Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Control circuit of memory device

Номер патента: US20220189541A1
Опубликовано: 16-06-2022
Автор(ы): He-Zhou Wan, Kuan Cheng, Lu-Ping KONG, Xiu-Li Yang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd, TSMC China Co Ltd, TSMC Nanjing Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Timing control circuit of memory device with tracking word line and tracking bit line

Номер патента: US20230352085A1. Автор: He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng,Lu-Ping KONG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Adaptive control circuit of static random access memory

Номер патента: US12087355B2. Автор: Dao-Ping Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-28.

Delay circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of operating the same

Номер патента: US09966126B2. Автор: Jae-Hun Jung,Hye-Seung YU,SukYong Kang,Sung-Oh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Nonvolatile memory device including power gating circuit and input/output circuit of a nonvolatile memory device

Номер патента: US20230410917A1. Автор: Seunghoon Lee,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Jinha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Power-on reset circuit with variable detection reference and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09786371B1. Автор: Hyun Chul Lee,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Sampling circuit module, memory control circuit unit, and method for sampling data

Номер патента: US09449660B2. Автор: An-Chung Chen,Jen-Chu Wu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Control device for controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20180047431A1. Автор: Yu-Fen Lin,Nan-Chun Lien. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

DATA OUTPUT BUFFER CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2728999B1. Автор: Seung Moon Yoo,Jei Won Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-03.

DATA OUTPUT BUFFER CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2728999A1. Автор: Seung Moon Yoo,Jei Won Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-07-05.

Quadrature error correction circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12057156B2. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Wonjoo Jung,Youngchul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Quadrature error correction circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11742016B2. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Wonjoo Jung,Youngchul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device and signal processing circuit

Номер патента: US20150162054A1. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Memory device and signal processing circuit

Номер патента: US09536574B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Data output buffer control circuit

Номер патента: GB2286911B. Автор: Gi Won Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-28.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US11915786B2. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Current control circuit and discharge enable circuit for discharging bit lines of memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240153544A1. Автор: Liang Qiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230236967A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11816030B2. Автор: Ming-Hsiu Lee,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Electronic device having a delay locked loop, and memory device having the same

Номер патента: US09654093B2. Автор: Won-Joo Yun,Yong Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

On-die termination circuit, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20140028345A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Joon-Young Park,Ki-Seok OH,Yong-Cheol Bae,Yong-Gwon Jeong,Yong-Hun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-30.

Apparatus for transmitting and receiving a signal, a method of operating the same, a memory device, and a method of operating the memory device

Номер патента: US12088291B2. Автор: Kyungryun Kim,Kyungsoo Ha,Changkyo LEE,Dongkeon Lee,Jinhoon Jang,Kiseok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Pulse generator, memory device, memory system having the same, and method of controlling an internal power of the memory device

Номер патента: US09466338B1. Автор: Cher Hei Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11322193B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Page buffer circuits of three-dimensional memory device

Номер патента: US11935619B2. Автор: Yan Wang,Masao Kuriyama,Teng CHEN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Data latch controller of synchronous memory device

Номер патента: US7457190B2. Автор: Geun Il Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-25.

Bi-directional data input/output circuit of a synchronous memory device and the method for controlling the same

Номер патента: TW411476B. Автор: Jae-Jin Lee. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-11-11.

Multi stage charge pump circuits and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20230343382A1. Автор: Jungkyun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Data alignment circuit of a semiconductor memory device, a semiconductor memory device and a method of aligning data in a semiconductor memory device

Номер патента: US20180174636A1. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jin-Seok Heo,Kyung-Soo Ha,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Low power consumption memory device

Номер патента: US09720610B2. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8279695B2. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110103124A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor memory device and column path control circuit therefor

Номер патента: US20220270666A1. Автор: Ji Eun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Replica bit-line control circuit

Номер патента: US09886206B1. Автор: Pengjun WANG,Huihong ZHANG,Daohui GONG,Keji ZHOU. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device capable of performing in-memory computing

Номер патента: US20240304232A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Clock adjusting circuit, memory storage device, and memory control circuit unit

Номер патента: US9318155B2. Автор: Wei-Yung Chen,Yan-An Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Reference voltage generating circuit of nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20030026154A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Multi-bank memory device and system

Номер патента: US09653148B1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

System and method of memory electrical repair

Номер патента: US09536590B1. Автор: Jun Zhu,Akshay Chandra,Ting Qu,Saswat Mishra,Akanksha Mehta. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device with reset voltage control

Номер патента: US20230260558A1. Автор: Atul Katoch,Ali Taghvaei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US11955159B2. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240203475A1. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory control circuit and semiconductor integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100039870A1. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Semiconductor memory devices, methods of operating semiconductor memory devices and memory systems

Номер патента: US20180158494A1. Автор: Min-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Memory device

Номер патента: US20220301611A1. Автор: Toshio Sunaga,Jui-Jen Wu,Hsiu-Chun Tsai. Владелец: Siloam Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Control circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240242753A1. Автор: Shinya Okuno. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5650968A. Автор: Akira Yamazaki,Hideaki Abe,Yasuhiro Konishi,Yasuhiro Ishizuka,Katsumi Dosaka,Hisashi Iwamoto,Masaki Kumanoya,Kouji Hayano,Katsumitsu Himukashi,Tsukasa Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-22.

Memory Device

Номер патента: US20210201990A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Clock-synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20030117884A1. Автор: Haruki Toda,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Control circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240233809A1. Автор: Shinya Okuno. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Precharge control circuit controlling precharge circuit, semiconductor memory device comprising the precharge control circuit, and method of generating precharge control signal

Номер патента: KR100518543B1. Автор: 송호영,김경호,김성훈,김정열,문장원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-04.

Record control circuit per bit for synchronous memory device

Номер патента: KR100256122B1. Автор: 문진석. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-15.

A column decoding circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR980012946A. Автор: 이상호,심재광. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-04-30.

Initialisation-signal generating circuit of a semiconductor memory device for an integrated circuit

Номер патента: DE4423546A1. Автор: Myung-Ho Bae,Yong-Joo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-01-12.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Variably resistive memory device

Номер патента: US20190214084A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Ki Won Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: WO2023107392A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Refresh circuit of a semiconductor memory device and refresh control method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20130201777A1. Автор: Jung-Bae Lee,Sang-Ho Shin,Min-Jeung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-08.

CONTROL CIRCUIT FOR ADAPTATION OF MEMORY CELLS IN BIPOLAR MODULES

Номер патента: FR2406281A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-05-11.

Bank selection signal control circuit for use in semiconductor memory device, and bank selection control method

Номер патента: US20060262631A1. Автор: Jin-seok Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-23.

Bank selection signal control circuit for use in semiconductor memory device, and bank selection control method

Номер патента: TW200623149A. Автор: Jin-seok Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-01.

Bank selection signal control circuit for use in semiconductor memory device, and bank selection control method

Номер патента: US7289385B2. Автор: Jin-seok Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-30.

Isolation control circuit and method for a memory device

Номер патента: TW200620314A. Автор: Jong-Hyun Choi,Young-Sun Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-16.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Charge-pumping circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US5774012A. Автор: Heung-Soo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-30.

Buffering circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020010829A1. Автор: Sang Lee,Byung Lee,Young Nam,Kwang Cho,Joon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-24.

Synchronous semiconductor memory device and method for controlling input circuit of synchronous semiconductor memory device

Номер патента: KR100676425B1. Автор: 이케다시니치로. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-01-31.

Input circuit of a semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: KR100745402B1. Автор: 오름. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-02.

Data sampling method for changing DQS to clock domain and data input circuit of synchronous semiconductor memory device using same

Номер патента: KR100630742B1. Автор: 박민상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-02.

I/o circuit of cmos semiconductor memory device

Номер патента: JPS63288497A. Автор: チョイ　ユンホー. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-25.

Impedance matching circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100410978B1. Автор: 이진호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-12-18.

Memory device including dual control circuits

Номер патента: US12080341B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160071575A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09607686B2. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device and control method of memory device

Номер патента: US09569305B2. Автор: Masamichi Mukai. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Control circuit of memory device

Номер патента: US20220335988A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Pei-Le Li. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor memory device controlling the supply voltage on BIT lines

Номер патента: US5363336A. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Voltage supply circuits, three-dimensional memory devices, peripheral circuit, and methods for adjusting voltage supply circuit

Номер патента: US12100457B2. Автор: Wei Huang,Ning Zhang,Ruxin WEI,Yongyong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Device with SRAM memory cells including means for polarizing wells of memory cell transistors

Номер патента: US09542996B2. Автор: Olivier Thomas,Bastien Giraud,Adam Makosiej. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device with failed main bank repair using redundant bank

Номер патента: US11862270B2. Автор: Sangoh Lim. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Systems and methods for pre-read scan of memory devices

Номер патента: US11862226B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Yen Chun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device and method of controlling memory device

Номер патента: US20200066332A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory device and method of controlling memory device

Номер патента: US10885973B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Dual-rail memory device with high speed and low power consumption

Номер патента: US20240312515A1. Автор: Jiann-Tseng Huang,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Dual-rail memory device with high speed and low power consumption

Номер патента: EP4432281A1. Автор: Jiann-Tseng Huang,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device provided with dram memory circuits arranged in such a way as to minimize the size of a memory block allowing management of the row-hammering

Номер патента: US20240233800A9. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11935623B2. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Data line precharging circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100375219B1. Автор: 권석천,김형곤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-03-07.

Data line precharging circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: US20020054527A1. Автор: Seok-Cheon Kwon,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-09.

Data line precharging circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: US6552942B2. Автор: Seok-Cheon Kwon,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device, method of adjusting the same and information processing system including the same

Номер патента: US20140056086A1. Автор: Hideyuki Yoko,Ryuji Takishita,Naohisa Nishioka,Chikara Kondo. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and method for operating semiconductor device

Номер патента: US09761291B2. Автор: Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

System and method of memory electrical repair

Номер патента: US09830957B1. Автор: Jun Zhu,Akshay Chandra,Ting Qu,Saswat Mishra,Akanksha Mehta. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09583217B2. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Kuo-Hsin Lai,Shao-Wei Yen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5715208A. Автор: Ward Parkinson,Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-02-03.

Output timing control circuit of semiconductor apparatus and method thereof

Номер патента: US09959917B2. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US20230057178A1. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and memory device comprising the same

Номер патента: US12066849B2. Автор: Jae Woo Park,Jung Hwan Choi,Myoung Bo Kwak,Kyoung Jun ROH,Jun Han Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Two pass memory programming method, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09972390B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Szu-Wei Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory device

Номер патента: US11735238B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Chien-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device related to performing a column operation

Номер патента: US11705170B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Buffer control circuit of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09460764B2. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Bit line equalizing control circuit of a semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20090303822A1. Автор: Woo Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Bit line equalizing control circuit of a semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7978551B2. Автор: Woo-Seok Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Control circuit and memory device having the same

Номер патента: US09990968B2. Автор: Beom Seok HAH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and I/O control circuit therefor

Номер патента: US09916879B2. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device and I/O control circuit therefor

Номер патента: US09483430B2. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Decoder circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: US4730133A. Автор: Masanobu Yoshida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-03-08.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US7187582B2. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-03-06.

Impedance adjustment in a memory device

Номер патента: US09779039B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Column address counter circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20120170398A1. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Data output circuit of synchronous memory device

Номер патента: US20080279034A1. Автор: Chang Hyuk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

DATA STORING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND DATA WRITE CIRCUIT OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150213890A1. Автор: Katoh Yoshikazu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Bitline precharge voltage generation circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100543931B1. Автор: 김종환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-23.

Wiring short detection circuit of nonvolatile semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: KR950015768A. Автор: 이웅무,곽진호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-06-17.

Bitline precharge voltage generation circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR20050041633A. Автор: 김종환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-05-04.

