Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Thermal isolation structure

Номер патента: US10788368B1
Опубликовано: 29-09-2020
Автор(ы): Jason Pelc, Mark Alan ARBORE
Принадлежит: Apple Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Thermal isolation using vertical structures

Номер патента: EP1203208A1. Автор: Kyle Lebouitz. Владелец: Xactix Inc. Дата публикации: 2002-05-08.

Thermal isolation using vertical structures

Номер патента: US20020086540A1. Автор: Kyle Lebouitz. Владелец: Xactix Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Thermal isolation device for infrared surveillance camera

Номер патента: US09386239B2. Автор: Glen Francisco,Eric J. Gustafson,Adam J. Ward. Владелец: DRS Network and Imaging Systems LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Thermally isolated sensor arrangement for imaging an object of interest within a cryogenic environment and method of manufacturing the same

Номер патента: AU2022207729A1. Автор: Demian Gustavo SLOBINSKY,Juan Pablo PERALTA. Владелец: National Scient And Technical Reseaerch Council Conicet. Дата публикации: 2023-08-31.

Thermally isolated sensor arrangement for imaging an object of interest within a cryogenic environment and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240027274A1. Автор: Demian Gustavo SLOBINSKY,Juan Pablo PERALTA. Владелец: Crinsurance Sas. Дата публикации: 2024-01-25.

Thermally isolated sensor arrangement for imaging an object of interest within a cryogenic environment and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2022153304A1. Автор: Demian Gustavo SLOBINSKY,Juan Pablo PERALTA. Владелец: Crinsurance S.A.S.. Дата публикации: 2022-07-21.

Thermally isolated sensor arrangement for imaging an object of interest within a cryogenic environment and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4278597A1. Автор: Demian Gustavo SLOBINSKY,Juan Pablo PERALTA. Владелец: Crinsurance Sas. Дата публикации: 2023-11-22.

Thermal isolation microstructure

Номер патента: CA2116678C. Автор: Robert G. Johnson,James O. Holmen,G. Benjamin Hocker. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Atomic source with heater on thermal isolation die

Номер патента: US09983131B2. Автор: Robert Compton. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Active thermal interposer device with thermal isolation structures

Номер патента: US20240183898A1. Автор: IKEDA Hiroki,Kiyokawa Toshiyuki,Thomas Jones,Paul Ferrari,Todd Berk,Karthik Ranganathan,Samer Kabbani,Gregory Cruzan,Aritomo Kikuchi,Ian Williams,Mohammad Ghazvini,Merlin Wallner,Rajan SURVE. Владелец: Advantest Test Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Thermally isolating cabling assemblies, systems using thermally isolating cabling assemblies, and methods of fabricating thermally isolating cabling assemblies

Номер патента: US20240019514A1. Автор: Richard D. Neufeld,Surjit Singh Dhesi,Oscar Yui-kit Fung. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Wafer scale active thermal interposer with thermal isolation structures

Номер патента: US20240183897A1. Автор: IKEDA Hiroki,Kiyokawa Toshiyuki,Paul Ferrari,Karthik Ranganathan,Samer Kabbani,Gregory Cruzan,Aritomo Kikuchi,Merlin Wallner,Rajan SURVE. Владелец: Advantest Test Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Air data probe electronics housing with thermal isolating features

Номер патента: CA3199326A1. Автор: Lisa C. Graham,Andrew Gilb. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Thermal isolation system in an analytical instrument

Номер патента: US5663488A. Автор: Tak Kui Wang,James W. Baker,Terry A. Berger. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1997-09-02.

Shock mounted sensor package with thermal isolation

Номер патента: US09417335B2. Автор: Paul L. Sinclair,Robert Scott Neves. Владелец: CBG Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Test system and method with a thermally isolated hollow body inside an over the air measurement chamber

Номер патента: US20200025822A1. Автор: Stefan Ullrich,Corbett Rowell,Heiko KUEHLING. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-01-23.

Thermal isolation chambers and chromatography systems including them

Номер патента: EP4217728A1. Автор: Nathan L. Porter,Benjamin BLACK,Chad Kingston. Владелец: Perkinelmer US LLC. Дата публикации: 2023-08-02.

Thermally isolated room temperature sensing apparatus

Номер патента: CA2147718C. Автор: Michael F. Richards. Владелец: Siemens Building Technologies Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Thermal isolation chambers and chromatography systems including them

Номер патента: US11904258B2. Автор: Benjamin J. Black,Chad Kingston,Nathan L Porter. Владелец: Perkinelmer US LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Probe tip thermal isolation and fast prediction algorithm

Номер патента: CA2451652C. Автор: Robert B. Gaines,Loren Lantz. Владелец: Sherwood Service AG. Дата публикации: 2008-08-05.

Air data probe electronics housing with thermal isolating features

Номер патента: EP4306429A1. Автор: Lisa C. Graham,Andrew Gilb. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Air data probe electronics housing with thermal isolating features

Номер патента: US20240010344A1. Автор: Lisa C. Graham,Andrew Gilb. Владелец: Rosemount Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Sensor assemblies utilizing a one-piece thermal isolated fitting tube and methods of assembling the same

Номер патента: EP4119903A1. Автор: Richard Gordon,Michelle Pisuk. Владелец: Sensata Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-18.

Active thermal isolation for temperature responsive sensors

Номер патента: US5349851A. Автор: David L. Gray,Scott D. Martinson,Debra L. Carraway,Daniel C. Reda. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1994-09-27.

Temperature probes having a thermally isolated tip

Номер патента: WO2009014609A1. Автор: Keith Comendant. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2009-01-29.

Thermally isolated monolithic semiconductor die

Номер патента: US4257061A. Автор: Roy W. Chapel, Jr.,I. Macit Gurol. Владелец: John Fluke Manufacturing Co Inc. Дата публикации: 1981-03-17.

In-Line Thermal Isolator for Liquid Sample Conditioning

Номер патента: US20190041298A1. Автор: Claude A. ROLSTON. Владелец: MUSTANG SAMPLING LLC. Дата публикации: 2019-02-07.

Device and method for testing horizontal displacement of dynamic characteristics of vibration isolation structure

Номер патента: AU2020103410A4. Автор: Haimin YU,Youqin Lin,Yingxiong Wu,Tianguo Long. Владелец: Chengdu 516 Seismic Isolation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Cmos depth image sensor with integrated shallow trench isolation structures

Номер патента: EP3254311A1. Автор: Onur Can Akkaya,Cyrus Bamji,Swati Mehta,Tamer Elkhatib. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-12-13.

Biological test strip with isolation structure

Номер патента: US20170322205A1. Автор: Wen-Chih Wang,Bing-Chen Gu,yu-han Dai. Владелец: Vida Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

In situ-generated microfluidic isolation structures, kits and methods of use thereof

Номер патента: CA3004919C. Автор: Xiaohua Wang,J. Tanner Nevill,Andrew W. Mcfarland,Daniele Malleo,Randall D. Lowe, JR.,Volker L.S. KURZ,Troy A. LIONBERGER,Kristin G. BEAUMONT,Nan-Linda DING. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

User adjustable damping system for optical tops and vibration isolated structures

Номер патента: GB2275319A. Автор: Ulf B Heide. Владелец: Technical Manufacturing Corp. Дата публикации: 1994-08-24.

Combined enhanced shock load capability and stress isolation structure for an improved performance silicon micro-machined accelerometer

Номер патента: EP1218756A4. Автор: Graeme Blake,Ronald Leonardson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-15.

Combined enhanced shock load capability and stress isolation structure for an improved performance silicon micro-machined accelerometer

Номер патента: EP1218756A1. Автор: Graeme Blake,Ronald Leonardson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Multi-stage thermal isolator for focal plane arrays and other devices

Номер патента: IL239132A0. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-07-30.

Multi-stage thermal isolator for focal plane arrays and other devices

Номер патента: EP2938977A1. Автор: Andrew L. BULLARD. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-11-04.

Multi-stage thermal isolator for focal plane arrays and other devices

Номер патента: WO2014105265A1. Автор: Andrew L. BULLARD. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-07-03.

Multi-stage thermal isolator for focal plane arrays and other devices

Номер патента: IL239132B. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-10-31.

Multi-stage thermal isolator for focal plane arrays and other devices

Номер патента: US09599274B2. Автор: Andrew L. BULLARD. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-03-21.

Bolometric detector, e.g. for use with infrared camera, has bolometer connected to receiving antenna via load resistor, where antenna is double dipole type antenna and is thermally isolated from support substrate by isolating arms

Номер патента: FR2884608A1. Автор: Buffet Jean Louis Ouvrier,Emilien Peytavit. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2006-10-20.

Thermally isolated probe

Номер патента: EP0674162B1. Автор: Robert J. Rosati,Michael P. Defrank. Владелец: Alaris Medical Systems Inc. Дата публикации: 2002-01-02.

Thermal Isolation Microstructure

Номер патента: CA2116678A1. Автор: Robert G. Johnson,James O. Holmen,G. Benjamin Hocker. Владелец: G. Benjamin Hocker. Дата публикации: 1993-12-23.

Thermally isolated probe

Номер патента: CA2037775A1. Автор: Robert J. Rosati,Michael P. Defrank. Владелец: Michael P. Defrank. Дата публикации: 1991-09-09.

Thermal isolation microstructure.

Номер патента: EP0645002A1. Автор: James O Holmen,G Benjamin Hocker,Robert G Johnson. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1995-03-29.

Ir thermometer thermal isolation tip assembly

Номер патента: US20100284436A1. Автор: Matthew D. Mullin,David E. Quinn,John A. Lane,Craig M. Meyerson,Scott A. Martin,Ray D. Stone. Владелец: Welch Allyn Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Thermal isolation in a fluidic block of an actively controlling thermistor

Номер патента: EP3268731A1. Автор: Joshua A. Shreve,Paul Keenan,Greg KHEYFETS. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2018-01-17.

Thermal isolation in a fluidic block of an actively controlling thermistor

Номер патента: WO2016144447A1. Автор: Joshua A. Shreve,Paul Keenan,Greg KHEYFETS. Владелец: WATERS TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-15.

Thermally isolated temperature sensor

Номер патента: US8523432B2. Автор: Guruprasad Krishnamurthy,Jamie Boyd,Kishor Mujumdar. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-09-03.

Temperature detector probe with thermal isolation

Номер патента: US20190293495A1. Автор: John Lilleland. Владелец: Watlow Electric Manufacturing Co. Дата публикации: 2019-09-26.

Thermally isolated thermocouple

Номер патента: EP3777736B1. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Anand Rao,Thomas Selkee. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Thermally isolated thermocouple

Номер патента: EP3777736C0. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Anand Rao,Thomas Selkee. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

APPARATUS FOR DESTRUCTIVE EVENT TESTING OF CHEMICAL ENERGY SYSTEMS USING HIGHLY PORTABLE AND EASE OF ACCESS ADAPTIVE HEAT FLOW TESTING SYSTEMS INCLUDING REPLACEABLE AND THERMALLY ISOLATED MODULAR THERMAL SECTIONS EACH CAPABLE OF INDEPENDENT MEASUREMENTS OF A TEST ARTICLE WITH IMPROVED EASE OF TEST ARTICLE INSERTION AND REMOVAL AND RELATED METHODS

Номер патента: US20180143149A1. Автор: Ellison Daniel,Ubelhor Ryan,Pierce Cecilia. Владелец: The U.S.A. as represented by the SEC of the Navy. Дата публикации: 2018-05-24.

Method and device for determining thermal conductivity, and manufacture of thermal isolating parts

Номер патента: CN1351256A. Автор: 林圣人,中礼司,小山朋宏,长谷川寿一,青岛武. Владелец: Eko Instruments Trading Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-29.

Apparatus and method for thermal isolation of thermal mass flow sensor

Номер патента: GB2398643B. Автор: Isao Suzuki,Jesse Ambrosina. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Method for determining factor of thermal conductivity liquid thermal isolation on surface of flat heating source

Номер патента: RU2610348C1. Автор: Михаил Васильевич Павлов,Антон Александрович Синицын,Денис Федорович Карпов,Николай Витальевич Мнушкин,Денис Алексеевич Погодин,Владимир Александрович Агафонов,Кирилл Юрьевич Беляев,Павел Сергеевич Березин,Михаил Петрович Ермалюк,Андрей Евгеньевич Тихов,Валерия Павловна Березина,Виктор Анатольевич Писаренко,Евгения Петровна Писаренко,Николай Михайлович Горин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Вологодский государственный университет" (ВоГУ). Дата публикации: 2017-02-09.

Increasing thermal isolation of a probe card assembly

Номер патента: US20090230981A1. Автор: Kevin Y. Yasumura,Timothy Blomgren,Jacob C. Chang,Michael W. Huebner. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Acoustic measurement system incorporating a hybrid waveguide providing thermal isolation

Номер патента: US20170016779A1. Автор: Upul P. Desilva,Heiko Claussen. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

TEST SYSTEM AND METHOD WITH A THERMALLY ISOLATED HOLLOW BODY INSIDE AN OVER THE AIR MEASUREMENT CHAMBER

Номер патента: US20200025822A1. Автор: Rowell Corbett,ULLRICH Stefan,KUEHLING Heiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

In-Line Thermal Isolator for Liquid Sample Conditioning

Номер патента: US20190041298A1. Автор: Rolston Claude A.. Владелец: MUSTANG SAMPLING LLC. Дата публикации: 2019-02-07.

THERMAL ISOLATION IN A FLUIDIC BLOCK OF AN ACTIVELY CONTROLLING THERMISTOR

Номер патента: US20180045691A1. Автор: Shreve Joshua A.,Keenan Paul,KHEYFETS Greg. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Using a Thermally-Isolated Cavity to Polarize a Spin Ensemble

Номер патента: US20160077177A1. Автор: Cory David G.,Teklemariam Grum. Владелец: Quantum Valley Investment Fund LP. Дата публикации: 2016-03-17.

SHOCK MOUNTED SENSOR PACKAGE WITH THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20150097112A1. Автор: Sinclair Paul L.,Neves Robert Scott. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

In-Line Thermal Isolator for Liquid Sample Conditioning

Номер патента: US20170122848A1. Автор: Rolston Claude A.. Владелец: MUSTANG SAMPLING LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Atomic source with heater on thermal isolation die

Номер патента: US20150226669A1. Автор: Robert Compton. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Thermally isolated thermocouple

Номер патента: US20190212207A1. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Anand Rao,Thomas Selkee. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

THERMALLY ISOLATED SENSOR FOR GAS TURBINE ENGINE

Номер патента: US20210394913A1. Автор: Anderson Morris,Anthony Peter. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

TEMPERATURE DETECTOR PROBE WITH THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20190293495A1. Автор: LILLELAND John. Владелец: WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY. Дата публикации: 2019-09-26.

Thermally Isolated Composite Exciter Ring

Номер патента: US20190309810A1. Автор: SABETI Manouchehr,HANTAK Kevin D.,SEAMAN James A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Thermal isolation between heating and sensing for flow sensors

Номер патента: US20070137297A1. Автор: Richard Gehman,Michael Marchini,Martin Murray. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Probe tip thermal isolation and fast prediction algorithm

Номер патента: AU2002254423B2. Автор: Robert B. Gaines,Loren Lantz. Владелец: Cardinal Health 529 LLC. Дата публикации: 2006-09-21.

Thermally isolated thermocouple

Номер патента: IL263742B. Автор: Nguyen Thanh,Rao Anand,Datta Keshava,Selkee Thomas. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Test handler for testing semiconductor device having thermal isolator and test method of semiconductor device using the same

Номер патента: KR20080031083A. Автор: 이성수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-08.

Simplified thermal isolator for temperature sensor

Номер патента: US20060203886A1. Автор: Michael Karmazyn. Владелец: AAI Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Sensor bridge with thermally isolating apertures

Номер патента: US8286478B2. Автор: Brian Speldrich. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Formula thermocouple is thermally isolated

Номер патента: CN110013303A. Автор: K.达塔,T.阮,T.瑟基,A.拉奥. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Thermally isolated thermocouple

Номер патента: US11054315B2. Автор: Thanh Nguyen,Keshava Datta,Anand Rao,Thomas Selkee. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Atomic source with heater on thermal isolation DIE

Номер патента: EP2908192A2. Автор: Robert Compton. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Method and apparatus for thermal isolation of a gas sensor

Номер патента: US20050210656A1. Автор: Robert Pendergrass,Carlton Salter,Timothy Howard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Using a thermally-isolated cavity to polarize a spin ensemble

Номер патента: CA2910547A1. Автор: David G. Cory,Grum Teklemariam. Владелец: Quantum Valley Investment Fund LP. Дата публикации: 2014-11-06.

Analysis weighing scale, has thermal isolation from display unit allows user to be close without disturbing reading

Номер патента: DE10108232A1. Автор: Michael Laubstein,Eduard Bierich,Guenter Boetcher,Joerg Peter Martens,Juergen Winkelbach. Владелец: Sartorius AG. Дата публикации: 2001-09-06.

Thermal isolation in a fluidic block of an actively controlling thermistor

Номер патента: EP3268731B1. Автор: Joshua A. Shreve,Paul Keenan,Greg KHEYFETS. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-10.

Integrated thermo-optic switch with thermally isolated and heat restricting pillars

Номер патента: WO2015131805A1. Автор: Dritan CELO. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-09-11.

Integrated thermo-optic switch with thermally isolated and heat restricting pillars

Номер патента: US09448422B2. Автор: Dritan CELO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Thermo-optically tuned photonic resonators with concurrent electrical connection and thermal isolation

Номер патента: US09366822B1. Автор: Anthony L. Lentine,William A. Zortman,Rohan Deodatta Kekatpure,Daniel J. Savignon. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Ground conductor discontinuities for thermal isolation of qubit circuits

Номер патента: AU2021382101A9. Автор: Michael Good,Patryk GUMANN,Layne Berge,Sean Hart,Curtis Eugene Larsen,Trevor Timpane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Ground conductor discontinuities for thermal isolation of qubit circuits

Номер патента: AU2021382101A1. Автор: Michael Good,Patryk GUMANN,Layne Berge,Sean Hart,Curtis Eugene Larsen,Trevor Timpane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Ground conductor discontinuities for thermal isolation of qubit circuits

Номер патента: EP4248375A1. Автор: Michael Good,Patryk GUMANN,Layne Berge,Sean Hart,Curtis Eugene Larsen,Trevor Timpane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Thermally isolated silicon layer

Номер патента: WO1999021036A1. Автор: Jolyon Richard Tidmarsh,Arnold Peter Roscoe Harpin,Andrew George Rickman. Владелец: Bookham Technology Ltd.. Дата публикации: 1999-04-29.

Thermally isolating mounting boss

Номер патента: US11864330B2. Автор: Qinghong He,Allen B. McKittrick. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-01-02.

Electrical device having thermal isolation function

Номер патента: US9665140B2. Автор: Yu-Nien Huang,Shun-Ta Yu,Sung-Fong Yang,Wei-Che Yeh,Chang-Chun LAN. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2017-05-30.

First and second shields for thermal isolation

Номер патента: US20190150319A1. Автор: John Norton,Kevin LEIGH,George D. Megason. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-05-16.

Thermal optical switch apparatus and methods with enhanced thermal isolation

Номер патента: US20040017990A1. Автор: Mahmood Toofan,Henry Yun,Arianne Baker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Methods and apparatus providing thermal isolation of photonic devices

Номер патента: EP2862014A1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-22.

Methods and apparatus providing thermal isolation of photonic devices

Номер патента: WO2013188542A1. Автор: Sandhu Gurtej,Roy Meade. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-12-19.

Methods and apparatus providing thermal isolation of photonic devices

Номер патента: US20200365787A1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Integrated thermo-optic switch with thermally isolated and heat restricting pillars

Номер патента: EP3047320A1. Автор: Dritan CELO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Ground conductor discontinuities for thermal isolation of qubit circuits

Номер патента: WO2022106328A1. Автор: Michael Good,Patryk GUMANN,Layne Berge,Sean Hart,Curtis Eugene Larsen,Trevor Timpane. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2022-05-27.

Ground conductor discontinuities for thermal isolation of qubit circuits

Номер патента: AU2021382101B2. Автор: Michael Good,Patryk GUMANN,Layne Berge,Sean Hart,Curtis Eugene Larsen,Trevor Timpane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Thermal isolation element

Номер патента: US20220404649A1. Автор: Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Thermal isolation element

Номер патента: US20210263350A1. Автор: Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Thermal isolation element

Номер патента: US20210109382A1. Автор: Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Thermal isolation element

Номер патента: US11467434B2. Автор: Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Thermal isolation element

Номер патента: US11960154B2. Автор: Jock T. Bovington. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Acoustically isolated structural element

Номер патента: RU2596412C2. Автор: Клаус ФОГЕЛЬ. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-09-10.

