Semiconductor device and method for manufacturing same
Номер патента: US09935074B2
Опубликовано: 03-04-2018
Автор(ы): Akira Iwabuchi, Syoichirou Oomae
Принадлежит: Denso Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-04-2018
Автор(ы): Akira Iwabuchi, Syoichirou Oomae
Принадлежит: Denso Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.