Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Oligomer probe array with improved signal to noise ratio and fabrication method thereof

Oligomer probe array with improved signal to noise ratio and fabrication method thereof

Номер патента: KR100772897B1
Опубликовано: 05-11-2007
Автор(ы): 김경선, 김원선, 지성민, 하정환
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Oligomer probe array with improved signal-to-noise ratio fabrication method thereof

Номер патента: US8546130B2. Автор: Jung-Hwan Hah,Sung-Min Chi,Won-Sun Kim,Kyoung-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-01.

Mutation induced optimization of receptor signal to noise ratio

Номер патента: US20040214992A1. Автор: Martin Beinborn,Alan Kopin. Владелец: New England Medical Center Hospitals Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Mutation induced optimization of receptor signal to noise ratio

Номер патента: WO2002090924A3. Автор: Martin Beinborn,Alan S Kopin. Владелец: New England Medical Center Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Mutation induced optimization of receptor signal to noise ratio

Номер патента: EP1393039A2. Автор: Alan S. Kopin,Martin Beinborn. Владелец: New England Medical Center Hospitals Inc. Дата публикации: 2004-03-03.

Mutation induced optimization of receptor signal to noise ratio

Номер патента: EP1393039A4. Автор: Alan S Kopin,Martin Dr Beinborn. Владелец: New England Medical Center Hospitals Inc. Дата публикации: 2005-06-22.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Improved signal-to-noise ratio for photoacoustic gas sensors

Номер патента: WO2024039541A1. Автор: Jeremy Parker,Stephen Bart,Nishit Goel. Владелец: Invensense, Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Signal-to-noise ratio for photoacoustic gas sensors

Номер патента: US20240060875A1. Автор: Jeremy Parker,Stephen Bart,Nishit Goel. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Improving signal to noise in immunoassays

Номер патента: WO2024059707A3. Автор: David Sharpe,Qingping Jiang,Mohiudeen AZHAR,Ishita Chakraborty,Nivedita MITRA,Ramya V M. Владелец: SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Improving signal to noise in immunoassays

Номер патента: WO2024059707A2. Автор: David Sharpe,Qingping Jiang,Mohiudeen AZHAR,Ishita Chakraborty,Nivedita MITRA,Ramya V M. Владелец: SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC.. Дата публикации: 2024-03-21.

Silver/silver chloride slurry with high signal-to-noise ratio for biological detection electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN111707723A. Автор: 王俊敏,李万新. Владелец: Shanghai Sanyi Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Interference reduction and signal to noise ratio improvement for ultrasound cardiac ablation monitoring

Номер патента: EP2640274A1. Автор: Franciscus Paulus Maria Budzelaar,Nenad Mihajlovic,Steven Antonie Willem Fokkenrood. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2013-09-25.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Apparatus for controlling clock signals to be supplied to a plurality of processing modules and control method thereof

Номер патента: US09606610B2. Автор: Osamu Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Fiber-optic methods and devices enabling multiphoton imaging with improved signal to-noise ratio

Номер патента: US09915819B2. Автор: Xingde Li,Yicong Wu,Wenxuan Liang. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor diodes-based physiological measurement device with improved signal-to-noise ratio

Номер патента: US10517484B2. Автор: Mohammed N. Islam. Владелец: Omni Medsci Inc. Дата публикации: 2019-12-31.

Sensor with improved signal-to-noise ratio and improved accuracy

Номер патента: EP1960761A2. Автор: Derk J. W. Klunder,Coen T. H. F. Liedenbaum,Maarten M. J. W. Van Herpen,Marcello L. M. Balistreri. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-27.

Apparatus and method of reducing noise by controlling signal to noise ratio-dependent suppression rate

Номер патента: US20070172073A1. Автор: In Choi,Sang Jeong,Gil Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Method of improving signal-to-noise for quantitation by mass spectrometry

Номер патента: CA2713085C. Автор: Yves Le Blanc,Bruce A. Thomson. Владелец: Applied Biosystems Canada Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Wearable devices comprising semiconductor diode light sources with improved signal-to-noise ratio

Номер патента: US20240180428A1. Автор: Mohammed N. Islam. Владелец: Omni Medsci Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Monitoring signal-to-noise ratio in x-ray diffraction data

Номер патента: WO2004013683A3. Автор: Bi-Cheng Wang,Zheng-Qing Fu,John P Rose. Владелец: John P Rose. Дата публикации: 2004-04-29.

Monitoring signal-to-noise ratio in x-ray diffraction data

Номер патента: EP1529236A2. Автор: Bi-Cheng Wang,Zheng-Qing Fu,John P. Rose. Владелец: University of Georgia Research Foundation Inc UGARF. Дата публикации: 2005-05-11.

Systems, methods, and media for improving signal-to-noise ratio in single-photon data

Номер патента: US11927700B1. Автор: Mohit Gupta,JONGHO LEE. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-03-12.

Monitoring signal-to-noise ratio in x-ray diffraction data

Номер патента: US20060067470A1. Автор: John Rose,Bi-Cheng Wang,Zheng-Qing Fu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Method and apparatus for increasing signal to noise ratio in an nqr system

Номер патента: WO2013177522A3. Автор: Paul A. Zank. Владелец: R.A. MILLER INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Method and apparatus for increasing signal to noise ratio in an nqr system

Номер патента: EP2856195A2. Автор: Paul A. Zank. Владелец: RA Miller Industries Inc. Дата публикации: 2015-04-08.

Method and apparatus for increasing signal to noise ratio in an nqr system

Номер патента: WO2013177522A4. Автор: Paul A. Zank. Владелец: R.A. MILLER INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2014-03-27.

Systems and methods of capturing transient elastic vibrations in bodies using transducers for increased signal to noise ratio and source directionality

Номер патента: GB2575405A. Автор: Burks Brian,Ziola Steven. Владелец: Digital Wave Corp USA. Дата публикации: 2020-01-08.

Compounds and systems for improving signal detection

Номер патента: US10435741B2. Автор: Stephen Yue,Gene Shen,Andrei Fedorov,Sophia Wu. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Method and apparatus for increasing signal to noise ratio in a photoacoustic film thickness measurement system

Номер патента: EP1417450A4. Автор: Christopher Morath,Robert J Stoner. Владелец: Rudolph Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Increasing signal-to-noise ratio in optical imaging of defects on unpatterned wafers

Номер патента: US20210333719A1. Автор: Yechiel Kapoano,Binyamin Kirshner,David Goldovsky. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal nanoparticle sensor and fabrication method

Номер патента: US12077844B2. Автор: BO XIAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-03.

Raman microscope with excellent ratio of signal to noise

Номер патента: WO2009014306A1. Автор: Yong Bum Kim. Владелец: Yong Bum Kim. Дата публикации: 2009-01-29.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Method of estimating signal-to-noise ratio at input of receiving device for radio signal with digital amplitude modulation

Номер патента: RU2695953C1. Автор: Алексей Петрович Киселев,Дмитрий Сергеевич Калистратов,Евгений Иванович Минаков. Владелец: Евгений Иванович Минаков. Дата публикации: 2019-07-29.

Ladar receiver with enhanced signal to noise ratio and method

Номер патента: US20180364332A1. Автор: Barry Lee Stann,Mark Michael Giza. Владелец: US Army Research Laboratory. Дата публикации: 2018-12-20.

Increasing signal to noise ratio of a pixel of a lidar system

Номер патента: WO2023166512A1. Автор: Shahar LEVY,Ronen ESHEL,Idan BAKISH,Elchanan SHAPIRA. Владелец: INNOVIZ TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Signal-to-noise ratio improving device for receiving systems having two wave collectors

Номер патента: US3737783A. Автор: J Oswald,Y Rainsard. Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1973-06-05.

System, method and apparatus for improving the spectral resolution and signal-to-noise ratio of optical spectrometer using digital beam refocusing, reforming, slicing, and multiplexing

Номер патента: US20170031166A1. Автор: Alexander Sheung Lai Wong,Farnoud Kazemzadeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-02.

System, method and apparatus for improving the spectral resolution and signal-to-noise ratio of optical spectrometer using digital beam refocusing, reforming, slicing, and multiplexing

Номер патента: US9880390B2. Автор: Alexander Sheung Lai Wong,Farnoud Kazemzadeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Enhanced ultrasound blood flow imaging using similarity measurements to increase contrast-to-noise ratio

Номер патента: WO2024207004A1. Автор: Shigao Chen,Chengwu HUANG,Jingke ZHANG. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2024-10-03.

Contextual beamforming to improve signal-to-noise ratio sensitive audio input processing efficiency in noisy environments

Номер патента: US20230109066A1. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Cola Hung Shih. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-04-06.

Photodiode and Photodiode Array with Improved Performance Characteristics

Номер патента: US20130277786A1. Автор: Peter Steven Bui,Narayan Dass Taneja. Владелец: OSI Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for measuring and displaying the audio signal/noise ratio

Номер патента: US20220317167A1. Автор: Leonardo Busi. Владелец: ELENOS Srl. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for measuring and displaying the audio signal/noise ratio

Номер патента: EP4028784A1. Автор: Leonardo Busi. Владелец: ELENOS Srl. Дата публикации: 2022-07-20.

Photodiode and Photodiode Array with Improved Performance Characteristics

Номер патента: US20110248369A1. Автор: Peter Steven Bui,Narayan Dass Taneja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-13.

Superconductive sensing circuit for providing improved signal-to-noise

Номер патента: CA1047127A. Автор: Kenneth D. Terlep,Harvey C. Hamel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Differential weighing system providing improved signal to noise ratio

Номер патента: CA1158263A. Автор: Stewart B. Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-12-06.

Computationally efficient weighting and vertical stacking methods and apparatus for improving signal-to-noise ratio of seismic data

Номер патента: US4561074A. Автор: Ralph E. Warmack. Владелец: BP Corp North America Inc. Дата публикации: 1985-12-24.

Method of enhancing image signal-to-noise ratio by combining NMR images of differing pulse sequence timing

Номер патента: US4709212A. Автор: Gary H. Glover,James R. MacFall. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-11-24.

Thin film transistor array substrate for digital X-ray detector device and digital X-ray detector device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11769783B2. Автор: Moonsoo KANG,Minsuk KONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Signal-to-noise ratio forming complex

Номер патента: RU2626384C1. Автор: Сергей Васильевич БУЦЕВ,Иван Александрович Руденок,Сергей Викторович Беденко,Андрей Викторович Занозин,Александр Николаевич Руденок. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственный центр Тверских военных пенсионеров" (АО "НПЦ ТВП"). Дата публикации: 2017-07-26.

Method of determining coordinates of aerial targets in multi-position radar system in conditions of low signal-to-noise ratio

Номер патента: RU2722209C1. Автор: Владислав Викторович Кирюшкин,Виктор Григорьевич Маркин,Владимир Андреевич Шуваев,Евгений Михайлович Красов,Александр Викторович Журавлев,Александр Федорович Иванов. Владелец: Акционерное общество научно-внедренческое предприятие "ПРОТЕК". Дата публикации: 2020-05-28.

Method for signal-to-noise ratio enhancement of seismic data using frequency dependent true relative amplitude noise attenuation

Номер патента: CA2805303C. Автор: E. Frederic Herkenhoff,Dennis G. Bones,Kendal Bong Hu Louie. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Dynamic Compensation Wind Measurement Lidar System And Wind Measurement Method Thereof

Номер патента: US20230251385A1. Автор: ZHI Li,Chen Deng,Hailong Zhu,Jianwei SHAO,Zengli XIAO. Владелец: Nanjing Movelaser Co ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Apparatus and methods to enhance signal to noise ratio imaging performance in optical coherence tomography

Номер патента: US20240230316A1. Автор: Benjamin J. Vakoc,Danielle J. HARPER. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Dynamic compensation wind measurement lidar system and wind measurement method thereof

Номер патента: US11821991B2. Автор: ZHI Li,Chen Deng,Hailong Zhu,Jianwei SHAO,Zengli XIAO. Владелец: Nanjing Movelaser Co ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Signal-to-noise ratio range consistency check for radar ghost target detection

Номер патента: US12055655B2. Автор: Shabbir Ahmed,Qian Wang,Manoj Sastry,Saiveena Kesaraju,Marcio JULIATO,Wen-Ling Huang,Vuk Lesi,Christopher Gutierrez,Ivan Simoes Gaspar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Electronic devices with low signal-to-noise ratio range measurement capabilities

Номер патента: US12044769B2. Автор: Shachar SHAYOVITZ,Michael KERNER,Michael Delishansky,Zohar Agon,Michael Ney,Avihay Yehezkel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

System and method for improving optical signal-to-noise ratio measurement range of a monitoring device

Номер патента: WO2002009323A2. Автор: David Goodwin,David A. Coppeta. Владелец: Lightchip, Inc.. Дата публикации: 2002-01-31.

Signal-to-noise based error detection

Номер патента: US20210390440A1. Автор: Priti Ashvin Shah,Jonathan Allen Wildstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Method and apparatus for improving das signal-to-noise ratio by means of local fk transform

Номер патента: EP4369051A1. Автор: Jing Wang,Junjun Wu,Yanpeng LI,Yanbin Zhang. Владелец: BGP Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Method and system for increasing signal-to-noise ratio in microbolometer arrays

Номер патента: WO2006033095A1. Автор: Ernest Grimberg. Владелец: OPGAL OPTRONIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2006-03-30.

Method And System For Increasing Signal-To-Noise Ratio In Microbolometer Arrays

Номер патента: US20080067388A1. Автор: Ernest Grimberg. Владелец: Opgal Optronics Indudtries Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Signal-to-Noise Enhancement

Номер патента: US20190139196A1. Автор: Steven Adler-Golden. Владелец: SPECTRAL SCIENCE Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

System for measuring signal to noise ratio in a speech signal

Номер патента: EP1129448B1. Автор: William S. Woods. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2002-10-02.

System for measuring signal to noise ratio in a speech signal

Номер патента: EP1129448A1. Автор: William S. Woods. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2001-09-05.

System for measuring signal to noise ratio in a speech signal

Номер патента: AU1522000A. Автор: William S. Woods. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2000-05-29.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12075705B2. Автор: Wen Bin XIA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Radiation sensor having photonic crystal structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09377542B1. Автор: Vivek V. Nagarkar,Bipin Singh,Hamid Sabet,Jules Gardener. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of measuring phase difference of harmonic signals at outputs of linear paths with low signal-to-noise ratios

Номер патента: RU2700334C1. Автор: Виктор Георгиевич Арсентьев,Геннадий Илларионович Криволапов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (СибГУТИ). Дата публикации: 2019-09-16.

Electronic Devices with Low Signal-to-Noise Ratio Range Measurement Capabilities

Номер патента: US20230003867A1. Автор: Shachar SHAYOVITZ,Michael KERNER,Michael Delishansky,Zohar Agon,Michael Ney,Avihay Yehezkel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

System and method for enhanced signal to noise ratio performance of a depth camera system

Номер патента: WO2017112028A1. Автор: Anders Grunnet-Jepsen,Krishna Swaminathan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Method and imaging apparatus for optimizing a signal-to-noise ratio of a magnetic resonance image

Номер патента: US20190011520A1. Автор: Thorsten Feiweier,Uvo Hoelscher. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2019-01-10.

Apparatus and methods to enhance signal to noise ratio imaging performance in optical coherence tomography

Номер патента: EP4359730A1. Автор: Benjamin J. Vakoc,Danielle J. HARPER. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Light detection system and methods thereof

Номер патента: US20240027591A1. Автор: Gerhard Maierbacher,Bernhard Siessegger. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2024-01-25.

Lidar device and operating method thereof

Номер патента: US20240085537A1. Автор: TATSUHIRO Otsuka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Noise removing circuit, operation method thereof, and integrated circuit including the same

Номер патента: US20220163574A1. Автор: Joo Hyung CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827A. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-06-19.