Isolation structure for aircraft heat and sound isolation

Номер патента: RU2435704C1. Автор: Райнер МЮЛЛЕР,Кристиан Томас,Беньямин ГРЕНЦИНГ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Microelectronic devices including isolation structures protruding into upper pillar portions, and related methods and systems

Номер патента: US20220262820A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki,Richard J. Hill,Matthew J. King,Albert Fayrushin,David A. Daycock,Chandra S. Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Blocking Structures on Isolation Structures

Номер патента: US20190164744A1. Автор: Tzy-Kuang LEE,Yu-Hsuan Yang,Wen Han Hung,Chia Ying Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Blocking Structures on Isolation Structures

Номер патента: US20190244807A1. Автор: Tzy-Kuang LEE,Yu-Hsuan Yang,Wen Han Hung,Chia Ying Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240194263A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Capacitive isolation structure insert for reversed signals

Номер патента: US20240362387A1. Автор: Chien-Hsing Li,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having channel isolation structure

Номер патента: US20240260264A1. Автор: Moon Soo Sung,Sung Lae OH,Dong Hun Kwak,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Microelectronic devices including isolation structures protruding into upper pillar portions, and related methods and systems

Номер патента: US20220068955A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki,Richard J. Hill,Matthew J. King,Albert Fayrushin,David A. Daycock,Chandra S. Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor Devices with Single-Photon Avalanche Diodes, Light Scattering Structures, and Multiple Isolation Structures

Номер патента: US20240055537A1. Автор: Nader Jedidi,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Anne Deignan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes, light scattering structures, and multiple deep trench isolation structures

Номер патента: US11837670B2. Автор: Nader Jedidi,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Anne Deignan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Microelectronic devices including isolation structures protruding into upper pillar portions, and related methods and systems

Номер патента: US11800717B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki,Richard J. Hill,Matthew J. King,Albert Fayrushin,David A. Daycock,Chandra S. Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and hybrid isolation structures

Номер патента: US11984519B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Allen SULFRIDGE. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Stairless three-dimensional memory device containing meandering dielectric isolation structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240179904A1. Автор: Tomohiro Kubo,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Capacitive isolation structure insert for reversed signals

Номер патента: US12073162B2. Автор: Chien-Hsing Li,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

A zonal storage water supply system with hydraulic isolation structures and a method thereof

Номер патента: WO2023275881A1. Автор: Abhishek Kumar Sinha,Pradip P KALBAR,Anujkumar GHORPADE. Владелец: Indian Institute of Technology - Bombay. Дата публикации: 2023-01-05.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US20220077283A1. Автор: Yang Zhou,Meng Xiao,ZHEN Guo,HUI Zhang,Jingjing Geng,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US11990506B2. Автор: Yang Zhou,Meng Xiao,ZHEN Guo,HUI Zhang,Jingjing Geng,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240194262A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takaaki IWAI,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device containing dual-depth drain-select-level isolation structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2023229801A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Three-dimensional memory device containing dual-depth drain-select-level isolation structures and methods for forming the same

Номер патента: US20230389308A1. Автор: Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Image sensor with multi-pixel detector and partial isolation structure

Номер патента: US11967602B2. Автор: Kazufumi Watanabe,Vincent Venezia,Chih-Wei Hsiung,Chun-Yung Ai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Shell plate sound isolating structure

Номер патента: US11378099B2. Автор: Wei-Cheng Hung. Владелец: SilverStone Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Shell plate sound isolating structure

Номер патента: EP3890464A1. Автор: Wei-Cheng Hung. Владелец: SilverStone Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Shell plate sound isolating structure

Номер патента: US20210301834A1. Автор: Wei-Cheng Hung. Владелец: SilverStone Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Capacitive isolation structure insert for reversed signals

Номер патента: US20210192118A1. Автор: Chien-Hsing Li,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Capacitive isolation structure insert for reversed signals

Номер патента: US20200134130A1. Автор: Chien-Hsing Li,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Chi-Lin Liu,Cheok-Kei LEI,Zhe-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Cryogenic chip-on-chip assemblies with thermal isolation structures and methods of forming thereof

Номер патента: WO2024020060A1. Автор: Alexey Vert,Vimal Kamineni,Himani KAMINENI. Владелец: Psiquantum, Corp.. Дата публикации: 2024-01-25.

Ground discontinuities for thermal isolation

Номер патента: US20220159822A1. Автор: Michael Good,Patryk GUMANN,Layne A. Berge,Sean Hart,Curtis Eugene Larsen,Trevor Timpane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Thermal isolation device for heater core to prevent over-heat damage

Номер патента: US5271559A. Автор: Arthur A. Naujock. Владелец: Chrysler Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

INFRARED ABSORPTION MATERIAL, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND THERMAL ISOLATION STRUCTURE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20150030802A1. Автор: CHEN YU-CHUN,Lin Chin-Ching,Chiang Mei-Ching,CHEN Yi-Chen,Yang Pei-Hsin,Liao Hung-Chou. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Passive analog thermal isolation structure

Номер патента: US20070205473A1. Автор: Lisa Lust,Dan Youngner. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-09-06.

Infrared absorption material, method for fabricating the same, and thermal isolation structure employing the same

Номер патента: US9434652B2. Автор: Yi-Chen Chen,Chin-Ching Lin,Yu-Chun Chen,Mei-Ching Chiang,Pei-Hsin YANG,Hung-Chou LIAO. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-06.

Thermally isolated silicon layer

Номер патента: GB9721818D0. Автор: . Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 1997-12-17.

Optical device formed on a substrate with thermal isolation regions formed therein

Номер патента: EP1069455B1. Автор: Ya-Hong Xie,Joseph Shmulovich,Allan James Bruce,Alexei Glebov. Владелец: Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Дата публикации: 2006-10-11.

Thermal isolation of the voice coil motor from base plate and carriage guide rails of a disc drive

Номер патента: US4745501A. Автор: Ronald F. Fasano,Michael K. Andrews. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 1988-05-17.

Micro-scale System to Provide Thermal Isolation and Electrical Communication Between Substrates

Номер патента: US20130293314A1. Автор: Robert L. Borwick, III,Jeffrey F. DeNatale,Philip A. Stupar,Alexandros P. Papavasiliou,Yu-Hua Lin. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Thermally isolating optical devices

Номер патента: WO2005001558A1. Автор: Chaoyang Li,Farshid Adibi-rizi,Anirban Bandyopadhyay,Behzad Fardi,Mahesh Jannarkar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Thermally isolating optical devices

Номер патента: EP1634117A1. Автор: Chaoyang Li,Farshid Adibi-rizi,Anirban Bandyopadhyay,Behzad Fardi,Mahesh Jannarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-15.

Thermally isolating optical devices

Номер патента: WO2005006063A1. Автор: Chaoyang Li,Farshid Adibi-rizi,Anirban Bandyopadhyay,Behzad Fardi,Mahesh Jannarkar. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-01-20.

Micro-scale System to Provide Thermal Isolation and Electrical Communication Between Substrates

Номер патента: US20130293314A1. Автор: Robert L. Borwick, III,Jeffrey F. DeNatale,Philip A. Stupar,Alexandros P. Papavasiliou,Yu-Hua Lin. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

METHODS AND APPARATUS PROVIDING THERMAL ISOLATION OF PHOTONIC DEVICES

Номер патента: US20190013452A1. Автор: Sandhu Gurtej,Meade Roy. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Thermally isolated multi-channel transmitter optical subassembly and optical transceiver module including same

Номер патента: US20140161457A1. Автор: Jun Zheng,Chong Wang,I-Lung Ho. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Thermal isolation of flight recorder memory core

Номер патента: US20190132968A1. Автор: William N. Waggener, Jr.. Владелец: L3 Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Varied Component Density For Thermal Isolation

Номер патента: US20190139742A1. Автор: Chaney Craig R.,McLaughlin Adam M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

FIRST AND SECOND SHIELDS FOR THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20190150319A1. Автор: NORTON John,MEGASON George D.,Leigh Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

METHODS AND APPARATUS PROVIDING THERMAL ISOLATION OF PHOTONIC DEVICES

Номер патента: US20160181495A1. Автор: Sandhu Gurtej,Meade Roy. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Ultra-Cold-Matter System with Thermally-Isolated Nested Source Cell

Номер патента: US20150200029A1. Автор: Steven Michael Hughes,Dana Z. Anderson,Janet Duggan. Владелец: Coldquanta Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

THERMAL ISOLATION ELEMENT

Номер патента: US20210263350A1. Автор: Bovington Jock T.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Integrated Thermo-Optic Switch with Thermally Isolated and Heat Restricting Pillars

Номер патента: US20150253510A1. Автор: Celo Dritan. Владелец: Futurewei Technologies, Inc.. Дата публикации: 2015-09-10.

Thermal Isolation Techniques

Номер патента: US20150261266A1. Автор: David Dean,Robert W. Ellis. Владелец: SanDisk Enterprise IP LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

ELECTRICAL DEVICE HAVING THERMAL ISOLATION FUNCTION

Номер патента: US20150277519A1. Автор: HUANG Yu-Nien,Yeh Wei-Che,Yang Sung-Fong,Yu Shun-Ta,LAN Chang-Chun. Владелец: Quanta Computer Inc.. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of fabricating ion implantation magnetically and thermally isolated bits in hamr bpm stacks

Номер патента: US20140370331A1. Автор: Koichi Wago,Sunnie H. N. Lim. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

METHODS AND APPARATUS PROVIDING THERMAL ISOLATION OF PHOTONIC DEVICES

Номер патента: US20200365787A1. Автор: Sandhu Gurtej,Meade Roy. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

APPARATUS, METHODS AND SYSTEMS FOR THERMALLY ISOLATED SIGNAL AND POWER TRANSMISSION

Номер патента: US20200409438A1. Автор: Tuttle Mark E.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

I-shaped phase change memory cell with thermal isolation

Номер патента: US7956358B2. Автор: Shih Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Thermally isolated silicon-based display

Номер патента: US20220157798A1. Автор: Young Bae Kim,Zhiming Zhuang,Donghee Nam,Min Hyuk Choi. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-19.

Thermal isolation techniques

Номер патента: CN106415434A. Автор: D.迪安,R.W.埃利斯. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-15.

Thermal isolation of flight recorder memory core

Номер патента: US10917983B2. Автор: William N. Waggener, Jr.. Владелец: L3 Technologies Inc. Дата публикации: 2021-02-09.

Process for the manufacture of acoustically and thermally isolating inorganic fiber product using a sizing composition including a non-reducing sugar and an inorganic-acid ammonium salt, and resulting materials

Номер патента: EP2646386B1. Автор: Boris Jaffrennou,Edouard Obert. Владелец: Saint Gobain Isover SA France. Дата публикации: 2018-09-12.

Thin film fuse phase change cell with thermal isolation pad and manufacturing method

Номер патента: TWI318004B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Acoustically and/or thermally isolating products based on mineral fibers, bonded using a sizing composition comprising sucrose and ammonium sulfate, and their process of manufacture

Номер патента: EP3415476B1. Автор: Boris Jaffrennou,Edouard Obert. Владелец: Saint Gobain Isover SA France. Дата публикации: 2022-09-07.

Interposer configuration with thermally isolated regions for temperature-sensitive opto-electronic components

Номер патента: US8905632B2. Автор: Kishor Desai,Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Bipin Dama. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-09.

Display device and backlight module with thermal isolating layer

Номер патента: TWI391752B. Автор: Chieh Jen Cheng,Yao An Mo,Hsin An Chang,Chia Hun Cheng,Hung Chuo Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-04-01.

Thermal isolation for three-dimensional memory arrays

Номер патента: CN108886051B. Автор: P·凡蒂尼. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Methods and apparatus providing thermal isolation of photonic devices

Номер патента: KR101688718B1. Автор: 거티 샌더,로이 미드. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2016-12-21.

Methods and apparatus providing thermal isolation of photonic devices

Номер патента: EP2862014B1. Автор: Gurtej Sandhu,Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-11.

Thermal isolation of flight recorder memory core

Номер патента: CA3079858A1. Автор: William N. Waggener. Владелец: L3 Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Micro-scale System to Provide Thermal Isolation and Electrical Communication Between Substrates

Номер патента: US20120286884A1. Автор: Jeffrey F. DeNatale,Philip A. Stupar,Robert L. Borwick,Alexandros P. Papavasiliou,Yu-Hua Lin. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2012-11-15.

Thermally isolating optical devices

Номер патента: AU2003304334A1. Автор: Chaoyang Li,Farshid Adibi-rizi,Anirban Bandyopadhyay,Behzad Fardi,Mahesh Jannarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-01-28.

Thermal isolation of hybrid thermal detectors through an anisotropic etch

Номер патента: US5572059A. Автор: Gail D. Shelton,Charles M. Hanson,Robert A. Owen,Steven N. Frank,Robert J. S. Kyle,William K. Walker,Edward G. Meissner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-11-05.

Exhaust device comprising cylinder head of cylinder block with integrated and thermally isolated exhaust manifold

Номер патента: RU2439356C2. Автор: Эрик ДЮМА. Владелец: Рено С.А.С. Дата публикации: 2012-01-10.

Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk

Номер патента: US09666466B2. Автор: Vijay D. Parkhe,Douglas A. Buchberger, Jr.,Hamid Noorbakhsh,Jason Della ROSA,Konstantin Makhratchev,Brad L. MAYS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk

Номер патента: US09991148B2. Автор: Vijay D. Parkhe,Douglas A. Buchberger, Jr.,Hamid Noorbakhsh,Jason Della ROSA,Konstantin Makhratchev,Brad L. MAYS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Thermal isolation of reaction sites on a substrate

Номер патента: EP3344394A1. Автор: Janusz Wojtowicz. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2018-07-11.

Arrangement for forming a thermal isolation point

Номер патента: US09660437B2. Автор: Georg Wittmann,Edmund ZÄUNER. Владелец: Dehn and Soehne GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-05-23.

Thermal isolation walls in a rotary furnace application

Номер патента: WO2014078337A2. Автор: David Hebert,Matthew J. VILLANI. Владелец: FIRTH RIXSON LIMITED. Дата публикации: 2014-05-22.

Thermal isolation walls in a rotary furnace

Номер патента: WO2014078337A3. Автор: David Hebert,Matthew J. VILLANI. Владелец: FIRTH RIXSON LIMITED. Дата публикации: 2014-07-31.

Thermal isolation walls in a rotary furnace application

Номер патента: EP2920329A2. Автор: David Hebert,Matthew J. VILLANI. Владелец: Firth Rixson Ltd. Дата публикации: 2015-09-23.

Sound isolating, vibration isolating, thermal isolating enclosing structure

Номер патента: RU2678735C1. Автор: Анатолий Яковлевич Лившиц. Владелец: Анатолий Яковлевич Лившиц. Дата публикации: 2019-01-31.

System and methods for thermal isolation of components used

Номер патента: US09732518B2. Автор: Scott Croasdale,Douglas James Knight. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-15.

System and methods for thermal isolation of components used

Номер патента: US09677268B2. Автор: Scott Croasdale,Douglas James Knight. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-13.

Ice shaver with thermally isolated shave deck

Номер патента: US12044455B2. Автор: Robin Peng,Donald Griffiths. Владелец: Pioneer Family Brands Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Thermal isolator

Номер патента: US11913220B2. Автор: Alex Moshenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-27.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: WO2010035246A3. Автор: Devlin Baker,Daniel Bateman. Владелец: Daniel Bateman. Дата публикации: 2010-07-22.

Methods of forming a thermally isolated exhaust port

Номер патента: US11473521B1. Автор: Jeremy M. Kessens. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2022-10-18.

Thermally isolated ground planes with a superconducting electrical coupler

Номер патента: CA3075680C. Автор: John X. Przybysz,Robert Miles Young,Daniel Robert Queen,Aaron Ashley Hathaway,Patrick Alan LONEY. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of forming a thermally isolated exhaust port

Номер патента: US11643990B2. Автор: Jeremy M. Kessens. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-05-09.

Gas turbine engine having section with thermally isolated area

Номер патента: US09920652B2. Автор: Gabriel L. Suciu,James D. Hill,Brian D. Merry,William K. Ackermann. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Greased journal bearing assemblies with thermal isolation and cooling in continuous mixers of plastic materials

Номер патента: WO1992021495A1. Автор: William H. Swilling, Jr.,Michael R. Kearney,Ian Lowe,Darren Graham Rhodes. Владелец: Farrel Corporation. Дата публикации: 1992-12-10.

Method of making thermally-isolated silicon-based integrated circuits

Номер патента: US09824932B1. Автор: Roy Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-11-21.

Thermally-isolated silicon-based integrated circuits and related methods

Номер патента: US09646874B1. Автор: Roy H. Olsson,Kenneth Wojciechowski,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Adapter plate, heat shield, and method for thermally isolating a mount coupled to an adapter plate

Номер патента: US09463859B1. Автор: Justin Martin,Donald Anderson, Jr.,Robert D. Cooper, III. Владелец: Brunswick Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: EP2351054A2. Автор: Devlin Baker,Daniel Bateman. Владелец: Magnetic-Electrostatic Confinement (Mec) Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Thermally isolated integrated circuit

Номер патента: WO1998016955A1. Автор: Roger L. Roisen,Michael F. Dries. Владелец: Honeywell, Inc.. Дата публикации: 1998-04-23.

Methods of forming a thermally isolated exhaust port

Номер патента: US20230016389A1. Автор: Jeremy M. Kessens. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-01-19.

Heat isolation structures for high bandwidth interconnects

Номер патента: US09859188B2. Автор: Sean S. Cahill,Eric A. Sanjuan. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Thermal isolation for memory systems

Номер патента: US20240196569A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Deepu Narasimiah Subhash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Thermally insulating composite frame member with snap-in thermal isolator

Номер патента: CA2128371C. Автор: Gregory B. Mckenna,Fred A. Grunewald. Владелец: Kawneer Co Inc. Дата публикации: 2005-06-14.

Thermal Isolation of Reaction Sites on a Substrate

Номер патента: US20190022657A1. Автор: Janusz Wojtowicz. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Air gap magnetic coupling with thermal isolation

Номер патента: EP4420220A1. Автор: Ronald J. Forni. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2024-08-28.

Thermo-electric device of increased efficiency with usage of thermal isolation

Номер патента: RU2315250C2. Автор: Лон Е. БЕЛЛ. Владелец: БССТ, ЛЛСи. Дата публикации: 2008-01-20.

Package-on-Package Structure Including a Thermal Isolation Material

Номер патента: US20230378153A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Meng-Tse Chen,Kuei-Wei Huang,Tsai-Tsung Tsai,Ai-Tee Ang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Package-on-package structure including a thermal isolation material

Номер патента: US11776945B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Meng-Tse Chen,Kuei-Wei Huang,Tsai-Tsung Tsai,Ai-Tee Ang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Enhanced deposition rate by thermal isolation cover for gis manipulator

Номер патента: WO2024039527A1. Автор: Yehuda Zur,Sean KASHY. Владелец: Applied Materials Israel Ltd.. Дата публикации: 2024-02-22.

Enhanced deposition rate by thermal isolation cover for gis manipulator

Номер патента: US20240062990A1. Автор: Yehuda Zur,Sean KASHY. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Systems, methods, and apparatus for thermally isolating a turbine rotor wheel

Номер патента: EP2243927A3. Автор: Daniel Hynum,Eric David ROUSH. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-25.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: AU2009298033A2. Автор: Devlin Baker,Daniel Bateman. Владелец: Magnetic Electrostatic Confinement Mec Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Trans-impedance amplifiers (tia) thermally isolated from optical modules

Номер патента: EP2883313A1. Автор: Dacheng Zhou,Daniel A. Berkram. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-06-17.

Surge protection device having a plurality of surge arresters and, in particular thermal, isolating apparatus which is respectively associated with them

Номер патента: US20210366677A1. Автор: Stephan Hierl,Michael Waffler. Владелец: Dehn and Soehne GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-11-25.

Thermally isolated valve actuator

Номер патента: EP2044354A1. Автор: Joseph Callahan,Kwin Abram,Robin Willats,David Lee Mccrary. Владелец: Emcon Technologies LLC. Дата публикации: 2009-04-08.

Thermally isolated valve actuator

Номер патента: WO2008014043A1. Автор: Joseph Callahan,Kwin Abram,Robin Willats,David Lee Mccrary. Владелец: Emcon Technologies Llc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Modular thermal isolation barrier for data processing equipment structure

Номер патента: US12063758B2. Автор: Joshua James YOUNG,Jared Keith DAVIS,Joshua Blaine GREESON,Steven J. Gibble. Владелец: Chatsworth Products Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

System for thermally isolating a turbine shroud

Номер патента: US09945242B2. Автор: Dylan James FITZPATRICK,Christopher Paul Tura. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-04-17.

Modular thermal isolation barrier for data processing equipment structure

Номер патента: US09795060B2. Автор: Joshua James YOUNG,Jared Keith DAVIS,Joshua Blaine GREESON,Steven J. Gibble. Владелец: Chatsworth Products Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Systems, methods, and apparatuses for securing cell-based products for transport in thermal isolation

Номер патента: US09738432B1. Автор: Jiunn-Chern Yeh,Kathryn J. Petrucci,Amanda Reilly. Владелец: Animal Cell Therapies Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Thermal isolation disc for silencer

Номер патента: US09599008B2. Автор: Joseph E. Callahan. Владелец: Faurecia Emissions Control Technologies USA LLC. Дата публикации: 2017-03-21.

