• Главная
  • 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각 방법

실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 식각 방법

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Etchant composition for semiconductor substrates

Номер патента: US20220348825A1. Автор: Myung Ho Lee,Hak Soo Kim,Jeong Sik OH. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Etching compositions

Номер патента: WO1993023493A1. Автор: David Shaun Maternaghan. Владелец: Micro-Image Technology Limited. Дата публикации: 1993-11-25.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US12031077B2. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Composition for etching a silicone nitride layer and etching method using the same

Номер патента: KR102031251B1. Автор: 이승훈,이승현,김승환,진승오. Владелец: 영창케미칼 주식회사. Дата публикации: 2019-10-11.

Etching composition for removing silicon and method for removing silicon by using the same

Номер патента: US20230193132A1. Автор: Shang-Chen HUANG,Cheng-Huan HSIEH. Владелец: LCY Chemical Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Silicon nitride etching composition and method

Номер патента: US20230295502A1. Автор: Emanuel I. Cooper,Hsing-chen Wu,Min-Chieh Yang,SeongJin Hong,Steven Michael BILODEAU. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4347744A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US12012540B2. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes,Juhee YEO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: EP4189728A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Compositions and methods for selectively etching silicon nitride films

Номер патента: US20220033710A1. Автор: Daniela White,Emanuel I. Cooper,Steven M. Bilodeau. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Etching composition for silicon nitride and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220081615A1. Автор: Akira Endo,Yasushi Nakasaki,Masayasu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: US20230365863A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Silicon nitride etching compositions and method

Номер патента: WO2023219943A1. Автор: Steven M. Bilodeau,Claudia Yevenes. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-11-16.

Etching compositions

Номер патента: US20240279549A1. Автор: Thomas Dory,William A. Wojtczak,Kohei Hayashi. Владелец: Fujifilm Electronic Materials USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Etching compositions

Номер патента: WO2024168134A1. Автор: Thomas Dory,William A. Wojtczak,Kohei Hayashi. Владелец: Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Composition for selectively polishing silicon nitride layer and polishing method employing it

Номер патента: US20060084270A1. Автор: Tetsuji Hori,Ai Hiramitsu,Takashi Ito. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2006-04-20.

Composition for selectively polishing silicon nitride layer and polishing method employing it

Номер патента: US7217989B2. Автор: Tetsuji Hori,Ai Hiramitsu,Takashi Ito. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2007-05-15.

Composition for selectively polishing silicon nitride layer and polishing method employing it

Номер патента: TW200703491A. Автор: Tetsuji Hori,Ai Hiramitsu,Takashi Ito. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Composition for selectively polishing silicon nitride layer and polishing method employing it

Номер патента: CN1796482A. Автор: 伊藤隆,平光亚衣,堀哲二. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2006-07-05.

Composition for etching

Номер патента: US11634634B2. Автор: Jin Uk Lee,Jae Wan Park,Jung Hun Lim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor device using hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038534A1. Автор: Jin Hee Park,Bo Young Cho,Soo Min JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device using hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US11823904B2. Автор: Jin Hee Park,Bo Young Cho,Soo Min JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

ETCHANT COMPOSITION FOR ETCHING TITANIUM LAYER OR TITANIUM-CONTAINING LAYER, AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20200024750A1. Автор: Takahashi Hideki,SASAKI Ryou,YOKOYAMA Taiga. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Glass etching composition and etching method of glass surface using the same

Номер патента: KR940003877A. Автор: 김순호,김중형. Владелец: 김중형. Дата публикации: 1994-03-12.

METHOD FOR ETCHING METAL LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140024138A1. Автор: Park Jongchul,KWON HYUNGJOON,Tokashiki Ken. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor etching apparatus and etching method of semiconductor devices using the semiconductor etching apparatus

Номер патента: KR20020017447A. Автор: 지경구,정승필. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for forming isolation layer and method for fabricating nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100203702A1. Автор: Young-Kwang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Liquid composition for etching oxides comprising indium, zinc, tin, and oxygen and etching method

Номер патента: US10023797B2. Автор: Kunio Yube,Mari SHIGETA. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Method to selectively etch silicon nitride to silicon oxide using water crystallization

Номер патента: US20240128089A1. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210035803A1. Автор: Zhao Hai,Zhao Junhong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Chamfering apparatus for silicon wafer, method for manufacturing silicon wafer, and etched silicon wafer

Номер патента: JP4862896B2. Автор: 忠弘 加藤. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method for polishing copper layer and method for forming copper layer wiring using the same

Номер патента: US20050074976A1. Автор: Hyung Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

New etch process for forming high aspect ratio trenches in silicon

Номер патента: EP1036410A1. Автор: Shaoher Pan,Maocheng Li,Yiqiong Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-09-20.

Dummy wafer structure and method of forming the same

Номер патента: US20140077343A1. Автор: ZHI Wang,Hsusheng CHANG,Chuan REN. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Photosensitive etching composition

Номер патента: US3935117A. Автор: Takeshi Tomotsu,Gyoji Suzuki. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1976-01-27.

