz,Gerhard Ingmar Meijer,Chung Hon Lam,Daniel Widmer,Richard Stutz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Resistive switching for mems devices

Номер патента: EP3230702A4. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Ashwin K. SAMARAO,Gary O'brien,Fabian Purkl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-08-08.

Design and operation of a resistance switching memory cell with diode

Номер патента: TW200701437A. Автор: Stuart Spitzer,Juri H Krieger. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-01-01.

Carbon-based resistivity-switching materials and methods of forming the same

Номер патента: TW201007837A. Автор: Er-Xuan Ping,Tanmay Kumar,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,hui-wen Xu,Xi-Ying Chen. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-02-16.

Protuberant contacts for resistive switching devices

Номер патента: US20200091427A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Resistive switching in nitrogen-doped mgo

Номер патента: GB201202833D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Resistive switching in nitrogen-doped MgO

Номер патента: TW201137876A. Автор: Xin Jiang,Stuart Stephen Papworth Parkin,Cheng-Han Yang,Mahesh Govind Samant. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2011-11-01.

Resistive switching in nitrogen-doped mgo

Номер патента: GB2488050B. Автор: Xin Jiang,Cheng-Han Yang,Stuart Stephen Parkin,Mahesh Govind Samant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-12.

Ultra-deep power down mode control in a memory device

Номер патента: EP3311384A1. Автор: Gideon Intrater,Nathan Gonzales,John Dinh,Derric Lewis. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Saborage-resistant switch device for moving railroad switch points

Номер патента: US12104331B2. Автор: Dilson Dos Santos Rodrigues,Donald Coy Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-01.

Resistance switching assembly

Номер патента: GB1072843A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1967-06-21.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US09478638B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Structure and method for a complimentary resistive switching random access memory for high density application

Номер патента: US09680091B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Functional nanoinks for fully printed passive and active resistive switching devices

Номер патента: WO2023245148A3. Автор: Nikolay Frick. Владелец: Frick Nikolay. Дата публикации: 2024-04-25.

Functional nanoinks for fully printed passive and active resistive switching devices

Номер патента: WO2023245148A2. Автор: Nikolay Frick. Владелец: Frick Nikolay. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical array of resistive switching devices having restricted filament regions and tunable top electrode volume

Номер патента: US20190378876A1. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Improvements in and relating to resistance switch-gear for use in connection with controllers, starters, and the like

Номер патента: GB498911A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1939-01-13.

Resistive switching memory with replacement metal electrode

Номер патента: US20200263620A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Improvements in or relating to resistance switches for electric lamps

Номер патента: GB232695A. Автор: . Владелец: DIMMERS Ltd. Дата публикации: 1925-04-27.

Improvements in or relating to resistance-switching arrangements for electric circuit-breakers

Номер патента: GB683295A. Автор: . Владелец: Robert William Wild. Дата публикации: 1952-11-26.

Vandal-resistant switch assembly

Номер патента: CA1257635A. Автор: Elias Santiago. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-07-18.

Reconfigurable circuit using resistive switches

Номер патента: WO2021009930A1. Автор: Xu Bai,Toshitsugu Sakamoto,Makoto Miyamura,Ryusuke Nebashi. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2021-01-21.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US11856797B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Water resistant switch mat having activation across its entire surface

Номер патента: WO2006083997A2. Автор: John T. Grzan. Владелец: Tapeswitch Corporation. Дата публикации: 2006-08-10.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20190051702A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

RESISTANCE-SWITCHING DEVICE HAVING CONDUCTIVE FIBER, FABRIC TYPE RESISTANCE-SWITCHING DEVICE ARRAY HAVING THE SAME, MEMORY AND SENSOR HAVING THE DEVICE OR THE ARRAY

Номер патента: US20170033291A1. Автор: KIM Younhee,KIM Suji,LEE Mijung,SEO Youngdae,KIM Chaewon,KO Museok,JO Anjae,Kim Heejoo. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY INCLUDING RESISTIVE SWITCHING LAYER FABRICATED USING SPUTTERING AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210167286A1. Автор: Kim Tae Yoon,HONG Jin Pyo,BAEK Gwang Ho,HYEON Da Seul,JANG Gabriel. Владелец: IUCF-HYU (Industry-Univesity Cooperation Foundation Hanyang University). Дата публикации: 2021-06-03.

Method for controlled formation of the resistive switching material in a resistive switching device and devices obtained thereof

Номер патента: WO2008078197A3. Автор: Dirk Wouters,Ludovic Goux. Владелец: Ludovic Goux. Дата публикации: 2008-11-20.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US20220320429A1. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Functional nanoinks for fully printed passive and active resistive switching devices

Номер патента: US20230407123A1. Автор: Nikolay Frick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of fabricating a resistive switching element including nanogap electrodes

Номер патента: EP2239796A3. Автор: Yutaka Hayashi,Tsuyoshi Takahashi,Masatoshi Ono,Yuichiro Masuda,Shigeo Furuta,Touru Sumiya. Владелец: Funai Electric Advanced Applied Technology Research Institute Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Low resistance switch using carbon contacts

Номер патента: US20010052729A1. Автор: Robert R. Turnbull,G. Bruce Poe,Timothy A. Bonardi. Владелец: Gentex Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor switch, semiconductor switch MMIC, changeover switch RF module, power resistance switch RF module, and transmitter and receiver module

Номер патента: CN101826646A. Автор: 塚原良洋. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-09-08.

Composition for mesoporous resistance switchable composites, producing method for mesoporous resistance switchable composites and resistive switching device using the same

Номер патента: KR101793163B1. Автор: 이현호,윤성훈,김다은,정헌상. Владелец: 명지대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-11-02.

Thermographic paper printing stamp - has heating resistances switched on when threshold application pressure is exceeded

Номер патента: FR2454376A1. Автор: Roger Lehmann. Владелец: Compagnie Generale dAutomatisme SA. Дата публикации: 1980-11-14.

Variable-resistance switch

Номер патента: US1504021A. Автор: Stephen F Briggs,Edward N Jacobi. Владелец: Briggs and Stratton Corp. Дата публикации: 1924-08-05.

Transition metal oxide resistive switching device with doped buffer region

Номер патента: EP3231021A4. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Jolanta Celinska,Christopher R. McWilliams. Владелец: Symetrix Memory LLC. Дата публикации: 2018-06-13.

Stackable non-volatile resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09412789B1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Resistive switching memory elements having improved switching characteristics

Номер патента: US20130099191A1. Автор: Chiang Tony P.,Hashim Imran,Kuse Ronald J.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

Resistive-Switching Memory Elements Having Improved Switching Characteristics

Номер патента: US20130341584A1. Автор: Chiang Tony P.,Hashim Imran,Kuse Ronald J.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-12-26.

SABORAGE-RESISTANT SWITCH DEVICE FOR MOVING RAILROAD SWITCH POINTS

Номер патента: US20210025115A1. Автор: Rodrigues Dilson dos Santos,Beaman Donald Coy. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Resistive Switching Devices Having a Switching Layer and an Intermediate Electrode Layer and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20160118585A1. Автор: III John R.,Ma Yi,LEE WEI TI,Koushan Foroozan Sarah,Jameson,Gopinath Venkatesh P.,Sanchez John E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

RESISTIVE-SWITCHING MEMORY ELEMENTS HAVING IMPROVED SWITCHING CHARACTERISTICS

Номер патента: US20150147865A1. Автор: Miller Michael,Phatak Prashant,Chiang Tony,Tong Jinhong,Kuse Ronald John. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Resistive-Switching Memory Elements Having Improved Switching Characteristics

Номер патента: US20140225056A1. Автор: Chiang Tony P.,Hashim Imran,Kuse Ronald J.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Resistive-Switching Memory Elements Having Improved Switching Characteristics

Номер патента: US20150155486A1. Автор: Chiang Tony P.,Hashim Imran,Kuse Ronald J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Resistive Switching Devices Having a Switching Layer And An Intermediate Electrode Layer and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20140246641A1. Автор: III John R.,Ma Yi,LEE WEI TI,Koushan Foroozan Sarah,Jameson,Gopinath Venkatesh P.,Sanchez John E.. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-04.

METHOD OF MAKING A RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH METAL-DOPED RESISTIVE SWITCHING LAYER

Номер патента: US20140322862A1. Автор: Maes Jan Willem,Xie Qi,Raisanen Petri,Machkaoutsan Vladimir,Givens Michael. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2014-10-30.

Electron barrier height controlled interfaces of resistive switching layers in resistive random access memory cells

Номер патента: US9246087B1. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Complementary resistive switching in single resistive memory devices

Номер патента: WO2014025434A2. Автор: Wei Lu,Yuchao YANG. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming resistive switching memory elements with improved switching behavior

Номер патента: KR102022737B1. Автор: 윤 왕,임란 하심,비드윳 고팔,토니 피 치앙,팀 민비엘,다케시 야마구치. Владелец: 인터몰레큘러 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2019-09-18.

Resistive-switching memory elements having improved switching characteristics

Номер патента: US9012881B2. Автор: Imran Hashim,Tony P. Chiang,Ronald J. Kuse. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-21.

DVC utilizing MEMS resistive switches and MIM capacitors

Номер патента: US10566140B2. Автор: Richard L. Knipe,Robertus Petrus Van Kampen,Charles G. Smith,Roberto Gaddi. Владелец: Cavendish Kinetics Inc. Дата публикации: 2020-02-18.

Resistive switching memory with replacement metal electrode

Номер патента: US20200052207A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Erosion resistant switching valve

Номер патента: AU3474984A. Автор: Roine Brännström. Владелец: Asea Stal AB. Дата публикации: 1985-05-09.

Erosion resistant switching valve

Номер патента: AU566413B2. Автор: Roine Brännström. Владелец: Asea Stal AB. Дата публикации: 1987-10-22.

Resistive switching in memory cells

Номер патента: US20120248396A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,D.V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Confinement techniques for non-volatile resistive-switching memories

Номер патента: US20120286230A1. Автор: Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Surface treatment to improve resistive-switching characteristics

Номер патента: US20120315725A1. Автор: Michael Miller,Tanmay Kumar,Tony Chiang,Prashant Phatak,April Schricker,Xiyang Chen. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US20130048937A1. Автор: Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

STACKABLE NON-VOLATILE RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20130075689A1. Автор: HERNER Scott Brad. Владелец: Crossbar Inc.. Дата публикации: 2013-03-28.

Methods for Forming Resistive-Switching Metal Oxides for Nonvolatile Memory Elements

Номер патента: US20130109149A1. Автор: Chiang Tony P.,Barstow Sean,Malhotra Sandra G.,Kumar Pragati. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

RESISTANCE-SWITCHING MEMORY CELLS ADAPTED FOR USE AT LOW VOLTAGE

Номер патента: US20130119338A1. Автор: Li Feng,Scheuerlein Roy E.,Yang Xiaoyu,Meeks Albert T.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-05-16.

BOTTOM ELECTRODES FOR USE WITH METAL OXIDE RESISTIVITY SWITCHING LAYERS

Номер патента: US20130126821A1. Автор: Kreupl Franz,Makala Raghuveer S.,Sekar Deepak Chandra. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-05-23.

RESISTIVE-SWITCHING MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20130140511A1. Автор: Phatak Prashant,Chiang Tony,Lang Chi-I. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY GROWN REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130146832A1. Автор: Schricker April D.,Clark Mark H.,Herner Brad. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-06-13.

Resistive Switching Devices and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20130214234A1. Автор: Gopalan Chakravarthy,Shields Jeffrey,Gopinath Venkatesh,Wang Janet Siao-Yian,Tsai Kuei-Chang. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-22.

Resistive-Switching Nonvolatile Memory Elements

Номер патента: US20130217200A1. Автор: Chiang Tony P.,Barstow Sean,Malhotra Sandra G.,Kumar Pragati. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2013-08-22.

METHODS FOR FORMING NICKEL OXIDE FILMS FOR USE WITH RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICES/US

Номер патента: US20130230962A1. Автор: Sun Zhi-Wen,Chiang Tony,Lang Chi-I,Tong Jinhong. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-09-05.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US20130260508A1. Автор: Kumar Nitin,Sun Zhi-Wen Wen,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,Tong Jinhong. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US20130273707A1. Автор: Phatak Prashant B.,Kumar Pragati,Fuchigami Nobumichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Resistive Switching Memory Element Including Doped Silicon Electrode

Номер патента: US20130292632A1. Автор: Wu Wen,Miller Michael,Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

NON-VOLATILE SOLID STATE RESISTIVE SWITCHING DEVICES

Номер патента: US20130328007A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

STRUCTURE AND METHOD FOR A COMPLIMENTARY RESISTIVE SWITCHING RANDOM ACCESS MEMORY FOR HIGH DENSITY APPLICATION

Номер патента: US20130334486A1. Автор: Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

Methods for Forming Nickel Oxide Films for Use With Resistive Switching Memory Devices

Номер патента: US20130334491A1. Автор: Sun Zhi-Wen Wen,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,Tong Jinhong. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2013-12-19.

Surface Treatment to Improve Resistive-Switching Characteristics

Номер патента: US20140001430A1. Автор: Miller Michael,Schricker April,Kumar Tanmay,Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.,COSTA Xiying. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-01-02.

Resistive-Switching Memory Element

Номер патента: US20140014892A1. Автор: Lang Chi-I,Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Non-volatile Resistive-Switching Memories

Номер патента: US20140038352A1. Автор: Miller Michael,Chiang Tony P.,Kumar Pragati,Phatak Prashant B. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

RESISTANCE SWITCHING MATERIAL ELEMENT AND DEVICE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20140042380A1. Автор: KIM Chang-jung,Kim Sung-Ho,CHANG Man,KIM Young-bae,LEE Seung-ryul,KIM Kyung-min,CHO Eun-ju,KIM Sae-jin. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Resistive-Switching Nonvolatile Memory Elements

Номер патента: US20140042384A1. Автор: Chiang Tony P.,Barstow Sean,Malhotra Sandra G.,Kumar Pragati. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-02-13.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US20140084236A1. Автор: Phatak Prashant B.,Kumar Pragati,Fuchigami Nobumichi. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-03-27.

