A method to form lateral pad on edge of wafer
Номер патента: WO2011090572A2
Опубликовано: 28-07-2011
Автор(ы): Hinmeng Au
Принадлежит: Intel Corporation, Mohammed, Edris M.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-07-2011
Автор(ы): Hinmeng Au
Принадлежит: Intel Corporation, Mohammed, Edris M.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
A method to form lateral pad on edge of wafer
Номер патента: WO2011090572A3. Автор: Hinmeng Au. Владелец: Mohammed, Edris M.. Дата публикации: 2011-11-10.