一种基于高介电常数栅介电层的铟铝锌氧化物薄膜晶体管及其全室温制备方法.

一种基于高介电常数栅介电层的铟铝锌氧化物薄膜晶体管及其全室温制备方法

Номер патента: CN110299415A
Опубликовано: 01-10-2019
Автор(ы): 冯先进, 徐伟东
Принадлежит: Shandong University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

A kind of preparation method of bottom emitting top-gated self-aligned thin film transistor

Номер патента: CN107808826A. Автор: 王国英,宋振,陈江博. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-16.

Multifunctional MZO-Based Negative Capacitance Thin Film Transistor on Glass or Flexible Substrates

Номер патента: US20240006507A1. Автор: Yicheng Lu,Fangzhou YU,Wen-Chiang Hong. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2024-01-04.

Multifunctional mzo-based negative capacitance thin film transistor on glass or flexible substrates

Номер патента: WO2022040702A3. Автор: Yicheng Lu,Fangzhou YU,Wen-Chiang Hong. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2022-03-31.

Thin film transistor compristing light shielding layer and light blocking portion and method for manufacturing the same, display panel and display device

Номер патента: US20200381561A9. Автор: Wei Li,Jiangbo Chen,Liangchen YAN,Young Suk Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Thin film transistor and preparation method therefor, display panel, and display device

Номер патента: EP3627560A1. Автор: Wei Li,Jiangbo Chen,Liangchen YAN,Young-suk Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09941410B2. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Epitaxial layers on contact electrodes for thin-film transistors

Номер патента: US20200098875A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Charles Kuo,Sean Ma,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory cells based on vertical thin-film transistors

Номер патента: US20200194434A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-18.

Display panel, thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09368634B2. Автор: Henry Wang,Xue-Hung TSAI,Chuang-Chuang Tsai,Wei-Tsung Chen,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, an array substrate and a display device

Номер патента: US09502570B2. Автор: XIANG Liu,Gang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Channel structures for thin-film transistors

Номер патента: US11881517B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Van H. Le,Sean Ma,Cory Weber. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09698278B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Contact electrodes for vertical thin-film transistors

Номер патента: US20200098930A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Miriam Reshotko,Tahi GHANI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of forming oxide thin film and method of fabricating oxide thin film transistor using hydrogen peroxide

Номер патента: US09558941B2. Автор: Hyun Jae Kim,Jeong Moo Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-01-31.

Field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, manufacturing method of field effect transistor using amorphous oxide film as channel layer, and manufacturing method of amorphous oxide film

Номер патента: US7956361B2. Автор: Tatsuya Iwasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-07.

Thin film transistor, sensor, biological detection device and method

Номер патента: US20190323987A1. Автор: Xiaochen MA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20180204952A1. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20240038864A1. Автор: Shuning ZHAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Thin film transistor substrate and preparation method thereof

Номер патента: US20210328070A1. Автор: Xiaoxing Zhang,Letao ZHANG,Liangfen Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Thin film transistor and display panel including the same

Номер патента: US20140374751A1. Автор: Ker-Yih Kao,Hsin-Hung Lin,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Thin film transistor and display panel including the same

Номер патента: US9362408B2. Автор: Ker-Yih Kao,Hsin-Hung Lin,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Thin film transistor and display panel including the same

Номер патента: US20140374750A1. Автор: Ker-Yih Kao,Hsin-Hung Lin,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer

Номер патента: US09660092B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin film transistor and display panel including the same

Номер патента: US09601519B2. Автор: Ker-Yih Kao,Hsin-Hung Lin,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Thin-film transistor structure with three-dimensional fin-shape channel and preparation method thereof

Номер патента: US10431688B2. Автор: HAI Ou,Kai Wang,Jun Chen. Владелец: SYSU CMU Shunde International Joint Research Institute. Дата публикации: 2019-10-01.

Display panel, array substrate, thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200168744A1. Автор: Wei Li,Jun Liu,Jun Wang,Liangchen YAN,Guangyao LI,Yingbin HU,Ce ZHAO,Yuankui Ding,Yongchao HUANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Thin-film transistor structure and manufacturing method thereof, and display panel having the same

Номер патента: US11063153B2. Автор: Weibin Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Contact stacks to reduce hydrogen in thin film transistor

Номер патента: US20200098657A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Lawrence Wong,Van H. Le,Matthew Metz,Christopher J. Jezewski,Arnab SEN GUPTA,Ande KITAMURA,Miriam R. Reshotko,Ryan ARCH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20240222445A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Tianmin Zhou,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin Film Transistor Substrate and Method for Manufacturing the Same and Organic Light Emitting Device Using the Same

Номер патента: US20150072483A1. Автор: Woo Jin Nam,Min Kyu Chang,Jong Sik SHIM,Hong Jae Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Thin film transistor, manufacturing method of the same, and display device having the same

Номер патента: US20240234580A9. Автор: Min Ji Kim,Sun Woo Lee,Jae Bum HAN,Bo Hwa KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620647B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160343877A1. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Thin film transistor, manufacturing method of the same, and display device having the same

Номер патента: US20240136443A1. Автор: Min Ji Kim,Sun Woo Lee,Jae Bum HAN,Bo Hwa KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20190267493A1. Автор: Zhen Song,Guoying Wang,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, and electronic apparatus

Номер патента: US09991294B2. Автор: Tuo Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634148B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor and display unit

Номер патента: US20120043548A1. Автор: Toshiaki Arai,Hiroshi Sagawa,Kazuhiko Tokunaga,Narihiro Morosawa,Kiwamu Miura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Thin film transistor and display unit

Номер патента: US8497504B2. Автор: Toshiaki Arai,Hiroshi Sagawa,Kazuhiko Tokunaga,Narihiro Morosawa,Kiwamu Miura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Film transistor and method for manufacturing the same, display substrate and display device

Номер патента: US20170047451A1. Автор: Fengjuan LIU,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Thin film transistor and method of preparing the same

Номер патента: US20180097115A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123147A1. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11664461B2. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-30.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068416B2. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09947796B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Metal oxide thin film transistor having channel protection layer

Номер патента: US09793413B2. Автор: LI ZHANG,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Thin film transistor display device with zinc nitride ohmic contact layer

Номер патента: US09761725B2. Автор: Fengjuan LIU,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film transistor, array substrate, method of fabricating same, and display device

Номер патента: US09508867B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,Dongsheng Li,Xingdong LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Preparation method of indium-gallium-zinc-oxygen-based multi-layer structure thin film transistor

Номер патента: CN112599420A. Автор: 杨帆,白航空,林丹,何嵘,竹文坤,邱慧,李宸,冯金波,郑在纹,任俨,乐昊飏. Владелец: Mianyang HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-02.

Hydrogen-passivated zinc oxide-base thin film transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN104037234A. Автор: 许磊,廖蕾,刘兴强,刘传胜. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2014-09-10.

Multi-dielectric gate stack for crystalline thin film transistors

Номер патента: US12009433B2. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Benjamin Chu-Kung,Jack Kavalieros,Van H. Le,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Miriam Reshotko,Sean Ma,Inanc Meric,Kent MILLARD,Wilhelm MELITZ. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Thin film transistor memory and its fabricating method

Номер патента: US20130264632A1. Автор: Sun Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Shijin Ding,Xingmei Cui. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for manufacturing thin film transistor, and electronic device

Номер патента: US20230420572A1. Автор: Mincheol Kim,Seungjin Kim,Heesung LEE,Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,JeeHo PARK,Seoyeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing thin film transistor, and electronic device

Номер патента: US11791418B2. Автор: Mincheol Kim,Seungjin Kim,Heesung LEE,Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,JeeHo PARK,Seoyeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Thin film transistor, gate driver including the same, and display device including the same

Номер патента: US11764307B2. Автор: Seung-Jin Kim,Jee-ho PARK,Seo-Yeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin film transistor, gate driver including the same, and display device including the same

Номер патента: US20230395727A1. Автор: Seung-Jin Kim,Jee-ho PARK,Seo-Yeon IM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of fabricating thin-film transistor substrate

Номер патента: US09484442B2. Автор: Yuta Sugawara. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037531A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen,Hong-Chih Chen,Mao-Chou Tai,Shin-Ping Huang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-02-03.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Passivation layers for thin film transistors and methods of fabrication

Номер патента: US20240234579A1. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Sarah ATANASOV,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20160329356A1. Автор: Yucheng CHAN,Chienhung Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Thin film transistor

Номер патента: US20100308406A1. Автор: Liang-Hsiang Chen,Jing-Yi Yan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-12-09.

Thin film transistor including a compositionally-modulated active region and methods for forming the same

Номер патента: US20240274723A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Po-Ting Lin,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Product method of thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, and fingerprint recognition unit

Номер патента: US10720512B2. Автор: Yingwei Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09614098B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Thin film transistor having gate insulating layer including different types of insulating layers, method of manufacturing the same, and display device comprising the same

Номер патента: US20200212076A1. Автор: Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Mobility enhancement by source and drain stress layer or implantation in thin film transistors

Номер патента: US20240373646A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09960189B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905698B2. Автор: Changming LU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin-film transistor and method for forming the same

Номер патента: US09865745B2. Автор: Liang-Yu Lin,Chun-Cheng Cheng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory cells based on thin-film transistors

Номер патента: US20220310849A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory cells based on thin-film transistors

Номер патента: US20200098932A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Doped metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11894467B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-02-06.

Radiation hardened thin-film transistors

Номер патента: US12027630B2. Автор: Shiqiang Wang,Michael C. Hamilton,Minseo Park,Kosala Yapa Bandara. Владелец: AUBURN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US09627414B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20130217192A1. Автор: Jong Hyun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US8871578B2. Автор: Jong Hyun Seo. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Korea Aerospace University. Дата публикации: 2014-10-28.

Vertical thin-film transistors between metal layers

Номер патента: US20200098931A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Thin film transistor array panel and conducting structure

Номер патента: US09728650B1. Автор: Yi-Chun Kao,Hsin-Hua Lin,Po-Li Shih,Wei-Chih Chang,I-Min Lu,I-Wei Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin-film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device

Номер патента: US09564460B1. Автор: Wei Li,Yunyou Zheng,Shengnan Xiong,Yicun Zhang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US11855226B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150179460A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Thin film transistor and method for making the same

Номер патента: US10475936B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Ying-Cheng WANG,Xiao-Yang Xiao,Tian-Fu Zhang,Yu-Dan Zhao,Yu-Jia Huo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20240097041A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Thin film transistor and manufacturing method therefor, array substrate, and display device

Номер патента: EP4141959A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Jiushi WANG,Hehe HU,Fengjuan LIU,Jiayu HE,Tianmin Zhou,Nianqi YAO,Zhongpeng Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Thin film transistor and display apparatus comprising the same

Номер патента: EP4394892A1. Автор: Jinwon JUNG,Jaeyoon Park,Sungju Choi,Hyeonjoo SEUL. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Low temperature poly-silicon thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899530B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate, and display device

Номер патента: US09590055B2. Автор: Chunwei Wu,Woobong Lee. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20240047548A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin film transistor

Номер патента: US20100127270A1. Автор: Liang-Hsiang Chen,Jing-Yi Yan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-05-27.

Thin film transistor, manufacturing method of thin film transistor, and liquid crystal display

Номер патента: US11955563B2. Автор: Mingjuan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Contact electrodes and dielectric structures for thin film transistors

Номер патента: US20200098887A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Van H. Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Sean Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-26.

Thin-film transistor and method of manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US20020063255A1. Автор: Shiro Nakanishi,Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Thin film transistor, display apparatus including the same, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20210013281A1. Автор: Jihwan Kim,Dongmin LEE,Byungsoo So,Seunghyun JANG,Jongoh Seo,Jonghoon Choi,Dongsung Lee,Yeonhee Jeon,Byungkyu Son. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method

Номер патента: WO2013022643A1. Автор: Yaoling Pan,Cheonhong Kim,Tallis Young CHANG. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-02-14.

Thin film transistor and vertical non-volatile memory device including transition metal-induced polycrystalline metal oxide channel layer

Номер патента: US20240250180A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin film transistor

Номер патента: US7375372B2. Автор: Fang-Chen Luo,Wan-Yi Liu,Chieh-Chou Hsu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-05-20.

Top-gate doped thin film transistor

Номер патента: US20240105852A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le,Sean T. MA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Mobility enhancement by source and drain stress layer of implantation in thin film transistors

Номер патента: US11825661B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Radiation hardened thin-film transistors

Номер патента: US11069815B2. Автор: Shiqiang Wang,Michael C. Hamilton,Minseo Park,Kosala Yapa Bandara. Владелец: AUBURN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-20.

Raised source/drain oxide semiconducting thin film transistor and methods of making the same

Номер патента: US20230387314A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Production method of thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, and fingerprint recognition unit

Номер патента: US20180277660A1. Автор: Yingwei Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Thin film transistor including a compositionally-modulated active region and methods for forming the same

Номер патента: US11984508B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Po-Ting Lin,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Thin film transistor including a compositionally-modulated active region and methods for forming the same

Номер патента: US20230378369A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Po-Ting Lin,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Mobility enhancement by source and drain stress layer or implantation in thin film transistors

Номер патента: US20230389333A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Passivation layers for thin film transistors and methods of fabrication

Номер патента: US11955560B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Sarah ATANASOV,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Radiation hardened thin-film transistors

Номер патента: US20240038897A1. Автор: Shiqiang Wang,Michael C. Hamilton,Minseo Park,Kosala Yapa Bandara. Владелец: AUBURN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-01.

Radiation hardened thin-film transistors

Номер патента: US11682734B2. Автор: Shiqiang Wang,Michael C. Hamilton,Minseo Park,Kosala Yapa Bandara. Владелец: AUBURN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-20.

Method for making thin film transistor, thin film transistor, back plate and display device

Номер патента: US10804405B2. Автор: ZHI Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Method of fabricating thin film transistor and method of fabricating liquid crystal display

Номер патента: US20080318354A1. Автор: Hao-Chieh Lee,Chi-Hsun Hsu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for making thin film transistor, thin film transistor, back plate and display device

Номер патента: US20190214501A1. Автор: ZHI Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060073648A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-06.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US12034082B2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnesium zinc oxide-based high voltage thin film transistor

Номер патента: US20190237582A1. Автор: Chieh-Jen Ku,Rui Li,Yicheng Lu,Kuang Sheng,Wen-Chiang Hong. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2019-08-01.

Thin film transistor panel, electric device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210525A1. Автор: Duk Young JEONG,Chae Yeon HWANG,Dong Gyu EO. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2021-07-08.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20060243193A1. Автор: Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Tae-Hoon Yang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Display device including thin film transistors performing different functionality having different materials

Номер патента: US12048199B2. Автор: Takuya Matsuo,Hiroshi Matsukizono,Masatomo Honjo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Thin film transistor, thin film transistor manufacturing method and liquid crystal display panel

Номер патента: US20190043995A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Fabrication method for thin film transistor, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US20180277376A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US20240313127A1. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20140357017A1. Автор: Horng-Chih Lin,Rong-Jhe Lyu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-12-04.

Metal-oxide thin-film transistor, array base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240297256A1. Автор: Lizhong Wang,Dongfang Wang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Thin-film transistor and preparation method therefor, and display substrate and display panel

Номер патента: EP4113628A1. Автор: Zheng Liu,Lizhong Wang,Shuilang Dong,Hehe HU,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Thin film transistor and array substrate, manufacturing methods thereof, and display device

Номер патента: US09882060B2. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09768312B2. Автор: Liang Sun,Yanan NIU,Hongwei TIAN,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: EP4425557A3. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Thin film transistor assembly, array substrate method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US09543443B2. Автор: Jing NIU,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Shuang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and display device comprising the same

Номер патента: US09478666B2. Автор: Seyeoul Kwon,Sangcheon Youn,Mingu CHO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09455324B2. Автор: Qi Yao,Bing Sun,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing thin film transistor and organic light emitting diode display

Номер патента: US09401418B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09391097B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of making a high performance small area, thin film transistor

Номер патента: CA1228180A. Автор: Meera Vijan. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1987-10-13.

Method of manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US5885858A. Автор: Shigenobu Maeda,Shigeto Maegawa,Hisayuki Nishimura. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Method for producing a thin film transistor having improved carrier mobility characteristics and leakage current characteristics

Номер патента: US5728610A. Автор: Setsuo Usui,Jonathan Westwater,Dharam Pal Gosain. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device and sensor

Номер патента: US11670702B2. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Yun Qiu,Bingqiang GUI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Junctionless transistor based on vertically integrated gate-all-round multiple nanowire channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US10665671B2. Автор: Byung-Hyun Lee,Yang-Kyu Choi,Min-ho Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-05-26.

Thin film transistors having cmos functionality integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4156246A1. Автор: Kevin O'Brien,Uygar E. Avci,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Scott Clendenning,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Thin film transistor (tft) substrate, manufacturing method thereof, and organic light-emitting diode (oled) substrate

Номер патента: US20190386082A1. Автор: Lei Yu,Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing a thin film transistor

Номер патента: US20060105506A1. Автор: Chia-Nan Shen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Field Effect Transistor Based on Vertically Integrated Gate-All-Round Multiple Nanowire Channels

Номер патента: US20200303519A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Yang-Kyu Choi,Min-ho Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-09-24.

Junctionless Transistor Based on Vertically Integrated Gate-All-Round Multiple Nanowire Channels and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20170236901A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Yang-Kyu Choi,Min-ho Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-08-17.

Thin film transistor (tft) substrate, manufacturing method thereof, and organic light-emitting diode (oled) substrate

Номер патента: US20190252477A1. Автор: Lei Yu,Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Thin film transistor (TFT) substrate, manufacturing method thereof, and organic light-emitting diode (OLED) substrate

Номер патента: US10879328B2. Автор: Lei Yu,Songshan LI. Владелец: Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Manufacturing methods for low temperature poly-silicon array substrate and low temperature poly-silicon thin-film transistor

Номер патента: US20190386031A1. Автор: CHEN CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US8445912B2. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film transistor and method for manufacturing same, array substrate, display panel and display device

Номер патента: US20210167220A1. Автор: Lin Sun,Chao Wang,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US11309392B2. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-19.

Thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20200328310A1. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20150279869A1. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, and display panel

Номер патента: US20210005726A1. Автор: HUI Li,Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Thin film transistor, its manufacture method and display device

Номер патента: US7394098B2. Автор: Takuya Watanabe,Takuya Hirano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Thin film transistor, its manufacture method and display device

Номер патента: US20040135236A1. Автор: Takuya Watanabe,Takuya Hirano. Владелец: Fujitsu Display Technologies Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Metal chalcogenide thin film, thin-film transistor including the same, and method of manufacturing the thin-film transistor

Номер патента: US20240128421A1. Автор: Hyungjun Kim,Junhyung LIM,Ao LIU,Yongyoung NOH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, display panel, and display device

Номер патента: US20210265478A1. Автор: Gong Chen,Zheng BAO,Yanxia Xin,Hongwei Hu,Yihao WU,Yiyang Zhang,Guangzhou Zhao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Low-temperature polysilicon (ltps) thin film transistor (tft) and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20200273999A1. Автор: Guoxia YI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US20240297255A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: US09991319B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Sang-Ho Park,Dae-Ho Kim,Hyun-Jae Na,Myoung-Geun CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin-film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09825180B2. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Shinya Aikawa,Kazuhito Tsukagoshi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing thin-film transistor

Номер патента: US09711625B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US09620648B2. Автор: Meili Wang,Longbao XIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor, method of manufacturing thin film transistor and flat panel display having the thin film transistor

Номер патента: US09552998B2. Автор: Yoon-Ho Khang,Sang-Ho Park,Dae-Ho Kim,Hyun-Jae Na,Myoung-Geun CHA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09508808B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate, display device

Номер патента: US09502576B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09496374B2. Автор: Yuting Chen,Zhe HU,Chenglung Chiang,Polin CHEN,Tzuchieh Lai,Runze Zhan,Chengyuan Dong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09461066B2. Автор: Mian Zeng,Jaikwang Kim,Zhizhong TU,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin film transistor substrate, display apparatus comprising the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09437624B2. Автор: Myounghwa KIM,Dongjo Kim,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,KyoungWon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor and method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09437622B2. Автор: Lei Du. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin-film transistor, method of manufacturing the same, and organic light-emitting diode (OLED) display including the same

Номер патента: US09412846B2. Автор: Ki Yeol BYUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Thin film transistor, display apparatus including the thin film transistor, and method of manufacturing the thin film transistor

Номер патента: US09343577B2. Автор: Sun Park,Yul-Kyu Lee,Kyu-Sik Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Metal oxide film, method for manufacturing same, thin film transistor, display apparatus, image sensor, and X-ray sensor

Номер патента: US9515193B2. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12041760B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US09627214B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Structure having different gate dielectric widths in different regions of substrate

Номер патента: US20230326924A1. Автор: Hong Yu,Anton V. Tokranov,Edward P. Reis, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US9514948B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160315166A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20150171182A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160314977A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Precursor solution of indium gallium zinc oxide film and method of manufacturing indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: US12040408B2. Автор: Hang Zhou,Hejing Sun,Hengda Qiu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Ulsi mos with high dielectric constant gate insulator

Номер патента: MY135224A. Автор: Setton Michael. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-02-29.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of forming finfet with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US20230361214A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Thin-film transistor, oxide semiconductor film, and sputtering target

Номер патента: US20180337285A1. Автор: Masaru Wada,Masaki Takei,Koji Hidaka,Junya Kiyota,Mitsuru Ueno,Kazutoshi Takahashi,Motoshi Kobayashi,Kentarou Takesue,Yuu Kawagoe. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190140106A1. Автор: Yung-Hui Yeh,Chun-Hung Chu,Hsiao-Chiang Yao,Tai-Jui Wang,Jui-Wen Yang. Владелец: Intellectual Property Innovation Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09627515B2. Автор: Eiichi Satoh. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers and methods

Номер патента: US20030047755A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-13.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US20090140257A1. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US7833826B2. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Poly-Silicon Thin Film and Preparation Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20200035490A1. Автор: Hongping Yu,Peng He. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Ultra short transistor channel length formed using a gate dielectric having a relatively high dielectric constant

Номер патента: US6153477A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Thin film transistor, memory and manufacturing method, and electronic device

Номер патента: EP4261907A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

RF SOI switches including low dielectric constant features between metal line structures

Номер патента: US09755063B1. Автор: David J. Howard,Michael J. Debar,Rassul Karabalin. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09543329B2. Автор: Kazunori Inoue,Naoki Tsumura,Koji Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Thin Film Transistor and Manufacturing Method, Memory and Manufacturing Method, and Electronic Device

Номер патента: US20230371229A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and display apparatus having the same

Номер патента: US10128382B2. Автор: Bong-Kyun Kim,Byeong-Beom Kim,Youngjun Kim,Hongsick PARK,Sangwon Shin,Seungho Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and display apparatus having the same

Номер патента: US9899531B2. Автор: Bong-Kyun Kim,Byeong-Beom Kim,Youngjun Kim,Hongsick PARK,Sangwon Shin,Seungho Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and display apparatus having the same

Номер патента: US20180130908A1. Автор: Bong-Kyun Kim,Byeong-Beom Kim,Youngjun Kim,Hongsick PARK,Sangwon Shin,Seungho Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11495692B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and display device including the same

Номер патента: US20180053836A1. Автор: Joosun Yoon,Yongjae Jang,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Vertical thin film transistor selection devices and methods of fabrication

Номер патента: US09711650B2. Автор: Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including multi-layer gate insulating layer and electronic device including the same

Номер патента: US20240178307A1. Автор: Sungil Park,Jaehyun Park,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structures having vertical shared gate high-drive thin film transistors

Номер патента: US20240222520A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor gas sensor

Номер патента: US20200088674A1. Автор: Christopher Newsome,Nicholas Dartnell,Daniel Tobjork. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Zinc Oxide-Based Thin Film Transistor Biosensors with High Sensitivity and Selectivity

Номер патента: US20130221346A1. Автор: Lu Yicheng,Reyes Pavel Ivanoff,Lee Ki-Bum,Solanki Aniruddh,Ku Chieh-jen. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2013-08-29.

Double-active layer structured zinc oxide-based thin film transistor and preparation method thereof

Номер патента: CN104900707A. Автор: 姚若河,刘玉荣,耿魁伟. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2015-09-09.

Thin film transistor substrate and display panel having film layer with different thicknesses

Номер патента: US09741804B2. Автор: I-Ho Shen,Jung-Fang Chang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Thin film transistor and oled display panel

Номер патента: US20240057405A1. Автор: Gang Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Thin film transistor, flat panel display device therewith, and method of manufacturing the thin film transistor

Номер патента: US20060011917A1. Автор: Min-chul Suh,Hye-dong Kim,Jae-Bon Koo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Thin film transistor

Номер патента: US09508856B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Hiroaki Tao,Gun Hee Kim,Takeaki Maeda,Aya Miki,Byung Du Ahn,So Young Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US09362313B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Hiroaki Tao,Shinya Morita,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Passivation layer and preparation method thereof, flexible thin film transistor and preparation method thereof, and array substrate

Номер патента: US12040404B2. Автор: WEI ZHONG,Rongsheng Chen,Lelong YAN. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-07-16.

Amorphous multicomponent dielectric based on the mixture of high band gap and high k materials, respective devices and manufacture

Номер патента: WO2011016741A2. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato,Luis Miguel Nunes Pereira,Pedro Miguel Candido Barquinha,Danjela KUŠCER HROVATIN,Marija Kosec,Gonçalo Pedro GONÇALVES. Владелец: FACULDADE DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA DA UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA. Дата публикации: 2011-02-10.

Amorphous multicomponent dielectric based on the mixture of high band gap and high k materials, respective devices and manufacture

Номер патента: US20120248445A1. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato,Luis Miguel Nunes Pereira,Pedro Miguel Candido Barquinha,Danjela KUŠCER HROVATIN,Marija Kosec,Gonçalo Pedro GONÇALVES. Владелец: Universitat de Barcelona UB. Дата публикации: 2012-10-04.

Amorphous multicomponent dielectric based on the mixture of high band gap and high k materials, respective devices and manufacture

Номер патента: EP2462611A2. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato,Luis Miguel Nunes Pereira,Pedro Miguel Candido Barquinha,Marija Kosec,Gonçalo Pedro GONÇALVES,Danjela KU CER HROVATIN. Владелец: Universidade Nova De Lisboa. Дата публикации: 2012-06-13.

Amorphous multicomponent dielectric based on the mixture of high band gap and high k materials, respective devices and manufacture

Номер патента: WO2011016741A3. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato,Luis Miguel Nunes Pereira,Pedro Miguel Candido Barquinha,Danjela KUŠCER HROVATIN,Marija Kosec,Gonçalo Pedro GONÇALVES. Владелец: FACULDADE DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA DA UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA. Дата публикации: 2011-11-17.

Amorphous multicomponent dielectric based on the mixture of high band gap and high k materials, respective devices and manufacture

Номер патента: WO2011016741A4. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato,Luis Miguel Nunes Pereira,Pedro Miguel Candido Barquinha,Danjela KUŠCER HROVATIN,Marija Kosec,Gonçalo Pedro GONÇALVES. Владелец: FACULDADE DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA DA UNIVERSIDADE NOVA DE LISBOA. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic lighting emitting display device including light absorbing layer and method for manufacturing same

Номер патента: US09859355B2. Автор: Jungshik Lim,EunMi Jo,SungKyung Youn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor

Номер патента: US20130175520A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Henry Wang,Wei-Chou Lan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Thin film transistor made with photoconductive material

Номер патента: US20020096676A1. Автор: Jia-Pang Pang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-07-25.

Thin film transistor with improved carrier mobilty

Номер патента: US09831348B2. Автор: Yung-Ching Wang. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin film transistor, display, and method for fabricating the same

Номер патента: US09698173B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Ze YUAN,Zihong Liu,Jigang Zhao,Haojun LUO. Владелец: Royole Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin-film transistor, manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US09589991B2. Автор: Chien Hung Liu,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Flexible high-voltage thin film transistors

Номер патента: US09525071B2. Автор: Akintunde I. Akinwande,Melissa Alyson Smith. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-12-20.

Thin film transistor

Номер патента: US09443986B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Chih-Hsuan Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin film transistor array substrate, display apparatus, and method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US20200295048A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaehyuk JANG,Kiwan Ahn,Yongjae Jang,Yugwang Jeong,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20230317855A1. Автор: Jaeyoon Park,Jungseok Seo,Jin Seong Park,Ki Lim HAN,Taewon Hwang,Won-Bum Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-10-05.

Thin film transistor

Номер патента: US20150162450A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Thin film transistor

Номер патента: US20140284601A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Thin film transistor and thin film transistor array with semiconductor fragments

Номер патента: US09577105B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Silicon and Semiconducting Oxide Thin-Film Transistor Displays

Номер патента: US20170062539A1. Автор: Vasudha Gupta,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Pressure sensor based on zinc oxide nanowires and method of manufacturing pressure sensor

Номер патента: US20230371384A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Nianduan Lu,Di GENG,Congyan LU,Xuewen Shi,Xinlv Duan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Complementary thin film transistor driving back plate and preparing method thereof, and display device

Номер патента: US09647014B2. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays

Номер патента: US09543370B2. Автор: Vasudha Gupta,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US20210376160A1. Автор: Chuanbao LUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20120261660A1. Автор: Dae-Hwan Kim,Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20120012839A1. Автор: Hyun-Sik Seo,Jong-Uk Bae,Yong-Yub Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Thin-film transistor and display panel

Номер патента: US20210184047A1. Автор: Weiwei Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin-film transistor and display panel

Номер патента: US11189731B2. Автор: Weiwei Yang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Array substrate and its manufacturing method, display device

Номер патента: US09613986B2. Автор: Fang Liu,Jing Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Top gate metal oxide thin film transistor switching device for imaging applications

Номер патента: WO2017099918A1. Автор: Jungwon Park,Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Karthik Nagarajan. Владелец: dpiX, LLC. Дата публикации: 2017-06-15.

Thin-film transistor and zinc oxide-based sputtering target for the same

Номер патента: US20140001469A1. Автор: Do-Hyun Kim,Jaewoo Park,Yoon Gyu Lee,Dongjo Kim,Yongjin Lee,Juok Park,Woo-Seok Jeon,Sangwon Yoon,Insung Sohn,Gunhyo Lee. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Thin-film transistor and zinc oxide-based sputtering target for the same

Номер патента: US9035297B2. Автор: Do-Hyun Kim,Jaewoo Park,Yoon Gyu Lee,Dongjo Kim,Yongjin Lee,Juok Park,Woo-Seok Jeon,Sangwon Yoon,Insung Sohn,Gunhyo Lee. Владелец: Samsung Corning Advanced Glass LLC. Дата публикации: 2015-05-19.

Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors

Номер патента: US09818765B2. Автор: Hiroshi Osawa,Shih Chang Chang,Kyung-Wook Kim,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

High-density memory device with planar thin film transistor (tft) selector and methods for making the same

Номер патента: US20230345740A1. Автор: Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays

Номер патента: EP3183750A1. Автор: Vasudha Gupta,Tsung-Ting Tsai,Chin-Wei Lin. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-28.

Multi-layered or graded gate dielectric in thin film transistor (tft) structures

Номер патента: US20230369444A1. Автор: Cheng Tan,Travis W. LaJoie,Mark Armstrong,Van H. Le,Abhishek Anil Sharma,Timothy JEN,Shailesh Kumar Madisetti,Albert B. CHEN,Afrin Sultana,Moshe Dolejsi,Vishak Venkatraman,Christopher Ryder,Deepyanti Taneja. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Thin film transistor, display, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056184A1. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Ze YUAN,Zihong Liu,Jigang Zhao,Haojun LUO. Владелец: Royole Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Thin film transistor array substrate, display apparatus, and method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190051669A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaehyuk JANG,Kiwan Ahn,Yongjae Jang,Yugwang Jeong,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Display Device and Thin Film Transistor Array Substrate and Thin Film Transistor thereof

Номер патента: US20110095285A1. Автор: Fang-An Shu,Henry Wang,Tung-Liang Lin,Wei-Chou Lan,Lee-Tyng Chen. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Thin film transistor and display substrate having the same

Номер патента: US11769834B2. Автор: Youngdae Kim,Jong Yun Kim,Taekyung AHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Thin film transistor substrate and display device comprising the same

Номер патента: EP4184581A2. Автор: Gisang Hong,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Thin film transistor substrate and display device comprising the same

Номер патента: EP4184581A3. Автор: Gisang Hong,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Thin film transistor array substrate and electronic device including the same

Номер патента: US12087835B2. Автор: Dohyung Lee,Juheyuck BAECK,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09954014B2. Автор: Kitae Kim,Eunsung KIM,JinChae JEON,Soyoung Noh,Uijin Chung,Hyunsoo Shin,Wonkyung KIM,Jeihyun LEE,JunHo Lee,Jihye Lee,Hyojin Kim,Kyeongju Moon,YoungJang Lee,Seungchan CHOI,Jeanhan YOON,Sungbin Ryu,Bokyoung CHO,Soyeon JE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09853067B2. Автор: Tao Cai,Bengang ZHAO. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09721973B2. Автор: Sungjin Lee,Hoyoung Jung,Moonho Park,Sohyung Lee,YoungJang Lee,KyungMo SON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials

Номер патента: EP1891667A1. Автор: Andrea Carole Scuderi,David Howard Levy,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-02-27.

Thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials

Номер патента: EP1891666A1. Автор: Andrea Carole Scuderi,David Howard Levy,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2008-02-27.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240222516A1. Автор: Wonsang Ryu,Youngjin Yi,Sungsoo SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin-film transistor, display panel, and electronic device

Номер патента: US20240047544A1. Автор: Xi CHENG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for producing thin film transistor and thin film transistor

Номер патента: US20180061643A1. Автор: Kazuto Nakamura,Yoshihiro Sakata,Ryomei Omote,Hirotaka Shigeno,Hideaki Nada,Hayato NAKAYA. Владелец: Nissha Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Thin film transistor comprising light shielding layers, array substrate and manufacturing processes of them

Номер патента: US09978876B2. Автор: Youngsuk Song,Hongda Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Thin-film transistor

Номер патента: US09960283B2. Автор: Longqiang Shi,Hejing ZHANG,Yutong HU,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure with a first lower electrode layer and a second lower electrode layer and method for manufacturing same

Номер патента: US12137550B2. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09897881B2. Автор: Gui Chen,Caiqin Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

Номер патента: US09887251B2. Автор: Jae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

GOA circuit based on oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09858880B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor array substrate having a gate electrode comprising two conductive layers

Номер патента: US09748282B2. Автор: Jongchan Lee,Myounghwa KIM,Yoonho Khang,Joohee Jeon,Jaewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09634033B2. Автор: Zhenfei Cai,Zhengwei Chen. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

Номер патента: US09601527B2. Автор: Jae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Thin film transistor substrate, liquid crystal display having same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484420B2. Автор: Chong Sup Chang,Sangho Park,Jungkyu Lee,Su-Hyoung Kang,Yoonho Khang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US09478612B2. Автор: Hun Jeoung,Mingyeong KIM,Hyuncheol Jang,Moon Seok Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20140061872A1. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Naoto Umezawa. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film

Номер патента: US20120280372A1. Автор: Toshihide Nabatame,Toyohiro Chikyo,Naoto Umezawa. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor structure having film including germanium oxide on germanium layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09691620B2. Автор: Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-06-27.

Deposition of rutile films with very high dielectric constant

Номер патента: US9222170B2. Автор: Dipankar Pramanik,Sergey Barabash. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: US20190386030A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Methods for forming thin film transistors on a glass substrate and liquid crystal displays formed therefrom

Номер патента: US12013619B2. Автор: Bin Zhu,Rajesh Vaddi,Ming-Huang Huang,Robert Bumju LEE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods for forming thin film transistors on a glass substrate and liquid crystal displays formed therefrom

Номер патента: US20210018780A1. Автор: Bin Zhu,Rajesh Vaddi,Ming-Huang Huang,Robert Bumju LEE. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Thin film transistor substrate comprising a photoresist layer formed between a first dielectric layer and an amorphous silicon layer

Номер патента: US09780221B2. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating a thin film transistor substrate using a plurality of photo masks and liquid crystal display

Номер патента: US09536902B2. Автор: Qibiao LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Indium-zinc-oxide semiconductor ink composition in which a spontaneous combustion reaction occurs, and inorganic semiconductor thin film produced thereby

Номер патента: US09969896B2. Автор: Chang Jin Lee,Song Yun Cho,Young Hun Kang. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-15.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US10889504B2. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2019134394A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-07-11.

Gate insulator comprising high and low dielectric constant parts

Номер патента: WO2000049643A2. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Method of integrating inorganic light emitting diode with oxide thin film transistor for display applications

Номер патента: US09793252B2. Автор: Amalkumar P. Ghosh. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Oxide sputtering target, thin film transistor using the same, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09484200B2. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Takayuki Fukasawa. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Active matrix substrate with thin film transistor and aperture portions, liquid crystal display device, and method for manufacturing active matrix substrate

Номер патента: US09726954B2. Автор: Tohru Amano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with shallow trench isolation and its manufacture method

Номер патента: US7211480B2. Автор: Hiroyuki Ota,Kengo Inoue. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor, including forming an organic light-emitting device

Номер патента: US10818704B2. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Gate insulator comprising high and low dielectric constant parts

Номер патента: WO2000049643A3. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: Philips Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-02-15.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20200350415A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having interfacial layer and high κ dielectric layer

Номер патента: US11239328B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Thin film transistor and method for making the same

Номер патента: US20180158904A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Ying-Cheng WANG,Xiao-Yang Xiao,Tian-Fu Zhang,Yu-Dan Zhao,Yu-Jia Huo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US20190233299A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190006476A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device having interfacial layer and high k dielectric layer

Номер патента: US20190267458A1. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device having interfacial layer and high K dielectric layer

Номер патента: US10714575B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Ming-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

High dielectric constant/metal gate (hk/mg) compatible floating gate (fg)/ferroelectric dipole non-volatile memory and logic device

Номер патента: WO2016089646A2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

High dielectric constant/metal gate (HK/MG) compatible floating gate (FG)/ferroelectric dipole non-volatile memory

Номер патента: US09576801B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Display device including a plurality of thin film transistors with different characteristics

Номер патента: US12074260B2. Автор: KyungMo SON,Shunyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

MOS devices with ultra-high dielectric constants and methods of forming the same

Номер патента: US09614079B2. Автор: Minghwei Hong,Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabricating a gate dielectric layer for a thin film transistor

Номер патента: US20020090767A1. Автор: David Jones,Richard Bullock. Владелец: ESM Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for manufacturing sputtering target, method for forming oxide film, and transistor

Номер патента: US11967505B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Thin film transistor, array substrate, display panel and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20200013867A1. Автор: Bin Zhou,Liangchen YAN,Dongfang Wang,Tongshang Su,Ce ZHAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Laminate structure of thin film transistor

Номер патента: US09972719B1. Автор: Po-Tsun Liu,Bo-Hung Lai,Sung-Wei Hung. Владелец: Microcosm Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Thin film transistor, array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09893205B2. Автор: SHAN Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09778530B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US09773917B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Low temperature poly-silicon (LTPS) thin film transistor based liquid crystal display

Номер патента: US09704884B2. Автор: Tianming DAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09651843B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method and manufacturing equipment of thin film transistor substrate

Номер патента: US09570482B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-Yuan Tseng,Chih-yu Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor process having dielectric layer including metal oxide and mos transistor process

Номер патента: US20120231600A1. Автор: Chan-Lon Yang,Shih-Fang Tzou,Chen-Kuo Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Semiconductor device comprising a high dielectric constant insulating film including nitrogen

Номер патента: US7872312B2. Автор: Hisashi Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Method of forming multi-threshold voltage devices using dipole-high dielectric constant combinations and devices so formed

Номер патента: US20200357700A1. Автор: Wei-E Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Optimized buried-channel FETs based on SiGe heterostructures

Номер патента: US20030052406A1. Автор: Eugene Fitzgerald,Anthony Lochtefeld. Владелец: Amber Wave Systems Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Preparation method of GaN field effect transistor based on diamond substrate

Номер патента: US12112944B2. Автор: Yuangang WANG,Hongyu Guo,Zhihong FENG,Xingchang FU,Xubo Song,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG,Shaobo Dun. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for manufacturing poly-silicon thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09887216B2. Автор: Xianxue Duan,Chengcheng Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having low-dielectric-constant film

Номер патента: US9711629B2. Автор: Yoshihiro Ikura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having low-dielectric-constant film

Номер патента: US09711629B2. Автор: Yoshihiro Ikura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Composite high-k gate dielectric stack for reducing gate leakage

Номер патента: WO2014003933A1. Автор: Joseph F. Shepard,Michael P. Chudzik,Yanfeng Wang,Min Dai,Jinping Liu,Shahab Siddiqui,MaryJane Brodsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-01-03.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6689702B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US20050087820A1. Автор: Peng Cheng,David Fraser,Brian Doyle,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Fraser David B.. Дата публикации: 2005-04-28.