Voltage boosting circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: CN1122943A. Автор: 崔勋. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile memory device having multi-stack memory block and method of operating the same

Номер патента: US12119046B2. Автор: Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208293A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09460766B2. Автор: Myeong-o Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn,Tae-Yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Pipeline-controlled semiconductor memory device with reduced power consumption and memory access time

Номер патента: US9412435B2. Автор: Atsunori Hirobe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory control circuit unit, memory storage device and signal receiving method

Номер патента: US09990983B2. Автор: Ming-Chien Huang,Chia-Lung Ma,Tzu-Chia Huang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device having bitline coupling scheme capable of preventing deterioration of sensing speed

Номер патента: US20040125662A1. Автор: Sung-Ho Choi,Tae-Seong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8854896B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9165655B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150016190A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Memory device having direct sense circuit

Номер патента: US6151265A. Автор: Masato Matsumiya,Masato Takita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-11-21.

Memory device including data input/output circuit

Номер патента: US20210201983A1. Автор: Insung KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140063962A1. Автор: Katsuaki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Memory device having a relatively wide data bus

Номер патента: US6034900A. Автор: Brian Shirley,Layne Bunker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory device having a self-refreshing control circuit

Номер патента: US5453959A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-09-26.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device with data input/output organization in multiples of nine bits

Номер патента: US6909661B2. Автор: Yun Jin Cho,Hyang Ja Yang,Yong Hwan Noh,Chul Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Memory device for processing a row-hammer refresh operation and a method of operating thereof

Номер патента: US20220084564A1. Автор: Hyeongtae Kim,Hyojin Choi,Jaewon KO,Younsik PARK,Hyeonsik SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device for processing a row-hammer refresh operation and a method of operating thereof

Номер патента: EP3979249A1. Автор: Hyeongtae Kim,Hyojin Choi,Jaewon KO,Younsik PARK,Hyeonsik SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-06.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Gate signal control circuit for ddr memory system

Номер патента: US20220164136A1. Автор: Sivaramakrishnan Subramanian,Sridhar Cheruku,Hong-Yi Wu,Ko-Ching Chao. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210257019A1. Автор: Jungho LIM,Nogeun Joo,Byeongchan Choi,Jeongtae HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US12106800B2. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu,Hsiang-Yun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Adaptive word line control circuit

Номер патента: US20230260570A1. Автор: Irene Lin,Wei Min Chan,Chien-Chen Lin,Pei-Yuan LI,Shang Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

VOLTAGE CONTROL CIRCUIT INCLUDING ASSIST CIRCUIT AND MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190080736A1. Автор: KIM Tae-Hyung,BAECK Sang-Yeop,Gupta Siddharth,Lee In-hak,Choi Jae-seung,Moon Dae-young,Seo Dong-wook. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Voltage control circuit including assist circuit and memory device including the same

Номер патента: US20190385653A1. Автор: Tae-hyung Kim,Siddharth Gupta,Dong-Wook Seo,Jae-Seung Choi,Dae-Young Moon,Sang-Yeop BAECK,ln-hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Reference current generating circuit of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070237000A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Precharge control circuits and methods for memory having buffered write commands

Номер патента: US20110026345A1. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Precharge control circuits and methods for memory having buffered write commands

Номер патента: US7965570B2. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Alan J. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20230317124A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Ping-Chun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device performing incremental step pulse program operation and operating method thereof

Номер патента: US11776630B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Auto-precharging semiconductor memory devices

Номер патента: GB2287112A. Автор: Gyu-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-06.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Pulse generator for adjusting selectively number of pulse generated by the pulse generator, internal voltage trimming control circuit of a semiconductor memory device with the pulse generator, and method for controlling trimming of the internal voltage

Номер патента: KR100729918B1. Автор: 이도윤,안선모. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-18.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005532A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: WO2023278073A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US20230005533A1. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory device including a plurality of stacked memory cells

Номер патента: US12080345B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Power control circuit and control method

Номер патента: US12093110B2. Автор: Weibing SHANG,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device consistently operating a plurality of memory cell arrays distributed in arrangement

Номер патента: US5986964A. Автор: Takeshi Hamamoto,Kiyohiro Furutani,Takuya Ariki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5696720A. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: RU2634217C2. Автор: Наоки СИМИДЗУ. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2017-10-24.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887664B2. Автор: Corrado Villa,Graziano Mirichigni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140063992A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Memory device having latency control circuit for controlling data write and read latency

Номер патента: US09858983B2. Автор: Han-gi Jung,Young-kwon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance

Номер патента: US09747966B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device

Номер патента: US20210090628A1. Автор: Yorinobu FUJINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US20230178137A1. Автор: Woongrae Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Integrated circuit and memory device including sampling circuit

Номер патента: US12068022B2. Автор: Woongrae Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

METHODS OF OPERATING FERROELECTRIC (Fe) FET BASED NON-VOLATILE MEMORY CIRCUITS AND RELATED CONTROL CIRCUITS

Номер патента: US20230189530A1. Автор: Zheng Wang,Shimeng Yu,Asif Khan,Winston Chern,Yuan-Chun Luo,Nujhat Tasneem. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Non-volatile memory refresh control circuit

Номер патента: US4218764A. Автор: Yukio Furuta,Tomisaburo Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-08-19.

Memory control circuit for controlling memory device that operates in self-refresh mode, and method of controlling the same

Номер патента: US9761301B2. Автор: Junnosuke Kataoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory control circuit for controlling memory device that operates in self-refresh mode, and method of controlling the same

Номер патента: US20170062041A1. Автор: Junnosuke Kataoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Sense-amp control circuit of the semiconductor memory device

Номер патента: KR940003409B1. Автор: 최종현,황홍선. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-04-21.

DRIVE AMPLIFIER CONTROL CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2680040B1. Автор: Jong-Hyun Choi,Hong-Seon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-05-13.

Sense amplifier control circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: GB9127519D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-02-19.

DRIVE AMPLIFIER CONTROL CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2680040A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Hwang Hong-Seon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-02-05.

DETECTION AMPLIFIER CONTROL CIRCUIT FOR USE IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: IT1248660B. Автор: Seungmo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-01-26.

Refresh control circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: TW201234364A. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Refresh circuit of a semiconductor memory device and refresh control method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20130201777A1. Автор: Jung-Bae Lee,Sang-Ho Shin,Min-Jeung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-08.

DELAY CIRCUIT OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170372764A1. Автор: Jung Jae-Hun,KANG SUKYONG,YU Hye-Seung,AHN SUNG-OH. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Back bias voltage generator circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: US5434820A. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Boosting compensation circuit of the semiconductor memory device

Номер патента: KR940009249B1. Автор: 박찬석,최도찬. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-01.

Burn-in test input circuit of a semiconductor memory device and burn-in test method therefor

Номер патента: DE69326654D1. Автор: Yun-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-11.

Input/output sense amplifier circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR20010093475A. Автор: 조근희,이규찬. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-29.

Buffer circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR0136894B1. Автор: 게이 하마데,다다아끼 야마우찌,요시까주 모로오까. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1998-04-29.

Wafer burn-in test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: CN1053757C. Автор: 昔容轼,李在蓥. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-21.

Wafer burn-in test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: TW263562B. Автор: Seok Yong-Sik,Lee Jae-Hyeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010028594A1. Автор: Makoto Segawa,Takao Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Memory device and method of operating the memory device including detrapping operations during programming

Номер патента: US12068033B2. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US12056355B2. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09851915B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321359A1. Автор: Yoichi MINEMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09548085B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100277968A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-04.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Storage device, memory controller circuit, and monitoring method thereof

Номер патента: US20190334579A1. Автор: Cheng-Yu Chen,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Systems And Methods For Accessing Memory Devices Using Virtual Memory Ranks

Номер патента: US20220188019A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Krishnaprasad H,Ramkumar Jayaraman,Diyanesh Babu Chinnakkonda Vidyapoornachary. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Non-volatile memory device including high voltage switching circuit, and operation method of the non-volatile memory device

Номер патента: US20210391015A1. Автор: Hyunjin SHIN,Sanggyeong Won,Dohui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Input/output interface circuits and methods for memory devices

Номер патента: US09646708B2. Автор: Hitoshi Miwa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Resistance variable memory device

Номер патента: US20200327939A1. Автор: Jin Su Park,Ki Won Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Switch control circuit of auto laser power control circuit

Номер патента: US7012344B2. Автор: Jyhfong Lin,Cheng Kuo Yang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-14.

3d memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US20230189538A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Flash-erasable semiconductor memory device having improved reliability

Номер патента: US5910916A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Minoru Yamashita,Tatsuya Kajita,Takao Akaogi,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1999-06-08.

Flash write circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5475647A. Автор: Jang-Kyu Lee,Seong-Ook Jung,Sung-Min Yim,Min-Tea Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-12-12.

Methods of erasing data in nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices performing the same

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Sang-Wan Nam,Dong-Hun Kwak,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device with end of cycle precharge utilizing write signal and data transition detectors

Номер патента: US5404327A. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-04-04.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20200381074A1. Автор: Jui-Wei Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100254184A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Integrated memory having a plurality of memory cell arrays and method for operating the integrated memory

Номер патента: US20020110043A1. Автор: Robert Feurle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US12046287B2. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Variable resistance non-volatile memory device

Номер патента: US20210065795A1. Автор: Takashi Ono,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Yuriko HAYATA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20210005268A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Seung-Bum Kim,Su-Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device with improved program performance and method of operating the same

Номер патента: US20240321361A1. Автор: Sung-Min JOE,Kang-Bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device

Номер патента: US09934829B1. Автор: Chi-Cheng Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20230342029A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200303017A1. Автор: Masashi Yamaoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device and controlling method thereof

Номер патента: WO2024060059A1. Автор: LI Xu,Jianping Li,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12020750B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory device which performs verify operations using different sense node pre-charge voltages and a common discharge period

Номер патента: US09721671B2. Автор: Farookh Moogat,Jong Hak Yuh,Kwang-Ho Kim,Alexander Chu,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device which generates operation voltages in parallel with reception of an address

Номер патента: US20230317177A1. Автор: BUSHNAQ Sanad,Junichi Sato,Norichika ASAOKA,Takaya HANDA,Masashi Yamaoka,Yuri Terada,Noriyasu Kumazaki,Akio SUGAHARA,Yuzuru SHIBAZAKI,Kazuto Uehara,Ryosuke Isomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device, memory system, and method of operating the same

Номер патента: EP4437540A1. Автор: Yue Sheng,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Tamper-resistant non-volatile memory device

Номер патента: US09536581B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO,Satoru Ogasahara. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile memory device and method of programming in a nonvolatile memory

Номер патента: US11881272B2. Автор: Sangwan Nam,Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Receiver performing background training, memory device including the same and method of receiving data using the same

Номер патента: US20220173942A1. Автор: Byungsuk Woo,Changkyu Seol,SuCheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor memory device performing a multiplication and accumulation operation

Номер патента: US20240013835A1. Автор: Kyunghyun Kim,Seonghwan Cho. Владелец: Korea Advanced Instirute Of Science And Technology. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160322423A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150078063A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa,Hidenori Miyagawa,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09780147B2. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US09779808B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional resistive memory device with adjustable voltage biasing

Номер патента: US09437296B2. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device which generates operation voltages in parallel with reception of an address

Номер патента: US20220130469A1. Автор: BUSHNAQ Sanad,Junichi Sato,Norichika ASAOKA,Takaya HANDA,Masashi Yamaoka,Yuri Terada,Noriyasu Kumazaki,Akio SUGAHARA,Yuzuru SHIBAZAKI,Kazuto Uehara,Ryosuke Isomura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190267097A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yusuke Higashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6154403A. Автор: Toru Tanzawa,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20150016189A1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Apparatuses and methods of memory access control

