Print component with memory array using intermittent clock signal.

Print component with memory array using intermittent clock signal

Номер патента: AU2019428180A1
Опубликовано: 30-09-2021
Автор(ы): James Michael Gardner, Michael W. Cumbie, Scott A. Linn
Принадлежит: Hewlett Packard Development Co LP
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Print component with memory array using intermittent clock signal

Номер патента: NZ779657B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A Linn,Michael W Cumbie. Владелец: Hewlett Packard Development Company Lp. Дата публикации: 2024-02-27.

Print component with memory array using intermittent clock signal

Номер патента: NZ779657A. Автор: James Michael Gardner,Scott A Linn,Michael W Cumbie. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2023-11-24.

Print component with memory array using intermittent clock signal

Номер патента: ZA202104424B. Автор: James Michael Gardner,Scott A Linn,Michael W Cumbie. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2024-07-31.

Print component with memory array using intermittent clock signal

Номер патента: EP3717247A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-10-07.

Print component with memory array using intermittent clock signal

Номер патента: EP4289623A2. Автор: Michael W. Cumbie,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-12-13.

Print component with memory array using intermittent clock signal

Номер патента: US20210221127A1. Автор: Michael W. Cumbie,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-22.

Print component with memory array using intermittent clock signal

Номер патента: EP4289623A3. Автор: Michael W. Cumbie,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-02-28.

Print component with memory circuit

Номер патента: US12030312B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-07-09.

Print component with memory circuit

Номер патента: US20230382105A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-30.

Print component with memory circuit

Номер патента: US11780222B2. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-10.

Print component with memory circuit

Номер патента: US11787173B2. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-17.

Print component with memory circuit

Номер патента: CA3126920C. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-05-28.

Print component with memory circuit

Номер патента: CA3126913C. Автор: James Michael Gardner,Boon Bing NG. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-07.

Determining settings for arrays of printing components

Номер патента: US09946187B2. Автор: Haim Vladomirski,Pavel Blinchuk,Tsafrir YEDID AM. Владелец: HP Indigo BV. Дата публикации: 2018-04-17.

System for determining suitability of printing component set in screen printing device and method for determining suitability of set printing component

Номер патента: US09579883B2. Автор: Hiroaki Kurata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Printing components to adhesive substrate posts

Номер патента: US12074583B2. Автор: Ronald S. Cok,Christopher Andrew Bower,Matthew Alexander Meitl,Salvatore Bonafede,Carl Ray Prevatte, JR.,Brook Raymond. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Vision System for Identifying Support Structures of 3D Printed Components

Номер патента: US20230256683A1. Автор: Jacim Jacimovic,Stefano Marano,Andrea CORTINOVIS,Ioannis LYMPEROPOULOS,Elisabet Capon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-17.

Printing components to substrate posts

Номер патента: US20240349431A1. Автор: Ronald S. Cok,Christopher Andrew Bower,David Gomez,Raja Fazan Gul,António José Marques Trindade. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Replaceable printing component with factory identity code

Номер патента: US09511596B2. Автор: Daryl E. Anderson,Jefferson P. Ward,Andrew L. Van Brocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Identification marker on a 3d printed component

Номер патента: US20230256514A1. Автор: Jacim Jacimovic,Stefano Marano,Andrea CORTINOVIS,Ioannis LYMPEROPOULOS,Elisabet Capon. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Vision system for identifying support structures of 3d printed components

Номер патента: WO2022009149A8. Автор: Jacim Jacimovic,Stefano Marano,Andrea CORTINOVIS,Elisabet Capon,Ionnis Lymperopoulos. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-07-28.

Method and apparatus for transferring information between a printer portion and a replaceable printing component

Номер патента: US20030128245A1. Автор: Ray Walker. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-10.

3D Printed Component Part Comprising a Composite Material of a Thermoplastic Material and Boron Nitride, Method for Making a 3D Printed Component Part and Use of a 3D Printed Component

Номер патента: US20210323222A1. Автор: Stefanie Wildhack,Krishna B. Uibel,Robert M. Schädel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-10-21.

Printing components to substrate posts

Номер патента: US11950375B2. Автор: Ronald S. Cok,Christopher Andrew Bower,David Gomez,Raja Fazan Gul,António José Marques Trindade. Владелец: X Display Company Technology Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

3d printed component comprising a composite material of a thermoplastic material and boron nitride, method for making a 3d printed component and use of 3d printed component

Номер патента: EP3843998A1. Автор: Stefanie Wildhack,Krishna B. Uibel,Robert M. Schädel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-07-07.

3D Printed Component Part Comprising a Matrix Material-Boron Nitride Composite, Method for Making a 3D Printed Component Part and Use of a 3D Printed Component Part

Номер патента: US20210340391A1. Автор: Stefanie Wildhack,Krishna B. Uibel,Robert M. Schädel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-11-04.

3d printed component comprising a matrix material-boron nitride composite, method for making a 3d printed component part and use of a 3d printed component part

Номер патента: EP3843997A1. Автор: Stefanie Wildhack,Krishna B. Uibel,Robert M. Schädel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2021-07-07.

Method and apparatus for storing and retrieving information on a replaceable printing component

Номер патента: US6039430A. Автор: Winthrop D. Childers,Michael L. Bullock,Brian L. Helterline. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-03-21.

Vision system for identifying support structures of 3d printed components

Номер патента: WO2022009149A1. Автор: Jacim Jacimovic,Stefano Marano,Andrea CORTINOVIS,Elisabet Capon,Ionnis Lymperopoulos. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-01-13.

Communicating print component

Номер патента: AU2019428183A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-09-23.

Communicating print component

Номер патента: EP3717257A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2020-10-07.

Communicating print component

Номер патента: EP3888920A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-10-06.

Communicating print component

Номер патента: WO2020162916A1. Автор: James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-08-13.

Print component having fluidic actuating structures with different fluidic architectures

Номер патента: AU2019428640B2. Автор: John Rossi,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-07-27.

Replaceable printing component with factory identity code

Номер патента: US20160185123A1. Автор: Daryl E. Anderson,Jefferson P. Ward,Andrew L. Van Brocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-06-30.

Replaceable printing component with factory identity code

Номер патента: US20150191007A1. Автор: Daryl E. Anderson,Jefferson P. Ward,Andrew L. Van Brocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-07-09.

3d semiconductor device and structure with memory

Номер патента: US20240170319A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

3d semiconductor device and structure with memory

Номер патента: US20240128116A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

3d semiconductor device and structure with memory

Номер патента: US20240105490A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Replaceable printing component with factory identity code

Номер патента: EP2849948A1. Автор: Daryl E. Anderson,Jefferson P. Ward,Andrew L. Van Brocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-03-25.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230420283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11854857B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Communicating print component

Номер патента: US11787172B2. Автор: John Rossi,James Michael Gardner,Scott A. Linn,Erik D. Ness. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-10-17.

Communicating print component

Номер патента: US20230373208A1. Автор: John Rossi,James Michael Gardner,Scott A. Linn,Erik D. Ness. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20240178040A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and apparatus for identifying parameters in a replaceable printing component

Номер патента: KR19990088101A. Автор: 헬터라인브라이언엘,파울센로날드알,바우만요셉에이치. Владелец: 휴렛트-팩카드 캄파니. Дата публикации: 1999-12-27.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230307283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11804396B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Print component having fluidic actuating structures with different fluidic architectures

Номер патента: US11932014B2. Автор: John Rossi,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-03-19.

Print component having fluidic actuating structures with different fluidic architectures

Номер патента: US20240009994A1. Автор: John Rossi,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-01-11.

Enclosed mixture stirrer using intermittent resonance and method

Номер патента: US20210129094A1. Автор: HUI Li,Huihui WANG,Shangqing LI,Zhaohui Ren,Hongcheng QIU,Huaishuai WU. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2021-05-06.

Efficiently packaged ready to use intermittent urinary catheter

Номер патента: EP4360686A3. Автор: Timothy Palmer. Владелец: Cure Medical LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Efficiently packaged ready to use intermittent urinary catheter

Номер патента: US20170296776A1. Автор: Timothy Palmer. Владелец: Cure Medical LLC. Дата публикации: 2017-10-19.

Efficiently packaged ready to use intermittent urinary catheter

Номер патента: EP4360686A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Cure Medical LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Mitigating parasitic current while programming a floating gate memory array

Номер патента: US09472288B2. Автор: Daryl E. Anderson,James Michael Gardner,Eric T. Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: CA2608106C. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Steven L. Konsek,Mitchell Meinhold,Frank Guo,Max Strasburg,X.M. Henry Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Josephson memory array and method of access in the josephson memory array

Номер патента: EP4432284A2. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance

Номер патента: US20060250856A1. Автор: Thomas Rueckes,Ramesh Sivarajan,Mitchell Meinhold,Claude Bertin,Frank Guo,Max Strasburg,Steven Konsek,X. M. Huang. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

Packaged lubricated ready-to-use intermittent urinary catheter

Номер патента: WO2024006709A1. Автор: Timothy Palmer. Владелец: Convatec Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack

Номер патента: US6631085B2. Автор: Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,N. Johan Knall. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Dot clock signal generation for operating ejectors in multiple color stations in a substrate printer

Номер патента: US20200104655A1. Автор: Patricia J. Donaldson,Michael B. Monahan. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Non-volatile composite nanoscopic fabric NAND memory arrays and methods of making same

Номер патента: US09767902B2. Автор: Claude L. Bertin,Thomas Rueckes,H. Montgomery Manning,Eliodor G. Ghenciu. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Systems and methods for Stretching Clock Cycles in the Internal Clock Signal of a Memory Array Macro

Номер патента: US20100302896A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100208533A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100054058A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Sensing circuit for resistive memory array

Номер патента: US09761309B2. Автор: Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-12.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US12073110B2. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Tone signal processing apparatus with intermittent clock supply

Номер патента: USRE40364E1. Автор: Kazuhisa Okamura,Tetsuji Ichiki. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2008-06-10.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Systems with memory segmentation and systems with biasing lines to receive same voltages during accessing

Номер патента: US09721622B2. Автор: Aaron Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory array with memory cells arranged in pages

Номер патента: US09466392B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Ching-Sung Yang,Shih-Chen Wang,Wei-Chen Chang,Wen-hao Ching. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

3d-printed components with rfid connection detection

Номер патента: US20230067534A1. Автор: William Allen,Rafael Ballagas,Craig Peter Sayers,Patrick Jacques Andre Marie Daney De Marcillac. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-03-02.