RESISTIVE SWITCHING DEVICES AND MEMORY DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140092668A1. Автор: KIM Chang-jung,Kim Sung-Ho,CHANG Man,KIM Young-bae,LEE Seung-ryul,KIM Kyung-min,CHO Eun-ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-03.

METHOD FOR IMPROVING ENDURANCE PERFORMANCE OF 3D INTEGRATED RESISTIVE SWITCHING MEMORY

Номер патента: US20190006584A1. Автор: Long Shibing,Liu Qi,Lv Hangbing,Li Ling,LU Nianduan,SUN Pengxiao,IIU Ming. Владелец: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2019-01-03.

RESISTIVE SWITCHING NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210013405A1. Автор: Yamane Kazutaka,WONG DAO HWEE GRAYSON,LIM JU DY,ZENG DINGGUI,SEET CHIM SENG. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Resistive switching by breaking and re-forming covalent bonds

Номер патента: US20160020388A1. Автор: Wang Yun. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Nonvolatile resistive switching memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019393A1. Автор: QI Liu,Ming Liu,Hangbing Lv,Shibing Long,Writam Banerjee,Kangwei Zhang,Haltao Sun. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-18.

RESISTANCE SWITCHING DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THEREOF

Номер патента: US20150028282A1. Автор: Ohashi Naoki,Hirose Sakyo,Yoshikawa Hideki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Nonvolatile resistive switching memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180026183A1. Автор: QI Liu,Ming Liu,Haitao Sun,Hangbing Lv,Shibing Long,Keke Zhang,Writam Banerjee,Kangwei Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-25.

Resistive-Switching Nonvolatile Memory Elements

Номер патента: US20150034896A1. Автор: Chiang Tony P.,Barstow Sean,Kumar Pragati,Malhotra Sandra G. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20170033159A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Tu Kuo-Chi,Chu Wen-Ting,Chen Hsia-Wei,Yang Chin-Chieh,Liao Yu-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE BASED ON MULTI-INPUTS

Номер патента: US20210050514A1. Автор: NAM Ki Tae,SONG Min-Kyu,KWON Jang-yeon,LEE Yoon Ho,CHO Ouk Hyun,NAMGUNG Seok,KIM Hyeohn. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Methods for Forming Resistive Switching Memory Elements by Heating Deposited Layers

Номер патента: US20150056748A1. Автор: Tony P. Chiang,Pragati Kumar,Sean Barstow,Sunil Shanker. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20190051702A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Tu Kuo-Chi,Chu Wen-Ting,Chen Hsia-Wei,Yang Chin-Chieh,Liao Yu-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY WITH REPLACEMENT METAL ELECTRODE

Номер патента: US20200052207A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,KIM Seyoung,Miyazoe Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

CONTROLLING COMPOSITION OF MULTIPLE OXIDES IN RESISTIVE SWITCHING LAYERS USING ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20150060753A1. Автор: Gopal Vidyut,YAMAGUCHI Takeshi,Hsueh Chien-Lan,Higuchi Randall J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

NON-STOICHIOMETRIC RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20210066584A1. Автор: Jo Sung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Resistive Switching Memory

Номер патента: US20150076442A1. Автор: Van Buskirk Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

RESISTANCE-SWITCHING MEMORY CELLS ADAPTED FOR USE AT LOW VOLTAGE

Номер патента: US20140158974A1. Автор: Li Feng,Scheuerlein Roy E.,Yang Xiaoyu,Meeks Albert T.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-06-12.

OXYGEN VACANCY AND FILAMENT-LOSS PROTECTION FOR RESISTIVE SWITCHING DEVICES

Номер патента: US20200075860A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,KIM Seyoung,Miyazoe Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Strained Multilayer Resistive-Switching Memory Elements

Номер патента: US20160087196A1. Автор: Rupp Jennifer L.M.,Schweiger Sebastian,Messerschmitt Felix. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2016-03-24.

NON-VOLATILE RESISTANCE SWITCHING DEVICES

Номер патента: US20170084832A1. Автор: Lu Yang,CHEN I-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

NONVOLATILE MEMORY CELL COMPRISING A DIODE AND A RESISTANCE-SWITCHING MATERIAL

Номер патента: US20140166968A1. Автор: Kumar Tanmay,HERNER Scott Brad,Petti Christopher J.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

VERTICAL ARRAY OF RESISTIVE SWITCHING DEVICES HAVING RESTRICTED FILAMENT REGIONS AND TUNABLE TOP ELECTRODE VOLUME

Номер патента: US20200083293A1. Автор: Ando Takashi,Bruce Robert L.,Miyazoe Hiroyuki,Rozen John. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20200083294A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Tu Kuo-Chi,Chu Wen-Ting,Chen Hsia-Wei,Yang Chin-Chieh,Liao Yu-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Non-volatile Resistive-Switching Memories

Номер патента: US20150097153A1. Автор: Miller Michael,Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.,Kumar Pragati. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

SEQUENTIAL ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ELECTRODES AND RESISTIVE SWITCHING COMPONENTS

Номер патента: US20140175354A1. Автор: Chiang Tony P.,Wang Yun,YAMAGUCHI Takeshi,Minvielle Tim. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Carbon Doped Resistive Switching Layers

Номер патента: US20140175355A1. Автор: Chiang Tony P.,Wang Yun,YAMAGUCHI Takeshi,Minvielle Tim. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Resistive Switching Layers Including Hf-Al-O

Номер патента: US20140175361A1. Автор: Wang Yun,YAMAGUCHI Takeshi,Tong Jinhong,Minvielle Tim,Hsueh Chien-Lan,Higuchi Randall J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

RADIATION ENHANCED RESISTIVE SWITCHING LAYERS

Номер патента: US20140175364A1. Автор: Chiang Tony P.,Wang Yun,YAMAGUCHI Takeshi,Minvielle Tim. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

VERTICAL ARRAY OF RESISTIVE SWITCHING DEVICES HAVING A TUNABLE OXYGEN VACANCY CONCENTRATION

Номер патента: US20200091231A1. Автор: Ando Takashi,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

MoOx-Based Resistance Switching Materials

Номер патента: US20140183432A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Barabash Sergey. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

RESISTIVE SWITCHING DEVICE HAVING CONTROLLED FILAMENT FORMATION

Номер патента: US20210104664A1. Автор: Reznicek Alexander,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

ARC-ABLATION RESISTANT SWITCH CONTACT AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170125179A1. Автор: Ding Yang,Han Huisheng,Wang Zhenxing,Zhang Hongmei. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

RESISTIVE SWITCHING IN MEMORY CELLS

Номер патента: US20150137063A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Process For Forming Resistive Switching Memory Cells Using Nano-Particles

Номер патента: US20140213032A1. Автор: Matamis George,Kai James K.,Orimoto Takashi W.,Purayath Vinod R.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-07-31.

SYSTEMS AND METHODS FOR FORMING SELECTIVE METAL ELECTRODE LAYERS FOR RESISTIVE SWITCHING MEMORIES

Номер патента: US20160138166A1. Автор: Yoon Hyungsuk Alexander,Zhu Zhongwei. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Stackable non-volatile resistive switching memory device and method

Номер патента: US20140217353A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Resistive-Switching Memory Element

Номер патента: US20150147866A1. Автор: Lang Chi-I,Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

RESISTIVE SWITCHING DEVICE FOR A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140225055A1. Автор: Jo Sung Hyun,HERNER Scott Brad. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2014-08-14.

Resistance-Switching Memory Cell With Multiple Electrodes

Номер патента: US20140225057A1. Автор: Chien Henry,Matamis George,Zhang Yuan,Kai James K.,Purayath Vinod R.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Method For Forming Resistance-Switching Memory Cell With Multiple Electrodes Using Nano-Particle Hard Mask

Номер патента: US20140227853A1. Автор: Chien Henry,Matamis George,Zhang Yuan,Kai James K.,Purayath Vinod R.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US20140231744A1. Автор: Kumar Nitin,Sun Zhi-Wen Wen,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,Tong Jinhong. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2014-08-21.

OXIDE-BASED THREE-TERMINAL RESISTIVE SWITCHING LOGIC DEVICES

Номер патента: US20170148982A1. Автор: Mukherjee Niloy,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Majhi Prashant,Shah Uday,Doyle Brian S.,Karpov Elijah V.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

WRAPAROUND TOP ELECTRODE LINE FOR CROSSBAR ARRAY RESISTIVE SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20190148637A1. Автор: Yang Chih-Chao,Ando Takashi,Clevenger Lawrence A.,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

TRANSITION METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING DEVICE WITH DOPED BUFFER REGION

Номер патента: US20160163978A1. Автор: Paz de Araujo Carlos A.,Celinska Jolanta,McWilliams Christopher R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

DVC UTILIZING MEMS RESISTIVE SWITCHES AND MIM CAPACITORS

Номер патента: US20160172112A1. Автор: KNIPE RICHARD L.,van Kampen Robertus Petrus,Gaddi Roberto,SMITH Charles G.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Method For Forming Resistive Switching Memory Elements

Номер патента: US20160172588A1. Автор: Hashim Imran,Gopal Vidyut,Tong Jinhong,Higuchi Randall. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

METHODS AND APPARATUS FOR METAL OXIDE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140252298A1. Автор: Xu Huiwen,Fu Chu-Chen,Minvielle Timothy James,Li Yubao. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

Resistive Switching Random Access Memory with Asymmetric Source and Drain

Номер патента: US20140264222A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Tu Kuo-Chi,Chu Wen-Ting,Chen Hsia-Wei,Yang Chin-Chieh,Liao Yu-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

INTEGRATION OF AN AMORPHOUS SILICON RESISTIVE SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20140264226A1. Автор: Nazarian Hagop,Jo Sung Hyun. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

ZnTe on TiN or Pt Electrodes as a Resistive Switching Element for ReRAM Applications

Номер патента: US20140264241A1. Автор: Phatak Prashant B.,Ananthan Venkat. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Voltage-Resistant Switch

Номер патента: US20170179941A1. Автор: Desel Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

STRUCTURE IMPROVING RELIABILITY OF TOP ELECTRODE CONTACT FOR RESISTANCE SWITCHING RAM HAVING CELLS OF VARYING HEIGHT

Номер патента: US20210210681A1. Автор: Kuang Hsun-Chung,Chen Sheng-Chau,Hsiao Cheng-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

TWO TERMINAL RESISTIVE SWITCHING DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING

Номер патента: US20150200362A1. Автор: Jo Sung Hyun,HERNER Scott Brad. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Non-volatile resistive-switching memory containing halide perovskite material and method for fabricating the same

Номер патента: US20200194669A1. Автор: Hyojung KIM,Ho Won Jang,Ji su HAN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2020-06-18.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY STACK FOR THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE

Номер патента: US20180219155A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Rozen John. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Chiang Tony P.,Wang Yun,YAMAGUCHI Takeshi,Minvielle Tim. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Surface Treatment to Improve Resistive-Switching Characteristics

Номер патента: US20140322887A1. Автор: Miller Michael,Schricker April,Kumar Tanmay,Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.,COSTA Xiying. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

RESISTIVE SWITCHING CO-SPUTTERED PT-(NIO-AL2O3)-PT DEVICES

Номер патента: US20170237002A1. Автор: Adeyeye Adekunle,REBELLO Alwyn. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Use of Centrosymmetric Mott Insulators in a Resistive Switched Memory for Storing Data

Номер патента: US20150255714A1. Автор: Cario Laurent,Corraze Benoit,Janod Etienne,Besland Marie-Paule,Guiot Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Non-volatile Resistive-Switching Memories

Номер патента: US20150255716A1. Автор: Miller Michael,Chiang Tony P.,Kumar Pragati,Phatak Prashant B. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE HAVING IMPROVED NONLINEARITY AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140339490A1. Автор: Kim Young Jae,Oh Jin Ho,KIM Jong Gi,SOHN Hyun Chul,Ko Dae Hong. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2014-11-20.

ALD processing techniques for forming non-volatile resistive switching memories

Номер патента: US20140361236A1. Автор: Phatak Prashant B.,Kumar Pragati,Fuchigami Nobumichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY WITH REPLACEMENT METAL ELECTRODE

Номер патента: US20200263620A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,KIM Seyoung,Miyazoe Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Non-Volatile Resistance-Switching Thin Film Devices

Номер патента: US20160293840A1. Автор: Yang Xiang,CHEN I-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

RESISTIVE SWITCHING DEVICES CONTAINING LITHIUM TITANATE, AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20200274065A1. Автор: Rupp Jennifer,Gonzalez Rosillo Juan Carlos. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-08-27.

Embedded Nonvolatile Memory Elements Having Resistive Switching Characteristics

Номер патента: US20150325788A1. Автор: Chiang Tony P.,Wang Yun,Hashim Imran,Gopal Vidyut. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Resistance-Switching Memory Cell With Multiple Raised Structures In A Bottom Electrode

Номер патента: US20150333105A1. Автор: Chien Henry,Matamis George,Zhang Yuan,Kai James K.,Purayath Vinod R.. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-11-19.

COMPLEMENTARY RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE HAVING THREE-DIMENSIONAL CROSSBAR-POINT VERTICAL MULTI-LAYER STRUCTURE

Номер патента: US20170330916A1. Автор: Hong Jinpyo,BAE Yooncheol,BAEK Gwangho,LEE Aram. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2017-11-16.

NON-STOICHIOMETRIC RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20160343937A1. Автор: Jo Sung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

RESISTIVE SWITCHING FOR NON VOLATILE MEMORY DEVICE USING AN INTEGRATED BREAKDOWN ELEMENT

Номер патента: US20150357567A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

COMPLEMENTARY RESISTANCE SWITCH, CONTACT-CONNECTED POLYCRYSTALLINE PIEZO- OR FERROELECTRIC THIN-FILM LAYER, METHOD FOR ENCRYPTING A BIT SEQUENCE

Номер патента: US20150358151A1. Автор: Du Nan,SCHMIDT HEIDEMARIE,SKORUPA ILONA,BUERGER DANILO,You Tiangui,Manjunath Niveditha. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY CELL

Номер патента: US20190341548A1. Автор: Neumann Christian. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY

Номер патента: US20190341549A1. Автор: LI Sean Suixiang,Murphy Charles,White Nicholas John,CHU Dewei. Владелец: Australian Advanced Materials Pty Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

TECHNIQUES FOR DOPANT IMPLANTATION AND MULTILAYER OXIDES FOR RESISTIVE SWITCHING DEVICES

Номер патента: US20200357991A1. Автор: Fang Nicholas,Tan Zheng Jie. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-11-12.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190372001A1. Автор: Guha Supratik,Sonde Sushant,Ocola Leonidas E.,Chakrabarti Bhaswar. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Vertical array of resistive switching devices having restricted filament regions and tunable top electrode volume

Номер патента: US20190378876A1. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

RESISTIVE SWITCHING ELEMENT AND PHOTOVOLTAIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190378946A1. Автор: Jo William,Jin Hye Jin. Владелец: Ewha University - Industry Collaboration Foundation. Дата публикации: 2019-12-12.