Intelligent fabric sensor layer and preparation method thereof and flexible fabric sensor

Номер патента: NL2030827B1. Автор: Zhang Jie,Wang Ziwen,LIU Jianxun,Zheng Pengfei,Lei Yisong,Gong Zidan,Lao Junda. Владелец: Univ Shenzhen Technology. Дата публикации: 2023-10-11.

Array crystal module and fabrication method thereof

Номер патента: US09599726B2. Автор: CHEN ZENG,Qingguo Xie,Daoming XI. Владелец: Raycan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Ultra wideband radar equivalent sampling method which improvement of target signal-to-noise ratio

Номер патента: CN106526567A. Автор: 朱国富,雷鹏正. Владелец: Changsha Taiyi Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Gas detector fabrication method, gas detector, and ray detection device

Номер патента: US20240272316A1. Автор: Yi Zhou,Zhiyong Zhang,Changqing Feng,Ming SHAO,Sicheng WEN,Jianbei LIU. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-08-15.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Increasing signal-to-noise ratios in lidar systems

Номер патента: WO2022076489A1. Автор: Bradley Jonathan Luff,Prakash Koonath. Владелец: SiLC Technologies, Inc.. Дата публикации: 2022-04-14.

Increasing signal-to-noise ratios in lidar systems

Номер патента: EP4226185A1. Автор: Bradley Jonathan Luff,Prakash Koonath. Владелец: SILC Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Oligomer probe array chips, masks used to produce the same, and hybridization analysis methods using the same

Номер патента: US20080176764A1. Автор: Han-ku Cho,Jung-Hwan Hah,Sung-Min Chi,Won-Sun Kim,Kyoung-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Signal-to-noise ratio (SNR) identification within a scene

Номер патента: US12033392B2. Автор: Gabriel Bowers. Владелец: Mobileye Vision Technologies Ag. Дата публикации: 2024-07-09.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Tip array structure and fabricating method of tip structure

Номер патента: US7814566B2. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-10-12.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Whispering gallery mode resonator based on cylindrical cavity in optical fiber and fabrication method thereof

Номер патента: US20240295794A1. Автор: Dongning Wang,Yongli Mei,Qiaoben Wang. Владелец: Shenzhen Technology University. Дата публикации: 2024-09-05.

Eyeglass of 3D glasses and fabrication method thereof, and 3D glasses

Номер патента: US09841613B2. Автор: Junwei Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US11762239B2. Автор: Dongze Li,Yongming YIN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US20210200038A1. Автор: Dongze Li,Yongming YIN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

System and method for accurately predicting signal to interference and noise ratio to improve communications system performance

Номер патента: IL148365A. Автор: . Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-10-31.

Method and system for mobile device signal to interference plus noise ratio (SINR) improvement via polarization adjusting/optimization

Номер патента: US11956058B1. Автор: Amr Abdelmonem. Владелец: ISCO International LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Method and system for mobile device signal to interference plus noise ratio (sinr) improvement via polarization adjusting/optimization

Номер патента: US20240137103A1. Автор: Amr Abdelmonem. Владелец: ISCO International LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and system for mobile device signal to interference plus noise ratio (sinr) improvement via polarization adjusting/optimization

Номер патента: WO2024086479A1. Автор: Amr Abdelmonem. Владелец: ISCO INTERNATIONAL, LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and system for mobile device signal to interference plus noise ratio (sinr) improvement via polarization adjusting/optimization

Номер патента: US20240214054A1. Автор: Amr Abdelmonem. Владелец: ISCO International LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Hybrid beamforming method based on signal-to-leakage-plus-noise ratio in millimeter-wave mimo systems

Номер патента: NL2032777A. Автор: Liu Xiaoming,Wang Ye,Gan Lu,ZHANG Ran. Владелец: Univ Anhui Normal. Дата публикации: 2022-09-29.

Hybrid beamforming method based on signal-to-leakage-plus-noise ratio in millimeter-wave mimo systems

Номер патента: NL2032777B1. Автор: Liu Xiaoming,Wang Ye,Gan Lu,ZHANG Ran. Владелец: Univ Anhui Normal. Дата публикации: 2023-02-14.

Signal to interference and noise ratio estimation

Номер патента: US20180359038A1. Автор: Roberto Fantini,Maurizio Fodrini,Bruno Melis,Ivano COLLOTTA. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2018-12-13.

Method for estimating signal to interference plus noise ratio (sinr) distribution from statistical channel quality indicator (cqi) report

Номер патента: US20240298200A1. Автор: Jonas FRÖBERG OLSSON,Alexey SHAPIN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and arrangement for adjusting signal-to-interference-plus-noise-ratio in a device-to-device communication

Номер патента: US09414424B2. Автор: Gabor Fodor,Marco BELLESCHI. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2016-08-09.

Method and system for boosting transmission settings based on signal to interference and noise ratio

Номер патента: WO2014120609A1. Автор: Ning Zhang,Shu Du,Zhanfeng Jia,Qinghai Gao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-07.

Resource management for reporting signal-to-interference-plus-noise ratio

Номер патента: EP4000204A1. Автор: Hao Wu,Bo Gao,Zhaohua Lu,Yu Ngok Li,Chuangxin JIANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-05-25.

Resource management for reporting signal-to-interference-plus-noise ratio

Номер патента: CA3147469A1. Автор: Hao Wu,Bo Gao,Zhaohua Lu,Yu Ngok Li,Chuangxin JIANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Techniques for indicating a user equipment capability for layer 1 signal to interference plus noise ratio measurement

Номер патента: WO2021155403A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Jung Ho Ryu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-05.

Channel state information computation delay determination for layer 1 signal to interference plus noise ratio reporting

Номер патента: WO2021080720A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Jung Ho Ryu,Kiran Venugopal,Tianyang BAI,Junyi Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-29.

Techniques for indicating a user equipment capability for layer 1 signal to interference plus noise ratio measurement

Номер патента: US11758425B2. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Jung Ho Ryu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Resource management for reporting signal-to-interference-plus-noise ratio

Номер патента: US12149483B2. Автор: Hao Wu,Bo Gao,Zhaohua Lu,Yu Ngok Li,Chuangxin JIANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

System and method for accurately predicting signal to interference and noise ratio to improve communications system performance

Номер патента: CA2382536C. Автор: Qiang Wu,Peter J. Black,Nagabhushana T. Sindhushayna. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-08-03.

Signal to interference and noise ratio estimation

Номер патента: US20240275505A1. Автор: Brian D. Hart,Audrey YAZDANPARAST. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

A Hybrid Beamforming Method Based on Signal-to-Leakage-plus-Noise Ratio in Millimeter-Wave MIMO Systems

Номер патента: LU502526B1. Автор: LU Gan,Ye Wang,Xiaoming Liu,Ran Zhang. Владелец: Univ Anhui Normal. Дата публикации: 2024-01-19.

Techniques for measurement of signal-to-interference-plus-noise ratio (sinr)

Номер патента: WO2021226312A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Kiran Venugopal. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-11-11.

Techniques for indicating a user equipment capability for Layer 1 signal to interference plus noise ratio measurement

Номер патента: US11916609B2. Автор: Tao Luo,YONG Li,LEI XIAO,Yan Zhou,Muhammad Nazmul ISLAM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for estimating signal to interference plus noise ratio (sinr) distribution from statistical channel quality indicator (cqi) report

Номер патента: EP4315674A1. Автор: Jonas FRÖBERG OLSSON,Alexey SHAPIN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-02-07.

Techniques for reported resource indicator and maximum resource number for signal-to-interference-and-noise ratio (sinr) in a wireless communication system

Номер патента: US20210320702A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Hamed Pezeshki. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Resource management for reporting signal-to-interference-plus-noise ratio

Номер патента: CA3147469C. Автор: Hao Wu,Bo Gao,Zhaohua Lu,Yu Ngok Li,Chuangxin JIANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Techniques for channel state information processing unit occupancy determination for layer 1 signal to interference plus noise ratio reporting

Номер патента: US20230170964A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Jung Ho Ryu,Kiran Venugopal,Tianyang BAI,Junyi Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and system for boosting transmission settings based on signal to interference and noise ratio

Номер патента: EP2951934A1. Автор: Ning Zhang,Shu Du,Zhanfeng Jia,Qinghai Gao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-09.

Techniques for indicating a user equipment capability for layer 1 signal to interference plus noise ratio measurement

Номер патента: EP4333331A2. Автор: Tao Luo,YONG Li,LEI XIAO,Yan Zhou,Muhammad Nazmul ISLAM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Techniques for channel state information processing unit occupancy determination for layer 1 signal to interference plus noise ratio reporting

Номер патента: US11996922B2. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Jung Ho Ryu,Kiran Venugopal,Tianyang BAI,Junyi Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Techniques for indicating a user equipment capability for layer 1 signal to interference plus noise ratio measurement

Номер патента: EP4333331A3. Автор: Tao Luo,YONG Li,LEI XIAO,Yan Zhou,Muhammad Nazmul ISLAM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Channel state information computation delay determination for layer 1 signal to interference plus noise ratio reporting

Номер патента: EP4049390A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Jung Ho Ryu,Kiran Venugopal,Tianyang BAI,Junyi Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Signal-to-interference plus noise ratio (sinr)-aware spatial reuse

Номер патента: WO2024103043A1. Автор: Sigurd Schelstraete,Marcos Martinez VAZQUEZ. Владелец: MaxLinear, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Signal-to-interference plus noise ratio (sinr)-aware spatial reuse

Номер патента: US20240163913A1. Автор: Sigurd Schelstraete,Marcos Martinez VAZQUEZ. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Signaling for group-based signal to interference plus noise ratio (SINR) beam report

Номер патента: US11765612B2. Автор: Tao Luo,Qian Zhang,Yan Zhou,Jung Ho Ryu,Kiran Venugopal,Tianyang BAI,Junyi Li,Wooseok Nam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatus for detecting signal to noise ratio of signal from optical disk and method thereof

Номер патента: KR100629509B1. Автор: 심재성,박현수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-28.

Word-line decoder for multi-bit-per-cell and analog/multi-level memories with improved resolution and signal-to-noise ratio

Номер патента: US6285593B1. Автор: Sau C. Wong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2001-09-04.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND METHOD FOR BUILDING SIGNAL-TO-INTERFERENCE-PLUS-NOISE RATIO DATA

Номер патента: US20200120614A1. Автор: SUZUKI Kazumasa,GRESSET Nicolas,SANO Hiroyasu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-04-16.

APPARATUS FOR CONTROLLING CLOCK SIGNALS TO BE SUPPLIED TO A PLURALITY OF PROCESSING MODULES AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20150205325A1. Автор: Nomura Osamu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Photolabile compound, oligomer probe array and substrate for oligomer probe array containing the same, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080188380A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Jung-Hwan Hah,Sung-Min Chi,Won-Sun Kim,Kyoung-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US20210113999A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: EP3808452A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-21.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US11583835B2. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-21.

Multi-tubular reactor and multi-tubular reactor design and fabrication method

Номер патента: US09713800B2. Автор: Shingo Yamauchi,Tamotsu Takamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

DH36 steel plate with ultra-low compression ratio and thickness specification and production method thereof

Номер патента: CN114686767A. Автор: 郑飞,孙卫华,张亚彬,王淑华,李国宝,周兰聚,李东岳,赵攀峰,杨建勋,王润港. Владелец: SD Steel Rizhao Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

Thermally driven digital microfluidic chip, fabricating method and control method thereof

Номер патента: US20190184397A1. Автор: Yue Li,Yu Zhao,WANG Guo,Dong Wang,Jinyu Li,Mingyang Lv,Yanchen Li,Dawei Feng,Shaojun HOU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Method and apparatus for improving signal-to-noise ratio of microphone signal

Номер патента: US11798572B2. Автор: Lang WU,Jiaxiang Liao,Chaofan Zeng. Владелец: Xiamen Yealink Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of making a large area imager with improved signal-to-noise ratio

Номер патента: US6124606A. Автор: Willem den Boer,John Z. Z. Zhong,Tieer Gu,Young H. Byun,Steven Aggas. Владелец: OIS Optical Imaging Systems Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Method and apparatus for improving signal to noise ratio using wavelet decomposition and frequency thresholding

Номер патента: EP1170698A3. Автор: David Lloyd Vincent. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises LLC. Дата публикации: 2003-09-17.

Signal-to-noise ratio image validation

Номер патента: US20180137120A1. Автор: Yoshitaka Utsumi,Sik Piu Kwan. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Signal-to-noise ratio image validation

Номер патента: US09870377B2. Автор: Yoshitaka Utsumi,Sik Piu Kwan. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Thermal imager with large dynamic range and improved signal-to-noise ratio

Номер патента: US09635283B2. Автор: Thomas Heinke. Владелец: Fluke Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Audio processing based on target signal-to-noise ratio

Номер патента: US20240334125A1. Автор: Erik Visser,Rogerio Guedes Alves,Jacob Jon BEAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Audio processing based on target signal-to-noise ratio

Номер патента: WO2024205944A1. Автор: Erik Visser,Rogerio Guedes Alves,Jacob Jon BEAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems and methods for enhancing a signal-to-noise ratio

Номер патента: US09886939B2. Автор: Remington Griffin. Владелец: Signal/noise Solutions LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Image processing device and method thereof

Номер патента: US09779321B2. Автор: Shih-Tse Chen,Hao-Tien Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and apparatus for determining equalized signal-to-noise ratio in a storage device

Номер патента: US20020054443A1. Автор: UttHeng Kan,Edmun Seng,AikChuan Lim,KeyHee Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Denoising method based on signal-to-noise ratio

Номер патента: US20210004938A1. Автор: Tsung-Hsuan Li,Shih-Tse Chen,Wan-Ju Tang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Method and system for increasing signal-to-noise ratio

Номер патента: EP1982305A1. Автор: Shen-En Qian,Hisham Othman. Владелец: CANADIAN SPACE AGENCY. Дата публикации: 2008-10-22.

Method and system for increasing signal-to-noise ratio

Номер патента: CA2640683A1. Автор: Shen-En Qian,Hisham Othman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Signal to noise ratio adjustment circuit, signal to noise ratio adjustment method and signal to noise ratio adjustment program

Номер патента: US11379954B2. Автор: George Themelis. Владелец: Leica Instruments Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Signal-to-noise-ratio metric for determining nucleotide-base calls and base-call quality

Номер патента: AU2022305321A1. Автор: Rami Mehio,Eric Jon Ojard,Nitin UDPA,John S Vieceli,Abde Ali Kagalwalla. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Signal-to-noise-ratio metric for determining nucleotide-base calls and base-call quality

Номер патента: CA3224402A1. Автор: John S. Vieceli,Rami Mehio,Eric Jon Ojard,Nitin UDPA,Abde Ali Kagalwalla. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Signal-to-noise-ratio metric for determining nucleotide-base calls and base-call quality

Номер патента: EP4364154A1. Автор: Rami Mehio,Eric Jon Ojard,Nitin UDPA,John S Vieceli,Abde Ali Kagalwalla. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Method and camera for providing an estimation of a mean signal to noise ratio value for an image

Номер патента: EP2552099A1. Автор: Filip Johansson. Владелец: AXIS AB. Дата публикации: 2013-01-30.

Signal-to-noise ratio image validation

Номер патента: US20150310413A1. Автор: Yoshitaka Utsumi,Sik Piu Kwan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-29.

Audio systems, devices, MEMS microphones, and methods thereof

Номер патента: US11743635B2. Автор: Dean Robert Gary Anderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-29.

Audio systems, devices, mems microphones, and methods thereof

Номер патента: US20230403501A1. Автор: Dean Robert Gary Anderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-14.

Audio processing device and a method for estimating a signal-to-noise-ratio of a sound signal

Номер патента: US20210058713A1. Автор: Michael Syskind Pedersen,Jesper Jensen,Andreas Thelander BERTELSEN. Владелец: Oticon AS. Дата публикации: 2021-02-25.