Modular thermal isolation barrier for data processing equipment structure

Номер патента: US09572286B2. Автор: Joshua James YOUNG,Jared Keith DAVIS,Joshua Blaine GREESON,Steven J. Gibble. Владелец: Chatsworth Products Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Thermally isolated solar cell construction

Номер патента: US4097309A. Автор: William E. Horne. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1978-06-27.

High density battery module with thermal isolation

Номер патента: US20210288379A1. Автор: James Meredith,Robert Wayne Sweney. Владелец: Lithos Energy Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Ice Shaver with Thermally Isolated Shave Deck

Номер патента: US20230059664A1. Автор: Robin Peng,Donald Griffiths. Владелец: Pioneer Family Brands Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

360 degree adjustable vibration dampening and thermal isolating bracket

Номер патента: US5335893A. Автор: Fred W. Opp. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1994-08-09.

Etching technique for creation of thermally-isolated microstructures

Номер патента: EP1815510A1. Автор: Uwe Schwarz,Oleg Grudin,Jens Urban,Leslie Landsberger. Владелец: Microbridge Technologies Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

3D printer with self-supporting thermal isolator

Номер патента: US11858214B2. Автор: Bryan Daniel Migliori,Kyra Elizabeth Neal,Colin Adam Schiel,Patrick Williams Anderson. Владелец: Stratasys Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Thermally isolated housing in gas turbine engine

Номер патента: US20030161718A1. Автор: Ly Nguyen,Louis Cruse,Ivar Fowkes,Silvestre Salas,William North,Vadanth Kadambi. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-08-28.

Thermally isolated heat sink for led lighting

Номер патента: US20130135879A1. Автор: Scott A. Riesebosch. Владелец: CRS Electronics Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Turbocharger thermal isolation connection

Номер патента: CA2352029C. Автор: Gary R. Svihla,Charles H. Mccreary,John R. Zagone. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 2005-04-05.

Turbocharger thermal isolation connection

Номер патента: CA2352029A1. Автор: Gary R. Svihla,Charles H. Mccreary,John R. Zagone. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 2003-01-03.

Thermal isolation coupling system

Номер патента: US5201549A. Автор: Mark J. Davey. Владелец: Senior Engr Investments BV. Дата публикации: 1993-04-13.

Thermally-isolating fastener

Номер патента: CA2895059C. Автор: Ronald P. Hohmann, Jr.. Владелец: Mitek Holdings Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Thermally isolated captive features for ion implantation systems

Номер патента: WO2021194725A1. Автор: Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-09-30.

Thermal isolator for vehicle mount

Номер патента: US20020084561A1. Автор: John Stitt. Владелец: Delphi Automotive Systems LLC. Дата публикации: 2002-07-04.

Thermally Isolated Captive Features For Ion Implantation Systems

Номер патента: US20210296077A1. Автор: Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Thermal isolation system for turbochargers and like machines

Номер патента: US4786238A. Автор: Jerry Glaser,Frank A. Bescoby. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1988-11-22.

Thermally isolated membrane structure

Номер патента: US7372115B2. Автор: William J. Baney. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Thermally isolated ovenized crystal oscillator

Номер патента: US5180942A. Автор: Dennis F. Marvin,Maria Hernandez-Solis. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-01-19.

Modular thermal isolation barrier for data processing equipment structure

Номер патента: US20230247801A1. Автор: Joshua James YOUNG,Jared Keith DAVIS,Joshua Blaine GREESON,Steven J. Gibble. Владелец: Chatsworth Products Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Thermal isolation in printed circuit board assemblies

Номер патента: EP2974562A1. Автор: Yang Zhang,Jack B. Steenstra. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Isolation structure for isolating epitaxially grown source/drain regions and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240313072A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Isolation Structures

Номер патента: US20240332408A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jing-Yi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Fin isolation structures formed after gate metallization

Номер патента: US20230282700A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Field effect transistor with fin isolation structure and method

Номер патента: US12080776B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and isolation structures

Номер патента: US20240321924A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Richard Mauritzson,David T. Price,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Ryan Rettmann,Kevin McStay. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Field effect transistor with fin isolation structure and method

Номер патента: US20240371958A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Device with isolation structures in active regions

Номер патента: US20240234425A1. Автор: Hui Zhan,George R. Mulfinger,Tamilmani Ethirajan,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag,Anton V. Tokranov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and isolation structures

Номер патента: US12034025B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Richard Mauritzson,David T. Price,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Ryan Rettmann,Kevin McStay. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Device with isolation structures in active regions

Номер патента: EP4401123A1. Автор: Hui Zhan,George R. Mulfinger,Tamilmani Ethirajan,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag,Anton V. Tokranov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

FinFET having isolation structure and method of forming the same

Номер патента: US09653542B2. Автор: FENG Yuan,Chia-Chung Chen,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Electronic devices including isolation structures exhibiting a weave pattern, and related memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240081076A1. Автор: Yi Hu,Sidhartha Gupta,Matthew J. King,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Isolation structure configured to reduce cross talk in image sensor

Номер патента: US20230326951A1. Автор: Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Wen-De Wang,Keng-Yu Chou,Cheng-Ying Ho,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Multi-level isolation structure

Номер патента: US20210313321A1. Автор: Haiting Wang,Gregory Costrini,Shesh Mani Pandey,Sipeng Gu,Lixia LEI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US12051738B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Source/drain isolation structures for leakage prevention

Номер патента: US12094927B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor isolation structure and method for making the semiconductor isolation structure

Номер патента: US20220293723A1. Автор: Chih-Wei Hung,Chien-Hung Liu,Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH,Tung-Yang Lin,Shiang-Hung HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Bottom dielectric isolation structure for nanosheet containing devices

Номер патента: US20210193797A1. Автор: Takashi Ando,Jingyun Zhang,Xin Miao,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Device with dual isolation structure

Номер патента: US20230117591A1. Автор: Zhong-Xiang He,Mark D. Levy,Richard J. Rassel,Michel J. Abou-Khalil,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Source/drain isolation structure, layout, and method

Номер патента: US12057390B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device including backside isolation structure and placeholder isolation structure

Номер патента: US20240290834A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Isolation structure for bond pad structure

Номер патента: US20230290749A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Jeng-Shyan Lin,Shih-Pei Chou,Sin-Yao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device including backside isolation structure and placeholder isolation structure

Номер патента: EP4425539A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Seung Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

FinFET having isolation structure and method of forming the same

Номер патента: US09799753B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Self-aligned back side deep trench isolation structure

Номер патента: US09768218B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Source/drain isolation structure and layout method

Номер патента: US20240371753A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming an isolation structure in a well of a substrate

Номер патента: US09871105B2. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor package and system with an isolation structure to reduce electromagnetic coupling

Номер патента: US09673164B2. Автор: Shun Meen Kuo,Michael E. Watts,Margaret A. Szymanowski. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09570548B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Isolation structure for MEMS 3D IC integration

Номер патента: US09446945B2. Автор: Chun-Wen Cheng,Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Wei-Cheng Shen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Shallow trench isolation structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230010227A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Trench isolation structure

Номер патента: US20130069160A1. Автор: Reinaldo A. Vega,Michael V. Aquilino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2024123438A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takaaki IWAI,Masahiro Yaegashi,Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Isolation structure for ESD device

Номер патента: US09343458B2. Автор: Chun-Kai Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Isolation structure for contamination sensitive items

Номер патента: MY109923A. Автор: Winston Sargent Robert,George Cook Lawrence,Michael Gallagher Gary,Frances Florence Robert Jr,Elaf Johnson Gordon. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1997-09-30.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US20230268386A1. Автор: Pinyen Lin,Cheng-Ming Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin,Wei-Yen Woon,Szu-Hua Chen,Kuan-Da Huang,Che-Chi SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having isolation structure in well of substrate

Номер патента: US20180145136A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Through via electrode and device isolation structure including oxide layer pattern and nitride layer pattern sequentially stacked on inner surface of trench

Номер патента: US11735498B2. Автор: YoungMin Lee,Seokhwan Jeong,Eunji Kim,Sungdong CHO,Hyoungyol MUN,Kwangwuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Integrated circuit devices including device isolation structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110248357A1. Автор: Tae-jung Lee,Sun-hyun Kim,Oh-Kyum Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device including 3d-stacked field-effect transistors having isolation structure between contact plugs

Номер патента: US20240282855A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having buried-type element isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028097A1. Автор: Fumitomo Matsuoka,Kunihiro Kasai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device including 3d-stacked field-effect transistors having isolation structure between contact plugs

Номер патента: EP4421862A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Panjae PARK,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Switches with deep trench depletion and isolation structures

Номер патента: US09922973B1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Thai Doan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Isolation structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09773892B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Selective polysilicon growth for deep trench polysilicon isolation structure

Номер патента: US20240379684A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Po-Wei Liu,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Selective polysilicon growth for deep trench polysilicon isolation structure

Номер патента: US12148756B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Po-Wei Liu,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09704853B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure with a doped region between two deep trench isolation structures

Номер патента: US09608105B2. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US09608060B2. Автор: Shen-Ping Wang,Yu-Chieh Chou,Kun-Ming Huang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chun-Yi Yang,Tsai-Feng YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Applying channel stress to Fin field-effect transistors (FETs) (FinFETs) using a self-aligned single diffusion break (SDB) isolation structure

Номер патента: US09570442B1. Автор: Jun Yuan,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor isolation structure

Номер патента: US20150294965A1. Автор: Joan Wichard Strijker,Inesz Marycka Emmerik-Weijland. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-10-15.

Three-dimensional memory device with on-axis self-aligned drain-select-level isolation structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2020185267A1. Автор: Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US12119364B2. Автор: Gang Chen,Chin Poh Pang. Владелец: Magvision Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Trench isolation structure for scaled pixel region

Номер патента: US20240332332A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Cheng Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory device containing composite dielectric isolation structure in a staircase region and methods of forming the same

Номер патента: WO2024205705A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Akihiro Tobioka,Ruogu Matthew ZHU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Detachable high voltage isolation structure of medium-size electric vehicle

Номер патента: US09630502B2. Автор: Gordon Ching Chen,Anthony An-Tao Yang. Владелец: Aleees Eco Ark Cayman Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

FinFET isolation structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09577036B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Isolation structure of semiconductor and method of forming the same

Номер патента: US20210376074A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Image sensor having grid isolation structure

Номер патента: US20200083264A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Isolation Structure Profile for Gap Filing

Номер патента: US20140054744A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Isolation structures for semiconductor integrated circuit substrates and methods of forming the same

Номер патента: EP1958249A1. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Isolation structures for transistors

Номер патента: US20240243189A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Finfet isolation structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180182866A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Trench isolation structure for scaled pixel region

Номер патента: US12062678B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Cheng Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for preparing trench isolation structure and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US20210384066A1. Автор: ChenMing XU,Beonseok Cha,WenJing GUAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Three-dimensional memory devices with deep isolation structures

Номер патента: US20210013088A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Image sensor including device isolation structure

Номер патента: US20240321921A1. Автор: Wook Lee,Kwanghee Lee,Sangchun Park,Haeyeon CHUNG,Seounghyun Kim,Changhyo KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device containing composite dielectric isolation structure in a staircase region and methods of forming the same

Номер патента: US20240334695A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu,Ruogu Matthew ZHU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Deep trench isolation structure and method for improved product yield

Номер патента: US09997396B2. Автор: Dieter Dornisch,George E. Parker,Lawrence L. Au. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Image sensors using different photoconversion region isolation structures for different types of pixel regions

Номер патента: US09911777B2. Автор: Kyungho Lee,Hyuk An,Hyuk Soon CHOI,Yun Ki Lee,Seounghyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Detachable high voltage isolation structure of large electric vehicle

Номер патента: US09889742B2. Автор: Gordon Ching Chen,Anthony An-Tao Yang. Владелец: Aleees Eco Ark Cayman Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Signal isolation structures for EM communication

Номер патента: US09887169B2. Автор: Eric Sweetman,Mostafa Naguib Abdulla,Giriraj Mantrawadi,Alan Besel,Mohamed Sameh Mahmoud,Bojana Zivanoic. Владелец: Keyssa Systems Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Back side illuminated image sensor with deep trench isolation structures and self-aligned color filters

Номер патента: US09799697B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Mechanisms for forming image-sensor device with deep-trench isolation structure

Номер патента: US09666624B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and driver circuit with source and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09607981B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09570440B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Shallow trench isolation structure with sigma cavity

Номер патента: US09548357B2. Автор: Min-Hwa Chi,HaoCheng Tsai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Self-aligned isolation structures and light filters

Номер патента: US09520431B2. Автор: Wei Zheng,Chih-Wei Hsiung,Chen-Wei Lu,Wu-Zang Yang,Chia-Ying Liu,Chun-Yung Ai. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and driver circuit with drain and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09502304B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

FinFET isolation structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09496363B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Composite deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US12027554B2. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Tsun-Kai Tsao,Chih-Cheng Shih,Che Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Electronic Device Including a Semiconductor Body or an Isolation Structure Within a Trench

Номер патента: US20200295126A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210313422A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method of manufacture of semiconductor isolation structure

Номер патента: US8962445B2. Автор: Chandra Mouli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Trench isolation structures and methods of making thereof

Номер патента: US20240014066A1. Автор: Jianbo Zhou,Shiang Yang Ong,Hung Chang Liao,Zhongxiu Yang,Sivakami Subramanian. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Isolation structure and image sensor

Номер патента: US20190139998A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Isolation structure and image sensor

Номер патента: US10714523B2. Автор: CHUN-WEI Chia,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof

Номер патента: US20180269237A1. Автор: CHUN-WEI Chia,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

Field effect transistor with improved isolation structures

Номер патента: US20020074610A1. Автор: Binghua Hu,Lily Springer,Chin-Yu Tsai,Jozef Mitros. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Image sensor having P-type isolation structure

Номер патента: US12087781B2. Автор: Kyoung-In Lee,Sun-Ho Oh,Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: EP1042804A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

A method and system for providing a tapered shallow trench isolation structure profile

Номер патента: WO1999031728A1. Автор: Kashmir Sahota,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-06-24.

Semiconductor Device Including an Isolation Structure and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160190241A1. Автор: Till Schloesser,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Source/drain isolation structure and methods thereof

Номер патента: US12131942B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

FinFET isolation structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09876115B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Isolation structure and manufacturing method thereof for high-voltage device in a high-voltage BCD process

Номер патента: US09824913B2. Автор: Shaohua Zhang,Yongxiang Wen,Guoqiang Yu,Yulei Jiang,Yanghui Sun. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Isolation structure in photodiode

Номер патента: US09799696B1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Dyson H. Tai,Cunyu Yang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Isolation structure of semiconductor device

Номер патента: US09786543B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Mechanisms for forming semiconductor device having isolation structure

Номер патента: US09786542B2. Автор: Chia-Lun Chang,Chun-Ta WU,Zih-I CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Deep trench isolation structure for image sensors

Номер патента: US09768220B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Vibration isolating structure for power unit

Номер патента: US09664272B2. Автор: Takashi Kudo,Hiromi Sumi,Toshimasa Mitsubori. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device including an isolation structure and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09614033B2. Автор: Till Schloesser,Christoph Kadow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

High reflectance isolation structure to increase image sensor performance

Номер патента: US20240379721A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Che Wei Yang,Hau-Yi Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods of removing fins so as to form isolation structures on products that include FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09455198B1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Richard J. Carter,Zhenyu Hu,Xusheng Wu,Hongliang Shen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

3d-stacked semiconductor device including source/drain inner spacers formed using channel isolation structure including thin silicon layer

Номер патента: US20230343823A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Inchan HWANG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

3d-stacked semiconductor device including source/drain inner spacers formed using channel isolation structure including thin silicon layer

Номер патента: EP4270460A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Inchan HWANG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor device including gate structures and gate isolation structure

Номер патента: EP4336549A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Isolation Structure for for Isolating Epitaxially Grown Source/Drain Regions and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20220102509A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Isolation Structure For Isolating Epitaxially Grown Source/Drain Regions And Method Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20220293752A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Fin end isolation structure for semiconductor devices

Номер патента: EP3945562A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Isolation structure for isolating epitaxially grown source/drain regions and method of fabrication thereof

Номер патента: US11990525B2. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Transistor structure with gate isolation structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240120377A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230307285A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jui-Chien Huang,Cheng-Yin WANG,Sandy Szuya Liao,Wei-Chen Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Deep trench isolation structure and method of making the same

Номер патента: US11031303B1. Автор: Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230065234A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chin-Hsiang Lin,Pinyen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11923361B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Transistor Gate Isolation Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230378256A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Wen-Kai Lin,Li-Fong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Device With Backside Gate Isolation Structure And Method For Forming The Same

Номер патента: US20220271139A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Isolation structures in image sensors

Номер патента: US20230317758A1. Автор: Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Keng-Yu Chou,Cheng-Ying Ho,Sung-En Lin,Kuan-Hua LIN,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Multilayer gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20230420505A1. Автор: Chun-Yi Chang,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Finfets and fin isolation structures

Номер патента: WO2014130129A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

Image sensor with dual trench isolation structure

Номер патента: US20230290672A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Deep trench isolation structures with a substrate connection

Номер патента: US20230335583A1. Автор: Jianbo Zhou,Shiang Yang Ong,Namchil MUN,Hung Chang Liao,Zhongxiu Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with backside gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US11901428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having isolation structure formed of low-k dielectric material and method for forming the same

Номер патента: US20240030281A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Cheng-Ming Lin,Ming-Jie Huang,Ming-Chang Wen,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Szuya Liao,Szu-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US11984476B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with isolation structures

Номер патента: US11830773B2. Автор: Huang-Lin Chao,Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Isolation structure to increase image sensor performance

Номер патента: US20230317757A1. Автор: Yen-Yu Chen,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Wen Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming a semiconductor structure having second isolation structures located between adjacent active areas

Номер патента: US11991876B2. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Finfets and fin isolation structures

Номер патента: EP2959505A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Marc A. Bergendahl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-30.

Semiconductor Device With Isolation Structures

Номер патента: US20230386925A1. Автор: Huang-Lin Chao,Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086083A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device with backside gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240096996A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20210134945A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20200135849A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for forming an isolation structure and a bipolar transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US5648281A. Автор: Hamza Yilmaz,Richard K. Williams,Michael E. Cornell,Jun Wei Chen. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Isolation structures and methods of forming the same in field-effect transistors

Номер патента: US20230387311A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Source/Drain Isolation Structures For Leakage Prevention

Номер патента: US20220367621A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

FinFET Having Isolation Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20170250267A1. Автор: FENG Yuan,Chia-Chung Chen,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor devices including a gate isolation structure and a gate capping layer including different materials from each other

Номер патента: US20210036121A1. Автор: Sangsu Kim,Kangmook Lim,Wooseok Park,Daekwon Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Isolation structures and methods of forming the same in field-effect transistors

Номер патента: US11817504B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20230387268A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Isolation structure and method for forming the same, and image sensor including the isolation structure and method for fabricating the image sensor

Номер патента: US20140353468A1. Автор: Do-Hwan Kim,Jong-Chae Kim,Chung-Seok CHOI,Jang-Won Moon,Kyoung-Oug RO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Field-effect transistors with a gate structure in a dual-depth trench isolation structure

Номер патента: US11955514B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor devices structures including an isolation structure

Номер патента: US20130001737A1. Автор: Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Isolation Structures of Semiconductor Devices

Номер патента: US20220165868A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Gate isolation structure

Номер патента: US11916072B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jia-Chuan You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Source/drain isolation structures for leakage prevention

Номер патента: US20210367032A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Vibration isolation structure

Номер патента: US20240110611A1. Автор: Masahiro Satoh. Владелец: Nitto Kohki Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20210242331A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Three-dimensional memory device with drain-select-level isolation structures and method of making the same

Номер патента: US20200251488A1. Автор: Wei Zhao,Yanli Zhang,Makoto Koto,James Kai,Takaaki IWAI,Sayako Nagamine,Ching-Huang Lu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-06.

Gate isolation structure

Номер патента: US20240194676A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jia-Chuan You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming integrated circuit having modified isolation structure

Номер патента: US20150194506A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US20240194674A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Deep Trench Isolation Structures and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20100203703A1. Автор: Laura Pescini,Danny Pak-Chum Shum,Ronald Kakoschke,Armin Tilke,Martin Stiftinger,Karl Robert Strenz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Isolation structure in a semiconductor device processes and structures

Номер патента: US20140264721A1. Автор: Guo-Yu LAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Source/drain isolation structure, layout, and method

Номер патента: US20230386998A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure including isolation structure and method for forming isolation structure

Номер патента: US11848339B2. Автор: Kuo-Yu Wu,Tse-Hua LU,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor isolation structure and method of making the same

Номер патента: US11798836B2. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Po-Wei Liu,Yu-Chun Chang,Ping-Cheng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Trench isolation structure for image sensors

Номер патента: US11862654B2. Автор: Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Cheng Yu Huang,Chin-Chia Kuo,Hua-Mao Chen,Chih-Kung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US20220077181A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,ZHEN Guo,BIN Yuan,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device

Номер патента: US11980046B2. Автор: Ming Chyi Liu,Yung-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

CMOS image sensor having front side and back side trench isolation structures enclosing pixel regions and a capacitor for storing the image charge

Номер патента: US11984464B2. Автор: Seong Yeol Mun,Yuanliang Liu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

An electrode isolating structure and a solar cell assembly

Номер патента: WO2018102189A1. Автор: Rui Pan,Shuangming MAO. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2018-06-07.