VERTICAL ARRAY OF RESISTIVE SWITCHING DEVICES HAVING A TUNABLE OXYGEN VACANCY CONCENTRATION

Номер патента: US20190393266A1. Автор: Ando Takashi,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: KR101460823B1. Автор: 토니 치앙,니틴 쿠마르,치-이 랑,즈-원 썬,진훙 통. Владелец: 인터몰레큘러 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2014-11-11.

Method for forming resistive switching memory elements

Номер патента: KR101942606B1. Автор: 임란 하심,진홍 통,랜덜 히구치,비드윳 고팔. Владелец: 인터몰레큘러 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2019-01-25.

Methods for forming nickel oxide films for use with resistive switching memory devices

Номер патента: US8283214B1. Автор: Zhi-Wen Sun,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Conductor arrangement for a resistive switching element having at least two composite conductors made from superconducting conductor bands

Номер патента: KR101548404B1. Автор: 한스-페터 크레머. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2015-08-28.

Methods for forming nonvolatile memory elements with resistive-switching metal oxides

Номер патента: KR101432344B1. Автор: 토니 치앙,니틴 쿠마르,진훙 퉁,츠-이 랑,프라샨트 비 파타크. Владелец: 인터몰레큘러 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2014-08-20.

Resistive switching memory device based on multi-input

Номер патента: KR102294284B1. Автор: 이윤호,권장연,송민규,남궁석,조욱현,남기태,김혜온. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods for forming resistive-switching metal oxides for nonvolatile memory elements

Номер патента: US7863087B1. Автор: Sandra G. Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sean Barstow. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Complementary resistance switching memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101416243B1. Автор: 김종기,손현철,고대홍. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-07-09.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US20080185573A1. Автор: Nitin Kumar,Zhi-Wen Sun,Jinhong Tong,Tony Chiang,Chi-l Lang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Methods for forming nonvolatile memory elements with resistive-switching metal oxides

Номер патента: US20080220601A1. Автор: Nitin Kumar,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US7678607B2. Автор: Nitin Kumar,Zhi-Wen Sun,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Controlling composition of multiple oxides in resistive switching layers using atomic layer deposition

Номер патента: US8883557B1. Автор: Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Chien-Lan Hsueh,Randall J. Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

MoOx-based resistance switching materials

Номер патента: US8907314B2. Автор: Tony P. Chiang,Dipankar Pramanik,Sergey Barabash. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-09.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US7972897B2. Автор: Nitin Kumar,Zhi-Wen Sun,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-07-05.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US7704789B2. Автор: Nitin Kumar,Zhi-Wen Sun,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-04-27.

Methods for forming nonvolatile memory elements with resistive-switching metal oxides

Номер патента: US7629198B2. Автор: Nitin Kumar,Jinhong Tong,Chi-I Lang,Tony Chiang,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Nonvolatile memory element including resistive switching metal oxide layers

Номер патента: US8294219B2. Автор: Wen Wu,Sandra G. Malhotra,Tony Chiang,Pragati Kumar,Sean Barstow,Sunil Shanker,Prashant B. Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Surface treatment to improve resistive-switching characteristics

Номер патента: US8062918B2. Автор: Michael Miller,Tanmay Kumar,Tony Chiang,Prashant Phatak,Xiying Chen,April Schricker. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-11-22.

Gateway station rain attenuation resisting switching method and device suitable for high-throughput satellite communication

Номер патента: CN112994776B. Автор: 张巍,王伟,王毅,李新华,杨哲,赵婷,赵文博,王新荣,赵明礼,田秋时,许泽昊. Владелец: Space Star Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: KR101494335B1. Автор: 에이프럴 슈릭커,에스. 브래드 허너,마이클 코네베키. Владелец: 쌘디스크 3디 엘엘씨. Дата публикации: 2015-02-23.

Nonvolatile memory device using the resistive switching of graphene oxide and the fabrication method thereof

Номер патента: KR101157105B1. Автор: 이상욱,강태원,파닌 겐나디,캐피타노바 알리샤. Владелец: 동국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-06-22.

Resistive switching memory device having halide perovskite and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102497052B1. Автор: 박영준,이장식. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of forming a memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element

Номер патента: EP2162916B1. Автор: Michael Konevecki,S. Brad Herner,April Schricker. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-03-20.

High-resolution low-temperature flexible strain resistance switch and preparation method thereof

Номер патента: CN111785832B. Автор: 马春蕊,花文涛. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2022-12-09.

Resistive switching memories and the manufacturing method thereof

Номер патента: TWI431762B. Автор: Po Chun Yang,Ting Chang Chang,Yu Shih Lin,Shih Ching Chen,Fu Yen Jian. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2014-03-21.

Device and preparation method and application coexist with selector in resistance switch for crosspoint memory array

Номер патента: CN105720194B. Автор: 张天富,刘秋香,唐新桂,蒋艳平. Владелец: GUANGDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-05-15.

Polycarbonate for ageing-resistant switch panel and preparation method thereof

Номер патента: CN101967273A. Автор: 徐东,徐永,付天英. Владелец: 深圳市科聚新材料有限公司. Дата публикации: 2011-02-09.

Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: TW200913171A. Автор: April Schricker,Brad S Herner,Michael W Konevecki. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-03-16.

Two terminal resistive switching device structure and method of fabricating

Номер патента: KR101860508B1. Автор: 조성현,스캇 브래드 허너. Владелец: 크로스바, 인크.. Дата публикации: 2018-05-23.

Stabilized resistive switching memory

Номер патента: US20080106927A1. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Jolanta Celinska,Matthew D. Brubaker. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Non-stochastic resistive switching memory device and fabrication methods

Номер патента: KR20170131189A. Автор: 성현 조. Владелец: 크로스바, 인크.. Дата публикации: 2017-11-29.

Strained multilayer resistive-switching memory elements

Номер патента: EP2987191A1. Автор: Sebastian Schweiger,Felix Messerschmitt,Jennifer L.M. Rupp. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2016-02-24.

Surface treatment to improved resistive-switching characteristics

Номер патента: WO2009134678A3. Автор: Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak,Xiying Chen,April Schricker,Tammay Kumar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2010-02-04.

Memory cell that includes a carbon-based reversible resistance switching element compatible with a steering element, and methods of forming the same

Номер патента: US20110095258A1. Автор: Er-Xuan Ping,Huiwen Xu,Xiying Costa,Thomas J. Kwon. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-04-28.

Process for forming resistive switching memory cells using nano-particles

Номер патента: WO2014120843A1. Автор: Vinod R. Purayath,George Matamis,James K. Kai,Takashi W. Orimoto. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-07.

Resistive switching memory cell

Номер патента: EP3208855B1. Автор: Christian Neumann. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-06-26.

Parallel resistance switch

Номер патента: FR1208713A. Автор: . Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1960-02-25.

Resistance switch

Номер патента: DE914143C. Автор: Dr Rudolf Schade. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1954-06-28.

Dvc utilizing mems resistive switches and mim capacitors

Номер патента: WO2015017743A1. Автор: Richard L. Knipe,Robertus Petrus Van Kampen,Charles G. Smith,Roberto Gaddi. Владелец: Cavendish Kinetics, Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Surface treatment to improved resistive-switching characteristics

Номер патента: KR101529361B1. Автор: 마이클 밀러,토니 치앙,프라샨트 파탁,시잉 첸,에이프릴 슈릭커,태머니 쿠마. Владелец: 인터몰레큘러 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2015-06-16.

Resistance switch

Номер патента: US2510792A. Автор: William E Baker. Владелец: WILEY TRUE. Дата публикации: 1950-06-06.

Reversible resistivity-switching metal oxide or nitride layer with added metal

Номер патента: CN101853921A. Автор: S·布拉德·赫纳,坦迈·库马尔. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-10-06.

Conductor arrangement for a resistive switching element having at least two composite conductors made from superconducting conductor bands

Номер патента: EP2289077B1. Автор: Hans-Peter KRÄMER. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-11-02.

Non-stoichiometric resistive switching memory device and fabrication methods

Номер патента: TWI731903B. Автор: 周承賢. Владелец: 美商橫杆股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Water resistant switch construction

Номер патента: HK69892A. Автор: W Barry Krause. Владелец: Tower Mfg Corp. Дата публикации: 1992-09-25.

Complementary resistance switching memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101545452B1. Автор: 홍진표,이아람,배윤철. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-08-19.

Resistance switch

Номер патента: US2375891A. Автор: Herschel C Bolley. Владелец: H A DOUGLAS Manufacturing CO. Дата публикации: 1945-05-15.

Conductor arrangement for a resistive switching element having at least two composite conductors made from superconducting conductor bands

Номер патента: CN102067252A. Автор: 汉斯-彼得·克莱默. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2011-05-18.

Strained multilayer resistive-switching memory elements

Номер патента: EP2793279A1. Автор: Sebastian Schweiger,Felix Messerschmitt,Jennifer L.M. Rupp. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2014-10-22.

BEFMO/ZnO composite heterojunction with resistance switching effect and preparation method thereof

Номер патента: CN109192855B. Автор: 刘云,谈国强,任慧君,夏傲,薛敏涛,郭美佑. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-05-13.

Water-resistant switching device

Номер патента: US6353196B2. Автор: Yoshifumi Okabe,Akira Niinuma. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-05.

Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: KR101447176B1. Автор: 에이프럴 슈릭커,에스. 브래드 허너,마이클 코네베키. Владелец: 쌘디스크 3디 엘엘씨. Дата публикации: 2014-10-08.

Secondary resistance switching circuit

Номер патента: JPS5646682A. Автор: Kimio Kono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-04-27.

A kind of Polypropylene cold-resistant switch

Номер патента: CN103739951B. Автор: 李紫薇. Владелец: WUJIANG DONGTAI ELECTRIC POWER SPECIAL SWITCH CO Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

BN (Al) film-based resistance switch and preparation method thereof

Номер патента: CN110224064B. Автор: 李强,云峰,秦潇. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2020-10-27.

Vertical array of resistive switching devices having a tunable oxygen vacancy concentration

Номер патента: US10700129B2. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Surrounding top electrode wire for cross-type array resistance switching device

Номер патента: CN111295771A. Автор: 杨智超,L·克莱文杰,安藤崇志,M·里佐罗,B·布里格斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Method for forming RRAM resistive switching structure

Номер патента: CN111799372B. Автор: 张志刚,徐灵芝. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-24.

Structure with resistive switching

Номер патента: RU2723073C1. Автор: Эдуард Валентинович Девятов,Сергей Иванович Божко,Владимир Максимович Черняк,Надежда Николаевна Орлова,Сергей Васильевич Чекмазов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2020-06-08.

Method for manufacturing a memory element comprising a resistivity-switching NiO layer and devices obtained thereof

Номер патента: US7960775B2. Автор: Dirk Wouters,Ludovic Goux,Christophe Muller,Lorene Courtade,Judit Lisoni Reyes,Christian Turquat. Владелец: UNIVERSITÉ DE TOULON. Дата публикации: 2011-06-14.

Tamper resistant switch combination device

Номер патента: CA2625786A1. Автор: Marc Noest. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 2008-09-16.

Resistive switching memory devices based on CrPS4 materials, and manufacturing of the same

Номер патента: KR101791454B1. Автор: 이상익,이미정,박배호,박제근,김동직. Владелец: 기초과학연구원. Дата публикации: 2017-11-02.

Resistance switching memory device having improved non-linearity and method of the same

Номер патента: KR101445568B1. Автор: 김영재,김종기,오진호,손현철,고대홍. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-09-30.

A child resistant switch lock

Номер патента: CA2234872A1. Автор: Michael A. Souza. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 1998-10-16.

Bi-Sb based resistive switching memory and method for producing the same

Номер патента: KR101515754B1. Автор: 유경화,한날애. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-04-28.

Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization

Номер патента: US7977152B2. Автор: IGOR Ivanov,Alexander Gorer,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

AC shunt motor with capacitive resistance switched into the secondary circuit via a transformer

Номер патента: DE895194C. Автор: Werner Dipl-Ing Goerlacher,Hermann Dipl-Ing Dr-Ing Harz,Friedrich Dr-Ing Stier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1953-11-02.

DRIVER SYSTEM FOR A RESISTIVE SWITCHING ELEMENT WITH AT LEAST TWO SETS OF COMPOSITE DRIVES OF SUPERCONDUCTOR RIBBONS.

Номер патента: ES2375696T3. Автор: Hans-Peter KRÄMER. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-03-05.

Structure improving reliability of top electrode contact for resistance switching RAM having cells of varying height

Номер патента: US11594679B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Tai Hsiao,Sheng-Chau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Power equipment safety dampproofing rust-resistant switch board

Номер патента: CN111628417A. Автор: 王斌. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-04.

Oxide-based three-terminal resistive switching logic devices

Номер патента: EP3161867B1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-12.

Low temperature resistance switch contact manufacturing method for superconduction fault current limiter

Номер патента: KR100912273B1. Автор: 박해웅,장지훈,이용철,현옥배. Владелец: 한국전력공사. Дата публикации: 2009-08-17.

Low-power-consumption resistance switch storage unit based on doped strontium titanate film and preparation method and application thereof

Номер патента: CN108447983B. Автор: 江雪,邱晓燕,魏明龙. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-01-31.

Type series of high-voltage resistance switches

Номер патента: CH393473A. Автор: Kesselring Fritz Ing Dr,Stulz Robert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1965-06-15.

A memory cell that includes a carbon-based reversible resistance switching element compatible with a steering element, and methods of forming the same

Номер патента: TW201138173A. Автор: Er-Xuan Ping,Xiying Costa,hui-wen Xu,Thomas J Kwon. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-11-01.

