X-Ray Scatterometry Based Measurements Of Memory Array Structures Stacked With Complex Logic Structures.

X-Ray Scatterometry Based Measurements Of Memory Array Structures Stacked With Complex Logic Structures

Номер патента: US20240302301A1
Опубликовано: 12-09-2024
Автор(ы): Boxue Chen, Daniel Haxton, Hyowon Park, Robert D. Press, Sandeep Inampudi, Sungchul Yoo
Принадлежит: KLA Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

X-ray scatterometry based measurements of memory array structures stacked with complex logic structures

Номер патента: WO2024186852A1. Автор: Hyowon Park,Sungchul Yoo,Robert Press,Sandeep Inampudi,Daniel J. HAXTON,Boxue BOXUE. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-09-12.

Calibration Of A Small Angle X-Ray Scatterometry Based Metrology System

Номер патента: US20180113084A1. Автор: John Hench,Nikolay ARTEMIEV,Antonio GELLINEAU,Joseph A. Di Regolo. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Process monitoring of deep structures with X-ray scatterometry

Номер патента: US11955391B2. Автор: Thaddeus Gerard Dziura,Antonio Arion Gellineau. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Full Beam Metrology For X-Ray Scatterometry Systems

Номер патента: US20220268714A1. Автор: John J. Hench,Andrei Veldman,Thaddeus Gerard Dziura,Antonio Arion Gellineau,Sergey Zalubovsky. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods and systems for compact, small spot size soft x-ray scatterometry

Номер патента: EP4248194A1. Автор: David Y. Wang,Michael Friedmann,Kerstin PURRUCKER. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Methods and systems for compact, small spot size soft x-ray scatterometry

Номер патента: WO2022132521A1. Автор: David Y. Wang,Michael Friedmann,Kerstin PURRUCKER. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods and systems for compact, small spot size soft x-ray scatterometry

Номер патента: US12013355B2. Автор: David Y. Wang,Michael Friedmann,Kerstin PURRUCKER. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Small-angle X-ray scatterometry

Номер патента: US12085521B2. Автор: Alex Dikopoltsev,Matthew Wormington,Alexander Krokhmal,Yuri Vinshtein. Владелец: Bruker Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Calibration of a small angle x-ray scatterometry based metrology system

Номер патента: IL302957B2. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-07-01.

Calibration of a small angle x-ray scatterometry based metrology system

Номер патента: IL302957B1. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-03-01.

Calibration of a small angle x-ray scatterometry based metrology system

Номер патента: IL302957A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-07-01.

Calibration of a small angle x-ray scatterometry based metrology system

Номер патента: IL265798A. Автор: . Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-06-30.

Calibration of a small angle x-ray scatterometry based metrology system

Номер патента: IL265798B. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Calibration of a small angle x-ray scatterometry based metrology system

Номер патента: IL285130B1. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Method, apparatus, computer software product and system for x-ray scatterometry

Номер патента: TWI764882B. Автор: 艾力克斯卡莫,艾力克斯迪可波謝夫,朱利文史丁. Владелец: 以色列商布魯克科技有限公司. Дата публикации: 2022-05-21.

METHOD AND APPARATUS FOR X-RAY SCATTEROMETRY

Номер патента: US20190339215A1. Автор: Krokhmal Alex,Dikopoltsev Alex,Vinshtein Juri. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Scatterometry-based imaging and critical dimension metrology

Номер патента: US09494535B2. Автор: Abdurrahman Sezginer,John Hench,Michael S. Bakeman. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Process Monitoring Of Deep Structures With X-Ray Scatterometry

Номер патента: US20180350699A1. Автор: Dziura Thaddeus Gerard,Gellineau Antonio Arion. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method and system for soft X-ray scatterometry with compact and small spot size

Номер патента: KR20230119651A. Автор: 마이클 프리드만,데이빗 와이. 왕,커스틴 푸룩커. Владелец: 케이엘에이 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-16.

Process monitoring for deep structures with x-ray scatterometry

Номер патента: KR20230098728A. Автор: 안토니오 겔리노,태디어스 제라드 디지우라. Владелец: 케이엘에이 코포레이션. Дата публикации: 2023-07-04.

Process Monitoring Of Deep Structures With X-Ray Scatterometry

Номер патента: US20200303265A1. Автор: Dziura Thaddeus Gerard,Gellineau Antonio Arion. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Small-angle x-ray scatterometry

Номер патента: WO2020008420A3. Автор: Alex Dikopoltsev,Matthew Wormington,Alexander Krokhmal,Yuri Vinshtein. Владелец: Bruker Jv Israel Ltd.. Дата публикации: 2020-07-30.

X-ray scatterometry weighing for high aspect ratio structures

Номер патента: JP6815401B2. Автор: サデアスゲラードズィウラ,サデアスゲラードズィウラ,アントニオアリオンゲリーンオウ,アントニオアリオンゲリーンオウ,アンドレイブイシチェグロフ,アンドレイブイシチェグロフ. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Methods And Systems For X-Ray Scatterometry Measurements Employing A Machine Learning Based Electromagnetic Response Model

Номер патента: US20240060914A1. Автор: John J. Hench,Boxue Chen,Mohsen Mahvash,Samad Jafarzanjani,Rebecca Shen,Christopher D. Liman. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods and systems for x-ray scatterometry measurements employing a machine learning based electromagnetic response model

Номер патента: WO2024039413A1. Автор: John J. Hench,Boxue Chen,Mohsen Mahvash,Samad Jafarzanjani,Rebecca Shen,Christopher D. Liman. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-02-22.

X-ray scatterometry apparatus

Номер патента: US09606073B2. Автор: Isaac Mazor,Alex Dikopoltsev,Matthew Wormington,Alex Krokhmal. Владелец: Bruker JV Israel Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

X-Ray Zoom Lens For Small Angle X-Ray Scatterometry

Номер патента: US20180188192A1. Автор: Friedmann Michael,Artemiev Nikolay. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

X-ray source optics for small-angle X-ray scatterometry

Номер патента: US20190323975A1. Автор: Krokhmal Alexander,Wormington Matthew,Vinshtein Yuri. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Full Beam Metrology For X-Ray Scatterometry Systems

Номер патента: US20180106735A1. Автор: Zalubovsky Sergey,Dziura Thaddeus Gerard,Veldman Andrei,Gellineau Antonio Arion,Hench John J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

METHOD AND APPARATUS FOR X-RAY SCATTEROMETRY

Номер патента: US20170199136A1. Автор: Krokhmal Alex,Dikopoltsev Alex,Vinshtein Juri. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Full beam metrology for x-ray scatterometry systems

Номер патента: IL303263B2. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Full Beam Metrology For X-Ray Scatterometry Systems

Номер патента: US20200300790A1. Автор: John J. Hench,Andrei Veldman,Thaddeus Gerard Dziura,Antonio Arion Gellineau,Sergey Zalubovsky. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Full beam metrology for x-ray scatterometry systems

Номер патента: IL265745B1. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-07-01.

Full beam metrology for x-ray scatterometry systems

Номер патента: IL265745B2. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Full beam metrology for x-ray scatterometry systems

Номер патента: IL303263A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-07-01.

Full beam metrology for x-ray scatterometry systems

Номер патента: IL303263B1. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-04-01.

Methods and systems for accurate measurement of deep structures having distorted geometry

Номер патента: WO2022173634A1. Автор: Thaddeus Gerard Dziura,John Hench. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-08-18.

Methods and systems for accurate measurement of deep structures having distorted geometry

Номер патента: WO2022173634A9. Автор: Thaddeus Gerard Dziura,John Hench. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods and systems for overlay measurement based on soft x-ray scatterometry

Номер патента: TW202132771A. Автор: 安德烈Ｖ舒傑葛洛夫,那達夫古特曼,亞歷山大庫茲尼斯夫,安東尼歐艾里昂吉里紐. Владелец: 美商科磊股份有限公司. Дата публикации: 2021-09-01.

Methods and systems for overlay measurement based on soft x-ray scatterometry

Номер патента: IL294469B1. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Methods and systems for overlay measurement based on soft x-ray scatterometry

Номер патента: IL294469B2. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-03-01.

Methods and systems for overlay measurement based on soft x-ray scatterometry

Номер патента: EP4078244A4. Автор: Alexander Kuznetsov,Nadav GUTMAN,Andrei V Shchegrov,Antonio GELLINEAU. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Test Key Design to Enable X-Ray Scatterometry Measurement

Номер патента: US20190029634A1. Автор: Yi-Hung Lin,Shyh-Shin Ferng,Chung-Li Huang,Chungwei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

X-ray source optics for small-angle x-ray scatterometry

Номер патента: KR102517042B1. Автор: 매튜 워밍턴,알렉산더 크로크말,유리 빈쉬타인. Владелец: 브루커 테크놀로지스 리미티드. Дата публикации: 2023-04-03.

Measurements Of Semiconductor Structures Based On Spectral Differences At Different Process Steps

Номер патента: US20240186191A1. Автор: Xi Chen,TIANHAO Zhang,Qiang Zhao,Dawei Hu,Yih Chang,Ming Di. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Measurements of semiconductor structures based on spectral differences at different process steps

Номер патента: WO2024118857A1. Автор: Xi Chen,TIANHAO Zhang,Qiang Zhao,Dawei Hu,Yih Chang,Ming Di. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Test Key Design to Enable X-Ray Scatterometry Measurement

Номер патента: US20190029634A1. Автор: Lin Yi-Hung,Ferng Shyh-Shin,Huang Chung-Li,Wang Chungwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Test Key Design to Enable X-Ray Scatterometry Measurement

Номер патента: US20200037979A1. Автор: Lin Yi-Hung,Ferng Shyh-Shin,Huang Chung-Li,Wang Chungwei. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Methods And Systems For Overlay Measurement Based On Soft X-Ray Scatterometry

Номер патента: US20210207956A1. Автор: Shchegrov Andrei V.,Kuznetsov Alexander,Gutman Nadav,Gellineau Antonio Arion. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Model based optical measurements of semiconductor structures with anisotropic dielectric permittivity

Номер патента: WO2018044572A1. Автор: Qiang Zhao,Zhengquan Tan,Andrei Shchegrov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

X-ray detection optics for small-angle X-ray scatterometry

Номер патента: US20190323974A1. Автор: Krokhmal Alexander,Wormington Matthew,PELED Asher. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Calibration Of A Small Angle X-Ray Scatterometry Based Metrology System

Номер патента: US20180113084A1. Автор: Di Regolo Joseph A.,Artemiev Nikolay,Hench John,Gellineau Antonio. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Full Beam Metrology For X-Ray Scatterometry Systems

Номер патента: US20220268714A1. Автор: Zalubovsky Sergey,Dziura Thaddeus Gerard,Veldman Andrei,Gellineau Antonio Arion,Hench John J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Beam Shaping Slit For Small Spot Size Transmission Small Angle X-Ray Scatterometry

Номер патента: US20170307548A1. Автор: Di Regolo Joseph A.,Artemiev Nikolay,Bykanov Alexander,Viatella John Wade. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Wafer alignment for small-angle X-ray scatterometry

Номер патента: US20190323976A1. Автор: Krokhmal Alexander,Wormington Matthew,PELED Asher,Vinshtein Yuri,Sheaffer Guy. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Beam shaping slit for small spot size transmission small angle x-ray scatterometry

Номер патента: WO2017185101A1. Автор: Alexander Bykanov,John Viatella,Joseph DIREGOLO,Nikolay ARTEMIEV. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2017-10-26.