Номер патента: US20230402070A1. Автор: Hidekazu Noguchi,Yoshio Mizukane,Manami Senoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20200090755A1. Автор: Tatsuo Ogura,Hideto Horii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230389274A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device

Номер патента: US20240272833A1. Автор: Yuji Nagai,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US11990189B2. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Spiking neural network device, nonvolatile memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20230215498A1. Автор: Byung-gook Park,Seunghwan Song,Bosung Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US20230207026A1. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633741B1. Автор: Kenji Sawamura,Michiaki Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09589641B2. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Resistive memory devices using assymetrical bitline charging and discharging

Номер патента: US20110317484A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Resistive memory devices using assymetrical bitline charging and discharging

Номер патента: US20100046286A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09484105B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory control circuit

Номер патента: US20220172777A1. Автор: Haruhiko Terada,Yotaro Mori,Yoshiyuki Shibahara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240282384A1. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: US20240345944A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: EP4459620A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09953713B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09852797B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09747988B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595337B2. Автор: Takashi Maeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220139458A1. Автор: Shizuka Kutsukake. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20180090210A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Memory with a voltage-adjustment circuit to adjust the operating voltage of memory cells for BTI effect screening

Номер патента: US09627041B1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

PLL Control Circuit of Optical Disc Apparatus, and Recording Medium Having Recorded Thereon Program for Controlling the Optical Disc Apparatus

Номер патента: US20070217760A1. Автор: Hiroyuki Shiono. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Ferroelectric memory device and control method thereof

Номер патента: US20040076053A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Byung-Jun Min,Mun-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09437284B1. Автор: Jui-Lung Chen,Wei-Ting Chen,Yu-Hsi Ke. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11842767B2. Автор: Quansheng LI. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240160732A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: EP4376006A1. Автор: Youngjae PARK,Insu Choi,Seungki HONG,Hyunbo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257894A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operation method of memory system

Номер патента: US20240257895A1. Автор: Woongrae Kim,Chul Moon JUNG,Uk Song Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and control method

Номер патента: US20240304222A1. Автор: Atsushi Mototani. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Word-line-potential control circuit

Номер патента: US20120236662A1. Автор: Osamu Hirabayashi,Miyako Shizuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240096413A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Programming method of memory, memory device and memory system

Номер патента: CN114783487A. Автор: 王瑜,宋大植. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

Coding cell of nonvolatile ferroelectric memory device and operating method thereof, and column repair circuit of nonvolatile ferroelectric memory device having the coding cell and method for repairing column

Номер патента: US6836425B2. Автор: Hee Bok Kang,Duck Ju Kim,Hun Woo Kye,Je Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

fail repair circuit of nonvolatile ferroelectric memory device and method for repair the same

Номер патента: KR100434315B1. Автор: 박제훈,김덕주,강희복,계훈우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-05.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040095824A1. Автор: Hironori Akamatsu,Marefusa Kurumada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Code address memory (cam) cell read control circuit of semiconductor memory device and method of reading data of cam cell

Номер патента: US20100302827A1. Автор: Kyoung Nam Kim,Beom Ju Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US10276245B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Address output timing control circuit of semiconductor apparatus

Номер патента: US8406079B2. Автор: Young Park Kim,Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-03-26.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Devices and operation methods for configuring data strobe signal in memory device

Номер патента: US09652228B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chang-Ting Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09520166B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Error detection apparatus for a semiconductor memory device

Номер патента: US20160372211A1. Автор: Keisyun LIN. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20200350019A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20210375366A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230170025A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US11830554B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240046991A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Internal power supply voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US6281745B1. Автор: Hoon Ryu,Jae Hoon Kim,Hyun Soon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-28.

Data input circuit of nonvolatile memory device

Номер патента: US8780645B2. Автор: Jong Tai Park,Won Sub SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Package map data outputting circuit of semiconductor memory device and method for outputting package map data

Номер патента: US20050117417A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Yong-Dae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-02.

Memory Cell Test Control Circuit and Method of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR960042765A. Автор: 이상길,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-12-21.

A control circuit for redundancy of semiconductor memory device

Номер патента: KR101036301B1. Автор: 김민수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-23.

Driver of semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US9190122B2. Автор: Sang Il Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor memory device capable of detecting high-voltage test command signal

Номер патента: US6333880B1. Автор: Katsuyoshi Mitsui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-25.

Block decoding circuits of semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20090196112A1. Автор: Yong-ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-06.

Aging monitoring circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20240021257A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Data input circuit of nonvolatile memory device

Номер патента: US20120057414A1. Автор: Jong Tai Park,Won Sub SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-08.

Calibration circuit of a semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: TW200623223A. Автор: Young-Jun Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

Calibration circuit of a semiconductor memory device and method of operation the same

Номер патента: CN1797604A. Автор: 南英俊. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-05.

Redundant circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100197988B1. Автор: 김태윤. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

high voltage generating circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100689804B1. Автор: 차기원,김송원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-08.

Column redundnacy circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100235945B1. Автор: 박기홍. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Test mode circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100492775B1. Автор: 장지은. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-06-07.

Row decoder circuit of a flash memory device which has a divided wordline architecture

Номер патента: KR100254565B1. Автор: 최수환. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Automatic Program Circuit of Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR960012023A. Автор: 김진기,임형규,이성수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-04-20.

The redundancy circuit of the semiconductor memory device

Номер патента: KR980005053A. Автор: 남종기. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Repair circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100492778B1. Автор: 이정우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-06-07.

Redundant circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100196515B1. Автор: 류덕현,김택무. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Multibit test circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: DE4441007C2. Автор: Choong-Sun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-30.

Erasing circuit of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080117691A1. Автор: Youichi Kawasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Negative high voltage generating circuit of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100206188B1. Автор: 이승근,용명식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-01.

Row decoder circuit of non-volatile memory device

Номер патента: KR940005695B1. Автор: 이웅무. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-06-22.

Input circuit of a semiconductor memory device and test system having the same

Номер патента: KR101287863B1. Автор: 장영욱,신상웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-07-19.

Dual column redundancy circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100197993B1. Автор: 김태윤. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Test circuit of a dynamic memory device

Номер патента: KR100212135B1. Автор: 김헌철,전홍신. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-08-02.

Semiconductor memory device comprising a plurity of input/output ports and a plurity of memory blocks corresponding to the plurality of input/output ports

Номер патента: US9053757B2. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140169071A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Memory device and method for performing error check and scrub (ecs) operation

Номер патента: EP4383261A3. Автор: Youngbin LEE,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang,SONG Saemi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device including refresh operations having first and second cycles

Номер патента: US09786352B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110096596A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Naoki Ookuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US09490004B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09685218B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09536586B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor memory device that performs a refresh operation

Номер патента: US09767883B2. Автор: Taeyoung Oh,Chulsung Park,Suyeon Doo,Namjong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatuses including memory section control circuits with global drivers

Номер патента: US09653143B2. Автор: Gi-hong Kim,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Management of memory refresh power consumption

Номер патента: US20140136774A1. Автор: William Henry Mangione-Smith. Владелец: SEARETE LLC. Дата публикации: 2014-05-15.

Management of memory refresh power consumption

Номер патента: US8943267B2. Автор: William Henry Mangione-Smith. Владелец: Invention Science Fund I LLC. Дата публикации: 2015-01-27.

Management of memory refresh power consumption

Номер патента: US20170083256A1. Автор: William Henry Mangione-Smith. Владелец: SEARETE LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Refresh control circuit and method thereof and bank address signal change circuit and methods thereof

Номер патента: US20060250874A1. Автор: Jong-Won Lee,Tao-Seong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Management of memory refresh power consumption

Номер патента: US09455035B2. Автор: William Henry Mangione-Smith. Владелец: Invention Science Fund I LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6021070A. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Memory device performing ecs operation, operation method of the memory device, memory system, electronic device, and electronic system

Номер патента: US20240161807A1. Автор: Youngbin LEE,Saemi Song,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Consumption current circuit and method for memory device

Номер патента: US5978292A. Автор: Dong-Chul Lim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-02.

Voltage calibration method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240304235A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Po-Cheng Su,Shih-Jia Zeng,Po-Hao Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20230418487A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device and method for performing error check and scrub (ecs) operation

Номер патента: EP4383261A2. Автор: Youngbin LEE,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang,SONG Saemi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Memory device with reduced read disturbance and method of operating the memory device

Номер патента: US20210027837A1. Автор: Jongmin Baek,Jongryul Kim,Taehui Na,Dueung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240135980A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Control circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20020145929A1. Автор: Shigemasa Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Memory refresh methods, memory section control circuits, and apparatuses

Номер патента: US20140078847A1. Автор: Gi-hong Kim,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory device for performing smart refresh operation and memory system including the same

Номер патента: US20230118249A1. Автор: Hoiju CHUNG,Woongrae Kim,Saeng Hwan Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory refresh methods, memory section control circuits, and apparatuses

Номер патента: US20160276017A1. Автор: Gi-hong Kim,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Memory refresh methods, memory section control circuits, and apparatuses

Номер патента: US20150023121A1. Автор: Gi-hong Kim,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Memory refresh methods, memory section control circuits, and apparatuses

Номер патента: US8861296B2. Автор: Gi-hong Kim,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Memory device for performing smart refresh operation by counting received address

Номер патента: US12027193B2. Автор: Hoiju CHUNG,Woongrae Kim,Saeng Hwan Kim,Yoonna OH,Byeong Yong GO,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device capable of determining candidate wordline for refresh and control method thereof

Номер патента: US09805782B1. Автор: Jian-Sing Liou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210391000A1. Автор: Soo-Woong Lee,Sang Soo Park,Yongkyu Lee,Doo-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Internal power supply control circuit of semiconductor memory

Номер патента: US20100246307A1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Management of memory refresh power consumption

Номер патента: WO2007127282A2. Автор: William Henry Mangione-Smith. Владелец: SEARETE LLC. Дата публикации: 2007-11-08.

Memory device and memory system for performing target refresh operation

Номер патента: US20240347094A1. Автор: Hyun Seung Kim,Kang Seol Lee,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device including power-up control circuit, and memory system having the same

Номер патента: US09455018B2. Автор: Seung-Hun Lee,Won-Jae Shin,Hyung-chan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device and operating method

Номер патента: US20080008022A1. Автор: Yoon-Gyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200160903A1. Автор: Jae-Seung Lee,No-Geun Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US20090116322A1. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US4799193A. Автор: Fumio Horiguchi,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

Power control circuit and control method

Номер патента: US20230282267A1. Автор: Weibing SHANG,Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory devices and methods thereof for managing row hammer events therein

Номер патента: US20240096391A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory devices having adjustable i/o signal line loading that supports reduced power consumption during read and write operations

Номер патента: US20240105255A1. Автор: Seung-Jun Lee,Sang-Yun Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US10037817B2. Автор: Dong-Wook Kim,Dong-Hak Shin,Sung-Jun HER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-31.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor memory device with reduced current consumption in data hold mode

Номер патента: EP1152431A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-07.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile memory device for performing multi-plane read operation and operation method thereof

Номер патента: US20240203478A1. Автор: Seokin Hong,Yeji Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Staggered refresh counters for a memory device

Номер патента: US20210304814A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Non-volatile memory with access control circuit for secure boot of an electronic device

Номер патента: US20230385420A1. Автор: Vincent Berthelot. Владелец: STMicroelectronics Grand Ouest SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device capable of lowering a write voltage

Номер патента: US20110261619A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor memory device capable of lowering a write voltage

Номер патента: US20090316479A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Memory device

Номер патента: US20190019559A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Asuka KANEDA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20120020160A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Voltage prediction method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240304259A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Po-Cheng Su,Po-Hao Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: EP4364142A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Systems and methods for adaptive self-referenced reads of memory devices

Номер патента: US11887663B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Graziano Mirichigni,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150049551A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240127892A1. Автор: Yun Cheol Kim,Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761307B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device with selective provision of boost voltage for programming

Номер патента: EP4134957A2. Автор: Koichi Takeda,Ken Matsubara,Akihiko Kanda,Tomoya Saito,Genta Watanabe,Takahiro Shimoi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257869A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4404199A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8724383B2. Автор: Hitoshi Iwai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Memory device

Номер патента: US20210295890A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device

Номер патента: US11264072B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9311993B2. Автор: Yasuhiro Shimura,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20240363169A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device with reduced neighbor memory cell disturbance

Номер патента: US09418735B2. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device

Номер патента: US10109353B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Asuka KANEDA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-23.

