Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • シートプラズマを利用したイオン打込み方法

シートプラズマを利用したイオン打込み方法

Номер патента: JPS5947381A
Опубликовано: 17-03-1984
Автор(ы): Joshin Uramoto, 上進 浦本
Принадлежит: Individual

Реферат: (57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた め要約のデータは記録されません。

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Device for plasma-immersion ion implantation at low pressure

Номер патента: RU2615161C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2017-04-04.

Device for nitriding components made from aluminium alloy through ion-implantation doping and method where said device is used

Номер патента: RU2372418C2. Автор: Фредерик ГЕРНАЛЕК,Дени БЮЗАРДО. Владелец: Сосьете Кертек Энженьери (Кэ). Дата публикации: 2009-11-10.

Multi-step ion implantation

Номер патента: US09828668B2. Автор: Douglas J. Weber,Scott A. Myers,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of ion-implantation treatment compressor's mono-wheel blades made of titanium alloys

Номер патента: RU2682741C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Wafer temperature correction system for ion implantation device

Номер патента: US20130149799A1. Автор: Kazuhiro KANDATSU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Ion generation device for straight tube square electromagnetic ion implantation equipment

Номер патента: GB2628519A. Автор: Wang Xianghong,LI Yunqing,Meng Qiujing,Dai Zhengyang. Владелец: Shanghai Technical Inst Electronics & Information. Дата публикации: 2024-09-25.

Technique for using an improved shield ring in plasma-based ion implantation

Номер патента: WO2008083020A3. Автор: Vikram Singh,Richard J Hertel,Timothy J Miller,Harold M Persing,Edmund J Winder. Владелец: Edmund J Winder. Дата публикации: 2008-10-16.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US09601314B2. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for precision oxidation control by ion implantation

Номер патента: US20240203743A1. Автор: Wei Zou,Supakit Charnvanichborikarn,Hans-Joachim Ludwig Gossmann,Andrew Michael Waite,Cao-Minh Vincent Lu,Ana Cristina Gomez Herrero. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US9379030B2. Автор: Takashi Kuroda,Shiro Ninomiya,Toshio Yumiyama,Akira Funai,Tadanobu Kagawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Ion implanter and ion implant method thereof

Номер патента: US20130130484A1. Автор: Zhimin Wan,Don Berrian,John D. Pollock. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: RU2651583C2. Автор: Франк ТОРРЕГРОСА,Лорен РУ. Владелец: Ион Бим Сервисез. Дата публикации: 2018-04-23.

Ion implantation system and method of monitoring implant energy of an ion implantation device

Номер патента: US20080296484A1. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Ionization chamber, ion-implantation apparatus and ion-implantation method

Номер патента: US20180374681A1. Автор: Rui Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Ion implantation device

Номер патента: US20150206710A1. Автор: Daisuke Goto,Satoshi Naganawa,Suguru Kenmochi. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Ion implantation compositions, systems, and methods

Номер патента: US09831063B2. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Richard S. Ray. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for low temperature ion implantation

Номер патента: US20110244669A1. Автор: Zhimin Wan,John D. Pollock,Erik Collart. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Ion implant apparatus and a method of implanting ions

Номер патента: EP2786396A1. Автор: Takao Sakase,Geoffrey Ryding,William Park,Theodore Smick,Joseph Gillespie,Hilton Glavish,Paul Eide,Drew Arnold,Ronald Horner. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US09850570B2. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Implant-induced damage control in ion implantation

Номер патента: US09490185B2. Автор: Shu Satoh,Andy Ray,Serguei Kondratenko,Ronald N. Reece. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20200135470A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for an ion implantation process employing an ion-collecting device that collects a distribution of ejected ions from a target to correct a tilt angle of the target

Номер патента: US12051593B2. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US20200098544A1. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US20200381210A1. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Ion implantation system and source bushing thereof

Номер патента: US11282673B2. Автор: Nai-Han Cheng,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-22.

Ion implantation method for surfaces of part from structural steel

Номер патента: RU2637189C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Андреевна Жданович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет". Дата публикации: 2017-11-30.

Method of ion-implantation treatment of compressor blades from titanium alloys

Номер патента: RU2682743C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Азамат Зиннурович Тимербаев,Наиля Фёдоровна Измайлова. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2019-03-21.

Fabrication of magnesium diboride superconductor thin films and electronic devices by ion implantation

Номер патента: WO2004044262A1. Автор: Roger Webb,Guosheng Shao,Nianhua Peng,Christopher Jeynes. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2004-05-27.

Ion implantation in metal alloys

Номер патента: WO1993012265A1. Автор: Lynann Clapham,James L. Whitton. Владелец: Queen's University At Kingston. Дата публикации: 1993-06-24.

System and Method for Reducing Particle Formation in a Process Chamber of an Ion Implanter

Номер патента: US20240274404A1. Автор: Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Tseh-Jen Hsieh,Vikram M. Bhosle,Gregory Edward Stratoti. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method for reducing particle formation in a process chamber of an ion implanter

Номер патента: WO2024167666A1. Автор: Bon-Woong Koo,Frank Sinclair,Tseh-Jen Hsieh,Vikram M. Bhosle,Gregory Edward Stratoti. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Zinc ion-implanted quartz glass

Номер патента: RU2585009C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Николай Васильевич Гаврилов,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2016-05-27.

Ion implanting system

Номер патента: US20110140005A1. Автор: Jong-hyun Park,Sun Park,Chun-Gi You,Yul-Kyu Lee,Jin-Hee Kang. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20170148633A1. Автор: Tetsuya Kudo,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Wafer temperature correction system for ion implantation device

Номер патента: US8378316B2. Автор: Kazuhiro KANDATSU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Ion implanting system

Номер патента: US8575574B2. Автор: Jong-hyun Park,Sun Park,Chun-Gi You,Yul-Kyu Lee,Jin-Hee Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-05.

Plasma Source Ion Implanter with Preparation Chamber for Linear or Cross Transferring Workpiece

Номер патента: US20230092691A1. Автор: Xinxin Ma. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2023-03-23.

Magnetic masks for an ion implant apparatus

Номер патента: WO2014093562A2. Автор: Robert B. Vopat,Christopher N. GRANT. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for controlling a vaporizer of ion implantation equipment during indium implantation process

Номер патента: US20060124868A1. Автор: Sang Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Method for controlling a vaporizer of ion implantation equipment during indium implantation process

Номер патента: US7348577B2. Автор: Sang Bum Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of controlling an ion implanter in plasma immersion mode

Номер патента: US09552962B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2017-01-24.

Anisotropic surface energy modulation by ion implantation

Номер патента: WO2014022180A1. Автор: Ludovic Godet,Tristan MA,Christopher Hatem. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Techniques for ion implantation of molecular ions

Номер патента: US20100084577A1. Автор: Christopher A. Rowland,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20140235042A1. Автор: Tetsuya Kudo,Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US20170009337A1. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Implant-induced damage control in ion implantation

Номер патента: WO2014055182A1. Автор: Shu Satoh,Serguei Kondratenko,Andrew Ray,Ronald REECE. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Ion implantation for modification of thin film coatings on glass

Номер патента: US20180023190A1. Автор: Terry Bluck,Babak Adibi. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Pumping system for reducing the effects of wafer outgasing on beam purity in an ion implanter

Номер патента: WO2001051296A1. Автор: John W. Vanderpot,Donald W. Berrian,John D. Pollock. Владелец: Proteros, Llc. Дата публикации: 2001-07-19.

Ion implantation and surface processing method and apparatus

Номер патента: US5212425A. Автор: Jesse N. Matossian,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1993-05-18.

Ion implantation system and method adapted for serial wafer processing

Номер патента: US5929456A. Автор: Tadamoto Tamai. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Ion implantation of zirconium alloys with hafnium

Номер патента: CA1309376C. Автор: David Lee Baty,William Crawford Young,David Evan Lewis. Владелец: Babcock and Wilcox Co. Дата публикации: 1992-10-27.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: US20240035148A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo H. Verkerk,David Sporleder. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods for increasing beam current in ion implantation

Номер патента: US20200013621A1. Автор: Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-09.

Ion implanter system including remote dopant source, and method comprising same

Номер патента: EP2647036A2. Автор: W. Karl Olander,Robert Kaim,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Ion implantation system and method for implanting aluminum using non-fluorine-containing halide species or molecules

Номер патента: WO2024026142A1. Автор: Edward Moore,Atul Gupta,Neil Colvin,Udo Verkerk,David Sporleder. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for ion implantation that adjusts a target's tilt angle based on a distribution of ejected ions from a target

Номер патента: US20230230839A1. Автор: Chun-Jung Huang,Po-Feng Tsai,Li-Hsin CHU,Henry Peng,Yung-Lin Hsu,Kuang Huan Hsu,Tsung Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

High chromium ferritic steel with 0.5 atomic % hafnium, part of which is ion implanted

Номер патента: EP1737996A1. Автор: Roy Loughborough University FAULKNER. Владелец: Loughborough University Enterprises Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

Ion implantation machine presenting increased productivity

Номер патента: US09524853B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2016-12-20.

Ion implantation of plastic orthopaedic implants

Номер патента: US5133757A. Автор: Piran Sioshansi,Richard W. Oliver. Владелец: Spire Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

F ion implantation into oxide films to form low-K intermetal dielectric

Номер патента: US6159872A. Автор: Stepan Essaian,Daniel Henry Rosenblatt. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: US11827973B2. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Gas mixture as co-gas for ion implant

Номер патента: WO2024030209A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-08.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: US20210189550A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Joseph Sweeney. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Gas mixture as co-gas for ion implant

Номер патента: US20240043988A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Germanium tetraflouride and hydrogen mixtures for an ion implantation system

Номер патента: EP3794158A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Oxygen ion implantation equipment

Номер патента: US20090260570A1. Автор: Yoshiro Aoki. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Ion Implantation Apparatus with Ion Beam Directing Unit

Номер патента: US20160305012A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Ion implantation apparatus with ion beam directing unit

Номер патента: US9809877B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Stephan Voss,Alexander Breymesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Method to accurately and repeatably setup an ion beam for an ion implantation system in reduced setup time to increase productivity

Номер патента: US20040244692A1. Автор: Jiong Chen,Simeon Ma. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Ion implantation device with an energy filter and a support element for overlapping at least part of the energy filter

Номер патента: US20240038491A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-01.

Ion implanted hardmetal cemented carbide cold sprayed coatings

Номер патента: WO2018167534A1. Автор: Peerawatt NUNTHAVARAWONG,Natasha SACKS. Владелец: University of the Witwatersrand, Johannesburg. Дата публикации: 2018-09-20.

Dopant compositions for ion implantation

Номер патента: SG11201808852YA. Автор: Ashwini Sinha,Aaron Reinicker. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Ion implanted hardmetal cemented carbide cold sprayed coatings

Номер патента: US20200048757A1. Автор: Peerawatt NUNTHAVARAWONG,Natasha SACKS. Владелец: University of the Witwatersrand, Johannesburg. Дата публикации: 2020-02-13.

Dopant compositions for ion implantation

Номер патента: EP3443137A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Aaron Reinicker. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-20.

Ion implantation for hard bubble suppression

Номер патента: US4372985A. Автор: Robert F. Bailey. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1983-02-08.

Active workpiece heating or cooling for an ion implantation system

Номер патента: WO2018132408A1. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,John Baggett. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-07-19.

Method and apparatus for reducing vacuum loss in an ion implantation system

Номер патента: US11764042B2. Автор: Cheng-Yi Huang,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Chao-Po Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Thermally isolated captive features for ion implantation systems

Номер патента: WO2021194725A1. Автор: Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-09-30.

Thermally Isolated Captive Features For Ion Implantation Systems

Номер патента: US20210296077A1. Автор: Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method and Apparatus for Reducing Vacuum Loss in an Ion Implantation System

Номер патента: US20200126774A1. Автор: Cheng-Yi Huang,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Chao-Po Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Low emission cladding and ion implanter

Номер патента: WO2020149955A1. Автор: Frank Sinclair,Julian G. Blake. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-23.

Plasma immersed ion implantation process using balanced etch-deposition process

Номер патента: US8273624B2. Автор: Peter Porshnev,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Ion implant system having grid assembly

Номер патента: US09741894B2. Автор: Babak Adibi,Moon Chun. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US20210319978A1. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US20230113582A1. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US11527382B2. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Plasma immersed ion implantation process

Номер патента: WO2008073845A1. Автор: Shijian Li,Kartik Ramaswamy,Biagio Gallo,Majeed A. Foad,Dong Hyung Lee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-06-19.

Storage and delivery of antimony-containing materials to an ion implanter

Номер патента: US20200340098A1. Автор: Douglas C. Heiderman,Aaron Reinicker,Ashwini K Sinha. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Plasma immersed ion implantation process using balanced etch-deposition process

Номер патента: US20110053360A1. Автор: Peter Porshnev,Majeed A. Foad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Shadow mask fixed on substrate by magnetic method

Номер патента: RU2502830C2. Автор: Маркус ГЕРСДОРФФ,Вальтер ФРАНКЕН,Арно ОФФЕРМАННС. Владелец: Айкстрон Се. Дата публикации: 2013-12-27.

Ion implantation apparatus and method of cleaning ion implantation apparatus

Номер патента: US10030304B2. Автор: Takayuki Nagai,Masateru Sato. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-24.

Ion implantation gas supply system

Номер патента: US11961707B2. Автор: Nai-Han Cheng,Hsing-Piao Hsu,Ping-Chih OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Device for application of functional layers of thin-film solar cells on substrate by deposition in plasma of low-frequency induction discharge of low-pressure transformer

Номер патента: RU2582077C2. Автор: Игорь Максимович Уланов,Артем Юрьевич Литвинцев,Михаил Витальевич Исупов,Павел Александрович Мищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2016-04-20.

Supply source and method for enriched selenium ion implantation

Номер патента: US20140329377A1. Автор: Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Lloyd A. BROWN. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Antimony/Lewis base adducts for Sb-ion implantation and formation of antimonide films

Номер патента: US6005127A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari,Michael A. Todd. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Large area microwave plasma cvd apparatus and corresponding method for providing such deposition

Номер патента: EP3791421A1. Автор: Justas ZALIECKAS. Владелец: VESTLANDETS INNOVASJONSSELSKAP AS. Дата публикации: 2021-03-17.

Large area microwave plasma cvd apparatus and corresponding method for providing such deposition

Номер патента: WO2019216772A1. Автор: Justas ZALIECKAS. Владелец: Bergen Teknologioverforing AS. Дата публикации: 2019-11-14.

Device for additive manufacturing technology with matrix sputtering and method of manufacturing large-size ingots from aluminum alloy with equiaxial crystalline grain

Номер патента: RU2768633C1. Автор: Цин Дун,Цзяо ЧЖАН,Баодэ СУНЬ. Владелец: Шанхай Цзяотун Юниверсити. Дата публикации: 2022-03-24.

Ion implant assisted metal etching

Номер патента: US9435038B2. Автор: William Davis Lee,Tristan MA,Thomas Omstead. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Techniques for depositing metallic films using ion implantation surface modification for catalysis of electroless deposition

Номер патента: WO2007092529A8. Автор: Yuri Erokhin,Peter D Nunan. Владелец: Peter D Nunan. Дата публикации: 2008-09-25.

Precursor compositions for ion implantation of antimony and ion implantation process utilizing same

Номер патента: US5972743A. Автор: Thomas H. Baum,W. Karl Olander,James V. McManus,Timothy E. Glassman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Indium source reagent compositions, and use thereof for deposition of indium-containing films on substrates and ion implantation of indium-doped shallow junction microelectronic structures

Номер патента: US20010021785A1. Автор: Thomas Baum,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2001-09-13.

Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules

Номер патента: US8979999B2. Автор: Mark P. D'Evelyn. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation

Номер патента: US09570271B2. Автор: Stanley M. Smith,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Serge M. CAMPEAU. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Boron-containing dopant compositions, systems and methods of use thereof for improving ion beam current and performance during boron ion implantation

Номер патента: US09548181B2. Автор: Stanley M. Smith,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Serge M. CAMPEAU. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: US20230054419A1. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: WO2021155270A1. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

Precise ion implantation type modified geopolymer and preparation method thereof

Номер патента: US20240109809A1. Автор: Dong He,Kai Zhang,Haifeng Lu,Hang Xu,Xiaoxuan KONG,Xiangheng XIAO. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2009123807A2. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2009-10-08.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: EP2257496A2. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2010-12-08.

System and method for nanotube growth via ion implantation using a catalytic transmembrane

Номер патента: WO2009123807A3. Автор: Delmar L. Barker,Mead M. Jordan,Howard W. Poisi. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for continuous production of beam of carborane ions with constant self-cleaning of ion source and component of ion implanter extraction system

Номер патента: RU2522662C2. Автор: Олег Васильевич Алексеенко,Сергей Николаевич Дугин,Элла Лазаревна Гуркова,Павел Аркадьевич Стороженко,Ефим Михайлович Окс,Дмитрий Николаевич Селезнев,Геннадий Николаевич Кропачев,Тимур Вячеславович Кулевой,Ростислав Петрович Куйбида,Гершкович Ади,Василий Иванович Гушенец. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный научный центр Российской Федерации - Институт Теоретической и Экспериментальной Физики" (ФГБУ "ГНЦ РФ ИТЭФ"). Дата публикации: 2014-07-20.

Graphite member for beam-line internal member of ion implantation apparatus

Номер патента: US8673450B2. Автор: Tetsuro Tojo,Hitoshi Suzuki,Kiyoshi Saito,Fumiaki Yokoyama,Seiji Shinohara,Atsuko Ando. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Large area deposition and doping of graphene, and products including same

Номер патента: RU2567949C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-10.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A3. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: Steve Walther. Дата публикации: 2007-03-01.

In situ surface contaminant removal for ion implanting

Номер патента: WO2006023637A2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Naushad Variam,Steve Walther. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-03-02.

In situ surface contamination removal for ion implanting

Номер патента: US7544959B2. Автор: Sandeep Mehta,Ukyo Jeong,Steven R. Walther,Naushad Variam. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

Producing a diamond semiconductor by implanting dopant using ion implantation

Номер патента: US8328936B2. Автор: Kenji Ueda,Yoshiharu Yamauchi,Toshiki Makimoto,Makoto Kasu. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Wafer temperature measurement in an ion implantation system

Номер патента: US11942343B2. Автор: Chien-Li Chen,Steven R. Walther. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of permanently phase-transiting semimetal using ion implantation and semimetal phase-transited thereby

Номер патента: US20220223365A1. Автор: Suk Ho Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-07-14.

Engineering the optical properties of an integrated computational element by ion implantation

Номер патента: US09905425B2. Автор: David L. Perkins,James M. Price,Aditya B. Nayak. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Post ion implant stripper for advanced semiconductor application

Номер патента: US09484218B2. Автор: Andreas Klipp,Meichin Shen,ChienShin Chen,ChiaHao Chan. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated ion implant scrubber system

Номер патента: US20010008123A1. Автор: Jose I. Arno,Michael W. Hayes,Mark R. Holst. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Sapphire property modification through ion implantation

Номер патента: US20140248472A1. Автор: Christopher D. Prest,Douglas Weber,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Sapphire property modification through ion implantation

Номер патента: EP2772565A3. Автор: Douglas J. Weber,Christopher D. Prest,Dale N. Memering. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-10.

Device for strengthening the surface of products, method and use thereof

Номер патента: EP4110961A1. Автор: Jirí ONSKÝ. Владелец: Ustav Termomechaniky Av Cr VVI. Дата публикации: 2023-01-04.

Device for strengthening the surface of products, method and use thereof

Номер патента: CA3169122A1. Автор: Jiri SONSKY. Владелец: Ustav Termomechaniky Av Cr VVI. Дата публикации: 2021-09-02.

Storage and sub-atmospheric delivery of dopant compositions for carbon ion implantation

Номер патента: US09552990B2. Автор: Robert Shih,Ashwini K. SINHA,Douglas C. Heiderman,Lloyd A. BROWN,Serge M. CAMPEAU,Wen-Pin Chiu,Chien-Kang Kao,Dragon Lu. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Device for strengthening the surface of products, method and use thereof

Номер патента: US20220402013A1. Автор: Jiri SONSKY. Владелец: Ustav Termomechaniky Av Cr VVI. Дата публикации: 2022-12-22.

Controlled ion implant damage profile for etching

Номер патента: US4978418A. Автор: Carol I. H. Ashby,Paul J. Brannon,George W. Arnold, Jr.. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-12-18.

Graphite Member for Beam-Line Internal Member of Ion Implantation Apparatus

Номер патента: US20090181527A1. Автор: Tetsuro Tojo,Hitoshi Suzuki,Kiyoshi Saito,Fumiaki Yokoyama,Seiji Shinohara,Atsuko Ando. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Device for extraction of metals or metal compounds from material, containing metal or metal compounds

Номер патента: RU2455600C2. Автор: Юрген КУНЦЕ,Рольф ДЕГЕЛЬ,Роланд КЁНИХ,Хармен Йоханнес ОТЕРДООМ,Эндрю ВОРЧОК. Владелец: Смс Симаг Аг. Дата публикации: 2012-07-10.

Glass composition co-fireable with titania for sealing large-area dye-sensitized solar cell

Номер патента: US20190352219A1. Автор: Han Sol Lee,Woon Jin Chung,Jae Hyoung Park,Jae Kwun Hwang. Владелец: Orion Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Magnetic sheet assembly for magnetic separation

Номер патента: US20020084880A1. Автор: Emilio Barbera-Guilem,Marlin Thurston. Владелец: Biocrystal Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Method and device for cold marking of whatever 3d arbitrary-shape surfaces

Номер патента: RU2414340C2. Автор: Кристиан ЛЁКЕР. Владелец: Кристиан ЛЁКЕР. Дата публикации: 2011-03-20.

Method and Device for Strengthening Sludge Concentration by Magnetic Fields

Номер патента: AU2021102576A4. Автор: Jiangsong LI,Ping Ning,Nanqi REN,Guangfei Qu,Ruosong Xie,yibi Xu. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-07-22.

Device and method for large scale harvesting of solar energy through hydrogen production

Номер патента: US12116679B2. Автор: Vivek Pathak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Dopant precursors and ion implantation processes

Номер патента: US6716713B2. Автор: Michael A. Todd. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2004-04-06.