Vertical array of resistive switching devices having restricted filament regions and tunable top electrode volume

Номер патента: US10593729B2. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Robert L. Bruce,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Non-volatile resistance switching devices

Номер патента: WO2015179593A1. Автор: YANG LU,I-Wei Chen. Владелец: The Trustees Of The Unversity Of Pennsylvania. Дата публикации: 2015-11-26.

Resistive switching device and method of fabricating the same

Номер патента: KR101531154B1. Автор: 주영창,연한울. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-06-25.

Resistance switch and automatic water-supplying device thereof

Номер патента: CN106258864A. Автор: 杨春义. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Ald processing techniques for forming non-volatile resistive-switching memories

Номер патента: US20090302296A1. Автор: Pragati Kumar,Prashant Phatak,Nobi Fuchigami. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Transparent and flexible resistive switching memory and method for manufacturing same

Номер патента: WO2018207972A1. Автор: 김태근,이병룡. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-11-15.

Rewriteable memory cell comprising a transistor and resistance-switching material in series

Номер патента: US20060273298A1. Автор: Christopher Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-12-07.

Specific resistance switch apparatus

Номер патента: KR100451197B1. Автор: 정승구. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2004-10-02.

A kind of resistance switch memorizer based on Organic Iron conductive film and preparation method thereof

Номер патента: CN106252509A. Автор: 王成迁,刘向力. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2016-12-21.

Nonvolatile resistive switching memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134983B2. Автор: QI Liu,Ming Liu,Haitao Sun,Hangbing Lv,Shibing Long,Keke Zhang,Writam Banerjee,Kangwei Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-11-20.

A resistive switching memory which eliminates erase operations

Номер патента: KR20200095639A. Автор: 이영국,박보근,정택모,김건환,류진주. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2020-08-11.

Resistive switching memory and Method of fabricating the same

Номер патента: KR101735406B1. Автор: 이장식,라이스 호세이니 니루파. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-05-15.

Stackable non-volatile resistive switching memory device and method

Номер патента: US20140217353A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Low resistance switches

Номер патента: WO2023158925A1. Автор: Khaja Ahmad SHAIK,Hanil Lee,Giby Samson,Keyurkumar Karsanbhai Kansagra,Thomas Hua-Min Williams,Conor ROCHE,Roger Lee MILLS,Smeeta HEGGOND. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-08-24.

Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers

Номер патента: TW201145634A. Автор: Deepak Chandra Sekar,Franz Kreupl,Raghuveer S Makala. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-12-16.

Method of fabricating a resistive switching element including nanogap metal electrodes

Номер патента: EP2239796B1. Автор: Yutaka Hayashi,Tsuyoshi Takahashi,Masatoshi Ono,Yuichiro Masuda,Shigeo Furuta,Touru Sumiya. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-17.

Resistance switching memory

Номер патента: TW201121035A. Автор: Frederick T Chen,Heng-Yuan Lee,Wei-Su Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2011-06-16.

Resistance switch

Номер патента: US1694330A. Автор: Lundberg Oscar. Владелец: Individual. Дата публикации: 1928-12-04.

Carbon-contact-resistance switch

Номер патента: US549456A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1895-11-05.

A memory cell that includes a carbon-based reversible resistance switching element compatible with a steering element, and methods of forming the same

Номер патента: TW201125078A. Автор: Er-Xuan Ping,Xiying Costa,hui-wen Xu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-07-16.

Memory controlling device and memory system including the same

Номер патента: US11809317B2. Автор: Myoungsoo Jung,Gyuyoung PARK,Miryeong Kwon. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Cache management for memory module comprising two-terminal resistive memory

Номер патента: US10592429B1. Автор: Mehdi Asnaashari,Ruchirkumar D. Shah,Robin Sarno. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Overwrite read methods for memory devices

Номер патента: US20200388332A1. Автор: Daniel Bedau,Christopher J. Petti,Michael K. Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-10.

Systems and methods for adaptive power multiplexing with a first type of power multiplexer and a second type of power multiplexer

Номер патента: WO2023219759A1. Автор: Mohammed Yousuff SHARIFF,Giby Samson,Harshat Pant,Keyurkumar Karsanbhai Kansagra,Vinayak Nana Mehetre. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-16.

Wearable electronic devices and components thereof

Номер патента: US09904321B2. Автор: Thorsten Meyer,Bernd Waidhas,Hans-Joachim Barth,Yen Hsiang Chew,Kooi Chi Ooi,Dirk PLENKERS,Howe Yin LOO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Network router device with hardware-implemented lookups including two-terminal non-volatile memory

Номер патента: US20190259452A1. Автор: Mehdi Asnaashari,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Method to control operation of memristor and device for implementation thereof

Номер патента: RU2737794C1. Автор: Олег Александрович Морозов,Олег Николаевич Горшков,Алексей Владимирович Сафонов,Николай Викторович Агудов,Александр Александрович Дубков,Максим Олегович Шамшин,Бернардо Спаньоло. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2020-12-03.

Device for switching memristor

Номер патента: RU2744246C1. Автор: Алексей Иванович Белов,Олег Александрович Морозов,Олег Николаевич Горшков,Алексей Владимирович Сафонов,Николай Викторович Агудов,Александр Александрович Дубков,Максим Олегович Шамшин,Бернардо Спаньоло. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2021-03-04.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Neural Network

Номер патента: US20210174173A1. Автор: HE Qian,Xinyi Li,Bin Gao,Huaqiang Wu,Sen Song,Qingtian Zhang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-06-10.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210151678A1. Автор: Donhee Ham,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Haeryong Kim,Houk Jang,Chengye LIU,Henry HINTON. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-05-20.

Synapse system and synapse method

Номер патента: US20190213468A1. Автор: Yu-Ting Chen,Frederick Chen,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chih-Cheng Fu,Seow-Fong (Dennis) LIM. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Circuit and method for spike time dependent plasticity

Номер патента: EP4002219A1. Автор: Elisa Vianello,Thomas DALGATY,Giacomo INDIVERI,Melika PAYVAND,Filippo MORO. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-25.

Soft memristor for soft neuromorphic system

Номер патента: US20210143349A1. Автор: Sung-Yool Choi,Byung Chul Jang,Jun Hwe CHA. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-13.

Soft memristor for soft neuromorphic system

Номер патента: US11552267B2. Автор: Sung-Yool Choi,Byung Chul Jang,Jun Hwe CHA. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-01-10.

Method and system for detecting events in an input signal using volatile memristor state change

Номер патента: EP3539131A1. Автор: Isha GUPTA,Alexantrou SERB,Themistoklis Prodromakis. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2019-09-18.

Synapse circuit for three-factor learning

Номер патента: US20220147803A1. Автор: Elisa Vianello,Thomas DALGATY,Giacomo INDIVERI,Melika PAYVAND,Filippo MORO,Yigit DEMIRAG. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-12.

Core/shell nanoparticle-based devices for sensors and neuromorphic computing

Номер патента: US20230209839A1. Автор: Jeff SHIELD,Zahra AHMADI. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Lead-free metallic halide memristor and electronic element comprising the same

Номер патента: US12082514B2. Автор: Hao-Wu Lin,Cheng-Yueh CHEN,Wei-Kai Cheng,Tsung-Kai Su. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-09-03.

저항 변화 메모리가 적용된 뉴런 회로

Номер патента: KR20240132143A. Автор: 정준기,권민우. Владелец: 국립강릉원주대학교산학협력단. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming a synaptic memristor based on a nanocomposite of metal-nonstechometric oxide

Номер патента: RU2666165C1. Автор: Юрий Егорович Калинин,Александр Викторович Ситников,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Вячеславович Емельянов,Владимир Васильевич Рыльков,Вячеслав Александрович Демин,Михаил Николаевич Копытин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-09-06.

Transparent Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20160097945A1. Автор: Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Transparent resistive random access memory cells

Номер патента: US09482920B2. Автор: Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Power supply apparatus capable of switching output resistance

Номер патента: US20240195308A1. Автор: Hiroki Asano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Non volatile resistive memory logic device

Номер патента: WO2022117362A1. Автор: Chih-Chao Yang,Hsueh-Chung Chen,Soon-Cheon Seo,Theodorus Standaert,Yann Mignot,Fee Li LIE,Chi-chun Liu,Mary Claire Silvestre. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

One-time programmable memory devices and methods

Номер патента: US20240321371A1. Автор: Dimitri Houssameddine,Mark Lin,Juan P. Saenz,Deniz Bozdag. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Resistive random access memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559300B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Manufacturing method of resistive random access memory device

Номер патента: US12063796B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

RRAM device

Номер патента: US09825224B2. Автор: Chung-Yen Chou,Ching-Pei Hsieh,Shih-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Phono cartridge transmission line impedance matching system and method

Номер патента: US20240242735A1. Автор: Brian James Inouye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Micro light-emitting diode display device and method for driving same

Номер патента: EP4383337A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Geun Kim,Kyung Rock Son. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-12.

Micro light-emitting diode display device and method for driving same

Номер патента: US20240257713A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Geun Kim,Kyung Rock Son. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12069958B2. Автор: Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Sheng-Chih Lai,Hui-Hsien Wei,Pin-Ren Dai,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for operating non-volatile memory device and applications thereof

Номер патента: US09947403B1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Kai-Chieh Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US12133477B2. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Resistive memory element

Номер патента: RU2714379C1. Автор: Ирина Вениаминовна Антонова,Регина Альфредовна Соотс,Артем Ильич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2020-02-14.

Distinct chip identifier sequence utilizing unclonable characteristics of resistive memory on a chip

Номер патента: US20230005538A1. Автор: ZHI Li,Sang Nguyen,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Jeremy Guy. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Resistive memory device with ramp-up/ramp-down program/erase pulse

Номер патента: US09734902B2. Автор: Michael Kozicki,John Dinh,Shane C. Hollmer,Deepak Kamalanathan,Juan Pablo Saenz Echeverry,Foroozan Sarah Koushan. Владелец: Axon Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Active layer of memristor

Номер патента: RU2711580C1. Автор: Ирина Вениаминовна Антонова,Регина Альфредовна Соотс,Артем Ильич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2020-01-17.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Rram structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240057487A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Kai-Jiun Chang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile resistive random-access memory and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP4397154A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU,Zolile Wiseman DLAMINI. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200105343A1. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods and apparatus for vertical cross point re-RAM array bias calibration

Номер патента: US09715925B2. Автор: Tianhong Yan,Chang SIAU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Self-rectifying RRAM element

Номер патента: US09595668B2. Автор: Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-14.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Error correction for identifier data generated from unclonable characteristics of resistive memory

Номер патента: US12119058B2. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming memory device

Номер патента: EP2930760A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Reverse programmed resistive random access memory (RAM) for one time programmable (OTP) applications

Номер патента: US12020748B2. Автор: ZHI Li,Sung-Hyun JO,Derek Lau. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Nonvolatile Memory Device Using A Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130200325A1. Автор: Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Reverse programmed resistive random access memory (ram) for one time programmable (otp) applications

Номер патента: US20230317157A1. Автор: ZHI Li,Sung-Hyun JO,Derek Lau. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Spherical complementary resistance switchable filler and nonvolatile complementary resistance switchable memory comprising the same

Номер патента: US20190035853A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Minsung Kim,Jeong Gon SON,Heesuk KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-31.

Improvements in cryogenic electron device and circuit

Номер патента: GB886129A. Автор: . Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1962-01-03.

Nonvolatile Memory Device Using a Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130337606A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Punch-through diode steering element

Номер патента: US20120302029A1. Автор: Li Xiao,ANDREI Mihnea,Deepak C. Sekar,George Samachisa,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-11-29.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20110280058A1. Автор: Yi-Chou Chen,Wei-Chih Chien,Feng-Ming Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

All around electrode for novel 3D RRAM applications

Номер патента: US09620205B2. Автор: Yun Wang,Federico Nardi,Sergey Barabash. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

High endurance non-volatile storage

Номер патента: US09472758B2. Автор: Li Xiao,Abhijit Bandyopadhyay,Zhida Lan,Christopher Petti,Girish Nagavarapu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Resistive random access memory with electric-field strengthened layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US9099178B2. Автор: Lin Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Peng Zhou,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-08-04.

Non volatile resistive memory logic device

Номер патента: US20220172776A1. Автор: Chih-Chao Yang,Hsueh-Chung Chen,Soon-Cheon Seo,Theodorus E. Standaert,Yann Mignot,Fee Li LIE,Chi-chun Liu,Mary Claire Silvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Non volatile resistive memory logic device

Номер патента: EP4256706A1. Автор: Chih-Chao Yang,Hsueh-Chung Chen,Soon-Cheon Seo,Theodorus Standaert,Yann Mignot,Fee Li LIE,Chi-chun Liu,Mary Claire Silvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Memory cells including vertically oriented adjustable resistance structures

Номер патента: US09748479B2. Автор: Christopher J. Petti,Juan P. Saenz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Bias circuit for a switched capacitor level shifter

Номер патента: US09584126B2. Автор: Richard J. Biskup. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Reconfigurable circuit

Номер патента: US20180123595A1. Автор: Xu Bai,Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Makoto Miyamura,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Resistive random access memory cells having variable switching characteristics

Номер патента: US9047940B2. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Configuration bit using rram

Номер патента: US20230299772A1. Автор: Sang Nguyen,Cung Vu,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistive Memory Reset

Номер патента: US20140247644A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Configuration bit using RRAM

Номер патента: US11973500B2. Автор: Sang Nguyen,Cung Vu,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc>. Дата публикации: 2024-04-30.

Resistive random access memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210159275A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of production of active layer for general-purpose memory on basis of resistive effect

Номер патента: RU2611580C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Шакирович Алиев,Дамир Ревинирович Исламов,Виталий Александрович Воронковский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2017-02-28.

Memory cells including vertically oriented adjustable resistance structures

Номер патента: WO2017058300A1. Автор: Christopher J. Petti,Juan P. Saenz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-06.

Memory cells including vertically oriented adjustable resistance structures

Номер патента: US09576657B1. Автор: Christopher J. Petti,Juan P. Saenz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory cell with decoupled read/write path

Номер патента: US09530462B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of calibrating pressure gauges of tightness control

Номер патента: RU2715365C1. Автор: Валерий Анатольевич Макаров,Юлия Сергеевна Асадова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет". Дата публикации: 2020-02-26.