Actuation synchronization mechanism for acoustic signal based measurements of batteries

Номер патента: US20240255472A1. Автор: Shaurjo Biswas,Andrew G. HSIEH,Dennis YU,Yu-Shi FONG. Владелец: Liminal Insights Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory arrays

Номер патента: US10241185B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory arrays

Номер патента: US9887239B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Small-Angle X-Ray Scatterometry

Номер патента: US20240377342A1. Автор: Alex Dikopoltsev,Matthew Wormington,Alexander Krokhmal,Yuri Vinshtein. Владелец: Bruker Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Analysis of X-ray Scatterometry Data using Deep Learning

Номер патента: US20240027374A1. Автор: Matthew Wormington,Michael G. Greene,Andrei Baranovskiy,Inbar Grinberg. Владелец: Bruker Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

X-ray zoom lens for small angle X-ray scatterometry

Номер патента: KR20190095525A. Автор: 마이클 프리드만,니콜라이 아르테미에프. Владелец: 케이엘에이 코포레이션. Дата публикации: 2019-08-14.

X-ray zoom lens for small-angle X-ray scatterometry

Номер патента: JP6906630B2. Автор: ニコライアルテミーヴ,マイケルフリードマン. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2021-07-21.

X-ray zoom lens for small-angle X-ray scatterometry

Номер патента: JP2020506401A. Автор: ニコライアルテミーヴ,マイケルフリードマン. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Small-angle x-ray scatterometry

Номер патента: US11703464B2. Автор: Alex Dikopoltsev,Matthew Wormington,Alexander Krokhmal,Yuri Vinshtein. Владелец: Bruker Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Small-Angle X-Ray Scatterometry

Номер патента: US20220042933A1. Автор: Krokhmal Alexander,Wormington Matthew,Dikopoltsev Alex,Vinshtein Yuri. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

X-Ray Scatterometry Metrology For High Aspect Ratio Structures

Номер патента: US20170167862A1. Автор: Shchegrov Andrei V.,Dziura Thaddeus Gerard,Gellineau Antonio Arion. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

X-RAY SCATTEROMETRY APPARATUS

Номер патента: US20150369759A1. Автор: Wormington Matthew,Mazor Isaac,Krokhmal Alex,Dikopoltsev Alex. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Analysis of x-ray scatterometry data using deep learning

Номер патента: IL303689A. Автор: Wormington Matthew,Grinberg Inbar,Baranovskiy Andrei,G Greene Michael. Владелец: Bruker Tech Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory array and measuring and testing methods for inter-hamming differences of memory array

Номер патента: US20180157555A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Saman M. I. Adham,Kun-Hsi Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Combined spectroscopic reflectometry and pattern recognition based measurements of semiconductor structures

Номер патента: WO2024220227A1. Автор: David Y. Wang,Shankar Krishnan. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-10-24.

Combined Spectroscopic Reflectometry And Pattern Recognition Based Measurements Of Semiconductor Structures

Номер патента: US20240353321A1. Автор: David Y. Wang,Shankar Krishnan. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods And Systems For Model-less, Scatterometry Based Measurements Of Semiconductor Structures

Номер патента: US20240085321A1. Автор: LIANG Yin,Jeremy Smith,John Hench,Boxue Chen,Hyowon Park,Christopher Liman,Tianhan Wang,Akshay Krishna. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods and systems for model-less, scatterometry based measurements of semiconductor structures

Номер патента: WO2024054388A1. Автор: LIANG Yin,Jeremy Smith,John Hench,Boxue Chen,Hyowon Park,Christopher Liman,Tianhan Wang,Akshay Krishna. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-03-14.

Non-contact measurement of memory cell threshold voltage

Номер патента: US20190189237A1. Автор: Zengtao T. Liu,Hongmei Wang,Amitava Majumdar,Shawn D. Lyonsmith,Ervin T. Hill,Rajesh Kamana,Marlon W. Hug. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Reducing complexity of pattern-based measurements

Номер патента: EP2697998A1. Автор: Iana Siomina,Muhammad Kazmi. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2014-02-19.

Stereophonic coding based on mdct with complex prediction

Номер патента: RU2683175C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Понтус КАРЛЬССОН. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2019-03-26.

Stereophonic coding based on mdct with complex prediction

Номер патента: RU2698154C1. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС,Хейко ПУРНХАГЕН,Понтус КАРЛЬССОН. Владелец: Долби Интернешнл Аб. Дата публикации: 2019-08-22.

Accurate and model-based measurement and management systems and methods

Номер патента: US11536794B1. Автор: Donald J. Peterson,Andrew S. Cromarty,Jasen Levoy,William Charles Calhoun. Владелец: HEATHKIT COMPANY Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Accurate and model-based measurement and management systems and methods

Номер патента: US11879956B1. Автор: Donald J. Peterson,Andrew S. Cromarty,Jasen Levoy,William Charles Calhoun. Владелец: HEATHKIT COMPANY Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Stacked vertical memory array architectures, systems and methods

Номер патента: US09672917B1. Автор: Yanli Zhang,Henry Chien,Yao-Sheng Lee,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor constructions, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: US09614006B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140256100A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US20140252418A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Electrical coupling of memory cell access devices to a word line

Номер патента: US09343545B2. Автор: Jing Li,Chung H. Lam,Edward W. Kiewra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Memory chiplet having multiple arrays of memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230389341A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US09721663B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US09520554B2. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

3D voltage switching transistors for 3D vertical gate memory array

Номер патента: US09478259B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory array structures for capacitive sense nand memory

Номер патента: US20220181346A1. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20210111226A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: US20200294599A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: WO2020131397A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack

Номер патента: US6631085B2. Автор: Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,N. Johan Knall. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: US20210296360A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Reducing capacitive loading of memory system based on switches

Номер патента: US11823769B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220392527A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Reducing capacitive loading of memory system based on switches

Номер патента: US20230386538A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

MTJ memory array subgrouping method and related drive circuitry

Номер патента: US09997564B2. Автор: Daniel R. Shepard. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Monolithic three dimensional memory arrays with staggered vertical bit line select transistors and methods therfor

Номер патента: US09530824B2. Автор: Yoshio Mori,Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Programmable and convertible non-volatile memory array

Номер патента: US5717634A. Автор: Michael C. Smayling,Giovanni Santin,Giulio Marotta,Pietro Piersimoni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Nrom memory cell, memory array, related devices and methods

Номер патента: US20090072303A9. Автор: Leonard Forbes,Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280595A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Circuit and method to enhance efficiency of memory

Номер патента: US11793000B2. Автор: Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods including a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895835B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377653A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Constructions, Electronic Systems, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20170271411A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20160087010A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230395149A1. Автор: Rita J. Klein,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,David Ross Economy,Everett A. McTeer,Jiewei Chen,Aaron P. Thurber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022240496A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Circuit and method to enhance efficiency of memory

Номер патента: US20230380184A1. Автор: Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Circuit and method to enhance efficiency of memory

Номер патента: US20210202575A1. Автор: Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230386575A1. Автор: Adam W. Saxler,John D. Hopkins,Collin Howder,Haoyu Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11956950B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11996151B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory array having segmented row addressed page registers

Номер патента: US09653151B1. Автор: Bruce Bateman,Adrian E. Ong. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

A program lock circuit for a mask programmable anti-fuse memory array

Номер патента: CA2645788C. Автор: Wlodek Kurjanowicz. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Integrated Circuitry, Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells, Methods Used In Forming Integrated Circuitry, And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230389314A1. Автор: David H. Wells,Amritesh Rai,Pengyuan Zheng,Adam Barton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: WO2020149917A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US11805653B2. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343394A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A3. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: EP3912191A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230377652A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Driver placement in memories having stacked memory arrays

Номер патента: US20240147729A1. Автор: Haitao Liu,Gurtej S. Sandhu,Lifang Xu,Sanh D. Tang,Kamal M. Karda,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Clamp elements for phase change memory arrays

Номер патента: US20180123039A1. Автор: Fabio Pellizzer,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Content addressable memory cells and memory arrays

Номер патента: US09711222B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US09443590B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory devices and programming memory arrays thereof

Номер патента: US09437304B2. Автор: Haitao Liu,Krishna Parat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Laser programmable memory array

Номер патента: US4872140A. Автор: Andrew C. Graham,David C. MacMillan. Владелец: Gazelle Microcircuits Inc. Дата публикации: 1989-10-03.

Programmable and convertible non-volatile memory array

Номер патента: US5732021A. Автор: Michael C. Smayling,Giovanni Santin,Giulio Marotta,Pietro Piersimoni,Cristina Lattaro. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-24.

Integrated circuitry, memory circuitry comprising strings of memory cells, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: WO2023080956A1. Автор: Rui Zhang,Nancy M. LOMELI,Shuangqiang Luo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-11.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: WO2019182722A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Bipolar selector device for a memory array

Номер патента: US20210143211A1. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas,Shamin Houshmand Sharifi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-05-13.

Cubic memory array

Номер патента: EP1609186A1. Автор: Daryl E. Anderson,Andrew L. Van Brocklin,Peter J. Fricke. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-12-28.

Word Line Decoder Circuitry under a Three-Dimensional Memory Array

Номер патента: US20190057741A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3660901A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-03.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: EP3375012A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-09-19.

Word line decoder circuitry under a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2017142617A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takuya Ariki,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-24.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20230005535A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

One selector one resistor mram crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US20200411589A1. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Circuit and method to enhance efficiency of memory

Номер патента: US20230380185A1. Автор: Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Staircase structures for accessing three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240021521A1. Автор: Yiping Wang,Collin Howder,Harsh Narendrakumar Jain,Martin Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US20200243134A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: EP3769337A1. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20200350371A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Self-selecting local bit line for a three-dimensional memory array

Номер патента: US09613689B1. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Fin Field-Effect Transistor (FinFET) Based Semiconductor Memory Array Having Memory Cells Using A Reduced Surface Area

Номер патента: US20240062811A1. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: US20200066327A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US11862280B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US11501803B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-21.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20200194038A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20240185892A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: EP3900045A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: US20210035612A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: US20210125661A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory arrays with vertical thin film transistors coupled between digit lines

Номер патента: WO2020040832A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Crossbar resistive memory array with highly conductive copper/copper alloy electrodes and silver/silver alloys electrodes

Номер патента: US20180287061A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods and apparatus for pattern matching in a memory containing sets of memory elements

Номер патента: US10984864B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Uniform voltage drop in arrays of memory devices

Номер патента: GB2616152A. Автор: Reznicek Alexander,KIM Youngseok,OK Injo,Seo Soon-Cheon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for fabricating transistorless, multistable current-mode memory cells and memory arrays

Номер патента: US6015738A. Автор: Harold J. Levy,Thomas C. McGill. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2000-01-18.

Virtual ground non-volatile memory array

Номер патента: US11849577B2. Автор: Hieu Van Tran,Hung Quoc Nguyen,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20160104532A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-14.