Quantum well graphene structure formed on a dielectric layer having a flat surface

Номер патента: US20120261640A1. Автор: Ernesto E. Marinero,Simone Pisana. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-10-18.

Zinc oxide-based multilayer structural body and its producing method

Номер патента: US20070111033A1. Автор: Hajime Haneda,Yutaka Adachi,Isao Sakaguchi,Tadashi Takenaka,Naoki Ohashi,Haruki Ryoken. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2007-05-17.

Zinc oxide-based multilayer structural body and its producing method

Номер патента: US8257842B2. Автор: Hajime Haneda,Yutaka Adachi,Isao Sakaguchi,Tadashi Takenaka,Naoki Ohashi,Haruki Ryoken. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2012-09-04.

Layer structures including dielectric layer, methods of manufacturing dielectric layer, electronic device including dielectric layer, and electronic apparatus including electronic device

Номер патента: US20230163188A1. Автор: Jooho Lee,Yongsung Kim,Woochul LEE,Yong-hee Cho,Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Transistor based on compact drain and hetero-material structure

Номер патента: US20240322031A1. Автор: Jea Gun Park,Jin Pyo Hong,Ji Hun Kim,Byoung Seok Lee,Min Won KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-26.

Transitional dielectric layer to improve reliability and performance of high dielectric constant transistors

Номер патента: WO2006107383A2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Hsing H. Tseng,Voon-Yew Thean,Sriram S. Kalpat. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device having high dielectric constant gate insulating layer and its manufacture method

Номер патента: US20060172498A1. Автор: Kazuto Ikeda,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata,Tsunehisa Sakoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Transitional dielectric layer to improve reliability and performance of high dielectric constant transistors

Номер патента: WO2006107383A3. Автор: Olubunmi O Adetutu,Voon-Yew Thean,Hsing H Tseng,Sriram S Kalpat. Владелец: Sriram S Kalpat. Дата публикации: 2007-08-23.

Method of manufacturing a high dielectric constant capacitor

Номер патента: US6033920A. Автор: Yasuhiro Shimada,Masamichi Azuma,Taketoshi Matsuura,Yasuhiro Uemoto,Atsuo Inoue. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

High dielectric constant gate oxides for silicon-based devices

Номер патента: US6404027B1. Автор: Minghwei Hong,Ahmet Refik Kortan,Jueinai Raynien Kwo,Joseph Petrus Mannaerts. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Devices having high dielectric constant, ionically-polarizable materials

Номер патента: US8766246B2. Автор: Howard E. Katz,Kevin C. See,Bhola Nath Pal. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-01.

Gate stacks with multiple high-κ dielectric layers

Номер патента: US11961895B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Barry Linder,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Elnatan Mataev. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

High dielectric constant insulators and associated fabrication methods

Номер патента: US7994590B2. Автор: Thomas K. Gaylord,James D. Meindl. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

High dielectric constant insulators and associated fabrication methods

Номер патента: US20070176248A1. Автор: Thomas K. Gaylord,James D. Meindl. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for manufacturing high dielectric constant metal gate for nmos and pmos

Номер патента: US20230420304A1. Автор: Wei Zhou,Weiwei Ma,Ran Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Selective etch of films with high dielectric constant

Номер патента: WO2005071722B1. Автор: Chris Lee,Gowri Kota,Shyam Ramalingam. Владелец: Shyam Ramalingam. Дата публикации: 2005-11-17.

Device having a high dielectric constant material and a method of manufacture thereof

Номер патента: US20030013269A1. Автор: Avinoam Kornblit,Kalman Pelhos,Vincent Donnelly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Thin film transistor substrate and display apparatus

Номер патента: US09691792B2. Автор: Chung-Yi Wang,Yao-Lien Hsieh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Current selector for non-volatile memory in a cross bar array based on defect and band engineering metal-dielectric-metal stacks

Номер патента: US09397141B2. Автор: Imran Hashim,Tony P. Chiang,Prashant B. Phatak,Venkat Ananthan. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

N-type thin film transistor

Номер патента: US09640770B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming interconnect structure with low dielectric constant

Номер патента: US20030119306A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

N-type thin film transistor

Номер патента: US09608218B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

The GaAs liner oxidation film desorption methods accurately measured based on surface temperature and its surface flattening method

Номер патента: CN106298460B. Автор: 孙亮,赵妍,蒋涛,彭丽萍,吴卫东,肖婷婷,王雪敏,王新明,邓青华,张颖娟,黎维华,樊龙,湛治强,沈昌乐,阎大伟. Владелец: Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics. Дата публикации: 2018-08-28.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US7205569B2. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-04-17.

Thin film transistor with microlens structures

Номер патента: US20060163575A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-07-27.

Composition for the mechanical chemical polishing of layers in insulating materials based on polymers having a low dielectric constant

Номер патента: JP3967522B2. Автор: エリック・ジャキノ,パスカル・ルトゥルノ,モリス・リヴォワール. Владелец: AZ Electronic Materials USA Corp. Дата публикации: 2007-08-29.

Composition for the mechanical-chemical polishing of layers of insulating material based on a polymer with low dielectric constant

Номер патента: DE60012399D1. Автор: Eric Jacquinot,Pascal Letourneau,Maurice Rivoire. Владелец: Clariant Finance BVI Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric

Номер патента: US5946551A. Автор: Sampath Purushothaman,Deborah Ann Neumayer,Christos Dimitrios Dimitrakopoulos,Peter Richard Duncombe,Bruce K. Furman,Robert B. Laibowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-08-31.

Photovoltaic cell based on zinc oxide nanorods and method for making the same

Номер патента: EP2174352A2. Автор: Malle Krunks,Tatjana Dedova,Atanas Katerski,Arvo Mere,Ilona Oja Acik. Владелец: Tallinn University of Technology. Дата публикации: 2010-04-14.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Hi-k dielectric layer deposition methods

Номер патента: US20060270247A1. Автор: Kenneth Stein,Douglas Coolbaugh,Ebenezer Eshun,Kunal Vaed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for manufacturing transparent thin film transistor-based photosensitive device

Номер патента: US20240234619A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Chuan Chiu,Jia-Lin Huang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

Naturally oxidized film removing method and naturally oxidized film removing device

Номер патента: US10460946B2. Автор: Akifumi YAO,Mitsuhiro Tachibana,Koji Takeya,Shinichi Kawaguchi,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-29.

Method for forming capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer

Номер патента: US5506166A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-04-09.

Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same

Номер патента: US5392189A. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-02-21.

Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same

Номер патента: US20020195642A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Pierre C. Fazan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190157320A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

High Dielectric Constant Dielectric Layer Forming Method, Image Sensor Device, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20200127024A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

High dielectric constant dielectric layer forming method, image sensor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160329364A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsin-Chieh Huang,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US09905463B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Photoelectric device based on quantum dots and its manufacturing method

Номер патента: US20240250198A1. Автор: Seong Jun Kang,Jun Hyung Jeong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-25.

Photoelectric device based on quantum dots and its manufacturing method

Номер патента: US20240250193A1. Автор: Seong Jun Kang,Jun Hyung Jeong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system

Номер патента: WO2007121007A2. Автор: Tatsuya Sato,Christopher Olsen,Thai Cheng Chua,Patricia M. Liu,John P. Holland,Steven Hung,Alex M Paterson,Valentin Todorov. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Variable dielectric constant materials in same layer of a package

Номер патента: US11715688B2. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-01.

High dielectric constant material deposition to achieve high capacitance

Номер патента: WO2001050509A1. Автор: Hua Shen,Thomas Shaw,Katherine Lynn Saenger,Jenny Lian,David Kotecki,Robert Laibowitz,Satish D. Athavale,Marin Gutsche,Yun Yu-Wang. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-07-12.

Thin-film transistor (TFT) for driving organic light-emitting diode (OLED) and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060292757A1. Автор: Yung-Fu Wu,Yu-Jung Liu,Yung-Hui Yeh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-12-28.

Method and apparatus for heat-treating high dielectric constant film

Номер патента: US09966254B2. Автор: Hikaru KAWARAZAKI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for heat-treating high dielectric constant film

Номер патента: US09837266B2. Автор: Hikaru KAWARAZAKI. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of zinc alloying substrates or layers of indium phosphide

Номер патента: RU2686523C1. Автор: Евгений Александрович Емельянов,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Михаил Олегович Петрушков,Борис Рэмович Семягин,Дмитрий Федорович Феклин,Андрей Васильевич Васев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2019-04-29.

Interconnect structures comprising capping layers with low dielectric constants and methods of making the same

Номер патента: SG192319A1. Автор: Bonilla Griselda,Grunow Stephan,Yun Wang,Chao-Kun Hu,a clevenger Lawrence,Zhiguo Sun,Yiheng XU,Hyeok-Sang Oh,Tien Cheng,A Quon Roger,Wei-Tsui Tseng. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Dielectric composite material for fingerprint sensor induction layer and preparation method thereof

Номер патента: US20170121520A1. Автор: Yakai Feng,Xiaohua Tan,Ju Huo,Huiyun Yu,Xuyun Sun. Владелец: TECORE SYNCHEM Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of forming a high K metallic dielectric layer

Номер патента: US20030104673A1. Автор: Alex See,Jun Song,Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Cher Cha,Wye Loh,Chua Tee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180082895A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10229852B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20180090375A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US10699951B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Self-aligned low dielectric constant gate cap and a method of forming the same

Номер патента: US20170170068A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan V.V.S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Kind of light-heat dual curing anisotropic conductive adhesive anisotropic conductive film and their preparation methods

Номер патента: US20140193599A1. Автор: Ren-Liang Xiao,Chang-Hou Zhao,Cheng-Cui Liu,Xian-Fei Wan,Chang-Wu Yang,Hua-Guo Yin. Владелец: SHENZHEN FISHER INDUSTRIAL CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Damascene patterning for thin-film transistor fabrication

Номер патента: WO2019009873A1. Автор: Kevin Lin,Jack Kavalieros,Van Le. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-10.

PLZT capacitor and method to increase the dielectric constant

Номер патента: US09842695B2. Автор: Manuel Ray Fairchild,Ralph S. Taylor,Tae H. Lee,Uthamalingam Balachjandran. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

N-type thin film transistor

Номер патента: US09806274B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Backside illuminated image sensor device having an oxide film and method of forming an oxide film of a backside illuminated image sensor device

Номер патента: US09691809B2. Автор: Li Te Hsu,Hung Jui Chang,Jeng Chang HER,Chung-Bin Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

CNT thin film transistor with high K polymeric dielectric

Номер патента: US09620728B2. Автор: Zhao Li,Naiying Du,Jacques Lefebvre,Patrick Malenfant,Girjesh Dubey,Gregory Lopinski,Shan Zou. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2017-04-11.

Capacitors including amorphous dielectric layers and methods of forming the same

Номер патента: US09437420B2. Автор: Uwe Schroeder,Han-jin Lim,Kyu-Ho Cho,Youn-Soo Kim,Steve Knebel. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Formulations for producing indium oxide-containing layers, methods for producing said layers and the use thereof

Номер патента: RU2659030C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2018-06-27.

Dielectric having high-dielectric constant, method of manufacturing the same, target material for manufacturing the dielectric, electronic device including the dielectric, and electronic apparatus including the electronic device

Номер патента: US20230178584A1. Автор: Hyungjun Kim,Jooho Lee,Yongsung Kim,Yong-hee Cho,Boeun PARK,Jeongil BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Pb/Bi-containing high-dielectric constant oxides using a non-P/Bi-containing perovskite as a buffer layer

Номер патента: US5393352A. Автор: Scott R. Summerfelt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-02-28.

Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film

Номер патента: EP1050600A1. Автор: Frederic Gaillard,Li-Qun Xia,Fabrice Geiger,Ellie Yieh,Tian Lim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-08.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US11921394B2. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

High dielectric constant material at locations of high fields

Номер патента: US20210193791A1. Автор: Russell Croman,Stefan N. Mastovich,Dan B. Kasha,Thomas C. Fowler. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: EP3963396A1. Автор: Teck Ping SIM,Kenneth R. Crounse,Stephen J. Telfer,Kosta Ladavac,Timothy J. O'malley,Cristina Visani. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2022-03-09.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20220390806A1. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Nucleics Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20230288772A1. Автор: Teck Ping SIM,Kenneth R. Crounse,Stephen J. Telfer,Kosta Ladavac,Timothy J. O'malley,Cristina Visani. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20240201556A1. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US6940095B2. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Fabrication method for thin film transistor array substrate

Номер патента: US20070166893A1. Автор: Li-Chung Chang,Yu-Rung Huang,Chia-Tsung Lee,Chia-Hui Chueh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20050032282A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Process for electrodepositing zinc oxide film

Номер патента: US20020048966A1. Автор: Kozo Arao,Noboru Toyama,Yuichi Sonoda,Yusuke Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method of fabricating thin film transistor array

Номер патента: US20040104401A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and cmos inverter

Номер патента: US20210366989A1. Автор: Huafei XIE. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Thin film transistor, manufacturing method of same, and CMOS inverter

Номер патента: US11289543B2. Автор: Huafei XIE,Shujhih CHEN,Chiayu Lee. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Method of forming zinc oxide film (ZnO) or magnesium zinc oxide film (ZnMgO) and apparatus for forming zinc oxide film or magnesium zinc oxide film

Номер патента: US09598768B2. Автор: Akio Yoshida,Takahiro Shirahata,Masahisa Kogura,Hiroyuki Orita. Владелец: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Ionizing radiations planar converter and its manufacturing method

Номер патента: RU2599274C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Андрей Андреевич Краснов,Ксения Андреевна Кузьмина,Юлия Константиновна Омельченко,Валерий Петрович Яромский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2016-10-10.

Semiconductor optical element and its manufacturing process; semiconductor optical element based on group ii oxide element and its manufacturing process

Номер патента: RU2169413C2. Автор: Кавасаки Масаси,Коинума Хидеоми,Охтомо Акира,Сегава Юсабуро,Ясуда Такаси. Владелец: Джапан Сайенс энд Текнолоджи Корпорейшн. Дата публикации: 2001-06-20.

Method for manufacturing DRAM device using high dielectric constant

Номер патента: US5741722A. Автор: Chang Jae Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-21.

Method of forming highly-integrated thin film capacitor with high dielectric constant layer

Номер патента: US5943547A. Автор: Shintaro Yamamichi,Pierre Yves Lesaicherre. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Capacitor with high dielectric constant materials and method of making

Номер патента: US20030013263A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Mark Visokay. Владелец: Mark Visokay. Дата публикации: 2003-01-16.

Low-k dielectric layer with reduced dielectric constant and strengthened mechanical properties

Номер патента: WO2015126775A1. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for manufacturing p-type zinc oxide film

Номер патента: US09934968B2. Автор: Tsutomu Nanataki,Jun Yoshikawa,Morimichi Watanabe,Masaki Tanemura. Владелец: Nagoya Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2018-04-03.

Forming a low-k dielectric layer with reduced dielectric constant and strengthened mechanical properties

Номер патента: US09850574B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

N-type thin film transistor

Номер патента: US09548464B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Electrodes for high dielectric constant materials

Номер патента: US5520992A. Автор: Scott R. Summerfelt,Monte A. Douglas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-05-28.

F ion implantation into oxide films to form low-K intermetal dielectric

Номер патента: US6159872A. Автор: Stepan Essaian,Daniel Henry Rosenblatt. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Semiconductor device and method of forming semiconductor package with RF antenna interposer having high dielectric encapsulation

Номер патента: US11894314B2. Автор: HunTeak Lee,Minkyung KIM,Yongwoo Lee,Gwang Kim,JunHo Ye,YouJoung Choi,Namgu Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device and Method of Forming Semiconductor Package with RF Antenna Interposer Having High Dielectric Encapsulation

Номер патента: US20240128201A1. Автор: HunTeak Lee,Minkyung KIM,Yongwoo Lee,Gwang Kim,JunHo Ye,YouJoung Choi,Namgu Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Capacitor with high dielectric constant materials

Номер патента: US20030011015A1. Автор: Sam Yang,Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips

Номер патента: US20240232489A9. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Package structure and its fabrication method

Номер патента: US10304750B2. Автор: Che-Wei Hsu. Владелец: Phoenix and Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Transparent conductive oxide film and heterojunction solar cell

Номер патента: AU2021385099A1. Автор: Hua Zhou,Dan Zhou,Qiong CHENG,Haichuan Zhang,Fanying Meng,Qiang Yuan,Jianhua SHI,Zhengxin Liu,Chuncai MENG. Владелец: Tongwei Solar Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Transparent conductive oxide film and heterojunction solar cell

Номер патента: US20240162364A1. Автор: Hua Zhou,Dan Zhou,Qiong CHENG,Haichuan Zhang,Fanying Meng,Qiang Yuan,Jianhua SHI,Zhengxin Liu,Chuncai MENG. Владелец: Zhongwei New Energy (chengdu) Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

A Thin-Film Transistor Comprising Organic Semiconductor Materials

Номер патента: US20210257568A1. Автор: Yu Xia,Antonio Facchetti,Zhihua Chen,Shaofeng Lu,Timothy Chiu. Владелец: Flexterra Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials

Номер патента: EP1536035A3. Автор: Bing Ji,Stephen Andrew Motika,Dingjun Wu,Eugene Joseph Karwacki Jr.. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor structure and its formation method

Номер патента: US20220084818A1. Автор: JIANG Chu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Thin film transistor based light sensor

Номер патента: US20230063673A1. Автор: Katherine H. Chiang,Shih-Llen Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Capacitor and its manufacturing method

Номер патента: US20110116210A1. Автор: Masao Nakayama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for forming low dielectric constant fluorine-doped layers

Номер патента: US7579271B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

N-type thin film transistor

Номер патента: US09786854B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

N-type thin film transistor

Номер патента: US09583723B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Charge coupled device based on atomically layered van der waals solid state film for opto-electronic memory and image capture

Номер патента: US09431565B2. Автор: Antony George,Bo Li,Pulickel M. Ajayan,Sidong Lei,Liehui Ge,Robert Vajtai. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2016-08-30.

Substrate equipped with a set having thermal properties, its application and its manufacture

Номер патента: RU2747376C2. Автор: Доминик Билльере,Николя Меркадье,Маттье ОРВЕН,Ксавье Кайе. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2021-05-04.

Method of improving adhesion of indium microcontacts using ultrasound processing

Номер патента: RU2676222C2. Автор: Лариса Александровна Васильева,Виталий Владимирович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-12-26.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes

Номер патента: US5554866A. Автор: Kyung-ho Park,Scott R. Summerfelt,Yasushiro Nishioka,Pijush Bhattacharya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-10.

Low-voltage operation dual-gate organic thin-film transistors and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220209149A1. Автор: Jin Jang,Robert George Manley,Mingqian He,Karan Mehrotra,Xiuling Li,Nikolay Zhelev Zhelev. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-06-30.