Etching processing method

Номер патента: US20240312789A1. Автор: Takashi Hattori,Masaki Yamada,Keisuke Akinaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Plasma etch process for single-crystal silicon with improved selectivity to silicon dioxide

Номер патента: WO1985002818A1. Автор: Mammen Thomas,Atiye Bayman. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1985-07-04.

Etching composition

Номер патента: US20220380670A1. Автор: Tae Ho Kim,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Gi Young Kim,Jeong Sik OH. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Wet-etch process and composition

Номер патента: US5183534A. Автор: Douglas E. Fjare,Allyson J. Beuhler,Cynthia A. Navar. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 1993-02-02.

Wet-etch process and composition

Номер патента: CA2037490C. Автор: Douglas Eric Fjare,Allyson Jeanne Beuhler,Cynthia Ann Navar. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2002-05-21.

Etching composition and its use in a method of making a photovoltaic cell

Номер патента: EP2582771A1. Автор: Lei Zhang,Haixin Yang,Feng Gao,Angel R. Cartagena. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2013-04-24.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09905480B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Process for silicon nitride removal selective to SiGex

Номер патента: US09691628B2. Автор: Jeffery W. Butterbaugh,Anthony S. Ratkovich. Владелец: TEL FSI Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210020523A1. Автор: Kyung Yub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180197790A1. Автор: Kyung Yub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Die and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220102547A1. Автор: Oliver Blank,Martin Poelzl,Heimo Hofer,Andreas Kleinbichler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor die and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080789B2. Автор: Oliver Blank,Martin Poelzl,Heimo Hofer,Andreas Kleinbichler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20160225851A1. Автор: HAO Zhang,Ming Li,Ru Huang,Yuancheng YANG,Jiewen Fan,Haoran Xuan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09564368B2. Автор: Jae-Ho Park,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Seolun Yang,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Composition for forming resist underlayer film and patterning process

Номер патента: US09857686B2. Автор: Tsutomu Ogihara,Jun Hatakeyama,Naoki Kobayashi,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and device including metal carbon nitride layer and method of forming same

Номер патента: US20230238243A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Yasiel Cabrera,Mojtaba Samiee. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of crystallizing a silicon layer and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100439347B1. Автор: 주승기,이석운. Владелец: 주승기. Дата публикации: 2004-07-07.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190237332A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Hotaka Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition

Номер патента: US20240134273A1. Автор: Young Keun Kim,Dong Wan RYU,Kyungsoo MOON. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US20240297039A1. Автор: Hideaki Fukuda,Charles DEZELAH,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-05.

Epitaxial structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230357916A1. Автор: Po-Jung Lin,Han-Zong Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Electro-optic silicon nitride via electric poling

Номер патента: US20200124884A1. Автор: Yi Zhang,Jaime Cardenas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon precursors for silicon nitride deposition

Номер патента: US11996286B2. Автор: Hideaki Fukuda,Viljami Pore,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110287621A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Low temperature silicon nitride films using remote plasma CVD technology

Номер патента: US09583333B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Amit Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of forming silicon nitride encapsulation layers

Номер патента: WO2020242592A1. Автор: Bo QI,Abhijit B. MALLICK. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of forming a silicon nitride layer

Номер патента: US5907792A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Matthias Passlack,Zhiyi Jimmy Yu,Ravi Droopad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-25.

Silicon nitride substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275002A1. Автор: Kei Shimada,Rei FUKUMOTO,Youichiro KAGA. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Coating composition for polyurethane foam and polyurethane foam using same

Номер патента: EP3992258A1. Автор: Kyung Jun Yoon,In Suk Yang,Hong Jun CHOI. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073285A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Even nucleation between silicon and oxide surfaces for thin silicon nitride film growth

Номер патента: US20030073284A1. Автор: Er-Xuan Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Uniform dielectric layer and method to form same

Номер патента: US20010024886A1. Автор: Trung Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Selective etch process for silicon nitride

Номер патента: US20120077347A1. Автор: Hongyun Cottle,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US7846850B2. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20100151668A1. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Interconnection element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220020640A1. Автор: Magali Gregoire. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-01-20.

Interconnection element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200381297A1. Автор: Magali Gregoire. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Silicon nitride capped poly resistor with SAC process

Номер патента: US6232194B1. Автор: Dun-Nian Yaung,Shou-Gwo Wuu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090140321A1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Doped silicon nitride for 3d nand

Номер патента: WO2022150285A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Xinhai Han,Tianyang Li,Chuan Ying WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device comprising a silicon nitride charge storage layer doped with boron

Номер патента: WO2009086157A1. Автор: Mark Randolph,Gwyn R. Jones. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Single component monomer for silicon nitride deposition

Номер патента: US4200666A. Автор: Alan R. Reinberg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1980-04-29.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer

Номер патента: US20040175955A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-09.