Holographic storage optical system and beam calibrating method thereof

Номер патента: EP4116971A3. Автор: Jun Tian,Yicheng Liu,Dejiao Hu. Владелец: Amethystum Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Holographic storage optical system and beam calibrating method thereof

Номер патента: EP4116971A2. Автор: Jun Tian,Yicheng Liu,Dejiao Hu. Владелец: Amethystum Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Touch sensor mechanism and manufacturing method thereof

Номер патента: US09483150B2. Автор: Jun-Wen Chung. Владелец: TERA XTAL Tech CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for improving the signal to noise ratio of a wave form

Номер патента: US10524733B2. Автор: David Siegel,Canh Ly,Troy Lau,William D. Hairston. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2020-01-07.

Holographic storage optical system and beam calibrating method thereof

Номер патента: US20220404766A1. Автор: Jun Tian,Yicheng Liu,Dejiao Hu. Владелец: Amethystum Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Touch display device, touch driving circuit and touch driving method thereof

Номер патента: US11079876B2. Автор: Jaehun Jun,Hyeongwon Kang,Myungho SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Optical signal-to-noise ratio improving device

Номер патента: US7212334B2. Автор: Kazuo Hironishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Optical signal-to-noise ratio improving device

Номер патента: US20060285200A1. Автор: Kazuo Hironishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-21.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Apparatus for improving the signal to noise ratio in wireless communication systems through message pooling and method of using the same

Номер патента: CA2164285C. Автор: Joel I. Javitt. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Method and device for improving the signal to noise ratio (snr) of a backscatter signal received from a radio frequency identification (rfid) tag

Номер патента: US20110133890A1. Автор: Mark W. Duron,Sean A. Connolly,Richard T. Knadle,Martin Strzelczyk. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2011-06-09.

Method and image processing device for improving signal-to-noise ratio of image frame sequences

Номер патента: US20230394632A1. Автор: Constantin Kappel,Kai WALTER. Владелец: Leica Microsystems CMS GmbH. Дата публикации: 2023-12-07.

Method and image processing device for improving signal-to-noise ratio of image frame sequences

Номер патента: WO2022089917A1. Автор: Constantin Kappel,Kai WALTER. Владелец: Leica Microsystems CMS GmbH. Дата публикации: 2022-05-05.

Digital waveform generator having constant signal to noise ratio

Номер патента: WO1981000314A1. Автор: G Gross. Владелец: Norlin Ind Inc. Дата публикации: 1981-02-05.

Overlapping pattern differentiation at low signal-to-noise ratio

Номер патента: WO2019140434A3. Автор: Nancy E. KLECKNER,Frederick S. CHANG. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 2020-04-30.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Apparatus for improving signal-to-noise performance of projected capacitance touch screens and panels

Номер патента: US09910543B2. Автор: Attma Sharma,Jerry Hanauer,Cory Walton. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Touch-sensing liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09355807B2. Автор: Kun-hua Tsai,Yu-Cheng Lin,Hsu-Ho Wu,Hsing-Ying LEE,Ping-Yuan Su. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Image processing device and method thereof

Номер патента: US20160300326A1. Автор: Shih-Tse Chen,Hao-Tien Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Optical disc apparatus, information recording method, adjustment apparatus, adjustment method and fabrication method for optical disc apparatus, and method and apparatus for adjusting phase shift amount

Номер патента: US20050047297A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Solid-state light emitting display and fabrication method thereof

Номер патента: US20080280384A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chia-Hung Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180307887A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Jing LV,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Electro-static discharge assembly, array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US20180204830A1. Автор: Xiaodong Pan,Zhiming Hu,Chunxiang NAN,Chen Ting LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Optical storage media and fabrication method thereof

Номер патента: US20050142323A1. Автор: Shin-Shin Wang,Hui-Ping Tsai,Wen-Yih Liao,Ming-Chia Lee,Wen-Ping Chu,Hsin-Hong Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-30.

Recording medium cartridge and fabrication method thereof

Номер патента: US20070086111A1. Автор: Hideaki Shiga. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Color wheel unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20070081265A1. Автор: Nak-Yun Sung,Yong-Wan Cho,Ji-Hyung Jung,Ju-Dong Oh,Kye-Woong Cho. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

Superconducting quantum circuit and fabrication method thereof, quantum computer

Номер патента: US20240341202A1. Автор: Liangliang Ma,Bing YOU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20180348552A1. Автор: Xin Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Touch display panel and fabrication method thereof, and touch display apparatus

Номер патента: US09927911B2. Автор: Lei Wang,WEI Liu,Xue Dong,Xiaochuan Chen,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Shengji Yang,Weijie Zhao,Xiaoliang DING,Hongjuan Liu,Liguang DENG,Huizhong ZHU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabricating method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US09893091B2. Автор: Hongming Zhan. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893090B2. Автор: Heecheol KIM,Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Array substrate and fabricating method thereof, and display panel

Номер патента: US09891495B2. Автор: Fu Chen,Zhi Hou,Ying Zhang,Xin Ding,Rong Shen,Yinan WANG,Ziheng Yang,Jianhui Liu,Daeoh Oh. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Alignment film and fabrication method thereof, liquid crystal panel and display device

Номер патента: US09753331B2. Автор: Jifeng TAN,Xinxing Wang,Jikai YAO,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Polarizer and fabrication method thereof

Номер патента: US09739919B2. Автор: Long Zhang,Ting Zhou,Poping Shen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09696594B2. Автор: Xiaobin Yin. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Touch electrode and fabricating method thereof, capacitive touch device and touch dislay device

Номер патента: US09684401B2. Автор: Jing Wang,Yun Qiu,Youqiang Lu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Device substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09581906B2. Автор: Kai Pei. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-28.

Transflective liquid crystal panel, display device, array substrate, color filter substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09513506B2. Автор: HUI Li,Zhiqiang Xu,Hyun Sic CHOI,Yoon Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Motherboard, array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09461074B2. Автор: Xu Liu. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Color electrophoretic display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US09454058B2. Автор: Mingchao Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Power backoff method and system for g.shdsl modem using frequency domain geometric signal to noise ratio

Номер патента: EP1415426A2. Автор: Tsung-Liang Chen,Sujai Chari,Michael J. Graziano,Gerard T. Luk-Pat,Eric Tsing-Ho Leung. Владелец: GlobespanVirata Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Dual sensor imaging system and imaging method thereof

Номер патента: US20210217153A1. Автор: Shih-Yuan Peng,Yun-Chin Li,Kuo-Ming Lai,shu-chun Cheng,Hsu-Lien Huang. Владелец: Altek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Color filter substrate and fabrication method thereof, oled structure, related display panel, and related display device

Номер патента: WO2017070891A1. Автор: Guangcai Yuan,Xinwei Gao,Wenbin JIA. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-05-04.

Color filter substrate and fabrication method thereof, oled structure, related display panel, and related display device

Номер патента: US20170294614A1. Автор: Guangcai Yuan,Xinwei Gao,Wenbin JIA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Color filter substrate and fabrication method thereof, OLED structure, related display panel, and related display device

Номер патента: US09960377B2. Автор: Guangcai Yuan,Xinwei Gao,Wenbin JIA. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Signal to noise determination in cellphones

Номер патента: US20190372689A1. Автор: David Carter,Genquan DUAN. Владелец: WIZR LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Contrast to noise ratio (cnr) enhancer

Номер патента: US20130243348A1. Автор: Andrei Feldman,Liran Goshen,Yechiel Lamash,Asher Gringauz,Guido Pardo-Roques,Jonathan Sapir. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2013-09-19.

Contrast to noise ratio (cnr) enhancer

Номер патента: EP2646975A1. Автор: Andrei Feldman,Liran Goshen,Yechiel Lamash,Asher Gringauz,Guido Pardo-Roques,Jonathan Sapir. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2013-10-09.

Light-emitting panel, and driving method and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US11244603B1. Автор: Lihua Wang,Conghua MA,Xiaoping Sun,Qiang Dong. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Transparent wafer with optical alignment function and fabricating method and alignment method thereof

Номер патента: US20070159631A1. Автор: Yu-Lin Huang,Kuo-Ting Wu,Jun-Yao Huang,Dun-Ying Shu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-07-12.

Signal receiver adaptive to noise level

Номер патента: US20230266779A1. Автор: Sungchul Kim,Sanggil PARK. Владелец: Attowave Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Touch display device, touch driving circuit and touch driving method thereof

Номер патента: US20210200415A1. Автор: Jaehun Jun,Hyeongwon Kang,Myungho SHIN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170020002A1. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-19.

Substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2016188087A1. Автор: Junwei Wang,Weitao CHEN,Xiaopeng CUI,Zhixiao Yao,Jianguo XING. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Array substrate for a transflective liquid crystal display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20050237453A1. Автор: Kyoung-Su Ha,Joo-Soo Lim,Won-Seok Kang,Se-Duk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-27.

Electro-phoretic display device and fabricating method thereof

Номер патента: US20130057464A1. Автор: Chi-Ming Wu,Kai-Cheng Chuang,Yung-Sheng Chang,Tzu-Ming WANG,Po-Wen Hsiao,Yuan-Chih Tsai,Jen-Shiun Huang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Flexible electronic device and fabricating method thereof

Номер патента: US10165688B2. Автор: Jia-Chong Ho,Cheng-Chung Lee,Heng-Yin Chen,Sheng-Po Wang,Yung-Hui Yeh,Tai-Jui Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Touch substrate and fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US09996188B2. Автор: Jun Li,Lei Zhang,Ming Hu,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Touch display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09785005B2. Автор: Po-Yuan Liu,Yu-Feng Chien,Hung-Wen Chou,Chia-Chun Yeh,Wen-Rei Guo,Chin-Chuan Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Touch screen and fabrication method thereof

Номер патента: US09772707B2. Автор: Xiaomin Liu,Ting Zhou. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Programmable devices with current-facilitated migration and fabrication methods

Номер патента: US09691497B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09684216B2. Автор: Chien-Han Chen,Shih-Fang Chen,Chih-Cheng Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09581869B2. Автор: Seungwon Oh,Junhee Park,Taehoon Yoon. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2017-02-28.

Lower-power scrambling with improved signal integrity

Номер патента: EP3238345A1. Автор: Eng Hun Ooi,Christopher P. Mozak,Ee Loon Teoh,Brian R. McFarlane. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Lower-power scrambling with improved signal integrity

Номер патента: US09792246B2. Автор: Eng Hun Ooi,Christopher P Mozak,Ee Loon Teoh,Brian R McFarlane. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory cell, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR970077656A. Автор: 전영권. Владелец: Lg 반도체주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Perpendicular recording media with grain isolation initiation layer and exchange breaking layer for signal-to-noise ratio enhancement

Номер патента: US20140300994A1. Автор: Kyongha Kang,B. Ramamurthy Acharya,Daehoon Hong,Sy Vu. Владелец: WD Media LLC. Дата публикации: 2014-10-09.

Methods and apparatus for improving signal-to-noise performance in quantum computation

Номер патента: GB2600697A. Автор: CAMPS Joan,UNDERWOOD Dan. Владелец: River Lane Research Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Reconfigurable data bus system and method thereof

Номер патента: US20200142713A1. Автор: Chien-Min HSU,Shih-Hsien Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-05-07.

Display system and driving method thereof

Номер патента: US09715719B2. Автор: Tadashi Nakai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Light guide plate and fabricating method thereof, array substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170192155A1. Автор: YUTING ZHANG,Shanshan ZHOU,Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Light guide plate and fabricating method thereof, array substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20180017730A9. Автор: YUTING ZHANG,Shanshan ZHOU,Yoon-Sung Um. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Liquid crystal display device and a fabricating method

Номер патента: US20010013918A1. Автор: Kwang Park,Dong Kwak. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Flexible display panel and fabricating method thereof

Номер патента: US11793013B2. Автор: Jing Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7816192B2. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

MgO NANOWIRE RRAM WITH LOW LEAKAGE CURRENT AND LARGE RESISTANCE RATIO AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: NL2030987B1. Автор: Li Tiejun,GAO Yunlong,ZHENG Haojian,Pan Jinyan,Huang Huixiang,Lin Xiangyujie. Владелец: Univ Jimei. Дата публикации: 2023-09-05.

Carrier substrate and fabricating method thereof, flexible substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20200266347A1. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Silicon-Based Rib-Waveguide Modulator And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150378185A1. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157085A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US7646439B1. Автор: Seung Kyu Choi,Sang Moo Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Vector signaling code with improved noise margin

Номер патента: US12057976B2. Автор: Brian Holden,Amin Shokrollahi. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2024-08-06.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Artificial retinal nerve flexible microelectrode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210290947A1. Автор: Chengzhi LUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Vector signaling code with improved noise margin

Номер патента: US20190312760A1. Автор: Amin Shokrollahi. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2019-10-10.

Vector signaling code with improved noise margin

Номер патента: US20230379199A1. Автор: Brian Holden,Amin Shokrollahi. Владелец: Kandou Labs SA. Дата публикации: 2023-11-23.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Fluid injection devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060071302A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Monolithic bubble-ink jet print head having anti-curing-deformation part and fabrication method thereof

Номер патента: US7168787B2. Автор: Myung-Song Jung,Tae-Kyun Kim,Jung-Woog Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Optical security device and system and fabrication methods thereof

Номер патента: US09789724B2. Автор: Yingqiu Jiang,Aharon Hochbaum. Владелец: Opthentic Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Mems capacitance microphone and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230403514A1. Автор: Chien-Hsing Huang. Владелец: Qsensing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Fabrication method and fabrication apparatus

Номер патента: US20240326320A1. Автор: Hiroyuki Naito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication method and fabrication device for composite material hollow part

Номер патента: US09403302B2. Автор: Tadashi Yazaki,Hidetaka Hattori,Hideki Horizono,Naoaki Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Thin-film double-glazed photovoltaic module and fabrication method thereof

Номер патента: CA3018695A1. Автор: Jinchun ZHANG. Владелец: Miasole Photovoltaic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-19.

Keyboard keys using marked elastic domes and fabrication method thereof

Номер патента: US7083343B2. Автор: Hung-Ming Tseng. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-01.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US20240082917A1. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for performing multi-disturber alien crosstalk limited signal-to-noise ratio tests

Номер патента: US20170134069A1. Автор: George Zimmerman,Benji Boban. Владелец: Commscope Inc of North Carolina. Дата публикации: 2017-05-11.

Control device, network node and methods thereof

Номер патента: WO2017178076A1. Автор: Shahram Zarei,Wolfgang Gerstacker,Robert Schober,Mattias Gustafsson,Jocelyn Aulin. Владелец: Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Дата публикации: 2017-10-19.

Employing signal to interference-noise ratio in determining initiation of a user equipment handover event in an advanced network

Номер патента: US20220086726A1. Автор: Sameer Sangal,Jianchun Zhou. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2022-03-17.

Client device, network node, and methods thereof for predicting user-experienced signal-to-interference-plus-noise ratio

Номер патента: US20200107366A1. Автор: Mario Costa,George Koudouridis,Petteri KELA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

Employing signal to interference-noise ratio in determining initiation of a user equipment handover event in a 5g or other next generation network

Номер патента: US20210029607A1. Автор: Sameer Sangal,Jianchun Zhou. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2021-01-28.

Submodule hybrid mmc with low full-bridge ratio and dc fault processing method thereof

Номер патента: US20240243581A9. Автор: ZHENG Xu,Zheren Zhang,Yuzhe XU. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-18.