Memory device

Номер патента: US20180005698A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Asuka KANEDA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device capable of lowering a write voltage

Номер патента: US8004889B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160042800A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Audio control circuit

Номер патента: US20150125006A1. Автор: Wei Pan. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Audio control circuit capable of processing both digital and analog audio signals

Номер патента: US09578420B2. Автор: Wei Pan. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20230268007A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method and apparatus for rapidly testing memory devices

Номер патента: US20010022752A1. Автор: Kevin Duesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230102395A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240257885A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12033702B2. Автор: Yoshikazu Harada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: US20230197158A1. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile memory devices and storage devices

Номер патента: EP4198987A1. Автор: Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: RU2169951C2. Автор: Томас Цеттлер,Вольфганг Покрандт,Йозеф Виннерл,Георг Георгакос. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125528B2. Автор: Naofumi ABIKO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20160225416A1. Автор: Tomotsugu GOTO. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200241796A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Nonvolatile memory devices for reducing degradation due to difference of threshold voltage distributions between outer cells and inner cells

Номер патента: US12094535B2. Автор: Eun Chu Oh,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09881684B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for built-in self-repair of memory storage arrays

Номер патента: EP1352396A2. Автор: Timothy J. Wood,Gerald D. Zuraski, Jr.,Raghuram S. Tupuri. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-15.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US12094536B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device including charge pump, and operation method of the memory device

Номер патента: US20240312531A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device performing leakage detection operation

Номер патента: US20240274209A1. Автор: Hyunee LEE,Wondong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device performing leakage detection operation

Номер патента: EP4414986A1. Автор: Wandong Kim,Hyunee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile memory device with configuration to apply adjustable voltage to pass transistor gate

Номер патента: US12062395B2. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Jungyun Yun,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device which stores plural data in a cell

Номер патента: US09858992B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device which stores plural data in a cell

Номер патента: US09627048B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130229852A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Tomonori KUROSAWA,Yoichi MINEMURA,Takafumi SHIMOTORI,Mizuki Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor memory device capable of shortening erase time

Номер патента: US09595344B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory device

Номер патента: US20240321374A1. Автор: Manabu Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatuses and methods for configuring I/Os of memory for hybrid memory modules

Номер патента: US09921980B2. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Latch control circuit on and-not elements and latch shift register on and-not elements

Номер патента: RU2676019C1. Автор: Сыкунь Хао. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-25.

Memory including error correction circuit and operation method of memory

Номер патента: US12032439B2. Автор: Gang Sik Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device

Номер патента: US10770142B2. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09824764B2. Автор: Yuji Nagai,Jun Nakai,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Verification of an excessively high threshold voltage in a memory device

Номер патента: US20200395089A1. Автор: Sang-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory management method, memory storage device and memory controlling circuit unit

Номер патента: US09947417B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US09685236B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US09543027B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device with function of carrying out logic judgement for correct recognition of memory operation

Номер патента: US5557574A. Автор: Masao Nakano,Yukihiro Senoo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device with function of bringing memory cell transistors to overerased state, and method of writing data in the device

Номер патента: US5438544A. Автор: Takami Makino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Memory device performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US12002518B2. Автор: Jinyoung Chun,Ilhan Park,Yongsung CHO,Minhwi Kim,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Voltage control in semiconductor memory device

Номер патента: US12027208B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12136458B2. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Mai SHIMIZU,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09953712B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09773560B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Content addressable memory device

Номер патента: US20210118505A1. Автор: I-Hao Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor memory device and refreshing method of semiconductor memory device

Номер патента: US10892018B2. Автор: Seiji Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor memory device and refreshing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20190172541A1. Автор: Seiji Sawada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Gate driver circuit of display panel, driving method therefor and display device

Номер патента: US20220036800A1. Автор: Yunqin Hu,Lidan YE. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Memory device having a redundant memory block

Номер патента: US5978306A. Автор: Hsi-Jung Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Column redundancy circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5325334A. Автор: Yong-Sik Seok,Jae-Gu Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-06-28.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US9312003B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile memory device including banks operating in different operation modes, operation method of memory controller, and storage device comprising nonvolatile memory device and memory controller

Номер патента: US20200335163A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Test mode control circuit of semiconductor apparatus and control method thereof

Номер патента: US09360520B2. Автор: Tae Sik Yun,Jong Chern Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190304553A1. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and operation method of the semiconductor memory device

Номер патента: EP3805936A1. Автор: Sunjung Lee,Jaehyun Park,Jungho Ahn,Byeongho Kim,Seungwoo Seo,Jaewan Choi,Wonkyung JUNG,Minbok WI,Eojin LEE,Jongwook CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and operation method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210398597A1. Автор: Sunjung Lee,Jaehyun Park,Jungho Ahn,Byeongho Kim,Seungwoo Seo,Jaewan Choi,Wonkyung JUNG,Minbok WI,Eojin LEE,Jongwook CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device and program/erase method therefor

Номер патента: US20190244670A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Shift redundancy circuit, method for controlling shift redundancy circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: US20060067142A1. Автор: Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11984173B2. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Resistive memory device and method relating to a read voltage in accordance with variable situations

Номер патента: US09990991B2. Автор: Seok Joon KANG,Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Resistive memory device and method relating to a read voltage in accordance with variable situations

Номер патента: US09875796B2. Автор: Seok Joon KANG,Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US10074441B2. Автор: Byoung-Sung YOU,Jae-Hyoung KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-11.

Integrated circuit memory devices providing per-bit redundancy and methods of operating same

Номер патента: US20020109154A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Word line test control circuit of semiconductor apparatus and testing method thereof

Номер патента: US09455008B2. Автор: Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Control circuit for nonvolatile memory device

Номер патента: RU2221286C2. Автор: Томас Цеттлер. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2004-01-10.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US11797382B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

A non-volatile memory device including a row decoder with an improved pull-up stage

Номер патента: EP3839956A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120303871A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Non-volatile memory device including a row decoder with a pull-up stage

Номер патента: US20210183442A1. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a charge storage layer and a control gate and method of controlling the same

Номер патента: US20090268526A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Takeshi Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Flash memory devices that support incremental step-pulse programming using nonuniform verify time intervals

Номер патента: US20080137435A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Soo-Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230315343A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276041A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Content addressable memory device

Номер патента: US20130182482A1. Автор: Mihoko Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Memory repair circuit, a memory repair method, and a memory device

Номер патента: US20240265987A1. Автор: Hyunseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09607694B1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09330774B2. Автор: Mizuki Kaneko,Junji Musha. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US20230290412A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20130088919A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210280260A1. Автор: Masahiko Iga,Yasuhiro Shiino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory device including sense amplifying circuit

Номер патента: US20240233851A1. Автор: Woongrae Kim,Yeonsu JANG,Jung Min Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated, electronic control circuit incorporating an electrically programmable, electronic non-volatile memory device

Номер патента: US6081471A. Автор: Virginia Natale,Luca Fontanella,Michele Palazzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09812194B1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Szu-Wei Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device having mask rom structure

Номер патента: US5140597A. Автор: Sunao Araki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-08-18.

Methods of testing repair circuits of memory devices

Номер патента: US20240290414A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Sanghee KANG,Kiho Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20060126399A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20080181011A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Logical verification apparatus and method for memory control circuit

Номер патента: US20020157047A1. Автор: Hiroshi Hosokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Apparatuses and methods for configuring I/Os of memory for hybrid memory modules

Номер патента: US11886754B2. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

APPARATUSES AND METHODS FOR CONFIGURING I/Os OF MEMORY FOR HYBRID MEMORY MODULES

Номер патента: US20240152297A1. Автор: Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Multi-port memory device with multiple modes of operation and improved expansion characteristics

Номер патента: US20040037153A1. Автор: Robert Cohen,Jeff Ladwig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180301190A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130529A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10217514B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10020055B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10658038B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Non-volatile memory control circuit

Номер патента: US20090303800A1. Автор: Yoshinobu Kaneda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09859002B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09779812B1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09424915B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Control circuit, memory system and control method

Номер патента: US11756645B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Tung-Ying Lee,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177894A1. Автор: Yohan Lee,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Jungyun Yun,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Control circuit, memory system and control method

Номер патента: US20230360717A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Tung-Ying Lee,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US20130279260A1. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile memory device and method for programming the device, and memory system

Номер патента: US8472247B2. Автор: Sung-Won Yun,Dong-Hyuk Chae,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US09928885B2. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Serial bus event notification in a memory device

Номер патента: US09904596B2. Автор: Jong Hun Park,Lyn R. Zastrow,Kookhwan Kwon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09460794B2. Автор: Hiroshi Maejima,Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device capable of shortenin erase time

Номер патента: US20110242903A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Noboru Shibata. Дата публикации: 2011-10-06.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A2. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: US20240038319A1. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device capable of shortening erase time

Номер патента: US20240047001A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device capable of shortening erase time

Номер патента: US11830559B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory system, operating method of the same, and controller of memory device

Номер патента: EP4312219A3. Автор: Dohan Kim,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Jaein SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Memory devices having variable repair units therein and methods of repairing same

Номер патента: US20210124659A1. Автор: Hyunki Kim,Yesin RYU,Yoonna OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and method of operating wordlines

Номер патента: US20240312540A1. Автор: Daehan Kim,Jongho AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Data protecting method, memory control circuit unit and memory storage device

Номер патента: US09720609B1. Автор: Horng-Sheng Yan,Kok-Yong Tan. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor memory device for performing a post package repair operation and operating method thereof

Номер патента: US09870837B1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory including error correction circuit and operation method of memory

Номер патента: US20240143438A1. Автор: Gang Sik Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory having a plurality of memory cells and a plurality of word lines

Номер патента: US09799412B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20230298633A1. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Access line management in a memory device

Номер патента: US09514829B2. Автор: Benjamin Louie,Aaron S. Yip,Ali Mohammadzadeh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor storage device comprising a control circuit for changing a rate of increase of a voltage applied to non-selected word lines

Номер патента: US11901020B2. Автор: Naofumi ABIKO,Emiri TAKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Adaptive control to access current of memory cell description

Номер патента: US11823737B2. Автор: Marco Sforzin,Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: IE58553B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-10-06.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device including a resistance change element and a control circuit for changing resistance of the resistance change element

Номер патента: US09679647B2. Автор: Takashi Hase,Yoshihiro Hayashi,Makoto Ueki,Masaharu Matsudaira,Koji MASUZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device responding to device commands for operational controls

Номер патента: US09652170B2. Автор: Pete Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149867A1. Автор: Hiroaki Tanaka,Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Content addressable memory device

Номер патента: US8400803B2. Автор: Mihoko Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Inspection system for floppy disk drive unit control circuit of electronic appliance.

Номер патента: MY104383A. Автор: OHASHI Mitsuo. Владелец: Nippon Denki Home Electronics. Дата публикации: 1994-03-31.

Tracking gain control method and tracking control circuit

Номер патента: US20050105411A1. Автор: Masaaki Nara,Michihiro Kuraoka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-19.