Photo mask and method for fabricating image sensor using the same

Номер патента: US20080233674A1. Автор: Hyun-Hee Nam,Jeong-Lyeol Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Flexible display and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266440A1. Автор: Sang-Joon SEO,Dong-Un Jin,Hoon-Kee Min,Sung-Guk An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A3. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-09-23.

Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same

Номер патента: US09630846B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Takashi Sano,Noritaka Nakayama. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon nitride substrate, circuit substrate and electronic device using the same

Номер патента: US20120281362A1. Автор: Masayuki Moriyama,Kenji Komatsubara,Yuusaku Ishimine. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Flexible display and method of manufacturing the same

Номер патента: US11978803B2. Автор: Sang-Joon SEO,Dong-Un Jin,Hoon-Kee Min,Sung-Guk An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

III-nitride epitaxial structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10344397B2. Автор: Chen-Chi Yang,I-Kai LO,Ming-Chi Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2019-07-09.

Silicon nitride passivation for a solar cell

Номер патента: WO2008127920A2. Автор: Soo Young Choi,Lisong Zhou,Sangeeta Dixit. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09905676B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080111201A1. Автор: Yong Ho Oh. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Mask for crystallizing a semiconductor layer and method of crystallizing a semiconductor layer using the same

Номер патента: US8163444B2. Автор: Cheol-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168473A1. Автор: Hyeong Seok Choi,Hyun Chul Seo,Seang Hwan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Mask for crystallizing a semiconductor layer and method of crystallizing a semiconductor layer using the same

Номер патента: US8546065B2. Автор: Cheol-Ho Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Etching composition and method for producing printed-wiring board using the same

Номер патента: US20150144591A1. Автор: Kenichi Takahashi,Norifumi TASHIRO. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Fabrication method for a silicon nitride read-only memory

Номер патента: US20020177275A1. Автор: Chien-Hung Liu,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09664966B2. Автор: Jinho JU,Jeong Won KIM,Kwangwoo Park,SeungBo SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Active matrix display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6087648A. Автор: Masayuki Sakakura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for Preparing Switch Transistor and Equipment for Etching the Same

Номер патента: US20140141573A1. Автор: Xiangdeng Que. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049469A1. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Composition for an organic hard mask and method for forming a pattern on a semiconductor device using the same

Номер патента: US20060189150A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

ELECTRONIC DEVICE WITH VARIABLE RESISTANCE LAYERS AND INSULATING LAYERS ALTERNATELY STACKED AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220285439A1. Автор: YOO Si Jung. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

METHOD OF FORMING ORGANIC LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20140315341A1. Автор: Kim Sungwoong. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Press-fit terminal and electronic component using the same

Номер патента: US09728878B2. Автор: Atsushi Kodama,Kazuhiko Fukamachi,Yoshitaka Shibuya. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US12094796B2. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Sonos structure, manufacturing method thereof and semiconductor with the same structure

Номер патента: US20130313628A1. Автор: Zhi Tian. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Umosfet device and method of making the same

Номер патента: WO2003030267A2. Автор: Theodore J. Letavic. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-10.

Umosfet device and method of making the same

Номер патента: EP1438751A2. Автор: Theodore J. Letavic. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-21.

Umosfet device and method of making the same

Номер патента: WO2003030267A3. Автор: Theodore J Letavic. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157290A1. Автор: Chi-Pin Lu,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Silicon nitride films having reduced interfacial strain

Номер патента: EP4189726A1. Автор: Yong Liang,Ann MELNICHUK. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming composite opening and method of dual damascene process using the same

Номер патента: SG145607A1. Автор: Hong Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-09-29.

Nitrogen-rich silicon nitride films for thin film transistors

Номер патента: US20230274997A1. Автор: Soo Young Choi,Yi Cui,Jung Bae Kim,Jiarui Wang,Dong Kil Yim,Rodney S. LIM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: WO2006093730A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for forming self-aligned, dual silicon nitride liner for cmos devices

Номер патента: EP1856726A1. Автор: Haining Yang,Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Method of Etching a device using a hard mask and etch stop layer

Номер патента: US20090166330A1. Автор: Gary Yama. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-07-02.

Gate structure and method for preparing the same

Номер патента: US20060284272A1. Автор: Heng Hsu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Silicon nitride-free isolation methods for integrated circuits

Номер патента: US5966614A. Автор: Tai-su Park,Ho-kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Semiconductor Component Including Aluminum Silicon Nitride Layers

Номер патента: US20170256618A1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor component including aluminum silicon nitride layers

Номер патента: US09761672B1. Автор: Srinivasan Kannan,Scott Nelson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09444033B2. Автор: KEN Tokashiki,Yoonchul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Flash memory structure and method of making the same

Номер патента: US9437600B2. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Flash memory structure and method of making the same

Номер патента: US20160071854A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor on insulator structure comprising a plasma nitride layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240258156A1. Автор: Sasha Joseph KWESKIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor substrate structures and methods for forming the same

Номер патента: US09799512B1. Автор: Shin-Cheng Lin,Yu-Lung Chin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Flash memory structure and method of making the same