Submodule hybrid MMC with low full-bridge ratio and DC fault processing method thereof

Номер патента: US12062915B2. Автор: ZHENG Xu,Zheren Zhang,Yuzhe XU. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-08-13.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Maximum signal-to-interference-and-noise spread spectrum rake receiver and method

Номер патента: WO2004062121A3. Автор: Colin D Frank,Robert J Corke. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Layer 1 signal to interference plus noise ratio (l1-sinr) measurements with network configured measurement gaps

Номер патента: WO2022046303A9. Автор: Tao Luo,Qian Zhang,Yan Zhou. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-13.

Layer 1 signal to interference plus noise ratio (l1-sinr) measurements with network configured measurement gaps

Номер патента: US20220069889A1. Автор: Tao Luo,Qian Zhang,Yan Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Sidelink channel access using reference signal received power and signal to interference and noise ratio measurements

Номер патента: US12120719B2. Автор: WEI YANG,Krishna Kiran Mukkavilli,Seyedkianoush HOSSEINI,Muhammad Sayed Khairy Abdelghaffar,Ahmed Attia ABOTABL,Abdelrahman Mohamed Ahmed Mohamed IBRAHIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Wireless network signal to interference plus noise ratio estimation for a random access channel

Номер патента: US09756657B2. Автор: JING Jiang,Mingjian Yan,Aleksandar Purkovic. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

CLIENT DEVICE, NETWORK NODE, AND METHODS THEREOF FOR PREDICTING USER-EXPERIENCED SIGNAL-TO-INTERFERENCE-PLUS-NOISE RATIO

Номер патента: US20200107366A1. Автор: KELA Petteri,COSTA Mario,Koudouridis George. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Method and apparatus for rake combining based upon signal to interference noise ratio

Номер патента: EP1563621A4. Автор: Ning Kong,Ian Riphagen,Michiel Lotter. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

Procedure for formulating a signal to interference plus noise ratio

Номер патента: US09794850B2. Автор: Yi Song,YI Yu,Mo-Han Fong,Zhijun Cai,Chandra Sekhar Bontu,Rose Qingyang Hu. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Pacemaker with improved detection of and response to noise

Номер патента: EP0707866B1. Автор: Frits Maarten Van Krieken. Владелец: Vitatron Medical BV. Дата публикации: 2002-04-17.

Digital frequency synthesizer and method thereof

Номер патента: US7772893B2. Автор: Don-Chen Hsin,Hsiang-Chih Chen. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-08-10.

Uplink noise reduction and signal-to-interference-and-noise ratio (sinr) improvement in a distributed antenna system

Номер патента: WO2023229947A1. Автор: Thomas Kummetz,Suresh Natarajan SRIRAM,Sudarshana Varadappa,Sandeep DIKSHIT. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Digital frequency synthesizer and method thereof

Номер патента: US20090015296A1. Автор: Don-Chen Hsin,Hsiang-Chih Chen. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-01-15.

Channel state information (csi) reporting for extended (signal to interference and noise ratio) sinr range for ultra reliable and low latency communication (urllc)

Номер патента: US20240223341A1. Автор: DEBDEEP CHATTERJEE,Sergey Panteleev,Salvatore TALARICO,Toufiqul Islam,Fatemeh HAMIDI-SEPEHR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

A method for measuring signal to interference plus noise ratio

Номер патента: AU2001216906A1. Автор: Michael Li,Daoben Li. Владелец: Linkair Comm Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Uplink signal to interference plus noise ratio estimation for massive mimo communication systems

Номер патента: US20180006743A1. Автор: Ping Liang,Dengkui Zhu,Boyu Li. Владелец: RF DSP Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Repeater and method for measuring signal-to-interference-plus-noise ratio thereof

Номер патента: US11476960B2. Автор: Nag Won Kwon. Владелец: Solid Inc. Дата публикации: 2022-10-18.

Method and device for predicting signal to interference and noise ratio

Номер патента: EP2566074B1. Автор: Yanwen Wang,Qinghong Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-02-14.

METHOD FOR INTERFERENCE AND CARRIER POWER ESTIMATION AND ITS APPLICATION TO AUTOMATIC GAIN CONTROL AND SIGNAL-TO-INTERFERENCE-AND-NOISE-RATIO COMPUTATION

Номер патента: US20140010267A1. Автор: Das Sajal Kumar,JACOB Naveen,JANDIAL Ravi. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2014-01-09.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Method and apparatus to estimate signal to interference plus noise ratio (sinr) in a multiple antenna receiver

Номер патента: EP1774668A1. Автор: Roberto Rimini,Jukka Tapaninen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-04-18.

Method to estimate a signal to interference plus noise ratio based on selection of the samples and corresponding processing system

Номер патента: WO2011054918A3. Автор: Stefania Sesia,Andrea Ancora. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2011-07-28.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Methods of determining uplink target signal-to-interference-and-noise ratios and systems thereof

Номер патента: KR101358142B1. Автор: 양 양,아닐 엠. 라오,칼 에프. 위버. Владелец: 알까뗄 루슨트. Дата публикации: 2014-02-07.

Method, apparatus and computer readable medium to estimate signal to interference plus noise ratio SINR in a multiple antenna receiver

Номер патента: KR100867973B1. Автор: 로베르토 리미니,주카 타파니넨. Владелец: 노키아 코포레이션. Дата публикации: 2008-11-10.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Methods of determining uplink target signal-to-interfence-and-noise ratios and systems thereof

Номер патента: US20110183702A1. Автор: Yang Yang,Anil M. Rao,Carl F. Weaver. Владелец: Alcatel Lucent USA Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Layer 1 signal to interference plus noise ratio (l1-sinr) measurements with network configured measurement gaps

Номер патента: EP4205296A1. Автор: Tao Luo,Qian Zhang,Yan Zhou. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US6847079B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050093061A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180131B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

MUTUAL INFORMATION BASED SIGNAL TO INTERFERENCE PLUS NOISE RATIO ESTIMATOR FOR RADIO LINK MONITORING

Номер патента: US20130195023A1. Автор: VAISANEN Petri,MAJONEN Kari. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2013-08-01.

UPLINK SIGNAL TO INTERFERENCE PLUS NOISE RATIO ESTIMATION FOR MASSIVE MIMO COMMUNICATION SYSTEMS

Номер патента: US20180006743A1. Автор: Zhu Dengkui,Liang Ping,Li Boyu. Владелец: RF DSP Inc.. Дата публикации: 2018-01-04.

WIRELESS NETWORK SIGNAL TO INTERFERENCE PLUS NOISE RATIO ESTIMATION FOR A RANDOM ACCESS CHANNEL

Номер патента: US20150023329A1. Автор: Jiang Jing,Purkovic Aleksandar,Yan Mingjian. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

LAYER 1 SIGNAL TO INTERFERENCE PLUS NOISE RATIO (L1-SINR) MEASUREMENTS WITH NETWORK CONFIGURED MEASUREMENT GAPS

Номер патента: US20220069889A1. Автор: Luo Tao,Zhang Qian,Zhou Yan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

RESOURCE MANAGEMENT FOR REPORTING SIGNAL-TO-INTERFERENCE-PLUS-NOISE RATIO

Номер патента: US20220140960A1. Автор: Gao Bo,Li Yu Ngok,Wu Hao,Lu Zhaohua,JIANG Chuangxin. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

TECHNIQUES FOR CHANNEL STATE INFORMATION PROCESSING UNIT OCCUPANCY DETERMINATION FOR LAYER 1 SIGNAL TO INTERFERENCE PLUS NOISE RATIO REPORTING

Номер патента: US20210126687A1. Автор: Luo Tao,Li Junyi,Zhou Yan,VENUGOPAL Kiran,BAI Tianyang,RYU Jung Ho. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

WIRELESS ACCESS POINT SELECTION BASED ON SIGNAL-TO-INTERFERENCE-PLUS NOISE RATIO VALUE

Номер патента: US20180124694A1. Автор: Pefkianakis Ioannis,ZENG Yunze. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Method And System For Boosting Transmission Settings Based On Signal To Interference And Noise Ratio

Номер патента: US20140211642A1. Автор: Zhang Ning,Du Shu,Jia Zhanfeng,Gao Qinghai. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-31.

Procedure for formulating a signal to interference plus noise ratio

Номер патента: US20140233408A1. Автор: Yi Song,YI Yu,Mo-Han Fong,Zhijun Cai,Chandra Sekhar Bontu,Rose Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Procedure for Formulating a Signal to Interference Plus Noise Ratio

Номер патента: US20160174126A1. Автор: Cai Zhijun,Yu Yi,BONTU Chandra Sekhar,Fong Mo-Han,Hu Rose Qingyang,Song Yi. Владелец: BlackBerry Limited. Дата публикации: 2016-06-16.

TECHNIQUES FOR INDICATING A USER EQUIPMENT CAPABILITY FOR LAYER 1 SIGNAL TO INTERFERENCE PLUS NOISE RATIO MEASUREMENT

Номер патента: US20210243629A1. Автор: Luo Tao,Zhou Yan,RYU Jung Ho. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Techniques for reported resource indicator and maximum resource number for signal-to-interference-and-noise ratio (sinr) in a wireless communication system

Номер патента: US20210320702A1. Автор: Tao Luo,Yan Zhou,Hamed Pezeshki. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

REPEATER AND METHOD FOR MEASURING SIGNAL-TO-INTERFERENCE-PLUS- NOISE RATIO THEREOF

Номер патента: US20210359776A1. Автор: Kwon Nag Won. Владелец: SOLiD, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

SIGNAL TO INTERFERENCE AND NOISE RATIO ESTIMATION

Номер патента: US20180359038A1. Автор: Melis Bruno,Fantini Roberto,FODRINI Maurizio,Collotta Ivano. Владелец: TELECOM ITALIA S.P.A.. Дата публикации: 2018-12-13.

Interference alignment method based on maximum signal-to-leakage-and-noise ratio under interference broadcast channel

Номер патента: CN107888524B. Автор: 王朋飞. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Mutual information based signal to interference plus noise ratio estimator for radio link monitoring

Номер патента: WO2011089304A1. Автор: Kari Majonen,Petri Vaisanen. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Method and apparatus for estimating the signal to interference-plus-noise ratio of a wireless channel

Номер патента: CN1522513A. Автор: ,J·E·斯密,S·贾亚拉曼,I��J��F���ưͶ�,I·J·F·科巴顿. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2004-08-18.

Rake combining method and apparatus based on the signal-to-interference-plus-noise ratio

Номер патента: DE60328514D1. Автор: Ning Kong,Ian Riphagen,Michiel Lotter. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Signal-to-leakage-and-noise ratio pre-coding method for continuously optimizing and matching leakage weighting

Номер патента: CN109361438B. Автор: 张睿,王杰令,蔡亚乐,黄怡梅,牛立栋. Владелец: Xian Cetc Xidian University Radar Technology Collaborative Innovation Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-26.

Procedure for formulating a signal to interference plus noise ratio

Номер патента: CN103703835A. Автор: 宋毅,蔡志军,房慕娴,余奕,昌德拉·S·波图,罗斯·胡. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

A kind of extension of cell base station range and base station selecting method based on Signal to Interference plus Noise Ratio

Номер патента: CN105407493B. Автор: 李莉,梁栋,邱昊. Владелец: Shanghai Normal University. Дата публикации: 2018-07-20.

Mutual information based signal to interference plus noise ratio estimator for radio link monitoring

Номер патента: EP2526638B1. Автор: Kari Majonen,Petri Vaisanen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2018-02-28.

Signal to interference plus noise ratio estimator and method, mobile terminal having this estimator

Номер патента: KR100997866B1. Автор: 파브리지오 토마티스,피에르 데마즈,안드레아 안코라. Владелец: 엔엑스피 비 브이. Дата публикации: 2010-12-01.

Method and apparatus for estimating signal to interference plus noise ratio for a random access channel of a wireless network

Номер патента: EP3025466A1. Автор: JING Jiang,Mingjian Yan,Aleksandar Purkovic. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-01.

Signal to interference plus noise ratio (sinr) estimation method and device

Номер патента: WO2010091603A1. Автор: 李岩,刘文豪,张庆宏. Владелец: 中兴通讯股份有限公司. Дата публикации: 2010-08-19.

Resource management for reporting signal to interference plus noise ratio

Номер патента: CN114128198A. Автор: 吴昊,高波,鲁照华,李儒岳,蒋创新. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-03-01.

Method for measuring signal to interference plus noise ratio

Номер патента: CN1385043A. Автор: 李道本,李永会. Владелец: Linkair Communications Inc. Дата публикации: 2002-12-11.

Methods and apparatus for adjusting forward link signal to interference and noise ratio estimates

Номер патента: WO2012142336A1. Автор: Jilei Hou,John Edward Smee,Mingxi Fan,Joseph B. Soriaga,Jinghu Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-10-18.

Sidelink channel access using reference signal received power and signal to interference and noise ratio measurements

Номер патента: US20220386312A1. Автор: WEI YANG,Krishna Kiran Mukkavilli,Seyedkianoush HOSSEINI,Muhammad Sayed Khairy Abdelghaffar,Ahmed Attia ABOTABL,Abdelrahman Mohamed Ahmed Mohamed IBRAHIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Techniques for indicating a user equipment capability for layer 1 signal to interference plus noise ratio measurement

Номер патента: EP4122228B1. Автор: Tao Luo,YONG Li,LEI XIAO,Yan Zhou,Muhammad Nazmul ISLAM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Repeater and method for measuring signal-to-interference-plus- noise ratio thereof

Номер патента: US20210359776A1. Автор: Nag Won Kwon. Владелец: Solid Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Submodule hybrid mmc with low full-bridge ratio and dc fault processing method thereof

Номер патента: US20240030715A1. Автор: ZHENG Xu,Zheren Zhang,Yuzhe XU. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-01-25.

Ultra-high strength cold-rolled steel with high yield ratio and cold developing and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101406478B1. Автор: 김성우,한성호,한태교,조항식. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2014-06-12.

Cold-Rolled Steel Sheet, Galvanized Steel Sheet Having High Yield Ratio and Yield Strength and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR100896608B1. Автор: 김우철,강용식. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2009-05-08.

System and method for high-precision prediction of signal-to-noise ratio and noise coefficient to improve communication system functioning

Номер патента: RU2255420C2. Автор: Питер Дж. БЛЭК,Квианг ВУ,Нагабхушана Т. СИНДХУШАЙНА,Питер Дж. БЛЭК (US),Квианг ВУ (US),Нагабхушана Т. СИНДХУШАЙНА (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2005-06-27.

Apparatus and method for creating calibration coefficient used to monitor optical signal-to-noise ratio

Номер патента: US9413455B2. Автор: Yasuhiko Aoki,Shoichiro Oda,Jeng-yuan Yang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for determining the optical signal-to-noise ratio and receiver device for an optical transmission system

Номер патента: US8301025B2. Автор: Peter Krummrich. Владелец: Nokia Siemens Networks GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-10-30.

Method and device for measuring the current signal-to-noise ratio when decoding LDPC codes

Номер патента: US09793928B2. Автор: Nikolay Vazhenin,Andrey Veitsel,Ivan Kirianov. Владелец: Topcon Positioning Systems Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

CMOS image sensor, pixel unit and control method thereof

Номер патента: US09756271B2. Автор: LI Wang,Lin Wang,Wenzhe Luo. Владелец: Brigates Microelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and device for measuring the current signal-to-noise ratio when decoding LDPC codes

Номер патента: US09503219B2. Автор: Nikolay Vazhenin,Andrey Veitsel,Ivan Kirianov. Владелец: Topcon Positioning Systems Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Interference cancellation and improved signal-to-noise ratio circuits, systems, and methods

Номер патента: US09450624B2. Автор: Jose Augusto Lima,Antonio Mascioli. Владелец: STMicroelectronics Canada Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Electrode with improved signal to noise ratio

Номер патента: US6139718A. Автор: Michael J. Tierney,Ronald T. Kurnik,Janet Tamada. Владелец: Cygnus Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Method and device for measuring signal-to-noise ratio

Номер патента: RU2271610C2. Автор: Фэнг РЭН,Чжибин ЧЖЭНГ,Уэхуа ЧЭН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2006-03-10.