Layout structures of memory array and related methods

Номер патента: US11842781B2. Автор: Yih Wang,Shao-Yu Chou,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Content addressable memory cells, memory arrays and methods of forming the same

Номер патента: US20160351261A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Crossbar memory array in back end of line with crystallization front

Номер патента: US20230180638A1. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Crossbar resistive memory array with highly conductive copper/copper alloy electrodes and silver/silver alloys electrodes

Номер патента: US20180287059A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

High-density SOI cross-point memory array and method for fabricating same

Номер патента: US20040235309A1. Автор: Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Crossbar resistive memory array with highly conductive copper/copper alloy electrodes and silver/silver alloys electrodes

Номер патента: US20180287060A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Marwan H. Khater. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Rom cell and array structure

Номер патента: US20110069527A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240355391A1. Автор: Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Pengyuan Zheng,Ravi Jadhav. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device tunnel insulating layers included in the plurality of memory cells having different thicknesses according to distances of the plurality of memory cells from the X-decoder

Номер патента: US09646698B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Methods And Systems For Scatterometry Based Metrology Of Structures Fabricated On Transparent Substrates

Номер патента: US20240201073A1. Автор: Xi Chen,Shankar Krishnan,Kaichun Yang. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods and systems for scatterometry based metrology of structures fabricated on transparent substrates

Номер патента: WO2024129518A2. Автор: Xi Chen,Shankar Krishnan,Kaichun Yang. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods and systems for data driven parameterization and measurement of semiconductor structures

Номер патента: WO2023101917A3. Автор: Stilian Ivanov Pandev,Arvind Jayaraman,Proteek Chandan Roy,Hyowon Park,Sungchul Yoo,Antonio GELLINEAU. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-08-03.

Image-based measurements of biological forces in a dual optical trap

Номер патента: US11977019B2. Автор: Michelle D. WANG,James Inman,Jessica L. Killian. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-07.

Refractive index based measurements

Номер патента: EP2976623A1. Автор: Thomas Martini JØRGENSEN,Henrik Schiøtt SØRENSEN. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2016-01-27.

Refractive index based measurements

Номер патента: EP2976625A1. Автор: Thomas Martini JØRGENSEN,Henrik Schiøtt SØRENSEN. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2016-01-27.

Image-based measurement of a fluid

Номер патента: US09611735B2. Автор: Akira Kamiya,Tsutomu Yamate,Yutaka Imasato,Theodorus Tjhang,Kazumasa Kanayama. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Non-destructive testing of pipe product with complex shape

Номер патента: RU2767146C2. Автор: Оливье ЛАДЗАРИ. Владелец: Валлурек Тьюбс Франс. Дата публикации: 2022-03-16.

Compounds and Methods for FRET Based Measurement of Enzyme Activity

Номер патента: US20130078661A1. Автор: Sriram Neelamegham,Kannayakanahalli Dayananda. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2013-03-28.

Refractive index based measurements

Номер патента: EP2976624A1. Автор: Thomas Martini JØRGENSEN,Henrik Schiøtt SØRENSEN. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2016-01-27.

Reproducible reference standards for filter-based measurements of carbonaceous aerosols found in environmental samples

Номер патента: US10830684B2. Автор: Anthony D. A. Hansen,Paul A. Solomon,Anna-Marie HYATT. Владелец: GOVERNMENT OF UNITED STATES US ENVIRONMENTAL PROTECTION AGENCY, Administrator of. Дата публикации: 2020-11-10.

Stand for the study of hydrocarbon liquids with complex rheological properties

Номер патента: RU2677073C1. Автор: Рустам Зайтунович Сунагатуллин,Расим Фавасимович Мингазетдинов,Рустэм Рильевич Исламов,Максим Валерьевич Суховей,Вадим Владимирович Бортник,Антон Владимирович Авдей. Владелец: Акционерное общество "Транснефть-Север" (АО "Транснефть-Север"). Дата публикации: 2019-01-15.

System of microcalorimeter and faraday cylinder with complex radiation receiver

Номер патента: RU2726319C1. Автор: Александр Геннадьевич Кузин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2020-07-13.

Automatically testing a plurality of memory arrays on selected memory array testers

Номер патента: US4606025A. Автор: Robert M. Peters,Henri D. Schnurmann,Louis J. Vidunas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Cable-Based Measuring System

Номер патента: US20190212127A1. Автор: Niklas Pettersson. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Cable-based measuring system

Номер патента: US20240318953A1. Автор: Niklas Pettersson. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Cable-based measuring system

Номер патента: US09541422B2. Автор: Niklas Pettersson. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for radar measurement of sea vehicle (ship) hull vibration

Номер патента: RU2718131C1. Автор: Александр Федорович Миронов,Леонид Михайлович Краснов,Александр Петрович Гринкевич,Павел Александрович Миронов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Черноморское высшее военно-морское ордена Красной Звезды училище имени П.С. Нахимова" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2020-03-30.

Method and device for testing memory array structure, and storage medium

Номер патента: US11823756B2. Автор: Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Cable-based measuring system

Номер патента: US12000690B2. Автор: Niklas Pettersson. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatus and methods for performing wavefront-based and profile-based measurements of an aspheric surface

Номер патента: EP2986933A1. Автор: Steven James VANKERKHOVE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-02-24.

Apparatus and methods for performing wavefront-based and profile-based measurements of an aspheric surface

Номер патента: WO2014172255A1. Автор: Steven James VANKERKHOVE. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-23.

Measure of disc degeneration and pathology

Номер патента: EP2967441A1. Автор: Keijo Tapio VIDEMAN. Владелец: Battie Michele Crites. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of measuring of angular coordinate of an object and radar station for its implementation

Номер патента: RU2605433C1. Автор: Юрий Иванович Чони,Искандер Рафисович Гилазиев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2016-12-20.

Apparatus and method for decreasing vibrational sensitivity of strain-based measurements of fluid flow parameters for a fluid flow within a conduit

Номер патента: US20210293596A1. Автор: Daniel L. Gysling,Gabriel Dragnea,Siddesh SRIDHAR. Владелец: Expro Meters Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Apparatus and method for decreasing vibrational sensitivity of strain-based measurements of fluid flow parameters for a fluid flow within a conduit

Номер патента: CA3171290A1. Автор: Daniel Gysling,Gabriel Dragnea,Siddesh SRIDHAR. Владелец: Expro Meters Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Image-based measurement tools

Номер патента: US09696897B2. Автор: Maurice Garcia. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-07-04.

Precise positioning using differential carrier phase (dcp)-based measurement updates

Номер патента: US20240319385A1. Автор: James Stephen,Min Wang,Ning Luo,Yinghua Yang,Yuxiang PENG,Furqan AHMED. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Quantitative classification method for effective reservoirs with complex lithology

Номер патента: NL2035986B1. Автор: Liu Chang,He Hui,Hu Shuiqing,Xie Lin,LI Xianming,HU Yafei,HE Jianhong,Liu Shujian. Владелец: Petrochina Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-12.

Devices and methods for collecting volumetric measurements of objects with complex shapes

Номер патента: US20240263984A1. Автор: Truman COMBS,Kamel DIDAN. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for direct search of high-yield oil formations in oil deposits with complex structure

Номер патента: RU2628584C2. Автор: Анатолий Вениаминович Торсунов,Андрей Анатольевич Торсунов. Владелец: Андрей Анатольевич Торсунов. Дата публикации: 2017-08-21.

Method of downhole tools delivery to bottoms of drilled wells with complex profile, carrying out geophysical survey and complex for its implementation

Номер патента: RU2603322C1. Автор: Анатолий Данилович Савич,Антон Анатольевич Шадрунов,Александр Владимирович Шумилов,Сергей Сергеевич Черепанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Предприятие "ФХС-ПНГ". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of recording and processing of reflected seismic signals and gear to conduct prospecting in media with complex tectonics

Номер патента: RU2193217C2. Автор: Кристиан ДЕПЛАНТЭ,БАЗЕЛЭР Эрик Дэ,Алан РИУ. Владелец: Эльф Эксплорасьон Продюксьон. Дата публикации: 2002-11-20.

Full address coverage during memory array built-in self test with minimum transitions

Номер патента: US9651617B2. Автор: Thomas Jew,David W. Chrudimsky,Edward Bryann C. Fernandez. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory array structures having multiple sub-blocks, apparatus containing such memory array structures, and operation of such apparatus

Номер патента: EP4397151A1. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Apparatus containing memory array structures having multiple sub-blocks

Номер патента: US12112805B2. Автор: Shuji Tanaka,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20240305759A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Nonvolatile memory array organization and usage

Номер патента: WO2005112035A3. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Ki-tae Park,Tomoko Ogura. Владелец: Tomoko Ogura. Дата публикации: 2006-12-07.

Nonvolatile memory array organization and usage

Номер патента: WO2005112035A2. Автор: Seiki Ogura,Nori Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh,Ki-tae Park,Tomoko Ogura. Владелец: HALO LSI, INC.. Дата публикации: 2005-11-24.

3d cell and array structures

Номер патента: WO2024167698A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

3d cell and array structures

Номер патента: US20240274193A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Server memory array cooling hardware

Номер патента: US12108566B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Physically unclonable fuse using a NOR type memory array

Номер патента: US09436845B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Subramanian S. Iyer,Toshiaki Kirihata,Sami Rosenblatt,Derek H. Leu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20210144350A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: US20190379871A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: US20190267083A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: EP3583627A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: US20210183441A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Efficient utilization of memory die area

Номер патента: SG11201907437UA. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-27.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: EP4122013A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-25.

State-by-state program loop delta detection mode for detecting a defective memory array

Номер патента: US11775374B2. Автор: QIN Zhen,Liang Li,Chenxiao Xu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array with asymmetric bit-line architecture

Номер патента: US20240260279A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

NROM memory cell, memory array, related devices and methods

Номер патента: US7269071B2. Автор: Leonard Forbes,Kirk D. Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-11.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

An image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: EP3803778A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

An image processor formed in an array of memory cells

Номер патента: WO2019236191A1. Автор: Fa-Long Luo,Jaime C. Cummins,Tamara Schmitz. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US11735255B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

NAND memory arrays

Номер патента: US20070063262A1. Автор: Garo Derderian,Todd Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US11915740B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Protected regions management of memory

Номер патента: WO2020180464A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device including a memory array performing a multiplication and accumulation (MAC) operation using capacitors

Номер патента: US11881243B2. Автор: Hyukjin Lee,Kyunghyun Kim,Seonghwan Cho,Jino SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory array containing capped aluminum access lines and method of making the same

Номер патента: WO2021262240A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-12-30.

Protected regions management of memory

Номер патента: US20240134677A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Protected regions management of memory

Номер патента: EP3935499A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-12.

Architecture for multideck memory arrays

Номер патента: US20240237360A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US20100061155A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US7903464B2. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11895834B2. Автор: Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Server memory array cooling hardware

Номер патента: US20230301022A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Timing control circuit of memory device with tracking word line and tracking bit line

Номер патента: US20230352085A1. Автор: He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng,Lu-Ping KONG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Architecture of a phase-change nonvolatile memory array

Номер патента: US6816404B2. Автор: Osama Khouri,Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer,Giorgio Bosisio. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Architecture for multideck memory arrays

Номер патента: US11963370B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071500A1. Автор: Jin Yue,Jae Young Ahn,Kyubong JUNG,Jae Kyu Choi,Albert Fayrushin,Jun Kyu YANG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: US20070183202A1. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-09.

Method to use laminate gap fill to reduce thermal cross talk in 3d x-point memory array

Номер патента: WO2022073221A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Efficient filtering with complex modulated filterbank

Номер патента: RU2453986C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС. Владелец: Долби Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2012-06-20.