Номер патента: US09437600B2. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871112B1. Автор: Chun-Yen Chang,Chun-Hu CHENG,Yu-Chien Chiu. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220013466A1. Автор: Hitoshi Sumida,Masaharu Yamaji,Hideaki Itoh,Taichi KARINO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Array substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837477B2. Автор: Jun Cheng,Jiangbo Chen,Chunsheng Jiang,Xiaodi LIU,Xiangyong Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Low-stress low-hydrogen LPCVD silicon nitride

Номер патента: US09580304B2. Автор: Nicholas Stephen DELLAS. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241107A1. Автор: Jin Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200105862A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09449883B2. Автор: Hisayuki Kato,Yoshihiko Kusakabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of filling an isolation trench including two silicon nitride etching steps

Номер патента: WO2003060991A2. Автор: Andreas Von Ehrenwall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-24.

Blue laser annealing equipment and annealing manufacturing process using the same

Номер патента: US20240222161A1. Автор: Jin-Han Park,Jun Hyuk Cheon,Seongbok Kang. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2024-07-04.

Separator and method of manufacturing the same and organic battery employing the same

Номер патента: US20120148900A1. Автор: Chungpin Liao. Владелец: Innot Bioenergy Holding Co. Дата публикации: 2012-06-14.

Separator and method of manufacturing the same and organic battery employing the same

Номер патента: US8592074B2. Автор: Chungpin Liao. Владелец: Innot Bioenergy Holding Co. Дата публикации: 2013-11-26.

Multifunctional interfacial layer and composite membrane and solid-state battery using the same

Номер патента: US20240274873A1. Автор: Hsiao-hua Yu,Baskar SELVARAJ. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2024-08-15.

Multilayer capacitor and board having the same

Номер патента: US09706641B1. Автор: Young Ghyu Ahn,Heung Kil PARK,Jong Hwan Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

ELECTROCHROMIC DEVICE INCLUDING A TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE LAYER AND A BUS BAR AND A PROCESS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20170299934A1. Автор: BROSSARD Sophie. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

COATING COMPOSITION FOR A PIPE OF CATHODIC RAYS AND TUBE OF CATHODIC RAYS HAVING THE said COMPOSITION APPLIED IN THE SAME

Номер патента: BR9000681A. Автор: Shiro Otaki. Владелец: Acheson Ind Inc. Дата публикации: 1991-01-15.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

TFT array substrate and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508859B2. Автор: Chia-Chi Huang,Min-Ching Hsu. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Gate structure and method of making the same

Номер патента: US20110012209A1. Автор: Chien-En Hsu,Ching-Hung Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-20.

Memory storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413564A1. Автор: Li Li,Zhigang Wang. Владелец: Zhuhai Chuangfeixin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09691799B2. Автор: Sungjin Lee,Moonho Park,Sohyung Lee,YoungJang Lee,KyungMo SON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09881986B2. Автор: Yongil Kim,Seongpil CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09721973B2. Автор: Sungjin Lee,Hoyoung Jung,Moonho Park,Sohyung Lee,YoungJang Lee,KyungMo SON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09455279B2. Автор: Yongil Kim,Seongpil CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20240224529A1. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US20230309309A1. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

SONOS memory cell structure and fabricating method of the same

Номер патента: US12096635B2. Автор: Hsueh-Chun Hsiao,Yung-Ting Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Flexible organic electroluminescent device and method of fabricating the same

Номер патента: US09647245B2. Автор: Nack Bong Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Capacitor having a tantalum lower electrode and method of forming the same

Номер патента: US20030006447A1. Автор: Derryl Allman. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Silicon nitride hard mask for epitaxial germanium on silicon

Номер патента: US11830961B2. Автор: Edward J. Preisler,Difeng Zhu. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230403852A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Chi-Pin Lu,Ling-Wuu Yang,Masaru Nakamichi,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12148791B2. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Sidewall processes using alkylsilane precursors for MOS transistor fabrication

Номер патента: US20040063260A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm Bevan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Trench mosfet with trench contact holes and method for fabricating the same

Номер патента: US20120091523A1. Автор: Gang Ji,Jianping Gu,Kaibin Ni,Tianbing Zhong. Владелец: Will Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Solar cell with silicon nitride layer and method for manufacturing same

Номер патента: US09508888B2. Автор: Sumito Shimizu,Tomohiro Saitou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming silicon nitride capacitors

Номер патента: GB2250378A. Автор: Neal F Gardner. Владелец: Silicon Systems Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Silicon nitride metal layer covers

Номер патента: US11876056B2. Автор: Jonathan Andrew Montoya,Salvatore Franks PAVONE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Active Device Array Substrate and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090256164A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Hsiang-Lin Lin,Han-Tu Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-10-15.

Active device array substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US7781776B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Hsiang-Lin Lin,Han-Tu Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-08-24.