Electrode with improved signal to noise ratio

Номер патента: CA2283240C. Автор: Michael J. Tierney,Ronald T. Kurnik,Janet Tamada. Владелец: Cygnus Inc. Дата публикации: 2003-07-29.

Electrode with improved signal to noise ratio

Номер патента: CA2283240A1. Автор: Michael J. Tierney,Ronald T. Kurnik,Janet Tamada. Владелец: Cygnus, Inc.. Дата публикации: 1998-10-01.

Methods and apparatus for pre-filtering a signal to increase signal-to-noise ratio and decorrelate noise

Номер патента: WO2005050937A1. Автор: Rajaram Ramesh,Huseyin Arslan,Dennis Hui,Abdulrauf Hafeez. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L.M. ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2005-06-02.

Methods and apparatus for pre-filtering a signal to increase signal-to-noise ratio and decorrelate noise

Номер патента: EP1692833A1. Автор: Rajaram Ramesh,Huseyin Arslan,Dennis Hui,Abdulrauf Hafeez. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2006-08-23.

Antenna assembly and antenna structure with improved signal-to-noise ratio

Номер патента: US09929464B2. Автор: Stefan Droste,Christoph Degen,Gunther Vortmeier. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and apparatus for digital-to-analog conversion with improved signal-to-noise and distortion ratio

Номер патента: WO2003028220A1. Автор: Peter Magnus Petersson,Patrik Eriksson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2003-04-03.

Pre-incubation method to improve signal/noise ratio of nucleic acid assays

Номер патента: WO2004081221A3. Автор: Glen H Erikson,Jasmine I Daksis. Владелец: Jasmine I Daksis. Дата публикации: 2004-12-23.

Method and apparatus for improving effective signal to noise ratios in hearing aids and other communication systems used in noisy environments without loss of spectral information

Номер патента: US5794187A. Автор: David Franklin,Michael Steele. Владелец: Audiological Engineering Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Communication device, spread-spectrum receiver, and related method using normalized matched filter for improving signal-to-noise ratio in harsh environments

Номер патента: US20200091960A1. Автор: Behrouz Farhang,Hussein Moradi,Arslan J. Majid,Jonathan D. Driggs,Taylor M. Sibbett. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2020-03-19.

Network reselection by a wireless communication device based on signal-to-noise ratio

Номер патента: US09826455B2. Автор: Sachin J. SANE,Sai Sravan Bharadwaj Karri. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Use of an apparatus for improving signal to noise ratio

Номер патента: US09641265B2. Автор: Sami Halen,Toni Rumpunen,Perttu Fagerlund,Tommi Ketola,Pekka Hilke. Владелец: TELESTE OYJ. Дата публикации: 2017-05-02.

Method and device for measuring current signal-to-noise ratio when decoding ldpc codes (versions)

Номер патента: RU2573243C2. Автор: Николай Афанасьевич Важенин,Андрей Владимирович ВЕЙЦЕЛЬ,Иван Андреевич Кирьянов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Топкон Позишионинг Системс". Дата публикации: 2016-01-20.

System and method for improving the signal-to-noise ratio for reflective-based sensors

Номер патента: US20230240603A1. Автор: Jacob D. DOVE,Sarah L. Hayman,Krishna K. Chopra. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2023-08-03.

Signal to noise ratio and bit error rate estimation for wired local area networks and related systems, devices, and methods

Номер патента: US20220038302A1. Автор: Kevin Yang,Dixon Chen,Jiachi Yu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Signal to noise ratio and bit error rate estimation method for wired local area networks and related devices

Номер патента: WO2021042107A1. Автор: Kevin Yang,Dixon Chen,Jiachi Yu. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2021-03-04.

Signal to noise ratio and bit error rate estimation for wired local area networks and related systems, devices, and methods

Номер патента: US20210058268A1. Автор: Kevin Yang,Dixon Chen,Jiachi Yu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Method and apparatus providing unbiased signal-to-noise ratio estimation and its application to discontinuous transmission detection

Номер патента: WO2004088998A2. Автор: Jukka Tapaninen. Владелец: NOKIA, INC.. Дата публикации: 2004-10-14.

Monitoring apparatus for an optical signal to noise ratio, signal transmission apparatus and receiver

Номер патента: US09882636B2. Автор: Zhenning Tao,Liang Dou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for providing uplink signal-to-noise ratio (snr) estimation in wireless communication system

Номер патента: RU2524167C2. Автор: Дурга Прасад МАЛЛАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-07-27.

Apparatus and method for improving signal-to-noise ratio in a multi-carrier CDMA communication system

Номер патента: US7505427B2. Автор: Joseph R. Cleveland. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-17.

Apparatus and method for improving signal-to-noise ratio in a multi-carrier CDMA communication system

Номер патента: US20050249109A1. Автор: Joseph Cleveland. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-10.

Wireless device, control method thereof, and non-transitory computer readable medium storing control program

Номер патента: US20220376720A1. Автор: Tatsuya Soma. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Multi-carrier transmission system and method thereof

Номер патента: MY122484A. Автор: Yusaku Okamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-04-29.

Multi-carrier transmission system and method thereof

Номер патента: CA2262349C. Автор: Yusaku Okamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-01-20.

Method and apparatus for improved signal-to-noise ratio in mass spectrometry

Номер патента: US20030042413A1. Автор: Andrew Krutchinsky,Brian Chait. Владелец: ROCKEFELLER UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-03-06.

Estimation of signal-to-noise ratio by processing measured error vector magnitude

Номер патента: WO2006039297A2. Автор: John Robert Wiss,Timothy Lyle Blalock. Владелец: L-3 Communications Titan Corporation. Дата публикации: 2006-04-13.

Estimation of signal-to-noise ratio by processing measured error vector magnitude

Номер патента: WO2006039297A3. Автор: John Robert Wiss,Timothy Lyle Blalock. Владелец: L 3 Comm Titan Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Device and method for improving the carrier-to-noise ratio for a receiver with diversity

Номер патента: EP1808970A3. Автор: Jean-Luc Robert,Jean-Francois Pintos,Jean-Yves Le Naour. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2013-10-09.

Signal-to-noise monitoring in wdm optical communication systems

Номер патента: WO1998054862A1. Автор: Stephen B. Alexander,Henry H. Yaffe. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 1998-12-03.

Low-cost method for testing the signal-to-noise ratio of MEMS microphones

Номер патента: US09743205B2. Автор: Philip Sean Stetson. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-22.

Low-cost method for testing the signal-to-noise ratio of MEMS microphones

Номер патента: US09485599B2. Автор: Philip Sean Stetson. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for evaluating signal-to-noise ratios of digital carriers in broadcast transmission system for digital audio signals compatible with amplitude-modulated signals

Номер патента: RU2235435C2. Автор: Маркус М. МАТЕРН,Дон Рой ГОЛДСТОН. Владелец: Айбиквити Диджитал Корпорейшн. Дата публикации: 2004-08-27.

Method for improving signal-to-noise ratios for atmospheric pressure ionization mass spectrometry

Номер патента: CA2430512C. Автор: James W. Hager. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2010-06-29.

Method for transmitting an audio signal with an improved signal to noise ratio

Номер патента: US5179623A. Автор: Thomas Vaupel,Detlef Krahe,Gerhard Dickopp. Владелец: Telefunken Fernseh und Rundfunk GmbH. Дата публикации: 1993-01-12.

Method and apparatus for improving signal to noise ratio in a telecine machine

Номер патента: CA2042606C. Автор: Leslie G. Moore, Jr.. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1994-08-02.

Receiver input stage with an improvement of the signal to noise ratio

Номер патента: US4387470A. Автор: Robert Maurer,Hans P. Petry. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1983-06-07.

Apparatus for channel equalization using multi antenna and method thereof

Номер патента: US20060034362A1. Автор: Byoung Kim,Woo Kim,Kyung Kang,In Choi,Yong Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-02-16.

System and means for estimating the signal-to-noise ratio of acquired signals

Номер патента: US10194867B1. Автор: John Leonard Semmlow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-05.

Method, apparatus, node device and network system for detecting optical signal-to-noise ratio

Номер патента: US09621263B2. Автор: Zhiyong Feng,Ning DENG,Juan NI,Yijia Wei. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and device for evaluation of signal-to-noise ratio of communication upline in wireless communication system

Номер патента: RU2372744C2. Автор: Дурга Прасад МАЛЛАДИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-11-10.

Transmitter optical signal to noise ratio improvement through receiver amplification in single laser coherent systems

Номер патента: US20170134094A1. Автор: Robert Palmer,Matthew Akio Streshinsky,Torsten Wuth,Guido Saathoff. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

Class-D amplifier and multi-level output signal generated method thereof

Номер патента: US7675361B2. Автор: Lee-Chun Guo,Ming-Hsun Sung. Владелец: ITE Tech Inc. Дата публикации: 2010-03-09.

Ofdm signal to noise ratio detector and method

Номер патента: EP2837125A1. Автор: Mel Tang-Richardson,Christopher Michael Emerson. Владелец: Frontier Silicon Ltd. Дата публикации: 2015-02-18.

Ofdm signal to noise ratio detector and method

Номер патента: WO2013153382A1. Автор: Mel Tang-Richardson,Christopher Michael Emerson. Владелец: Frontier Silicon Limited. Дата публикации: 2013-10-17.

Analog-to-digital converter and operating method thereof

Номер патента: US20240356560A1. Автор: LEI Tan. Владелец: SG Micro Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Digital video broadcasting—terrestrial (DVB-T) system and modulation method thereof

Номер патента: US09781489B2. Автор: Kuo-Feng Kao. Владелец: Aten International Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatus for monitoring optical signal to noise ratio, transmitter and communication system

Номер патента: US09698904B2. Автор: Zhenning Tao,Liang Dou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Transmitter optical signal to noise ratio improvement through receiver amplification in single laser coherent systems

Номер патента: US09571200B2. Автор: Robert Palmer,Matthew Akio Streshinsky,Torsten Wuth,Guido Saathoff. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Method and apparatus for estimating current signal-noise ratio

Номер патента: RU2598693C1. Автор: Владимир Викторович Вейцель,Николай Афанасьевич Важенин,Андрей Владимирович ВЕЙЦЕЛЬ,Федор Борисович Серкин. Владелец: ООО "Топкон Позишионинг Системс". Дата публикации: 2016-09-27.

Method of measuring optical signal-to-noise ratio with four-wave mixing in fiber-optical transmission systems with frequency separation of signals

Номер патента: RU2663179C2. Автор: Вардгес Андраникович Варданян. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (СибГУТИ). Дата публикации: 2018-08-02.

Apparatus and method for measuring nonlinear signal-to-noise ratio, and test instrument

Номер патента: US20230084994A1. Автор: Ke Zhang,Zhenning Tao,Tong YE,Xiaofei SU. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Apparatus and method for measuring nonlinear signal-to-noise ratio, and test instrument

Номер патента: US11881906B2. Автор: Ke Zhang,Zhenning Tao,Tong YE,Xiaofei SU. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

System and method for measuring optical signal-to-noise ratio

Номер патента: WO2011042202A1. Автор: John F. Donegan,Wei-Hua Guo,Edward Flood. Владелец: The Provost, Fellows and Scholars of The Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth, Near Dublin. Дата публикации: 2011-04-14.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Determination of an optical signal to noise ratio of a dual-polarization optical signal

Номер патента: US09838115B2. Автор: Erwan Pincemin,Yann Loussouarn. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2017-12-05.

Controlling signal-to-noise ratio in high dynamic range automatic exposure control imaging

Номер патента: US09787909B1. Автор: Ed HAWKINS. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Transceiver unit with carrier re-activation in case of signal to noise ratio improvement

Номер патента: EP1538801B1. Автор: Etienne André Hubert van den Bogaert,Jeroen Celina Karel Van Elsen. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2011-02-23.

Method and apparatus for measuring signal to noise ratio in a tdma communications system

Номер патента: CA1165908A. Автор: Henry D. Chadwick,David W. Matthews. Владелец: SATELLITE BUSINESS SYSTEMS. Дата публикации: 1984-04-17.

Monitoring apparatus and method for an optical signal-to-noise ratio and receiver

Номер патента: US20160233955A1. Автор: Zhenning Tao,Liang Dou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Monitoring apparatus and method for an optical signal-to-noise ratio and receiver

Номер патента: US9871581B2. Автор: Zhenning Tao,Liang Dou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Network reselection by a wireless communication device based on signal-to-noise ratio

Номер патента: US20150181497A1. Автор: Sachin J. SANE,Sai Sravan Bharadwaj Karri. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Method and apparatus for digital-to-analog conversion with improved signal-to-noise and distortion ratio

Номер патента: US20030063022A1. Автор: Peter Petersson,Patrik Eriksson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Frequency source with improved phase noise

Номер патента: US20160164528A1. Автор: Matthew A. Morton,Tina P. Srivastava. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-06-09.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for signal-to-noise ratio (SNR) estimation

Номер патента: US09960866B1. Автор: Jungwon Lee,Binnan Zhuang,HongBing Cheng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Signal to noise ratio estimation in optical communication networks

Номер патента: US09819411B2. Автор: Zhensheng JIA,Hung-Chang Chien,Jianjun Yu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Frequency source with improved phase noise

Номер патента: US09705513B2. Автор: Matthew A. Morton,Tina P. Srivastava. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-11.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Device for estimating current signal-to-noise ratio

Номер патента: RU2732719C1. Автор: Александр Викторович Макарычев,Сергей Борисович Жиронкин,Игорь Юрьевич Котенко,Павел Михайлович Пархоменко. Владелец: Игорь Юрьевич Котенко. Дата публикации: 2020-09-22.

Signal-to-noise ratio indicating circuit for fm receivers

Номер патента: CA2026812A1. Автор: John F. Kennedy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-05-31.

Bi-directional television format digital signal converter with improved luminance signal-to-noise ratio

Номер патента: US5574506A. Автор: Charles W. Rhodes. Владелец: Advanced Television Test Center Inc. Дата публикации: 1996-11-12.

Method and apparatus for measuring signal to noise ratio in a TDMA communications system

Номер патента: US4408322A. Автор: Henry D. Chadwick,David W. Matthews. Владелец: SATELLITE BUSINESS SYSTEMS. Дата публикации: 1983-10-04.

System and method to enhance signal to noise ratio and to achieve minimum duty cycle resolution for peak current mode control scheme

Номер патента: US20200403498A1. Автор: Cuon Lam,Sovann Song,Leslie Khauv,Mikel Thomas. Владелец: Crane Electronics Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Apparatus and method for monitoring optical signal to noise ratio, receiver and communication system

Номер патента: US20190149231A1. Автор: Zhenning Tao,Huihui Li. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Use of an apparatus for improving signal to noise ratio

Номер патента: US20160134384A1. Автор: Sami Halen,Toni Rumpunen,Perttu Fagerlund,Tommi Ketola,Pekka Hilke. Владелец: TELESTE OYJ. Дата публикации: 2016-05-12.

Method and apparatus providing unbiased signal-to-noise ratio estimation and its application to discontinuous transmission detection

Номер патента: WO2004088998A3. Автор: Jukka Tapaninen. Владелец: Nokia Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Optical signal-to-noise ratio measurement method and apparatus, and computer storage medium

Номер патента: EP4346122A1. Автор: Hu Shi,Yinqiu JIA. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Electrically conductive yarn and fabric-based, noise-canceling, multimodal electrodes for physiological measurements

Номер патента: EP4346601A1. Автор: George Sun. Владелец: Nextiles Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Devices and methods for facilitating signal-to-noise ratio estimation of received wireless transmissions

Номер патента: WO2014099447A1. Автор: Roee Cohen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-26.