Stabilized power circuit

Номер патента: US20020050853A1. Автор: Mitsuru Hosoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

AC traction motor fault detection using DC bus leakage hardware

Номер патента: US9645185B2. Автор: Benjamin A. Tabatowski-Bush,Papiya Bagchi. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Resistive random access memory and method for operating same

Номер патента: US20230028701A1. Автор: Liang Zhao,Zhichao Lu,Zezhi CHEN. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A3. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-09.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240268126A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Hong LAI. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-08.

Reprogrammable logic device resistant to radiations

Номер патента: US09437260B2. Автор: Olivier GONCALVES,Guillaume Prenat. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-09-06.

Cell cycling to minimize resistive memory random number correlation

Номер патента: US20230307044A1. Автор: Sung Hyun Jo,Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Distinct chip identifier sequence utilizing unclonable characteristics of resistive memory on a chip

Номер патента: US20210314177A1. Автор: ZHI Li,Sang Nguyen,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Distinct chip identifier sequence utilizing unclonable characteristics of resistive memory on a chip

Номер патента: US20210312984A1. Автор: ZHI Li,Sang Nguyen,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Jeremy Guy. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Distinct chip identifier sequence utilizing unclonable characteristics of resistive memory on a chip

Номер патента: US20210312983A1. Автор: ZHI Li,Sang Nguyen,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Distinct chip identifier sequence utilizing unclonable characteristics of resistive memory on a chip

Номер патента: US20210312985A1. Автор: ZHI Li,Sang Nguyen,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Distinct chip identifier sequence utilizing unclonable characteristics of resistive memory on a chip

Номер патента: US20210312986A1. Автор: ZHI Li,Sang Nguyen,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Distinct chip identifier sequence utilizing unclonable characteristics of resistive memory on a chip

Номер патента: US11967376B2. Автор: ZHI Li,Sang Nguyen,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Jeremy Guy. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Resistive memory array

Номер патента: WO2022111150A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-02.

Resistive memory array

Номер патента: GB2616573A. Автор: Reznicek Alexander,KIM Youngseok,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Cell cycling to minimize resistive memory random number correlation

Номер патента: US11923005B2. Автор: Sung Hyun Jo,Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Resistive memory array

Номер патента: US20220165947A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Limited charge delivery for programming non-volatile storage elements

Номер патента: US7885091B2. Автор: ANDREI Mihnea,Luca Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-02-08.

Neuromorphic memristor device based on vertically-oriented halide perovskite nanostructure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230172082A1. Автор: Ho Won Jang,Seung Ju Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-01.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20220068382A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Physically unclonable function (PUF) generation involving high side programming of bits

Номер патента: US11823739B2. Автор: Sung Hyun Jo,Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Resistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220005868A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Shih-Ning TSAI,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220406848A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Dongsoo Woo,Hyuncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Resistance change memory device

Номер патента: US20190013465A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240135990A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US11908516B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Non-volatile resistive random-access memory and a manufacturing method thereof

Номер патента: WO2023031760A1. Автор: Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU,Zolille Wiseman DLAMINI. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12016188B2. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Dongsoo Woo,Hyuncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Error correction for identifier data generated from unclonable characteristics of resistive memory

Номер патента: US20230317158A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Device and method for electrical contacting semiconductor devices for testing

Номер патента: US20080231295A1. Автор: Bernhard Ruf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Error correction for identifier data generated from unclonable characteristics of resistive memory

Номер патента: WO2023192964A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory structure

Номер патента: US09595565B1. Автор: Siddheswar Maikap,Subhranu Samanta. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2017-03-14.

Node retainer circuit incorporating RRAM

Номер патента: US09934855B2. Автор: Mehdi Asnaashari,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Carbon-Based Volatile and Non-Volatile Memristors

Номер патента: US20210217952A1. Автор: Suyang Xu,Pablo Jarillo-Herrero,Qiong MA,Nuh Gedik,Zhiren ZHENG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-15.

Gaussian sampling apparatus and method based on resistive random access memory

Номер патента: US11783894B2. Автор: Ki-Hong Kim,Jun-Ki Kang,Bong-Soo LEE,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-10-10.

Gaussian sampling apparatus and method based on resistive random access memory

Номер патента: US20220366975A1. Автор: Ki-Hong Kim,Jun-Ki Kang,Bong-Soo LEE,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for manufacturing an electrolyte material layer in semiconductor memory devices

Номер патента: WO2006094867A1. Автор: Cay-Uwe Pinnow,Klaus-Dieter Ufert. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220036932A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Battery management apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20230344248A1. Автор: Myeong Hui Park. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Vertical 1t-1r memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: WO2015069524A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2015-05-14.

Cable resistance determination in high-power poe networks

Номер патента: EP2597813A1. Автор: Marius Vladan. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-05-29.

MgO NANOWIRE RRAM WITH LOW LEAKAGE CURRENT AND LARGE RESISTANCE RATIO AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: NL2030987B1. Автор: Li Tiejun,GAO Yunlong,ZHENG Haojian,Pan Jinyan,Huang Huixiang,Lin Xiangyujie. Владелец: Univ Jimei. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory cell with decoupled read/write path

Номер патента: US20150117081A1. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2022260595A2. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Siew Wei HOO,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-15.

Transistor driven 3d memory

Номер патента: EP2641248A2. Автор: ANDREI Mihnea,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2013-09-25.

Transistor driven 3d memory

Номер патента: WO2012068127A2. Автор: ANDREI Mihnea,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-05-24.

Integrated circuit including an array of memory cells and method

Номер патента: US20100027325A1. Автор: Lothar Risch,Peter Baars,Thomas Happ,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-02-04.

Low power barrier modulated cell for storage class memory

Номер патента: US09923140B2. Автор: Tanmay Kumar,Ming-Che Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Selector-based non-volatile cell fabrication utilizing IC-foundry compatible process

Номер патента: US09685483B2. Автор: Sung Hyun Jo,Harry Yue Gee,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Multiple range peak reading voltmeter

Номер патента: CA1094160A. Автор: John M. Kutzler,James L. Pogue. Владелец: Outboard Marine Corp. Дата публикации: 1981-01-20.

Resistive semiconductor element based on a solid-state ion conductor

Номер патента: US7319235B2. Автор: Thomas Happ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-15.

Method of programming cross-point diode memory array

Номер патента: US7706177B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-04-27.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Methods for etching carbon nano-tube films for use in non-volatile memories

Номер патента: EP2263252A1. Автор: Michael Konevecki,Steven Maxwell,April D. Schricker,Andy Fu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-12-22.

Two terminal nonvolatile memory using gate controlled diode elements

Номер патента: US7764534B2. Автор: Tyler J. Thorp,Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2010-07-27.

Multilayered magnetic free layer structure in magnetic tunnel junction arrays for sub-micrometer resolution pressure sensors

Номер патента: US20200217735A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Eric Raymond EVARTS,Virat Vasav Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Transistor Driven 3D Memory

Номер патента: US20120120709A1. Автор: ANDREI Mihnea,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-05-17.

Low power barrier modulated cell for storage class memory

Номер патента: US20170309819A1. Автор: Tanmay Kumar,Ming-Che Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-26.

Reconfigurable circuit and the method for using the same

Номер патента: WO2017195236A1. Автор: Xu Bai,Toshitsugu Sakamoto,Ayuka Tada,Makoto Miyamura,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2017-11-16.

Non-volatile boolean logic operation circuit and operation method thereof

Номер патента: US09473137B2. Автор: Yi Li,Yaxiong Zhou,Huajun Sun,Xiangshui Miao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-10-18.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US20160118579A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-04-28.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US09496493B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-11-15.

Resistive random access memory

Номер патента: US20180233665A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Resistive random-access memory (RRAM) with a low-K porous layer

Номер патента: US09502647B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Te-Ming Kung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Switchable termination resistance circuit

Номер патента: EP4270885A1. Автор: Guillaume Mouret,Alexis N. HUOT-MARCHAND. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Bipolar Multistate Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130313509A1. Автор: Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Bipolar multistate nonvolatile memory

Номер патента: US8742392B2. Автор: Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220029093A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation

Номер патента: US09583701B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Natividad VASQUEZ, JR.,Harry Yue Gee,Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Electrode structure for a non-volatile memory device and method

Номер патента: US20140084233A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Line and space architecture for a non-volatile memory device

Номер патента: US20130299769A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Guided path for forming a conductive filament in RRAM

Номер патента: US09972778B2. Автор: Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: EP3790065A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-10.

Resistance random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20210175420A1. Автор: QI Liu,Ming Liu,Hangbing Lv,Shibing Long. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for producing a resistive random access memory

Номер патента: US09685610B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of controlling operation of a metal-insulator-semiconductor membrane capacitor structure

Номер патента: RU2706197C1. Автор: Алексей Николаевич Михайлов,Алексей Иванович Белов,Александр Николаевич Шарапов,Иван Николаевич Антонов,Олег Николаевич Горшков,Станислав Викторович Тихов,Мария Евгеньевна Шенина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-11-14.

Charge pump surge current reduction

Номер патента: EP2686945A2. Автор: Guoqing Miao,Ankit Srivastava,Xiaohong Quan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-01-22.

Charge pump surge current reduction

Номер патента: WO2012125766A2. Автор: Guoqing Miao,Ankit Srivastava,Xiaohong Quan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-20.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory device and integrated circuit device

Номер патента: US20240237545A1. Автор: Chih-Lin Wang,Hsin-Hsiang TSENG,Yi-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: US11777275B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: CA3166664C. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: AU2021238958B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Db-linear analog variable gain amplifier (vga) realization system and method

Номер патента: WO2007149632A3. Автор: Hassan Elwan,Aly Ismail,Edward Youssoufian,Amr Fahim. Владелец: Newport Media Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Db-linear analog variable gain amplifier (vga) realization system and method

Номер патента: WO2007149632A2. Автор: Hassan Elwan,Aly Ismail,Edward Youssoufian,Amr Fahim. Владелец: NEWPORT MEDIA, INC.. Дата публикации: 2007-12-27.

Scalable RRAM device architecture for a non-volatile memory device and method

Номер патента: US09412790B1. Автор: Natividad Vasquez,Steven Maxwell,Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of forming a memory and method of forming a memory array

Номер патента: US09362498B2. Автор: Robert Strenz,Klaus Knobloch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Methods and apparatus for resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09847478B2. Автор: Ying-Lang Wang,Ting-Chang Chang,Shih-Chieh Chang,Fu-Yen Jian,Yong-En Syu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: US09735357B2. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce Lin. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Recording medium feeding device

Номер патента: US20110062270A1. Автор: Kenji Yanagishita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Recording apparatus

Номер патента: US20120050435A1. Автор: Toshiro Sugiyama,Yukimichi Kimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Improvements in or relating to Controllers for Electric Motors.

Номер патента: GB191009097A. Автор: . Владелец: ADAMS Manufacturing CO Ltd. Дата публикации: 1911-04-06.

Low-loss bi-directional passive lsb phase shifter in mm-wave cmos

Номер патента: WO2022031734A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Mobix Labs, Inc.. Дата публикации: 2022-02-10.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Stress-engineered resistance-change memory device

Номер патента: US8841745B2. Автор: Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-23.

Xnor gate and binary convolution circuit

Номер патента: WO2020183738A1. Автор: Xu Bai,Toshitsugu Sakamoto,Makoto Miyamura,Ryusuke Nebashi. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2020-09-17.

Ignition control circuit with short circuit protection

Номер патента: US09745947B2. Автор: Juergen Pianka,James E. Gillberg. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

High frequency switching circuit

Номер патента: US5883541A. Автор: Tatsuya Miya,Kazuhiro Tahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

ReRAM STRUCTURE FORMED BY A SINGLE PROCESS

Номер патента: US20190341546A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

ReRAM STRUCTURE FORMED BY A SINGLE PROCESS

Номер патента: US20200006648A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Resistive random access memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240260490A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for estimating microstructure of electron current fluctuations in memristor filament

Номер патента: RU2753590C1. Автор: Аркадий Викторович Якимов,Олег Николаевич Горшков,Дмитрий Олегович Филатов,Алексей Викторович Клюев,Николай Иванович Штрауб,Виктор Сергеевич Кочергин,Бернардо Спагноло. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского». Дата публикации: 2021-08-18.

ReRAM Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230136097A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

High voltage switch

Номер патента: US20240178827A1. Автор: Ranga Seshu Paladugu,Ronak Prakashchandra Trivedi,Soon G. Lim,Carmelo Morello. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

A high voltage switch

Номер патента: EP4380053A1. Автор: Ranga Seshu PALADUGU, Soon G LIM, Ronak Prakashchandra TRIVEDI, Carmelo MORELLO. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Improvements in and relating to transformer tap-changing systems

Номер патента: GB936713A. Автор: . Владелец: Brown Boveri und Cie AG Switzerland. Дата публикации: 1963-09-11.

Led illumination device

Номер патента: US20210298150A1. Автор: Chia-Tin Chung,Pei-Chun Liu. Владелец: Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Scalable and low-voltage electroforming-free nanoscale vanadium dioxide threshold switch devices and relaxation oscillators with current-controlled negative differential resistance

Номер патента: EP3659191A1. Автор: Wei Yi,Kenneth K. Tsang,Stephen K. Lam,Xiwei Bai,Jack A. CROWELL,Elias A. FLORES. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Scalable and low-voltage electroforming-free nanoscale vanadium dioxide threshold switch devices and relaxation oscillators with current-controlled negative differential resistance

Номер патента: WO2019022860A1. Автор: Wei Yi,Kenneth K. Tsang,Stephen K. Lam,Xiwei Bai,Jack A. CROWELL,Elias A. FLORES. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Power Conversion Device

Номер патента: US20240266969A1. Автор: Hiroshi Kamizuma,Akihiko Kanouda,Yuuichi Mabuchi,Kimihisa FURUKAWA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

RRAM device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716223B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a passive current steering element

Номер патента: US8901530B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Improvements in electric switches

Номер патента: GB267576A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1927-03-14.