3d-printed components with rfid connection detection

Номер патента: WO2021167716A1. Автор: William Allen,Rafael Ballagas,Craig Peter Sayers,Patrick De Marcillac. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2021-08-26.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20230307039A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US12062392B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Digital logic circuit for deterring race violations at an array test control boundary using an inverted array clock signal feature

Номер патента: US20200127649A1. Автор: Harry Barowski,Michael B. Kugel,Wolfgang Penth,Werner Juchmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US09865332B2. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Clock synchronization across an interface with an intermittent clock signal

Номер патента: WO2012148753A1. Автор: William P. Cornelius,William O. Ferry,Girault W. Jones. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-11-01.

Power management associated with memory and controller

Номер патента: US20240290396A1. Автор: Liang Yu,Jonathan S. Parry,Tal Sharifie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for writing data to memory array

Номер патента: US20110085392A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Method for relaying data to memory array

Номер патента: US20120307570A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Method and system for forming straight word lines in a flash memory array

Номер патента: US7488657B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Kazuhiro Mizutani,Zhigang Wang,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Pavel Fastenko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-10.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200075630A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Method and apparatus with memory array programming

Номер патента: US11990187B2. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and apparatus with memory array programing

Номер патента: US20230170026A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Seungchul Jung,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

High-density SOI cross-point memory array and method for fabricating same

Номер патента: US20040235309A1. Автор: Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Shipping print components

Номер патента: US11868955B2. Автор: Paul L. Jeran,Gabriel Scott MCDANIEL. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-01-09.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US20240086100A1. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US20240087643A1. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Current source component with process tracking characteristics for compact programmed vt distribution of flash eprom

Номер патента: US20020163835A1. Автор: Mam-Tsung Wang,Wenpin Lu,Ming-Shang Chen,Baw-Chyuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904B1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-17.

Level shifter for use with memory arrays

Номер патента: US20120033508A1. Автор: Chad A. Adams,Sharon H. Cesky,Elizabeth L. Gerhard,Jeffrey M. Scherer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: US20080084778A1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Method for aligning a control signal and a clock signal

Номер патента: US5857095A. Автор: Dean A. Klein,Joseph M. Jeddeloh,Jeffrey J. Rooney,Richard F. Nicholson. Владелец: Micron Electronics Inc. Дата публикации: 1999-01-05.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: WO2022250866A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: US20220383918A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory array circuits including word line circuits for improved word line signal timing and related methods

Номер патента: EP4348647A1. Автор: Chiaming Chai,Jason Philip Martzloff,Shaoping Ge. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

System and method for providing a message on a replaceable printing component

Номер патента: US20110279865A1. Автор: Darius Boockholdt,Richard L. Swantner,Scott K. Hymas. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-11-17.

Fast, energy efficient CMOS 2P1R1W register file array using harvested data

Номер патента: US12046278B2. Автор: Azeez Bhavnagarwala. Владелец: Metis Microsystems LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Error detection circuitry for use with memory

Номер патента: US09891976B2. Автор: Paul Gilbert Meyer,Vikas Chandra,Mudit Bhargava,Andy Wangkun CHEN. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Fast, energy efficient cmos 2p1r1w register file array using harvested data

Номер патента: EP4447052A1. Автор: Azeez Bhavnagarwala. Владелец: Metis Microsystems LLC. Дата публикации: 2024-10-16.

Scalable floating body memory cell for memory compilers and method of using floating body memories with memory compilers

Номер патента: US20220115061A1. Автор: Zvi Or-Bach,Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20210090641A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Configurable Computing Array Using Two-Sided Integration

Номер патента: US20180048316A1. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: CHENGDU HAICUN IP TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-15.

Memory array using mechanical switch and method for operating thereof

Номер патента: US20090021972A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Weon-Wi Jang,Jeong-Oen Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-22.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory array with multiplexed select lines and two transistor memory cells

Номер патента: US12131766B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09490126B2. Автор: Seungmoo Choi,Sameer Haddad. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of increasing a timing margin for relaying data to a memory array

Номер патента: US8988967B2. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Data synchronizing system for multiple memory array processing field organized data

Номер патента: WO1997035400A2. Автор: Leland Putnam. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-09-25.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Offset Geometries for Area Reduction in Memory Arrays

Номер патента: US20110018035A1. Автор: Theodore W. Houston,Robert R. Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Clock signal generator

Номер патента: US20150222271A1. Автор: PRABHJOT Singh,Sachin Miglani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-08-06.

Four Gate, Split-Gate Flash Memory Array With Byte Erase Operation

Номер патента: US20210110873A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Hsuan Liang,Man Tang Wu,Lihsin Chang. Владелец: Si|icon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Variable resistance memory with lattice array using enclosing transistors

Номер патента: US11763885B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Pseudo multi-port memory with memory cells each having two-port memory cell architecture and multiple enable pulses on same wordline and associated memory access method

Номер патента: US20240105259A1. Автор: Chi-Hao Hong,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Smart read scheme for memory array sensing

Номер патента: US20140241090A1. Автор: Yingchang Chen,Jeffrey Koon Yee Lee. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-28.

System and method for providing messages on a printing component

Номер патента: US20090080911A1. Автор: Richard L. Swantner,Scott K. Hymas,Sarah E. Swantner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2009-03-26.

Pseudo multi-port memory with memory cells each having two-port memory cell architecture and multiple enable pulses on same wordline and associated memory access method

Номер патента: EP4343764A1. Автор: Chi-Hao Hong,Weinan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

System and method for providing messages on a printing component

Номер патента: WO2009042600A2. Автор: Richard L. Swantner,Scott K. Hymas,Sarah E. Swantner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2009-04-02.

Compute-in-memory array and module, and data computing method

Номер патента: US12046283B2. Автор: Yi Zhao,Shifan GAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-23.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09837469B1. Автор: Sameer S. Haddad,Seungmoo Choi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Fracturable x-y storage array using a ram cell with bidirectional shift

Номер патента: US4813015A. Автор: Michael E. Spak,Craig S. Tyl,Philip C. Wottrich. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-03-14.

Integrated circuit with memory self-test

Номер патента: CA1299289C. Автор: Duane Rodney Aadsen,Sunil Kumar Jain,Charles Eugene Stroud. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1992-04-21.

Virtual ground non-volatile memory array

Номер патента: US11849577B2. Автор: Hieu Van Tran,Hung Quoc Nguyen,Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Automated error correction with memory refresh

Номер патента: US11907544B2. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Automated error correction with memory refresh

Номер патента: WO2022047266A1. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A3. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Jentsung Lin. Дата публикации: 2008-08-07.

Automated Error Correction with Memory Refresh

Номер патента: US20240192862A1. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Small-sized digital generator producing clock signals

Номер патента: US20020109536A1. Автор: Bruno Gailhard,Olivier Ferrand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-08-15.

Data storing in memory arrays

Номер патента: US09952796B2. Автор: Ron M. Roth,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and apparatus for synchronizing data from memory arrays

Номер патента: US20070047376A1. Автор: Dean Gans,Simon Lovett. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (gbl) clock signal to reduce clock signal read path divergenge for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: WO2023235055A1. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and apparatus for synchronizing data from memory arrays

Номер патента: US8248870B2. Автор: Simon J. Lovett,Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-21.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (gbl) clock signal to reduce clock signal read path divergenge for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: US20230395127A1. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and apparatus for synchronizing data from memory arrays

Номер патента: US20070189087A1. Автор: Dean Gans,Simon Lovett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Method and apparatus for synchronizing data from memory arrays

Номер патента: US20080175078A1. Автор: Simon J. Lovett,Dean Gans. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and Apparatus for Synchronizing Data From Memory Arrays

Номер патента: US20100118630A1. Автор: Simon J. Lovett,Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Method and apparatus for synchronizing data from memory arrays

Номер патента: US7660172B2. Автор: Simon J. Lovett,Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Method and apparatus for synchronizing data from memory arrays

Номер патента: US7362627B2. Автор: Simon J. Lovett,Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-22.

Computer memory systems employing localized generation of global bit line (GBL) clock signal to reduce clock signal read path divergence for improved signal tracking, and related methods

Номер патента: US12033687B2. Автор: Rajesh Kumar,Sai Prakash Reddy BIJIVEMULA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Temperature compensation circuit and method for neural network computing-in-memory array

Номер патента: US11720327B2. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Multi-phase multi-access pipeline memory system in which the pipeline memory can decode addresses issued by one processor while simultaneously accessing memory array by other processor

Номер патента: US6513125B1. Автор: Douglas Garde. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2003-01-28.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of Correcting an Error in a Memory Array in a DRAM During a Read Operation and a DRAM

Номер патента: US20180336091A1. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: Unigroup Guoxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Method and apparatus for testing memory arrays

Номер патента: US20030007393A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US12079589B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system

Номер патента: US09965346B2. Автор: Charles A. Kilmer,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anil B. Lingambudi,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: US09846644B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09691475B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US09563556B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Processor with memory delayed bit line precharging

Номер патента: US20130044555A1. Автор: Sehat Sutardja,Jason T. Su,Hong-Yi Chen,Jason Sheu,Jensen Tjeng. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal silicide in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074166A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Dqs for data from a memory array

Номер патента: WO2006042643A1. Автор: Jung Pill Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-27.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: EP4101004A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory arrays; methods of forming memory arrays; and methods of forming contacts to bitlines

Номер патента: WO2005117121A2. Автор: Luan C. Tran,Fred D. Fishburn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US20160170936A1. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-06-16.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Performing video/image data access in accordance with memory access patterns: mpeg-4, jpeg2000 streaming simd extensions

Номер патента: EP1631909A2. Автор: Yen-Kuang Chen,Eric Debes,Minerva Yeung,Matthew Holliman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-08.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory array with programmable number of filters

Номер патента: US12106822B2. Автор: Sushil Kumar,Chetan Deshpande,Gajanan Sahebrao Jedhe,Gaurang Prabhakar Narvekar,Cheng-Xin Xue,Zijie Guo. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Systems and methods for providing therapy to a patient using intermittent electrical stimulation

Номер патента: US09901737B2. Автор: Michael A. Moffitt,Stephen CARCIERI. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

System-in-package module with memory

Номер патента: US09748002B2. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Input-dependent random number generation using memory arrays