Efficient filtering with complex modulated filter bank

Номер патента: RU2507678C2. Автор: Ларс ВИЛЛЕМОЕС. Владелец: Долби Интернэшнл Аб. Дата публикации: 2014-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory with NAND structure memory arrays

Номер патента: US5587948A. Автор: Hiroto Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-24.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Temperature compensation circuit and method for neural network computing-in-memory array

Номер патента: US11720327B2. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Correcting soft reliability measures of storage values read from memory cells

Номер патента: US09489257B2. Автор: Eyal Gurgi,Tomer Ish-Shalom,Moti Teitel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory cells and memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240194264A1. Автор: Ramanathan GANDHI,Dmitry MIKULIK,Leo Lukose. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US12079589B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: US09846644B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09691475B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

System and Method of Authenticating and Restoring Firmware of Complex Logic Devices

Номер патента: US20200293661A1. Автор: Mukund Purshottam Khatri,Wei G. Liu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-09-17.

Control circuit of memory device

Номер патента: US20220189541A1. Автор: He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng,Lu-Ping KONG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

System and method of memory management in communication networks

Номер патента: US20210250307A1. Автор: Shyam Sundar Pal,Gopinath Das. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: EP4101004A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Cryptographic isolation of memory compartments in a computing environment

Номер патента: US12050701B2. Автор: David M. Durham,Santosh Ghosh,Sergej Deutsch,Michael E. Kounavis,Michael LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Programming of memory cells using a memory string dependent program voltage

Номер патента: US12051467B2. Автор: Henry Chin,Deepanshu Dutta,Huai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Address generation for multiple access of memory

Номер патента: WO2010001239A3. Автор: Esko Nieminen. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2010-04-15.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Systems and methods for management of memory in information delivery environments

Номер патента: WO2002039285A2. Автор: Scott C. Johnson,Chaoxin C. Qiu,Mark J. Conrad,Theodore S. Webb. Владелец: Surgient Networks, Inc.. Дата публикации: 2002-05-16.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and method for error correction of memory

Номер патента: US09886340B2. Автор: Jung Ho Ahn,Namsung KIM. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods and apparatus to control generation of memory access requests

Номер патента: US09772958B2. Автор: Jayaram Mudigonda,Jeffrey Clifford Mogul. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-26.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US09563228B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Retention drift correction in non-volatile memory arrays

Номер патента: US20220343975A1. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071966A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09461246B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Three-dimensional memory device with layer contact via structures located in a memory array region and methods of forming the same

Номер патента: US20240381639A1. Автор: Takaaki IWAI,Yuji TOTOKI,Keisuke Izumi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: WO2024051689A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Arrays of elevationally-extending strings of memory cells and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09985049B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device with electrode connecting to circuit chip through memory array chip

Номер патента: US09558945B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Minimizing disturbs in dense non volatile memory arrays

Номер патента: US09490261B2. Автор: Boaz Eitan,Amichai GIVANT,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory arrays comprising operative channel-material strings and dummy pillars

Номер патента: US20240321727A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Transistors, Memory Arrays, And Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Transistor

Номер патента: US20210335793A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Contact strap for memory array

Номер патента: US09842844B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu,Kian Hong LIM. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar

Номер патента: US09455266B2. Автор: Theodore T. Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Double-sided embedded memory array

Номер патента: US20240099035A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Transistors, memory arrays, and methods used in forming an array of memory cells individually comprising a transistor

Номер патента: WO2021216249A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-28.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US6825077B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-30.

Manufacturing method of memory structure

Номер патента: US20230049425A1. Автор: Shu-Ming Li,Keng-Ping Lin,Tzu-Ming Ou Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11569120B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057433A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125919A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230209827A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11856764B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11864387B2. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory array architecture, and method of controlling same

Номер патента: US20070241405A1. Автор: Gregory Allan Popoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230345723A1. Автор: Yiping Wang,Adam W. Saxler,Narula Bilik. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20190006376A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057428A1. Автор: Yiping Wang,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Ramey M. Abdelrahaman,Matthew J. King,David NEUMEYER,Daniel Billingsley,Chandra Tiwari,Andrew Li,Wei Yeeng Ng,Narula Bilik,Lance Williamson,Zhenyu Bo,Joan M. Kash,Yung K. Pak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230317800A1. Автор: LEI Wei,Gurpreet Lugani,Sumeet C. Pandey,Dhirendra Dhananjay Vaidya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320085A1. Автор: Shyam Surthi,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240081052A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240074179A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array comprising memory cells individually comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US12004354B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210125920A1. Автор: Yi Hu,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057440A1. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210399012A1. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Wei Yeeng Ng,Chandra Twari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20240081067A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

3-dimensional NOR memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US12052867B2. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Boundary design to reduce memory array edge cmp dishing effect

Номер патента: US20200098778A1. Автор: Wei Cheng Wu,Chien-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20240357817A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Three dimensional memory arrays and stitching thereof

Номер патента: US09627438B1. Автор: Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230207631A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Buried metal signal rail for memory arrays

Номер патента: US20240079326A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kohji Hosokawa,Nicholas Anthony Lanzillo,Geoffrey Burr,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11937428B2. Автор: Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: WO2024005806A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Lateral transistors for selecting blocks in a three-dimensional memory array and methods for forming the same

Номер патента: US11882702B2. Автор: Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory Arrays and Methods Used in Forming a Memory Array Comprising Strings of Memory Cells

Номер патента: US20230337429A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230290860A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230397420A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11967632B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889683B2. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated Circuitry Comprising A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230422503A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220077186A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210358938A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220130859A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792983B2. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Swapnil Lengade,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240138145A1. Автор: John D. Hopkins,Darwin A. Clampitt,Christopher R. Ritchie,Michael J. Puett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory array and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022103538A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320092A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: US20240008255A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210376122A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210175247A1. Автор: Kunal Shrotri,Terry H. Kim,Manzar Siddik,Chris M. Carlson,Srinath Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Access circuitry structures for three-dimensional memory array

Номер патента: US20240088044A1. Автор: Taehyun Kim,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Boundary design to reduce memory array edge cmp dishing effect

Номер патента: US20200098777A1. Автор: Wei Cheng Wu,Chien-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11411012B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US11856779B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210143054A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11791202B2. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuitry, a method used in forming integrated circuitry, and a method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11495610B2. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4059052A1. Автор: David Daycock,Lingyu Kong,Leroy Ekarista Wibowo,Venkata Satyanarayana Murthy Kurapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Integrated Circuitry And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230363163A1. Автор: John D. Hopkins,Ayssa N. Scarbrough. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20200127004A1. Автор: Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Eldon Nelson,John D. Hopkins,Paolo Tessariol,Nancy M. LOMELI,Indra V. Chary,Damir Fazil,Merri L. Carlson,Erik Byers,Dimitrios Pavlopoulos,Joel D. PETERSON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Method used in forming a memory array comprising strings of memory cells and using bridges in sacrificial material in a tier

Номер патента: US11974429B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

One selector one resistor MRAM crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US11056534B2. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor device, memory array and method of forming the same

Номер патента: US20210375885A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20190386063A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Boundary design to reduce memory array edge CMP dishing effect

Номер патента: US11424263B2. Автор: Wei Cheng Wu,Chien-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Boundary design to reduce memory array edge cmp dishing effect

Номер патента: US20220359558A1. Автор: Wei Cheng Wu,Chien-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Integrated circuitry and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046413A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20210375992A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Vertically stacked and bonded memory arrays

Номер патента: EP4109534A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Cross-point memory array device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180315796A1. Автор: JONGHO LEE,JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

3-d memory arrays

Номер патента: WO2014123660A1. Автор: Deepak Thimmegowda,Khaled Hasnat,Brian Cleereman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory Arrays And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20180277602A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Three-dimensional memory array including dual work function floating gates and method of making the same

Номер патента: US20220254798A1. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory die with source side of three-dimensional memory array bonded to logic die and methods of making the same

Номер патента: US20220181343A1. Автор: Masanori Tsutsumi,Naohiro Hosoda,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-09.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US11721685B2. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of controlling oxide thinning in an eprom or flash memory array

Номер патента: WO1995012213A1. Автор: Albert Bergemont,Graham R. Wolstenholme. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-05-04.

3-dimensional nor memory array with very fine pitch: device and method

Номер патента: US20210313348A1. Автор: Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Methods of forming a channel region of a transistor and method used in forming a memory array

Номер патента: EP3704742A1. Автор: Jie Li,David H. Wells,Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-09.

Methods Of Forming A Channel Region Of A Transistor And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20190198320A1. Автор: Jie Li,David H. Wells,Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Methods of forming a channel region of a transistor and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2019133274A1. Автор: Jie Li,David H. Wells,Kunal Shrotri,Anish A. Khandekar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20220037402A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Номер патента: US20230343771A1. Автор: Thomas Edward Dungan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US20030011021A1. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor memory having a plurality of memory-cell arrays

Номер патента: US6686618B2. Автор: Helmut Schneider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-02-03.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory arrays; methods of forming memory arrays; and methods of forming contacts to bitlines

Номер патента: WO2005117121A2. Автор: Luan C. Tran,Fred D. Fishburn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Offset Geometries for Area Reduction in Memory Arrays

Номер патента: US20110018035A1. Автор: Theodore W. Houston,Robert R. Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US09559104B2. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Variable-structure stacked cable topology and packaging method therefor

Номер патента: US20230386704A1. Автор: Xueliang Wang,Jie SHENG,Longbiao WANG,Zhuyong LI. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-11-30.

Double bandwidth algorithmic memory array

Номер патента: US09870163B2. Автор: Igor Arsovski,Eric D. Hunt-Schroeder,Mark W. Kuemerle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory array structures and methods for determination of resistive characteristics of access lines

Номер патента: EP4082014A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Paolo Tessariol,Erwin E. Yu,Tomoka Ogura IWASAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US09411392B2. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Local power domains for memory sections of an array of memory

Номер патента: US20120182820A1. Автор: Simon J. Lovett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-19.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US09563556B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US09406373B2. Автор: Bing Wang,Young Suk Kim,Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG,Derek C. Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20220230676A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US11810611B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Devices including memory arrays, row decoder circuitries and column decoder circuitries

Номер патента: US09711224B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

System and method to store data in an adjustably partitionable memory array

Номер патента: US09558114B2. Автор: Wolfgang Beck,Thomas Liebermann,Rex Kho,Michael Hassel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: WO2015119830A1. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: 1/Apple Inc.. Дата публикации: 2015-08-13.

Global write driver for memory array structure

Номер патента: US20150227456A1. Автор: Ajay Bhatia,Michael Dreesen. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory device for scheduling maximum number of memory macros write operations at re-arranged time intervals

Номер патента: US12026404B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Method and Apparatus for Implementing Complex Logic Within a Memory Array

Номер патента: US20090027079A1. Автор: Jose Angel Paredes,Andrew James Bianchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method and apparatus for implementing complex logic within a memory array

Номер патента: US20080136447A1. Автор: Jose Angel Paredes,Andrew James Bianchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Sensing circuit for resistive memory array

Номер патента: US09761309B2. Автор: Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-12.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20120110375A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Method and apparatus for built-in self-repair of memory storage arrays

Номер патента: EP1352396A2. Автор: Timothy J. Wood,Gerald D. Zuraski, Jr.,Raghuram S. Tupuri. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-15.