Conductor etching for producing thin-film transistor devices

Номер патента: GB2582214A. Автор: Jongman Jan,Dury Joffrey,Asplin Brian. Владелец: FlexEnable Ltd. Дата публикации: 2020-09-16.

Plzt capacitor and method to increase the dielectric constant

Номер патента: US20170330685A1. Автор: Uthamalingam Balachandran,Manuel Ray Fairchild,Ralph S. Taylor,Tae H. Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-16.

Interconnect structures comprising capping layers with low dielectric constants and methods of making the same

Номер патента: SG159452A1. Автор: Wang Yun,XU Yiheng,Hu Chao-Kun,Sun Zhiguo,OH Hyeok Sang,Griselda Bonilla,Stephan Grunow,Lawrence A Clevenger,Roger A Quon,Cheng Tien,Tseng Wei-Tsui. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-03-30.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A3. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-03-25.

Methods for manufacturing high dielectric constant film

Номер патента: WO2009154836A2. Автор: Yi Ma,Khaled Z. Ahmed,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-12-23.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Thin film transistor manufacturing method and organic electroluminescent display device

Номер патента: US20060108938A1. Автор: Mitsuoki Hishida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Selective high dielectric constant material etchant

Номер патента: EP1828070A2. Автор: John Starzynski. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-09-05.

Semiconductor device includes gate insulating film having a high dielectric constant

Номер патента: US6949425B2. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor device includes gate insulating film having a high dielectric constant

Номер патента: US6664577B2. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-16.

Chemical Sensors Based on Plasmon Resonance in Graphene

Номер патента: US20150369735A1. Автор: Phaedon Avouris,Damon B. Farmer,Hugen Yan,Yilei Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of forming a high dielectric constant film and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP1913629A1. Автор: Christian Dussarrat,Satoshi Kamiyama,Kazutaka Yaganita. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2008-04-23.

Method for forming low dielectric constant layer

Номер патента: US20020132494A1. Автор: Wen-Yi Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of producing low thermal budget high dielectric constant structures

Номер патента: US20020197818A1. Автор: Lan-Lin Chao,Wong-Cheng Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Composition for forming a coating film, method of preparing the composition, tantalum oxide film and method of forming the tantalum oxide film

Номер патента: US20050003085A1. Автор: Hitoshi Kato,Tatsuya Sakai,Isamu Yonekura,Sachiko Hashimoto. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Method for stabilizing low dielectric constant materials

Номер патента: US20020115305A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Sheng Yang,Yung-Tsung Wei,Cheng-Yuan Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Structure and method for interlevel dielectric layer with regions of differing dielectric constant

Номер патента: US20240250018A1. Автор: Anhao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Chemical sensors based on plasmon resonance in graphene

Номер патента: US09594018B2. Автор: Phaedon Avouris,Damon B. Farmer,Hugen Yan,Yilei Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Microwave-annealed indium gallium zinc oxide films and methods of making the same

Номер патента: US09559249B2. Автор: Aritra DHAR,Terry L. Alford. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2017-01-31.

Electroluminescent device including boss layer and its manufacture method

Номер патента: US09496318B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Chemical sensors based on plasmon resonance in graphene

Номер патента: US09423345B2. Автор: Phaedon Avouris,Damon B. Farmer,Hugen Yan,Yilei Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Aqueous polishing composition and method for chemical-mechanical polishing of substrates, having structured or unstructured dielectric layers with low dielectric constant

Номер патента: RU2589482C2. Автор: Виджай Иммануэль РАМАН,Франк РИТТИГ,Юйчжо ЛИ,Вей Лан Уильям ЧИУ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of manufacturing a thin film transistor using multiple sputtering chambers

Номер патента: US6177302B1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takeshi Fukada,Takashi Inushima,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-23.

Pixel structure and thin film transistor array used in liquid crystal display

Номер патента: US20040104388A1. Автор: Meng-Yi Hung. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Visible light detector with high-photoresponse based on TiO2/MoS2 heterojunction and preparation thereof

Номер патента: US11961934B2. Автор: Yinghui Sun,Bingxu Liu,Rongming WANG. Владелец: University of Science and Technology Beijing USTB. Дата публикации: 2024-04-16.

Forming a high dielectric constant film using metallic precursor

Номер патента: US20050017238A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

Integrating embedded memory on cmos logic using thin film transistors

Номер патента: US20210296396A1. Автор: Chen Zhang,Bruce B. Doris,Ruilong Xie,Heng Wu,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Thin film transistor based temperature sensor

Номер патента: US20230061108A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Uv crosslinking of pvdf-based polymers for gate dielectric insulators of organic thin-film transistors

Номер патента: US20210226142A1. Автор: Yang Li,Xin Li,Mingqian He,Hongxiang Wang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor structures of anti-fuse devices and core devices with different dielectric layers and preparation method thereof

Номер патента: US12033938B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Restoring low dielectric constant film properties

Номер патента: US20090317971A1. Автор: May Yu,Alexandros T. Demos,Mehul Naik,Zhenjiang Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Selective aluminum oxide film deposition

Номер патента: WO2020055937A1. Автор: Hung Nguyen,David Thompson,Feng Q. Liu,Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Zinc oxide ink and method for manufacturing the same, electron transport layer and display device

Номер патента: US20190112491A1. Автор: Wenhai MEI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Thin film transistor type display device, method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20040256622A1. Автор: Mutsumi Kimura,Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09857653B2. Автор: Gui Chen,Caiqin Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

GOA circuit based on P-type thin film transistors

Номер патента: US09786239B2. Автор: Shangcao CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Self-assembled monolayers of phosphonic acids as dielectric surfaces for high-performance organic thin film transistors

Номер патента: US09701698B2. Автор: Qian Miao,Danqing Liu,Zikai He. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2017-07-11.

Liquid crystal displays with oxide-based thin-film transistors

Номер патента: US09564478B2. Автор: Hiroshi Osawa,Szu-Hsien Lee,Shih Chang Chang,Ting-Kuo Chang,Cheng-Ho Yu,Abbas Jamshidi Roudbari,Kyung-Wook Kim,Chun-Yao Huang,Shang-Chih Lin,Yu-Cheng Chen,Ming-Chin Hung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Front contact based on indium-zinc oxide for photoelectric device and method of making said contact

Номер патента: RU2413333C2. Автор: Алексей КРАСНОВ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2011-02-27.

Thin film transistor substrate, manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and liquid crystal display equipment

Номер патента: US5889573A. Автор: Yasuo Tanaka,Akira Sasano,Toshihisa Tsukada,Hideaki Yamamoto,Ken Tsutsui,Haruo Matsumaru,Yuka Matsukawa,Kazuo Shirahashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-30.

Zinc oxide film method and structure for CIGS cell

Номер патента: US8168463B2. Автор: Robert D. Wieting. Владелец: CM Manufacturing Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for manufacturing a low dielectric constant inter-level integrated circuit structure

Номер патента: US5880018A. Автор: Terry Grant Sparks,Bruce Allen Boeck,Jeff Thomas Wetzel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Selective fabrication of high capacitance density areas in a low dielectric constant material

Номер патента: US7109125B1. Автор: Bin Zhao,Q. Z. Liu,David Feiler,Phil N. Sherman,Maureen Brongo. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2006-09-19.

Semiconductor device with high dielectric constant insulator material

Номер патента: US5973351A. Автор: Son V. Nguyen,David E. Kotecki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Stripline circuit requiring high dielectrical constant/high G-force resistance

Номер патента: US4159507A. Автор: Vincent R. Alfaro. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1979-06-26.

Process for forming zinc oxide film and processes for producing semiconductor device plate and photo-electricity generating device using the film

Номер патента: US6068755A. Автор: Tetsuro Nakamura,Koichi Matsuda,Yuichi Sonoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-30.

Limited thermal budget formation of pre-metal dielectric layers

Номер патента: EP1711962A2. Автор: ZHENG Yuan,Nitin K. Ingle,Shankar Venkataraman,Cary Ching,Shan Wong,Kevin Mikio Mukai. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-10-18.

High dielectric constant metal silicates formed by controlled metal-surface reactions

Номер патента: EP1301941A2. Автор: James J. Chambers,Gregory N. Parsons,M. Jason Kelly. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-04-16.

Etching method, air-gap dielectric layer, and dynamic random-access memory

Номер патента: US11948805B2. Автор: Chun Wang,Bo Zheng,Xin Wu,Zhenguo MA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Plasma processes for depositing low dielectric constant films

Номер патента: EP1607493A3. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Yung-Cheng Lu,Farhad Moghadam,Shin-puu Jeng,Robert P. Mandal,Kuo-Wei Liu,Ralf B. Willecke,Tetsuya Ishikawa,Mike Barnes,Tze Poon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-07-04.

Integrated circuits with high dielectric constant interfacial layering

Номер патента: EP4156273A1. Автор: Uygar E. Avci,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Sarah ATANASOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Plzt capacitor and method to increase the dielectric constant

Номер патента: EP3244428A3. Автор: Uthamalingam Balachandran,Manuel Ray Fairchild,Ralph S Taylor,Tae H LEE. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Thin film transistor array substrate, manufacturing method thereof and touch display panel

Номер патента: US20170235396A1. Автор: Qiang Gong. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Soi wafers with buried dielectric layers to prevent cu diffusion

Номер патента: US20180012845A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Low dielectric constant materials and methods of preparation thereof

Номер патента: EP1373358A1. Автор: Kreisler Honeywell International Inc. LAU,Feng Quan Honeywell International Inc. LIU,Boris Honeywell International Inc. KOROLEV,Emma Honeywell International Inc. BROUK,Ruslan Honeywell International Inc. ZHEREBIN,Roger Honeywell International Inc. LEUNG,David Honeywell International Inc. NALEWAJEK,Paul HONEYWELL INTERNATIONAL INC. APEN. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-01-02.

Method of improving the planarizaton of an inter-metal dielectric layer

Номер патента: US5913142A. Автор: Ming-lun Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1999-06-15.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and method of manufacturing a thin film transistor array panel

Номер патента: US20130277666A1. Автор: Hyun Kim,Bong-Kyun Kim,Seung-Ha Choi,Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Hong Sick Park,Sho Yeon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Thin film transistor array substrate for digital X-ray detector device and digital X-ray detector device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11769783B2. Автор: Moonsoo KANG,Minsuk KONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Capacitor structure and its formation method and memory

Номер патента: US20230018954A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Solid state image pickup device and its manufacturing method

Номер патента: EP1766686A1. Автор: Masanori c/o FUJI FILM MICRODEV.CO. LTD. NAGASE,Kaichiro c/o FUJI FILM MICRODEV. CO. LTD. CHIBA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Solid state image pickup device and its manufacture

Номер патента: WO2006006341A1. Автор: Masanori Nagase,Kaichiro Chiba. Владелец: Fuji Photo Film Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-01-19.

Method of forming a capacitor dielectric layer

Номер патента: US20030207592A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Thin film transistor array panel

Номер патента: US20080044961A1. Автор: Jin-Ho Ju,You-Kyoung Lee,Soo-Im Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

Random Delay Generation for Thin-Film Transistor Based Circuits

Номер патента: US20180205400A1. Автор: Zhigang Wang,Vivek Subramanian,Mingming Mao. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2018-07-19.

Zinc Oxide-Crystalline Silicon Laminated Solar Cell And Preparation Method Thereof

Номер патента: US20240322060A1. Автор: Wen Cai,Dai Qi You,Liu De Xiong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Random delay generation for thin-film transistor based circuits

Номер патента: EP2351378A1. Автор: Zhigang Wang,Vivek Subramanian,Mingming Mao. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

Random delay generation for thin-film transistor based circuits

Номер патента: US20140323035A1. Автор: Zhigang Wang,Vivek Subramanian,Mingming Mao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Random delay generation for thin-film transistor based circuits

Номер патента: US09985664B2. Автор: Zhigang Wang,Vivek Subramanian,Mingming Mao. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2018-05-29.

Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same

Номер патента: US09978780B2. Автор: Young-Wook Lee,Jang-Soo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911765B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Array substrate, liquid crystal display panel, and its liquid crystal display device

Номер патента: US09904121B2. Автор: Cheng-Hung Chen,Shishuai Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Thin film transistor substrate and display device including the same

Номер патента: US09899422B2. Автор: Jaehak LEE,Eunje Jang,Sungin RO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of making an organic thin film transistor

Номер патента: US09882128B2. Автор: Oana Diana Jurchescu,Peter James Diemer. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of making N-type thin film transistor

Номер патента: US09843006B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of making N-type thin film transistor

Номер патента: US09806264B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

SOI wafers with buried dielectric layers to prevent Cu diffusion

Номер патента: US09806025B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing high resistivity SOI wafers with charge trapping layers based on terminated Si deposition

Номер патента: US09768056B2. Автор: Igor Peidous,Illaria Katia Marianna Pellicano. Владелец: SunEdison Semiconductor Pty Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor manufactured by the method, and electronic device comprising the thin film transistor

Номер патента: US09761818B2. Автор: Jiyoung JUNG,Ajeong CHOI,Jaewon Jang,Joo Young Kim,Byong Gwon Song,Youngjun YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film transistor array and manufacturing method of the same

Номер патента: US09735381B2. Автор: Ryohei Matsubara. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716118B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Thin film transistor substrate and display using the same

Номер патента: US09691799B2. Автор: Sungjin Lee,Moonho Park,Sohyung Lee,YoungJang Lee,KyungMo SON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US09620729B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor array panel and display device including the same

Номер патента: US09601520B2. Автор: Chang Oh Jeong,Hyung Jun Kim,Joon Yong Park,Hong Long NING,Sang Won SHIN,Byeong Beom Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595542B2. Автор: Yu Jin Lee,Hyun Ki Hwang,Young Je Cho,Won Ho Kim,Sung Man Kim,Tae Hyung HWANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Organic thin film transistor and preparation method thereof, array substrate and preparation method thereof, and display device

Номер патента: US09583722B2. Автор: Qiang SHI,Honhang FONG,Yingtao Xie,Shihong OUYANG,Shucheng CAI,Ze Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of making an organic thin film transistor

Номер патента: US09530975B2. Автор: Oana Diana Jurchescu,Peter James Diemer. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2016-12-27.

Low dielectric constant polymer containing dinaphthyl and hexafluorocyclobutyl ether unit, preparation method and use

Номер патента: US09518151B2. Автор: Chao Yuan,Kai Li,Yingchun Liu,Qiang Fang,Kaikai JIN,Shen DIAO. Владелец: Shanghai Institute of Organic Chemistry of CAS. Дата публикации: 2016-12-13.

Dielectric Fins With Different Dielectric Constants and Sizes in Different Regions of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240379452A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Hua Feng Chen,Min-Yann Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Organic thin-film transistor sensor arrangements

Номер патента: US09442087B2. Автор: Zhenan Bao,Mark E. Roberts. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-13.

Post treatment for dielectric constant reduction with pore generation on low K dielectric films

Номер патента: US09324571B2. Автор: Alexandros T. Demos,Kang Sub Yim,Sure Ngo,Pendar ARDALAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Liquid crystal component module and method of controlling dielectric constant

Номер патента: US7929067B2. Автор: Yasuyuki Irie. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

A kind of preparation method of carbon film coated zinc oxide hollow ball

Номер патента: CN105552334B. Автор: 徐军明,孟雨,武军,蔡远,宋开新. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-04-17.

DIELECTRIC MATERIALS BASED ON POLYMERS AND HIGH DIELECTRIC PERMITTIVITY

Номер патента: FR2583914A1. Автор: François Micheron,Dominique Broussoux. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1986-12-26.

A kind of preparation method of high ductility silver zinc oxide contact material

Номер патента: CN109500391A. Автор: 李波,陈光明,李耀林,黄锡文,肖光,蒙建洲,蒋义斌. Владелец: Guilin Electrical Equipment Scientific Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-22.

A kind of compound micron bar electrode material of zinc oxide/nickel and preparation method thereof

Номер патента: CN109301221A. Автор: 林燕,曹琦,黄小华,吴建波,钟文武,申士杰,曹一琦. Владелец: Taizhou University. Дата публикации: 2019-02-01.

A kind of solid oxide fuel cell electrode and preparation method thereof and solid oxide fuel cell based on it

Номер патента: CN105470529B. Автор: 赵程,庞胜利,沈湘黔,范景波,冯玉华,潘铁政. Владелец: SUZHOU PANT PIEZOELECTRIC TECH Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-14.

It is a kind of that the method that barrier film prepares high-performance lithium-sulfur cell is modified based on rich nitrogen molecular

Номер патента: CN107204414A. Автор: 张景萍,孙海珠,范朝英. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2017-09-26.

Dynamic random access memory device fabricated with two kinds of field effect transistor different in thickness of gate oxide films

Номер патента: US5083172A. Автор: Junji Kiyono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Resin composition and dielectric layer and capacitor produced therefrom

Номер патента: US09779880B2. Автор: Zhou Jin,Tao Cheng,Qilin CHEN. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-10-03.

Resin composition and dielectric layer and capacitor produced therefrom

Номер патента: US09455088B2. Автор: Zhou Jin,Tao Cheng,Qilin CHEN. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-09-27.

Optically controlled millimeter range switch for structures based on waveguide with pin walls on basis of printed board

Номер патента: RU2665335C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Антон Сергеевич Лукьянов,Артем Юрьевич Никишов,Елена Александровна Шепелева. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-08-29.

Multilayer ceramic capacitor and its production method

Номер патента: EP1553605A3. Автор: Akira c/o TDK Corporation SATO,Yukie C/O Tdk Corporation Nakano,Mari c/o TDK Corporation Miyauchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-31.

High dielectric- constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process

Номер патента: MY133860A. Автор: Hitoshi Tanaka,Masami Satoh. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-11-30.

Polysiloxane compositions and elastomeric materials with high dielectric permeability based thereon

Номер патента: RU2767650C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Азиз Мансурович Музафаров,Виталий Георгиевич Шевченко,Михаил Юрьевич Яблоков,Надежда Андреевна Тебенева,Иван Борисович Мешков,Павел Евгеньевич Ивашкин,Мария Сергеевна Паршина,Александр Николаевич Тарасенков,Александра Александровна Калинина,Аскольд Альбертович Труль,Алина Гайфетдиновна Хмельницкая,Елена Валерьевна Агина,Игорь Васильевич Безсуднов,Никита Олегович Алпатов. Владелец: Публичное акционерное общество «СИБУР Холдинг». Дата публикации: 2022-03-18.

Capacitor and its manufacturing method

Номер патента: US20010017758A1. Автор: Mutsuaki Murakami,Toshiharu Saito,Motoi Kitano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

High dielectric constant composite materials and methods of manufacture

Номер патента: US09556321B2. Автор: Randy D. Curry,Kevin O'connor. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2017-01-31.

Enhanced Q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: US09755293B2. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

High dielectric constant type ceramic composition

Номер патента: CA1108842A. Автор: Hitoshi Tanaka,Kiyoshi Furukawa,Nobuaki Kikuchi,Shinobu Fujiwara,Osamu Iizawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 1981-09-15.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: US20200035376A1. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: PH12018502267A1. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2019-09-23.

Circuit obfuscation using differing dielectric constants

Номер патента: US09565749B2. Автор: Robert Tilman WORL. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of producing a biological sensor based on graphene oxide and a biological sensor on a flexible substrate

Номер патента: RU2697701C1. Автор: Николай Сергеевич Стручков,Иван Александрович Комаров,Александр Николаевич Калинников,Владимир Александрович Нелюб,Алексей Сергеевич Бородулин,Ольга Михайловна Антипова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2019-08-19.

Titanium-based material or a titanium alloy-based material with surface electrical conductivity, and its methods of manufacturing, and fuel cell separator, fuel cell using it

Номер патента: RU2636651C1. Автор: Дзунко ИМАМУРА,Кадзухиро Такахаси,Масанари Кимото,Таку КАГАВА,Кийонори ТОКУНО,Ацухико КУРОДА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2017-11-27.