Trench isolation structure for image sensors

Номер патента: US20240021644A1. Автор: Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Cheng Yu Huang,Chin-Chia Kuo,Hua-Mao Chen,Chih-Kung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US20230301106A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,ZHEN Guo,BIN Yuan,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130200458A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127650A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Isolation structure and memory device

Номер патента: US20240234201A1. Автор: Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung,Chun-Sheng Lu,Mu-Lin Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20120171842A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Vibration isolation structure applied between upper and lower seat frames for vehicle

Номер патента: US20240001827A1. Автор: Tae Su Kim,Jong Soon Lee,Hyun Ko,Min Hyuk KWAK,Du Go JUNG,Hyun Gyu Jo,Ik Sang Oh. Владелец: Das Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Isolation structures for soi devices with ultrathin soi and ultrathin box

Номер патента: US20120302039A1. Автор: Marwan H. Khater,Leathen Shi,Robert H. Dennard,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Vibration isolation structure

Номер патента: EP4397885A1. Автор: Kai SUTO,Kunitaka SHINTANI. Владелец: Nature Architects Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Stress-generating shallow trench isolation structure having dual composition

Номер патента: US20130307077A1. Автор: Jing Wang,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Isolation structure of a large array antenna and an antenna

Номер патента: US20210119332A1. Автор: Jia Zhao,Aiguo Wu,Lukui JIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of forming an isolation structure for a transistor

Номер патента: SG131938A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Chien-Chao Huang,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-05-28.

Method of manufacturing integrated deep and shallow trench isolation structures

Номер патента: WO2008048985A3. Автор: Christoph Dirnecker,Rupert Wagner,Joerg Haussman. Владелец: Joerg Haussman. Дата публикации: 2008-10-30.

Trench isolation structure for a semiconductor device with a different degree of corner rounding and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP1573801A1. Автор: Stephan Kruegel,Gert Burbach,Ralf van Bentum. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-14.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Vibration isolation structure

Номер патента: US8864115B2. Автор: Nobuaki Sato,Masayoshi Kawada. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Method for passivating full front-side deep trench isolation structure

Номер патента: US11769779B2. Автор: Shiyu Sun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Isolation structures for soi devices with ultrathin soi and ultrathin box

Номер патента: WO2011057857A1. Автор: Leathen Shi,Jeng-Bang Yau,Robert Heath Dennard,Marwan Khater. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20130341754A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Balasubramanian S. Haran,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7482246B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Shallow trench isolation structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070178664A1. Автор: Ching-Yu Chang,Uway Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Digital Isolator Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230420496A1. Автор: Hongxu Yang,Hualun CHEN,Hongfeng JIN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Method for preparing trench isolation structure

Номер патента: US09972525B2. Автор: HUA Song,Huan Yang,Jiao Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor arrangement comprising isolation structure comprising at least two electrical insulator layers

Номер патента: US12094756B2. Автор: Cheng-Hsien Chen,Yu-Lung Yeh,Wei-Liang Chen,Yen-Hsiu Chen,Chuang Chihchous. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Deep trench isolation structures and methods of forming same

Номер патента: US09704904B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US09548356B2. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484376B2. Автор: Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Yi-Hung Chen,Yu-Yi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Shallow trench isolation structures in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478457B2. Автор: Ming-Shing Chen,Yu-Ting Wang,Ming-Hui Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for an isolating structure

Номер патента: US09409765B1. Автор: Viresh P. Patel,Hemant Desai. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile memory cell with improved isolation structures

Номер патента: US09401367B2. Автор: Swen WANG. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220352142A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Gate Isolation Structures

Номер патента: US20240107736A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Chi-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor Epitaxy Bordering Isolation Structure

Номер патента: US20180350601A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ren-Hua GUO,Chin-Szu Lee,Cheng-Yi Wu,Hsiang Liu,Wen-Chin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Epitaxy Bordering Isolation Structure

Номер патента: US20210210350A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ren-Hua GUO,Chin-Szu Lee,Cheng-Yi Wu,Hsiang Liu,Wen-Chin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor Epitaxy Bordering Isolation Structure

Номер патента: US20200126793A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ren-Hua GUO,Chin-Szu Lee,Cheng-Yi Wu,Hsiang Liu,Wen-Chin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor Epitaxy Bordering Isolation Structure

Номер патента: US20180175196A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ren-Hua GUO,Chin-Szu Lee,Cheng-Yi Wu,Hsiang Liu,Wen-Chin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods For Forming Isolation Structures

Номер патента: US20240047273A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Chi-Wei Wu,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Passivation for a deep trench isolation structure in a pixel sensor

Номер патента: US20230369367A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li,Yu-Siang Fang,Yu-Yao Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: WO2023224796A1. Автор: Koichi Ito,Takuya Mori,Michiaki Sano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Trench isolation structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008144631A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Craig Hall. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-11-27.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US20160056234A1. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Display substrate, with inverted trapezoid-shaped isolation structure, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US11800742B2. Автор: Song Zhang,Peng Cai,Youwei Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

BCD device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US11855071B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional memory device containing word line contacts which extend through drain-select-level isolation structures and methods of making the same

Номер патента: US20230380151A1. Автор: Koichi Ito,Michiaki Sano,Takyua MORI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Etch stop layer between substrate and isolation structure

Номер патента: US11948842B2. Автор: Hsien-Chin Lin,Chang-Yun Chang,Hung-Kai Chen,Ming-Chang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20240021601A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Airgap isolation structures

Номер патента: US11764258B2. Автор: Sen Liu,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci,Claire E. Kardos. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Trench isolation structure

Номер патента: GB201210467D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20240088125A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional memory device containing isolation structures and methods for forming the same

Номер патента: US20230363165A1. Автор: Zhen Chen,Takaaki IWAI,Kazushi Komeda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Isolation structures in multi-gate field-effect transistors

Номер патента: US20240047518A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Three-dimensional memory device with drain-select-level isolation structures and method of making the same

Номер патента: US20200251489A1. Автор: Tomohiro Kubo,James Kai,Masanori Tsutsumi,Shigehisa Inoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device including a semiconductor fin comprising a silicon germanium portion and an isolation structure at a sidewall of the silicon germanium portion

Номер патента: US11978632B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods for fabricating isolation structures using directional beam process

Номер патента: US20240145312A1. Автор: Soo Doo Chae,Sunghil Lee,Hojin Kim,Matthew Baron. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device with doped region adjacent isolation structure in extension region

Номер патента: US20210126126A1. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh,Frank Scott Johnson,Anvitha Shampur,Luigi Pantisano. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Multilayer isolation structure for high voltage silicon-on-insulator device

Номер патента: US20230326787A1. Автор: Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Yu-Chun Chang,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Multilayer isolation structure for high voltage silicon-on-insulator device

Номер патента: EP3951847A1. Автор: Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Yu-Chun Chang,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-09.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240196612A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Takaaki IWAI,Masahiro Yaegashi,Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming an isolation structure in a well of a substrate

Номер патента: US20160211329A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device including isolation structure with nitridation layer

Номер патента: US20230420499A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Raised isolation structure self-aligned to fin structures

Номер патента: US8586449B1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Effendi Leobandung,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-19.

Multiple antenna assembly utilizing electro band gap isolation structures

Номер патента: CA2775408C. Автор: Mina Ayatollahi. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Pixel isolation structures and methods of making them

Номер патента: US20240096854A1. Автор: Hao Yu,Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Kulandaivelu SIVANANDAN,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming semiconductor isolation structure and semiconductor isolation structure

Номер патента: US11869802B2. Автор: Wei Feng,Haihan Hung. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having isolation structures

Номер патента: WO2020018761A2. Автор: Qianli MU,Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-01-23.

Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having isolation structures

Номер патента: EP3824496A2. Автор: Qianli MU,Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having isolation structures

Номер патента: US20200219831A1. Автор: Qianli MU,Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having isolation structures

Номер патента: US10615135B2. Автор: Qianli MU,Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-04-07.

Radio frequency transistor amplifiers and other multi-cell transistors having isolation structures

Номер патента: WO2020018761A3. Автор: Qianli MU,Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit structures comprising an isolation structure with different depths

Номер патента: US11889687B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Field effect transistor with isolation structure and method

Номер патента: US20230317810A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng,Chu-Yuan Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Isolation structure for active devices

Номер патента: US20190237539A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Wei YAO,Man-Ho Kwan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US11871580B2. Автор: Xiang Yang,Yanli Zhang,Peng Zhang,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory device including low-k drain-select-level isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US11856765B2. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with an isolation structure coupled to a cover of the semiconductor device

Номер патента: US20160240488A1. Автор: Michael E. Watts,David F. Abdo,Lakshminarayn Viswanathan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device with an isolation structure coupled to a cover of the semiconductor device

Номер патента: US20160043039A1. Автор: Viswanathan Lakshminarayan,Michael E. Watts,David F. Abdo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-11.

Under epitaxy isolation structure

Номер патента: US20230369428A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin,Chih-Hung SUN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional memory device with wiggled drain-select-level isolation structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11805649B2. Автор: Yanli Zhang,James Kai,Johann Alsmeier,Srinivas Pulugurtha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of Forming Negatively Sloped Isolation Structures

Номер патента: US20190385892A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method and semiconductor structure with deep trench isolation structures

Номер патента: EP3022770A1. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Semiconductor structure with a doped region between two deep trench isolation structures

Номер патента: US20150270391A1. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Active and passive components with deep trench isolation structures

Номер патента: US20180166536A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Pixel isolation structures and methods of making them

Номер патента: WO2024059434A1. Автор: Hao Yu,Zhiyong Li,Sivapackia Ganapathiappan,Hou T. Ng,Lisong Xu,Kulandaivelu SIVANANDAN,Mingwei Zhu,Kai Ding,Nag Patibandla. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Selective polysilicon growth for deep trench polysilicon isolation structure

Номер патента: US20220352308A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Po-Wei Liu,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Cmos devices with asymmetrically passivated isolation structure and methods thereof

Номер патента: US20240145512A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Dual trench isolation structures

Номер патента: US20210242306A1. Автор: Baofu ZHU,Arkadiusz Malinowski,Shiv Kumar Mishra,Kaushikee MISHRA. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Three-dimensional memory device having drain select level isolation structure and method of making thereof

Номер патента: EP3494597A1. Автор: Yanli Zhang,James Kai,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-12.

Three-dimensional memory device with wiggled drain-select-level isolation structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210358946A1. Автор: Yanli Zhang,James Kai,Johann Alsmeier,Srinivas Pulugurtha. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210098571A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional memory device including self-aligned drain-select-level isolation structures and method of making thereof

Номер патента: US12004347B2. Автор: Satoshi Shimizu,Takumi Moriyama,Nobuyuki Fujimura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof

Номер патента: US20180254294A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Field plate and isolation structure for high voltage device

Номер патента: US20220336593A1. Автор: Ming Chyi Liu,Chia-Cheng Ho,Kaochao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20170330791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20080303104A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Image sensor diagonal isolation structures

Номер патента: US20230307478A1. Автор: Duli Mao,Hui Zang,Qin Wang,Shiyu Sun,Bill Phan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Pixel isolation structure

Номер патента: US20220037387A1. Автор: Jiech-Fun Lu,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Pixel isolation structure

Номер патента: EP3945588A2. Автор: Jiech-Fun Lu,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Pixel isolation structure

Номер патента: EP3945588A3. Автор: Jiech-Fun Lu,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Shallow Trench Isolation Structure, Manufacturing Method Thereof and a Device Based on the Structure

Номер патента: US20130020653A1. Автор: Jiang Yan. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Seismic controller for friction bearing isolated structures

Номер патента: CA2672314C. Автор: Haisam Yakoub. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-10.

Semiconductor wafer isolation structure formed by field oxidation

Номер патента: US6762475B2. Автор: Viju K. Mathews,Nanseng Jeng,Pierre C. Fazan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-13.

Isolation structures for cmos image sensor chip scale packages

Номер патента: US20090263927A1. Автор: Tzu-Han Lin,Fang-Chang Liu,Kai-Chih Wang,Tzy-Ying Lin. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-22.

Isolation structures for integrated circuits

Номер патента: US4968640A. Автор: Fung-Ching Chao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1990-11-06.

Trench isolation structure and fabrication method thereof

Номер патента: US6127241A. Автор: Kwan Goo Rha. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Three-dimensional memory devices with backside isolation structures

Номер патента: US20210118988A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Self-aligning silicon oxynitride stack for improved isolation structure

Номер патента: US6265283B1. Автор: Sey-Ping Sun,H. Jim Fulford,Homi E. Nariman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-24.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US11205697B2. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Trench isolation structure for scaled pixel region

Номер патента: US20220328535A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Cheng Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Signal isolation structures for em communication

Номер патента: US20180182723A1. Автор: Eric Sweetman,Mostafa Naguib Abdulla,Giriraj Mantrawadi,Alan Besel,Mohamed Sameh Mahmoud,Bojana Zivanoic. Владелец: Keyssa Systems Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Variably biased isolation structure for global shutter pixel storage node

Номер патента: US20200066767A1. Автор: Kevin Ka Kei Leung. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Image sensor with overlap of backside trench isolation structure and vertical transfer gate

Номер патента: US11791361B2. Автор: Yen-Yu Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Feng-Chi Hung,Wei Chuang Wu,Chih-Kuan YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for fabricating an isolation structure

Номер патента: US20100291751A1. Автор: Chu-Yun Fu,Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Chih-tang Peng,Hao-Ming Lien,Jui-Hei Huang,Chyi Shyuan Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Air conditioner outdoor unit, vibration isolation structure thereof, and air conditioner

Номер патента: AU2019431562B2. Автор: Jinping FENG. Владелец: Foshan Shunde Midea Electric Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Pixel array element having isolation structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210005648A1. Автор: Chunqiu Xia,Xinxin Fang,Tienchi Ko. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

FinFet isolation structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11804484B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Field effect transistor with dual layer isolation structure and method

Номер патента: US20230369396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Die-to-die isolation structures for packaged transistor devices

Номер патента: US20220037464A1. Автор: Lei Zhao,Fabian Radulescu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Isolation structures for transistors

Номер патента: US11973126B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure, shallow trench isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230052736A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Back Side Illuminated Image Sensor with Deep Trench Isolation Structures and Self-Aligned Color Filters

Номер патента: US20200395395A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Image sensor with varying depth deep trench isolation structure for reduced crosstalk

Номер патента: US20230067975A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Three-dimensional memory device with on-axis self-aligned drain-select-level isolation structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200295030A1. Автор: Johann Alsmeier,Tae-Kyung Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Shallow trench isolating structure and semiconductor device

Номер патента: US20210050414A1. Автор: Hsienshih CHU,Dehao HUANG,Yunfan CHOU,Yaoguang XU,Yucheng TUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for fabricating semiconductor device comprising a deep trench isolation structure and a trap rich isolation structure in a substrate

Номер патента: US20200006117A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240079483A1. Автор: Yi-Hung Lin,Cheng-Yi Peng,Chia-Pin Lin,Tzu-Hua Chiu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Signal isolation structures for em communication

Номер патента: US20170263576A1. Автор: Eric Sweetman,Mostafa Naguib Abdulla,Giriraj Mantrawadi,Alan Besel,Mohamed Sameh Mahmoud,Bojana Zivanoic. Владелец: Keyssa Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Image sensor with overlap of backside trench isolation structure and vertical transfer gate

Номер патента: US20230361143A1. Автор: Yen-Yu Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Feng-Chi Hung,Wei Chuang Wu,Chih-Kuan YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Field plate and isolation structure for high voltage device

Номер патента: US20210296451A1. Автор: Ming Chyi Liu,Chia-Cheng Ho,Kaochao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Air conditioner outdoor unit, vibration isolation structure thereof, and air conditioner

Номер патента: AU2019431562A1. Автор: Jinping FENG. Владелец: Foshan Shunde Midea Electric Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Isolation structures for transistors

Номер патента: US20210408230A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Isolation Structures for Transistors

Номер патента: US20220181502A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for fabricating shallow rench isolation structure

Номер патента: US20020168834A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai,Chun-Lein Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor device with trench isolation structure

Номер патента: US7902628B2. Автор: Sun-Hwan Hwang,Jae-Eun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Isolation structure for reducing crosstalk between pixels and fabrication method thereof

Номер патента: US10115758B2. Автор: Kai-Yi Chen,Chih-Fei Lee,Ching-Hung Kao,Fu-Cheng Chang,Chia-Pin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-30.

Method for forming isolation structure

Номер патента: US8969172B2. Автор: Tatsuro Nagahara,Naoko Nakamoto,Katsuchika Suzuki,Shinji Sugahara. Владелец: AZ Electronic Materials USA Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation

Номер патента: US20060220069A1. Автор: Bryan Cole,Troy Sorensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

Planar isolation structure in an integrated circuit

Номер патента: US6046483A. Автор: Frank R. Bryant,Mark R. Tesauro. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-04-04.

Method of fabricating a shallow trench isolation structure

Номер патента: US20040142562A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Fung-Hsu Cheng,Zhen-Long Chen,Ping-Wei Lin. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Isolation structures for preventing photons and carriers from reaching active areas and methods of formation

Номер патента: US20060286766A1. Автор: Bryan Cole,Troy Sorensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Method for forming isolation structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240072079A1. Автор: Kuo-Yu Wu,Tse-Hua LU,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Shallow trench isolation structure with nitride pullback by implantation treatment

Номер патента: US20240006230A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Haowen Bu,Byron Joseph Palla,Douglas Harvey Newman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240030258A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chung-Yi Yu,Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240030259A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chung-Yi Yu,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20240047519A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Isolation structure for separating different transistor regions on the same semiconductor die

Номер патента: EP4261875A3. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-10.

Source/drain isolation structure and methods thereof

Номер патента: US20230343633A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor isolation structure and method of manufacture

Номер патента: US20140106539A1. Автор: Chandra Mouli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Composite deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US20230369368A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Tsun-Kai Tsao,Chih-Cheng Shih,Che Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Isolation structure with multiple components to increase image sensor performance

Номер патента: US20240030261A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsin-Hung Chen,Feng-Chi Hung,Wen-Chang Kuo,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Electrical isolation structures for ultra-thin semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US20140061800A1. Автор: Shom Ponoth,David V. Horak,Charles W. Koburger, III,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Isolation structure for preventing unintentional merging of epitaxially grown source/drain

Номер патента: US20230361124A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Isolation structure for separating different transistor regions on the same semiconductor die

Номер патента: EP4261875A2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-18.

High selectivity isolation structure for improving effectiveness of 3d memory fabrication

Номер патента: US20230328996A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,Tsu Ching Yang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Isolated structure and method of fabricating such a structure on a substrate

Номер патента: US20010039100A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Isolation structure for separating different transistor regions on the same semiconductor die

Номер патента: US20230335560A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-19.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US11824087B2. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Isolation structure for preventing unintentional merging of epitaxially grown source/drain

Номер патента: US11749683B2. Автор: Mu-Chi Chiang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for fabricating dram cell transistor having trench isolation structure

Номер патента: US20030199136A1. Автор: Sung Park,Hee Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20240120373A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device isolation structure and method

Номер патента: US20230335582A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Shivani Srivastava,Toshihiko Miyashita,Bingwu Liu,Stephen David Snyder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Isolation Structure for Preventing Unintentional Merging of Epitaxially Grown Source/Drain

Номер патента: US20210408000A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Devices and methods of forming thereof by post single layer transfer fabrication of device isolation structures

Номер патента: US20190221472A1. Автор: Raj Verma Purakh,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-07-18.

Isolation Structure For Preventing Unintentional Merging Of Epitaxially Grown Source/Drain

Номер патента: US20220246613A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Isolation structure, non-volatile memory having the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20090184343A1. Автор: Chin-Tsan Yeh,Chin-Ta Su,Kuang-Chao Chen,Ming-Da Cheng,Tuung Luoh,Ta-Hung Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Isolation structure for a memory cell using a12o3 dielectric

Номер патента: SG154427A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-28.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240196616A1. Автор: Tomohiro Kubo,Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming a trench isolation structure using a sion layer

Номер патента: US20150087135A1. Автор: Yaojian Leng,Scott Allyn Kolda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-03-26.

Shock-isolation structure

Номер патента: CA2780927C. Автор: Delyan Malchev,Hermann-Josef Veerkamp. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing shallow trench isolation structure

Номер патента: US6087262A. Автор: Kuo-Tai Huang,Water Lur,Tri-Rung Yew,Gwo-Shii Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method of forming a field isolation structure in a semiconductor substrate

Номер патента: WO1999059202A1. Автор: Robert Dawson,Frederick N. Hause,Charles May. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-11-18.

Recessed shallow trench isolation structure nitride liner and method for making same

Номер патента: US5940717A. Автор: Venkatachalam C. Jaiprakash,Rajesh Rengarajan. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-17.