Memory array with multiple read ports

Номер патента: US20050135179A1. Автор: Juergen Pille,Martin Eckert,Dieter Wendel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Shared built-in self-analysis of memory systems employing a memory array tile architecture

Номер патента: US09653183B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory array plane select

Номер патента: US09543003B2. Автор: Jong Won Lee,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Self-adjusting regulation current for memory array source line

Номер патента: US09368224B2. Автор: Jongmin Park,Jonathan Huynh,Steve Choi,Sung-En Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Screening of memory circuits

Номер патента: EP3939045A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Francisco Adolfo Cano,Anthony Martin HILL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-01-19.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Operating a memory array based on an indicated temperature

Номер патента: US11762585B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

All level coarse/fine programming of memory cells

Номер патента: US20230317171A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for reducing erase time of memory by using partial pre-programming

Номер патента: US09502121B2. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory array, memory device, and methods for reading and operating the same

Номер патента: US09418763B2. Автор: Chen-Yi Huang,Jiaqi Yang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Local power domains for memory sections of an array of memory

Номер патента: US20100128550A1. Автор: Simon J. Lovett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Memory array device and method for reducing read current of the same

Номер патента: US20140085986A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Pre-read operation for multi-pass programming of memory devices

Номер патента: US20230307058A1. Автор: Nagendra Prasad Ganesh Rao,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20230012644A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method and Apparatus for Wordline Redundancy Control of Memory in an Information Handling System

Номер патента: US20080013388A1. Автор: Osamu Takahashi,Toru Asano,Sang H. Dhong,Takaaki Nakazato. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory array

Номер патента: US20230268000A1. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory array reset read operation

Номер патента: US12119051B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory array

Номер патента: US12009031B2. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Enable/disable of memory chunks during memory access

Номер патента: US09536582B2. Автор: Toru Tanzawa,Koichi Kawai,Satoru Tamada,Tetsuji Manabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Neural network weight distribution from a grid of memory elements

Номер патента: US11521085B2. Автор: Jun Sawada,Dharmendra S. Modha,John V. Arthur,Andrew S. Cassidy,Pallab Datta,Brian Taba,Tapan K. Nayak,Carlos O. Otero,Filipp A. Akopyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US20230393989A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20220215868A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method and system for refresh of memory devices

Номер патента: US20210264970A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Screening of memory circuits

Номер патента: US20200294614A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Francisco Adolfo Cano,Anthony Martin HILL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20240249785A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US09653127B1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Distributed memory array supporting random access and file storage operations

Номер патента: EP2434406A2. Автор: Clifford E. Kimmery. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Method and apparatus using mapped redundancy to perform multiple large block memory array repair

Номер патента: US5495447A. Автор: Hamid Partovi,Steven W. Butler. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US11769539B2. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887663B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Arrangements of memory devices and methods of operating the memory devices

Номер патента: US11817144B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Systems, memories, and methods for refreshing memory arrays

Номер патента: US20120263001A1. Автор: Victor Wong,William F. Jones,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20230317124A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Ping-Chun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887664B2. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Arrangements of memory devices and methods of operating the memory devices

Номер патента: US20230386567A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: EP4364142A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Devices Including Memory Arrays, Row Decoder Circuitries and Column Decoder Circuitries

Номер патента: US20160267984A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

Memory device having multiple array structure for increased bandwidth

Номер патента: US20050078542A1. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Memory device having multiple array structure for increased bandwidth

Номер патента: WO2005031747A1. Автор: Jong-Hoon Oh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-07.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Redundant column read in a memory array

Номер патента: US20070022330A1. Автор: Srinivas Perisetty. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: EP1382042A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A3. Автор: Shree Kant,Gajendra P Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Redundant column read in a memory array

Номер патента: WO2006124244A3. Автор: Srinivas Perisetty. Владелец: Srinivas Perisetty. Дата публикации: 2007-05-31.

Redundant column read in a memory array

Номер патента: WO2006124244A2. Автор: Srinivas Perisetty. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-11-23.

System and method of memory electrical repair

Номер патента: US09830957B1. Автор: Jun Zhu,Akshay Chandra,Ting Qu,Saswat Mishra,Akanksha Mehta. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09754674B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

System and method of memory electrical repair

Номер патента: US09536590B1. Автор: Jun Zhu,Akshay Chandra,Ting Qu,Saswat Mishra,Akanksha Mehta. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Concurrently reading first and second pages of memory cells having different page addresses

Номер патента: US09502125B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Umberto Siciliani,Mattia Cichocki,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatuses and methods for identifying an extremum value stored in an array of memory cells

Номер патента: US09449675B2. Автор: Kyle B. Wheeler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US10031686B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: US20060250856A1. Автор: Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Mitchell Meinhold,Claude Bertin,Frank Guo,Max Strasburg,Steven Konsek,X. M. Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

Generation of memory column addresses using memory array type bits in a control register of a computer system

Номер патента: US5737764A. Автор: Akio Shigeeda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: CA2608106C. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Steven L. Konsek,Mitchell Meinhold,Frank Guo,Max Strasburg,X.M. Henry Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Fault-tolerant memory array

Номер патента: US4768169A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

System and method for increasing the speed of memories

Номер патента: US20020147883A1. Автор: Louis Hsu,Li-Kong Wang,Toshiaki Kirihata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Memory sub-system cache extension to page buffers of a memory array

Номер патента: US20240061778A1. Автор: Xing Wang,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Systems and methods for pre-read scan of memory devices

Номер патента: US11862226B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory array accessibility

Номер патента: WO2019046111A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US20190384512A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Memory array accessibility

Номер патента: US11886715B2. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory array page table walk

Номер патента: EP3586238A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Programming method of memory array

Номер патента: US9437303B1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Fast parity scan of memory arrays

Номер патента: US7565597B1. Автор: Kee W. Park,Kenneth Branth. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-21.

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20230377623A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device for scheduling maximum number of memory macros write operations at re-arranged time intervals

Номер патента: US11681468B2. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Shih-Lien Linus Lu,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Differential storage in memory arrays

Номер патента: US20240127877A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Angelo Visconti,Alessandro Calderoni,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory arrays having multiple strings of series-connected memory cells selectively connected in parallel, their fabrication, and their operation

Номер патента: US20240079058A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US20240168656A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Techniques to improve a read operation to a memory array

Номер патента: US20210098034A1. Автор: Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods and systems for improving ecc operation of memories

Номер патента: WO2022185088A8. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory array page table walk

Номер патента: US20220075733A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory array page table walk

Номер патента: US20230401158A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20140026005A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20130039140A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-14.

Methods and systems for improving ecc operation of memories

Номер патента: US20240194284A1. Автор: Christophe Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Providing efficient handling of memory array failures in processor-based systems

Номер патента: US20180121274A1. Автор: Paul Steinmetz,Thomas Philip Speier,Kshitiz Saxena,Manish Garg,Michael Phan,Viren Ramesh Patel,Kevin Magill,Clint Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Memory sub-system cache extension to page buffers of a memory array

Номер патента: US12019543B2. Автор: Xing Wang,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods and systems for improving read and write of memory cells

Номер патента: US12027230B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US12062408B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device performing signed multiplication using logical states of memory cells

Номер патента: US20240304252A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Low noise memory array

Номер патента: US20130286716A1. Автор: Robert Newton Rountree. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-31.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US20240355364A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory array with power-efficient read architecture

Номер патента: US09842652B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US09715929B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Selective reading of memory with improved accuracy

Номер патента: US09715419B2. Автор: Wayne Kinney,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatuses including cross point memory arrays and biasing schemes

Номер патента: US09361979B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Communication system which in a first mode supports concurrent memory acceses of a partitioned memory array and in a second mode supports non-concurrent memory accesses to the entire memory array

Номер патента: US5996051A. Автор: James O. Mergard. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Non-volatile memory array partitioning architecture and method to utilize single level cells and multi-level cells within the same memory

Номер патента: US20090113115A1. Автор: Hagop Nazarian,Ali Pourkeramati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Flash memory array of floating gate-based non-volatile memory cells

Номер патента: US8345488B2. Автор: PRABHJOT Singh,Hosam Haggag,Alexander Kalnitsky,Edgardo Laber,Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2013-01-01.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US20230178153A1. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

MOS static memory array

Номер патента: US5894434A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-04-13.

Processor using folded array structures for transposition memory and fast cosine transform computation

Номер патента: US5546336A. Автор: Stamatis Vassiliadis,Gerald G. Pechanek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-08-13.

Memory array with multiple read ports

Номер патента: US7092310B2. Автор: Juergen Pille,Martin Eckert,Dieter Wendel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

Nonvolatile flash-EEPROM memory array with source control transistors

Номер патента: US5508956A. Автор: Marco Dallabora,Giovanni Campardo,Giuseppe Crisenza. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-04-16.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: WO2021126540A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20220199184A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Digit line management for a memory array

Номер патента: WO2020263642A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Digit line management for a memory array

Номер патента: US20220076724A1. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Apparatuses and methods for configurable memory array bank architectures

Номер патента: US20230418471A1. Автор: Shunichi Saito,Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and apparatus for reducing erase disturb of memory by using recovery bias

Номер патента: US20150055412A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Bo-Chang Wu,Kuen-Lung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Memory array structure

Номер патента: US20240021226A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Digit line management for a memory array

Номер патента: US11688448B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Techniques for flexible self-refresh of memory arrays

Номер патента: US20230395116A1. Автор: Scott E. Smith,Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Circuit and method to detect word-line leakage and process defects in non-volatile memory array

Номер патента: US11935607B2. Автор: Vikas RANA,Vivek Tyagi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-03-19.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183421A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Programmable storage unit and programmable memory array and reading and writing method therefor

Номер патента: EP3933840A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Hiding refresh of memory and refresh-hidden memory

Номер патента: WO2003027857A3. Автор: Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu,Konrad Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Memory array with inverted data-line pairs

Номер патента: US20100202201A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Memory array with inverted data-lines pairs

Номер патента: US20110267882A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory array layers with alternating sense amplifier layers

Номер патента: US12119045B2. Автор: Liang Zhang,Hongwen Li,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Structure for implementing memory array device with built in computation capability

Номер патента: US8117567B2. Автор: Igor Arsovski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-14.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Non-volatile memory device and apparatus for reading a non-volatile memory array

Номер патента: US5619448A. Автор: Yi-Pin Lin. Владелец: Myson Tech Inc. Дата публикации: 1997-04-08.

Decoding method in an NROM flash memory array

Номер патента: US7881121B2. Автор: Cheng-Jye Liu,Jongoh Kim,Yi-Jin Kwon. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Suspension of memory operations for reduced read latency in memory arrays

Номер патента: WO2010143209A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio,Massimo Iaculo,Antonino Pollio,Antonio Mauro. Владелец: Antonio Mauro. Дата публикации: 2010-12-16.

Circuit with a memory array and a reference level generator circuit

Номер патента: EP1839311A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Nicolaas Lambert,Victor M. G. Van Acht. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for accessing a memory array

Номер патента: US6111775A. Автор: Scott Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Read only memory (ROM)-emulated memory (REM) profile mode of memory device

Номер патента: US11798601B2. Автор: Qisong Lin,Fulvio Rori,Preston A. Thomson,Jonathan Wen Jian Oh,Allison Jayne Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Programming methods for neural network using non-volatile memory array

Номер патента: US11853856B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Decoding circuit for non-binary groups of memory line drivers

Номер патента: EP1869679A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-12-26.