Method for making solid state device utilizing ion implantation techniques

Номер патента: US5082793A. Автор: Chou H. Li. Владелец: Li Chou H. Дата публикации: 1992-01-21.

Mixing device for homogenization of cell suspensions

Номер патента: US09873858B2. Автор: Stefan Miltenyi,Jan Boddenberg,Frederik FRITZSCH. Владелец: Miltenyi Biotec GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Device for fixing a ring, in particular a ring for large-diameter bearings, during the hardening of the ring, method for fixing a ring for hardening the ring

Номер патента: EP3839082A1. Автор: Pavel Roman,Vendelin FUJACEK,Anton KRIZAN. Владелец: ThyssenKrupp Rothe Erde Slovakia AS. Дата публикации: 2021-06-23.

Method and device for processing active microcrystalline fiber by magnetic field induction and laserit

Номер патента: US20220149581A1. Автор: Zheng Liu,Tingyun WANG,Zhenyi CHEN,Jianxiang WEN,Yanhua DONG,Fufei PANG,Ziwen ZHAO. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-05-12.

Micro-casting and Rolling Additive Manufacture for Large Special-shaped Pipes

Номер патента: US20210197458A1. Автор: Dong Wang,Jianfeng Song,Xuan HE,Yubo Wang,Yinggang SHI. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-01.

Reactor for large-scale synthesis of ethylene glycol

Номер патента: RU2719441C1. Автор: Цзянь ХУАН. Владелец: Пуцзин Кемикал Индастри Ко., Лтд. Дата публикации: 2020-04-17.

Suctioning device for large artificial water bodies

Номер патента: US09957693B2. Автор: Fernando Benjamin Fischmann Torres,Jorge Eduardo Prieto Dominguez. Владелец: Crystal Lagoons Curacao BV. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for large-volume selective acid treatment of bottomhole formation zone in carbonate reservoirs

Номер патента: RU2750776C1. Автор: Фанзат Завдатович Исмагилов,Булат Галиевич Ганиев,Руслан Фаргатович Хусаинов,Эдуард Марсович Абусалимов,Азат Абузарович Лутфуллин,Ильдар Сиринович Каримов,Ильшат Маратович Насибулин,Михаил Александрович Петров,Наталья Анатольевна Хасанова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Сервисная Компания "Карат". Дата публикации: 2021-07-02.

Method for large-volume selective acid treatment of bottomhole formation zone in carbonate reservoirs

Номер патента: RU2750171C1. Автор: Ильшат Маратович Насибулин,Михаил Александрович Петров,Наталья Анатольевна Хасанова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Сервисная Компания "Карат". Дата публикации: 2021-06-22.

Mix of pigment scales oriented by magnetic field and not oriented by magnetic field and applied as coat on substrate

Номер патента: RU2553019C2. Автор: Владимир П. РАКША,Пол Г. КУМБЗ,Чарльз Т. МАРКАНТЕС,Майкл Р. НОУФИ. Владелец: Джей Ди Эс ЮНИФЕЙЗ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2015-06-10.

Complex protection device for blocking abnormal state of current and voltage

Номер патента: US09607795B2. Автор: Kwang Hoon Lee,Kyung Mi LEE,Tae Hun KANG,Doo Won Kang,Jong Il Jung,Gyu Jin Ahn,Sang Joon Jin,Hyun Chang Kim,Eun Min Kim,Sang Min Ahn. Владелец: Smart Electronics Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device for measuring ultra small electrical currents and small voltages

Номер патента: WO2008074789A1. Автор: Radivoje Popovic,Marc Lany. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE. Дата публикации: 2008-06-26.

In situ ion beam current monitoring and control in scanned ion implantation systems

Номер патента: WO2018048889A1. Автор: Alfred Halling. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-03-15.

Planar, ion-implanted GaAs-MESFET device for microwave application

Номер патента: DE19520046A1. Автор: Robert A Sadler,Dain C Miller,Andrew H Peake. Владелец: International Standard Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-07.

Implantable device with improved battery recharging and powering configuration

Номер патента: AU753694B2. Автор: Michael A. Faltys,Alfred E. Mann,Robert Dan Dell,Joseph H Schulman. Владелец: Alfred E Mann Institute for Biomedical Engineering of USC. Дата публикации: 2002-10-24.

Device for holding in position a product to be processed and a method

Номер патента: US12023771B2. Автор: Roberto Mingot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and device for filtering a filter output current and / or voltage of an inverter output

Номер патента: EP2223405A1. Автор: Karl Koch. Владелец: Voltwerk Electronics GmbH. Дата публикации: 2010-09-01.

Device for the isolated measurement of current and a method for the isolated determination of current

Номер патента: US09927464B2. Автор: Uroš Platiše. Владелец: Sieva doo Poslovna Enota Idrija. Дата публикации: 2018-03-27.

Device for the detecting of charged secondary particles

Номер патента: US4983833A. Автор: Ralf Schmid,Matthias Brunner,Michael Regula. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-01-08.

Reflective current and magnetic sensors based on optical sensing with integrated temperature sensing

Номер патента: US12111338B2. Автор: Xiaotian Steve Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-08.

Negative active material for large capacity rechargeable lithium battery and large capacity rechargeable lithium battery comprising thereof

Номер патента: KR100576221B1. Автор: 유지상,유광호. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2006-05-03.

Faraday current and temperature sensors

Номер патента: US09733133B2. Автор: Xiaotian Steve Yao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-15.

Circuit substrate for large-capacity module periphery circuit, and large-capacity module including periphery circuit employing circuit substrate

Номер патента: WO2012157373A1. Автор: 浩文 山口,隆己 平井,信介 矢野,七瀧　努. Владелец: 日本碍子株式会社. Дата публикации: 2012-11-22.

Temporary locking device for inertia wheel

Номер патента: CA1125548A. Автор: Jean-Luc Livet,Maurice Bretaudeau. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1982-06-15.

Temporary locking device for inertia wheel

Номер патента: US4345485A. Автор: Jean-Luc Livet,Maurice Bretaudeau. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1982-08-24.

Device for holding in position a product to be processed and a method

Номер патента: US20220410327A1. Автор: Roberto Mingot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-12-29.

Double Coil Device for Measurement of Absolute Magnetic Field Penetration Distance of Large-area High-Temperature Superconductor Thin Films

Номер патента: KR970024332A. Автор: 이주영,최상삼,한택상. Владелец: 김은영. Дата публикации: 1997-05-30.

CONVEYOR DEVICE FOR THE COLLECTION OF PRODUCTS AT THE OUTPUT OF LARGE AREA STORES

Номер патента: FR2438000A1. Автор: . Владелец: ALSER SA. Дата публикации: 1980-04-30.

Device for the removal and stacking of parts, particularly of large-area sheet parts such as bodywork elements

Номер патента: FR2532919A1. Автор: Rainer Reichenbach,Markus Reihle,Karl Griesinger,Hermann Margreiter. Владелец: Mueller Weingarten AG. Дата публикации: 1984-03-16.

METHOD AND DEVICE FOR APPLYING AND DISTRIBUTING ELECTRICALLY CONDUCTIVE LIQUIDS OVER A LARGE AREA.

Номер патента: ATE25597T1. Автор: Walter Dipl-Phys Simm,Juergen Dr Langeheine,Heinz-Josef Dr Niessen,Hans-Juergen Dr Rosslenbroich. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 1987-03-15.

Electronic circuit device for sensing a detection element current and/or a temperature in said detection element

Номер патента: US20100295539A1. Автор: Tobias Unger,Michael Kutzner. Владелец: Continental Teves AG and Co oHG. Дата публикации: 2010-11-25.

Method and device for filtering a filter output current and / or voltage of an inverter output

Номер патента: WO2009056158A1. Автор: Karl Koch. Владелец: Conergy AG. Дата публикации: 2009-05-07.

DEVICE FOR THE INSULATED MEASUREMENT OF CURRENT AND A METHOD FOR THE INSULATED DETERMINATION OF CURRENT

Номер патента: US20150233977A1. Автор: PLATISE Uros. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Device for Detecting and Measuring the Current and Voltage of Electric Circuits in a Building

Номер патента: US20160305986A1. Автор: McClure Timothy Shane. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Device for data acquisition by eddy currents, and unit for checking resistivity fitted with such a device

Номер патента: FR2545221A1. Автор: Jean-Loup Wiart. Владелец: THOMSON JEUMONT CABLES. Дата публикации: 1984-11-02.

Method and device for temperature limitation according to current and/or voltage

Номер патента: EP1875589B1. Автор: Harald Eisenhardt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-11-28.

Device for the supply of direct current and for the output of information from a detection circuit

Номер патента: EP0247372A1. Автор: Jacques Revial. Владелец: Automatisme & Controle. Дата публикации: 1987-12-02.

Device for Detecting the Micro-Leakage Current and Method for Detecting Micro-Leakage Current at Already Installed on Track

Номер патента: KR101550824B1. Автор: 김재현,이용희,박영호,박창우,신양식,한미수,우제상. Владелец: 주식회사 티큐브테크. Дата публикации: 2015-09-07.

Method and device for temperature limitation according to current and/or voltage

Номер патента: US20090153088A1. Автор: Harald Eisenhardt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2009-06-18.

A device for cut-off a reverse current and an apparatus for stabilizing a supplied power with the device

Номер патента: KR102403285B1. Автор: 김형주. Владелец: 현대모비스 주식회사. Дата публикации: 2022-05-30.

Device for displaying and measuring alternating currents and voltages by means of a discharge vessel containing at least three electrodes

Номер патента: DE401983C. Автор: Dr Heinrich Pauli. Владелец: Dr Erich F Huth GmbH. Дата публикации: 1924-09-20.

CUTTING GAS FILTRATION DEVICE FOR CUTTING APPARATUS OF ELECTRIC CURRENT, AND APPARATUS FOR CUTTING ELECTRIC CURRENT COMPRISING SAID FILTERING DEVICE

Номер патента: FR3065316B1. Автор: Eric Domejean,Marc Rival,Vincent Pavageau. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2019-07-05.

Device for the insulated measurement of current and a method for the insulated determination of current.

Номер патента: MX2015005484A. Автор: Uroš Platiše. Владелец: Sieva D O O Poslovna Enota Idrija. Дата публикации: 2015-11-30.

Complex protection device for blocking abnormal state of current and voltage

Номер патента: US20150303011A1. Автор: Jung Jong Il,Kang Doo Won,Ahn Gyu Jin,Jin Sang Joon,Lee Kyung Mi,KANG Tae Hun,LEE Kwang Hoon,Kim Eun Min,KIM Hyun Chang,AHN Sang Min. Владелец: SMART ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2015-10-22.

Complex protection device for blocking abnormal state of current and voltage

Номер патента: US20150303012A1. Автор: Jung Jong Il,Kang Doo Won,Ahn Gyu Jin,Jin Sang Joon,Lee Kyung Mi,KANG Tae Hun,LEE Kwang Hoon,Kim Eun Min,KIM Hyun Chang,AHN Sang Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device for measuring ultra small electrical currents and small voltages

Номер патента: EP1936390A1. Автор: Radivoje Popovic,Marc Lany. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2008-06-25.

Switchgear device for breaking a bidirectional direct current and installation with photovoltaic cells equipped with such a device

Номер патента: US20100126966A1. Автор: Eric Domejean,Serge Paggi. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2010-05-27.

Device for limiting overcurrents in direct current and alternating current networks

Номер патента: FR1093120A. Автор: . Владелец: F K G FRITZ KESSELRING GERATEB. Дата публикации: 1955-05-02.

Dual-power switching device for restraining transformer excitation inrush current and switching method thereof

Номер патента: CN109787347B. Автор: 李文华,肖涛,谢炜,钟晖,何宇,陈淼,蓝宇,冯雷,于帅,陈昶,孙朝晖,雷秉霖,张辉睿,李兴东,王云帆,汪永茂,吴大立,戴岳,鄢伦,赵雨田,黄犇,邢小平,黄瑞明. Владелец: 719th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2022-06-24.

Semiconductor device for measuring ultra small electrical currents and small voltages

Номер патента: US8067953B2. Автор: Radivoje Popovic,Marc Lany. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2011-11-29.

Device for producing a swirling air current, and in particular a dirt separator or dust extractor

Номер патента: FR1468142A. Автор: . Владелец: Siemens Elektrogaerate GmbH. Дата публикации: 1967-02-03.

Stamping device for making double entries in current and savings account books with automatic production of control copies

Номер патента: DE567019C. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1932-12-27.

Device for indirect measurement of alternating currents and voltages

Номер патента: DE19616946C2. Автор: Burkhard Dipl Ing Riese. Владелец: Knick Elektronische Messgeraete GmbH and Co KG. Дата публикации: 1998-12-10.

DEVICE FOR TRANSPORTING ELECTRICITY WITH HIGH CURRENT AND HIGH FREQUENCY

Номер патента: FR2897482A1. Автор: Jacques Lacombe,Patrice Brun,Eric Chauvin,Thierry Flament,Homme Antony Prod. Владелец: Compagnie Generale des Matieres Nucleaires SA. Дата публикации: 2007-08-17.

COMPRESSOR ASSOCIATED WITH A SAMPLING DEVICE FOR A LASER BEAM WITH HIGH ENERGY AND LARGE SIZE

Номер патента: FR3014251B1. Автор: Francois Lureau,Paul Jougla,Sebastien Laux. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-04-28.

Method and device for identifying accident-prone area of long and large continuous longitudinal slope section and electronic equipment

Номер патента: CN115331449B. Автор: 刘自强,孙璐,何云勇,蒋贵川,何恩怀. Владелец: Sichuan Highway Planning Survey and Design Institute Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

COMPRESSOR ASSOCIATED WITH A SAMPLING DEVICE FOR A LASER BEAM WITH HIGH ENERGY AND LARGE SIZE

Номер патента: FR3014251A1. Автор: Francois Lureau,Paul Jougla,Sebastien Laux. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2015-06-05.

DEVICE FOR THE ADVANCE OR LIFTING OF HEAVY AND LARGE CONSTRUCTION,

Номер патента: BE799078A. Автор: . Владелец: Gewerk Eisenhuette Westfalia. Дата публикации: 1973-08-31.

Delivery device, substrate ion-implanting system and method thereof

Номер патента: US20190385879A1. Автор: Rui Xie. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method for monitoring ion implantation

Номер патента: US09524852B2. Автор: Hui Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Repeller, cathode, chamber wall and slit member for ion implanter and ion generating devices including the same

Номер патента: US20180226218A1. Автор: Kyou Tae Hwang. Владелец: Value Engineering Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Pedestal alignment tool for an orienter pedestal of an ion implant device

Номер патента: US09691513B1. Автор: Jochen Guske. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Fault detection and control methodologies for ion implantation processes, and system for performing same.

Номер патента: WO2005045875A1. Автор: Richard J. Markle,Elfido Coss, Jr.,Patrick M. Cowan,Tom Tse. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-19.

Method for monitoring the performance of an ion implanter using reusable wafers

Номер патента: EP1002330A1. Автор: Don R. Rohner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-05-24.

Ion implanter, ion implantation method, and beam measurement apparatus

Номер патента: US09502210B2. Автор: Mitsukuni Tsukihara,Makoto Sano,Haruka Sasaki,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A2. Автор: Jonathan England,Joseph C. Olson,Russell J. Low,James R. Mclane,David R. Timberlake,Mark D. Saunders,James J. Cummings,Thomas B. Callahan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-10-12.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using fast ion beam control

Номер патента: US20060219954A1. Автор: Mark Saunders,Joseph Olson,Thomas Callahan,Jonathan England,James Cummings,Russell Low,David Timberlake,James McLane. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation

Номер патента: US8461028B2. Автор: RODNEY S. Ruoff,Luigi Colombo,Robert M. Wallace. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-06-11.

Method of testing ion implantation energy in ion implantation equipment

Номер патента: US20040185587A1. Автор: Doo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation

Номер патента: US20130026444A1. Автор: RODNEY S. Ruoff,Luigi Colombo,Robert M. Wallace. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-01-31.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Ion implantation apparatus and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09773712B2. Автор: Takayuki Ito,Toshihiko Iinuma,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Ion implanter vacuum integrity check process and apparatus

Номер патента: US20020117634A1. Автор: Donald Wilcox,Randy Underwood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: US20100190324A1. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: WO2010085293A8. Автор: Majeed A. Foad,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-12-29.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: US20240297044A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Ion implanting apparatus and method for implanting ions

Номер патента: US20080191154A1. Автор: Chung Yi,Deok-Hoi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Process for manufacturing localized ion implants in silicon-carbide power electronic devices

Номер патента: EP4425533A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Gabriele BELLOCCHI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09984856B2. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Yasuharu Okamoto,Yusuke Ueno. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Apparatus and method for improved scanning efficiency in an ion implanter

Номер патента: EP1016118A1. Автор: Peter Edwards,Christopher Wright,Peter Kindersley,Richard Cooke,Stephen Chamberlain. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-05.

Shaped apertures in an ion implanter

Номер патента: WO2008053139A3. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Stephen Hays. Владелец: Stephen Hays. Дата публикации: 2008-10-02.

Shaped apertures in an ion implanter

Номер патента: WO2008053139A2. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Stephen Hays. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2008-05-08.

Ion implantation system for implanting workpieces

Номер патента: WO1997030470A1. Автор: Julian G. Blake,Barbara J. Hughey,Zhongmin Yang,Peter H. Rose,Adam A. Brailove,Richard F. McRay. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: US20240222072A1. Автор: Frank Sinclair,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

SAG nanowire growth with ion implantation

Номер патента: AU2021280815A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: EP4158680A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-05.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: WO2021242345A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Ion implantation system with an interlock function

Номер патента: US7026633B2. Автор: Jin-Soo Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US9269540B2. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Method of reducing particle contamination for ion implanters

Номер патента: WO2008085405A1. Автор: Zhang Jincheng,Que Weiguo,Huang Yongzhang. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: US20100302547A1. Автор: Johannes Moll. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: WO2010138646A2. Автор: Johannes Moll. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-12-02.

Partial ion implantation apparatus and method using bundled beam

Номер патента: US20080128640A1. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh,Yong Soo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-05.

Bearing device and ion implantation device

Номер патента: US20180258988A1. Автор: Kang LUO,Fei Li,Xuewei Wang,Chao Tan,Jianbo Yang,Donghua Jiang,Yin Xie,Yongyi FU,Chenliang Liu,Rujian Li,Yongzhou LING. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

SAG nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US12119224B2. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US09735013B2. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US09646837B2. Автор: Masaki Ishikawa,Takeshi Kurose,Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Yasuharu Okamoto. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Ion implanting apparatus

Номер патента: US5349196A. Автор: Noriyuki Sakudo,Kensuke Amemiya,Yoshimi Hakamata,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-09-20.

Ion implantation apparatus, ion implantation method, and semiconductor device

Номер патента: US20110248323A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Tetsuya Goto. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2011-10-13.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: WO2024144890A1. Автор: Frank Sinclair,Daniel Hall,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER,Jonathan LOWDER,Pratim PALIT. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of controlling metal formation processes using ion implantation, and system for performing same

Номер патента: US20040023489A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: US20240222070A1. Автор: Frank Sinclair,Daniel Hall,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER,Jonathan LOWDER,Pratim PALIT. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Ion accelaration method and apparatus in an ion implantation system

Номер патента: WO2002054443A2. Автор: David D. Swenson,Kourosh Saadatmand,William Frank Divergilio. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-11.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US5025167A. Автор: Shigeo Sasaki,Tetsuya Nakanishi,Soichiro Okuda,Kazuhiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Method of controlling electrostatic lens and ion implantation apparatus

Номер патента: US20030151004A1. Автор: Koji Iwasawa. Владелец: Nissen Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Xray diffraction angle verification in an ion implanter

Номер патента: WO2024144887A1. Автор: Frank Sinclair,Gary J. Rosen,Jay T. Scheuer,Stephen Krause,Matthew GAUCHER. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Monitoring device, ion implantation device, and monitoring method

Номер патента: US20160217973A1. Автор: Makoto Ishida. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

High-current ion implanter and method for controlling ion beam using high-current ion implanter

Номер патента: WO2021011156A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Antonella Cucchetti,Eric D. Hermanson. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

Selective sti stress relaxation through ion implantation

Номер патента: SG144067A1. Автор: Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Ong Shiang Yang,Sohn Dong Kyun,Elgin Quek,Vincent Leong. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-29.

Method and apparatus for improved ion acceleration in an ion implantation system

Номер патента: EP1348226A2. Автор: David D. Swenson,Kourosh Saadatmand,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-01.

Methods of Forming an Anode and a Cathode of a Substrate Diode by Performing Angled Ion Implantation Processes

Номер патента: US20130049164A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419514A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Split double gap buncher and method for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019612A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Methods and apparatus for measuring ion implant dose

Номер патента: WO2010138646A3. Автор: Johannes Moll. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-02-03.

Monitoring device, ion implantation device, and monitoring method

Номер патента: US09741534B2. Автор: Makoto Ishida. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

High throughput cooled ion implantation system and method

Номер патента: US09607803B2. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,Armin Huseinovic. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032566A2. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Joseph C. Olson,Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause,Jeffrey D. Lischer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032565A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Joseph C. Olson,Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause,Jeffrey D. Lischer. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Electron confinement inside magnet of ion implanter

Номер патента: WO2006060231A3. Автор: . Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2006-07-27.

Method for ion implantation in a semiconductor wafer

Номер патента: US20230128033A1. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA,Julien BORREL,Paul Dumas,Fanny HILARIO,Ludovic BERTHIER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-04-27.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: US12020896B2. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A2. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US12038687B2. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1027718A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-08-16.

Masked ion implantation with fast-slow scan

Номер патента: EP2465146A2. Автор: Atul Gupta,Steven M. Anella,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-06-20.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US7037768B2. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-02.

Material surface reforming apparatus using ion implantation

Номер патента: US20240258069A1. Автор: Myung Jin Kim,Jae Keun KIL,Bom Sok KIM. Владелец: Radpion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Masked Ion Implant with Fast-Slow Scan

Номер патента: US20110272602A1. Автор: Atul Gupta,Steven M. Anella,Nicholas P.T. Bateman,Benjamin B. Riordon. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Controlled dose ion implantation

Номер патента: WO2006031559A2. Автор: Aditya Agarwal,David Hoglund,Robert Rathmell. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-03-23.

Controlled dose ion implantation

Номер патента: EP1794774A2. Автор: Aditya Agarwal,David Hoglund,Robert Rathmell. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-06-13.

