Method for partially removing tungsten in semiconductor manufacturing process
Номер патента: US12074035B2
Опубликовано: 27-08-2024
Автор(ы): Chia-Ling Chung, Chun-Chih Cheng, Kuo-Bin Huang, Ming-Hsi Yeh, Ying-Liang Chuang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-08-2024
Автор(ы): Chia-Ling Chung, Chun-Chih Cheng, Kuo-Bin Huang, Ming-Hsi Yeh, Ying-Liang Chuang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for partially removing tungsten in semiconductor manufacturing process
Номер патента: US20230369063A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Chih Cheng,Ying-Liang Chuang,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.