METAL OXIDE METAL CAPACITOR WITH SLOT VIAS
Номер патента: US20130127016A1
Опубликовано: 23-05-2013
Автор(ы): Lin Jian-Hong, Wang Chien-Jung, WANG Chin-Shan
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-05-2013
Автор(ы): Lin Jian-Hong, Wang Chien-Jung, WANG Chin-Shan
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for producing a dielectric interlayer and storage capacitor with such a dielectric interlayer
Номер патента: US20080316675A1. Автор: Henry Bernhardt,Bernd Hintze,Frank Bernhardt. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-12-25.