Display apparatus having a silicon nitride buffer layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11658190B2. Автор: Eunjin Kwak,Yeoungkeol Woo,Yungbin CHUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Cmos image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20020043661A1. Автор: Kyung-Lak Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

TFT device with silicon nitride film and manufacturing method thereof

Номер патента: US09864247B1. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685630B2. Автор: Myoungsoo Lee,Byoungchul Kim,Wonyeol CHOI,Heesung PARK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Tft array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150311233A1. Автор: Lung Pao Hsin,Tianwang HUANG. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09935163B2. Автор: Binn Kim,Joonsoo HAN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor infrared image pickup device and method of fabricating the same

Номер патента: US5449944A. Автор: Gen Sudo,Soichiro Hikida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-09-12.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Integrated germanium photodetector with silicon nitride launch waveguide

Номер патента: US12078857B2. Автор: Dawei Zheng,Tongqing Wang,Xingyu Zhang. Владелец: Alpine Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Tape carrier package, method of manufacturing the same and chip package

Номер патента: US09674955B2. Автор: Hong Il Kim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure having gate replacement and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170294444A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Printed circuit board and flip chip package using the same with improved bump joint reliability

Номер патента: US20080277783A1. Автор: Seong Cheol Kim,Myung Geun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100006917A1. Автор: Kazunori Masuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

A metal foil having a resistive layer, and a substrate for a printed circuit using the metal foil

Номер патента: TWI530390B. Автор: Toshio Kurosawa. Владелец: Jx Nippon Mining & Metals Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09997893B2. Автор: Jaesoong LEE,Youngho SONG,Jinwoo JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Secondary battery, anode can thereof, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020187392A1. Автор: Morio Ishizaki. Владелец: Ishizaki Press Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Stair type electrode plate and nickel/metal hydryde secondary battery having the same

Номер патента: WO2004077594A1. Автор: Dong-pil Park. Владелец: Energreen Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-10.

Etching composition and etching process

Номер патента: US20110049088A1. Автор: Taketo Maruyama,Masahide Matsubara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

PAINT COMPOSITION FOR PREVENTING CORROSION AND IMPROVING DURABILITY OF A STRUCTURE, AND PROCESS FOR FORMING COATING LAYER USING THE SAME

Номер патента: US20200102461A1. Автор: HAN Seungho. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

COMPOSITION FOR BIOMASS FILM USING FOOD BYPRODUCT OF WHEAT BRAN OR SOYBEAN HULL AND BIOMASS FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140235761A1. Автор: You Young Sun,YOON Chan Suk,HAN Jung Gu. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

Adhesive compositions for bonding composites

Номер патента: US20100256289A1. Автор: Bobby L. Williamson,Richard M. Rammon. Владелец: Georgia Pacific Chemicals LLC. Дата публикации: 2010-10-07.

Composition for forming self-healing coating layer, coating layer and coating film

Номер патента: US10400110B2. Автор: Yeong Rae Chang,Young Suk Kim,Han Na Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Light-permeable housing having metal layer and texture of specific material and method for making the same

Номер патента: US20140099457A1. Автор: Chao-Lang Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-10.

Etching compositions, methods and printing components

Номер патента: US09434879B2. Автор: Michael Kheyfets,Matti Ben-Moshe. Владелец: DIP Tech Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Etching compositions, methods and printing components

Номер патента: US20150076396A1. Автор: Michael Kheyfets,Matti Ben-Moshe. Владелец: DIP Tech Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Printed circuit board and method for fabricating the same

Номер патента: US20160205782A1. Автор: Cheng-Hung Huang,Chi-Ming Lu,Ching-Ho Su,Chang-Li HO,Willis GAO. Владелец: Nan Ya Printed Circuit Board Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Magnetic sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015877A1. Автор: Atsushi Tanaka,Yoshihiko Seyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Magnetic sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060272146A1. Автор: Atsushi Tanaka,Yoshihiko Seyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-07.

Resin-based compositions for slush molding and composite parts manufactured therefrom

Номер патента: US20240308116A1. Автор: Murali Mohan Reddy,Gregory James FARRAR. Владелец: Cpk Interior Products Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Resin-based compositions for slush molding and composite parts manufactured therefrom

Номер патента: EP4431258A1. Автор: Murali Mohan Reddy,Gregory James FARRAR. Владелец: Cpk Interior Products Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Non-medicated personal care cleansing solution and a method of synthesizing the same

Номер патента: US09617504B2. Автор: Scott Robert Sorenson,Scott Paul Sorenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-11.

Spiral membrane element and method of producing the same

Номер патента: US09604179B2. Автор: Yuuji Nishida,Yasuhiro Uda,Shinichi Chikura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Composition for producing tagatose and method of producing tagatose using the same

Номер патента: US20210292731A1. Автор: Hyun Kug Cho,Seong Bo Kim,Young Mi Lee,Sung Jae Yang. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods and compositions for non-myeloablative bone marrow reconstitution

Номер патента: AU2018367546B2. Автор: Serhat GUMRUKCU. Владелец: Weird Science Llc. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods and compositions for non-myeloablative bone marrow reconstitution

Номер патента: EP3710013A1. Автор: Serhat GUMRUKCU. Владелец: Weird Science Llc. Дата публикации: 2020-09-23.