Optical receiver with improved noise tolerance

Номер патента: US20100322623A1. Автор: Jeffrey T. Rahn. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Method and apparatus of adaptive transmission signal detection based on signal-to-noise ratio and chi-squared distribution

Номер патента: US20120163513A1. Автор: Kwang Jae Lim,In Sook Park,Dong Seung KWON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-28.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Content-adaptive signal-to noise-ratio-guided two-pass video encoding for cloud gaming

Номер патента: EP4218236A1. Автор: Danny Hong,Ramachandra TAHASILDAR,Alex SUKHANOV,Beril Erkin,Richard XIE. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Systems and methods that utilize a capacity-based signal-to-noise ratio to predict and improve mobile communication

Номер патента: EP2285034A3. Автор: Arak Sutivong,Avneesh Agrawal,Aamod Khandekar,Edward H. Teague. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Systems and methods that utilize a capacity-based signal-to-noise ratio to predict and improve mobile communication

Номер патента: WO2006069272A1. Автор: Arak Sutivong,Avneesh Agrawal,Aamod Khandekar,Edward Harrison Teague. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2006-06-29.

Systems and methods that utilize a capacity-based signal-to-noise ratio to predict and improve mobile communication

Номер патента: CA2591837A1. Автор: Arak Sutivong,Avneesh Agrawal,Aamod Khandekar,Edward Harrison Teague. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Systems and methods that utilize a capacity-based signal-to-noise ratio to predict and improve mobile communication

Номер патента: EP1834431A1. Автор: Arak Sutivong,Avneesh Agrawal,Aamod Khandekar,Edward Harrison Teague. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2007-09-19.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Signal-to-noise ratio targeting

Номер патента: EP4165865A1. Автор: Rieko Verhagen,Yannyk Parulian Julian Bourquin,Jonathan Alambra PALERO,Mathivanan Damodaran. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2023-04-19.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Low signal to noise ratio acquisition and link characterization techniques for VSAT spread spectrum modems

Номер патента: EP1168674A3. Автор: James R. Morris. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Frequency conversion system with improved spurious response and frequency agility

Номер патента: US09548788B2. Автор: Matthew A. Morton,Tina P. Srivastava. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-01-17.

In-band optical signal-to-noise ratio measurement

Номер патента: US09425894B2. Автор: Ping W. Wan,Derrick Remedios. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2016-08-23.

Method, system, and device for detecting optical signal-to-noise ratio

Номер патента: US09397748B2. Автор: Xun Chen,Bailin Shen,Yingchun Shang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method and system of determining in real time signals to be submitted, among plurality of accepted signals

Номер патента: RU2639680C2. Автор: Оливье ПИГУШ,Кристоф РЕНАР,Жан-Филипп МЮР,Жан-Франсуа БЛАН. Владелец: Таль. Дата публикации: 2017-12-21.

In-band signal-to-noise ratio monitor for an FSK relaying system

Номер патента: US4056838A. Автор: Michael J. Leib. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1977-11-01.

Device and method for measuring optical signal-to-noise ratio

Номер патента: US20180337727A1. Автор: Setsuo Yoshida,Shoichiro Oda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Imaging apparatus and control method thereof

Номер патента: WO2018092731A1. Автор: Toshiyuki Okubo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-05-24.

Measuring signal to noise ratio of a wdm optical signal

Номер патента: US20150256254A1. Автор: Axel Flettner. Владелец: JDSU Deutschland GmbH. Дата публикации: 2015-09-10.

Measuring signal to noise ratio of a wdm optical signal

Номер патента: US20170163338A1. Автор: Axel Flettner. Владелец: VIAVI SOLUTIONS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-06-08.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Optimum turbo decoding architecture and method using a constant or quasi-constant signal-to-noise ratio

Номер патента: EP1190489A1. Автор: Michael Marquardt,Dirk Gerstenberger,Matthias Schulist. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-03-27.

Measuring signal to noise ratio of a wdm optical signal

Номер патента: US20140226978A1. Автор: Axel Flettner. Владелец: JDSU Deutschland GmbH. Дата публикации: 2014-08-14.

Encoding and modulation systems and methods for ultra low signal to noise ratio wideband radio frequency communication

Номер патента: US20230179322A1. Автор: Xiangguang Feng,Phillip D. Neumiller,Christopher John Walding. Владелец: Cnf Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Signal to noise margin information for power control and bit rate adaptation in ieee 802.11h wlan

Номер патента: EP1405461A1. Автор: Amjad Soomro,Sunghyun Choi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-04-07.

Systems and methods for optical signal-to-noise ratio monitoring

Номер патента: US20190036600A1. Автор: Zhiping Jiang,Xuefeng Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Systems and methods for optical signal-to-noise ratio monitoring

Номер патента: EP3625902A1. Автор: Zhiping Jiang,Xuefeng Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Measuring signal to noise ratio of a WDM optical signal

Номер патента: US09979470B2. Автор: Axel Flettner. Владелец: VIAVI SOLUTIONS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Optical signal-to-noise ratio (OSNR) monitoring and measurement in optical communications sytems

Номер патента: US09847833B2. Автор: Christian Rasmussen,Mehmet Aydinlik. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Measuring signal to noise ratio of a WDM optical signal

Номер патента: US09553666B2. Автор: Axel Flettner. Владелец: VIAVI SOLUTIONS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus and method for improving the signal-to-noise ratio of video display signals

Номер патента: US5173776A. Автор: Philip R. Rigg,Neil Baumgarten. Владелец: ElectroScan Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Real-time signal-to-noise ratio (SNR) estimation for BPSK and QPSK modulation using the active communications channel

Номер патента: US7190741B1. Автор: Robert M. Manning. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2007-03-13.

Signal-to-noise monitoring in wdm optical communication systems

Номер патента: CA2291807C. Автор: Stephen B. Alexander,Henry H. Yaffe. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Optical signal-to-noise ratio measuring device and optical signal-to-noise ratio measuring method

Номер патента: US20170230112A1. Автор: Setsuo Yoshida,Shoichiro Oda,Keisuke Harada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Impulse and/or burst noise signal to noise ratio (SNR) aware concatenated forward error correction (FEC)

Номер патента: US20150229442A1. Автор: Ba-Zhong Shen,Avi Kliger,Tak K. Lee,Anatoli Shindler. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

System and method for interpretation of signal-to-noise ratios detected in an array of electrodes sensors in terms of physical and cognitive state

Номер патента: US20190082986A1. Автор: Zdenek Moravek,David Kunes,Lukas MALY. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Method and apparatus for determining signal-to-noise ratio

Номер патента: EP2697908A1. Автор: Kai Xie,Susan M. Miller,Jerry Zhenyu Wang,Kumud Kumar Sanwal,Marc E. Shelton,Jongyin SUN. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2014-02-19.

Method and apparatus for determining signal-to-noise ratio

Номер патента: WO2012142014A1. Автор: Kai Xie,Susan M. Miller,Jerry Zhenyu Wang,Kumud Kumar Sanwal,Marc E. Shelton,Jongyin SUN. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2012-10-18.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

A signal-to-noise and interference ratio (snair) aware analog to digital converter (adc)-based receiver and a method thereof

Номер патента: WO2023214180A2. Автор: Suhas Rattan,Charles Joseph DEDIC. Владелец: 1-Via Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

In-service testing of optical signal-to-noise ratio

Номер патента: US20190115976A1. Автор: Lothar Moeller. Владелец: SubCom LLC. Дата публикации: 2019-04-18.

In-service testing of optical signal-to-noise ratio

Номер патента: US20190222312A1. Автор: Lothar Moeller. Владелец: SubCom LLC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

A signal-to-noise and interference ratio (snair) aware analog to digital converter (adc)-based receiver and a method thereof

Номер патента: WO2023214180A3. Автор: Suhas Rattan,Charles Joseph DEDIC. Владелец: 1-Via Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

광학 네트워크-온-칩의 최악의 OSNR(optical signal-to-noise ratio) 분석 방법 및 장치

Номер патента: KR102346028B1. Автор: 김용욱,이영식,한태희,강주연. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-01-03.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Estimation of signal to noise ratio margin for synchronization signal block radio link monitoring out of sync and in sync

Номер патента: EP3857743A1. Автор: Hua Li,YANG Tang,Jie Cui,Qiming Li,Zhibin Yu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Latent hardener with improved storage stability through a dry surface treatment process, one-component epoxy adhesive formulation comprising the same, and fabrication method thereof

Номер патента: US20210155749A1. Автор: Jong Hyuk Park,Min Park,Jongwon Kim,Tae Ann KIM,Sung Min JEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Transistor device and fabrication method

Номер патента: US09741819B2. Автор: HAIYANG Zhang,Xuan Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Compressive sensing system based on personalized basis and method thereof

Номер патента: US09667456B2. Автор: Yi Chen,Yu-Min Lin,An-Yeu Wu,Hung-Chi Kuo. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Radio frequency identification (rfid) method and apparatus for maximizing receive channel signal-to-noise ratio by adjusting phase to minimize noise

Номер патента: US20090179740A1. Автор: Vijay Pillai,James R. Peternel. Владелец: INTERMEC IP CORP. Дата публикации: 2009-07-16.

Battery recharging system with signal-to-noise responsive falling voltage slope charge termination

Номер патента: US5557190A. Автор: Daniele C. Brotto. Владелец: Black and Decker Inc. Дата публикации: 1996-09-17.

Fitting methodology and hearing prosthesis based on signal-to-noise ratio loss data

Номер патента: EP1359787A3. Автор: Aalbert De Vries,Rob Anton Jurjen De Vries. Владелец: GN Resound AS. Дата публикации: 2005-06-15.

Unbiased signal to interference ratio in wireless communications devices and methods therefor

Номер патента: WO2005006779A2. Автор: John P. Oliver,Alexandre Malette. Владелец: Motorola Inc.. Дата публикации: 2005-01-20.

Method and Apparatus for Monitoring Optical Signal-to-Noise Ratio

Номер патента: US20170033866A1. Автор: Dawei Wang,Huixiao MA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

A method and apparatus for enabling transmission of variable length encoded data in a low signal to noise ratio environment

Номер патента: EP1054525A3. Автор: Laurence Eugene Mailaender,Erik Einar Anderlind. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-07-23.

Cmos active pixel sensor with improved dynamic range and method of operation, method for identifying moving objects and hybrid array with ir detector

Номер патента: WO2006073875A3. Автор: Micahel Farrier. Владелец: Micahel Farrier. Дата публикации: 2008-11-20.

Systems and methods for resolving signal-to-noise ratio margin difference in dual latency discrete multi-tone based xdsl systems under colored noise conditions

Номер патента: WO2007027977A3. Автор: Tai-Lai Tung,Mike Tu. Владелец: Mike Tu. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Fluctuation Resistant Low Access Resistance Fully Depleted SOI Transistor with Improved Channel Thickness Control and Reduced Access Resistance

Номер патента: US20140027853A1. Автор: Asen ASENOV. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and apparatus for estimating the current signal-to-thermal noise ratio and signal-to-pulse noise ratio

Номер патента: US09960867B1. Автор: Andrey Vladimirovich VEITSEL,Fedor Borisovich Serkin,Nikolay Afanasievich Vazhenin,Vladimir Victorovich Veitsel. Владелец: Topcon Positioning Systems Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus for providing uplink signal-to-noise ratio (snr) estimation in a wireless communication system

Номер патента: CA2518183C. Автор: Durga Prasad Malladi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Method and apparatus for providing uplink signal-to-noise ratio (snr) estimation in a wireless communication system

Номер патента: WO2004080106A2. Автор: Durga Prasad Malladi. Владелец: QUALCOMM, Incorporated. Дата публикации: 2004-09-16.

Signal to noise ratio indicating circuit

Номер патента: US4038604A. Автор: Clement J. Koerber. Владелец: Cincinnati Electronics Corp. Дата публикации: 1977-07-26.

Apparatus and method for producing a signal-to-noise ratio figure of merit for digitally encoded-data

Номер патента: CA1240367A. Автор: Michael A. Robinton. Владелец: ROBINTON PRODUCTS Inc. Дата публикации: 1988-08-09.

Apparatus and method for monitoring signal-to-noise ratio in optical transmission systems

Номер патента: US20050031341A1. Автор: Howard Stuart. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for estimating a signal-to-noise ratio

Номер патента: US11757480B2. Автор: Chao Lin. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Communication system and method using signal to noise ratio estimation for scaling in processing received wireless communication signals

Номер патента: EP1568141B1. Автор: Robert Lind Olesen,Philip J. Pietraski,Gregory S. Sternberg,Rui Yang. Владелец: InterDigital Technology Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Optical signal-to-noise ratio estimator and estimation methodology for optical communication

Номер патента: WO2016202923A1. Автор: Jakob THRANE,Jesper WASS,Darko ZIBAR. Владелец: DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET. Дата публикации: 2016-12-22.

Signal to noise ratio and bit error rate estimation for wired local area networks and related systems, devices, and methods

Номер патента: US11153115B2. Автор: Kevin Yang,Dixon Chen,Jiachi Yu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-19.

Systems and methods for distributed antenna system reverse path summation using signal-to-noise ratio optimization

Номер патента: EP2580874A2. Автор: Dean Zavadsky,Philip M. Wala,Jeffrey J. Cannon. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2013-04-17.

Systems and methods for distributed antenna system reverse path summation using signal-to-noise ratio optimization

Номер патента: WO2011159642A2. Автор: Dean Zavadsky,Philip M. Wala,Jeffrey J. Cannon. Владелец: ADC TELECOMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2011-12-22.

Wireless communication apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240214090A1. Автор: Minki AHN,Jung Woon Lee,Jinyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Optical modules having an improved optical signal to noise ratio

Номер патента: US20190103937A1. Автор: Fred A. Kish, Jr.,Jeffrey T. Rahn,Vikrant Lal,Peter W. Evans,Michael Reffle. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Optical modules having an improved optical signal to noise ratio

Номер патента: US20190081724A1. Автор: Fred A. Kish,Jeffrey T. Rahn,Vikrant Lal,Peter W. Evans,Michael Reffle. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Apparatus for controlling transmission data and method thereof

Номер патента: US8738068B2. Автор: Beom Jin Jeon,Joong Heon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-05-27.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Apparatus for controlling transmission data and method thereof

Номер патента: WO2010032936A3. Автор: Beom Jin Jeon,Joong Heon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Suture-free coagulation-assisted fixed cardiac patch and preparation method thereof

Номер патента: US20240335272A1. Автор: Yang Zhu,Changyou Gao,Yuwen LU,Tanchen REN,Liyin SHEN,Xiaoqian HONG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-10.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Electroluminescence display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09508779B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated device with inductive and capacitive portions and fabrication methods

Номер патента: US09460996B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatus for improving the signal to noise ratio of signals received at two antennas

Номер патента: US3652939A. Автор: Georges Levasseur. Владелец: Alcatel CIT SA. Дата публикации: 1972-03-28.

Method, apparatus, node device and network system for detecting optical signal-to-noise ratio

Номер патента: AU2012373829A1. Автор: Zhiyong Feng,Ning DENG,Juan NI,Yijia Wei. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Method and apparatus for measuring and estimating optical signal to noise ratio in photonic networks

Номер патента: CA2375706A1. Автор: Peter J. Anslow,Richard W. Heath. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Complementary encoding and modulation system for use in an orthogonal frequency division multiplexing transmitter system and method thereof

Номер патента: US6005840A. Автор: Geert Arnout Awater,Richard D. J. van Nee. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Digital signal/noise ratio amplifier apparatus for a communication system

Номер патента: CA1121275A. Автор: Harold B. Shutterly. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1982-04-06.

Method and system for determination of signal/noise ratio of telephone transmission line used for facsimile transmission

Номер патента: US5526410A. Автор: Henry W. Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-06-11.