Номер патента: US09696965B2. Автор: MOSHE Alon. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Stacked vertical memory array architectures, systems and methods

Номер патента: US09672917B1. Автор: Yanli Zhang,Henry Chien,Yao-Sheng Lee,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US09559104B2. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

System and method to store data in an adjustably partitionable memory array

Номер патента: US09558114B2. Автор: Wolfgang Beck,Thomas Liebermann,Rex Kho,Michael Hassel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

System, method, and computer program for performing software application operations concurrently with memory compaction operations

Номер патента: US09529706B1. Автор: Vladimir Polonsky,Victoria Boriskovsky,Michael Goltsman. Владелец: Amdocs Development Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09461246B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US09436655B2. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US09406373B2. Автор: Bing Wang,Young Suk Kim,Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG,Derek C. Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Self-adjusting regulation current for memory array source line

Номер патента: US09368224B2. Автор: Jongmin Park,Jonathan Huynh,Steve Choi,Sung-En Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Phase change memory array with integrated polycrystalline diodes

Номер патента: US20190165043A1. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Chung H. Lam,Matthew J. BrightSky,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: EP2630643A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Full address coverage during memory array built-in self test with minimum transitions

Номер патента: US9651617B2. Автор: Thomas Jew,David W. Chrudimsky,Edward Bryann C. Fernandez. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: US20240111933A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Louis Henry Carbone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory array comprising a ferroelectric data storage element

Номер патента: US20240112731A1. Автор: Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Sarah ATANASOV,Bernal Granados Alpizar,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: WO2024068450A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Carbone. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Mimicking multi-voltage domain wordline decoding logic for a memory array

Номер патента: WO2013109680A1. Автор: Chiaming Chai,Jeffrey Herbert Fischer,Shaoping Ge,Stephen E. Liles,Lam V. Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-25.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

A method and a device for testing a memory array in which fault response is compresed

Номер патента: WO2001008161A3. Автор: Guillaume E A Lousberg,Paul Wielage,Erik J Marinissen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-03-22.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US12100473B2. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US12114499B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Dual data storage using an in-memory array and an on-disk page structure

Номер патента: US09891831B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Thomas Legler,Guenter Radestock,Anil Kumar Goel,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Double bandwidth algorithmic memory array

Номер патента: US09870163B2. Автор: Igor Arsovski,Eric D. Hunt-Schroeder,Mark W. Kuemerle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods for operating a memory array

Номер патента: US09851913B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09830109B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods for providing redundancy in a memory array comprising mapping portions of data associated with a defective address

Номер патента: US09779839B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Luigi Pilolli,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09767924B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and circuit for controlling programming current in a non-volatile memory array

Номер патента: US09666243B2. Автор: Alexandre Levisse. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09646875B2. Автор: Sara Vigano,Niccolo Righetti,Emelio Camerlenghi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory arrays

Номер патента: US09614007B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09513811B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2016-12-06.

3D voltage switching transistors for 3D vertical gate memory array

Номер патента: US09478259B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Packaged precision-lubricated ready-to-use intermittent urinary catheter

Номер патента: CA3067104C. Автор: Timothy Palmer. Владелец: Cure Medical LLC. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Temperature compensation of conductive bridge memory arrays

Номер патента: US20140226393A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory device with multiple memory arrays to facilitate in-memory computation

Номер патента: US20190205273A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Sasikanth Manipatruni,Ram Krishnamurthy,Jack Kavalieros,Amrita MATHURIYA,Raghavan Kumar,Phil Knag,Van Le,Gregory Chen,Huseyin SUMBUL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory arrays with bonded and shared logic circuitry

Номер патента: US20200395328A1. Автор: Richard Fastow,Owen W. Jungroth,Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Circuit component with programmable characteristics and method of operating same

Номер патента: US7683666B1. Автор: Schuyler E. Shimanek. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-03-23.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Retention drift correction in non-volatile memory arrays

Номер патента: US20220343975A1. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory array device and method for reducing read current of the same

Номер патента: US20140085986A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Temperature Compensation Circuit and Method for Neural Network Computing-in-memory Array

Номер патента: US20230048640A1. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Combination cancer therapy with memory nk cells and anti-cancer bispecific molecules

Номер патента: WO2023086810A1. Автор: Ayman Kabakibi,Ryan P. SULLIVAN. Владелец: WUGEN, Inc.. Дата публикации: 2023-05-19.

Apparatus for inputting clock signal and data signals of small amplitude level with start timing of inputting clock signal ahead of that of inputting data signals

Номер патента: US20060120485A1. Автор: Yasuhiro Kosaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Apparatus and method for avoiding steady-state oscillations in the generation of clock signals

Номер патента: US7817766B2. Автор: Martin Streibl,Peter Gregorius,Thomas Rickes,Ralf Schledz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-10-19.

Combination cancer therapy with memory nk cells and anti-cancer bispecific molecules

Номер патента: EP4430081A1. Автор: Ayman Kabakibi,Ryan P. SULLIVAN. Владелец: Wugen Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Storage module and method for configuring the storage module with memory operation parameters

Номер патента: US09977628B2. Автор: Yong Huang,Yong Peng,Mrinal Kochar,Shmoolik Yosub. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Inferring threshold voltage distributions associated with memory cells via interpolation

Номер патента: US09779828B2. Автор: William H. Radke,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of simulating a communication network with memory

Номер патента: RU2734503C1. Автор: Николай Александрович Иванов,Алексей Васильевич Вершенник,Елена Валерьевна Вершенник,Юрий Иванович Стародубцев,Сергей Александрович Иванов,Петр Юрьевич Стародубцев,Павел Владимирович Закалкин,Константин Григорьевич Белов. Владелец: Юрий Иванович Стародубцев. Дата публикации: 2020-10-19.

Method for transfer and receipt of clock signal and device for clock signal transfer

Номер патента: RU2491785C2. Автор: Сяомин ФУ. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2013-08-27.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Data access circuit for a memory array

Номер патента: CA1087740A. Автор: Richard C. Gifford,Clair A. Buzzard,Robert M. Zachok,Frank W. Lescinsky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-10-14.

Clock signal receiver for control of network synchronization between exchange stations

Номер патента: RU2116007C1. Автор: Бае Тае-Киунг. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 1998-07-20.

Method and apparatus using mapped redundancy to perform multiple large block memory array repair

Номер патента: US5495447A. Автор: Hamid Partovi,Steven W. Butler. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Automatically testing a plurality of memory arrays on selected memory array testers

Номер патента: US4606025A. Автор: Robert M. Peters,Henri D. Schnurmann,Louis J. Vidunas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Non-crystalline device memory array

Номер патента: GB1516390A. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1978-07-05.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Clock signal conversion circuit for high-speed serial data controllers

Номер патента: US11888483B2. Автор: Murtuza Lilamwala,Nicholas Alexander Bodnaruk,Wasim Hussain. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: EP2943959A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-11-18.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20220036931A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: WO2014109771A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-07-17.

Method and device for testing memory array structure, and storage medium

Номер патента: US11823756B2. Автор: Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

In-memory spiking neural networks for memory array architectures

Номер патента: US20190005376A1. Автор: Berkin Akin,Seth H. Pugsley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory array accessibility

Номер патента: WO2019046111A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US20190384512A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Memory device with peripheral circuitry which extends under a back end memory array

Номер патента: US20230397410A1. Автор: OZDEMIR Akin,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US20200301605A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US20230393989A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US11886715B2. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20230377624A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Clock signal conversion circuit for high-speed serial data controllers

Номер патента: US20230318582A1. Автор: Murtuza Lilamwala,Nicholas Alexander Bodnaruk,Wasim Hussain. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A3. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Han-Rei Ma. Дата публикации: 2004-07-01.

Neural memory array storing synapsis weights in differential cell pairs

Номер патента: US11908513B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Bit string accumulation in memory array periphery

Номер патента: US20200387474A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Virtual and physical extended memory array

Номер патента: US20240086319A1. Автор: Donald M. Morgan,Alan J. Wilson,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Double-sided embedded memory array

Номер патента: US20240099035A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-05-27.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A4. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-08-12.

Dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: WO2008016948A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory array accessibility

Номер патента: US20240168656A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Systems and methods for controlling memory array power consumption

Номер патента: US20180260014A1. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Victor Wang,Joachim Josef Maria Kruecken,Frank Kelsey Baker, Jr.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device capable of synchronizing clock signals in cs geardown mode

Номер патента: US20240233808A9. Автор: Jang-Woo Ryu,Seunghwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Device having clock generating capabilities and a method for generating a clock signal

Номер патента: US20090322385A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Amir Zaltzman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Clock signal delay path unit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230072675A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Mingyu Lee,Youngchul Cho,Seungjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatuses and methods for determining a phase relationship between an input clock signal and a multiphase clock signal

Номер патента: EP4376005A2. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Multi-phase clock signal generation circuitry

Номер патента: WO2023113882A1. Автор: Parag Upadhyaya,Kevin Zheng,Shaojun MA,Chi Fung Poon. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2023-06-22.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Triggering an error detector on rising and falling edges of clock signals, and generating an error signal therefrom

Номер патента: US20240004420A1. Автор: William Roberts,Kristopher Kshonze,Youcef Fouzar,Waleed El-halwagy,Faizal Warsalee. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Memory Devices which include Memory Arrays

Номер патента: US20180261602A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20120110375A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of calibrating a clock signal, and corresponding electronic device and system

Номер патента: US20230291538A1. Автор: Antonino Mondello,Michele Alessandro CARRANO,Riccardo Condorelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory array including dummy regions

Номер патента: US12040006B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: US20030062556A1. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Memory Array and Methods Used in Forming a Memory Array

Номер патента: US20240244837A1. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Clock signal generating system

Номер патента: US20020018415A1. Автор: Toshio Suzuki,Kazuo Kuroda,Masayoshi Yoshida. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A3. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-31.

Transmission circuit of a clock signal for transmitting synchronous digital signals

Номер патента: EP2099153A3. Автор: Marcello Niccolini. Владелец: INFOTRONIC SpA. Дата публикации: 2010-06-30.

Transmission circuit of a clock signal for transmitting synchronous digital signals

Номер патента: EP2099153B1. Автор: Marcello Niccolini. Владелец: INFOTRONIC SpA. Дата публикации: 2011-08-10.