Ion implanting method and apparatus

Номер патента: EP1306879A3. Автор: Koji c/o Nissin Ion Equipment Co. Ltd. Iwasawa,Nobuo c/o Nissin Ion Equipment Co. Ltd. Nagai. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-20.

In-process wafer charge monitor and control system for ion implanter

Номер патента: WO2002052612A3. Автор: Alfred Michael Halling. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Apparatus and Method for Partial Ion Implantation Using Atom Vibration

Номер патента: US20090267002A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: US20240274405A1. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US12094685B2. Автор: Taisei Futakuchi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

System and method for controlling ion implanter

Номер патента: US09870896B2. Автор: Po-Feng Tsai,Chia-Tong Ho,Jong-I Mou,Sheng-Wei Lee,Jo-Fei Wang,Chia-Hsing Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US09865515B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Lower dose rate ion implantation using a wider ion beam

Номер патента: US09748072B2. Автор: Xiao Bai,Zhimin Wan,Ger-Pin Lin,Kourosh Saadatmand,Ching-I Li,Rekha Padmanabhan,Gary N. Cai,David Hoglund,Shao-Yu HU,Robert E. Kaim. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Ion implantation system and process

Номер патента: US09697988B2. Автор: Zhimin Wan,Nicholas White,Kourosh Saadatmand. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation

Номер патента: US09583701B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Natividad VASQUEZ, JR.,Harry Yue Gee,Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Ion implantation for improved etch performance

Номер патента: US09520290B1. Автор: Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Ion implanter

Номер патента: US5729027A. Автор: Tetsunori Kaji,Takayoshi Seki,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-03-17.

Techniques for terminal insulation in an ion implanter

Номер патента: WO2009032566A3. Автор: Joseph C Olson,Russell J Low,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Kasegn D Tekletsadik,Piotr R Lubicki,Jeffrey D Lischer. Владелец: Jeffrey D Lischer. Дата публикации: 2009-04-30.

Ion implanters

Номер патента: US20090166565A1. Автор: Adrian Murrell,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Improvements relating to ion implanters

Номер патента: WO2009083726A1. Автор: Adrian Murrell,Gregory Robert Alcott,Martin Hilkene,Matthew Castle. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-07-09.

High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown

Номер патента: US20080315114A1. Автор: Shengwu Chang,Frank Slnclalr. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Method and device for the treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US20110250740A1. Автор: Andreas Tikovsky,Matthias Laumbacher,Gerhard Reichl. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-10-13.

Shutter linkage for an ion implantation apparatus

Номер патента: US5534752A. Автор: Chung Hua-Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-07-09.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US11201057B2. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-14.

Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system

Номер патента: US20140326901A1. Автор: Jincheng Zhang,Neil K. Colvin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-06.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Ion implanter with variable scan frequency

Номер патента: WO2007111991A3. Автор: Joseph C Olson,Morgan Evans. Владелец: Morgan Evans. Дата публикации: 2008-01-24.

Ion implantation apparatus and ion implanting method

Номер патента: US20070152173A1. Автор: Hiroshi Hashimoto,Takeshi Shibata,Tadahiko Hirakawa,Kazuhiko Tonari. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Phosphorus or arsenic ion implantation utilizing enhanced source techniques

Номер патента: US20170250084A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Barry Lewis Chambers. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Low emission cladding and ion implanter

Номер патента: US20200234917A1. Автор: Julian G. Blake. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods of etching intermediate silicon germanium layers using ion implantation to promote selectivity

Номер патента: US20050003628A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Dong-gun Park,Chang-Sub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Ion source for use in an ion implanter

Номер патента: US20060169921A1. Автор: Klaus Becker,Klaus Petry,Werner Baer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Ion source for use in an ion implanter

Номер патента: EP1844487A2. Автор: Klaus Becker,Klaus Petry,Werner Baer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-10-17.

Apparatus and method for calibrating the position of a wafer platform in an ion implanter

Номер патента: US20030209050A1. Автор: Yu-Chun Peng,Lu-Chang Chen,Yi-Yao Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: US20100140494A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Collimator magnet for ion implantation system

Номер патента: WO2010064099A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.. Дата публикации: 2010-06-10.

Apparatus for etching noble metals using ion implantation and method of use

Номер патента: WO2002023586A3. Автор: Young Jin Park,Jai-Hoon Sim,Brian Lee,Heon Lee,Satish Athavale,Kilho Lee,Young Limb. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Ion implanter, magnetic field measurement device, and ion implantation method

Номер патента: US09984851B2. Автор: Hiroyuki Kariya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Ion implanter

Номер патента: US09899189B2. Автор: Shoichi KUGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Ion implantation tool and ion implantation method

Номер патента: US09679746B2. Автор: Sheng-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Ion implantation methods

Номер патента: US09666436B2. Автор: Yoshihiro Yamamoto,Cheng-Bai Xu,Cheng Han Wu,Dong Won Chung. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Electrode for use in ion implantation apparatus and ion implantation apparatus

Номер патента: US09627170B2. Автор: BO Yang,Jingyi Xu,Zhiqiang Wang,Feng Kang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

High energy ion implanter, beam current adjuster, and beam current adjustment method

Номер патента: US09576771B2. Автор: Kouji Kato,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system

Номер патента: US09543110B2. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09466467B2. Автор: Kazuhiro Watanabe,Tatsuya Yamada,Hitoshi Ando,Mitsuaki Kabasawa,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

High-throughput ion implanter

Номер патента: US09437392B2. Автор: William T. Weaver,Paul Sullivan,Joseph C. Olson,James Buonodono,Charles T. Carlson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US09412561B2. Автор: Hiroyuki Kariya,Takeshi Kurose,Noriyasu Ido. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: US20080073578A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: WO2008039745A2. Автор: Russell J. Low,Kasegan D. Tekletsadik. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-03.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: US20240153775A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US7781234B2. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Water-removing exhaust system for an ion implanter and a method for using the same

Номер патента: US5856676A. Автор: Byeong Ki Rheem,Sang Guen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-05.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation uniformity

Номер патента: US20060145096A1. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation

Номер патента: EP1836717A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-07-13.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A2. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-04-15.

Method for transmitting a broadband ion beam and ion implanter

Номер патента: US20150069261A1. Автор: Libo Peng,Huiyue Long,Junyu Xie. Владелец: Beijing Zhongkexin Electronic Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines

Номер патента: EP1402559A1. Автор: Jay T. Scheuer,Gregory R. Gibilaro. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines

Номер патента: WO2002097853A1. Автор: Jay T. Scheuer,Gregory R. Gibilaro. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US7972874B2. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

High Temperature Intermittent Ion Implantation

Номер патента: US20160027646A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee,Tsun-Jen Chan,Yu-Chi Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor process evaluation methods including variable ion implanting conditions

Номер патента: US20100279442A1. Автор: Sang-rok Hah,Sun-Yong Lee,Min-Suk Kim,Chee-Wan Kim,Seung-Chul Kim,Chan-seung Choi,Won-bae Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-04.

Plasma assisted damage engineering during ion implantation

Номер патента: WO2024097593A1. Автор: Christopher R. HATEM,Edmund G. Seebauer,Michael Noel Kennedy. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Ion implanter

Номер патента: US20020180366A1. Автор: Won-ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

High temperature intermittent ion implantation

Номер патента: US10049856B2. Автор: YU Chi-Fu,Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee,Tsun-Jen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

High Temperature Intermittent Ion Implantation

Номер патента: US20160260580A1. Автор: YU Chi-Fu,Chun-Feng Nieh,Hsin-Wei Wu,Hsing-Jui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system

Номер патента: WO2007126966A3. Автор: Joseph C Olson,D Jeffrey Lischer,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Russell Low,Piortr R Lubicki. Владелец: Piortr R Lubicki. Дата публикации: 2008-03-06.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11728132B2. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of Measuring Vertical Beam Profile in an Ion Implantation System Having a Vertical Beam Angle Device

Номер патента: US20160189927A1. Автор: Shu Satoh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of measuring vertical beam profile in an ion implantation system having a vertical beam angle device

Номер патента: WO2016106422A1. Автор: Shu Satoh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of reducing oxidation of metal structures using ion implantation, and device formed by such method

Номер патента: US20040043605A1. Автор: Dinesh Chopra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for Preparing a Source Material for Ion Implantation

Номер патента: US20070178651A1. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-02.

Qubits with ion implant josephson junctions

Номер патента: US20220181536A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Jeffrey W. Sleight,Robert L. Sandstrom,Ryan T. Gordon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Using ion implantation to control trench depth and alter optical properties of a substrate

Номер патента: WO2009070514A1. Автор: Peter Nunan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-06-04.

Ion implantation apparatus and method of controlling ion implantation apparatus

Номер патента: US09837248B2. Автор: Daisuke Imai,Shiro Ninomiya,Masahide Ooura. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of measuring vertical beam profile in an ion implantation system having a vertical beam angle device

Номер патента: US09711328B2. Автор: Shu Satoh. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Ion implantation apparatus and control method for ion implantation apparatus

Номер патента: US09666413B2. Автор: Keiji Okada,Suguru Hirokawa,Tetsuya Kudo,Yoshito Fujii,Shinji Ebisu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Stop layer through ion implantation for etch stop

Номер патента: US09627263B1. Автор: Hong He,Junli Wang,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin,Siva Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of etching a crystalline semiconductor material by ion implantation and then chemical etching based on hydrogen chloride

Номер патента: US09570340B2. Автор: Romain Wacquez,Laurent Grenouillet,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-14.

Method and apparatus for cooling wafer in ion implantation process

Номер патента: US09437433B2. Автор: Ming-Te Chen,Kuo-Yuan Ho,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Ion implantation device

Номер патента: US5608223A. Автор: Suguru Hirokawa,Frank Sinclair. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Ion implanter and model generation method

Номер патента: US20230038439A1. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Ion implanter and model generation method

Номер патента: US11823863B2. Автор: Kazuhisa Ishibashi,Mikio Yamaguchi,Tetsuya Kudo. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for monitoring the performance of an ion implanter using reusable wafers

Номер патента: WO1999008307A1. Автор: Don R. Rohner. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-02-18.

Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity

Номер патента: EP1766654A1. Автор: Kevin Wenzel,Bo Vanderberg,Andrew Ray. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Integrated resonator and amplifier system for use in an ion accelerator or ion implanter

Номер патента: NZ522808A. Автор: Kourosh Saadatmand,Ernst Frederick Scherer,William Frank Divergilio. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-25.

Ion implanting apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20040056214A1. Автор: Sang-Kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-25.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii) using an ion tunnel

Номер патента: EP4281991A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-11-29.

Ion implanter

Номер патента: US5218209A. Автор: Kunihiko Takeyama. Владелец: Nissin High Voltage Co Ltd. Дата публикации: 1993-06-08.

Ion implantation assisted curing for flowable porous dielectrics

Номер патента: US20200388531A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Benjamin D. Briggs,Matthew T. Shoudy,Devika Sil,Yasir Sulehria,Danielle Durrant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii) using an ion tunnel

Номер патента: US20240303390A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Implementation of co-gases for germanium and boron ion implants

Номер патента: US09984855B2. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Neil K. Colvin. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

SiC coating in an ion implanter

Номер патента: US09793086B2. Автор: Shardul S. Patel,Timothy J. Miller,Robert J. Mason,Robert H. Bettencourt. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Grid for plasma ion implant

Номер патента: US09583661B2. Автор: Babak Adibi,Vinay Prabhakar. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

High-energy ion implanter

Номер патента: US09368327B2. Автор: Kazuhiro Watanabe,Tatsuya Yamada,Mitsuaki Kabasawa,Tatsuo Nishihara,Yuuji Takahashi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Energy filter element for ion implantation systems for the use in the production of wafers

Номер патента: US11837430B2. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-12-05.

Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods

Номер патента: WO2024044187A1. Автор: Ying Tang,Joseph R. Despres. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Ion implant apparatus and method of controlling the ion implant apparatus

Номер патента: US20220270846A1. Автор: Hsun-Po WEN,Sung-Hui CHEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Methods and apparatus for glitch recovery in stationary-beam ion implantation process using east ion beam control

Номер патента: WO2006107797A3. Автор: Jonathan England,Joseph C Olson,Russell J Low,James R Mclane,David R Timberlake,Mark D Saunders,James J Cummings,Thomas B Callahan. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2007-06-14.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20130196492A1. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya,Toshio Yumiyama,Yasuharu Okamoto. Владелец: SEN Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of ion implantation

Номер патента: US20020109105A1. Автор: Michael Huang,Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

An apparatus for the backside gas cooling of a wafer in a batch ion implantation system

Номер патента: WO2002027754A2. Автор: Dale Keith Stone,Robert John Mitchell,Bryan Christopher Lagos,David James Chipman,Gary Jay Rosen. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-04-04.

Self-Aligned Gate and Drift Design for High-Critical Field Strength Semiconductor Power Transistors with Ion Implantation

Номер патента: US20200357887A1. Автор: Kelson D Chabak,Andrew J Green,Gregg H Jessen. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2020-11-12.

Ion-implantation machine, control method thereof, and process for manufacturing integrated devices

Номер патента: US20040121498A1. Автор: Camillo Bresolin,Valter Soncini,Andrea Riva. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-06-24.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: EP1964149A2. Автор: Brian Freer. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-03.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG124357A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-08-30.

Erasable ion implanted optical couplers

Номер патента: WO2011142913A2. Автор: Graham T. Reed,Renzo Loiacono. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-11-17.

Ion implantation to increase mosfet threshold voltage

Номер патента: US20230178373A1. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang,Samphy Hong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

System in which a rotating body is connected to a rotary shaft in an ion implanter

Номер патента: US6762417B2. Автор: Hak-Young Kim,Jin-Hyeung Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-13.

Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter

Номер патента: WO2019164614A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Shengwu Chang,Alexandre Likhanskii,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Resolving slit assembly and method of ion implantation

Номер патента: WO1993023871A1. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Limited. Дата публикации: 1993-11-25.

Method to make integrated device using oxygen ion implantation

Номер патента: US20140306304A1. Автор: Yimin Guo. Владелец: T3memory Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A2. Автор: Brian Freer. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems

Номер патента: WO2007075970A3. Автор: Brian Freer. Владелец: Brian Freer. Дата публикации: 2007-10-04.

Ion implanter system, method and program product including particle detection

Номер патента: WO2005069945A2. Автор: Paul S. Buccos. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2005-08-04.

Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: WO2002037906A2. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-05-10.

Silicon carbide-based lateral PN junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US12080821B2. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-03.

Determining beam alignment in ion implantation using rutherford back scattering

Номер патента: WO2001027968A1. Автор: Peter Rose,Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding,John Ruffell. Владелец: Cross, Rupert, Edward, Blount. Дата публикации: 2001-04-19.

Parallel sweeping system for electrostatic sweeping ion implanter

Номер патента: US4942342A. Автор: Osamu Tsukakoshi. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1990-07-17.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US20170243719A1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Implementation of co-gases for germanium and boron ion implants

Номер патента: WO2012067653A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Mechanism for containment of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: WO2002037906A8. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2003-05-15.

Buried channel strained silicon FET using a supply layer created through ion implantation

Номер патента: US20020030203A1. Автор: Eugene Fitzgerald. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Mechanism for prevention of neutron radiation in ion implanter beamline

Номер патента: EP1332652A2. Автор: Michael Anthony Graf,Kourosh Saadatmand,Edward Kirby Mcintyre. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-06.

Method for adjusting properties of a photonic circuit by post fabrication ion implantation, and adjusted waveguide and photonic circuit

Номер патента: US09766400B2. Автор: Badhise BEN BAKIR,Karim Hassan,Corrado Sciancalepore,Sylvie Menezo. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-09-19.

Annealing treatment for ion-implanted patterned media

Номер патента: US09384773B2. Автор: Olav Hellwig,Qing Zhu,Kurt A. Rubin. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Method substance ion implantation

Номер патента: RU2666766C1. Автор: Денис Олегович Сивин,Александр Ильич Рябчиков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2018-09-12.

Ion-implantation system using split ion beams

Номер патента: US5767522A. Автор: Shuichi Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Ion implanted bubble propagation structure

Номер патента: CA1068830A. Автор: George E. Keefe,Yeong S. Lin,Edward A. Giess. Владелец: Edward A. Giess. Дата публикации: 1979-12-25.

High-energy implantation process using an ion implanter of the low-or medium-current type and corresponding devices

Номер патента: US5625195A. Автор: Andre Grouillet. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1997-04-29.

High-Temperature Ion Implantation Apparatus and Methods of Fabricating Semiconductor Devices Using High-Temperature Ion Implantation

Номер патента: EP1860683A3. Автор: Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-06-08.

Method for checking ion implantation state, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP2565909A1. Автор: Isao Yokokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Ion Implantation Device

Номер патента: US20080054192A1. Автор: Masayuki Sekiguchi,Seiji Ogata,Tsutomu Nishihashi,Yuzo Sakurada. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Chlorine-containing precursors for ion implantation systems and related methods

Номер патента: US20240062987A1. Автор: Ying Tang,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Ion implantation apparatus and method of determining state of ion implantation apparatus

Номер патента: US20140242732A1. Автор: Keiji Fujita,Kei Hattori,Takahito Nagamatsu,Masayuki Jinguuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Reducing photoresist layer degradation in plasma immersion ion implantation

Номер патента: SG172763A1. Автор: Peter I Porshnev,Martin A Hilkene,Majeed A Foad,Kartik Santhanam,Yen B Ta. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-08-29.

Method and system for controlling beam scanning in an ion implantation device

Номер патента: WO2002082496A3. Автор: Raymond Paul Boisseau,William Philip Nett,Robert Joseph Ledoux. Владелец: Frost Alex John. Дата публикации: 2003-05-30.

Ion implant method for topographic feature corner rounding

Номер патента: US20040005764A1. Автор: Hsueh-Li Sun,Jie-Shing Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Ion source structure of ion implanter and its operation method

Номер патента: US20240234079A9. Автор: Wen Yi Tan,Wen Shuo Cui. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system

Номер патента: EP1527473A2. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: EP2389680A1. Автор: William DiVergilio,Bo Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

A Method for the Simulation of an Energy-Filtered Ion Implantation (EFII)

Номер патента: US20240232470A9. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Thermal regulation of an ion implantation system

Номер патента: WO2002073651A1. Автор: Michael C. Vella. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2002-09-19.

Digital forensic apparatus for searching recovery target area for large-capacity video evidence using time map and method of operating the same

Номер патента: US20230343096A1. Автор: Hyun Soo Kim,Jae Min Jang,Chang Ha Lee,Kyung Su Lee. Владелец: Gmdsoft Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US7119347B2. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

Plasma immersion ion implantation process with chamber seasoning and seasoning layer plasma discharging for wafer dechucking

Номер патента: WO2009108266A1. Автор: Canfeng Lai,Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle,Kartik Santhanam,Yen B. Ta. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-09-03.

Methods of forming electronic devices by ion implanting

Номер патента: US20090155726A1. Автор: Eric Apelgren,Nabil R. Yazdani. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Repeller for ion generating apparatus, ion generating apparatus and semiconductor wafer ion implantation apparatus

Номер патента: US20240290570A1. Автор: Kyoungchul YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for supplying ion beam in ion implantation process

Номер патента: US09741537B1. Автор: Tai-Kun Kao,Tsung-Min Lin,Jen-Chung Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Shielding device for substrate edge protection and method of using same

Номер патента: US09659677B2. Автор: William T. Weaver,Timothy J. Miller,Charles T. Carlson,Aaron P. Webb,James D. Strassner. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Cold stripper for high energy ion implanter with tandem accelerator

Номер патента: US09520204B2. Автор: Shengwu Chang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09431214B2. Автор: Hiroshi Matsushita,Yoshitaka Amano,Mitsuaki Kabasawa,Takanori Yagita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation

Номер патента: US6027988A. Автор: Nathan W. Cheung,Chenming Hu,Xiang Lu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-02-22.

Ion-implanter having variable ion beam angle control

Номер патента: US5696382A. Автор: Chang-Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-09.

Ion implantation system and control method

Номер патента: US20040104682A1. Автор: Thomas Horsky,Wade Krull,Brian Cohen,George Sacco Jr.. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Systems and methods for ion implantation

Номер патента: US4743767A. Автор: Christopher Wright,Derek Aitken,Frederick Plumb,Bernard Harrison,Nicholas J. Bright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1988-05-10.

Ion implanter with contaminant collecting surface

Номер патента: US7358508B2. Автор: Michael Graf,Philip J. Ring. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-04-15.

Ion implantation apparatus

Номер патента: GB1280305A. Автор: George Raymond Brewer,Charles Raymond Buckey. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1972-07-05.

Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter system

Номер патента: WO2008042585A2. Автор: Anthony Renau,James S. Buff,Svetlana B. Radovanov. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-10.

Ion implantation method, method of producing solid-state imaging device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20100065938A1. Автор: Keiji Mabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Ion implantation for improved contact hole critical dimension uniformity

Номер патента: US20170178911A1. Автор: John Hautala,Tristan Y. Ma,Maureen K. Petterson,Boya Cui. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of Improving Memory Cell Device by Ion Implantation

Номер патента: US20120329220A1. Автор: Ralf van Bentum,Nihar-Ranjan Mohapatra. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Ion implantation method for reducing roughness of patterned resist lines

Номер патента: US20230335401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Chun-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Technique for uniformity tuning in an ion implanter system

Номер патента: US20060284114A1. Автор: Joseph Olson,Jonathan England,Shengwu Chang,Morgan Evans,William Callahan,Damian Brennan,Douglas Fielder,Gregg Norris. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Asymmetric gate spacer formation using multiple ion implants

Номер патента: US20200388541A1. Автор: Andrew M. Waite. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US20230005743A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-01-05.

Sag nanowire growth with ion implantation

Номер патента: US20210375624A1. Автор: Geoffrey C. GARDNER,Sergei V. Gronin,Raymond L. Kallaher,Michael James Manfra. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Occluding beamline ion implanter

Номер патента: WO2002084713A3. Автор: David S Holbrook. Владелец: Varian Semiconductor Equipment. Дата публикации: 2003-03-13.

Ion implanting apparatus

Номер патента: US20110248182A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kenji Sato,Tsutomu Tanaka,Takuya Uzumaki,Tadashi Morita,Tsutomu Nishihashi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-10-13.