Trench isolation structures

Номер патента: US4656497A. Автор: Steven H. Rogers,Randall S. Mundt,Denise A. Kaya. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1987-04-07.

Selective silicon-on-insulator isolation structure and method

Номер патента: US6936522B2. Автор: Ying Zhang,Hsing-Jen Wann,Maheswaran Surendra,Robert Wong,Franz Zach,An L. Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-30.

Selective silicon-on-insulator isolation structure and method

Номер патента: US20050164468A1. Автор: Ying Zhang,Hsing-Jen Wann,Maheswaran Surendra,Robert Wong,Franz Zach,An Steegen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Forming three dimensional isolation structures

Номер патента: US9111773B2. Автор: Marcello Mariani,Enzo Carollo,Sara Marelli,Luca Di Piazza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Deep trench isolation structure of a high-voltage device and method for forming thereof

Номер патента: US20040082140A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Jia-Wei Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Chemical mechanical polishing process for forming shallow trench isolation structure

Номер патента: US20080029478A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Hsiao-Ling Lu,Chia-Jung Hsu,Art Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor arrangement with isolation structure

Номер патента: US11837619B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of forming isolation structure

Номер патента: US20200075397A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Cheng Tung,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen,Hsuan-Tung Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Isolation structure for active devices

Номер патента: US20200083324A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Wei YAO,Man-Ho Kwan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Shallow trench isolation structures

Номер патента: US20140154865A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Arvind Kumar,Pranita Kerber,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Deep trench isolation structure layout and method thereof

Номер патента: US20150255537A1. Автор: Randall C. Gray,Brent D. Rogers,John M. Pigott. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-10.

Fabrication of reverse shallow trench isolation structures with super-steep retrograde wells

Номер патента: US20140124794A1. Автор: KIM Seung,Kim Sun,LEE YongMeng,KRISHNAN Bharat,LUN Zhao,TONG Weihua. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Vibration isolation structure

Номер патента: US20120326366A1. Автор: Nobuaki Sato,Masayoshi Kawada. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Damage-free engagement device for enhanced wind-resistance of base-isolated structures

Номер патента: US11959273B1. Автор: Yang Xiang,Guo Qiang Li,Kui Yuan Xu. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of forming a trench isolation structure resistant to hot phosphoric acid by extending trench liner to shoulder portions

Номер патента: US20020064943A1. Автор: Takayuki Watanabe,Junji Kiyono,Souichirou Iguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Air conditioner outdoor device and isolation structure thereof, and air conditioner

Номер патента: US11892179B2. Автор: Jinping FENG. Владелец: Foshan Shunde Midea Electric Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

A semiconductor topography employing a nitrogenated shallow trench isolation structure

Номер патента: WO2000024055A1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-04-27.

Deep trench isolation structure for high resolution cis pixel

Номер патента: US20240088187A1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Tsun-Kai Tsao,Wen-Chang Kuo,Chih Cheng Shih,Bing Cheng You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated semiconductor device having isolation structure for reducing noise

Номер патента: US10074644B2. Автор: Jung Hwan Lee,Kyung Ho Lee,Hyun Chul Kim,In Chul Jung,Hee Baeg An. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of manufacturing semiconductor device including isolation structure with nitridation layer

Номер патента: US20230420290A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Array and moat isolation structures and method of manufacture

Номер патента: US20130093043A1. Автор: Hongwen Yan,Zhengwen Li,Oh-Jung Kwon,Naoyoshi Kusaba. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for fabricating an isolation structure

Номер патента: US20130171803A1. Автор: Chu-Yun Fu,Pei-Ren Jeng,Tze-Liang Lee,Chih-tang Peng,Hao-Ming Lien,Jui-Hei Huang,Chyi Shyuan Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Air conditioner outdoor device and isolation structure thereof, and air conditioner

Номер патента: US20220128246A1. Автор: Jinping FENG. Владелец: Foshan Shunde Midea Electric Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Microelectronic Device Including Shallow Trench Isolation Structures Having Rounded Bottom Surfaces

Номер патента: US20120319231A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device having element isolation structure

Номер патента: US20030006487A1. Автор: Tsuyoshi Sugihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Isolation structure integrated with semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160133479A1. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Isolation structure integrated with semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9859377B2. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

A semiconductor topography employing a nitrogenated shallow trench isolation structure

Номер патента: EP1127374A1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-29.

A semiconductor topography employing a nitrogenated shallow trench isolation structure

Номер патента: EP1127374B1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Semiconductor devices including device isolation structures and method of forming the same

Номер патента: US20150001609A1. Автор: Daewoong Kim,HongSuk Kim,Junkyu Yang,Tae-Jong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Method for manufacturing isolation structure integrated with semiconductor device

Номер патента: US9502508B2. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus for forming shallow trench isolation structures having rounded corners

Номер патента: US20140080285A1. Автор: Albert Wu,Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor arrangement with isolation structure

Номер патента: US20230387168A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Feng-Chien Hsieh,Chen-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Image sensor integrated circuit with isolation structure and method

Номер патента: US20230299106A1. Автор: Ming Chyi Liu,Chun-Chang Chen,Jia-Hong Liou,Tsun-Kai Tsao,Wei-Lin Chang,Shu Yen Kung,Sheng Chieh Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11972972B2. Автор: Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung,Chun-Sheng Lu,Mu-Lin Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor arrangement with isolation structure

Номер патента: US20230068723A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing isolation structure integrated with semiconductor device

Номер патента: US20160254354A1. Автор: Chien-Ming Huang,Hong-Ze Lin,Shin-Kuang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor devices with thermally isolating structures

Номер патента: WO2022026238A1. Автор: Shams U. Arifeen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

HEAT DISSIPATION DEVICE HAVING A THERMALLY CONDUCTIVE STRUCTURE AND A THERMAL ISOLATION STRUCTURE IN THE THERMALLY CONDUCTIVE STRUCTURE

Номер патента: US20190326192A1. Автор: EID Feras,Elsherbini Adel,SWAN Johanna. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-24.

Thermal barrier curtain systems especially useful for thermally isolating interior cabin zones of cargo transport aircraft

Номер патента: EP4197903A1. Автор: Rocha de SOUZA Demetrius,Eduardo Caetano de SOUZA Carlos,Luis SALLES Everton,Morais de MELO Marcio. Владелец: Embraer SA. Дата публикации: 2023-06-21.

Coated battery thermal isolation structure and method

Номер патента: WO2024107322A1. Автор: Lixin Wang,Christopher STOW. Владелец: ASPEN AEROGELS, INC.. Дата публикации: 2024-05-23.

Coated battery thermal isolation structure and method

Номер патента: EP4393022A1. Автор: Lixin Wang,Chistopher STOW. Владелец: Aspen Aerogels Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Thermal isolation of adhesive syringe for jetting applications

Номер патента: WO2024102871A2. Автор: Joel E. Saine,Tyler L. Johnson. Владелец: Nordson Corporation. Дата публикации: 2024-05-16.

Thermal isolation of adhesive syringe for jetting applications

Номер патента: WO2024102871A3. Автор: Joel E. Saine,Tyler L. Johnson. Владелец: Nordson Corporation. Дата публикации: 2024-08-02.

Composite thermal isolating masonry tie fastener

Номер патента: US09879416B2. Автор: Kevin J. Spoo,William James RAMSEY,Neil Robert HETTLER,William Anthony KUNKLER,Matthew Gawryla,Herbert Ray Slone. Владелец: OWENS CORNING INTELLECTUAL CAPITAL LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Devices and methods for thermally isolating chambers of an assay card

Номер патента: WO2009079052A3. Автор: Aldrich N K Lau,Umberto Ulmanella,Carol Schembri,David M Liu,Ian A Harding,Joon Mo Yang,Maryam Shariati,Yuh-Min Chiang,Nigel P Beard,James C Nurse,Douwe D Haga,Julio P Focaracci. Владелец: Julio P Focaracci. Дата публикации: 2009-08-20.

Integrated circuits with thermal isolation and temperature regulation

Номер патента: US09761543B1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Thermally actuated microelectromechanical systems including thermal isolation structures

Номер патента: TW593913B. Автор: Ramaswamy Mahadevan. Владелец: MEMSCAP Inc. Дата публикации: 2004-06-21.

Heat generator for e.g. heating application, has isolation unit isolating magnetic assemblies from one another to form thermally isolated cells, where cells are filled with pressurized gas or low thermal conductivity gas mixture

Номер патента: FR2963668A1. Автор: Christian Muller,Jean-Claude Heitzler. Владелец: Cooltech Applications SAS. Дата публикации: 2012-02-10.

Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates

Номер патента: WO2001045135A2. Автор: Evans Lee,Hongching Shan,Michael Welch,Hamid Noorbakhsh,Kaushik Vaidya,Paul Luscher,Jim Carducci,Saimak Salimian. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2001-06-21.

Thermal isolation in an aerosol generating device

Номер патента: CA3142827A1. Автор: Victor Clavez LOPEZ. Владелец: Nicoventures Trading Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Electron gun providing improved thermal isolation

Номер патента: WO2007033355A3. Автор: Richard Brownell True,Lucas Kelly Behnke,Keith Lee Montgomery. Владелец: Keith Lee Montgomery. Дата публикации: 2007-11-15.

Thermal isolator for microwave components with waveguide flanges

Номер патента: US20240291128A1. Автор: Thomas Merk,Ievgen BILOGUROV. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-08-29.

Thermal isolator for microwave components with waveguide flanges

Номер патента: EP4441838A1. Автор: Thomas Merk,Ievgen BILOGUROV. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-10-09.

Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates

Номер патента: WO2001045135A9. Автор: Evans Lee,Hongching Shan,Michael Welch,Hamid Noorbakhsh,Kaushik Vaidya,Paul Luscher,Jim Carducci,Saimak Salimian. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

Plasma processing apparatus and method comprising a thermally isolated showerhead

Номер патента: WO2002082498A1. Автор: Ramanujapuram A. Srinivas,Marlon E. Menezes,Truc Tran,Hong Bee Teoh,Avgerinos Gelatos, (Jerry),Vicky U. Nguyen,Yehuda Demayo,Rommel Ruiz. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2002-10-17.

Sealed closure device for closing phonic and thermal isolation compound to provide phonic and thermal isolation of building, has flap with layer for laterally and respectively adhering flaps on faces of compound on sides of cut

Номер патента: FR2917758A1. Автор: Gerald Pierre. Владелец: Gerald Pierre. Дата публикации: 2008-12-26.

Thermal isolating lamination body and transparent thermal isolation film having the same

Номер патента: TWI490123B. Автор: Yoshihiro Kubota,Hiroshi Mogi. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2015-07-01.

Thermally isolated connection part for exterior building elements, is fixed on concrete ceiling by mounting device part, where thermally isolated materials are assembled for forming support part

Номер патента: DE102010022733A1. Автор: . Владелец: HK BALKONBAU GmbH. Дата публикации: 2011-08-25.

Shell, useful for manufacturing bladed elements of turboshaft engine of aircraft by lost-wax casting, comprises thermal isolation coating carried out using set of thermal isolation strips for recovering part of external surface of shell

Номер патента: FR2985925A1. Автор: Didier Guerche,Thibault Dalon. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2013-07-26.

Additive manufacturing system with sliding thermal isolator

Номер патента: EP3504045A1. Автор: William J. Swanson,Dominic F. Mannella. Владелец: Stratasys Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Thermally isolated conduit

Номер патента: CA2491675C. Автор: Jacques Dhellemmes,Pierre Michalski. Владелец: Gaztransport et Technigaz SA. Дата публикации: 2008-03-11.

Thermally isolated conduit

Номер патента: CA2491675A1. Автор: Jacques Dhellemmes,Pierre Michalski. Владелец: Gaztransport et Technigaz SA. Дата публикации: 2005-07-20.

Additive manufacturing system with sliding thermal isolator

Номер патента: CA3034537C. Автор: William J. Swanson,Dominic F. Mannella. Владелец: Stratasys Inc. Дата публикации: 2021-03-16.

Resistive Random Access Memory Access Cells Having Thermally Isolating Structures

Номер патента: US20140175356A1. Автор: Chiang Tony P.,Wang Yun,YAMAGUCHI Takeshi,Minvielle Tim. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Thermal Isolation Structure for Rotating Turbine Frame

Номер патента: US20180209274A1. Автор: Zatorski Darek Tomasz,Miller Brandon Wayne,VAN DER MERWE Gert Johannes,Wesling Richard. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Resistive random access memory access cells having thermally isolating structures

Номер патента: US8890109B2. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Thermal isolation structure for rotating turbine frame

Номер патента: US10544793B2. Автор: Gert Johannes van der Merwe,Brandon Wayne Miller,Darek Tomasz Zatorski,Richard Wesling. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-01-28.

Thermal isolation suitable for isolating the gas discharge tube of refrigerating compressor, and process of assembling the isolation in the gas discharge tube

Номер патента: CN102022338A. Автор: R·林克,D·E·B·利利,F·A·里巴斯尤尼奥尔,B·E·达席尔瓦. Владелец: Whirlpool SA. Дата публикации: 2011-04-20.

Thermal isolation and conduction structure and method

Номер патента: WO2024107321A1. Автор: John Williams,Lixin Wang. Владелец: ASPEN AEROGELS, INC.. Дата публикации: 2024-05-23.

Thermal isolation and conduction structure and method

Номер патента: EP4396890A1. Автор: John Williams,Lixin Wang. Владелец: Aspen Aerogels Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Thermal isolator for microwave components with waveguide flanges

Номер патента: GB202117286D0. Автор: . Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2022-01-12.

Thermally isolating, magnetically preloaded and coupled thrust bearing and radial support and shaft assembly

Номер патента: EP4148232B1. Автор: Richard A. Himmelmann. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Extrusion die with thermally isolated motor-driven lip profile actuators and associated methods

Номер патента: WO2023028581A1. Автор: Michael Kenneth Truscott,Salvatore Giovanni Iuliano. Владелец: Nordson Corporation. Дата публикации: 2023-03-02.

Tube system for transport of fluids thermally isolated from the ambient

Номер патента: AU2181097A. Автор: Jacobus Fredericus Rikken,Marinus Adrianus Wilhelmus Van Schaik. Владелец: Kema NV. Дата публикации: 1997-10-29.

Method for forming self-aligned thermal isolation cell for a variable resistance memory array

Номер патента: TW200725810A. Автор: Erh-Kun Lai,Chia-Hua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: IL211947A0. Автор: . Владелец: Magnetic Electrostatic Confinement Mec Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: ZA201102242B. Автор: Devlin Baker,Daniel Bateman. Владелец: Magnetic-Electrostatic Confinement (Mec) Corp. Дата публикации: 2012-06-27.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: IL211947A. Автор: . Владелец: Magnetic Electrostatic Confinement Mec Corp. Дата публикации: 2013-07-31.

Method and apparatus for electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: AU2009298033A1. Автор: Devlin Baker,Daniel Bateman. Владелец: Magnetic Electrostatic Confinement Mec Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Thermally-isolated high-speed bobbins

Номер патента: US3190580A. Автор: Robert J Gueria,Jr Edmond H Guerin. Владелец: AMERICAN PAPER TUBE CO. Дата публикации: 1965-06-22.

Improved thermal isolation for an active-sidewall phase change memory cell

Номер патента: TWI316751B. Автор: Hsiang Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-01.

Clothes including thermal isolation therein and clothing and bedding made of the same

Номер патента: AU2003210050A1. Автор: Se Ho LEE,Jong Gun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-29.

Thermally isolated cryopanel for vacuum deposition sytems

Номер патента: EP2066415A2. Автор: Scott Wayne Priddy,Richard Charles Bresnahan,David William Gotthold,Mark Lee O'Steen. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Thermal isolation between embedded meca modules

Номер патента: WO2023064032A1. Автор: Florian Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Cooktop Appliance and Heating Element Having a Thermally Isolated Thermostat

Номер патента: US20220159790A1. Автор: Paul Bryan Cadima. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Thermal isolation of piezo actuator

Номер патента: WO2024124103A2. Автор: Joel E. Saine,Aaron Gould,Tyler L. Johnson,Brian SOSEBEE. Владелец: Nordson Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Thermal isolation between embedded meca modules

Номер патента: EP4416760A1. Автор: Florian Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Thermally isolated turbine section for a gas turbine engine

Номер патента: EP2952680B1. Автор: Gabriel L. Suciu,James D. Hill,Brian D. Merry. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Thermal isolation of piezo actuator

Номер патента: WO2024124103A3. Автор: Joel E. Saine,Aaron Gould,Tyler L. Johnson,Brian SOSEBEE. Владелец: Nordson Corporation. Дата публикации: 2024-07-18.

Cooling air for gas turbine engine with thermally isolated cooling air delivery

Номер патента: EP3550106B1. Автор: Frederick M. Schwarz,Nathan Snape. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Thermally isolating insulation composite board and preparation method therefor

Номер патента: EP4261033A4. Автор: Chengji BAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-23.

Cooling air for gas turbine engine with thermally isolated cooling air delivery

Номер патента: US20220389836A1. Автор: Frederick M. Schwarz,Nathan Snape. Владелец: Raytheon Technologies Corporation. Дата публикации: 2022-12-08.

Cooling air for gas turbine engine with thermally isolated cooling air delivery

Номер патента: US20240076999A1. Автор: Frederick M. Schwarz,Nathan Snape. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Thermally isolating, magnetically preloaded and coupled thrust bearing and radial support and shaft assembly

Номер патента: EP4148232A1. Автор: Richard A. Himmelmann. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-03-15.

Extrusion die with thermally isolated motor-driven lip profile actuators and associated methods

Номер патента: EP4392224A1. Автор: Michael Kenneth Truscott,Salvatore Giovanni Iuliano. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of covering and thermally isolating walls, roofs or the like and device for realising this method

Номер патента: DE3573286D1. Автор: Hans Bingener. Владелец: DUROL FLYING LINDAUER 1KH MONT. Дата публикации: 1989-11-02.

Thermal isolation cup

Номер патента: TWM279277U. Автор: Kun-Su Kim. Владелец: Kun-Su Kim. Дата публикации: 2005-11-01.

Turbine thermal isolation system for micro-turbine alternator

Номер патента: US12060799B2. Автор: Richard A. Himmelmann. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Thermally isolated thermionic hollow cathodes

Номер патента: US09980361B2. Автор: Michael S. McDonald. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-22.

TURBINE DAWN, COMPRISING A THERMALLY ISOLATED CENTRAL COOLING DUCT OF WINDOW BLINDS BY TWO JOINT SIDE CAVITIES DOWNSTREAM OF THE CENTRAL CONDUIT

Номер патента: FR3021698A1. Автор: Charlotte Marie Dujol,Patrice Eneau. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2015-12-04.

Thermal isolation screen for isolating an electromagnetic inductor, and heat treatment installation comprising such a screen

Номер патента: ZA200805523B. Автор: Hellegouarc H Jean,Roehr Philippe,Bigan Jean Louis,Ren Jean-Yves. Владелец: Fives Celes. Дата публикации: 2009-04-29.

Thermally isolated well instruments

Номер патента: US4440219A. Автор: Paul D. Engelder. Владелец: AMF Inc. Дата публикации: 1984-04-03.

Thermal isolation screen for isolating an electromagnetic inductor, and heat treatment installation comprising such a screen

Номер патента: CN101484594B. Автор: P·勒尔,J-Y·雷恩,J·赫勒古阿施,J·L·比甘. Владелец: Fives Celes. Дата публикации: 2011-08-10.

To the modular system that the ground of the thermal isolating form for geometry-variable, pillar, isolated footing and antidetonation eliminator are strengthened

Номер патента: CN103403278B. Автор: 米歇尔·卡伯尼. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-25.

THERMALLY INSULATING COMPOSITE FRAME APPARATUS WITH SLIDE-IN THERMAL ISOLATOR AND METHOD FOR MAKING SAME

Номер патента: US20140260064A1. Автор: HENSLEY Vincent Bart. Владелец: Technoform Bautec North America, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

Thermally isolated high intensity light source

Номер патента: CA2967577A1. Автор: Stephen Keen,Todd Whitaker,Jordan JOHNSON,Chris Pearson,Brady SCHULTZ. Владелец: SURNA Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Connector for vacuum pump of internal combustion engine of motor vehicle, has heat shield integrated to end of connector and thermally isolating snap-on connection from thermal radiation when snap-on connection is snapped on connector

Номер патента: FR2944575A1. Автор: Toni Amado. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2010-10-22.

Compressor-expander having thermal isolation and adjustment features

Номер патента: US3886765A. Автор: Thomas C Edwards. Владелец: Rovac Corp. Дата публикации: 1975-06-03.

PROCEDURE FOR FILLING A THERMALLY INSULATED TANK WITH LIQUID GAS AND THERMALLY ISOLATED TANK FOR LIQUID GAS CONDITIONING

Номер патента: SE433257B. Автор: A L Schuler. Владелец: Gen Dynamics Corp. Дата публикации: 1984-05-14.

Underwater torch comprises a thermal conducting connection between the lamp and the battery to provide thermal isolation from the surroundings

Номер патента: DE202004018627U1. Автор: . Владелец: HESER KARL. Дата публикации: 2006-04-06.