Method for providing clock signals to transceiver chip and transceiver chip

Номер патента: WO2003058834A1. Автор: Josephus A. Huisken,Hendrik J. Bergveld,Dominicus M. W. Leenaerts,Kathleen J. P. Philips,Eric J. Van Der Zwan. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-07-17.

Measurement and control of clock signal phases

Номер патента: CA3210402A1. Автор: Michael Scott,Eric Naviasky,Matthew SPENCER,Elad Alon,Paul Everhardt,Wade Berglund,Peter HERMANSEN. Владелец: Blue Cheetah Analog Design Inc. Дата публикации: 2024-03-09.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Apparatus for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20040218412A1. Автор: Michael Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20030137891A1. Автор: Michael Christian Fischer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-24.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Passive data carrier with signal evaluation means for evaluating information of a self-clocking signal

Номер патента: EP1512118A1. Автор: Franz Amtmann. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-03-09.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Switching regulator and operation clock signal generator circuit and control method thereof

Номер патента: US20240128868A1. Автор: Chia-Jung Chang,Shao-Ming Chang,Yu-Pin Tseng,Jiing-Horng Wang,Tsan-He Wang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-04-18.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Nonvolatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20160104535A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

A method and a device for generating a clock signal in a multiplexing system

Номер патента: WO1994002994A1. Автор: Seppo Peltola,Kari Raappana,Juha VÄHÄKANGAS. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1994-02-03.

Estimating an error rate associated with memory

Номер патента: US20200159616A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Nicholas J. Richardson,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Apparatus for storing/reading data in a memory array of a transponder

Номер патента: US20140215166A1. Автор: Francesco Gallo,Hauke Meyn. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-31.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

3d memory array contact structures

Номер патента: US20240276726A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Transforming a phase-locked-loop generated chip clock signal to a local clock signal

Номер патента: US9537474B2. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Rolf Sautter,Yuen Hung Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for self-calibrating tDQSCK that is skew between rising edge of memory clock signal and rising edge of DQS signal during read operation and associated signal processing circuit

Номер патента: US11727968B2. Автор: Jen-Shou Hsu,Po-Hsun Wu. Владелец: Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Frequency detection device for clock signal and detection method thereof

Номер патента: US12055571B2. Автор: Hsing-Yu Liu,Jyun-Yu Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Optical disk device controlling a revolution of a recordable optical disk according to a displacement between a phase of a sector synchronizing signal generated from a data-writing reference clock signal and a phase of a synchronizing signal obtained from address information

Номер патента: US20040057360A1. Автор: Masahiko Banno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Scalable Interface for a Memory Array

Номер патента: US20090177813A1. Автор: Gene Leung,Wayne M. Barrett,Todd A. Greenfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Generating memory array control signals

Номер патента: US20220188036A1. Автор: Hiroshi Akamatsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Clock signal generation circuit

Номер патента: US20120249207A1. Автор: Kenichi Natsume. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Microprocessor using an interrupt signal for terminating a power-down mode and method thereof for controlling a clock signal related to the power-down mode

Номер патента: US6803784B2. Автор: Meng-Chow Jiang,Jany-Yee Hsu. Владелец: Conwise Tech Corp Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Integrated circuit devices generating a plurality of drowsy clock signals having different phases

Номер патента: US20070200609A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method for determining a clock offset between a user equipment clock signal and a satellite clock signal in a non-terrestrial communication network

Номер патента: EP4261563A2. Автор: Kenneth Stanwood,Rashad RAMZAN,Muddassar Farooq,Arslan Mumtaz,Zain Noman. Владелец: Wi Lan Research Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

System and method for determining a clock offset between a user equipment clock signal and a satellite clock signal in a non-terrestrial communication network

Номер патента: EP4261563A3. Автор: Kenneth Stanwood,Rashad RAMZAN,Muddassar Farooq,Arslan Mumtaz,Zain Noman. Владелец: Wi Lan Research Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Compensating for differences between clock signals

Номер патента: EP1419579A1. Автор: Willem Engelse,Paul Dormitzer,Raymond Robidoux. Владелец: ADC Broadband Access Systems Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: US4312047A. Автор: William J. Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-19.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020112256A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Glitch-free clock generator and method for generating glitch-free clock signal

Номер патента: US20200091901A1. Автор: Yan Huang,Bin Zhang,Jianluo Chen,Hongyan Yao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Dc technique for eliminating phase ambiguity in clocking signals

Номер патента: WO2007067606A3. Автор: Vladimir Prodanov,Mihai Banu,Bryan D Ackland. Владелец: Bryan D Ackland. Дата публикации: 2008-04-10.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230156999A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Signal Conditioning By Combining Precursor, Main, and Post Cursor Signals Without A Clock Signal

Номер патента: US20130159759A1. Автор: Tony Yeung,Michael Y. Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory array with ram and embedded rom

Номер патента: US20160035433A1. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Data structure of defective address information and defective address information encoding method for memory array

Номер патента: US20160104545A1. Автор: Jen-Chien Fu,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A3. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: Fred Tk Cheung. Дата публикации: 2004-10-28.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A2. Автор: Mark T. Ramsbey,Tazrien Kamal,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2004-09-16.

Charge-trapping memory arrays resistant to damage from contact hole formation

Номер патента: GB2415091B. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-04-05.

Display device including level shifter generating gate clock signals synchronized with rising edge and falling edge of clock signal

Номер патента: US12057076B2. Автор: Dae-Sik Lee,Songyi Han,Siduk Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Optical disc apparatus, clock signal generation method, program, and control apparatus

Номер патента: US20050111318A1. Автор: Takeshi Nakajima,Harumitsu Miyashita,Naohiro Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Clock signal switching device, clock signal switching method, data bus switching device, and data bus switching method

Номер патента: US20070061927A1. Автор: Shinichi Hashimoto,Tadahiro Yoshida,Ryogo Yanagisawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Clock signal switching device, clock signal switching method, data bus switching device, and data bus switching method

Номер патента: US20080290913A1. Автор: Shinichi Hashimoto,Tadahiro Yoshida,Ryogo Yanagisawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Clock signal switching device, clock signal switching method, data bus switching device, and data bus switching method

Номер патента: US7816952B2. Автор: Shinichi Hashimoto,Tadahiro Yoshida,Ryogo Yanagisawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Clock signal switching device, clock signal switching method, data bus switching device, and data bus switching method

Номер патента: US7423459B2. Автор: Shinichi Hashimoto,Tadahiro Yoshida,Ryogo Yanagisawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-09.

Clock signal switching device, clock signal switching method, data bus switching device, and data bus switching method

Номер патента: US20100315129A1. Автор: Shinichi Hashimoto,Tadahiro Yoshida,Ryogo Yanagisawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Clock signal switching device, clock signal switching method, data bus switching device, and data bus switching method

Номер патента: US7145368B2. Автор: Shinichi Hashimoto,Tadahiro Yoshida,Ryogo Yanagisawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Transforming a phase-locked-loop generated chip clock signal to a local clock signal

Номер патента: US20160344377A1. Автор: Juergen Pille,Tobias Werner,Rolf Sautter,Yuen Hung Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Memory array with salicide isolation

Номер патента: US20020182797A1. Автор: Ming-Hung Chou,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jui-Lin Lu,Shou-Wei Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Microprocessor using an interrupt signal for terminating a power-down mode and method thereof for controlling a clock signal related to the power-down mode

Номер патента: US20040148535A1. Автор: Meng-Chow Jiang,Jany-Yee Hsu. Владелец: Conwise Tech Corp Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Digital phase locked circuit capable of dealing with input clock signal provided in burst fashion

Номер патента: US20040062337A1. Автор: Hideaki Mochizuki,Yuji Obana,Ichiro Yokokura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Apparatus and method for avoiding steady-state oscillations in the generation of clock signals

Номер патента: US20070133730A1. Автор: Martin Streibl,Peter Gregorius,Thomas Rickes,Ralf Schledz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-06-14.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method and apparatus for generating virtual clock signals

Номер патента: US20090290596A1. Автор: Konrad Sticht,Andreas Zottmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-26.

Reference signal synchronized to clock signal

Номер патента: US20110140905A1. Автор: David Maciorowski. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-06-16.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Methods and apparatuses for providing a reference clock signal

Номер патента: US20230011122A1. Автор: Norman Beamish,Brian Morley. Владелец: U Blox AG. Дата публикации: 2023-01-12.

Clock signal frequency divider, processing system, processing device, and clock signal frequency dividing method

Номер патента: US20240275388A1. Автор: Atsufumi Shibayama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array

Номер патента: US20230268000A1. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Circuits and methods for phase interpolators and generating quadrature clock signals

Номер патента: US20230246649A1. Автор: Peter Kinget,Zhaowen Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Clock signal synchronization circuit, semiconductor memory device including clock signal synchronization circuit, and method of operating clock signal synchronization circuit

Номер патента: US20240313750A1. Автор: Jang-Woo Ryu,Junsub YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Clock signal generation circuit, DC/DC converter, PWM signal generator, and vehicle

Номер патента: US12079026B2. Автор: Takayuki Sudo,Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US12082424B2. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: WO1981003571A1. Автор: W Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-12-10.

Measurement and control of clock signal phases

Номер патента: US12095470B2. Автор: Michael Scott,Eric Naviasky,Matthew SPENCER,Elad Alon,Paul Everhardt,Wade Berglund,Peter HERMANSEN. Владелец: Blue Cheetah Analog Design Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatuses and methods for determining a phase relationship between an input clock signal and a multiphase clock signal

Номер патента: EP4376005A3. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Reference signal synchronized to clock signal

Номер патента: US8237579B2. Автор: David Maciorowski. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2012-08-07.

Three-dimensional memory array and method for manufacturing same

Номер патента: EP4432802A1. Автор: Young Wook Park,Jin Ho Ahn. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods and apparatuses for providing a reference clock signal

Номер патента: EP4120570A1. Автор: Norman Beamish,Brian Morley. Владелец: U Blox AG. Дата публикации: 2023-01-18.

