Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor device
Номер патента: US20210366777A1
Опубликовано: 25-11-2021
Автор(ы): Chih-Teng Liao, I-Chen Chen, Kun-Yu Lin, Yi-Jen Chen, Yu-Ling Ko
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-11-2021
Автор(ы): Chih-Teng Liao, I-Chen Chen, Kun-Yu Lin, Yi-Jen Chen, Yu-Ling Ko
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device
Номер патента: US09437598B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.