Methods and compositions for non-myeloablative bone marrow reconstitution

Номер патента: CA3082404A1. Автор: Serhat GUMRUKCU. Владелец: Weird Science Llc. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods and compositions for non-myeloablative bone marrow reconstitution

Номер патента: AU2024216450A1. Автор: Serhat GUMRUKCU. Владелец: Weird Science Llc. Дата публикации: 2024-09-26.

Composition for producing tagatose and method of producing tagatose using the same

Номер патента: US11795444B2. Автор: Hyun Kug Cho,Seong Bo Kim,Young Mi Lee,Sung Jae Yang. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-10-24.

Release layer, method for producing the same and its use

Номер патента: AU3813800A. Автор: Ulrich Moosheimer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2000-11-02.

Non-medicated personal care cleansing solution and a method of synthesizing the same

Номер патента: US20160010039A1. Автор: Scott Robert Sorenson,Scott Paul Sorenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-14.

COMPOSITION FOR FORMING A METAL OXIDE FILM ON THE HEATED SURFACE OF A CARRIER AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: FR2442669B1. Автор: . Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1987-09-25.

Process and composition for preparing aluminum surfaces for anodizing

Номер патента: CA1196561A. Автор: James M. Kape. Владелец: Pennwalt Corp. Дата публикации: 1985-11-12.

Curable organopolysiloxane release agent composition for thermal paper, thermal paper, and thermal recording label sheet

Номер патента: EP3719096A1. Автор: Shuji Endo. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-07.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20030129794A1. Автор: Chen-Chin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Nitride ready only memory cell with two top oxide layers and the method for manufacturing the same

Номер патента: US6509231B1. Автор: Li-Jen Chen,Chen-Chin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Display apparatus and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357908A1. Автор: Ho Lim,Seunghee Lee,Jiyun PARK,Taemin Kim,Seulgee LEE,Gihoon Yang,Donggeun Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon nitride core rib waveguides and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024186512A1. Автор: Haitao Zhang,Bin Zhu,Barry J. Paddock,Sukru Ekin Kocabas. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Display apparatus and imaging system using the same

Номер патента: EP2012360A3. Автор: Hiroyuki Maru,Osamu Yuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-08-10.

Crystallisation pan for silicon crystallisation

Номер патента: RU2355832C2. Автор: Жильбер РАНКУЛЬ. Владелец: Везувиус Крусибл Компани. Дата публикации: 2009-05-20.

Silicon nitride sintered body and wear resistant member using the same

Номер патента: US09440887B2. Автор: Katsuyuki Aoki,Michiyasu Komatsu,Kai Funaki,Haruhiko Yamaguti. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing an object of silicon nitride

Номер патента: US4256688A. Автор: Jan Nilsson,Hans Larker,Jan Adlerborn. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1981-03-17.

Heat treatable coated articles with metal nitride layer and methods of making same

Номер патента: US20040161616A1. Автор: Hong Wang,George Neuman,Grzegorz Stachowiak. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Heat treatable coated articles with metal nitride layer and methods of making same

Номер патента: US6524714B1. Автор: Hong Wang,George Neuman,Grzegorz Stachowiak. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

Insulating glass (ig) window unit including heat treatable coating with silicon-rich silicon nitride layer

Номер патента: WO2003078346A9. Автор: Philip J Lingle. Владелец: Guardian Industries. Дата публикации: 2004-04-22.

Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer

Номер патента: US20020148813A1. Автор: Axel Scherer,Mark Adams. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2002-10-17.

Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer

Номер патента: WO2002066700A1. Автор: Axel Scherer,Mark Adams. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-08-29.

Silicon nitride sintered body, rolling element using the same, and bearing

Номер патента: US20230303454A1. Автор: Yasutake Hayakawa,Fumiya Nakamura. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Oxidation barrier coatings for silicon based ceramics

Номер патента: EP1685083A1. Автор: Poandl Lee,Derek Raybould,Bjoern Schenk,Chien-Wei Li,Paul Chipko,Thomas Strangman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-08-02.

Sintered silicon nitride and method for producing the same

Номер патента: US20080220963A1. Автор: Naohito Yamada,Takahiro Takahashi,Kazuhiro Nobori,Hideyuki Baba. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Feed composition for construction of steatohepatitis animal model

Номер патента: EP4434351A1. Автор: Yong Ho Lee,Eun Ran Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-09-25.

IgA PRODUCTION PROMOTING AGENT AND FEED COMPOSITION FOR PROMOTING IgA PRODUCTION

Номер патента: US20240268419A1. Автор: Mizuki Nakamura. Владелец: Nippon Beet Sugar Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Pharmaceutical compositions for treating or preventing bone conditions

Номер патента: EP1851237A2. Автор: Kang Ting,Ben Wu,Shunichi Kuroda,Chia Soo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-11-07.

Pharmaceutical compositions for treating or preventing bone conditions

Номер патента: US20110300184A1. Автор: Kang Ting,Ben Wu,Shunichi Kuroda,Chia Soo. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2011-12-08.