Trigger signaling through a clock signal in cascading radar systems

Номер патента: US20240322993A1. Автор: Bernd Zimek,Peter Thurner,Thomas Santa,George Efthivoulidis,Tony Gschier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and method for generating circuit clock signal

Номер патента: US20240305284A1. Автор: Shan Lu,Jian Wang,Mingming Zhang,Junmou Zhang,An Zhao,Chuang Zhang,Junyan GUO. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-09-12.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory array reset read operation

Номер патента: US12119051B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Optical disk drive having means for preventing inner reference clock signal in PLL circuit from being disturbed when defective portion is read

Номер патента: US6363042B1. Автор: Mitsunori Sakashita. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-26.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory Array Including Dummy Regions

Номер патента: US20240331754A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory array

Номер патента: US12009031B2. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory devices with backside bond pads under a memory array

Номер патента: US20240312933A1. Автор: Eric N. Lee,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Synchronising devices using clock signal time difference estimation

Номер патента: US09967084B2. Автор: Ravichandra Giriyappa,Vinayak Prasad,Oana Rosu. Владелец: Imagination Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

System and method for providing an output signal without or with reduced jitter based upon an input signal notwithstanding phase changes in a clock signal

Номер патента: US09928870B1. Автор: Edwin Schapendonk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Wear leveling of a memory array

Номер патента: US09857986B2. Автор: Roman A. Pletka,Jason Ma,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Ioannis Koltsidas,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Lincoln T. Simmons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatuses and methods for phase interpolating clock signals and for providing duty cycle corrected clock signals

Номер патента: US09793884B2. Автор: Yantao Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Clock source, method for distributing a clock signal and integrated circuit

Номер патента: US09766651B2. Автор: Sergey Sofer,Michael Priel,Dan Kuzmin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Clock circuit for generating clock signal and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US09766647B2. Автор: Suk Won HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Clock signal generating apparatus, clock signal generating method, and medium

Номер патента: US09742447B2. Автор: Yasuhiro Izawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Three dimensional memory array with select device

Номер патента: US09728584B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Timing controller including configurable clock signal generators according to display mode and display device having the same

Номер патента: US09697756B2. Автор: Seok-Hwan ROH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory array with RAM and embedded ROM

Номер патента: US09691495B2. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09673393B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Generating asynchronous clock signals for successive approximation register (SAR) analog to digital converters (ADCs)

Номер патента: US09660664B1. Автор: Yeshwant Nagaraj Kolla,Burt Lee Price,Dhaval Rajeshbhai Shah. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor constructions, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: US09614006B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Systems and methods for synchronization of clock signals

Номер патента: US09608754B2. Автор: Philip Secker,Emerick Vann. Владелец: Aviat US Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US09595667B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Estimating an error rate associated with memory

Номер патента: US09558064B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Nicholas J. Richardson,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory array plane select

Номер патента: US09543003B2. Автор: Jong Won Lee,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Techniques for generating clock signals using oscillators

Номер патента: US09531390B1. Автор: David Mendel,Dong-Myung Choi. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US09530475B2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Apparatuses and methods for phase interpolating clock signals and for providing duty cycle corrected clock signals

Номер патента: US09503066B2. Автор: Yantao Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

System and method for allocating data in memory array having regions of varying storage reliability

Номер патента: US09448883B1. Автор: Steven Shrader. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US09444046B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Closed loop clock signal generator with multiple reference clocks

Номер патента: US09413361B1. Автор: Gilbert H. Herbeck. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US09391082B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for synchronizing independent clock signals

Номер патента: US09367081B2. Автор: Shane J. Keil,Gilbert H. Herbeck. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Field programmable memory array

Номер патента: US5949719A. Автор: Scott Whitney Gould,Terrance John Zittritsch,Frank Ray Keyser, III,Kim P. N. Clinton,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie,Victor Paul Seidel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Sense line capacitive balancing in word-organised memory arrays

Номер патента: GB1048466A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1966-11-16.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Separately addressable memory arrays in a multiple array semiconductor chip

Номер патента: US4636986A. Автор: Raymond Pinkham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Intermediate memory array with a parallel port and a buffered serial port

Номер патента: US4718039A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.,Vincent F. Sollitto, Jr.,William F. Shutler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Memory array circuit, memory array layout and verification method

Номер патента: US20230050097A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

Memory array biasing circuit for high speed CMOS device

Номер патента: US4636983A. Автор: Kenneth E. Young,Bruce L. Bateman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-01-13.

Device and method having a memory array storing each bit in multiple memory cells

Номер патента: US7558102B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Memory array connections

Номер патента: US20230410887A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Yao-Jen Yang,Rose Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Device and method with memory request processing using memory address space extension

Номер патента: US20240070068A1. Автор: Hyunsoo Kim,Yuhwan Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Qing Peng Yuan. Владелец: Giantec Semiconductor Ltd Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: US20210296360A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: US20190065118A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-02-28.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US11862242B2. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: WO2021257371A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US11887687B2. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory array

Номер патента: US20230232638A1. Автор: Chun-Hao Wang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Dong-Ming Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20180269283A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200381290A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200051849A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory array structure

Номер патента: US20240021226A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated memory, integrated assemblies, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2018128758A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory array page table walk

Номер патента: EP3586238A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US20240032299A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Masanori Tsutsumi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Peripheral logic circuits under dram memory arrays

Номер патента: US20190131308A1. Автор: Harish N. Venkata,Jeffrey Koelling,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US11735255B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220392527A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

DQS for data from a memory array

Номер патента: US20060083082A1. Автор: Jung Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074160A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydeb Goswami,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Performing xnor equivalent operations by adjusting column thresholds of a compute-in-memory array

Номер патента: EP4028956A1. Автор: Max Welling,Edward Teague,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A3. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Clint Wayne Mumford. Дата публикации: 2007-11-29.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: WO2017171773A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Structure of nonvolatile memory array

Номер патента: US20050040467A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Dual mode memory array security apparatus, systems and methods

Номер патента: US20190019545A1. Автор: Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Srinath Ramswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Compute-in-memory array multi-range temperature compensation

Номер патента: US11955193B1. Автор: Brandon David Rumberg,Steven Andryzcik. Владелец: Aspinity Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Device and method with memory request processing using memory address space extension

Номер патента: EP4328756A1. Автор: Hyunsoo Kim,Yuhwan Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-28.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: US11984161B2. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20210391004A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20240153556A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20220199157A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: EP4122013A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-25.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: EP3286639A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-02-28.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: US20190108193A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-04-11.

Sacrificial polysilicon in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074159A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array - periphery integration with split barrier metal stack

Номер патента: US20240074161A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydip Guha,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory apparatus and methods with heterogeneous memory array architecture

Номер патента: US10860252B2. Автор: Imran Muhammad,Tae Hyun Kwon,Jung Min YOU,Joon Sung YANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-12-08.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: EP1989713A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-11-12.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-13.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Circuit and layout for resistive random-access memory arrays

Номер патента: US20200006430A1. Автор: John L Mccollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory array architecture supporting block write operation

Номер патента: US20010056519A1. Автор: Hua Zheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Methods for forming connections to a memory array and periphery

Номер патента: US20130049074A1. Автор: Shyam Surthi,Hung-Ming Tsai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Memory array page table walk

Номер патента: US20220075733A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory array page table walk

Номер патента: US20230401158A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Circuit for accessing a chalcogenide memory array

Номер патента: EP1733398A4. Автор: BIN Li,David C Lawson,Kenneth R Knowles. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: EP2891153A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-28.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: EP1579458A4. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W Lee,Han-Rei Ma. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-10.

Nonvolatile memory array using unified cell structure in divided-well allowing write operation with no disturb

Номер патента: WO2004044921A2. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee,Han-Rei Ma. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: EP3268969A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-17.

Compact Memory Arrays

Номер патента: US20130099289A1. Автор: Thomas Nirschl,Jan Otterstedt,Michael Bollu,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-25.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: US20230033086A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Stress-based techniques for detecting an imminent read failure in a non-volatile memory array

Номер патента: US20130326285A1. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-05.

Methods and related devices for operating a memory array

Номер патента: US20180095687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Three-dimensional memory array formation techniques

Номер патента: US20240188299A1. Автор: Wenjie Li,George Matamis,Christopher J. Larsen,S M Istiaque Hossain,Lingyu Kong,David A. Daycock,Sok Han Wong,Kevin R. Gast,Lhaang Chee Ooi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Test method for screening local bit-line defects in a memory array

Номер патента: US20120263002A1. Автор: Yin Chin Huang,Chu Pang Huang,Yi Fang Chang,Cheng Chi Liu,Chang Chan Yang,Min Kuang Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

TDI Imaging System With Variable Voltage Readout Clock Signals

Номер патента: US20150002655A1. Автор: Guowu Zheng,Jehn-Huar Chern,Binu Balakrishnan Sathy. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Switching processor clock signals upon fault detection

Номер патента: US12019509B2. Автор: Sunil Oak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

A method of and apparatus for supplying a clock line with a first or second clock signal in dependence upon the level of one of the two clock signals

Номер патента: AU593949B2. Автор: Peter-Michael Clasen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-02-22.

Oscillator, clock signal generator, electronic apparatus, and vehicle

Номер патента: US20190196531A1. Автор: Hisahiro Ito,Yuichi Toriumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Circuit device, oscillator, clock signal generator, electronic apparatus, and vehicle

Номер патента: US20200021300A1. Автор: Yasuhiro Sudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Apparatus and method for employing mutually exclusive write and read clock signals in scan capture mode for testing digital interfaces

Номер патента: WO2018048606A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Rakesh Vattikonda,de Lu,Joseph Fang,Bilal Zafar,Masoud Zamani. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-15.

Switching processor clock signals upon fault detection

Номер патента: WO2024102201A1. Автор: Sunil Oak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Device for controlling clock signal phase to reduce clock skew

Номер патента: US20030098732A1. Автор: Reginald Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for up-converting clock signal, clock circuit and digital processing device

Номер патента: CA3164052C. Автор: Jianbo Liu,Haifeng Guo,Zuoxing YANG,Weibin Ma,Lihong Huang. Владелец: Shenzhen MicroBT Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of distributing a clock signal, a clock distributing system and an electronic system comprising a clock distributing system

Номер патента: US20140253192A1. Автор: Sebastian FLUEGEL,Dragan Dukaric. Владелец: PRO DESIGN ELECTRONIC GMBH. Дата публикации: 2014-09-11.