Diffusion barrier layer for resistive random access memory cells

Номер патента: US9246097B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

A Method of Increasing the Safety of the Operations of Hoisting and Lowering wiht Induction Motors.

Номер патента: GB191011336A. Автор: Henry James Shedlock Heather. Владелец: Individual. Дата публикации: 1911-06-07.

Device structure for a rram and method

Номер патента: US20140312297A1. Автор: Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Si2Te3 RESISTIVE MEMORY

Номер патента: US20200127198A1. Автор: Xiao Shen,Jingbiao Cui,Keyue Wu,Jiyang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Switchable termination resistance circuit

Номер патента: US20230353129A1. Автор: Guillaume Mouret,Alexis Nathanaël Huot-Marchand. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Buck converter with III-nitride switch for substantially increased input-to-output voltage ratio

Номер патента: US09502973B2. Автор: Stephane Ernoux. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Guided path for forming a conductive filament in RRAM

Номер патента: US8946046B1. Автор: Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

ReRAM cells including TaXSiYN embedded resistors

Номер патента: US8835890B2. Автор: Mihir Tendulkar,Chien-Lan Hsueh,Randall J. Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

Threshold switching contact in a field-effect transistor as a selector

Номер патента: US20190305045A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US20160240779A1. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive actuation unit for tub systems

Номер патента: US09610216B2. Автор: Dominique Ciechanowski,Miguel Castellote. Владелец: CG Air Systemes Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Multilayer-stacked resistive random access memory device

Номер патента: US09450184B2. Автор: Tri-Rung Yew,Pin Chang,Ying-Chan HUNG,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for production of memristor with nanoconcenters of electric field

Номер патента: RU2706207C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Алексей Иванович Белов,Дмитрий Сергеевич Королев,Александр Николаевич Шарапов,Дмитрий Алексеевич Павлов,Сергей Юрьевич Зубков,Иван Николаевич Антонов,Артем Александрович Сушков,Олег Николаевич Горшков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-11-14.

Non-volatile resistive random access memory and a manufacturing method therefor

Номер патента: WO2020109991A1. Автор: Ananthakrishnan Srinivasan,Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH AFRICA. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of forming resistive random access memory cell

Номер патента: US20210074917A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Ting-An Chien,Shih-Wei Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for producing a resistive random access memory

Номер патента: US20170025607A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-01-26.

Memory structures and methods for forming the same

Номер патента: US12029049B2. Автор: Shuo-Che Chang,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Wei-Che Chang,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: US20130134419A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A3. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2013-04-11.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device

Номер патента: US09793474B2. Автор: Xin Sun,Tanmay Kumar,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure and formation method of memory device

Номер патента: US09406883B1. Автор: Ching-Pei Hsieh,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Memristor material

Номер патента: RU2582232C1. Автор: Николай Аркадьевич Иванов,Лариса Иннокентьевна Щепина,Иннокентий Яковлевич Щепин,Виктор Львович Паперный,Алексей Андреевич Черных,Ольга Ивановна Шипилова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-20.

Improvements in electric current timing devices for welding machines or the like

Номер патента: GB551910A. Автор: . Владелец: LESLIE VAUGHAN. Дата публикации: 1943-03-15.

Work function tailoring for nonvolatile memory applications

Номер патента: US8618525B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Improvements in Electric Motor Controlling Devices.

Номер патента: GB191004794A. Автор: . Владелец: ADAMS Manufacturing CO Ltd. Дата публикации: 1910-12-22.

Method for manufacturing resistive random access memory

Номер патента: US20230397513A1. Автор: Hung-Sheng Chen,cheng-hong Wei,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20140134794A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20130217179A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Non-volatile resistive random access memory and a manufacturing method

Номер патента: US11944023B2. Автор: Ananthakrishnan Srinivasan,Vijaya Srinivasu VALLABHAPURAPU,Sreedevi VALLABHAPURAPU. Владелец: SOUTH AFRICA, University of. Дата публикации: 2024-03-26.

Switchable termination resistance circuit

Номер патента: US20230353142A1. Автор: Guillaume Mouret,Alexis Nathanaël Huot-Marchand,Laurent Bordes. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

IL-Free MIM stack for clean RRAM Devices

Номер патента: US20140166960A1. Автор: Yun Wang,Federico Nardi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11778932B2. Автор: Hung-Sheng Chen,cheng-hong Wei,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Switchable termination resistance circuit

Номер патента: EP4270886A1. Автор: Guillaume Mouret,Laurent Bordes,Alexis N. HUOT-MARCHAND. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Conductive path in switching material in a resistive random access memory device and control

Номер патента: US8558212B2. Автор: Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US8658999B2. Автор: Masato Koyama,Takayuki Ishikawa,Yoshifumi Nishi,Takao Marukame. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20130234088A1. Автор: Masato Koyama,Takayuki Ishikawa,Yoshifumi Nishi,Takao Marukame. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Power conversion apparatus

Номер патента: EP4012916A1. Автор: Taichiro Tsuchiya,Jumpei ISOZAKI. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2022-06-15.

Switch with on resistance

Номер патента: RU2157016C2. Автор: ПЕРРЕ Мишель. Владелец: ГЕЦ АЛЬСТОМ Т э Д С.А.. Дата публикации: 2000-09-27.

Technology for creating a magnetically controlled memristor based on titanium dioxide nanotubes

Номер патента: RU2756135C1. Автор: Даир Каирович Палчаев,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Жарият Хаджиевна Мурлиева,Нариман Магомед-Расулович Алиханов,Руслан Мурадович Эмиров,Султанахмед Ханахмедович Гаджимагомедов,Аида Энверовна Рабаданова,Пайзула Магомедтагирович Сайпулаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-09-28.

Electronic device and audio accessory having a plurality of passive switches for controlling the audio device

Номер патента: CA2771533C. Автор: Mohamad El-Hage,Cyril Martin,Jens Kristian Poulsen. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Electronic Device and Audio Accessory Having a Plurality of Passive Switches for Controlling the Audio Device

Номер патента: US20120237044A1. Автор: Mohamad El-Hage,Jens Kristian Poulsen,Cyril Antoine Martin. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: WO2016126834A1. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce LIM. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2016-08-11.

Resistive memory cell with intrinsic current control

Номер патента: US20180062075A1. Автор: XU Zhao,Sung Hyun Jo,Joanna BETTINGER,Xianliang LIU,Zeying Ren,FNU Atiquzzaman,Fengchiao Joyce Lin. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230276720A1. Автор: Chih-I Wu,bo-you Chen,I-Chih NI,Chia-Shuo LI,Yu-Tien Wu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-08-31.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US09831289B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Via landing enhancement for memory device

Номер патента: US11785862B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Chang-Jen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Horizontal rram device and fabrication method thereof

Номер патента: EP4256613A1. Автор: Lawrence Clevenger,Christopher Penny,Youngseok Kim,Nicholas Anthony Lanzillo,Timothy Matthew PHILIP. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Three dimensional reram device

Номер патента: US20240179924A1. Автор: Chen Zhang,Soon-Cheon Seo,Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Low-loss bi-directional passive LSB phase shifter in mm-wave CMOS

Номер патента: US11356084B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Mobix Labs Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Integrated circuit

Номер патента: US20230380190A1. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG,Yong-Shiuan Tsair,Chieh-Fei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US11785868B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device with bottom electrode

Номер патента: US20230329128A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chih-Hsiang Chang,Chih-Hung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Integrated circuit

Номер патента: US11800812B2. Автор: Chien-Chung Huang,Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Hui-Hsien Wei,Tai-Yen PENG,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Integrated circuit

Номер патента: US11849645B2. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240130254A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Yen-Min TING,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Rram structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20240081158A1. Автор: Wei Cheng,Zhen Chen,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190131524A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Hui-Hsien Wei,Pin-Ren Dai,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor material for resistive random access memory

Номер патента: US20210384419A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le,Shriram SHIVARAMAN,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Barrier layer for resistive random access memory

Номер патента: US20200136039A1. Автор: Hsia-Wei CHEN,Tzu Chung TSAI,Yan-Chi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor structure and the method of making the same

Номер патента: US20190123104A1. Автор: Chih-Chien Liu,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

화학 증착법에 의한 비휘발성 ＲｅＲＡＭ 소자용 철 산화물박막의 제조 방법

Номер патента: KR20080011956A. Автор: 이영국,정택모,김창균,이선숙,안기석. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2008-02-11.

电阻式随机存取存储器及其制作方法

Номер патента: CN118042846. Автор: 张凯钧,王泉富,叶宇寰. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Titanium dioxide/oxide/two-dimensional easily oxidized thin layer based memristor and preparation method thereof

Номер патента: NL2034171B1. Автор: Li Jingbo,Pan Zhidong,Huo Nengjie. Владелец: Univ South China Normal. Дата публикации: 2024-10-02.

Method for reducing forming voltage in resistive random access memory

Номер патента: US09761800B2. Автор: Jinhong Tong,Prashant B. Phatak,Ronald J. Kuse. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Titanium dioxide/oxide/two-dimensional easily oxidized thin layer based memristor and preparation method thereof

Номер патента: NL2034171A. Автор: Li Jingbo,Pan Zhidong,Huo Nengjie. Владелец: Univ South China Normal. Дата публикации: 2024-03-05.

Portable Air Cooling System and Method

Номер патента: US20160039269A1. Автор: Sivathanu B. Kumar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-11.

Gate Driver With Temperature Compensated Turn-Off

Номер патента: US20180154784A1. Автор: FAN Xu,Lihua Chen,Yan Zhou,Shuitao Yang,Mohammed Khorshed Alam. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-06-07.

Ion-barrier for memristors/ReRAM and methods thereof

Номер патента: US09831427B1. Автор: Gad S. Haase. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-11-28.

Portable air cooling system and method

Номер патента: US09784465B2. Автор: Sivathanu B. Kumar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-10.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Class G amplifier with switched mode power supply

Номер патента: GB2451536A. Автор: John Paul Lesso. Владелец: Wolfson Microelectronics plc. Дата публикации: 2009-02-04.

Load stage switch

Номер патента: RU2621070C2. Автор: Мартин ПАНКОФЕР,Андреас ШТОКЕР. Владелец: Машиненфабрик Райнхаузен Гмбх. Дата публикации: 2017-05-31.

Memristor device and computing apparatus using the same

Номер патента: KR102358944B1. Автор: 김대환,김동명,장준태,최성진,안금호. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-02-04.

Conductive-bridging random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10181560B2. Автор: Chu-Jie HUANG,Tseung-Yuen Tseng,Chun-An Lin,Guang-Jyun DAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Electronic fuel injection circuit with altitude compensation

Номер патента: US4714067A. Автор: Richard E. Staerzl. Владелец: Brunswick Corp. Дата публикации: 1987-12-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148631A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Antenna system comprising two oppositely directed antennas and methods for controlling transmission of radiation through a multi-layered antenna structure

Номер патента: US11955719B1. Автор: Mahmoud F. Y. AL AHMAD,Abdul-Halim Jallad. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-09.

Via landing enhancement for memory device

Номер патента: US20200127189A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Chun-Heng Liao,Chang-Jen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Rram device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190140170A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20200365802A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Hui-Hsien Wei,Pin-Ren Dai,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US11778833B2. Автор: Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of imitation testing instrument structure resistance to irradiation by fast neutrons (versions)

Номер патента: RU2638107C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Давуд Вадимович Гусейнов,Алексей Николаевич Михайлов,Алексей Иванович Белов,Дмитрий Сергеевич Королев,Сергей Владимирович Оболенский,Александр Николаевич Качемцев,Юрий Александрович Данилов,Ольга Викторовна Вихрова,Александр Николаевич Шарапов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2017-12-11.

Aqueous dispersion based on nanoparticles of tantalum oxide, method of producing and use thereof as contrast agent for in vivo diagnosis

Номер патента: RU2733521C1. Автор: Павел Васильевич Кривошапкин,Елена Федоровна Кривошапкина,Владимир Николаевич Морозов,Екатерина Дмитриевна Кошевая,Дарья Андреевна Назаровская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2020-10-02.

Method of producing an alcohol dispersion of tantalum oxide nanoparticles

Номер патента: RU2741024C1. Автор: Павел Васильевич Кривошапкин,Елена Федоровна Кривошапкина,Екатерина Дмитриевна Кошевая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2021-01-22.

Vertical resistive memory device with embedded selectors

Номер патента: US20210167128A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Disturb-resistant non-volatile memory device using via-fill and etchback technique

Номер патента: US20140319450A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for forming a semiconductor memory device

Номер патента: US20240260489A1. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20170084793A1. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Complex oxide memristive material, memristor comprising such material, and fabrication thereof

Номер патента: CA3169627A1. Автор: Petriina Paturi,Hannu Huhtinen,Azar BEIRANVAND,Ville LÄHTEENLAHTI,Alejandro SCHULMAN. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2021-08-05.

복합 산화물 멤리스티브 재료, 이러한 재료를 포함하는 멤리스터, 및 이의 제작

Номер патента: KR20220145345A. Автор: 페트리나 파투리,알레한드로 슐만,하누 후티넨,빌르 래틴라티,아자르 베이란반드. Владелец: 투룬 일리오피스토. Дата публикации: 2022-10-28.

Complex oxide memristive material, memristor comprising such material, and fabrication thereof

Номер патента: EP4097774A1. Автор: Petriina Paturi,Hannu Huhtinen,Azar BEIRANVAND,Ville LÄHTEENLAHTI,Alejandro SCHULMAN. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-12-07.

Complex oxide memristive material, memristor comprising such material, and fabrication thereof

Номер патента: US20230049235A1. Автор: Petriina Paturi,Hannu Huhtinen,Azar BEIRANVAND,Ville LÄHTEENLAHTI,Alejandro SCHULMAN. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-02-16.

Complex oxide memristive material, memristor comprising such material, and fabrication thereof

Номер патента: WO2021152215A1. Автор: Petriina Paturi,Hannu Huhtinen,Azar BEIRANVAND,Ville LÄHTEENLAHTI,Alejandro SCHULMAN. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-08-05.

Column-parallel sigma-delta analog-to-digital conversion for imagers

Номер патента: EP1872570A1. Автор: Christian Boemler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Column-parallel sigma-delta analog-to-digital conversion for imagers

Номер патента: WO2006113270A1. Автор: Christian Boemler. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-10-26.