Transparent laminate for radiative cooling and radiative cooling material including the same

Номер патента: US20240253338A1. Автор: Min Jae Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Disinfectant composition for infusion into porous surfaces and the method of preparation thereof

Номер патента: US20240148001A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Window with display function and house using the same

Номер патента: US20190112869A1. Автор: Shou-Shan Fan,Chin-Wei Chi. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Methods and compositions for wound healing

Номер патента: EP1765368A1. Автор: Chandan K. Sen. Владелец: Ohio State University Research Foundation. Дата публикации: 2007-03-28.

COMPOSITION FOR FACIAL CONTOURING COMPRISING MIXTURE OF BOTULINUM TOXIN AND AIR AND METHOD OF FACIAL CONTOURING USING THE SAME

Номер патента: US20160038395A1. Автор: KIM Sang Duck. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Die Casting Mold and Die Casting Method using the the Same

Номер патента: KR101921508B1. Автор: 박영훈. Владелец: 박영훈. Дата публикации: 2018-11-23.

Magneto-optical recording medium having two RE-TM layers with the same Curie temperature

Номер патента: US5325343A. Автор: Tomoko Ohtsuki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-06-28.

LIGHT-PERMEABLE HOUSING HAVING METAL LAYER AND TEXTURE OF SPECIFIC MATERIAL AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140099457A1. Автор: WANG Chao-Lang. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Silver halide emulsion, and color photographic light-sensitive material and image-forming method using the same

Номер патента: EP1089122B1. Автор: Yoshiro Ochiai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Liquid crystal display device and method for making the same

Номер патента: US20090190055A1. Автор: Chien-Hung Chen,Li-Kai Chen. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2009-07-30.

Botulinum toxin in aerosol form and method of facial contouring using the same

Номер патента: US09884001B2. Автор: Sang Duck Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-06.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: US11819847B2. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Nanofluidic device with silicon nitride membrane

Номер патента: EP4182087A1. Автор: David Collins,Joseph R. Johnson,Raghav SREENIVASAN,Roger Quon,Ryan Scott Smith,George ODLUM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167739A2. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Cooking Utensil And Method Of Making The Same

Номер патента: US20240260786A1. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: All Clad Metalcrafters LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

A cooking utensil and method of making the same

Номер патента: WO2024167739A3. Автор: William A. Groll,Nicole Rae CHRISTY. Владелец: ALL-CLAD METALCRAFTERS LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Mask blank and method of fabricating phase shift mask from the same

Номер патента: US20030194620A1. Автор: Yong-Hoon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Antimicrobial product and method for using the same

Номер патента: US20070190119A1. Автор: Anthony Salemi,Anthony Pappageorge. Владелец: Microbeguard Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Graphene discs and bores and methods of preparing the same

Номер патента: US20180106162A1. Автор: Antonio GUIJARRO VALENCIA. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-04-19.

Polarizer and method of manufacturing the same and liquid crystal display device using the same

Номер патента: US09874779B2. Автор: Chang Soo Kim,Chae Kyung LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Liquid crystal display panel and display apparatus using the same

Номер патента: US09507201B2. Автор: Chihtsung Kang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Silicon nitride gap-filling layer and method of fabricating the same

Номер патента: TW200913070A. Автор: Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-03-16.

Silicon nitride gap filling layer and method for forming same

Номер патента: CN101399186B. Автор: 黄建中,陈能国,谢朝景. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-02.

Silicon nitride gap-filling layer and method of fa

Номер патента: TWI355033B. Автор: Chien Chung Huang,Neng Kuo Chen,Chao Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

A composition for a foamable refractory paint and a method for producing a foamable refractory coating film using the same.

Номер патента: JP6995230B1. Автор: 木 彬 大. Владелец: 大木 彬. Дата публикации: 2022-01-14.

Die with buffer layer and electrical connecting device and display panel using the same

Номер патента: TWI314228B. Автор: Yu Kon Huang,Yao Ren Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-09-01.

Die with buffer layer and electrical connecting device and display panel using the same

Номер патента: TW200702783A. Автор: Yu-Kon Huang,Yao-Ren Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-01-16.

MASK FOR CRYSTALLIZING A SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD OF CRYSTALLIZING A SEMICONDUCTOR LAYER USING THE SAME

Номер патента: US20120184112A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

SILICON NITRIDE LIGHT PIPES FOR IMAGE SENSORS

Номер патента: US20120001284A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Gate structure and method of making the same

Номер патента: SG168426A1. Автор: HSU Chien-En,Kao Chin-Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-02-28.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANNULA LINED WITH TISSUE IN-GROWTH MATERIAL AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120004496A1. Автор: . Владелец: CIRCULITE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND COMPOSITIONS FOR DOPING SILICON SUBSTRATES WITH MOLECULAR MONOLAYERS

Номер патента: US20120003826A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE MARKINGS AND METHODS FOR REVERSIBLY MARKING TISSUE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20120003301A1. Автор: Agrawal Satish,Boggs Roger. Владелец: PERFORMANCE INDICATOR LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYAMIDE RESIN COMPOSITION, FILM COMPRISING THE SAME AND POLYAMIDE-BASED LAMINATE FILM