A video bus for high speed multi-resolution imagers and method thereof

Номер патента: EP1277235A1. Автор: Jeffrey Zarnowski,Matthew Pace,Thomas Vogelsong,Michael Joyner. Владелец: Photon Vision Systems Inc. Дата публикации: 2003-01-22.

Signal to noise ratio estimation in optical communication networks

Номер патента: US20160112122A1. Автор: Zhensheng JIA,Hung-Chang Chien,Jianjun Yu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Structure for reducing stress for vias and fabricating method thereof

Номер патента: US20090156001A1. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Chih-Yuan Cheng,Shou-Lung Chen,Shan-Pu Yu,Ji-cheng Lin,Rong-Chang Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Mobility enhancement by strained channel CMOSFET with single workfunction metal-gate and fabrication method thereof

Номер патента: US20070069298A1. Автор: Zing-Way Pei,Yu-Ming Lin,Min-Hung Lee,Wen Hsieh,Shin-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-03-29.

Ingan-based led epitaxial wafer and fabrication method thereof

Номер патента: EP3906586A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-10.

InGaN-BASED LED EPITAXIAL WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220115560A1. Автор: Richard Notzel. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-04-14.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor Package With EMI Shield and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20240274547A1. Автор: Sung Gyu Kim,Tae Yong Lee,Kyoung Yeon Lee,Doo Soub Shin. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetically driven capsule robot with controllable drug administration and sampling functions and fabrication method thereof

Номер патента: US20240299715A1. Автор: Liang Li,WANG Zhang,Yuxuan Sun,Enmin SONG,Quanliang Cao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12101943B2. Автор: WEI CHANG,Qingsong DU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20220302061A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Nan-Chun Lin,Shang-Yu Chang-Chien. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240334780A1. Автор: Ming Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Thin film transistor (TFT) array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09991398B2. Автор: Liangchen YAN,Dini XIE,Xiaojin Zhang,Xianbin Xu,Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US09978728B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972643B2. Автор: Ke Wang,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Composition for sheet using biomass, eco-friendly composite sheet, and fabrication method for thereof

Номер патента: US09963832B2. Автор: Chan Suk Yoon,Chung Ku Han,Seung In Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Flexible display device having a self-healing capability and fabrication method thereof

Номер патента: US09947899B2. Автор: Conghui LIU. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display

Номер патента: US09929277B2. Автор: Zhenyu Zhang,Changgang HUANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Organic light emitting display device and fabricating method thereof

Номер патента: US09923170B2. Автор: Taro Hasumi,Jongkyung KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905797B2. Автор: YUTING ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

OLED backplane and fabrication method thereof

Номер патента: US09882172B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semicondcutor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09865777B2. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Organic light-emitting display apparatus and fabrication method thereof

Номер патента: US09853241B2. Автор: Defeng Bi,Kaen Jiang. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Array substrate and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09837479B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Thin film transistor including diffusion blocking layer and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09825175B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

OLED and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09818810B2. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Programmable via devices with metal/semiconductor via links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09812393B2. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Diodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09768325B2. Автор: Min-Hwa Chi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US09721976B2. Автор: Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

LDMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US09721806B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

OLED device with anode of silver nanowire and fabrication method thereof, display substrate

Номер патента: US09716244B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

OLED display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09711577B2. Автор: Peng Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Thin film transistor and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09705007B2. Автор: WEI YANG,Wenlin Zhang,Woo Bong Lee,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof

Номер патента: US09698380B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Organic light-emitting diode display and fabrication method thereof

Номер патента: US09640590B2. Автор: Chen-Yu Liu,Hsi-Chien Lin,Hung-Chieh Lu. Владелец: TPK Touch Solutions Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09620460B2. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin-film transistor and fabricating method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09608011B2. Автор: Ying Zhang,Xin Li,Hong Zhu,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Organic light-emitting display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09590177B2. Автор: Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Chia-Yang Lu,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Chien-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-03-07.

Ge/Si avalanche photodiode with integrated heater and fabrication method thereof

Номер патента: US09583664B2. Автор: Wang Chen,Su Li,Nai ZHANG,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tuo SHI,Liangbo Wang,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09536878B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Display substrate and fabricating method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US09472578B2. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Electro-luminescence display panel and fabrication method thereof, display device

Номер патента: US09379332B2. Автор: Xue Dong,Peng Liu,Renwei Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Device for disconnecting the receiver in case of a small signal-to-noise ratio for a digital-modulated radio system

Номер патента: CA1173110A. Автор: Friedrich Müller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-08-21.

Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof, integral type semiconductor light emitting unit and fabrication method thereof, image display unit and fabrication method thereof, and illuminating unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20040129929A1. Автор: Goshi Biwa,Hiroyuki Okuyama,Jun Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Signal storage tube system with enhanced signal-to-noise ratio

Номер патента: US3619704A. Автор: James W Schwartz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-11-09.

Systems and methods for measuring signal to noise ratio (snr) for uplink receiver chain

Номер патента: WO2024018416A1. Автор: Yashesh Buch,Gayathri R Nair,Vinita Kaushik,Santhiswaroop Chinnam. Владелец: Jio Platforms Limited. Дата публикации: 2024-01-25.

Systems and methods for monitoring generalized optical signal-to-noise ratio

Номер патента: US20230118684A1. Автор: Zhiping Jiang,Choloong Hahn. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Quantifying an embedded ppg signal to noise ratio definition to exploit mediation of ppg signal quality on wearable devices

Номер патента: EP3856021A1. Автор: Laurence Olivier,Wikus VILLET,Tim VERSCHAEVE. Владелец: Lifeq Global Ltd. Дата публикации: 2021-08-04.

Quantifying an embedded ppg signal to noise ratio definition to exploit mediation of ppg signal quality on wearable devices

Номер патента: CA3114782A1. Автор: Laurence Olivier,Wikus VILLET,Tim VERSCHAEVE. Владелец: Lifeq Global Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Signal-to-noise ratio targeting

Номер патента: US20230181118A1. Автор: Rieko Verhagen,Yannyk Parulian Julian Bourquin,Jonathan Alambra PALERO,Mathi Damodaran. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2023-06-15.

Optical signal-to-noise ratio (osnr) monitoring and measurement in optical communications systems

Номер патента: US20180102842A1. Автор: Christian Rasmussen,Mehmet Aydinlik. Владелец: Acacia Communications Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Capacitor structures with embedded electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US09881738B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Nitride underlayer and fabrication method thereof

Номер патента: US09559261B2. Автор: Jie Zhang,Xiaofeng Liu,Dongyan Zhang,Duxiang Wang,Weihua Du. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Signal to noise and interface estimator for analog voice channel

Номер патента: US6128494A. Автор: Jacob Rozmaryn. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Apparatus for increasing signal to noise ratio in television low light level scenes

Номер патента: US3716657A. Автор: L Niemyer. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1973-02-13.

Methods and devices for operating in beam hopping configuration and under a range of signal to noise ratio conditions

Номер патента: WO2020222213A1. Автор: AVRAHAM Freedman,Doron Rainish. Владелец: Satixfy Israel Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Techniques for demodulation reference signal based signal-to-noise ratio for demodulation processing

Номер патента: US11924666B2. Автор: Alexei Yurievitch Gorokhov,Ashok Mantravadi,Hari Sankar,Jae Won Yoo,Abhinav SRIDHAR,Paolo Minero,Weng Chon Ao,Shriram Swaminathan,Gi Hong SONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Techniques for demodulation reference signal based signal-to-noise ratio for demodulation processing

Номер патента: EP4278572A1. Автор: Alexei Yurievitch Gorokhov,Ashok Mantravadi,Hari Sankar,Jae Won Yoo,Abhinav SRIDHAR,Paolo Minero,Weng Chon Ao,Shriram Swaminathan,Gi Hong SONG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and user equipment for effective signal-to-noise ratio (snr) computation in rate adaptation

Номер патента: US20170294993A1. Автор: PATIL Sandhya,Tae Seok Kim,Kiran Bynam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-12.

Indicating a signal to noise ratio for downlink communication

Номер патента: WO2021150946A1. Автор: Ran Berliner,Igor Gutman,Oren Matsrafi,Ronen GREENBERGER,Yossi Waldman. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-07-29.

Determining beam tracking frequencies using signal-to-noise ratios associated with user equipments

Номер патента: US20230019061A1. Автор: YONG Li,Jun Zhu,Alexei Yurievitch Gorokhov,Raghu Narayan Challa. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of extracting error for peak signal to noise ratio (PSNR) computation in an adaptive scalable texture compression (ASTC) encoder

Номер патента: US9800876B2. Автор: Subramanian Parameswaran,Krishanu BANERJEE,Praveen Kumar NELAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods and arrangements for selection of a wireless transmission method based upon signal to noise ratios

Номер патента: US20080239977A1. Автор: Feng Xue,Jun Shi,Sumeet Sandhu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Mitigation of optical signal to noise ratio degradation arising from polarization dependent loss

Номер патента: US20140376907A1. Автор: Inwoong Kim,Motoyoshi Sekiya,Olga Vassilieva. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Content-adaptive signal-to noise-ratio-guided two-pass video encoding for cloud gaming

Номер патента: WO2022115102A1. Автор: Danny Hong,Ramachandra TAHASILDAR,Alex SUKHANOV,Beril Erkin,Richard XIE. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-06-02.

Indicating a signal to noise ratio for downlink communication

Номер патента: US20210235462A1. Автор: Ran Berliner,Igor Gutman,Oren Matsrafi,Ronen GREENBERGER,Yossi Waldman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Indicating a signal to noise ratio for downlink communication

Номер патента: EP4094386A1. Автор: Ran Berliner,Igor Gutman,Oren Matsrafi,Ronen GREENBERGER,Yossi Waldman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-11-30.

Multi-mode CMOS image sensor and control method thereof

Номер патента: US11057562B2. Автор: Xiaojuan Li,Huili GONG,Guanjia Meng,Ruofei ZHONG,Jiao Guo,Cankun YANG. Владелец: Chinamap Hi-Tech (beijing) Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Correction table for interferometric optical signal-to-noise ratio monitor

Номер патента: EP2913941A3. Автор: Takuji Maeda,Kentaro Nakamura,Satoru Okano,Youichi Akasaka,Jeng-yuan Yang,Motoyoshi Sekiya,Hiroki Ooi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-12-02.

Determining beam tracking frequencies using signal-to-noise ratios associated with user equipments

Номер патента: WO2023288152A1. Автор: YONG Li,Jun Zhu,Alexei Yurievitch Gorokhov,Raghu Narayan Challa. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-01-19.

Content-adaptive signal-to noise-ratio-guided two-pass video encoding for cloud gaming

Номер патента: US20230396766A1. Автор: Danny Hong,Ramachandra TAHASILDAR,Alex SUKHANOV,Beril Erkin,Richard XIE. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP2973836A1. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: PAPER BATTERY COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Energy storage structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831533B2. Автор: Anthony Sudano,Dave Rich,Renato Friello,Shreefal Sudhir MEHTA,Sudhir Rajaram KULKARNI. Владелец: Paper Battery Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Automotive constant signal-to-noise ratio system for enhanced situation awareness

Номер патента: US09763003B2. Автор: John Usher,Steven W. Goldstein,John G. Casall. Владелец: Staten Techiya LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09673128B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and system for the real-time determination of signals to be summed from among a set of received signals

Номер патента: US09584770B2. Автор: Jean-François Blanc,Christophe RENARD,Olivier Pigouche,Jean-Philippe MUR. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-02-28.

Solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: US09583653B2. Автор: Jin HO KIM,Hyun Jung Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-28.

Visible light communication with increased signal-to-noise ratio

Номер патента: US09525487B2. Автор: Li Li,Vaske Mikani,Christopher Lee Bohler. Владелец: Cooper Technologies Co. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and apparatus of estimating signal to noise ratio in wireless communication system

Номер патента: KR20120119577A. Автор: 김준우,박윤옥,박형숙. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for improving signal-to-noise for multiply charged ions

Номер патента: CA2237255C. Автор: Igor Chernushevich,Bruce Thomson. Владелец: MDS Inc. Дата публикации: 2007-07-24.

pH-Responsive Ultrasensitive Fluorescent Nanoprobe, Preparation and Using Method Thereof

Номер патента: US20200164092A1. Автор: Qian Jia,Yongdong Wang,Jie TIAN,Zhongliang Wang,Ruili Zhang,Chaoqiang QIAO. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-05-28.

Signal-to-noise ratio estimation method, optical transmission apparatus, and optical transmission system

Номер патента: US20200028586A1. Автор: Masahiro Suzuki,Seiji Okamoto,Mitsuteru Yoshida,Kengo Horikoshi,Yoshiaki Kisaka. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Signal-to-noise ratio estimation method, optical transmission apparatus, and optical transmission system

Номер патента: US10841006B2. Автор: Masahiro Suzuki,Seiji Okamoto,Mitsuteru Yoshida,Kengo Horikoshi,Yoshiaki Kisaka. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Composition and method for improving signal-to-noise in hybridization to oligonucleotide arrays

Номер патента: WO2018089996A2. Автор: Nicholas M. Sampas,Nazumi Alice YAMA-DANG,Paige Anderson. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Composition and method for improving signal-to-noise in hybridization to oligonucleotide arrays

Номер патента: WO2018089996A3. Автор: Nicholas M. Sampas,Nazumi Alice YAMA-DANG,Paige Anderson. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-07-26.

Composition and method for improving signal-to-noise in hybridization to oligonucleotide arrays

Номер патента: US20180135115A1. Автор: Nicholas M. Sampas,Nazumi Alice YAMA-DANG,Paige Anderson. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-05-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Light emitting diode structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110260203A1. Автор: Hsien-Chia Lin,Tzu-Yu Tang. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Electronic device bonding structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220068872A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

One-transistor dram cell device based on polycrystalline silicon with finfet structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190267381A1. Автор: Seongjae Cho,Hyungsoon Shin. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Electrode for Secondary Battery and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20220190307A1. Автор: Jong Hyuk Lee,Mi Ryeong Lee,Hee Gyoung Kang. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Back-illuminated image sensor and fabricating method thereof

Номер патента: US20130334636A1. Автор: Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Connector and fabrication method thereof

Номер патента: US20130344742A1. Автор: Seiya Matsuo,Takashi Kuwahara. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Silicon-controlled-rectifier electrostatic protection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303368A1. Автор: Jie Chen,Guang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20060043378A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-03-02.

Front substrate of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040150341A1. Автор: Sung-Wook Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Nitride Light Emitting Diode and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170309773A1. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Electronic package, packaging substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282689A1. Автор: Yu-Cheng Pai,Chan-Yu YEH,Yuan-Ping YEH,Yuan-Chang NI,Meng-Jou HE. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Organic light-emitting display panel and fabricating method

Номер патента: US11228018B2. Автор: Jian Jin,Congyi SU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Electronic package and fabricating method thereof

Номер патента: US20240266335A1. Автор: Yih-Jenn Jiang,Wei-Son Tsai,Cheng-Kai Chang,Yi-Chieh Wang,Huan-Shiang Li. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150123111A1. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-05-07.

Pixel structure and fabrication method thereof

Номер патента: US9331106B2. Автор: Jen-Yu Lee,Hung-Che Ting,Tsung-Hsiang Shih,Hong-Syu Chen,Shou-Wei Fang,Wei-Hao Tseng,Fan-Wei Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-05-03.