Memory array and operation method for memory device, including data inversion

Номер патента: US9620239B2. Автор: Chia-Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory array and operation method for memory device

Номер патента: US20150318050A1. Автор: Chia-Chi Yang,Chen-Yi Huang,Cheng-Tai Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Memory array reset read operation

Номер патента: US11423976B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Memory array reset read operation

Номер патента: WO2019046050A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US20090225605A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Memory array and method of operating one of a plurality of memory cells

Номер патента: US20110019473A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Nitride read-only memory cell and nitride read-only memory array

Номер патента: US7830723B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ching-Chung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Dynamic leakage control for memory arrays

Номер патента: EP2387786A1. Автор: Shinye Shiu,Vincent R. von Kaenel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-11-23.

Integrated circuit, memory and operation method of memory

Номер патента: US11837311B2. Автор: Yun Gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory Array with Reduced Read Power Requirements and Increased Capacity

Номер патента: US20200194041A1. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20190066771A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20200365201A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20220383949A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: EP4266218A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-25.

Operating method of memory having redundancy circuitry

Номер патента: US20140146613A1. Автор: Yue-Der Chih,Tien-Chun Yang,Shang-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Decoding circuit for non-binary groups of memory line drivers

Номер патента: WO2006107409A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Christopher J Petti,Luca G Fasoli. Владелец: Sandisk. Дата публикации: 2007-04-19.

Decoding circuit for non-binary groups of memory line drivers

Номер патента: WO2006107409A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Christopher J. Petti,Luca G. Fasoli. Владелец: Sandisk 3D Llc.. Дата публикации: 2006-10-12.

Memory array with reduced read power requirements and increased capacity

Номер патента: US11024348B2. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-06-01.

Memory Array with Reduced Read Power Requirements and Increased Capacity

Номер патента: US20180301176A1. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-10-18.

Memory array with reduced read power requirements and increased capacity

Номер патента: US10622037B2. Автор: Pedro P. Irazoqui,John K. Lynch. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-04-14.

Word line compensation for non-volatile memory arrays

Номер патента: WO2017136438A1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-10.

Detecting Misalignment In Memory Array And Adjusting Read And Verify Timing Parameters On Sub-Block And Block Levels

Номер патента: US20180233206A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-16.

Detecting misalignment in memory array and adjusting read and verify timing parameters on sub-block and block levels

Номер патента: EP3580761A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-12-18.

Detecting misalignment in memory array and adjusting read and verify timing parameters on sub-block and block levels

Номер патента: WO2018147919A1. Автор: Yingda Dong,Liang PANG,Xuehong Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-16.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US09779791B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

CPU-based measured boot

Номер патента: US09721104B2. Автор: Ben Furman,Daniel Nemiroff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Word line compensation for memory arrays

Номер патента: US09595323B1. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam,Thomas Yan,Jeffrey Koonyee Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory array with two-phase bit line precharge

Номер патента: US8693260B2. Автор: Yung-Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-08.

Apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20180151206A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US9905280B2. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and apparatuses for modulating threshold voltages of memory cells

Номер патента: US20170221536A1. Автор: DerChang Kau,Hernan A. Castro,Kiran Pangal,Davide Mantegazza,Feng Q. Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Switch circuit and memory array having the same

Номер патента: US20230317156A1. Автор: Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: EP3317766A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-09.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: WO2017003548A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-01-05.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20230282296A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method and Apparatus for Memory Array Access

Номер патента: US20140281291A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Andrew C. Russell. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory array having row redundancy and method

Номер патента: WO2007136812A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-29.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US11955190B2. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Switch circuit and memory array having the same

Номер патента: US11996148B2. Автор: Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method, electronic device and controller for recovering memory array

Номер патента: US9396806B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chao-Hsin Lin,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory array arranged in banks and sectorsand associated decoders

Номер патента: WO2007053267A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-10.

Circuit for reducing the row select voltage swing in a memory array

Номер патента: US4730275A. Автор: Ira E. Baskett. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-08.

Non-volatile memory array controller capable of controlling memory banks having variable bit widths

Номер патента: US5630099A. Автор: James R. Macdonald,Douglas D. Gephardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Systems and methods for reading data from a memory array

Номер патента: US7477551B2. Автор: Hugh Thomas Mair,Radu Avramescu,Sumanth Gururajarao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-01-13.

Non-volatile memory comprising means for distorting the output of memory cells

Номер патента: US20050232021A1. Автор: Mathieu Lisart. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-10-20.

Modified Distribution of Memory Device States

Номер патента: US20230021663A1. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Smart read scheme for memory array sensing

Номер патента: US20140241090A1. Автор: Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Variable resistance memory device having equal resistances between signal paths regardless of location of memory cells within the memory array

Номер патента: US20130215665A1. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Selective reading of memory with improved accuracy

Номер патента: US11789796B2. Автор: Wayne Kinney,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Computing-in-Memory Chip and Memory Cell Array Structure

Номер патента: US20210151106A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Addressing of memory matrix

Номер патента: US6950330B2. Автор: Michael O. Thompson,Göran Gustafsson,Per-Erik Nordal,Hans Gude Gudesen,Johan Carlsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-09-27.

Memory array addressing

Номер патента: US4429374A. Автор: Nobuyoshi Tanimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-01-31.

Power management of memory systems

Номер патента: EP2502125A1. Автор: Steven Theodore Sprouse. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-09-26.

Methods and apparatuses for searching data stored in a memory array using a replicated data pattern

Номер патента: US20190251127A1. Автор: Isom Lawrence Crawford, Jr.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US20190035462A1. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US20180012656A1. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US20240021220A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory array with power-efficient read architecture

Номер патента: WO2014036304A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

Hiding refresh of memory and refresh-hidden memory

Номер патента: EP1430402A2. Автор: Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu,Konrad Lai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Hiding refresh of memory and refresh-hidden memory

Номер патента: WO2003027857A2. Автор: Dinesh Somasekhar,Shih-Lien Lu,Konrad Lai. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-04-03.

Switches to reduce routing rails of memory system

Номер патента: US11756591B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory systems including memory arrays employing column read circuits to control floating of column read bit lines, and related methods

Номер патента: WO2023278049A1. Автор: Amlan Ghosh,Sung Hao Lin. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Multi-mode array structure and chip for in-memory computing

Номер патента: US11954585B2. Автор: Hua Wang,Yishu Zhang,Xuemeng Fan. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2024-04-09.

Soft erasure of memory cells

Номер патента: US20140071751A1. Автор: WEI Tian,YoungPil Kim,Antoine Khoueir,Dadi Setiadi,Rodney Virgil Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

Methods and apparatuses for searching data stored in a memory array using a replicated data pattern

Номер патента: US20170068717A1. Автор: Isom Lawrence Crawford, Jr.. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-03-09.

Memory array with power-efficient read architecture

Номер патента: US20170352421A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Memory systems including memory arrays employing column read circuits to control floating of column read bit lines, and related methods

Номер патента: EP4364140A1. Автор: Amlan Ghosh,Sung Hao Lin. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-05-08.

Screening of memory circuits

Номер патента: US11881275B2. Автор: Devanathan Varadarajan,Francisco Adolfo Cano,Anthony Martin HILL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Multi-mode Array Structure and Chip for In-memory Computing

Номер патента: US20230306250A1. Автор: Hua Wang,Yishu Zhang,Xuemeng Fan. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-09-28.

Segmented reference trimming for memory arrays

Номер патента: US20200066335A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Hon-Jarn Lin,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US20180122443A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US20140056070A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-27.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: EP2888740A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Apparatuses and methods involving accessing distributed sub-blocks of memory cells

Номер патента: US20150063022A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Data storing in memory arrays

Номер патента: US09952796B2. Автор: Ron M. Roth,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for high speed control over blocks for instant copying in data storage systems with joint usage of memory by n units

Номер патента: RU2297662C2. Автор: Карлос Франсиско ФЬЮНТ,Уилль м Джеймс СКЕЙЛЕС,Уилльям Джеймс СКЕЙЛЕС. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2007-04-20.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Hierarchical power management of memory for artificial reality systems

Номер патента: US12032839B2. Автор: Ennio Salemi,Shrirang Madhav Yardi,Gregory Edward EHMANN,George Spatz,Jeffrey RYDEN. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Adaptive Scheduling of Memory and Processing-in-Memory Requests

Номер патента: US20240220107A1. Автор: Alexandru Dutu,Niti Madan,Nuwan S Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

Configuring dynamic random access memory refreshes for systems having multiple ranks of memory

Номер патента: WO2020023133A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory controller and method for use in memory controller of memory system

Номер патента: WO2023072381A1. Автор: Assaf Natanzon,Zvi Schneider. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of Correcting an Error in a Memory Array in a DRAM During a Read Operation and a DRAM

Номер патента: US20180336091A1. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: Unigroup Guoxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Routing of memory transactions

Номер патента: US20240289033A1. Автор: Kausik Ghosh,Pratim Bose,Arun Venkatasubbaiah HODIGERE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Storage system which utilizes two kinds of memory devices as its cache memory and method of controlling the storage system

Номер патента: US20110296091A1. Автор: Kentaro Shimada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Method and apparatus for testing memory arrays

Номер патента: US20030007393A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Adaptive scheduling of memory and processing-in-memory requests

Номер патента: US12131026B2. Автор: Alexandru Dutu,Niti Madan,Nuwan S Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory addressing for arbitrary enablement or disablement of memory resources

Номер патента: US20240311296A1. Автор: Guadalupe J. Garcia. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system

Номер патента: US09965346B2. Автор: Charles A. Kilmer,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anil B. Lingambudi,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Erasing memory segments in a memory block of memory cells using select gate control line voltages

Номер патента: US09779829B2. Автор: Christian Caillat,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of communicating to different types of memory modules in a memory channel

Номер патента: US09767867B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh,George Moussa. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Virtual grouping of memory

Номер патента: US09600187B2. Автор: Timothy J. Dell,Prasanna Jayaraman,Girisankar Paulraj,Anil B. Lingambudi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09443566B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system having a plurality of types of memory chips and a memory controller for controlling the memory chips

Номер патента: US09418029B2. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Reading training of memory controller

Номер патента: RU2643664C2. Автор: Джонатан К. ДЖАСПЕР,Тоня Г. МОРРИС,Арно Дж. ФОРЕСТЬЕ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-02-02.

Method for ensuring fault tolerance of memory elements

Номер патента: RU2766271C1. Автор: Александр Николаевич Капустин,Наталья Александровна Коржикова. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-02-10.

Apparatuses and methods for repairing memory devices including a plurality of memory die and an interface

Номер патента: US20190138412A1. Автор: Masashi Ogasawara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Apparatuses and methods for repairing memory devices including a plurality of memory die and an interface

Номер патента: US20190213094A1. Автор: Masashi Ogasawara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Methods of programming different portions of memory cells of a string of series-connected memory cells

Номер патента: US20190287620A1. Автор: Ke Liang,Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Adjustment of code rate as function of memory endurance state metric

Номер патента: US20240232013A1. Автор: Mark A. Helm,Kishore Kumar Muchherla,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Ugo Russo,James Fitzpatrick,Niccolo’ Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Partitioning of memory system resources or performance monitoring

Номер патента: EP3568763A1. Автор: Steven Douglas KRUEGER. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2019-11-20.

Determining origins of memory leaks in source code

Номер патента: US20240231988A1. Автор: Gireesh Punathil,Kevin Grigorenko,Donald Alexander Bourne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-program of memory cells without intervening erase operations

Номер патента: US20240221840A1. Автор: Ezra Edward Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: US20240220112A1. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Digital image-based measurement and analysis tools and methods for agriculture

Номер патента: US12020435B1. Автор: Eric Engman. Владелец: Crop Search LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: WO2024145064A1. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. (dba Solidigm). Дата публикации: 2024-07-04.