Composition for forming high dielectric film for film capacitor

Номер патента: US20110249374A1. Автор: Meiten Koh,Nobuyuki Komatsu,Kouji Yokotani,Mayuko Tatemichi,Eri Mukai,Miharu Ota. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2011-10-13.

Dual-band filtering switch based on single quad-mode dielectric resonator

Номер патента: US20230117966A1. Автор: Quan Xue,Yuanchun Li,DIsi WU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2023-04-20.

Antenna device based on transparent substrate and method of configuring antenna device

Номер патента: US20240222844A1. Автор: Wei-Chung Chen,Mei-Ju Lee,Ruo-Lan Chang,Liyang Tsai,Kuang-Hui Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-07-04.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109A. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-05-15.

A kind of magnetic-like linear silicon carbide and preparation method and application thereof

Номер патента: NL2034109B1. Автор: Zhang Rui,WANG Hailong,Guan Li,Zhang Xinyue,Fan Bingbing,Wang Xiangli,Gao Qiancheng,Hao Wending. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-12-08.

High Dielectric Thermoplastic Composition with Ceramic Titanate and the Shaped Article Thereof

Номер патента: US20240352222A1. Автор: Shijie Song,Yapeng Fang,Yinlong DU. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-10-24.

High dielectric constant ceramic material and method of manufacturing the same

Номер патента: US4767732A. Автор: Osamu Furukawa,Seiichi Yoshida,Motomasa Imai,Mitsuo Harata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

High dielectric material composed of sintered body of rare earth sulfide

Номер патента: CA2520699A1. Автор: Kazumasa Igarashi,Yoichiro Uemura,Shinji Hirai,Toshiyuki Nishimura,Shigenori Morita,Michihiro Ohta. Владелец: Muroran Institute Of Technology. Дата публикации: 2004-10-07.

Ceramic composition of high dielectric constant

Номер патента: CA1188089A. Автор: Takayuki Kuroda,Kaneomi Nagase,Gen Itakura,Takashi Iguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-04.

Tuning features for low profile high dielectric ceramic antenna

Номер патента: US20200403317A1. Автор: Young-ki Kim,Gregory J. Wunsch,Arturs E. Dinbergs,Clint H. Perry. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of enhancing electrical conduction in gallium-doped zinc oxide films and films made therefrom

Номер патента: US11807936B2. Автор: Gary J. Cheng,Qiong Nian. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-07.

Elastomer composites with high dielectric constant

Номер патента: CA3022105C. Автор: Evangelos Manias,Bo Li,David Eric RYAN. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Enhanced q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: US20150158771A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-06-11.

High-dielectric constant ceramic composite and ceramic capacitor elements

Номер патента: US5059566A. Автор: Osamu Furukawa,Yohachi Yamashita,Hideyuki Kanai,Mitsuo Harata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Method of enhancing electrical conduction in gallium-doped zinc oxide films and films made therefrom

Номер патента: US20190017164A1. Автор: Gary J. Cheng,Qiong Nian. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-01-17.

Enhanced q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: EP3077349A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-12.

Enhanced q high dielectric constant material for microwave applications

Номер патента: WO2015085270A1. Автор: Michael David Hill. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

Ultra-high dielectric constant garnet

Номер патента: US11987531B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20200027632A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Ear-worn devices with high-dielectric structural elements

Номер патента: US20200203812A1. Автор: Zhenchao Yang,Casey Murray,Janet Marie Glenn. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

High dielectric constant buried capacitors with extended operating temperature ranges

Номер патента: EP1144326A4. Автор: Barry J Thaler,Hung-Tse D Chen. Владелец: Lamina Ceramics Inc. Дата публикации: 2004-05-12.

Thermoplastic compositions with ultra-high dielectric constant for nano molding technology (nmt) applications

Номер патента: EP4413082A1. Автор: Jian Wang,Yun ZHENG. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-08-14.

Reconfigurable coupler based on ridge gap waveguide

Номер патента: US20240186673A1. Автор: Feng Xu,Yali Zhang. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-06-06.

Thermoplastic Compositions With Ultra-High Dielectric Constant for Nano Molding Technology (NMT) Applications

Номер патента: US20240327634A1. Автор: Jian Wang,Yun ZHENG. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Impedance matching in very high dielectric constant isolator/circulator junctions

Номер патента: US09935351B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Impedance matching in very high dielectric constant isolator/circulator junctions

Номер патента: US09640849B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High dielectric substrate antenna for implantable miniaturized wireless communications and method for forming the same

Номер патента: WO2010051189A1. Автор: Gregory J. Haubrich,Joyce K. Yamamoto,Duane N. Mateychuk. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2010-05-06.

Optically controlled millimeter range switch and devices based on it

Номер патента: RU2680429C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Антон Сергеевич Лукьянов,Артем Рудольфович Виленский,Артем Юрьевич Никишов,Елена Александровна Шепелева. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-02-21.

Gas-diffusion plate and its manufacturing process

Номер патента: RU2170477C1. Автор: н Г.В. Сероп,Г.В. Серопян,И.А. Никольский,В.Г. Косарев,Г.П. Федотов. Владелец: Серопян Георгий Ваграмович. Дата публикации: 2001-07-10.

Sintered composite oxide, manufacturing method therefor, sputtering target, transparent conductive oxide film, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20130181173A1. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Hitoshi Iigusa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

High dielectric constant X7R ceramic capacitor, and powder for making

Номер патента: US6043174A. Автор: Galeb H. Maher,Veerabhadrarao Bheemineni. Владелец: MRA Laboratories Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Method for obtaining long-dimensional superconducting composite wire based on magnesium diboride (options)

Номер патента: RU2647483C2. Автор: Дмитрий Николаевич Раков,Ильдар Мансурович Абдюханов,Мансур Нурахметович Насибулин,Анастасия Сергеевна Цаплева,Евгений Андреевич Зубок. Владелец: Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара". Дата публикации: 2018-03-16.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20230117745A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US20240120136A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants

Номер патента: US11830647B2. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Composite material with high dielectric constant and use in biocompatible devices

Номер патента: US11844881B2. Автор: Randy D. Curry,Kevin O'connor. Владелец: University of Missouri System. Дата публикации: 2023-12-19.

Impedance matching in very high dielectric constant isolator/circulator junctions

Номер патента: US20180323486A1. Автор: Michael David Hill,David Bowie Cruickshank,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

A kind of sparse beamforming algorithm of angle domain for channel coefficients of being made an uproar based on 3D mimo system bands

Номер патента: CN104836604B. Автор: 杨涛,胡波,冯辉,张仕宇. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

A kind of rotary type vortex-induced vibration of marine riser collection of energy and restraining device based on dielectric elastomer

Номер патента: CN106936335A. Автор: 娄敏,刘秀全,畅元江,陈濛越. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2017-07-07.

It is a kind of to be applied to energy scheduling method on star of the remote sensing satellite based on energy state

Номер патента: CN106972581A. Автор: 王建军,李小飞,赵长江,曾毅,张庆君,乔明,朱立颖,李延,齐亚琳. Владелец: Beijing Institute of Spacecraft System Engineering. Дата публикации: 2017-07-21.

A kind of wireless self-networking carrier wave detection channel access method kept out of the way based on time/power two-dimensional

Номер патента: CN108601067A. Автор: 吴俊�,雷磊,蔡圣所,王中正,陈礼桃. Владелец: NANJING HUAXUN ARK COMMUNICATION EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-28.

A kind of the colorless fluorescent halftone color image screening method and device arranged side by side based on site

Номер патента: CN108391030A. Автор: 杨玲,钟云飞,胡垚坚,尚咪,游诗英. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2018-08-10.

A kind of the wireless sensor neural network intelligent control method and system of the hierarchical routing based on data aggregate

Номер патента: CN109041158A. Автор: 李航,胡智. Владелец: Shenyang Normal University. Дата публикации: 2018-12-18.

A kind of charge-discharge circuit and charge and discharge protecting method, management system and management method based on the circuit

Номер патента: CN107769280A. Автор: 候慧. Владелец: Chengdu Coulomb Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

A kind of position-sensor-free drive system current sensor fault-tolerance approach for making to correct based on current space vector error pro

Номер патента: CN110022107A. Автор: 张国强,赵楠楠,周洪雷,王高林,徐殿国,王奇维,李成睿. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-07-16.

A kind of control method for coordinating of electrical power system transient containing wind-powered electricity generation based on phase path analysis

Номер патента: CN107689638A. Автор: 刘杰,张健,王亮,杨阳,胡婷婷,曾沅,曾兵,刘明松,于钊,田书然,常江涛,屠竞哲,罗煦之,季笑庆,霍超,牛拴保,张剑云,柯贤波,牟欣玮,刘晓婧,王玥婷. Владелец: Yantai Power Supply Co of State Grid Shandong Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Alarm apparatus and its method for producing a use prohibition alarm by intercepting and discriminating a mobile signal of communication system prescribed in its mobile phone

Номер патента: US20050130679A1. Автор: Hidekatu Fujie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-16.

Alarm apparatus and its method for producing a use prohibition alarm by intercepting and discriminating a mobile signal of communication system prescribed in its mobile phone

Номер патента: US7561889B2. Автор: Hidekatu Fujie. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-14.

Multifunctional Router Based on Cloud Computing

Номер патента: LU100360B1. Автор: Xin Guo. Владелец: Xiamen Guangkai Electronic Tech Limited Company. Дата публикации: 2017-11-07.

Kind of computer network cable wiring fixing device

Номер патента: LU506182B1. Автор: Jun Liu. Владелец: Univ Baicheng Normal. Дата публикации: 2024-07-24.

Organic thin film transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20100237443A1. Автор: Yong-Young Noh,In-Kyu You,Jae Bon Koo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-09-23.

N-type semiconductor materials in thin film transistors

Номер патента: EP2266150A1. Автор: Deepak Shukla,Thomas Robert Welter. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-12-29.

Organic thin film transistor and process for manufacturing same

Номер патента: US7598116B2. Автор: Roberta Cuozzo,Anna Morra,Teresa Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-10-06.

Cnt thin film transistor with high k polymeric dielectric

Номер патента: CA2880662C. Автор: Zhao Li,Naiying Du,Jacques Lefebvre,Patrick Malenfant,Girjesh Dubey,Gregory Lopinski,Shan Zou. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-08-16.

Method and device for executing a device management command based on an execution time

Номер патента: WO2013089427A1. Автор: Hyoungjun Park,Jonghoon SHIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for tracing conductors of modal filter based on flat cable

Номер патента: RU2749994C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Антон Олегович Белоусов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-06-21.

Intercom device based on solid-state laser with pump by laser diode

Номер патента: RU2668359C1. Автор: Сергей Николаевич Григорьев-Фридман. Владелец: Сергей Николаевич Григорьев-Фридман. Дата публикации: 2018-09-28.

Structure for cross coupled thin film transistors and static random access memory cell

Номер патента: US5640342A. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-06-17.

Thin-film transistor comprising organic semiconductor materials

Номер патента: US11882710B2. Автор: Yu Xia,Antonio Facchetti,Zhihua Chen,Shaofeng Lu,Timothy Chiu. Владелец: Flexterra Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

High electron mobility transistor-based terahertz wave space external modulator

Номер патента: US09590739B2. Автор: Shen Qiao,Yaxin Zhang,Zhihong FENG,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-03-07.

Current-scaling active thin film transistor circuit structure for pixel of display device

Номер патента: US20070057294A1. Автор: Yen-Chung Lin,Han-Ping Shieh,Chia-Feng Yang,Pei-Ming Chen,Jian-Zhi Huang,Yen-Lin Wei,Ah-Chih Wang,Jiun-Shiau Wang. Владелец: Quanta Display Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Acoustic resonator based on high crystallinity doped piezoelectric thin film, and method for preparing the same

Номер патента: US20240243725A1. Автор: Kai Yang,Chengjie Zuo,Ziying WU,Fuhong LIN. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-07-18.

Kind of LED phase cut dimming power supply

Номер патента: US09591710B1. Автор: Dehua Zheng,Xianyun Zhao. Владелец: Zhuhai Shengchang Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Terminal device and its method of communication

Номер патента: RU2659232C2. Автор: Акихико НИСИО,Сейго НАКАО,Йосихико ОГАВА. Владелец: Сан Пэтент Траст. Дата публикации: 2018-06-29.

Thin film transistor substrate and method of manufacturing the same and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240215314A1. Автор: Younghyun KO,ChanYong JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic Thin Film Transistor and Method for Surface Modification of Gate Insulating Layer of Organic Thin Film Transistor

Номер патента: US20080315190A1. Автор: Kunji Shigeto,Iwao Yagi,Kazuhito Tsukagoshi,Yoshinobu Aoyagi. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2008-12-25.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11765917B2. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

One-of-a-kind to open edition non-fungible token dynamics

Номер патента: EP4409829A1. Автор: Vu Tran,Rajeev Advani,Sophia Dominguez. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Engine fault detection system based on high-frequency signals supply by means of communication

Номер патента: RU2730902C1. Автор: Вэй Чен,Синьминь ЛИ,Тинна ШИ,Чанлян СЯ,Шухай ДУН. Владелец: Тяньгун Юниверсити. Дата публикации: 2020-08-26.

Piezoelectric crystalline film of zinc oxide and method for making same

Номер патента: US4205117A. Автор: Toshio Ogawa,Hiroshi Nishiyama,Tasuku Mashio. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-27.

Thin Film Transistor Substrate and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240224594A1. Автор: Kyeongju Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20240224592A1. Автор: Daehwan Kim,Min-Gu Kang,Seungchan CHOI,Kyungchul OK,Jaeman JANG,Uyhyun Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic light emitting display device having the same

Номер патента: EP1796184A3. Автор: Jin-Seong Park,Min-chul Suh,Taek Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Gas multi-sensor based on organic field transistors (options) and device for analysis of multi-component gas mixture of the “electron nose” type on its basis

Номер патента: RU2676860C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Алексей Андреевич Васильев,Алексей Николаевич Киселев,Даниил Сергеевич Анисимов,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2019-01-11.

Creation of rhythmic password and authentication based on rhythmic password

Номер патента: US09454655B2. Автор: Chen Hao,Jian Wang,Guoqiang Hu,Zi Yu Zhu,Li Jun Mei,Qi Cheng Li,Yi Min Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Composite structural material based on ultrahigh molecular weight polyethylene, zinc oxide, 2-mercaptobenzothiazole and sulfur

Номер патента: RU2706658C1. Автор: Айталина Алексеевна Охлопкова,Сардана Афанасьевна Слепцова,Афанасий Алексеевич Дьяконов,Сахаяна Николаевна Данилова,Андрей Петрович Васильев,Юлия Сергеевна Герасимова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2019-11-19.

A kind of last penetration enhancer of aluminium zinc silicon rare earth composite powder and its technique for applying

Номер патента: CN105543776B. Автор: 刘晓鹏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

A kind of preparation method of nitrogen fluorine codope zinc-oxide film

Номер патента: CN105671507B. Автор: 李朋,吕志,刘亚强,曾庆国. Владелец: Shangqiu Normal University. Дата публикации: 2017-10-17.

Trivalent metal-doped hexagonal plate-shaped zinc oxide and method for producing same

Номер патента: EP3640213A1. Автор: Ryohei Yoshida,Mitsuo Hashimoto,Kazutaka Murai. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Trivalent metal-doped hexagonal plate-shaped zinc oxide and method for producing same

Номер патента: US20200129394A1. Автор: Ryohei Yoshida,Mitsuo Hashimoto,Kazutaka Murai. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

A kind of comprehensive recovering process of aluminium zinc white residue

Номер патента: CN106756063A. Автор: 张磊,刘宁,伏东才,林文军,潘向阳,刘一宁,廖贻鹏,戴慧敏. Владелец: Zhuzhou Smelter Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

A kind of preparation method of chromic acid silver/zinc oxide n-n heterojunction composite photocatalyst

Номер патента: CN109126790A. Автор: 李春花,黄凤萍,辛萌,刘博学,周鑫敏. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-01-04.

Create rhythmic password and authenticate based on rhythmic password

Номер патента: WO2013029412A1. Автор: Hao Chen,Jian Wang,Yimin Wang,Lijun Mei,Guoqiang Hu,Ziyu Zhu,Qicheng Li. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-07.

Techniques for robust reliability operation of a thin-film transistor (tft) display

Номер патента: WO2018118732A1. Автор: Ying Zheng,Gangok Lee,Matthew Morris,Andrew N. Cady,Minhyuk Choi,Rajesh Dighde,Jerry Michael HILL. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Ozone-stable elastomer composition based on butadiene-styrene rubber

Номер патента: RU2693766C1. Автор: Станислав Владимирович МЕДНИКОВ,Олег Олегович Тужиков,Борис Андреевич Буравов,Евгений Сергеевич Бочкарёв,Кристина Владимировна Солодовникова,Николай Владимирович Сычев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2019-07-04.

A kind of method that hydro-thermal electrophoresis prepares zinc oxide nano rod/carbon cloth friction material

Номер патента: CN108439457A. Автор: 张超,黄剑锋,费杰,罗丹,张立洁,段笑,屈蒙,谷岳峰. Владелец: SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-08-24.

A kind of method that zirconium alloy cladding pipe surface prepares oxide-film standard component

Номер патента: CN105420787B. Автор: 刘敏,邓畅光,周克崧,陈兴驰,张吉阜,肖晓玲. Владелец: Guangdong Institute of New Materials. Дата публикации: 2018-03-13.

It is a kind of that cloud storage method of controlling security and system are acted on behalf of based on public keys pond

Номер патента: CN108985099A. Автор: 富尧,钟民,钟一民,杨羽成. Владелец: Ruban Quantum Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

A kind of preparation method of magnesium alloy black micro-arc oxidation films

Номер патента: CN107419315A. Автор: 潘力,毛启航. Владелец: Shenzhen Guangdong Resplendence Environmental Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-01.

A kind of method of hydroxylapatite crystal in promotion differential arc oxidation film layer

Номер патента: CN108103551B. Автор: 刘明,严继康,唐婉霞,倪尔鑫,甘国友,杜景红,张家敏,甘有为,谈松林,易建宏,姜贵民. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-07-16.

A kind of five-axis robot tool orientation interpolation method for optimization of being divided and ruled based on each rotary shaft angular acceleration of lathe

Номер патента: CN105527927B. Автор: 孙玉文,徐金亭. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2018-06-12.

A kind of big magnitude three-dimensional deformation method of estimation of mining area surface for being based on two scape SAR intensity images

Номер патента: CN106767380A. Автор: 李志伟,朱建军,胡俊,易辉伟,杨泽发. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-31.

A kind of elevator and circuit and implementation method of illumination of linking that opened the door based on the POS

Номер патента: CN107555297A. Автор: 於铉. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-09.

A kind of mutual method and device of man-machine multi-modal on-vehicle safety sexual intercourse based on vocal print technology

Номер патента: CN107818783A. Автор: 王秀琴,郑惠林,何国涛,李全忠,蒲瑶,赵茂详. Владелец: Universal Information Technology (beijing) Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

A kind of method for building up of the optimizing scheduling of the brick field ferry bus based on least energy consumption

Номер патента: CN110188951A. Автор: 孙鑫,林景栋,张艺潇,张源鸿,谭旭楷. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2019-08-30.

A kind of selection method of the singlephase earth fault of the small current neutral grounding system based on FastICA

Номер патента: CN107688135A. Автор: 夏远洋,李啸骢,张焕博. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-13.

A kind of miscellaneous covariance matrix high-precision estimation method of making an uproar of KA-STAP based on sparse reconstruct

Номер патента: CN109212500A. Автор: 张琪,李建峰,王冠,沈明威,汪晨辉. Владелец: Hohai University HHU. Дата публикации: 2019-01-15.

A kind of intelligent platform of standing guard of the system that is used to direct traffic based on Internet of Things

Номер патента: CN107859366A. Автор: 陈科. Владелец: Shenzhen Lightlink Guangtong Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-30.