Switch control circuit, switch control method and power supply device using the same

Номер патента: US20140268925A1. Автор: Kyung-Oun Jang,Sung-Won Yun,Min-Woo Lee,Won-Tae Lee. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Bandgap reference circuit, control circuit, and associated control method

Номер патента: US20200125128A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Nai Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Bandgap reference circuit, control circuit, and associated control method

Номер патента: US20200257326A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chih-Chiang Chang,Yung-Chow Peng,Nai Chen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Timing control circuit

Номер патента: US09684332B2. Автор: Yuuki Ogata,Yoichi Koyanagi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Slope control circuit

Номер патента: US09608606B2. Автор: Ryan Hsin-Chin Jiang,Long-Xi Chang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Switch control circuit and switch circuit

Номер патента: US09595945B2. Автор: Toshiki Seshita,Toshifumi Ishimori,Yugo Kunishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

A symmetry control circuit of a trailing edge phase control dimmer circuit

Номер патента: WO2015176111A1. Автор: James Vanderzon. Владелец: Gerard Lighting Pty Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

A symmetry control circuit of a trailing edge phase control dimmer circuit

Номер патента: NZ727428A. Автор: James Vanderzon. Владелец: Ozuno Holdings Ltd. Дата публикации: 2021-01-29.

A symmetry control circuit of a trailing edge phase control dimmer circuit

Номер патента: EP3146801A1. Автор: James Vanderzon. Владелец: Gerard Lighting Holdings Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-29.

Method for performing common mode voltage re-biasing in analog front-end circuit of receiver, associated common mode voltage re-biasing circuit, associated receiver and associated integrated circuit

Номер патента: US20230253939A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Oscillator phase-control circuits

Номер патента: IL40265A. Автор: . Владелец: Siemens Ag Albis. Дата публикации: 1976-08-31.

Control circuit, signal conversion circuit and control method

Номер патента: US12013162B2. Автор: Yao Wang,Hanjie Yin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-18.

Control circuit for automatic circuit breaker of differential current

Номер патента: RU2695315C2. Автор: Даниеле НОВАТИ. Владелец: Бтичино Спа. Дата публикации: 2019-07-23.

Device for processing of program components and memory control circuit for transport processor

Номер патента: RU2145728C1. Автор: Майкл Скотт Дайсс,Кевин Эллиотт Бриджуотер. Владелец: Томсон Консьюмер Электроникс, Инк.. Дата публикации: 2000-02-20.

Control circuit, PTZ camera, control method, and computer-readable storage medium

Номер патента: US11729508B2. Автор: Aijun Wang,Guixing WANG,Wenfu JIANG. Владелец: Shenzhen Reolink Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Control circuit, ptz camera, control method, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20230199317A1. Автор: Aijun Wang,Guixing WANG,Wenfu JIANG. Владелец: Shenzhen Reolink Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Inkjet chip and control circuit of printing module of rapid prototyping apparatus

Номер патента: US09993963B2. Автор: Chi-Feng Huang,Wen-Hsiung Liao. Владелец: Microjet Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Control circuit of power converter

Номер патента: US09395734B2. Автор: Hung-Yu Cheng,Tzu-Huan Chiu,Shuo-Wen Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-07-19.

Control circuit of galvanometer motor and lidar

Номер патента: US20240146049A1. Автор: Huamin LANG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Control circuit for multiply accumulate circuit of neural network system

Номер патента: US20200372331A1. Автор: Ching-Yuan Lin,Chia-Fu Chang,Cheng-Heng CHUNG. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Control circuit of electrostatic capacitive sensor and electronic device using the same

Номер патента: US09753592B2. Автор: Yo YAMASHIRO,Yuki Oishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Control circuit of electrostatic capacitive sensor and electronic device using the same

Номер патента: US09838527B2. Автор: Yo YAMASHIRO,Yuki Oishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Control circuit of step-down DC-DC converter, control circuit of step-up DC-DC converter and step-up/step-down DC-DC converter

Номер патента: US09523990B2. Автор: Toru Miyamae. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Readout circuit of single photon avalanche focal plane

Номер патента: US20240179437A1. Автор: Shuiqing Xi,Ruoyao Gao,Dajian Cui,Junxiang Yuan. Владелец: CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP Corp NO 44 RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2024-05-30.

Control circuit of power converter with upper limit clamping circuit and related method

Номер патента: US09563212B2. Автор: Yu-Nung Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-02-07.

Driving circuit of light source and control circuit thereof, driving method of light source, lighting apparatus, and electronic device

Номер патента: US09750113B2. Автор: Takeshi Nozawa,Shingo Haruta. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Control circuit and method for a first-in first-out data pipeline

Номер патента: US5940601A. Автор: Ian W. Jones,Charles E. Molnar. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Indication control circuit for indicating workload of electronic device

Номер патента: US8981956B2. Автор: Yi-Feng Wang,Yu-Chia Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Motor and control circuit thereof

Номер патента: US20080258584A1. Автор: Lee Long Chen,Chi-Chen Shen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Data-receiving circuit of infrared receiver and data-receiving method thereof

Номер патента: US20220045752A1. Автор: Tse-Yen LIU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Motor and control circuit thereof

Номер патента: US7863852B2. Автор: Lee Long Chen,Chi-Chen Shen. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

High-frequency electromagnetic induction control circuit

Номер патента: CA3104111C. Автор: Tuanfang Liu. Владелец: Shenzhen Eigate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for cooperative resource allocation for performing movement maneuvers in a road area, and related control circuit and motor vehicle having such a control circuit

Номер патента: US20230222902A1. Автор: Julia Rainer. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-07-13.

Control circuit and device including control circuit

Номер патента: US20160226240A1. Автор: Takao Saito. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Control circuits and methods for transitioning between power converter control modes

Номер патента: US09906121B2. Автор: Jonathan Ross Bernardo Fauni,James Sigamani,Yancy Fontanilla Boncato. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Electronic ballast-based device for controlling electronic control circuit and lighting lamp

Номер патента: US20190174590A1. Автор: Wei Wen. Владелец: Opple Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Control circuit for controlling image sensor

Номер патента: US20240292094A1. Автор: Shu-Chang Liang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Power managing apparatus, DC-DC control circuit, and method for enabling chip

Номер патента: US09559588B2. Автор: Cheng-Ching Hsu,Yen-Hsun Wang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods and apparatus for storing error correction information on a memory controller circuit

Номер патента: US09684559B1. Автор: Clement C. Tse. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Control circuit, memory device including the same, and method

Номер патента: US20240272836A1. Автор: Won Ha CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory control method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20230281114A1. Автор: Sheng-Min Huang,Shih-Ying Song. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Multiprocessor node controller circuit and method

Номер патента: EP1222559A2. Автор: Swaminathan Venkataraman,Martin M. Deneroff,Yuval Koren,Givargis G. Kaldani,David Edward Mccracken. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 2002-07-17.

Multiprocessor node controller circuit and method

Номер патента: WO2001024031A2. Автор: Swaminathan Venkataraman,Martin M. Deneroff,Yuval Koren,Givargis G. Kaldani,David Edward Mccracken. Владелец: Silicon Graphics, Inc.. Дата публикации: 2001-04-05.

Virtual channel memory access controlling circuit

Номер патента: US20010039605A1. Автор: Takeshi Uematsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method and apparatus for performing automatic setting control of memory device in predetermined communications architecture with aid of auxiliary setting management

Номер патента: US11899974B2. Автор: Han-cheng Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for performing automatic setting control of memory device in predetermined communications architecture with aid of auxiliary setting management

Номер патента: US20230106393A1. Автор: Han-cheng Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Gate driver control circuit in matrix applied for display device with plane panel and display device with plane panel

Номер патента: RU2667459C1. Автор: Сыкунь Хао. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-09-19.

Liquid crystal display, turnoff discharge circuit of liquid crystal display and driving method thereof

Номер патента: US10565949B2. Автор: Qiang Liu,Yifeng ZOU,Mindong Zheng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-18.

Data protection method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20210397347A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Hsiao-Yi Lin,Yu-Siang Yang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Liquid crystal display, turnoff discharge circuit of liquid crystal display and driving method thereof

Номер патента: US20190304391A1. Автор: Qiang Liu,Yifeng ZOU,Mindong Zheng. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Performance match method of memory, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240289017A1. Автор: Chih-ling Wang,Kuai Cao,En Yang Wang,Dong Dong Yao,Yun Peng Zhang,Wen Qing Lv. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US20240220159A1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Source driver and polarity inversion control circuit

Номер патента: US20220101768A1. Автор: Hung-Yu Huang,Siangwei Wang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of estimating a low-level circuit of aircraft control

Номер патента: RU2691984C1. Автор: Виктор Федорович Заец,Владимир Сергеевич Кулабухов,Николай Алексеевич Туктарев,Валерий Валерьевич Булгаков,Игорь Иванович Бублик,Максим Сергеевич Кравцов. Владелец: Акционерное общество Московский научно-производственный комплекс "Авионика" имени О.В. Успенского (АО МНПК "Авионика"). Дата публикации: 2019-06-19.

Usb control circuit with built-in bypass function

Номер патента: US20170010997A1. Автор: Chong Liu,Neng-Hsien Lin,Luo-Bin Wang,Jian-Jhong ZENG. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

USB control circuit with built-in bypass function

Номер патента: US09984024B2. Автор: Chong Liu,Neng-Hsien Lin,Luo-Bin Wang,Jian-Jhong ZENG. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Driving Circuit of Display Panel

Номер патента: US20210074219A1. Автор: Chia-Hung Chien,I-Chen Lin,Chih-Te Hung,Chun-Chi Yeh. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for generating random number, memory storage device and control circuit

Номер патента: US09465584B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Siu-Tung Lam. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and associated control method

Номер патента: US20180373625A1. Автор: Chia-He Liu,Jian-Shing LIU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Driving circuit of display panel and driving module thereof, and display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443486B2. Автор: Ping Lin Liu,Shih Chieh Hung. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and apparatus for testing a joystick control circuit

Номер патента: US20020105499A1. Автор: Ming-Cheng Tsai,D.H. Wang,Ing-Bor Hsieh. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Memory device and protection method thereof

Номер патента: US20240273194A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for performing mapping table management of memory device in predetermined communications architecture with aid of table analysis

Номер патента: US20240296126A1. Автор: Jie-Hao LEE,Chun-Ju Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Power supply control circuit and signal processing circuit

Номер патента: US09857860B2. Автор: Hajime Tokunaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Power supply semiconductor integrated circuit including a short-circuit-fault detection circuit that detects a short circuit of the voltage-output terminal

Номер патента: US11768510B2. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Power Gating Circuit of a Signal Processing System

Номер патента: US20070210857A1. Автор: Shang-Chih Hsieh,Jeng-Huang Wu,Yi-Hwa Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table update

Номер патента: US12117932B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100241794A1. Автор: Osamu Nagao,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table update

Номер патента: US20240232074A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit of heating apparatus

Номер патента: US20240231299A9. Автор: Jialing Xiang. Владелец: Shenzhen Xinan Textile Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table search

Номер патента: US20240232093A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit of blind-mating display having two type-C interfaces, control device thereof, and control method thereof

Номер патента: US12130764B2. Автор: Jingsheng Chen,Liping HE,Longhua Dai,Honghai Li,Mingliang Sun,Wenqing Xiao. Владелец: Shenzhen Xinlongpeng Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table search

Номер патента: US12130743B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table regions

Номер патента: US20240231624A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit of display panel and display device

Номер патента: US20240242650A1. Автор: Tingting Shen,Baohong KANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Driving control circuit of display device

Номер патента: US20140300654A1. Автор: Young-gi Kim,Joon-Ho Na,Hye-Lan KIM,Na-Ra HONG. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Control circuit of display panel and display device

Номер патента: US12136371B2. Автор: Tingting Shen,Baohong KANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Electronic device with a control circuit to detect and establish a connection to host device

Номер патента: US09665150B2. Автор: Shinya Sakashita,Aya Takio. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table regions

Номер патента: US12147670B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Control circuit for key punch or verifier

Номер патента: GB1069390A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1967-05-17.