Method for preparing reservoir element

Номер патента: US20240260488A1. Автор: Xu Zheng,Jie Yu,Xiaoxin Xu,Wenxuan Sun,Danian Dong,Jinru LAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-01.

Individually plasma-induced memory unit cells for a crossbar array

Номер патента: EP4397153A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Youngseok Kim,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Individually plasma-induced memory unit cells for a crossbar array

Номер патента: WO2023030931A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,Youngseok Kim,Injo OK. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133479B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Dummy bottom electrode in interconnect to reduce CMP dishing

Номер патента: US09985075B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Three-dimensional memory device with vertical semiconductor bit lines located in recesses and method of making thereof

Номер патента: US09859337B2. Автор: Abhijit Bandyopadhyay,Christopher J. Petti,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, method for manufacturing same, light-emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US09768359B2. Автор: Tae Geun Kim,Kyung Heon KIM. Владелец: Intellectual Discovery Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Dummy bottom electrode in interconnect to reduce CMP dishing

Номер патента: US09502466B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Headset with microphone and wired remote control

Номер патента: US09485580B1. Автор: Kenneth Jay Helfrich,Larry D. Barnes. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Oxide-based resistive memory having a plasma-exposed bottom electrode

Номер патента: US20230263077A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Babar Khan,Hiroyuki Miyazoe,Dexin Kong,Joel P. de Souza,Youngseok Kim,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Etch-resistant doped scavenging carbide electrodes

Номер патента: US11770986B2. Автор: Yohei Ogawa,Takashi Ando,Kazuhiro Honda,Masanobu Hatanaka,John Rozen,Marinus Hopstaken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Plasma co-doping to reduce the forming voltage in resistive random access memory (ReRAM) devices

Номер патента: US11844290B2. Автор: Takashi Ando,Hongwen Yan,Hiroyuki Miyazoe,Qingyun Yang,Devi Koty,Marinus Johannes Petrus Hopstaken. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240164224A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Kai-Jiun Chang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US11917836B2. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

电阻式随机存取存储器及其制作方法

Номер патента: CN118042846A. Автор: 张凯钧,王泉富,叶宇寰. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Oxide-based resistive memory having a plasma-exposed bottom electrode

Номер патента: US20210391536A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Babar Khan,Hiroyuki Miyazoe,Dexin Kong,Joel P. de Souza,Youngseok Kim,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Conductive bridge semiconductor component and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200066984A1. Автор: QI Liu,Ming Liu,Yan Wang,Sen Liu,Xiaolong Zhao,Hangbing Lv,Shibing Long,Facai WU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-02-27.

Etch-resistant doped scavenging carbide electrodes

Номер патента: US20220344586A1. Автор: Yohei Ogawa,Takashi Ando,Kazuhiro Honda,Masanobu Hatanaka,John Rozen,Marinus Hopstaken. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Составная мишень для получения нанокомпозитов при магнетронном распылении

Номер патента: RU0000183138U1. Автор: Веденеев Александр Сергеевич,Лузанов Валерий Альбертович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2018-09-12.

Improved Process for the Regeneration of Oil Employed as Transformer Oil and the like for use for Electrical purposes.

Номер патента: GB191308130A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1913-08-21.

Electronic motor control circuit employing triacs

Номер патента: US3619747A. Автор: Daryl R Pedersen. Владелец: Novatron Inc. Дата публикации: 1971-11-09.

Static overcurrent trip device to operate a circuit breaker in response of fault conditions in an alternating current net system

Номер патента: CA1201522A. Автор: Philippe Duval,Pierre Demeyer. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1986-03-04.

Multiplexed signal system for vehicle steering column assembly

Номер патента: EP1816034A2. Автор: James Edward Rouleau. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Circuit breaker interlock devices, systems, and methods

Номер патента: EP1982340A2. Автор: Brian Timothy Mccoy. Владелец: Siemens Energy and Automation Inc. Дата публикации: 2008-10-22.

Using aluminum as etch stop layer

Номер патента: US11944020B2. Автор: Sundar Narayanan,Zhen Gu,Natividad Vasquez,Yunyu Wang. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Resistance Switches and Automatic Cut-outs for Starting, Protecting, and Regulating Electric Motors and their Circuits.

Номер патента: GB190113159A. Автор: Joseph Edmondson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-05-01.

Gas-blast circuit breakers with low-resistance switching resistances

Номер патента: AU3335463A. Автор: SCHULZ and DR. HERBERT WILTZ RICHARD. Владелец: Continental Elektroindustrie AG Voigt & Haefener. Дата публикации: 1965-01-28.

Gas-blast circuit breakers with low-resistance switching resistances

Номер патента: AU278210B2. Автор: SCHULZ and DR. HERBERT WILTZ RICHARD. Владелец: Continental Elektroindustrie AG Voigt & Haefener. Дата публикации: 1965-01-28.

Improvements in Resistance Switches and Automatic Cut-outs for Starting, Regulating, and Protecting Electric Motors and their Circuits.

Номер патента: GB189925576A. Автор: . Владелец: VERITYS Ltd. Дата публикации: 1900-11-17.

Multi-state resistive switching material, thin film prepared therewith, multi-sate resistive switching memory element and application of memory element in memory device

Номер патента: CN101556986A. Автор: 陈亮,刘治国,许含霓,夏奕东,殷江. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-10-14.

Resistance switch element and resistance switch memory element

Номер патента: JP5482021B2. Автор: 和明 栗原,雅俊 石井,デイビッド ベネキ ジョン,一典 山中. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-23.

Multi-state resistive switching material, thin film prepared therewith, multi-sate resistive switching memory element and application of memory element in memory device

Номер патента: CN101556986B. Автор: 陈亮,刘治国,许含霓,夏奕东,殷江. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-08-25.

Liquid resistance switch for electrical purposes

Номер патента: CA83280A. Автор: John Harold Wooliscroft. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-10-06.

Light controllable multiple negative-differential-resistance switching device

Номер патента: TW457719B. Автор: Wen-Chau Liou,Shiou-Ying Jeng,Jing-Yu Chen,Wei-Jou Wang. Владелец: Nat Science Council. Дата публикации: 2001-10-01.

Resistance Switch Apparatus for Starting Electromotors.

Номер патента: GB189524264A. Автор: . Владелец: Siemens Brothers and Co Ltd. Дата публикации: 1896-11-14.

Resistive switching devices and methods for their manufacture and operation

Номер патента: GB202217303D0. Автор: . Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2023-01-04.

Resistive switching devices and methods for their manufacture and operation

Номер патента: GB202203210D0. Автор: . Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Water resistant switched socket

Номер патента: AU327936S. Автор: . Владелец: Gwr Pty Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Method for Forming Resistive Switching Memory Elements with Improved Switching Behavior

Номер патента: US20130107604A1. Автор: Chiang Tony,Wang Yun,Hashim Imran,Gopal Vidyut. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

Multi-channel thermal resistance switching circuit in thermal resistance measurement system

Номер патента: CN202599559U. Автор: 张博,陈思宁,陈宇彦,王善永. Владелец: NANDA AUTOMATION TECHNOLOGY JIANGSU Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

TWO TERMINAL RESISTIVE SWITCHING DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING

Номер патента: US20120015506A1. Автор: Jo Sung Hyun,HERNER Scott Brad. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-01-19.

SURFACE TREATMENT TO IMPROVE RESISTIVE-SWITCHING CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120032133A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-02-09.

STACKABLE NON-VOLATILE RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE AND METHOD

Номер патента: US20120043621A1. Автор: HERNER Scott Brad. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

BIPOLAR RESISTIVE-SWITCHING MEMORY WITH A SINGLE DIODE PER MEMORY CELL

Номер патента: US20120044751A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-02-23.

NONVOLATILE MEMORY ELEMENTS WITH METAL DEFICIENT RESISTIVE SWITCHING METAL OXIDES

Номер патента: US20120074376A1. Автор: Kumar Nitin,Chiang Tony,Lang Chi-I,Phatak Prashant B.,Tong Jinhong. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

INTEGRATION OF AN AMORPHOUS SILICON RESISTIVE SWITCHING DEVICE

Номер патента: US20120074507A1. Автор: Nazarian Hagop,Jo Sung Hyun. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-03-29.

NON-VOLATILE RESISTIVE-SWITCHING MEMORIES

Номер патента: US20120088328A1. Автор: Miller Michael,Phatak Prashant,Chiang Tony,Kumar Pragati. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

MEMORY SYSTEM WITH REVERSIBLE RESISTIVITY-SWITCHING USING PULSES OF ALTERNATRIE POLARITY

Номер патента: US20120120710A1. Автор: Rabkin Peter,Samachisa George,Scheuerlein Roy E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

MEMORY SYSTEM WITH REVERSIBLE RESISTIVITY-SWITCHING USING PULSES OF ALTERNATRIE POLARITY

Номер патента: US20120120711A1. Автор: Rabkin Peter,Samachisa George,Scheuerlein Roy E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

Two terminal multi-layer thin film resistance switching device with a diffusion barrier and methods thereof

Номер патента: US20120126195A1. Автор: Ignatiev Alex,Young-Fisher Kristina,Ebrahim Rabi,Wu Naijuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

STABLE ON-RESISTANCE SWITCH CIRCUIT

Номер патента: US20120126878A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

RESISTIVE SWITCHES

Номер патента: US20120126932A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Re-writable Resistance-Switching Memory With Balanced Series Stack

Номер патента: US20120127779A1. Автор: Chien Henry,Scheuerlein Roy E.,Chen Yung-Tin,Lan Zhida. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

Resistive Switching Memory Device

Номер патента: US20120132883A1. Автор: Hirose Sakyo. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140546A1. Автор: Scheuerlein Roy E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

Multi-Bit Resistance-Switching Memory Cell

Номер патента: US20120140547A1. Автор: Scheuerlein Roy E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

Methods for Forming Resistive Switching Memory Elements by Heating Deposited Layers

Номер патента: US20120142143A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-06-07.

METHODS FOR FORMING RESISTIVE-SWITCHING METAL OXIDES FOR NONVOLATILE MEMORY ELEMENTS

Номер патента: US20120149164A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

Composition of Memory Cell With Resistance-Switching Layers

Номер патента: US20120153249A1. Автор: Chen Yung-Tin,Zhang Tong,Minvielle Timothy James. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-21.

Nonvolatile Memory Device Using The Resistive Switching of Graphene Oxide And The Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20120205606A1. Автор: Kang Tae Won,Lee Sang Wuk,Panin Gennady,Kapitanova Olesya. Владелец: Dongguk University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2012-08-16.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY ELEMENT INCLUDING DOPED SILICON ELECTRODE

Номер патента: US20120205610A1. Автор: Wu Wen,Miller Michael,Phatak Prashant,Chiang Tony. Владелец: Intermolecular Inc.. Дата публикации: 2012-08-16.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY GROWN REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120217462A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120235112A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

Resistive-Switching Memory and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20120241712A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

HETEROJUNCTION DEVICE COMPRISING A SEMICONDUCTOR AND A RESISTIVITY-SWITCHING OXIDE OR NITRIDE

Номер патента: US20120280202A1. Автор: Kumar Tanmay,Herner S. Brad. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY DEPOSITED REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120286233A1. Автор: Schricker April,Konevecki Michael W.,Herner Brad. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

RESISTIVE SWITCHING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120305878A1. Автор: Miller Michael,Phatak Prashant,Chiang Tony. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-12-06.

METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120305883A1. Автор: . Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-12-06.

RESISTIVE-SWITCHING NONVOLATILE MEMORY ELEMENTS

Номер патента: US20120319070A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-12-20.

MULTI-OUTPUT-RESISTANCE SWITCH DRIVER CIRCUITS

Номер патента: US20130033291A1. Автор: SHIBATA Hajime,YANG Wenhua,ALLDRED David Nelson. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2013-02-07.

RESISTIVE-SWITCHING DEVICE CAPABLE OF IMPLEMENTING MULTIARY ADDITION OPERATION AND METHOD FOR MULTIARY ADDITION OPERATION

Номер патента: US20130033922A1. Автор: Chen Bing,Gao Bin,LIU Xiaoyan,Liu Lifeng,KANG Jinfeng,ZHANG Feifei. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-02-07.

Non-volatile resistive switching memories formed using anodization

Номер патента: US20130043454A1. Автор: Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.,Gorer Alexander,Ivanov Igor. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

Resistive Switching Devices Having Alloyed Electrodes And Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20130062587A1. Автор: Ma Yi,LEE WEI TI,Gopalan Chakravarthy,Koushan Foroozan Sarah,BLANCHARD PHILIPPE,Shields Jeffrey,Jameson John Ross,Wang Janet,Kellam Mark. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORP.. Дата публикации: 2013-03-14.

Nonvolatile Memory Elements with Metal-Deficient Resistive-Switching Metal Oxides

Номер патента: US20130071982A1. Автор: Kumar Nitin,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,Phatak Prashant B.,Tong Jinhong. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

RESISTIVE-SWITCHING DEVICE CAPABLE OF IMPLEMENTING MULTIARY ADDITION OPERATION AND METHOD FOR MULTIARY ADDITION OPERATION

Номер патента: US20130119337A1. Автор: Gao Bin,LIU Xiaoyan,Liu Lifeng,KANG Jinfeng. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-16.

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF ZIRCONIUM OXIDE FOR FORMING RESISTIVE-SWITCHING MATERIALS

Номер патента: US20130134376A1. Автор: LEE Albert,Hashim Imran,Gopal Vidyut,Tong Jinhong,Higuchi Randall. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

Display Matrix with Resistance Switches

Номер патента: US20130249879A1. Автор: Williams R. Stanley,Pickett Matthew D.. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

RESISTANCE-SWITCHING MEMORY CELLS HAVING REDUCED METAL MIGRATION AND LOW CURRENT OPERATION AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130292634A1. Автор: Chen Yung-Tin,Lan Zhida,Hou Kun. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

BIPOLAR RESISTIVE SWITCH HEAT MITIGATION

Номер патента: US20140029327A1. Автор: Ribeiro Gilberto Medeiros,Yang Jianhua,Yi Wei,STRACHAN John Paul. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

Embedded Nonvolatile Memory Elements Having Resistive Switching Characteristics

Номер патента: US20140078808A1. Автор: Chiang Tony,Wang Yun,Hashim Imran,Gopal Vidyut. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

Resistive Switching Memory

Номер патента: US20140084232A1. Автор: Van Buskirk Michael A.. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

Device for automatic resistance switching

Номер патента: SU57530A1. Автор: Н.В. Вершинский. Владелец: Н.В. Вершинский. Дата публикации: 1939-11-30.