Techniques for robust reliability operation of a thin-film transistor (tft) display

Номер патента: US20180182349A1. Автор: Ying Zheng,Gangok Lee,Matthew Morris,Minhyuk Choi,Andrew Cady,Rajesh Dighde,Jerry Michael HILL. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

A kind of reinforcing solid-liquid cyclone separation device of flocculation in short-term and the method based on the device

Номер патента: CN107265692A. Автор: 金伟,李怀正,徐祖信,徐晋,马倩倩. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-20.

A kind of method and related chemistry copper plating bath that core inductance quality value is lifted based on chemical plating Porous Cu

Номер патента: CN107326348A. Автор: 张怀武,李永强,李清华,艾克华,何为,陈苑明,王守绪,王青云,唐鑫. Владелец: Innoquick Electronics Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

A kind of equal phase electrochemical aptamer sensor of hypersensitive for being used for fibrin ferment detection based on graphene signal amplification

Номер патента: CN107677715A. Автор: 王宗花,夏建飞,张亚星. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-09.

A kind of diphasic anaerobic processing unit and technique that direct inter-species electron transmission is built based on ethanol-type fermentation

Номер патента: CN107555591A. Автор: 张耀斌,赵智强. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2018-01-09.

A kind of preparation and application of the alpha-fetoprotein optical electro-chemistry competition immunologic pattern sensor based on Lazer's structure

Номер патента: CN108872341B. Автор: 戴宏,高利红,衣欢,郑祥钦,陈妍洁,林丹玫. Владелец: Fujian Normal University. Дата публикации: 2019-05-28.

A kind of preparation method of the Al-Si-Cu line aluminium alloy surface recombination ceramic films based on diboron trioxide

Номер патента: CN108754565A. Автор: 贾卫平,吕鹏翔. Владелец: Dalian University. Дата публикации: 2018-11-06.

It is a kind of that the Subway Tunnel boulder group detection method for combining geological drilling is detected based on fine motion

Номер патента: CN107065014A. Автор: 何剑光,林金华,马永刚,黄明峰. Владелец: CCCC First Highway Xiamen Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-18.

It is a kind of to browse the control method and control device that information determines user's gender based on user

Номер патента: CN109034868A. Автор: 王锦,杨辰灏,王成茁. Владелец: SHANGHAI 2345 NETWORK TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

A kind of infrared camera and the unmanned plane that natural gas line inspection is carried out based on infrared camera

Номер патента: CN108105593A. Автор: 李波,邓盛川. Владелец: Sichuan Still Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-01.

It is a kind of to multiply the two multi-standard track signal acquisition systems for taking two frameworks based on two

Номер патента: CN109677447A. Автор: 陈亮,杨春,吴磊,王鹤翔,杜昕,包莉,季志均,穆旭明. Владелец: Casco Signal Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

A kind of wisdom drainage pumping plant carrying out pump group Optimized Operation and early warning disposition based on SWMM model

Номер патента: CN109284873A. Автор: 李�浩,董成才,张伟毅. Владелец: Shanghai Kaiquan Pump Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-29.

A kind of catalytic component, preparation method and applications being used for vinyl polymerization or combined polymerization based on alkoxyl magnesium carrier

Номер патента: CN108341899A. Автор: 王志武,李树行,代金松,马庆利,李华姝,张军伟,张少鹏,李翔宇,李天军. Владелец: RENQIU LIHE TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

A kind of wheel face abrasive grain parameter preferred design method that thick distribution constraint is cut based on abrasive grain

Номер патента: CN108247554A. Автор: 徐西鹏,黄辉,方从富,崔长彩,黄国钦,张玉周. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-07-06.

It is a kind of that soft straight electric network fault detection method is maked somebody a mere figurehead based on ANN

Номер патента: CN109613395A. Автор: 文劲宇,向往,杨赛昭. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-04-12.

A kind of urban highway traffic crossing car traffic information lamp method for early warning and system based on car networking

Номер патента: CN106128137B. Автор: 黄伟,黄晶,胡林,郝威,伍文广,钟远兴. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-01-18.

It is a kind of to apply flue-cured tobacco management and the baking method for alleviating grey cigarette based on salicylic acid

Номер патента: CN109288110A. Автор: 陈洁,何军,张宇,黄维,宋鹏飞,杨春江,杨雪彪,任可,赵高坤,李军营,陈颐,邹聪明,徐安传,蔡永豪,沈俊儒,和健森,高德富,靳双珍. Владелец: Yunnan Academy of Tobacco Agricultural Sciences. Дата публикации: 2019-02-01.

A kind of method of the reflectance and transmitance for measuring high reflection/highly transmissive optical element based on optical cavity ring-down technology simultaneously

Номер патента: CN106556576A. Автор: 王静,崔浩,李斌成. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-04-05.

A kind of method for removing organic matter in micro-polluted source water that post is filtered based on biological cleaning

Номер патента: CN107162334A. Автор: 李�瑞,黄杨,程庆锋,能子礼超,唐晓茹. Владелец: Chengdu University of Information Technology. Дата публикации: 2017-09-15.

A kind of supply of cooling, heating and electrical powers type micro-grid system optimizing operation method based on ADHDP

Номер патента: CN110209130A. Автор: 吴凯,陈栋,韩琦,陈国荣,葛继科,刘灿,陈承源,代雪玲,陈祖琴,钟红月. Владелец: Chongqing University of Science and Technology. Дата публикации: 2019-09-06.

It is a kind of that formula cultivation course management system is put in a suitable place to breed based on vision signal

Номер патента: CN107749036A. Автор: 徐道猛,陈从平. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2018-03-02.

A kind of integrated treatment for cow manure method and apparatus of the livestock and poultry farm based on dry cleaning up excrement

Номер патента: CN107162321A. Автор: 赵立欣,冯晶,胡鑫,罗娟,姚宗路. Владелец: Chinese Academy of Agricultural Engineering CAAE. Дата публикации: 2017-09-15.

Based on Cu2Method for growing single-layer single crystal graphene on O dielectric layer

Номер патента: CN113564699A. Автор: 张雪,孙丽,王鹏,于法鹏,李妍璐,赵显�,国星. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-10-29.

It is a kind of that the complete face identification method for differentiating sub-space learning is cooperateed with based on multiple view

Номер патента: CN108596245A. Автор: 周军,董小刚,王玉伟,董西伟,杨茂保,李立现,邓安远,邓长寿. Владелец: Jiujiang University. Дата публикации: 2018-09-28.

A kind of carborane-diimide derivative and synthetic method and sensor array and preparation method and application based on it

Номер патента: CN107698614B. Автор: 刘科,房喻. Владелец: Shaanxi Normal University. Дата публикации: 2019-08-06.

It is a kind of not burnt the dual-temperature measure and control device and method of smoking set based on heating

Номер патента: CN110301678A. Автор: 晏名勇. Владелец: Shenzhen Fulai Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

A kind of method of the cartridge type steel storage tank hydraulic pressure lift upside-down mounting based on BIM technology

Номер патента: CN106088756A. Автор: 张媛媛,李凯. Владелец: MCC Tiangong Group Tianjin Corp Ltd. Дата публикации: 2016-11-09.

A kind of vehicle bend preventing side sliding and side turning safety control system and control method based on bus or train route collaboration

Номер патента: CN110085057A. Автор: 沈传亮,胡艺博,张山,苏卫,高镇海,杜英辰,周斌宇. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2019-08-02.

A kind of method that uniform flat mini-channel mean flow rate and shearing force are determined based on Dynamic Fluorescence powder concentration

Номер патента: CN105628666B. Автор: 于苗,王艳霞,覃开蓉,陈宗正,高争鸣,曾德培. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2018-04-10.

A kind of mobile block chain optimization calculation force distribution method under multiple edge calculations server scenes based on simulated annealing

Номер патента: CN109388492A. Автор: 黄亮,吴远,钱丽萍,石佳俊,陈相旭,汪道航. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2019-02-26.

It is a kind of that the method that colorimetric sensor quantitatively detects organophosphorus pesticide that builds is etched based on gold nanorods

Номер патента: CN107084979A. Автор: 卫伟,卫敏,吕冰婧. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2017-08-22.

A kind of phase sensitive optical time domain reflection system of the detection that is concerned with based on double homologous heterodyne

Номер патента: CN106482822A. Автор: 王旭,张瑾,于淼,白杨,崔洪亮,付群健,刘珉含. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2017-03-08.

A kind of collagen protein extracting method of Fish collagen protein without fishy smell extraction equipment and based on which

Номер патента: CN106497781A. Автор: 安信生. Владелец: Shimao (suzhou) Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-15.

A kind of device that high-speed main spindle rotor-support-foundation system dynamic stiffness is recognized based on out-of-balance force

Номер патента: CN106872127A. Автор: 梅雪松,许睦旬,姜歌东,运侠伦,胡振邦,张尊浩. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2017-06-20.

A method of growing zinc oxide nanorod arrays are regulated and controled based on two-dimensional colloidal monofilm

Номер патента: CN110040762A. Автор: 张颖,杨楠,闫森,安冉,邹永瑾. Владелец: Shaanxi Normal University. Дата публикации: 2019-07-23.

High-voltage zinc oxide lightning arrester on-line monitoring device based on wireless communication technology

Номер патента: CN202869544U. Автор: 陈勇,陈泽,洪云,陈小胜. Владелец: GUANGZHOU SCISUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Heating control system through prediction of user's sleep time based on big data analysis using smartphone

Номер патента: US20220205670A1. Автор: Sanghun Kim,Kiwoong KWON. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2022-06-30.

Heating control system through prediction of user's sleep time based on big data analysis using smartphone

Номер патента: US11796207B2. Автор: Sanghun Kim,Kiwoong KWON. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2023-10-24.

Article with coating with ir-reflecting layer and method of its manufacturing

Номер патента: RU2718457C1. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Роберт БЕЙКЕР,Стюарт СИЛЬВЕСТЕР,Эдуардо САНС. Владелец: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ ЮКей ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-06.

Aromatic latex and its method of fabricating

Номер патента: US20180282502A1. Автор: Guobin Liu. Владелец: Shenzhen Lezhimao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Offset PS Plate with Compound Support and Its Manufacturing Process

Номер патента: US20080107895A1. Автор: Xiangfeng CHEN. Владелец: WENZHOU KONITA PRINTING EQUIPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-08.

Multi-layer optical disc and its manufacturing method

Номер патента: WO2005022523A3. Автор: Jin Tao,Fulong Tang,Dianyong Chen. Владелец: Dianyong Chen. Дата публикации: 2005-06-02.

Cold pressing castor bean meal bacteria agent fermented organic fertilizer at room temperature and its preparation method and application

Номер патента: ZA202400476B. Автор: Li Mingjing,Wang Chao,ZHAO Yong,Wang Cheng,Yin Mingda,Gu Xiaohui,Wang Zhiyan,WEN Qi,Qiu Hongxiang,HE Zhibiao,LI Guorui,XU Shuyan,Zhang Jinglong,BAO XIAOYAN,LUO Rui,ZHAO Huayang,BAO Chunguang,HU Xuemei,HAN WENYU,LI Ruxin,Huang Fenglan,Liang Xiaotian,WEN Yanpeng,Di Jianjun,Peng Mu,CHANG Ruhui,Zhao Huibo,Su Zhimin. Владелец: Inner Mongolia Minzu Univ. Дата публикации: 2024-07-31.

Preparation, containing amino acids and plants, and its activity in alcohol detoxication

Номер патента: RU2573990C2. Автор: Юмао ЦИ,Цин ЦЗЕ,Фэнминь ЧЖАН,Ин ГУ,Мэйпин ЮЙ. Владелец: Ханчжоу Адамерк Фармлэбс Инк.. Дата публикации: 2016-01-27.

Pharmaceutical composition having cholagogic and litholytic effect and its preparation method

Номер патента: US20050042308A1. Автор: Wei Xiao,Minghui Li,Yin Yang,Ya Ling,Chenfeng Zhang,Zhenggen Liao,Shubo Cao. Владелец: Jiangsu Kanion Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Kind of High Oil-Absorbable Resin (HOAR) Comprising of Acrylic Polymers and its Preparation Methods and Uses

Номер патента: US20120065290A1. Автор: Gang Tang,Xiangyang He,Yuee Fang. Владелец: SHANGHAI FINETAC PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

A kind of modified starch/quartz sand composite microsphere and its preparation method and application

Номер патента: AU2020102174A4. Автор: Hu Yang,Pei Li,Aimin Li,Boqiang Gao. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-15.

High Selectivity Hydrogen Bonding Polymeric Adsorbent and its Application on the Separation and Purification of Effective Constituents from Ginkgo Extract

Номер патента: US20110218346A1. Автор: Zhi Yuan,Jing Zhang,Chunhong Wang,Ping Ren,Yingchao Chen,Rongfu Shi. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2011-09-08.

A kind of flavoring agent which can replace the attractiveness of plasma protein powder and its application

Номер патента: AU2020103641A4. Автор: Yong Zhang,Ruiyang Zhang,Fangfang Li,Dafei YIN,Yujing Zhu. Владелец: Shenyang Agricultural University. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for diagnosing the activity of inflammatory bowel diseases based on a combination of electrical and viscoelastic parameters of erythrocytes

Номер патента: RU2764870C1. Автор: Маргарита Витальевна Кручинина,Владимир Михайлович Генералов,Светлана Арсентьевна Курилович,Андрей Александрович Громов,Константин Владимирович Генералов,Александр Сергеевич Сафатов,Александра Викторовна Азгалдян,Владимир Николаевич Кручинин,Ирина Николаевна Яковина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение Федеральный исследовательский центр "Институт цитологии и генетики Сибирского отделения Российской академии наук" (ИЦиГ СО РАН). Дата публикации: 2022-01-21.

A kind of light-translucent artificial leatherette and a preparation method therefor, a kind of composite leatherette and an automotive interior

Номер патента: CA3170549A1. Автор: HAO CHENG,Qiang Guo,Jianhong Liu,Weifeng SONG. Владелец: Canadian General Tower Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Thin film transistor substrate and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US8223307B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Ho-Suk Maeng,Chul-Ho Kim,Kyung-Hoon Kim,Keun-Woo Park,Kook-Chul Moon,Pil-Mo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-17.

Indium tris n, n-diethylcarbamate, method of its production and obtaining of films of indium oxide on its basis

Номер патента: RU2649147C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-03-30.

Coated article having boron-doped zinc oxide based layer with enhanced durability under functional layer and method of making the same

Номер патента: RU2598007C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-09-20.

Heat-treatable coated product with ir-reflecting layers based on zirconium nitride and indium-tin oxide

Номер патента: RU2761227C2. Автор: Говэнь ДИН,Ивэй ЛУ,Сейзар КЛАВЕРО,Даниель ШВАЙГЕРТ,Гуйчжэнь ЧЖАН,Скотт ДЖУХЕРСТ,Даниель ЛИ. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-12-06.

Product with coating having low-emission coating with ir-radiation reflecting layer(-s) and layer with high refractive index based on niobium and bismuth and its production method

Номер патента: RU2759399C2. Автор: Говэнь ДИН,Сейзар КЛАВЕРО,Даниель ШВАЙГЕРТ,Брент БОЙС,Маркус ФРЭНК,Гуйчжэнь ЧЖАН,Скотт ДЖУХЕРСТ,Даниель ЛИ,Гаурав САРАФ,Минх ЛЕ. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-11-12.

Rubber resin material with high thermal conductivity and high dielectric constant and metal substrate using the same

Номер патента: US20230406982A1. Автор: Hung-Yi Chang,Te-Chao Liao,Chia-Lin Liu,Hao-Sheng Chen. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Electrolyser including a "nucleus-shell" cell with a nucleus based on low-permittivity dielectric materials

Номер патента: WO2011080789A1. Автор: Vito Di Noto,Enrico Negro,Sergio Bongiovanni,Aldo Bongiovanni,Enrico Bongiovanni,Marco Cagliari. Владелец: Strumenti Scientifici Cinel Srl. Дата публикации: 2011-07-07.

Electrolyser including a "nucleus-shell" cell with a nucleus based on low-permittivity dielectric materials

Номер патента: EP2519661A1. Автор: Vito Di Noto,Enrico Negro,Sergio Bongiovanni,Aldo Bongiovanni,Enrico Bongiovanni,Marco Cagliari. Владелец: Strumenti Scientifici Cinel Srl. Дата публикации: 2012-11-07.

A long-acting disinfectant and its preparation method

Номер патента: MY125515A. Автор: Ying-Chi Shih,Xiu-Ping Wang. Владелец: Xiu-Ping Wang. Дата публикации: 2006-08-30.

Kind of Ply Yarns and Ply Yarns Fabric

Номер патента: US20090130936A1. Автор: Weihua Ma,Yucheng Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Tire with component comprising cured rubber composition having high dielectric constant and related methods

Номер патента: US20190144639A1. Автор: Craig R. Balnis. Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2019-05-16.

Coated article with IR reflecting layer and method of making same

Номер патента: US09816316B2. Автор: Richard Blacker,Jingyu Lao,Philip J. Lingle,Brent Boyce,Bernd Disteldorf. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of Selecting Kind of Size of a Helmet and Shape of a Pad, Method of Adjusting Helmet Size by Using the Selection Method, and Head Size Measuring Tool Used in Aforesaid Selection Method

Номер патента: US20130158949A1. Автор: Takashi Ebisawa. Владелец: Shoei Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

A kind of Lepidium latifolium L. marker and its preparation and application

Номер патента: AU2020102138A4. Автор: Lei Jiang,Xiu Wang,Xiaoke WU,Yupei Zhang,Yanduo Tao,Ruitao Yu,Ruixue Yu,Lijuan Mei. Владелец: Northwest Institute of Plateau Biology of CAS. Дата публикации: 2020-10-15.

High-dielectric constant zwitterionic liquids

Номер патента: WO2023225050A1. Автор: Ralph H. Colby,Robert J. Hickey,Wenwen MEI. Владелец: THE PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Multipurpose Waterproof Zipper Shoe and its Preparation Method

Номер патента: US20180352891A1. Автор: Zhonghua Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-13.

Dielectric layers for digital microfluidic devices

Номер патента: US12128411B2. Автор: Richard J. Paolini, Jr.,Cristina Visani. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Stabilizing zinc oxide film in compositions for oral care

Номер патента: RU2697881C2. Автор: Бетти ВОН,Палома ПИМЕНТА,Шира ПИЛЧ,Джеймс МАСТЕРС. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-08-21.

Rubber resin material with high dielectric constant

Номер патента: US11920036B2. Автор: Hung-Yi Chang,Te-Chao Liao,Chia-Lin Liu,Chien-Kai Wei. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for identifying ice crystal fabric and distribution characteristics of ice flow field in ice sheet based on polarimetric radar

Номер патента: US10969471B2. Автор: Gang Tian,Bo Sun,Jiaxin Wang,Bangbing WANG,Zhanjie SHI,Wenke ZHAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-04-06.

Apparatus and process for producing zinc oxide film

Номер патента: US20030010644A1. Автор: Kozo Arao,Noboru Toyama,Yuichi Sonoda,Yusuke Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Kind of environment-friendly laundry beads with high stability and preparation method thereof

Номер патента: AU2023274148A1. Автор: Pingping WU,Quanwei WANG,Mingmei ZHANG. Владелец: Guangdong Youkai Technical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Glass material with low dielectric constant and low fiberizing temperature

Номер патента: US20220153628A1. Автор: Chia-Yu Lin. Владелец: Taiwan Glass Industry Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Blended tea brewed by using multiple kinds of tea leaves and tea blended by a tea blender

Номер патента: US20180116241A1. Автор: Yen Qi Cai,Siu Kam Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-03.

Glass material with low dielectric constant and low fiberizing temperature

Номер патента: US11713273B2. Автор: Chia-Yu Lin. Владелец: Taiwan Glass Industry Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Stretch sensor with elastic dielectric layer

Номер патента: US10485453B2. Автор: Tzu-Hsuan Huang,Wei-Liang Liu. Владелец: Taiwan Alpha Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Heat-accumulating composition based on mixture of zinc nitrate hexahydrate and its oxide

Номер патента: RU2763355C1. Автор: Светлана Владимировна Моржухина,Дмитрий Сергеевич Тестов,Артём Маркович Моржухин. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московской области "Университет "Дубна" (Государственный университет "Дубна"). Дата публикации: 2021-12-28.