Adaptive scheduling of memory requests

Номер патента: EP3602312A1. Автор: Suryanarayana Murthy Durbhakula. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Identification of a condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US20170200483A1. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-13.

Predictive sanitization of an array of memory with capacitive cells and/or ferroelectric cells

Номер патента: US12001706B2. Автор: Daniele Balluchi,Angelo Visconti,Marco Sforzin,Paolo Amato,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dqs for data from a memory array

Номер патента: WO2006042643A1. Автор: Jung Pill Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-27.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Methods and systems to improve write response times of memory cells

Номер патента: US20100165756A1. Автор: Feroze A. Merchant,John Reginald Riley,Vinod Sannareddy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: WO2022212129A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-10-06.

Read-as-X property for page of memory address space

Номер патента: GB2616643A. Автор: Peter Barnes Graeme,John Craske Simon. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor memory device comprising a plurity of input/output ports and a plurity of memory blocks corresponding to the plurality of input/output ports

Номер патента: US9053757B2. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

System and Method for Optimizing Software Transactional Memory Operations Using Static Caching of Memory Objects

Номер патента: US20120204163A1. Автор: Aleksandar Dragojevic,Virendra J. Marathe,Tito L. Autrey, III. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US20160170936A1. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-06-16.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Storage device writing data on the basis of temperatures of memory dies and method thereof

Номер патента: US12067252B2. Автор: Jang Hun YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Migrating pages of memory accessible by input-output devices

Номер патента: WO2022200962A1. Автор: Philip Ng,Nippon Raval. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2022-09-29.

Migrating Pages of Memory Accessible by Input-Output Devices

Номер патента: US20220308755A1. Автор: Philip Ng,Nippon Raval. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method and apparatus for managing a plurality of memory devices

Номер патента: US20160124674A1. Автор: Sei-Jin Kim,Min-Jung Kim,Bo-Young Seo,Sung-Hwan Yun,Dong-Wook Suh,Jung-Yup Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Track charge loss based on signal and noise characteristics of memory cells collected in calibration operations

Номер патента: US12073899B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Allocation of memory access bandwidth to clients in an electronic device

Номер патента: US11709711B2. Автор: Guhan Krishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Techniques to configure zonal architectures of memory systems

Номер патента: US20240281156A1. Автор: Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

System for differentiated thermal throttling of memory and method of operating same

Номер патента: US20240185895A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Philex Ming-Yan Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Identify the programming mode of memory cells during reading of the memory cells

Номер патента: US12080359B2. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Disaggregated memory server having chassis with a plurality of receptable accessible configured to convey with pcie bus and plurality of memory banks

Номер патента: US20220365676A1. Автор: Steven White,Thao Nguyen,Scott Burns. Владелец: Tormem Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Block-row decoders, memory block-row decoders, memories, methods for deselecting a decoder of a memory and methods of selecting a block of memory

Номер патента: US20140119149A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Method and device for checking validity of memory access

Номер патента: US20170235684A1. Автор: Shilong WANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Method and Apparatus for Implementing Redundant Memory Access Using Multiple Controllers on the Same Bank of Memory

Номер патента: US20080307252A1. Автор: Philip Raymond Germann,John Michael Borkenhagen,Gerald Keith Bartley,Paul Eric Dahlen,William Paul Hovis,Darryl John Becker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Tolerating memory errors by hot-ejecting portions of memory

Номер патента: US20070143646A1. Автор: Frank Wu,Madhusudhan Rangarajan,Allen Wynn. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-06-21.

Systematic mitigation of memory errors

Номер патента: US9026889B2. Автор: John R. Douceur,Edmund B. Nightingale,Landy Wang,Matthew Jeremiah Eason,Baskar Sridharan,Garrett Leischner,Andrew J. Lagattuta. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2015-05-05.

Method for determining scope and cause of memory corruption

Номер патента: US20040054989A1. Автор: John Harres. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system using a randomized refresh period

Номер патента: US11756604B2. Автор: Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

ROM storing information by using pair of memory cells

Номер патента: US20070064465A1. Автор: Satoyuki Miyako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Operation methods of memories, memories, and storage systems

Номер патента: US20240274204A1. Автор: Zhiliang Xia,Yifan Li,Tianyu Wang,Xueqing Huang,Junyao Zhu,Wenhui Pei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Read disturb mitigation based on signal and noise characteristics of memory cells collected for read calibration

Номер патента: US20240296896A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US12086423B1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory for performing counting operation, memory system, and operation method of memory

Номер патента: US20240319889A1. Автор: Jeong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Performance match method of memory, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240289017A1. Автор: Chih-ling Wang,Kuai Cao,En Yang Wang,Dong Dong Yao,Yun Peng Zhang,Wen Qing Lv. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Controller for managing multiple types of memory

Номер патента: US12099457B2. Автор: Daniele Balluchi,Emanuele Confalonieri,Danilo Caraccio,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Systematic mitigation of memory errors

Номер патента: US20150243372A1. Автор: John R. Douceur,Edmund B. Nightingale,Landy Wang,Matthew Jeremiah Eason,Baskar Sridharan,Garrett Leischner,Andrew J. Lagattuta. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Systematic mitigation of memory errors

Номер патента: US20140181577A1. Автор: John R. Douceur,Edmund B. Nightingale,Landy Wang,Matthew Jeremiah Eason,Baskar Sridharan,Garrett Leischner,Andrew J. Lagattuta. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Memory device for processing in memory and operating method of memory device

Номер патента: US20240330171A1. Автор: Byeongho Kim,Yuhwan Ro,Sungjoo YOO,Suk Han Lee,Jaeyoung HEO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-state programming of memory cells

Номер патента: US20240312534A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst,Richard K. Dodge,Shanky K. Jain,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of equalizing bit error rates of memory device

Номер патента: US12105585B2. Автор: Young-Sik Kim,Moo-Sung Kim,Jeong-Ho Lee,Yong-Jun Lee,Eun-Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory array with programmable number of filters

Номер патента: US12106822B2. Автор: Sushil Kumar,Chetan Deshpande,Gajanan Sahebrao Jedhe,Gaurang Prabhakar Narvekar,Cheng-Xin Xue,Zijie Guo. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Machine learning-based adjustment of memory configuration parameters

Номер патента: US20240330717A1. Автор: Wei Wang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Techniques for enhanced read performance on repurposed blocks of memory cells

Номер патента: US20240354027A1. Автор: Chiara Cerafogli,Carla L. Christensen,Lalla Fatima Drissi,Anna Scalesse,Iolanda Del Villano,Maddalena Calzolari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Dynamic management of memory read requests

Номер патента: US12118215B2. Автор: Mark Anthony Golez,Sarvesh Varakabe Gangadhar,Jacky Le. Владелец: SK Hynix NAND Product Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Accessing multiple segments of memory systems

Номер патента: US20240370205A1. Автор: Martin Brox. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Automated generation of memory consumption aware code

Номер патента: US09971570B2. Автор: Hassan Chafi,Martin Sevenich,Sungpack Hong. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Fast quasi-parity checker for correlated electron switch (CES) memory array

Номер патента: US09953726B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Technologies for clearing a page of memory

Номер патента: US09881659B2. Автор: Tomishima Shigeki,Kuljit S. Bains,Tomer Levy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Affinity-aware parallel zeroing of memory for initialization of large pages in non-uniform memory access (NUMA) servers

Номер патента: US09870171B2. Автор: Bruce Mealey,Mark D. Rogers,Nakhil HEGDE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Affinity-aware parallel zeroing of memory for initialization of large pages in non-uniform memory access (NUMA) servers

Номер патента: US09870036B2. Автор: Bruce Mealey,Mark D. Rogers,Nikhil Hedge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Systems and methods for testing performance of memory modules

Номер патента: US09837170B2. Автор: Bai Yen NGUYEN,Benjamin Lau,Yao Hsien Huang,Chou-Te Kang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Method and system for dynamic power management of memories

Номер патента: US09830954B2. Автор: Hee-Jun Park,Lance E. Hacking. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Remapping of memory in memory control architectures

Номер патента: US09823984B2. Автор: Leong Hock Sim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Boosting channels of memory cells to reduce program disturb

Номер патента: US09779817B2. Автор: Violante Moschiano,Akira Goda,Mason A. Jones. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory cell programming utilizing conditional enabling of memory cells

Номер патента: US09767909B1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Data erasable method of memory in smart card and smart card thereof

Номер патента: US09727240B2. Автор: LIN Li. Владелец: China Mobile Communications Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Input-dependent random number generation using memory arrays

Номер патента: US09696965B2. Автор: MOSHE Alon. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory architecture for storing data in a plurality of memory chips

Номер патента: US09672910B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Theodore Antonakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Identification of an operational condition of a sector of memory cells in a non-volatile memory

Номер патента: US09640230B2. Автор: Marco Pasotti,Fabio De Santis,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-02.

Resolution of out of memory conditions for shared memory in a print controller

Номер патента: US09639792B2. Автор: David Ward,Lisa A. Morgan,John T. Varga. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Management of memory pages

Номер патента: US09612976B2. Автор: Keerthi B. Kumar,Swetha N. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Determination of memory access patterns of tasks in a multi-core processor

Номер патента: US09606835B1. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Trung N. NGUYEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Configuring and reconfiguring blocks of memory cells to store user data and ECC data

Номер патента: US09594676B2. Автор: Michele Incarnati,William H. Radke,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Dynamic tuning of memory in MapReduce systems

Номер патента: US09582189B2. Автор: Min Li,LI ZHANG,Nicholas C. Fuller,Jian Tan,Liangzhao Zeng,Shicong MENG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US09576629B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Resistive semiconductor memory capable of performing incremental step pulse programming (ISPP) based on digital code values of memory cells

Номер патента: US09548114B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-01-17.

Determining soft data for combinations of memory cells

Номер патента: US09543000B2. Автор: Violante Moschiano,Tommaso Vali,Mark A. Hawes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Management of memory pages

Номер патента: US09542100B2. Автор: Keerthi B. Kumar,Swetha N. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Management of memory pages

Номер патента: US09483182B2. Автор: Keerthi B. Kumar,Swetha N. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Accelerating boot time zeroing of memory based on non-volatile memory (NVM) technology

Номер патента: US09477409B2. Автор: Richard P. Mangold,Raj K. Ramanujan,Rajesh M. Sankaran,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Mitigating parasitic current while programming a floating gate memory array

Номер патента: US09472288B2. Автор: Daryl E. Anderson,James Michael Gardner,Eric T. Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Management to reduce power consumption in virtual memory provided by plurality of different types of memory devices

Номер патента: US09448612B2. Автор: Vaidyanathan Srinivasan,Dipankar Sarma,Ankita Garg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US09436655B2. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-09-06.

Systematic mitigation of memory errors

Номер патента: US09424123B2. Автор: John R. Douceur,Edmund B. Nightingale,Landy Wang,Matthew Jeremiah Eason,Baskar Sridharan,Garrett Leischner,Andrew J. Lagattuta. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

System and method for optimizing software transactional memory operations using static caching of memory objects

Номер патента: US09424015B2. Автор: Aleksandar Dragojevic,Virendra J. Marathe,Tito L. Autrey, III. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Dynamic management of memory ranges exempted from cache memory access

Номер патента: US09396125B1. Автор: Michael Karl Gschwind,Dan F. Greiner,Christian Jacobi,Chung-Lung Kevin Shum,Timothy J. Slegel,Anthony Saporito,Jonathan D. Bradbury,Younes Manton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Sensing memory cells coupled to different access lines in different blocks of memory cells

Номер патента: US09373404B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Device for destruction of chip of memory microcircuit

Номер патента: RU2690781C1. Автор: Вячеслав Иванович Воробьев,Дмитрий Александрович Горькаев,Илья Павлович Гаин,Елена Владимировна Власова,Татьяна Евгеньевна Белоусова,Станислав Викторович Пронин,Руслан Батирович Шадиев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2019-06-05.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Flexible enlargement of memory pages

Номер патента: RU2509347C2. Автор: Форрест К. ФОЛЦ,Дэвид Н. КАТЛЕР. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2014-03-10.