Preparation method of resistance switch adopting TiO2/SnO2 composite nano-rods

Номер патента: CN103400937A. Автор: 李长明,孙柏,谷爽. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-11-20.

Vandal resistant switch box

Номер патента: USD374658S. Автор: Ralph D. Bever,Nelson F. Nash. Владелец: TRICOR PRODUCTS. Дата публикации: 1996-10-15.

Impact-resistant switch cabinet

Номер патента: CN213816789U. Автор: 吴兴海. Владелец: Guizhou Xinhang Electric Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

Magnetic resistance switch speed-adjustable motor controller

Номер патента: CN1457142A. Автор: 蔡起仲. Владелец: ZHONGLING MOTOR TECHNOLOGY Co Ltd YANGZHOU CITY. Дата публикации: 2003-11-19.

Built-in resistance switch

Номер патента: CN216818122U. Автор: 刘二军,宋明华. Владелец: HUIZHOU GREETECH ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-24.

Intelligent outflow resistance switches simulation respiratory device

Номер патента: CN205411862U. Автор: 张瑜,胡淼,戴荣,许伟忠,聂佳林,钱元诚. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2016-08-03.

The complementary resistance switching device and its control method realized based on controllable nano crackle

Номер патента: CN109911838A. Автор: 罗强,游龙,洪正敏,郭喆. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-21.

Memory cell with resistance-switching layers

Номер патента: TW201212317A. Автор: Franz Kreupl,James Kai,Xiying Costa,Raghuveer S Makala. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-03-16.

PVC (polyvinyl chloride) wear-resistant switch

Номер патента: CN103740001A. Автор: 李紫薇. Владелец: WUJIANG DONGTAI ELECTRIC POWER SPECIAL SWITCH CO Ltd. Дата публикации: 2014-04-23.

High-temperature-resistant switch valve device

Номер патента: CN212338192U. Автор: 袁波,李昌龙,唐小芳. Владелец: Hubei Wan Testing Equipment Co ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Variable on-resistance switching device for a boost converter for thermoelectric energy harvesting

Номер патента: CN109768696B. Автор: 尚宇,刘帘曦,黄超进,沐俊超,常濛. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-05-07.

Corrosion-resistant switch board

Номер патента: CN212968734U. Автор: 王振宇,许建平,苑清敏. Владелец: Heilongjiang Water Transp Construction Dev Co ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Parallel secondary side middle resistance switching control device for arc suppression coil complete system line selection

Номер патента: CN215817496U. Автор: 黄佐财. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-11.

Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement

Номер патента: TW201212318A. Автор: Franz Kreupl,Ritu Shrivastava. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-03-16.

Resistive switching memory

Номер патента: GB201710470D0. Автор: . Владелец: Australian Advanced Materials Pty Ltd. Дата публикации: 2017-08-16.

Vibration resistant switch

Номер патента: CA789119A. Автор: G. Salerno Paul. Владелец: Vapor Corp. Дата публикации: 1968-07-02.

Resistance switches and the like

Номер патента: CA776326A. Автор: R. Ovshinsky Stanford. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1968-01-16.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Electric Motor Controlling Systems.

Номер патента: GB190426699A. Автор: Arthur Clarke Eastwood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-02-16.

Method of obtainment of nonvolatile storage element

Номер патента: RU2468471C1. Автор: Вадим Вячеславович Путролайнен,Андрей Александрович Величко,Генрих Болеславович Стефанович,Александр Лионович Пергамент,Николай Александрович Кулдин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет". Дата публикации: 2012-11-27.

Improvements in the Control of Electric Lifts.

Номер патента: GB190215764A. Автор: John Sanders Stevens,Charles George Major,Edwin Charles Stevens,Percy Herbert Stevens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-07-09.

Improvements in Systems of Electric Motor Control in which the Characteristic of the Main Generator is Varied and in Apparatus therefor.

Номер патента: GB190701279A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1908-01-16.

Improvements relating to Cut-outs and Switches for Electric Motors and other Electrical Apparatus.

Номер патента: GB189810437A. Автор: George Augustus Mower. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-09-03.

Improvements in Electrically Controlled Elevators or Lifts.

Номер патента: GB190707883A. Автор: Carl Naujoks,Frederick Carl Naujoks,George Goeppert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-01-30.

Improvements in Electric Telegraphs for Ships and other Purposes.

Номер патента: GB189912279A. Автор: . Владелец: Evershed and Vignoles Ltd. Дата публикации: 1900-06-13.

Improvements in Systems of Electro Motor Control.

Номер патента: GB190023104A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1901-10-19.

Improvements in Systems of Electric Train Control.

Номер патента: GB189925450A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1900-04-14.

Improvements in Systems of Electric Motor Control for Electric Railways or Trains.

Номер патента: GB190118331A. Автор: Frank E Case. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-11-09.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Mixed metal oxide-based memristor

Номер патента: RU2524415C1. Автор: Андрей Михайлович Маркеев,Андрей Владимирович Зенкевич,Константин Викторович Егоров,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-07-27.

Improvements in Apparatus for Controlling Electric Motors.

Номер патента: GB190126098A. Автор: John Henry Hindle. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-12-18.

Improvements in Electric Train Control Systems.

Номер патента: GB190515045A. Автор: August Sundh,Axel Magnuson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-07-21.

Improvements in and connected with the Control of Electrically Propelled Vehicles and Trains.

Номер патента: GB189811158A. Автор: Henry Harington Leigh. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-08-16.

Improvements relating to Electric Switches for Controlling Electric Motors or other Electric Circuits

Номер патента: GB190206653A. Автор: Edward Neville Bray. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-03-12.

Improved Electro-mechanical Apparatus for the Control of Electric Motors.

Номер патента: GB189717142A. Автор: Julien Dulait. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-07-20.

An Improvement in Apparatus for Simultaneously Actuating from One Point the Controlling Switches of the Several Electrical Motor Cars of a Train.

Номер патента: GB190006488A. Автор: . Владелец: Siemens Brothers and Co Ltd. Дата публикации: 1900-05-12.

Improvements in or relating to the Control of Electric Motors.

Номер патента: GB190503177A. Автор: William Geipel,Frederick Montague Towns Lange. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-10-12.

Improvements in and relating to electric Controllers.

Номер патента: GB190524729A. Автор: Claude William Atkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-09-06.

Improvements relating to Switches, specially applicable to Switches for Electromotors and the like.

Номер патента: GB189923371A. Автор: John Edward Lloyd Barnes,Robert Alexander Sloan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-10-06.

Improvements in Electric Switches.

Номер патента: GB190115371A. Автор: Percy Walter Ogilvie Hodges. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-05-29.

Improvements in Resistance Coils

Номер патента: GB190125218A. Автор: George William Johnson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-04-10.

Improvements in and relating to Electric Motor Control Apparatus.

Номер патента: GB190624448A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1908-01-01.

Improvements relating to Apparatus for Starting and Regulating or Controlling Electro-motors.

Номер патента: GB190102854A. Автор: Jasper Wetter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-11-02.

Improvements in Electric Motor Control Systems.

Номер патента: GB190208557A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1903-01-22.

Improvements in Electric Rheostats.

Номер патента: GB190126696A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1902-12-04.

An Improved Starting Switch with Automatic Cut-out for Electric Motors.

Номер патента: GB189713523A. Автор: Henry Henderson Cutler. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-07-10.

Improvements in Rheostats for Electric Motors.

Номер патента: GB190011991A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1900-08-18.

Improvements in Controlling Switches for Electric Circuits

Номер патента: GB190413570A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1905-05-25.

Improvements in Electric Motor Control Systems

Номер патента: GB190208558A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1903-01-22.

Improvements in Switches for Altering the Speed and Direction of Revolution of Electric Motors.

Номер патента: GB189804004A. Автор: William Rowland Edwards,Septimus Felix Beevor. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-02-17.

Improvements in and relating to Electric Motor Control Systems applicable for Electrically Propelled Trains or Vehicles.

Номер патента: GB190507149A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1906-04-04.

Improvements in Systems of Electric Motor Control and in Apparatus therefor

Номер патента: GB190424700A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1905-09-21.

Improvements in Apparatus for Governing Electric Currents.

Номер патента: GB190108997A. Автор: Alfred Warwick Gattie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-03-20.

Improvements in Induction Motors for Alternating Electric Current Circuits.

Номер патента: GB189905545A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1899-04-22.

Improved Starting Mechanism for Electric Motors.

Номер патента: GB189908949A. Автор: Reginald Belfield. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-03-03.

Improvements in and connected with Electrical Switches.

Номер патента: GB189807583A. Автор: . Владелец: WHITE JACOBY AND Co Ltd. Дата публикации: 1899-03-11.

Improvements relating to Automatically Regulating Direct Current and Alternating Current Machines.

Номер патента: GB190819992A. Автор: . Владелец: BROWN BOVERI ET CIE AG. Дата публикации: 1909-07-01.

Improvements in Photographic Printing Apparatus

Номер патента: GB190306139A. Автор: Reinhold Herman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-12-03.

Improvements in Switches for Starting and Controlling Electric Motors.

Номер патента: GB189901835A. Автор: William Mead,Hugo Hirst. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-05-06.

Method of obtainment of resistance storage element

Номер патента: RU2540486C1. Автор: Тигран Арменакович Вартанян,Никита Борисович Леонов,Сергей Григорьевич Пржибельский,Игорь Аркадьевич Гладских. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2015-02-10.

Resistive flash memory element

Номер патента: RU2516771C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-05-20.

Improved Device for use in Controlling Electric Motors.

Номер патента: GB189800494A. Автор: Alfred Emrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-03-12.

Improvements in Electrical Starting and Regulating Switches.

Номер патента: GB190103087A. Автор: Arthur Henry Hickley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-02-13.

Smoke-sensitive alarm

Номер патента: RU2306614C1. Автор: Владимир Викторович Баканов,Михаил Иванович Михавчук,Игорь Захарович Мисевич. Владелец: Частное Предприятие "Артон". Дата публикации: 2007-09-20.

Improvements in Electrical Apparatus for use in Dental Surgery and other Electro-Surgical Treatments.

Номер патента: GB189722800A. Автор: Willard Elbridge Dow. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-11-20.

Improvements in Electric Railways and Controlling Devices therefor.

Номер патента: GB189921651A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1900-01-27.

電阻式記憶體元件及其製作方法

Номер патента: TW202010156A. Автор: 林榆瑄,蔣光浩,李岱螢,王超鴻,陳宗銘. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-01.

Improvements in Electric Transmission of Power.

Номер патента: GB190207447A. Автор: . Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 1902-05-22.

Improvements in the Regulation of Electric Circuits subject to Rapidly Fluctuating Loads.

Номер патента: GB190508541A. Автор: Edmund Scott Gustave Rees,William Armistead,Charles Hodgson Iles. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-03-08.

Improvements in Electric Rheostats.

Номер патента: GB190125390A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1902-04-10.

Improvements in Rectifiers for Alternating Electric Currents.

Номер патента: GB190013971A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1901-01-12.

Improvements in and relating to Electric Power Transmitting Mechanism, applicable to Motor Vehicles and other similar purposes.

Номер патента: GB190422817A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1905-08-31.

Alternating Current Motor.

Номер патента: GB190226870A. Автор: Max Deri. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-12-03.

Improved Means of Charging Several Batteries in Parallel, and also for Regulating the Voltage on Electric Feeders.

Номер патента: GB190826674A. Автор: William Arthur Stevens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-10-07.

Voltage regulator

Номер патента: RU2555854C2. Автор: Александр Сергеевич Фролов. Владелец: Александр Сергеевич Фролов. Дата публикации: 2015-07-10.

Improvements in and relating to Ironing Machine Tables having Electrically Controlled Pressure.

Номер патента: GB190502998A. Автор: Albert Ernest Hacking,John Pycroft. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-01-18.

Method of calibration of electromagnetic flowmeters without dismantling from pipeline

Номер патента: RU2494354C1. Автор: Владимир Викторович Будашов,Сергей Геннадьевич Жевакин. Владелец: Открытое акционерное общество "Арзамасский приборостроительный завод им. П.И. Пландина" (ОАО "АПЗ"). Дата публикации: 2013-09-27.

Improvements in Indirect Regulation of Dynamo-electric Machinery.

Номер патента: GB189723296A. Автор: Wallace Fairweather. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-09-03.

Improvements in Automatic Electric Regulating or Controlling Devices or Systems

Номер патента: GB190210733A. Автор: Wilhelm Stockmeyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-05-09.

Improved Regulating Apparatus for Automatically Maintaining Electric Accumulator Charging Currents Constant.

Номер патента: GB190412097A. Автор: . Владелец: Brown Boveri und Cie AG Germany. Дата публикации: 1904-10-27.

電阻式隨機存取記憶體及其製作方法

Номер патента: TW202420500A. Автор: 王泉富,張凱鈞,葉宇寰. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2024-05-16.

電阻式記憶體元件及其製作方法

Номер патента: TWI667816B. Автор: 林榆瑄,蔣光浩,李岱螢,王超鴻,陳宗銘. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-01.

Method to produce nanocrystalline films of rutile

Номер патента: RU2436727C2. Автор: Константин Александрович Солнцев,Валентин Михайлович Иевлев,Сергей Владимирович Канныкин,Сергей Борисович Кущев,Сергей Анатольевич Солдатенко,Александр Алексеевич Синельников. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет". Дата публикации: 2011-12-20.

Method of determining electrophysical parameters of capacitor structure of memristor characterising moulding process

Номер патента: RU2585963C1. Автор: Александр Николаевич Шарапов,Иван Николаевич Антонов,Олег Николаевич Горшков,Станислав Викторович Тихов,Александр Петрович Касаткин,Мария Николаевна Коряжкина. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-06-10.

Improvements in Machines for Cutting Coal and the like.

Номер патента: GB190208976A. Автор: James Linday,David Pearse. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-04-02.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.