Method of luminescent quartzoid bismuth-containing material producing based on high-silica porous glass

Номер патента: RU2605711C2. Автор: Татьяна Викторовна Антропова,Ирина Николаевна Анфимова,Марина Андреевна Гирсова,Галина Николаевна Головина,Людмила Николаевна Куриленко,Сергей Владимирович Фирстов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук (ИХС РАН). Дата публикации: 2016-12-27.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: MY183665A. Автор: Paul F Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-03-07.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: CA2982556C. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Downhole fluids with high dielectric constant and high dielectric strength

Номер патента: CA2982556A1. Автор: Paul F. Rodney. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Spatially variable dielectric layers for digital microfluidics

Номер патента: US20210220830A1. Автор: David ZHITOMIRSKY,Cristina Visani. Владелец: Nuclera Nucleics Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Device for measuring pressure, gas and / or moisture based on ambient humidity

Номер патента: US20210181138A1. Автор: Mohammad Kabany. Владелец: B Horizon GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

A chromium rich black rice anthocyanin effervescent agent and its preparation method

Номер патента: AU2020103806A4. Автор: Hao Han,Dong He,Xinsheng Li,Guanjie Zhao,Shanshan Qi,Ze SUN,Hongxing ZHENG. Владелец: Shaanxi University of Technology. Дата публикации: 2021-02-11.

A Kind of Method for Making Fairy Tofu with Dried Leaves of Premna Puberula Pamp

Номер патента: AU2020101198A4. Автор: Yang Li,Mingsheng Zhang,Yanqiu Wang,Hongshen CHEN. Владелец: GUIZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-08-06.

Thin film transistor liquid crystal display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030038899A1. Автор: Wen-Jian Lin. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Kind of cyclone type bend pipe electrostatic spraying device

Номер патента: LU505898B1. Автор: Liang Wang,Zhipeng Han,Yanqing Ji,Xunliang Shi,Mengfei Ji. Владелец: Hebei Hengtong Pipe Fittings Group Co ltd. Дата публикации: 2024-06-24.

Kind of phycocyanin taro ball and preparation method

Номер патента: US20230329295A1. Автор: Meng Zhao,Xiaomei Wang,Xinyue Li,Zhongshan Zhang,Wenzhou XIANG,Bingquan Zhang,Zikang Ding. Владелец: Huzhou University. Дата публикации: 2023-10-19.

A kind of regenerative cement soil used for roadbed top

Номер патента: GB2613146A. Автор: Fengming Chu,Wentao YAO,Xinzhuang Wang Binglei Cui. Владелец: Taisheng Env Services Shandong Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Capacitive flexible tactile sensor based on graded inclined micro-cylinder structure

Номер патента: US12078556B2. Автор: Wei Zeng,Zhiliang Chen,Lixia Yang,Xiaohui Guo,Liangpan YANG,Siliang Wang,Pengbin GUI,Yaohua XU,Zhixiang HAUNG. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-03.

In-cell touch liquid crystal display apparatus, method of manufacturing the same, method of manufacturing thin film transistor array substrate, and method of manufacturing color filter array substrate

Номер патента: US09778529B2. Автор: Jin Seong Kim,Yong Chan Park,Seung Kyeom KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Graphite-containing refractory product, method of its production and its application

Номер патента: RU2638075C2. Автор: Хельге Янсен,Кристос АНЕЦИРИС,Петра ШТАЙН. Владелец: Рефратехник Холдинг Гмбх. Дата публикации: 2017-12-11.

Method of anufacturing a matrix biosensor based on reduced graphene oxide and a matrix biosensor on a polymer substrate

Номер патента: RU2745663C1. Автор: Николай Сергеевич Стручков,Иван Александрович Комаров,Александр Николаевич Калинников,Владимир Александрович Нелюб,Алексей Сергеевич Бородулин,Максим Андреевич Орлов,Ольга Михайловна Антипова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2021-03-30.

Method for producing long conductors based on high-temperature superconducting compounds

Номер патента: RU2097859C1. Автор: А.К. Шиков,А.Д. Никулин,И.И. Акимов,Е.В. Антипова. Владелец: Государственный научный центр РФ Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад.А.А.Бочвара. Дата публикации: 1997-11-27.

Catalysis of amine curable polymers by high dielectric constant compounds

Номер патента: GB1499215A. Автор: . Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1978-01-25.

High dielectric thermoplastic composition with ceramic titanate and the shaped article thereof

Номер патента: EP4396278A1. Автор: Shijie Song,Yapeng Fang,Yinlong DU. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-10.

Kind of outdoor furniture with a non-welded and quick-installed structure

Номер патента: US20200248852A1. Автор: DING Wang,Jian Qiang Xie. Владелец: Yotrio Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method to Remove Organic Pollutants through Coupling Microwave Degradation Based on Microporous Mineral Adsorption

Номер патента: US20140027381A1. Автор: Hefa Cheng,Erdan Hu. Владелец: Guangzhou Institute of Geochemistry of CAS. Дата публикации: 2014-01-30.

A kind of tinplate cylindrical can screen process printing technology

Номер патента: US20130340636A1. Автор: Hongzhong LIN. Владелец: DONGGUAN RENAULTIN METAL PRODUCTS CO Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20130279281A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

A Kind of Chemostat for Microalgae

Номер патента: LU102502B1. Автор: Zheng Zheng,Jian He,Peng GU,Weizhen Zhang,Xingzhang LUO,Kaizhi Wang. Владелец: Univ Fudan. Дата публикации: 2021-08-09.

Semiconductor memory integrated device having a precharge circuit with thin-film transistors gated by a voltage higher than a power supply voltage

Номер патента: US20140119145A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Kind of method for preparing l-citrulline by using aeromonas sp.

Номер патента: US20220112530A1. Автор: Shijin Wu. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2022-04-14.

A kind of oligosaccharides, their sulfates and dendrimers, and the uses of these compounds

Номер патента: EP1405855A4. Автор: Jianxin Gu,Fanzuo Kong,Jun Ning. Владелец: ShanghaiMed Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Silver nanoparticle method on zinc oxide films

Номер патента: US09809871B1. Автор: Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH,Nouar Amor Tabet. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2017-11-07.

Composition of aeronautical glazing products based on monolithic polycarbonate

Номер патента: RU2637673C1. Автор: Анатолий Казимирович Хмельницкий,Вячеслав Иванович Самсонов,Олег Федорович Просовский,Михаил Юрьевич Стрелец,Андрей Николаевич Силкин,Станислав Степанович Рубанов,Владимир Анатольевич Садков. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2017-12-06.

Hydraulic fracturing fluid based on highly mineralized water, method for its preparation and method for processing the formation with its use

Номер патента: RU2758828C1. Автор: Павел Геннадьевич Русинов,Екатерина Валерьевна Русинова,Ильдар Гаязович Файзуллин,Артем Владимирович Чураков,Максим Николаевич Пичугин,Руслан Радикович Кайбышев,Руслан Павлович Учуев,Николай Владимирович Чебыкин,Михаил Юрьевич Ширев,Данил Александрович Горелов,Иван Игоревич Добровольский,Анна Руслановна Марышева,Семен Олегович Потапов,Евгений Дмитриевич Тимаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Газпромнефть Научно-Технический Центр». Дата публикации: 2021-11-02.

Method for preparing a wound healing composition based on colloidal zinc oxide, modified with colloidal silver

Номер патента: RU2697834C1. Автор: Александр Владимирович Серов,Андрей Владимирович Блинов,Анастасия Александровна Блинова,Юлия Юрьевна Снежкова,Алексей Алексеевич Гвозденко,Анна Витальевна Кобина. Владелец: Анна Витальевна Кобина. Дата публикации: 2019-08-21.

Extractant for extraction of indium

Номер патента: RU2275438C1. Автор: Вячеслав Иванович Букин,Анна Георгиевна Смирнова,Станислав Анатольевич Ухов,В чеслав Иванович Букин. Владелец: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2006-04-27.

Heat-treatable coated product with ir-reflecting layers based on titanium nitride and ito

Номер патента: RU2754900C2. Автор: Говэнь ДИН,Ивэй ЛУ,Сейзар КЛАВЕРО,Даниель ШВАЙГЕРТ,Брент БОЙС,Минх Хуу ЛЭ. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-09-08.

Optically transparent adamantane-containing polyimides and copolyimides based on 5.5'-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane-2,2-diyl)bis(2-benzofuran-1,3-dione) having low dielectric constant

Номер патента: RU2753691C1. Автор: Иван Александрович Новаков,Борис Семёнович Орлинсон,Евгений Николаевич Савельев,Елена Александровна Потаенкова,Станислав Владимирович МЕДНИКОВ,Александр Михайлович Пичугин,Мария Николаевна Ковалева,Алина Вячеславовна Киреева,Мария Мария Александровна Наход. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2021-08-19.

Method of producing gas-analytical multi-sensor chip based on zinc oxide nanorods

Номер патента: RU2732800C1. Автор: Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Антон Алексеевич Бобков,Илья Анатольевич Плугин,Вячеслав Алексеевич Мощников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2020-09-22.

High dielectric constant neat polymeric film

Номер патента: WO2024064576A1. Автор: Kathleen OPPER,Christopher SEAY,Kevin KAURICH,Jacob PRETKO. Владелец: Dupont Safety & Construction, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Liquid complex dielectric constant sensor in a csrr structure and measurement method

Номер патента: NL2032421B1. Автор: Wang Chen,Liu Kai,Liu Xiaoming,Gan Lu,Zhang Dan,WANG Haiyang,WANG Jiajia,Zhu Chenghui. Владелец: Univ Anhui Normal. Дата публикации: 2024-01-23.

Dielectric layers for digital microfluidic devices

Номер патента: US11801510B2. Автор: Richard J. Paolini, Jr.,Cristina Visani. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Dielectric layers for digital microfluidic devices

Номер патента: US20220134344A1. Автор: Richard J. Paolini, Jr.,Cristina Visani. Владелец: Nuclera Nucleics Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Process for forming zinc oxide film

Номер патента: US20060275948A1. Автор: Toshio Akiyama,Yukichi Takamatsu. Владелец: Japan Pionics Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

High dielectric constant neat polymeric film

Номер патента: US20240117131A1. Автор: Kathleen OPPER,Christopher SEAY,Kevin KAURICH,Jacob PRETKO. Владелец: DuPont Safety and Construction Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of utilization of high dielectric constant (hdc) materials for reducing sar and enhancing snr in mri

Номер патента: US20150038831A1. Автор: Qing X. Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-05.

A kind of space concept where food and drink service is provided.

Номер патента: WO2021071458A3. Автор: Aziz KESGİN. Владелец: Kesgin Aziz. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for preparing an electroplated product by depositing an underlayer, diffusion barrier layer and top layer on the surface of a substrate and such prepared electroplated product

Номер патента: WO2022101474A1. Автор: Coline Nelias,Stefano BEGLIOMINI. Владелец: COVENTYA S.P.A.. Дата публикации: 2022-05-19.

Thin film transistor array substrate with multiple chamfers and liquid crystal display device

Номер патента: US7598525B2. Автор: Hideo Kawano,Hideki Sunayama. Владелец: Info Vision Optoelectronics Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

Kind of anti-permeability dry and wet multi-functional powder puff

Номер патента: US20200187622A1. Автор: Zhen-Guo Jin. Владелец: Guangzhou Meiyingrong Cosmetics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Lightweight, ballistic and blast-resistant multi-phase composite armor material based on high-toughness heterogeneous interfacial layer and method for preparing the same

Номер патента: US20240369326A1. Автор: Xu Li,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Qihui Chen. Владелец: Shanxi Zhongbei New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Capacitance touch panel with silver-inclusive transparent conductive layer(s) and dielectric layer(s)

Номер патента: US09904431B2. Автор: Alexey Krasnov,Willem den Boer,Vijayen S. Veerasamy,Jason Blush,Eric W. AKKASHIAN. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for applying zinc oxide coating onto article (versions)

Номер патента: RU2447031C2. Автор: Майкл Б. АБРАМС,Роман И. КОРОТКОВ,Гэри С. СИЛВЕРМАН,Райан СМИТ,Джеффери Л. СТРИКЕР. Владелец: Аркема, Инк.. Дата публикации: 2012-04-10.

Solution for hydrochemical precipitation of semiconductor films of indium selenide

Номер патента: RU2617168C1. Автор: Михаил Владимирович Кузнецов,Вячеслав Филиппович Марков,Лариса Николаевна Маскаева,Станислав Сергеевич Туленин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2017-04-21.

METALLIC LUSTRE PIGMENTS BASED ON SUBSTRATE FLAKES WITH A THICKNESS OF 1-50 nm

Номер патента: RU2658063C2. Автор: Адальберт ХУБЕР,Фабиан ПИХ,Кайман ШИМИЦУ. Владелец: Шленк Металлик Пигментс Гмбх. Дата публикации: 2018-06-19.

Frit materials based on vanadium and its production methods

Номер патента: RU2622942C2. Автор: Тимоти А. ДЕННИС. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-06-21.

Method for producing complex-forming sorbent for selective recovery of indium

Номер патента: RU2560361C2. Автор: Гаджи Рабаданович Гаджиев,Дмитрий Алексеевич Кондруцкий,Александр Фаддеевич Бобров,Алексей Геннадьевич Нестеров,Виталий Александрович Третьяков. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Аксион-Редкие И Драгоценные Металлы". Дата публикации: 2015-08-20.

Heat-treated coating product with ir-reflecting layers based on titanium nitride and nickel-chromium

Номер патента: RU2748280C2. Автор: Ивэй ЛУ,Филип Дж. Лингл,Патрисия ТАКЕР. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-05-21.

Carbon black-filed polyurethanes with high dielectric constant and dielectric strength

Номер патента: IL199801A0. Автор: . Владелец: BAYER MATERIALSCIENCE AG. Дата публикации: 2010-04-15.

Spiral resonator based sensor for measuring lossless dielectric constant in double frequency bands

Номер патента: NL2032460B1. Автор: Liu Xiaoming,Wang Ye,Gan Lu,Zhang Dan,WANG Haiyang,Yu Shuo. Владелец: Univ Anhui Normal. Дата публикации: 2024-01-25.

Polymeric compositions with high dielectric constant and low dielectric loss

Номер патента: EP3898820A1. Автор: Yunfeng Jiao. Владелец: DuPont Polymers Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Thin film transistor liquid crystal display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040104434A1. Автор: Wen-Jian Lin. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

A kind of lentil kasp marker based on rna-seq and its application

Номер патента: AU2020102035A4. Автор: Dong Wang,Hanfeng DING,Xuxiao Zong. Владелец: Institute of Crop Sciences of Chinese Academy of Agricultural Sciences. Дата публикации: 2020-10-08.

Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20180196317A1. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Polymeric compositions with high dielectric constant and low dielectric loss

Номер патента: US20220056267A1. Автор: Yunfeng Jiao. Владелец: DuPont Polymers Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Thin film transistor gas sensor system

Номер патента: GB2597267A. Автор: Cachelin Pascal,Per Gustav Tobjork Daniel. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Composition for forming zinc oxide thin film, and method for producing zinc oxide thin film

Номер патента: EP3761083A1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Composition for formation of zinc oxide thin film, and method for producing a zinc oxide thin film

Номер патента: US20210086227A1. Автор: Masahiro Aoki,Yujin Takemoto,Tsukasa Futagoishi. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Patterning of indium-tin oxide (ITO) for precision-cutting and aligning a liquid crystal display (LCD) panel

Номер патента: US20060110547A1. Автор: Timothy Cowen. Владелец: Advantech Global Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Improved patterning of indium-tin oxide (ito) for precision-cutting and aligning a liquid crystal display (lcd) panel

Номер патента: WO2006058168A3. Автор: Timothy A Cowen. Владелец: Timothy A Cowen. Дата публикации: 2006-11-30.

Improved patterning of indium-tin oxide (ito) for precision-cutting and aligning a liquid crystal display (lcd) panel

Номер патента: WO2006058168A2. Автор: Timothy A. Cowen. Владелец: Advantech Global, Ltd.. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for preparing an electroplated product by depositing an underlayer, diffusion barrier layer and top layer on the surface of a substrate and such prepared electroplated product

Номер патента: EP4244409A1. Автор: Coline Nelias,Stefano BEGLIOMINI. Владелец: Coventya SpA. Дата публикации: 2023-09-20.

Thin-film transistor array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09841630B2. Автор: Shishuai Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of producing fine powders of indium oxide

Номер патента: RU2587083C1. Автор: Геннадий Леонидович Пашков,Светлана Васильевна Сайкова,Марина Васильевна Пантелеева,Наталья Павловна Евсевская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2016-06-10.

Method of applying doped zinc oxide coatings, having low resistivity and articles made using said method

Номер патента: RU2445281C2. Автор: Майкл Б. АБРАМС,Роман И. КОРОТКОВ,Гэри С. СИЛВЕРМАН,Райан СМИТ,Джеффери Л. СТРИКЕР,Лян Е,Гильермо Бенито ГУТЬЕРРЕС,Кевин Д. САНДЕРСОН. Владелец: Аркема, Инк.. Дата публикации: 2012-03-20.

Method for evaluating the crystal structure of near-surface layers of indium antimonide (100)

Номер патента: RU2754198C1. Автор: Андрей Евгеньевич Мирофянченко,Екатерина Васильевна Мирофянченко. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2021-08-30.

Method of determining cytotoxicity of nanomaterials based on zinc oxide

Номер патента: RU2587630C1. Автор: Игорь Александрович Аверин,Андрей Андреевич Карманов,Игорь Александрович Пронин,Димитр Ценов Димитров,Надежда Дмитриевна Якушова,Вячеслав Алексеевич Мошников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-06-20.

Composition based on gold and reducible oxide, method of production and application as catalyst, in particular in carbon monoxide oxidation

Номер патента: RU2339447C2. Автор: Стефан ВЕРДЬЕ,Франк ФАЖАРДИ,Казухико ЙОКОТА. Владелец: Родиа Ацетов Гмбх. Дата публикации: 2008-11-27.

Robotic mobile fire extinguishing installation based on fire robots with telescopic manipulator and water-shutoff valves with movable seat

Номер патента: RU2740968C1. Автор: Юрий Иванович Горбань,Илья Александрович Белов,Сергей Евгеньевич Сокольницкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Инженерный центр пожарной робототехники «ЭФЭР». Дата публикации: 2021-01-22.

Integrated device for drilling, decompaction and chiseling of rock based on high-pressure foam

Номер патента: RU2685355C1. Автор: Вэй Ли,Сунъюн ЛЮ,Хунсян ЦЗЯН,Ган ШЭНЬ,Вэй ТАН,Хао Лю,Шуйлинь ВАН,Хунчжуан У. Владелец: Сюйчжоу Чжижунь Майнинг Эквипмент Сайнз Энд Технолоджи Ко.,Лтд.. Дата публикации: 2019-04-17.

Polymorph of yonkenafil hydrochloride, method for its preparation and composition on its basis and its application

Номер патента: RU2672249C9. Автор: Хайбо ЧЗАН,Лину ЧЭНЬ,Сяньфэн ЛУ,Хуэисин ЛЯН,Юнфэн ВАН,Ляньюн ШИ,Хунпэн ЛО. Владелец: Янцзы Ривер Фармасьютикал Груп Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-30.

COMPOUNDS BASED ON BENZOXAZINE AND INDOLE, WITH ANTAGONISTIC EFFECT ON cysLT2 RECEPTOR

Номер патента: RU2371436C2. Автор: Дзун ТАКЕУТИ,Сатоси ИТАДАНИ,Йосисуке НАКАЯМА,Манабу ФУДЗИТА,Тадаси ТАЦУМИ,Синиа ТАКАХАСИ. Владелец: Оно Фармасьютикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Composite material based on ultrahigh molecular weight polyethylene (versions) and method for production thereof

Номер патента: RU2699219C1. Автор: Александр Сергеевич Заболотнов. Владелец: Александр Сергеевич Заболотнов. Дата публикации: 2019-09-04.