Exposure control circuit for photographic camera

Номер патента: US3928860A. Автор: Saburo Numata,Shinichiro Fujino. Владелец: Fuji Photo Optical Co Ltd. Дата публикации: 1975-12-23.

Fet-based circuits of high efficiency paralleling of power supplies

Номер патента: WO1998007084A1. Автор: Ronald J. Lenk. Владелец: ERICSSON INC.. Дата публикации: 1998-02-19.

Memory management method, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09946476B2. Автор: Jiann-Mou Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Display and display control circuit

Номер патента: US09697802B2. Автор: Takashi Nose,Hirobumi Furihata,Yoshihiko Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Driving circuit of display element and image display apparatus

Номер патента: US20130127812A1. Автор: Katsumi Abe,Masafumi Sano,Hideya Kumomi,Ryo Hayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory devices and methods having multiple acknowledgements in response to a same instruction

Номер патента: US12056068B2. Автор: Paul Hill. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Wear-level control circuit for memory module

Номер патента: US20240045796A1. Автор: Shay FUX,Sagie GOLDENBERG,Amotz Yagev. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Nonvolatile memory device and method of programming a nonvolatile memory

Номер патента: US20240241649A1. Автор: Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Stylus and sensor control circuit

Номер патента: US11397480B2. Автор: Sadao Yamamoto,David Charles Fleck. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Power supply timing control circuit, control method, display drive circuit, and display device

Номер патента: EP3806080A1. Автор: Lixin Zhu,Chunyang Nie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Stylus and sensor control circuit

Номер патента: US12061754B2. Автор: Sadao Yamamoto,David Charles Fleck. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: EP4399595A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method and apparatus for reading, measuring or determining parameters of display elements combined with display control circuit, and system using said method and apparatus

Номер патента: RU2526763C2. Автор: Алок ГОВИЛЬ. Владелец: Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2014-08-27.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Remote control circuit

Номер патента: US09679469B2. Автор: Ching-Chung Lin,Fu-Shan Cui. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Display device and light-emitting control circuit thereof, driving method

Номер патента: US20210217348A1. Автор: Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Control circuit, display system, and related method of controlling display panel

Номер патента: US20210056286A1. Автор: Huan-Teng Cheng. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2021-02-25.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Control circuit and control system

Номер патента: US09798345B1. Автор: Chen-Feng CHIANG,Che-Yuan Jao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Power conversion apparatus configured to include plurality of power converter circuits of inverter circuits

Номер патента: US09985552B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Futoshi Okawa,Hiroshi Ikarashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Drive circuit of voltage-controlled device

Номер патента: US20160301406A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Feedback control circuit of pulse-frequency modulation converter that adaptively adjusts on-time control signal and associated feedback control method

Номер патента: US20240313747A1. Автор: John-San Yang,Jui-Hung Wei,Han-Chi Chiu,Ke-Deng Huang. Владелец: Airoha Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Drive circuit of voltage-controlled device

Номер патента: US09590612B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Control circuit, voltage source circuit, drive device, and drive method

Номер патента: EP3937361A1. Автор: DONG Chen,Lei Shi,Zhaohui Wang. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Excitation circuit of a motor vehicle alternator, voltage regulator, and alternator which incorporates it

Номер патента: US09866162B2. Автор: Pierre Sardat,Pierre Tisserand,Pierre Chassard,Pierre-Francois Ragaine,Laurent Labiste,Guillaume Duthilleul,Romuald Morvany,Jeremy Lagrange,Laurent De Lamarre. Владелец: Valeo Equipements Electriques Moteur SAS. Дата публикации: 2018-01-09.

Power on/off control circuit and electronic device

Номер патента: EP4348833A1. Автор: Changlin Wang,Jianjun HAN,Zhenhua LIN,Jin Tang,Xiaoling Zhou,Yingzhen TONG. Владелец: Mettler Toledo Instruments Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Power on/off control circuit and electronic device

Номер патента: WO2022253224A1. Автор: Changlin Wang,Jianjun HAN,Zhenhua LIN,Jin Tang,Xiaoling Zhou,Yingzhen TONG. Владелец: Mettler-Toledo Instruments (Shanghai) Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Automatic power off circuit of non-rebound switches

Номер патента: US20240235174A9. Автор: Gang He,Yeyi Mo. Владелец: Sndway Technology Guangdong Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit for power conversion apparatus

Номер патента: US12107571B2. Автор: Kouichi NISHIBATA,Kent Inoue. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Clock signal synchronization circuit, semiconductor memory device including clock signal synchronization circuit, and method of operating clock signal synchronization circuit

Номер патента: US20240313750A1. Автор: Jang-Woo Ryu,Junsub YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Control circuit of semiconductor switching element

Номер патента: US09490800B2. Автор: Tomonori Kimura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Configuration circuit of flash field programmable gate array (fpga) for realizing external monitoring and configuration

Номер патента: US20230020524A1. Автор: Bo Tu,Yueer SHAN,Ting JIANG,Yanfei Zhang,Zhengzhou CAO,Wenhu XIE. Владелец: Wuxi Esiontech Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device including a test circuit of a multivalued logic circuit having an impedance control

Номер патента: US20120086478A1. Автор: Munehisa Okita,Yoshitomo Numaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Control circuit of a triac or a thyristor

Номер патента: US20240348188A1. Автор: Laurent Gonthier,Minjie LI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-17.

Control circuit of a triac or a thyristor

Номер патента: EP4447320A1. Автор: Laurent Gonthier,Jimmy Li. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Driver circuit of switching transistor, laser driver circuit, and controller circuit of converter

Номер патента: US20240283449A1. Автор: Taketo TSUKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit having switch circuit of digital signal

Номер патента: US20070057824A1. Автор: Uichi Sekimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Control circuit and method for controlling a data input/output

Номер патента: US20230134947A1. Автор: Markus Unger,Johannes Pummerer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-05-04.

Control circuit of thin film transistor

Номер патента: US09935127B2. Автор: Yong Tian,Mang Zhao,Gui Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Switched power control circuits for controlling the rate of providing voltages to powered circuits, and related systems and methods

Номер патента: US09647551B2. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Burt Lee Price,Dhaval Rajeshbhai Shah. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Driving circuit of high-side transistor, class-d amplifier circuit using the same, converter controller circuit and high-side switch circuit

Номер патента: US20240113708A1. Автор: Mitsuteru Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Power supply control circuits, power tools, and power tool systems

Номер патента: US20240275197A1. Автор: Biao Li,Zefeng Wei. Владелец: Greenworks Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Power control circuit of a variable-frequency opto-interrupter for a printer

Номер патента: US20110114841A1. Автор: Feng-Yi Tai,Ta-Cheng Hsiung. Владелец: Godex International Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Power supply control circuits, power tools, and power tool systems

Номер патента: EP4415212A1. Автор: Biao Li,Zefeng Wei. Владелец: Greenworks Jiangsu Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Switch control circuit, multiplexer switch circuit and control method for multiplexer switch control circuit

Номер патента: US20230006608A1. Автор: ZHUO Li,Jun Yang,Feixiang Chen,Weijiang Li. Владелец: Chipone Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Switch control circuit, multiplexer switch circuit and control method for multiplexer switch control circuit

Номер патента: EP3975405A1. Автор: ZHUO Li,Jun Yang,Feixiang Chen,Weijiang Li. Владелец: Chipone Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Driving circuit for switch and battery control circuit using the same

Номер патента: US11996723B2. Автор: Jun Zhou. Владелец: Dongguan Nvt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Power supply circuit of power amplifier, and terminal

Номер патента: US20120188017A1. Автор: Zexu Qian. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Power Control Circuit of Photo Coupler

Номер патента: US20100097008A1. Автор: Ta-Cheng Hsiung. Владелец: Godex International Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Dynamic power control circuit of wireless communication device

Номер патента: US20060057979A1. Автор: SHENG Xiao,David Ho,Chih-Chung Hung. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Compensation circuit of power amplifier and associated compensation method

Номер патента: US09960947B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Bias control circuit and method for use in audio reproduction system or the like

Номер патента: US4311873A. Автор: Michael J. Gay. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-19.

Gain control circuit and optical recording and reproducing device using thereof

Номер патента: US20090072908A1. Автор: Katsuhisa Daio. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Gear control circuit and system for alternating current motor, switch controller, and electronic device

Номер патента: US12081148B2. Автор: Yan Zhang,Hongqiang Li,Hongyu Ran,Yigang Liu,Mingming Wei. Владелец: Beiang Air Tech Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Pin-diode linearized automatic gain control circuits

Номер патента: EP2255437A1. Автор: Antonio Carugati. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2010-12-01.

Impedance control circuit for controlling multiple different impedances with single control circuit

Номер патента: US20040000926A1. Автор: Takeshi Ooshita. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-01.

Semiconductor memory device in which an array chip including three-dimensionally disposed memory cells bonded to a control circuit chip

Номер патента: US10090315B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Semiconductor memory device having bonding metal between an array chip and a circuit chip

Номер патента: US10403635B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor memory device with electrode connecting to circuit chip through memory array chip

Номер патента: US09558945B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190333927A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210082942A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180358373A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210296275A1. Автор: Masaki Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Control circuit of wireless user equipment

Номер патента: US10027440B2. Автор: CHEN CHEN,Chao-Yuan Hsu,Chi-Ming Cheng,Ting-Yu Wei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor package including control chip including chip enable signal control circuit

Номер патента: US20240339435A1. Автор: Ki Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Power supply circuit for control circuit of led lighting and led lighting

Номер патента: EP2801238A1. Автор: Middel Tjaco,Xuewei Dai,Yaping Liu,Chunjun JIANG. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2014-11-12.

Power supply circuit for control circuit of led lighting and led lighting

Номер патента: WO2013102549A1. Автор: Middel Tjaco,Xuewei Dai,Yaping Liu,Chunjun JIANG. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2013-07-11.

Brightness control circuit of led module with direct supply of alternating current

Номер патента: RU2607464C2. Автор: Дунмин ЛИ,Вэньтао Лун,Чжэньюн ФЭН,Мянь Ян. Владелец: Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-01-10.

Driving control circuit of power transistor, lighting control circuit and lighting circuit

Номер патента: US20240314906A1. Автор: Guoqiang Liu,Minghao WU. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Transceiver control circuit for reducing operating mode transition period of transceiver

Номер патента: US20200036408A1. Автор: Sie-Siou JHANG JIAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Quick response switching power converter and conversion control circuit thereof

Номер патента: US20230238883A1. Автор: Hsien-Cheng Hsieh,Hsing-Shen Huang,Chieh-Han Kuo. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-07-27.

Control circuit of step-down converter, step-down converter, and electronic equipment

Номер патента: US12074524B2. Автор: Akihiro Kawano. Владелец: Romm Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Voltage sense control circuit, voltage sense control driving circuit and driving method for permanent magnet synchronous motor

Номер патента: US09774285B2. Автор: Xiaodong Huang,Xinghao Zhang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Control circuit of power converter with error detection circuit and reverse adjusting circuit

Номер патента: US09570989B2. Автор: Isaac Y. Chen,Chien-Fu Tang. Владелец: Ricktek Technology Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device including integrated control circuit and solid-state drive controller

Номер патента: US11871576B2. Автор: Mie Matsuo,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Kazushige Kawasaki,Kenichiro Yoshii,Tomoya Sanuki,Koichiro Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Control circuit synchronization of welding-type power supplies

Номер патента: WO2019231550A1. Автор: Andrew D. Nelson. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2019-12-05.

Control circuit synchronization of welding-type power supplies

Номер патента: EP3801969A1. Автор: Andrew D. Nelson. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2021-04-14.