Thermal isolation clamp

Номер патента: US20190350051A1. Автор: Michael L. Fisher. Владелец: Yarbrough Solutions Worldwide. Дата публикации: 2019-11-14.

Thermal isolator for microwave components with waveguide flanges

Номер патента: GB2613354A. Автор: MERK Thomas,Bilogurov Levgen. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2023-06-07.

Thermally insulating composite frame apparatus with slide-in thermal isolator and method for making same

Номер патента: WO2014164043A1. Автор: Vincent Bart HENSLEY. Владелец: Technoform Bautec North America, Inc.. Дата публикации: 2014-10-09.

Cooktop appliance and heating element having a thermally isolated thermostat

Номер патента: US20220018545A1. Автор: Paul Bryan Cadima. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Thermally isolating tubule for wall anchor

Номер патента: US20120308330A1. Автор: Ronald P. Hohmann, Jr.. Владелец: Mitek Holdings Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

SYSTEM AND METHODS FOR THERMAL ISOLATION OF COMPONENTS USED

Номер патента: US20130074431A1. Автор: Croasdale Scott. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

MICROFLUIDIC CHIP FEATURES FOR OPTICAL AND THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20130217104A1. Автор: Hasson Kenton C.,Coursey Johnathan S.,Liang Hongye,Thomas Bradley S.. Владелец: CANON U.S. LIFE SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2013-08-22.

ARRANGEMENT FOR FORMING A THERMAL ISOLATION POINT

Номер патента: US20130265685A1. Автор: Wittmann Georg,Zäuner Edmund. Владелец: DEHN + SOHNE GMBH + CO. KG. Дата публикации: 2013-10-10.

Thermal Isolation Spray for Casting Articles

Номер патента: US20130269901A1. Автор: Loukus Adam R.,Loukus Josh E.,Pennala Travis,Luskin Luke. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Thermal Isolation for Casting Articles

Номер патента: US20130269902A1. Автор: Loukus Adam R.,Loukus Josh E.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

Interposer Configuration With Thermally Isolated Regions For Temperature-Sensitive Opto-Electronic Components

Номер патента: US20140003457A1. Автор: Desai Kishor,Shastri Kalpendu,Patel Vipulkumar,Pathak Soham,Dama Bipin. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-02.

Thermal isolation in memory cells

Номер патента: US20140008602A1. Автор: Elijah V. KARPOV,David L. Kencke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE PACKAGE WITH THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20150001694A1. Автор: Parsa Roozbeh,Hopper Peter John. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

INTERPOSER CONFIGURATION WITH THERMALLY ISOLATED REGIONS FOR TEMPERATURE-SENSITIVE OPTO-ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: US20150023377A1. Автор: Desai Kishor,Shastri Kalpendu,Patel Vipulkumar,Pathak Soham,Dama Bipin. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Package-on-Package Structure Including a Thermal Isolation Material and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200020677A1. Автор: Cheng Ming-Da,Liu Chung-Shi,Chen Meng-Tse,Huang Kuei-Wei,Tsai Tsai-Tsung,Ang Ai-Tee. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Thermal Isolation of Reaction Sites on a Substrate

Номер патента: US20190022657A1. Автор: WOJTOWICZ Janusz. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

OSMOTICALLY AND THERMALLY ISOLATED FORWARD OSMOSIS-MEMBRANE DISTILLATION (FO-MD) INTEGRATED MODULE FOR WATER TREATMENT APPLICATIONS

Номер патента: US20180028977A1. Автор: Li Zhenyu,FRANCIS Lijo,GHAFFOUR Noreddine,ALSAADI Ahmad S.,Amy Gary,VALLADARES Rodrigo,GHDAIB Muhannad Abu. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-02-01.

THERMALLY-ISOLATED ANCHORING SYSTEMS WITH SPLIT TAIL VENEER TIE FOR CAVITY WALLS

Номер патента: US20160032582A1. Автор: Hohmann,JR. Ronald P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Thermoelectric module with thermal isolation features for vehicle battery

Номер патента: US20200031242A1. Автор: Martin Adldinger,Shaun Peter MCBRIDE,Rüdiger Spillner,Dumitru-Cristian LEU,David Scott Thomas. Владелец: Gentherm Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

MODULAR THERMAL ISOLATION BARRIER FOR DATA PROCESSING EQUIPMENT STRUCTURE

Номер патента: US20180035570A1. Автор: YOUNG Joshua James,DAVIS Jared Keith,GREESON Joshua Blaine,GIBBLE Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

MODULAR THERMAL ISOLATION BARRIER FOR DATA PROCESSING EQUIPMENT STRUCTURE

Номер патента: US20220061188A1. Автор: YOUNG Joshua James,DAVIS Jared Keith,GREESON Joshua Blaine,GIBBLE Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

THERMAL ISOLATING SERVICE TUBES AND ASSEMBLIES THEREOF FOR GAS TURBINE ENGINES

Номер патента: US20150052872A1. Автор: "OBrien Michael",Frost Cristopher,Zurmehly Ed,Godfrey Donald G. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

THERMAL ISOLATION FOR CASTING ARTICLES

Номер патента: US20160059305A1. Автор: Loukus Adam R.,Loukus Josh E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

THERMAL ISOLATION WALLS IN A ROTARY FURNACE APPLICATION

Номер патента: US20140134555A1. Автор: Hebert David,Villani Matthew J.. Владелец: FIRTH RIXSON. Дата публикации: 2014-05-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE WITH THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20190057959A1. Автор: OR-BACH Zvi,Cronquist Brian,Han Jin-Woo. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2019-02-21.

Thermally Isolated Repeller And Electrodes

Номер патента: US20210074503A1. Автор: Craig R. Chaney,Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

COMPOSITE THERMAL ISOLATING MASONRY TIE FASTENER

Номер патента: US20160076243A1. Автор: Hettler Neil Robert,Gawryla Matthew,Ramsey William James,Kunkler William Anthony,Spoo Kevin J.,Slone Herbert Ray. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

THERMAL ISOLATION CHAMBERS AND CHROMATOGRAPHY SYSTEMS INCLUDING THEM

Номер патента: US20220096961A1. Автор: Black Benjamin,Porter Nathan L.,Kingston Chad. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

MULTI-ZONE GRILL COOK AREA WITH THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20140161952A1. Автор: SYKES Michael Robin. Владелец: GARLAND COMMERCIAL INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2014-06-12.

Modular thermal isolation barrier for data processing equipment structure

Номер патента: US20160088773A1. Автор: Joshua James YOUNG,Jared Keith DAVIS,Joshua Blaine GREESON,Steven J. Gibble. Владелец: Chatsworth Products Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD OF AND APPARATUS FOR ENHANCED THERMAL ISOLATION OF LOW-PROFILE LED LIGHTING FIXTURES

Номер патента: US20150098214A1. Автор: Musser Jordon,Jones Randall,Barkhurst Corey. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

THERMAL ISOLATION OF FLIGHT RECORDER MEMORY CORE

Номер патента: US20210100115A1. Автор: Waggener William N.. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

MULTI-STAGE THERMAL ISOLATOR FOR FOCAL PLANE ARRAYS AND OTHER DEVICES

Номер патента: US20140183307A1. Автор: Bullard Andrew L.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2014-07-03.

MICROFLUIDIC CHIP FEATURES FOR OPTICAL AND THERMAL ISOLATION

Номер патента: US20150118738A1. Автор: Hasson Kenton C.,Coursey Johnathan S.,Liang Hongye,Thomas Bradley S.. Владелец: CANON U.S. LIFE SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2015-04-30.

MODULAR THERMAL ISOLATION BARRIER FOR DATA PROCESSING EQUIPMENT STRUCTURE

Номер патента: US20140196394A1. Автор: YOUNG Joshua James,DAVIS Jared Keith,GREESON Joshua Blaine,GIBBLE Steven J.. Владелец: CHATSWORTH PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2014-07-17.

COMPOSITE THERMAL ISOLATING MASONRY TIE FASTENER

Номер патента: US20150121792A1. Автор: Hettler Neil Robert,Gawryla Matthew,Ramsey William James,Kunkler William Anthony,Spoo Kevin J.,Slone Herbert Ray. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

FLEXIBLE, THERMAL-ISOLATING, DUAL-WALLED TUBE WITH BELLOWS AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20190113163A1. Автор: Hammond,Godfrey Donald G.,Baughman Brian G.,McNair Mark,V Arden Dennis,Dugan Samantha. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2019-04-18.

Thermally isolating hermetic electrical feed-through

Номер патента: US20140202764A1. Автор: Restis Thomas J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-24.

THERMALLY ISOLATED GROUND PLANES WITH A SUPERCONDUCTING ELECTRICAL COUPLER

Номер патента: US20190131246A1. Автор: Przybysz John X.,YOUNG Robert Miles,LONEY PATRICK ALAN,HATHAWAY AARON ASHLEY,QUEEN DANIEL ROBERT. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2019-05-02.

MODULAR THERMAL ISOLATION BARRIER FOR DATA PROCESSING EQUIPMENT STRUCTURE

Номер патента: US20170150652A1. Автор: YOUNG Joshua James,DAVIS Jared Keith,GREESON Joshua Blaine,GIBBLE Steven J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

COOLING AIR FOR GAS TURBINE ENGINE WITH THERMALLY ISOLATED COOLING AIR DELIVERY

Номер патента: US20200141270A1. Автор: Schwarz Frederick M.,Snape Nathan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

MOUNTING ASSEMBLY FOR REDUCTANT INJECTOR WITH THERMAL ISOLATION AND SEALING GASKET

Номер патента: US20140237998A1. Автор: Crandell Richard A.,Fahrenkrug Matthew F.,Hudgens Jason W.. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2014-08-28.

THERMAL ISOLATION IN PRINTED CIRCUIT BOARD ASSEMBLIES

Номер патента: US20140254108A1. Автор: Zhang Yang,Steenstra Jack B.. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-11.

VEHICLE BATTERY THERMOELECTRIC MODULE WITH IMPROVED HEAT TRANSFER AND THERMAL ISOLATION FEATURES

Номер патента: US20180166758A1. Автор: Thomas David Scott. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

SYSTEM AND METHODS FOR THERMAL ISOLATION OF COMPONENTS USED

Номер патента: US20150176268A1. Автор: Croasdale Scott,Knight Douglas James. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

THERMALLY ISOLATED ANCHORING SYSTEM

Номер патента: US20140260051A1. Автор: Hohmann,JR. Ronald P.. Владелец: MITEK HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

TRANS-IMPEDANCE AMPLIFIERS (TIA) THERMALLY ISOLATED FROM OPTICAL MODULES

Номер патента: US20150180582A1. Автор: ZHOU Dacheng,Berkram Daniel Alan. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

SYSTEM AND METHODS FOR THERMAL ISOLATION OF COMPONENTS USED

Номер патента: US20150184376A1. Автор: Croasdale Scott. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

THERMAL ISOLATION OF COOLING CIRCUITS WITH A COMMON DEGAS BOTTLE FILLING PORT

Номер патента: US20210207522A1. Автор: Mitchell Robert Alex,Ayva Mursel,Correia Eduardo. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

WATER HEATER WITH THERMALLY ISOLATING PREHEATER AND METHOD OF USE

Номер патента: US20170205114A1. Автор: KNOPP Benjamin Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

ARRANGEMENT FOR FORMING A THERMAL ISOLATION POINT

Номер патента: US20160218500A1. Автор: Wittmann Georg,Zäuner Edmund. Владелец: DEHN + SOHNE GMBH + CO. KG. Дата публикации: 2016-07-28.

CASSETTE FOR HOLDING A PLANAR LIGHT SOURCE WITH A THERMALLY ISOLATED DRIVER BOARD

Номер патента: US20180209625A1. Автор: Lu Min-Hao Michael,Wickus Jonathon. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

THERMOELECTRIC MODULE WITH FASTENING ELEMENT THERMAL ISOLATION FEATURE FOR VEHICLE BATTERY

Номер патента: US20180209748A1. Автор: Adldinger Martin,Thomas David Scott,Spillner Rüdiger,Schraff Benjamin,Sieber Horst Georg Johannes. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

THERMAL ISOLATED PLATFORM SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20170219301A1. Автор: Lin Mu-Hong. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Thermal Isolation Clamp

Номер патента: US20150233520A1. Автор: Fisher Michael L.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

GAS TURBINE ENGINE HAVING SECTION WITH THERMALLY ISOLATED AREA

Номер патента: US20160230597A1. Автор: Suciu Gabriel L.,Merry Brian D.,Ackermann William K.,Hill James D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Gas turbine engine having section with thermally isolated area

Номер патента: US20160230661A1. Автор: Gabriel L. Suciu,James D. Hill,Brian D. Merry. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

ELECTRODE CONFIGURATIONS TO INCREASE ELECTRO-THERMAL ISOLATION OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENTS AND ASSOCIATED TECHNIQUES

Номер патента: US20160233271A1. Автор: Albini Giulio,Pellizzer Fabio,Russell Stephen W.,Rangan Sanjay,Hineman Max F.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

COOKTOP APPLIANCE WITH A THERMALLY ISOLATED INJET

Номер патента: US20200217501A1. Автор: Cadima Paul Bryan. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

ELECTROSTATIC CHUCK HAVING THERMALLY ISOLATED ZONES WITH MINIMAL CROSSTALK

Номер патента: US20140334060A1. Автор: BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,PARKHE Vijay D.,NOORBAKHSH HAMID,DELLA ROSA JASON,Mays Brad L.,Makhratchev Konstantin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-11-13.

Additive manufacturing system with sliding thermal isolator

Номер патента: US20190240904A1. Автор: William J. Swanson,Dominic F. Mannella. Владелец: Stratasys Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

PLASMA PROCESSING SYSTEM WORKPIECE CARRIER WITH THERMALLY ISOLATED HEATER PLATE BLOCKS

Номер патента: US20170250060A1. Автор: LUBOMIRSKY DMITRY,Nguyen Son T.,Palagashvili David,NGUYEN ANH N.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

ELECTROSTATIC CHUCK HAVING THERMALLY ISOLATED ZONES WITH MINIMAL CROSSTALK

Номер патента: US20170250100A1. Автор: BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,PARKHE Vijay D.,NOORBAKHSH HAMID,DELLA ROSA JASON,Mays Brad L.,Makhratchev Konstantin. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Thermally isolated rotor systems and methods

Номер патента: US20210317743A1. Автор: John C. DiTomasso,Gabriel P. Smith. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

ELECTROSTATIC CHUCK HAVING THERMALLY ISOLATED ZONES WITH MINIMAL CROSSTALK

Номер патента: US20180269098A1. Автор: BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,PARKHE Vijay D.,NOORBAKHSH HAMID,DELLA ROSA JASON,Mays Brad L.,Makhratchev Konstantin. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

SURGE PROTECTION DEVICE HAVING A PLURALITY OF SURGE ARRESTERS AND, IN PARTICULAR THERMAL, ISOLATING APPARATUS WHICH IS RESPECTIVELY ASSOCIATED WITH THEM

Номер патента: US20210366677A1. Автор: Hierl Stephan,Waffler Michael. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

THERMAL ISOLATION OF CRYO-COOLED COMPONENTS FROM CIRCUIT BOARDS OR OTHER STRUCTURES

Номер патента: US20180279503A1. Автор: TAYRANI Reza,Lin Stephanie,Chow James R.,Ross Richard C.,Conrad Theodore J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Thermally Isolated Captive Features For Ion Implantation Systems

Номер патента: US20210384004A1. Автор: McLaughlin Adam M.,Tye Jordan B.. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

ELECTROSTATIC CHUCK HAVING THERMALLY ISOLATED ZONES WITH MINIMAL CROSSTALK

Номер патента: US20190279893A1. Автор: BUCHBERGER,JR. DOUGLAS A.,Noobakhsh Hamid,PARKHE Vijay D.,DELLA ROSA JASON,Mays Brad L.,Makhratchev Konstantin. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Thermal isolation material and methods of making and using the same

Номер патента: US20170301968A1. Автор: Sayangdev NAHA,Daniel Cooney,Stephen Cordova. Владелец: Ada Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

THERMALLY ISOLATING JOINT ASSEMBLY IN A SPACE VEHICLE

Номер патента: US20180319516A1. Автор: Bower Chad E.,de Jong Maxim,Aiken Brian,Lopez Jose Javier. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

SYSTEM FOR THERMALLY ISOLATING A TURBINE SHROUD

Номер патента: US20160333713A1. Автор: Fitzpatrick Dylan James,Tura Christopher Paul. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Thermal Isolation Disc for Silencer

Номер патента: US20150337713A1. Автор: Callahan Joseph E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

MONOLITHIC FABRICATION OF THERMALLY ISOLATED MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM (MEMS) DEVICES

Номер патента: US20160340174A1. Автор: Lodden Grant H.,Reinke John R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Package-on-Package Structure Including a Thermal Isolation Material and Method of Forming the Same

Номер патента: US20160343698A1. Автор: Cheng Ming-Da,Liu Chung-Shi,Chen Meng-Tse,Huang Kuei-Wei,Tsai Tsai-Tsung,Ang Ai-Tee. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

DEVICE AND PROCESS FOR THERMAL ISOLATION OF TECHNICAL ELEMENTS

Номер патента: US20200325677A1. Автор: SONNEY Nicolas,GUILLET Laurent. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

THERMALLY ISOLATED TURBINE SECTION FOR A GAS TURBINE ENGINE

Номер патента: US20150354455A1. Автор: Suciu Gabriel L.,Merry Brian D.,Hill James D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

CONTINUOUS FRAMEWORK FOR SHOCK, VIBRATION AND THERMAL ISOLATION AND MOTION ACCOMMODATION

Номер патента: US20180347656A1. Автор: David Thomas A.,Sailhamer John C.,Sharp Robert F.,Pivovarov Gary J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

THERMALLY-ISOLATING FASTENER

Номер патента: US20150369272A1. Автор: Hohmann,JR. Ronald P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Thermal isolation clamp

Номер патента: US20190350051A1. Автор: Michael L. Fisher. Владелец: Yarbrough Solutions Worldwide. Дата публикации: 2019-11-14.

THERMALLY ISOLATED THERMIONIC HOLLOW CATHODES

Номер патента: US20170367168A1. Автор: McDonald Michael S.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

THERMALLY ISOLATED REDUCTANT DOSING UNIT WITH HERMETIC SEAL

Номер патента: US20180363530A1. Автор: Shaw Keith Aaron,Caulkins Christopher Michael. Владелец: CONTINENTAL AUTOMOTIVE SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2018-12-20.

THERMALLY ISOLATED ELECTRONICS UTILITIES CAVITY FOR A SUBSTRATE CARRIER

Номер патента: US20190355607A1. Автор: WHITE John M.,Vincent Joseph,RAO Shreesha Y.,QIAO Wenwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

FLEXIBLE, THERMAL-ISOLATING, DUAL-WALLED TUBE WITH BELLOWS AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20200355304A1. Автор: Hammond,Godfrey Donald G.,Baughman Brian G.,McNair Mark,V Arden Dennis,Dugan Samantha. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2020-11-12.

Thermally Isolated High Intensity Light Source

Номер патента: US20170370570A1. Автор: JOHNSON Jordan,Keen Stephen,PEARSON Chris,WHITAKER Todd,SCHULTZ Brady. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

THERMALLY ISOLATED BLOOD CARRIER TRAY

Номер патента: US20180369068A1. Автор: Black Jay. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Thermally Isolated Blood Carrier Tray

Номер патента: US20200360234A1. Автор: Black Jack. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Thermally isolated combustor pre-diffuser

Номер патента: US20190368737A1. Автор: Gary J. Dillard,Russell B. Hanson. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

MEMORY DEVICE CONTAINING OVONIC THRESHOLD SWITCH MATERIAL THERMAL ISOLATION AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200395410A1. Автор: NAG Joyeeta,Stewart Derek,GROBIS Michael. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Collector element for solar collector, has housing or framework and thermal isolation, where absorber and transparent cover are provided and form prefabricated unit connected in flexibly rotating manner

Номер патента: DE102008008015A1. Автор: Erich Terbrack. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Cylindrical AC/DC magnetron with compliant drive system and improved electrical and thermal isolation

Номер патента: US6736948B2. Автор: Richard L. Barrett. Владелец: VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2004-05-18.

Tortionally Stiff, Thermally Isolating Shaft Coupling with Multiple Degrees of Freedom to Accommodate Misalignment

Номер патента: US20090293654A1. Автор: Arthur C. Pintauro. Владелец: Woodward Governor Co. Дата публикации: 2009-12-03.

Induction range having thermal isolation from top plate using blanket and nano prosidad powder

Номер патента: KR101290731B1. Автор: 권용재. Владелец: (주)디포인덕션. Дата публикации: 2013-07-29.

Wall for waterproofing, soundproofing, and thermal isolation with easy fixing structure of finishing pannel

Номер патента: KR100957494B1. Автор: 김용국. Владелец: 주식회사 월드와이즈월. Дата публикации: 2010-05-14.

Illumination sources with thermally-isolated electronics

Номер патента: US8884517B1. Автор: Michael R. Krames,Frank M. Steranka,Frank Tin Chung Shum. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2014-11-11.