Ion implantation system and method suitable for low energy ion beam implantation

Номер патента: US6191427B1. Автор: Masataka Kase,Yoshiyuki Niwa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Terminal Structures Of An Ion Implanter Having Insulated Conductors With Dielectric Fins

Номер патента: US20090057572A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Steve Krause,Eric Hermanson,Doug May,Russel John Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Terminal structures of an ion implanter having insulated conductors with dielectric fins

Номер патента: WO2009029560A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Douglas May,Russell J. Low,Eric D. Hermanson,Stephen E. Krause. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-05.

Slit nozzle for large-area printing

Номер патента: EP4389399A1. Автор: In Ho Kim,In Gyu Lee. Владелец: T&R Biofab Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: WO2010019495A1. Автор: Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley,Michael Chudzik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-02-18.

Halfway cutter changing method for large-area microstructure cutting based on in-situation film thickness measurement

Номер патента: US20200023441A1. Автор: Li Jiao,Jia Zhou,Zhiqiang Liang,Zhibing Liu,Lijing Xie,Xibin Wang,Tianfeng ZHOU,Benshuai RUAN,Longlong TANG,Pei YA N. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2020-01-23.

Changing effective work function using ion implantation during dual work function metal gate integration

Номер патента: US09564505B2. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri,Rashmi Jha,Herbert L. Ho,Mark J. Hurley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Vapor compression refrigeration chuck for ion implanters

Номер патента: US09558980B2. Автор: William D. Lee,Ashwin M. Purohit,Marvin R. LaFontaine. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Ion implanter provided with a plurality of plasma source bodies

Номер патента: US09520274B2. Автор: Frank Torregrosa,Laurent Roux. Владелец: Ion Beam Services SA. Дата публикации: 2016-12-13.

Development of high etch selective hardmask material by ion implantation into amorphous carbon films

Номер патента: US09412613B2. Автор: Jun Xue,Srinivas D. Nemani,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Yongmei Chen,Mukund Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Ion-implantation process for forming ic wafer with buried-zener diode and ic structure made with such process

Номер патента: CA1223086A. Автор: Richard S. Payne,Steven M. Hemmah. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1987-06-16.

Method and apparatus for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Номер патента: CA2191115C. Автор: Robert Becker,Mary Jones,Frank Sinclair,Dale K. Stone,Julian G. Blake,David Chipman,Lyudmila Menn. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2002-02-05.

Combined ion implantation and kinetic transport deposition process

Номер патента: GB1466786A. Автор: . Владелец: California Linear Circuits Inc. Дата публикации: 1977-03-09.

Method for capturing and removing contaminant particles from an interior region of an ion implanter

Номер патента: US5670217A. Автор: Robert Becker,Mary Jones,Frank Sinclair,Dale K. Stone,Julian G. Blake,David Chipman,Lyudmila Menn. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1997-09-23.

Ion implanting apparatus and sample processing apparatus

Номер патента: US6501080B1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-31.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of forming self-aligned top gate channel barrier region in ion-implanted JFET

Номер патента: US5120669A. Автор: Gregory A. Schrantz. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1992-06-09.

Ion Implanting Apparatus and Ion Implanting Method

Номер патента: CA2129403A1. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-02-06.

Ion implanting apparatus and ion implanting method

Номер патента: CA2129403C. Автор: Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US20230260741A1. Автор: Tetsuya Kudo,Akihiro Ochi,Shinji Ebisu. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Solar cell emitter region fabrication using substrate-level ion implantation

Номер патента: US11942565B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Ion implantation apparatus and ion implantation method

Номер патента: US20190074158A1. Автор: Takayuki Ito,Tsuyoshi Fujii,Yasunori OSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Ion implanter, ion implantation method, and beam measurement apparatus

Номер патента: US20160042915A1. Автор: Mitsukuni Tsukihara,Makoto Sano,Haruka Sasaki,Kouji Inada. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Insulator for an ion implantation source

Номер патента: EP3945542A1. Автор: Sheng-Chi Lin,Jui-Feng Jao,Tsung-Min Lin,Fang-Chi Chien,Lung-Yin TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: EP1235252A3. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Ion implanter and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060017017A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Yoshimasa Kawase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of making semiconductor device using oblique ion implantation

Номер патента: US5933716A. Автор: Shingo Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20130295753A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Charge exchanger, ion implantation system comprising the charge exchanger, and method of controlling the rate at which the polarity of ions is changed

Номер патента: US6462347B1. Автор: Sang-kuen Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-08.

Ion implantation beam angle calibration

Номер патента: EP1955357A1. Автор: Robert Rathmell,Dennis Kamenista. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-13.

Ion implantation beam angle calibration

Номер патента: WO2007064508A1. Автор: Robert Rathmell,Dennis Kamenista. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-06-07.

Ion implanter toxic gas delivery system

Номер патента: US20210313144A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chui-Ya Peng,Ying-Chieh MENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A3. Автор: Kourosh Saadatmand,Peter L Kellerman. Владелец: Peter L Kellerman. Дата публикации: 2007-10-04.

Architecture for ribbon ion beam ion implanter system

Номер патента: WO2007089468A2. Автор: Peter L. Kellerman,Kourosh Saadatmand. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter

Номер патента: WO1999023685A1. Автор: Andrew Holmes,Jonathan Gerald England. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 1999-05-14.

Ion implantation process

Номер патента: WO1999030358A3. Автор: Carl Glasse,Martin John Powell,Barry Forester Martin. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-08-26.

Ion implantation process

Номер патента: WO1999030358A2. Автор: Carl Glasse,Martin John Powell,Barry Forester Martin. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-06-17.

Method and apparatus for improved ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: WO2003019613A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-03-06.

Method and apparatus for ion bunching in an ion implantation system

Номер патента: EP1419515A1. Автор: William DiVergilio,Kourosh Saadatmand. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US20150270103A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control

Номер патента: US9805913B2. Автор: Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Chun-Lin Chang,Nai-Han Cheng,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for reducing cross-contamination in ion implantation

Номер патента: US5880013A. Автор: Ming-Tsung Lee,Chien-Jung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Ion implanter and particle detection method

Номер патента: US20220102112A1. Автор: Takao Morita,Takanori Yagita,Aki Ninomiya,Sayumi HIROSE. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for building an etching-free hybrid nonlinear waveguide composed of polymer and ion-implanted nonlinear crystal

Номер патента: US20240069436A1. Автор: FENG CHEN,CHEN CHEN,Zhanghua HAN,Shengkun YAO. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-29.

Vehicle height adjusting device for motorcycle

Номер патента: US9115734B2. Автор: Takahiro Kasuga,Yosuke Murakami,Fumiaki Ishikawa,Tadashi Hachisuka. Владелец: Showa Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Power supply for an ion implantation system

Номер патента: WO2008086066A3. Автор: Eric Hermanson,Russell J Low,Stephen E Krause,Piotr R Lubicki. Владелец: Piotr R Lubicki. Дата публикации: 2008-12-18.

Power supply for an ion implantation system

Номер патента: WO2008086066A2. Автор: Russell J. Low,Piotr R. Lubicki,Eric Hermanson,Stephen E. Krause. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-07-17.

Ion implantation apparatus with a cooled structure controlling the surface potential of a target surface

Номер патента: CA1088218A. Автор: Wolfgang F. Mueller,Charles M. Mckenna. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Method for inserting a gaseous phase in a sealed cavity by ion implantation

Номер патента: US5985688A. Автор: Michel Bruel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of making Schottky barrier diode by ion implantation and impurity diffusion

Номер патента: US4260431A. Автор: Leo R. Piotrowski. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1981-04-07.

Ion implanted resistor and method

Номер патента: US3829890A. Автор: D Perloff,J Kerr,J Marley. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1974-08-13.

Electrodynamic and magnetic separation method and device for implementation thereof

Номер патента: RU2739980C1. Автор: Юрий Николаевич Голубев,Анатолий Федорович Крентовский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МЕТГОЛДТЕХНОЛОГИИ". Дата публикации: 2020-12-30.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Ion implanting apparatus capable of preventing discharge flaw production on reverse side surface of wafer

Номер патента: US5945681A. Автор: Kensuke Amemiya,Isao Hashimoto,Yasuo Yamashita,Keiji Arimatsu,Kazuo Mera,Takayoshi Seki,Katsumi Tokiguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-08-31.

Charge neutralization apparatus for ion implantation system

Номер патента: US5136171A. Автор: Charles M. Mckenna,Ka-Ngo Leung,Wulf B. Kunkel,Malcom D. Williams. Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Ion implantation apparatus for controlling the surface potential of a target surface

Номер патента: CA1089113A. Автор: John H. Keller,Charles M. Mckenna,John L. Forneris,William W. Hicks,James A. Seirmarco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

Low contamination, low energy beamline architecture for high current ion implantation

Номер патента: WO2009131714A2. Автор: Y Huang. Владелец: Axcelis Technologies, Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: WO2021229054A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: mi2-factory GmbH. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US20200152411A1. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of ion implantation and an apparatus for the same

Номер патента: US11017979B2. Автор: Yi Tang,Weiyimin Dong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Method of evaluating characteristics of ion implanted sample

Номер патента: US20170138863A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Ion Implanter, Internal Structure of Ion Implanter and Method of Forming A Coating Layer in the Ion Implanter

Номер патента: US20100327191A1. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Yong-Sup Reim. Владелец: Komico Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

High throughput cooled ion implantation system and method

Номер патента: WO2017023583A1. Автор: Joseph Ferrara,Brian Terry,Armin Huseinovic. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2017-02-09.

Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system

Номер патента: EP1438734A2. Автор: Steven R. Walther. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2004-07-21.

Technique for uniformity tuning in an ion implanter system

Номер патента: US20060266957A1. Автор: Joseph Olson,Shengwu Chang,Damian Brennan. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Ion implantation method and ion implantation apparatus

Номер патента: US20180145000A1. Автор: Masaki Ishikawa,Hiroyuki Kariya,Hideki Morikawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Apparatus and method for reducing heating of a workpiece in ion implantation

Номер патента: EP1083587A3. Автор: Marvin Farley,Theodore H. Smick,Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-19.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US20060076512A1. Автор: Yoshihiro Sohtome. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Ion Implantation Method, Ion Implantation Apparatus and Semiconductor Device

Номер патента: US20190066977A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Peter Zupan,Michael Brugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-02-28.

Dissolution-method sampling device for large-area surface

Номер патента: NL2031895A. Автор: Chen Qing,Zhang Bin,Feng Xing,WU WANQING,Zheng Qinggong,Guo Yafei. Владелец: Univ Dalian Maritime. Дата публикации: 2022-07-05.

Dissolution-method sampling device for large-area surface

Номер патента: NL2031895B1. Автор: Chen Qing,Zhang Bin,Feng Xing,WU WANQING,Zheng Qinggong,Guo Yafei. Владелец: Univ Dalian Maritime. Дата публикации: 2023-09-27.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US20200118822A1. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US11875995B2. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Ion implanter and method of ion beam tuning

Номер патента: US20160079032A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Yuuji Takahashi,Yusuke Ueno. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Ion implanter, internal structure of ion implanter and method of forming a coating layer in the ion implanter

Номер патента: WO2009008626A2. Автор: Kyung-Ic Jang,Kyung-Hwan Ye,Sam-Woong Kim,Yong-Sup Reim. Владелец: KoMiCo LTD.. Дата публикации: 2009-01-15.

High temperature ion implantation of nitride based HEMTS

Номер патента: EP2690653A3. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems

Номер патента: WO2010008458A1. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Bo Vanderberg. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-21.

Ion implanter with variable scan frequency

Номер патента: WO2007111991A2. Автор: Joseph C. Olson,Morgan Evans. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Ion implantation tool and ion implantation method

Номер патента: US20170125214A1. Автор: Sheng-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

High voltage insulator for preventing instability in an ion implanter due to triple-junction breakdown

Номер патента: WO2009002736A2. Автор: Frank Sinclair,Shengwu Chang. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-12-31.

Techniques and apparatus for anisotropic stress compensation in substrates using ion implantation

Номер патента: US20220068648A1. Автор: Qintao Zhang,Scott Falk,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: WO2012044361A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of controlling electrostatic lens and ion implantation apparatus

Номер патента: SG140444A1. Автор: Koji Iwasawa. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-28.

Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition

Номер патента: US20090215250A1. Автор: Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Kartik Santhanam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Inductively coupled plasma type ion implanter

Номер патента: US20240021409A1. Автор: Seung Jae MOON,Jong Jin HWANG,Sung Mook JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-01-18.

Ion implantation apparatus and scanning waveform preparation method

Номер патента: US20170271128A1. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Random number generation method based on multivariate non-normal distribution, parameter estimation method thereof, and application to simulation of financial field and semiconductor ion implantation

Номер патента: US20050114098A1. Автор: Yuichi Nagahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-26.

Method of manufacturing contamination level of ion implanting apparatus

Номер патента: US20150079705A1. Автор: Sooman Kim,Wonseok Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Plasma immersion ion implantation process with reduced polysilicon gate loss and reduced particle deposition

Номер патента: WO2009105151A1. Автор: Majeed A. Foad,Manoj Vellaikal,Peter I. Porshnev,Kartik Santhanam. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-08-27.

Kinematic ion implanter electrode mounting

Номер патента: WO2005038856A2. Автор: Andrew Stephen Devaney,Jonathon Y. Simmons,John R. Shelley. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2005-04-28.

Spacer formation in a solar cell using oxygen ion implantation

Номер патента: US20180358490A1. Автор: David D. Smith,Seung Rim. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Load lock chamber for large area substrate processing system

Номер патента: EP1526565A3. Автор: Wendell T. Blonigan,Shinichi Kurita,Yoshiaki Tanase. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-07-06.

Dosimeter, device for determining the radiation dose received, and methods for producing the same

Номер патента: AU1332399A. Автор: Ulf Beckers. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-05-03.

Semiconductor device manufacturing method using metal silicide reaction after ion implantation in silicon wiring

Номер патента: US20020098683A1. Автор: Tamihide Yasumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

System and method for cooling workpieces processed by an ion implantation system

Номер патента: WO1997030471A1. Автор: Julian G. Blake,Zhongmin Yang,Kenneth H. Purser,Peter H. Rose,Adam A. Brailove. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 1997-08-21.

Moving module of a wafer ion-implanting machine

Номер патента: US20100218720A1. Автор: Ting-Wei Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-02.

Process for making wafers for ion implantation monitoring

Номер патента: US20030008421A1. Автор: Larry Shive. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Moving module of a wafer ion-implanting machine

Номер патента: US7956333B2. Автор: Ting-Wei Lin. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2011-06-07.

Ion implantation apparatus and scanning waveform preparation method

Номер патента: US09905397B2. Автор: Akihiro Ochi,Shiro Ninomiya. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for generating parameter pattern, ion implantation method and feed forward semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09697989B2. Автор: Ting-Chun Wang,Lun-Kuang Tan,Cheng-ta Wu,Yao-Wen Hsu,Wei-Ming You,Tsung Han Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Solar cell emitter region fabrication using ion implantation

Номер патента: US09577126B2. Автор: Staffan Westerberg,Timothy Weidman,David D. Smith. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Ion implanter and method of controlling the same

Номер патента: US09564289B2. Автор: Takeshi Kurose,Toshio Yumiyama,Tadanobu Kagawa. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Implantable device for drug delivery operated by magnetic force

Номер патента: US09474853B2. Автор: Seung Ho Lee,Young Bin Choy. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-10-25.

Device for evaporating volatile substance

Номер патента: RU2670765C9. Автор: Пол ДАФФИЛД. Владелец: РЕКИТТ БЕНКИЗЕР (БРЭНДЗ) ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2018-12-17.

Device for evaporating volatile substance

Номер патента: RU2670765C2. Автор: Пол ДАФФИЛД. Владелец: РЕКИТТ БЕНКИЗЕР (БРЭНДЗ) ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2018-10-25.

METHOD FOR MANUFACTURING AN INSULATED INSULATED LAYER IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, BY ION IMPLANTATION

Номер патента: FR2563377A1. Автор: Michel Bruel,Jean Du Port De Poncharra. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1985-10-25.

Method for welding with the help of ion implantation

Номер патента: US4452389A. Автор: Kamal E. Amin. Владелец: Bendix Corp. Дата публикации: 1984-06-05.

Apparatus and method for neutralizing the beam in an ion implanter

Номер патента: US4361762A. Автор: Edward C. Douglas. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-11-30.

Detecting contaminant particles during ion implantation

Номер патента: GB2317988A. Автор: Seung-ki Chae,Jae-Sun Jeon,Won-Yeong Kim,Chi-Seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-08.

Use of alkylphosphines and alkylarsines in ion implantation

Номер патента: CA1320105C. Автор: Jack Edward Ward. Владелец: American Cyanamid Co. Дата публикации: 1993-07-13.

Ion implantation apparatus

Номер патента: CA1057422A. Автор: Demetrios Balderes,Charles J. Lucas,Herbert L. Arndt (Jr.),John R. Kranik. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-06-26.

Contamination reduction during ion implantation

Номер патента: US7544958B2. Автор: Russell John Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-09.

SOI structure with a deep thin oxide layer prepared by ION implantation at high energy followed by thermal treatment

Номер патента: US5707899A. Автор: Laura Meda,Gianfranco Cerofolini. Владелец: Istituto Guido Donegani SpA. Дата публикации: 1998-01-13.

Ion implanter

Номер патента: US6084240A. Автор: Chien-Hsing Lin,Cheng-Tai Peng. Владелец: United Integrated Circuits Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Method for preparing a source material including forming a paste for ion implantation

Номер патента: US7494905B2. Автор: Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-24.

Temperature measurement using ion implanted wafers

Номер патента: US5435646A. Автор: Warren F. McArthur,Fred C. Session. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1995-07-25.

Systems and methods for beam angle adjustment in ion implanters

Номер патента: WO2008033448A3. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner. Владелец: Edward Eisner. Дата публикации: 2008-11-20.

Monitoring plasma ion implantation systems for fault detection and process control

Номер патента: US7878145B2. Автор: Ludovic Godet,Ziwei Fang,Daniel Distaso,Jay T. Scheuer,Sung-Cheon Ko,Edmund J. Winder,Bon Woong Koo. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

Method and apparatus for enhanced lifetime and performance of ion source in an ion implantation system

Номер патента: MY166024A. Автор: Robert Kaim,Joseph D Sweeney,Anthony M Avila,Richard S Ray. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2018-05-21.

Ion implantation method and apparatus

Номер патента: US4881010A. Автор: Neil R. Jetter. Владелец: Harris Semiconductor Patents Inc. Дата публикации: 1989-11-14.

Ion-implantation method in solid materials for implanting impurities

Номер патента: US5096841A. Автор: Atsushi Miura,Akitsu Shimoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

Reduced implant voltage during ion implantation

Номер патента: WO2010042494A3. Автор: Ludovic Godet,Christopher R. HATEM. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-07-22.

Ion implantation with annealing for substrate cutting

Номер патента: US11855040B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Ion implantation method

Номер патента: US8921240B2. Автор: Yasunori Kawamura,Kyoko Kawakami,Yoshiki Nakashima. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US11749501B2. Автор: Jian Wang,Takashi Sakamoto,Shinsuke Inoue,Yuta Iwanami,Weijiang Zhao. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Ion implantation systems

Номер патента: US20100237260A1. Автор: Jiong Chen. Владелец: Kingstone Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US20220144628A1. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Method of manufacturing photoelectric conversion apparatus using ion implantation

Номер патента: US20190067364A1. Автор: Masashi Kusukawa,Takehito Okabe,Nobuaki Kakinuma,Toshihiro Shoyama,Mitsuhiro Yomori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: WO2019036582A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,Tristan MA,John Hautala. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-02-21.

Weakening focusing effect of acceleration-decelaration column of ion implanter

Номер патента: WO2006068754A1. Автор: Donald Anderson,Joseph C. Olson,Shengwu Chang,Daniel McGillicuddy. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2006-06-29.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US11830703B2. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US20200027697A1. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Ion implantation method and ion implanter

Номер патента: US20240047176A1. Автор: Yoji Kawasaki,Haruka Sasaki. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: EP4150656A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-03-22.

Method of monitoring ion implants by examination of an overlying masking material

Номер патента: WO2001088955A3. Автор: Carlos Strocchia-Rivera. Владелец: Kla Tencor Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Method of forming multiple gate oxide layers with different thicknesses in one ion implantation process

Номер патента: US20020127806A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

High temperature ion implantation of nitride based HEMTS

Номер патента: EP2261959A3. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

Ion implant defined nanorod in a suspended Majorana fermion device

Номер патента: US11948985B2. Автор: Ning Li,Patryk GUMANN,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Stephen W. Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Ion implantation apparatus, substrate clamping mechanism, and ion implantation method

Номер патента: US20100133449A1. Автор: Hidenori Takahashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Polarity exchanger and ion implanter having the same

Номер патента: US20040113100A1. Автор: Kyue-sang Choi,Hyung-sik Hong,Gyeong-Su Keum,Gum-Hyun Shin,Chung-Hun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Techniques for low temperature ion implantation

Номер патента: WO2008067213A2. Автор: Richard S. Muka,D. Jeffrey Lischer,Jonathan Gerald England. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-06-05.

Acceleration and analysis architecture for ion implanter

Номер патента: WO1999063572A1. Автор: Anthony Renau,Charles Mckenna. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 1999-12-09.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US20160351458A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Ion implantation methods and structures thereof

Номер патента: US20160093714A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

High-throughput ion implanter

Номер патента: WO2013067317A1. Автор: William T. Weaver,Paul Sullivan,Joseph C. Olson,James Buonodono,Charles T. Carlson. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-05-10.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11923167B2. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Ion implanter and ion implantation method

Номер патента: US11569058B2. Автор: Hiroshi Matsushita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Ion implantation with annealing for substrate cutting

Номер патента: US20240120314A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Jyh-Cherng Sheu,Chen-Fong Tsai,Yun Chen Teng,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Ion implantation device comprising energy filter and additional heating element

Номер патента: US20230197398A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Ion implantation method

Номер патента: US20120244724A1. Автор: Yasunori Kawamura,Kyoko Kawakami,Yoshiki Nakashima. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US20200270123A1. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Modification to rough polysilicon using ion implantation and silicide

Номер патента: US11952267B2. Автор: Alan Cuthbertson,Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: US20190056914A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,John Hautala,Tristan Y. Ma. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Performance improvement of euv photoresist by ion implantation

Номер патента: US20200096870A1. Автор: Huixiong Dai,Anthony Renau,Joseph Olson,John Hautala,Tristan Y. Ma. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Target end station for the combinatory ion implantation and method of ion implantation

Номер патента: WO2003058671A3. Автор: Helmut Karl,Bernd Stritzker,Axel Wenzel,Ingo Grosshans. Владелец: Univ Augsburg. Дата публикации: 2004-01-22.