Clock signal generating device

Номер патента: US20030141937A1. Автор: Thomas Steinecke,Dirk Hesidenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Clock generating circuit and method for generating clock signal

Номер патента: US12028080B2. Автор: Tsung-Ming Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

High resolution clock signal generator

Номер патента: US20020178391A1. Автор: Eric Kushnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Clock signal generating circuit

Номер патента: US20220163994A1. Автор: Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Method and device for transmitting outgoing useful signals and an outgoing clock signal

Номер патента: US8125812B2. Автор: Martin Streibl,Peter Gregorius,Ralf Schledz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2012-02-28.

Internal clock distortion calibration using dc component offset of clock signal

Номер патента: WO2019125646A1. Автор: Guan Wang,Ali Feiz Zarrin Ghalam,Qiang Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Apparatus and methods for controlling a clock signal

Номер патента: US20210382517A1. Автор: Yoshinori Kusuda. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Tdi imaging system with variable voltage readout clock signals

Номер патента: WO2014210359A1. Автор: Guowu Zheng,Jehn-Huar Howard CHERN,Binu BALAKRISHNAN. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-31.

Clock signal distribution and signal value storage

Номер патента: WO2017009599A1. Автор: Ramnath Bommu Subbiah SWAMY. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2017-01-19.

Clock signal detector

Номер патента: US20070152716A1. Автор: Jenny Chen,Hung Kuo,Janqlih Hsieh,Hueilin Chou. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

System employing clock signal generation and synchronization technique

Номер патента: WO2003010644A3. Автор: Peter J Wilson,Mihir A Pandya. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

System employing clock signal generation and synchronization technique

Номер патента: WO2003010644A2. Автор: Peter J. Wilson,Mihir A Pandya. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-02-06.

Clock signal noise reduction apparatus, noise reduction method, and multi-phase delay-locked loop

Номер патента: EP4404466A1. Автор: Yang Yang,Xu Guo. Владелец: Amlogic Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Apparatus for generating a plurality of phase-shifted clock signals, electronic system, base station and mobile device

Номер патента: US20210194473A1. Автор: Daniel Gruber,Kameran Azadet,Martin Clara,Hundo Shin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and system of calibrating a clock signal

Номер патента: US20230318590A1. Автор: Antonino Mondello,Michele Alessandro CARRANO,Riccardo Condorelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-05.

Clock signal generator

Номер патента: EP1051022A3. Автор: Ian Roderick Craig. Владелец: SYNECTIX Ltd. Дата публикации: 2001-08-29.

Clock signal outputting method, clock shaper and electronic equipment using the clock shaper

Номер патента: US20050190001A1. Автор: Hiroyuki Ogiso. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Information processor and information processing system utilizing interface for synchronizing clock signal

Номер патента: US20020059538A1. Автор: Kazuo Kato,Kozaburo Kurita,Yasuhiro Nakatsuka,Takashi Hotta,Hideo Maejima,Masahiro Iwamura,Shigeya Tanaka,Tadaaki Bandoh,Sin-ichi Sinoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Clock signal distribution utilizing differential sinusoidal signal pair

Номер патента: US20030042962A1. Автор: David Hathaway,Sebastian Ventrone,Anthony Bonaccio,John Cohn,Alvar Dean,Amir Farrahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Re-generator of optical clock signal

Номер патента: US20050013524A1. Автор: Shin Arahira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Re-generator of optical clock signal

Номер патента: US6954559B2. Автор: Shin Arahira. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-11.

Oscillator circuit and method for generating a clock signal

Номер патента: WO2018077719A1. Автор: Josip Mikulic,Gregor Schatzberger. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Method and/or apparatus for generating a write gated clock signal

Номер патента: US20050275441A1. Автор: Alon Saado,Linley Young,Muhammad Afsar. Владелец: VIA Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-15.

Device, method and system for providing a delayed clock signal to a circuit for latching data

Номер патента: WO2020005438A1. Автор: Christopher Mozak,Senthil Kumar Sampath. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US20160061891A1. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-03.

Delay phase-locked loop device and clock signal generating method

Номер патента: US20030219089A1. Автор: Heng-Chen Ho. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Method and device for transmitting outgoing useful signals and an outgoing clock signal

Номер патента: US20080240290A1. Автор: Martin Streibl,Peter Gregorius,Ralf Schledz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-02.

Clock signal adjuster circuit

Номер патента: US20060139078A1. Автор: Katsunao Kanari. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

System and method for clock signal generation

Номер патента: EP2700171A1. Автор: Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-02-26.

Apparatus and method for delay matching of full and divided clock signals

Номер патента: US6597216B2. Автор: Kwang Y. Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Frequency multiplying circuit for clock signal

Номер патента: US20200382107A1. Автор: Jiewei Lai,Guobi ZHAO. Владелец: Spreadtrum Communications Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Frequency multiplying circuit for clock signal

Номер патента: US11031925B2. Автор: Jiewei Lai,Guobi ZHAO. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Method and device for symmetrizing a clock signal

Номер патента: WO1995015030A1. Автор: Markku Ruuskanen. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1995-06-01.

High resolution clock signal generator

Номер патента: US8504867B2. Автор: Eric B Kushnick. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Time-to-digital converter with non-inverting buffers, transmission gates and non-linearity corrector, soc including such converter and method of phase detection for use in synthesizing a clock signal

Номер патента: US20080157839A1. Автор: Wei Chen,Dirk Leipold,Robert Bogdan Staszewski. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

A programmable two-phase non-overlapping clock signal self-generator

Номер патента: WO2011025360A1. Автор: Leong Son Wee,Yusoff Yuzman. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2011-03-03.

Power converter device including a programmable clock signal circuit for a PLL in a constant on-time power converter

Номер патента: US12068689B2. Автор: Tsung-Yu Wu,Jen-Chien Hsieh. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus and method for recovering clock signal extracted from prerecorded information in optical storage devices

Номер патента: US20040145982A1. Автор: Jin-Bin Yang,Chao-Long Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Method and system for embedding a first clock signal phase within a second signal

Номер патента: US20030193968A1. Автор: John Bond,James Mckinley,Robert Gammenthaler. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-10-16.

Apparatus and method for obtaining an atomic clock signal broadcast

Номер патента: US20040183946A1. Автор: Yancy Chen,Michael Ip. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor memory device with a bypass circuit for verifying the characteristics of an internal clock signal

Номер патента: US20050002261A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Method and apparatus to construct a fifty percent (50%) duty cycle clock signal across power domains

Номер патента: US20040260963A1. Автор: Rachael Parker,Hon-Mo Law. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Circuit for controlling variation in frequency of clock signal

Номер патента: US20140184291A1. Автор: Sang Ho Kim,Yong Hwan Moon,Hong Jun Yang. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Clock signal generator

Номер патента: US20110298416A1. Автор: Fateh Singh,Emeric Uguen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-12-08.

Method and apparatus for comparing frequently the phase of a target clock signal with the phase of a reference clock signal enabling quick synchronization

Номер патента: US20010024204A1. Автор: Alexander Eglit. Владелец: Paradise Electronics Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Adaptive clock signal management

Номер патента: US20230299778A1. Автор: G Anand Kumar,Srinivasa Chakravarthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Circuitry and a method for generating a set of output clock signals

Номер патента: US20240283457A1. Автор: Jan Craninckx,Ewout Martens,Shun Nagata. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-22.

Qubit clock signal generation

Номер патента: US20240259002A1. Автор: Pasi Lähteenmäki. Владелец: IQM Finland Oy. Дата публикации: 2024-08-01.

A programmable two-phase non-overlapping clock signal self-generator

Номер патента: MY162256A. Автор: Leong Son Wee,Yusoff Yuzman. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2017-05-31.

Clock signal rate management circuit

Номер патента: US20140211906A1. Автор: Gilbert Herbeck. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Method and system for embedding a first clock signal phase within a second signal

Номер патента: EP1355439A3. Автор: Robert S. Gammenthaler, Jr.,John H. Bond,James C. Mckinley. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2005-07-20.

A circuitry and a method for generating a set of output clock signals

Номер патента: EP4418536A1. Автор: Jan Craninckx,Ewout Martens,Shun Nagata. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-21.

Qubit clock signal generation

Номер патента: EP4356518A1. Автор: Pasi Lähteenmäki. Владелец: IQM Finland Oy. Дата публикации: 2024-04-24.

Adaptive clock signal management

Номер патента: US20240322831A1. Автор: Srinivasa Chakravarthy,G. Anand Kumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

SOC for operating plural NPUS according to plural clock signals having multi-phases

Номер патента: US12117866B2. Автор: Seong Jin Lee,Jin Gun Song,Lok Won Kim. Владелец: DeepX Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of monitoring a clock signal, corresponding device and system

Номер патента: EP4421505A1. Автор: Antonio Barcella,Nicolas Bernard Grossier,Mario Rotigni. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and system of calibrating a clock signal

Номер патента: US12107584B2. Автор: Antonino Mondello,Michele Alessandro CARRANO,Riccardo Condorelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and circuit for simple measurement of the phase shift between two digital clock signals having the same frequency

Номер патента: US12066487B2. Автор: Andreas Schubert. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-20.