Номер патента: US20120003361A1. Автор: . Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MATERIAL COMPOSITION AND OPTICAL ELEMENTS USING THE SAME

Номер патента: US20120004366A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTIVE COMPOSITION AND THE POWER CABLE USING THE SAME

Номер патента: US20120001128A1. Автор: Kim Yoon-Jin,Kim Ung,Ko Chang-Mo. Владелец: LS Cable & System Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SITE-SPECIFIC DELIVERY OF IMATINIB AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003319A9. Автор: Liversidge Gary,Jenkins Scott. Владелец: ELAN PHARMA INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MOTORIZED SHAVING APPARATUS HEAD AND SHAVING APPARATUS IMPLEMENTING THE SAME

Номер патента: US20120000075A1. Автор: Ben-Ari Tsafrir. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIGMENT COMPOSITION, INKJET RECORDING INK, COLORING COMPOSITION FOR COLOR FILTER, AND COLOR FILTER

Номер патента: US20120001133A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITION FOR ADVANCED NODE FRONT-AND BACK-END OF LINE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING

Номер патента: US20120003901A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR DRIVING AND SUPPORTING CRADLE AND MR SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120000016A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same

Номер патента: US20120001154A1. Автор: Kato Tomoki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC MATERIAL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001157A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Biomarkers for Inflammatory Bowel Disease and Methods Using the Same

Номер патента: US20120003158A1. Автор: Alexander Danny,SHUSTER Jeffrey,KORZENIK Joshua,ZELLA Garrett. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

C1ORF59 PEPTIDES AND VACCINES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120003253A1. Автор: Tsunoda Takuya,Ohsawa Ryuji,Yoshimura Sachiko,Watanabe Tomohisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Composition for Environmental Clean Up

Номер патента: US20120000856A1. Автор: Yancy Donald Lane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ADHESIVE COMPOSITION AND OPTICAL MEMBER USING THE SAME

Номер патента: US20120004369A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR OXYGEN TRANSPORT COMPRISING A HIGH OXYGEN AFFINITY MODIFIED HEMOGLOBIN

Номер патента: US20120004396A1. Автор: Vandegriff Kim D.,WINSLOW Robert M.. Владелец: SANGART, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITION FOR THE PREVENTION AND TREATMENT OF ALOPECIA, OR FOR HAIR GROWTH

Номер патента: US20120004439A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT GUIDING OBJECT AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002443A1. Автор: Ye Zhi-Ting,Huang Kuo-Jui. Владелец: WINTEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

TRIURANIUM DISILICIDE NUCLEAR FUEL COMPOSITION FOR USE IN LIGHT WATER REACTORS

Номер патента: US20120002778A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Layer Compressible Foam Sheet and Method of Making the Same

Номер патента: US20120000384A1. Автор: Vest Ryan W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATION MATERIAL COMPOSITION FOR DC POWER CABLE AND THE DC POWER CABLE USING THE SAME

Номер патента: US20120000694A1. Автор: . Владелец: LS Cable & System Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROMAGNETIC WAVE GATHERING DEVICE AND SOLAR CELL MODULE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120002291A1. Автор: Lee Shih-Chang,Hong Kai-Yi,Lo Wu-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRIURANIUM DISILICIDE NUCLEAR FUEL COMPOSITION FOR USE IN LIGHT WATER REACTORS

Номер патента: US20120002777A1. Автор: . Владелец: WESTINGHOUSE ELECTRIC COMPANY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Ophthalmic Compositions and Methods of Using the Same

Номер патента: US20120004265A1. Автор: Green Kenneth E.,CABALLA Susan,MINNO George E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEGRADABLE ADHESIVE COMPOSITIONS FOR SMOKING ARTICLES

Номер патента: US20120000477A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Environmentally-friendly fiber cement wallboards and methods of making the same

Номер патента: US20120003461A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATED EGG PROTEIN AND EGG LIPID MATERIALS, AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120004399A1. Автор: Mason David. Владелец: Rembrandt Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Sol-Gel Composition for Fabricating Conductive Fibers

Номер патента: US20120001369A1. Автор: Chao Yu-Chou,Lin Shang-Ming,Lin Jo-Chun,Chu Yun-Yun,Lin Yi-De. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

DELAYED-RELEASE ORAL PHARMACEUTICAL COMPOSITION FOR TREATMENT OF COLONIC DISORDERS

Номер патента: US20120003314A1. Автор: SHUKLA Vinay H.,SPILLER Eric M.. Владелец: ROXANE LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-5, UZM-5P, AND UZM-6 CRYSTALLINE ALUMINOSILICATE ZEOLITES AND METHODS FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120004485A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SOLUBILIZING TISSUE

Номер патента: US20120004592A1. Автор: Mitragotri Samir,Lebovitz Russell M.,OGURA Makoto,Pallwal Sumit. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.