Modularized control circuit of fan motor and method of operating the same

Номер патента: US20150188466A1. Автор: Chun-Lung Chiu,Wen-Chih Wang,Wen-Chuan Ma. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Switching Regulator and Control Circuit and Control Method Thereof

Номер патента: US20130114308A1. Автор: Chia-Wei Liao,Jing-Meng Liu,Leng-Nien Hsiu,Pei-Yuan Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-05-09.

Control circuit and method for controlling an electrical signal over a load such as a deflection circuit of a cathode ray tube

Номер патента: WO2003107654A1. Автор: Vedran Kovacevic,Johannes L. M. Verhees,Hendrikus W. Groot Hulze. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-12-24.

Control circuit having adaptive blanking time and method for providing the same

Номер патента: US09985533B2. Автор: Le Li,Qiukai Huang,Zhiliang Hu,Yongjiang Bai. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Digital control power circuit, control circuit thereof, control method, and electronic device using the same

Номер патента: US09935543B2. Автор: Sachito Horiuchi,Nobuyuki Suzukawa,Hiroyuki Kumasaka,Yoshihisa Sakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Control circuit of synchronous motor with permanent magnets

Номер патента: RU2543998C1. Автор: Хайри Керем ЭРЕНЬЯ. Владелец: АРЧЕЛЫК АНОНИМ ШИРКЕТИ. Дата публикации: 2015-03-10.

Control circuit of power supply with selectable current-limiting modes

Номер патента: US20060125419A1. Автор: Tsung-Chun Chen,Chih-Fu Fan. Владелец: Zippy Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

Control circuit for relay in uninterruptible power supply and control method and control device for the same

Номер патента: EP4383516A1. Автор: Wei Xu,Ping Gong,Zhichao Zhang,Fan TAN,Weihao PENG. Владелец: Vertiv Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Controller circuit of motor and control method

Номер патента: US20240333185A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Control circuit and control method of digital control power supply circuit, and digital control power supply circuit, electronic device and base station using the same

Номер патента: US09455630B2. Автор: Jun Maede,Shigenobu SHIMOHAGI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210118898A1. Автор: Mie Matsuo,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Kazushige Kawasaki,Kenichiro Yoshii,Tomoya Sanuki,Koichiro Shindo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240099013A1. Автор: Mie Matsuo,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Kazushige Kawasaki,Kenichiro Yoshii,Tomoya Sanuki,Koichiro Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Switching regulator and control circuit and control method thereof

Номер патента: US8780587B2. Автор: Chia-Wei Liao,Jing-Meng Liu,Leng-Nien Hsiu,Pei-Yuan Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-07-15.

Control circuit of power converting circuit, method of controlling power converting circuit and related power converting system

Номер патента: US20240258900A1. Автор: Yi-Lun Shen,Yu-Yun Huang. Владелец: Ark Microelectronic Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Switching converter, control circuit and control method thereof

Номер патента: US20210135585A1. Автор: Jian Deng,Hongbin Lai. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US12101930B2. Автор: Jin HO KIM,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Chang Woon Choi,Kwang Hwi PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Driving circuit of hand warmer and hand warmer

Номер патента: US12150216B1. Автор: Xueping Zhu. Владелец: Guangdong Aoyun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Control circuit and control method of digital control power supply circuit, and digital control power supply circuit, electronic device and base station using the same

Номер патента: US09634564B2. Автор: Yuichi Shinozaki,Jun Maede. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Main bluetooth circuit of multi-member bluetooth device capable of dynamically switching operation mode

Номер патента: US20210105600A1. Автор: Yi-Cheng Chen,Chia Chun Hung,Kuan-Chung Huang,Hou Wei LIN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Auto Calibration Dead-Time Control Circuit

Номер патента: US20240223085A1. Автор: Eric Soenen,Alan Roth,Chia-Chun Chang,Tysh-Bin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Motor control circuit having motor protective circuit

Номер патента: US20010019470A1. Автор: Masaaki Tanaka,Minoru Hiwatari,Isao Takagi,Shuichi Nagaoka,Hiroaki Nakaya. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Control circuit of LED lighting apparatus

Номер патента: US09538605B2. Автор: Sang Young Lee,Yong Geun Kim,Ki Chul An,Gyeong Sik MUN. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Control circuit of DC/DC converter, power supply circuit, and electronic device

Номер патента: US12081125B2. Автор: Tsutomu Ishino,Tomohisa Shinozaki,Shun FUKUSHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Control circuit and control method of trans-inductor voltage regulator

Номер патента: US20240333160A1. Автор: Peng Zhou,Zhiyuan Shen,Zhaolong Yu. Владелец: Nanjing Silergy Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Control circuit, control method and primary-controlled flyback converter using the same

Номер патента: US09954450B2. Автор: Jianxin Wang,Huiqiang Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Power receiver control circuit, control method of wireless power receiver, and electronic apparatus

Номер патента: US09893565B2. Автор: Takeshi Nozawa,Xun He,Daisuke Uchimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Control circuit, control method and switch-type converter

Номер патента: US09698693B2. Автор: Hongfeng An. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Control circuit, control method and primary-controlled flyback converter using the same

Номер патента: US09654013B2. Автор: Jianxin Wang,Huiqiang Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Buck-boost converter and control circuit thereof

Номер патента: US09577531B2. Автор: Chih-Yuan Chen. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Control circuit and a method for an energy based pulse skipping mode in a DC/DC converter

Номер патента: US09490707B2. Автор: Magnus Karlsson,Oscar Persson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory chip and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20030042623A1. Автор: Toru Shiomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Control circuit of three-phase DC motor

Номер патента: US11949357B2. Автор: Hisashi Sugie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Control circuit of three-phase dc motor

Номер патента: US20220286075A1. Автор: Hisashi Sugie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Temperature-control circuit of a heating line and a temperature-control method thereof

Номер патента: US20120281973A1. Автор: Ching-Chuan Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Power factor correction circuit for regulating operating frequency control circuit of power factor correction circuit and control method thereof, electronic apparatus, and power adapter

Номер патента: US09991788B2. Автор: Hiroyuki Murakami,Takumi Oe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Control circuit for controlling wireless user equipment to actively retransmit RRC message

Номер патента: US09887814B2. Автор: CHEN CHEN,Chao-Yuan Hsu,Han-Sheng Hung,Chi-Ming Cheng,Ting-Yu Wei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Control circuit for LED lighting apparatus

Номер патента: US09655187B2. Автор: Yong Geun Kim,Ki Chul An. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

DC/DC converter, control circuit thereof, power supply, power adapter and electronic apparatus using the same

Номер патента: US09444349B2. Автор: Yoshinori Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Control circuit of light emitting diode lighting apparatus

Номер патента: US09913337B2. Автор: Jong Min Lee,Kyung Min Kim,Yong Goo KIM,Won Ji LEE,Young Suk Son. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Charging/discharging control circuit, charging/discharging control device, and battery device

Номер патента: US09748789B2. Автор: Toshiyuki Koike,Fumihiko Maetani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Oscillator applied to a control circuit of a power converter and control method thereof

Номер патента: US09641086B2. Автор: Chih-Chi Chang,Ming-Chang Tsou,Meng-Jen TSAI. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Control circuit of wireless user equipment for dynamically replacing RRC messages

Номер патента: US09572177B2. Автор: CHEN CHEN,Chao-Yuan Hsu,Han-Sheng Hung,Chi-Ming Cheng,Ting-Yu Wei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Soft Switch Control Circuit of Flyback Converter and Flyback Converter Applying the Same

Номер патента: US20240186909A1. Автор: Junming Zhang,Pitleong Wong,Xiangyong Xu,Xianghua Jiang. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

High voltage battery control system and high side voltage boost control circuit thereof

Номер патента: US20240348161A1. Автор: Pao-Cheng Chiu,Tai-You Lu,Zhi-Xin Chen,Tse-Ju Liao. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Control circuit

Номер патента: US09930740B1. Автор: Chin-Che Hung. Владелец: Champ Tech Optical Foshan Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Switching control circuit and switching power supply device

Номер патента: US09479064B2. Автор: Akira Yamamoto,Yoshikazu Tsunoda,Fumio Wada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Voltage stabilizer circuit of forward converter

Номер патента: US20080049454A1. Автор: Tim Cheung Leung. Владелец: Hipro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Auxiliary bluetooth circuit of multi-member bluetooth device

Номер патента: US10652781B2. Автор: Chin-Wen Wang,Yi-Cheng Chen,Kuan-Chung Huang,Hou Wei LIN,Pei-Yuan Hsieh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Control Circuit for an Electric Motor Having a Power-Supply Control Device

Номер патента: US20130181652A1. Автор: Ralph Coleman,Didier Blanc,Claude Froidevaux,Jean-Marc Vaucher. Владелец: Etel SA. Дата публикации: 2013-07-18.

DC/DC converter, control circuit and control method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09685858B2. Автор: Shun FUKUSHIMA,Osamu Yanagida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Series capacitor step-down converter, controller circuit thereof, and control method

Номер патента: US20240006991A1. Автор: Kazuki Hashimoto,Akihiro Kawano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Transformerless AC/DC converting control circuit

Номер патента: US6545889B2. Автор: Johnny Yang,Te-Cheng Chen,Hui-Hwa Chen. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

Transformerless AC/DC converting control circuit

Номер патента: US20020044471A1. Автор: Johnny Yang,Te-Cheng Chen,Hui-Hwa Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Control circuit of switching power-supply device and switching power-supply device

Номер патента: US09954439B1. Автор: Masaru Nakamura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Switching control circuit with signal process to accommodate the synchronous rectifier of power converters

Номер патента: US09762144B2. Автор: Ta-Yung Yang. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Control circuit of LED lighting apparatus

Номер патента: US09480113B2. Автор: Sang Young Lee,Yong Geun Kim,Ki Chul An. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Control circuit and method of a LED driver

Номер патента: US09781786B2. Автор: Isaac Y. Chen,Yi-Wei Lee,Jyun-Che Ho. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-03.

Control circuits of paging and power consumption for access to local network

Номер патента: RU2530732C2. Автор: Раджарши ГУПТА,Параг А. АГАШЕ,Фатих УЛУПИНАР. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-10-10.

Detecting system for control circuit of load

Номер патента: US20210194239A1. Автор: Tae Jin Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Charging circuit of high-value capacitor for mud-pulse telemetry device

Номер патента: RU2644971C2. Автор: Персиваль Ф. УИЛЛЬЯМС. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2018-02-15.

Synchronous rectification sampling control circuit, method and chip

Номер патента: US12107508B2. Автор: Min Zhu,Xinchun Lin,Lingbo ZHENG. Владелец: Lii Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Control circuit of power converter

Номер патента: US12132431B2. Автор: Kouichi NISHIBATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Control circuit, lighting apparatus, and lighting system

Номер патента: EP4440246A1. Автор: Yaohai WANG. Владелец: Suzhou Op Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Control circuit for organic light-emitting diode

Номер патента: RU2562957C2. Автор: Дирк ХЕНТЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-09-10.

Balancing method of a switchable battery device by short-circuiting of its output

Номер патента: US20230208153A1. Автор: Ghislain Despesse,Eric Fernandez,Sylvain Bacquet,Leandro Cassarino,Yan Lopez,Remy Thomas. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-06-29.

Heating control circuit for induction cooking appliance, and induction cooking appliance

Номер патента: EP3678454A1. Автор: Xianguang Zeng,Youzhi Zhang. Владелец: Guangdong Midea Kitchen Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Communication circuit, control circuit and home appliance device

Номер патента: WO2022195340A1. Автор: Bin Zeng,Zuoqiang ZHANG,Bin Fang. Владелец: Zhejiang Shaoxing Supor Domestic Electrical Appliance Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-09-22.