Thermally isolating insulation composite board and preparation method therefor

Номер патента: WO2022122046A1. Автор: 包城吉. Владелец: 城吉被动房(杭州)有限公司. Дата публикации: 2022-06-16.

Thermal isolation and facade finishing panel, its production and installation processes

Номер патента: EP2422025B1. Автор: Videvuds-Arijs Lapsa. Владелец: Oslejs Janis. Дата публикации: 2014-12-31.

RGB thermal isolation substrate

Номер патента: CN101171685A. Автор: F·J·小沃尔. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2008-04-30.

Diaphragm valve structure and thermal isolation method of the diaphragm valve

Номер патента: KR102326810B1. Автор: 후안-잔 치엔,포-웬 첸,후안-치아오 홍. Владелец: 부에노 테크놀러지 코., 엘티디.. Дата публикации: 2021-11-16.

SENSOR ASSEMBLIES UTILIZING A ONE-PIECE THERMAL ISOLATED FITTING TUBE AND METHODS OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20230010041A1. Автор: Gordon Richard,PISUK MICHELLE. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Tortionally stiff, thermally isolating shaft coupling with multiple degrees of freedom to accommodate misalignment

Номер патента: EP2313625A1. Автор: Arthur C. Pintauro. Владелец: Woodward Inc. Дата публикации: 2011-04-27.

Tortionally stiff, thermally isolating shaft coupling with multiple degrees of freedom to accommodate misalignment

Номер патента: EP2313625A4. Автор: Arthur C Pintauro. Владелец: Woodward Inc. Дата публикации: 2011-10-12.

Tortionally stiff, thermally isolating shaft coupling with multiple degrees of freedom to accommodate misalignment

Номер патента: US8480054B2. Автор: Arthur C. Pintauro. Владелец: Woodward Inc. Дата публикации: 2013-07-09.

LOCKING DEVICE COMPRISING A TETE AND A THERMAL ISOLATION PIECE OF THE TETE.

Номер патента: FR2932518B1. Автор: Henri Morel,Patrice Perinet. Владелец: Metalux SAS. Дата публикации: 2013-05-03.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SELF-SUPPORTING BODY FOR THE THERMAL ISOLATION OF A STORAGE TANK FOR A FLUID AND A SELF-SUPPORTING BODY THUS CARRIED OUT

Номер патента: FR3006661A1. Автор: Gery Canler,Sebastien Delanoe,Bruno Deletre,Olivier Perrot,Benoit Capitaine,Florent Ouvrard,Nicolas Walker. Владелец: Gaztransport et Technigaz SARL. Дата публикации: 2014-12-12.

Water tight and thermally isolated tank for use on a ship

Номер патента: FR2781036A1. Автор: PIERRE JEAN,Jacques Dhellemmes. Владелец: Gaztransport et Technigaz SARL. Дата публикации: 2000-01-14.

The forming method of thermal isolation film and heat-insulated membrane structure

Номер патента: CN106042525B. Автор: 立野学. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

PROCESS FOR MANUFACTURING A SELF-SUPPORTING BODY FOR THE THERMAL ISOLATION OF A STORAGE TANK FOR A FLUID AND A SELF-SUPPORTING BODY THUS CARRIED OUT

Номер патента: FR3006661B1. Автор: Gery Canler,Sebastien Delanoe,Bruno Deletre,Olivier Perrot,Benoit Capitaine,Florent Ouvrard,Nicolas Walker. Владелец: Gaztransport et Technigaz SARL. Дата публикации: 2018-02-02.

SUPERCONDUCTING ROTATING ELECTRIC MACHINE AND ITS THERMAL ISOLATION

Номер патента: FR2605158B1. Автор: Pascal Tixador,Yves Brunet. Владелец: Alstom SA. Дата публикации: 1993-08-20.

Solenoid valve for cryogenic system - has poor heat conductive stem to thermally isolate head

Номер патента: FR2271475A1. Автор: . Владелец: OSWALD HERVE. Дата публикации: 1975-12-12.

Vessel storing prepared metals which thermally isolates constituents - implies plates on helicoidal ramp having heated core insulated from periphery

Номер патента: FR2247882A5. Автор: . Владелец: GRANDI RENE FR. Дата публикации: 1975-05-09.

Refrigerator with thermally isolated cooling flow channel

Номер патента: KR102207815B1. Автор: 김건호. Владелец: 울산과학기술원. Дата публикации: 2021-01-26.

Acoustic and thermal isolation multilayer panel for use in e.g. wickets of fire-break inspection doors, has splinted layers assembled together by gluing using binder, where layers are made of blend of contiguous layer elements

Номер патента: FR2970014A1. Автор: Vincent Damour. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-06.

SUPERCONDUCTING ROTATING ELECTRIC MACHINE AND ITS THERMAL ISOLATION

Номер патента: FR2605158A1. Автор: Pascal Tixador,Yves Brunet. Владелец: Alstom SA. Дата публикации: 1988-04-15.

Thermally isolated rain rail for door has trapezoidal plastics profile with sloping upper surface mounted on metal profile

Номер патента: DE10124876C1. Автор: Werner Mueller. Владелец: Hermann Gutmann Werke GmbH. Дата публикации: 2002-10-24.

Thermally isolated liquid supply for web moistening

Номер патента: US20100224665A1. Автор: Kui-Chiu Kwok,Thomas Vinnay,Jens Froehlich. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2010-09-09.

Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber

Номер патента: US20020195201A1. Автор: Emanuel Beer,Kenneth Baumel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Package-on-package structure including a thermal isolation material and method of forming the same

Номер патента: CN103811430A. Автор: 刘重希,郑明达,陈孟泽,黄贵伟,蔡再宗,洪艾蒂. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-05-21.

An integrated circuit system with a thermally isolating frame construction and method for producing such integrated circuit system

Номер патента: WO2010113120A1. Автор: Marc A. De Samber,Hendrik J. Eggink,Eric C. E. Van Grunsven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2010-10-07.

Thermally isolating joint assembly in a space vehicle

Номер патента: US10934029B2. Автор: Brian Aiken,Chad E. Bower,Maxim de Jong,Jose Javier Lopez. Владелец: Paragon Space Development Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Heating end composite floor structure for e.g. driver's cab of rail vehicle, has heating layer covering thermal isolating core via adhesive layer, where core is made of plastic material having density lying between preset values

Номер патента: FR2975371A3. Автор: Olivier Come,Lay Loic Le. Владелец: HUTCHINSON SA. Дата публикации: 2012-11-23.

Rgb thermal isolation substrate

Номер патента: EP1878052A1. Автор: Franklin J. Wall, Jr.. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2008-01-16.

THERMALLY ISOLATED HOUSING.

Номер патента: ES2205671T3. Автор: Michael Dr. Neumann,Hans-Frieder Eberhardt,Udo Dr. Wenning. Владелец: BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERAETE GMBH. Дата публикации: 2004-05-01.

Improved efficiency thermoelectrics utilizing thermal isolation

Номер патента: EP1366328B1. Автор: Lon E. Bell. Владелец: BSST LLC. Дата публикации: 2008-08-13.

Lighter e.g. for heating smokeless cigarette, has cigarette body with outside coat made from thermally isolating material and heat pipe made from heat conducting material and surrounded by coat

Номер патента: DE102006009995B3. Автор: Christian Wengert,Thomas Dr.-Ing. Philipp. Владелец: NJOYNIC Ltd. Дата публикации: 2007-08-30.

Motor controller assembly with capacitor thermal isolation

Номер патента: US20100290204A1. Автор: Debabrata Pal. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Thermal isolation module for constructions under pressure

Номер патента: EP2851481A1. Автор: David Horak,Roman Brzon,Milan Ostry,Tomas Klubal,Lenka Bodnarova,Petr Zitt,Darina Dostalova. Владелец: VYSOKE UCENI TECHNICKE V BRNE. Дата публикации: 2015-03-25.

Preparation of monolithic silica aerogels, aerogels so obtained and use thereof in the preparation of silica glass articles and thermally isolating materials

Номер патента: EP0067741A3. Автор: Jerzy Wojciech Zarzycki. Владелец: Phalippou, Jean Emile Henri. Дата публикации: 1983-08-17.

A kind of tunable DBR laser being thermally isolated and its processing method and application method

Номер патента: CN107453202B. Автор: 岳爱文,王任凡,张明洋,赵建宜. Владелец: Wuhan Telecommunication Devices Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Cylindrical AC/DC Magnetron with Compliant Drive System and Improved Electrical and Thermal Isolation

Номер патента: US20060231394A1. Автор: Richard Barrett. Владелец: Applied Films Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Metallic bipolar plate for proton exchange membrane fuel cell stack, has two medium guiding channels, where area of surface of plate forms part of channels and are provided with coating that has thermally isolating characteristics

Номер патента: DE102004056845A1. Автор: Hubertus Dipl.-Ing. Biegert (FH),Gabor Dipl.-Ing. Toth (FH). Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2006-06-01.

POLYMER FOAM FOR ACOUSTIC ABSORPTION HAVING A BETTER THERMAL ISOLATION FUNCTION

Номер патента: PT1268155E. Автор: Chung P Park. Владелец: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-08-31.

System and methods for thermal isolation of components used

Номер патента: US8973334B2. Автор: Scott Croasdale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for optically and thermally isolating surface emitting laser diodes

Номер патента: EP0691717A1. Автор: Shih-Yuan Wang,Michael R.T. Tan. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1996-01-10.

A kind of ultra-thin thermal isolation film

Номер патента: CN109693422A. Автор: 余志强. Владелец: Shenzhen Debao Tiancheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Enhanced Thermally Isolated Thermoelectrics

Номер патента: EP2333829A3. Автор: Robert W Diller,John LaGrandeur,Fred R Harris,E. Bell Lon,Todd Crane Douglas. Владелец: BSST LLC. Дата публикации: 2013-11-27.

Thermal isolated conduit for transfer of liquid natural gas

Номер патента: FR2748545A1. Автор: Cristian Bonigen. Владелец: TOTAL SE. Дата публикации: 1997-11-14.

Monolithic fabrication of thermally isolated microelectromechanical system (mems) devices

Номер патента: EP3095755A1. Автор: Grant Lodden,John Reinke. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-11-23.

A kind of battery thermal isolation film glass-fiber-fabric low heat-conductive coating and preparation method thereof

Номер патента: CN106833175B. Автор: 邓家洪. Владелец: Dongguan Guixiang Insulation Material Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Electrostatic chuck with the thermal isolation area containing minimum crosstalk

Номер патента: CN105122439B. Автор: H·诺巴卡施,V·D·帕科,K·马赫拉切夫,J·德拉罗萨,B·L·梅斯,小道格拉斯·A·布齐伯格. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber

Номер патента: CN100428400C. Автор: 伊曼纽尔·比尔,肯尼思·E·鲍梅. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-10-22.

Thermal isolation apparatus

Номер патента: CN103321692B. Автор: D.E.弗洛伊德,D.M.约翰逊. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-26.

Thermal isolation spray for casting articles

Номер патента: US10434568B2. Автор: Adam R. LOUKUS,Josh E. Loukus,Travis Pennala,Luke Luskin. Владелец: Loukus Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Electric motor line thermal isolation technique machining process and middle-temperature gas circulating system and device

Номер патента: CN101119051A. Автор: 魏莉莉,邓娜,张于峰,郭晓娟,马洪亭. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-02-06.

Thermal isolation apparatus

Номер патента: EP2642082B1. Автор: David Martin Johnson,Donald Earl Floyd. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-05-13.

Electrostatic chuck having thermally isolated zones with minimal crosstalk

Номер патента: KR102295684B1. Автор: 브래드 엘. 메이즈,비제이 디. 파케,제이슨 델라 로사,하미드 누르바크쉬,콘스탄틴 마크라트체브,더글라스 에이. 주니어 부치베르거. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-08-27.

THERMAL ISOLATOR SUPPORTING LOADS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: FR2532037A1. Автор: Thomas Gerard Fennell,Ronald Fisher. Владелец: Dunlop Ltd. Дата публикации: 1984-02-24.

Thermal isolating service tubes and assemblies thereof for gas turbine engines

Номер патента: US9644495B2. Автор: Michael O'Brien,Cristopher Frost,Ed Zurmehly,Donald G Godfrey. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Electric iron, for pressing and drying washing, includes second vaporization chamber, physically and thermally isolated from sole of iron, to allow differential steam generation for different fabrics

Номер патента: FR2899907A1. Автор: Rene Humbert. Владелец: DOMENA SOC PAR ACTIONS SIMPLIF. Дата публикации: 2007-10-19.

Window frame i.e. thermal isolating window frame, for train for short or long-distance transport, has frame elements partially holding frame filling, where fixed connection is formed between frame elements during holding frame filling

Номер патента: DE102010060169A1. Автор: Peter Garnweidner,Manfred Maier,Markus Plainer. Владелец: Alutech Gmbh. Дата публикации: 2012-04-26.

Thermally isolated repeller and electrodes

Номер патента: US10854416B1. Автор: Craig R. Chaney,Adam M. McLaughlin,Jordan B. Tye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-01.

DEVICE FOR DISPENSING A HEATED LIQUID THAT INCLUDES A THERMALLY ISOLATED ACTUATOR VALVE.

Номер патента: ES2296039T3. Автор: John M. Riney. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

SELF-CONTAINING BODY FOR THE THERMAL ISOLATION OF A STORAGE TANK FOR A FLUID AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A BODY

Номер патента: FR3011832A1. Автор: Bruno Deletre,Benoit Capitaine. Владелец: Gaztransport et Technigaz SARL. Дата публикации: 2015-04-17.

Thermally isolated well instruments

Номер патента: GB8313231D0. Автор: . Владелец: AMF Inc. Дата публикации: 1983-06-22.

Thermal isolation mattress for test benches for aircraft engines

Номер патента: FR2742842A1. Автор: . Владелец: Isotec AG. Дата публикации: 1997-06-27.

Thermal isolation of cryo-cooled components from circuit boards or other structures

Номер патента: TW201836446A. Автор: 詹姆斯 R. 周,西奧多 J. 康瑞德,史蒂芬尼 林,理察 C. 羅斯,里札 泰拉尼. Владелец: 美商雷神公司. Дата публикации: 2018-10-01.

Thermal Isolating Apparatus and Method for Batteries in a Telecommunications Equipment Shelter

Номер патента: US20110244292A1. Автор: James Kale,Harikrishna Subramanian,Jacob Hofman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Rear aileron for car, has electronic display placed at back of aileron body, and rewind spring installed on ends of winder shaft to maintain thermal isolating sun screen wound on winder shaft when extraction bar is not drawn by force

Номер патента: FR2945782A3. Автор: Po Nien Chen. Владелец: Po Nien Chen. Дата публикации: 2010-11-26.

Battery/CDROM severe environment heater casing having casing with thermal isolation and pocket having exothermal crystal mixture heating when shock wave mechanism activated.

Номер патента: FR2817705A1. Автор: Jean Philippe Tigneres. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2002-06-07.

Gas turbine engine including a low pressure sump seal buffer source and thermally isolated sump

Номер патента: US7093418B2. Автор: Mark C. Morris,Alan G. Tiltman,Kin Poon,Bradley A. Volkmann. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-08-22.

Thermoelectric module with fastening element thermal isolation feature for vehicle battery

Номер патента: WO2016200909A1. Автор: Martin Adldinger,Rüdiger Spillner,David Scott Thomas,Benjamin SCHRAFF,Horst Georg Johannes SIEBER. Владелец: Gentherm Inc.. Дата публикации: 2016-12-15.

Illumination device with thermally isolated integral power supply

Номер патента: CA2540406A1. Автор: Matthew B. Ballenger,George B. Kendrick,Ernest C. Weyhrauch,John M. Cooper. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber

Номер патента: CN1639838A. Автор: 伊曼纽尔·比尔,肯尼思·E·鲍梅. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-07-13.

Multi-zone grill cook area with thermal isolation.

Номер патента: MX2015007285A. Автор: Michael Robin Sykes. Владелец: Garland Commercial Ind Llc. Дата публикации: 2015-09-10.

Outer window surface weatherability thermal isolation film

Номер патента: CN107227121B. Автор: 饭田繁树. Владелец: Shahe City Just Long New Material Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-30.

System for preservation and transportation of perishable goods and similar ones in thermally isolated chambers or containers

Номер патента: EP1243879A3. Автор: Hermogenes c/o Refrig. Del Real Alcala. Владелец: "Refrigeracion Y Acondicionamiento Pasivo SL". Дата публикации: 2003-01-02.

IMPROVEMENTS INTRODUCED IN A THERMAL ISOLATED HOSE FOR LIQUEFIED GASES, ESPECIALLY FOR LIQUEFIED NATURAL GAS

Номер патента: ES500898A0. Автор: . Владелец: Shell Research Ltd. Дата публикации: 1983-08-16.

Hydraulic packer with thermal isolation member

Номер патента: CA2674823A1. Автор: Vi Nguy,Nathan Kathol. Владелец: Schlumberger Canada Ltd. Дата публикации: 2011-02-05.

Thermal isolation and facade finishing panel, its production and installation processes

Номер патента: WO2010123335A1. Автор: Videvuds-Arijs Lapsa. Владелец: Oslejs, Janis. Дата публикации: 2010-10-28.

Thermally isolated catalytic converter for the exhaust aftertreatment of an internal combustion engine and internal combustion engine

Номер патента: DE102017122875A1. Автор: Giampaolo Nigro. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2019-04-04.

A kind of building glass discoloration thermal isolation film and preparation method thereof

Номер патента: CN106867009A. Автор: 孙加元. Владелец: VIS FILM TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Turbocharger with thermal isolation connection

Номер патента: EP1273766B1. Автор: Gary R. Svihla,Charles H. Mccreary,John R. Zagone. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 2004-10-06.

Heating element and electic toaster with thermal isolation

Номер патента: EP1449470B1. Автор: Lionel Reyes,Guy Mauffrey,Michel Klinger,Jean-Marie Balandier. Владелец: SEB SA. Дата публикации: 2007-03-07.

A shock damping and thermal isolation system for a surface mounted vibration sensitive device

Номер патента: CA2781533A1. Автор: Karoly Becze,Pee-Jay Lanneville. Владелец: Novatel Inc. Дата публикации: 2011-05-19.

THERMAL ISOLATED HEAT ACCUMULATOR

Номер патента: BR7908453A. Автор: P Neumann. Владелец: ISOPAG AG. Дата публикации: 1980-07-22.

Vacuum cell thermal isolation for a phase change memory device

Номер патента: US20070126040A1. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Thermally isolated wafer support device and method of making the same

Номер патента: CN111199902B. Автор: 周仁,荒见淳一. Владелец: Piotech Inc. Дата публикации: 2023-02-24.

Housing for accommodation of e.g. connection interface, of motor vehicle, has accommodation chamber separated and thermally isolated from another accommodation chamber of housing, and recesses arranged at different side walls of housing

Номер патента: DE102008037372A1. Автор: Bernd Rexhäuser,Frank Gömmel,Wilhelm Seel. Владелец: Lear Corp GmbH. Дата публикации: 2010-04-01.

Thermal isolated platform system and method

Номер патента: US10274268B2. Автор: Mu-Hong Lin. Владелец: Timecubic Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Roller blind for motor vehicle i.e. passenger car, has roller blind web movable between stowed- and use positions and including thermally isolating surface element for partially covering disk of motor vehicle in use position of web

Номер патента: DE102012013974A1. Автор: Mehmet Günes. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2013-03-07.

Device and process for thermal isolation of technical elements

Номер патента: US11359369B2. Автор: Nicolas SONNEY,Laurent GUILLET. Владелец: Easy Technic SA. Дата публикации: 2022-06-14.

Thermally-isolated anchoring systems with split tail veneer tie for cavity walls

Номер патента: US9334646B2. Автор: Ronald P. Hohmann, Jr.. Владелец: Columbia Insurance Co. Дата публикации: 2016-05-10.

End cell thermal isolation for fuel cell systems

Номер патента: JP4782419B2. Автор: レイサー，カール，エー．,レスニック，ゲナディ. Владелец: ユーティーシー パワー コーポレイション. Дата публикации: 2011-09-28.

A kind of packaging technology of battery thermal isolation film

Номер патента: CN106848489A. Автор: 李美菊,袁玲,邓家洪. Владелец: Dongguan Guixiang Insulation Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Exciter having thermally isolated diode wheel and method of removing diode wheel

Номер патента: WO2001024346A9. Автор: Michael Joseph Rasinski,Barry Mathewson,William Francis Hannan. Владелец: Siemens Westinghouse Power. Дата публикации: 2002-11-21.

Thermal isolation spray for casting articles

Номер патента: WO2013155132A2. Автор: Adam R. LOUKUS,Josh E. Loukus,Travis Pennala,Luke Luskin. Владелец: Rel, Inc.. Дата публикации: 2013-10-17.

Thermally isolating hermetic electrical feed-through

Номер патента: US9300124B2. Автор: Thomas J. Restis. Владелец: Durex International Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Body shaped insulation for thermal isolation.