Fuel cell and fabricating method thereof

Номер патента: WO2010079376A1. Автор: Tsung-Her Yeh,Chen-Chia Chou. Владелец: National Taiwan University Of Science & Technology. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Film bulk acoustic resonator and fabrication method thereof, filter, and radio frequency communication system

Номер патента: US12081197B2. Автор: Fei Qi,Guohuang YANG,Huan SUI. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12087747B2. Автор: LIANG Xing. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240313078A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Abraham Yoo,Hanzhu WU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Nitride light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US09929308B2. Автор: Chia-Hung CHANG,Changwei SONG,Chan-Chan LING,Hsiang-Pin Hsieh. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09754893B2. Автор: ZUOPENG He,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices with varying threshold voltage and fabrication methods thereof

Номер патента: US09748145B1. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09721931B2. Автор: Tao-Chih Chang,Chih-Ming Shen,Yu-Wei HUANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09646830B2. Автор: Guohui Cai. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Complementary metal oxide semiconductor transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09577011B2. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Pu Lin,Ta-wei Chiu,Chung-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical type AC-LED device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09537048B2. Автор: Xiaoqiang Zeng,Shaohua Huang,Jyh-Chiarng Wu,Qunfeng PAN,Shunping Chen. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof

Номер патента: US09525107B2. Автор: Yu-Hsuan Liu,Chia-Yu Tseng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09520304B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Hong-Da Chang,Chi-Hsin Chiu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508783B2. Автор: Yong Wu,Zhengzhong CHEN,Wenxin Jiang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic light-emitting device and fabrication method for the same, and display device

Номер патента: US09496514B2. Автор: MINGHUA XUAN,BO Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Flexible device and fabrication method of flexible device

Номер патента: US09408300B2. Автор: Chien-Jung Huang,Heng-Yin Chen,Chen-Chu Tsai,Yung-Hui Yeh,Cheng-Che Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-08-02.

Chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US09362134B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Led-based lighting fixture purposed for surface illumination with improved heat dissipation and fabricability

Номер патента: RU2490540C2. Автор: Колин ПИПГРАС,Дерек ЛОГАН. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс Нв. Дата публикации: 2013-08-20.

Apparatus for color channel signal-to-noise improvement in digital television

Номер патента: CA1206595A. Автор: Thomas V. Bolger. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-06-24.

System for maintaining polarization and signal-to-noise levels in received frequency reuse communications

Номер патента: WO1992021162A1. Автор: Bernard J. Lamberty,George W. Fitzsimmons. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 1992-11-26.

Layered polycrystalline lead selenide photoelectric film and fabrication method thereof

Номер патента: US11781222B2. Автор: Jian Yang,Yuan Zhu,Junlin Liu,Guiwu LIU,Guanjun QIAO,Xiangzhao ZHANG,Quanjiang LV,Haigang HOU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-10-10.

Power module and fabrication method for the same

Номер патента: US09721875B2. Автор: Masao Saito,Katsuhiko Yoshihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Digital modem having a monitor for signal-to-noise ratio

Номер патента: US4555790A. Автор: Kenneth Martinez,William L. Betts. Владелец: Paradyne Corp. Дата публикации: 1985-11-26.

Improvements in or relating to noise reducing arrangements for discharge tube amplifiers

Номер патента: GB645935A. Автор: . Владелец: Philips Lamps Ltd. Дата публикации: 1950-11-15.

Optical modules having an improved optical signal to noise ratio

Номер патента: US11929826B2. Автор: Fred A. Kish, Jr.,Jeffrey T. Rahn,Vikrant Lal,Peter W. Evans,Michael Reffle. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Optical modules having an improved optical signal to noise ratio

Номер патента: US20190280798A1. Автор: Fred A. Kish,Jeffrey T. Rahn,Vikrant Lal,Peter W. Evans,Michael Reffle. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Correction table for interferometric optical signal-to-noise ration monitor

Номер патента: US20150200724A1. Автор: Takuji Maeda,Kentaro Nakamura,Satoru Okano,Youichi Akasaka,Jeng-yuan Yang,Motoyoshi Sekiya,Hiroki Ooi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

A method, an apparatus or a computer program for estimating a signal to noise ratio

Номер патента: WO2007069077B1. Автор: Kari Majonen,Markku J Heikkila. Владелец: Markku J Heikkila. Дата публикации: 2008-02-28.

A method, an apparatus or a computer program for estimating a signal to noise ratio

Номер патента: WO2007069077A3. Автор: Kari Majonen,Markku J Heikkila. Владелец: Markku J Heikkila. Дата публикации: 2008-01-03.

A method, an apparatus or a computer program for estimating a signal to noise ratio

Номер патента: WO2007069077A2. Автор: Kari Majonen,Markku J. Heikkila. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2007-06-21.

Thermally conductive fibers and fabrics

Номер патента: US20070173589A1. Автор: L.P. Felipe Chibante. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-26.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US11926947B2. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-03-12.

Laundry apparatus and control method thereof

Номер патента: US20200115839A1. Автор: Sangwook Hong,Changoh Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-04-16.

Terminal and operation method thereof in multi-user multi-input multi-output system

Номер патента: US09800305B2. Автор: Young Jo Ko,Sung-Hyun Moon,Junyoung Nam,Wooram SHIN,Cheulsoon KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-24.

Chip package structure and fabrication

Номер патента: US20240371716A1. Автор: LI Tao,Shanshan Zhao,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230036754A1. Автор: Hui Xue,Kejun MU,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Ltps substrate and fabricating method thereof, thin film transistor thereof, array substrate thereof and display device thereof

Номер патента: US20190237488A1. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Dapeng XUE,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

LTPS substrate and fabricating method thereof, thin film transistor thereof, array substrate thereof and display device thereof

Номер патента: US10916565B2. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO,Dapeng XUE,Da Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Piezoelectric device and fabricating method thereof, and electronic device and controlling method thereof

Номер патента: US11985898B2. Автор: YuJu CHEN,Shuai Hou. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Methods for improving fibrillation or pill resistance of fabrics and fabrics with improved properties

Номер патента: WO2001073186A3. Автор: Michelle Frances Mellea,Lori Joanne Walker,George L Payet. Владелец: Procter & Gamble. Дата публикации: 2002-01-31.

Photovoltaic device through lateral crystallization process and fabrication method thereof

Номер патента: EP2025006A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Young-Joo Eo,Heon-Min Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-02-18.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof, and semiconductor apparatus using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US20140299918A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Multifunctional antistatic non-woven fabric and fabrication method thereof

Номер патента: US20100159773A1. Автор: Wei-Jen Lai,Sheng-Shan Chang. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2010-06-24.

Display backplane and fabrication method thereof, display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US12002913B2. Автор: Qi Qi,Ke Wang,Guangcai Yuan,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093799A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit leadframe and fabrication method therefor

Номер патента: SG173394A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Byung Hoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Rotor, fabrication device thereof and fabrication method therefor

Номер патента: US20240305178A1. Автор: Jianxin Yan. Владелец: Zhejiang PanGood Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Electrode and fabricating method therefor, electrochemical device, and electronic device

Номер патента: EP4432388A1. Автор: Qingwen Zhang,Yajie LI,Mingju LIU. Владелец: Ningde Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Signal-to-channel mapping for multi-channel, multi-signal transmission systems

Номер патента: US5991271A. Автор: Bruce A. Phillips,David C. Jones,Youngho Lee. Владелец: US West Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Led light bulb and fabrication method thereof

Номер патента: EP3290773A1. Автор: Szu-Min Fan. Владелец: Double Good Co. Дата публикации: 2018-03-07.

Light emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: MY165794A. Автор: Deyuan Xiao,Richard Rugin Chang. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co. Дата публикации: 2018-04-27.

Apparatus for improving video signal-to-noise ratio

Номер патента: US4090221A. Автор: Denis John Connor. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1978-05-16.

LED light bulb and fabrication method thereof

Номер патента: US20180066812A1. Автор: Szu-Min Fan. Владелец: Double Good Co. Дата публикации: 2018-03-08.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US20160293636A1. Автор: Yinhu HUANG,Zhixiang ZOU,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230317507A1. Автор: Taegyun Kim,Runping WU,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabricating method of mos transistor, fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20130001707A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien,Chan-Lon Yang,Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US11961637B1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Huan Ran Yu,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

MOMENTUM-MATCHING AND BAND-ALIGNMENT VAN DER WAALS (vdW) INFRARED PHOTODETECTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230420594A1. Автор: Wei Lu,ZHEN Wang,PENG Wang,FANG Wang,Ting He,Yunfeng Chen,Fang Zhong,Xiaoshuang CHEN,Weida HU,Jinshui MIAO,Runzhang XIE. Владелец: Shanghai Institute of Technical Physics of CAS. Дата публикации: 2023-12-28.

Self-aligned thin film transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9252241B2. Автор: Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Him Chan Oh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-02-02.

Automotive constant signal-to-noise ratio system for enhanced situation awareness

Номер патента: EP2663470A2. Автор: John Usher,Steven W. Goldstein,John G. Casali. Владелец: Personics Holdings Inc. Дата публикации: 2013-11-20.

Bipolar plate of fuel cell and fabrication method thereof

Номер патента: EP1704614A1. Автор: Hong Choi,Cheol-Hwan Kim,Tae-hee Cho,Sam-Chul Ha,Kyu-Jung Kim,Seung-Tae Ko,Yong-Jun LG Electronics Dormitory H-324 HWANG,Myung-Seok Wooseong Apt. 107-103 PARK,Myeong-Ho; Lee,Seong-Geun; Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-09-27.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170141031A1. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160284643A1. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096981A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

FAST TRANSMISSION PARAMETER ADAPTATION BASED ON EFFECTIVE SIGNAL-TO-INTERFERENCE-PLUS-NOISE RATIO (eSINR)

Номер патента: WO2024197006A1. Автор: Bin Tian,Manikandan Chandrasekar,Raj Kumar KRISHNA KUMAR,Konchady Gautam SHENOY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

FIXED STATION RECEIVER FOR MIMO COMMUNICATION SYSTEM AND UPLINK ADAPTATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002710A1. Автор: Kim Daeho,Ko Young Jo,PARK Ok-Sun,PARK Gi Yoon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD TO ESTIMATE A SIGNAL TO INTERFERENCE PLUS NOISE RATIO BASED ON SELECTION OF THE SAMPLES AND CORRESPONDING PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20120310573A1. Автор: Ancora Andrea,Sesia Stefania. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2012-12-06.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

METHODS AND APPARATUS FOR ADJUSTING FORWARD LINK SIGNAL TO INTERFERENCE AND NOISE RATIO ESTIMATES

Номер патента: US20120263164A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-10-18.

Towards the signal to interference and noise ratio (SINR) estimating method of enhanced Inter-Cell Interference Coordination in heterogeneous network

Номер патента: CN104394108B. Автор: 王霞,石军,孙黎,王元双. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2017-10-20.

Frequency selects the acquisition methods and device of Signal to Interference plus Noise Ratio parameter

Номер патента: CN105376010B. Автор: 张鹏程. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-08.

A kind of base station end signal to interference and noise ratio (SINR) estimating method for cooperative multicast system

Номер патента: CN103457699B. Автор: 王刚,雷鸣,杨晨阳,苏笛. Владелец: NEC China Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Harmonic and phase-shift-keyed signal-to-communication channel noise ratio meter

Номер патента: SU1337834A1. Автор: Леонид Максимович Кенин. Владелец: Войсковая Часть 33872. Дата публикации: 1987-09-15.

SINR (Signal to Interference and Noise Ratio) estimation method for enhanced inter-cell interference coordination in heterogeneous network

Номер патента: CN104394108A. Автор: 王霞,石军,孙黎,王元双. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2015-03-04.

ONE-TRANSISTOR PIXEL ARRAY WITH CASCODED COLUMN CIRCUIT

Номер патента: US20120001236A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for estimating signal-to-noise ratio when decoding convolution codes

Номер патента: RU2446448C1. Автор: Николай Афанасьевич Важенин,Тимур Георгиевич Келин,Дмитрий Алексеевич Пятков. Владелец: Тимур Георгиевич Келин. Дата публикации: 2012-03-27.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of estimating signal-to-noise ratio over section of harmonic oscillation interval

Номер патента: RU2502077C1. Автор: Андрей Андреевич Катанович,Владимир Викторович Егоров,Сергей Александрович Лобов,Михаил Леонидович Маслаков,Андрей Николаевич Мингалев,Михаил Сергеевич Смаль,Александр Евгеньевич Тимофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Российский институт мощного радиостроения". Дата публикации: 2013-12-20.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to enhance performance of feature-based modulation classification algorithms for multiple-input multiple-output systems using post-processing signal-to-noise ratio

Номер патента: MY178062A. Автор: Zuki Yusoff Mohd,Naufal Mohamad Saad Mohamad,Rida Bahloul Mohammad. Владелец: Univ Teknologi Petronas. Дата публикации: 2020-09-30.

Signal-to-noise ratio meter

Номер патента: RU2117954C1. Автор: Владимир Валентинович Челпанов,Игорь Юрьевич Корнуков,Сергей Иванович Марухленко. Владелец: Сергей Иванович Марухленко. Дата публикации: 1998-08-20.

High signal-to-noise ratio infrared photodiode and method of increasing signal-to-noise ratio in infrared photodiode

Номер патента: RU2456707C1. Автор: Игорь Дмитриевич Бурлаков,Андрей Юрьевич Селяков,Андрей Юрьевич Селяков (RU),Игорь Дмитриевич Бурлаков (RU). Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2012-07-20.

Measurement module for selective estimation of signal-to-noise power ratio in radio link

Номер патента: RU2520567C2. Автор: Владимир Ильич Владимиров,Василий Васильевич Исаев,Александр Александрович Бубеньщиков,Александр Вячеславович Бубеньщиков,Алексей Анатольевич Болдырев,Сергей Юрьевич Полухин. Владелец: Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный авиационный инженерный университет" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-06-27.

PRINTING APPARATUS AND PRINTING POSITION ADJUSTING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001972A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of estimating signal-to-noise ratio using phase-modulated signals

Номер патента: RU2548032C2. Автор: Андрей Андреевич Катанович,Владимир Викторович Егоров,Сергей Александрович Лобов,Михаил Леонидович Маслаков,Андрей Николаевич Мингалев,Михаил Сергеевич Смаль,Александр Евгеньевич Тимофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Российский институт мощного радиостроения". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of measuring signal-to-noise ratio

Номер патента: RU2414718C2. Автор: Алексей Вячеславович Зенькович,Виктор Львович Балло,Валентин Борисович Добровольский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ордена Трудового Красного Знамени Центральный научно-исследовательский институт "Комета". Дата публикации: 2011-03-20.

Ball Grid Array with Improved Single-Ended and Differential Signal Performance

Номер патента: US20120001327A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and device for measuring low signal-to-noise ratios

Номер патента: RU2072522C1. Автор: Ю.Е. Польский,А.Г. Ильин. Владелец: Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева. Дата публикации: 1997-01-27.

RGBW DISPLAY APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001947A1. Автор: Cheng Sheng-Wen,CHU-KE Hui. Владелец: AU OPTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of measuring air target radial velocity in carrier frequency adjustment mode from pulse to pulse in accordance with random law at low signal-to-noise ratio

Номер патента: RU2389039C1. Автор: Николай Владимирович Силаев,Дмитрий Геннадьевич Митрофанов,Дмитрий Александрович Майоров,Владимир Геннадьевич Тулузаков,Анатолий Валерьевич Немцов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия войсковой противовоздушной обороны Вооруженных Сил Российской Федерации". Дата публикации: 2010-05-10.

Spiral-type heat exchanger and its fabrication method

Номер патента: RU2358218C1. Автор: Леонид Владимирович Чумазов. Владелец: Леонид Владимирович Чумазов. Дата публикации: 2009-06-10.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS HAVING HUMAN BODY CONTACT SENSING FUNCTION AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003929A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHORETIC DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001958A1. Автор: Hsieh Yao-Jen,Hung Chi-Mao,Liu Chun-Ting,Tseng Hsu-Ping,Hsu Ying Hua. Владелец: SIPIX TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTOR ASSEMBLY FOR USE IN ENVIRONMENTS CONTAINING BACKGROUND MAGNETIC NOISE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004878A1. Автор: . Владелец: U.S. Government as represented by the Secretary of the Army. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.