Adaptive clock signal management

Номер патента: US12034449B2. Автор: G Anand Kumar,Srinivasa Chakravarthy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Internal clock signal control for display device, display driver and display device system

Номер патента: US09940869B2. Автор: Keiji Nose. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit comprising circuitry to change a clock signal frequency while a data signal is valid

Номер патента: US09893720B2. Автор: Jared L. Zerbe,Brian Hing-Kit Tsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Application processor for adjusting clock signal using hardware power management unit and devices including the same

Номер патента: US09880608B2. Автор: Gilles Dubost,Jae Gon Lee,Jinpyo PARK,Young Duk KIM,Jung Hun HEO,Seung Chull SUH,Sang Wook JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus, system, and method for re-synthesizing a clock signal

Номер патента: US09876491B2. Автор: Mark Neidengard,Vaughn Grossnickle,Nasser Kurd,Jeffrey Krieger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for reducing lock time in a closed loop clock signal generator

Номер патента: US09838025B1. Автор: Wei Deng,Gin Yee,Dennis Fischette, Jr.. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Apparatuses and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device

Номер патента: US09818462B1. Автор: Jens Polney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Clock circuit and clock signal transmission method thereof

Номер патента: US09800243B2. Автор: Xing Huang,Shengli Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Phase calibration of clock signals

Номер патента: US09755819B2. Автор: Simon Li,Marko Aleksić,Roxanne Vu. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Clock signal generation device and memory device including the same

Номер патента: US09685238B2. Автор: Hi-choon Lee,Venkataramana Gangasani,Sung-Whan Seo,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for gating clock signals using late arriving enable signals

Номер патента: US09672305B1. Автор: Rohit Kumar,Suparn Vats,Daniel J. Flees. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Techniques for reducing skew between clock signals

Номер патента: US09660653B1. Автор: Chuan Thim Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

TDI imaging system with variable voltage readout clock signals

Номер патента: US09658170B2. Автор: Guowu Zheng,Jehn-Huar Chern,Binu Balakrishnan Sathy. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Encoding valid data states in source synchronous bus interfaces using clock signal transitions

Номер патента: US09639488B2. Автор: Arun Iyer,Sudha Thiruvengadam,Gregory Sadowski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Apparatuses and methods to delay memory commands and clock signals

Номер патента: US09570135B2. Автор: Yantao Ma,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Techniques for adjusting clock signals to compensate for noise

Номер патента: US09565036B2. Автор: Pradeep Batra,Jared Zerbe,Brian Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Circuits for and methods of generating clock signals enabling the latching of data in an integrated circuit

Номер патента: US09559669B1. Автор: Brian C. Gaide. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Circuits for and methods of generating a divided clock signal with a configurable phase offset

Номер патента: US09553592B1. Автор: Parag Upadhyaya,Aman Sewani,Fu-Tai An. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Clock signal processor and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US09536580B2. Автор: Sang-Lok Kim,Kyoung-Tae Kang,Dae-Hoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Synchronization circuitry, common public radio interface enable device, and a method of synchronizing a synchronized clock signal of a second transceiver to a clock of a first transceiver

Номер патента: US09521636B2. Автор: Ori Goren,Avraham Horn,Roi Menahem Shor. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Clock signal monitoring unit

Номер патента: EP4450985A1. Автор: David Paul Price,Andreas Lentz. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-23.

Apparatus for compensating for skew between data signals and clock signal

Номер патента: US09485081B2. Автор: Choong-Sun Shin,Jae-Goo Lee,Hee-Sun Ahn,Young-Uk Won,In-Bok Song. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Electronic circuit device with electromagnetic clock signal conveyed along cooling fluid conduit network

Номер патента: US09471089B2. Автор: Bruno Michel,Mircea Gusat,Maria Soimu,Thomas E Morf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Multi-level clock signal distribution network and integrated circuit

Номер патента: US09459651B2. Автор: Lior Moheban,Avi Elazary,Amir NAVE,Noam Sivan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Mixed mode integrated circuit, method of providing a controllable test clock signal to a sub-circuitry of the mixed-mode integrated circuit and method of detecting current paths causing violations of electromagnetic compatibility standards in the mixed mode integrated circuit

Номер патента: US09459317B2. Автор: Patrice Besse,Pascal Kamel Abouda,Celine Hounaïda Abouda. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Data and clock signal voltages within an integrated circuit

Номер патента: US09450571B2. Автор: Marlin Wayne Frederick, Jr.,Ashwani Kumar Srivastava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods and apparatus for generating clock signals based on duty code and period code

Номер патента: US09448580B2. Автор: Young Hoon Lee,Sang Yong Park,Chan Woo Park,Je Kook Kim,Byeong Ha Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of generating a pixel clock signal from a transmission clock signal and related data transmission methods for multimedia sources

Номер патента: US09444976B2. Автор: Jongshin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods and devices for the generation of high frequency clock signals

Номер патента: US09444401B1. Автор: Bernd Schafferer. Владелец: S9estre LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Photorepeated integrated circuit with compensation of the propagation delays of signals, notably of clock signals

Номер патента: US09438218B2. Автор: Gregoire Chenebaux. Владелец: Pyxalis SAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Techniques for reducing skew between clock signals

Номер патента: US09432025B1. Автор: Chuan Thim Khor. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and apparatus for setting a frequency of a clock signal for a bus based on a number of requests asserted to transfer data on the bus

Номер патента: US09423821B2. Автор: Timothy J. Donovan. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Generating a pulse clock signal based on a first clock signal and a second clock signal

Номер патента: US09385696B1. Автор: Arun Jangity. Владелец: Applied Micro Circuits Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Method of controlling oxide thinning in an eprom or flash memory array

Номер патента: WO1995012213A1. Автор: Albert Bergemont,Graham R. Wolstenholme. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-05-04.

Distributed memory array supporting random access and file storage operations

Номер патента: EP2434406A2. Автор: Clifford E. Kimmery. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Read-only memory arrays in which a portion of the memory-addressing circuitry is integral to the array

Номер патента: US3618050A. Автор: Charles R Winston,Richard H Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Method for making conductors for ferrite memory arrays

Номер патента: US3849877A. Автор: J Fletcher,C Heckler,P Baba,N Bhiwandker. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1974-11-26.

Serial core memory array

Номер патента: CA1069210A. Автор: Morris O. Stein,J. Fred Rathjen,Peter A. Jager. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-01-01.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Data processing system with memory hierarchy

Номер патента: CA1224573A. Автор: Johan O. Hilbrink. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1987-07-21.

First in - first out memory array containing special bits for replacement addressing

Номер патента: CA1080366A. Автор: Gerhard R. Thompson,John E. Campbell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Method and apparatus for cyclically searching a contents addressable memory array

Номер патента: US6108747A. Автор: Teruo Kaganoi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Fault-tolerant memory array

Номер патента: US4768169A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors formed with an oxide semiconductor channel

Номер патента: US20240114689A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory array with contact enhancement cap and method for preparing the memory array

Номер патента: US11917813B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11950422B2. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US11335700B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-17.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: WO2023249738A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Process for forming a vertical thin-film transistor that serves as a connector to a bit-line of a 3-dimensional memory array

Номер патента: US11910612B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Array Of Conductive Vias, Methods Of Forming A Memory Array, And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20160336325A1. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: WO2024005806A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US11856793B2. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Write buffer implementation for multiple memory array memory spaces

Номер патента: US20210048952A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Vertical string driver for memory array

Номер патента: US20220076751A1. Автор: Aaron S. Yip,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US20230420017A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: EP3951783A1. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-09.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: EP3676839A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: WO2019046029A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Single plate configuration and memory array operation

Номер патента: US20230206977A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

3D quilt memory array for FeRAM and DRAM

Номер патента: US11790970B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory array having strap region with staggered dummy magnetic storage elements

Номер патента: US11737285B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Kun-I Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

3D memory array clusters and resulting memory architecture

Номер патента: US11763872B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: WO2022020140A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Dynamic reference scheme for improving read margin of resistive memory array

Номер патента: US10706904B2. Автор: Massimo Alioto,Kien TRINH QUANG,Sergio RUOCCO. Владелец: Agency Fpr Science Technology And Research. Дата публикации: 2020-07-07.

Memory Structures, Memory Arrays, Methods of Forming Memory Structures and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20130341586A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Memory structures, memory arrays, methods of forming memory structures and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20130214230A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Resistive memory array

Номер патента: WO2022111150A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-02.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US11762577B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: AU2002311936A1. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20230041396A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US10242726B1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US10153027B1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Resistive memory array

Номер патента: GB2616573A. Автор: Reznicek Alexander,KIM Youngseok,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Vertical jfet as used for selective component in a memory array

Номер патента: WO2006029280A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-16.

Eeprom memory array having 5f2 cells

Номер патента: WO2008021646A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Bohumil Lojek. Дата публикации: 2009-04-16.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: US20240008255A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: EP3711093A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2019133219A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US11954342B2. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US20210288071A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: EP3925004A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2020167658A4. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240179919A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20220293623A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US20230057441A1. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for reading a cross-point type memory array comprising a two-terminal switching material

Номер патента: US20200321052A1. Автор: Junsung KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: US11996146B2. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-28.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: WO2012054082A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US20220359612A1. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20210118892A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140154861A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory array programming circuit and a method for using the circuit

Номер патента: US20040153621A1. Автор: Yan Polansky,Avi Lavan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Error tolerant memory array and method for performing error correction in a memory array

Номер патента: US20210073072A1. Автор: John L. Mccollum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Techniques to improve a read operation to a memory array

Номер патента: US20210098034A1. Автор: Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20240090230A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190172517A1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US20220027079A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Memory Devices, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190296021A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Neural processing core, method of programming a synaptic memory array thereof and method of performing neural network inference thereon

Номер патента: WO2023059265A1. Автор: Pengfei Sun,Wenyu Jiang,Piew Yoong Chee. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-04-13.

System and method to regulate operating voltage of a memory array

Номер патента: EP2973577A2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to regulate operating voltage of a memory array

Номер патента: WO2014150487A2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Combining ram and rom into a single memory array

Номер патента: US20020089873A1. Автор: Spencer Gold,Marc Lamere. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Resistive memory array

Номер патента: US20220165947A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: EP1409237A2. Автор: John.H Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: US20020176280A1. Автор: John Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: WO2002096632A2. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2002-12-05.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US20240221829A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Pillow with memory foam and microfiber filling

Номер патента: WO2022182299A1. Автор: Matic SKOK,Andrej PODGORŠEK. Владелец: Ad Vita D.O.O.. Дата публикации: 2022-09-01.

Circuit and method for monitoring the status of a clock signal

Номер патента: WO2006104770B1. Автор: Gabriel M Li,Greg J Richmond,Sangeeta Raman. Владелец: Sangeeta Raman. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US12015403B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory array structures and methods of their fabrication

Номер патента: US20240071966A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Cells and Memory Arrays

Номер патента: US20190096894A1. Автор: Debra M. Bell,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Spintronic device, memory cell, memory array and read and write circuit

Номер патента: US20240013826A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated circuitry for generating a clock signal in an implantable medical device

Номер патента: EP2968914A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromodulation Corp. Дата публикации: 2016-01-20.

Integrated circuitry for generating a clock signal in an implantable medical device

Номер патента: WO2014143206A1. Автор: Jordi Parramon,Goran N. Marnfeldt,Emanuel Feldman. Владелец: Boston Scientific Neuromdulation Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

Write control method for a memory array configured with multiple memory subarrays

Номер патента: US20080247245A1. Автор: Donald W. Plass,John D. Davis,Kenneth J. Reyer,Paul A. Bunce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Electrical fuse memory arrays

Номер патента: US20120057423A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Po-Hung Chen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Memory array with graded memory stack resistances

Номер патента: US20210111226A1. Автор: Hongmei Wang,Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2823506A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Clock signal generator module, integrated circuit, electronic device and method therefore

Номер патента: WO2013076524A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Yossi Shoshany. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-05-30.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Method and apparatus for selecting memory cells within a memory array

Номер патента: US20040141393A1. Автор: James Eaton,Joseph Ku. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-22.