Techniques for low-temperature ion implantation

Номер патента: US20090140166A1. Автор: Richard S. Muka. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Post-decel magnetic energy filter for ion implantation systems

Номер патента: EP2304763A1. Автор: Marvin Farley,Takao Sakase,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Bo Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: US20210151575A1. Автор: Ning Li,Patryk GUMANN,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Stephen W. Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: WO2021099222A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Steven Holmes,Patryk GUMANN,Stephen Bedell,Sean Hart. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-05-27.

Ion implant defined nanorod in a suspended majorana fermion device

Номер патента: EP4022684A1. Автор: Ning Li,Devendra Sadana,Steven Holmes,Patryk GUMANN,Stephen Bedell,Sean Hart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: US20190228943A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Neil K. Colvin,Richard Rzeszut. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: US20210090841A1. Автор: Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Neil K. Colvin,Richard Rzeszut. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Hydrogen generator for an ion implanter

Номер патента: WO2019144093A1. Автор: Neil Colvin,Tseh-Jen Hsieh,Wendy Colby,Richard Rzeszut. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-07-25.

Ion beam scanning methods and system for ion implantation

Номер патента: WO2006074200A3. Автор: Victor Benveniste,William DiVergilio,Peter Kellerman. Владелец: Peter Kellerman. Дата публикации: 2007-11-08.

A masking apparatus for an ion implanter

Номер патента: WO2010144273A2. Автор: William T. Weaver,Charles Carlson. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates. Дата публикации: 2010-12-16.

Wafer bonding activated by ion implantation

Номер патента: WO2009039264A2. Автор: Paul Sullivan,Yuri Erokhin,Steven R. Walther,Peter Nunan. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

Ion implanter

Номер патента: US20020148977A1. Автор: Hiroyuki Tomita,Kazuo Mera. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-17.

Ion implantation apparatus and measurement device

Номер патента: US20190295818A1. Автор: Yoshiaki Inda. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US09520265B2. Автор: Takanori Yagita. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Device for balance protection combined with transverse differential protection for three-phase high-voltage electrical installations

Номер патента: RU2652381C1. Автор: Сергей Викторович Чигвинцев,Ислам Камилевич Ишмухамедов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2018-04-26.

Ion implantation with variable implant angle

Номер патента: US4745287A. Автор: Norman L. Turner. Владелец: Ionex HEI Corp. Дата публикации: 1988-05-17.

ARC chamber for an ion implantation system

Номер патента: US6022258A. Автор: Richard C. Abbott,Raymond C. DesMarais. Владелец: Thermoceramix Inc USA. Дата публикации: 2000-02-08.

Medical device for moving medical instruments

Номер патента: RU2748431C1. Автор: Вернер ШВАРЦ. Владелец: Уромед Курт Дрюз Кг. Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device manufactured by using conductive ion implantation mask

Номер патента: US5075240A. Автор: Masatoshi Yasunaga,Katsuyoshi Mitsui,Yomiyuki Yama,Ikuo Ogoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

Ion generating source for use in an ion implanter

Номер патента: CA2162748C. Автор: Thomas N. Horsky,William E. Reynolds,Piero Sferlazzo,Edward K. Mcintyre, Jr.,Richard M. Cloutier. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2001-04-17.

Method of forming an integrated circuit region through the combination of ion implantation and diffusion steps

Номер патента: CA1082373A. Автор: Joseph Regh,Conrad A. Barile,Robert M. Brill,John L. Forneris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Ion implantation apparatus

Номер патента: US4831270A. Автор: Wesley Weisenberger. Владелец: Ion Implant Services. Дата публикации: 1989-05-16.

Ion implanter

Номер патента: US4274004A. Автор: Norio Kanai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-06-16.

Method and apparatus relating to ion implantation

Номер патента: US5194748A. Автор: Derek Aitken. Владелец: Superion Ltd. Дата публикации: 1993-03-16.

Method for manufacturing ion implanted insulated gate field effect semiconductor transistor devices

Номер патента: US3852120A. Автор: W Johnson,S Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-12-03.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Ion implantation device with energy filter having additional thermal energy dissipation surface area

Номер патента: WO2021228500A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: mi2-factory GmbH. Дата публикации: 2021-11-18.

Ion implanter with vacuum piston counterbalance

Номер патента: EP1047102A3. Автор: Geoffrey Ryding. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-12.

An apparatus for the backside gas cooling of a wafer in a batch ion implantation system

Номер патента: EP1320866A2. Автор: Dale Keith Stone,Robert John Mitchell,Bryan Christopher Lagos,David James Chipman,Gary Jay Rosen. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-25.

Dual mode ion implanter

Номер патента: WO2015061101A1. Автор: Christopher Campbell,Frank Sinclair,Joseph C. Olson,Kenneth H. Purser,Robert C. Lindberg. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-04-30.

Plasma generation for ion implanter

Номер патента: US20180174807A1. Автор: Tsung-Min Lin,Hong-Hsing Chou,Fang-Chi Chien,Chao-Li Shih,Ming-Hsing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Ion implantation processes and apparatus using gallium

Номер патента: EP3850654A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES,Edward Edmiston JONES. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-07-21.

Ion implantation processes and apparatus using gallium

Номер патента: US20200083015A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Edward E. Jones. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Ion implantation method and device

Номер патента: US11862429B2. Автор: Cheng-En Lee,Yi-Hsiung Lin,Hsuan-Pang LIU,Yao-Jen Yeh,Chia-Lin OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter

Номер патента: WO2002027753A3. Автор: Robert John Mitchell. Владелец: Axcelis Tech Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Ion implantation device with energy filter having additional thermal energy dissipation surface area

Номер патента: US20230197404A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Opc method for a shallow ion implanting layer

Номер патента: US20190035775A1. Автор: Meng Kang,Yueyu Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

OPC method for a shallow ion implanting layer

Номер патента: US10192861B1. Автор: Meng Kang,Yueyu Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Ion implanter provided with beam deflector and asymmetrical einzel lens

Номер патента: US20110220808A1. Автор: Dan Nicolaescu. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Ion implantation device with energy filter having additional thermal energy dissipation surface area

Номер патента: EP4150655A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-03-22.

Ion implanting method

Номер патента: US20180151369A1. Автор: Chia-Cheng Liu,Ming-Hui LI,Ming-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Ion implant beam angle integrity monitoring and adjusting

Номер патента: US20070045569A1. Автор: Sandeep Mehta,Steven Walther,Ukyo Jeong. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Ion implanter

Номер патента: US20130042809A1. Автор: Masao Naito. Владелец: Nissin Ion Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device, method for controlling ion beam, and ion implantation apparatus

Номер патента: US20110012034A1. Автор: Katsunari Nishikawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Ion implanting apparatus for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US6737657B2. Автор: Sang-Kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-18.

System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter

Номер патента: WO2002027753A2. Автор: Robert John Mitchell. Владелец: EATON LIMITED. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of fabricating semiconductor device for preventing polysilicon line being damaged during removal of photoresist

Номер патента: US20020160601A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Hao Lin,Cheng-Tung Huang,Shih-Chieh Hsu,Chang-Chi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Interferometric lithography grating-mask-based wafer-scale large-area nanopatterning

Номер патента: US12092959B1. Автор: Alexander Neumann,Steven R. J. Brueck,Vineeth Sasidharan. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2024-09-17.

Loading-unloading device for semiconductor plates for ion implantation assembly

Номер патента: RU2126191C1. Автор: Аллен Брюн Роберт,Марлоу Рэй Эндрю. Владелец: Итон Корпорейшн. Дата публикации: 1999-02-10.

Antitheft device for purchased goods cart

Номер патента: RU2420419C2. Автор: Франц ВИТ,Хорст ЗОННЕНДОРФЕР. Владелец: Хорст ЗОННЕНДОРФЕР. Дата публикации: 2011-06-10.

Methods and device for large-scale propagation of electronic access clients

Номер патента: RU2595904C2. Автор: Ли ЛИ,Сянин ЯН,Кевин МАКЛАФЛИН,Дэвид ХАГГЕРТИ,Джерролд ХОК,Бен ДЗУАНГ,Арун МАТИАС,Авинаш НАРАСИМХАН,Крис ШАРП,Юсуф ВАИД. Владелец: ЭППЛ ИНК.. Дата публикации: 2016-08-27.

Method for obtaining phase shift of generator voltages and device for using phase shift for conversion of mechanical energy to ellipsoid radiation

Номер патента: RU2680372C1. Автор: Геннадий Леонидович Багич. Владелец: Геннадий Леонидович Багич. Дата публикации: 2019-02-20.

Ion implantation surface charge control method and apparatus

Номер патента: CA1280223C. Автор: Marvin Farley. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Multi directional mechanical scanning in an ion implanter

Номер патента: GB2389958A. Автор: Richard Cooke,Simon Frederick Dillon,Richard Naylor-Smith. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-24.

Charger device for storage battery

Номер патента: RU2662224C1. Автор: Яков Владимирович Чивилев,Юрий Александрович Котулев. Владелец: Акционерное общество "РТЕХ-НО". Дата публикации: 2018-07-25.

Quartz lamp envelope with molybdenum foil having oxidation-resistant surface formed by ion implantation

Номер патента: US5021711A. Автор: Roy C. Martin,Mark D. Beschle,Sandra L. Madden. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1991-06-04.

Device for acceleration of growth and restoration of lawn

Номер патента: RU2508624C2. Автор: Рудольф Эрвин БЕРГХОФ,Петер КРАББЕНДАМ. Владелец: Линде Аг. Дата публикации: 2014-03-10.

Ion implanter for photovoltaic cell fabrication

Номер патента: US20100264303A1. Автор: Aditya Agarwal,Thomas Parrill. Владелец: Twin Creeks Technologies Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

System for controlling ion implantation dosage in electronic materials

Номер патента: US4021675A. Автор: Gordon A. Shifrin. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1977-05-03.

Method of fabricating large area, high voltage PIN photodiode devices

Номер патента: US4009058A. Автор: Mark Philip Mills. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-02-22.

Ion implantation and annealing of compound semiconductor layers

Номер патента: CA1332697C. Автор: Jagdish Narayan,John C. C. Fan,Jhang Woo Lee. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

High impedance plasma ion implantation method and apparatus

Номер патента: CA2102384C. Автор: Jesse N. Matossian,Robert W. Schumacher,Dan M. Goebel. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Ion implantation having increased source lifetime

Номер патента: US5517077A. Автор: John Pontefract,Nicholas Bright,Paul A. Burfield,Bernard F. Harrison,Peter Meares,David R. Burgin,Andrew S. Devaney,Peter T. Kindersley. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Ion implant mask and cap for gallium arsenide structures

Номер патента: US4494997A. Автор: Zachary J. Lemnios,He B. Kim. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-01-22.

Manufacturing semiconductor devices using angled ion implantation process

Номер патента: GB2284709A. Автор: Toshihiko Ichikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-14.

Method of manufacturing semiconductor devices in which oxide regions are formed by an oxidation mask disposed directly on a substrate damaged by ion implantation

Номер патента: CA1088217A. Автор: Billy L. Crowder,William R. Hunter,Douglas W. Ormond, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-21.

Method of manufacturing schottky gate field transistor by ion implantation method

Номер патента: US4889817A. Автор: Hiroshi Nakamura,Tadashi Saito,Masanori Tsunotani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-26.

Fluorine ion implantation system with non-tungsten materials and methods of using

Номер патента: WO2020123901A1. Автор: Ying Tang,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph Robert DESPRES. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

Ion implantation apparatus having increased source lifetime

Номер патента: US5886355A. Автор: John Pontefract,Peter Torin Kindersley,Nicholas Bright,Peter Meares,David R. Burgin,Andrew Stephen Devaney,Paul Anthony Burfield,Bernard Francis Harrison. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-03-23.

Calibration hardware for ion implanter

Номер патента: US20240063045A1. Автор: Tsung-Min Lin,Lung-Yin TANG,Hsin-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Substrate treating apparatus, ion implantation apparatus, and ion implantation method

Номер патента: US11961695B2. Автор: Doyeon Kim,Hyun Yoon,Ho Jong Hwang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Ion implantation apparatus and method

Номер патента: US20050218345A1. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A2. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-04-07.

Led mesa sidewall isolation by ion implantation

Номер патента: US20120238046A1. Автор: Atul Gupta,San Yu. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Ion source structure of ion implanter and its operation method

Номер патента: US20240136144A1. Автор: Wen Yi Tan,Wen Shuo Cui. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of reducing floating body effect of SOI MOS device via a large tilt ion implantation

Номер патента: US8450195B2. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Jiexin Luo,Qingqing Wu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2013-05-28.

Ion implantation beam monitor

Номер патента: WO2000002229A1. Автор: Bernard Francis Harrison. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2000-01-13.

Ion-implantation machine, control method thereof, and process for manufacturing integrated devices

Номер патента: US20060226352A1. Автор: Camillo Bresolin,Valter Soncini,Andrea Riva. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-10-12.

Cold stripper for high energy ion implanter with tandem accelerator

Номер патента: US20150187450A1. Автор: Shengwu Chang. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Enhanced low energy ion beam transport in ion implantation

Номер патента: US20100181499A1. Автор: William F. Divergilio,Bo H. Vanderberg. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-22.

Ion implantation thick film resist composition, method for manufacturing processed substrate using the same and method for manufacturing device using the same

Номер патента: WO2023165914A1. Автор: Masato Suzuki,Hiroshi Yanagita,Tetsumasa TAKAICHI. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-07.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: WO2010008455A3. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

Vacuum assembly for an ion implanter system

Номер патента: WO2015094621A1. Автор: Robert H. Bettencourt,Steven C. BORISCHEVSKY. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A3. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

Optical heater for cryogenic ion implanter surface regeneration

Номер патента: WO2011041418A9. Автор: Roger B. Fish,Jeffrey E. Krampert. Владелец: Variam Semiconductor Equipment Associates, Inc.. Дата публикации: 2011-05-26.

Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation

Номер патента: US20200258742A1. Автор: Alexander Suvorov,Robert Leonard,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

A Method for the Simulation of an Energy-Filtered Ion Implantation (EFII)

Номер патента: US20240135066A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of Reducing Floating Body Effect of SOI MOS Device Via a Large Tilt Ion Implantation

Номер патента: US20120021571A1. Автор: Xi Wang,Jing Chen,Xiaolu Huang,Jiexin Luo,Qingqing Wu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods and apparatuses related to shaping wafers fabricated by ion implantation

Номер патента: US20210066081A1. Автор: Alexander Suvorov,Robert Leonard,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for eliminating polysilicon residue by tilted ion implantation with oxygen

Номер патента: US20030143789A1. Автор: Chun-Lien Su,Ming-Shang Chen,Chun-Chi Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Ion implanter and beam profiler

Номер патента: US20210134559A1. Автор: David Edward Potkins,Phillip Thomas Jackle. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Fabrication of a waveguide taper through ion implantation

Номер патента: WO2003102649A1. Автор: Michael Morse,Michael Salib. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: EP2289088A2. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Hot carrier degradation reduction using ion implantation of silicon nitride layer

Номер патента: SG158179A1. Автор: Xiangdong Chen,Yong Meng Lee,Wenhe Lin,Haining S Yang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-29.

Novel silicon carbide-based lateral pn junction extreme ultraviolet detector based on selective-area ion implantation, and preparation method thereof

Номер патента: US20240204126A1. Автор: Dong Zhou,Hai Lu,Weizong Xu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-20.

Handling beam glitches during ion implantation of workpieces

Номер патента: EP2589063A1. Автор: William T. Weaver,Atul Gupta,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2013-05-08.

Beam line system of ion implanter

Номер патента: US20130009075A1. Автор: Boon-Chau TONG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Josephson junction device fabricated by direct write ion implantation

Номер патента: US12035641B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Devendra K. Sadana,Steven J. Holmes,Martin O. Sandberg,Marinus Johannes Petrus Hopstaken,Yasir Sulehria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Automatic firing apparatus and methods for laser skin treatment over large areas

Номер патента: EP1223880A1. Автор: Robert E. Grove,Mark V. Weckwerth,James Z. Holtz,John P. Beale. Владелец: Laser Industries Ltd. Дата публикации: 2002-07-24.

Set of massage devices for and massage method

Номер патента: RU2682995C1. Автор: Вадим Александрович Дубов. Владелец: Вадим Александрович Дубов. Дата публикации: 2019-03-25.

Method for interactive segmentation of object on image and electronic computing device for realizing said object

Номер патента: RU2742701C1. Автор: Илья Алексеевич Петров,Антон Сергеевич Конушин,Константин Сергеевич СОФИЮК,Ольга Вячеславовна Баринова. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2021-02-09.

Welding device for welding pipes with heating arc controlled by magnetic field

Номер патента: RU2601723C1. Автор: Дмитрий Григорьевич Долгих,Сергей Николаевич Окунев,Евгений Леонидович Стрелков,Александр Николаевич Евженко,Владимир Васильевич Одношивкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Фундаментстройаркос". Дата публикации: 2016-11-10.

Ion implant using tetrafluoroborate

Номер патента: US4851255A. Автор: Shantia Riahi,Andre Lagendijk. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1989-07-25.

Ion implantation masking method and devices

Номер патента: US5138406A. Автор: Joseph A. Calviello. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1992-08-11.

Dual xy variable aperture in an ion implantation system

Номер патента: WO2023003695A1. Автор: Jun Lu,Frank Sinclair,Shane W. CONLEY,Michael HONAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-26.

Scanning wheel for ion implantation process chamber

Номер патента: GB2327532A. Автор: Richard Cooke,Peter I T Edwards. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-01-27.

Annealing of ion implanted iii-v compounds

Номер патента: CA1180256A. Автор: Jerry M. Woodall,Hans S. Rupprecht. Владелец: Hans S. Rupprecht. Дата публикации: 1985-01-02.

Solid-state pulse generating apparatus and method particularly adapted for ion implantation

Номер патента: US5734544A. Автор: Paul R. Johannessen. Владелец: Megapulse Inc. Дата публикации: 1998-03-31.

Semiconductor devices with low leakage current and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230395436A1. Автор: Ming-Yuan Wu,Min Jiao,Da-Wen Lin,Ka-Hing Fung,Wei-Yuan Jheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for forming memory device involving ion implantation of the control gate spacer and wet etching process to expose sidewall of control gate

Номер патента: US10896911B2. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Adjustable deflection optics for ion implantation

Номер патента: WO2010033199A1. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner,Mike Graf. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2010-03-25.

A computer-implemented method for the simulation of an energy-filtered ion implantation (efii)

Номер патента: EP4281990A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-11-29.

Energy Filter Assembly for Ion Implantation System with at least one coupling element

Номер патента: US20240047168A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato,André Zowalla. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Adjustable deflection optics for ion implantation

Номер патента: EP2340549A1. Автор: Bo Vanderberg,Edward Eisner,Mike Graf. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-06.

Low- inertia multi -axis multi -directional mechanically scanned ion implantation system

Номер патента: WO2010008455A2. Автор: Marvin Farley,Geoffrey Ryding,Theodore Smick,Paul Eide,Kan Ota,Ronald Horner. Владелец: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-21.

Ion implantation system with mixture of arc chamber materials

Номер патента: US20210020402A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Joseph D. Sweeney,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Ion implantation system with mixture of arc chamber materials

Номер патента: EP4000086A1. Автор: Ying Tang,Oleg Byl,Sharad N. Yedave,Joseph R. Despres,Joseph R. SWEENEY. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Process for fabricating non-volatile memory by tilt-angle ion implantation

Номер патента: US20060019441A1. Автор: Erik Jeng,Wu-Ching Chou,Chien-Chen Li,Li-Kang Wu. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2006-01-26.

Energy filter assembly for ion implantation system with at least one coupling element

Номер патента: EP4238121A1. Автор: Florian Krippendorf,Constantin Csato,André Zowalla. Владелец: MI2 Factory GmbH. Дата публикации: 2023-09-06.

Handling beam glitches during ion implantation of workpieces

Номер патента: US20110315899A1. Автор: William T. Weaver,Atul Gupta,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Rotation driving device for driving a rotary shaft

Номер патента: GB2595594A. Автор: Taoufik Hicham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-01.

Method and device for detecting living objects for inductive charging devices

Номер патента: US11979033B2. Автор: Anselm Schwarte,Michael Kausche. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

Device for testing a test specimen for surface faults by magnetization means and by means of induction process as measurement sensors

Номер патента: US20070052413A1. Автор: Bernd Zimmermann. Владелец: PRUEFTECHNIK DIETER BUSCH AG. Дата публикации: 2007-03-08.

Device for testing a test specimen for surface faults by magnetization means and by means of induction probes as measurement sensors

Номер патента: US7242186B2. Автор: Bernd Zimmermann. Владелец: PRUEFTECHNIK DIETER BUSCH AG. Дата публикации: 2007-07-10.

Method and device for detecting living objects for inductive charging devices

Номер патента: US20220109332A1. Автор: Anselm Schwarte,Michael Kausche. Владелец: Vitesco Technologies GmbH. Дата публикации: 2022-04-07.

High-speed and large-current adjustable pulse circuit, operating circuit and operating method of phase-change memory

Номер патента: US20240371438A1. Автор: FAN YANG,Xingsheng Wang,Xiangshui Miao,Yinghao Ma,Chengxu WANG,Menghua HUANG. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-11-07.

Operator-controlled scanning laser procedure designed for large-area epithelium removal

Номер патента: US09814621B2. Автор: Jonathan Wong,Leander Zickler,Mark E. Arnoldussen,Benjamin A. Logan. Владелец: AMO DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Large-area monitoring using infrared imaging system

Номер патента: US09544511B2. Автор: Sergio A. Bermudez Rodriguez,Hendrik F. Hamann,Levente I. Klein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Large-area monitoring using infrared imaging system

Номер патента: US09508115B2. Автор: Sergio A. Bermudez Rodriguez,Hendrik F. Hamann,Levente I. Klein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Device for monitoring deformations of structures and facilities of large area

Номер патента: RU2658110C1. Автор: Валерий Викторович Коротаев,Александр Сергеевич Васильев,Олег Юрьевич Лашманов,Анна Владимировна Трушкина,Алексей Муратович Алеев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-06-19.

Method and multiple-relay device for furnishing various change-over functions

Номер патента: RU2168232C2. Автор: Роос Стуре. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон. Дата публикации: 2001-05-27.

Parts depository, particularly for large-area workpieces in a transfer press handling large workpieces

Номер патента: US4503766A. Автор: Harald Hacker,Hans Engelhardt,Ulrich Amann,Karl Geisinger. Владелец: Maschinenfabrik Mueller Weingarten AG. Дата публикации: 1985-03-12.

Method and device for application of nano-pattern on large area

Номер патента: RU2488188C2. Автор: Борис КОБРИН,Игорь ЛАНДАУ,Борис ВОЛЬФ. Владелец: Ролит, Инк.. Дата публикации: 2013-07-20.

Euv pattern transfer with ion implantation and reduced impact of resist residue

Номер патента: US20200144061A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Method and device for measuring the thickness of thin layers over large-area surfaces to be measured

Номер патента: US20110271750A1. Автор: HELMUT Fischer. Владелец: Helmut Fischer GmbH and Co. Дата публикации: 2011-11-10.

Control circuit for bypassing diode current and control method

Номер патента: US20230284353A1. Автор: Chuan Xiao. Владелец: Spintrol Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Receiving device for receiving a magnetic field and for producing electric energy by magnetic induction

Номер патента: US09806540B2. Автор: Dominik Anders,Simon Wechsler. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming PN junctions including a post-ion implant dynamic surface anneal process with minimum interface trap density at the gate insulator-silicon interface

Номер патента: US7659187B2. Автор: Vijay Parihar,Philip Allan Kraus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Methods of making vertical junction field effect transistors and bipolar junction transistors without ion implantation and devices made therewith

Номер патента: CA2762564A1. Автор: LIN Cheng. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of forming an MNOS/MONOS by employing large tilt angle ion implantation underneath the field oxide

Номер патента: US5700728A. Автор: Ta-chi Kuo,Jyh-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-23.

Junction breakdown voltage by means of ion implanted compensation guard ring

Номер патента: US3921199A. Автор: Han-Tzong Yuan,David Willis Mueller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1975-11-18.

Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes

Номер патента: US20070084720A1. Автор: John White,Akihiro Hosokawa,Makoto Inagawa,Hienminh Le. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Ion implantation apparatus with improved post mass selection deceleration

Номер патента: US5747936A. Автор: Bernard Harrison,Frederick G. Plumb. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1998-05-05.

Method of making silicon material with enhanced surface mobility by hydrogen ion implantation

Номер патента: US5198371A. Автор: Jianming Li. Владелец: Biota Corp. Дата публикации: 1993-03-30.

Workpiece handling scan arm for ion implantation system

Номер патента: EP2057674A2. Автор: Robert Mitchell,Michel Pharand,Ari Eiriksson,Marvin Lafontaine,Ashwin Purohit,Steve Weed,Wayne Arsenault,Shantanu Pathak,Donovan Beckel. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Method for producing semiconductor matrix of light-emitting elements utilizing ion implantation and diffusion heating

Номер патента: US4055443A. Автор: Jury Stepanovich Akimov,Valery Petrovich Sushkov,Vladimir Ivanovich Kurinny. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-10-25.

Deposition of thin film organic coatings by ion implantation

Номер патента: US4264642A. Автор: Michael W. Ferralli. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Ion implantation helicon plasma source with magnetic dipoles

Номер патента: US5686796A. Автор: John Howard Keller,Albert Rogers Ellingboe,Roderick William Boswell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-11-11.

Ion implantation and annealing of compound semiconductor layers

Номер патента: US4863877A. Автор: Jagdish Narayan,John C. C. Fan,Jhang W. Lee. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 1989-09-05.

Ion-implanted magnetic bubble memory with domain confinement rails

Номер патента: US4334291A. Автор: Terence J. Nelson,Joseph E. Geusic,Dirk J. Muehlner. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-06-08.

Method and apparatus for passive optical characterization of semiconductor substrates subjected to high energy (MEV) ion implantation using high-injection surface photovoltage

Номер патента: US5581194A. Автор: John K. Lowell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-12-03.

Deposition of thin film organic coatings by ion implantation

Номер патента: CA1120345A. Автор: Michael W. Ferralli. Владелец: Lord Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Method of making ion implanted zener diode

Номер патента: US4119440A. Автор: John W. Hile. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1978-10-10.

Repeller assembly for mounting into an arc chamber of an ion implanter and arc chamber containing the repeller assembly

Номер патента: US20240029991A1. Автор: Nam Ngo,Gerhard Duerrhammer,Jacob Boyer,Florian Schaper,Dustin Hacker,Mason Payne,Surf Johnson,Andrew Dalager. Владелец: Plansee USA LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Repeller assembly for mounting into an arc chamber of an ion implanter and arc chamber containing the repeller assembly

Номер патента: WO2024020294A1. Автор: Nam Ngo,Gerhard Duerrhammer,Jacob Boyer,Florian Schaper,Dustin Hacker,Mason Payne,Surf Johnson,Andrew Dalager. Владелец: Plansee USA LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Developable bottom antireflective coating compositions especially suitable for ion implant applications

Номер патента: US20100196825A1. Автор: Wu-Song Huang,Pushkara Rao Varanasi,Libor Vyklicky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Ion-Implanted Thermal Barrier

Номер патента: US20190139856A1. Автор: Jon Ihlefeld,Patrick E. Hopkins,Luke Yates,Thomas Edwin Beechem, III,Khalid Mikhiel Hattar,Edward S. Piekos,Douglas L. Medlin. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-05-09.

Wafer Support Assembly Including Ion Implantation Mask Structure

Номер патента: US20190051554A1. Автор: Sang Hoon Han,Tae Gon Kim,Hanmei Choi,Hyun Chul Song,Sun Hong Choi,Kyung In CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Mosfet structure with controllable channel length by forming lightly doped drains without using ion implantation

Номер патента: US20220320336A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Solar cell fabrication using laser patterning of ion-implanted etch-resistant layers and the resulting solar cells

Номер патента: WO2017106213A1. Автор: Staffan Westerberg,Peter John Cousins,Alejandro LEVANDER. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2017-06-22.

Ion implantation method

Номер патента: US20200043700A1. Автор: Cheng-En Lee,Yi-Hsiung Lin,Hsuan-Pang LIU,Yao-Jen Yeh,Chia-Lin OU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Ion implantation for reduced hydrogen incorporation in amorphous silicon

Номер патента: US20230298892A1. Автор: Qi Gao,Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Shan Tang,Rajesh Prasad,Gautam K. Hemani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for minimizing defects in a semiconductor substrate due to ion implantation

Номер патента: US20120083132A1. Автор: Toshifumi Mori,Ken-ichi Okabe,Toshiki Miyake,Pushkar Ranade. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Etch Rate Modulation of FinFET Through High-Temperature Ion Implantation

Номер патента: US20230369050A1. Автор: Qintao Zhang,Rajesh Prasad,Jun-Feng LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Developable bottom antireflective coating compositions especially suitable for ion implant applications

Номер патента: US20120178029A1. Автор: Wu-Song Huang,Pushkara Rao Varanasi,Libor Vyklicky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Fin and finfet formation by angled ion implantation

Номер патента: EP2396813A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

Method of making a self aligned ion implanted gate and guard ring structure for use in a sit

Номер патента: US20070281406A1. Автор: Li-Shu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Fuse element resistance enhancement by laser anneal and ion implantation

Номер патента: US20200286827A1. Автор: Yi Song,Chih-Chao Yang,Michael RIZZOLO,Juntao Li,Liying Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Effective algorithm for warming a twist axis for cold ion implantations

Номер патента: WO2011152866A1. Автор: William D. Lee,Kan Ota. Владелец: Axcelis Technologies Inc.. Дата публикации: 2011-12-08.

Weighing protection device for large-tonnage feed bin and feed bin system thereof

Номер патента: WO2024140911A1. Автор: ZHENG GUO,Chunhui Li,Zhihe Chao,Youyi WU,Dongqian JIA. Владелец: Mettler-Toledo Technologies (China) Co., Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Preparation device for extraction beverages and lifting device for strainers

Номер патента: US20190350401A1. Автор: Dirk Hagen Zimmermann. Владелец: Carrera Brands Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Safety device for centrifugal separator

Номер патента: US4267963A. Автор: Hugo Zurbruggen. Владелец: Westfalia Separator GmbH. Дата публикации: 1981-05-19.

Device for large mucosal ablation

Номер патента: RU2724014C1. Автор: Клаус Фишер,Маркус ЭНДЕРЛЕ,Томас ШТЕБЛЕР. Владелец: Эрбе Электромедицин Гмбх. Дата публикации: 2020-06-18.

Reclining device for mirror replacement system

Номер патента: RU2758534C2. Автор: Ханс РОРМЮЛЛЕР,Эрих ШЕНЕГГЕР-ФЕСЛЯЙТНЕР,Марк ШИППЛИНГ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2021-10-29.

Method and device for improvement of alternating currant power transmission system dispatching capabilities, system stability and power flow controllability using direct currant power transmission system

Номер патента: RU2343614C1. Автор: Стивен Уоллес ЭКРОУД. Владелец: Электрик Пауэр Рисерч Инститьют, Инк.. Дата публикации: 2009-01-10.

Method and device for fast and efficient compression and decompression of images

Номер патента: RU2727936C2. Автор: Бас ХУЛСКЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-07-27.

Lighting device for large electric appliances

Номер патента: RU2539922C1. Автор: Маттиас ВИДЕНМАНН,Александер ХАЙНРИХ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2015-01-27.

Thin film devices for flat panel displays and methods for forming the same

Номер патента: US20060030090A1. Автор: Chun-Huai Li,Yun-sheng Chen,Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-09.

Optically functional multilayer structure suitable for large area illumination and related method of manufacture

Номер патента: WO2024009000A1. Автор: Pasi Korhonen,Antti Keranen,Mikko Heikkinen,Hasse Sinivaara,Jarmo Sääski,Vinski Bräysy,Tapio Rautio,Tomi Simula,Janne ASIKKALA,Paavo NISKALA,Mikko SIPPARI,Outi Rusanen,Ville Wallenius,Samuli YRJANA,Pälvi Apilo,Taneli Salmi,Tero HEIKKINEN,Heikki Tuovinen,Suvi Kela,Johanna Juvani,Tero Rajaniemi,Simo Koivikko,Juha-Matti Hintikka,Olimpia Migliore,Juha Sepponen. Владелец: TactoTek Oy. Дата публикации: 2024-01-11.

Advance metering infrastructure system for large scale iot networks data collection by streaming

Номер патента: AU2020101173A4. Автор: Mohamed Abbas,Suresh Kallam,Rizwan Patan,Ramesh Sekaran,Mohamed Yasin Noor Mohamed. Владелец: Mohamed Mohamed Yasin Noor Dr. Дата публикации: 2020-08-06.

Active control method and device for large deformation of deep thin-bedded surrounding rock

Номер патента: US20240141786A1. Автор: Hua Zhou,Zhaofeng Wang,Xufeng LIU,Hailong Huang,Fugang ZHAO,Yangyi Zhou,Longhai Xi,Pengzhi Pan,Yelin Feng,Xuanjiao Zhen. Владелец: Huaneng Lancang River Hydropower Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and device for producing a blister tube, and blister tube

Номер патента: US12043464B2. Автор: Torben Schüttfort. Владелец: Becton Dickinson Rowa Germany GmbH. Дата публикации: 2024-07-23.

Aesthetic method of biological structure treatment by magnetic field

Номер патента: US12109426B2. Автор: Tomás Schwarz,Ondra Prouza. Владелец: BTL Medical Solutions AS. Дата публикации: 2024-10-08.

Spacer device for a heating system for heating large-area substrates, heating system, and heating method

Номер патента: US20240339354A1. Автор: Andreas Ludwig,Sergiy Borodin. Владелец: Singulus Technologies AG. Дата публикации: 2024-10-10.

Transfer device for transferring sample containers in a sample handling system

Номер патента: US20240329071A1. Автор: Tobias Huber,Avinash Addihalli Narayana. Владелец: Roche Diagnostics Operations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Device for evaporating a volatile fluid

Номер патента: US09877359B2. Автор: Steve Walsh,Ellen Piercy,Paul Duffield,Larry Tyson. Владелец: Reckitt and Colman Overseas Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

System of placement of implantable device

Номер патента: RU2670678C1. Автор: Эрик С. ТАММАМ. Владелец: Микротек Медикал Текнолоджис Лтд.. Дата публикации: 2018-10-24.

System of placement of implantable device

Номер патента: RU2670678C9. Автор: Эрик С. ТАММАМ. Владелец: Микротек Медикал Текнолоджис Лтд.. Дата публикации: 2018-12-17.

Method for manufacturing an unlimited length cellular geogrid and a device for its implementation

Номер патента: RU2654108C1. Автор: Евгений Анатольевич Пономаренко,Марина Александровна Яблокова,Александр Юрьевич Иваненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2018-05-16.

System of combustion chamber and device for selective non-catalytic reduction and nozzle

Номер патента: RU2686895C2. Автор: Саша КРЮГЕР,Йорг КРЮГЕР,Олифер ГОЛЬКЕ. Владелец: Дженерал Электрик Текнолоджи Гмбх. Дата публикации: 2019-05-06.

Operator-controlled scanning laser procedure designed for large-area epithelium removal

Номер патента: CA2668948C. Автор: Jonathan Wong,Mark E. Arnoldussen,Benjamin A. Logan. Владелец: AMO Manufacturing USA LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Apparatus for large area plasma processing

Номер патента: CA2752183C. Автор: Philippe Guittienne. Владелец: Helyssen Sarl. Дата публикации: 2018-12-11.

Electrostatic discharge protection network for large area transducer arrays

Номер патента: CA1310060C. Автор: Hsing Chien Tuan. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1992-11-10.

Fire extinguishing apparatus for large oil storage reservoirs

Номер патента: US4194572A. Автор: Jean P. Thery,Claude M. Alban,Albert P. Jordi. Владелец: Compagnie Francaise des Petroles SA. Дата публикации: 1980-03-25.

Method and apparatus for large area flicker reduction of video pictures

Номер патента: EP1679680A1. Автор: Carlos c/o Thomson Correa,Rainer c/o Thomson Zwing,Cédric c/o Thomson Thebault. Владелец: Deutsche Thomson Brandt GmbH. Дата публикации: 2006-07-12.

Synchronized Parallel Tile Computation for Large Area Lithography Simulation

Номер патента: US20200293023A1. Автор: Danping Peng,Junjiang Lei,Daniel Beylkin,Kenneth Lik Kin Ho,Sagar Trivedi,Fangbo Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Synchronized Parallel Tile Computation for Large Area Lithography Simulation

Номер патента: US20220291659A1. Автор: Danping Peng,Junjiang Lei,Daniel Beylkin,Kenneth Lik Kin Ho,Sagar Trivedi,Fangbo Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

System and method for large-area pulsed laser melting of metallic powder in a laser powder bed fusion application

Номер патента: WO2022115183A1. Автор: Andrew James Bayramian,James A. DEMUTH,Ning Duanmu,Yiyu SHEN,Saad A. Khairallah,John Roehling. Владелец: Seurat Technologies, Inc.. Дата публикации: 2022-06-02.

Manufacturing methods for large area silicon carbide devices

Номер патента: EP1428268B1. Автор: John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

System and method for large-area pulsed laser melting of metallic powder in a laser powder bed fusion application

Номер патента: EP4251351A1. Автор: Andrew James Bayramian,James A. DEMUTH,Ning Duanmu,Yiyu SHEN,Saad A. Khairallah,John Roehling. Владелец: Seurat Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Fastening System for Large-Area Metal Roof Coverings or Wall Claddings

Номер патента: US20210207379A1. Автор: Grant Craft. Владелец: Craft Holdings Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Full-laser scribing method for large-area copper indium gallium selenide thin-film solar cell module

Номер патента: US20180114876A1. Автор: Ning Zhang,Xinping YU,Wanlei Dai. Владелец: Beijing Sifang Crenergey Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Automatic firing apparatus for laser skin treatment over large areas

Номер патента: EP1223880B1. Автор: Robert E. Grove,Mark V. Weckwerth,James Z. Holtz,John P. Beale. Владелец: Laser Industries Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Adjustable aligning device for large composite moulds

Номер патента: WO2010103492A1. Автор: Gabriel Mironov. Владелец: Suzhou Red Maple Wind Blade Mould Co., Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Geographical identification forwarding method and device for area-oriented addressing

Номер патента: US20230047278A1. Автор: Tao ZOU,Congqi Shen,Shaofeng YAO,Zhongxia PAN,Hanguang Luo. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2023-02-16.

Pointing and interaction control devices for large scale tabletop models

Номер патента: US20210042008A1. Автор: ABHISHEK Sharma,John Vincent,Yifan Chen,Prashant Rao,James Mcbride,Shan Chy Chueh. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Adjustable aligning device for large composite moulds

Номер патента: EP2406049A1. Автор: Gabriel Mironov. Владелец: Suzhou Red Maple Wind Blade Mould Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-18.

Electromagnetic device for moving and/or lifting above the earth's surface and efficient space travel

Номер патента: WO1988001245A1. Автор: Joseph W. Newman. Владелец: Newman Joseph W. Дата публикации: 1988-02-25.

Device for removing bone or cement plug from femoral canal in revision hip endoprosthesis replacement surgery

Номер патента: RU2737334C9. Автор: Сергей Николаевич Измалков,Александр Николаевич Братийчук,Денис Игоревич Осин. Владелец: Денис Игоревич Осин. Дата публикации: 2021-01-22.

Implantable device for surgical treatment of hernia of esophageal opening of diaphragm

Номер патента: RU2698996C1. Автор: Бадри Валериевич Сигуа,Дмитрий Феликсович Черепанов,Сергей Станиславович Ельцин,Александр Борисович Гуслев. Владелец: Сергей Станиславович Ельцин. Дата публикации: 2019-09-02.

Apparatus and method of collecting magnetic particles captured by magnetic plug

Номер патента: RU2553721C2. Автор: Фабрис КОЛЛАДОН,Жилль БЕРТО. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-06-20.

Planar device for generating magnetic field with arbitrary direction

Номер патента: RU2552514C2. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Николай Николаевич Олюнин,Ки Ён Ким,Кум Су Сонг. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2015-06-10.

Implantable device with jumper

Номер патента: RU2637417C2. Автор: Екатерина ДЛУГАЧ,Надав АГИАН. Владелец: Микротек Медикал Текнолоджис Лтд.. Дата публикации: 2017-12-04.

Device for photodynamic therapy

Номер патента: RU2732348C1. Автор: Сергей Николаевич Потахин,Владимир Вячеславович Вуйко,Анна Александровна Губанова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "КВАРЦ". Дата публикации: 2020-09-15.

Method for providing the gap in the absorbed wheel and the device for its implementation

Номер патента: RU2662359C1. Автор: Геннадий Леонидович Багич. Владелец: Геннадий Леонидович Багич. Дата публикации: 2018-07-25.

Optical measuring device for vehicle and appropriate vehicle

Номер патента: RU2600495C2. Автор: Герд РАЙМЕ. Владелец: Герд РАЙМЕ. Дата публикации: 2016-10-20.

Photovoltaic power generation system, method and device for generating current and voltage, and storage medium

Номер патента: AU2021204718B2. Автор: Jun Xu,Xin CUI,Ping YUN,Houlai GENG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Photovoltaic power generation system, method and device for generating current and voltage, and storage medium

Номер патента: EP3937330A3. Автор: Jun Xu,Xin CUI,Ping YUN,Houlai GENG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Photovoltaic power generation system, method and device for generating current and voltage, and storage medium

Номер патента: EP3937330A2. Автор: Jun Xu,Xin CUI,Ping YUN,Houlai GENG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Photovoltaic power generation system, method and device for generating current and voltage, and storage medium

Номер патента: AU2021204718A1. Автор: Jun Xu,Xin CUI,Ping YUN,Houlai GENG. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Device for hemodynamic stabilization during tachycardias

Номер патента: EP1735051A1. Автор: Patrick Schauerte. Владелец: St Jude Medical GmbH. Дата публикации: 2006-12-27.

Filter switching device for fluorescence endoscopic television camera system

Номер патента: US9814370B2. Автор: Uk Kang,Vladimir Berezin,Soo Jin Bae,Garry V Papayan,Guang Hoon Kim,Min Woong Jung. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2017-11-14.

Device for the maintenance of semi-autogenous grinding mills used in large-scale mining

Номер патента: US20020170406A1. Автор: Jose Guzman,Luis Cerda,Justo Luna. Владелец: Corporacion Nacional del Cobre de Chile CODELCO. Дата публикации: 2002-11-21.

Injection device and procedure for using the device for introducing air and/or additive to the deeper layers of soil

Номер патента: CA3132713A1. Автор: Miklós Attila Tokés. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-15.

Counter-roller active power flexible spinning device for large cylinder

Номер патента: US20240226983A1. Автор: FAN LI,Shengdun ZHAO,Baiyang Liu,Hongzhong Xu,Yuxing Shen,Ruigeng Yang. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-11.

Calibration method and calibration device for large-size antenna arrays

Номер патента: US20240113427A1. Автор: Juinn-Horng Deng,Chung-Lien Ho,Siang-He Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-04-04.

Device for removing bone or cement plug from femoral canal in revision hip endoprosthesis replacement surgery

Номер патента: RU2737334C1. Автор: Сергей Николаевич Измалков,Александр Николаевич Братийчук,Игорь Дмитриевич Осин. Владелец: Осин Денис Игоревич. Дата публикации: 2020-11-27.

Method of operating large-size two-stroke diesel engine with cylinder longitudinal blow-out and large-size two-stroke diesel engine with cylinder longitudinal blow-out

Номер патента: RU2483220C2. Автор: Санграм Кисхоре НАНДА. Владелец: Вертзиле Швайц АГ. Дата публикации: 2013-05-27.

Device for sorption purification of spent dialysing

Номер патента: RU2624516C2. Автор: Роман Андреевич Лебедев,Николай Александрович Базаев,Кирилл Витольдович Пожар,Евгений Вадимович Стрельцов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭСДИАР". Дата публикации: 2017-07-04.

EXHAUST VALVE FOR LARGE-SIZE TWO-STROKE DIESEL ENGINE, METHOD OF DECREASING NOx CONTENT IN SAID ENGINE AND SAID ENGINE

Номер патента: RU2458229C1. Автор: Мадс Лютье КРИСТЕНСЕН. Владелец: Ман Дизель Энд Турбо, Филиал Аф Ман Дизель Энд Турбо Се, Тискланд. Дата публикации: 2012-08-10.

Method for treatment of malignant new-formations by magnetic hyperthermia and pharmaceutical compositions for application in indicated method

Номер патента: RU2633918C9. Автор: Александр Альбертович Штиль,Владимир Игоревич Зверев,Александр Метталинович Тишин,Алина Александровна Маркова,Александр Павлович Пятаков,Юрий Кузьмич Гунько,Регина Таировна Салахова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фармаг". Дата публикации: 2017-12-28.

Device for collection and storage of biological substances for subsequent analyses

Номер патента: RU2736279C1. Автор: Антон Валерьевич Андреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартиКидс". Дата публикации: 2020-11-13.

Method for loading goods, method for unloading goods and device for loading/unloading goods on the vehicle or in container

Номер патента: RU2676181C2. Автор: Даниель ШЕЕР,Лоран ВЕРДЬЕ. Владелец: Лор Электромеканик. Дата публикации: 2018-12-26.

Electric reactor controlled by magnetization

Номер патента: RU2699230C1. Автор: Иван Николаевич Степанов,Иннокентий Иванович Петров,Сергей Иннокентьевич Петров,Олег Иннокентьевич Петров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Чебоксарский энергоагрегат". Дата публикации: 2019-09-04.

Device for reduction of the stomach volume

Номер патента: RU2662656C1. Автор: Александр Владимирович Горшков,Нелли Рашидовна Валетова,Дмитрий Васильевич Гуров,Руслан Наилович Абдулкадеров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИЛИРУС". Дата публикации: 2018-07-26.

Implanted device for electrostimulation of auditory nerve

Номер патента: RU2484801C2. Автор: Эрвин С. ХОХМАЙР,Мартин ЦИММЕРЛИНГ. Владелец: Мед-Эль Электромедицинише Герэте Гмбх. Дата публикации: 2013-06-20.

Device for robotic-assisted surgery

Номер патента: RU2704961C2. Автор: Марсель ЗЕБЕР,Маркус БРАУН,Штефан БАРБЕР. Владелец: Аватерамедикал Гмбх. Дата публикации: 2019-10-31.

Impact shielding device for shot blasting chambers

Номер патента: US5669806A. Автор: Robert H. Samples, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-09-23.

Method and device for pose tracking using vector magnetometers

Номер патента: EP2828675A2. Автор: Fredrik Br GUSTAFSSON,Niklas T. WAHLSTRÖM. Владелец: SENIONLAB AB. Дата публикации: 2015-01-28.

Method and device for pose tracking using vector magnetometers

Номер патента: WO2013150385A2. Автор: Fredrik Br GUSTAFSSON,Niklas T. WAHLSTRÖM. Владелец: SENIONLAB AB. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for preparing implantable device for use

Номер патента: US20190314106A1. Автор: Amir M. Matityahu,John McDermott,Alan Grantz,Benjamin CLAWSON. Владелец: Epix Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Drum with sectional shell, sections joined by magnets

Номер патента: US7723594B2. Автор: G-Hong Hong. Владелец: Taiwan Falun Dafa Society. Дата публикации: 2010-05-25.

Method and apparatus for reducing image artifacts caused by magnet vibration in an MR imaging system

Номер патента: EP1102082A3. Автор: Xiaohong Zhou. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2003-10-15.

Sterilization tray for facilitating attachment of implant insertion device to implantable device

Номер патента: EP3531943A1. Автор: John McDermott,Alan Grantz,Benjamin CLAWSON,Amir Matityahu. Владелец: Epix Orthopaedics Inc. Дата публикации: 2019-09-04.

Methods and apparatus for signaling intra prediction for large blocks for video encoders and decoders

Номер патента: US12120307B2. Автор: QIAN Xu,PENG Yin,Joel Sole Rojals,Xiaoan Lu,Yunfei Zheng,Adeel Abbas. Владелец: InterDigital VC Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Implantable devices for musculoskeletal repair and regeneration

Номер патента: US09993346B2. Автор: Seth McCullen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Magnetic sheet, wireless charging sheet and method for manufacturing magnetic sheet

Номер патента: US09793741B2. Автор: Chang Ryul JUNG,Jeong Gu Yeo,Sung yong AN,Dong Hyeok Choi,Kang Ryong CHOI,Ji Man RYU. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Providing vehicles with electric energy by magnetic induction

Номер патента: US09688157B2. Автор: Jing Gao,Robert Czainski,Marnix Lannoije,Jeremie DESJARDINS. Владелец: BOMBARDIER TRANSPORTATION GMBH. Дата публикации: 2017-06-27.

External electronic ear device and cochlear implant device

Номер патента: US09656073B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Kuo-Liang Yeh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Device for detecting elevations and/or depressions on bottles, in particular in a labeling machine

Номер патента: US09533787B2. Автор: Rainer Kwirandt. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Implantable devices for musculoskeletal repair and regeneration

Номер патента: US09498335B2. Автор: Seth McCullen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-22.

Load transient, reduced bond wires for circuits supplying large currents

Номер патента: US09454170B2. Автор: Ludmil Nikolov,Ambreesh Bhattad. Владелец: Dialog Semiconductor GmbH. Дата публикации: 2016-09-27.

Device for deploying an implantable medical device

Номер патента: US09408736B2. Автор: John L. Loewen. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for increasing concentration of components recovered from rock slurry by magnetic method and recovering these low-loss components from magnetic separator

Номер патента: RU2557021C2. Автор: Райнхольд РИГЕР,Юрген ОСВАЛЬД. Владелец: Зименс Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2015-07-20.

Device for large volume vessels tightness control

Номер патента: RU2717700C1. Автор: Сергей Фёдорович Долбищев,Андрей Михайлович Смирнов,Виталий Валерьевич Герасименко,Сергей Николаевич Крючков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-03-25.

Method for lower limb ischemic involvement severity monitoring and device for its implementation

Номер патента: RU2688386C1. Автор: Александр Владимирович Быков,Николай Алексеевич Кореневский,Михаил Владимирович Артеменко,Дмитрий Евгеньевич Скопин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Power supply control device for residential houses, commercial and industrial facilities using network, auxiliary and renewable sources of electric energy and their combinations and method of intelligent control of connection of electric power sources

Номер патента: RU2692083C1. Автор: Михаил Валерьевич Ероховец. Владелец: Михаил Валерьевич Ероховец. Дата публикации: 2019-06-21.

Device for measurement of frequency error of thermoelectric converters

Номер патента: RU2672533C1. Автор: Александр Сергеевич Батурин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Технической Физики имени академика Е.И. Забабахина" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИТФ им. академ. Е.И. Забабахина"). Дата публикации: 2018-11-15.

Method of determining parameters of impedance of a two-terminal device and device for its implementation

Номер патента: RU2698072C1. Автор: Валерий Львович Ким,Семён Алексеевич Андреев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-08-21.

Way of heating downloaded cargo in cargo train and device for its implementation

Номер патента: RU2682803C1. Автор: Валерий Валерьевич Зубков,Нина Фридриховна Сирина,Дмитрий Львович Русин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный университет путей сообщения" (УрГУПС). Дата публикации: 2019-03-21.

Method for conversion circuit control and device for realisation of this method

Номер патента: RU2510835C2. Автор: Манфред ВИНКЕЛЬНКЕМПЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2014-04-10.

Radioisotopic method of measurement of dust development in mine openings and device for implementation

Номер патента: RU2656652C1. Автор: Борис Николаевич Поставнин,Валерий Викторович Кудряшов,Моисей Абрамович Иофис,Евгений Степанович Иванов,Сергей Сергеевич Кубрин,Елена Алексеевна Соловьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем комплексного освоения недр Российской академии наук (ИПКОН РАН). Дата публикации: 2018-06-06.

Low-sodium-content silicate solution prepared by magnetization technology to function as electrolyte for lead-acid storage batteries and use of such electrolyte

Номер патента: RU2258981C1. Автор: Юэшэн ФЭН,Д нь ХАН,Дянь ХАН,Ифен ФЭН. Владелец: ВАН Лиду. Дата публикации: 2005-08-20.

Device for control of high-voltage frequency converter

Номер патента: RU2699374C1. Автор: Рифхат Рамазанович Храмшин,Геннадий Петрович Корнилов,Тимур Рифхатович Храмшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И. Носова". Дата публикации: 2019-09-05.

Method and device for control of fluid pressure and/or volumetric flow rate

Номер патента: RU2487390C2. Автор: Рюдигер КОНРАД,Хайко МАРЦ. Владелец: Б/Е Аэроспейс Системз Гмбх. Дата публикации: 2013-07-10.

Method of forming parameters of electric signals for digital electrical substations and device for its implementation

Номер патента: RU2706723C1. Автор: Ильдар Ахатович Гиниятуллин,Глеб Борисович Гублер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Марс-Энерго". Дата публикации: 2019-11-20.

Device for preparation of a sample for analysis of impurities of low-volatile polar substances in liquid media

Номер патента: RU2697575C1. Автор: Сергей Александрович Нечаев,Людмила Артемовна Онучак,Юрий Иванович Арутюнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КимТэк". Дата публикации: 2019-08-15.

Method and device for detection of ground location of moving object, in particular aircraft in airplane

Номер патента: RU2380722C2. Автор: Фабьен ФЕТЦМАНН,Пьер КОЛЬДЕФИ,Стефан КОЛЛЕН,Тьерри МАЛАВАЛЬ. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2010-01-27.

Device for monitoring and managing the charge of batteries

Номер патента: RU2679883C1. Автор: Александр Сергеевич Евдокимов,Александр Вениаминович Карасев,Сергей Сергеевич Десяев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-02-14.

Control device for a rotating ac vehicle

Номер патента: RU2664782C1. Автор: Масато ИТО,Йосуке ХАТИЯ,Хисанори ЯМАСАКИ,Акира САТАКЕ. Владелец: Мицубиси Электрик Корпорейшн. Дата публикации: 2018-08-23.

Method for determining intervertebral implant device parameters of an intervertebral implant device for spinal fusion

Номер патента: WO2023170539A1. Автор: Meinrad Fiechter,Francesco Siccardi,Athos Ambrosini. Владелец: Medacta International SA. Дата публикации: 2023-09-14.

Selecting focusing area by gaze direction

Номер патента: EP2080365A1. Автор: Ola THÖRN,Martin Grip. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2009-07-22.

Method and device for call oriented programming

Номер патента: WO2007051531A3. Автор: Andreas Priesnitz. Владелец: Andreas Priesnitz. Дата публикации: 2007-07-05.

Method and device for measuring large-area and massive scattered field in nanoscale

Номер патента: US20160187248A1. Автор: Shiyuan LIU,Chuanwei ZHANG,Weichao DU,Yinyin TAN. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-30.

Implantable device for temporomandibular joint and method of production thereof

Номер патента: US20200129296A1. Автор: Manmadha A. CHARY,Aditya Mohan Alwala,Giridhar V. KUMAR,Ravi Y. KUMAR. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

Security and identity verification for neuromodulation therapy implant device programming

Номер патента: CA3148545A1. Автор: Brian Marc PEPIN,Miroslav Tchavdarov KOTZEV. Владелец: Rune Labs Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Security and identity verification for neuromodulation therapy implant device programming

Номер патента: WO2021035072A1. Автор: Brian Marc PEPIN,Miroslav Tchavdarov KOTZEV. Владелец: Rune Labs, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

Security and identity verification for neuromodulation therapy implant device programming

Номер патента: EP4017583A1. Автор: Brian Marc PEPIN,Miroslav Tchavdarov KOTZEV. Владелец: Rune Labs Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Exchangeable rail system for large turret bearing

Номер патента: EP3541698A1. Автор: Sigmund Askestad. Владелец: APL TECHNOLOGY AS. Дата публикации: 2019-09-25.

Exchangeable rail system for large turret bearing

Номер патента: AU2017361718B2. Автор: Sigmund Askestad. Владелец: APL Norway AS. Дата публикации: 2023-06-22.

Exchangeable rail system for large turret bearing

Номер патента: WO2018093269A1. Автор: Sigmund Askestad. Владелец: APL TECHNOLOGY AS. Дата публикации: 2018-05-24.

Method and device for non-destructive real-time measurements of residual stresses in planar and non-planar objects

Номер патента: WO2002035180A1. Автор: Leonid Mikhailovich Lobanov,John Petter Fjeldstad,Irina Evgenievna Fjeldstad,Nikolay Georgievich Kuvshinsky,Galina Ivanovna Tkachuk,Valeriy Aleksandrovich Pavlov,Nikolay Aleksandrovich Davidenko,Vjacheslav Avtonomovich Pivtorak,Irina Vladislavovna Kijanets,Sergey Gavrilovich Andrushchenko. Владелец: Holotech As. Дата публикации: 2002-05-02.

Method and device for non-destructive real-time measurements of residual stresses in planar and non-planar objects

Номер патента: EP1337804A1. Автор: Leonid Mikhailovich Lobanov,Irina Evgenievna Fjeldstad,Nikolay Georgievich Kuvshinsky,Galina Ivanovna Tkachuk,Valeriy Aleksandrovich Pavlov,Nikolay Aleksandrovich Davidenko,Vjacheslav Avtonomovich Pivtorak,Irina Vladislavovna Kijanets,Sergey Gavrilovich Andrushchenko,John Petter Di Fjeldstad. Владелец: Holotech As. Дата публикации: 2003-08-27.

Adjustable implantable devices and associated methods

Номер патента: US20240130734A1. Автор: Miles Alexander,Scott Robertson,William Jason Fox,Anthony Pantages,Peter Andriola,Brian Fahey,Jace Valls. Владелец: Shifamed Holdings LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for determining intervertebral implant device parameters of an intervertebral implant device for spinal fusion

Номер патента: AU2023231764A1. Автор: Meinrad Fiechter,Francesco Siccardi,Athos Ambrosini. Владелец: Medacta International SA. Дата публикации: 2024-08-01.

System and Method for Motion Estimation for Large-Size Block

Номер патента: US20140092974A1. Автор: FENG Zhou. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-03.

Method and apparatus for fixation of implantable device for urinary continence

Номер патента: US20240252301A1. Автор: John H. Burton,Timothy C. Cook. Владелец: Uromedia Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Multi-tenancy for large scale data management

Номер патента: US20240256400A1. Автор: XIANG Xu,Hao Wu,Arvind Swaminathan,Seungyeop HAN,Michael Wronski,Shrihari Kalkar,XiaoQing Tao,Kevin Mu,Sai Tanay Desaraju,Lokesh Jagasia,Anam Bhatia,Alex Medovar,Jinshuo Zhang. Владелец: Rubrik Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and device for controlling an industrial system

Номер патента: EP2537073A2. Автор: Thomas Hubauer,Steffen Lamparter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-12-26.

Method and apparatus for fixation of implantable device for urinary continence

Номер патента: US11759301B2. Автор: John H. Burton,Timothy C. Cook. Владелец: Uromedica Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Techniques for large round trip times in random access channel procedures

Номер патента: US12058739B2. Автор: Tao Luo,Xiaoxia Zhang,Jing Sun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Devices for removing clot material from intravascularly implanted devices, and associated systems and methods

Номер патента: AU2023208030A1. Автор: Philippe Marchand,Hieu Minh Luong,John Coleman Thress,Taylor SCHEINBLUM,Derek Hauschka. Владелец: Inari Medical Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Adjustable implantable devices and associated methods

Номер патента: US20240225661A9. Автор: Miles Alexander,Scott Robertson,William Jason Fox,Anthony Pantages,Peter Andriola,Brian Fahey,Jace Valls. Владелец: Shifamed Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Devices for removing clot material from intravascularly implanted devices, and associated systems and methods

Номер патента: US20230218310A1. Автор: Philippe Marchand,Hieu Minh Luong,John Coleman Thress,Taylor SCHEINBLUM,Derek Hauschka. Владелец: Inari Medical Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Implantable devices for the sustained delivery of an opioid antagonist and methods for treating inflammatory, neuroinflammatory and metabolic disorders

Номер патента: WO2023164438A1. Автор: Gregory A. WATKINS. Владелец: Delpor, Inc.. Дата публикации: 2023-08-31.

Implantable device for delivery of therapeutic agents

Номер патента: WO2009055015A1. Автор: Michael S. Williams,Wenda Carlyle. Владелец: Synecor, Llc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method and device for measurement of speed of currents and wave processes in ocean

Номер патента: RU2556324C1. Автор: Геннадий Васильевич Смирнов,Том Анатольевич Дозоров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт океанологии им. П.П. Ширшова Российской академии наук. Дата публикации: 2015-07-10.

Device for cables protection from snow sticking, icing and large wave actions

Номер патента: RU2519284C2. Автор: Кирилл Николаевич Войнов. Владелец: Кирилл Николаевич Войнов. Дата публикации: 2014-06-10.

Method and device for preventing aneurysm occurrence in repairing aorta and large arteries

Номер патента: RU2245109C1. Автор: А.И. Чернов,В.Э. Гюнтер,С.В. Быстров,О.А. Ивченко,А.О. Ивченко,нинов А.Н. Двор,А.Н. Дворянинов. Владелец: Дворянинов Александр Николаевич. Дата публикации: 2005-01-27.

Process determining energy consumption in a c circuits and device for its implementation

Номер патента: RU2143701C1. Автор: Владимир Николаевич Клименко,Александр Григорьевич Лисняк,Сергей Владимирович Клисенко,Александр Михайлович Заславский,Михаил Исаакович Ганопольский,Илья Яковлевич Ходак,Иль Яковлевич Ходак,Евгений Владимирович Ружников,Юрий Васильевич Войцешко,к Александр Григорьевич Лисн. Владелец: Михаил Исаакович Ганопольский. Дата публикации: 1999-12-27.

Improvements in Alternating Current Electric Motors for Operating Commuting Devices for Converting Alternating into Continuous Currents, and other purposes.

Номер патента: GB189605479A. Автор: Anthony Strong Frazer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-03-11.

Device for measuring voltages of electric current and optic unit for scaling parameters of process under study

Номер патента: SU1474556A1. Автор: Василий Яковлевич Чубатенко. Владелец: Киевский институт автоматики им.ХХУ съезда КПСС. Дата публикации: 1989-04-23.

Device for measuring phase shift between current and voltage

Номер патента: SU570850A1. Автор: Лейб Шмаевич Херец,Виктор Хемович Полещук. Владелец: Poleshchuk Viktor Kh. Дата публикации: 1977-08-30.

Device for measuring phase shift between current and voltage of self-excited inverter

Номер патента: SU1051666A1. Автор: Юрий Николаевич Петренко,Геннадий Игнатьевич Гульков,Валерий Павлович Беляев,Александр Михайлович Василевский. Владелец: Белорусский Ордена Трудового Красного Знамени Политехнический Институт. Дата публикации: 1983-10-30.

Device for providing current protection of current and voltage sources

Номер патента: SU1117768A1. Автор: Виктор Моисеевич Портной,Владимир Борисович Друзь. Владелец: Druz Vladimir B. Дата публикации: 1984-10-07.

Device for touch-free measurements of current and voltage

Номер патента: SU1064211A1. Автор: Богдан Иванович Блажкевич,Владимир Григорьевич Николайченко,Борис Константинович Казуров. Владелец: Проектно-конструкторское бюро электрогидравлики. Дата публикации: 1983-12-30.

Device for measuring phase shift between current and voltage

Номер патента: SU777593A1. Автор: Лейб Шмаевич Херец,Юрий Николаевич Величко. Владелец: За витель. Дата публикации: 1980-11-07.

Device for preliminary setting of anode current and anode voltage in diagnostic X-ray machines

Номер патента: SU103734A1. Автор: Г.К. Евдокимов. Владелец: Г.К. Евдокимов. Дата публикации: 1955-11-30.

Electrometric device for contact-free measurement of current and depth of underground trunk pipeline bedding

Номер патента: RU2370783C2. Автор: Юрий Кириллович Федосенко. Владелец: ЗАО НИИИН МНПО "Спектр". Дата публикации: 2009-10-20.

Device for load protection against abnormal current and voltage in ac mains incorporating amplitude limiter

Номер патента: RU2223583C2. Автор: к В.Н. Крес,В.Н. Кресяк,к С.В. Крес,С.В. Кресяк. Владелец: Кресяк Сергей Витальевич. Дата публикации: 2004-02-10.

Device for detecting coaxiality of main shaft hole and large oil seal hole of diesel engine block

Номер патента: CN103486951A. Автор: 蔚洪波,靳银柱. Владелец: CSR Luoyang Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-01.

Auxiliary device for disassembling and assembling inner connecting rod and large end cover of diesel engine

Номер патента: CN213647383U. Автор: 王奕霖,姚姜华. Владелец: Zhejiang Ocean University ZJOU. Дата публикации: 2021-07-09.

Device for measuring load radial clearance between medium and large radial bearings

Номер патента: CN202267471U. Автор: 刘永亮,谢华永,张帅军,康延辉,孙金花. Владелец: Luoyang LYC Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-06.

Integrated device for mounting steel jacking structure of high and large concrete column

Номер патента: CN214364852U. Автор: 张庆,向阳辉,李永佳,潘学强,鲁爱国. Владелец: China Construction Third Bureau Green Industry Investment Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-08.

Device for detecting coaxiality of main shaft hole and large oil seal hole of diesel engine block

Номер патента: CN203550897U. Автор: 蔚洪波,靳银柱. Владелец: CSR Luoyang Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL APPARATUS FOR PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION OF A DIELECTRIC SUBSTRATE

Номер патента: US20120000421A1. Автор: Singh Vikram,Miller Timothy,Leavitt Christopher J.,Godet Ludo. Владелец: VARIAN SEMICONDUTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ION IMPLANTED BEAM DUMP

Номер патента: US20120001061A1. Автор: Zillmer Andrew J.. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of pulse-periodic ion and plasma treatment of product and device for its realization

Номер патента: RU2113538C1. Автор: А.И. Рябчиков,С.В. Дектярев. Владелец: Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом университете. Дата публикации: 1998-06-20.

Ion implantation method for surfaces of parts made from structural steel

Номер патента: RU2581536C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Андреевна Жданович,Татьяна Юрьевна Скакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный машиностроительный университет (МАМИ)" (Университет машиностроения). Дата публикации: 2016-04-20.

Ion implantation method

Номер патента: RU2403646C1. Автор: Владимир Николаевич Неволин,Вячеслав Юрьевич Фоминский,Роман Иванович Романов. Владелец: ФГБОУ ВПО Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". Дата публикации: 2010-11-10.

Intragastric Implant Devices

Номер патента: US20120004676A1. Автор: Vargas Jaime. Владелец: IBIS Medical, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ion implantation method of surfaces of parts from structural steel

Номер патента: RU2482218C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Ирина Рафаиловна Шляпина,Светлана Викторовна Якутина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2013-05-20.

Ion implantation method of surfaces of parts from titanium alloy

Номер патента: RU2536843C1. Автор: Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Дмитрий Александрович Козлов,Надежда Владимировна Учеваткина,Ольга Валерьевна Семендеева,Ольга Андреевна Жданович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2014-12-27.

REACTIVE SPUTTERING ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES ONTO LARGE AREA SUBSTRATES

Номер патента: US20120000773A1. Автор: HOSOKAWA AKIHIRO,Stimson Bradley O.,Inagawa Makoto,Ye Yan,Kadam Ankur,Li Yanping,Lau Allen Ka-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR CONNECTING TUBES MADE OUT OF THERMOPLASTIC MATERIAL

Номер патента: US20120003411A1. Автор: Strübin Pierre,Chuat René,Grosjean Yoland. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Tin ion-implanted silicon oxide film on silicon substrate

Номер патента: RU2535244C1. Автор: Всеволод Семенович Кортов,Анатолий Федорович Зацепин,Евгений Александрович Бунтов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2014-12-10.

Ion implantation method

Номер патента: RU2181787C2. Автор: В.В. Будилов,Р.М. Киреев,Р.Д. Агзамов. Владелец: Уфимский государственный авиационный технический университет. Дата публикации: 2002-04-27.

Procedure for ion implantation of surface of items of steel 30xgch2a

Номер патента: RU2430991C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Светлана Викторовна Якутина,Дмитрий Александрович Козлов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный индустриальный университет. Дата публикации: 2011-10-10.

Method of copper and lead ions implantation into the construction steel

Номер патента: RU2442843C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Светлана Викторовна Якутина,Дмитрий Александрович Козлов,Алексей Сергеевич Немов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет"(ФГБОУ ВПО "МГИУ"). Дата публикации: 2012-02-20.

Method of identifying the pattern of ion-implant component on die substrate

Номер патента: MY138318A. Автор: Kuan Siew Hor,Darakorn Sae Le Le Su Chin,Ho Le Ngoh. Владелец: Mini Circuits Technologies Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2009-05-29.

Ion-implantation treatment method of parts from titanium alloys

Номер патента: RU2479667C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Сергей Петрович Павлинич,Анатолий Михайлович Смыслов,Василий Андреевич Гонтюрев,Марина Константиновна Смыслова,Константин Сергеевич Селиванов,Михаил Юрьевич Дыбленко,Вячеслав Юрьевич Гордеев. Владелец: Вячеслав Юрьевич Гордеев. Дата публикации: 2013-04-20.

Ion implantation unit cathode

Номер патента: RU2501886C1. Автор: Анатолий Дмитриевич Шляпин,Антон Николаевич Кравченков,Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Светлана Викторовна Якутина,Надежда Владимировна Учеваткина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2013-12-20.

Communication System Using an Implantable Device

Номер патента: US20120004527A1. Автор: . Владелец: PROTEUS BIOMEDICAL, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Ion implantation method of surfaces of parts made from structural steel

Номер патента: RU2465373C1. Автор: Виктор Васильевич Овчинников,Елена Владимировна Лукьяненко,Юрий Михайлович Боровин,Ирина Рафаиловна Шляпина,Дмитрий Александрович Козлов,Екатерина Александровна Серикова,Виктор Васильевич Овчинников (RU),Юрий Михайлович Боровин (RU),Екатерина Александровна Серикова (RU),Елена Владимировна Лукьяненко (RU),Ирина Рафаиловна Шляпина (RU),Дмитрий Александрович Козлов (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный индустриальный университет". Дата публикации: 2012-10-27.

Implanted device, controlled by magnetic field, and method of medication release therefrom

Номер патента: RU2563387C2. Автор: Юрий Иванович Спичкин,Владимир Игоревич Зверев,Александр Метталинович Тишин,Александр Павлович Пятаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фармаг". Дата публикации: 2015-09-20.

Improvements in Devices for Protectig Electric Distribution Systems and Apparatus against Reversal of Energy.

Номер патента: GB190514565A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1906-07-14.

TIRE PRESSURE MONITORING DEVICE HAVING POWER SUPPLIED BY MAGNETIC INDUCTION

Номер патента: US20120000277A1. Автор: Fischer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR ELIMINATING SPLICING FRAMES A DISPLAY SCREEN

Номер патента: US20120001830A1. Автор: Xia Zhanmin,Ding Weikang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and device for erasing recorded information (variants)

Номер патента: RU2323491C2. Автор: Александр Юрьевич Митягин,Максим Владимирович Фесенко,Борис Васильевич Хлопов,Михаил Михайлович Крутов,гин Александр Юрьевич Мит. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие Центральный научно-исследовательский радиотехнический институт имени академика А.И. Берга. Дата публикации: 2008-04-27.

Suppression of transient enhanced diffusion in ion implanted silicon

Номер патента: WO1998020525A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-08-27.

Method and device for magnetic relief of internal actuators of space vehicle

Номер патента: RU2070148C1. Автор: Ю.И. Григорьев,В.Н. Платонов,В.Н. Мельников,В.А. Кошелев,Б.А. Медников,Г.Г. Халов,А.А. Никонов,М.Б. Черток,С.А. Клестов,Г.Ф. Лимин. Владелец: Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева. Дата публикации: 1996-12-10.

Method and device for controlling thyristors of reverse transformer for powering anchor circuit of constant current electric motor (variants)

Номер патента: RU2308142C2. Автор: Юрий Александрович Карпук,Валерий Баширович Сайфутдинов,Александр Иванович Магдалев. Владелец: Открытое акционерное общество "Новолипецкий металлургический комбинат" (ОАО "НЛМК"). Дата публикации: 2007-10-10.

Device for acting on biological object by magnetic field

Номер патента: RU2290970C2. Автор: Наталья Станиславовна Девяткова,Евгения Петровна Лобкаева,Игорь Дмитриевич Шевцов,Евгени Петровна Лобкаева,шов Леонид Васильевич Кудр,Леонид Васильевич Кудряшов,Вадим Иванович Комиссаров,ткова Наталь Станиславовна Дев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП - "РФЯЦ - ВНИИЭФ". Дата публикации: 2007-01-10.

Method and Device for Scanning Induction Thermography Having a Flexible Movement Path

Номер патента: US20120002036A1. Автор: Goldammer Matthias,Rothenfusser Max,Vrana Johannes L.. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

Ion Implantation Device with Interlock Function

Номер патента: KR19990079787A. Автор: 김태우. Владелец: 김덕중. Дата публикации: 1999-11-05.

Device for collecting samples from pressurised container

Номер патента: RU2400724C1. Автор: Ильдар Зафирович Денисламов,Артур Маратович Галимов,Рустам Вилович Сахаутдинов,Альберт Рафагатович Саетов,Азат Минзакиевич Вагизов. Владелец: Рустам Вилович Сахаутдинов. Дата публикации: 2010-09-27.

Improvements in and relating to Electro-magnetic Devices for Doing Work on any Restrained Body.

Номер патента: GB190619486A. Автор: . Владелец: Belliss and Morcom Ltd. Дата публикации: 1907-03-28.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for synthesis of coatings

Номер патента: RU2531373C1. Автор: Сергей Николаевич Григорьев,Марина Александровна Волосова,Александр Сергеевич Метель,Юрий Андреевич Мельник,Василий Петрович Болбуков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2014-10-20.

Method and device for magnetic attachment of light-emitting diode module to transparent sheet

Номер патента: RU2555767C1. Автор: Алексей Викторович Шторм. Владелец: Алексей Викторович Шторм. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of extraction of gold and device for realization of this method

Номер патента: RU2204442C2. Автор: В.П. Мязин,Н.И. Закиева,О.И. Рыбакова,зин В.П. М,Р.Б. Закиев. Владелец: Читинский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-05-20.

Method and device for control of non-uniformity of thickness of walls of inaccessible pipelines

Номер патента: RU2596862C1. Автор: Юрий Леонидович Колесников,Ольга Вадимовна Баранова,Анастасия Сергеевна Птицына. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2016-09-10.

Method and device for treatment of cementing plugging slurry

Номер патента: RU2117750C1. Автор: В.И. Лесин,И.Р. Василенко,А.Я. Хавкин. Владелец: Всероссийский нефтегазовый научно-исследовательский институт. Дата публикации: 1998-08-20.

Method and device for manufacturing fractured particles of different materials

Номер патента: RU2061590C1. Автор: Виктор Васильевич Смердов,Максим Викторович Смердов. Владелец: Максим Викторович Смердов. Дата публикации: 1996-06-10.

Device for pipe gripping in tubing traveling system

Номер патента: RU2176305C1. Автор: В.Н. Мартынов,А.А. Глух,Г.М. Гречушкин. Владелец: Закрытое акционерное общество НПАК "РАНКО". Дата публикации: 2001-11-27.

Method for reproduction of magnetic signals and device for implementation of said method

Номер патента: RU2047913C1. Автор: Ю.Н. Баранов,Е.Н. Любушкин,С.Н. Батюк. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Технолюкс-2". Дата публикации: 1995-11-10.

Improvements in or connected with Magnetic Devices for Gripping and Releasing Bodies, applicable for use with Cranes, Hoists, Winches and the like.

Номер патента: GB190403746A. Автор: August Reichwald. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-03-24.

Ion implantation equipment in semiconductor manufacturing process

Номер патента: KR19980073451A. Автор: 이기영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-11-05.

Ferroresonant voltage regulator incorporating auxiliary winding for large current magnitudes of short duration

Номер патента: CA1120542A. Автор: Bruno Degregorio,Bronislaw T. Szpakowski. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1982-03-23.

DEVICE FOR A PHOTOCHEMICAL PROCESS

Номер патента: US20120003734A1. Автор: Mohr Martin,EMMINGER Franz. Владелец: ECODUNA TECHNOLOGIE GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

CORE-SHEATH IMPLANT DEVICE HAVING AN INNER CORE LOBE

Номер патента: US20120004724A1. Автор: Hudson Michael E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for diagnosis using biochips

Номер патента: RU2371721C2. Автор: Сергей Владимирович Бирюков,Владимир Николаевич Афанасьев,Игорь Петрович Белецкий,Гайда Владиславовна Афанасьева. Владелец: Закрытое акционерное общество "Молекулярно-медицинские технологии". Дата публикации: 2009-10-27.

Method and device for determining error of measuring bridge for large values of direct current

Номер патента: RU2271018C1. Автор: Илья Борисович Болотин,Иль Борисович Болотин,Марк Даниилович Клионский,Ирина Алексеевна Пузырева. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт высоковольтного аппаратостроения" (ОАО "НИВА"). Дата публикации: 2006-02-27.

VERTICALLY ADJUSTABLE SUPPORT DEVICE FOR LAUNDRY

Номер патента: US20120000865A1. Автор: Cangialosi Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND MOULDING DEVICES FOR MOULDING THREE-DIMENSIONAL PRODUCTS

Номер патента: US20120003374A1. Автор: Van Der Eerden Hendricus Franciscus Jacobus Maria,Meskendahl Dirk,Beijaard Barend Jacobus Emmanuel,Verhoeven Cornelis Laurentius Bernardus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for therapy and device for its implementation

Номер патента: RU2203017C2. Автор: П.В. Самостаев. Владелец: Самостаев Павел Викторович. Дата публикации: 2003-04-27.

Device for arcless disconnection of dc inductive circuit

Номер патента: RU2109363C1. Автор: Владимир Леонтьевич Лотоцкий,Сергей Владимирович Лотоцкий. Владелец: Сергей Владимирович Лотоцкий. Дата публикации: 1998-04-20.

Method and device for pulse close-die forging of metals by induction melt retention

Номер патента: RU2555278C2. Автор: Анатолий Евгеньевич Волков. Владелец: Анатолий Евгеньевич Волков. Дата публикации: 2015-07-10.

Device for checking air-tightness of spacecraft structural components

Номер патента: RU2418305C1. Автор: Николай Данилович Семкин,Михаил Владимирович Изюмов,Алексей Михайлович Телегин,Михаил Павлович Калаев,Кирилл Игоревич Вергунец. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С.П. Королева (СГАУ). Дата публикации: 2011-05-10.

Measuring device for spatial distribution of energy flux density in beam cross-section (pulsed and continuous) of high-intensity and photon energy directional radiation, and patient organs localisation

Номер патента: RU2334251C1. Автор: Владимир Дмитриевич Дмитриев,Борис Васильевич Румянцев,Григорий Петрович Тюрин,нцев Борис Васильевич Рум,Валерий Анатольевич Тренкин,Леонард В чеславович Драпчинский,Леонард Вячеславович Драпчинский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СимЛаб". Дата публикации: 2008-09-20.

Implanted device for surgical treatment of urine incontinence (2 versions)

Номер патента: RU2425655C1. Автор: Сергей Борисович Петров,Валерий Анатольевич Жуковский,Татьяна Сергеевна Филипенко,Ирина Ивановна Жуковская,Дмитрий Дмитриевич Шкарупа,Галина Алексеевна Галошина,Александр Викторович Куренков,Иван Владимирович Карнаухов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Линтекс" (ООО "Линтекс"). Дата публикации: 2011-08-10.

Improvements in Tangent Sighting-devices for Ordnance.

Номер патента: GB190108811A. Автор: Lloyd Wise William. Владелец: Skodawerke Ag. Дата публикации: 1901-06-01.

Rotor balancing device for large mass

Номер патента: WO2024192670A1. Автор: Jun Wang,Xing Zhang,Xiaofeng XIU. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Improvements in Apparatus for Aerating Liquids and Distributing them over Large Areas.

Номер патента: GB190427948A. Автор: . Владелец: Mather and Platt Ltd. Дата публикации: 1905-10-12.

POWER DISTRIBUTION DEVICE FOR DISTRIBUTING POWER AND A METHOD FOR THE DISTRIBUTION OF POWER

Номер патента: US20120001481A1. Автор: Thiel Sebastian,Koeppen Carsten. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

SOC CORRECTABLE POWER SUPPLY DEVICE FOR HYBRID CAR

Номер патента: US20120004799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR MONITORING A PHOTOVOLTAIC UNIT

Номер патента: US20120004870A1. Автор: Ney Jörg-Werner. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for measuring air space

Номер патента: RU2318183C1. Автор: Игорь Иосифович Радчик,Олег Борисович Скворцов,Вячеслав Михайлович Тараканов,В чеслав Михайлович Тараканов,Евгений Степанович Трунин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Диамех 2000". Дата публикации: 2008-02-27.

Method for influence by magnetic field onbiological object

Номер патента: RU2245177C2. Автор: Виктор Владимирович Малашенок,Виктор Владимирович Малашенок (UA). Владелец: Виктор Владимирович Малашенок. Дата публикации: 2005-01-27.

Device for inspecting air gap

Номер патента: RU2318184C1. Автор: Игорь Иосифович Радчик,Олег Борисович Скворцов,Вячеслав Михайлович Тараканов,В чеслав Михайлович Тараканов,Евгений Степанович Трунин,Сергей Алексеевич Королев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Диамех 2000". Дата публикации: 2008-02-27.

Dry full ration fodder for large breed dogs balanced in terms of amino acid composition with proved bio-functional properties (versions)

Номер патента: RU2537555C2. Автор: Георгий Юрьевич Лаптев,Илья Николаевич Никонов,Ольга Владимировна Королева,Владимир Олегович Попов,Илья Владимирович Николаев,Ксения Валерьевна Лисицкая,Анна Алексеевна Торкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биохимии им. А.Н. Баха Российской академии наук. Дата публикации: 2015-01-10.

Transport system for large-size and large-weight object and method of its motion in crosswise direction

Номер патента: RU2385239C1. Автор: Евгений Юрьевич Сундуков. Владелец: Институт биологии Коми научного центра Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-03-27.

Method providing an increase of wear resistance of metal-cutting tools made out of tool steels by magnetic-pulse treatment with a preheating and an installation for its realization

Номер патента: RU2244023C2. Автор: А.Г. Овчаренко,С.А. Ольховой,А.Н. Ромашев. Владелец: Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова. Дата публикации: 2005-01-10.

Sweeping method of sea mines and device for its implementation

Номер патента: RU2415049C1. Автор: Виктор Петрович Андреев,Вячеслав Петрович Струев,Юрий Константинович Шаляпин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт имени акад. А.Н. Крылова" (ФГУП "ЦНИИ им. акад. А.Н. Крылова"). Дата публикации: 2011-03-27.

Device for detection and classification of metal objects

Номер патента: RU2331113C2. Автор: Виктор Георгиевич Арсентьев,Сергей Петрович Абаренов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (ГОУ ВПО "СибГУТИ"). Дата публикации: 2008-08-10.

Method and device for studying functional state of brain

Номер патента: RU2248745C1. Автор: Б.Е. Смирнов,А.А. Скоморохов,С.М. Захаров. Владелец: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННО-КОНСТРУКТОРСКАЯ ФИРМА "Медиком МТД". Дата публикации: 2005-03-27.

Device for compensation of one-phased capacity closing currents and for limiting internal overvoltages in high-voltage networks

Номер патента: RU2284083C2. Автор: Тать на Ивановна Ефименко,Татьяна Ивановна Ефименко. Владелец: Татьяна Ивановна Ефименко. Дата публикации: 2006-09-20.

Device for determination of power components within three-phase three-wire ac circuits

Номер патента: RU2463613C1. Автор: Сергей Николаевич Чижма. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Омский государственный университет путей сообщения. Дата публикации: 2012-10-10.

Method for differential protection of thyristor booster device for regulation and stabilization of voltage

Номер патента: RU2704628C1. Автор: Анатолий Александрович Асабин,Александр Леонидович Куликов,Елена Николаевна Соснина,Евгений Валерьевич Крюков,Антон Александрович Колесников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Method for generation of double-frequency current of inductor and device for generation of double-frequency current of inductor

Номер патента: RU2399168C1. Автор: Юрий Михайлович Казанцев,Святослав Константинович Земан,Александр Владимирович Осипов,Алексей Васильевич Юшков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Магнит". Дата публикации: 2010-09-10.

Cart for large-size products transportation

Номер патента: RU2463190C2. Автор: Сергей Николаевич Силенков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский институт радио. Дата публикации: 2012-10-10.

Device for cleaning shot in shot-blasting

Номер патента: RU2095228C1. Автор: М.П. Зуев,Е.И. Серюков,Л.Б. Нечиперович. Владелец: Открытое акционерное общество "ГАЗ". Дата публикации: 1997-11-10.

Device for monitoring condition of high-voltage leads

Номер патента: RU2401434C1. Автор: Григорий Матвеевич Цфасман. Владелец: Григорий Матвеевич Цфасман. Дата публикации: 2010-10-10.

Method of forming proton images obtained by magnetic optics operating with magnification

Номер патента: RU2536103C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков,Игорь Васильевич Храмов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ", Российская Федерация. Дата публикации: 2014-12-20.

Method of checking vehicle braking system and device for realising said method

Номер патента: RU2395067C1. Автор: Василий Васильевич Ефанов. Владелец: Василий Васильевич Ефанов. Дата публикации: 2010-07-20.

Method and device for transceiving information

Номер патента: RU2304846C1. Автор: Ирина Алексеевна Кулик,нкин Юрий Олегович Бу,Юрий Олегович Буянкин,Валерий Васильевич Грабошников,Владимир Александрович Джанибеков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СитиЛинк". Дата публикации: 2007-08-20.

Method for control of thyristors in reversible three-phase thyristor drive and device for its implementation

Номер патента: RU2498493C2. Автор: Вячеслав Семенович Осипов,Юрий Иванович Лютахин,Александр Викторович Котенев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2013-11-10.

Device for monitoring of high-voltage bushing and annunciation of their insulation condition

Номер патента: RU2328009C1. Автор: Алексей Антонович Шеремет,Александр Анатольевич Тарасов. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2008-06-27.

Method and device for electrical energy transmission

Номер патента: RU2473160C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Владимир Захарович Трубников,Алексей Иосифович Некрасов,Антон Алексеевич Некрасов,Владимир Александрович Королев,Евгений Иванович Харагезов. Владелец: Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2013-01-20.

Switching method for excitation of parametric resonance of electric oscillations and device for its realisation

Номер патента: RU2386207C2. Автор: Александр Михайлович Зубков,Михаил Викторович Зубков. Владелец: Михаил Викторович Зубков. Дата публикации: 2010-04-10.

Computerized device for high-speed charge of storage batteries with asymmetric current

Номер патента: RU2319275C1. Автор: Павел Семенович Матекин,Георгий Павлович Сметанкин,Александр Сергеевич Бурдюгов,Сергей Семенович Матекин,Дмитрий Олегович Варламов. Владелец: Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт электровозостроения" (ОАО "ВЭлНИИ"). Дата публикации: 2008-03-10.

Device for treatment and diagnostics of gastrointestinal tract

Номер патента: RU2325931C2. Автор: Юрий Григорьевич Шапкин,Сергей Николаевич Потахин,Александр Владимирович Юдин. Владелец: Сергей Николаевич Потахин. Дата публикации: 2008-06-10.

Method and device for wireless transmission of electric power

Номер патента: RU2322745C2. Автор: Юрий Альбертович Мартынов. Владелец: Юрий Альбертович Мартынов. Дата публикации: 2008-04-20.

Device for determining electrical resistance of metals and alloys

Номер патента: RU2437085C1. Автор: Борис Батокович Алчагиров,Лиана Хазраталиевна Афаунова,Зарета Арсеновна Кегадуева,Фатима Феликсовна Дышекова,Мурат Хазизович Фарзалиев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-12-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.