Titanium silicate films with high dielectric constant

Номер патента: EP1607375A2. Автор: Luc Ouellet,Daniel Brassard,El Khakani My Ali,Sarkar Dilip K.. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-21.

Cyanoethyl cellulose-based high-dielectric nano composite film and preparation method thereof

Номер патента: LU501683B1. Автор: Minghua Wang,Yalong Wang,Feijun Wang,Yudong Bi,Houyu Liu,Ziqiang Shao. Владелец: Beijing Institute Tech. Дата публикации: 2022-09-19.

Connected medical device containing a liquid crystalline polymer composition having a high dielectric constant

Номер патента: EP4351414A1. Автор: Young Shin Kim,Philip T. Wilson,Don DEMELLO. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2024-04-17.

Connected medical device containing a liquid crystalline polymer composition having a high dielectric constant

Номер патента: WO2022245728A1. Автор: Young Shin Kim,Philip T. Wilson,Don DEMELLO. Владелец: Ticona LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Manufacturing method of indium tin oxide

Номер патента: US20220090285A1. Автор: Chun-Ying Lee,Kun-Cheng Peng,Chi-Ting CHUNG,Ruei-You LIOU,Yi-Xian LI. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2022-03-24.

Enteric formulation of duloxetine and its core and prepration method

Номер патента: US20110274750A1. Автор: Siji Zheng,Yunhui Ding. Владелец: Shanghai Zhongxi Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-10.

Process and plant for recycling zinc oxide residues

Номер патента: US20240240283A1. Автор: Eberhard Schmidt,Sebastian Hirsch,Jochen Güntner,Maciej WROBEL,Dr.-Ing. Jörg HAMMERSCHMIDT. Владелец: Metso Metals Oy. Дата публикации: 2024-07-18.

Low-temperature sterilization method and device for liquid substances such as Theaceae plant extracts based on graphene nano materials

Номер патента: AU2021102534A4. Автор: Jianying Miao,Jinsheng Cheng,Jinying Ke,Yaqi Lan,Xueqi Zeng,Lanzhao Zhong. Владелец: Guangdong Shichangsheng Cosmetics Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Optical Function Layers, in Particular Zinc-Oxide Sulfide Layers, Exhibiting Variable Dielectric Responses

Номер патента: US20070269599A1. Автор: Bruno Meyer,Thorsten KRÄMER,Angelika Polity,Baker Farangis,Detlev Hofmann. Владелец: Justus Liebig Universitaet Giessen. Дата публикации: 2007-11-22.

Construction machine based on high dump bucket, and pose control method therefor

Номер патента: EP4428308A2. Автор: Kwangseok PARK,Wookyoung CHOI,Jinhyuk OH,Haengjae SHIN. Владелец: HD Hyundai Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for manufacturing a liquid crystal display by applying a laser to remove at least a portion of a polymer thin film layer and a substrate

Номер патента: US09910305B2. Автор: Myung Hwan Kim,Myeong Hee Kim,Dae Ho Lee,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Obstacle segmentation network based on usv and generation method therefor

Номер патента: ZA202210652B. Автор: Xinxin Huang,Weina Zhou. Владелец: Univ Shanghai Maritime. Дата публикации: 2024-09-25.

GOA circuit based on oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09767751B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Four-transistor-two-capacitor AMOLED pixel driving circuit and pixel driving method based on the circuit

Номер патента: US09728132B2. Автор: Yuanchun Wu,Yuying CAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Coated article with low-E coating including zinc oxide inclusive layer(s) with additional metal(s)

Номер патента: US09725358B2. Автор: Marcus Frank,Muhammad Imran,Brent Boyce,Jean-Marc Lemmer,Yongli Xu. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Coated article with low-E coating including zinc oxide inclusive layer(s) with additional metal(s)

Номер патента: US09475727B2. Автор: Marcus Frank,Muhammad Imran,Brent Boyce,Jean-Marc Lemmer,Yongli Xu. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for producing a complex-forming sorbent for selective extraction of indium

Номер патента: US09375702B2. Автор: Gadzhi Rabadanovich Gadzhiev,Aleksandr Fadeevich Bobrov,Alexei Gennadievich Nesterov,Dmitriy Alekseevich Kondruckiy,Vitaly Aleksandrovich Tret'Jakov. Владелец: Axion Rare Earth and Noble Metals CJSC. Дата публикации: 2016-06-28.

Needle with sensors based on piezoelectric polymers

Номер патента: RU2690616C2. Автор: Франсуа Ги Жерар Мари ВИНЬОН,Амит Кумар ДЖАИН,Рамон Куидо ЭРКАМП. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-06-04.

Electrolytic cell for extraction of indium from melt of condensate at outlet of vacuum furnace

Номер патента: RU2595302C2. Автор: Виталий Евгеньевич Дьяков. Владелец: Виталий Евгеньевич Дьяков. Дата публикации: 2016-08-27.

Method of manufacturing chemoresistor based on nanostructures of zinc oxide by electrochemical method

Номер патента: RU2684423C1. Автор: Федор Сергеевич Федоров,Виктор Владимирович Сысоев,Максим Андреевич Соломатин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-04-09.

Gallium-containing zinc oxide

Номер патента: RU2404124C2. Автор: Тецуя ЯМАМОТО,Бунго ХАТТА,Дзюити ФУКАТАНИ. Владелец: Коти Юниверсити Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2010-11-20.

Method for prediction of risk of intoxication with lead and its compounds

Номер патента: RU2722264C1. Автор: Игорь Валентинович Бухтияров,Людмила Павловна Кузьмина,Анастасия Григорьевна Хотулева,Мария Михайловна Коляскина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт медицины труда имени академика Н.Ф. Измерова" (ФГБНУ "НИИ МТ"). Дата публикации: 2020-05-28.

Pozdnyakov's psychoemotional relaxation method based on audiovisual exposure

Номер патента: RU2454251C1. Автор: Сергей Васильевич Поздняков. Владелец: Сергей Васильевич Поздняков. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for production of the actinium-225 and its daughter elements

Номер патента: RU2260217C2. Автор: Скотт ШЕНТЕР,Стэн САТЦ. Владелец: Стэн САТЦ. Дата публикации: 2005-09-10.

Polymer membranes for fuel elements, based on mixtures of nitrogen-containing polymers and naphion or thereof analogues

Номер патента: RU2573523C2. Автор: Александр Викторович Чертович,Владимир Глебович Сергеев,Жанна Александровна Боева,Ольга Эрнестовна Богомолова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2016-01-20.

Adhesive composition based on butadiene-nitrile rubber

Номер патента: RU2689583C1. Автор: Георгий Анатольевич Субоч,Светлана Ивановна Левченко,Владимир Робертович Пен,Наталья Алексеевна Гаврилова,Елена Сергеевна Семиченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет науки и технологий имени академика М.Ф. Решетнева" (СибГУ им. М.Ф. Решетнева). Дата публикации: 2019-05-28.

BARRIER LAYERS INCLUDING Ni-CONTAINING ALLOYS AND/OR OTHER METAL ALLOYS, DOUBLE BARRIER LAYERS, COATED ARTICLES INCLUDING DOUBLE BARRIER LAYERS, AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: RU2572880C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР,Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Маркус ФРЭНК. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-01-20.

Catalyzer carrier and its preparation method

Номер патента: RU2441702C2. Автор: Жан-Пьер ГАНИ,Армин ЛИБЕНС. Владелец: Солвей (Сосьете Аноним). Дата публикации: 2012-02-10.

Method and apparatus for obtaining spatial information and measuring the dielectric constant of an object

Номер патента: US20120001628A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Gate dielectric material based on silicon substrate high dielectric constant and preparation method for gate dielectric material

Номер патента: CN103367408A. Автор: 马飞,刘红侠,费晨曦,范小娇,樊继斌,许韩晨玺. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2013-10-23.

A kind of preparation method of bottom gate self alignment zino oxide film transistor

Номер патента: CN102593008B. Автор: 王薇,王亮亮,张盛东,王漪,康晋锋,刘晓彦,蔡剑,韩德栋,任奕成,耿友峰. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

It is a kind of do not damage size Process on Aluminum Alloy Oxidation Film move back membrane process

Номер патента: CN109811388A. Автор: 林建华,罗凯文,吴先红. Владелец: Zhuhai Master Hengxin Aluminum Alloy Processing Co ltd. Дата публикации: 2019-05-28.

A kind of preparation method of two-dimensional nano zinc oxide single chip

Номер патента: CN1763270A. Автор: 殷庆瑞,邓国初,郑鑫森,仇萍荪,何夕云. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2006-04-26.

A kind of C60 grades of self-compaction bridge tower concrete of lower shrinkage cracking resistance shunk based on interior maintenance, compensation with toughness reinforcing and preparation method thereof

Номер патента: CN105130335B. Автор: 何涛,曹健,张文芹,丁庆军,张燕飞,闫志刚,王中文,胡曙光,王发洲,胡文军,高宗余,罗超云,刘小清,梅新咏,王小佳. Владелец: China Railway Major Bridge Reconnaissance and Design Institute Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

A kind of preparation method and application of the Optical Electro-Chemistry sensor of Sensitive Detection Cd2+ based on ZnO and CdS composite semiconductor material

Номер патента: CN104820006B. Автор: 王晓东,杜斌,吴丹,李贺,马洪敏,魏琴,庞雪辉,范大伟,王荣雨,于思琦. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2016-08-31.

Zinc-oxide-based thin-film transistor and preparation method for same

Номер патента: CN102403360A. Автор: 张韬,张盛东,王漪,孙雷,韩汝琦,韩德栋,任奕成. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-04.

A kind of anti-fold fixed frame of the ancient books image space of a whole page based on character script

Номер патента: CN207310907U. Автор: 王旭,吴晓辉,彭义,马志伟,王良君,褚正东. Владелец: Jiangsu Cultural Ancient Book Digital Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-04.

Flexible semitransparent indium gallium zinc oxide (IGZO) thin film transistor

Номер патента: CN102832251A. Автор: 王彬. Владелец: GUANGDONG ZHONGXIAN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

A kind of monitoring of urban area waterlogging caused by excessive rain and source of early warning based on video

Номер патента: CN209027583U. Автор: 宗泽,陈城,褚泽帆,俞齐伟. Владелец: Nanjing Water Conservancy and Hydrology Automatization Institute Ministry of Water Resources. Дата публикации: 2019-06-25.

A kind of navigation of hospital is led the way precious, the hospital internal speech guide system based on Wi-Fi

Номер патента: CN208398886U. Автор: 杨峰,翟临博,范诺,范一诺. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-01-18.

A kind of method and prognostic model application of the hepatocellular carcinoma variable sheer event system analysis based on full transcript profile

Номер патента: CN110010198A. Автор: 王哲,朱家伟. Владелец: Liaoning Cancer Hospital and Institute. Дата публикации: 2019-07-12.

A kind of Chinese medicine composition, healthy food and preparation method thereof being used to alleviate dysmenorrhea based on pfaffia

Номер патента: CN109820980A. Автор: 杨胜祥,况燚. Владелец: Zhejiang A&F University ZAFU. Дата публикации: 2019-05-31.

A kind of sulfate reduction bacteria immobilization straight-tube shape biological active filling material preparations and applicatio based on mesh carrier

Номер патента: CN103951088B. Автор: 陈伟,王猛,杨宏,王玉洁,孟婷,姚仁达,王小乐,管清坤,鄢琳,吴城锋,陶慕翔,尚海源,胡希佳,赵月兰. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-06-01.

A kind of fast-drying aqueous zinc powder shop primer of ultra high solids part being modified based on graphene and preparation method thereof

Номер патента: CN107641445A. Автор: 王海燕,王永涛,王书传,胡建林,张武军,陈进发,徐华明,戴艺强,吴士弘. Владелец: Xin Xin Materials (suzhou) Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

It is a kind of that the handheld-type intelligent tea picking machine collected with through-flow is cut based on belt

Номер патента: CN206323802U. Автор: 李嘉晋,方奕,贾瑞昌,曹拯,雷会深,翁文敏. Владелец: SOUTH CHINA AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-14.

A kind of laying hen selection and breeding method for new strain of raising breeding core group based on this friendship cage

Номер патента: CN103314927B. Автор: 郭军,王克华,曲亮,李尚民,窦套存. Владелец: Jiangsu Institute Poultry Sciences. Дата публикации: 2015-12-02.

A kind of buried drain pipe road plugging fault and branch pipe tee connection part diagnostic method based on acoustics active detecting

Номер патента: CN109827081A. Автор: 王晓东,黄国勇,吴建德,范玉刚,邹金慧,冯早,伍林峰. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-05-31.

A kind of method that the real-time audience rating statistical of set top box is realized based on SignalR technologies

Номер патента: CN104219547B. Автор: 谢恩鹏. Владелец: Inspur Software Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-23.

It is a kind of that soft straight electric network fault guard method is maked somebody a mere figurehead based on intelligent control algorithm

Номер патента: CN109861182A. Автор: 文劲宇,向往,杨赛昭. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-07.

A kind of the positioning Linear Camaera Calibrating Method and system of the RSSI value receiving WiFi based on mobile phone

Номер патента: CN109769298A. Автор: 余敏,薛峰,郭杭. Владелец: Jiangxi Normal University. Дата публикации: 2019-05-17.

A kind of current source PWM controller and Magnetic isolation feedback driving circuit and DC/DC converter based on it

Номер патента: CN109802573A. Автор: 王俊峰,王英武,曹鹏辉,张小峰,熊国兴. Владелец: Xian Microelectronics Technology Institute. Дата публикации: 2019-05-24.

It is a kind of to exempt from the unified identity authentication method that client exempts to log in based on subscriber mailbox

Номер патента: CN107566260A. Автор: 高原,周玉,李焱,蒋骏,王心禹,鲁凡,卫熹,肖朝阳. Владелец: Hefei Times Wisdom High-Tech Cci Capital Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

A kind of positioning of the area Zhi Xian and the potential area Zhi Xian prediction technique based on phase width coupling network

Номер патента: CN109875507A. Автор: 李大庆,郭澍. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-14.

A kind of breeding method of the blue or green shank and recessive white feather chicken strain based on molecule assisted Selection

Номер патента: CN103583470B. Автор: 刘小军,王彦彬,康相涛,蒋瑞瑞,李转见,田亚东,孙桂荣,韩瑞丽,李国喜,闫峰宾,杨朋坤,吕世杰. Владелец: Henan Agricultural University. Дата публикации: 2015-09-09.

A kind of method that 2,5- dihydroxymethyl tetrahydrofuran is produced in the reduction of catalytic component based on vanadium electro-catalysis biomass class compound

Номер патента: CN109943863A. Автор: 王建国,钟兴,郑海洋,李随勤. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2019-06-28.

A kind of dual-purpose shared multipurpose military equipment management cabinet between the police and the people based on Internet of Things

Номер патента: CN208444392U. Автор: 程穆峰,黄圳. Владелец: Shenzhen Creative Link Cloud Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-29.

A kind of structural optimization method and preparation method thereof of the wideband Meta Materials wave-absorber based on topological optimization

Номер патента: CN109740238A. Автор: 闫旭,黄小萧,钟博,夏龙. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2019-05-10.

Many kinds of method and apparatus of the data-signal of LANE numbers of MIPI are realized based on FPGA

Номер патента: CN104809996B. Автор: 陈凯,彭骞,沈亚非,许恩,欧昌东,郑增强,朱亚凡,邓标华. Владелец: Wuhan Jingce Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-16.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Monolayers of organic compounds on metal oxide surfaces or metal surfaces containing oxide and component produced therewith based on organic electronics

Номер патента: US20120003485A1. Автор: Hayden Oliver,Schmid Gunter,Halik Marcus,Habich Dana Berlinde. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Metal-dielectric-semiconductor structure based on a3b5 compounds and its formation method

Номер патента: RU2420828C1. Автор: Александр Александрович Гузев,Анатолий Петрович Ковчавцев,Валерий Геннадьевич Кеслер,Зоя Васильевна Панова. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2011-06-10.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PREPARATION OF A SOLID BASED ON ZINC OXIDE FOR USE IN PURIFYING A GAS OR A LIQUID

Номер патента: US20120000855A1. Автор: Bazer-Bachi Delphine,Chiche David,Lopez Joseph,Lelias Marc. Владелец: IFP ENERGIES NOUVELLES. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Crosslinkable Materials Based On Organosilicon Compounds

Номер патента: US20120004364A1. Автор: . Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2012-01-05.

A selenium-enriched concentrate supplement for mutton sheep during fattening period and its preparation and use method

Номер патента: ZA202400477B. Автор: Wei Manlin. Владелец: Inner Mongolia Minzu Univ. Дата публикации: 2024-07-31.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and its versions for performing hernioplasty of large and giant abdominal hernias

Номер патента: RU2228143C2. Автор: В.О. Попов,Ю.В. Дубровин,М.И. Гульман. Владелец: Красноярская государственная медицинская академия. Дата публикации: 2004-05-10.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

REACTIVE SPUTTERING ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES ONTO LARGE AREA SUBSTRATES

Номер патента: US20120000773A1. Автор: HOSOKAWA AKIHIRO,Stimson Bradley O.,Inagawa Makoto,Ye Yan,Kadam Ankur,Li Yanping,Lau Allen Ka-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING SIGNAL INTERFERENCE IN WIRELESS RELAY NETWORK BASED ON SYNCHRONOUS HARQ

Номер патента: US20120002597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

Rubber mixture based on high molecular methyl vinyl siloxane rubber

Номер патента: RU2468048C1. Автор: Галина Анатольевна Михайлова,Наталья Викторовна Шумилова,Галина Фёдоровна Панфилова. Владелец: Открытое акционерное общество "Казанский завод синтетического каучука" (ОАО "КЗСК"). Дата публикации: 2012-11-27.

Method for diagnostics of kind of aero-elastic vibrations of working blades of axial turbo-machine

Номер патента: RU2402751C1. Автор: Анатолий Алексеевич Хориков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2010-10-27.

Vehicle-Mounted Electronic Product with Magnetic Connector and its Mounting Bracket

Номер патента: US20120002355A1. Автор: Chen Kuo Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEDIATION OF TASKS BASED ON ASSESSMENTS OF COMPETING COGNITIVE LOADS AND NEEDS

Номер патента: US20120004802A1. Автор: . Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Heterostructure based on indium arsenide-antimonide-bismuthide and process of its manufacture

Номер патента: RU2035799C1. Автор: В.Б. Уфимцев,Р.Х. Акчурин,В.А. Жегалин,Т.В. Сахарова. Владелец: Московский институт тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1995-05-20.

Zinc oxide films deposition method

Номер патента: RU2316613C1. Автор: Александр Николаевич Захаров,Сергей Викторович Работкин,Виктор Георгиевич Подковыров,Николай Семенович Сочугов. Владелец: Институт сильноточной электроники СО РАН. Дата публикации: 2008-02-10.

Aluminum phosphate binder based conserving agent and its production process

Номер патента: RU2271588C2. Автор: Олег Викторович Старков,Галина Петровна Махова,Владимир Яковлевич Сухоносов,кова Ирина Борисовна Шел,Ирина Борисовна Шелякова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научный центр Российской Федерации - Физико-энергетический институт им. А.И. Лейпунского". Дата публикации: 2006-03-10.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

A Kind of Delivery Molecule and Nanoparticle, its Preparation Method, and the Use

Номер патента: AU2020101588A4. Автор: BO LIU,Junwei Li,Qingxia MA. Владелец: Qingdao Agricultural University. Дата публикации: 2020-09-10.

Aluminum-Doped Zinc Oxide Film And Method Of Forming The Same

Номер патента: SG10201801264VA. Автор: Jun Li,Fei Wang,Xizu Wang,Yen Nan LIANG,Ru Bao Thelese Foong. Владелец: Aja Ind Enterprise S Pte Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.