Processing clock signals

Номер патента: US8237483B2. Автор: Nitin Jain,Nitin Gupta. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2012-08-07.

Internal clock signaling

Номер патента: US20240241673A1. Автор: Liang Yu,Luigi Pilolli,Biagio Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Intelligent memory array switching logic

Номер патента: WO2006077046A1. Автор: Khaled Fekih-Romdhane,Skip Shizhen Liu. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of forming a tunnel structure for a magnetic plated-wire memory array

Номер патента: US3813768A. Автор: L Prohofsky. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20170025606A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20140319447A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: WO2023027903A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: US20210351234A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: EP4147237A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Three-dimensional memory arrays, and methods of forming the same

Номер патента: WO2021225783A1. Автор: LEI Wei,Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Nevil N. Gajera,Lingming Yang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Integrated Circuits, Methods for Manufacturing Integrated Circuits, Integrated Memory Arrays

Номер патента: US20080225587A1. Автор: Josef Willer,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-18.

Circuit for detecting the duty cycle of clock signals

Номер патента: WO2008004141A3. Автор: Cord-Heinrich Kohsiek. Владелец: Cord-Heinrich Kohsiek. Дата публикации: 2008-03-06.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Reference clock signal injected phase locked loop circuit and offset calibration method thereof

Номер патента: US20210194489A1. Автор: Shen Feng,Jun Xu,Mingfu Shi,Shunfang Wu,Xinwu Cai. Владелец: Montage LZ Technologies Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Clock authentication circuitry for clock signals

Номер патента: US20170070234A1. Автор: Gary M. Graceffo,Andrew Kowalevicz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-03-09.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Operating a memory array based on an indicated temperature

Номер патента: US11762585B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: EP4150620A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: WO2021230905A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-18.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Processing clock signals

Номер патента: US20120169393A1. Автор: Nitin Jain,Nitin Gupta. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Modifying clock signals output by an integrated circuit

Номер патента: US20060139083A1. Автор: Ban Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-29.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118009A1. Автор: David R. Brown,Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory array decoding and interconnects

Номер патента: WO2020131397A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Application processor, mobile device having the same, and method of selecting a clock signal for an application processor

Номер патента: US20160349819A1. Автор: Young-Pyo Joo,Taek-kyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Application processor, mobile device having the same, and method of selecting a clock signal for an application processor

Номер патента: US20180224918A1. Автор: Young-Pyo Joo,Taek-kyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Non-volatile memory package and method of reading stored data from a non-volatile memory array

Номер патента: US20070127293A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

A glitch-free clock signal multiplexer circuit and method of operation thereof

Номер патента: WO2007147017A3. Автор: Yan Zhang,Martin Saint-Laurent. Владелец: Martin Saint-Laurent. Дата публикации: 2008-02-28.

Method and apparatus for programming a memory array

Номер патента: EP1894208A1. Автор: Feng Li,Xiaoyu Yang,Bendik Kleveland,Tae Hee Lee,Chia Yang,Seung Geon Yu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-03-05.

Method and apparatus for programming a memory array

Номер патента: WO2007001852A1. Автор: Feng Li,Xiaoyu Yang,Bendik Kleveland,Tae Hee Lee,Chia Yang,Seung Geon Yu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US20210304817A1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Application processor, mobile device having the same, and method of selecting a clock signal for an application processor

Номер патента: US9958930B2. Автор: Young-Pyo Joo,Taek-kyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Clock signal supply circuit with odd harmonic leakage prevention feature

Номер патента: US6781430B2. Автор: Yasuhiro Ikarashi,Senichiro Yatsuda. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Adjusting bit-line discharge time in memory arrays based on characterized word-line delay and gate delay

Номер патента: US20140071775A1. Автор: Donald Albert Evans,Bijan Kumar Ghosh,Rasoju Veerabadra Chary,Richard John Stephani,Ronald Brian Steele. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Display clock signaling with reduced power consumption

Номер патента: US12020649B2. Автор: Janghoon Song,Sangmoo Choi. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Bus interface for i/o device with memory

Номер патента: WO2002073420A2. Автор: Mark Kaplun,Mark Libov,Stan Sacharen,Noam Ben-Moyal. Владелец: Adc Telecommunications Israel Ltd.. Дата публикации: 2002-09-19.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Deselect drivers for a memory array

Номер патента: US20130003449A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Method and apparatus for generating a phase shifted output clock signal

Номер патента: WO2004091131A1. Автор: Stephane Le Tual,Ivo Koren,Stephane Kirmser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Dielectric materials, capacitors and memory arrays

Номер патента: US12062688B2. Автор: Timothy A. Quick,Matthew N. Rocklein,Sumeet C. Pandey,Richard Beeler,An-Jen B. Cheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

System and method for random data distribution in a memory array

Номер патента: US12079478B2. Автор: Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013133919A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

N-way mode content addressable memory array

Номер патента: US20090279340A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Arrangement for generating a transmission clock signal and a reception clock signal for a transceiver

Номер патента: US20050129099A1. Автор: David Müller,Anthony Sanders,Dirk Scheideler,Dirk Friebe,Philipp Borker,Bruno Celli-Urbani,Edoardo Prette,Volkmar Rebmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Method and Apparatus for Implementing Complex Logic Within a Memory Array

Номер патента: US20090027079A1. Автор: Jose Angel Paredes,Andrew James Bianchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method and apparatus for implementing complex logic within a memory array

Номер патента: US20080136447A1. Автор: Jose Angel Paredes,Andrew James Bianchi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Electrically formed memory array

Номер патента: WO2022132905A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Scan optimization using data selection across wordline of a memory array

Номер патента: US20230012644A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Junwyn A. Lacsao,Paing Z. Htet,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory array with reduced leakage current

Номер патента: US20220199147A1. Автор: Keith Golke. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Voltage control method and voltage control circuit for anti-fuse memory array

Номер патента: US20230197178A1. Автор: Yan Wang,Sheng Qiu,Xian Chen,Zhengyuan ZHANG,Mingyuan Xu,Ruzhang Li,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Feiyu JIANG,Xiyi LIAO,Yonghong DAI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US12080330B2. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Virtual ground memory array and method therefor

Номер патента: WO2006041633A3. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore,Laureen H Parker. Владелец: Laureen H Parker. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Electronic device including a nonvolatile memory array and methods of using the same

Номер патента: WO2008124269A1. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Thomas Jew,Ronald J. Syzdek. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-10-16.

Integrated circuit for receiving a clock signal, particularly for a semiconductor memory circuit

Номер патента: US20030001665A1. Автор: Hermann Ruckerbauer,Andre Schäfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of testing memory array at operational speed using scan

Номер патента: US20090150729A1. Автор: Ishwardutt Parulkar,Paul J. Dickinson,Gaurav H. Agarwal,Krishna B. Rajan. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory array

Номер патента: US20100314680A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Bus interface for I/O device with memory

Номер патента: US20020158661A1. Автор: Mark Kaplun,Mark Libov,Stan Sacharen,Noam Ben-Moyal. Владелец: ADC Telecommunications Israel Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20240249785A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatuses and methods including circuits in gap regions of a memory array

Номер патента: US20240177744A1. Автор: Hirokazu Ato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory arrays comprising operative channel-material strings and dummy pillars

Номер патента: US20240321727A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Bus interface for i/o device with memory

Номер патента: EP1419443A2. Автор: Mark Kaplun,Mark Libov,Stan Sacharen,Noam Ben-Moyal. Владелец: ADC Telecommunications Israel Ltd. Дата публикации: 2004-05-19.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: EP1382042A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A3. Автор: Shree Kant,Gajendra P Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Shared decoder architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240321349A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240312521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Peak current management in a memory array

Номер патента: US20210166770A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device generating internal clock signal having higher frequency than that of input clock signal

Номер патента: US20140035639A1. Автор: Hiroki Takahashi,Katsuhiro Kitagawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12119056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Server memory array cooling hardware

Номер патента: US12108566B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2024191628A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240340010A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Peak current management in a memory array

Номер патента: WO2020223474A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-05.

Peak current management in a memory array

Номер патента: EP3963584A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Methods and apparatus for performing matrix transformations within a memory array

Номер патента: US12118056B2. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Apparatuses and methods for reducing standby current in memory array access circuits

Номер патента: US20240331763A1. Автор: Nobuo Yamamoto,Takamasa Suzuki,Izumi Nakai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Sot-mram memory cell, memory array, memory, and operation method

Номер патента: US20240334838A1. Автор: HAO Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Ziwei Wang,Xuefeng Zhao,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-03.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory array structures and methods for determination of resistive characteristics of access lines

Номер патента: EP4082014A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Paolo Tessariol,Erwin E. Yu,Tomoka Ogura IWASAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor structure, memory cell and memory array

Номер патента: US12108682B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Clocking architecture for communicating clock signals having different frequencies over a communication interface

Номер патента: US12130769B2. Автор: David P. Schultz,Richard W. Swanson. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Single wire system clock signal generation

Номер патента: US09985778B2. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Application processor, mobile device having the same, and method of selecting a clock signal for an application processor

Номер патента: US09958930B2. Автор: Young-Pyo Joo,Taek-kyun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of forming a portion of a memory array having a conductor having a variable concentration of germanium

Номер патента: US09953842B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Measurement and imaging of scatterers with memory of scatterer parameters using at least two-frequency elastic wave pulse complexes

Номер патента: US09939413B2. Автор: Rune Hansen,Bjørn A. J. Angelsen,Tonni F. Johansen,Thor Andreas Tangen,Svein-Erik Måsøy,Sven Peter Nasholm. Владелец: SURF Technology AS. Дата публикации: 2018-04-10.

Voltage self-boosting circuit for generating a boosted voltage for driving a word line write in a memory array for a memory write operation

Номер патента: US09633706B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Номер патента: US09570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Generating combined bus clock signals using asynchronous master device reference clocks in shared bus systems, and related methods, devices, and computer-readable media

Номер патента: US09524264B2. Автор: Yossi Amon,Sharon Graif,Ben Levin,David Asher FRIEDMAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-20.