Номер патента: BE1006546A3. Автор: . Владелец: Thyssen Nordseewerke GmbH. Дата публикации: 1994-10-11.

Osmotically and thermally isolated forward osmosis-membrane distillation (fo-md) integrated module for water treatment applications

Номер патента: WO2016135701A1. Автор: Zhenyu Li,Gary AMY,Noreddine Ghaffour,Lijo Francis,Rodrigo VALLADARES,Ahmad S. ALSAADI,Muhannad Abu GHDAIB. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-09-01.

A fluid transfer system with thermally isolating interface

Номер патента: GB2574051B. Автор: Bilclough Colin,Blenkinsop Brian. Владелец: TECHFLOW MARINE Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Thermal isolation apparatus

Номер патента: US9121301B2. Автор: David Martin Johnson,Donald Earl Floyd. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-09-01.

Thermal isolation device for liquid fuel components

Номер патента: EP1503145A1. Автор: Keith Cletus Belsom,Michael Damian Seal. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-02-02.

Production device for thermal-isolating and heat-protecting quilt with fire and water prevention

Номер патента: CN201352914Y. Автор: 代永. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-02.

TRUNK FOR A DUAL ENVELOPE CONDUIT MOUNTED THERMALLY ISOLATED AND HEATED THRUST AND METHOD FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: FR3021385B1. Автор: Philippe Marchal,Pierre Ollier,Jean Aurelien Damour. Владелец: Majus Ltd. Дата публикации: 2017-01-20.

Injection device for thermal isolation of injection well in permafrost zone

Номер патента: RU2705652C1. Автор: Сергей Михайлович Селиванов. Владелец: Акционерное общество "Пермнефтемашремонт". Дата публикации: 2019-11-11.

DEVICE FOR THERMAL ISOLATION OF A SURFACE, EXAMPLE OF A WINDOW

Номер патента: SE419257B. Автор: T P Hopper. Владелец: Insulating Shade Ltd. Дата публикации: 1981-07-20.

Gas turbine engine including a low pressure sump seal buffer source and thermally isolated sump

Номер патента: WO2005116407A2. Автор: Mark C. Morris,Alan G. Tiltman,Kin Poon,Bradley Volkmann. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Improved efficiency thermoelectrics utilizing thermal isolation

Номер патента: CN100427849C. Автор: L·E·贝尔. Владелец: BSST LLC. Дата публикации: 2008-10-22.

Gas turbine engine with improved thermal isolation

Номер патента: US8206080B2. Автор: Mark C. Morris,Jeff Howe,Khosro Molla Hosseini. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-06-26.

Compound brake disc with thermal isolation

Номер патента: EP1975451B1. Автор: Harald Reulein,Christian Wittke,Andreas Wüllner. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2010-03-24.

Multi-zone grill cook area with thermal isolation

Номер патента: WO2014093303A1. Автор: Michael Robin Sykes. Владелец: GARLAND COMMERCIAL INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2014-06-19.

System for thermally isolating a turbine shroud

Номер патента: CA2928976A1. Автор: Dylan James FITZPATRICK,Christopher Paul Tura. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-11-11.

Apparatus and method for thermally isolating a heat chamber

Номер патента: US20040123953A1. Автор: Emanuel Beer,Kenneth Baumel. Владелец: Baumel Kenneth E.. Дата публикации: 2004-07-01.

Heating element and electic toaster with thermal isolation

Номер патента: EP1449470A1. Автор: Lionel Reyes,Guy Mauffrey,Michel Klinger,Jean-Marie Balandier. Владелец: SEB SA. Дата публикации: 2004-08-25.

Acoustic and thermal isolation panel for use in e.g. doors integrated front of fire break service shafts, has core sandwiched between two claddings containing cellulose fibers, and core including material containing magnesia cement

Номер патента: FR2970010A1. Автор: Vincent Damour. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-06.

Thermal isolator for disc brake

Номер патента: DE60131700D1. Автор: Toshiyuki Ueda,Rikimasa Ohishi. Владелец: Shimano Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

A kind of building glass discoloration thermal isolation film and preparation method thereof

Номер патента: CN106867009B. Автор: 孙加元. Владелец: VIS FILM TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

Thermal Isolation Between Embedded MECA Modules

Номер патента: US20230122242A1. Автор: Florian Herrault. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Thermal isolation

Номер патента: EP0149090B1. Автор: Botho Dr. Ziegenbein. Владелец: Asea Brown Boveri AG Germany. Дата публикации: 1988-06-08.

Thermally isolated cryopanel for vacuum deposition systems

Номер патента: US8192547B2. Автор: Scott Wayne Priddy,Richard Charles Bresnahan,David William Gotthold,Mark Lee O'Steen. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Thermally isolated assembly and method of making a SiC bulk single crystal

Номер патента: DE102009004751A1. Автор: Thomas Dr. Straubinger. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2010-07-22.

HERMETIC TANK AND THERMAL ISOLATED

Номер патента: BRPI0806482B1. Автор: Adnan Ezzarhouni,Yves Richard. Владелец: GAZTRANSPORT ET TECHNIGAZ. Дата публикации: 2019-07-09.

Gas turbine engine with improved thermal isolation

Номер патента: US20090317244A1. Автор: Mark C. Morris,Jeff Howe,Khosro Molla Hosseini. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-12-24.

Etching technique for creation of thermally-isolated microstructures

Номер патента: US7951721B2. Автор: Uwe Schwarz,Leslie M. Landsberger,Oleg Grudin,Jens Urban. Владелец: Landsberger Leslie M. Дата публикации: 2011-05-31.

Gas turbine engine having section with thermally isolated area

Номер патента: EP3054091B1. Автор: Gabriel L. Suciu,James D. Hill,Brian D. Merry. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Device for generating stable gas with solvent containing constituents, comprises first thermally isolated circuit supplied with purified air, unit for injecting liquid in the circuit, unit such as mass flowmeter for regulating liquid flow

Номер патента: FR2909290A3. Автор: Joel Brulefer. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2008-06-06.

Improved efficiency thermoelectrics utilizing thermal isolation

Номер патента: CN1496468A. Автор: LE,L·E·贝尔. Владелец: BSST LLC. Дата публикации: 2004-05-12.

ELECTROSOLDED ALUMINUM WINDOW, THERMOLACED AND THERMALLY ISOLATED.

Номер патента: ES2189555B1. Автор: José Antonio BLAS SORIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-01.

PROCEDURE FOR MANUFACTURING THERMAL ISOLATED PLANKS FOR CONSTRUCTION WITH LARGE PLANKS.

Номер патента: ES2162023T3. Автор: Edmond Dominique Krecke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-16.

Thermal isolation and facade finishing panel, its production and installation processes

Номер патента: EP2422025A1. Автор: Videvuds-Arijs Lapsa. Владелец: Oslejs Janis. Дата публикации: 2012-02-29.

Thermally isolating insulation composite board and preparation method therefor

Номер патента: EP4261033A1. Автор: Chengji BAO. Владелец: Chengji Passive House Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Thermally isolated combustor pre-diffuser

Номер патента: US20190368737A1. Автор: Gary J. Dillard,Russell B. Hanson. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Thermally isolated rotor systems and methods

Номер патента: US20210317743A1. Автор: John C. DiTomasso,Gabriel P. Smith. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Thermally isolated rotor systems and methods

Номер патента: EP4133185A1. Автор: John C. DiTomasso,Gabriel P. Smith. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Additive manufacturing system with sliding thermal isolator

Номер патента: EP3504045B1. Автор: William J. Swanson,Dominic F. Mannella. Владелец: Stratasys Inc. Дата публикации: 2021-01-13.

Gas turbine engine having section with thermally isolated area

Номер патента: EP3196408B1. Автор: Gabriel L. Suciu,James D. Hill,Brian D. Merry. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Thermally isolated rotor systems and methods

Номер патента: WO2021207089A1. Автор: John C. DiTomasso,Gabriel P. Smith. Владелец: Raytheon Technologies Corporation. Дата публикации: 2021-10-14.

Thermal isolation of cooling circuits with a common degas bottle filling port

Номер патента: US20210207522A1. Автор: Robert Alex Mitchell,Mursel Ayva,Eduardo Correia. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Turbine thermal isolation system for micro-turbine alternator

Номер патента: US20230313736A1. Автор: Richard A. Himmelmann. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Modular thermal isolation barrier for data processing equipment structure

Номер патента: US20220061188A1. Автор: Joshua James YOUNG,Jared Keith DAVIS,Joshua Blaine GREESON,Steven J. Gibble. Владелец: Chatsworth Products Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Basic material for generating of thermal isolation material

Номер патента: RU2323914C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина,Юли Алексеевна Щепочкина (RU). Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2008-05-10.

Thermal isolation luminaire and wall mount system

Номер патента: CA2569616A1. Автор: Thomas Russello,Michael K. Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for thermal isolation of mouth zone of product well in long frozen rocks

Номер патента: RU2247225C1. Автор: Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов,С.Д. Шляховой,Д.С. Шляховой,А.В. Кулигин,В.М. Пищухин,Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов (RU),ховой Д.С. Шл (RU),А.В. Кулигин (RU),ховой С.Д. Шл (RU),В.М. Пищухин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Северо-Кавказский научно-исследовательский проектный институт природных газов" Открытого акционерного общества "Газпром". Дата публикации: 2005-02-27.

Method and apparatus of electrical, mechanical and thermal isolation of superconductive magnets

Номер патента: SG194387A1. Автор: Devlin Baker,Daniel Bateman. Владелец: Magnetic Electrostatic Confinement Mec Corp. Дата публикации: 2013-11-29.

A shock absorption and isolation structure for aseismic buildings

Номер патента: NL2034550B1. Автор: Li Lei,Guan Jingwen,CHEN Jinsong,Kang Liping,LI Xiaohu,LI Guanghui,TIAN Limin,Zhao Wentong,Qiao Jing,Ma Hengyuan,Su Xiaozhou. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2024-10-21.

A seismic isolating structure

Номер патента: MY185783A. Автор: Adnan Azlan,Tiong Liq Yee Patrick. Владелец: Construction Ind Development Board Malaysia. Дата публикации: 2021-06-08.

Thermal isolation of laser engines in high density opto-electronic interconnection assemblies

Номер патента: WO2024220284A1. Автор: David Snyder,Sriram Tyagarajan,Steven E. Strauss,Kalpendu Shastri,Soham Pathak,Anujit Shastri,Alan LEONHARTSBERGER,Rao Yelamarty,Ravinder Kachru,Rutvij DAVE,Andrew RASELEY. Владелец: Aayuna Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

THERMAL ISOLATION, SUITABLE FOR ISOLATING THE GAS DISCHARGE TUBE OF A REFRIGERATING COMPRESSOR, AND A PROCESS OF ASSEMBLING THE ISOLATION IN THE GAS DISCHARGE TUBE

Номер патента: US20120261022A1. Автор: Lilie Dietmar Erich Bernhard,Junior Fernando Antonio Ribas,Link Rodrigo,Da Silva Bruno Eduardo. Владелец: WHIRLPOOL S.A.. Дата публикации: 2012-10-18.

PIPE THERMAL ISOLATED PUMP-COMPRESSOR (TTNK)

Номер патента: RU2011122227A. Автор: Сахиб Али оглы Шакаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Советскнефтеторгсервис". Дата публикации: 2012-12-10.

Thermal isolation device with decoration function mounted on hand-held container

Номер патента: TW529920B. Автор: Rung-Guo Lin. Владелец: Rung-Guo Lin. Дата публикации: 2003-05-01.

Evaporation source holder with thermal isolation component

Номер патента: TWM402295U. Автор: I-Chieh CHEN,Shih-Sin Luo,Ying-Hung Bai. Владелец: ADVANCED SYSTEM TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Laminated material having high thermal isolating properties

Номер патента: CA639036A. Автор: Alfille Lucien. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1962-03-27.

Thermally isolated water reservoir using hot gas to heat water

Номер патента: BR102014025199A2. Автор: Fuquim Werneck Xavier Fábio. Владелец: Fábio Furquim Werneck Xavier. Дата публикации: 2017-09-26.

Inclination and fall prevention thermal isolation cup sleeve for beverage cup

Номер патента: TWM423504U. Автор: Chia-Mei Liu. Владелец: Chia-Mei Liu. Дата публикации: 2012-03-01.

Electrosurgical end effector with thermally isolated and thermally conductive portions

Номер патента: CN114901168A. Автор: M·S·齐纳,F·E·谢尔顿四世,T·W·阿伦霍尔特,J·D·梅瑟利,K·M·费比格,C·E·埃克特,D·J·穆莫,S·A·沃辛顿,J·P·摩根,N·M·摩根. Владелец: Cilag GmbH International. Дата публикации: 2022-08-12.

COMPRESSED GAS SYSTEM, MANUAL VALVE ASSEMBLY, AND MANUAL VALVE PISTON WITH ISOCHORIC THERMAL ISOLATION ZONE

Номер патента: US20120085464A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

THERMALLY ISOLATED HEATED PIPELINE MADE OF DOUBLE CASING SECTIONS AND LAYING PROCESS FOR SUCH A PIPELINE

Номер патента: US20120125906A1. Автор: GEERTSEN Christian,GROBBELAAR Wayne P.. Владелец: ITP SA. Дата публикации: 2012-05-24.

SENSOR BRIDGE WITH THERMALLY ISOLATING APERTURES

Номер патента: US20120152014A1. Автор: Speldrich Brian. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

THERMALLY ISOLATED TEMPERATURE SENSOR

Номер патента: US20120201269A1. Автор: Mujumdar Kishor,Krishnamurthy Guruprasad,Boyd Jamie. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

THERMALLY ISOLATED WALL ASSEMBLY

Номер патента: US20120204727A1. Автор: Nordlund Raymond S.. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

Point Contact Thermal Isolation

Номер патента: US20120231311A1. Автор: Hall David R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

GAS TURBINE ENGINE SYSTEMS AND RELATED METHODS INVOLVING THERMALLY ISOLATED RETENTION

Номер патента: US20120272522A1. Автор: Sadil Andreas,Barnett,JR. Claude I.,Daigle Ricky A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Micro-scale System to Provide Thermal Isolation and Electrical Communication Between Substrates

Номер патента: US20120286884A1. Автор: DeNatale Jeffrey F.,Stupar Philip A.,Lin Yu-Hua,Borwick Robert L.,Papavasiliou Alexandros P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

THERMAL ISOLATION DEVICE FOR INFRARED SURVEILLANCE CAMERA

Номер патента: US20130070102A1. Автор: Gustafson Eric J.,Francisco Glen,Ward Adam J.. Владелец: DRS RSTA, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

NANO-TIP SPACERS FOR PRECISE GAP CONTROL AND THERMAL ISOLATION IN MEMS STRUCTURES

Номер патента: US20130082181A1. Автор: Morf Thomas E.,Corcos Dan,Despont Michel,Elad Danny,Gotsmann Bernd,Kull Lukas. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-04.

THERMALLY ISOLATED HEAT SINK FOR LED LIGHTING

Номер патента: US20130135879A1. Автор: Riesebosch Scott A.. Владелец: CRS ELECTRONICS. Дата публикации: 2013-05-30.

APPARATUS FOR MECHANICALLY ROBUST THERMAL ISOLATION OF COMPONENTS

Номер патента: US20130198913A1. Автор: Smith Doran. Владелец: U.S. ARMY RESEARCH LABORATORY. Дата публикации: 2013-08-01.

THERMALLY-ISOLATED ANCHORING SYSTEMS FOR CAVITY WALLS

Номер патента: US20130247483A1. Автор: Hohmann,JR. Ronald P.. Владелец: MITEK HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

THERMAL ISOLATION APPARATUS

Номер патента: US20130251515A1. Автор: Johnson David Martin,Floyd Donald Earl. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2013-09-26.

METHODS AND APPARATUS PROVIDING THERMAL ISOLATION OF PHOTONIC DEVICES

Номер патента: US20130336613A1. Автор: Sandhu Gurtej,Meade Roy. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

HIGH-STRENGTH VENEER TIE AND THERMALLY ISOLATED ANCHORING SYSTEMS UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20140075855A1. Автор: Hohmann,JR. Ronald P.. Владелец: MITEK HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

PACKAGE-ON-PACKAGE STRUCTURE INCLUDING A THERMAL ISOLATION MATERIAL AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140124955A1. Автор: Cheng Ming-Da,Liu Chung-Shi,Chen Meng-Tse,Huang Kuei-Wei,Tsai Tsai-Tsung,Ang Ai-Tee. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

Method of thermal isolation of injection well

Номер патента: SU857442A1. Автор: Сергей Федорович Билык,Петр Андреевич Вислобицкий,Владимир Васильевич Кравец,Константин Александрович Оганов,Богдан Теофильевич Шемеляк,Эммануил Богданович Чекалюк. Владелец: Государственный Научно-Исследовательский И Проектный Институт Нефтяной Промышленности. Дата публикации: 1981-08-23.

Method for preparing super thermal isolation polymer materials from polymer nanometer hollow capsules

Номер патента: CN102504326B. Автор: 高翔,罗英武,叶长怀. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2013-08-07.

Multifunctional micro-void super-fiber building thermal isolation coating heat preservation system with composite structure

Номер патента: CN201649321U. Автор: 李斯龙. Владелец: FUJIAN OUNUO PAINT TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2010-11-24.

Low-temperature thermal-isolation gas cylinder

Номер патента: CN104235600A. Автор: 黄晖,柳云兴,张晓光,顾刘海. Владелец: JIANGSU SERLNG NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

A kind of thermal isolation by water storage roofing

Номер патента: CN208396162U. Автор: 杨超,孙荣华,孔伟程. Владелец: Zhenjiang City Landscape Garden Planning And Design Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

Method for preparing super thermal isolation polymer materials from polymer nanometer hollow capsules

Номер патента: CN102504326A. Автор: 高翔,罗英武,叶长怀. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2012-06-20.

Method of thermal isolation of well

Номер патента: SU1010257A1. Автор: Анатолий Алексеевич Белгов,Дмитрий Николаевич Кулиш,Евгений Борисович Соловкин,Наталья Афанасьевна Соловкина. Владелец: Научно-производственное объединение по термическим методам добычи нефти "Союзтермнефть". Дата публикации: 1983-04-07.

A kind of thermal isolation film

Номер патента: CN206011910U. Автор: 林凯. Владелец: Dongguan Nali Optical Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-15.

Thin film fuse phase change cell with thermal isolation layer and manufacturing method

Номер патента: TWI328873B. Автор: Shih Hung Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Thermal isolation micro-bridge structure and processing method thereof

Номер патента: CN101249935A. Автор: 姜利军,罗雯雯. Владелец: ZHEJIANG DALI TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-27.

A kind of copper sulfide nano material is preparing the application near infrared shielding thermal isolation film

Номер патента: CN105219091A. Автор: 朱波,余诺,田琪,张丽莎,陈志钢,娄冬冬,钟文君,胡俊靑,刘子潇,王兆洁,章天涯. Владелец: DONGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-06.

A kind of solar energy thermal isolation film

Номер патента: CN204382750U. Автор: 朱玮. Владелец: DALIAN AIRUIDE NANO TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Thermal isolator ground pan for foundation of manufactured building

Номер патента: CA2703536A1. Автор: Scott Oliver,James Oliver. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

A kind of Ag alloy thermal isolation film

Номер патента: CN204659078U. Автор: 谈琦. Владелец: Sichuan Ya Li Supermembrane Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2015-09-23.

THERMAL ISOLATION MATERIAL OF MINERAL FIBERS CONNECTED WITH PHENOLIC RESIN CONTAINING DICYANDIAMIDE

Номер патента: DK146443C. Автор: Ronald James Ashall. Владелец: Fibreglass Ltd. Дата публикации: 1984-03-19.

Probe tip thermal isolation and fast prediction algorithm

Номер патента: AU2002254423A1. Автор: Robert B. Gaines,Loren Lantz. Владелец: Cardinal Health 529 LLC. Дата публикации: 2003-05-15.

Roof with light guiding, thermal isolating, and ventilating function

Номер патента: TWI693326B. Автор: 吳宗駿. Владелец: 瑋祐有限公司. Дата публикации: 2020-05-11.

Fire-resisting thermal isolation door slat and roll door using the same door

Номер патента: TWM585827U. Автор: 陳志誠. Владелец: 光群實業股份有限公司. Дата публикации: 2019-11-01.

Injection moulding machine - has thermally isolated injection unit and screw cylinders, to allow improved plastic homogenisation

Номер патента: AT403776B. Автор: . Владелец: Engel Gmbh Maschbau. Дата публикации: 1998-05-25.

A kind of implosion guard thermal isolation film and preparation method thereof

Номер патента: CN109837033A. Автор: 宋龙虎. Владелец: Dongguan Rong Teng Nano Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Multi-layered, composite, thermal-isolation and explosion-proof glass film

Номер патента: CN100509381C. Автор: 项永忠. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-08.

A kind of fire-resistant waterproof ventilation thermal isolation film

Номер патента: CN109720051A. Автор: 万宝林. Владелец: JIANGSU KEDEBAO BUILDING ENERGY SAVING SCIENCE & TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-07.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.