Cool cathode tube control circuit

Номер патента: US20030122508A1. Автор: Jui Yang,Hsi Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for performing transmission and reception control of wireless communications device with communications control circuits corresponding to different types of communications services, and associated wireless communications device

Номер патента: US20240292342A1. Автор: Chia-Ming Chang,Li-tien Chang,Po-Hsun Huang,Yu-ming WEN,Chang-Yi Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for performing transmission and reception control of wireless communications device with communications control circuits corresponding to different types of communications services, and associated wireless communications device

Номер патента: EP4422289A2. Автор: Chia-Ming Chang,Li-tien Chang,Po-Hsun Huang,Yu-ming WEN,Chang-Yi Hsu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Single-input-multiple-output (SIMO) DC-DC converters and SIMO DC-DC converter control circuits

Номер патента: US09692296B1. Автор: Ranjit Kumar Dash,Keith Edmund Kunz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Efficient control circuit for buck-boost converters and control method thereof

Номер патента: US09602004B2. Автор: Chenggang Deng. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Light emitting device driver circuit and control circuit and control method thereof

Номер патента: US09504102B1. Автор: Chien-Yang Chen,Leng-Nien Hsiu,Pei-Yuan Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-22.

Light emitting control circuit and lighting device using the same

Номер патента: US20240244725A1. Автор: Jiasen Yan. Владелец: Foshan Vane Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Multiphase power converter having daisy chain control circuit and method for controlling the same

Номер патента: US11770074B2. Автор: Chih-Yuan Chen,Ping-Yu Tsai. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Electronic switch control circuits for solar lighting systems and methods for controlling the same

Номер патента: US20190364652A1. Автор: Hao Wu,Weihua Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-11-28.

Electronic switch control circuits for solar lighting systems and methods for controlling the same

Номер патента: US11368042B2. Автор: Hao Wu,Weihua Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-21.

Wireless remote control circuit

Номер патента: US09635745B1. Автор: Zhi Bin Zhou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-25.

UPS electricity supply control circuit and UPS electricity supply

Номер патента: US09570930B2. Автор: Tong NI. Владелец: Emerson Netwrok Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Power conversion device and control circuit

Номер патента: US20240048065A1. Автор: Chia-Hsien Liu. Владелец: Power Forest Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Backlight control circuit and method for driving same

Номер патента: US20090072762A1. Автор: Sha Feng. Владелец: Innocom Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Closed-loop load control circuit having a wide output range

Номер патента: EP4404693A2. Автор: Venkatesh Chitta,Kartik Iyer,Mark S Taipale,Thomas M Shearer,Matthew W Nuhfer,Nicholas A HOERTER. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Modularized control circuit with signal-capturing function for fan motor and controlling method

Номер патента: US20130249455A1. Автор: Chun-Lung Chiu,Wen-Chih Wang,Wen-Chuan Ma. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Heating control circuit

Номер патента: US12075859B2. Автор: Erjun Che. Владелец: Shenzhen Kusen Technology Trading Co ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Lithium battery control circuit and lithium battery charger

Номер патента: US20180198304A1. Автор: Chung-Chih Hung,Chun-Yen Chiang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Switching regulator achieveing soft switching by double switching and control circuit thereof

Номер патента: US20220321012A1. Автор: Ta-Yung Yang,Yi-Wei Lee,Tzu-Chen Lin,Yong-Cyuan Chen. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2022-10-06.

Control circuit applied to lifting platform and method of controlling the same

Номер патента: US20230006577A1. Автор: Hua-Chen Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-05.

Control circuit for multi-phase power conversion circuit and multi-phase power supply

Номер патента: US20240322710A1. Автор: XIANG Yu,Bin Chen,LEI Tan,Junzhe Hao,Zhongwei Qian. Владелец: SG Micro Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Lighting control circuit, lighting control method, and lighting circuit

Номер патента: US20240314900A1. Автор: Guoqiang Liu,Minghao WU. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Control circuit applied to lifting platform and method of controlling the same

Номер патента: US11621658B2. Автор: Hua-Chen Chou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-04.

Dimming circuit, control circuit and dimming method

Номер патента: US09999106B2. Автор: Jian Deng,Qiukai Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Control circuit for stopping voltage booster and electronic device using the same

Номер патента: US09979276B2. Автор: Pao-Shu Chang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Control circuit for a switched-mode power supply

Номер патента: US09537403B2. Автор: Cheng Zhang,Hans Halberstadt,Joan Wichard Strijker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-01-03.

Single stage LED driver system, control circuit and associated control method

Номер патента: US09485819B2. Автор: Bo Yu,Eric Yang,Qiming Zhao,Bairen Liu,Licheng Sheng,Hongqiang Qin. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Control circuit for limiting a load current, charging circuit and motor vehicle

Номер патента: US09444248B2. Автор: Michael Erhart. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method to control circuit configuration and device to this effect

Номер патента: RU2366101C2. Автор: Дженевив КОНАТИ,Ангус Э. РЕЙД. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2009-08-27.

Wireless charging module, control circuit, and electronic device

Номер патента: EP4312344A3. Автор: Chao Wang,Yuechao Li. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

An led driver control circuit

Номер патента: EP3984334A1. Автор: Lino Adriaan Nicolaas Wilhelm DE WIT,Casper Willem Johannes KEMPER. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2022-04-20.

Method for driving lamp of backlight control circuit

Номер патента: US20110273105A1. Автор: Sha Feng. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

An led driver control circuit

Номер патента: WO2020249662A1. Автор: Lino Adriaan Nicolaas Wilhelm DE WIT,Casper Willem Johannes KEMPER. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2020-12-17.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

An led driver control circuit

Номер патента: US20220232680A1. Автор: Lino Adriaan Nicolaas Wilhelm DE WIT,Casper Willem Johannes KEMPER. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2022-07-21.

Multi-rail switching converter, control circuit and associated control method

Номер патента: US20160172959A1. Автор: Qian Ouyang,Wenbin Lu,Eric Yang,Jinghai Zhou,Lijie Jiang,Wangmiao Hu. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Device for centralized automatic interlocking with welded track circuits of tone frequency

Номер патента: RU2698591C1. Автор: Елена Евгеньевна Шухина,Ефим Наумович Розенберг,Владимир Сергеевич Миронов,Геннадий Карпович Кисельгоф,Алексей Валерьевич Марков,Игорь Михайлович Кравец,Сергей Иванович Куваев,Алексей Владимирович Шулейкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт информатизации, автоматизации и связи на железнодорожном транспорте". Дата публикации: 2019-08-28.

Control circuit of banana slice frying machine and control method therefor

Номер патента: US20200189142A1. Автор: Hui Huang,Shufeng Huang,Huimin XIE,Shufen Liang,Yankun WEI,Yunrui DONG,Manying HU,Dongliang XIAN,Zining XIE,Qiaowei LIANG. Владелец: WUYI UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-18.

Control device for vehicle hydraulic control circuit

Номер патента: US20110270483A1. Автор: Masatoshi Ito,Hiroatsu Endo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Motor control circuit for mirror device

Номер патента: US20040095088A1. Автор: Junichi Nakaho. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-20.

Engine control circuit for brushless engine washing machine

Номер патента: RU2594476C2. Автор: Рудольф Зайдль,Хасан Гёксер Альбайрак,Мирослав ДЗИВЫ,Йёрг Скриппек. Владелец: Бсх Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2016-08-20.

New energy vehicle and onboard charging device thereof, electronic lock control circuit, and control method

Номер патента: EP4443669A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Systems and methods for transport climate control circuit management and isolation

Номер патента: US20230314055A1. Автор: David J. Renken,Tony Spetz. Владелец: Thermo King Llc. Дата публикации: 2023-10-05.

Systems and methods for transport climate control circuit management and isolation

Номер патента: US12123636B2. Автор: David J. Renken,Tony Spetz. Владелец: Thermo King Llc. Дата публикации: 2024-10-22.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

REFRESH CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120163106A1. Автор: SHIM Young-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

REFRESH CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120163111A1. Автор: SHIM Young-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Amplification Circuit of Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR970012770A. Автор: 이동기,김명재. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-29.

A precharge circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: KR980004987A. Автор: 이중언. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

The redundancy cell selection circuit of the semiconductor memory device

Номер патента: KR980005060A. Автор: 이창엽,김미호,박신규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

The access circuit of non-volatile memory device and data and method thereof

Номер патента: CN100552645C. Автор: 解钧宇. Владелец: Transcend Information Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL CIRCUIT OF INTERLEAVED PFC POWER CONVERTER

Номер патента: US20120001600A1. Автор: YANG Ta-Yung,Lu Rui-Hong,CHEN Cheng-Sung. Владелец: SYSTEM GENERAL CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Quadratic Amplitude Control Circuit For Cosite Interference Cancellation

Номер патента: US20120003948A1. Автор: LACKEY RAYMOND J.. Владелец: BAE SYSTEMS Information And Electronic Systems Intergration Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

HEATING BLANKET WITH CONTROL CIRCUIT AND SAFETY WIRE

Номер патента: US20120004788A1. Автор: Keane Barry P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Control circuit

Номер патента: RU2295827C1. Автор: Ефим Наумович Розенберг,Александр Борисович Кузнецов,Александр Викторович Паршиков. Владелец: Государственное унитарное предприятие Российский научно-исследовательский институт информации, автоматизации и связи на железнодорожном транспорте (ВНИИАС МПС России). Дата публикации: 2007-03-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

High-speed imitator and control circuit of its actuator

Номер патента: RU2572862C1. Автор: Владимир Николаевич Удовиченко,Андрей Георгиевич Шаврин,Сергей Иванович Антипов,Лариса Викторовна Шанина. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2016-01-20.

Control circuit of bridge device thyristor for estimation of induction electric meters suitability

Номер патента: RU2573700C1. Автор: Олег Фёдорович Меньших. Владелец: Олег Фёдорович Меньших. Дата публикации: 2016-01-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Fet-based circuits of high efficiency paralleling of power supplies

Номер патента: WO1998007084A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-06-11.

Control circuit for mis transistor based power switch

Номер патента: RU2384940C2. Автор: Юрий Юрьевич Гаменюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Специальное конструкторское бюро приборостроения и автоматики". Дата публикации: 2010-03-20.

Audio matching control circuit

Номер патента: AU2020104084A4. Автор: DING He,Zhi Liu,Hailong Zhou,Xiangao XIAO. Владелец: Shenzhen Thousandshores Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Improvements in Electric Switches for the Control Circuits of Electro-magnetic Power Hammers, Drop Stamps, Presses and the like.

Номер патента: GB190524187A. Автор: Thomas Henry Large. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-03-29.

Motorised cutting and fastening instrument which has control circuit for optimisation of battery application

Номер патента: RU2496433C2. Автор: Фредерик Э. ШЕЛТОН IV,Дэвид К. ЙЭЙТС,Томас В. ХЬЮТЕМА. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2013-10-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Steam turbine control system servomotor control circuit

Номер патента: RU2335638C1. Автор: Александр Анатольевич Сурков,Виктор Иванович Гуськов,Владимир Владимирович Ермолаев,Николай Викторович Ефимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Теплоэнергосервис". Дата публикации: 2008-10-10.

Control circuit of element of manchester carry chain

Номер патента: RU2554853C1. Автор: Владимир Владимирович Шубин,Александр Викторович Глухов. Владелец: Акционерное общество "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ"(АО "НЗПП с ОКБ". Дата публикации: 2015-06-27.

Ice cooling system fan control circuit

Номер патента: RU2366582C1. Автор: Юрий Владимирович Гармаш,Николай Павлович Шевченко,Лариса Ефимовна Михневич,Виталий Игоревич Семин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский военный автомобильный институт имени генерала армии В.П. Дубынина". Дата публикации: 2009-09-10.

Method of check of electric fuze-puncher with inductive control circuit

Номер патента: RU2086904C1. Автор: В.П. Винокуров. Владелец: Специальное конструкторское бюро "Ротор". Дата публикации: 1997-08-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.