Preoperative and intra-operative imaging-based procedure workflow with complexity scoring

Номер патента: WO2006121972A8. Автор: Raju R Viswanathan. Владелец: Stereoraxis Inc. Дата публикации: 2008-10-16.

Measuring system providing inter-arrival time based measurement and prediction for imminent natural catastrophic events and method thereof

Номер патента: WO2018073457A1. Автор: David Baumgartner,Stefan Reimann,Marc Wüest. Владелец: SWISS REINSURANCE COMPANY LTD.. Дата публикации: 2018-04-26.

Measuring system providing inter-arrival time based measurement and prediction for imminent natural catastrophic events and method thereof

Номер патента: EP3529770A1. Автор: David Baumgartner,Stefan Reimann,Marc Wüest. Владелец: Swiss Reinsurance Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-28.

Preoperative and intra-operative imaging-based procedure workflow with complexity scoring

Номер патента: EP1895900A2. Автор: Raju R. Viswanathan. Владелец: Stereotaxis Inc. Дата публикации: 2008-03-12.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Interleaved access of memory

Номер патента: US20180217929A1. Автор: Harvey Ray,Mark David Lillibridge,Paolo Faraboschi,Gary Gostin,Derek Alan Sherlock. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-08-02.

Address mapping method of memory system

Номер патента: US20180196756A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Ja-Hyun Koo,Seung-Gyu JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: EP2630643A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Apparatus and methods for managing data storage among groups of memory cells of multiple reliability ranks

Номер патента: US20200167087A1. Автор: Carla L. Christensen,Avani F. Trivedi,Tracy D. Evans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: US20240111933A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Louis Henry Carbone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory array structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013091374A1. Автор: Liyang Pan,Haozhi MA. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Metal silicide in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074166A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: EP4430931A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074160A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydeb Goswami,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: WO2023083585A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11889696B2. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuitry comprising a memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023027829A1. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Haoyu Li,Grady S. Waldo,M. Jared Barclay,Andrew Li,Bhavesh Bhartia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230276622A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Process integration flow for embedded memory with multi-pocket masks for decoupling processing of memory areas from non-memory areas

Номер патента: US11792998B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022046418A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: US20240188308A1. Автор: Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2023033948A1. Автор: John D. Hopkins,Haoyu Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

Sacrificial polysilicon in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074159A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US12082425B2. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11871566B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US20240114686A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240164092A1. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

One selector one resistor MRAM crosspoint memory array fabrication methods

Номер патента: US11882706B2. Автор: Lei Wan,Jordan A. Katine,Tsai-Wei Wu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Network packet forwarding lookup with a reduced number of memory accesses

Номер патента: EP1005746A1. Автор: Frank Kastenholz. Владелец: Unisphere Solutions Inc. Дата публикации: 2000-06-07.

Method and device for network packet forwarding lookup with a reduced number of memory accesses

Номер патента: EP1865674A3. Автор: Frank Kastenholz. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2008-02-20.

Techniques for discontinuous reception cycle based measurement gaps

Номер патента: US20220007286A1. Автор: Brian Clarke Banister,Bhupesh Manoharlal Umatt,Arvind Vardarajan Santhanam,Vishal HINGORANI,Sumit Kumar Singh,Preeti SIVAKUMAR,Prem Swaroop KADAVAKUDURU,Ertugrul Necdet Ciftcioglu,Himanshu DUTTA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Array structure, semiconductor structure, and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240057312A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20230225137A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

UE capability signaling for supporting reference signal based measurements in 5G new radio unlicensed spectrum (NR-U)

Номер патента: US11770696B2. Автор: Chiou-Wei Tsai,Cheng-Rung Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Non-volatile memory arrays comprising rail stacks with a shared diode component portion for diodes of electrically isolated pillars

Номер патента: WO2009152001A1. Автор: Christopher J. Petti,Calvin K. Li,Kang-Jay Hsia. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-12-17.

Non-volatile memory arrays comprising rail stacks with a shared diode component portion for diodes of electrically isolated pillars

Номер патента: EP2286453A1. Автор: Christopher J. Petti,Calvin K. Li,Kang-Jay Hsia. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-02-23.

UE capability signaling for supporting reference signal based measurements in 5G new radio unlicensed spectrum (NR-U)

Номер патента: US12108490B2. Автор: Chiou-Wei Tsai,Cheng-Rung Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Non-Volatile Memory Arrays Comprising Rail Stacks With A Shared Diode Component Portion For Diodes Of Electrically Isolated Pillars

Номер патента: US20120187361A1. Автор: Christopher J. Petti,Calvin K. Li,Kang-Jay Hsia. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-07-26.

Portable phone having recording function for recording call contents and using the minimum capacity of memory

Номер патента: EP1209884A3. Автор: Koji Tokunaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-26.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Measurement information utilization system, and user participation-based measurement information utilization method and apparatus

Номер патента: US09843644B2. Автор: Joo-Young Kim,Young-Su Cho,Myung-In Ji,Ju-Il JEON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-12.

Номер патента: RU2763998C1. Автор: Николай Николаевич Шкиль,Екатерина Владимировна Нефедова. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР АГРОБИОТЕХНОЛОГИЙ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (СФНЦА РАН). Дата публикации: 2022-01-12.

Method for obtaining complex organomineral additive based on potassium humate, method for obtaining integrated organomineral fertiliser based on potassium humate and poultry manure, method for enriching animal fodder with complex organomineral additive based on potassium humate, watering method using complex organomineral additive based on potassium humate

Номер патента: RU2637126C1. Автор: Геннадий Николаевич Косьяненко. Владелец: Геннадий Николаевич Косьяненко. Дата публикации: 2017-11-30.

Номер патента: RU2741038C1. Автор: Фэн Ли,Кай Лю,Чэн ЛЮ,Бин ЛИ,Дунбо ЛИ,Минь Ли,Кэцзянь Вэй,Чжифан Лу,Цзиньхун Лу,Кэфэй ЦАО,Ган ЧЖОУ,Цзе ЯНЬ,Шуайбяо ЛЯН,Хуншунь ЖУ,Цзиму ЦЗЯНЬ,Хайсинь ЧЖАН. Владелец: Чайна Энфай Инжиниринг Корпорейшн. Дата публикации: 2021-01-22.

Method for Stabilizing Rice Bran with Complex Enzyme

Номер патента: US20220240554A1. Автор: Yan Zhang,Ping Li,XiaoJun Tang,Zhiming Wang,Jiajia Wang,Pengfei Zhou,Guang Liu,Mingwei Zhang,Zhihao ZHAO,Yuanyuan Deng,Zhencheng Wei,Na LIAO. Владелец: Sericultural & Agri Food Research Institute Guangdong Academy Of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for modifying concrete with complex additive including hydrothermal sio2 nanoparticles and multilayer carbon nanotubes

Номер патента: RU2750497C1. Автор: Вадим Владимирович Потапов,Сергей Николаевич Леонович,Елена Николаевна Полонина,Сергей Александрович Жданок. Владелец: Сергей Александрович Жданок. Дата публикации: 2021-06-28.

Bacterial strain of bacillus subtilis with complex biological activity

Номер патента: RU2733132C1. Автор: Рамиль Магзинурович Хайруллин,Сергей Дмитриевич Румянцев,Игорь Владимирович Максимов,Дарья Константиновна Благова,Антонина Вячеславовна Сорокань,Светлана Викторовна Веселова,Елена Рфисовна Сарварова,Гузель Фанисовна Бурханова,Екатерина Александровна Черепанова. Владелец: Игорь Владимирович Максимов. Дата публикации: 2020-09-29.

Method of one-piece felted clothes producing with complex shapes and device for its implementation

Номер патента: RU2606184C2. Автор: Лариса Александровна Соболева. Владелец: Лариса Александровна Соболева. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIRECT IDENTIFICATION AND MEASUREMENT OF RELATIVE POPULATIONS OF MICROORGANISMS WITH DIRECT DNA SEQUENCING AND PROBABILISTIC METHODS

Номер патента: US20120004111A1. Автор: . Владелец: CosmosID Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for radar doppler angular measurements of spacecraft and system for realising said method

Номер патента: RU2526401C1. Автор: Владимир Михайлович Ватутин,Юрий Матэвич Урличич,Сергей Анатольевич Ежов,Александр Викторович Круглов,Евгений Павлович Молотов. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of measurement of flow rate of two-phase three-component medium

Номер патента: RU2475706C2. Автор: Артем Андреевич Второв,Николай Петрович Ямпурин,Олег Борисович Качалов,Ксения Юрьевна Плесовских,Алексей Владимирович Сахаров,Елена Илларионовна Затравкина,Александр Вениаминович Улюшкин,Елена Александровна Голубева,Александр Викторович Чиклунов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (НГТУ). Дата публикации: 2013-02-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device with complexed carriers of even angular scales of different discrecity for calibration of angle-setting and angle-measuring instruments

Номер патента: RU2489682C1. Автор: Валерий Анатольевич Грановский,Михаил Дмитриевич Кудрявцев. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2013-08-10.

Method of obtaining cotton fabric for technical use with complex of protective properties against acids and oil-products

Номер патента: RU2471906C2. Автор: Людмила Сергеевна Ковальчук,Людмила Константиновна Акулова,Людмила Ивановна Гаврикова,Наталия Степановна Афтаева,Надежда Михайловна Думнова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of determining element concentration and phase of said element in substance with complex chemical composition

Номер патента: RU2362149C1. Автор: Петр Михайлович Косьянов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет". Дата публикации: 2009-07-20.

Method of separating water flow with complex pollutions to kinds of pollution and device to this end

Номер патента: RU2457011C2. Автор: Гай Владимирович Беднягин,Владислав Васильевич Бурлов,Александр Сергеевич Гаген,Леонид Исидорович Пукшанский,Владимир Михайлович Седов,Владимир Константинович Хвалько. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "НЕФТЕХИМ". Дата публикации: 2012-07-27.

Device for electromechanical measurement of friction coefficient of wheel with surface of aerodrome pavement

Номер патента: RU2434093C1. Автор: Анатолий Васильевич Низовой,Валерий Николаевич Макаенко,Борис Сергеевич Богданов. Владелец: Анатолий Васильевич Низовой. Дата публикации: 2011-11-20.

Galvanoplastic process of manufacture of models with complex structure

Номер патента: RU2184799C1. Автор: Д.С. Борисов. Владелец: Борисов Дмитрий Сергеевич. Дата публикации: 2002-07-10.

Video processor for video-based measurements

Номер патента: RU2598790C2. Автор: Сурен Петросович Буюкян. Владелец: Сурен Петросович Буюкян. Дата публикации: 2016-09-27.

X-Ray Scatterometry Based Measurements Of Memory Array Structures Stacked With Complex Logic Structures

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты