ultra high density integrated circuit semiconductor package and method for fabricating the same
Номер патента: KR100290886B1
Опубликовано: 12-07-2001
Автор(ы): 최신
Принадлежит: 김영환, 현대반도체 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-07-2001
Автор(ы): 최신
Принадлежит: 김영환, 현대반도체 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor Package, Semiconductor Device and Method of Forming the Same
Номер патента: US20170092634A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chih-Fan Huang,Tsai-Tsung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.